CN1087870C - 改进的抛光浆料和其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种水基浆料，用于抛光或平整化含有金属的被加工件，该浆料的固体含量包括约1～50%重量的亚微米α-氧化铝，固体的剩余部分是低磨耗的组分，其选自一种或多种选自铝的水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅。本发明还提供了一种用于抛光含金属的被加工件表面的方法，其中所说的水基浆料在化学-机械抛光过程中用作抛光组合物。

Description

改进的抛光浆料和其使用方法
本发明涉及金属、介电材料/金属复合材料、半导体和集成电路的抛光。更具体地说，本发明涉及改进的浆料，该浆料含有用于平整化半导体和集成，电路板的磨料颗粒。
常规抛光组合物或浆料通常由含有磨料颗粒的溶液构成。将部件或基材浸在该浆料中或者用该浆料清洗，同时将弹性垫压在基材上，使垫和基材相对移动。这样磨料颗粒就被加压压在基材上，并且垫的水平移动使磨料颗粒移动穿过基材表面，从而磨损并清除了基材表面的一部分体积。
在许多情况下，表面的清除速度只取决于所用的压力，垫转动的速度和浆料颗粒的化学活性。提高抛光颗粒的化学活性是许多专利的根据，例如USP4959113(Roberts)和USP5382272(Cook等)都转让给Rodel，Inc.，Newark，Delaware。
一种提高抛光速度的可选择的方法是往浆料中加入本身可腐蚀基材的组分。当同时采用磨料颗粒时，可以显著提高抛光速度。这种方法通常被称为化学-机械抛光(CMP)，它是用于对半导体和半导体装置，特别是集成电路抛光的优选技术。通常将添加剂加入到浆料中，这种添加剂在对抛光介电材料/金属复合材料装置，如集成电路装置的内连接的抛光中加快了金属组分的溶解。这种方法和其它相关技术的目的是优选地清除电路中的金属部分，以便使生成的表面形成具有绝缘或介电特性的共平面，一般是由SiO2构成的。该方法被称为平面化法。
通常将氧化剂，例如过氧化氢加入到用于CMP的浆料中，以便将金属表面变成氧化物，这些氧化物再受到抛光浆料的化学和机械作用。F.Kaufman，等在J.Electrochem.Soc.，vol.138，p.3460，1991，中对该技术有一综述，其在此结合作为参考。
正如Kaufman所指出的，在浆料中通常用于金属装置结构的CMP的磨料通常采用氧化铝或二氧化硅颗粒来提供磨料活性。同时二氧化硅只能采用无定形状态的来抛光，氧化铝颗粒可以是工业生产的被不同程度水合的无定形和晶体形态的。这些材料根据其水合程度被分成三类。第一类被称为铝的水合物，通式为Al(OH)3。这一类工业生产的化合物的例子是三水铝石Bayerite(γ-氢氧化铝)和三水铝石Gibbsite(α-氢氧化铝)。第二类被称为铝一氢氧化物，通式为AlOOH。这一类工业生产的化合物的例子是硬水铝石(γ-氢氧化铝)和勃姆石(α-氢氧化铝)。第三类是固体氧化物(Al2O3)。这一类工业生产的化合物的例子是γ-氧化铝和α-氧化铝。所有这些晶体化合物通常在氧化铝的脱水过程中出现，其最终产物是α-氧化铝。
现有技术对这些种类的氧化铝在抛光工艺中的相对优点没有明确说明。例如，USP4944836(Beyer等)、USP4956313(Cote等)、USP5244534(Yu等)和USP5391258(Brancaleoni等)，所有专利都公开了现有的用于金属半导体设备的CMP的浆料，简单说明了氧化铝磨料颗粒的应用。本领域技术人员一般认为在金属CMP中采用氧化铝磨料颗粒的主要原因是它们在酸性，一般是pH1-6的环境中具有稳定性，而二氧化硅颗粒在这种环境中的分散性是不稳定的。
如在USP5340370(Cadien)中所提到的，氧化铝磨料颗粒的主要缺陷是有划伤基材表面的可能。这就导致在过去使用了低磨耗的氧化铝，特别是用于抛光的勃姆石和γ-氧化铝(参见“Nanometer sized aluminapolishing slurry”，D.Rostoker，Norton Material，Woreester，MA1994)。一般这些低磨耗颗粒具有与二氧化硅的相似的抛光活性。
尽管这些低磨耗浆料颗粒具有减少划伤的优点，但是当采用它们时会出现其它严重缺陷。如Cadien(USP5340370)所指出的，主要缺点是低磨耗浆料颗粒对TiN和Ti结合层的抛光活性非常小，该层通常用于粘合接触金属。在CMP过程中该结合层必须要从所有水平表面上清除，以生成加工装置。Rutten等(“Pattern Density Effects in TungstenCMP”，Proc.VMIC 1995，pp.491-7，1995)，最近回顾了金属元件片材上的CMP结合层的去除效果。随着集成电路部件腐蚀的增加，提高了结合层的选择性(金属与结合层清除速度的比例)。该比例理想的是应该非常低，即1，同时保持对介电相(SiO2)的高度选择性。
如Cadian所提到的，采用低磨耗浆料颗粒的现有金属CMP浆料通常对结合层的选择性与对该介电层的选择性相等，即它们过高。这就导致需要太长的抛光时间来完全清除结合层(对于现有技术的浆料来说，结合层的清除可以占抛光总时间的30％)或者，如Cadien所提到的，可以采用附加的抛光步骤。
从上述讨论可明显看出：如果可以制备能够同时高速清除金属部分、对介电相选择性高以及对结合层选择性低的金属CMP浆料，将代表着对本领域现状下的重大改进。
本发明的一个方面是用于抛光或平整化含金属的被加工件水基浆料，该浆料的固体部分包含约1～50％重量的亚微米α-氧化铝，固体的剩余部分主要是低磨耗组合物。低磨耗固体主要选自铝的水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅中的一种或几种。本发明的另一方面是一种抛光或平整化含金属的被加工件表面的方法，它包括(a)将水基浆料施于要被抛光或平整化的被加工件表面，该水基浆料的固体部分含有约1到约50％完全结晶的α-氧化铝，固体的剩余部分主要是低磨耗组合物，和(b)通过化学-机械抛光方法抛光或平整化该被加工件的表面。
在本发明中，我们已经发现：当水基浆料中所用固体含有约1～50％亚微米α-氧化铝，作为第二种组分的固体的剩余部分是低磨耗相时，从被加工件上清除金属具有出人意料的高速度。优选地α-氧化铝颗粒是浆料固体部分的约5～25％重量。
这种浆料的金属抛光速度远大于当水基浆料中所用固体是100％的相同粒度的α-氧化铝时达到的速度，并且该速度是当浆料中所用固体只含有低磨耗和/或非结晶(无定形)固体时达到速度的几倍。
要被抛光的被加工件基材一般含有一种或几种金属，如钨、铝、铜、镍或钽。其它金属也可被单独使用或者与前面所说的金属一起使用。这些被加工件也可以是含有一种或几种金属和一种介电材料，如二氧化硅(SiO2)或其它本领域已知的一般介电材料的半导体元件的基材。当被加工件中存在介电材料时，在能够高速清除金属的同时，本发明的浆料出乎意料地具有对介电材料的高选择性和对将金属粘合在介电材料的结合层极低的选择性。一般的结合层由氮化钛(TiN)制成。这些浆料的性质比现有技术的有了很大提高。
本发明浆料可以进一步含有氧化剂，如Cadien(USP5340370)所描述的那些，以及抑制清除二氧化硅速度的化合物，如Brancaleoni(USP5391258)所描述的。已经认识到也可加入其它通常用于本领域的添加剂，如表面活性剂、悬浮助剂等，而不偏离本发明的基本特征。
用于本发明抛光组合物中的氧化剂可以是任何可溶于水介质的氧化剂，前提是该氧化剂的氧化势要大于被抛光的金属的氧化势。常用的氧化剂是氯酸盐、高氯酸盐、亚氯酸盐、碘酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、过氧化物、臭氧水和充氧水。
Brancaleoni(USP5391258)将抑制清除二氧化硅速度的化合物描述为含有至少两个酸基的化合物，并且其一级解离酸的pKa不明显大于用作抛光浆料的抛光组合物的pH。这类化合物的例子是邻苯二甲酸氢钾和邻苯二甲酸氢铵。
本发明浆料的一个特征是同时存在α-氧化铝和低磨耗颗粒，它们都是亚微米级的，也就是说优选为0.02微米到小于1微米的。α-氧化铝的作用是提供高的清除速度和相对于结合层的较低的选择性。低磨耗颗粒的同时存在在保持高速清除其它部分的同时，意想不到地减小了介电部分的清除速度。这就得到了所需要的相对于介电相的较高的选择性。这种意想不到的效果在下面的实施例中进行更详细的说明。
这种在本发明中用于与α-氧化铝结合的低磨耗颗粒可以选自例如铝的水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝(非晶体的)和无定形二氧化硅(非晶体的)中的一种或几种。
第二种低磨耗固体部分的主要特征是它是低磨耗的。其作用被认为是相对于纯α-氧化铝降低了元件的介电成分的抛光速度，以提高金属/介电材料抛光的选择性。氧化铝化合物由于它们具有上述酸的稳定性和与α-氧化铝组分高度的化学适应性而是优选的。无定形二氧化硅也可以用作低磨耗颗粒，但是这样的组合长时间贮存会发生结块和沉降。尽管对浆料的作用不起消极作用，它不适合用于工业生产的浆料，除非浆料混合物在使用之前制备。
这些低磨耗氧化铝材料可以选自许多工业可用的化合物。它们包括：例如三水铝石Bayerite(γ-铝水合物)、三水铝石Gibbsite(α-氢氧化铝)、硬水铝(γ-氢氧化铝)、勃姆石(α-铝水合物)、γ-氧化铝、δ-氧化铝和无定形氧化铝。它们在采用小于1微米的颗粒时均是有效的。它们可以根据纯度、材料成本或其它因素在所需的范围内组合。无定形氧化铝是通过火焰合成(通常叫做气相法氧化铝)制备的，勃姆石(α-铝水合物)和γ-氧化铝优选作为低磨耗固体组分，因为它们容易以低成本制成高纯度的亚微米材料。
本发明浆料可以通过本领域技术人员采用的任何方法制备，一般是一起混合所有的组分，它们可能是液体、可溶性固体化合物、不溶性固体或者不溶性固体的分散体。尽管下面的实施例说明在浆料中含有7％重量的不溶性固体以用于抛光，这种α-氧化铝和低磨耗固体的混合物在磨料固体实际用于这类浆料的范围中是有效的，即约0.5到约50％重量。通常所用的这类浆料的磨料固体含量为约3～12％重量。通常制备本发明浆料的浓缩物。接着将浓缩的浆料用水稀释到用于抛光工艺所需的浓度。而且，尽管实施例表明可采用氧化剂(KIO3)和可有效抑制介电材料抛光速度的试剂(邻苯二甲酸氢铵)，这两类添加剂是任选的并且对本发明并不是必须的。下面的实施例说明浆料的制备方法，以及其在金属钨(W)的CMP中的用途。可用于其它通常用于微电子工业的金属，如铝、铜、镍、钽等的CMP的配方可以很容易地通过本发明公开的原则来进行，同样提高了现有技术浆料的结果。
实施例
通过在聚乙烯容器中采用常规电动搅拌器混合下面以重量百分比计的组分，形成均匀浆料来制备1加仑的浆料：
化合物                       重量百分比
水                           85.5％
邻苯二甲酸氢铵               3.5％
KIO3                        3％
亚微米磨料                   7％
制备六批料浆料，其中每一批具有相同百分比的亚微米磨料，但是所说的亚微米磨料中的α-氧化铝的比例从0％～100％变化。无定形气相法氧化铝用于作为剩余的磨耗材料。两种材料具有约0.15微米的相似粒度。
采用Westech372抛光设备和Rodel IC1000/SubaIV抛光垫用这些批料的浆料抛光具有钨、TiN和SiO2涂层的直径为6英寸的硅片，条件如下：
压力                      8psi
载体速度                  30rpm
工作台速度                50rpm
载体背部压力              4psi
垫片条件                  每转之间吹扫3次
通过测定抛光之前和之后的膜厚度来测定每个要被抛光的片的抛光速度，并除以抛光时间。选择性是通过相应材料的速度比例来计算的。结果列于下面的表1
表1：α-氧化铝含量对CMP效果的影响
％α-氧化铝  钨的速度(埃/分钟)  SiO2速度(埃/分钟)  TiN速度(埃/分钟)   W/SiO2选择性   W/TiN选择性
    0     823     3.5     ＜100   235∶1   ＞8∶1
    3     2843     46     n.a.   62∶1
    5     3890     55     n.a.   71∶1
    25     3960     31     3500   128∶1   1.1∶1
    50     4040     55     3500   73∶1   1.1∶1
    100     3127     98     3000   32∶1   1∶1
n.a.＝没有可用的数据
已经证明加入α-氧化铝可显著提高清除钨的速度。即使采用最小量的α-氧化铝(3％)也产生了与采用100％α-氧化铝几乎同样高的速度。令人惊奇的是当将α-氧化铝含量进一步提高到全部固体的5～50％时，清除钨的速度明显高于采用100％α-氧化铝的速度。
相反，钨/SiO2的选择性随着α-氧化铝含量的增大而减小，当α-氧化铝为100％时最低，α-氧化铝为0％时为最高。但是，当在浆料中同时存在α-氧化铝和无定形氧化铝时，该选择性明显高于100％α-氧化铝的例子。同时这些混合的氧化铝浆料提高了钨的清除速度。
钨/TiN的选择性基本上是恒定的，前提是在分散体中存在一定量的α-氧化铝。当只采用无定形氧化铝颗粒时，可以忽略TiN的清除速度。这与Cadien的说明是一致的。
由此可见浆料中同时含有亚微米α-氧化铝和第二种低磨耗颗粒原料的混合物可以不仅具有高的清除金属速度，而且具有高的金属/SiO2选择性以及低的金属/结合层选择性。
在公开的方案代表现有技术水平的明显提高的同时，在本领域技术人员阅读了前面的说明书和下面的权利要求书之后，其他改进和应用是显而易见的。

Claims (20)

1.一种水基浆料，可用于含有一种金属的被加工件的化学-机械抛光，它含有水、亚微米α-氧化铝颗粒和一种或多种选自铝水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅的低磨耗的亚微米固体颗粒，其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的1～50％重量。
2.权利要求1的水基浆料，其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的5～25％重量。
3.权利要求1的水基浆料，进一步含有一种氧化剂。
4.权利要求2的水基浆料，进一步含有一种氧化剂。
5.权利要求3的水基浆料，其中被加工件进一步含有二氧化硅，该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
6.权利要求4的水基浆料，其中被加工件进一步含有二氧化硅，该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
7.权利要求1、2、3、4、5或6的水基浆料，其中所说的α-氧化铝与γ-氧化铝的亚微米颗粒一起使用。
8.权利要求1、2、3、4、5或6的水基浆料，其中所说的α-氧化铝与无定形氧化铝的亚微米颗粒一起使用。
9.权利要求1、2、3、4、5或6记载的水基浆料，其中所说的α-氧化铝与勃姆石(α-铝水合物)的亚微米颗粒一起使用。
10.一种用于抛光或平整化含有金属的被加工件表面的方法，包括(a)将一种水基浆料施于所说的被加工件表面，该水基浆料含有：水、亚微米α-氧化铝颗粒和一种或多种低磨耗的亚微米固体颗粒，所说的固体颗粒选自铝水合物、铝的氢氧化物、γ-氧化铝、δ-氧化铝、无定形氧化铝和无定形二氧化硅，其中在所说浆料中所说α-氧化铝构成全部固体的1～50％重量，(b)通过化学-机械抛光方法抛光或平整化所说被加工件的表面。
11.权利要求10的方法，其中在所说的浆料中，所说α-氧化铝构成全部固体的5～25％重量。
12.权利要求10的方法，其中所说的浆料进一步含有一种氧化剂。
13.权利要求11的方法，其中所说的浆料进一步含有一种氧化剂。
14.权利要求12的方法，其中被加工件进一步含有二氧化硅，该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
15.权利要求13的方法，其中被加工件进一步含有二氧化硅，该浆料进一步含有一种抑制该二氧化硅清除速度的试剂。
16.权利要求10、11、12、13、14或15的方法，其中在所说被加工件中含有的金属是钨。
17.权利要求10、11、12、13、14或15的方法，其中在所说被加工件中含有的金属是铝。
18.权利要求10、11、12、13、14或15的方法，其中在所说被加工件中含有的金属是铜。
19.权利要求10、11、12、13、14或15的方法，其中在所说的被加工件中含有的金属是镍。
20.权利要求10、11、12、13、14或15的方法，其中在所说的被加工件中含有的金属是钽。
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Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258137B1 (en) * 1992-02-05 2001-07-10 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. CMP products
JP3278532B2 (ja) * 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
JPH09139368A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Sony Corp 化学的機械研磨方法
US5738800A (en) * 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US6132637A (en) 1996-09-27 2000-10-17 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US6602439B1 (en) * 1997-02-24 2003-08-05 Superior Micropowders, Llc Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same
US6001269A (en) * 1997-05-20 1999-12-14 Rodel, Inc. Method for polishing a composite comprising an insulator, a metal, and titanium
US5934980A (en) * 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US20090255189A1 (en) * 1998-08-19 2009-10-15 Nanogram Corporation Aluminum oxide particles
US6045435A (en) * 1997-08-04 2000-04-04 Motorola, Inc. Low selectivity chemical mechanical polishing (CMP) process for use on integrated circuit metal interconnects
JPH1187287A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Fujitsu Ltd 基板の平坦化研磨方法
US5989301A (en) * 1998-02-18 1999-11-23 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Optical polishing formulation
TW419518B (en) * 1998-02-20 2001-01-21 Ind Tech Res Inst Non-Newtonian-fluid-behaviored formulation
JP4113282B2 (ja) * 1998-05-07 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
US5964953A (en) * 1998-05-26 1999-10-12 Memc Electronics Materials, Inc. Post-etching alkaline treatment process
JP2000080350A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
US6572449B2 (en) 1998-10-06 2003-06-03 Rodel Holdings, Inc. Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same
US6241586B1 (en) * 1998-10-06 2001-06-05 Rodel Holdings Inc. CMP polishing slurry dewatering and reconstitution
KR100324311B1 (ko) 1998-10-26 2002-05-13 김영환 반도체소자의화학기계연마공정용슬러리제조방법
JP4428473B2 (ja) * 1999-01-18 2010-03-10 株式会社東芝 気相法無機酸化物粒子の含水固体状物質及び研磨用スラリーの製造方法
JP3523107B2 (ja) 1999-03-17 2004-04-26 株式会社東芝 Ｃｍｐ用スラリおよびｃｍｐ法
US6238450B1 (en) 1999-06-16 2001-05-29 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Ceria powder
WO2001019935A1 (en) * 1999-09-15 2001-03-22 Rodel Holdings, Inc. Slurry for forming insoluble silicate during chemical-mechanical polishing
EP1228159A1 (en) * 1999-10-15 2002-08-07 Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. Improved cmp products
KR20010046395A (ko) 1999-11-12 2001-06-15 안복현 연마용 조성물
US6319096B1 (en) 1999-11-15 2001-11-20 Cabot Corporation Composition and method for planarizing surfaces
US6293848B1 (en) 1999-11-15 2001-09-25 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for planarizing surfaces
US6527817B1 (en) * 1999-11-15 2003-03-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for planarizing surfaces
US6261476B1 (en) 2000-03-21 2001-07-17 Praxair S. T. Technology, Inc. Hybrid polishing slurry
US6447375B2 (en) 2000-04-19 2002-09-10 Rodel Holdings Inc. Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition
TWI268286B (en) * 2000-04-28 2006-12-11 Kao Corp Roll-off reducing agent
US6443811B1 (en) 2000-06-20 2002-09-03 Infineon Technologies Ag Ceria slurry solution for improved defect control of silicon dioxide chemical-mechanical polishing
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
CN1197930C (zh) * 2000-07-19 2005-04-20 花王株式会社 抛光液组合物
US6627546B2 (en) 2001-06-29 2003-09-30 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
CN100522856C (zh) 2001-08-02 2009-08-05 3M创新有限公司 Al2O3-稀土元素氧化物-ZrO2/HfO2材料以及其制造方法
JP4532898B2 (ja) * 2001-08-02 2010-08-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨粒子およびその製造方法ならびに使用方法
EP1412295B1 (en) 2001-08-02 2007-11-14 3M Innovative Properties Company Method of making articles from glass and glass ceramic articles so produced
US7097541B2 (en) 2002-01-22 2006-08-29 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US6527622B1 (en) * 2002-01-22 2003-03-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US7316603B2 (en) * 2002-01-22 2008-01-08 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for tantalum CMP
US8056370B2 (en) 2002-08-02 2011-11-15 3M Innovative Properties Company Method of making amorphous and ceramics via melt spinning
JP2004193495A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US7811496B2 (en) 2003-02-05 2010-10-12 3M Innovative Properties Company Methods of making ceramic particles
US6984261B2 (en) 2003-02-05 2006-01-10 3M Innovative Properties Company Use of ceramics in dental and orthodontic applications
US6896591B2 (en) * 2003-02-11 2005-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same
EP1594656B1 (en) 2003-02-18 2007-09-12 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
US20040216388A1 (en) * 2003-03-17 2004-11-04 Sharad Mathur Slurry compositions for use in a chemical-mechanical planarization process
JP4202183B2 (ja) * 2003-05-09 2008-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4089509B2 (ja) * 2003-05-22 2008-05-28 日立化成工業株式会社 摩擦材組成物及び摩擦材組成物を用いた摩擦材
JP4339034B2 (ja) * 2003-07-01 2009-10-07 花王株式会社 研磨液組成物
US6869336B1 (en) * 2003-09-18 2005-03-22 Novellus Systems, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical planarization of ruthenium
US20050109980A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Hongyu Wang Polishing composition for CMP having abrasive particles
JP3920263B2 (ja) * 2003-12-22 2007-05-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 情報処理装置、制御方法、プログラム、及び記録媒体
US20050211950A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
US7332453B2 (en) 2004-07-29 2008-02-19 3M Innovative Properties Company Ceramics, and methods of making and using the same
KR101371853B1 (ko) * 2005-01-05 2014-03-07 니타 하스 인코포레이티드 연마슬러리
US20060283093A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Ivan Petrovic Planarization composition
US7803203B2 (en) 2005-09-26 2010-09-28 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of semiconductor materials
US7955519B2 (en) * 2005-09-30 2011-06-07 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for planarizing surfaces
US8685123B2 (en) * 2005-10-14 2014-04-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive particulate material, and method of planarizing a workpiece using the abrasive particulate material
GB2433515B (en) * 2005-12-22 2011-05-04 Kao Corp Polishing composition for hard disk substrate
US7368066B2 (en) * 2006-05-31 2008-05-06 Cabot Microelectronics Corporation Gold CMP composition and method
US8226841B2 (en) 2009-02-03 2012-07-24 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks
US8197307B1 (en) * 2009-03-19 2012-06-12 Kenneth Luna Surface polishing system
US9039914B2 (en) 2012-05-23 2015-05-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks
US8518135B1 (en) 2012-08-27 2013-08-27 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing hybrid abrasive for nickel-phosphorous coated memory disks
CN104191340B (zh) * 2014-08-29 2017-01-11 浙江工业大学 非牛顿流体剪切增稠与电解复合效应的超精密加工装置
KR20190040360A (ko) * 2016-09-23 2019-04-17 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 화학적 기계적 평탄화 슬러리 및 이를 형성하는 방법
US11117239B2 (en) * 2017-09-29 2021-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical mechanical polishing composition and method
JP7431038B2 (ja) * 2019-12-27 2024-02-14 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用スラリー
CN116023907A (zh) * 2023-02-16 2023-04-28 西南交通大学 一种用于铜/镍微结构平坦化的抛光液及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4956015A (en) * 1988-01-19 1990-09-11 Mitsubishi Kasei Corporation Polishing composition
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5366542A (en) * 1990-08-29 1994-11-22 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5525191A (en) * 1994-07-25 1996-06-11 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor substrate
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE252091C (de) * 1911-09-02 1912-10-15 Anlassvorrichtung für Explosionsmotoren.
SU969707A1 (ru) * 1981-01-28 1982-10-30 Кироваканский Ордена Трудового Красного Знамени Химический Завод Им.А.Ф.Мясникяна Абразивный состав
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4645561A (en) * 1986-01-06 1987-02-24 Ampex Corporation Metal-polishing composition and process
US4855264A (en) * 1986-11-20 1989-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Aluminum oxide/aluminum oxynitride/group IVB metal nitride abrasive particles derived from a sol-gel process
JPH0682660B2 (ja) * 1987-08-17 1994-10-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 導電性スタツドを形成する方法
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
JPH0284485A (ja) * 1988-09-20 1990-03-26 Showa Denko Kk アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物
JP2725192B2 (ja) * 1988-12-09 1998-03-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨剤組成物
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
JP2850254B2 (ja) * 1989-09-27 1999-01-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨剤組成物
CA2039998A1 (en) * 1990-10-09 1992-04-10 Donald C. Zipperian Mechanochemical polishing abrasive
FR2678922B1 (fr) * 1991-07-08 1994-03-25 Sumitomo Chemical Cy Ltd Poudre d'alumine theta, son procede de preparation et support d'enregistrement magnetique la contenant.
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
AU650382B2 (en) * 1992-02-05 1994-06-16 Norton Company Nano-sized alpha alumina particles
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5300130A (en) * 1993-07-26 1994-04-05 Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Polishing material
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
KR960041316A (ko) * 1995-05-22 1996-12-19 고사이 아키오 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4956015A (en) * 1988-01-19 1990-09-11 Mitsubishi Kasei Corporation Polishing composition
US5366542A (en) * 1990-08-29 1994-11-22 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5525191A (en) * 1994-07-25 1996-06-11 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor substrate
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers

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Publication number Publication date
JPH11511394A (ja) 1999-10-05
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TW365028B (en) 1999-07-21
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Fang et al. Strong Synergistic Effects between Ceria and Montmorillonite particles in Glass CMP Slurries
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