JPH07106463A - 半導体装置及びこの半導体装置が実装される実装基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】薄型化及び多端子化が容易な半導体装置を提供
することにある。 【構成】側面に複数のバンプ電極を有する半導体素子１
２と、この半導体素子１２が収容される貫通孔１７を有
するとともに半導体素子１２に対して電気的に絶縁され
たリ−ドホルダ１４と、このリ−ドホルダ１４によって
保持され一端がリ−ドホルダ１４の貫通孔１７に面した
壁面から露出してバンプ電極１６に電気的に接続された
複数のリ−ド１３と、半導体素子１２を支持するととも
にその周縁部がリ−ドホルダ１４に接合された絶縁テ−
プ１８と、半導体素子１２とリ−ドホルダ１４と絶縁テ
−プ１８とを封止しリ−ド１３の一部が導出されたパッ
ケ−ジとを具備した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、多端子で薄型
な半導体装置及びこの半導体装置が実装される実装基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、図１０及び図１１に示すような
半導体装置１が知られている。この半導体装置１におい
ては、半導体素子２がアイランド３に接着されており、
半導体素子２に形成された多数のバンプ電極４と各バン
プ電極４に対応したリ−ド端子５とが、金属細線６によ
って接続されている。アイランド３とリ−ド端子５とは
共通のリ−ドフレ−ムから打抜かれており、打抜きに伴
って図中に示すように互いに分離される。そして、半導
体素子２、アイランド３、金属細線６、及び、リ−ド端
子５の一部が、合成樹脂製のパッケ−ジ７によって封止
されている。

【０００３】一般に、電子機器や情報機器等には小型化
が要求されており、これらの小型化のための一つの手段
として、使用される半導体装置１の薄型化が有効であ
る。そして、従来は半導体装置１の薄型化のための手段
として、半導体素子２、アイランド３、及び、リ−ド端
子５を薄くすること、更に、パッケ−ジ７を薄肉化する
こと等が行われている。ここで、パッケ−ジ７の薄肉化
とは、パッケ−ジ７の薄型化とは異なり、半導体素子２
或いはアイランド３の周りを覆った樹脂の肉厚を薄くす
ることを意味している。

【０００４】また、半導体装置１の高機能化に伴って多
端子化も進んでいる。パッケ−ジ７の外径寸法を維持し
ながらリ−ド端子５の数を増やすためには、１本のリ−
ド端子５の幅や端子ピッチを従来よりも小さく設定する
ことが必要になる。しかし、リ−ド端子５を微細化する
と、リ−ド端子５の先端が曲り易くなり、実装が難しく
なる。そして、リ−ド端子５の変形を原因として、実装
不良が生じ易くなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
１の薄型化を図るための従来の技術には以下の各項のよ
うな不具合がある。 (1) 半導体素子２を薄くした場合、半導体素子２の機械
的強度が低下し、半導体装置の信頼性試験時に発生する
熱応力を原因として、半導体素子２にクラックが生じる
ことがある。 (2) アイランド３及びリ−ド端子５を薄くした場合、こ
れらの機械的強度が低下し、樹脂封止の際に、流動する
樹脂の圧力を原因として、アイランド３やリ−ド端子５
が変形することがある。また、アイランド３やリ−ド端
子５の変形を原因として、金属細線６が変形或いは断線
することがある。 (3) パッケ−ジ７を薄肉化した場合、樹脂封止の際に、
樹脂が流れにくくなり、充填不良が発生することがあ
る。また、金属細線６に加わる圧力が大となり、金属細
線６が変形或いは断線し易くなる。 (4) パッケ−ジ７には半導体素子２、アイランド３、及
び、金属細線６が封止されるため、パッケ−ジ７の厚さ
は、これらの厚さ（及び高さ）によって制限される。つ
まり、パッケ−ジ７の薄肉化を進めても、パッケ−ジ７
の厚さをこれらの和よりも小さくすることはできない。

【０００６】一方、多端子化のためにリ−ド端子５を微
細化すると、リ−ド端子５が外力に対して弱くなり、リ
−ド端子５の先端が容易に変形してしまう。このため、
リ−ド端子５の曲げ加工時、及び、半導体装置の輸送時
や実装時などに、リ−ド端子５が変形し易い。また、リ
−ド端子５の狭ピッチ化に伴って、実装基板へのはんだ
付けが困難になる。

【０００７】請求項１及び請求項３の発明は上述のよう
な不具合を解決するためになされたもので、その目的と
するところは、薄型化及び多端子化が容易な半導体装置
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために請求項１の発明は、側面に複数のバンプ電
極を有する半導体素子と、この半導体素子が収容される
貫通孔を有するとともに半導体素子に対して電気的に絶
縁された枠状部材と、この枠状部材によって保持され一
端が枠状部材の貫通孔に面した壁面から露出してバンプ
電極に電気的に接続された複数のリ−ドと、半導体素子
を支持するとともにその周縁部が枠状部材に接合された
半導体素子支持部材と、半導体素子と枠状部材と半導体
素子支持部材とを封止しリ−ドの一部が導出されたパッ
ケ−ジとを具備した半導体装置にある。

【０００９】また、請求項３の発明は、端縁部に沿って
複数の電極が設けられた半導体素子と、この半導体素子
が収容される凹陥部を有する半導体素子収容部材と、こ
の半導体素子収容部材に形成された薄膜状の複数の電気
信号伝達部とを具備し、この電気信号伝達部は、半導体
素子収容部材の凹陥部の内側端縁部に沿って設けられ半
導体素子の電極が電気的に接続される複数の内側電極
と、半導体素子収容部材の外側面に設けられた複数の外
側電極と、内側電極及び外側電極を電気的に接続した配
線部とを有する半導体装置にある。そして、これらの発
明は、半導体装置を容易に薄型化及び多端子化できるよ
うにした。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の各実施例を図１〜図９に基づ
いて説明する。図１は本発明の一実施例の要部を示して
おり、図中の符号１１は半導体装置である。この半導体
装置１１には、正方形状の半導体素子１２、多数のリ−
ド１３、枠状部材としてのリ−ドホルダ１４、及び、正
方形状のパッケ−ジ１５が備えられている。

【００１１】これらのうち半導体素子１２は四つの側面
に多数のバンプ電極１６を有している。バンプ電極１６
は、導電性の材質からなるもので、半導体素子１２の側
面から突出するとともに、各側面において等ピッチで一
列に配設されている。ここで、半導体素子１２の回路面
は、半導体素子１２の表面或いは裏面のいずれの側であ
ってもよい。

【００１２】また、リ−ドホルダ１４は絶縁性の樹脂
（例えばエポキシ樹脂）からなる板体であり、金型を利
用して矩形枠状に成型されている。リ−ドホルダ１４の
中央には正方形状の貫通孔１７が形成されており、この
貫通孔１７の開口寸法は半導体素子１２の外径寸法より
も幾分大きく設定されている。そして、この貫通孔１７
に半導体素子１２が挿入されている。リ−ドホルダ１４
の厚さは半導体素子１２の厚さと略等しく設定されてお
り、半導体素子１２の表裏の面とリ−ドホルダ１４の各
板面は同一平面上に位置している。

【００１３】図２中に示すように、半導体素子１２の裏
面には半導体素子支持部材としての絶縁テ−プ１８が貼
付けられている。絶縁テ−プ１８は正方形状に加工され
ており、その外形寸法はリ−ドホルダ１４と略等しく設
定されている。絶縁テ−プ１８の周縁部はリ−ドホルダ
１４に達しており、リ−ドホルダの１４の板面に貼付け
られている。そして、絶縁テ−プ１８は半導体素子１２
を、絶縁しながら支持し、リ−ドホルダ１４に連結して
いる。本実施例では、絶縁テ−プ１８の材質としてポリ
イミド樹脂が採用されている。

【００１４】リ−ド１３は導電性の材質からなるもの
で、半導体素子１２のバンプ電極１６の配置に合せて、
リ−ドホルダ１４の各片毎に一列に並べられている。ま
た、リ−ド１３の配設ピッチは略均一に設定されてい
る。リ−ド１３の基端部はリ−ドホルダ１４に略水平に
挿入されており、リ−ド１３はリ−ドホルダ１４の側面
から略垂直に突出している。そして、リ−ド１３の配列
ピッチ及び向きはリ−ドホルダ１４によって維持されて
いる。

【００１５】さらに、リ−ド１３の基端部はリ−ドホル
ダ１４の貫通孔１７に達しており、リ−ド１３の基端面
はリ−ドホルダ１４の内周壁に面一で露出している。リ
−ド１３の基端面には半導体素子１２のバンプ電極１６
が接触しており、リ−ド１３とバンプ電極１６によっ
て、半導体素子１２に繋がる信号伝達経路が構成されて
いる。そして、リ−ド１３とバンプ電極１６との接触
は、絶縁テ−プ１８によって確保されている。また、リ
−ド１３とバンプ電極１６との位置合せは、半導体素子
１２をリ−ドホルダ１４の貫通孔１７に挿入することに
伴って、自動的に行われる。

【００１６】ここで、リ−ド１３の厚さはリ−ドホルダ
１４の厚さと略一致している。また、本実施例では、リ
−ド１３の断面形状は縦長の長方形に設定されている。
さらに、図１においては、図が繁雑になることを避ける
ために、リ−ド１３の数の一部が省略されている。

【００１７】パッケ−ジ１５は樹脂材料からなるもの
で、半導体素子１２、リ−ドホルダ１４、絶縁テ−プ１
８、及び、リ−ド１３の基端部を封止している。そし
て、パッケ−ジ１５の各側面からリ−ド１３の先端側が
突出しており、リ−ド１３のパッケ−ジ１５から突出し
た部分はガルウイング型に成形されている。ここで、図
１においてはリ−ド１２の基端側のみが示されている。
また、本実施例では、パッケ−ジ１５の材質としてエポ
キシ樹脂が採用されている。

【００１８】図４に示すように、バンプ電極１５の形成
及びリ−ドホルダ１４の作製は、半導体素子１２をリ−
ドホルダ１４に収容する作業に先立って行われている。
リ−ドホルダ１４の成形の際に、リ−ド１３をリ−ドホ
ルダ１４に一体化することが可能である。さらに、半導
体素子１２をリ−ドホルダ１４に収容すると同時に、バ
ンプ電極１５とリ−ド１３とが接続される。また、半導
体素子１２とリ−ドホルダ１４とが絶縁テ−プ１８によ
って連結される。そして、この後、樹脂封止が行われパ
ッケ−ジ１５が作製される。

【００１９】上述のような半導体装置１１においては、
半導体素子１２の側面にバンプ電極１６が形成されてお
り、このバンプ電極１６がリ−ド１３の端面に接触して
いるので、金属細線を用いることなく半導体素子１２と
リ−ド１３とを電気的に接続することができる。したが
って、金属細線のル−プの高さによって制限されること
なく、半導体装置１１を薄型化することが可能になる。

【００２０】また、ボンディングワイヤを省略して半導
体装置１１を薄型化できるので、半導体素子１２やリ−
ド１３の厚さを薄く設定する必要がない。したがって、
半導体素子１２やリ−ド１３の機械的強度を低下させず
に済む。

【００２１】さらに、金属細線が不要であるので、封止
の際のボンディングワイヤの変形や断線の心配がなくな
り、半導体装置１１の信頼性が向上する。また、リ−ド
１３がリ−ドホルダ１４によって保持されているので、
バンプ電極１６とリ−ド１３との接続の際（半導体素子
１２をリ−ドホルダ１３の貫通孔１７に挿入する際）
や、樹脂封止の際等にリ−ド１３の変形や位置ずれを防
止できる。

【００２２】さらに、半導体素子１２をリ−ドホルダ１
３の貫通孔に挿入すると同時にバンプ電極１６とリ−ド
１３とが接続されるので、両者１３、１６の接続が容易
である。

【００２３】さらに、半導体素子１２が絶縁テ−プ１８
を介してリ−ドホルダ１４に連結されているので、封止
の際に半導体素子１２が傾くことを防止できる。また、
バンプ電極１６とリ−ド１３とを常に接触させることが
できる。

【００２４】なお、本発明は、要旨を逸脱しない範囲で
種々に変形することが可能である。例えば、本実施例で
はリ−ド１３の厚さがリ−ドホルダ１４の厚さと略等し
く設定されているが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、例えば、リ−ド１３の厚さをリ−ドホルダ１４
よりも小としてもよい。この場合は、リ−ド１３がリ−
ドホルダ１４によって厚さ方向及び配列方向ともにより
強固に保持される。

【００２５】また、本実施例では半導体素子支持部材と
してポリイミド製絶縁テ−プ１８が採用されているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えばガラス
やセラミック等からなる薄いシ−トを絶縁性の接着剤と
組合わせて利用してもよい。

【００２６】さらに、リ−ドホルダ１４として樹脂成型
品が用いられているが、この他に、絶縁性材料からなる
焼結体を利用してもよい。また、所定の形状の絶縁性部
材をリ−ド１３間に挟み込んでもよい。

【００２７】また、バンプ電極１６の形状は、リ−ド１
３の基端面に確実に接触させることができれば、特に制
限されない。さらに、リ−ド１３の基端面にバンプ電極
１６を嵌合させるための凹陥部を形成してもよい。ま
た、リ−ド１３の基端部及びリ−ドホルダ１４の内周縁
部に、半導体素子１２の収容の際のガイドとなるテ−パ
を形成してもよい。

【００２８】また、本実施例では、絶縁テ−プ１８を介
して半導体素子１２がリ−ドホルダ１３に連結されてい
るが、例えば、図５及び図６に示す半導体装置２１のよ
うに、絶縁テ−プ１８の代りに放熱板２２を用いてもよ
い。

【００２９】すなわち、この半導体装置２１において
は、Ａｌ合金等からなる放熱板２２が電気絶縁性を有す
る接着剤２３を介して半導体素子１２とリ−ドホルダ１
４とに接合されている。さらに、放熱板２２の半導体素
子１２の側に対して逆の板面２４がパッケ−ジ１５の表
面２５から面一で露出している。また、放熱板２２の側
面には段差２６が形成されており、この段差２６は半導
体素子１２の側に拡がっている。

【００３０】半導体素子１２に発生した熱は放熱板２２
に伝わり、放熱板２２の板面２４からパッケ−ジ１５の
外へ放出される。また、放熱板２２は段差２６を利用し
てパッケ−ジ１５に係合しており、この段差２６によっ
て放熱板２２の抜け落ちが防止される。

【００３１】このような半導体装置２１においても前述
の実施例と同様な効果が得られるとともに、前述の半導
体装置１１に比べて放熱効果を高めることができる。し
たがって、このタイプの半導体装置２１は、半導体素子
１２の消費電力が大きく発熱量の多い場合に有効であ
る。

【００３２】つぎに、本発明の第２実施例を図７〜図９
に基づいて説明する。図７〜図９は本発明の第２実施例
を示すもので、図中の符号３１は半導体装置、符号３２
は実装基板である。半導体装置３１は、図９中に示すよ
うに、半導体素子３３、半導体素子収容部材としての下
側セラミックプレ−ト（以下、下側プレ−トと称する）
３４、覆い体としての上側セラミックプレ−ト（以下、
上側プレ−トと称する）３５を有している。

【００３３】これらのうち半導体素子３３は正方形状に
切出されている。半導体素子３３の一方の板面が回路面
３６であり、この回路面３４の周縁部においては、四つ
の辺に沿って多数の電極が配設されている。ここで、図
９では、回路面３６が下方に向けられており、電極は半
導体素子３３の背面に隠れている。

【００３４】下側プレ−ト３４は正方形状に成形されて
おり、一方の板面３７の中央部に第１の凹陥部３８を有
している。第１の凹陥部３８は正方形状に開口してお
り、開口寸法は半導体素子３３の外径寸法と略同じく設
定されている。さらに、第１の凹陥部３８の底３９は略
平坦に加工されている。また、第１の凹陥部３８の深さ
は、半導体素子３３の厚さよりも小さく（ここでは約１
／２に）設定されている。そして、下側プレ−ト３４の
四つの側面４０は円弧状に湾曲して突出している。

【００３５】下側プレ−ト３４には、導電性の材質から
なる多数の電気信号伝達部４１が薄膜状に形成されてお
り、これら電気信号伝達部４１は第１の凹陥部３８の周
囲に放射状に配設されている。そして、電気信号伝達部
４１は、内側電極４２と外側電極４３、及び、両電極４
２、４３を接続した配線部４４を有している。

【００３６】内側電極４２は第１の凹陥部３８の底３９
の周縁部（第１の凹陥部３８の内側端縁部）に形成され
ており、外側電極４３は下側プレ−ト３４の側面４０に
形成されている。さらに、内側電極４２の配置は半導体
素子３３の電極の配置に一致しており、外側電極４３の
配設ピッチは内側電極４２に比べて大きく設定されてい
る。

【００３７】配線部４４は下側プレ−ト３４の板面３７
上に直線状に形成されている。さらに配線部４４の内側
の端部は折曲されており、板面３７と第１の凹陥部３８
の壁面とに跨がっている。

【００３８】ここで、図７〜図９においては、図が繁雑
になることを避けるために、電気信号伝達部４１の数の
一部が省略されている。下側プレ−ト３４の第１の凹陥
部３８には半導体素子３３が収容されている。半導体素
子３３の電極は信号伝達部４１の内側電極４２に下向き
に接触している。そして、半導体素子３３の電極と内側
電極４２との位置合せは、半導体素子３３の収容に伴っ
て自動的に行われる。

【００３９】上側プレ−ト３５は平板状に成形されてお
り、上側プレ−ト３５の一方の板面（図９中の背面）の
中央には矩形な第２の凹陥部４５が形成されている。第
２の凹陥部４５の開口寸法は、半導体素子３３の外径寸
法と略同じく設定されている。さらに、上側プレ−ト３
５は下側プレ−ト３４に同心的に重ねられている。

【００４０】半導体素子３３の下側プレ−ト３４から突
出した部分は、上側プレ−ト３５の第２の凹陥部４５に
進入している。上側プレ−ト３５と下側プレ−ト３４は
互いの板面を合せて接合されており、下側プレ−ト３４
の板面３７は上側プレ−ト３５によって覆い隠されてい
る。両プレ−ト３４、３５の接合には電気絶縁性の接着
剤（図示しない）が用いられている。

【００４１】なお、本実施例では、両プレ−ト３４、３
５の外径寸法の大きさの関係は、下側プレ−ト３４の側
面４０が上側プレ−ト３５の側面４６の外側に突出する
よう設定されている。

【００４２】前記実装基板３２の基板本体３２ａには、
半導体装置収容用の凹陥部としての貫通孔４７が設けら
れている。この貫通孔４７は実装基板３２の板面４８に
正方形状に開口しており、開口寸法は半導体装置３１の
下側プレ−ト３５の外径寸法と略等しく設定されてい
る。さらに、貫通孔４７の四つの内壁面４９は円弧状に
湾曲しながら窪んでおり、この内壁面４９の曲率は下側
プレ−ト３４の側面４０の曲率と略等しく設定されてい
る。

【００４３】さらに、貫通孔４７の周囲には多数の基板
配線５０が配設されている。各基板配線５０の一端は貫
通孔４７の内壁面４９に達しており、内壁面４９には基
板側電極５１が形成されている。これら基板側電極５１
は半導体装置３１の外側電極４３と対応する位置関係を
有しており、各内壁面４９毎に所定のピッチで配設され
ている。

【００４４】図８に示すように、実装基板３２の貫通孔
４７には半導体装置３３が挿入されて収容される。半導
体装置３１の挿入に伴って、下側プレ−ト３４の側面４
０が貫通孔４７の内壁面４９に係止し、半導体装置３１
が実装基板３２に嵌合する。

【００４５】半導体装置３１の外側電極４３と実装基板
３２の基板側電極５１とは対応する位置関係にあるの
で、半導体装置３１の嵌合に伴って、外側電極４３と実
装基板３２の基板側電極５１とが接触する。つまり、半
導体装置３１を実装基板３２に嵌合させるのと同時に、
半導体装置３１と実装基板３２に跨がる信号伝達経路が
形成され、半導体装置３１の実装が完了する。さらに、
半導体装置３１の保持は、下側プレ−ト３４の側面４０
と実装基板３２の内壁面４９との間の凹凸を利用して行
われている。

【００４６】上述のような半導体装置３１においては、
下側プレ−ト３４に薄膜状の信号伝達部４１が形成され
ているので、半導体装置３１の外側に突出するリ−ドが
不要になる。このため、リ−ドの変形や、これを原因と
する実装不良の発生の恐れがなくなる。

【００４７】また、半導体素子３３が下側プレ−ト３４
と上側プレ−ト３５に収容されていりので、これらを単
に重ねた場合に比べて半導体装置３１の厚さは小さくな
る。さらに、上述の半導体装置３１と実装基板３２によ
れば、半導体装置３１を実装基板３２の貫通孔４７に差
込むだけで電極の位置合せ及び半導体装置３１の保持が
行えるので、半田付けが不要であり、実装が容易であ
る。

【００４８】なお、本発明は、要旨を逸脱しない範囲で
種々に変形することが可能である。例えば、本実施例で
は下側プレ−ト３４及び上側プレ−ト３５の材質にセラ
ミックが採用されているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、樹脂等を利用してもよい。

【００４９】また、下側プレ−ト３４の側面４０や貫通
孔４７の内壁面４９の形状を円弧状としたが、例えば、
楔形や多角形状等のように種々の形状を採用することが
可能である。

【００５０】また、本実施例では、下側プレ−ト３４の
第１の凹陥部３８の深さが半導体素子３３の厚さよりも
小さく設定されているが、例えば、第１の凹陥部３８の
深さと半導体素子３３の厚さとを一致させれば、上側プ
レ−ト３５の第２の凹陥部４５は不要になる。

【００５１】さらに、上側プレ−ト３４の材質を高熱伝
性を有する金属材料（例えばＡｌ合金など）にすれば、
上側プレ−ト３５を放熱板として利用でき、高い放熱効
果を得ることができる。また、半導体素子３３の電極に
バンプを形成すれば、内側電極４２との接続の信頼性が
高まる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
側面に複数のバンプ電極を有する半導体素子と、この半
導体素子が収容される貫通孔を有するとともに半導体素
子に対して電気的に絶縁された枠状部材と、この枠状部
材によって保持され一端が枠状部材の貫通孔に面した壁
面から露出してバンプ電極に電気的に接続された複数の
リ−ドと、半導体素子を支持するとともにその周縁部が
枠状部材に接合された半導体素子支持部材と、半導体素
子と枠状部材と半導体素子支持部材とを封止しリ−ドの
一部が導出されたパッケ−ジとを具備した。

【００５３】また、請求項３の発明は、端縁部に沿って
複数の電極が設けられた半導体素子と、この半導体素子
が収容される凹陥部を有する半導体素子収容部材と、こ
の半導体素子収容部材に形成された薄膜状の複数の電気
信号伝達部とを具備し、この電気信号伝達部は、半導体
素子収容部材の凹陥部の内側端縁部に沿って設けられ半
導体素子の電極が電気的に接続される複数の内側電極
と、半導体素子収容部材の外側面に設けられた複数の外
側電極と、内側電極及び外側電極を電気的に接続した配
線部とを有する。そして、これらの発明によれば、半導
体装置を容易に薄型化及び多端子化できるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の半導体装置の要部を一部
透視して示す斜視図。

【図２】本発明の第１実施例の半導体装置を一部透視し
て示す側面図。

【図３】図２中の円IVで囲った部分の拡大図。

【図４】本発明の第１実施例の半導体装置の製造方法を
示す工程図。

【図５】変形例の半導体装置を一部透視して示す側面
図。

【図６】図５中の円Ｖで囲った部分の拡大図。

【図７】本発明の第２実施例の半導体装置と実装基板を
示す斜視図。

【図８】本発明の第２実施例の半導体装置の実装の様子
を示す説明図。

【図９】本発明の第２実施例の半導体装置を分解して示
す斜視図。

【図１０】一般の半導体装置を一部省略して示す平面
図。

【図１１】一般の半導体装置を一部省略して示す側面
図。

【符号の説明】

１１…半導体装置、１２…半導体素子、１３…リ−ド、
１４…リ−ドホルダ（枠状部材）、１５…パッケ−ジ、
１６…バンプ電極、１７…貫通孔、１８…絶縁テ−プ
（半導体素子支持部材）、３１…半導体装置、３２…実
装基板、３２ａ…基板本体、３３…半導体素子、３４…
下側セラミックプレ−ト（半導体素子収容部材）、３５
…上側セラミックプレ−ト（覆い体）、３８…第１の凹
陥部（凹陥部）、４１…電気信号伝達部、４２…内側電
極、４３…外側電極、４４…配線部、４７…貫通孔（凹
陥部）、５０…基板配線、５１…基板側電極。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 側面に複数のバンプ電極を有する半導体
   素子と、この半導体素子が収容される貫通孔を有すると
   ともに上記半導体素子に対して電気的に絶縁された枠状
   部材と、この枠状部材によって保持され一端が上記枠状
   部材の貫通孔に面した壁面から露出して上記バンプ電極
   に電気的に接続された複数のリ−ドと、上記半導体素子
   を支持するとともにその周縁部が上記枠状部材に接合さ
   れた半導体素子支持部材と、上記半導体素子と上記枠状
   部材と上記半導体素子支持部材とを封止し上記リ−ドの
   一部が導出されたパッケ−ジとを具備した半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体素子支持部材が半導体素子とリ−
   ドとに電気的に絶縁されて接合されるとともにパッケ−
   ジから露出した放熱板であることを特徴とする上記請求
   項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 端縁部に沿って複数の電極が設けられた
   半導体素子と、この半導体素子が収容される凹陥部を有
   する半導体素子収容部材と、この半導体素子収容部材に
   形成された薄膜状の複数の電気信号伝達部とを具備し、
   この電気信号伝達部は、上記半導体素子収容部材の凹陥
   部の内側端縁部に沿って設けられ上記半導体素子の電極
   が電気的に接続される複数の内側電極と、上記半導体素
   子収容部材の外側面に設けられた複数の外側電極と、上
   記内側電極及び上記外側電極を電気的に接続した配線部
   とを有する半導体装置。
4. 【請求項４】 外側電極を露出させて半導体素子と半導
   体素子収容部材とを覆い隠す覆い体を備えたことを特徴
   とする上記請求項３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 端縁部に沿って複数の電極が設けられた
   半導体素子と、この半導体素子が収容される凹陥部を有
   する半導体素子収容部材と、この半導体素子収容部材に
   形成された薄膜状の複数の電気信号伝達部とを具備し、
   この電気信号伝達部は、上記半導体素子収容部材の凹陥
   部の内側端縁部に沿って設けられ上記半導体素子の電極
   が電気的に接続される複数の内側電極と、上記半導体素
   子収容部材の外側面に設けられた複数の外側電極と、上
   記内側電極及び上記外側電極を電気的に接続した配線部
   とを有する半導体装置が実装される実装基板において、
   基板本体と、この基板本体に設けられ上記半導体装置が
   収容される半導体装置収容用の凹陥部と、この凹陥部の
   内壁面に一端部を位置させて配設された複数の基板配線
   と、上記基板配線の一端部に設けられ上記半導体装置の
   外側電極に電気的に接続される複数の基板側電極とを具
   備することを特徴とする実装基板。