CN110300513A - 电磁屏蔽帽、电气系统以及用于形成电磁屏蔽帽的方法 - Google Patents

电磁屏蔽帽、电气系统以及用于形成电磁屏蔽帽的方法 Download PDF

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Abstract

公开了一种用于屏蔽电路板上的电路的电磁屏蔽帽，其包括框架结构以及包含无源电气元件结构的盖结构。所述盖结构附接至所述框架结构并且还包含用于将无源电气元件结构连接至要由所述电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。

Description

电磁屏蔽帽、电气系统以及用于形成电磁屏蔽帽的方法
技术领域
示例涉及电磁屏蔽帽、电气系统、用于形成电磁屏蔽帽的方法、以及用于形成电气系统的方法。
背景技术
移动装置的电路板上的电路可以包含由于干涉效应而可能受到外部电磁场干扰的部分或部件。所述电路或者另一电路的其它部分或部件可能发射电磁场，该电磁场有可能干扰处于所述电路附近的发射电磁场的其它电路或装置。移动装置中的射频和功率管理电路可能包括对电磁干扰敏感的无源电气元件。干扰电磁场可能导致电子装置的故障。
为了提供电气装置的可靠功能，电磁屏蔽可能是必需的，以限制电磁干扰。然而，提供电磁屏蔽可能需要占用包括电路的电气装置中的空间。由于电气装置的高部件集成密度，电气装置内的可用空间是有限的。尤其是在移动装置中，用于为电路提供电磁屏蔽的空间可能是有限的。可能需要改进的概念以提供电路的电磁屏蔽。
附图说明
在下文将将参考附图并且仅通过示例的方式描述设备和/或方法的一些示例，在附图中
图1示出了电磁屏蔽帽的示意图；
图2示出了电气系统的示意图；
图3示出了电气系统的盖结构的示意图的放大图；
图4示出了电气系统的示意图以及无源电气元件结构的示例的示意性3D图示；
图5示出了嵌入在盖结构中的线圈的示意图；
图6示出了包括线圈的模拟品质因数的示图；
图7示出了电气系统的截面的示意图；
图8示出了用于形成电磁屏蔽帽的方法的流程图；
图9示出了用于形成电气系统的方法的流程图；以及
图10示出了用于形成电气系统的方法的示意图。
具体实施方式
现在将参考示出了一些示例的附图更加充分地描述各种示例。在附图中，可能为了清楚起见而放大了线、层和/或区域的厚度。
相应地，尽管其它示例能够是各种修改和替代形式，但还是在附图中示出了其一些特定示例，并且接下来将详细描述这些示例。然而，该具体实施方式不会使其它示例局限于所描述的特定形式。其它示例可以涵盖落在本公开的范围内的所有修改、等价方案和替代方案。在对附图的描述中始终以类似的附图标记表示类似或相似的元件，这些元件相较于彼此可以按照等同方式或者按照修改形式实施，同时提供相同或相似的功能。
应当理解，在将一个元件称为“连接”或者“耦合”至另一元件时，所述元件可以是直接连接或耦合的，或者可以是经由一个或多个中间元件而连接或耦合的。如果两个元件A和B是使用“或”相结合的，则这将被理解为公开了所有可能的组合，即，仅仅A、仅仅B以及A和B。针对同一组合的替代用词是“A和B中的至少一个”。这同样适用于2个以上元件的组合。
本文中出于描述特定示例的目的而使用的术语并非旨在对其它示例构成限制。每当使用诸如“一”和“所述”的单数形式并且仅使用单个元件被明确地或者隐含地定义为强制性的，其它示例也可以使用多个元件来实施同一功能。类似地，在接下来将功能描述为使用多个元件实施时，其它示例可以仅使用单个元件或者处理实体来实施同一功能。还应当理解，术语“包括”和/或“包含”在使用时将指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、过程、动作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、过程、动作、元件、部件和/或其任何组的存在或添加。
除非另行定义，否则所有术语(包括技术和科技术语)都是按照其在示例所属领域中的普通含义使用的。
在应对包括无源部件(例如，无源电气元件)的电路的电气装置中，特别是在RF(射频)、毫米波和功率管理解决方案中，可能需要对电路的电磁屏蔽，而用于提供用于电磁屏蔽的电气元件或部件的空间可能是有限的或者可能希望进一步减小电气装置的体积或尺寸。可能希望在提供对电路的电磁屏蔽的同时减小电气装置中的电路板上的电路的面积。下文提供了电磁屏蔽帽的示例。
图1示出了用于屏蔽电路板上的电路的电磁屏蔽帽100的示意图。电磁屏蔽帽100可以包括框架结构110和盖结构120。盖结构120可以包括无源电气元件结构130。盖结构120可以附接至框架结构110。盖结构120可以包括用于将无源电气元件结构130连接至要由电磁屏蔽帽100屏蔽的电路的至少一个接触接口140。
电磁屏蔽帽100可以被配置为提供对抗电磁辐射的屏蔽，并且可以包括可连接至电路的无源电气元件结构130。电路可以是要由电磁屏蔽帽100屏蔽的电路。例如，无源电气元件结构130可以被配置或者设计成为要由电磁屏蔽帽100屏蔽的电路的部分或部件。通过利用电磁屏蔽帽100而非另一电磁屏蔽罐(例如，仅由金属片制成的屏蔽罐)对电路进行屏蔽，有可能将电路的部分或元件(例如，无源部件)集成到电磁屏蔽帽100中。由于来自电路板的至少一个无源部件被集成到盖结构中，使用电磁屏蔽帽可以实现在减小电路板上的电路所需的面积的同时提供对电路的电磁屏蔽。通过这种方式，可以减小电气装置的尺寸和/或成本。
例如，通过将电路的无源电气元件集成到电磁屏蔽帽中，可以使电路板上的电路所需的面积减小，减小的尺寸为集成到电磁屏蔽帽中的无源电气元件的面积。相应地，与其它屏蔽罐相比，可以减小电磁屏蔽帽的尺寸。在一些示例中，电磁屏蔽帽100的高度可能不超过另一电磁屏蔽罐的高度，并且通过使用电磁屏蔽帽100，可以减小电气装置中的电磁屏蔽的电路所需的体积或空间。通过提供电磁屏蔽帽100，电路的面积可以小于通过另一电磁屏蔽罐屏蔽的电路的面积，而与通过使用其它电磁屏蔽罐所提供的电磁屏蔽相比不会使电磁屏蔽劣化。
将电路的无源电气元件提供到电磁屏蔽帽100中作为无源电气元件结构130可以产生无源电气元件的较高品质因数。由于盖结构和衬底材料之间的框架结构110的原因，可以使盖结构120中的无源电气元件结构130从电路的衬底材料或者电路板的材料升高。与位于电路板上的无源电气元件相比，可以使无源电气元件结构130位于更远离衬底处。通过提供较大的从无源电气元件到电路板的距离，可以减小由电路板的衬底材料引起的无源电气元件的损耗影响，并且可以提高无源电气元件的品质因数。
盖结构120可以包括至少一个无源电气元件结构130。无源电气元件结构可以嵌入在盖结构中和/或附接至盖结构和/或形成在盖结构上。无源电气元件结构可以是通过被盖结构120的电绝缘材料嵌入的盖结构120的结构化导电材料实施的。至少一个无源电气元件结构130可以包括一个或多个无源部件的功能。可以通过无源电气元件结构130提供无源电气元件的多种功能，从而有可能产生电路或电气装置的进一步减小的尺寸。无源电气元件结构可以代替电路板上的电路的多个无源部件。电磁屏蔽帽100可以被称为多功能电磁屏蔽帽，其为电路以及电路的至少一个无源电气部件提供电磁屏蔽。
无源电气元件结构130可以通过被盖结构120的绝缘材料完全覆盖而被嵌入在盖结构120中。替代地，无源电气元件结构130可以通过被盖结构120的绝缘材料部分覆盖而被嵌入在盖结构120中，而无源电气元件结构130的一部分可以不被覆盖。例如，无源电气元件结构130可以被形成在盖结构120的载体层的表面上或者附接至该表面，例如，所述表面是盖结构120的面朝框架结构110的表面。例如，盖结构120可以包括电绝缘载体层，其具有处于电绝缘载体层上的导电迹线，以形成无源电气元件结构130。
至少一个无源电气元件结构130可经由至少一个接触接口140连接至至少一个电路。为了使无源电气元件结构130与两个或更多电气引脚或端子连接，盖结构120可以分别提供两个或更多接触接口140。换言之，针对无源电气元件结构130的每一电气引脚，可以提供单独的接触接口140。例如，可以经由可连接至接触接口140的电连接器建立从无源电气元件结构130到被屏蔽或覆盖的电路的连接。
例如，接触接口140可以例如通过盖结构120内的或者盖结构120的表面处的导电迹线而电连接至无源电气元件结构130。例如，无源电气元件结构130可以达到接触接口140。接触接口140可以包括接触焊盘(例如，焊料焊盘)和/或连接器的插头和/或插座，它们均分别被配置为实现电连接器到要被屏蔽的电路的接触接口的连接或者通往该接触接口的电连接。
此外，盖结构120的无源电气元件结构130可以包括或者是电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。换言之，无源电气元件结构130可以是所提及的无源电气元件中的单个电气元件或者组合。盖结构120可以包括多个无源电气元件。例如，无源电气元件结构130的第一元件(如线圈)可以位于盖结构120的面朝框架结构110的一侧上，并且无源电气元件结构130的第二元件(如天线)可以位于盖结构120的与框架结构110相对的一侧上。
例如，盖结构的无源电气元件结构130可以被实施在盖结构的单个层中(例如，单匝线圈)或者可以包括电气多层结构(例如，多层线圈或者多层电容器)。多层结构可以进一步减小提供无源电气元件结构130的功能所需的面积。例如，盖结构可以包括多个横向布线层以及多个竖直布线层。横向布线层(例如，层堆叠体的金属层)可以是用于实施连接横向布线层的竖直电连接(过孔)之间的横向电连接的层。竖直布线层(例如，层堆叠体的过孔层)可以是用于实施横向布线层之间的竖直电连接(过孔)的层。例如，无源电气元件结构130可以被实施在盖结构120的横向布线层和竖直布线层中的一者或多者中。电气多层结构可以使得能够提供更加复杂的无源电气元件结构130。
任选地，盖结构可以包括与无源电气元件结构绝缘的导电屏蔽结构。例如，多个横向布线层之一可以用于实施盖结构120的导电屏蔽结构。无源电气元件结构可以布置在盖结构的位于与盖结构的包括导电屏蔽结构的一个或多个层相比离框架结构更近的位置处的一个或多个层中。导电屏蔽结构可以是在盖结构的横向面积的超过70％(或者超过90％)之上延伸的导电层。例如，电绝缘材料的层或连续层可以完全使导电屏蔽结构的层与无源电气元件结构130分开或绝缘。替代地和/或此外，无源电气元件结构可以被布置在盖结构的与盖结构的包括导电屏蔽结构的一个或多个层相比离框架结构更远的位置处的一个或多个层中。
例如，导电屏蔽结构可以处于盖结构的与框架结构相对的一侧上，例如，处于盖结构120的顶侧上。例如，除了与盖结构120的接触接口的电连接之外，导电屏蔽结构可以被电绝缘材料包围。替代地，导电屏蔽结构可以形成盖结构120的表面，例如，盖结构120的与框架结构110相对的表面。例如，导电屏蔽结构被配置为在导电屏蔽结构的第二侧上使从导电屏蔽结构的第一侧接近的电磁场的电磁场强度衰减，并且可以改善电磁屏蔽帽100的电磁屏蔽。将导电屏蔽结构置于与框架结构相对的一侧上可以提供对电磁屏蔽帽100外的无源电气元件结构130所发射的电磁辐射的屏蔽。
例如，盖结构120可以包括电连接至框架结构的导电屏蔽结构。例如，导电屏蔽结构可以经由单个导电元件或者导线或迹线电连接至框架结构110。替代地，导电屏蔽结构可以经由盖结构120和框架结构110之间的接触区处的电连接而电连接至框架结构110。接触区可以是盖结构120附接到框架结构110的区域的至少部分。例如，导电屏蔽结构可以在整个接触区处电连接至框架结构110，例如，在盖结构120被焊接至框架结构110的情况下。框架结构110可以包括连接至导电屏蔽结构的至少一条导电迹线。例如，导电迹线可以从框架结构110的面向盖结构120的一侧到达框架结构110的与盖结构120相对的一侧，并且导电迹线可连接至承载要由电磁屏蔽帽屏蔽或者覆盖的电路的电路板。例如，导电屏蔽结构可以包括与无源电气元件结构130相同的材料。
任选地，盖结构120的接触接口140可以位于盖结构的面朝框架结构的一侧上。例如，接触接口140位于盖结构120附接到框架结构110的区域之外。例如，接触接口140可以位于盖结构120的处于框架结构内的中心区域中。例如，无源电气元件结构130可以包括两个电气端子，并且第一接触接口140可以位于比第二接触接口140更加接近盖结构120的第一边缘的位置处，而第二接触接口140可以位于比第一接触接口140更加接近盖结构120的第二边缘的位置处。在一些示例中，所有的接触接口140都可以位于盖结构120的同一区域内的彼此靠近的位置处，以使得连接器的多条电线中的相应电线可以连接至每个接触接口140。将接触接口置于所述侧上可以促进无源电气元件结构到电路板上的电路的连接。
任选地，电连接器可以连接至接触接口。电连接器可以提供从接触接口140直接到电路的连接，或者可以替代地提供从接触接口140直接到电路板并且经由电路板到电路的连接。连接器可以是具有用插头连接到接触接口140中的电缆的导线，并且电连接器可以包括处于与至少一个接触接口140相对的一侧上的插头或连接器。替代地，电连接器的与至少一个接触接口140相对的一侧可以包括能够例如通过接合和/或焊接而连接至电路或者电路板的接触接口的电线。例如，电连接器的与接触接口140相对的一侧可以是根据要屏蔽的电路的接触接口设计的。无源电气元件结构130可以具有两个电气引脚，并且电连接器可以包括两条电线，一个引脚一条电线。例如，电连接器可以是包括多条电线的电导线(例如，柔性或者刚性的)。盖结构120可以包括导电屏蔽结构和接触接口140，或者可以提供附加的接触接口140以将导电屏蔽结构经由电连接器连接至电路或者电路板。电连接器可以焊接至或者用导电胶水胶合至至少一个接触接口140。
任选地，电连接器的高度可以与框架结构的高度相差小于框架结构的高度的20％(或者小于框架结构的高度的10％，或者小于框架结构的高度的5％)。例如，电连接器的高度小于框架结构110的高度。例如，可以通过焊料、导电胶水或者用于将电连接器连接至接触接口140的另一连接来补偿框架结构与电连接器之间的高度差。换言之，电连接器的高度可以与框架结构的高度相似，使得电连接器的底侧和框架结构110的底侧可以位于平坦平面中，并且可连接至平面电路板，其中，底侧是与盖结构120相对的一侧。
例如，电连接器可以是刚性的。例如，刚性电连接器的外形不能受到可逆改变，例如，在试图改变外形时，刚性电连接器可能破裂。根据其它示例，电连接器可以是柔性的，例如，柔性电连接器可以是包括一条或多条电线的电导线。如果电连接器是柔性的，那么其高度可以大于框架结构110的高度，因为电连接器可以调整其外形。
任选地，盖结构120的接触接口140可以位于盖结构的接触区中。接触区可以是盖结构的与框架结构接触的区域，并且框架结构可以包括连接至盖结构的接触接口并且从接触区延伸至框架结构的与盖结构相对的一侧的至少一条导电迹线。无源电气元件结构130可以包括两个电气引脚，盖结构120可以包括两个接触接口140，并且框架结构110可以包括被配置为使接触接口140与包括要屏蔽的电路的电路板连接的两条导电迹线。换言之，在一些示例中，电连接器可以被集成到框架结构110中或者可以被附接至框架结构。例如，集成在框架结构110中的电连接器可以代替处于电磁屏蔽帽100的腔内的电连接器(例如，电导线)。例如，框架结构110的导电迹线可以与框架结构110的其它导电部分(例如，连接至盖结构120的导电屏蔽结构的导电部分)电绝缘。例如，导电迹线可以被提供在附接至框架结构110的导电层的绝缘层上。
例如，盖结构可以被焊接、胶合、夹固、或者用螺丝固定至框架结构，或者通过排针连接至框架结构。焊接的盖结构120的焊接材料可以在盖结构120和框架结构110之间提供电连接。胶合连接可以包括导电胶水或者电绝缘胶水。例如，盖结构120可以在一个点或多个点处焊接至框架结构110。
任选地，各向异性导电膜可以位于框架结构和盖结构之间。各向异性导电膜可以是包括导电颗粒的粘合剂互连系统，其用于在两个元件之间(例如，在两个导电表面之间)提供电连接。作为各向异性导电膜的替代，在一些示例中，各向异性导电膏可以位于框架结构110和盖结构120之间。例如，各向异性导电膜围绕框架结构110连续地到达框架结构110和盖结构120之间。各向异性导电膜可以将盖结构120附接至框架结构110，并且在盖结构120和框架结构110之间提供电连接，例如，在接触接口140与框架结构110的电迹线之间的位置处提供电连接，或者在盖结构120的导电屏蔽结构与框架结构110的导电部分之间的位置处提供电连接。
例如，盖结构120的无源电气元件结构130的至少部分可以包括铜、金、银、铝和/或铜、金、银、镍、锡和/或铝的合金的至少其中之一。例如，无源电气元件结构包括一个或多个铜迹线(例如，线圈的)和/或铜板(例如，电容器的)。例如，接触接口140可以包括与无源电气元件结构130相同的材料。替代地，接触接口140可以包括不同于无源电气元件结构130的材料的导电材料，例如，铜、金、银、铝、镍、锡和/或合金之一。
例如，盖结构包括嵌入了无源电气元件结构的电绝缘材料。电绝缘材料可以是模制件、模制化合物、环氧树脂玻璃纤维、环氧树脂玻璃纤维纸复合物、树脂、聚酯玻璃纤维、聚酰亚胺玻璃纤维以及特氟隆玻璃纤维的至少其中之一。例如，电绝缘材料可以是用于容纳电气部件、用于封装电气部件、或者用作印刷电路板(PCB)的衬底材料的材料。例如，电绝缘材料可以将无源电气元件结构130的导电部分分开，以提供特定的无源电气元件。例如，电绝缘材料可以将无源电气元件结构130的多个层中的不同层分开。电绝缘材料和无源电气元件结构130可以形成多层板。例如，电绝缘材料可以提供盖结构120的基板，并且无源电气元件结构130可以附接至基板。例如，无源电气元件结构130可以被电绝缘材料覆盖，例如，被模制化合物覆盖。无源电气元件结构130可以是可经由盖结构120的表面处的接触接口140连接的。接触接口140可能不被电绝缘材料覆盖。盖结构120可以包括多种不同电绝缘材料。
任选地，框架结构110可以是导电的。例如，框架结构110可以由金属片或者金属制成，并且可以是完全导电的。替代地，框架结构110可以包括导电结构，例如，框架结构110的背离电磁屏蔽帽的腔的外侧处的导电层。例如，框架结构110的外侧部分是导电的，并且框架结构110的内侧部分是电绝缘的。如果(例如)盖结构120包括导电屏蔽结构，那么导电屏蔽结构可以连接至导电框架结构110或者框架结构110的导电部分。例如，由于导电屏蔽结构和框架结构110对电磁辐射的较高衰减，可以改善由电磁屏蔽帽100提供的电磁屏蔽。
任选地，框架结构的高度可以小于5mm(或者小于3mm、或者小于1mm)。替代地或此外，框架结构110的高度可以大于0.1mm、大于0.3mm、或者大于0.5mm。例如，框架结构110的高度小于1mm和/或大于0.2mm。
任选地，盖结构120和/或框架结构110的最长边的边长可以小于5cm(或者小于4cm、小于3cm、或者小于2cm)。替代地或此外，盖结构120的最长边的边长可以大于0.2cm、大于1cm或者大于2cm。相应地，框架结构110的最长横向边长可以小于20cm(或者小于10cm、或者小于5cm)和/或大于0.2cm(或者大于1cm或者大于2cm)。
电磁屏蔽帽100的框架结构110可以包括多个壁元件。例如，壁元件可以相互连接，并且包围框架结构110的相对两侧处的孔开口。框架结构的高度可以是两个开口侧之间的距离。例如，框架结构110可以包括分别按照90°角相互连接的四个壁元件。例如，框架结构110可以是方形的或者矩形的。
例如，框架结构110可以包括金属或导电材料或者可以由金属或导电材料构成，和/或框架结构110可以包括绝缘材料，例如，塑料材料或合成材料。可以在框架结构的壁中连续地提供框架结构的材料。
附接至框架结构110的盖结构120可以具有框架结构110的底面积的形状，其中，底面积可以是框架结构110的相对于框架结构110的壁元件为水平的一侧，或者底面积可以是框架结构110的一个开口侧。例如，附接的盖结构120可以覆盖框架结构110的开口侧之一。换言之，盖结构120可以被形成为至少部分地或者完全地覆盖框架结构110的一个开口侧。附接至框架结构110的盖结构120可以与框架结构110一起形成帽结构或者在一侧有开口的罐结构。例如，电磁屏蔽帽100可以是空立方体或者可以是缺失一个侧壁的包含腔的立方体。例如，要被电磁屏蔽帽100覆盖的电路可以被放置到电磁屏蔽帽100的腔中。
例如，电磁屏蔽帽100可以使电磁屏蔽帽100外侧和/或内侧的电磁场强度减小，减小的幅度超过电磁屏蔽帽100内侧或外侧的电磁场强度的50％、超过该电磁场强度的70％、超过该电磁场强度的90％或者超过该电磁场强度的95％、和/或小于该电磁场强度的99.9％或者小于该电磁场强度的97％。电磁屏蔽帽内侧的电磁场可以是由电磁屏蔽帽100内侧的电路发射电磁场而引起的。例如，可以提供电磁屏蔽，以满足包括发射电磁场的电路的电气装置的电磁兼容性要求，或者避免由于包括电磁场发射电路的电气装置内侧的电磁干扰而导致的扰动。例如，电磁屏蔽可以防止从外部入射到电磁屏蔽帽100处的电磁场干扰电磁屏蔽帽100内侧的电路。
可以在电气系统中，例如，在电路板上和/或在电气装置中提供电磁屏蔽帽100。下文提供电气系统的示例。
图2示出了电气系统200的示意图。电气系统200包括位于电路板220上的电路210之上的电磁屏蔽帽100。电路210可以被框架结构110包围并且被盖结构120覆盖。例如，整个电路或其至少部分可以被电磁屏蔽帽100屏蔽或覆盖。
例如，无源电气元件结构130可以是电路210的无源电气元件，例如，连接至电路210的线圈和/或电容器和/或电阻器。无源电气元件结构130可以是电路板220上的位于电磁屏蔽帽100外侧的电路的无源电气元件。无源电气元件结构130可以发射电磁场。例如，电磁屏蔽帽100内的电磁场强度可以具有第一值，并且电磁屏蔽帽100外侧的电磁场强度可以具有第二值，由于由电磁屏蔽帽100提供的电磁屏蔽的原因，第二值小于第一值，例如，第二值小于第一值的90％、小于第一值的50％、小于第一值的30％或者小于第一值的10％。
例如，框架结构110可以被焊接、胶合、夹固、或者用螺丝固定至电路板220，或者通过排针连接至电路板220。例如，框架结构110和电路板220之间的连接可以是导电的。
任选地，电气系统200可以包括在盖结构的接触接口140和电路板220上的电路210之间提供电连接的电连接器。例如，电连接器可以是从至少一个接触接口140到达电路210或者电路板220的相应接触接口的电导线。例如，电连接器可以提供从无源电气元件结构130到电路210的连接，并且可以任选地提供从盖结构120的导电屏蔽结构到接地端子(例如，电路板220的接地端子)的单独连接。例如，电连接器可以位于电磁屏蔽帽100的腔内，例如，位于框架结构的壁之间并且位于盖结构和电路板之间。
例如，无源电气元件结构130可以部分地连接至由电磁屏蔽帽屏蔽的电路，并且部分地通过至少一个电连接器连接至电路板上的一些其它电路。例如，无源电气元件结构130的两个部分可以位于盖结构的相应的相对侧上，其中，在每一侧上有相应的接触接口140。例如，腔内侧的部分可能连接至由电磁屏蔽帽100覆盖的电路210，并且盖结构顶上的部分可以连接至电磁屏蔽帽100外侧的电路。
任选地，电气系统200可以包括电连接至电路板的参考电压端子的框架结构。框架结构110可以是导电的，并且可以通过导电夹而夹固到电路板220。所述夹可以电连接至参考电压端子。参考电压端子可以是提供电路210的接地电位的端子。例如，框架结构110可以被接地。结果可以是框架结构110的较高的电磁屏蔽效果以及电气系统200的电磁屏蔽帽100的较高的电磁屏蔽效果。
任选地，电路板220上的电路210可以是发射器电路、接收器电路、收发器电路和电压转换器电路的至少其中之一。例如，电路板220可以被提供在移动装置中。例如，移动装置可能需要电压转换器电路。电压转换器电路可以发射有可能干扰电路210外侧和/或内侧的其它部件的电磁场。与在电路板上并排提供所有元件相比，电路210可以表现出减小的尺寸，因为至少一个无源电气元件被集成到电磁屏蔽帽100中，而与此同时，电磁屏蔽帽100可以防止有可能干扰的电磁辐射离开和/或进入电磁屏蔽帽100。
在示例中，电路板上的电路可以是DC-DC转换器电路，其中，盖结构的无源电气元件结构是DC-DC转换器电路的线圈。将电路210的线圈集成到电磁屏蔽帽100中可以引起电路210的底面积的尺寸减小，因为线圈可以是相对较大的无源部件。
任选地，电路板上的电路可以是半导体电路。例如，用于连接来自接触接口140的电连接器的接触接口可以是接合焊盘。例如，由于电路210的所有无源电气元件被集成到电磁屏蔽帽100的无源电气元件结构130中，电路板220上的电路210可能仅仅需要半导体元件来提供其功能。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图2所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1和图3到图10)所提及的一个或多个方面。
图3示出了电气系统200的盖结构120的示意图的放大部分300。盖结构120包括多个导电层，例如，水平层，其中，第一层305形成了盖结构120的导电屏蔽结构，并且第二层310和第三层310’形成了无源电气元件结构130，例如，线圈。第二层310和第三层310’可以通过竖直导线315、315’连接。导电层305、310、310’通过绝缘材料320(例如，模制化合物)绝缘。电连接器325连接至盖结构120和电路板220。连接器325的至少部分提供无源电气元件结构130与包括部件340、340’和/或340”的电路210的连接。因此，提供了电线330、330’，以用于将包括层310、310’的无源电气元件结构130电连接至电路210。电连接器325的另一电线335被配置为将构建盖结构120的导电屏蔽结构的层305连接至电路板220(例如，连接至接地端子)。在图3的示例中，盖结构120可以被通过焊料345焊接至框架结构110。焊料345(例如)将盖结构120附接至框架结构110，并且可以同时建立电连接。例如，框架结构110是导电的，并且连接至接地端子，使得结果是盖结构120也可以电连接至接地端子。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图3所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1、图2以及图4到图10)提及的一个或多个方面。
图4示出了电气系统(例如，系统200)的示意图、以及无源电气元件结构的示例的示意性3D图示400。3D图示400示出了示例性盖结构120，其具有位于盖结构120的与框架结构110相对的一侧上的层305，例如，导电屏蔽结构。示例性盖结构120还包括无源电气元件结构130，其由处于盖结构120的面朝框架结构110的一侧(例如，盖结构120的底侧)上的层310、310’的至少其中之一提供。在盖结构120的底视图420中，示出了无源电气元件结构130的层310，该层覆盖层310’。通过绝缘材料320(例如，模制化合物)使层310、310’结构化。例如，层310、310’包括铜。底视图420进一步示出了通过接触接口415、415’提供的盖结构120的接触接口140。接触接口415、415’电连接至层310(和/或层310’)，从而(例如)使得电连接器能够在包括层310的无源电气元件结构130与例如电路板220上的电路之间提供连接。图4给出了多用途屏蔽罐的盖的无缘层之一中的电感器的示例性布置。还示出了电感器上方的屏蔽件。在一个示例中，例如，在盖结构仅仅包括层310，或者仅使用层310和310’中的层310实施电感器时，电感器可以是单匝电感器。在另一个示例中，例如，在盖结构120包括层310和层310’时，电感器可以是处于多层布置中的两匝电感器，其中，两匝电感器可以是由两个层310和310’提供的。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图4所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图3以及图5到图10)提及的一个或多个方面。
图5示出了嵌入在盖结构120中的线圈510的示例500示意图。线圈510包括例如提供在盖结构120的第一层中的电迹线515。在区域520中，电迹线515中的至少一些可以被引导到盖结构120的另一层(例如，第二层)中。线圈边长525可以大于0.2mm和/或小于20cm。线圈510可以是盖结构120的无源电气元件结构130的至少部分，并且通往线圈510的电连接可以是经由盖结构120的接触接口530、530’建立的。
线圈510可以是用于移动电话平台的功率管理单元中的典型DC-DC转换器电感器，因为其可以集成到多用途屏蔽罐的盖的无源层之一中。线圈边长可以长达几毫米。多用途屏蔽罐的盖的无缘层中的电感器的唯一布置可能带来两种效果。第一种效果可以是空间节约的可能性：如(例如)图5所示的用于功率管理单元的DC-DC转换器的电感器可以具有大约几pH或nH或μH(例如，大于10pH(或大于10nH、大于100nH、大于10μH)和/或小于1mH(或者小于500μH、小于100μH或者小于10μH))的电感，并且将占据硅或PCB上的大空间(高达几毫米)。可以通过将线圈或电感器集成到电磁屏蔽帽100的盖结构120中而在硅衬底或PCB上节约该空间。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图5所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图4以及图6到图10)提及的一个或多个方面。
图6示出了包括在频率范围610内的线圈的模拟品质因数605的示图600。第一线圈615直接位于硅衬底上，并且第二线圈620位于电磁屏蔽帽100(例如，位于硅衬底上)的盖结构120中。示图600表明，从某一频率625开始，第二线圈的品质因数高于第一线圈的品质因数。可以通过分别将线圈集成到电磁屏蔽帽100或者盖结构120中而提高线圈的效率。此外，可以看出，与第一线圈相比，第二线圈的品质因数具有较高的频率范围，其具有(例如)高于值630的值。可以通过将线圈置于盖结构120中或者盖结构120上而增大线圈的具有高品质因数的频率范围。
将线圈集成到电磁屏蔽帽100中可以获得性能改善。远离硅的布置可以使得能够获得宽带Q(品质因数)响应，因为其间的空气和屏蔽可以有助于减小与管芯中的高损耗硅的寄生耦合。其可以促进提高RF电路的操作频率。图6可以示出来自(例如)单匝电感器的电磁模拟的单端Q响应的示例。集成到多用途屏蔽罐的盖中的电感器可以提供比管芯上集成宽得多的带宽：在高达(例如)大约45GHz的频率上维持超过(例如)4的Q1值，而对于管芯上集成而言，Q1可能在不到30GHz的频率上已经下降到4以下。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图6所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图5以及图7到图10)提及的一个或多个方面。
图7示出了电气系统200的截面705的示意图700。图示700示出了(例如)截面705的顶视图。盖结构120可以在框架结构110的顶上附接至框架结构110。例如，框架结构110(例如，由各向异性导电膜材料构成的环)可以充当用于多用途屏蔽盖的连接器。例如，各向异性导电膜的环在框架结构110和盖结构120之间附接至框架结构110的顶部。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图7所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图6以及图8到图10)提及的一个或多个方面。
图8示出了用于形成电磁屏蔽帽的方法800的流程图。方法800包括形成框架结构810以及将盖结构附接至框架结构820。无源电气元件结构嵌入在盖结构中，并且盖结构包括用于将无源电气元件结构连接至要由电磁屏蔽帽覆盖的电路的至少一个接触接口。可以经由连接器以及任选的电路板、或者替代地经由框架结构和电路板提供电连接。
例如，无源电气元件结构可以在附接的时刻嵌入在盖结构中。例如，可以在将盖结构附接至框架结构之后将无源电气元件结构附接至盖结构。例如，可以将电磁屏蔽罐制造为在其盖的内侧上具有绝缘层，并且可以将无源电气元件结构附接至电磁屏蔽罐内侧的绝缘层作为无源电气元件结构。这样做可以使得有可能将其它屏蔽罐转换成电磁屏蔽帽100。
例如，方法可以包括附接盖结构，其中，盖结构的无源电气元件结构是电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。例如，方法可以包括形成围绕无源电气元件结构的电绝缘材料以形成盖结构，以及将盖结构附接至框架结构。例如，根据所述方法，无源电气元件可以附接至盖结构。
例如，方法可以包括附接盖结构，其中，盖结构包括嵌入了无源电气元件结构的电绝缘材料，其中，电绝缘材料是模制化合物、环氧树脂玻璃纤维、环氧树脂玻璃纤维纸复合物、树脂、聚酯玻璃纤维、聚酰亚胺玻璃纤维和特氟隆玻璃纤维的至少其中之一。例如，根据所述方法，可以利用电绝缘材料封装无源电气元件结构，以形成盖结构。
例如，方法可以包括附接盖结构，其中，盖结构包括与无源电气元件结构绝缘的导电屏蔽结构，其中，无源电气元件结构被布置在盖结构的一个或多个层中，该一个或多个层与盖结构的包括导电屏蔽结构的一个或多个层相比位于离框架结构更近的位置处。
任选地，根据所述方法附接盖结构可以包括将盖结构的导电屏蔽结构连接至框架结构。连接可以包括将连接器用插头连接到接触接口，和/或将电连接器的线焊接到接触接口。连接可以包括将接合线接合到接合焊盘。
任选地，根据所述方法附接盖结构可以包括将盖结构的接触接口置于盖结构的面朝框架结构的一侧上。例如，盖结构可以附接至框架结构，从而使得接触接口面朝框架结构。
任选地，方法还可以包括将电连接器连接至盖结构的接触接口。例如，根据所述方法，用于连接的电连接器可以被配置为建立通往电路板的端子的连接，其中，连接器具有与框架结构的高度相差小于20％的高度。
任选地，根据所述方法，可以形成或者使用框架结构，其中，框架结构的高度小于1cm。方法可以包括形成高度小于1cm、小于0.5cm或者小于0.3cm的框架结构。任选地，根据所述方法，框架结构可以由导电材料制成。任选地，方法可以包括提供分开的导电迹线作为框架结构中的连接线。
任选地，根据所述方法，盖结构的最长边的边长可以小于5cm。例如，盖结构可以被形成为小于4cm或者小于2cm。任选地，根据所述方法，盖结构的无源电气元件结构的至少部分可以由铜形成或制成。例如，形成盖结构可以包括对至少一个铜板进行结构化，以及形成连接至结构化的铜板的接触接口。
任选地，根据所述方法，盖结构的接触接口可以置于盖结构的接触区中，其中，接触区是盖结构的与框架结构接触的区域，其中，框架结构提供被配置为建立从接触接口到框架结构的与盖结构相对的一侧的连接的集成连接器。可以按照使得接触接口与框架结构或者框架结构的集成连接器发生接触的方式来定位盖结构。
任选地，根据所述方法，盖结构可以通过焊接、胶合、夹固、螺丝固定、以及连接排针的至少其中之一来附接至框架结构。例如，可以在将盖结构附接至框架结构之前，在框架结构和盖结构的接触区提供胶水。任选地，方法可以包括将各向异性导电膜置于框架结构和盖结构之间。例如，通过使用粘合剂各向异性导电膜，可以将盖结构胶合至框架结构，与此同时在盖结构和框架结构之间提供电连接。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图8所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图7以及图9到图10)提及的一个或多个方面。
图9示出了用于形成电气系统的方法900的流程图的示意图。方法900包括在电路板910上形成电路以及形成覆盖电路板920上的电路的电磁屏蔽帽。形成电磁屏蔽帽可以包括提供框架结构以及提供嵌入了无源电气元件结构的盖结构，以及将盖结构附接至框架结构，其中，盖结构包括用于将无源电气元件结构连接至要由电磁屏蔽帽覆盖的电路的至少一个接触接口。
任选地，方法可以包括提供电连接器，电连接器在盖结构的接触接口和电路板上的电路之间提供电连接。方法可以包括将接触接口电连接至盖结构内的无源电气元件结构。例如，可以在将盖结构附接至框架结构之前将电连接器连接至电路板。例如，可以在将盖结构附接至框架结构之前将电连接器连接至盖结构的接触接口。
任选地，方法可以包括将框架结构电连接至电路板的参考电压端子(例如，接地端子)。例如，可以经由用于将电磁屏蔽帽安装到电路板上的机械附接结构提供电连接。例如，机械附接结构可以是具有金属插头的插头连接。替代地，可以通过从框架结构抵达参考电压端子的导电连接导线提供电连接。
任选地，根据所述方法，电路板上的电路可以是发射器电路、接收器电路、收发器电路和电压转换器电路的至少其中之一。例如，电磁屏蔽帽可以用于覆盖发射器电路、接收器电路、收发器电路或者电压转换器电路的至少部分。例如，可以通过电磁屏蔽帽屏蔽对干扰性电磁辐射敏感的相应电路的部分，同时其余部分可以保持不被覆盖。
任选地，根据所述方法，电路板上的电路可以是DC-DC转换器电路，并且盖结构的无源电气元件结构是DC-DC转换器电路的线圈。例如，可以在电路板上形成半导体电路。半导体电路可能需要线圈元件，以提供DC-DC转换器的功能。在利用电磁屏蔽帽覆盖半导体电路时，所需的线圈可以形成于盖结构中并且经由连接器连接至半导体电路。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图9所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图8或者图10)提及的一个或多个方面。
图10示出了用于形成电气系统的方法1000的示意图。方法1000包括附接或者形成1010电路板220上的电路210，电路210包括用于电连接器的端子(未示出)。方法1000包括使框架结构110围绕电路210的至少部分附接1020至电路板220。方法1000包括将电连接器325连接1030至电路210的端子。方法1000包括将盖结构120附接1040到框架结构110上，以及将盖结构电连接至框架结构110和电连接器325的至少其中之一。可以按照另一顺序执行步骤1020和1030，例如，可以在附接框架结构之前将电连接器附接至电路板。替代地，还有可能首先将电连接器连接至盖结构，并且将盖结构附接至框架结构，并且之后将电磁屏蔽帽100连同电连接器一起附接至电路板。
图10提供了用于在电路板上制造电磁屏蔽结构的示例性组装流程。IC可以被放置于PCB上。PCB和IC设计可以考虑将无源部件移动到多用途屏蔽罐的盖中。可以将屏蔽罐框架放置于PCB上并且通过夹固来连接，或者在后续工艺步骤中通过焊接来连接。连接器可以放置于PCB上。
可以对组装步骤1010、1020和1030进行互换或者组合，如果其对工艺流程有利的话。替代地，可以首先将连接器附接至多用途屏蔽盖，并且仅在步骤1040或者在步骤1040之前将连接器连接至PCB。替代将连接器连接至PCB，还可以将连接器直接连接至IC。连接器的选项包括各向异性导电膜。适当的连接器还可以代替屏蔽罐框架壁中的一者或多者。多用途屏蔽盖可以附接至屏蔽框架。与连接器的接合可以通过附接发生或者可能需要此前的单独工艺步骤。将盖附接至框架的选项包括：焊接、胶合、夹固、螺丝固定、装配排针等。
将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。图10所示的实施例可以包括一个或多个任选的附加特征，其对应于联系所提出的概念或者上文或下文描述的一个或多个实施例(例如，图1到图9)提及的一个或多个方面。
其它示例涉及收发器电路，其包括处于电路板上的电路以及覆盖电路板上的电路的电磁屏蔽帽。电磁屏蔽帽可以包括框架结构以及嵌入了无源电气元件结构的盖结构，其中，盖结构可以附接至框架结构。盖结构可以包括用于将无源电气元件结构连接至要由电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。
其它示例涉及移动装置，其包括处于电路板上的电路以及覆盖电路板上的电路的电磁屏蔽帽。电磁屏蔽帽可以包括框架结构和嵌入了无源电气元件结构的盖结构，其中，盖结构可以附接至框架结构，其中，盖结构可以包括用于将无源电气元件结构连接至要由电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。将联系上文或下文描述的实施例提及更多的细节和方面。
示例涉及多用途屏蔽罐的盖。对于盖结构与PCB之间的或者从IC到PCB的柔性或刚性3D连接而言存在多种可能性。借助于电磁屏蔽结构100，因寄生耦合下降而可以实现更好的性能，并且可以实现管芯和/或封装和/或PCB上的面积节约。
一般而言，多用途屏蔽盖可以集成无源部件，以节约PCB面积，并且可以通过距离增大而减小电磁干扰。Rf(射频)电路和功率管理电路可以包括对电磁干扰敏感的无源元件。有限空间中的理想放置可能是非常困难的。将无源部件移动到多用途屏蔽罐的盖(例如，盖结构120)中可以节约管芯和/或封装和/或PCB上的空间，并且可以提高设计灵活性。
提出采用包含用于屏蔽目的的结构、连同无源部件以及可能的(例如)电感器的实施方式的单层或多层电路载体/衬底(例如，MIS＝模制互连衬底)来替代屏蔽罐的常规盖。
多用途屏蔽罐的盖可以通过将电路元件移动到先前未使用的空间中而增大集成密度。这样做可以节约管芯和/或封装和/或PCB上的面积，并且可以因寄生耦合的可能性减小而改善性能。其在RF应用和毫米波应用中可能格外令人感兴趣。可以集成到多用途屏蔽罐的盖中的无源部件的一些示例为：电感器、电阻器、天线结构、帽(例如，通过嵌入集成无源器件或SMD)。电感器可以适于集成到多用途屏蔽罐的盖中。与线圈位于管芯上的管芯上解决方案相比，将线圈集成到多用途屏蔽罐的盖中可以产生性能优势。
可以通过X射线检测屏蔽帽的中的无源电气元件结构。可以提供电磁屏蔽帽，以屏蔽芯片组和/或无线器件。
还提供了用于屏蔽电路的概念的其它示例。
示例1示出了用于屏蔽电路板上的电路的电磁屏蔽帽，所述电磁屏蔽帽包括：框架结构；以及包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至要由所述电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。
示例2示出了根据示例1的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构包括电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。
示例3示出了根据示例1或2之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构包括嵌入了所述无源电气元件结构的电绝缘材料，其中，所述电绝缘材料是模制化合物、环氧树脂玻璃纤维、环氧树脂玻璃纤维纸复合物、树脂、聚酯玻璃纤维、聚酰亚胺玻璃纤维和特氟隆玻璃纤维的至少其中之一。
示例4示出了根据示例1到3之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构包括与所述无源电气元件结构绝缘的导电屏蔽结构，其中，所述无源电气元件结构布置在所述盖结构的一个或多个层中，所述一个或多个层与所述盖结构的包括所述导电屏蔽结构的一个或多个层相比位于离所述框架结构更近的位置处。
示例5示出了根据示例4的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的所述导电屏蔽结构电连接至所述框架结构。
示例6示出了根据示例1到5之一的电磁屏蔽帽，其中，所述框架结构是导电的。
示例7示出了根据示例1到6之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的所述接触接口被置于所述盖结构的面朝所述框架结构的一侧上。
示例8示出了根据示例1到7之一的电磁屏蔽帽，其中，电连接器连接至所述盖结构的所述接触接口。
示例9示出了根据示例8的电磁屏蔽帽，其中，所述电连接器被配置为在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板的接触接口或者所述电路的接触接口之间建立电连接。
示例10示出了根据示例8或9的电磁屏蔽帽，其中，所述电连接器的高度与所述框架结构的高度相差小于所述框架结构的高度的20％。
示例11示出了根据示例1到7之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的所述接触接口被置于所述盖结构的接触区中，其中，所述接触区是所述盖结构的与所述框架结构接触的区域，其中，所述框架结构包括连接至所述盖结构的接触接口并且从所述接触区延伸至所述框架结构的与所述盖结构相对的一侧的至少一条导电迹线。
示例12示出了根据示例1到11之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构被焊接、胶合、夹固、或者用螺丝固定至所述框架结构，或者通过排针连接至所述框架结构。
示例13示出了根据示例1到12之一的电磁屏蔽帽，其中，各向异性导电膜位于所述框架结构和所述盖结构之间。
示例14示出了根据示例1到13之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的最长边的边长小于5cm。
示例15示出了根据示例1到14之一的电磁屏蔽帽，其中，所述框架结构的高度小于1cm。
示例16示出了根据示例1到15之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构的至少部分包括铜。
示例17示出了根据示例1到16之一的电磁屏蔽帽，其中，所述盖结构包括多个横向布线层以及多个竖直布线层。
示例18示出了一种电气系统，其包括：电路板上的电路；以及屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，所述电磁屏蔽帽包括框架结构和包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
示例19示出了根据示例18的电气系统，还包括电连接器，所述电连接器在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板的接触接口或者所述电路板上的所述电路的接触接口之间提供电连接。
示例20示出了根据示例18或19的电气系统，其中，所述框架结构电连接至所述电路板的参考电压端子。
示例21示出了根据示例18到20之一的电气系统，其中，所述电路板上的所述电路是发射器电路、接收器电路、收发器电路和电压转换器电路的至少其中之一。
示例22示出了根据示例18到21之一的电气系统，其中，所述电路板上的所述电路是DC-DC转换器电路，并且所述盖结构的无源电气元件结构是所述DC-DC转换器电路的线圈。
示例23示出了根据示例18到22之一的电气系统，其中，所述电路板上的所述电路是半导体电路。
示例24示出了一种收发器电路，其包括：电路板上的电路；以及屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，所述电磁屏蔽帽包括框架结构和包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
示例25示出了一种移动装置，其包括：电路板上的电路；以及屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，所述电磁屏蔽帽包括框架结构和包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
示例26示出了一种用于形成电磁屏蔽帽的方法，所述方法包括：提供框架结构；以及将盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括无源电气元件结构，并且所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至要由所述电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。
示例27示出了根据示例26的方法，其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构是电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。
示例28示出了根据示例26或27之一的方法，其中，所述盖结构包括嵌入了所述无源电气元件结构的电绝缘材料，其中，所述电绝缘材料是模制化合物、环氧树脂玻璃纤维、环氧树脂玻璃纤维纸复合物、树脂、聚酯玻璃纤维、聚酰亚胺玻璃纤维和特氟隆玻璃纤维的至少其中之一。
示例29示出了根据示例26到28之一的方法，其中，所述盖结构包括与所述无源电气元件结构绝缘的导电屏蔽结构，其中，所述无源电气元件结构布置在所述盖结构的一个或多个层中，所述一个或多个层与所述盖结构的包括所述导电屏蔽结构的一个或多个层相比位于离所述框架结构更近的位置处。
示例30示出了根据示例29的方法，其中，附接所述盖结构包括将所述盖结构的所述导电屏蔽结构电连接至所述框架结构。
示例31示出了根据示例26到30之一的方法，其中，附接所述盖结构包括将所述盖结构的接触接口置于所述盖结构的面朝所述框架结构的一侧上。
示例32示出了根据示例26到31之一的方法，还包括将电连接器连接至所述盖结构的所述接触接口。
示例33示出了根据示例32的方法，其中，所述电连接器被配置为建立通往所述电路板的端子的连接。
示例34示出了根据示例32或33之一的方法，其中，所述电连接器的高度与所述框架结构的高度相差小于所述框架结构的高度的20％。
示例35示出了根据示例26到34之一的方法，其中，附接包括将所述盖结构的所述接触接口置于所述盖结构的接触区中，其中，所述接触区是所述盖结构的与所述框架结构接触的区域，其中，所述框架结构提供被配置为建立从所述接触接口到所述框架结构的与所述盖结构相对的一侧的连接的集成连接器。
示例36示出了根据示例26到35之一的方法，其中，将所述盖结构附接至所述框架结构包括焊接、胶合、夹固、螺丝固定和连接排针的至少其中之一。
示例37示出了根据示例26到36之一的方法，还包括将各向异性导电膜置于所述框架结构和所述盖结构之间。
示例38示出了根据示例26到37之一的方法，其中，所述框架结构是导电的。
示例39示出了根据示例26到38之一的方法，其中，所述盖结构的最长边的边长小于5cm。
示例40示出了根据示例26到39之一的方法，其中，所述框架结构的高度小于1cm。
示例41示出了根据示例26到40之一的方法，其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构的至少部分包括铜。
示例42示出了根据示例26到41之一的方法，其中，所述盖结构包括多个横向布线层以及多个竖直布线层。
示例43示出了一种用于形成电气系统的方法，所述方法包括：形成电路板上的电路；以及形成屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，形成所述电磁屏蔽帽包括提供框架结构以及提供嵌入了无源电气元件结构的盖结构，以及将所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
示例44示出了根据示例43的方法，还包括提供电连接器以及通过所述电连接器在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板上的所述电路之间提供电连接。
示例45示出了根据示例43或44的方法，其中，所述框架结构电连接至所述电路板的参考电压端子。
示例46示出了根据示例43到45之一的方法，其中，所述电路板上的所述电路是发射器电路、接收器电路、收发器电路和电压转换器电路的至少其中之一。
示例47示出了根据示例46的方法，其中，所述电路板上的所述电路是DC-DC转换器电路，并且所述盖结构的无源电气元件结构是所述DC-DC转换器电路的线圈。
示例48示出了根据示例43到47之一的方法，其中，所述电路板上的所述电路是半导体电路。
示例49是一种非暂态机器可读存储介质，包括程序代码，所述程序代码在被执行时使得可编程处理器执行示例26到48之一的方法。
所提及并描述的方面和特征连同先前详述的示例和附图中的一者或多者也可以与其它示例中的一者或多者相结合，从而替代所述其它示例的类似特征，或者向所述其它示例额外地引入特征。
示例还可以是或者涉及具有程序代码的计算机程序，所述程序代码用于在计算机程序在计算机或处理器上执行时执行上述方法中的一者或多者。各种上文描述的方法的步骤、操作或过程可以由编程的计算机或处理器执行。示例还可以覆盖程序存储装置，例如，数字数据存储介质，其可以是机器、处理器或计算机可读编码、指令的机器可读、处理器可读或者计算机可读程序。所述指令执行或者使得能够执行上文描述的方法的操作中的一些或全部。所述程序存储装置可以包括或者可以是(例如)数字存储器、磁存储介质(例如，磁盘和磁带)、硬盘驱动器或者光学可读数字数据存储介质。其它示例还可以覆盖被编程为执行上文描述的方法的操作的计算机、处理器或者控制单元，或者被编程为执行上文描述的方法的操作的(现场)可编程逻辑阵列((F)PLA)或者(现场)可编程门阵列((F)PGA)。
所述描述和附图只是对本公开的原理的举例说明。此外，本文阐述的所有示例在原则上均明确地旨在仅用于教学目的，以帮助读者理解本公开的原理以及本发明人所贡献的推动本领域发展的概念。此外，本文中详述本公开的原理、方面和示例及其具体示例的所有陈述旨在包含其等价方案。
被表示为“用于……的模块”的执行某项功能的功能块可以指被配置为执行某一功能的电路。这里，“用于……的模块”可以被实施为“被配置为或者适于……的模块”，例如，被配置为或者适于相应的任务的装置或电路。
附图所述的各种元件(包括被表示为“模块”、“用于提供信号的模块”、“用于生成信号的模块”等)的功能可以是按照专用硬件(例如，信号提供器、信号处理单元、处理器、控制器等)的形式实施的，也可以是按照能够执行软件的硬件与适当软件相结合的形式实施的。在通过处理器提供所述功能时，所述功能可以是通过单个专用处理器、通过单个共享处理器或者通过多个个体处理器(其中的一些或其全部可以被共享)提供的。然而，到目前为止，术语“处理器”或“控制器”不局限于仅仅能够执行软件的硬件，而是可以包括数字信号处理器(DSP)硬件、网络处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、用于存储软件的只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和非易失性存储器。还可以包括其它硬件(常规的和/或定制的)。
方框图(例如)可以示出实施本公开的原理的高层级电路图。类似地，流程图、流程框图、状态变换图以及伪代码等可以表示实质上可以(例如)在计算机可读存储介质中表示并因而由计算机或处理器执行的各种过程、操作或步骤，而不管是否明确示出了这样的计算机或处理器。说明书或者权利要求中公开的方法可以由具有用于执行这些方法的相应操作中的每者的模块的装置实施。
应当理解，对说明书或权利要求中公开的多项动作、过程、操作、步骤或功能的公开可以不被解释为要处于特定的顺序内，除非例如出于技术原因而明确或者隐含地做出了另外的陈述。因此，对多项动作或功能的公开将不使其局限于特定顺序，除非这样的动作或功能出于技术的原因是不可互换的。此外，在一些示例中，单个动作、功能、过程、操作或步骤可以分别包括或者可以分别被拆分成多个子动作、子功能、子过程、子操作或者子步骤。这样的子动作可以被包括作为该单个动作的公开内容的部分，除非明确排除这种情况。
此外，在此将下面的权利要求并入到具体实施方式部分中，其中，每一权利要求自身表示单独的示例。尽管每项权利要求自身可以代表单独的示例，但是应当指出，尽管从属权利要求在权利要求书中可以指与一项或多项其它权利要求的具体组合，但是其它示例也可以包括从属权利要求与每一其它从属或独立权利要求的主题的组合。在本文中明确提出了这样的组合，除非阐明了并非旨在实现特定组合。此外，还旨在将权利要求的特征包括到任何其它独立权利要求，即使并未直接使该权利要求从属于该独立权利要求。

Claims (25)

1.一种用于屏蔽电路板上的电路的电磁屏蔽帽，所述电磁屏蔽帽包括：
框架结构；以及
包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至要由所述电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构包括电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构包括嵌入了所述无源电气元件结构的电绝缘材料，其中，所述电绝缘材料是模制化合物、环氧树脂玻璃纤维、环氧树脂玻璃纤维纸复合物、树脂、聚酯玻璃纤维、聚酰亚胺玻璃纤维和特氟隆玻璃纤维的至少其中之一。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构包括与所述无源电气元件结构绝缘的导电屏蔽结构，其中，所述无源电气元件结构布置在所述盖结构的一个或多个层中，所述一个或多个层与所述盖结构的包括所述导电屏蔽结构的一个或多个层相比位于离所述框架结构更近的位置处。
5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的所述导电屏蔽结构电连接至所述框架结构。
6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述框架结构是导电的。
7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的所述接触接口位于所述盖结构的面朝所述框架结构的一侧上。
8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述电连接器连接至所述盖结构的所述接触接口。
9.根据权利要求8所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述电连接器被配置为在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板的接触接口或者所述电路的接触接口之间建立电连接。
10.根据权利要求8所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述电连接器的高度与所述框架结构的高度相差小于所述框架结构的高度的20％。
11.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的所述接触接口位于所述盖结构的接触区中，其中，所述接触区是所述盖结构的与所述框架结构接触的区域，其中，所述框架结构包括连接至所述盖结构的接触接口并且从所述接触区延伸至所述框架结构的与所述盖结构相对的一侧的至少一条导电迹线。
12.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构被焊接、胶合、夹固、或者用螺丝固定至所述框架结构，或者通过排针连接至所述框架结构。
13.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，各向异性导电膜位于所述框架结构和所述盖结构之间。
14.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的最长边的边长小于5cm。
15.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述框架结构的高度小于1cm。
16.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构的至少部分包括铜。
17.根据权利要求1所述的电磁屏蔽帽，
其中，所述盖结构包括多个横向布线层以及多个竖直布线层。
18.一种电气系统，包括：
电路板上的电路；以及
屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，所述电磁屏蔽帽包括框架结构和包括无源电气元件结构的盖结构，其中，所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
19.根据权利要求18所述的电气系统，还包括：
电连接器，其在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板的接触接口或者所述电路板上的所述电路的接触接口之间提供电连接。
20.根据权利要求18所述的电气系统，
其中，所述电路板上的所述电路是发射器电路、接收器电路、收发器电路和电压转换器电路的至少其中之一。
21.根据权利要求18所述的电气系统，
其中，所述电路板上的所述电路是DC-DC转换器电路，并且所述盖结构的所述无源电气元件结构是所述DC-DC转换器电路的线圈。
22.一种用于形成电磁屏蔽帽的方法，所述方法包括：
提供框架结构；以及
将盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括无源电气元件结构，并且所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至要由所述电磁屏蔽帽屏蔽的电路的至少一个接触接口。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述盖结构的所述无源电气元件结构是电阻器、电容器、线圈和天线的至少其中之一。
24.一种用于形成电气系统的方法，所述方法包括：
形成电路板上的电路；以及
形成屏蔽所述电路板上的所述电路的电磁屏蔽帽，其中，形成所述电磁屏蔽帽包括：提供框架结构并且提供嵌入了无源电气元件结构的盖结构，以及将所述盖结构附接至所述框架结构，其中，所述盖结构包括用于将所述无源电气元件结构连接至所述电路的至少一个接触接口。
25.根据权利要求24所述的方法，还包括：
提供电连接器以及通过所述电连接器在所述盖结构的所述接触接口与所述电路板上的所述电路之间提供电连接。
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