CN108735143A - 显示面板与显示面板的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种包括多个像素电路的显示面板。所述多个像素电路中的每一个包括:发光单元,包括发光元件;控制电路,被配置为基于输入端电压控制发光元件的发光持续时间;第一开关元件,连接在控制电路的输入端与输出端之间;以及信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向控制电路的输入端传送输入信号。所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件被配置为同时导通或断开。

Description

显示面板与显示面板的驱动方法
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2018年3月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2018-0031625及2017年4月13日向美国专利商标局提交的美国临时专利申请62/484,971的优先权,其公开通过全文引用合并于此。
技术领域
本公开涉及显示面板与显示面板的驱动方法,更具体地,涉及由模拟PWM(脉冲宽度调制)方法驱动的显示面板与显示面板的驱动方法。
背景技术
PWM(脉冲宽度调制)方法作为LED(发光二极管)显示面板的驱动方法被广泛使用以用于表示像素的灰度(gradation)。
PWM方法包括数字PWM方法与模拟PWM方法。在数字PWM方法的情况下,存在的问题是,由于像素的TFT(薄膜晶体管)在线性区被驱动,因此依据LED的正向电压(Vf)偏差而产生较大的亮度偏差,并且由于灰度是由子场方法表示的,因此可以表示的灰度在数量上存在限制并发生轮廓错误。
另一方面,模拟PWM方法可以在TFT的饱和区内驱动TFT,并通过使用诸如三角波等的扫频波形来控制发光元件的驱动时间,因此模拟PWM方法比LED驱动方法更有用。
但是,在模拟PWM方法的情况下,由于LED显示面板的每个像素的TFT(薄膜晶体管)之间的阈值电压(Vth)偏差或迁移率(μ)偏差,亮度均匀性可能有问题。因此,有必要校正TFT之间的偏差。
在模拟PWM方法中,当显示一个图像帧时,构成显示面板的多个像素电路被逐行顺序扫描,在每一行设置灰度数据电压,然后将扫频电压共同施加到全部像素电路以同时驱动各像素电路的LED。
此时,在常规的模拟PWM方法中,TFT之间的偏差在扫描每行时被一起校正。需要一定量的时间来校正偏差,并且校正偏差所花费的时间越多,亮度均匀性得以改善的越好。然而,由于用于显示一帧的时间为常数(例如,对于60Hz为1/60秒,对于120Hz为1/120秒),因此,当为了提高偏差校正效果而增加对行的扫描时间时,LED的发光持续时间减少,导致的问题是发光效率降低。另外,当为了提高LED发光效率而增加发光持续时间时,校正TFT之间的偏差的效果降低,导致的问题是亮度均匀性恶化。
如上所述,由于偏差校正效果的改善而改善亮度均匀性和依据增加发光持续时间而提高发光效率之间存在一种权衡关系,导致的问题是根据常规PWM方法两者可能无法得以改善。
发明内容
本公开的实施例克服上述缺点以及上面未述及的其他缺点。
本公开提供一种能够同时提高亮度均匀性和发光效率的显示面板及该显示面板的驱动方法。
根据本公开的一个方面,一种显示面板包括多个像素电路,其中所述多个像素电路中的每一个包括:发光单元,包括发光元件;控制电路,被配置为基于输入端电压控制发光元件的发光持续时间;第一开关元件,连接在控制电路的输入端与输出端之间;以及信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向控制电路的输入端发送输入信号,其中所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件同时导通/断开,其中当第一开关元件和第二开关元件导通时,基于经由第二开关元件输入的参考信号将控制电路的输入端电压设置为第一电压,并且在被设置为第一电压之后,当第一开关元件和第二开关元件断开时,基于参考信号将控制电路的输入端电压从第一电压改变为第二电压,以及其中,在控制电路的输入端电压改变为第二电压后,当灰度数据信号和扫频信号经由信号输入单元输入时,控制电路被配置为基于根据灰度数据信号和扫频信号变化的所述输入端电压来控制发光元件的发光持续时间。
信号输入单元可以包括:一端连接至控制电路的输入端且另一端连接至第二开关元件的一端的第一电容器;以及一端连接至第一电容器的一端或另一端且另一端接收扫频信号的第二电容器,其中信号输入单元被配置为当第二开关元件导通时,通过第一电容器向控制电路的输入端传送经由第二开关元件的另一端输入的灰度数据信号和参考信号。
在被改变为第二电压后,当第二开关元件再次导通时,控制电路的输入端电压可以基于经由第二开关元件输入的灰度数据信号被设置为第三电压,并且在被设置为第三电压后,控制电路的输入端电压根据经由第二电容器输入的扫频信号而变化,并且其中控制电路被配置为通过基于根据扫频信号变化的所述输入端电压控制发光元件的开启/关闭来控制发光元件的发光持续时间。
当第二电容器的所述一端连接至第一电容器的所述另一端时参考信号和灰度数据信号的大小可以小于当第二电容器的所述一端连接至第一电容器的所述一端时参考信号和灰度数据信号的大小。
当第一开关元件导通时,所述多个像素电路中的每一个第二开关元件可以一起导通,将参考信号传送至所述多个像素电路中的每一个的控制电路的输入端,在控制电路的输入端电压改变为第二电压后顺序地导通,并将所述多个像素电路中的每一个的灰度数据信号传送至所述多个像素电路中的每一个的控制电路的输入端。
控制电路可以是PMOSFET(P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)、NMOSFET(N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)和CMOSFET(互补金属氧化物半导体场效应晶体管)反相器中的任何一种,并且其中,第一和第二开关元件为PMOSFET或NMOSFET。
当控制电路为PMOSFET或NMOSFET时,PMOSFET或NMOSFET的栅极端可以成为控制电路的输入端,并且PMOSFET或NMOSFET的漏极端可以成为控制电路的输出端,并且其中,当控制电路为CMOSFET反相器时,CMOSFET反相器的输入端成为控制电路的输入端,并且CMOSFET反相器的输出端成为控制电路的输出端。
当控制电路为PMOSFET时,PMOSFET的漏极端可以连接至发光元件的阳极端,发光元件的阴极端连接至接地端,并且PMOSFET的源极端连接至驱动电压端,并且其中,PMOSFET根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的PMOSFET的栅极端电压而导通/断开,以控制发光元件的发光持续时间。
当控制电路为NMOSFET时,NMOSFET的漏极端可以连接至发光元件的阴极端,发光元件的阳极端连接至驱动电压端,并且NMOSFET的源极端连接至接地端,并且其中,NMOSFET根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的NMOSFET的栅极端电压而导通/断开,以控制发光元件的发光持续时间。
当控制电路为CMOSFET反相器时,CMOSFET反相器的输出端可以连接至发光元件的阳极端,发光元件的阴极端连接至接地端,并且其中,CMOSFET反相器根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的CMOSFET反相器的输入端电压而导通/断开,以控制发光元件的发光持续时间。
发光单元可以包括被配置为向发光元件提供驱动电流的电流源以及连接在电流源与发光元件之间的第三开关元件,并且其中控制电路被配置为通过根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的输入端电压控制第三开关元件的导通/断开来控制发光元件的发光持续时间。
发光单元可以包括被配置为向发光元件提供驱动电流的电流源,并且其中控制电路被配置为通过根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的输入端电压控制电流源中包括的驱动晶体管的栅极端电压来控制发光元件的发光持续时间。
发光单元可以包括驱动晶体管和电流源,电流源被配置为根据施加到驱动晶体管的栅极端的电压的大小向发光元件提供具有不同幅度的驱动电流,并且其中电流源包括被配置为向驱动晶体管的栅极端施加不同大小的电压的幅度设置电路。
发光单元可以是发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)。
根据本公开的另一个方面,一种包括多个像素电路的显示面板的驱动方法,其中所述多个像素电路中的每一个包括:发光单元,包括发光元件;控制电路,被配置为基于输入端电压控制发光元件的发光持续时间;第一开关元件,连接在控制电路的输入端与输出端之间;以及信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向控制电路的输入端发送输入信号,所述驱动方法包括:当导通第一开关元件和第二开关元件时,基于经由第二开关元件输入的参考信号将控制电路的输入端电压设置为第一电压;在将控制电路的输入端电压设置为第一电压之后,通过断开第一开关元件和第二开关元件,基于参考信号将控制电路的输入端电压从第一电压改变为第二电压;并且在将控制电路的输入端电压改变为第二电压之后,当灰度数据信号和扫频信号经由信号输入单元输入时,基于根据灰度数据信号和扫频信号变化的控制电路的输入端电压来控制发光元件的发光持续时间,其中所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件同时导通/断开。
根据本公开的另一个方面,一种显示面板包括多个像素电路,其中所述多个像素电路中的每一个包括:发光单元,包括发光元件;控制电路,被配置为基于输入端电压控制发光元件的发光持续时间;第一开关元件,连接在控制电路的输入端与输出端之间;以及信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向控制电路的输入端发送输入信号,其中所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件被配置为同时导通或断开,其中当第一开关元件和第二开关元件导通时,基于经由第二开关元件输入的参考信号将控制电路的输入端电压设置为第一电压,并且当第一开关元件和第二开关元件断开时,基于参考信号将控制电路的输入端电压从第一电压改变为第二电压,以及其中,在输入端电压改变为第二电压之后,控制电路还被配置为基于根据经由信号输入单元输入的灰度数据信号和扫频信号变化的输入端电压来控制发光持续时间。
根据本公开的又一个方面,一种包括多个像素电路的显示面板的驱动方法,其中所述多个像素电路中的每一个包括:发光单元,包括发光元件;控制电路,被配置为基于输入端电压控制发光元件的发光持续时间;第一开关元件,连接在控制电路的输入端与输出端之间;以及信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向控制电路的输入端发送输入信号,所述驱动方法包括:当导通第一开关元件和第二开关元件时,基于经由第二开关元件输入的参考信号将控制电路的输入端电压设置为第一电压;通过断开第一开关元件和第二开关元件,基于参考信号将控制电路的输入端电压从第一电压改变为第二电压;并且在将输入端电压改变为第二电压之后,基于根据经由信号输入单元输入的灰度数据信号和扫频信号变化的输入端电压来控制发光持续时间,其中所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件被配置为同时导通/断开。
如上所述,根据本公开的各种实施例,显示面板的亮度均匀性和发光效率可以同时得到提高。
附图说明
通过参考附图描述本公开的一些实施例,本公开的以上和/或其他方面将更加清楚,其中:
图1A至图2B是用于解释根据现有技术的像素电路和模拟PWM方法的示意图;
图3是根据本公开的实施例的显示面板中包括的像素电路的框图;
图4A和图4B是用于解释根据本公开的实施例的像素电路与根据现有技术的像素电路之间在配置和操作上的差异的示意图;
图5A和图5B是用于解释根据本公开的实施例的像素电路的偏差补偿效果的示意图;
图6是用于更加详细地解释根据本公开的实施例的通过像素电路的效果的示意图;
图7示出了根据本公开的各种实施例的像素电路的实现示例;
图8至图17B是根据本公开的各种实施例的像素电路的具体示例示意图;
图18是根据本公开的实施例的显示设备的配置图;以及
图19是示出了根据本公开的实施例的驱动包括多个像素电路的显示面板的方法的流程图。
具体实施方式
在本公开的描述中,如果确定本公开的主旨会被不必要地模糊,则将省略对已知的相关技术的详细描述。此外,将省略对相同构造的冗余描述。
以下描述中所使用的用于组成元件的后缀“单元”仅是考虑到便于撰写说明书而给出或混合的,且其并不具有其自身的含义或功能以相互区分。
本公开中使用的术语用于示出实施例且并不旨在限制和/或约束本公开。除非上下文中另有明确说明,否则单数形式“一”、“一个”和“所述”包括复数表达。
在说明书中,诸如“包括”或“具有”的术语用于指定存在所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合,但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在或添加。
本公开中使用的表达“第1”、“第2”、“第一”、“第二”等可以用于表达各种组件,而与顺序和/或重要性无关,但是用于区分一个组件与其他组件且并不限制所述组件。
当提及一个组件(例如,第一组件)“(操作性地或通信地)耦接到”或“连接到”另一组件(例如,第二组件)时,应理解,所述一个组件可以直接耦接到所述另一组件,或者所述一个组件可以经由又一组件(例如,第三组件)耦接到所述另一组件。另一方面,当提及一个组件(例如,第一组件)“直接耦接到”或“直接连接到”另一组件(例如,第二组件)时,应理解,在所述一个组件与所述另一组件之间不存在其他组件(例如,第三组件)。
现在将参考附图来详细描述本公开的各种实施例。
将参考图1A至图2B简要地描述根据现有技术的模拟PWM方法及其所引发的问题,并将参考下面的图3描述本公开的各种实施例。
模拟PWM方法也被称为CI(集群反相器)方法。在CI方法中,反相器的输入端和输出端被短路以便校正显示面板的TFT之间的偏差,反相器的输入端电压被设置为阈值电压,灰度数据电压被设置到与反相器的输入端连接的电容器上,然后输入随时间变化的扫频波形,进而控制发光元件的驱动时间宽度。
图1A是根据现有技术的构成显示面板的像素的像素电路的示意图。图1A的像素电路10示出了如下电路配置,该电路配置在像素电路10中实现开关晶体管13和开关晶体管14,以使得在像素电路10内部执行灰度数据信号Vw与扫频信号Vsweep之间的切换。图1A的像素电路20示出了如下电路配置,该电路配置在像素电路20的外部实现开关晶体管13和开关晶体管14,以使得在像素电路20外部执行灰度数据信号Vw与扫频信号Vsweep之间的切换。
在图1A的像素电路10和20中,反相器被实现为晶体管11,用于将反相器的输入端1与输出端2短路的开关元件被实现为晶体管12。另一方面,可以看出用于设置灰度数据电压的电容器15连接到反相器的输入端1。
图1B是示出了当通过根据现有技术的模拟PWM方法(也就是,根据现有技术的CI方法)对包括图1A的像素电路10和20的显示面板进行驱动时各种信号和反相器的输入端1(点A)的电压变化的时序图。
如图1B所示,CI方法中用于显示一帧图像的像素电路驱动时间被划分为扫描时段和发光时段,在扫描时段期间执行晶体管11的阈值电压设置和灰度数据电压设置,在发光时段期间发光元件16通过扫频信号在与设置的灰度数据电压相对应的时段内发光。
此时,可以看出,在常规的CI方法中,对应像素的阈值电压(Vth)设置和灰度数据电压(Vw)设置在扫描时段期间被一起执行。也就是说,由于阈值电压(Vth)设置和灰度数据电压(Vw)设置在每一扫描行的相应像素电路中被执行,因此当为了提高上述偏差校正效果而增加扫描时段时,发光时段会减小,导致发光效率降低的问题。
将结合图2A和图2B对此做更加详细的描述。图2A为图1A的像素电路10的示意图,图2B为用于解释像素电路10在扫描时段期间的操作的时序图。
如图1B所示,由于开关晶体管13在扫描时段期间处于导通状态,因此灰度数据信号Vw经由电容器15传送至点A1,并且因此点A1的电位下降了所传送的灰度数据电压。此时,当晶体管12根据扫描信号SCAN(n)导通时,反相器,即晶体管11的输入端1与输出端2短路,并且电流id开始流动,因此,点A1的电位上升(①)。
此时,随着晶体管11的栅极与源极(点A-VDD)之间的电压变得更接近晶体管11的阈值电压Vth,电流id减小(②),并且晶体管11的栅极与源极(点A-VDD)之间的电压随着时间的推移渐渐变得更接近晶体管11的阈值电压Vth(③)。
为了校正在以模拟PWM方法进行驱动时显示面板的像素之间的偏差,有必要在设置灰度数据电压之前将晶体管11的输入端1的电压设置为阈值电压Vth。如上所述,需要一定量的时间来将晶体管11的输入端1的电压设置为阈值电压Vth(理论上,要完全达到Vth需要无限长的时间)。
因此,当为了提高偏差校正效果而增加扫描时段时,发光持续时间减小,并且发光效率劣化。当仅考虑发光效率而减小扫描时段并增加发光持续时间时,偏差校正效果降低,导致亮度均匀性降低的问题。
图3是根据本公开的实施例的像素电路的框图。一般地,显示设备包括显示面板,且显示面板包括多个像素。此时,显示面板中包括的多个像素中的每一个可以被实现为用于其操作的发光元件和用于驱动发光元件的外围电路。参考图18,在本公开的各种实施例中,像素电路指的是构成显示面板500的多个像素中的每一个的电路。
参考图3,像素电路100包括发光单元110、控制电路120、第一开关元件130和信号输入单元140。
发光单元110包括发光元件111。发光元件111可以根据提供给发光元件111的驱动电流的幅度和驱动时间来表示不同的灰度。此时,发光元件111可以是LED(发光二极管)或OLED(有机发光二极管),但本公开不限于此。
控制电路120控制发光元件111的发光持续时间。尤其是,控制电路120可以基于输入端101的电压控制发光元件111的发光持续时间。例如,控制电路120可以被实现为PMOSFET(P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)、NMOSFET(N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)和CMOSFET(互补金属氧化物半导体场效应晶体管)中的任何一种,但本公开不限于此。
第一开关元件130连接在控制电路120的输入端101与输出端102之间,且根据控制信号(CMP信号)导通和断开。尤其是,当第一开关元件130导通时,第一开关元件130将控制电路120的输入端101与输出端102短路。
信号输入单元140包括第二开关元件141且将输入信号发送至控制电路120的输入端101。具体地,当根据扫描信号导通的第二开关元件141导通时,信号输入单元140可以将经由数据信号线施加的信号发送至控制电路120的输入端101。信号输入单元140还可以接收扫频信号并可以将扫频信号发送至控制电路120的输入端101。
同时,第一开关元件130和第二开关元件140可以是PMOSFET和NMOSFET中的任何一种,但本公开不限于此。
根据本公开的实施例,在上述像素电路100中,当第一开关元件130和第二开关元件141导通时,控制电路120的输入端101的电压可以基于经由第二开关元件141输入的参考信号而被设置为第一电压,以及,在被设置为第一电压后,当第一开关元件130和第二开关元件141断开时,控制电路120的输入端101的电压可以基于参考信号从第一电压改变为第二电压。
因此,当控制电路120的输入端101的电压改变为第二电压且灰度数据信号和扫频信号经由信号输入单元140被输入时,控制电路120可以基于根据灰度数据信号和扫频信号变化的输入端101的电压来控制发光元件111的发光持续时间。
此时,构成显示面板500的多个像素电路中的每一个的第一开关元件130同时导通/断开。
与常规模拟PWM方法不同,通过上述像素电路100的配置,显示面板的亮度均匀性和发光效率可以同时得到改善。
将参考图4A和图4B更加详细地描述根据本公开实施例的像素电路与根据现有技术的像素电路之间在配置和操作上的不同。图4A的上侧视图示出了图1A的常规像素电路10,下侧视图示出了图1B的常规时序图。
图4B的上侧视图示出了根据本公开的实施例的像素电路100-1,图4B的下侧视图是示出了根据本公开的实施例的当通过模拟PWM方法对包括具有与像素电路100-1相同配置的像素电路在内的显示面板进行驱动时各种信号和反相器的输入端101(点A)的电压变化的时序图。
首先,可以看出在图4B所示的像素电路100-1中,发光元件111、控制电路120和第一开关元件130的配置与常规像素电路10中的配置相同。但是,可以看出信号输入单元140的配置与常规像素电路10的配置不同,并且各种控制信号CMP和SCAN(n)以及扫频信号是与常规像素电路10的输入不同的输入。
更具体地,根据本公开的实施例的像素电路100-1的信号输入单元140可以包括第一电容器142和第二电容器143,其中第一电容器142的一端101连接至控制电路120的输入端101,另一端103连接至第二开关元件141的一端103,并且第二电容器143的一端103连接至第一电容器142的所述另一端103,且第二电容器143的另一端接收扫频信号。
因此,当第二开关元件141导通时,信号输入单元140可以通过第一电容器142将经由第二开关元件141的所述另一端输入的参考信号和灰度数据信号传送至控制电路120的输入端101。
图4B的像素电路100-1例示出控制电路120、第一开关元件130和第二开关元件141被实现为PMOSFET,如后面将要描述的,但本公开不限于此。
同时,如图4A的下侧时序图所示,在常规模拟PWM方法的情况下,构成显示面板的多个像素电路在扫描时段期间被逐行顺序扫描,并且像素电路的偏差补偿(即,相应像素的阈值电压Vth的设置)以及灰度数据电压Vw的设置针对每一扫描行被执行。
另一方面,在根据本公开的实施例的模拟PWM方法的情况下,如图4B的下侧时序图所示,在扫描时段期间,首先,构成显示面板的所有像素电路的偏差补偿(阈值电压Vth的设置)被同时执行,然后灰度数据电压Vw的设置针对每一扫描行被执行。
因此,根据本公开的实施例,相比于常规模拟PWM方法可以降低像素电路的偏差补偿时间,结果,可以充分确保发光持续时间,并且因此可以连续提高亮度均匀性和发光效率。
在下文中,将参考图5A和图5B描述根据本公开的实施例的像素电路100-1的偏差补偿效果。图5A和图5B分别是示出了在扫描时段期间和发光持续时间期间像素电路100-1的输入端101(点A)的电压变化的时序图和电路图。图5A中的①至⑤与图5B中的电路①至⑤分别对应。
首先,如图5A和图5B中①所示,第二开关元件141在点A的电压为VDD的状态下,根据扫描信号SCAN(n)而导通,因此如图5B中②所示,参考电压Vref通过数据线施加到点A。
此时,如图4B下侧的时序图所示,根据本公开的实施例,在整个像素补偿时段期间控制信号CMP与扫描信号SCAN(n)同时被施加至第一开关元件130,点A的电压不保持在参考电压Vref而是如图5A和图5B中的③所示随时间收敛为控制电路120的阈值电压Vth。这是因为第一开关元件130根据控制信号CMP导通,并且因此控制电路120的输入端101与输出端102被短路。
之后,当第二开关元件141和第一开关元件130根据扫描信号SCAN(n)和控制信号CMP而断开时,如图5A和图5B中④所示,点A的电压从阈值电压(Vth)改变为Vth+(VDD-Vref)。这是因为当点A的电压由于第二开关元件141断开而改变了(VDD-Vref)时第一开关元件130也被断开,控制电路120的输入端101与输出端102不再处于短路状态。
另一方面,当在点A的电压变为Vth+(VDD-Vref)后第二开关元件141根据扫描信号SCAN(n)再次导通时,灰度数据电压Vw经由数据线输入,因此点A的电压被设置为Vth+(Vw-Vref),如图5A和图5B中⑤所示。
如上所述,点A处所设置的电压Vth+(Vw-Vref)在余下的扫描时段期间被保持。当扫频信号Vsweep在发光时段期间通过电容器143输入并通过使用所设置的电压Vth+(Vw-Vref)作为起始点而根据输入的扫频信号变化时,控制电路120基于根据扫频信号变化的输入端101(点A)的电压来控制发光元件111的发光持续时间。
具体地,控制电路120控制发光元件111的开启/关闭以控制发光持续时间。此时,由于控制电路120被实现为PMOSFET,因此PMOSFET 120的栅极端成为控制电路120的输入端101,漏极端成为控制电路120的输出端102。同时,由于像素电路100-1具有其中PMOSFET120的源极端与驱动电压VDD端连接且漏极端与发光元件111的阳极端连接的结构,因此当低于PMOSFET 120的阈值电压Vth的电压被施加在PMOSFET 120的栅极端与源极端之间时,发光元件111被开启,且当施加了超出阈值电压Vth的电压时,发光元件111被关闭。
此时,参考图5A,发光元件111的发光持续时间如下面的等式1所示进行计算。
【等式1】
在上面的等式1中,Vth表示控制电路120的阈值电压Vth,即PMOSFET 120的阈值电压,Vref表示参考电压,S表示扫频电压Vsweep的斜率,Vsweep1表示在发光时段开始之前设置在控制电路120的输入端101处的电压,即当发光时段开始时控制电路120的输入端101的初始电压,Vsweep2表示发光时段的中间点处的电压,T1表示直到控制电路120的输入端101的电压根据扫频信号Vsweep变化以最初达到控制电路120的阈值电压Vth时的时间,即在发光时段开始后PMOSFET的阈值电压,T2是发光时段的中间时间,Te表示发光元件111的发光持续时间。
从Te可以看出,发光元件111的发光持续时间被确定为与上述等式1中的Vth无关。也就是说,构成显示面板的多个像素电路之间的偏差可以通过根据本公开的实施例的像素电路100-1来补偿。
图6是用于更详细地解释根据本公开的实施例的通过像素电路100和100-1的效果的示意图。
根据本公开的实施例,由于对用于校正像素电路100和100-1之间的偏差的阈值电压设置时段(整个像素补偿时段)和确定发光元件的驱动时间的灰度数据电压Vw的设置时段进行了区分,因此针对每一项进行优化是可能的。
此外,即使为了提高包括在像素电路100和100-1中的控制电路120(晶体管)的偏差补偿效果而增加阈值电压设置时段,但由于对所有像素共同执行偏差补偿,因此偏差校正时段也不会大大增加。
也就是说,如图6中的附图标记610所示,点A的电压随着第一开关元件130导通的状态而接近阈值电压,也就是说,偏差校正时段(=整个像素补偿时段)增加,并且由迁移率差异所引起的电位差也降低,并因此增强校正效果。
因此,有必要适当增加偏差校正时间。如上所述,由于根据如上所述的现有技术,偏差校正和灰度数据电压设置针对每一扫描行被执行,因此考虑到发光效率,增加偏差校正时段存在限度,而根据本公开的实施例,由于所有像素被同时共同校正,因此即使增加校正时段也不是个大问题。
另外,由于设置灰度数据电压的时间相比于偏差校正时段相对较短,因此,根据本公开的实施例,用于扫描整行的时间(扫描时段)可以缩短,从而提高发光元件的发光效率。
换句话说,如图6中的附图标记620所示,当对灰度数据电压进行设置时灰度数据电压的充电时间由第一电容器142的电容或晶体管120的寄生电容分量来确定。根据本公开的实施例,由于在扫描时段期间首先执行所有像素偏差校正,因此仅需要灰度数据电压设置。因此,可以通过减少扫描时间来增加发光持续时间。
在上面的描述中,图4B上侧视图中的像素电路100-1被示出为像素电路100的示例,但像素电路100的实现示例不限于此。
图7示出了根据本公开的各种实施例的像素电路100的实现示例。具体地,附图标记710表示信号输入单元140的实现示例,附图标记720表示第一开关元件130和控制电路120的实现示例,附图标记730表示发光单元110。
参考附图标记710,信号输入单元140可以以两种形式(a)和(b)来实现。电路(a)和电路(b)区别在于第二电容器143与第一电容器142的哪一端相连接。
参考附图标记720,第一开关元件130和控制电路120可以以三种形式(a)、(b)和(c)来实现。在电路(a)的情况下,控制电路120被实现为CMOS反相器,且第一开关元件130连接在该CMOS反相器的输入端101与输出端102之间。
另一方面,在电路(b)的情况下,控制电路120被实现为NMOSFET,其中NMOSFET的漏极端102成为控制电路120的输出端,栅极端101成为控制电路120的输入端。
在电路(c)的情况下,如同上述图4B中的像素电路100-1,控制电路120被实现为PMOSFET,其中PMOSFET的漏极端102成为控制电路120的输出端,栅极端101成为控制电路120的输入端。
同时,参考附图标记730,发光单元110可以以三种形式(a)、(b)和(c)来实现。每一种发光单元110中都包括发光元件111。在(a)的情况下,示出了控制电路120直接控制发光元件111的开启/关闭的示例。
(b)和(c)示出了发光单元110包括电流源115的示例。在(b)的情况下,发光单元110包括电流源115与发光元件111之间的开关元件113,且控制电路120控制开关元件113的导通/断开,并因此控制发光元件111的开启/关闭。此时,控制电路120的输出端102连接到开关元件113的栅极端。
另一方面,在(c)的情况下,控制电路120控制包括在电流源115中的驱动晶体管117的栅极端电压以控制发光元件111的开启/关闭。在这种情况下,控制电路120的输出端102连接到驱动晶体管117的栅极端。
另一方面,像素电路100可以通过附图标记710至730中包括的电路的组合以各种方式来配置。
在下文中,将参考图8至图14B更加详细地描述本公开的各种实施例。此时,将省略上面描述的冗余描述。
图8示出了输入扫频电压Vsweep的位置与图4B中的像素电路100-1不同的实施例。参考图8,像素电路100-2与图4B的像素电路100-1的不同之处在于,接收扫频信号Vsweep的第二电容器143直接连接到控制单元120的输入端101。
在这种情况下,由于在第一电容器142与第二电容器143之间执行了电压分布,因此为了将与图4B中的像素电路100-1相同大小的电压施加到图8中的像素电路100-2的控制电路120的输入端101,需要将具有比图4B的示例中的电压高的电压的参考电压Vref、灰度数据电压Vw和扫频电压Vsweep施加到像素电路100-2。
例如,当第一电容器142和第二电容器143的电容相同时,需要将大小是图4B中的像素电路100-1的两倍的电压施加到图8的像素电路100-2,以便以与图4B的像素电路100-1相同的方式操作图8的像素电路100-2。
图9示出了控制电路120、第一开关元件130和第二开关元件141全都被实现为NMOSFET的实施例。参考图9,在像素电路100-3中,NMOSFET 120的漏极端连接到发光元件111的阴极端,源极端连接到接地端VSS,并且发光元件111的阳极端连接到驱动电压VDD端。
如上所述,当控制电路120为NMOSFET时,由于NMOSFET的栅极端成为控制电路120的输入端101,并且漏极端成为控制电路120的输出端102,因此NMOSFET 130的漏极端连接到NMOSFET 120的栅极端101,源极端连接到NMOSFET 120的漏极端102,并且NMOSFET 130根据输入到其栅极端的控制信号CMP而导通/断开。
NMOSFET 141根据输入到其栅极端的扫描信号SCAN(n)而导通/断开,并通过第一电容器142将输入到其漏极端的灰度数据信号Vw和参考信号Vref传送到控制电路120的输入端101。
同时,由于在图9的像素电路100-3中,晶体管120、130和141均被实现为NMOSFET,因此与晶体管120、130和141均被实现为PMOSFET的像素电路100-1不同,所有信号必须以与图4B的下侧视图、图5A和图6反向的形式被施加。这对本领域技术人员是显而易见的,因此将省略其更加详细的描述。
图10示出了控制电路120被实现为CMOSFET反相器的实施例。参考图10,从像素电路100-4可以看出,控制电路120被实现为CMOSFET反相器,并且当相对于图4B的像素电路100-1观察时,第一开关元件130连接在CMOSFET反相器120的输入端101与输出端102之间。
在这种情况下,由于控制电路120不是被实现为诸如NMOSFET或PMOSFET的单个晶体管,因此当第一开关元件130和第二开关元件141导通时设置在控制电路120的输入端的阈值电压可以不是特定晶体管的阈值电压Vth,而是,例如,可以设置具有与VDD/2相同大小的阈值电压。然而,本公开不限于此。
同时,图8至图10示出了其中发光单元110仅包括发光元件111并且控制电路120根据输入端101的电压而导通/断开并直接控制发光元件111的示例,但实施例不限于此。
图11的像素电路100-5包括电流源115且包括电流源115与发光元件111之间的开关元件113。同时,控制电路120被实现为CMOSFET且控制电路120的输出端102连接到开关元件113的栅极端。控制电路120根据基于灰度数据信号和扫频信号变化的输入端101的电压来控制开关元件113的导通/断开,从而控制发光元件111的发光持续时间。
另一方面,电流源115包括驱动晶体管117并根据驱动电流的幅度设置电压Va来向发光元件111提供相应幅度的驱动电流。
图12的像素电路100-6是其中控制电路120控制包括在电流源115中的驱动晶体管117的栅极电压以控制发光元件111的发光持续时间的示例。由于控制电路120被实现为NMOSFET,因此控制电路120的输出端,即NMOSFET 120的漏极端连接到电流源115的驱动晶体管117的栅极端。
同时,像素电路100-6的电流源115可以根据施加到驱动晶体管117的栅极端的电压提供不同幅度的驱动电流。此时,电流源115可以包括用于设置施加到驱动晶体管117的栅极端的幅度设置电压Va的幅度设置电路。在像素电路100-6中,晶体管116和电容器114构成了幅度设置电路。
将参考图13A和图13B更加详细地描述图12的像素电路100-6的操作。图13A中的像素电路100-6是与图12中的像素电路100-6相同的电路,图13B是输入到包括像素电路100-6的显示面板的各种数据信号和控制信号的时序图。
参考图13B,首先,在PWM校正时段之前,第一开关元件130、第二开关元件141和第三开关元件116根据控制信号CMP、SCAN(n、)和GATE(n)而导通,并且通过参考电压Vref执行像素之间的偏差校正。
接下来,在PWM(脉冲宽度调制)设置时段期间设置脉冲宽度设置电压Vw,以设置用于驱动发光元件111的驱动电流的驱动时间(占空比或脉冲宽度),并且在PAM(脉冲幅度调制)设置时段期间设置幅度设置电压Va,以设置驱动电流的幅度。也就是说,在像素电路100-6的示例中,表示像素的灰度的灰度数据电压是幅度设置电压Va和脉冲宽度设置电压Vw两者。
因此,当发光时段开始时,施加驱动电压VDD以利用具有设定幅度的驱动电流使发光元件111开始发光。另一方面,发光元件111发光,直到线性增加的扫频电压Vsweep达到晶体管120的阈值电压Vth,并且因此驱动晶体管117的栅极端电压变成接地电压VSS。此时,发光元件111的发光持续时间对应于所设置的脉冲宽度设置电压Vw。
在像素电路100-6中,晶体管190根据控制信号CGC而导通/断开以将幅度设置电路和用于设置灰度数据电压Vw的电路电连接/断开连接。在像素电路100-6的情况下,如图13B中所示,扫频电压Vsweep也可以是线性增加的电压。
图14A和图14B示出了图12的像素电路100-6的另一操作实施例。如图14A所示,像素电路100-6具有与图12的像素电路100-6相同的配置,除了幅度设置电压Va和脉冲宽度设置电压Vw被施加到不同的数据线。因此,在图14A和图14B的示例中,像素电路100-6可以在编程时段期间同时将驱动电流的幅度设置电压Va和脉冲宽度设置电压Vw一起设置。
同时,图12至图14B示出了包括在像素电路100-6中的全部晶体管被实现为NMOSFET的实施例,但是全部晶体管可以是PMOSFET以实现像素电路。在这种情况下,各种控制信号和数据信号必须反向且扫频信号必须以线性下降型的电压来施加。
图15至图17B示出了将补偿电路应用于像素电路100-6的各种实施例。
参考图15,除了像素电路100-6外,像素电路100-7还包括用于电流检测的晶体管15。同时,补偿电路1500可以包括校正单元1510、D/A转换器1520、电流检测单元1530和开关1540。
晶体管15连接到补偿电路1500的开关1540并根据经由栅极端输入的控制信号SENS(n)而导通,以使得电流检测单元1530可以检测流经驱动晶体管117的电流Id。
更具体地,在像素电路100-7开始幅度设置和脉冲宽度设置操作以显示图像帧之前,补偿电路1500首先通过D/A转换器1020向驱动晶体管117的栅极端提供特定的电压Vx并相应地通过电流检测单元1530检测流经驱动晶体管117的电流Id(此时,晶体管15根据控制信号SENS(n)而导通)。
补偿电路1500的校正单元1510使用通过电流检测单元1530检测到的电流值来校正幅度设置电压Va,然后将校正过的幅度设置电压Va提供给D/A转换器1520,D/A转换器1520按顺序将校正过的幅度设置电压Va施加到数据信号线410。
像素电路100-7根据上面的校正过的幅度设置电压Va执行幅度设置操作。
更具体地,校正单元1510可以使用由电流检测单元1530所提供的检测电流值来校正输入图像数据(特别是幅度设置电压Va)。例如,校正单元1510可以将对应于特定电压Vx的在驱动晶体管117中流动的电流值的相关数据与由电流检测单元1530检测到的电流值进行比较,以校正幅度设置电压Va。
此时,与特定电压Vx对应的电流值的相关数据可以以查找表或类似的形式存储在补偿电路1500的内部或外部的各种存储器(未示出)中。校正单元1510可以获取并使用存储在各种存储器(未示出)中的数据。但是,校正单元1510使用检测到的电流值校正图像数据的示例不限于此。为此,校正单元1510可以被实现为各种处理器、FPGA(现场可编程门阵列)和时序控制器(TCON),但本公开不限于此。
D/A转换器1520可以将图像数据或与由校正单元1510校正的图像数据对应的驱动电流Id的幅度设置电压Va施加到数据信号线410。D/A转换器1520也可以将特定电压Vx施加到数据信号线410,以用于检测流经驱动晶体管117的电流,以进行图像数据校正。此时,D/A转换器1520的操作可以由校正单元1510来控制,但不限于此,以及可以由外部处理器来控制。
电流检测单元1530可以检测在驱动晶体管117中流动的电流。为此,电流检测单元1530可以根据电流检测方法以各种方式来实现。例如,当通过测量施加到晶体管两端的电压来检测电流时,电流检测单元1530可以包括晶体管。在通过测量施加到电容器两端的电压的变化来检测电流的情况下,电流检测单元1530可以通过包括OP-AMP(运算放大器)和电容器来实现,但本公开不限于此。
开关1540根据上述操作次序在D/A转换器1520与电流检测单元1530之间切换。为此,开关1540可以被实现为各种晶体管,但不限于此。
同时,上述补偿电路1500中的每一个组件可以被包括在用于驱动显示面板的源极驱动器中,但本公开不限于此。例如,在外部处理器执行校正单元1510的操作的情况下,D/A转换器1520和电流检测单元1530可以被包括在源极驱动器中,且校正单元1510可以以使用外部处理器的形式来实现。
图16是示出了将补偿电路应用于像素电路100-6的另一实施例的示意图。图16中的像素电路100-7与图15中的像素电路100-7相同。但是,图16中的补偿电路1600包括电流/电压检测单元1550而不是图15的补偿电路1500的电流检测单元1530。
除了如上面参考图15所述的,在像素电路100-7工作之前检测驱动电流Id之外,图16中的电流/电压检测单元1550还可以在发光元件111的发光期间检测驱动晶体管117的漏极端电压Vd。
因此,根据图16的实施例,除了通过使用在像素电路100-7工作之前检测到的驱动电流Id校正幅度设置电压Va来校正包括在电流源中的驱动晶体管117之间的偏差之外,还使用在发光元件111的发光期间检测到的驱动晶体管117的漏极端电压Vd来校正幅度设置电压Va,从而校正发光元件111的正向电压Vf的偏差。
图17A示出了图16的补偿电路1600的具体配置。参考图17A,可以看出校正单元1510被实现为TCON且电流/电压检测单元1550具有差动感测结构。此时,差动感测通过开关11551和开关21552的切换(例如,导通/断开开关11551/开关21552或者断开/导通开关11551/开关21552)来工作,并且输入数据可以相同或不同。此时,感测以下每一种情况的扫描线可以是相同的扫描线或不同的扫描线:没有数据存在的情况,和有数据存在的情况。
图17B是示出了图17A的补偿电路1600和像素电路100-7的操作的时序图。如图17B所示,可以看出在像素电路100-7工作之前执行电流感测Isen(1710),并且在发光元件111的发光期间执行电压感测Vsen(1720)。
图18是根据本公开的实施例的显示设备1800的配置图。参考图18,显示设备1800包括显示面板500、面板驱动器200和处理器300。
显示面板500包括多个像素电路100。此处,像素电路100可以是上述像素电路100-1至100-7中的任何一个。
具体地,显示面板500可以形成为使得扫描线S1至Sn和数据线D1至Dm互相交叉,且像素电路100可以形成在由这种交叉形成的区域中。例如,多个像素电路100中的每一个可以配置为使得相邻的R子像素、G子像素和B子像素形成一个像素,但本公开不限于此。
同时,为便于在图18中说明,示出了栅极驱动器230中的均用于向包括在显示面板500中的每一个像素电路100施加控制信号的扫描信号线S1至Sn以及数据驱动单元220中的均用于向每一个像素电路100施加数据信号的仅一条数据信号线D1至Dm,但根据上述各种像素电路的实施例,可以进一步包括其他数据信号线或控制信号线。
面板驱动器200在处理器300的控制下驱动显示面板500,更具体地,多个像素电路100中的每一个,并且可以包括时序控制器210、数据驱动单元220和栅极驱动单元230。
时序控制器210从外部接收输入信号IS、水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync、主时钟信号MCLK等,以生成并向显示面板500、数据驱动单元220和栅极驱动单元230等提供图像数据信号、扫描控制信号、数据控制信号、发光控制信号等。
数据驱动单元220(或源极驱动器)是用于生成数据信号的装置,并从处理器300接收R/G/B分量的图像数据以生成数据信号。另外,数据驱动单元220可以将生成的各种数据信号施加到显示面板500。
特别地,尽管在图18中未具体示出,但是根据本公开的各种实施例,数据驱动单元220可以将用于设置驱动电流Id的幅度和脉冲宽度的幅度设置电压和脉冲宽度设置电压、线性变化电压Va、Vw和Vsweep、以及施加于每个像素电路100的特定电压Vx施加到驱动晶体管117的栅极端,以用于检测在驱动晶体管117中流动的电流。
栅极驱动单元230(或栅极驱动器)是用于生成诸如扫描信号SCAN(n)、栅极信号GATE(n)和检测信号SENS(n)等各种控制信号的装置,并将生成的各种控制信号传送到显示面板500的特定行。根据一个实施例,栅极驱动单元230可以将驱动电压VDD施加到像素电路100的驱动电压端。
另一方面,面板驱动单元200可以在处理器300的控制下,使用驱动电流Id的占空比变化的脉冲宽度调制PWM和驱动电流Id的幅度变化的幅度调制PAM中的至少一个来控制发光部分110(也就是,LED元件)的亮度。这里,LED被描述为包括OLED的概念。另外,PWM信号控制光源点亮与熄灭的比例,且其占空比(%)可以根据从处理器300输入的调光值来确定。
面板驱动单元200可以被实现为多个LED驱动模块。在某些情况下,多个LED驱动模块中的每一个可以被实现为包括用于控制每个像素电路100的操作的子处理器和用于在子处理器的控制下驱动每个显示模块的驱动模块。在这种情况下,每个子处理器和驱动模块可以被实现为硬件、软件、固件或IC(集成芯片)等。根据一个实施例,每个子处理器可以被实现为独立的半导体IC。
另一方面,多个LED驱动模块中的每一个可以包括用于控制施加于LED元件的电流的至少一个LED驱动器。LED驱动器可以被设置在包括多个LED元件的多个LED区域中的每一个区域中。这里,LED区域可以小于上述LED模块。例如,一个LED模块可以被划分为包括预设数量的LED元件的多个LED区域,并且多个LED区域中的每一个可以包括LED驱动器。在这种情况下,可以对每个区域进行电流控制。但是,本公开不限于此,LED驱动器可以设置在LED模块单元中。
根据一个实施例,LED驱动器可以被放置在电源的后端以从电源接收电压。但是,根据另一个实施例,电压可以由独立的电源设备提供。可选地,还可以将SMPS与LED驱动器实现为单个集成模块。
根据本公开的各种实施例的LED驱动器可以使用可以被用于表示各种图像灰度的PAM方法和PWM方法两者。
处理器300控制显示设备1800的整体操作,特别地,通过控制面板驱动单元200来驱动显示面板500以执行上述各种像素电路100-1至100-2的操作。为此,处理器300可以被实现为中央处理单元(CPU)、微控制器、应用处理器(AP)、通信处理器(CP)和ARM处理器中的一个或多个。
具体地,根据本公开的实施例,处理器300可以控制面板驱动器200,使得根据脉冲宽度设置电压Vw来设置驱动电流Id的脉冲宽度,并且根据幅度设置电压Va来设置驱动电流Id的幅度。此时,当显示面板500包括n行和m列时,处理器300可以控制面板驱动单元200,使得以行为单位设置驱动电流Id的幅度或脉冲宽度。
之后,处理器300可以控制面板驱动单元200,使得驱动电压VDD被同时施加到显示面板500中包括的多个像素电路100的电流源120,并且线性变化电压Vsweep被施加到多个像素电路100中的每一个的脉冲宽度控制电路140,从而显示图像。
此时,处理器300控制面板驱动器200以对显示面板500中包括的每个像素电路100的操作进行控制的操作与上面参考图3至图17B所描述的相同,因此将省略其冗余描述。
图19是示出了根据本公开的实施例的驱动包括多个像素电路的显示面板的方法的流程图。此时,多个像素电路中的每一个可以包括包含发光元件的发光单元、基于输入端电压来控制发光元件的发光持续时间的控制电路、连接在控制电路的输入端与输出端之间的第一开关元件和第二开关元件、以及用于将输入信号发送到控制电路的输入端的信号输入单元。
更具体地,显示面板500可以导通第一开关元件130和第二开关元件141,并基于经由第二开关元件141输入的参考信号将控制电路120的输入端101的电压设置为第一电压(S1910)。
显示面板500可以在控制电路120的输入端101的电压被设置为第一电压之后断开第一开关元件130和第二开关元件141,并基于参考信号将控制电路120的输入端101的电压从第一电压改变为第二电压(S1920)。
因此,当控制电路120的输入端101的电压改变为第二电压且随后灰度数据信号和扫频信号经由信号输入单元110输入时,显示面板500可以基于根据灰度数据信号和扫频信号变化的控制电路120的输入端101的电压来控制发光元件111的发光持续时间(S1930)。
此时,多个像素电路中的每一个的第一开关元件可以同时导通/断开。
同时,包括在像素电路100中的发光元件111的类型可以是LED或OLED,但不限于此。另外,像素电路100可以由TFT组成。此时,TFT的沟道材料可以是氧化物或有机材料。
另外,根据本公开的实施例,构成像素电路100的晶体管可以仅由NMOSFET组成,或可以仅由PMOSFET组成。但是,本公开不限于此,可以实现包括CMOSFET的像素电路100。
另外,根据本公开的实施例,当数据信号线410是一条时,脉冲宽度和幅度设置必须在不同的时间进行,但是根据另一个实施例,当数据信号线410-1和410-2是两条时,驱动电流的脉冲宽度设置和幅度设置可以被同时执行。
另一方面,驱动电流的幅度设置可以通过电压编程方法来执行,而不是根据实施例的可以通过电流编程方法来执行。根据一个实施例,当通过将补偿电路1500和1600应用于像素电路100来对显示面板500进行配置时,显示设备1800可以通过补偿电路1500和1600使用校正的幅度设置电压Va来设置驱动电流Id的幅度,并且因此可以降低TFT之间的偏差以及发光元件的正向电压Vf的偏差,从而增加亮度均匀性。
同时,根据上述各种实施例的像素电路100的操作以及显示面板500的驱动方法可以利用软件生成并安装在显示设备上。
例如,可以安装其上存储有用于执行显示面板的驱动方法的程序的非暂时性计算机可读介质,所述驱动方法包括:通过导通第一开关元件和第二开关元件,基于经由第二开关元件输入的参考信号将控制电路的输入端电压设置为第一电压;在将控制电路的输入端电压设置为第一电压之后,通过断开第一开关元件和第二开关元件,基于参考信号将控制电路的输入端电压从第一电压改变为第二电压;以及在将控制电路的输入端电压设置为第二电压之后,当灰度数据信号和扫频信号经由信号输入单元输入时,基于根据灰度数据信号和扫频信号变化的控制电路的输入端电压来控制发光元件的发光持续时间。
在这方面,非暂时性计算机可读介质并不是短时间存储数据的介质(例如寄存器、高速缓存、存储器等等),而是意味着半永久地存储数据且可由设备读取的介质。具体地,上述各种中间件或程序可以在非暂时性计算机可读介质中存储并提供,例如压缩盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、硬盘、蓝光盘、通用串行总线(USB)、存储卡、只读存储器(ROM)等。
如上所述,根据本公开的各种实施例,可以同时提高显示面板的亮度均匀性和发光效率。
虽然上文已经示出和描述了本公开的实施例,但是本公开不限于上述的特定实施例,而是可以由本公开所属领域的技术人员在不脱离随附权利要求中所公开的本公开的范围和精神的情况下进行各种修改。这些修改还应被理解为落入本公开的范围内。

Claims (15)

1.一种包括多个像素电路的显示面板,
其中,所述多个像素电路中的每一个包括:
发光单元,包括发光元件;
控制电路,被配置为基于输入端电压来控制所述发光元件的发光持续时间;
第一开关元件,连接在所述控制电路的输入端与输出端之间;以及
信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向所述控制电路的输入端传送输入信号,
其中,所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件被配置为同时导通或断开,
其中,所述控制电路的输入端电压被如下设置:
在所述第一开关元件和所述第二开关元件导通时,基于经由所述第二开关元件输入的参考信号将所述输入端电压设置为第一电压,以及
在所述第一开关元件和所述第二开关元件断开时,基于所述参考信号将所述输入端电压从所述第一电压改变为第二电压,以及
其中,在所述输入端电压改变为所述第二电压后,所述控制电路还被配置为基于根据经由所述信号输入单元输入的灰度数据信号和扫频信号变化的所述输入端电压来控制发光持续时间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述信号输入单元包括:
第一电容器,其一端与所述控制电路的输入端连接且其另一端与所述第二开关元件的一端连接;以及
第二电容器,其一端与所述第一电容器的所述一端或所述另一端连接且其另一端接收所述扫频信号,
其中,所述信号输入单元被配置为:当所述第二开关元件导通时,通过所述第一电容器向所述控制电路的输入端传送经由所述第二开关元件的另一端输入的灰度数据信号和参考信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,在被改变为所述第二电压后,当所述第二开关元件导通时,所述控制电路的输入端电压基于经由所述第二开关元件输入的所述灰度数据信号被设置为第三电压,并且在被设置为所述第三电压后根据经由所述第二电容器输入的所述扫频信号而变化,以及
其中,所述控制电路还被配置为通过基于根据所述扫频信号变化的所述输入端电压开启或关闭所述发光元件来控制发光持续时间。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中,当所述第二电容器的所述一端与所述第一电容器的所述另一端连接时,所述参考信号和所述灰度数据信号的大小小于当所述第二电容器的所述一端与所述第一电容器的所述一端连接时的所述参考信号和所述灰度数据信号的大小。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述多个像素电路的每个所述第二开关元件被配置为:
当所述第一开关元件导通时一起导通,
向所述多个像素电路中的每一个的控制电路的输入端传送所述参考信号,
在所述控制电路的输入端电压改变为所述第二电压后顺序地导通,以及
向所述多个像素电路中的每一个的控制电路的输入端传送所述多个像素电路中的每一个的灰度数据信号。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述控制电路为PMOSFET(P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)、NMOSFET(N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)和CMOSFET(互补金属氧化物半导体场效应晶体管)反相器中的任何一种,以及
其中,所述第一开关元件和所述第二开关元件为PMOSFET或NMOSFET。
7.根据权利要求6所述的显示面板,
其中,当所述控制电路为PMOSFET或NMOSFET时,PMOSFET或NMOSFET的栅极端为所述控制电路的输入端,并且PMOSFET或NMOSFET的漏极端为所述控制电路的输出端,以及
其中,当所述控制电路为CMOSFET反相器时,CMOSFET反相器的输入端为所述控制电路的输入端,并且CMOSFET反相器的输出端为所述控制电路的输出端。
8.根据权利要求7所述的显示面板,
其中,当所述控制电路为PMOSFET时,PMOSFET的漏极端连接到所述发光元件的阳极端,所述发光元件的阴极端连接到接地端,并且PMOSFET的源极端连接到驱动电压端,以及
其中,PMOSFET被配置为根据基于所述灰度数据信号和所述扫频信号变化的PMOSFET的栅极端电压而导通或断开,以控制发光持续时间。
9.根据权利要求7所述的显示面板,
其中,当所述控制电路为NMOSFET时,NMOSFET的漏极端连接到所述发光元件的阴极端,所述发光元件的阳极端连接到驱动电压端,并且NMOSFET的源极端连接到接地端,以及
其中,NMOSFET被配置为根据基于所述灰度数据信号和所述扫频信号变化的NMOSFET的栅极端电压而导通或断开,以控制所述发光元件的发光持续时间。
10.根据权利要求7所述的显示面板,
其中,当所述控制电路为CMOSFET反相器时,CMOSFET反相器的输出端连接到所述发光元件的阳极端,所述发光元件的阴极端连接到接地端,以及
其中,CMOSFET反相器被配置为根据基于所述灰度数据信号和所述扫频信号变化的CMOSFET反相器的输入端电压而导通或断开,以控制所述发光元件的发光持续时间。
11.根据权利要求1所述的显示面板,
其中,所述发光单元还包括被配置为向所述发光元件提供驱动电流的电流源、以及连接在所述电流源与所述发光元件之间的第三开关元件,以及
其中,所述控制电路还被配置为通过根据基于所述灰度数据信号和所述扫频信号变化的所述输入端电压导通或断开所述第三开关元件来控制发光持续时间。
12.根据权利要求1所述的显示面板,
其中,所述发光单元还包括被配置为向所述发光元件提供驱动电流的电流源,以及
其中,所述控制电路还被配置为通过根据基于所述灰度数据信号和所述扫频信号变化的所述输入端电压控制所述电流源中包括的驱动晶体管的栅极端电压来控制发光持续时间。
13.根据权利要求1所述的显示面板,
其中,所述发光单元还包括驱动晶体管和电流源,所述电流源被配置为根据施加到所述驱动晶体管的栅极端的电压的大小向所述发光元件提供具有不同幅度的驱动电流,以及
其中,所述电流源包括被配置为向所述驱动晶体管的栅极端施加不同大小的电压的幅度设置电路。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述发光元件为发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)。
15.一种包括多个像素电路的显示面板的驱动方法,其中,所述多个像素电路中的每一个包括:
发光单元,包括发光元件;
控制电路,被配置为基于输入端电压来控制所述发光元件的发光持续时间;
第一开关元件,连接在所述控制电路的输入端与输出端之间;以及
信号输入单元,包括第二开关元件并被配置为向所述控制电路的输入端传送输入信号,
所述驱动方法包括:
当导通所述第一开关元件和所述第二开关元件时,基于经由所述第二开关元件输入的参考信号将所述控制电路的输入端电压设置为第一电压;
通过断开所述第一开关元件和所述第二开关元件,基于所述参考信号将所述控制电路的输入端电压从所述第一电压改变为第二电压;
在将所述输入端电压改变为所述第二电压之后,基于根据经由所述信号输入单元输入的灰度数据信号和扫频信号变化的所述输入端电压来控制发光持续时间,
其中,所述多个像素电路中的每一个的第一开关元件被配置为同时导通或断开。
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