CN108432149A - 非接触通信模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种增强通信质量的非接触通信模块。模块M1配备有基板(100)、天线(200)、半导体部件(300)、内部连接部(400)和外部连接部(500)。对方通信装置被近距离地设置在基板(100)的Z方向。天线(200)被设置在基板(100)上的第一高度位置处以使能与对方通信装置的非接触通信。半导体部件(300)被设置在基板(100)上的第一高度位置或第二高度位置处。第二高度位置在Z′方向上比第一高度位置远。内部连接部(400)将天线(200)和半导体部件(300)电连接。外部连接部(500)的第一部分(510)被设置到基板(100)并电连接到半导体部件(300。外部连接部(500)的第二部分(520)从基板(100)向外突出。
Description
技术领域
本发明涉及以非接触方式执行通信的非接触通信模块。
背景技术
在非接触通信中,通信精度极大地取决于诸如半导体芯片和天线的通信电路的设计。特别是,随着非接触通信的通信速度增加,设计通信电路更加困难。这是因为这种增加揭示了诸如天线的电容器(C)和/或电感(L)部件对信号质量(信号完整性)的影响。因此,在电子装置的同一电路板上设计用于非接触通信的电路和用于电子装置的主要功能的电路变得更加困难。因此,考虑将用于非接触通信的电路模块化并且将该模块安装在电子装置的电路板上。
在专利文献1中公开了传统的非接触通信模块。该非接触通信模块包括半导体芯片、天线、岛状物、多个引线端子和塑料基体。天线被配置为能够与对方通信装置的天线进行非接触的通信。半导体芯片包括用于使得天线进行非接触通信的器件。半导体芯片被安装在岛状物上并经由导线连接到天线和引线端子的端部。矩形形状的塑料基体具有上面和下面以及四个侧面。半导体芯片、天线和引线端子的端部被密封在塑料基体中。引线端子的剩余部分从塑料基体的侧面突出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开No.2013-161905号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
非接触通信模块适于在非接触通信模块的天线与设置在塑料基体的上面上方的对方通信装置之间进行非接触通信。非接触通信模块的天线位于与岛状物相同的平面上并且位于岛状物上的半导体芯片下方。换言之,天线远离塑料基体的上面(通信区域)并且还远离对方通信装置,这使非接触通信模块的通信精度劣化。
鉴于上述情况设计了本发明,本发明的目的在于提供具有改进的通信精度的非接触通信模块。
解决问题的手段
为了解决上述问题,根据本发明的一方面的非接触通信模块包括由绝缘树脂制成的基体、天线、半导体部件、内部连接部和外部连接部。对方通信装置能够近距离地设置在基体的第一方向上的一侧。天线在第一方向上的第一高度位置处设置在基体处以能够与对方通信装置非接触地通信。半导体部件适于使得天线进行非接触通信。半导体部件在第一高度位置处或者在相对于第一高度位置在第一方向的另一侧的第二高度位置处设置在基体处。内部连接部将天线和半导体部件电连接。外部连接部包括第一部分和第二部分。第一部分被设置在基体处并电连接到半导体部件。第二部分突出到基体之外或暴露于基体的外部。
这种非接触通信模块提供了改进的通信精度。这是因为天线被设置在与半导体部件相同的高度位置处或者相对于半导体部件设置在第一方向的一侧。这种布置方式减小了在第一方向上从天线到近距离地设置在基体的第一方向上的一侧的对方通信装置的距离。
天线可在基体内设置于第一高度位置处。半导体部件可在基体内设置于第一或第二高度位置处。外部连接部的第一部分可被设置在基体内。在这方面的非接触通信模块中,由于天线和半导体部件被设置在基体内,天线和半导体部件被基体保护。
内部连接部可以是将天线和半导体部件连接起来的金属板、引线、线缆或导线,并且可被设置在基体内。在这种情况下,内部连接部可折曲或弯曲以使得天线在基体内位于第一高度位置处并且半导体部件在基体内位于第二高度位置处。在这方面的非接触通信模块中,易于简单地通过折曲或弯曲内部连接部来将天线设置在第一高度位置处并将半导体部件设置在第二位置处。
天线和内部连接部可由单个金属板构成并设置在基体内。内部连接部可折曲或弯曲以使得天线在基体内位于第一高度位置处,并且半导体部件在基体内位于第二高度位置处。在这方面的非接触通信模块中,易于简单地通过折曲或弯曲内部连接部来将天线设置在第一高度位置处并将半导体部件设置在第二位置处。
该非接触通信模块还可包括第一电路板。该第一电路板可以是包括内部连接部的柔性或刚柔性电路板。内部连接部可被设置在基体内。内部连接部可包括设置有天线的第一部分、电连接到半导体部件的第二部分以及介于内部连接部的第一部分和第二部分之间的中间部分。该中间部分可弯曲以使得天线在基体内位于第一高度位置处,并且半导体部件在基体内位于第二高度位置处。在这方面的非接触通信模块中,易于简单地通过弯曲内部连接部的中间部分来将天线设置在第一高度位置处并将半导体部件设置在第二位置处。
第一电路板还可包括外部连接部。由于第一电路板包括内部连接部和外部连接部,所以这种非接触通信模块具有数量减少的部件。
天线和内部连接部可由在第二方向上延伸的单个金属板构成并且可设置在基体内。第二方向可与第一方向垂直。半导体部件可相对于内部连接部在第一方向的另一侧连接到内部连接部。在这方面的非接触通信模块中,易于简单地通过将半导体部件相对于内部连接部在第一方向的另一侧连接到内部连接部来将天线设置在第一高度位置处并将半导体部件设置在第二位置处。
该非接触通信模块还可包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第二电路板。第二电路板可包括设置在基体内的内部连接部。内部连接部可包括在第一方向的一侧的第一面以及在第一方向的另一侧的第二面。天线可被设置在内部连接部的第一面上。半导体部件可被安装在内部连接部的第二面上,或者另选地,相对于内部连接部的第二面在第一方向的另一侧连接到内部连接部。在这方面的非接触通信模块中,易于简单地通过将半导体部件安装在内部连接部的第二面上或者将半导体部件相对于内部连接部的第二面在第一方向的另一侧连接到内部连接部来将天线设置在第一高度位置处并将半导体部件设置在第二位置处。
第二电路板还可包括外部连接部。由于第二电路板包括内部连接部和外部连接部,这种非接触通信模块具有数量减少的部件。
该非接触通信模块还可包括第三电路板。该第三电路板可至少部分地设置在基体内并且可以是安装有半导体部件的板。内部连接部可连接到第三电路板并经由第三电路板连接到半导体部件。
第三电路板可包括外部连接部。
基体可包括向基体的外部开口的容纳孔。内部连接部可包括设置在容纳孔中的突出部。外部连接部的第一部分可包括设置在容纳孔中的突出部。半导体部件可被容纳在容纳孔中,并在容纳孔中电连接到内部连接部的突出部和外部连接部的第一部分的突出部。这方面的非接触通信模块提供改进的通用性。这是因为可简单地通过选择适合于非接触通信模块的应用(即,用于接收或发送)、能力(即,通信速度和/或通信范围)等的半导体部件、将半导体部件插入在容纳孔中并将半导体部件电连接到内部连接部的突出部和外部连接部的第一部分的突出部来改变非接触通信模块的应用和/或能力。
基体还可包括第一保护部。该第一保护部可以是容纳孔的壁并围绕位于容纳孔中的半导体部件。在这方面的非接触通信模块中,容纳孔中的半导体部件由第一保护部围绕并保护。
基体可具有位于第一高度位置处的第一外面。天线可被设置在第一外面上。半导体部件可被安装在第一外面上。
基体还可包括位于第二高度位置处的第二外面。在这种情况下,半导体部件可不安装在第一外面上,而是安装在第二外面上。基体还可包括从第一外面延伸到第二外面的第三外面。
天线可以是形成在第一外面上的金属膜。内部连接部可以是形成在至少第二和第三外面上以与天线连续的金属膜。半导体部件可直接连接到第二外面上的内部连接部。在这方面的非接触通信模块中,天线和内部连接部可通过印刷、光刻或其它方法容易地形成在基体上。应该理解,另选地,内部连接部可以是至少形成在第二和第三外面上以连接到天线的金属膜。在这种情况下,天线可优选为金属膜以外的材料。
外部连接部可由形成在基体的至少第二外面上的金属膜制成。外部连接部的第一部分可位于第二外面上。半导体部件可直接连接到第二外面上的内部连接部和外部连接部的第一部分。在这方面的非接触通信模块中,外部连接部可通过印刷、光刻或其它方法容易地形成在基体的第二外面。这方面进一步方便了半导体部件的安装。这是因为半导体部件可连接到第二外面上的内部连接部和外部连接部二者。
金属膜可包括镀膜。
基体还可包括至少一个第二保护部。所述至少一个第二保护部可在第一方向上从第二外面延伸,并且可围绕半导体部件设置。在这方面的非接触通信模块中,围绕半导体部件设置的第二保护部保护半导体部件。
基体还可包括至少一个第三保护部。所述第三保护部可从第三外面沿着第二外面延伸,并且可围绕半导体部件设置。在这方面的非接触通信模块中,围绕半导体部件设置的第三保护部保护半导体部件。
外部连接部可以是端子、引脚、引线或线缆。
根据上述任何方面的非接触通信模块还可包括第一导电体。第一导电体可相对于天线设置在第一方向的另一侧。在这方面的非接触通信模块中,第一导电体屏蔽相对于第一导电体从第一方向的另一侧泄漏的信号,从而减小了这些泄漏的信号对天线造成影响的可能性。
根据上述任何方面的非接触通信模块还可包括第二导电体。该第二导电体可相对于天线设置在第一方向的一侧并接地。第二导电体可具有相对于天线的至少一部分位于第一方向的一侧的开口。这种非接触通信模块提供进一步改进的通信精度。
附图说明
图1A是根据本发明的第一实施方式的非接触通信模块的前侧、顶侧、右侧立体图
图1B是非接触通信模块的前侧、顶侧、右侧立体图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图1C是非接触通信模块的后侧、底侧、右侧立体图,其中基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图1D是非接触通信模块的右侧视图,其中基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图2A是在将非接触通信模块的半导体部件连接到非接触通信模块的内部连接部和外部连接部之前的状态下的非接触通信模块的前侧、顶侧、右侧立体图。
图2B是在将半导体部件连接到内部连接部和外部连接部之前的状态下的非接触通信模块的后侧、底侧、右侧立体图。
图3A是根据本发明的第二实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图3B是根据本发明的第三实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图4是根据本发明的第四实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图5A是根据本发明的第五实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图5B是根据本发明的第六实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图5C是根据本发明的第七实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图6A是根据本发明的第八实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的.
图6B是根据本发明的第九实施方式的非接触通信模块的示意性侧视图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的.
图7A是根据本发明的第十实施方式的非接触通信模块的前侧、顶侧、右侧立体图。
图7B是非接触通信模块的前侧、底侧、左侧立体图。
图8A是非接触通信模块的基体的前侧、顶侧、左侧立体图。
图8B是沿图8A中的线8B-8B截取的非接触通信模块的基体的截面图,夸大了基体中的金属络合物。
图9A是根据本发明的第十实施方式的非接触通信模块的变型的示意性截面图。
图9B是根据本发明的第十实施方式的非接触通信模块的另一变型的示意性截面图。
图10A是根据本发明的第一实施方式的非接触通信模块的变型的前侧、顶侧、右侧立体图,其基体以虚线示出以将基体示为透明的。
图10B是根据第一实施方式的非接触通信模块的变型的后侧、底侧、右侧立体图,其中基体以虚线示出以将基体示为透明的。
具体实施方式
以下描述本发明的第一至第九实施方式。
第一实施方式
以下参照图1A至图2B描述根据本发明的第一实施方式的非接触通信模块M1(以下也称为模块M1)。模块M1适于与对方通信装置(未示出)非接触地通信。图1A至图1D中指示的Z-Z′方向是模块M1的厚度方向并且对应于权利要求中的第一方向。Z方向对应于第一方向的一侧,Z′方向对应于第一方向的另一侧。图1A至图1D中指示的Y-Y′方向是模块M1的纵向方向并且对应于权利要求中的第二方向。Y-Y′方向与Z-Z′方向垂直。图1A至图1C中指示的X-X′方向是模块M1的横向方向。X-X′方向与Z-Z′和Y-Y′方向垂直。
模块M1包括基体100(封装)、至少一个天线200、至少一个半导体部件300、至少一个内部连接部400和至少一个外部连接部500。
基体100是绝缘树脂的实心块或绝缘树脂的壳体。基体100可以是多边形形状的立体元件、圆柱、球体、半球体、弧形截面的立体元件等等。
基体100包括Z方向侧的第一外面101和Z′方向侧的第二外面102。第一外面101包括通信区域。对方通信装置能够近距离地设置在基体100的通信区域的Z方向侧。例如,第二外面102可以是(但不限于)可安装在电子装置(未示出)的电路板上的面(安装面)或者可固定到电子装置的框架等的面(固定面)。
如果是实心块,则基体100还可包括至少一个容纳孔110。容纳孔110可以是在第一外面101中在Z方向上开口并在Z-Z′方向上延伸的有底的孔。另选地,容纳孔110可以是在第二外面102中在Z′方向上开口并在Z-Z′方向上延伸的有底孔。还另选地,容纳孔110可以是在Z-Z′方向上从第一外面101延伸到第二外面102并在Z和Z′方向上开口的通孔。在图1A至图2B中,基体100是由绝缘树脂制成的矩形实心块,并且包括穿过基体100从第一外面101延伸到第二外面102的容纳孔110。容纳孔110可被省略。
至少一个天线200仅需要适于与对方通信装置非接触通信。例如,天线200可适于经由诸如电磁场耦合、磁场耦合、超宽带(UWB)、无线LAN和/或Bluetooth(注册商标)的通信方案与对方通信装置非接触通信。如本文所用,术语“非接触地通信”和“非接触通信”是指包括非接触接近通信、超宽带无线通信和窄带无线通信的概念。在电磁场耦合、磁场耦合和其它方案中采用非接触接近通信,其是利用生成高速上升/下降时间(高频分量)的方波信号的串扰的宽带通信。在UWB等中采用使用500MHz或以上的带宽的无线通信的超宽带无线通信。在无线LAN或Bluetooth(注册商标)中使用基于调制(窄带)无线电波的无线通信的窄带无线通信。如本文所用,“非接触地通信”和“非接触通信”可以是在本发明的天线与对方通信装置的天线之间经由其进行非接触和无线通信的任何通信方案。
如果天线200适于经由电磁场耦合方案或磁场耦合方案的非接触通信,则在Z-Z′方向上从天线200至对方通信装置的通信距离可在零至几微米的范围内。如果天线200适于经由诸如无线LAN和/或Bluetooth(注册商标)的通信方案的非接触通信,则从天线200至对方通信装置的通信距离可在零至几十米的范围内。应该注意,从天线200至对方通信装置的通信距离取决于天线200所采用的通信方案。即使从天线200至对方通信装置的通信距离为零,天线200也不与对方通信装置的对应天线接触。
如果天线200适于经由电磁场耦合方案或磁场耦合方案的非接触通信,则天线200适于以从1Kbps的低速到10Gbps或以上的高速的宽范围内的比特速率接收或发送信号。如果信号是高速信号,则比特速率为约1Gbps或以上。如果天线200适于经由诸如无线LAN和/或Bluetooth(注册商标)的通信方案的非接触通信,则天线200适于以2.4GHz或5GHz的频率接收或发送信号。由天线200接收或发送的信号的速度可根据所采用的通信方案来适当地确定。天线200可以是接收天线或发送天线。
至少一个天线200可由金属板、线圈、导电体等构成。如果天线200适于经由电磁场耦合方案的非接触通信,则优选扩大天线200的至少一部分的外部尺寸以便扩大面向对方通信装置的对应天线的天线200的面积。如果适于经由磁场耦合方案的非接触通信,则天线200可优选为环形形状。天线200的形状可根据所采用的通信方案适当地修改。
天线200在基体100内设置于Z-Z′方向上的第一高度位置处以允许与对方通信装置的非接触通信。天线200相对于基体100的通信区域设置在Z′方向侧。如果基体100是实心块,则天线200被密封在基体100内的第一高度位置处—换言之,被嵌件成型在基体100内以位于第一高度位置处。
如果基体100是壳体,则天线200被容纳在基体100内以位于第一高度位置处。在这种情况下,可采用以下配置1)至3)之一。1)天线200被保持在基体100的底部、壁或其它部分上。2)天线200由设置在基体100内的支承件支承。3)天线200由基体100内的至少一个内部连接部400支承。
天线200可被设置成多个天线200。在这种情况下,所有天线200可以是接收天线或发送天线,或者另选地,至少一个天线200可以是接收天线,其余为发送天线。
作为半导体元件、半导体芯片或者以绝缘树脂封装的半导体装置,至少一个半导体部件300适于使得天线200进行非接触通信(非接触地接收或发送信号)。例如,如果天线200是接收天线,则半导体部件300可以是具有磁滞特性的比较器等。如果天线200是发送天线,则半导体部件300可以是信号中继器(redriver)等以控制要通过天线200发送的信号的上升时间。半导体部件300可根据所采用的通信方案并且根据半导体部件300用于通过天线200发送还是接收信号来适当地配置。半导体部件300包括至少一个第一连接部分和至少一个第二连接部分。半导体部件300的第一和第二连接部分各自为电极、引脚等。
至少一个半导体部件300在基体100内设置于第一高度位置或第二高度位置处。更具体地,半导体部件300的Z′方向侧的端面被设置在基体100内的第一或第二高度位置处。第二高度位置相对于第一高度位置位于Z′方向侧。例如,第二高度位置可相对于第一高度位置位于Z′方向侧,使得第一高度位置处的天线200相对于第二高度位置处的半导体部件300的Z方向侧的端面位于Z方向侧。如果基体100是没有容纳孔110的实心块,则半导体部件300被密封在基体100内的第一或第二高度位置处—换言之,被嵌件成型在基体100内以位于第一或第二高度位置处。
如果基体100是壳体,则半导体部件300被容纳在基体100内以位于第一或第二高度位置处。在这种情况下,半导体部件300可具有以下配置1)至3)之一。1)半导体部件300被保持在基体100的底部、壁或其它部分上。2)半导体部件300由设置在基体100内的支承件支承。3)半导体部件300由至少一个内部连接部400和至少一个外部连接部500中的至少一方支承。
如果基体100具有容纳孔110,则半导体部件300被容纳在基体100的容纳孔110中以位于第一或第二高度位置处。在这种情况下,半导体部件300可被支承在作为有底的孔的容纳孔110的底部上,或者被支承在容纳孔110内的半空中。在后一种情况下,半导体部件300可由至少一个内部连接部400的突出部420和/或至少一个外部连接部500的突出部511支承在半空中,并且突出部420和/或突出部511突出到容纳孔110中。
半导体部件300被作为容纳孔110的环形壁的第一保护部110a围绕。第一保护部110a保护容纳孔110内的半导体部件300。第一保护部110a的Z-Z′方向尺寸可优选大于被支承在容纳孔110内的半导体部件300的Z-Z′方向尺寸。另选地,第一保护部110a的Z-Z′方向尺寸可基本上等于或小于被支承在容纳孔110内的半导体部件300的Z-Z′方向尺寸。
至少一个内部连接部400仅需要适于将天线200和半导体部件300电连接。例如,所述或各个内部连接部400可由端子、引脚、引线、线缆或导线构成。所述或各个内部连接部400可直接或者经由导电中间构件间接连接到天线200。另选地,所述或各个内部连接部400可与天线200成一体。例如,天线200和内部连接部400可由诸如引线框的单个金属板构成。所述或各个内部连接部400可直接或者经由导电中间构件间接连接到半导体部件300的第一连接部分。在前一种情况下,所述或各个内部连接部400可具有与半导体部件300的第一连接部分一致的形状。例如,所述或各个内部连接部400可以是接合孔或接合凹陷。所述或各个中间构件是端子、引脚、引线、线缆、导线等。
至少一个内部连接部400被设置在基体100内。如果基体100是没有容纳孔110的实心块,则内部连接部400被密封在基体100内—换言之,被嵌件成型在基体100内。如果基体100是壳体,则内部连接部400被容纳在基体100内。如果基体100具有容纳孔110,则内部连接部400包括埋入部分410和突出部420。内部连接部400的埋入部分410被密封在基体100内—换言之,被嵌件成型在基体100内。内部连接部400的突出部420突出到容纳孔110中,并如上所述直接或间接连接到半导体部件300的第一连接部分。
至少一个内部连接部400可在包括垂直方向的成分的方向上延伸,使得天线200在包括垂直方向的成分的方向上远离半导体部件300设置。在这种情况下,天线200不位于相对于半导体部件300的Z方向侧,而是在包括垂直方向的分量的方向上离开半导体部件300设置,或者另选地,设置在垂直方向上距半导体部件300一定距离处。垂直方向是与Z-Z′方向垂直的任何方向,可以是Y-Y′方向、X-X′方向或者Y-Y′和X-X′方向以外的方向。
如果半导体部件300位于第二高度位置处,则至少一个内部连接部400折曲或弯曲,使得天线200位于第一高度位置处并且半导体部件300位于第二高度位置处。
内部连接部400可以是多个内部连接部400。内部连接部400可用于将天线200和半导体部件300电连接。如果设置多个天线200和多个半导体部件300,则各个内部连接部400可将天线200中的一个和半导体部件300中的对应一个电连接,或者超过一个内部连接部400可将天线200和对应半导体部件300电连接。
在图1A至图2B中,天线200和一对内部连接部400由单个金属板构成。内部连接部400的埋入部分410一体地连接到天线200的相应端部。天线200和内部连接部400的埋入部分410被密封在基体100内。内部连接部400的突出部420突出到基体100的容纳孔110中并连接到半导体部件300的相应第一连接部分。内部连接部400在包括Y-Y′方向的成分的方向上(即,在包括的垂直方向的成分的方向上)延伸。内部连接部400折曲以使得天线200位于第一高度位置处并且半导体部件300位于第二高度位置处。
在图1A至图2B中,面向上(如图所示)的半导体部件300连接到内部连接部400。然而,还可将面向下(如图所示)的半导体部件300连接到内部连接部400(以相对于内部连接部400位于Z′方向侧)。这种布置方式也适用于基体100是壳体或没有任何容纳孔110的实心块的情况。在这种情况下,半导体部件300的Z方向侧的端面位于第二高度位置处。
至少一个外部连接部500可以是用于将模块M1连接到外部装置的端子、引脚、引线或线缆。所述或各个外部连接部500由基体100部分地保持。所述或各个外部连接部500包括第一部分510和第二部分520。
第一部分510可直接或者经由导电中间构件间接连接到半导体部件300的第二连接部分。在前一种情况下,第一部分510可具有与半导体部件300的第二连接部分一致的形状。例如,第一部分510可以是接合孔或接合凹陷。中间构件是端子、引脚、引线、线缆、导线等。
第一部分510被设置在基体100内。如果基体100是没有容纳孔110的实心块,则第一部分510被密封在基体100内—换言之,被嵌件成型在基体100内。如果基体100是壳体,则第一部分510被设置在基体100内。如果基体100具有容纳孔110,则第一部分510包括埋入部分和突出部511。第一部分510的埋入部分被密封在基体100内—换言之,被嵌件成型在基体100内。第一部分510的突出部511突出到容纳孔110中,并如上所述地直接或间接连接到半导体部件300的第二连接部分。
第二部分520被设置在基体100外并且可连接到电路板或者电子装置的其它部件。第二部分520可优选从基体100的第二外面102或侧面暴露或突出到基体100之外。
外部连接部500可被设置成多个外部连接部500。外部连接部500可连接到半导体部件300的多个第二连接部分。如果设置多个半导体部件300,则各个外部连接部500的第一部分510可连接到对应半导体部件300的第二连接部分,或者多个外部连接部500的第一部分510可连接到多个半导体部件300的第二连接部分。外部连接部500可包括用于信号传输、用于接地和/或用于电阻器的外部连接部。
在图1A至图2B中,设置多个外部连接部500,外部连接部500的第一部分510的埋入部分被密封在基体100内,并且第一部分510的突出部511在容纳孔110内连接到单个半导体部件300的相应第二连接部分。外部连接部500的第二部分520从基体100的Y′、X-和X′方向侧的侧面突出到基体100之外。外部连接部500中的两个用于信号传输,并且其它外部连接部500用于接地和用于电阻器。
如果基体100是壳体或者具有至少一个容纳孔110的实心块,则模块M1还可包括至少一个岛状物600。至少一个岛状物600由外部连接部500在作为壳体的基体100内或者基体100的容纳孔110中支承在半空中。岛状物600将放置在其上的半导体部件300支承在半空中。半导体部件300可经由岛状物600连接到用于接地的外部连接部500。岛状物600可被省略。
在图1至图2B中,岛状物600由多个外部连接部500在基体100的容纳孔110内支承在半空中。半导体部件300由岛状物600、内部连接部400的突出部420和外部连接部500的突出部511在容纳孔110内支承在半空中。
模块M1还可包括第一导电体S。第一导电体S由金属板、外面覆盖有蒸发金属的塑料材料板等构成。第一导电体S相对于天线200在Z′方向侧设置在基体100内。如果基体100是实心块,则第一导电体S可被保持在基体100中的保持孔中或者密封(嵌件成型)在基体100内,以相对于天线200位于Z′方向侧。图1至图2B示出前一种配置。如果基体100是壳体,则第一导电体S被容纳在基体100中以相对于天线200位于Z′方向侧。当模块M1被安装在电子装置的电路板上时,第一导电体S位于天线200与电子装置的电路板之间。第一导电体S屏蔽从电子装置的电路板泄漏的信号(从第一方向的相对于第一导电体S的另一侧泄漏的信号),从而减小这样泄漏的信号对天线200产生影响的可能性。第一导电体S可被接地。在这种情况下,第一导电体S可连接到用于接地的外部连接部500。第一导电体S可被省略。
现在将详细描述制造模块M1的方法。在这里所讨论的方法中,模块M1具有以下配置。基体100是具有容纳孔110的实心块。天线200和一对内部连接部400由单个金属板构成。另选地,一对内部连接部400由金属板构成,并且内部连接部400的埋入部分直接连接到天线200。
首先,准备天线200和内部连接部400,并且还准备多个外部连接部500和岛状物600。然后,闭合模具(未示出),使得天线200、内部连接部400、外部连接部500的第一部分510和岛状物600被设置在模具的空腔中。闭合模具的步骤包括将天线200设置在空腔中与第一高度位置对应的位置处,将内部连接部400的突出部420和外部连接部500的第一部分510的突出部511设置就位,将外部连接部500的第二部分520容纳在模具的容纳孔中,并使模具的突起与内部连接部400的突出部420、外部连接部500的第一部分510的突出部511和岛状物600邻接。然后,将绝缘树脂注入到空腔中以将天线200、内部连接部400的埋入部分410和外部连接部500的第一部分510的埋入部分嵌件成型在绝缘树脂中。绝缘树脂硬化以形成基体100,并且与模具的突起一致地在基体100中形成容纳孔110。作为这种嵌件成型的结果,天线200、内部连接部400的埋入部分410和第一部分510的埋入部分被密封在基体100中,并且天线200在基体100内设置于第一高度位置处。另外,内部连接部400的突出部420、外部连接部500的第一部分510的突出部511和岛状物600被设置在容纳孔110内,并且外部连接部500的第二部分520突出到基体100之外。然后,打开模具以取出天线200、内部连接部400、外部连接部500、岛状物600和基体100。
然后,准备半导体部件300。半导体部件300被容纳到容纳孔110中并放置到岛状物600上以设置在基体100内的第一或第二高度位置处。然后,通过焊接或其它手段将半导体部件300的第一连接部分连接到内部连接部400的突出部420,并且通过焊接或其它手段将半导体部件300的第二连接部分连接到外部连接部500的第一部分510的突出部511。
在上述制造方法中,岛状物600可被省略。在将半导体部件300容纳在容纳孔110中之后,可执行灌注(potting)工艺以利用绝缘树脂填充容纳孔110。在这种情况下,基体100成为没有容纳孔110的实心块。如果模块M1包括第一导电体S,则优选在容纳半导体部件300的步骤之前或之后将第一导电体S插入到基体100的保持孔中。另选地,闭合模具的步骤可包括相对于天线200在Z′方向侧将第一导电体S设置在空腔内,并且嵌件成型步骤还可包括将第一导电体S嵌件成型在注入到空腔中的绝缘树脂中。如果半导体部件300被设置在第二高度位置处,则要准备的内部连接部400可预先折曲或弯曲,使得天线200和半导体部件300分别位于第一高度位置和第二高度位置处。如此制造模块M1。
上述模块M1具有如下技术特征。首先,出于以下原因,模块M1改进通信精度。天线200在基体100内位于第一高度位置处,并且半导体部件300位于第一或第二高度位置处,以使得天线200位于基体100的第一外面101的通信区域附近。这种布置方式允许天线200在Z-Z′方向上位于距对方通信装置的近距离处,对方通信装置相对于通信区域设置在Z方向侧附近。在第一高度位置处的天线200相对于第二高度位置处的半导体部件300的Z方向侧的端面位于Z方向侧的情况下尤其如此。在这种情况下,与半导体部件300相比,天线200在Z-Z′方向上位于距对方通信装置更短的距离处,从而进一步改进模块M1的通信精度。
其次,出于以下原因,可减小模块M1在Z-Z′方向上的尺寸。如果天线200在垂直方向上与半导体部件300间隔开,则与天线200在Z-Z′方向上与半导体部件300对准的情况相比,模块M1在Z-Z′方向上的尺寸减小。这同样适用于天线200位于第一高度位置并且半导体部件300位于第二高度位置的情况。在这种情况下,当天线200在与Z-Z′方向垂直的方向上与半导体部件300间隔开时,在改进的模块M1通信精度的同时,模块M1在Z-Z′方向上的尺寸减小。
第三,如果基体100是壳体或者包括容纳孔110的实心块,则模块M1提供改进的通用性。这是因为可简单地通过选择适合于模块M1的应用(即,用于接收或发送)、能力(即,通信速度和/或通信范围)等的半导体部件300,将半导体部件300插入在壳体或容纳孔110中,并将半导体部件300电连接到内部连接部400的突出部420和外部连接部500的第一部分510的突出部511来改变模块M1的应用和/或能力。
第四,如果天线200和内部连接部400由单个金属板构成,则出于以下原因,易于分别将天线200和半导体部件300布置在第一高度位置和第二高度位置处。如果基体100是壳体或者没有容纳孔110的实心块,则天线200和半导体部件300的上述布置方式可简单地通过折曲或弯曲内部连接部400的一部分,将这样的内部连接部400连接到半导体部件300,并将天线200、内部连接部400和半导体部件300布置在基体100内来提供。如果基体100是包括容纳孔110的实心块,则天线200和半导体部件300的上述布置方式可简单地通过折曲或弯曲内部连接部400的一部分,将天线200和内部连接部400布置在基体100内,将半导体部件300容纳在基体100的容纳孔110中,将半导体部件300连接到内部连接部400的突出部420来提供。另外在内部连接部400由金属板构成的情况下,模块M1提供与此段落中所描述的那些技术特征基本上相同的技术特征。
第五,如果天线200和内部连接部400由单个金属板构成,则模块M1具有数量减少的部件。
第二实施方式
以下参照图3A描述根据本发明的第二实施方式的非接触通信模块M1′(以下也称为模块M1′)。图3A也按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M1′与模块M1的不同之处在于,模块M1′不包括岛状物600,而是还包括电路板700(第三电路板)。在其它方面,模块M1′具有与模块M1基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M1的差异来描述模块M1′,省略重复的描述。
电路板700是刚性电路板、柔性电路板或刚柔性电路板。至少一个半导体部件300被安装在电路板700的安装面上。电路板700的安装面可以是电路板700的Z方向侧面或Z′方向侧面。电路板700被设置在基体100内,使得至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于基体100内的第一或第二高度位置处。
如果基体100是没有容纳孔110的实心块,则电路板700被密封在基体100内(换言之,被嵌件成型在基体100内),使得至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第一或第二高度位置处。
如果基体100是壳体,则电路板700被容纳在基体100内,使得至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第一或第二高度位置处。在这种情况下,可采用以下配置1)至3)之一。1)电路板700被保持在基体100的底部、壁或其它部分上。2)电路板700由设置在基体100内的支承件支承。3)电路板700由基体100内的内部连接部400和外部连接部500中的至少一方支承。
如果基体100具有容纳孔110,则可采用以下配置1)至3)之一。1)电路板700的一部分(例如,Y、Y′、X和/或X′方向上的端部)被密封在基体100内,而电路板700的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到基体100的外部,使得至少一个半导体部件300位于第一或第二高度位置处。2)电路板700被置于作为有底的孔的容纳孔110的底部,而电路板700的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到基体100的外部,使得至少一个半导体部件300位于第一或第二高度位置处。3)电路板700由内部连接部400和/或外部连接部500在基体100内支承在半空中,而电路板700的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到基体100的外部,使得至少一个半导体部件300位于第一或第二高度位置处。在图3A中,采用配置1)。
至少一个内部连接部400连接到电路板700并经由电路板700连接到半导体部件300的第一连接部分。至少一个外部连接部500的第一部分510连接到电路板700并经由电路板700连接到半导体部件300的第二连接部分。在电路板700的面上或在电路板700内,设置有至少一条第一导电线(未示出)和至少一条第二导电线(未示出)。至少一条第一导电线将内部连接部400和半导体部件300的第一连接部分连接。至少一条第二导电线将外部连接部500的第一部分510和半导体部件300的第二连接部分连接。
如果设置有多个内部连接部400以及具有多个第一连接部分的单个半导体部件300,则设置多条第一导电线,各条第一导电线将内部连接部400中的一个和半导体部件300中的对应一个第一连接部分连接。如果设置有多个内部连接部400和多个半导体部件300,并且如果各个半导体部件300包括单个第一连接部分,则半导体部件300的第一连接部分可通过多条第一导电线分别连接到内部连接部400。如果设置有多个内部连接部400和多个半导体部件300,并且如果各个半导体部件300包括多个第一连接部分,则半导体部件300的第一连接部分也可通过多条第一导电线分别连接到内部连接部400。
如果设置有多个外部连接部500以及具有多个第二连接部分的单个半导体部件300,则设置多条第二导电线,第二导电线中的每一个将外部连接部500的第一部分510中的一个和半导体部件300的对应一个第二连接部分连接。如果设置有多个外部连接部500和多个半导体部件300,并且如果各个半导体部件300包括单个第二连接部分,则半导体部件300的第二连接部分可通过多条第二导电线分别连接到外部连接部500。如果设置有多个外部连接部500和多个半导体部件300,并且如果各个半导体部件300包括多个第二连接部分,则半导体部件300的第二连接部分可通过多条第二导电线分别连接到外部连接部500。
现在将详细描述制造模块M1′的方法。在这里所讨论的方法中,这里所讨论的模块M1′具有以下配置。基体100是具有容纳孔110的实心块。天线200和一对内部连接部400由单个金属板构成。另选地,一对内部连接部400由金属板构成,并且内部连接部400的埋入部分直接连接到天线200。
首先,如上所述地准备天线200和内部连接部400,并且还准备多个外部连接部500和电路板700。内部连接部400和外部连接部500通过焊接或其它手段连接到电路板700。然后,闭合模具(未示出),使得天线200、内部连接部400、外部连接部500的第一部分510和电路板700被设置在模具的空腔中。闭合模具的步骤包括将天线200设置在空腔中与第一高度位置对应的位置处,将外部连接部500的第二部分520容纳在模具的容纳孔中,并使模具的突起与电路板700的安装面的一部分邻接。然后,将绝缘树脂注入到空腔中以将天线200、内部连接部400、电路板700和外部连接部500的第一部分510嵌件成型在绝缘树脂中。绝缘树脂硬化以形成基体100,并且与模具的突起一致地在基体100中形成容纳孔110。作为这种嵌件成型的结果,天线200、内部连接部400、电路板700和外部连接部500的第一部分510被密封在基体100中,并且天线200在基体100内设置于第一高度位置处。电路板700的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到外部,并且外部连接部500的第二部分520突出到基体100之外。然后,打开模具以取出天线200、内部连接部400、外部连接部500、电路板700和基体100。
然后,准备半导体部件300。半导体部件300被容纳到容纳孔110中并安装到电路板700上。因此,半导体部件300被设置在基体100内的第一或第二高度位置处,半导体部件300的第一连接部分经由电路板700连接到内部连接部400,并且半导体部件300的第二连接部分经由电路板700连接到外部连接部500的第一部分510。然后,可按照与用于制造模块M1的方法相似的方式执行灌注工艺以利用绝缘树脂填充容纳孔110。如果至少一个半导体部件300设置在第二高度位置处,则要准备的内部连接部400可预先折曲或弯曲,使得天线200和半导体部件300分别位于第一高度位置和第二高度位置处。如此制造模块M1′。
上述模块M1′具有模块M1的第一至第五技术特征。
第三实施方式
以下参照图3B描述根据本发明的第三实施方式的非接触通信模块M1″(以下也称为模块M1″)。图3B按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M1″与模块M1′的不同之处在于,模块M1″包括电路板700′(第三电路板),代替外部连接部500和电路板700。在其它方面模块M1″具有与模块M1′基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M1′的差异来描述模块M1″,省略重复的描述
除了电路板700′在Y′方向侧的端部突出到基体100之外以外,电路板700′具有与电路板700基本上相同的配置。电路板700′包括外部连接部710′。外部连接部710′包括第一部分711′和第二部分712′。第一部分711′是电路板700′的位于基体100内的部分。第二部分712′是电路板700′的突出到基体100之外的端部。在电路板700′的面上或电路板700′内,设置有至少一条第一导电线(未示出)。电路板700′的至少一条第一导电线具有与电路板700的第一导电线基本上相同的配置。在外部连接部710′的面上或外部连接部710′内,还设置有至少一条第二导电线(未示出)。除了以下差异以外,外部连接部710′的至少一条第二导电线具有与电路板700的第二导电线基本上相同的配置。外部连接部710′的至少一条第二导电线连接到半导体部件300的第二连接部分并且包括位于基体100外部的端部。至少一条第二导电线的该端部被设置在第二部分712′上或内。第二部分712′可直接或经由线缆或其它手段等间接连接到电子装置的电路板。在后一种情况下,基体100的第一外面101可利用粘接剂或其它手段固定到电子装置的外壳。
现在将详细描述制造模块M1″的方法。按照与用于制造模块M1′的方法相似的方式准备天线200和一对内部连接部400。还准备电路板700′。内部连接部400通过焊接或其它手段连接到电路板700′。然后,闭合模具(未示出),使得天线200、内部连接部400以及除了第二部分712′之外的电路板700′被设置在模具的空腔中。闭合模具的步骤包括将天线200设置在空腔中与第一高度位置对应的位置处,将电路板700′的第二部分712′容纳在模具的容纳孔中,并使模具的突起与电路板700′的安装面的一部分邻接。然后,将绝缘树脂注入到空腔中以将天线200、内部连接部400以及除了第二部分712′之外的电路板700′嵌件成型在绝缘树脂中。绝缘树脂硬化以形成基体100,并且与模具的突起一致地在基体100中形成容纳孔110。作为这种嵌件成型的结果,天线200、内部连接部400以及除了第二部分712′之外的电路板700′被密封在基体100内,并且天线200在基体100内设置于第一高度位置处。电路板700的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到外部,并且电路板700′的第二部分712′突出到基体100之外。然后,打开模具以取出天线200、内部连接部400、电路板700′和基体100。
在制造模块M1″的方法中,安装半导体部件300的步骤可优选包括将半导体部件300安装在电路板700′上,而非将其安装在电路板700上。另选地,与制造模块M1的方法类似,制造模块M1″的方法可包括以下步骤1)和/或2):1)可执行灌注工艺以利用绝缘树脂填充容纳孔110。2)如果模块M1″包括第一导电体S,则第一导电体S可由基体100保持。如此制造模块M1″。
上述模块M1″具有模块M1的第一至第五技术特征。另外,由于电路板700′包括外部连接部710′,所以模块M1″具有数量进一步减少的部件。
第四实施方式
以下参照图4描述根据本发明的第四实施方式的非接触通信模块M2(以下也称为模块M2)。图4也按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M2与模块M1的不同之处在于,模块M2不包括岛状物600,而是包括电路板800(第一电路板),代替内部连接部400。在其它方面,模块M2具有与模块M1基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M1的差异来描述模块M2,省略重复的描述。
电路板800是柔性电路板或刚柔性电路板。电路板800包括内部连接部810。内部连接部810包括第一部分811、第二部分812和中间部分813。至少一个天线200设置在第一部分811上。天线200由金属板、线圈、导电体等构成。第二部分812电连接到半导体部件300。具体地,半导体部件300被安装在第二部分812上。第二部分812的安装面可以是第二部分812的Z方向侧面或Z′方向侧面。在内部连接部810上或内,设置有至少一条第一导电线(未示出)。除了内部连接部810的至少一条第一导电线将天线200和半导体部件300的第一连接部分连接起来以外,内部连接部810的至少一条第一导电线具有与电路板700的第一导电线基本上相同的配置。
电路板800的第二部分812连接到至少一个外部连接部500的第一部分510。即,至少一个外部连接部500经由电路板800连接到半导体部件300的第二连接部分。在电路板800的面上或电路板800内,设置有至少一条第二导电线(未示出)。电路板800的至少一条第二导电线具有与电路板700的第二导电线基本上相同的配置。中间部分813弯曲以使得至少一个天线200位于第一高度位置处并且至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第二高度位置处。
如果基体100是没有容纳孔110的实心块,则电路板800被密封在基体100内(换言之,被嵌件成型在基体100内),使得至少一个天线200位于第一高度位置处并且至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第二高度位置处。
如果基体100是壳体,则电路板800被容纳在基体100内,使得至少一个天线200位于第一高度位置处并且使得至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第二高度位置处。在这种情况下,可采用以下配置1)至3)之一。1)电路板800的第一部分811被保持在基体100的壁或其它部分上,并且电路板800的第二部分812被保持在基体100的底部、壁或其它部分上。2)电路板800的第一部分811由第一支承件支承在基体100内,并且电路板800的第二部分812由第二支承件支承在基体100内。3)电路板800的第一部分811被保持在基体100的壁、第一支承件或其它部分上,并且电路板800的第二部分812由至少一个外部连接部500支承在基体100内。
如果基体100具有容纳孔110,则电路板800被密封在基体100内(换言之,被嵌件成型在基体100内),使得至少一个天线200位于第一高度位置处并且至少一个半导体部件300在Z′方向侧的端面位于第二高度位置处。在这种情况下,可采用以下配置1)至3)之一。1)电路板800的第二部分812的安装面的一部分构成容纳孔110的底部。2)电路板800的第二部分812被置于作为有底的孔的容纳孔110的底部上,并且第二部分812的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到基体100外部。3)电路板800的第二部分812由至少一个外部连接部500在容纳孔110内支承在半空中,并且第二部分812的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到基体100外部。在图4中,采用配置1)。
现在将详细描述制造模块M2的方法。在这里所讨论的方法中,基体100是具有容纳孔110的实心块。首先,准备电路板800,在电路板800的第一部分811上设置天线200。还准备多个外部连接部500。外部连接部500通过焊接或其它手段连接到电路板800的第二部分812。
然后,闭合模具(未示出),使得天线200、电路板800和外部连接部500的第一部分510被设置在模具的空腔中。闭合模具的步骤包括将天线200设置在空腔中与第一高度位置对应的位置处,将外部连接部500的第二部分520容纳在模具的容纳孔中,并使模具的突起与电路板800的第二部分812的安装面的一部分邻接。然后,将绝缘树脂注入到空腔中以将天线200、电路板800和外部连接部500的第一部分510嵌件成型在绝缘树脂中。绝缘树脂硬化以形成基体100,并且与模具的突起一致地在基体100中形成容纳孔110。作为这种嵌件成型的结果,天线200、电路板800和外部连接部500的第一部分510被密封在基体100中,并且天线200在基体100内设置于第一高度位置处。电路板800的第二部分812的安装面的一部分通过容纳孔110暴露到外部,并且外部连接部500的第二部分520突出到基体100之外。然后,打开模具以取出天线200、电路板800、外部连接部500和基体100。
然后,准备半导体部件300。半导体部件300被容纳在容纳孔110中并安装在电路板800的第二部分812上。因此,半导体部件300被设置在基体100内的第二高度位置处,半导体部件300的第一连接部分连接到电路板800的内部连接部810的第一导电线,并且半导体部件300的第二连接部分通过电路板800的第二导电线连接到外部连接部500的第一部分510。然后,可执行灌注工艺以利用绝缘树脂填充容纳孔110。如果模块M2包括第一导电体S,则与制造模块M1的方法类似,第一导电体S可由基体100保持。如此制造模块M2。
上述模块M2具有模块M1的第一至第四技术特征。
第五实施方式
以下参照图5A描述根据本发明的第五实施方式的非接触通信模块M3(以下也称为模块M3)。图5A也按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M3与模块M1的不同之处在于,模块M3包括至少一个天线200′和至少一个内部连接部400′,代替至少一个天线200和至少一个内部连接部400。在其它方面,模块M3具有与模块M1基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M1的差异来描述模块M3,省略重复的描述。
至少一个天线200′和至少一个内部连接部400′由单个金属板(例如,引线框)构成。在图5A中,一对内部连接部400′(仅示出其中的一个)一体地连接到天线200′的相应端部。
按照与模块M1的天线200和内部连接部400相似的方式,至少一个天线200′和至少一个内部连接部400′被设置在基体100内。至少一个天线200′位于第一高度位置处。至少一个内部连接部400′在Y-Y′方向上延伸,并且因此,天线200在Y-Y′方向(与Z-Z′方向垂直的方向)上远离半导体部件300设置。
至少一个半导体部件300位于基体100内的第二高度位置处,相对于内部连接部400′在Z′方向侧。在这种情况下,半导体部件300在Z方向侧的端面位于第二高度位置处。半导体部件300的第一连接部分直接或经由中间构件间接连接到内部连接部400′。所述或各个中间构件是引线、线缆、导线等。
如果基体100具有容纳孔110,则容纳孔110可以是在第二外面102中、在Z′方向中开口的有底的孔。另选地,容纳孔110可以是从第一外面101延伸到第二外面102并在Z和Z′方向上开口的通孔。在任一种情况下,至少一个半导体部件300在容纳孔110内相对于至少一个内部连接部400′位于Z′方向侧,并直接或经由中间构件间接连接到至少一个内部连接部400′的突出部420′。在这种情况下,所述或各个内部连接部400′包括埋入部分410′和突出部420′。所述或各个埋入部分410′被密封在基体100内。所述或各个突出部420′突出到容纳孔110中并如上所述地连接到半导体部件300的第一连接部分。
模块M3还可包括岛状物600和/或第一导电体S。按照与模块M1相似的方式制造模块M3。模块M3具有模块M1的第一至第五技术特征。
第六实施方式
以下参照图5B描述根据本发明的第六实施方式的非接触通信模块M3′(以下也称为模块M3′)。图5B也按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M3′与模块M3的不同之处在于,模块M3′不包括岛状物600,但是还包括电路板700(第三电路板)。在其它方面,模块M3′具有与模块M3基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M3的差异来描述模块M3′,省略重复的描述。
模块M3′的电路板700具有与模块M1′的电路板700基本上相同的配置。模块M3′的电路板700的安装面是电路板700的Z′方向侧面。至少一个半导体部件300被安装在电路板700的安装面上。内部连接部400′连接到电路板700的Z方向侧面(与安装面相反的面),并经由电路板700连接到半导体部件300的第一连接部分。因此,半导体部件300相对于内部连接部400′在Z′方向侧经由电路板700连接到内部连接部400′,以位于基体100的第二高度位置处。
模块M3′还可包括第一导电体S。模块M3′按照与模块M1′基本上相同的方式制造。模块M3′具有模块M1的第一至第五技术特征。
第七实施方式
以下参照图5C描述根据本发明的第七实施方式的非接触通信模块M3″(以下也称为模块M3″)。图5C也按照与图1D中相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M3″与模块M3′的不同之处在于,模块M3″包括电路板700′(第三电路板),代替外部连接部500和电路板700。在其它方面,模块M3″具有与模块M3′基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M3′的差异来描述模块M3″,省略重复的描述。
模块M3″的电路板700′具有与模块M1″的电路板700′基本上相同的配置。电路板700′包括外部连接部710′。外部连接部710′包括第一部分711′和第二部分712′。如果第二部分712′经由线缆或其它手段间接连接到电子装置的电路板,则基体100的第一外面101可利用粘接剂或其它手段固定到电子装置的外壳。模块M3″的电路板700′的安装面是电路板700′的Z′方向侧面。至少一个半导体部件300被安装在电路板700′的安装面上。至少一个内部连接部400′连接到电路板700′的Z方向侧面(与安装面相反的面),并经由电路板700′连接到半导体部件300的第一连接部分。因此,半导体部件300相对于内部连接部400′在Z′方向侧经由电路板700连接到内部连接部400′,以位于基体100的第二高度位置处。
模块M3″还可包括第一导电体S。模块M3″按照与模块M1″基本上相同的方式制造。模块M3″具有模块M1的第一至第五技术特征。另外,由于电路板700′包括外部连接部710′,所以模块M3″具有数量进一步减少的部件。
第八实施方式
以下参照图6A描述根据本发明的第八实施方式的非接触通信模块M4(以下也称为模块M4)。图6A还如图1D中所示指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M4与模块M2的不同之处在于,模块M4包括电路板800″(第二电路板),代替电路板800。在其它方面,模块M4具有与模块M2基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M2的差异来描述模块M4,省略重复的描述。
模块M4的电路板800″具有刚性电路板、柔性电路板或刚柔性电路板。除了电路板800″在Y-Y′方向上延伸以外,模块M4的电路板800″具有与模块M2的电路板800基本上相同的配置。电路板800″按照与模块M2的电路板800基本上相同的方式设置在基体100内。电路板800″包括内部连接部810″。内部连接部810″包括第一部分811″和第二部分812″。第一部分811″具有设置有至少一个天线200的Z方向侧面811a″(权利要求中的第一面)。至少一个天线200在基体100内位于第一高度位置处。
电路板800″的安装面812a″(权利要求中的第二面)是电路板800″的内部连接部810″的第二部分812″的Z′方向侧面。至少一个半导体部件300被安装在内部连接部810″的第二部分812″的安装面812a″上。另选地,至少一个半导体部件300可相对于内部连接部810″的第二部分812″的安装面812a″设置在Z′方向侧,并经由中间构件间接连接到电路板800″。所述或各个中间构件是端子、引脚、引线、线缆、导线等。因此,至少一个半导体部件300相对于内部连接部810″在Z′方向侧连接到内部连接部810″,以位于基体100内的第二高度位置处。在这种情况下,至少一个半导体部件300在Z方向侧的端面位于第二高度位置处。
如上所述,由于电路板800″在Y-Y′方向上延伸,所以天线200在Y-Y′方向(与Z-Z′方向垂直的方向)上远离半导体部件300设置。模块M4的至少一个外部连接部500具有与模块M2的外部连接部500基本上相同的配置。
如果基体100具有容纳孔110,则容纳孔110可以是在第二外面102中、在Z′方向上开口的有底的孔,或者另选地,可以是从第一外面101延伸到第二外面102并在Z-Z′方向上开口的通孔。在任一种情况下,至少一个半导体部件300在容纳孔110内相对于内部连接部810″的第二部分812″在Z′方向侧连接到第二部分812″。
模块M4还可包括第一导电体S。模块M4按照与模块M2基本上相同的方式制造。模块M4具有与模块M2基本上相同的技术特征。
第九实施方式
以下参照图6B描述根据本发明的第九实施方式的非接触通信模块M4′(以下也称为模块M4′)。图6B也按照与图1D相似的方式指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M4′与模块M4的不同之处在于,模块M4′包括电路板800″′(第二电路板),代替外部连接部500和电路板800″。在其它方面,模块M4′具有与模块M4基本上相同的配置。现在将聚焦于与模块M4的差异来描述模块M4′,省略重复的描述。
模块M4′的电路板800″′是刚性电路板、柔性电路板或刚柔性电路板。除了电路板800″′在Y-Y′方向上延伸以外,模块M4′的电路板800″′具有与模块M2″′的电路板800′基本上相同的配置。电路板800″′包括内部连接部810″′和外部连接部820″′。在电路板800″′中,内部连接部810″′以及除了第二部分822′之外的外部连接部820″′被设置在基体100内。内部连接部810″′包括第一部分811″′和第二部分812″′。至少一个天线200被设置在第一部分811″′的Z方向侧面811a″′(权利要求中的第一面)上。至少一个天线200在基体100内位于第一高度位置处。
电路板800″′的安装面812a″′(权利要求的第二面)是电路板800″′的内部连接部810″′的第二部分812″′的Z′方向侧面。至少一个半导体部件300被安装在内部连接部810″′的第二部分812″′的安装面812a″′上。另选地,至少一个半导体部件300可相对于内部连接部810″′的第二部分812″′的安装面812a″′设置在Z′方向侧,并经由中间构件间接连接到电路板800″′。所述或各个中间构件是端子、引脚、引线、线缆、导线等。因此,至少一个半导体部件300相对于内部连接部810″′在Z′方向侧连接到内部连接部810″,以位于基体100内的第二高度位置处。
当电路板800″′如上所述在Y-Y′方向上延伸时,天线200在Y-Y′方向(与Z-Z′方向垂直的方向)上远离半导体部件300设置。
模块M4′的电路板800″′的外部连接部820″′具有与模块M2″′的电路板800′的外部连接部820′基本上相同的配置。外部连接部820″′包括第一部分821″′和第二部分822″′。第一部分821″′是外部连接部820″′的位于基体100内的部分。第二部分822″′是外部连接部820′的突出到基体100之外的部分。
如果基体100具有容纳孔110,则容纳孔110可以是在第二外面102中、在Z′方向上开口的有底的孔。另选地,容纳孔110可以是从第一外面101延伸到第二外面102并在Z-Z′方向上开口的通孔。在任一情况下,至少一个半导体部件300在容纳孔110中相对于内部连接部810″′的第二部分812″′在Z′方向侧连接到第二部分812″′。
模块M4′还可包括第一导电体S。模块M4′按照与模块M2″′基本上相同的方式制造。模块M4′具有与模块M2″′相似的技术特征。
第十实施方式
以下参照图7A至图9B描述根据本发明的第十实施方式的非接触通信模块M5(以下也称为模块M5)。图7A至图8A也按照与图1A相似的方式指示Z-Z′、Y-Y′和X-X′方向。图8B至图9B指示Z-Z′和Y-Y′方向。
模块M5包括基体100′、至少一个天线200″、至少一个半导体部件300、至少一个内部连接部900和至少一个外部连接部1000。
基体100′是绝缘树脂的实心块。基体100′包括第一外面101′。第一外面101′是基体100′的Z方向侧面的整个区域或部分区域(以下称为第一区域)(参见图7A至图8B),并且在Z-Z′方向上位于第一高度位置处。第一外面101′包括通信区域。对方通信装置可近距离地设置在基体100′的通信区域的Z方向侧。
基体100′还可包括第二外面102′。第二外面102′可以是位于基体100′的第二高度位置处的任何外面。第二高度位置相对于第一高度位置位于Z′方向侧。
第二外面102′可用作与基体100′的Z方向侧面的第一区域不同的第二区域。在这种情况下,基体100′可优选还包括厚部分110′和薄部分120′。厚部分110′可被设置在基体100′的任何位置处。例如,厚部分110′可如图7A至图8B所示是基体100′在Y方向侧的端部,或者另选地,厚部分110′可以是基体100′在Y-Y′方向上的中间部分。厚部分110′的Z方向侧面可用作第一外面101′。厚部分110′在Z-Z′方向上的尺寸使得第一外面101′在Z-Z′方向上位于第一高度位置处。薄部分120′可被设置在与基体100′的厚部分110′不同的任何部分处。薄部分120′的Z方向侧面可用作第二外面102′。薄部分120′在Z-Z′方向上的尺寸小于厚部分110′,使得第二外面102′在Z-Z′方向上位于第二高度位置处。
薄部分120′可被设置在基体100′上以位于厚部分110′旁边。例如,如果厚部分110′是基体100′在Y方向侧的端部,则薄部分120′可如图7A至图8B所示是基体100′在Y′方向侧的端部,或者可以是基体100′在Y-Y′方向上的中间部分。如果厚部分110′是基体100′的中间部分,则薄部分120′可以是基体100′在Y或Y′方向侧的端部。
基体100′还可包括第三外面103′。第三外面103′可用作与基体100′的Z方向侧面的第一区域和第二区域不同的第三区域。第三外面103′从第一外面101′倾斜地或垂直地延伸到第二外面102′。第三外面103′可以是平坦面、弧形面或具有凸起和凹陷的面。在图7A至图8B中,第三外面103′是从第一外面101′倾斜地延伸到第二外面102′的平坦面。
基体100′还可包括第四外面104′。第四外面104′可至少为基体100′的Z′方向侧面(背面)的部分区域。第四外面104′可以是(但不限于)例如可安装在电子装置(未示出)的电路板或其它部分上的安装面或者可固定到电子装置的框架或其它部分的固定面。基体100′还可包括至少一个第五外面105′。所述或各个第五外面105′可优选是基体100′的从第一外面101′和第二外面102′中的至少一个延伸到第四外面104′的侧面。第五外面105′可以是平坦面、弧形面或者具有凸起和凹陷的面。在图7A至图8B中,设置从第二外面102′延伸到第四外面104′的多个弧形的第五外面105′。
在另一方面的基体100′中,如图9A和图9B所示,第二外面102′可至少是基体100′的Z′方向侧面(背面)的部分区域。在这种情况下,第二外面102′可以是(但不限于)例如可安装在电子装置(未示出)的电路板或其它部分上的安装面或者可固定到电子装置的框架或其它部分的固定面。在这种情况下,第三外面103′可优选是例如基体100′的侧面或者基体100′中具有孔或切口(未示出)的壁,并且可从第一外面101′延伸到第二外面102′。第三外面103′也可以是平坦面、弧形面或者具有凸起和凹陷的面。这方面的基体100′也可包括厚部分和薄部分。
可省略上述第二外面102′、第三外面103′、第四外面104′、第五外面105′、厚部分110′和/或薄部分120′。
至少一个天线200″设置在基体100′的第一外面101′上以能够与对方通信装置执行非接触通信,并且位于第一高度位置处。天线200″可适于通过与用于模块M1的天线200的方案基本上相同的通信方案与对方通信装置通信。
至少一个天线200″可由金属板、线圈、导电体等构成。
另选地,至少一个天线200″可以是形成在上述任何方面的基体100′的第一外面101′上的金属膜。这种天线200″可通过利用诸如喷墨打印机的打印机绘制而形成在第一外面101′上。另选地,这种天线200″可通过溅射、无电镀或蒸发来形成在第一外面101′上,然后通过激光或化学蚀刻去除金属膜的不必要的部分(天线200″以外的部分)。
另选地,至少一个天线200″可以是形成在上述任何方面的基体100′的第一外面101′上的第一镀覆催化剂130′上的镀膜(金属膜)。第一镀覆催化剂130′按照与天线200″一致的形状形成在基体100′的第一外面101′上。在这种情况下,金属络合物M如图8B所示分散在基体100′中。通过激光使第一外面101′上的金属络合物M的部分(即,与天线200″的形状对应的金属络合物M)活化。活化的金属络合物M用作第一镀覆催化剂130′。在第一镀覆催化剂130′的顶部,通过无电镀形成天线200″。为了例示方便,在图8B中夸大了金属络合物M的尺寸。图9A和图9B中未示出金属络合物。另外,第一镀覆催化剂130′和天线200″可通过模塑互连器件(MID:Molded Interconnect Device)的已知方法形成。
可根据所采用的通信方案适当地修改天线200″的形状。在图7A至图8B中,天线200″具有环形形状。可设置多个天线200″。在这种情况下,所有天线200″可以是接收天线或发送天线,或者另选地,天线200″中的至少一个天线可以是接收天线,而其余天线是发送天线。
至少一个半导体部件300可具有与第一实施方式的半导体部件300基本上相同的配置。半导体部件300被安装在上述任何方面的基体100′的第一外面101′或第二外面102′上。例如,如果至少一个半导体部件300被安装在第二外面102′上,则第一外面101′上的天线200″可相对于第二外面102′上的半导体部件300在Z方向侧的端面位于Z方向侧。在这种情况下,第一外面101′可优选地相对于第二外面102′上的半导体部件300在Z方向侧的端面位于Z方向侧。
至少一个内部连接部900可具有适于将天线200″电连接到半导体部件300的任何配置。
至少一个内部连接部900可由端子、引脚、引线、线缆等构成。在这种情况下,至少一个内部连接部900可设置在上述任何方面的基体100′上、基体100′内或基体100′外。
另选地,至少一个内部连接部900可以是形成在上述任何方面的基体100′上的金属膜。在这种情况下,至少一个内部连接部900可在下述情况A)至C)下如下所述配置。
A)天线200″和半导体部件300被设置在基体100′的第一外面101′上(参见图9A)。B)天线200″被设置在基体100′的第一外面101′上,并且半导体部件300被设置在作为基体100′的Z方向侧面的第二区域的第二外面102′上(图7A至图8B)。C)天线200″被设置在基体100′的第一外面101′上,并且半导体部件300被设置在至少为基体100′的Z′方向侧面的部分区域的第二外面102′上(参见图9B)。
在情况A)下,内部连接部900可优选形成在第一外面101′上。在情况B)或C)下,采用以下配置a)或b)之一。a)内部连接部900形成在第二外面102′和第三外面103′上。b)内部连接部900形成在第一外面101′、第二外面102′和第三外面103′上。
作为金属膜的内部连接部900通过用于作为金属膜的天线200″的相同方法形成在基体100′的一个或更多个外面上。如果是金属膜,则内部连接部900可与天线200″连续,或者如果由金属膜以外的材料制成,则可连接到天线200″。在前一种情况下,天线200″和至少一个内部连接部900由单个金属膜构成。
另选地,至少一个内部连接部900可以是形成在基体100′的外面的第二镀覆催化剂140′上的镀膜(金属膜)。至少一个内部连接部900和第二镀覆催化剂140′可在下述情况A)至C)下如下配置。
在情况A)下,第二镀覆催化剂140′按照与内部连接部900一致的形状形成在第一外面101′上,并且内部连接部900形成在第一外面101″上的第二镀覆催化剂140′上。在情况B)或C)下,采用以下配置c)或d)之一。c)第二镀覆催化剂140′根据内部连接部900的形状形成在第二外面102′和第三外面103′上,并且内部连接部900形成在第二外面102′和第三外面103′的第二镀覆催化剂140′上。d)第二镀覆催化剂140′根据内部连接部900的形状形成在第一外面101′、第二外面102′和第三外面103′上,并且内部连接部900形成在第一外面101′、第二外面102′和第三外面103′的第二镀覆催化剂140′上。在任何情况下,优选的是第二镀覆催化剂140′与第一镀覆催化剂130′连续,并且内部连接部900与天线200″连续。换言之,优选的是第一镀覆催化剂130′和第二镀覆催化剂140′形成为镀覆催化剂的一个集合,并且天线200″和内部连接部900由一个镀膜形成。如果由镀膜以外的材料制成,作为镀膜的内部连接部900可连接到天线200″。第二镀覆催化剂140′通过与第一镀覆催化剂130′相同的方法形成在基体100′的一个或更多个外面上,并且作为镀膜的内部连接部900通过与作为镀膜的天线200″相同的方法形成在第二镀覆催化剂140′上。
上述任何方面的内部连接部900包括第一部分和第二部分。内部连接部900的第一部分连接到天线200″或与天线200″连续。内部连接部900的第二部分连接到半导体部件300的第一连接部分。可选地,上述任何方面的内部连接部900可布线至基体100′的外面,只要第一部分连接到天线200″或与天线200″连续,同时第二部分连接到半导体部件300的第一连接部分。可选地,第二镀覆催化剂140′可根据内部连接部900的形状形成在基体100′的外面上。
上述任何方面的内部连接部900可在包括垂直方向的成分的方向上延伸,使得天线200″在包括垂直方向的成分的方向上远离半导体部件300设置。在这种情况下,天线200″没有相对于半导体部件300设置在Z方向侧,而是在包括垂直方向的成分的方向上远离半导体部件300设置,或者设置在垂直方向上距半导体部件300一定距离处。垂直方向可以是与Z-Z′方向垂直的任何方向,可以是Y-Y′方向、X-X′方向或者Y-Y′和X-X′方向以外的方向。
上述任何方面的内部连接部900可与内部连接部400类似地被设置成多个内部连接部900。第二镀覆催化剂140′可根据内部连接部900的数量被设置成第二镀覆催化剂140′的多个集合。在图7A至图8B中,一对内部连接部900被设置成形成为分别与环形天线200″的第一端和第二端连续的镀膜。另外,第二镀覆催化剂140′被设置成两个集合,所述集合分别与第一镀覆催化剂130′的集合的第一端和第二端连续。简言之,一对内部连接部900将单个环形天线200″和单个半导体部件300连接起来。
至少一个外部连接部1000仅需要连接到半导体部件300并且可连接到外部装置。至少一个外部连接部1000包括第一部分1100和第二部分1200。第一部分1100连接到半导体部件300的第二连接部分。第二部分1200可连接到位于基体100′外部的电子装置的电路板或其它部分。
至少一个外部连接部1000可由端子、引脚、引线、线缆、导线等构成。在这种情况下,所述或各个外部连接部1000可被设置在上述任何方面的基体100′上、基体100′内或基体100′外。
另选地,至少一个外部连接部1000可以是金属膜。在这种情况下,至少一个外部连接部1000可在上述情况A)至C)下具有以下任何配置。
在情况A)下,采用以下配置e)或f)之一。e)外部连接部1000可优选形成在第一外面101′上。在这种情况下,第一部分1100位于第一外面101′上。第二部分1200位于第一外面101′上并暴露到基体100′的外部。f)如图9A所示,外部连接部1000可优选形成在第一外面101′(基体100′的正面)、第二外面102′(基体100′的背面)和第三外面103″(基体100′的侧面)上。在这种情况下,第一部分1100位于第一外面101′上。第二部分1200位于第二外面102′上并暴露到基体100′的外部。
在情况B)下,采用以下配置g)或h)之一。g)外部连接部1000可优选形成在第二外面102′上。在这种情况下,第一部分1100位于第二外面102′上。第二部分1200位于第二外面102′上并暴露到基体100′的外部。h)如图7A至图8A所示,外部连接部1000可优选形成在第二外面102′(基体100′的正面的一部分)、第四外面104′(基体100′的背面)和第五外面105′(基体100′的侧面)上。在这种情况下,第一部分1100位于第二外面102′上。第二部分1200位于第四外面104′上并暴露到基体100′外部。
在情况C)下,外部连接部1000可优选形成在第二外面102′上。在这种情况下,第一部分1100位于第二外面102′上。第二部分1200位于第二外面102′上并暴露到基体100′外部。
如果是金属膜,则上述外部连接部1000通过与天线200″相同的方法形成在基体100′的一个或更多个外面上。
另选地,至少一个外部连接部1000可被设置成形成在基体100′的外面的第三镀覆催化剂150′上的镀膜(金属膜)。至少一个外部连接部1000和第三镀覆催化剂150′可在上述情况A)至C)下如下配置。
在情况A)下,采用以下配置i)或j)之一。i)第三镀覆催化剂150′根据外部连接部1000的形状形成在第一外面101′上。除了外部连接部1000形成在第一外面101′的第三镀覆催化剂150′上之外,外部连接部1000具有与e)相同的配置。j)第三镀覆催化剂150′根据外部连接部1000的形状形成在第一外面101′(基体100′的正面)、第二外面102′(基体100′的背面)和第三外面103′(基体100′的侧面)上。除了外部连接部1000形成在第一外面101′、第二外面102′和第三外面103′的第三镀覆催化剂150′上之外,外部连接部1000具有与f)相同的配置。
在情况B)下,采用以下配置k)或l)之一。k)第三镀覆催化剂150′根据外部连接部1000的形状形成在第二外面102′上。除了外部连接部1000形成在第二外面102′的第三镀覆催化剂150′上之外,外部连接部1000具有与g)相同的配置。l)如图7A至图8A所示,第三镀覆催化剂150′根据外部连接部1000的形状形成在第二外面102′(基体100′的正面的一部分)、第四外面104′(基体100′的背面)和第五外面105′(基体100′的侧面)上。除了外部连接部1000形成在第二外面102′、第四外面104′和第五外面105′的第三镀覆催化剂150′上之外,外部连接部1000具有与h)相同的配置。
在情况C)下,第三镀覆催化剂150′根据外部连接部1000的形状形成在第二外面102′上。在情况C)下,除了外部连接部1000形成在第二外面102′的第三镀覆催化剂150′上之外,外部连接部1000可与作为金属膜的外部连接部1000类似地配置。
上述任何方面的第三镀覆催化剂150′通过与第一镀覆催化剂130′相同的方法形成在基体100′的一个或更多个外面上。然后,作为镀膜的外部连接部1000通过与作为镀膜的天线200″相同的方法形成在第三镀覆催化剂150′上。
可选地,根据上述任何方面的外部连接部1000可在基体100′的外面上布线,只要第一部分1100连接到半导体部件300的第二连接部分并且第二部分1200可连接到外部装置即可。第二部分1200可设置在基体100′的侧面上。可选地,第三镀覆催化剂150′可根据外部连接部1000的形状形成在基体100′的外面上。
上述任何方面的外部连接部1000可与外部连接部500类似被设置成多个外部连接部1000。外部连接部1000可包括用于信号传输、用于接地和/或用于电阻器的外部连接部。第三镀覆催化剂150′可根据外部连接部1000的数量被设置成第三镀覆催化剂150′的多个集合。
在图7A至图7B中,多个外部连接部1000形成在基体100′的第二外面102′、第四外面104′和第五外面105′上。外部连接部1000的第一部分1100位于第二外面102′上,并连接到单个半导体部件300的相应第二连接部分。外部连接部1000的第二部分1200位于第四外面104′上并暴露到基体100′外部。
上述任何方面的基体100′还可包括至少一个第二保护部160′。至少一个第二保护部160′是从上述任何方面的基体100′的第二外面102′在Z-Z′方向上延伸的壁,并且围绕第二外面102′上的半导体部件300设置。所述或各个第二保护部160′的Z-Z′方向尺寸可优选大于第二外面102′上的半导体部件300的尺寸。然而,所述或各个第二保护部160′的Z-Z′方向尺寸可基本上等于或小于第二外面102′上的半导体部件300。所述或各个第二保护部160′保护半导体部件300。在图7A至图8A中,设置从第二外面102′在Z-Z′方向上延伸的两个第二保护部160′。在图9A至图9B中,第二保护部160′未示出。第二保护部160′可被省略。
如果基体100′的Z方向侧面包括第一外面101′、第二外面102′和第三外面103′,则基体100′还可包括至少一个第三保护部170′。至少一个第三保护部170′是沿着基体100′的第二外面102′从第三外面103′延伸的壁,并且围绕第二外面102′上的半导体部件300设置。所述或各个第三保护部170′可与第二外面102′成一体,或者延伸以与第二外面102′接触,或者在Z-Z′方向上与第二外面102′间隔开设置。所述或各个第三保护部170′在Z方向侧的端面的高度位置可优选相对于第二外面102′上的半导体部件300在Z方向侧的端面的高度位置位于Z方向侧。另选地,所述或各个第三保护部170′在Z方向侧的端面的高度位置可位于与第二外面102′上的半导体部件300在Z方向侧的端面相同的高度位置,或者相对于第二外面102′上的半导体部件300在Z方向侧的端面位于Z′方向侧。所述或各个第三保护部170′保护半导体部件300。在图7A至图8A中,设置从第三外面103′沿着第二外面102′延伸的两个第三保护部170′。第三保护部170′可被省略。
模块M5还可包括至少一个岛状物600′。至少一个岛状物600′可优选设置在上述任何方面的基体100′的第一外面101′或第二外面102′上。与天线200″类似,至少一个岛状物600′可由金属板或金属膜(包括镀膜)构成。半导体部件300安装在岛状物600′上。岛状物600′可被省略。
与模块M1类似,模块M5还可包括第一导电体S。
上述模块M5具有以下技术特征。首先,模块M5具有与模块M1的第一和第二技术特征相同的特征。
第二,模块M5提供改进的通用性。这是因为可简单地通过选择适合于模块M5的应用(即,用于接收或发送)、能力(即,通信速度和/或通信范围)等的半导体部件300,将半导体部件300安装在基体100′的第一外面101′或第二外面102′上,并将半导体部件300连接到内部连接部900和外部连接部1000来改变模块M5的应用和/或能力。
第三,出于以下原因,易于将天线200″和半导体部件300分别布置在第一外面101′上(第一高度位置处)和第二外面102′上(第二高度位置处)。天线200″被设置在第一外面101′上。可简单地通过将半导体部件300安装在第二外面102′上来将半导体部件300设置在第二高度位置处。
第四,如果天线200″、内部连接部900和外部连接部1000由形成在基体100′上的单个金属板构成,则模块M5具有数量减少的部件。
第五,如果由形成在基体100′上的单个金属板构成,则天线200″、内部连接部900和外部连接部1000可在基体100′上自由地构图。
第六,如果天线和/或内部连接部由金属板构成,则需要用于形成天线和/或内部连接部的模具。然而,如果天线200″、内部连接部900和外部连接部1000是基体100′上的金属膜,则它们可在没有模具的情况下制造。因此,可继续降低模块M5的成本。
上述非接触通信模块不限于上述实施方式,而是可在权利要求的范围内按照任何方式修改。
根据上述任何方面的非接触通信模块还可包括第二导电体。第二导电体由金属板、外面覆盖有蒸发金属的塑料材料板等构成。第二导电体被接地并相对于天线200、200′或200″设置在Z方向侧,即,设置在天线200、200′或200″与对方通信装置的天线之间。更具体地,第二导电体被设置在基体100或100′的第一外面101或101′上或者基体100内以相对于天线200、200′或200″位于Z方向侧。第二导电体具有相对于天线200、200′或200″的至少一部分位于Z方向侧的开口。如果上述任何方面的天线200、200′或200″适于通过电磁场耦合方案发送信号,则从天线200、200′或200″辐射的电磁场朝着接地的第二导电体扩散。由于第二导电体具有如上所述的开口,从天线200、200′或200″流向第二导电体的电磁场通过所述开口容易地传播到相对于天线200、200′或200″位于Z方向侧的对方通信装置的天线。因此,可使从天线200、200′或200″辐射的电磁场在期望的方向上(在朝着对方通信装置的天线的方向上)流动。如果上述任何方面的天线适于通过电磁场耦合方案接收信号,则从对方通信装置的天线输出的电磁场朝着接地的第二导电体扩散。由于第二导电体具有如上所述的开口,从对方通信装置的天线流动的电磁场通过所述开口容易地传播到天线200、200′或200″。因此可使从对方通信装置的天线输出的电磁场在期望的方向上(在朝着天线200、200′或200″的方向上)流动。如果天线的一部分(天线主体)的外部尺寸大于其它部分(参见图10A),则可在第二导电体中设置开口以围绕天线主体。换言之,开口的外部尺寸可大于天线主体,并且天线主体可在平面位置中设置在开口内。因此,从天线主体辐射的电磁场通过开口容易地传播到对方通信装置的天线,并且从对方通信装置的天线输出的电磁场通过开口容易地传播到天线主体。上述第二导电体的配置不限于针对天线200、200′或200″采用电磁场耦合方案的情况,而是适用于从天线200、200′或200″辐射电磁场以外的电磁波的情况。
非接触通信模块M1可被配置为包括金属壳体S′,代替第一导电体S。作为这种配置的示例,图10A和图10B中示出非接触通信模块M1″′。除了第一导电体S由金属壳体S′代替之外,非接触通信模块M1″′具有与非接触通信模块M1基本上相同的配置。非接触通信模块M1″′的金属壳体S′至少容纳基体100的埋入有天线200的部分。这意味着金属壳体S′围绕天线200。金属壳体S′包括第一板S1′、第二板S2′、第三板S3′和第四板S4′。第三板S3′将第一板S1′的X方向端部与第二板S2′的X方向端部联接。第四板S4′将第一板S1′的X′方向端部与第二板S2′的X′方向端部联接。第三板S3′和第四板S4′可各自设置或者可各自不设置有切口。第一板S1′被设置在基体100″的第一外面101上以相对于天线200的至少一部分位于Z方向侧。第一板S1′用作上述第二导电体。第一板S1′具有开口S1a′。第一板S1′的开口S1a′相对于天线200的至少一部分设置在Z方向侧。在图10A中,开口S1a′相对于天线200的大致矩形天线主体设置在Z方向侧。这意味着当从Z方向侧看时,天线主体位于开口S1a′内。第二板S2′设置在基体100″的第二外面102上以相对于天线200的至少一部分位于Z′方向侧。第二板S2′用作上述第一导电体。
金属壳体S′还可包括连接部分S5′。连接部分S5′可连接到电子装置的电路板的接地线。可在非接触通信模块M1″′的基体100″中形成通孔120。通孔120在天线200内在Z-Z′方向上延伸穿过基体100″的一部分。通孔120可具有任何形状。在图10A中,通孔120具有T形状。多个突出片(tab)210从天线200延伸,各个突出片210从通孔120的壁突出到通孔120中。在图10A中,突出片210从通孔120的X、X′和Y方向侧的相应壁突出。在天线200被嵌件成型在基体100中之前,突出片210联接到联接构件。在嵌件成型之后,突出片210和联接构件被设置在基体100的通孔120内。随后,突出片210从联接构件被切断并保持在突出片210突出到通孔120中的状态。应该理解,非接触通信模块M1以外的任何上述非接触通信模块还可包括金属壳体S′,代替第一导电体S。另外,非接触通信模块M1″′以外的任何上述非接触通信模块可具有通孔120并且包括具有从通孔120突出的突出片210的天线200。金属壳体S′可被设置在非接触通信模块M1″′以外的任何模块中。如果金属壳体S′被设置在模块M5中,则优选的是通过在金属壳体S′与天线200″、内部连接部900和/或外部连接部1000之间插入绝缘体,金属壳体S′不与天线200″、内部连接部900和/或外部连接部1000接触。
非接触通信模块M1′或M1″的内部连接部可由柔性电路板或刚柔性电路板(第一电路板)的全部或部分构成。在这种情况下,天线200被设置在内部连接部的第一部分上。内部连接部可弯曲以使得天线200位于第一高度位置处并且半导体部件300位于第二高度位置处。第一电路板可包括外部连接部。非接触通信模块M1′或M1″的内部连接部可由具有在第一方向上层压的多个层的多层板构成。所述层可包括第一层和第二层。第一层可被配置为使得天线被设置在其上以位于第一高度位置处。第二层可被配置为使得半导体部件被安装在其上以位于第二高度位置处。在第一层与第二层之间可设置或者可不设置多个层。
本发明的天线不限于用于非接触通信的天线,而是可适用于用于非接触充电的天线。如果本发明的天线是用于非接触充电的天线,则本发明的半导体部件可以是用于使得天线执行非接触电力传送(非接触电力发送或非接触电力接收)的半导体元件、半导体芯片或塑料封装半导体装置。本发明的模块的剩余配置与上述模块的配置相似。
应该理解,上面仅作为示例描述了非接触通信模块的上述实施方式和变型。如果可执行相似的功能,非接触通信模块的构成的材料、形状、尺寸、数量、布置方式和其它配置可按照任何方式修改。上述实施方式和变型的配置可按照任何可能的方式组合。本发明的第一方向可自由地定义。本发明的第二方向可自由地定义,只要第二方向与本发明的第一方向垂直即可。
标号说明
M1、M1′、M1″、M1″′:非接触通信模块
100:基体
101:第一外面
102:第二外面
110:容纳孔
200:天线
300:半导体部件
400:内部连接部
500:外部连接部
510:第一部分
520:第二部分
600:岛状物
700:电路板(第三电路板)
700′:电路板(第三电路板)
710′:外部连接部
711′:第一部分
712′:第二部分
S:第一导电体
S′:金属壳体
S1′:第一板(第二导电体)
S1a′:开口
S2′:第二板(第一导电体)
M2:非接触通信模块
100:基体
101:第一外面
102:第二外面
110:容纳孔
200:天线
300:半导体部件
800:电路板(第一电路板)
810:内部连接部
811:第一部分
812:第二部分
813:中间部分
500:外部连接部
510:第一部分
520:第二部分
M3,M3′,M3″:非接触通信模块
100:基体
101:第一外面
102:第二外面
110:容纳孔
200′:天线
300:半导体部件
400′:内部连接部
500:外部连接部
510:第一部分
520:第二部分
700:电路板(第三电路板)
700′:电路板(第三电路板)
710′:外部连接部
711′:第一部分
712′:第二部分
M4,M4′:非接触通信模块
100:基体
101:第一外面
102:第二外面
110:容纳孔
200′:天线
300:半导体部件
800″:电路板(第二电路板)
810″:内部连接部
811″:第一部分
811a″:第一部分的Z方向侧面(第一面)
812″:第二部分
812a″:安装面(第二面)
500:外部连接部
510:第一部分
520:第二部分
800″′:电路板(第二电路板)
810″′:内部连接部
811″′:第一部分
811a″′:第一部分的Z方向侧面(第一面)
812″′:第二部分
812a″′:安装面(第二面)
820″′:外部连接部
821″′:第一部分
822″′:第二部分
M5:非接触通信模块
100′:基体
101′:第一外面
102′:第二外面
103′:第三外面
104′:第四外面
105′:第五外面
110′:厚部分
120′:薄部分
130′:第一镀覆催化剂
140′:第二镀覆催化剂
150′:第三镀覆催化剂
160′:第二保护部
170′:第三保护部
200″:天线
300:半导体部件
600′:岛状物
900:内部连接部
1000:外部连接部
1100:第一部分
1200:第二部分
Claims (22)
1.一种非接触通信模块,所述非接触通信模块包括:
由绝缘树脂制成的基体,其中,对方通信装置能够近距离地设置在所述基体的第一方向上的一侧;
天线,所述天线在所述第一方向上的第一高度位置处设置在所述基体处,以能够与所述对方通信装置非接触地通信;
用于使所述天线进行非接触通信的半导体部件,所述半导体部件在所述第一高度位置处或者相对于所述第一高度位置处于所述第一方向的另一侧的第二高度位置处设置在所述基体处;
将所述天线与所述半导体部件电连接的内部连接部;以及
外部连接部,所述外部连接部包括:
所述基体处的第一部分,所述第一部分电连接到所述半导体部件;以及
突出到所述基体之外或暴露到所述基体的外部的第二部分。
2.根据权利要求1所述的非接触通信模块,其中
所述天线在所述基体内设置于所述第一高度位置处,
所述半导体部件在所述基体内设置于所述第一高度位置或所述第二高度位置处,并且
所述外部连接部的所述第一部分设置在所述基体内。
3.根据权利要求2所述的非接触通信模块,其中
所述内部连接部是将所述天线与所述半导体部件连接起来的金属板、引线、线缆或导线,所述内部连接部设置在所述基体内,并且折曲或弯曲以使得所述天线在所述基体内位于所述第一高度位置处并且所述半导体部件在所述基体内位于所述第二高度位置处。
4.根据权利要求2所述的非接触通信模块,其中
所述天线和所述内部连接部由单个金属板构成并设置在所述基体内,并且
所述内部连接部折曲或弯曲以使得所述天线在所述基体内位于所述第一高度位置处并且所述半导体部件在所述基体内位于所述第二高度位置处。
5.根据权利要求2所述的非接触通信模块,所述非接触通信模块还包括第一电路板,所述第一电路板是包括所述内部连接部的柔性电路板或刚柔性电路板,
其中,所述内部连接部设置在所述基体内并且包括:
设置有所述天线的第一部分;
电连接到所述半导体部件的第二部分;以及
介于所述内部连接部的所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分,所述中间部分弯曲以使得所述天线在所述基体内位于所述第一高度位置处并且所述半导体部件在所述基体内位于所述第二高度位置处。
6.根据权利要求5所述的非接触通信模块,其中,所述第一电路板还包括所述外部连接部。
7.根据权利要求2所述的非接触通信模块,其中
所述天线和所述内部连接部由在第二方向上延伸的单个金属板构成并且设置在所述基体内,所述第二方向与所述第一方向垂直,并且
所述半导体部件相对于所述内部连接部在所述第一方向的另一侧连接到所述内部连接部。
8.根据权利要求2所述的非接触通信模块,所述非接触通信模块还包括在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二电路板,其中
所述第二电路板包括所述内部连接部,所述内部连接部设置在所述基体内,
所述内部连接部包括:
所述第一方向的一侧的第一面;以及
所述第一方向的另一侧的第二面,
所述天线设置在所述内部连接部的所述第一面上,并且
所述半导体部件被安装在所述内部连接部的所述第二面上,或者,相对于所述内部连接部的所述第二面在所述第一方向的另一侧连接到所述内部连接部。
9.根据权利要求8所述的非接触通信模块,其中
所述第二电路板还包括所述外部连接部。
10.根据权利要求2至5、7和8中任一项所述的非接触通信模块,所述非接触通信模块还包括安装有所述半导体部件的第三电路板,所述第三电路板至少部分地设置在所述基体内,
其中,所述内部连接部连接到所述第三电路板,并经由所述第三电路板连接到所述半导体部件。
11.根据权利要求10所述的非接触通信模块,其中,所述第三电路板包括所述外部连接部。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的非接触通信模块,其中
所述基体包括向所述基体的外部开口的容纳孔,
所述内部连接部包括设置在所述容纳孔中的突出部,
所述外部连接部的所述第一部分包括设置在所述容纳孔中的突出部,并且
所述半导体部件被容纳在所述容纳孔中,并在所述容纳孔中电连接到所述内部连接部的突出部和所述外部连接部的所述第一部分的突出部。
13.根据权利要求12所述的非接触通信模块,其中
所述基体还包括作为所述容纳孔的壁的第一保护部,所述第一保护部围绕位于所述容纳孔中的所述半导体部件。
14.根据权利要求1所述的非接触通信模块,其中
所述基体包括:
位于所述第一高度位置处的第一外面;以及
位于所述第二高度位置处的第二外面,
所述天线设置在所述第一外面上,并且
所述半导体部件安装在所述第一外面或所述第二外面上。
15.根据权利要求14所述的非接触通信模块,其中
所述基体还包括从所述第一外面延伸到所述第二外面的第三外面,
所述天线是形成在所述第一外面上的金属膜,
所述内部连接部是形成在至少所述第二外面和所述第三外面上以与所述天线连续的金属膜,并且
所述半导体部件直接连接到所述第二外面上的所述内部连接部。
16.根据权利要求14所述的非接触通信模块,其中
所述基体还包括从所述第一外面延伸到所述第二外面的第三外面,
所述内部连接部是形成在至少所述第二外面和所述第三外面上以连接到所述天线的金属膜,并且
所述半导体部件直接连接到所述第二外面上的所述内部连接部。
17.根据权利要求15或16所述的非接触通信模块,其中
所述外部连接部是形成在所述基体的至少所述第二外面上的金属膜,
所述外部连接部的所述第一部分位于所述第二外面上,并且
所述半导体部件直接连接到所述第二外面上的所述内部连接部和所述外部连接部的所述第一部分。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的非接触通信模块,其中
所述基体还包括在所述第一方向上从所述第二外面延伸并围绕所述半导体部件设置的至少一个第二保护部。
19.根据权利要求15至17中任一项所述的非接触通信模块,其中
所述基体还包括沿着所述第二外面从所述第三外面延伸并围绕所述半导体部件设置的至少一个第三保护部。
20.根据权利要求1至5、7和8、10以及14至16中任一项所述的非接触通信模块,其中,所述外部连接部是端子、引脚、引线或线缆。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的非接触通信模块,所述非接触通信模块还包括第一导电体,所述第一导电体相对于所述天线设置在所述第一方向的另一侧。
22.根据权利要求1至20中任一项所述的非接触通信模块,所述非接触通信模块还包括第二导电体,所述第二导电体相对于所述天线设置在所述第一方向的一侧并接地,
其中,所述第二导电体具有开口,所述开口相对于所述天线的至少一部分位于所述第一方向的一侧。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110137158A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-16 | 广东气派科技有限公司 | 一种封装模块天线的封装方法及封装结构 |
CN112385320A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-02-19 | 株式会社京滨 | 电子控制装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3961692A4 (en) * | 2019-04-25 | 2023-05-24 | Kyocera Corporation | CIRCUIT BOARD, ENCAPSULATION OF AN ELECTRONIC ELEMENT PACKAGE AND ELECTRONIC DEVICE |
JP7422512B2 (ja) | 2019-10-25 | 2024-01-26 | キヤノン株式会社 | 無線通信システムおよびコンピュータ断層撮影装置 |
KR102298516B1 (ko) * | 2020-02-28 | 2021-09-27 | 주식회사 웨이브피아 | 임피던스 매칭 기능이 내장된 허매틱 알에프 칩 패키지용 리드 프레임 |
JP2023036447A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム一体型基板、半導体装置、リードフレーム一体型基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1499432A (zh) * | 2002-10-28 | 2004-05-26 | ������������ʽ���� | 非接触通信介质 |
CN1723587A (zh) * | 2002-11-07 | 2006-01-18 | 碎云股份有限公司 | 含微型天线的集成电路封装 |
CN102881680A (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN103247591A (zh) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件和包括半导体器件的通信系统 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56137697A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Sharp Kk | Method of connecting front and back surface conductive layers of both-side circuit board |
JP2621576B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | モノリシックマイクロ波ミリ波アレイアンテナモジュール |
JPH07106463A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びこの半導体装置が実装される実装基板 |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JP4066520B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2008-03-26 | 株式会社デンソー | 非接触icカードリーダライタ |
JP3377786B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2003-02-17 | 日立マクセル株式会社 | 半導体チップ |
JP2002203224A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触式および非接触式兼用のデータキャリアモジュール |
US7369090B1 (en) * | 2001-05-17 | 2008-05-06 | Cypress Semiconductor Corp. | Ball Grid Array package having integrated antenna pad |
JP2006262054A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Sony Corp | アンテナモジュール及びこれを備えた携帯情報端末 |
TWI285415B (en) * | 2005-08-01 | 2007-08-11 | Advanced Semiconductor Eng | Package structure having recession portion on the surface thereof and method of making the same |
WO2007037494A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Nitta Corporation | シート体、アンテナ装置および電子情報伝達装置 |
JP4396618B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | カード型情報装置およびその製造方法 |
US7372408B2 (en) * | 2006-01-13 | 2008-05-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for packaging integrated circuit chips with antenna modules providing closed electromagnetic environment for integrated antennas |
JP2008042519A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | 磁性シート、並びにアンテナ装置及びアンテナ装置の製造方法 |
US7808434B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-10-05 | Avx Corporation | Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices |
JP4645911B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2011-03-09 | 株式会社村田製作所 | 複合部品 |
JP4698702B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2011-06-08 | 三菱電機株式会社 | 電子機器 |
WO2010032573A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP2178119B1 (en) * | 2008-10-20 | 2018-06-20 | QUALCOMM Incorporated | Surface mountable integrated circuit package |
US8278749B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-10-02 | Infineon Technologies Ag | Integrated antennas in wafer level package |
KR101922849B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5718720B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2015-05-13 | アピックヤマダ株式会社 | Rfidタグ、非接触給電アンテナ部品、それらの製造方法、及び金型 |
TWI433291B (zh) * | 2011-10-17 | 2014-04-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
JP5726787B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 無線装置、それを備えた情報処理装置および記憶装置 |
KR101483553B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2015-01-21 | 주식회사 바른전자 | 근거리 무선통신용 페라이트 안테나를 구비하는 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
US9647329B2 (en) * | 2014-04-09 | 2017-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Encapsulated molded package with embedded antenna for high data rate communication using a dielectric waveguide |
-
2016
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-
2021
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1499432A (zh) * | 2002-10-28 | 2004-05-26 | ������������ʽ���� | 非接触通信介质 |
CN1723587A (zh) * | 2002-11-07 | 2006-01-18 | 碎云股份有限公司 | 含微型天线的集成电路封装 |
CN102881680A (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | 富士通半导体股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
CN103247591A (zh) * | 2012-02-03 | 2013-08-14 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件和包括半导体器件的通信系统 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112385320A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-02-19 | 株式会社京滨 | 电子控制装置 |
CN110137158A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-16 | 广东气派科技有限公司 | 一种封装模块天线的封装方法及封装结构 |
Also Published As
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