CN108370426B - 摄像器件和电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及摄像器件。所述摄像器件包括：像素基板，其包括像素元件电路；逻辑基板，其包括读取电路，所述读取电路被配置成接收来自所述像素元件电路的输出信号电压；和导电材料，其布置在所述像素基板与所述逻辑基板之间，其中，所述导电材料被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输至少一个参考电压，并且其中，所述导电材料包括Cu‑Cu接合部。

Description

摄像器件和电子装置
技术领域
本发明涉及摄像器件和电子装置，并且具体涉及被配置成具有多个层叠基板的摄像器件和电子装置。
<相关申请的交叉引用>
本发明要求于2015年12月21日提交的日本在先专利申请JP2015-248480的优先权权益，该日本在先专利申请的全部内容通过引用而并入本文中。
背景技术
过去已知的固体摄像元件的构造是像素基板和逻辑基板的层叠结构，在该像素基板中，沿垂直方向和沿水平方向布置有多个像素，各像素包括诸如PD(光电二极管)等光电转换元件，在该逻辑基板上，安装有用于从像素基板读取作为像素信号的电气信号以执行AD转换等的电路(例如，参见专利文献PTL 1)。
层叠的像素基板和逻辑基板通过使在这两个基板上形成的由导电材料制成的微凸块进入相互接触状态而实现电气连接，或者通过以贯穿这两个基板的方式形成TCV(硅贯通电极)而实现电气连接，由此，像素信号等经由微凸块或者TCV进行通信。
[引用列表]
[专利文献]
PTL1：JP 2012-244331A
发明内容
要解决的技术问题
在微凸块被用来实现层叠基板之间的电气连接的情况下，由于微凸块的大的横截面积(例如，15μm×15μm的数量级)，微凸块占据基板的面积就增大了，以致于妨碍了像素的微型化或者固体摄像元件的尺寸小型化。另外，因为在层叠基板之间设置有用于微凸块的额外空间，所以基板之间的电容耦合就减弱了，因而降低了在层叠基板的配线被用作去耦电容(decoupling capacitance)的情况下所获得的效果。
在TCV被用来实现层叠基板之间的电气连接的情况下，因为TCV的布置由于其构造的原因而被限制于未布置有诸如PD等光电转换元件的位置上，所以寄生电阻不能被忽略。因此，被连接起来的两个基板不能视为同一节点。
本发明是鉴于上述状况而做出的，而且本发明基于如下需求：在将多个基板层叠的时候，在节约面积、且不会引起寄生电阻的同时，建立基板之间的电气连接。
解决问题的技术方案
在一些实施方式中，本发明的摄像器件可以包括：具有像素元件电路的像素基板；具有用于接收来自所述像素元件电路的输出信号电压的读取电路的逻辑基板；以及布置在所述像素基板和所述逻辑基板之间的导电材料，其中，所述导电材料被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输至少一个参考电压，并且其中，所述导电材料包括Cu-Cu接合部。
在一些实施方式中，本发明的电子装置可以包括上述摄像器件。
本发明的有益效果
根据本发明的第一方面和第二方面，在将多个基板层叠的时候，能够在节约面积、且不会引起寄生电阻的同时，建立基板之间的电气连接。
附图说明
图1是本发明适用的固体摄像元件的俯视图。
图2是示出了固体摄像元件的第一构造示例的电路图。
图3是示出了固体摄像元件的第二构造示例的电路图。
图4是示出了固体摄像元件的第三构造示例的电路图。
图5是示出了Cu-Cu接合部的接合示例的图。
图6是示出了本发明适用的电子装置的使用示例的图。
具体实施方式
下面，将参照附图来详细说明用于实施本发明的最佳方式(在下文中，称为“实施例”)。
<作为本发明实施例的固体摄像元件的构造示例>
图1是示出了作为本发明实施例的固体摄像元件的构造示例的俯视图。
该固体摄像元件被配置成具有像素基板10和逻辑基板30的层叠结构，在该层叠结构中，布置在这两个基板的最上层中的配线金属(例如，Cu)互相连接，从而形成Cu-Cu接合部20，由此将这两个基板电气连接。由Cu-Cu接合部20占据的面积(例如，2μm×2μm的数量级)小于为了微凸块而需要设置的面积(例如，15μm×15μm的数量级)。
注意，布置在像素基板10的最上层中的配线金属和布置在逻辑基板30的最上层中的配线金属不限于Cu，而是例如可以使用诸如Au等导电材料。在这种情况下，使用Au-Au接合部来代替Cu-Cu接合部20。
在像素基板10上布置有多个像素块11，各个像素块11由N×M像素形成。与像素基板10的各个像素块11分别对应地，在逻辑基板30上布置有一个读取电路33(图2)，该读取电路33用于读取来自该像素块11的N×M像素的像素信号等。
<固体摄像元件的第一构造示例>
图2是示出了固体摄像元件的第一构造示例的电路图。在该图中的像素基板10中仅示出了一个像素的电路构造，并且在逻辑基板30中示出了与像素基板10上的像素块11对应的电路构造。
作为像素基板10中的一个像素的电路构造，形成有PD 11、TG晶体管12、FD(浮动扩散部)13、AMP晶体管14、SEL晶体管15和RST晶体管16。
PD 11是光电转换元件的一个示例，并且通过光电转换来产生和累积与入射光对应的电荷。PD 11的阳极连接至VSS(接地配线)22，PD 11的阴极连接至TG晶体管12的源极。此处，VSS 22被假设成表示如下配线：在操作状态下，从这两个基板的外部向该配线施加有电压，并且电流从该配线均匀地流出。
TG晶体管12是用于把在PD 11中累积的电荷向FD(浮动扩散部)13传输的晶体管。TG晶体管12的源极连接至到PD 11的阴极，TG晶体管12的漏极连接至FD 13且连接至AMP晶体管14的栅极。FD 13将从PD 11传输过来的电荷转换为电压。
AMP晶体管14是这样的晶体管：其发挥了使用FD 13的电压作为输入的像素基板10的源极跟随器的作用。AMP晶体管14的栅极连接至FD 13，且AMP晶体管14的漏极连接至VDD(电源配线)21。另外，AMP晶体管14的源极连接至SEL晶体管15的漏极。此处，VDD 21被假设成表示如下配线：在操作状态下，从这两个基板的外部向该配线施加有电压，并且电流均匀地流入该配线。
SEL晶体管15是用于将电气信号(电压)的输出选择到垂直信号线(VSL)23的晶体管。SEL晶体管15的源极连接至VSL 23。
RST晶体管16是用于复位FD 13中所累积的电荷(电压(电位))的晶体管。RST晶体管16的漏极连接至VDD 21，且RST晶体管16的的源极连接至FD 13。
另一方面，在逻辑基板30上形成有晶体管31、VSL驱动电流电源32和读取电路33。
晶体管31是逻辑基板30的源极跟随器，并且作为用于防止VSL 23具有过低电位的箝位电路进行操作。在下文中，该晶体管也称为箝位电路31。
读取电路33被布置成紧邻于Cu-Cu接合部20-4下方，并且连接至VSL 23，且读取来自像素基板10的也作为像素信号的电气信号以执行该电气信号的AD转换，而且将AD转换的结果输出到下一阶段。
像素基板10和逻辑基板30这两者之间的VDD 21经由Cu-Cu接合部20-1而被连接。另外，这两个基板之间的VSS 22经由Cu-Cu接合部20-2和20-3而被连接。此外，这两个基板之间的VSL 23经由Cu-Cu接合部20-4而被连接。
因为Cu-Cu接合部20-4被把这两个基板之间的VSS 22连接起来的Cu-Cu接合部20-2和20-3围绕着，所以这两个基板之间的VSL 23能够视为被VSS 22屏蔽。尽管图中未示出，可以采用如下构造：Cu-Cu接合部20-4被多个把这两个基板之间的VDD 21连接起来的Cu-Cu接合部20-1围绕着，使得这两个基板之间的VSL 23可以被VDD 21屏蔽。
假设像素基板10中的VSS 22的一部分和逻辑基板30中的VDD 21的一部分在Cu-Cu接合部20附近是彼此并行的。可替代地，尽管图中未示出，可以采用如下构造：VDD 21和VSS22中的至少一者可以被布线在这两个基板上的互相正交的方向上。
<固体摄像元件的第一构造示例的功能>
在第一构造示例中，当通过FD 13对电荷进行转换而得到的电位过高时，可能会出现对于VSL 23来说不允许的急剧的电压下降。然后，当逻辑基板30的源极跟随器(箝位电路31)为了防止这种情况而进行操作时，因为像素基板10的源极跟随器(APM晶体管14)没有供给电流，所以电压降低，从而反过来导致逻辑基板30的电压下降的增加。在这种状况下，连接至VSL 23的读取电路33受到电压下降的影响，从而导致会输出与原本应当输出的AD转换结果有误差的AD转换结果。
然而，在第一构造示例中，布置在读取电路23上方的Cu-Cu接合部20-4导致了对于基板之间的电压变动通过高频特性进行平均化的作用，因而能够抑制由于电压下降的量的变化而引起的读取电路33的输出中的误差。
因为这两个基板之间的VSL 23被VSS 22屏蔽，这就使得VSL 23能够防止由于通过邻接的VSL或其他邻近的信号配线的电容进行耦合而引起的相互干扰。
因为像素基板10中的VSS 22的一部分和逻辑基板30中的VDD 21的一部分在Cu-Cu接合部20附近是彼此并行的，所以由这两个基板之间的彼此并行的VSS 22和VDD 21之间的寄生电容形成的去耦电容35的频率特性就能够令人满意地维持为高频率。这使得能够改善这两个基板的电源噪声电阻。
这两个基板之间的VDD 21经由Cu-Cu接合部20-1而被连接。因此，即使在像素基板10侧的配线宽度不足够的情况下，也可以通过在能够容易地布置多层配线的逻辑基板30侧布置多层配线，由此以低的阻抗供给必要的电流。
<固体摄像元件的第二构造示例>
图3是示出了固体摄像元件的第二构造示例的电路图。在该图中的像素基板10中仅示出了一个像素的电路构造，并且在逻辑基板30中示出了与像素基板10上的像素块11对应的电路构造。另外，与图2所示的第一构造示例中的组件相同的组件用相同的附图标记标识，以适当地省略它们的说明。
在第二构造示例中的像素基板10中，作为一个像素的电路构造，形成有PD 11、TG晶体管12、FD 13、AMP晶体管14、SEL晶体管15和RST晶体管16。
像素控制配线42连接至TG晶体管12的栅极。
另一方面，在逻辑基板30中形成有VSL驱动电流电源32、读取电路33和任意函数电路41。
像素控制配线42连接至任意函数电路41，以产生例如用于控制各个像素的曝光时序的像素控制信号，并且把所产生的像素控制信号经由像素控制配线42提供至TG晶体管12的栅极。
像素基板10和逻辑基板30这两个基板之间的VDD 21经由Cu-Cu接合部20-1而被连接。另外，这两个基板之间的VSS 22经由Cu-Cu接合部20-2和20-3而被连接。此外，这两个基板之间的VSL 23经由Cu-Cu接合部20-4而被连接。而且，这两个基板之间的像素控制配线42经由Cu-Cu接合部20-5而被连接。
<固体摄像元件的第二构造示例的功能>
当在像素基板10上的电路的操作和逻辑基板30上的电路的操作中寻求同时性时，由于在像素控制配线42中可能产生的寄生RC的差异而导致的像素控制信号的到达延迟或误差是需要关注的问题。在第二构造示例的情况下，因为非共同配线部分很短，以致于延迟误差可以被忽略，所以能够实现可能要求诸如同时性等时序约束的操作。
在第二构造示例中，通过在逻辑基板30侧使用多层配线来提供用于各个像素块11的像素控制信号，这使得能够实现复杂的像素控制。
这两个基板之间的VSL 23被VSS 22屏蔽，这使得VSL 23能够防止由于通过邻接的VSL和其他邻近的信号配线的电容进行耦合而引起的相互干扰。
因为像素基板10中的VSS 22的一部分和逻辑基板30中的VDD 21的一部分在Cu-Cu接合部20附近是彼此并行的，所以由这两个基板之间的彼此并行的VSS 22和VDD 21之间的寄生电容形成的去耦电容35的频率特性能够令人满意地维持为高频率。这使得能够改善这两个基板的电源噪声电阻。
这两个基板之间的VDD 21经由Cu-Cu接合部20-1而被连接。因此，即使在像素基板10侧的配线宽度不足够的情况下，也可以通过在能够容易地布置多层配线的逻辑基板30侧布置多层配线，由此以低的阻抗供给必要的电流。
<固体摄像元件的第三构造示例>
图4是示出了固体摄像元件的第三构造示例的电路图。在该图中的像素基板10中仅示出了一个像素的电路构造，并且在逻辑基板30中示出了与像素基板10上的像素块11对应的电路构造。另外，与图2所示的第一构造示例中的组件相同的组件用相同的附图标记来标识，以适当地省略它们的说明。
在第三构造示例中的像素基板10中，作为一个像素的电路构造，形成有PD 11、TG晶体管12、FD 13、AMP晶体管14、SEL晶体管15和RST晶体管16。
第三构造示例中的RST晶体管16的漏极连接至FD初始化电压配线52，且RST晶体管16的源极连接至FD 13。
另一方面，在逻辑基板30中形成有VSL驱动电流电源32、读取电路33和任意DC电压产生电路51。
任意DC电压产生电路51连接至FD初始化电压配线52，以向RST晶体管16的漏极提供任意FD初始化电压。
像素基板10和逻辑基板30这两个基板之间的VDD 21经由Cu-Cu接合部20-1而被连接。另外，这两个基板之间的VSS 22经由Cu-Cu接合部20-2和20-3而被连接。此外，这两个基板之间的VSL 23经由Cu-Cu接合部20-4而被连接。而且，这两个基板之间的FD初始化电压配线52经由Cu-Cu接合部20-6而被连接。
<固体摄像元件的第三构造示例的功能>
在第三构造示例中，逻辑基板30的任意DC电压产生电路51能够依据各个像素块11的特性差异来产生FD初始化电压。这使得能够消除各个像素块11的特性差异，从而抑制在读取时像素之间的摄像特性的差异。因为与像素基板10相比，逻辑基板30对可使用元件的约束更少，所以能够形成用于实施更复杂控制的电路。
这两个基板之间的VSL 23被VSS 22屏蔽，这使得VSL 23能够防止由于通过邻接的VSL或者其他邻近的信号配线的电容进行耦合而引起的相互干扰。
因为像素基板10中的VSS 22的一部分和逻辑基板30中的VDD的一部分在Cu-Cu接合部20附近是彼此并行的，所以由这两个基板之间的彼此并行的VSS 22和VDD 21之间的寄生电容形成的去耦电容35的频率特性能够令人满意地维持为高频率。这使得能够改善这两个基板的电源噪声电阻。
这两个基板之间的VDD 21通过Cu-Cu接合部20-1而被连接。因此，即使在像素基板10侧的配线宽度不足够的情况下，也可以通过在能够容易地布置多层配线的逻辑基板30侧布置多层配线，由此以低的阻抗供给必要的电流。
<Cu-Cu接合部20的接合示例>
下面，图5示出了用于连接像素基板10和逻辑基板30这两个基板之间的诸如VDD21、VSS 22、VSL 23、像素控制配线42或者FD初始化电压配线52等配线的Cu-Cu接合部20的接合示例。
图5中的A示出了这两个基板的最上层金属(在本实施例的情况下，Cu)以1:1的比率进行接合的情况。图5中的B示出了这两个基板的最上层金属以多数(在本例中，3):1的比率进行接合的情况。像素基板10上的接合部位的数量可以是一个，并且逻辑基板30上的接合部位的数量可以是多个。图5中的C示出了这两个基板的最上层金属以多数:多数(在本例中，3:2)的比率进行接合的情况。这两个基板的接合部位的数量可以是相同值的多数(例如，3:3)。
Cu-Cu接合部20的接合可以采用图5中的A到C的接合示例中的任一者。另外，图5中的A到C的接合示例可以共存于同一基板中。
<变型示例>
固体摄像元件的上述第一到第三构造示例可以任意组合，这里省略了对于各种组合的说明。
另外，本发明不仅能够适用于固体摄像元件，而且还能够适用于其中把多个基板层叠起来且可靠地提供基板之间的电气连接的电子部件或者电子装置。
<固体摄像元件的使用示例>
图6是示出了作为本实施例的固体摄像元件的使用示例的图。
例如，固体摄像元件可以用于如下的对诸如可见光、红外光、紫外光、X射线等光进行感测的各种情况。
用于拍摄鉴赏用图片的装置，例如，数码相机、具有相机功能的便携式设备等。
用于交通用途的装置，例如为了诸如自动停车等安全驾驶的目的和为了识别驾驶员状况的目的对车辆的前部和后部、周围和内部等进行拍摄的车载传感器，用于监视行驶车辆和道路的监视相机，以及用于测量车辆之间距离的测距传感器等。
用于诸如电视机、冰箱、空调等家用电器中、通过对使用者手势进行拍摄以根据该手势来执行设备操作的装置。
用于医疗/保健的装置，例如，内窥镜、利用所接收的红外光进行血管造影的装置等。
用于安保用途的装置，例如，用于防止犯罪的监视相机，用于人物验证的相机等。
用于美容护理的装置，例如，用于拍摄皮肤的皮肤传感器，用于拍摄头皮的显微镜等。
用于运动用途的装置，例如，在运动中使用的动作相机、可穿戴式相机等。
用于农业用途的装置，例如，用于监视农田和农作物状况的相机等。
注意，本发明的实施例不限于上述实施例，并且在不脱离本发明的范围的情况下能够做出各种变型。
本发明的某些实施例可以采用如下构造。
一种摄像器件，其可以包括：具有像素元件电路的像素基板；具有读取电路的逻辑基板，所述读取电路被配置成接收来自所述像素元件电路的输出信号电压；以及布置在所述像素基板和所述逻辑基板之间的导电材料，其中，所述导电材料被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输至少一个参考电压，并且其中，所述导电材料包括Cu-Cu接合部。
所述Cu-Cu接合部可以包括：被配置成传输第一参考电压的第一Cu-Cu接合元件；和被配置成从所述像素基板向所述逻辑基板传输所述输出信号电压的第二Cu-Cu接合元件。
所述Cu-Cu接合部可以包括：被配置成传输第二参考电压的第三Cu-Cu接合元件。
所述Cu-Cu接合部可以包括被配置成传输所述第二参考电压的第四Cu-Cu接合元件，并且所述第二Cu-Cu接合元件可以布置在所述第三Cu-Cu接合元件和所述第四Cu-Cu接合元件之间。
所述第二Cu-Cu接合元件可以连接至模拟数字转换器，并且所述模拟数字转换器的一部分可以与所述像素元件电路的一部分重叠。
所述读取电路可以布置在所述第二Cu-Cu接合元件下方。
所述Cu-Cu接合部可以包括第五Cu-Cu接合元件，并且所述逻辑基板还可以包括像素驱动电路，所述像素驱动电路被配置成经由所述第五Cu-Cu接合元件向所述像素元件电路的传输晶体管的栅极提供像素驱动电压。
所述像素驱动电路可以被配置成提供像素驱动电压，以控制所述像素元件电路中的至少一个像素的曝光时序。
所述Cu-Cu接合部可以包括第六Cu-Cu接合元件，并且所述逻辑基板还可以包括复位电压产生电路，所述复位电压产生电路被配置成经由所述第六Cu-Cu接合元件向所述像素元件电路的复位晶体管的栅极提供复位电压。
所述Cu-Cu接合部可以形成在小于15μm×15μm的区域中。
所述Cu-Cu接合部可以形成在大约2μm×2μm的区域中。
所述Cu-Cu接合部可以被配置成以N:M的比率将所述像素基板连接至所述逻辑基板，其中，N是电气连接至所述像素基板的接点的数量，并且M是电气连接至所述逻辑基板的接点的数量。
在一个实施例中，N＝1且M＝1。在另一实施例中，N＝1且M＞1。在又一实施例中，N＞1且M＞1。
所述逻辑基板还可以包括：被布置成接收来自所述像素元件电路的所述输出信号电压的垂直信号线；和被布置成控制所述垂直信号线上的电压的箝位电路。
所述导电材料可以包括Au-Au接合部。
所述导电材料的第一部分可以被配置成从所述像素基板向所述逻辑基板传输电压，并且所述导电材料的第二部分可以被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输电压。
所述像素基板可以包括形成在所述像素基板的下表面附近的第一配线层，所述逻辑基板可以包括形成在所述逻辑基板的上表面附近的第二配线层，并且所述导电材料可以被配置成将所述第一配线层的至少一部分和所述第二配线层的至少一部分电气连接。
所述像素元件电路可以包括多个N×M像素块，并且所述导电材料可以包括多个接合点，所述多个接合点中的各者被配置成从所述逻辑基板向所述多个N×M像素块中的各者传输至少一个参考电压。
(1)固体摄像元件，其包括：
像素基板，在所述像素基板中沿水平方向和沿垂直方向布置有多个像素，各所述像素均包括光电转换元件；
逻辑基板，其层叠在所述像素基板上，并且读取来自所述像素基板的作为像素信号的电气信号以执行预定的处理；和
接合部，所述像素基板的最上层金属和所述逻辑基板的最上层金属在所述接合部中接合，以使得所述像素基板和所述逻辑基板电气连接，
其中，所述像素基板以预定的像素数量被划分为像素块，并且
所述接合部具有用于在所述像素块和所述逻辑基板的与所述像素块对应的区域之间连接电源配线的第一接合点和连接接地配线的第二接合点中的至少一者。
(2)根据(1)所述的固体摄像元件，其中，所述接合部还具有用于在所述像素块和所述逻辑基板的与所述像素块对应的区域之间连接预定信号配线的一个或者多个第三接合点。
(3)根据(2)所述的固体摄像元件，其中，所述接合部中的所述预定信号配线被所述电源配线和所述接地配线中的至少一者屏蔽。
(4)根据(1)到(3)中任一项所述的固体摄像元件，其中，在所述第一接合点到所述第三接合点处，所述像素基板的最上层金属和所述逻辑基板的最上层金属以1:1、1:多数、多数:1或者多数:多数的比率进行接合。
(5)根据(1)到(4)中任一项所述的固体摄像元件，其中，所述最上层金属是Cu。
(6)根据(1)到(5)中任一项所述的固体摄像元件，其中，所述像素基板中的所述电源配线和所述接地配线中的一者与所述逻辑基板中的所述电源配线和所述接地配线中的另一者被布置成部分地彼此并行。
(7)根据(2)到(6)中任一项所述的固体摄像元件，其中，所述逻辑基板包括读取单元，所述读取单元经由作为所述预定信号配线的垂直信号线读取来自所述像素基板的作为像素信号的电气信号，以执行AD转换。
(8)根据(7)所述的固体摄像元件，其中，在所述逻辑基板中，所述读取单元形成在所述像素基板的每一个所述像素块中。
(9)根据(1)到(8)中任一项所述的固体摄像元件，其中，
所述逻辑基板包括像素控制单元，所述像素控制单元产生用于控制所述光电转换元件的电荷的传输时序的像素控制信号，且把所产生的所述像素控制信号经由像素控制配线向所述像素基板输出，并且
所述接合部还具有用于在所述像素块和所述逻辑基板的与所述像素块对应的区域之间连接所述像素控制配线的第四接合点。
(10)根据(1)至(9)中任一项所述的固体摄像元件，其中，
所述逻辑基板包括电压产生单元，所述电压产生单元产生用于使所述像素基板上的FD初始化的FD初始化电压，且把所产生的所述FD初始化电压经由FD初始化电压配线向所述像素基板输出，并且
所述接合部还具有用于在所述像素块和所述逻辑基板的与所述像素块对应的区域之间连接所述FD初始化电压配线的第五接合点。
(11)一种电子装置，在所述电子装置上安装有固体摄像元件，所述固体摄像元件包括：
像素基板，在所述像素基板中沿垂直方向和沿水平方向布置有多个像素，各所述像素均包括光电转换元件；
逻辑基板，其层叠在所述像素基板上，并且读取来自所述像素基板的作为像素信号的电气信号以执行预定的处理；和
接合部，所述像素基板的最上层金属和所述逻辑基板的最上层金属在所述接合部中接合，以使得所述像素基板和所述逻辑基板电气连接，
其中，所述像素基板以预定的像素数量被划分为像素块，并且
所述接合部具有用于在所述像素块和所述逻辑基板的与所述像素块对应的区域之间连接电源配线的第一接合点和连接接地配线的第二接合点中的至少一者。
附图标记列表
10 像素基板
11 像素块
20 Cu-Cu接合部
21 VDD
22 VSS
23 VSL
30 逻辑基板
31 箝位电路
33 读取电路
41 任意函数电路
42 像素控制配线
51 任意DC电压产生电路
52 FD初始化电压配线

Claims (18)

1.摄像器件，其包括：
像素基板，其包括像素元件电路；
逻辑基板，其包括读取电路，所述读取电路被配置成接收来自所述像素元件电路的输出信号电压；和
导电材料，其布置在所述像素基板与所述逻辑基板之间，
其中，所述导电材料被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输至少一个参考电压，并且其中，所述导电材料包括Cu-Cu接合部，
其中，所述Cu-Cu接合部包括：被配置成传输第一参考电压的第一Cu-Cu接合元件；和被配置成从所述像素基板向所述逻辑基板传输所述输出信号电压的第二Cu-Cu接合元件，
其中，所述Cu-Cu接合部包括被配置成传输第二参考电压的第三Cu-Cu接合元件，
其中，所述Cu-Cu接合部还包括被配置成传输所述第二参考电压的第四Cu-Cu接合元件，并且所述第二Cu-Cu接合元件布置在所述第三Cu-Cu接合元件与所述第四Cu-Cu接合元件之间。
2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述第二Cu-Cu接合元件连接至模拟数字转换器，并且其中，所述模拟数字转换器的一部分与所述像素元件电路的一部分重叠。
3.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述读取电路布置在所述第二Cu-Cu接合元件下方。
4.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述Cu-Cu接合部包括第五Cu-Cu接合元件，并且其中，所述逻辑基板还包括像素驱动电路，所述像素驱动电路被配置成经由所述第五Cu-Cu接合元件向所述像素元件电路的传输晶体管的栅极提供像素驱动电压。
5.根据权利要求4所述的摄像器件，其中，所述像素驱动电路被配置成提供所述像素驱动电压，以控制所述像素元件电路中的至少一个像素的曝光时序。
6.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述Cu-Cu接合部包括第六Cu-Cu接合元件，并且其中，所述逻辑基板还包括复位电压产生电路，所述复位电压产生电路被配置成经由所述第六Cu-Cu接合元件向所述像素元件电路的复位晶体管的栅极提供复位电压。
7.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述Cu-Cu接合部形成在小于15μm×15μm的区域中。
8.根据权利要求7所述的摄像器件，其中，所述Cu-Cu接合部形成在2μm×2μm的区域中。
9.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述Cu-Cu接合部被配置成以N:M的比率将所述像素基板接合至所述逻辑基板，其中，N是电气连接至所述像素基板的接点的数量，并且M是电气连接至所述逻辑基板的接点的数量。
10.根据权利要求9所述的摄像器件，其中，N＝1并且M＝1。
11.根据权利要求9所述的摄像器件，其中，N＝1并且M＞1。
12.根据权利要求9所述的摄像器件，其中，N＞1并且M＞1。
13.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述逻辑基板还包括：被布置成接收来自所述像素元件电路的所述输出信号电压的垂直信号线；和被配置成控制所述垂直信号线上的电压的箝位电路。
14.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述导电材料包括Au-Au接合部。
15.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述导电材料的第一部分被配置成从所述像素基板向所述逻辑基板传输电压，并且所述导电材料的第二部分被配置成从所述逻辑基板向所述像素基板传输电压。
16.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述像素基板包括第一配线层，所述第一配线层形成在所述像素基板的下表面附近，所述逻辑基板包括第二配线层，所述第二配线层形成在所述逻辑基板的上表面附近，并且其中，所述导电材料被配置成将所述第一配线层的至少一部分与所述第二配线层的至少一部分电气连接。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的摄像器件，其中，所述像素元件电路包括多个N×M像素块，并且其中，所述导电材料包括多个接合点，所述多个接合点中的各者被配置成从所述逻辑基板向所述多个N×M像素块中的各者传输至少一个参考电压。
18.电子装置，其包括如权利要求1至17中任一项所述的摄像器件。
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