TWI700807B - 非接觸通訊模組 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是提供提升通訊精度的非接觸通訊模組。
本發明的構造：模組(M1)具備基體(100)、天線(200)、半導體零件(300)、內部連接部(400)、外部連接部(500)。對方通訊裝置可近距離配置於基體(100)的Z方向。天線(200)以可與同裝置以非接觸方式進行通訊之方式，在第1高度位置設置於基體(100)。半導體零件(300)係在第1或第2高度位置，設置於基體(100)。第2高度位置係比第1高度位置更靠Z’方向的位置。內部連接部(400)電性連接天線(200)與半導體零件(300)。外部連接部(500)的第1部(510)係設置於基體(100)，且電性連接於半導體零件(300)。外部連接部(500)的第2部(520)突出於基體(100)外。

Description

非接觸通訊模組
本發明係關於用以利用非接觸方式進行通訊的非接觸通訊模組。
非接觸通訊會根據包含半導體晶片及天線之通訊用的電性電路的設計，通訊精度大幅改變。尤其，非接觸通訊的通訊速度高速化的話，天線等的電感(L)及/或電容(C)的成分對於訊號品質(訊號完整性(Signal Integrity))的影響會顯著化，電性電路的設計的難易度提高。因此，在電子機器的相同基板上設計非接觸通訊用的電性電路與電子機器之主要功能用的電性電路變得困難。因此，考量將非接觸通訊用的電性電路模組化，並將該模組安裝於電子機器的基板。
先前的非接觸通訊模組被記載於後述專利文獻1。該非接觸通訊模組具備半導體晶片、天線、島部、複數導線端子、樹脂基體。天線為可在該天線與對方通訊裝置的天線之間以非接觸方式進行通訊的構造。半導體晶片具有用以使天線以非接觸方式進行通訊的元件。半導體 晶片係安裝於島部上，且以複數引線連接於天線及導線端子的一端部。樹脂基體為矩形狀，具有上面、下面及4個側面。於該樹脂基體內，封止半導體晶片、天線及導線端子的一端部。導線端子的殘餘部分從樹脂基體的側面突出。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-161905號公報
在前述非接觸通訊模組中，在樹脂基體的上面的上方配置對方通訊裝置之狀態下，在該非接觸通訊模組的天線與對方通訊裝置之間以非接觸方式進行通訊。非接觸通訊模組的天線，係位於與島部相同平面上，且位於比島部上的半導體晶片更下方。亦即，天線位於遠離樹脂模組的上面(通訊區域)的位置，且該天線與對方通訊裝置的天線的距離變長，故前述非接觸通訊模組的通訊精度變差。
本發明係有鑑於前述情況所發明者，其目的為提供可提升通訊精度的非接觸通訊模組。
為了解決前述課題，本發明之一樣態的非接觸通訊模組，係具備絕緣樹脂製的基體、天線、半導體零件、內部連接部、外部連接部。對方通訊裝置可近距離配置於基體的第1方向之一方。天線，係以可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊之方式，在第1方向之第1高度位置設置於基體。半導體零件係用以使天線利用非接觸方式進行通訊者，在第1高度位置或第2高度位置設置於基體。第2高度位置是比第1高度位置更靠第1方向之另一方的位置。內部連接部電性連接天線與半導體零件。外部連接部具有第1部與第2部。第1部係設置於基體，且電性連接於半導體零件。第2部係突出或露出於基體外。
此種樣態的非接觸通訊模組，可提升其通訊精度。因為天線配置於與半導體零件相同的高度位置或比半導體零件更靠第1方向的一方側，所以，天線與近距離配置於基體的第1方向之一方的對方通訊裝置之第1方向的距離變短。
天線可設為在第1高度位置設置於基體內的構造。半導體零件可設為在第1高度位置或第2高度位置設置於基體內的構造。外部連接部的第1部可設為設置於基體內的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，天線及半導體零件設置於基體內，故被基體保護。
內部連接部，可設為連接天線與半導體零件的金屬板、導線、纜線或導電引線，且設置於基體內的構造。此時，內部連接部，可設為以天線位於基體內的第1 高度位置，且半導體零件位於基體內的第2高度位置之方式折曲或彎曲的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可僅利用折曲或彎曲內部連接部，容易地將天線配置於第1高度位置，半導體零件配置於第2高度位置。
天線及內部連接部，可設為以一張金屬板構成，且設置於基體內的構造。內部連接部，可設為以天線位於基體內的第1高度位置，且半導體零件位於基體內的第2高度位置之方式折曲或彎曲的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可僅利用折曲或彎曲內部連接部，容易地將天線配置於第1高度位置，半導體零件配置於第2高度位置。
非接觸通訊模組，可設為更具備第1基板的構造。第1基板，可設為可撓性基板或剛撓性基板，且具有內部連接部的構造。內部連接部可設為設置於基體內的構造。內部連接部，可設為具有設置天線的第1部、電性連接於半導體零件的第2部、及該內部連接部的第1部與第2部之間的中間部的構造。中間部，可設為以天線位於基體內的第1高度位置，且半導體零件位於基體內的第2高度位置之方式折曲或彎曲的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可僅利用折曲或彎曲內部連接部的中間部，容易地將天線配置於第1高度位置，半導體零件配置於第2高度位置。
第1基板，可設為更具有外部連接部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組，可減低其零件數量。因 為第1基板具有內部連接部及外部連接部。
天線及內部連接部，可設為以延伸於與第1方向正交之第2方向的一張金屬板構成，且設置於基體內的構造。半導體零件，可設為在比內部連接部更靠第1方向的另一方側，連接於該內部連接部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可僅利用將半導體零件，在比內部連接部更靠第1方向的另一方側連接於該內部連接部，容易地將天線配置於第1高度位置，半導體零件配置於第2高度位置。
非接觸通訊模組，可設為更具備延伸於與第1方向正交的第2方向的第2基板的構造。第2基板，可設為具有設置於基體內的內部連接部的構造。內部連接部，可設為具有第1方向之一方側的第1面，與第1方向之另一方側的第2面的構造。天線，可設為設置於內部連接部的第1面上的構造。半導體零件，可設為安裝於內部連接部的第2面上，或在比前述內部連接部的第2面更靠第1方向的另一方側，連接於該內部連接部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可僅利用將半導體零件，安裝於內部連接部的第2面上或在比內部連接部的第2面更靠第1方向的另一方側連接於該內部連接部，容易地將天線配置於第1高度位置，半導體零件配置於第2高度位置。
第2基板，可設為更具有外部連接部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組，可減低其零件數量。因 為第2基板具有內部連接部及外部連接部。
非接觸通訊模組，可設為更具備第3基板的構造。第3基板，可設為至少部分設置於基體內，且安裝半導體零件的安裝基板。內部連接部，可設為連接於第3基板，且透過該第3基板連接於半導體零件的構造。
第3基板，可設為具有外部連接部的構造。
基體，可設為具有開口於該基體外的收容孔的構造。內部連接部，可設為具有配置於收容孔內的突出部的構造。外部連接部的第1部，可設為具有配置於收容孔內的突出部的構造。半導體零件，可設為收容於收容孔內，且在收容孔內，電性連接於內部連接部的突出部及外部連接部之第1部的突出部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組，可提升其萬用性。因為僅利用將因應非接觸通訊模組的用途(接收用或發送用)、功能(通訊速度及通訊距離)等所適切選擇的半導體零件插入至收容孔，電性連接於內部連接部的突出部及外部連接部之第1部的突出部，即可改變非接觸通訊模組的用途及功能。
基體，可設為更具有第1保護部的構造。第1保護部，可設為收容孔的壁，且包圍收容孔內的半導體零件的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，收容孔內的半導體零件被第1保護部包圍保護。
基體，可設為具有位於第1高度位置的第1外面的構造。天線，可設為設置於第1外面上的構造。半導體零件，可設為安裝於第1外面上的構造。
基體，可設為更具有位於第2高度位置的第2外面的構造。此時，半導體零件，可設為不安裝於第1外面，而是安裝於第2外面上的構造。基體，可設為更具有從第1外面延伸至第2外面為止的第3外面的構造。
天線，可設為形成於第1外面上的金屬膜。內部連接部，可設為以連續於天線之方式，至少形成於第2外面及第3外面上的金屬膜。半導體零件，可設為直接連接於第2外面上的內部連接部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，可將天線及內部連接部，藉由印刷法或光微影法等，容易地形成於基體上。再者，內部連接部，可設為以連接於天線之方式，至少形成於第2外面及第3外面上的金屬膜。此時，天線以金屬膜以外來構成亦可。
外部連接部，可設為以形成於基體之至少第2外面上的金屬膜構成。外部連接部的第1部，係位於基體的第2外面上。半導體零件，可設為直接連接於第2外面上的內部連接部及外部連接部的第1部的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，外部連接部，藉由印刷法或光微影法等，簡單地形成於基體的第2外面上。而且，半導體零件的安裝變得更簡單。因為在第2外面上，半導體零件可連接於內部連接部及外部連接部雙方。
前述金屬膜包含電鍍膜。
基體，可設為更具有至少一個第2保護部的構造。第2保護部，可設為從第2外面往第1方向延伸， 且配置於半導體零件的周圍的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，藉由半導體零件的周圍的第2保護部保護半導體零件。
基體，可設為更具有至少一個第3保護部的構造。第3保護部，可設為從第3外面沿著第2外面延伸，且配置於半導體零件的周圍的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，藉由半導體零件的周圍的第3保護部保護半導體零件。
外部連接部，可設為端子、銷、導線或纜線。
前述任一樣態的非接觸通訊模組，可設為更具備第1導電體的構造。第1導電體，可設為相對於天線，配置於第1方向的另一方側的構造。此種樣態的非接觸通訊模組之狀況中，因為藉由第1導電體，遮蔽從比第1導電體更靠第1方向的另一方洩漏的訊號，減低該訊號影響天線的可能性。
前述任一樣態的非接觸通訊模組，可設為更具備第2導電體的構造。第2導電體，可設為配置於天線的第1方向之一方，且接地的構造。第2導電體，可設為具有開口的構造。開口，可設為設置於第2導電體的天線之至少一部分的第1方向之一方的部分的構造。此種樣態的非接觸通訊模組的通訊精度可更加提升。
M1、M1’、M1”、M1”’‧‧‧非接觸通訊模組
100‧‧‧基體
101‧‧‧第1外面
102‧‧‧第2外面
110‧‧‧收容孔
200‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
400‧‧‧內部連接部
410‧‧‧埋設部
500‧‧‧外部連接部
500a‧‧‧外部連接部
510‧‧‧第1部
520‧‧‧第2部
600‧‧‧島部
700‧‧‧基板(第3基板)
700’‧‧‧基板(第3基板)
710’‧‧‧外部連接部
711’‧‧‧第1部
712’‧‧‧第2部
S‧‧‧第1導電體
S’‧‧‧金屬殼體
S1’‧‧‧第1板(第2導電體)
S1a’‧‧‧開口
S2’‧‧‧第2板(第2導電體)
M2‧‧‧非接觸通訊模組
100‧‧‧基體
101‧‧‧第1外面
102‧‧‧第2外面
110‧‧‧收容孔
200‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
800‧‧‧基板(第1基板)
810‧‧‧內部連接部
811‧‧‧第1部
812‧‧‧第2部
813‧‧‧中間部
500‧‧‧外部連接部
510‧‧‧第1部
520‧‧‧第2部
M3、M3’、M3”‧‧‧非接觸通訊模組
100‧‧‧基體
101‧‧‧第1外面
102‧‧‧第2外面
110‧‧‧收容孔
200’‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
400’‧‧‧內部連接部
500‧‧‧外部連接部
510‧‧‧第1部
520‧‧‧第2部
700‧‧‧基板(第3基板)
700’‧‧‧基板(第3基板)
710’‧‧‧外部連接部
711’‧‧‧第1部
712’‧‧‧第2部
M4、M4’‧‧‧非接觸通訊模組
100‧‧‧基體
101‧‧‧第1外面
102‧‧‧第2外面
110‧‧‧收容孔
200’‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
800”‧‧‧基板(第2基板)
810”‧‧‧內部連接部
811”‧‧‧第1部
811a”‧‧‧第1部的Z方向之面(第1面)
812”‧‧‧第2部
812a”‧‧‧安裝面(第2面)
500‧‧‧外部連接部
510‧‧‧第1部
520‧‧‧第2部
800”’‧‧‧基板(第2基板)
810”’‧‧‧內部連接部
811”’‧‧‧第1部
811a”’‧‧‧第1部的Z方向之面(第1面)
812”’‧‧‧第2部
812a”’‧‧‧安裝面(第2面)
820”’‧‧‧外部連接部
821”’‧‧‧第1部
822”’‧‧‧第2部
M5‧‧‧非接觸通訊模組
100’‧‧‧基體
101’‧‧‧第1外面
102’‧‧‧第2外面
103’‧‧‧第3外面
104’‧‧‧第4外面
105’‧‧‧第5外面
110’‧‧‧厚邊部
120’‧‧‧薄邊部
130’‧‧‧第1電鍍觸媒
140’‧‧‧第2電鍍觸媒
150’‧‧‧第3電鍍觸媒
160’‧‧‧第2保護部
170’‧‧‧第3保護部
200”‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
600’‧‧‧島部
900‧‧‧內部連接部
1000‧‧‧外部連接部
1100‧‧‧第1部
1200‧‧‧第2部
[圖1A]由本發明的實施例1之一樣態的非接觸通訊模組之正面、平面及右側面表示的立體圖。
[圖1B]由前述非接觸通訊模組之正面、平面及右側面表示的立體圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖1C]由前述非接觸通訊模組之背面、底面及右側面揭示的立體圖，且為了透視前述基體，以虛線揭示的圖。
[圖1D]前述非接觸通訊模組的右側面圖，且為了透視前述基體，以虛線揭示的圖。
[圖2A]由前述非接觸通訊模組之正面、平面及右側面表示的立體圖，且為前述非接觸通訊模組的半導體零件，連接於前述非接觸通訊模組的內部連接部及外部連接部之前的狀態的圖。
[圖2B]由前述非接觸通訊模組之背面、底面及右側面表示的立體圖，且為前述半導體零件，連接於前述內部連接部及前述外部連接部之前的狀態的圖。
[圖3A]本發明的實施例2之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖3B]本發明的實施例3之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖4]本發明的實施例4之一樣態的非接觸通訊模組 的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖5A]本發明的實施例5之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖5B]本發明的實施例6之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖5C]本發明的實施例7之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖6A]本發明的實施例8之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖6B]本發明的實施例9之一樣態的非接觸通訊模組的模式側面圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖7A]由本發明的實施例10之一樣態的非接觸通訊模組之正面、平面及右側面表示的立體圖。
[圖7B]由前述非接觸通訊模組的正面、底面及左側面表示的立體圖。
[圖8A]由前述非接觸通訊模組的基體之正面、平面及左側面表示的立體圖。
[圖8B]非接觸通訊模組的前述基體之圖8A中的模式 8B-8B端面圖，且誇張表示前述基體內的金屬複合體的圖。
[圖9A]本發明的實施例10之其他非接觸通訊模組模式剖面圖。
[圖9B]本發明的實施例10之另其他非接觸通訊模組模式剖面圖。
[圖10A]由本發明的實施例1之設計變更例的非接觸通訊模組之正面、平面及右側面表示的立體圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
[圖10B]由前述設計變更例的非接觸通訊模組之背面、底面及右側面表示的立體圖，且為了透視前述非接觸通訊模組的基體，以虛線揭示的圖。
以下，針對本發明的實施例1~9，進行說明。
[實施例1]
以下，針對本發明的實施例1之非接觸通訊模組M1(以下，也稱為模組M1)，一邊參照圖1A~圖2B，一邊詳細說明。模組M1可與未圖示的對方通訊裝置利用非接觸方式進行通訊。再者，圖1A~圖1D所示之Z-Z’方向，係模組M1的厚度方向，且相當於申請專利範圍的第1方向。Z方向相當於第1方向的一方，且Z’方向 相當於第1方向的另一方。圖1A~圖1D所示之Y-Y’方向，係模組M1的長邊方向，且相當於申請專利範圍的第2方向。Y-Y’方向與Z-Z’方向正交。圖1A~圖1C所示之X-X’方向，係模組M1的短邊方向。X-X’方向與Z-Z’方向及Y-Y’方向正交。
模組M1具備基體100(封裝)、至少一個天線200、至少一個半導體零件300、至少一個內部連接部400、至少一個外部連接部500。
基體100是絕緣樹脂製的塊狀體或殼體。基體100可設為多角形狀、圓柱狀、球狀、半球狀、或圓弧狀等。
基體100具有Z方向的第1外面101，與Z’方向的第2方向102。第1外面101具有通訊區域。對方通訊裝置可近距離配置於基體100的通訊區域的Z方向。第2外面102可設為例如，可安裝於未圖示之電子機器的基板等的安裝面或可固定於前述電子機器的框架等的固定面，但並不限定於此。
基體100是塊狀體時，基體100更具有至少一個收容孔110亦可。收容孔110作為以開口於Z方向之方式設置於第1外面101，且延伸於Z-Z’方向之有底的孔亦可。或者，收容孔110作為以開口於Z’方向之方式設置於第2外面102，且延伸於Z-Z’方向之有底的孔亦可。或者，收容孔110作為於Z-Z’方向從第1外面101延伸至第2外面102，且開口於Z方向及Z’方向的貫通孔亦可。 在圖1A~圖2B中，基體100是絕緣樹脂製之矩形狀的塊狀體，且具有從第1外面101至第2外面102貫通基體100的收容孔110。再者，可省略收容孔110。
至少一個天線200，只要是可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊的構造即可。例如，天線200可設為與對方通訊裝置，可利用電磁耦合方式、磁耦合方式、UWB(Ultra Wide Band)、無線LAN或Bluetooth(註冊商標)等的通訊方式，進行非接觸通訊的構造。本發明中「利用非接觸方式進行通訊」及「非接觸通訊」，係包含接近型無接觸通訊、超寬頻帶無線通訊及狹頻帶無線通訊的概念。接近型無接觸通訊，係利用發生高速的Rise/Fall Time(高頻成分)之矩形波的訊號的Crosstalk的寬頻帶通訊，且在電磁耦合方式、磁耦合方式等中採用。超寬頻帶無線通訊，係使用500MHz以上的頻帶寬幅的無線通訊，在UWB等中採用。狹頻帶無線通訊，係被調變的電波所致(狹頻帶)之無線通訊，在無線LAN或Bluetooth(註冊商標)中採用。再者，本發明的「利用非接觸方式進行通訊」及「非接觸通訊」，係只要本發明的天線與對方通訊裝置的天線是利用非接觸方式進行通訊者，並不限制通訊方式。
天線200是可利用電磁耦合方式或磁耦合方式進行非接觸通訊的構造時，從天線200到對方通訊裝置為止之Z-Z’方向的通訊距離，可設為0~數mm程度。天線200是可利用無線LAN或Bluetooth(註冊商標)等的通 訊方式進行非接觸通訊的構造時，從天線200到對方通訊裝置為止之Z-Z’方向的通訊距離，可設為0~數十公尺程度。再者，從天線200到對方通訊裝置為止的通訊距離，可因應天線200的通訊方式而任意設定。即使從天線200到對方通訊裝置為止的通訊距離為0，天線200與對方通訊裝置的天線也是非接觸。
天線200是可利用電磁耦合或磁耦合方式進行非接觸通訊的構造時，天線200接收或發送的訊號，可利用1kbps的低速到10Gbps以上的高速之寬廣的位元率(bit rate)來進行傳輸。再者，該訊號是高速時的位元率，為大略1Gbps以上。又，天線200是可利用無線LAN或Bluetooth(註冊商標)等的通訊方式進行非接觸通訊的構造時，天線200接收或發送之訊號的頻率，可設為2.4GHz或5GHz。再者，天線200之接收或發送的訊號的速度，可因應通訊方式而任意設定。天線200作為接收天線及發送天線任一皆可。
至少一個天線200，可利用金屬板、線圈或導體等構成。天線200是可利用電磁耦合方式進行非接觸通訊的構造時，以天線200相對於對方通訊裝置的天線的對向面積變大之方式，增加該天線200的至少一部分外形為佳。天線200是可利用磁耦合方式進行非接觸通訊的構造時，天線200設為環狀亦可。再者，天線200的形狀，可因應通訊方式而適切變更。
天線200以可利用非接觸方式與對方通訊裝 置進行通訊之方式，在Z-Z’方向之第1高度位置設置於基體100內。天線200配置於基體100的通訊區域的Z’方向側。基體100是塊狀體時，天線200在第1高度位置被封止於基體100內。換句話說，天線200以位於第1高度位置之方式插入成形於基體100內。
基體100是殼體時，天線200以位於第1高度位置之方式被收容於基體100內。此時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)天線200被基體100的底部或壁等保持。2)天線200被設置於基體100內的支持部支持。3)天線200被基體100內的至少一個內部連接部400支持。
天線200可設為複數個。此時，複數天線200全部作為接收天線亦可，複數天線200全部作為發送天線亦可，複數天線200的一部分為接收天線，且剩餘部分為發送天線亦可。
至少一個半導體元件300，係用以使天線200以非接出方式進行通訊(以非接觸方式接收或以非接觸方式發送)的半導體元件、半導體晶片或利用絕緣樹脂基體化的半導體裝置。例如，天線200是接收天線時，半導體零件300可設為具有遲滯特性的比較器等。天線200是發送天線時，半導體零件300可設為控制用以使天線200發送之訊號的上升時間(Rise Time)的Redriver等。再者，半導體零件300係因應通訊方式及半導體零件300是使天線200接收或是發送訊號者等而適切構成為佳。半導體零件300具有至少一個第1、第2連接部。半導體零件300的 第1、第2連接部，係電極或銷等。
至少一個半導體零件300係在第1高度位置或第2高度位置，設置於基體100內。第2高度位置係位於比第1高度位置更靠Z’方向側。例如，第2高度位置，係以位於第1高度位置的天線200，相較位於第2高度位置之半導體零件300的Z方向的端面，位於更靠Z方向側之方式，位於比第1高度位置更靠Z’方向側亦可。基體100是塊狀體且不具有收容孔110時，半導體零件300在第1高度位置或第2高度位置被封止於基體100內。換句話說，半導體零件300以位於第1高度位置或第2高度位置之方式插入成形於基體100內。
基體100是殼體時，半導體零件300以位於第1高度位置或第2高度位置之方式被收容於基體100內。此時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)半導體零件300被基體100的底部或壁等保持。2)半導體零件300被設置於基體100內的支持部支持。3)半導體零件300，被至少一個內部連接部400及至少一個外部連接部500的至少一方支持。
於基體100設置有收容孔110時，半導體零件300以位於第1高度位置或第2高度位置之方式被收容於基體100內。此時，半導體零件300被有底的孔即收容孔110的底面支持亦可，半導體零件300被中空支持於收容孔110內亦可。後者之狀況中，半導體零件300係被突出於至少一個內部連接部400的收容孔110內的突出部 420及/或突出於至少一個外部連接部500的收容孔110內的突出部511中空支持亦可。
半導體零件300被收容孔110的環狀壁即第1保護部110a包圍。藉由第1保護部110a，保護收容孔110內的半導體零件300。第1保護部110a的Z-Z’方向的尺寸，大於在收容孔110內被支持之半導體零件300的Z-Z’方向的尺寸為佳。但是，第1保護部110a的Z-Z’方向的尺寸，與在收容孔110內被支持之半導體零件300的Z-Z’方向的尺寸大略相同或較小亦可。
至少一個內部連接部400只要是電性連接天線200與半導體零件300者即可。內部連接部400例如可利用端子、銷、導線、纜線或導電引線等構成。內部連接部400直接連接於天線200亦可，透過具有導電性的其他構件間接連接亦可。或者，天線200及內部連接部400一體構成亦可。例如，天線200及內部連接部400以一張金屬板(例如導線框)構成亦可。內部連接部400直接連接於半導體零件300的第1連接部亦可，透過具有導電性的其他構件間接連接亦可。前者之狀況中，內部連接部400可設為對應半導體零件300的第1連接部之形狀(例如卡合孔或卡合凹部)。其他構件是端子、銷、導線、纜線或導電引線等。
至少一個內部連接部400配置於基體100內。基體100是塊狀體且未具有收容孔110時，內部連接部400被封止於基體100內。換句話說，內部連接部400 插入成形於基體100內。基體100是殼體時，內部連接部400被收容於基體100內。於基體100設置有收容孔110時，內部連接部400具有埋設部410，與突出部420。內部連接部400的埋設部410封止於基體100內。換句話說，內部連接部400的埋設部410插入成形於基體100內。內部連接部400的突出部420，係突出於收容孔110內，且如上所述，直接或間接連接於半導體零件300的第1連接部。
至少一個內部連接部400，可設為以天線200位於從半導體零件300往包含正交方向之成分的方向離開的位置之方式，延伸於包含該正交方向之成分的方向的構造。此時，天線200從半導體零件300往包含正交方向之成分的方向離開配置，或者天線200在與半導體零件300正交方向隔開間隔配置。正交方向只要是與Z-Z’方向正交的方向即可，作為Y-Y’方向亦可，作為X-X’方向亦可，作為Y-Y’方向及X-X’方向以外的方向亦可。
半導體零件300位於第2高度位置時，內部連接部400以天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2高度位置之方式折曲或彎曲。
內部連接部400可設為複數個。複數內部連接部400可設為電性連接一個天線200與一個半導體零件300的構造。再者，天線200及半導體零件300是複數個時，各內部連接部400電性連接各天線200與各半導體零件300亦可，複數內部連接部400電性連接各天線200與 各半導體零件300亦可。
在圖1A~圖2B中，天線200及一對內部連接部400以一張金屬板構成。一對內部連接部400的埋設部410，一體地連接於天線200的兩端。天線200及一對內部連接部400的埋設部410封止於基體100內。一對內部連接部400的突出部420，係突出於基體100的收容孔110內，分別連接於半導體零件300的第1連接部。一對內部連接部400係延伸於包含Y-Y方向(正交方向)之成分的方向，且以天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2高度位置之方式折曲。
再者，在圖1A~圖2B中，半導體零件300係在圖示中朝上而連接於內部連接部400，但圖示中朝下(以位於比內部連接部400更靠Z’方向側之方式)連接於內部連接部400亦可。此係也可適用於基體100是殼體或無收容孔110的塊狀體之狀況。
至少一個外部連接部500，可利用用以外部連接模組M1的端子、銷、導線或纜線構成。外部連接部500被基體100部分地保持。外部連接部500具有第1部510與第2部520。
第1部510直接連接於半導體零件300的第2連接部亦可，透過具有導電性的其他構件間接連接亦可。前者之狀況中，第1部510可設為對應半導體零件300的第2連接部之形狀(例如卡合孔或卡合凹部)。其他構件是端子、銷、導線、纜線或導電引線等。
第1部510配置於基體100內。基體100是塊狀體且未具有收容孔110時，第1部510被封止於基體100內。換句話說，第1部510插入成形於基體100內。基體100是殼體時，第1部510被配置於基體100內。於基體100設置有收容孔110時，第1部510具有埋設部，與突出部511。第1部510的埋設部被封止於基體100內。換句話說，第1部510的埋設部插入成形於基體100內。第1部510的突出部511，係突出於收容孔110內，且如上所述，直接或間接連接於半導體零件300的第2連接部。
第2部520配置於基體100外。該第2部520可連接於前述電子機器的基板等。第2部520從基體100的第2外面102或側面露出或突出於基體100外為佳。
外部連接部500也可設為複數個。複數外部連接部500分別連接於一個半導體零件300的複數第2連接部亦可。半導體零件300是複數個時，各外部連接部500的第1部510連接於各半導體零件300的一個第2連接部亦可，複數外部連接部500的第1部510連接於複數半導體零件300的複數第2連接部亦可。複數外部連接部500包含訊號傳輸用、接地用及/或暫存器用的外部連接部亦可。
在圖1A~圖2B中，複數外部連接部500之第1部510的埋設部被封止於基體100內，第1部510的突出部511，在收容孔110內分別連接於一個半導體零件 300的第2連接部。外部連接部500的第2部520，從基體100的Y’方向的側面、X方向的側面及X’方向的側面，突出於基體100外。再者，複數外部連接部500中一對外部連接部500a是訊號傳輸用，其以外的外部連接部500是接地用及暫存器用。
基體100是殼體或具有收容孔110的塊狀體時，模組M1更具備至少一個島部600亦可。至少一個島部600係藉由外部連接部500，被中空支持於殼體即基體100內或基體100的收容孔110內。島部600係中空支持載置於其上的半導體零件300。該半導體零件300透過島部600，連接於接地用的外部連接部500亦可。再者，可省略島部600。
在圖1~圖2B中，島部600藉由複數外部連接部500，被中空支持於基體100的收容孔110內。半導體零件300藉由島部600、內部連接部400的突出部420及外部連接部500的突出部511，在收容孔110內被中空支持。
模組M1更具備第1導電體S亦可。第1導電體S以金屬板或於外面蒸鍍金屬的樹脂板等構成。第1導電體S配置於基體100內的天線200的Z’方向側。基體100是塊狀體時，第1導電體S以位於天線200的Z’方向側之方式，被設置於基體100的保持孔保持亦可，被封止於基體100內亦可(插入成形亦可)。在圖1~圖2B中為前者。基體100是殼體時，第1導電體S以位於天線 200的Z’方向側之方式被收容於基體100內。在模組M1安裝於前述電子機器的基板上之狀態下，第1導電體S位於天線200與電子機器的基板之間。藉由第1導電體S，遮蔽從電子機器的基板洩漏的訊號(從比第1導電體S更靠第1方向的另一方洩漏的訊號)，所以，減低該訊號影響天線200的可能性。再者，第1導電體S接地亦可。此時，第1導電體S連接於接地用的外部連接部500亦可。可省略第1導電體S。
以下，針對模組M1的製造方法之一進行詳細說明。在此，基體100是具有收容孔110的塊狀體。又，天線200及一對內部連接部400以一張金屬板構成，或一對內部連接部400以金屬板構成。一對內部連接部400以金屬板構成時，一對內部連接部400的埋設部直接連接於天線200。
首先，準備前述的天線200及內部連接部400，準備複數外部連接部500及島部600。之後，對未圖示的模具進行合模，將天線200、內部連接部400、外部連接部500的第1部510及島部600配置於模具的空腔內。模具的合模工程，係包含天線200配置於對應空腔內的第1高度位置的位置、內部連接部400的突出部420及外部連接部500的第1部510的突出部511配置於所定位置、外部連接部500的第2部520收容於模具的收容孔、及模具的突部抵接內部連接部400的突出部420、外部連接部500的第1部510的突出部511及島部600。之後， 將絕緣樹脂射出至空腔內，於該絕緣樹脂，插入成形天線200、內部連接部400的埋設部410及外部連接部500的第1部510的埋設部。已硬化的絕緣樹脂成為基體100，因應模具的突部的形狀，於基體100形成收容孔110。藉由該插入成形，天線200、內部連接部400的埋設部410及第1部510的埋設部被基體100封止，且天線200被配置於基體100內的第1高度位置。內部連接部400的突出部420、外部連接部500的第1部510的突出部511及島部600被配置於收容孔110內，外部連接部500的第2部520從基體100突出至外部。之後，使模具脫離，取出天線200、內部連接部400、外部連接部500、島部600及基體100。
之後，準備半導體零件300。將該半導體零件300收容於收容孔110內，載置於島部600上，配置於基體100內的第1高度位置或第2高度位置。之後，將半導體零件300的第1連接部，利用焊錫等連接於內部連接部400的突出部420，將半導體零件300的第2連接部，利用焊錫等連接於外部連接部500的第1部510的突出部511。
再者，即使於前述製造方法中，省略島部600亦可。半導體零件600被收容於收容孔110內之後，於收容孔110灌注絕緣樹脂，以絕緣樹脂埋入收容孔110亦可。此時，基體100成為無收容孔110的塊狀體。模組M1具備第1導電體S時，在半導體零件300的收容工程 之前後，將第1導電體S插入至基體100的保持孔為佳。或者，前述模具的合模工程，包含將第1導電體S在空腔內配置於天線200的Z’方向側，插入成形工程，更包含於射出至空腔內的絕緣樹脂，插入成形第1導電體S亦可。再者，半導體零件300被配置於第2高度位置時，所準備的內部連接部400是以天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2高度位置之方式折曲或彎曲者為佳。如上所述般，製造模組M1。
前述之模組M1係具有以下的技術特徵。第1，模組M1的通訊精度提升。其理由如下所述。天線200位於基體100內的第1高度位置，半導體零件300位於第1高度位置或第2高度位置，故天線200位於基體100的第1外面101的通訊區域附近。因此，在對方通訊裝置接近配置於通訊區域的Z方向側時，天線200與對方通訊裝置的Z-Z’方向的距離變近。尤其，第1高度位置的天線200，位於比第2高度位置的半導體零件300之Z方向的端面更靠Z方向側時，天線200與對方通訊裝置之Z-Z’方向的距離，比半導體零件300與對方通訊裝置之Z-Z’方向的距離還近，所以，可更提升模組M1的通訊精度。
第2，可減低模組M1的Z-Z’方向的尺寸。其理由如下所述。天線200在與半導體零件300正交方向隔開間隔配置時，相較於天線200及半導體零件300並排於Z-Z’方向之狀況，模組M1的Z-Z’方向的尺寸變小。即使天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2 高度位置之狀況中，也可藉由天線200在與半導體零件300對於Z-Z’方向的正交方向隔開間隔配置，一邊提升模組M1的通訊精度，一邊減低模組M1的Z-Z’方向的尺寸。
第3，基體100是殼體或具有收容孔110的塊狀體時，模組M1的萬用性會提升。其理由如下所述。因為僅利用將因應模組M1的用途(接收用或發送用)、功能(通訊速度及通訊距離)等所適切選擇的半導體零件300插入至收容孔110內，將半導體零件300電性連接於內部連接部400的突出部420及外部連接部500之第1部510的突出部511，即可改變模組M1的用途及功能。
第4，天線200及內部連接部400以一張金屬板構成時，易於將天線200配置於第1高度位置，且將半導體零件300配置於第2高度位置。其理由如下所述。基體100是殼體或無收容孔110的塊狀體時，僅利用折曲或彎曲內部連接部400的一部分，使該內部連接部400連接於半導體零件300，將該天線200、內部連接部400及半導體零件300配置於基體100內，即可將天線200配置於第1高度位置，且將半導體零件300配置於第2高度位置。基體100是具有收容孔110的塊狀體時，僅利用折曲或彎曲內部連接部400的一部分，將天線200及內部連接部400配置於基體100內，讓半導體零件300收容於基體100的收容孔110內，並連接於內部連接部400的突出部420，即可將天線200配置於第1高度位置，且將半導體 零件300配置於第2高度位置。再者，內部連接部400以金屬板構成之狀況中，模組M1也可獲得與本段落記載相同的技術特徵。
第5，天線200及內部連接部400以一張金屬板構成時，可減低模組M1的零件數量。
[實施例2]
以下，針對本發明的實施例2之非接觸通訊模組M1’(以下，也稱為模組M1’)，一邊參照圖3A，一邊詳細說明。再者，於圖3A中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M1’不具備島部600，更具備基板700(第3基板)之處，與模組M1在構造上不同。其以外的模組M1’的構造與模組M1的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M1’的說明中與模組M1重複的說明。
基板700是剛性基板、可撓性基板或剛撓性基板。於基板700的安裝面上，安裝有至少一個半導體零件300。基板700的安裝面設為基板700的Z方向之面及Z’方向之面任一皆可。基板700以至少一個半導體零件300位於基體100內的第1高度位置或第2高度位置之方式配置於基體100內。
基體100是塊狀體且不具有收容孔110時，基板700以至少一個半導體零件300位於第1高度位置或 第2高度位置之方式被封止於基體100內。換句話說，基板700插入成形於基體100內。
基體100是殼體時，基板700以至少一個半導體零件300位於第1高度位置或第2高度位置之方式被收容於基體100內。此時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)基板700被基體100的底部或壁等保持。2)基板700被設置於基體100內的支持部支持。3)基板700被基體100內的內部連接部400及外部連接部500至少一方支持。
於基體100設置有收容孔110時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)以至少一個半導體零件300位於第1高度位置或第2高度位置之方式，基板700的一部分(例如，Y方向的端部、Y’方向的端部、X方向的端部、及/或X’方向的端部)被封止於基體內，且基板700的安裝面的一部份透過收容孔110露出於基體100外。2)以至少一個半導體零件300位於第1高度位置或第2高度位置之方式，基板700被載置於有底的孔即收容孔110的底部，且基板700的安裝面的一部份透過收容孔110露出於基體100外。3)以至少一個半導體零件300位於第1高度位置或第2高度位置之方式，基板700於收容孔110內被內部連接部400及/或外部連接部500中空支持，且基板700的安裝面的一部份透過收容孔110露出於基體100外。在圖3A中，成為1)。
至少一個內部連接部400，係連接於基板 700，且透過基板700連接於半導體零件300的第1連接部。至少一個外部連接部500的第1部510，係連接於基板700，且透過基板700連接於半導體零件300的第2連接部。於基板700的面上或內部，設置有未圖示的至少一個第1導電線，與未圖示之至少一個第2導電線。至少一個第1導電線，連接內部連接部400與半導體零件300的第1連接部。至少一個第2導電線，連接外部連接部500的第1部510與半導體零件300的第2連接部。
內部連接部400是複數個，且一個半導體零件300的第1連接部是複數個時，複數第1導電線分別連接複數內部連接部400與一個半導體零件300的複數第1連接部。內部連接部400及半導體零件300是複數個時，複數第1導電線分別連接複數內部連接部400與複數半導體零件300的一個第1連接部亦可，複數第1導電線分別連接複數內部連接部400與複數半導體零件300的複數第1連接部亦可。
外部連接部500是複數個，且一個半導體零件300的第2連接部是複數個時，複數第2導電線分別連接複數外部連接部500的第1部510與一個半導體零件300的複數第2連接部。外部連接部500是複數個，且半導體零件300是複數個時，複數第2導電線分別連接複數外部連接部500的第1部510與複數半導體零件300的一個第2連接部亦可，複數第2導電線分別連接複數外部連接部500的第1部510與複數半導體零件300的複數第2 連接部亦可。
以下，針對模組M1’的製造方法之一進行詳細說明。在此，基體100是具有收容孔110的塊狀體。又，天線200及一對內部連接部400以一張金屬板構成，或一對內部連接部400以金屬板構成。一對內部連接部400以金屬板構成時，一對內部連接部400的埋設部直接連接於天線200。
首先，準備前述的天線200及內部連接部400，準備複數外部連接部500及基板700。將內部連接部400及外部連接部500，分別利用焊錫等連接於基板700。之後，對未圖示的模具進行合模，將天線200、內部連接部400、外部連接部500的第1部510及基板700配置於模具的空腔內。模具的合模工程，包含天線200配置於對應空腔內的第1高度位置的位置、外部連接部500的第2部520被收容於模具的收容孔、及模具的突部抵接於基板700的安裝面的一部分。之後，將絕緣樹脂射出至空腔內，於該絕緣樹脂，插入成形天線200、內部連接部400、基板700及外部連接部500的第1部510。已硬化的絕緣樹脂成為基體100，因應模具的突部的形狀，於基體100形成收容孔110。藉由該插入成形，天線200、內部連接部400、基板700及外部連接部500的第1部510被基體100封止，且天線200被配置於基體100內的第1高度位置。基板700的安裝面的一部分從收容孔110露出至外部，外部連接部500的第2部520從基體100突出至 外部。之後，使模具脫離，取出天線200、內部連接部400、外部連接部500、基板700及基體100。
之後，準備半導體零件300。使該半導體零件300收容於收容孔110內，安裝於基板700。藉此，半導體零件300被配置於基體100內的第1高度位置或第2高度位置，半導體零件300的第1連接部透過基板700分別連接於內部連接部400，半導體零件300的第2連接部透過基板700分別連接於外部連接部500的第1部510。之後，如模組M1的製造方法般，於收容孔110灌注絕緣樹脂亦可。再者，半導體零件300被配置於第2高度位置時，所準備的內部連接部400是以天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2高度位置之方式折曲或彎曲者為佳。模組M1’具備第1導電體S時，如模組M1的製造方法般，可讓基體100保持第1導電體S。如上所述般，製造模組M1’。
前述的模組M1’具有模組M1的第1~第5技術特徵。
[實施例3]
以下，針對本發明的實施例3之非接觸通訊模組M1”(以下，也稱為模組M1”)，一邊參照圖3B，一邊詳細說明。再者，於圖3B中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M1”具備基板700’(第3基板)來代替外 部連接部500及基板700之處，與模組M1’在構造上不同。其以外的模組M1”的構造與模組M1’的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M1”的說明中與模組M1’重複的說明。
基板700’在Y’方向的端部突出至基體100外之處，與基板700不同以外，是與基板700相同的構造。基板700’具有外部連接部710’。外部連接部710’具有第1部711’及第2部712’。第1部711’是基板700’的基體100內的一部分。第2部712’是基板700’突出至基體100外的端部。於基板700’的面上及/或內部，設置有未圖示之至少一個第1導電線。基板700’的至少一個第1導電線，係與基板700的第1導電線相同的構造。於外部連接部710’的面上及/或外部連接部710’的內部，更設置有未圖示之至少一個第2導電線。外部連接部710’的至少一個第2導電線，除了以下所述之處，與基板700的第2導電線相同的構造。外部連接部710’的至少一個第2導電線，具有連接於半導體零件300的第2連接部，且位於基體100外的端部。該第2導電線的端部，設置於第2部712’。第2部712’直接連接於電子機器的基板亦可，透過纜線等間接連接於前述基板亦可。後者之狀況中，基體100的第1外面101以接著劑等固接於電子機器的框體亦可。
以下，針對模組M1”的製造方法之一進行詳細說明。與模組M1’的製造方法相同，準備天線200及一 對內部連接部400，且準備基板700’。將內部連接部400分別利用焊錫等連接於基板700’。之後，對未圖示的模具進行合模，將天線200、內部連接部400及基板700’之第2部712’以外的部分配置於模具的空腔內。模具的合模工程，包含天線200配置於對應空腔內的第1高度位置的位置、基板700’的第2部712’被收容於模具的收容孔、及模具的突部抵接於基板700’的安裝面的一部分。之後，將絕緣樹脂射出至空腔內，於該絕緣樹脂，插入成形天線200、內部連接部400及基板700’的第2部712’以外的部分。已硬化的絕緣樹脂成為基體100，因應模具的突部的形狀，於基體100形成收容孔110。藉由該插入成形，天線200、內部連接部400及基板700’之第2部712’以外的部分被基體100封止，且天線200被配置於基體100內的第1高度位置。基板700的安裝面的一部分從收容孔110露出至外部，基板700’的第2部712’從基體100突出至外部。之後，使模具脫離，取出天線200、內部連接部400、基板700’及基體100。
模組M1”的製造方法之半導體零件300的安裝工程，將半導體零件300安裝於基板700’來代替安裝於基板700為佳。模組M1”的製造方法，係如模組M1的製造方法般，可作為1)及/或2)。1)於收容孔110灌注絕緣樹脂亦可。2)模組M1”具備第1導電體S時，讓基體100保持第1導電體S亦可。如上所述般，製造模組M1”。
前述的模組M1”具有模組M1的第1~第5技 術特徵。而且，基板700’具有外部連接部710’，故可更減低模組M1”的零件數量。
[實施例4]
以下，針對本發明的實施例4之非接觸通訊模組M2(以下，也稱為模組M2)，一邊參照圖4，一邊詳細說明。再者，於圖4中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M2不具備島部600，且具備基板800(第1基板)代替內部連接部400之處，與模組M1在構造上不同。其以外的模組M2的構造與模組M1的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M2的說明中與模組M1重複的說明。
基板800是可撓性基板或剛撓性基板。基板800具有內部連接部810。內部連接部810具有第1部811、第2部812、中間部813。於第1部811上，設置有至少一個天線200。該天線200以金屬板、線圈或導體等構成。第2部812電性連接於半導體零件300。具體來說，於第2部812上，安裝有半導體零件300。第2部812的安裝面設為第2部812的Z方向之面及Z’方向之面任一皆可。於內部連接部810的面上或內部，設置有未圖示之至少一個第1導電線。內部連接部810的至少一個第1導電線，除了以下所述之處，與基板700的第1導電線相同的構造。至少一個第1導電線，連接天線200與半導 體零件300的第1連接部。
於基板800的第2部812，連接有至少一個外部連接部500的第1部510。亦即，至少一個外部連接部500透過基板800，連接於半導體零件300的第2連接部。於基板800的面上或內部，設置有未圖示之至少一個第2導電線。基板800的至少一個第2導電線，係與基板700的第2導電線相同的構造。中間部813以至少一個天線200位於第1高度位置，且至少一個半導體零件300位於第2高度位置之方式彎曲。
基體100是塊狀體且不具有收容孔110時，基板800以至少一個天線200位於第1高度位置，且至少一個半導體零件300位於第2高度位置之方式被封止於基體100內。換句話說，基板800插入成形於基體100內。
基體100是殼體時，基板800以至少一個天線200位於第1高度位置，且至少一個半導體零件300位於第2高度位置之方式被收容於基體100內。此時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)基板800的第1部811被基體100的壁等保持，基板800的第2部812被基體100的底部或壁等保持。2)基板800的第1部811被設置於基體100內的第1支持部支持，基板800的第2部812被設置於基體100內的第2支持部支持。3)基板800的第1部811被基體100的壁及第1支持部等保持，基板800的第2部812被基體100內的至少一個外部連接部500支持。
於基體100設置有收容孔110時，基板800 以至少一個天線200位於第1高度位置，且至少一個半導體零件300位於第2高度位置之方式被封止於基體100內。換句話說，基板800插入成形於基體100內。此時，可能成為以下1)~3)中任一狀況。1)基板800的第2部812之安裝面的一部分成為收容孔110的底面。2)基板800的第2部812，係被載置於有底的孔即收容孔110的底部，且第2部812的安裝面的一部分透過收容孔110露出於基體100外。3)基板800的第2部812，係於收容孔110內藉由至少一個外部連接部500中空支持，且第2部812的安裝面的一部分透過收容孔110露出於基體100外。在圖4中，成為1)。
以下，針對模組M2的製造方法之一進行詳細說明。在此，基體100是具有收容孔110的塊狀體。首先，準備天線200設置於第1部811的基板800及複數外部連接部500。將外部連接部500分別利用焊錫等連接於基板800的第2部812。
之後，對未圖示的模具進行合模，將天線200、基板800及外部連接部500的第1部510配置於模具的空腔內。模具的合模工程，包含天線200配置於對應空腔內的第1高度位置的位置、外部連接部500的第2部520被收容於模具的收容孔、及模具的突部抵接於基板800的第2部812之安裝面的一部分。之後，將絕緣樹脂射出至空腔內，於該絕緣樹脂，插入成形天線200、基板800及外部連接部500的第1部510。已硬化的絕緣樹脂 成為基體100，因應模具的突部的形狀，於基體100形成收容孔110。藉由該插入成形，天線200、基板800及外部連接部500的第1部510被基體100封止，且天線200被配置於基體100內的第1高度位置。基板800的第2部812之安裝面的一部分從收容孔110露出至外部，外部連接部500的第2部520從基體100突出至外部。之後，使模具脫離，取出天線200、基板800、外部連接部500及基體100。
之後，準備半導體零件300。使該半導體零件300收容於收容孔110內，安裝於基板800的第2部812。藉此，半導體零件300被配置於基體100內的第2高度位置，半導體零件300的第1連接部分別連接於基板800的內部連接部810的第1導電線，半導體零件300的第2連接部透過基板800的第2導電線分別連接於外部連接部500的第1部510。之後，如模組M1的製造方法般，於收容孔110灌注絕緣樹脂亦可。再者，模組M2具備第1導電體S時，如模組M1的製造方法般，可讓基體100保持第1導電體S。如上所述般，製造模組M2。
前述的模組M2具有模組M1的第1~第4技術特徵。
[實施例5]
以下，針對本發明的實施例5之非接觸通訊模組M3(以下，也稱為模組M3)，一邊參照圖5A，一邊 詳細說明。再者，於圖5A中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M3在具備至少一個天線200’及至少一個內部連接部400’，來代替至少一個天線200及至少一個內部連接部400之處，與模組M1在構造上不同。其以外的模組M3的構造與模組M1的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M3的說明中與模組M1重複的說明。
至少一個天線200’及至少一個內部連接部400’，係以一張金屬板(例如導線框)所構成。在圖5A中，一對內部連接部400’(圖示一個)，一體地連接於天線200’的兩端。
至少一個天線200’及至少一個內部連接部400’，係與模組M1的天線200及內部連接部400相同，配置於基體100內。至少一個天線200’係位於第1高度位置。至少一個內部連接部400’延伸於Y-Y’方向，故天線200從半導體零件300往Y-Y’方向(與Z-Z’方向正交的方向)離開配置。
至少一個半導體零件300係在基體100內的第2高度位置，且位於比內部連接部400’更靠Z’方向。半導體零件300的第1連接部，係直接或透過其他構件間接地連接於內部連接部400’。其他構件是導線、纜線或導電引線等。
於基體100設置有收容孔110時，收容孔110 作為設置於第2外面102，開口於Z’方向之有底的孔亦可，作為從第1外面101貫通至第2外面102，且開口於Z方向及Z’方向的貫通孔亦可。任一狀況中，至少一個半導體零件300係在比收容孔110內的至少一個內部連接部400’更靠Z’方向，直接或透過其他構件間接地連接於該內部連接部400’的突出部420’。此時的內部連接部400’具有埋設部410’與突出部420’。埋設部410’被封止於基體100內。突出部420’係突出於收容孔110內，且如上所述地連接於半導體零件300的第1連接部。
模組M3更具備島部600及/或第1導電體S亦可。該模組M3與模組M1同樣地製造。模組M3具有模組M1的第1~第5技術特徵。
[實施例6]
以下，針對本發明的實施例6之非接觸通訊模組M3’(以下，也稱為模組M3’)，一邊參照圖5B，一邊詳細說明。再者，於圖5B中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M3’不具備島部600，更具備基板700(第3基板)之處，與模組M3在構造上不同。其以外的模組M3’的構造與模組M3的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M3’的說明中與模組M3重複的說明。
模組M3’的基板700與模組M1’的基板700大 略相同構造。模組M3’的基板700的安裝面是基板700的Z’方向之面。至少一個半導體零件300被安裝於基板700的安裝面。內部連接部400’係連接於基板700的Z方向之面(安裝面的相反側之面)，且透過基板700連接於半導體零件300的第1連接部。如此一來，半導體零件300在比內部連接部400’更靠Z’方向，透過基板700連接於該內部連接部400’，且位於基體100的第2高度位置。
模組M3’更具備第1導電體S亦可。該模組M3’與模組M1’同樣地製造。模組M3’具有模組M1的第1~第5技術特徵。
[實施例7]
以下，針對本發明的實施例7之非接觸通訊模組M3”(以下，也稱為模組M3”)，一邊參照圖5C，一邊詳細說明。再者，於圖5C中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M3”具備基板700’(第3基板)來代替外部連接部500及基板700之處，與模組M3’在構造上不同。其以外的模組M3”的構造與模組M3’的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M3”的說明中與模組M3’重複的說明。
模組M3”的基板700’與模組M1”的基板700’大略相同構造。基板700’具有外部連接部710’。外部連接部710’具有第1部711’及第2部712’。第2部712’透 過纜線等間接地連接於電子機器的基板時，基體100的第1外面101利用接著劑等固接於電子機器的框體亦可。模組M3”的基板700’的安裝面是基板700’的Z’方向之面。至少一個半導體零件300被安裝於基板700’的安裝面。至少一個內部連接部400’係連接於基板700’的Z方向之面(安裝面的相反側之面)，且透過基板700’連接於半導體零件300的第1連接部。如此一來，半導體零件300在比內部連接部400’更靠Z’方向，透過基板700連接於該內部連接部400’，且位於基體100的第2高度位置。
模組M3”更具備第1導電體S亦可。該模組M3”與模組M1”同樣地製造。模組M3”具有模組M1的第1~第5技術特徵。而且，基板700’具有外部連接部710’，故可更減低模組M3”的零件數量。
[實施例8]
以下，針對本發明的實施例8之非接觸通訊模組M4(以下，也稱為模組M4)，一邊參照圖6A，一邊詳細說明。再者，於圖6A中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M4在具備基板800”(第2基板)來代替基板800之處，與模組M2在構造上不同。其以外的模組M4的構造與模組M2的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M4的說明中與模組M2重複的說明。
模組M4的基板800”是剛性基板、可撓性基板或剛撓性基板。模組M4的基板800”係除了延伸於Y-Y’方向以外，與模組M2的基板800大略相同構造，與模組M2的基板800同樣地配置於基體100。基板800”具有內部連接部810”。內部連接部810”具有第1部811”與第2部812”。於第1部811”的Z方向之面811a”(申請專利範圍的第1面)上，設置有至少一個天線200。至少一個天線200係位於基體100內的第1高度位置。
基板800”的安裝面812a”(申請專利範圍的第2面)，係基板800”的內部連接部810”之第2部812”的Z’方向之面。至少一個半導體零件300被安裝於內部連接部810”的第2部812”的安裝面812a”。或者，至少一個半導體零件300配置於比內部連接部810”的第2部812”的安裝面812a”更靠Z’方向側，且透過其他構件間接地連接於基板800”亦可。其他構件是端子、銷、導線、纜線或導電引線等。如此一來，至少一個半導體零件300在比內部連接部810”更靠Z’方向，連接於該內部連接部810”，且位於基體100內的第2高度位置。
如上所述，因為基板800”延伸於Y-Y’方向，故天線200從半導體零件300往Y-Y’方向(與Z-Z’方向正交的方向)離開配置。再者，模組M4的至少一個外部連接部500，與模組M2的外部連接部500相同構造。
於基體100設置有收容孔110時，收容孔110作為設置於第2外面102，開口於Z’方向之有底的孔亦 可，作為從第1外面101貫通至第2外面102，且開口於Z-Z’方向的貫通孔亦可。任一狀況中，至少一個半導體零件300在比收容孔110內的內部連接部810”的第2部812”更靠Z’方向，連接於第2部812”。
模組M4更具備第1導電體S亦可。該模組M4與模組M2同樣地製造。模組M4具有與模組M2相同的技術特徵。
[實施例9]
以下，針對本發明的實施例9之非接觸通訊模組M4’(以下，也稱為模組M4’)，一邊參照圖6B，一邊詳細說明。再者，於圖6B中，也與圖1D相同揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M4’具備基板800”’(第2基板)來代替外部連接部500及基板800”之處，與模組M4在構造上不同。其以外的模組M4’的構造與模組M4的構造相同。以下，僅針對其不同點詳細說明，省略關於模組M4’的說明中與模組M4重複的說明。
模組M4’的基板800”’是剛性基板、可撓性基板或剛撓性基板。模組M4’的基板800”’除了延伸於Y-Y’方向以外，與模組M2”’的基板800’大略相同構造。基板800”’具有內部連接部810”’與外部連接部820”’。基板800”’的內部連接部810”’及外部連接部820”’的第2部822’以外的部分，配置於基體100內。內部連接部810”’具有 第1部811”’與第2部812”’。於第1部811”’的Z方向之面811a”’(申請專利範圍的第1面)上，設置有至少一個天線200。至少一個天線200係位於基體100內的第1高度位置。
基板800”’的安裝面812a”’(申請專利範圍的第2面)，係基板800”’的內部連接部810”’之第2部812”’的Z’方向之面。至少一個半導體零件300被安裝於內部連接部810”’的第2部812”’的安裝面812a”’。或者，至少一個半導體零件300配置於比內部連接部810”’的第2部812”’的安裝面812a”’更靠Z’方向側，且透過其他構件間接地連接於基板800”’亦可。其他構件是端子、銷、導線、纜線或導電引線等。如此一來，至少一個半導體零件300在比內部連接部810”’更靠Z’方向，連接於該內部連接部810”，且位於基體100內的第2高度位置。
如上所述，因為基板800”’延伸於Y-Y’方向，故天線200從半導體零件300往Y-Y’方向(與Z-Z’方向正交的方向)離開配置。
模組M4’的基板800”’的外部連接部820”’與模組M2”’的基板800’的外部連接部820’相同構造。外部連接部820”’具有第1部821”’與第2部822”’。第1部821”’是外部連接部820”’的基體100內的一部分。第2部822”’是外部連接部820’突出至基體100外的端部。
於基體100設置有收容孔110時，收容孔110作為設置於第2外面102，開口於Z’方向之有底的孔亦 可，作為從第1外面101貫通至第2外面102，且開口於Z-Z’方向的貫通孔亦可。任一狀況中，至少一個半導體零件300在比收容孔110內的內部連接部810”’的第2部812”’更靠Z’方向，連接於第2部812”’。
模組M4’更具備第1導電體S亦可。該模組M4’與模組M2”’同樣地製造。模組M4’具有與模組M2”’相同的技術特徵。
[實施例10]
以下，針對本發明的實施例10之非接觸通訊模組M5(以下，也稱為模組M5)，一邊參照圖7A~圖9B，一邊詳細說明。再者，於圖7A~圖8A中，也與圖1A等相同揭示Z-Z’方向、Y-Y’方向及X-X’方向。於圖8B~圖9B，揭示Z-Z’方向及Y-Y’方向。
模組M5具備基體100’、至少一個天線200”、至少一個半導體零件300、至少一個內部連接部900、至少一個外部連接部1000。
基體100’是絕緣樹脂製的塊狀體。該基體100’具有第1外面101’。第1外面101’係位於基體100’的Z方向之面(表面)的全區域或一部分的第1區域(參照圖7A~圖8B)，且位於Z-Z’方向之第1高度位置。第1外面101’具有通訊區域。對方通訊裝置可近距離配置於基體100’的通訊區域的Z方向。
基體100’更具有第2外面102’亦可。第2外 面102’是位於基體100’的第2高度位置的外面即可。第2高度位置係位於比第1高度位置更靠Z’方向側。
第2外面102’可設為與基體100’的Z方向之面的第1區域不同的第2區域。此時，基體100’更具有厚邊部110’與薄邊部120’為佳。厚邊部110’可設置於基體100’的任意處。例如，厚邊部110’係如圖7A~圖8B所示般，可設為基體100’之Y方向的端部，或設為基體100’之Y-Y’方向的中間部。厚邊部110’的Z方向之面，可設為第1外面101’。厚邊部110’之Z-Z’方向的尺寸，係成為如第1外面101’位於Z-Z’方向之第1高度位置的尺寸。薄邊部120’可設置於基體100’的與厚邊部110’不同之任意處。薄邊部120’的Z方向之面，可設為第2外面102’。薄邊部120’之Z-Z’方向的尺寸，係成為如比厚邊部110’的Z-Z’方向的尺寸還小，且第2外面102’位於Z-Z’方向之第2高度位置的尺寸。
薄邊部120’以位於厚邊部110’的旁邊之方式設置於基體100’亦可。例如，厚邊部110’是基體100’之Y方向的端部時，薄邊部120’係如圖7A~圖8B所示，可設為基體100’之Y’方向的端部，或設為基體100’之Y-Y’方向的中間部。厚邊部110’是基體100’的中間部時，薄邊部120’可設為基體100’之Y方向的端部或Y’方向的端部。
基體100’更具有第3外面103’亦可。第3外面103’可設為與基體100’的Z方向之面的第1區域和第2 區域不同的第3區域。第3外面103’係從第1外面101’傾斜或直角地延伸至第2外面102’。第3外面103’可設為平坦面、圓弧面、或凹凸面。再者，在圖7A~圖8B中，第3外面103’係從第1外面101’傾斜地延伸至第2外面102’的平坦面。
基體100’更具有第4外面104’亦可。第4外面104’可設為基體100’的Z’方向之面(背面)的至少一部分區域。第4外面104’可設為例如，可安裝於未圖示之電子機器的基板等的安裝面或可固定於前述電子機器的框架等的固定面，但並不限定於此。基體100’更具有至少一個第5外面105’亦可。第5外面105’係基體100’的側面，從第1外面101’及第2外面102’的至少一方延伸至第4外面104’為佳。第5外面105’可設為平坦面、圓弧面、或凹凸面。在圖7A~圖8B中，複數圓弧狀的第5外面105’從第2外面102’延伸至第4外面104’。
在其他樣態的基體100’中，如圖9A及圖9B所示般，第2外面102’可設為基體100’的Z’方向之面(背面)的至少一部分區域。此時，第2外面102’可設為例如，可安裝於未圖示之電子機器的基板等的安裝面或可固定於前述電子機器的框架等的固定面，但並不限定於此。第3外面103’係例如基體100’的側面，或設置於基體100’之未圖示的孔或缺口的壁面，且從第1外面101’延伸至第2外面102’為佳。該第3外面103’也可設為平坦面、圓弧面、或凹凸面。再者，其他樣態的樣態100’也具 有厚邊部及薄邊部亦可。
再者，可省略前述之第2外面102’、第3外面103’、第4外面104’、第5外面105’、厚邊部110’及/或薄邊部120’。
至少一個天線200”以可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊之方式設置於基體100’的第1外面101’上，且在第1高度位置位於基體100’的第1外面101上。天線200”可設為可利用與模組M1的天線200相同的通訊方式，來與對方通訊裝置進行通訊的構造。
至少一個天線200”，可利用金屬板、線圈或導體等構成。
或者，至少一個天線200”可設為形成於前述任一樣態的基體100’的第1外面101’上的金屬膜。該天線200”可藉由在利用噴墨印刷機等的印刷機所致之描繪，作成於第1外面101’上，或利用濺鍍、無電解電鍍或者蒸鍍，於第1外面101’上形成金屬膜之後，藉由雷射或藥劑的蝕刻，去除金屬膜不需要的部分(成為天線200”以外的部分)來作成。
或者，至少一個天線200”可設為形成於前述任一樣態的基體100’之第1外面101’的第1電鍍觸媒130’上的電鍍膜(金屬膜)。第1電鍍觸媒130’係形成於基體100’的第1外面101’上，且具有對應天線200”之形狀的形狀。此時，於基體100’內，如圖8B所示般，金屬複合體(metal complex)M被分散。第1外面101’的金屬複合 體M中一部分(對應天線200”之形狀的對應)的金屬複合體M，藉由雷射而活性化。被活性化的金屬複合體M成為第1電鍍觸媒130’。天線200”利用無電解電鍍形成於該第1電鍍觸媒130’上。再者，在圖8B中，為了說明，誇張表示金屬複合體M的大小。在圖9A~圖9B中，圖示省略金屬複合體。此外，也可藉由Molded Interconnect Device(MID)之公知的作成方法，作成第1電鍍觸媒130’及天線200”。
天線200”的形狀，可因應通訊方式而適切變更。在圖7A~圖8B中，天線200”設為環狀。天線200”可設為複數個。此時，複數天線200”全部作為接收天線亦可，複數天線200”全部作為發送天線亦可，複數天線200”的一部分為接收天線，且剩餘部分為發送天線亦可。
至少一個半導體零件300可設為與實施例1的半導體零件300相同的構造。半導體零件300安裝於前述任一樣態的基體100’的第1外面101’或第2外面102’上。例如，在半導體零件300安裝於第2外面102’上時，第1外面101’上的天線200”位於比第2外面102’上的半導體零件300之Z方向端面更靠Z方向側亦可。此時，第1外面101’位於比第2外面102’上的半導體零件300之Z方向的端面更靠Z方向為佳。
至少一個內部連接部900只要是電性連接天線200”與半導體零件300者即可。
至少一個內部連接部900，可利用端子、銷、 導線或纜線等構成。此時，內部連接部900設置於前述任一樣態的基體100’上亦可，設置於前述任一樣態的基體100’內亦可，設置於前述任一樣態的基體100’外亦可。
或者，至少一個內部連接部900可設為形成於前述任一樣態的基體100’上的金屬膜。此時，至少一個內部連接部900，係於後述A)~C)的狀況中，可設為如以下的構造。
A)天線200”及半導體零件300設置於基體100’的第1外面101’上(參照圖9A)。B)天線200”設置於基體100’的第1外面101’上，且半導體區域300設置於基體100’的Z方向之面的前述第2區域即第2外面102’上(圖7A~圖8B)。C)天線200”設置於基體100’的第1外面101’上，且半導體區域300設置於基體100’的Z’方向之面的至少一部分區域即第2外面102’上(參照圖9B)。
A)的狀況中，內部連接部900形成於第1外面101’上為佳。B)及C)任一狀況中，如以下a)或b)。a)內部連接部900形成於第2外面102’及第3外面103’上。b)內部連接部900形成於第1外面101’、第2外面102’及第3外面103’上。
金屬膜的內部連接部900藉由與金屬膜的天線200”相同方法，形成於基體100’的前述之一或複數外面上。再者，內部連接部900連接於金屬膜的天線200”亦可，連接於以金屬膜以外所構成的天線200”亦可。前者的狀況中，天線200”及至少一個內部連接部900以一 個金屬膜構成。
或者，至少一個內部連接部900可設為形成於基體100’之外面的第2電鍍觸媒140’上的電鍍膜(金屬膜)。內部連接部900及第2電鍍觸媒140’，係於前述A)~C)的狀況中，可設為如以下的構造。
A)的狀況中，第2電鍍觸媒140’因應內部連接部900的形狀，形成於第1外面101’上，且內部連接部900形成於第1外面101’的第2電鍍觸媒140’上。B)及C)任一狀況中，如以下c)或d)。c)第2電鍍觸媒140’因應內部連接部900的形狀，形成於第2外面102’及第3外面103’上，且內部連接部900形成於第2外面102’及第3外面103’的第2電鍍觸媒140’上。d)第2電鍍觸媒140’因應內部連接部900的形狀，形成於第1外面101’、第2外面102’及第3外面103’上，且內部連接部900形成於第1外面101’、第2外面102’及第3外面103’的第2電鍍觸媒140’上。任一狀況中，第2電鍍觸媒140’都連續於第1電鍍觸媒130’，且內部連接部900連續於天線200”為佳。亦即，第1電鍍觸媒130’及第2電鍍觸媒140’以一個電鍍觸媒構成，且天線200”及內部連接部900以一個電鍍膜構成為佳。再者，電鍍膜的內部連接部900連接於電鍍膜以外的天線200”亦可。第2電鍍觸媒140’藉由與第1電鍍觸媒130’相同的方法，形成於基體100’的前述之一或複數外面上，且電鍍膜的內部連接部900也藉由與電鍍膜的天線200”相同方法，形成於第2電鍍觸媒140’ 上。
前述任一樣態的內部連接部900具有第1部與第2部。內部連接部900的第1部連接或連續於天線200”。內部連接部900的第2部連接於半導體零件300的第1連接部。前述任一樣態的內部連接部900係只要第1部連接或連續於天線200”，且第2部連接於半導體零件300的第1連接部，可任意佈線於基體100’的外面。第2電鍍觸媒140’可因應內部連接部900的形狀，任意形成於基體100’的外面。
前述任一樣態的內部連接部900，可設為以天線200”位於從半導體零件300往包含正交方向之成分的方向離開的位置之方式，延伸於包含該正交方向之成分的方向的構造。此時，天線200”從半導體零件300往包含正交方向之成分的方向離開配置，或者天線200”在與半導體零件300正交方向隔開間隔配置。正交方向只要是與Z-Z’方向正交的方向即可，作為Y-Y’方向亦可，作為X-X’方向亦可，作為Y-Y’方向及X-X’方向以外的方向亦可。
前述任一樣態的內部連接部900可與內部連接部400同樣地設為複數個。第2電鍍觸媒140’可配合內部連接部900的數量而設為複數個。再者，在圖7A~圖8B中，內部連接部900為一對，其一方是以連續於環狀的天線200”的第1端之方式形成的電鍍膜，另一方式以連續於天線200”的第2端之方式形成的電鍍膜。第2電 鍍觸媒140’也為一對，其一方連續於第1電鍍觸媒130’的第1端，另一方連續於第1電鍍觸媒130’的第2端。如此，一對內部連接部900連接環狀的一個天線200”與一個半導體零件300。
至少一個外部連接部1000只要連接於半導體零件300且可外部連接即可。至少一個外部連接部1000具有第1部1100與第2部1200。第1部1100連接於半導體零件300的第2連接部。第2部1200可連接於基體100’的外部之前述電子機器的基板等。
至少一個外部連接部1000可利用端子、銷、導線、纜線或導電引線等構成。此時，外部連接部1000設置於前述任一樣態的基體100’上亦可，設置於前述任一樣態的基體100’內亦可，設置於前述任一樣態的基體100’外亦可。
或者，至少一個外部連接部100可設為金屬膜。此時，至少一個外部連接部1000，係於前述A)~C)的狀況中，可設為如以下的構造。
A)之狀況，如以下e)或f)。e)外部連接部1000形成於第1外面101’上為佳。此時，第1部1100位於第1外面101’上。第2部1200位於第1外面101’上，且露出於基體100’外。f)外部連接部1000係如圖9A所示，形成於第1外面101’(基體100’的表面)、第2外面102’(基體100’的背面)及第3外面103’(基體100’的側面)上為佳。此時，第1部1100位於第1外面101’上。第2 部1200位於第2外面102’上，且露出於基體100’外。
B)之狀況，如以下g)或h)。e)外部連接部1000形成於第2外面102’上為佳。此時，第1部1100位於第2外面102’上。第2部1200位於第2外面102’上，且露出於基體100’外。h)外部連接部1000係如圖7A~圖8A所示，形成於第2外面102’(基體100’的表面的一部分)、第4外面104’(基體100’的背面)及第5外面105’(基體100’的側面)上為佳。此時，第1部1100位於第2外面102’上。第2部1200位於第4外面104’上，且露出於基體100’外。
C)之狀況，外部連接部1000形成於第2外面102’上為佳。此時，第1部1100位於第2外面102’上。第2部1200位於第2外面102’上，且露出於基體100’外。
前述之外部連接部1000藉由與金屬膜的天線200”相同方法，形成於基體100’的前述之一或複數外面上。
或者，至少一個外部連接部1000可設為形成於基體100’之外面的第3電鍍觸媒150’上的電鍍膜(金屬膜)。外部連接部1000及第3電鍍觸媒150’，係於前述A)~C)的狀況中，可設為如以下的構造。
A)之狀況，如以下i)或j)。i)第3電鍍觸媒150’因應外部連接部1000的形狀，形成於第1外面101’上。外部連接部1000除了形成於第1外面101’的第3電 鍍觸媒150’上以外，與前述e)相同構造。j)第3電鍍觸媒150’因應外部連接部1000的形狀，形成於第1外面101’(基體100’的表面)、第2外面102’(基體100’的背面)及第3外面103’(基體100’的側面)上。外部連接部1000除了形成於第1外面101’、第2外面102’及第3外面103’上的第3電鍍觸媒150’上以外，與前述f)相同構造。
B)之狀況，如以下k)或l)。k)第3電鍍觸媒150’因應外部連接部1000的形狀，形成於第2外面102’上。外部連接部1000除了形成於第2外面102’的第3電鍍觸媒150’上以外，與前述g)相同構造。l)第3電鍍觸媒150’係如圖7A~圖8A所示，因應外部連接部1000的形狀，形成於第2外面102’(基體100’的表面的一部分)、第4外面104’(基體100’的背面)及第5外面105’(基體100’的側面)上。外部連接部1000除了形成於第2外面102’、第4外面104’及第5外面105’上的第3電鍍觸媒150’上以外，與前述h)相同構造。
C)之狀況中，第3電鍍觸媒150’因應外部連接部1000的形狀，形成於第2外面102’上。外部連接部1000除了形成於第2外面102’的第3電鍍觸媒150’上以外，可設為與前述之金屬膜的外部連接部1000之C的狀況相同之構造。
前述之任一樣態的第3電鍍觸媒150’藉由與第1電鍍觸媒130’相同方法，形成於基體100’的前述之一或複數外面上。之後，電鍍膜的外部連接部1000藉由 與電鍍膜的天線200”相同方法，形成於第3電鍍觸媒150’上。
前述任一樣態的外部連接部1000係只要第1部1100連接於半導體零件300的第2連接部，且第2部1200可外部連接，可任意佈線於基體100’的外面。第2部1200設置於基體100’的側面亦可。第3電鍍觸媒150’可因應外部連接部1000的形狀，任意形成於基體100’的外面。
前述任一樣態的外部連接部1000可與外部連接部500同樣地設為複數個。複數外部連接部1000包含訊號傳輸用、接地用及/或暫存器用的外部連接部亦可。第3電鍍觸媒150’可配合外部連接部1000的數量而設為複數個。
在圖7A~圖7B中，複數外部連接部1000形成於基體100’的第2外面102’、第4外面104’及第5外面105’上。外部連接部1000的第1部1100，係位於第2外面102’上，分別連接於一個半導體零件300的第2連接部。外部連接部1000的第2部1200位於第4外面104’上，且露出於基體100’外。
前述任一樣態的基體100’可設為更具備至少一個第2保護部160’的構造。至少一個第2保護部160’是從前述任一樣態的基體100’的第2外面102’往Z-Z’方向延伸的壁，且配置於第2外面102’上的半導體零件300的周圍。第2保護部160’的Z-Z’方向的尺寸，大於第2 外面102’上之半導體零件300的Z-Z’方向的尺寸為佳。但是，第2保護部160’的Z-Z’方向的尺寸，與第2外面102’上之半導體零件300的Z-Z’方向的尺寸相同或較小亦可。藉由第2保護部160’，保護半導體零件300。在圖7A~圖8A中，兩個第2保護部160’從第2外面102’往Z-Z’方向延伸。在圖9A~圖9B中，圖示省略第2保護部160’。可省略第2保護部160’。
基體100’的Z方向之面具有第1外面101’、第2外面102’及第3外面103’時，基體100’可設為更具備至少一個第3保護部170’的構造。至少一個第3保護部170’是從基體100’的第3外面103’沿著第2外面102’延伸的壁，且配置於第2外面102’上的半導體零件300的周圍。第3保護部170’與第2外面102’一體化亦可，以接觸第2外面102’之方式延伸亦可，對於第2外面102’具有間隙配置於Z-Z’方向亦可。第3保護部170’的Z方向之端面的高度位置，位於比第2外面102’上之半導體零件300的Z方向之端面的高度位置更靠Z方向側為佳。但是，第3保護部170’的Z方向之端面的高度位置，位於與第2外面102’上之半導體零件300的Z方向之端面的高度位置相同或更靠Z’方向側亦可。藉由第3保護部170’，保護半導體零件300。在圖7A~圖8A中，兩個第3保護部170’以從第3外面103’沿著第2外面102’之方式延伸。可省略第3保護部170’。
模組M5更具備至少一個島部600’亦可。至 少一個島部600’設置於前述任一樣態的基體100’的第1外面101’上或第2外面102’上為佳。至少一個島部600’以金屬板構成亦可，與天線200”同樣地以金屬膜(包含電鍍膜)構成亦可。於島部600’上，形成有半導體零件300。再者，可省略島部600’。
模組M5與模組M1相同，更具備第1導電體S亦可。
前述之模組M5係具有以下的技術特徵。第1，模組M5具有與模組M1的第1及第2技術特徵相同的特徵。
第2，模組M5的萬用性提升。其理由如下所述。因為僅利用將因應模組M5的用途(接收用或發送用)、功能(通訊速度及通訊距離)等所適切選擇的半導體零件300安裝於基體100’的第1外面101’或第2外面102’上，將半導體零件300連接於內部連接部900及外部連接部1000，即可改變模組M5的用途及功能。
第3，易於將天線200”配置於第1外面101’(第1高度位置)，且將半導體零件300配置於第2外面102’(第2高度位置)。其理由如下所述。天線200”係設置於第1外面101’上。僅利用將半導體零件300安裝於第2外面102’上，即可配置於第2高度位置。
第4，天線200”、內部連接部900及外部連接部1000是形成於基體100’上的金屬膜時，可減低模組M5的零件數量。
第5，天線200”、內部連接部900及外部連接部1000是基體100’上的金屬膜時，可自由地圖案化於基體100’上。
第6，天線及/或內部連接部是以金屬板構成時，需要用以作成天線及/或內部連接部的模具。但是，天線200”、內部連接部900及外部連接部1000是基體100’上的金屬膜時，不需要用以作成天線200”、內部連接部900及外部連接部1000的模具。因此，可謀求零件模組M5的低成本化。
再者，前述之非接觸通訊模組並不限定於前述實施例者，於申請專利範圍的記載範圍中，可任意變更設計。
前述任一樣態的非接觸通訊模組，可設為更具備第2導電體的構造。第2導電體係以金屬板或於外面蒸鍍金屬的樹脂板等構成。第2導電體係對於天線200、200’、200”配置於Z方向(亦即，天線200、200’、200”與對方通訊裝置的天線之間)且接地。更具體來說，第2導電體以對於天線200、200’、200”位於Z方向之方式設置於基體100、100’的第1外面101、101’上或基體100內。第2導電體係具有開口。開口設置於第2導電體的天線200、200’、200”之至少一部分的Z方向的部分。前述任一樣態的天線200、200’、200”是可利用電磁耦合方式發送訊號的構造時，從天線200、200’、200”放射的電磁場，會擴散至接地之第2導電體的方向。因為於第2導電 體如前述般設置有開口，從天線200、200’、200”流至第2導電體的電磁場，係容易通過開口而散播至位於天線200、200’、200”之Z方向的對方通訊裝置的天線。如此，可讓從天線200、200’、200”放射的電磁場，流至所希望方向(對方通訊裝置的天線的方向)。前述任一樣態的天線是可利用電磁耦合方式接收訊號的構造時，從對方通訊裝置的天線輸出的電磁場，會擴散至接地之第2導電體的方向。因為於第2導電體設置有開口，從對方通訊裝置的天線流至第2導電體的電磁場，係容易通過開口而散播至天線200、200’、200”。如此，可讓從對方通訊裝置的天線輸出的電磁場，流至所希望方向(天線200、200’、200”的方向)。在天線的一部分(天線本體)的外形大於其他部分時(參照圖10A)，開口以包圍天線本體的周圍之方式設置於第2導電體亦可。換句話說，使開口的外形大於天線本體的外形，天線本體在平面位置上配置於開口內亦可。如此一來，從天線本體放射的電磁場，更容易通過開口而散播至對方通訊裝置的天線，且從對方通訊裝置的天線輸出的電磁場，更容易通過開口而散播至天線本體。再者，前述之第2導電體的構造，並不限定於天線200、200’、200”是電磁耦合方式之狀況，即使是從天線200、200’、200”放射電磁場以外的電磁波之狀況也可適應。
前述非接觸通訊模組M1可設為具備金屬殼體S’來代替第1導電體S的構造。於圖10A及圖10B揭示其一例的非接觸通訊模組M1”’。非接觸通訊模組M1”’係 除了第1導電體S被置換成金屬殼體S’以外，與非接觸通訊模組M1相同構造。於非接觸通訊模組M1”’的金屬殼體S’內，插入有至少埋入基體100的天線200的部分。亦即，金屬殼體S’包圍天線200周圍。金屬殼體S’具有第1板S1’、第2板S2’、第3板S3’、第4板S4’。第3板S3’連結第1板S1’之X方向的端部，與第2板S2’之X方向的端部。第4板S4’連結第1板S1’之X’方向的端部，與第2板S2’之X’方向的端部。於第3板S3’及第4板S4’，部分地設置有缺口部，但不設置缺口部亦可。第1板S1’以位於天線200的至少一部分的Z方向側之方式，配置於基體100”的第1外面101上。第1板S1’具有作為前述之第2導電體的功能。第1板S1’具有開口S1a’。開口S1a’設置於第1板S1’的天線200之至少一部分的Z方向側的部分。在圖10A中，開口S1a’配置於天線200的大略矩形狀之天線本體的Z方向側。亦即，天線本體從Z方向觀察時位於開口S1a’內。第2板S2’以位於天線200的至少一部分的Z’方向側之方式，配置於基體100”的第2外面102。第2板S2’具有作為前述之第1導電體的功能。
金屬殼體S’也可設為更具有連接部S5’的構造。連接部S5’可連接於前述電子機器的基板的接地線。於非接觸通訊模組M1”’的基體100”，設置有貫通孔120亦可。貫通孔120於Z-Z’方向貫通基體100”之天線200的內側部分。貫通孔120的形狀可任意設定。再者，在圖 10A中，貫通孔120成為凸字狀。從天線200延伸之複數片部210，從貫通孔120的壁面突出於貫通孔120內。在圖10A中，片部210從貫通孔120之X方向的壁面、貫通孔120之X’方向的壁面、及貫通孔120之Y方向的壁面分別突出。該片部210在將天線200插入成形於基體100之前，連結於連結材。插入成形後，於基體100的貫通孔120內，配置複數片部210及連結材。之後，從連結材切離片部210，片部210在突出於貫通孔120內之狀態下殘存。再者，前述之前述非接觸通訊模組M1以外的前述非接觸通訊模組也可設為具備金屬殼體S’來代替第1導電體S的構造。又，前述之前述非接觸通訊模組M1”’以外的前述非接觸通訊模組的基體100，也可設置貫通孔120，且也可於天線200設置從貫通孔120突出的複數片部210。再者，金屬殼體S’具備於非接觸通訊模組M1”’以外的模組亦可。模組M5之狀況中，以天線200”、內部連接部900及/或外部連接部1000與金屬殼體S’不接觸之方式，使兩者間存在絕緣體為佳。
前述非接觸通訊模組M1’及M1”的內部連接部，可利用可撓性基板或剛撓性基板(第1基板)的全部或一部分構成。此時，天線200設置於內部連接部的第1部上。該內部連接部可設為以天線200位於第1高度位置，且半導體零件300位於第2高度位置之方式彎曲的構造。前述第1基板可設為具有外部連接部的構造。又，前述非接觸通訊模組M1’及M1”的內部連接部，也可利用多層基 板構成。多層基板具有層積於第1方向的複數層。複數層可設為具有包含第1層、與第2層的構造。第1層可設為設置有天線，且該天線以位於第1高度之方式配置的構造。第2層可設為安裝有半導體零件，且該半導體零件以位於第2高度之方式配置的構造。第1、第2層之間設置複數層亦可，不設置亦可。
本發明的天線並不限定於非接觸通訊用的天線，也可作為非接觸充電用的天線。本發明的天線是非接觸充電用的天線時，本發明的半導體元件作為用以使該天線進行非接觸電力傳輸(非接觸電力傳輸或非接觸受電)的半導體元件、利用半導體晶片或絕緣樹脂基體化的半導體裝置為佳。其以外之本發明的模組的構造可與前述之模組的構造相同。
再者，構成前述實施例及設計變形例之非接觸通訊模組的各構成要素的素材、形狀、尺寸、數量及配置等係說明該一例者，只要是可實現相同功能的話，可任意變更設計。上述之實施例及變更設計例，只要不互相矛盾，可相互組合。本發明的第1方向可任意設定。本發明的第2方向只要與本發明的第1方向正交，可任意設定。
100‧‧‧基體
101‧‧‧第1外面
102‧‧‧第2外面
110‧‧‧收容孔
200‧‧‧天線
300‧‧‧半導體零件
400‧‧‧內部連接部
410‧‧‧埋設部
500‧‧‧外部連接部
500a‧‧‧外部連接部
510‧‧‧第1部
520‧‧‧第2部
S‧‧‧第1導電體

Claims (19)

  1. 一種非接觸通訊模組，係具備：基體，係對方通訊裝置配置於第1方向之一方側；天線，係以可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊之方式，在前述第1方向之第1高度位置設置於前述基體；半導體零件，係用以使前述天線以非接觸方式進行通訊；內部連接部，係電性連接前述天線與前述半導體零件；及外部連接部，係具有設置於前述基體且電性連接於前述半導體零件的第1部，及突出或露出於前述基體外的第2部；前述基體，係以絕緣樹脂所構成，且具有開口於前述基體外的收容孔；前述內部連接部，係以金屬板所構成，且具有埋入於前述基體內的埋沒部，與配置於前述收容孔內的突出部；前述半導體零件，係收容於前述基體的前述收容孔內，且在前述收容孔內，直接連接於前述內部連接部的前述突出部，在前述第1高度位置或比前述第1高度位置更靠前述第1方向之另一方的第2高度位置被支持。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述天線，係以前述第1高度位置，設置於前述基體 內；前述外部連接部的前述第1部，係設置於前述基體內。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述內部連接部，係以前述天線位於前述基體內的前述第1高度位置，且前述半導體零件位於前述基體內的前述第2高度位置之方式折曲或彎曲。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述金屬板為一張金屬板；前述天線及前述內部連接部，係以前述一張金屬板構成，且設置於前述基體內；前述內部連接部，係以前述天線位於前述基體內的前述第1高度位置，且前述半導體零件位於前述基體內的前述第2高度位置之方式折曲或彎曲。
  5. 如申請專利範圍第2項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述金屬板，係延伸於與前述第1方向正交的第2方向的一張金屬板；前述天線及前述內部連接部，係以前述一張金屬板構成，且設置於前述基體內；前述半導體零件，在比前述內部連接部更靠前述第1方向的另一方側，連接於該內部連接部。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述外部連接部的前述第1部，係具有配置於前述收容孔內的突出部；前述半導體零件，係在前述收容孔內直接連接於前述內部連接部之前述第1部的前述突出部，在前述第1高度位置或前述第2高度位置被支持。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述基體，係更具有作為前述收容孔的壁，且包圍前述收容孔內之前述半導體零件的第1保護部。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述基體的前述收容孔，係以絕緣樹脂填埋。
  9. 一種非接觸通訊模組，係具備：基體，係對方通訊裝置配置於第1方向之一方側；天線，係以可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊之方式，在前述第1方向之第1高度位置設置於前述基體；半導體零件，係用以使前述天線以非接觸方式進行通訊；內部連接部，係電性連接前述天線與前述半導體零件；及 外部連接部，係具有設置於前述基體且電性連接於前述半導體零件的第1部，及突出或露出於前述基體外的第2部；前述基體，係以絕緣樹脂構成，且具有該基體的前述第1方向的一方側之面；前述基體的前述面，係具有位於前述第1高度位置的第1外面、位於比前述第1高度位置更靠前述第1方向之另一方的第2高度位置的第2外面、及從前述第1外面延伸至前述第2外面為止的第3外面；前述天線，係設置於前述第1外面上；前述半導體零件，係安裝於前述第2外面上。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述第1外面，係位於比前述第2外面上的前述半導體零件之前述第1方向的一方側的端面更靠前述第1方向的一方側。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述天線，係形成於前述第1外面上的金屬膜；前述內部連接部，係以連續於前述天線之方式，至少形成於前述第2外面及前述第3外面上的金屬膜；前述半導體零件，係直接連接於前述第2外面上的前述內部連接部。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項所記載之非接觸 通訊模組，其中，前述內部連接部，係以連接於前述天線之方式，至少形成於前述第2外面及前述第3外面上的金屬膜；前述半導體零件，係直接連接於前述第2外面上的前述內部連接部。
  13. 如申請專利範圍第11項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述外部連接部，係形成於前述基體之至少前述第2外面上的金屬膜；前述外部連接部的前述第1部，係位於前述第2外面上；前述半導體零件，係直接連接於前述第2外面上的前述外部連接部的前述第1部。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述基體，係更具有前述第1方向之另一方側的第4外面，與前述基體的側面，且從前述第2外面延伸至前述第4外面的第5外面；前述外部連接部，係形成於前述基體的於前述第2外面、前述第4外面及前述第5外面上；前述外部連接部的前述第2部，係位於前述第4外面上，且露出於前述基體外。
  15. 如申請專利範圍第9項所記載之非接觸通訊模組，其中， 前述基體，係更具有從前述第2外面往前述第1方向延伸，且配置於前述半導體零件之周圍的至少一個第2保護部。
  16. 一種非接觸通訊模組，係具備：基體，係對方通訊裝置配置於第1方向之一方側；天線，係以可利用非接觸方式與對方通訊裝置進行通訊之方式，在前述第1方向之第1高度位置設置於前述基體；半導體零件，係用以使前述天線以非接觸方式進行通訊；內部連接部，係電性連接前述天線與前述半導體零件；及外部連接部，係具有設置於前述基體且電性連接於前述半導體零件的第1部，及突出或露出於前述基體外的第2部；前述基體，係以絕緣樹脂構成；前述基體，係具有位於前述第1高度位置的第1外面、位於比前述第1高度位置更靠前述第1方向之另一方的第2高度位置的第2外面、從前述第1外面延伸至前述第2外面為止的第3外面、及從前述第3外面沿著前述第2外面向延伸的至少一個第3保護部；前述天線，係設置於前述第1外面上；前述半導體零件，係安裝於前述第2外面上；前述至少一個第3保護部，係配置於前述半導體零件 的周圍。
  17. 如申請專利範圍第1項、第9項及第16項中任一項所記載之非接觸通訊模組，其中，前述外部連接部，係端子、銷、導線或纜線。
  18. 如申請專利範圍第1項、第9項及第16項中任一項所記載之非接觸通訊模組，其中，更具備：第1導電體，係相對於前述天線，配置於前述第1方向的另一方側。
  19. 如申請專利範圍第1項、第9項及第16項中任一項所記載之非接觸通訊模組，其中，更具備：第2導電體，係相對於前述天線，配置於前述第1方向的一方且接地；前述第2導電體，係具有開口；前述開口，係設置於前述第2導電體的前述天線之至少一部分的前述第1方向之一方的部分。
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