KR19990064098A - 개선된 연마용 슬러리 및 이의 사용 방법 - Google Patents

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콘라드 에스. 캐딩
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Abstract

본 발명은 금속을 함유하는 가공품의 연마 또는 평탄화용 수성 슬러리를 제공하는데, 상기 슬러리의 고체 부분은 약 1 내지 약 50중량%의 서브마이크론 알파-알루미나로 이루어지고, 고체 부분의 나머지는 알루미늄 하이드레이트, 알루미늄 옥사이드, 감마-알루미나, 델타-알루미나, 무정형 알루미나 및 무정형 실리카로 이루어진 하나 이상의 그룹으로부터 선택되는 상당히 작은 연마용 조성물로 이루어진다. 또한, 본 발명은 상기 수성 슬러리를 화학-기계적 연마 동안 연마용 조성물로서 사용하는, 금속을 함유하는 가공품의 표면을 연마시키는 방법을 제공한다.

Description

개선된 연마용 슬러리 및 이의 사용 방법
통상적인 연마용 조성물 또는 슬러리는 일반적으로 연마 입자를 함유하는 용액으로 이루어진다. 엘라스토머 패드를 기판에 대해 압착시키고 패드 및 기판을 서로에 의해 이동시키면서 부품 또는 기판을 입욕시키거나 린싱시킨다. 이와 같이 연마 입자를 기판에 대해 하중하에 압착시키고 패드의 측면 이동으로 연마 입자가 기판 표면을 가로질러 이동되도록 할 경우, 기판 표면의 마모 및 용적 박리가 발생한다.
다수의 경우에 표면 제거 속도는 단지 적용된 압력 정도, 패드 회전 속도 및 슬러리 입자의 화학 활성에 의해 측정한다. 연마 입자의 화학 활성의 증가는 다수의 특허, 예를 들어 델라웨어주의 뉴워크 소재의 로델, 인코포레이티드(Rodel, Inc.)에 양도된 USP 4959113(Poberts) 및 USP 5382272(Cook et al.)의 원리이다.
연마율을 증가시키는 대체 방법은 저절로 기판에 침식하는 성분을 슬러리에 가하는 것이다. 연마 입자와 함께 사용할 경우, 상당히 높은 연마율을 수득할 수 있다. 종종 화학-기계적 연마(CMP)라 부르는 이 방법은, 반도체 및 반도체 장치, 특히 집적 회로를 연마하는데 바람직한 기술이다. 종종 집적 회로 구조내의 연속 바이어스(interconnect vias)와 같은 유전체/금속 복합물의 연마시 금속 성분의 용해를 촉진시키는 첨가제를 슬러리에 유입시킨다. 이의 목적 및 다른 관련 기술는 바람직하게는 회로의 금속 부분을 제거하여 생성된 기판이 전형적으로 SiO2로 구성되어 있는 절연면 또는 유전면과 공면이 되도록 하는 것이다. 이 공정을 평탄화라고 한다.
종종, 과산화수소와 같은 산화제를 CMP용으로 사용하는 슬러리에 가하여 금속 표면을 산화물로 전환시킨 다음, 연마용 슬러리의 화학 및 기계적 작용에 적용시킨다. 당해 분야의 일반적 개관은 본원에 참고로 인용된 문헌[참조: F. Kaufman et al., J. Electrochem. Soc., vol. 138, p. 3460, 1991]에 의해 제공된다.
카우프만(Kaufman) 등이 지적한 바와 같이, 금속 장치 구조의 CMP에서 통상적으로 사용하는 연마제는 통상적으로 슬러리에 알루미나 또는 실리카 입자를 사용하여 연마 활성을 제공한다. 실리카는 연마 목적을 위해서 전적으로 무정형 상태로 사용되는 반면에, 산화알루미늄 입자는 무정형 및 각종 수화 정도를 갖는 결정질 형태로 산업적으로 제조할 수 있다. 이 물질은 이들의 수화 정도에 따라 세가지 부류로 분류할 수 있다. 첫 번째 부류는 식 Al(OH)3의 알루미늄 하이드레이트로 명명할 수 있다. 산업적으로 제조된 상기 부류의 화합물의 예는 베이어라이트(Bayerite: 감마-알루미늄 하이드레이트) 및 깁사이트(Gibbsite: 알파-알루미늄 하이드레이트)이다. 두 번째 부류는 식 AlOOH의 알루미늄 모노하이드록사이드로 명명할 수 있다. 산업적으로 제조된 상기 부류의 화합물의 예는 디아스포어(Diaspore: 감마-알루미늄 하이드록사이드) 및 뵈마이트(Boehmite: 알파-알루미늄 하이드록사이드)이다. 세 번째 부류는 고체 산화물(Al2O3)이다. 산업적으로 제조된 상기 부류의 화합물의 예는 감마-알루미나 및 알파-알루미나이다. 모든 결정질 화합물은 일반적으로 최종 생성물이 알파-알루미나인, 알루미늄 옥사이드의 탈수 시퀀스에서의 단계로서 간주된다.
선행 분야에서는 연마 공정에서 상기 부류의 알루미늄 옥사이드의 상대적 이점에 관해 구별하지 않았다. 예를 들어, 금속 반도체 장치의 CMP를 위한 선행 분야의 슬러리에 대해 기술하고 있는 USP 4944836(Beyer et al.), USP 4956313(Cote et al.), USP 5244534(Yu et al.) 및 USP 5391258(Brancaleoni et al.)과 같은 모든 특허에는 단순히 알루미나 연마 입자의 사용을 교시하고 있다. 금속 CMP에서 알루미늄 옥사이드 연마 입자를 사용하는 주요한 이유는 실리카 입자의 분산액이 불안정한 산성 환경, 전형적으로 pH 1 내지 6에서의 이들의 안정성인 것으로 당해 분야의 숙련가에게 일반적으로 인지되어 있다.
USP 5340370(Cadien et al.)에서 언급된 바와 같이, 알루미늄 옥사이드 연마 입자의 주요한 결점은 기판의 표면을 스크랫치하는 경향이 있다는 것이다. 실제적으로, 이는 연마용으로 알루미늄 옥사이드의 보다 작은 연마제 형태, 특히 뵈마이트 및 감마-알루미나의 사용을 유도하였다(참조: "Nanometer sized alumina polishing slurry", D. Rostoker, Norton Materials, Worcester, MA 1994). 전형적으로, 이러한 보다 작은 연마 입자는 SiO2와 유사한 연마 활성을 나타낸다.
이러한 보다 작은 연마용 슬러리 입자의 스크랫칭 감소에 대한 장점에도 불구하고, 이들을 사용할 경우 다른 중대한 단점이 관찰된다. 카디엔(Cadien, USP 5340370)이 지적한 바와 같이, 주요한 단점은 이러한 보다 작은 연마용 슬러리 입자는 접촉하고 있는 금속을 확실히 접착시키기 위해 통상적으로 사용하는 TiN 및 Ti 결합층에 대해 거의 연마 활성을 가지지 않는다는 것이다. 효율적인 장치로 만들기 위해서는 이러한 결합층을 CMP 동안 모든 수평 표면으로부터 제거해야만 한다. 루텐(Rutten) 등은 문헌[참조: "Pattern Density Effects in Tungsten CMP", Proc. VMIC 1995, pp. 491-7, 1995]에서 결합층 제거의 금속 장치 웨이퍼의 CMP에 대한 영향을 최근 보고하였다. 집적 회로면의 침식이 증가함에 따라, 결합층 선택도(결합층에 대한 금속의 제거 속도의 비율)는 증가한다. 이상적으로, 이 비율은 유전체 상(SiO2)에 대해 높은 선택도를 동시에 유지하면서 매우 낮은 수치, 즉 1 이어야 한다.
카디엔이 언급한 바와 같이, 보다 작은 연마용 슬러리 입자를 사용하는 선행 분야의 금속 CMP 슬러리는 유전층에 대한 선택도와 동등한, 즉 부적당하게 높은 결합층 선택도를 통상적으로 나타낸다. 이는 결합층을 완전히 제거하는데 부적합하게 긴 연마 시간을 유발하거나(선행 분야의 슬러리에서, 결합층 제거는 총 연마 시간의 30% 정도로 많이 차지한다), 카디엔이 언급한 바와 같이, 추가의 연마 단계를 필요로 할 것이다.
동시에 유발되는 금속상에서의 높은 제거 속도, 유전체 상에 대한 높은 선택도 및 결합층에 대한 낮은 선택도를 갖는 금속 CMP 슬러리를 제조할 경우, 이들은 당해 분야의 상태에서 상당한 개선을 나타낸다는 것은 상기 논의로부터 명백하다.
발명의 요약
본 발명의 한 국면은 금속을 함유하는 가공품을 연마하거나 평탄화시키기 위한 수성 슬러리인데, 상기 슬러리의 고체 부분은 약 1 내지 약 50중량%의 서브마이크론 알파-알루미나로 이루어지고, 고체 부분의 나머지는 상당히 작은 연마용 조성물로 이루어진다. 상당히 작은 연마 고체는 알루미늄 하이드레이트, 알루미늄 하이드록사이드, 감마-알루미나, 델타-알루미나, 무정형 알루미나, 무정형 실리카로 이루어진 하나 이상의 그룹으로부터 선택된다. 본 발명의 또 다른 국면은 (a) 고체 부분이 완전히 결정질인 알파-알루미나를 약 1 내지 약 50%로 함유하고 고체 부분의 나머지는 상당히 작은 연마용 조성물로 이루어진 수성 슬러리를 연마하거나 평탄화시킬 가공품의 표면에 도포하고, (b) 가공품의 표면을 화학-기계적 방법에 의해 연마하거나 평탄화시킴을 포함하여, 금속을 함유하는 가공품의 표면을 연마하거나 평탄화시키는 방법이다.
본 발명은 금속, 유전체/금속 복합물, 반도체 및 집적 회로의 연마에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 반도체 및 집적 회로 웨이퍼의 평탄화(planarization)에 사용되는 연마 입자를 함유하는 슬러리의 개선에 관한 것이다.
본 발명에 이르러, 본 발명자들은 사용되는 수성 슬러리 중의 고체가 약 1 내지 약 50%의 서브마이크론 알파-알루미나이고, 고체의 나머지가 제2의 상당히 작은 연마제 상일 경우, 화학-기계적으로 연마하고 있는 가공품으로부터 금속을 예상외로 높은 속도로 제거할 수 있다는 것을 밝혀내었다. 알파-알루미나 입자가 슬러리의 고체 부분 중 약 5 내지 약 25중량%를 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 슬러리의 금속 연마율는 사용되는 수성 슬러리 중의 고체가 동일한 입자 크기의 알파-알루미나 100%인 경우에 수득되는 것보다 상당히 크고, 사용되는 수성 슬러리 중 고체가 상당히 작은 연마제 및/또는 비결정질(무정형) 고체만을 함유할 경우에 수득되는 것보다 몇배 더 크다.
연마되는 가공품 기판은 전형적으로 텅스텐, 알루미늄, 구리, 니켈 또는 탄탈과 같은 하나 이상의 금속을 함유한다. 이외의 금속을 단독 또는 이미 확인된 금속과 함께 사용할 수도 있다. 가공품은 또한 금속 또는 금속들을 실리카(SiO2)와 같은 유전 물질 단독 또는 당해 분야의 숙련가에게 공지된 이외의 전형적인 유전 물질과 함께 함유하는 반도체 장치 기판일 수 있다. 높은 금속 제거 속도를 동시에 가지면서 유전 물질이 가공품에 존재할 경우, 본 발명의 슬러리는 유전 물질에 따른 예상외로 높은 선택도 및 금속이 유전 물질에 결합하는 결합층에 따른 예상외로 낮은 선택도를 나타낸다. 전형적인 결합층은 질화티탄(TiN)으로 제조된다. 상기 슬러리의 성취는 당해 분야의 현행 상태에 대해 상당한 개선인 것으로 보인다.
본 발명의 슬러리는 카디엔(USP 5340370)에 의해 기술된 바와 같은 산화제 및 브란카레오니(USP 5391258)에 의해 기술된 바와 같은 실리카의 제거 속도를 저하시키는 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 이외의 첨가제, 예를 들어 계면활성제, 현탁 보조제 등을 본 발명의 본질적인 특성으로부터 벗어나지 않으면서 혼입시킬 수 있다고 인정된다.
본 발명의 연마용 조성물에 사용되는 산화제는 산화제의 산화능이 연마할 금속의 산화능보다 클 경우 수성 매질에 용해된 산화제일 수 있다. 통상적인 산화제는 클로레이트, 퍼클로레이트, 클로라이트, 요오데이트, 니트레이트, 퍼설페이트, 퍼옥사이드, 오존첨가수 및 산소첨가수이다.
실리카의 제거 속도를 저하시키는 화합물은 두 개 이상의 산 그룹을 함유하는 화합물로서 브란카레오니(USP 5391258)에 의해 기술되어 있으며, 여기서 제1의 분해가능한 산의 pKa는 연마 슬러리로서 사용되는 연마용 조성물의 pH보다 상당히 크지는 않다. 이러한 화합물의 예는 칼륨 수소 프탈레이트 및 암모늄 수소 프탈레이트이다.
본 발명의 독특한 특성은 둘다 서브마이크론 크기, 즉, 바람직하게는 약 0.02 마이크론 내지 1 마이크론 미만의 알파-알루미나와 보다 작은 연마 입자의 동시 존재이다. 알파-알루미나의 기능은 결합층에 대한 높은 제거 속도 및 낮은 선택도를 제공하는 것이다. 보다 작은 연마 입자의 동시 존재는 이외의 상의 높은 제거 속도를 유지하면서도 유전체 상의 제거 속도를 감소시킨다. 이는 유전체 상에 대해 바람직하게 높은 선택도를 생성시킨다. 이러한 예상외의 효과는 하기 실시예에 명백히 기재되어 있다.
본 발명에서 알파-알루미나와 혼합하여 사용하는 보다 작은 연마 입자는, 예를 들어, 알루미늄 하이드레이트, 알루미늄 하이드록사이드, 감마-알루미나, 델타-알루미나, 무정형(비결정질) 알루미나 및 무정형(비결정질) 실리카로 이루어진 그룹 중 하나 이상의 구성원으로부터 선택할 수 있다.
두 번째의 상당히 작은 연마 고체상의 필수 특징은 이것이 보다 작은 연마제라는 것이다. 이의 기능은 순수한 알파-알루미나에 대한 장치 중 유전체 부품의 연마율을 감소시켜, 금속/유전체 연마 선택도를 증가시키는 것이라고 간주된다. 알루미늄 옥사이드 화합물은, 이들이 위에서 언급한 산 안정성을 가지고 알파-알루미나 성분과의 높은 화학적 혼화성을 갖기 때문에 바람직하다. 무정형 실리카는 보다 작은 연마 입자로서 사용될 수도 있으나, 이러한 혼합물은 장기간 저장시 응집 및 침전 작용을 나타낼 수 있다. 무정형 실리카는 슬러리의 기능에 부작용을 미치지 않는 반면에, 산업적으로 제조된 슬러리에서는 부적합하므로, 슬러리 혼합물을 사용 직전에 제조하지 않을 경우에는 바람직하지 못하다.
보다 작은 연마용 알루미늄 옥사이드 물질은 다수의 시판용 화합물로부터 선택할 수 있다. 이들은, 예를 들어, 베이어라이트(감마-알루미늄 하이드레이트), 깁사이트(알파-알루미늄 하이드레이트), 디아스포어(감마-알루미늄 하이드록사이드), 뵈마이트(알파-알루미늄 하이드레이트), 감마-알루미늄 옥사이드, 델타-알루미늄 옥사이드 및 무정형 알루미늄 옥사이드를 포함한다. 1 마이크론 미만의 입자 크기로 사용할 경우 모두 유용하다. 이들은 순도, 재료 비용 또는 이외의 고려사항을 기준으로 하여 바람직한 범위에 걸쳐 혼합물로 사용할 수 있다. 플레임(flame) 합성에 의해 제조된 무정형 알루미늄 옥사이드(훈증처리된 알루미나로서 통성적으로 공지됨), 뵈마이트(알파-알루미늄 하이드레이트) 및 감마-알루미늄 옥사이드가 저비용으로 고순도의 서브마이크론 형태로 용이하게 입수가능하므로, 이들이 보다 작은 연마 고체 성분으로서 바람직하다.
본 발명의 슬러리는 당해 분야의 숙련가에게 사용되는 방법, 전형적으로 액체일 수 있는 모든 성분, 가용성 고체 성분, 불용성 고체 또는 불용성 고체의 분산액을 함께 혼합함으로써 제조할 수 있다. 하기 실시예는 연마용으로 사용되는 슬러리 중 7중량%로 불용성 고체를 제시하지만, 이러한 알파-알루미나와 보다 작은 연마 고체와의 혼합물은 이러한 종류의 슬러리에서 실용적인 연마 고체의 범위가, 즉 약 0.5 내지 약 50중량%인 것이 유용하다. 아주 종종 사용되는 이러한 슬러리는 약 3 내지 약 12중량% 고체의 범위로 연마 고체 함량을 가진다. 본 발명의 슬러리는 농축된 형태로 제조하는 것이 통상적인 시행이다. 다음, 이러한 농축된 슬러리를 물을 사용하여 연마 공정에 사용하기에 바람직한 농도로 희석시킨다. 또한, 실시예는 산화제(KIO3) 및 유전체 연마율(암모늄 수소 프탈레이트)의 저하에 유용한 제제의 사용을 제시하더라도, 상기 유형의 첨가제 둘다 선택적인 성분이고 본 발명에 필수적인 성분은 아니다. 하기 실시예는 텅스텐(W) 금속의 CMP에서의 슬러리의 용도와 함께 이의 전형적인 제조 방법을 약술한다. 마이크로전자공학 산업에서 통상적으로 사용되는 다른 종류의 금속, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 니켈, 탄탈 등의 CMP에 유용한 제형을 선행 분야의 슬러리를 통해 동등하게 개선된 결과를 가지도록 본 명세서에 기재된 가이드라인에 따라 쉽게 제조할 수 있다.
1갤론 로트의 슬러리를 폴리에틸렌 용기내에서 통상적인 동력화 교반기로 제시된 중량%의 하기 성분과 함께 혼합함으로써 제조하여, 균질 슬러리를 형성시킨다.
성분 중량%
물 85.5%
암모늄 수소 프탈레이트 3.5%
KIO33%
서브마이크론 연마제 7%
6개 로트의 슬러리를 제조하는데, 각각의 로트는 서브마이크론 연마제를 동일한 %로 가지나, 알파-알루미나로서 제공되는 상기 서브마이크론 연마제의 분획은 0% 내지 100%로 변화시킨다. 무정형 훈증처리된 알루미나를 사용하여 연마제의 나머지를 공급한다. 두 물질은 약 0.15 마이크론의 매우 유사한 입자 크기를 갖는다.
상기 슬러리의 로트를 사용하여, 하기 공정 조건하에 Westech 372 연마 장치 및 Rodel IC1000/SubaIV 연마 패드로 텅스텐, TiN 및 SiO2가 피복된 6in 직경의 실리콘 웨이퍼를 연마시킨다.
압력 8psi
캐리어 속도 30rpm
테이블 속도 50rpm
캐리어 후면 압력 4psi
패드 상태 조절 작업사이에 3회 쓸기
연마시킨 각각의 웨이퍼에 대한 연마율을 연마 전후의 필름 두께를 측정하고 연마 시간으로 나눔으로써 측정한다. 선택도는 관련 물질의 속도의 비에 의해 계산한다. 결과는 하기 표 1에 요약한다:
알파-알루미나 함유량의 CMP 수행능에 대한 영향
알파-알루미나 % 텅스텐 속도(옹스트롬/분) SiO2속도(옹스트롬/분) TiN 속도(옹스트롬/분) W/SiO2선택도 W/TiN 선택도
0 823 3.5 <100 235:1 >8:1
3 2843 46 n.a 62:1
5 3890 55 n.a 71:1
25 3960 31 3500 128:1 1.1:1
50 4040 55 3500 73:1 1.1:1
100 3127 98 3000 32:1 1:1
n.a = 데이터를 얻을 수 없음
알파-알루미나의 혼입에 의해 수득되는 텅스텐 제거 속도에서의 현저한 속도 증가는 명백하게 입증된다. 시험되는 알파-알루미나의 최소량(3%)에서도 100% 알파-알루미나를 사용할 경우의 제거 속도와 거의 비슷하게 높다. 놀랍게도, 알파-알루미나 함유량을 총 고체 중 5 내지 50%로 추가로 증가시킬 경우, 텅스텐 제거 속도는 100% 알파-알루미나를 사용할 경우보다 상당히 높다.
반대로, 텅스텐/SiO2선택도는, 알파-알루미나 함유량이 증가함에 따라 감소하여, 100% 알파-알루미나일 경우 가장 낮고 0%일 경우 가장 높다. 그러나, 알파- 및 무정형 알루미나가 함께 슬러리에 존제할 경우, 선택도는 100% 알파-알루미나의 실시예 보다 현저하게 높다. 동시에, 상기 혼합된 알루미나 슬러리는 증가된 텅스텐 제거 속도를 나타낸다.
텅스텐/TiN 선택도는 소정량의 알파-알루미나가 현탁액내에 존재하는 한 거의 일정하다. 무정형 알루미나 입자만을 사용할 경우, TiN 제거 속도는 이는 카디엔의 교시와 일치한다.
따라서, 슬러리내에 함께 존재하는 서브마이크론 알파-알루미나와 보다 작은 연마제 제2 입자 공급원의 혼합물은 동시에 존재하는 높은 금속 제거 속도, 높은 금속/SiO2선택도 및 낮은 금속/결합층 선택도의 독특한 조합을 제공한다.
상기한 제형이 당해 분야의 상태로도 상당한 개선점을 나타내지만, 추가의 개선 및 용도가 상기 명세서 및 하기 청구범위를 검토한 후 당해 분야의 숙련가에게 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 물, 사용되는 슬러리내의 총 고체 중 1 내지 50중량%를 구성하는 서브마이크론 알파-알루미나 입자, 및 알루미늄 하이드록사이드, 감마-알루미나, 델타-알루미나, 무정형 알루미나 및 무정형 실리카로부터 선택되는 하나 이상의 보다 작은 연마제 서브마이크론 고체 입자를 포함하는, 금속을 함유하는 가공품의 화학-기계적 연마에 유용한 수성 슬러리.
  2. 제1항에 있어서, 알파-알루미나가 슬러리내의 총 고체 중 5 내지 25중량%를 구성하는 수성 슬러리.
  3. 제1항에 있어서, 산화제를 추가로 포함하는 수성 슬러리.
  4. 제2항에 있어서, 산화제를 추가로 포함하는 수성 슬러리.
  5. 제3항에 있어서, 가공품이 유전체를 추가로 함유하고, 슬러리가 유전체의 제거 속도를 저하시키는 제제를 추가로 포함하는 수성 슬러리.
  6. 제4항에 있어서, 가공품이 유전체를 추가로 함유하고, 슬러리가 유전체의 제거 속도를 저하시키는 제제를 포함하는 수성 슬러리.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 알파-알루미나가 서브마이크론 감마-알루미나 입자와 함께 사용되는 수성 슬러리.
  8. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 알파-알루미나가 서브마이크론 무정형 알루미나 입자와 함께 사용되는 수성 슬러리.
  9. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 알파-알루미나가 서브마이크론 무정형 실리카 입자와 함께 사용되는 수성 슬러리.
  10. (a) 물, 사용되는 슬러리내의 총 고체 중 1 내지 50중량%를 구성하는 서브마이크론 알파-알루미나 입자, 및 알루미늄 하이드록사이드, 감마-알루미나, 델타-알루미나, 무정형 알루미나 및 무정형 실리카로부터 선택되는 하나 이상의 보다 작은 연마제 서브마이크론 고체 입자를 포함하는 수성 슬러리를 가공품의 표면에 도포하고, (b) 상기 가공품의 표면을 화학-기계적 연마 방법에 의해 연마하거나 평탄화시킴을 포함하여, 금속을 함유하는 가공품의 표면을 연마하거나 평탄화시키는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 알파-알루미나가 슬러리내의 총 고체 중 5 내지 25중량%를 구성하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 슬러리가 산화제를 추가로 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 슬러리가 산화제를 추가로 포함하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 슬러리가 유전체의 제거 속도를 저하시키는 제제를 추가로 포함하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 슬러리가 유전체의 제거 속도를 저하시키는 제제를 추가로 포함하는 방법.
  16. 제10항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 가공품에 함유된 금속이 텅스텐인 방법.
  17. 제10항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 가공품에 함유된 금속이 알루미늄인 방법.
  18. 제10항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 가공품에 함유된 금속이 구리인 방법.
  19. 제10항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 가공품에 함유된 금속이 니켈인 방법.
  20. 제10항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 가공품에 함유된 금속이 탄탈인 방법.
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