CN107251227B - 半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本技术涉及在通过伪配线保持贴合接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动的半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备。半导体装置包括：两个以上芯片，每个芯片在其接合面上形成有用于建立电连接的配线，通过接合彼此相对的接合面来层叠这些芯片。在半导体器件中，通过周期性地重复地布置包括共有同一浮动扩散触点的多个像素的每个共用单元来设置区域。在接合面上，在该区域的中心位置以共用单元的间距来设置伪配线。本技术可以应用于CMOS图像传感器。

Description

半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备
技术领域
本技术涉及半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备，更具体地，涉及如下的半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备：对于通过贴合多个芯片而层叠构成的装置，在借助伪配线保持贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所导致的特性变动。
背景技术
作为通过接合两个以上半导体芯片来制造层叠型半导体装置的技术，在两个芯片之间的接合面上形成配线层，并且在接合面(bonding surface)上的布线层处将芯片贴合在一起，以进行电连接。
在固态成像元件的情况下，采用如下构造：其中，通过经由电连接单元来贴合其上形成有光电转换单元的晶片和包括被构造用于执行信号处理的电路的晶片，信号经由贴合面上的配线单元从光电转换单元被传送至信号处理电路。
作为针对该固态成像元件的技术，提出了如下技术：在贴合面上形成电连接至形成有光电转换单元的部分的真实连接配线单元和未电连接至除了形成有光电转换单元的部分之外的部分的伪配线，并且以相同间隔布置真实连接配线单元和伪配线，从而提高制造时的产率(参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开第2013-168623号公报
发明内容
技术问题
顺便提及地，在贴合配线层的情况下，需要将接合面上的金属的覆盖率保持在预定范围内，以便保持接合面的平坦度及其贴合强度。因此，为了将金属的覆盖率保持在预定范围内，提出将伪配线布置在接合面上。
然而，在固态成像元件的情况下，有时会发生位于像素内的伪配线被反射在输出图像中的现象。这种现象被认为是根据伪配线的布置而由因伪配线之间的耦合导致的各像素的寄生电容的变动引起的。
只要器件由彼此层叠的芯片构成，即使对于固态成像元件以外的器件来说，由于伪配线的耦合，也会出来因电容量变动而引起的特性波动。例如，在叠层结构中形成闪速存储器等的情况下，可能因伪配线而使每个单元间存在特性变化，并且变得难以执行适当的动作。
鉴于上述情况而完成本技术，特别地，本技术的目的在于：对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置，在借助伪配线保持芯片的贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
技术方案
根据本技术的方面的半导体装置包括：两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的接合面被接合而层叠；并且在半导体装置中，对于以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与预定单位相对应的间距在接合面上布置伪配线。
半导体装置可以为固态成像元件，其中，对于固态成像元件的像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在接合面上设置伪配线。
可以使布置在彼此相对的接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的接表面的另一者上的伪配线具有基本相同的图案。
可以使布置在彼此相对的接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的接表面的另一者上的伪配线具有不同的图案。
固态成像元件的像素的预定单位可以为共用同一浮动扩散区的触点的多个像素。
固态成像元件的像素的预定单位可以为共用同一浮动扩散区的多个像素。
固态成像元件的像素的预定单位可以为单独一个像素。
对于固态成像元件的像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，可以以与预定单位相对应的间距在接合面上一并布置伪配线和真实配线。
可包括施加有预定电压的电极，并且伪配线可被固定至由电极施加的预定电压。
根据本技术的方面的固态成像元件包括：两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的接合面被接合而层叠；并且在半导体装置中，对于像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与预定单位相对应的间距在接合面上布置伪配线。
根据本技术的方面的成像装置包括：两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的接合面被接合而层叠；并且在成像装置中，对于像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与预定单位相对应的间距在接合面上布置伪配线。
根据本技术的方面的电子设备包括：两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的接合面被接合而层叠；并且在电子设备中，对于像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与预定单位相对应的间距在接合面上布置伪配线。
在本技术的方面中，包括：两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的接合面被接合而层叠；并且对于像素的以预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与预定单位相对应的间距在接合面上布置伪配线。
有益效果
根据本技术的方面，对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置，在借助伪配线保持芯片的贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所导致的特性变动。
附图说明
图1是用于说明应用有本技术的固态成像元件的电路构造示例的图。
图2是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第一实施例的构造示例的侧视剖面图。
图3是用于说明图2的固态成像元件的伪配线的配置图案的图。
图4是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第二实施例的构造示例的图。
图5是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第三实施例的构造示例的图。
图6是用于说明图5的固态成像元件的构造示例的侧视剖面图。
图7是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第四实施例的构造示例的图。
图8是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第五实施例的构造示例的图。
图9是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第六实施例的构造示例的图。
图10是用于说明根据应用有本技术的固态成像元件的第七实施例的构造示例的图。
图11是用于说明应用有本技术的固态成像元件的要点的图。
图12是用于说明使用应用有本技术的固态成像元件来降低特性变动的影响的图。
图13是用于说明应用有本技术的半导体装置的应用例的图。
图14是用于说明使用应用有本技术的固态成像元件的成像装置和电子设备的构造的图。
图15是示出了固态成像元件的使用例的图。
具体实施方式
下面将说明用于实施本发明的最佳模式的示例，但是本发明不限于以下示例。
第一实施例
固态成像元件的电路构造示例
下面，参照图1，将对应用有本技术的固态成像元件的电路构造示例进行说明。图1示出了构成应用有本技术的固态成像元件的电路构造示例的图。
图1中的固态成像元件的电路构造示例包括复位晶体管TR11,传输晶体管TR12-1至TR12-8、放大晶体管TR13、选择晶体管TR14、浮动扩散区FD(下文中也简称为FD)、光电二极管PD1至PD8(下文中也简称为PD1至PD8)和垂直传输线VLINE。
图1的固态成像元件为包括复位晶体管TR11、传输晶体管TR12-1 至TR12-8、放大晶体管TR13和选择晶体管14总共四种晶体管的固态成像元件，因此特别地被称为4TR型(4晶体管型)固态成像元件。注意，在本实施例中，虽然以4TR型固态成像元件作为示例进行说明，但是也可采用其他构造。例如，也可采用由没有选择晶体管TR14的三种晶体管构成的3TR型固态成像元件。
PD1到PD8通过光电转换来生成与入射光量对应的电荷，并累积生成的电荷。
传输晶体管TR12-1至TR12-8为根据传输信号而开闭的晶体管，并且在传输信号处于高电平的情况下被导通，以将PD1至PD8中累积的电荷传送至FD。
根据复位晶体管TR11和放大晶体管TR13的开闭状态，FD累积经由传输晶体管TR12-1至TR12-8从PD1至PD8传输的电荷。
复位晶体管TR11为根据复位信号而被开闭的晶体管，并且在复位信号处于高电平的情况下复位晶体管TR11被导通以将FD中累积的电荷排放到漏极D。
放大晶体管TR13是由与在FD中累积的电荷相对应的输入电压控制的晶体管，并将从漏极D’施加的电压增大与在FD中积累的电荷对应的输入电压，从而作为像素信号输出至选择晶体管TR14。
选择晶体管TR14是根据选择控制信号而被开闭的晶体管，并且当选择控制信号为高电平时选择晶体管被控制为导通，并将从放大晶体管 TR13输出的像素信号输出至垂直传输线VLINE。
也就是说，通过导通复位晶体管TR11和传输晶体管TR12-1至 TR12-8来使PD1至PD8和FD复位。
下面，当复位晶体管TR11和传输晶体管TR12-1至TR12-8截止时，PD1至PD8进入曝光状态，并且依序在PD1至PD8中通过光电转换生成与入射光量对应的电荷，并累积该电荷。
这里，当传输晶体管TR12-1至TR12-8中一者导通时，在PD1至 PD8的相应一者中累积的电荷被传输到FD。
此时，对应于累积在PD1至PD8的一者中并被传输到FD的电荷的电压被输入到放大晶体管TR13的栅极，使得放大晶体管TR13放大由漏极端子D’施加的电压，并作为像素信号输出到选择晶体管TR14。
然后，当选择晶体管TR14被选择信号导通时，从放大晶体管TR13 输出的像素信号被输出至垂直传输线VLINE。
此后，依序切换PD1至PD8，从而将相当于8像素的像素信号依序切换而输出。
这里，图1示出了针对同一FD设置传输晶体管TR12-1至12-8以将 PD1至PD8的阴极连接在源极和漏极之间的的电路构造示例。
也就是说，图1示出了PD1至PD8的8个像素共用一个FD时的电路构造。
利用这种构造，例如，当传输晶体管TR12-2至TR12-8保持截止状态时，通过控制传输晶体管TR12-1导通或截止，可以将FD用于PD1 的一个像素。类似地，通过依序切换传输晶体管TR12-2至TR12-8导通和截止，可以针对PD1至PD8各者进行切换来使用FD。因此，可实现图1中由双点划线围绕的其中8个像素共用一个FD(包括复位晶体管 TR11、放大晶体管TR13、选择晶体管TR14和垂直传输线VLINE)的8 像素共用。
此外，例如，如图1中的单点划线围绕的范围所示，实现了其中4 个像素共用一个FD的4像素共用，其中，该构造除一个复位晶体管TR11、一个放大晶体管TR13、一个选择晶体管TR14和一个垂直传输线VLINE 之外仅包括传输晶体管TR12-1至12-4和PD1至PD4。
此外，也可以通过经由传输晶体管将PD连接到公共FD来实现其他数量的PD。
注意，在以上说明中，将通过如上所述的共用而使用一个FD的一组多个像素称为共用单位。因此，在图1中，由单点划线围绕的范围是实现4像素共用的共用单位，而由双点划线围绕的范围是实现8像素共用的共用单位。
固态成像元件的布局
图2和图3是用于说明应用有本技术的固态成像元件的布局的图。图2为侧视剖面图，而图3为顶视图。更详细地，图2的剖面图示出了由图3中虚线所示的部分的侧视剖面图。
图2中的固态成像元件11从上方起由透镜层31、滤色器层32、遮光壁层33、光电转换层34和配线层35和36构成。
透镜层31以使入射光在光电转换层34中会聚而被聚焦的方式透射入射光(其是从图2的上侧入射的光)。
滤色器层32仅透过已经透过像素单元中的透镜层31的入射光中的特定波长的光。更详细地，例如，如图3所示，滤色器层32以像素为单位提取具有与诸如R、G(Gr和Gb)以及B(红色、绿色和蓝色)等颜色的光相对应的波长的光，并使其透过。
遮光壁层33是设置有遮光壁33a的层，该遮光壁33a遮挡来自相邻像素的入射光，以使针对图2中的透镜层31的每个凸部而形成的像素单元中光仅入射到与每个凸部正下方的像素相对应的光电转换层34中的 PD。
光电转换层34是形成有用作像素单位的上述PD1至PD8的层，并 通过光电转换生成与入射光量相对应的电荷，并将生成的电荷经由设置在配线层中的传输晶体管TR12传输至FD。
配线层35设置有复位晶体管TR11、传输晶体管TR12、放大晶体管 TR13、选择晶体管TR14、FD以及漏极D和D’，并将像素信号经由真实配线(未示出)输出至配线层36的真实配线(实际上传输信号的配线)(未示出)。同时，在图2的配线层35内以与FD触点相同的间距(pitch)设置有由铜(Cu)制成的伪配线35a和35b，以增强随着配线层35和36的接合而产生的强度。
配线层36设置有用于处理经由配线层35的真实配线(未示出)从配线层36的真实配线(未示出)输入的像素信号的电路。此外，与配线层35 的情况相同，配线层36也具有以与FD触点相同间距设置的伪配线36a 和36b。
配线层35和36以配线层35和36经由真实配线(未示出)以接合面F 为边界被贴合在一起并彼此电连接的状态而形成，并且在制造的初始阶段，配线层35和36分别被形成为单独的芯片(晶片)。此外，虽然在接合面F处伪配线35a和36a被贴合在一起，但是伪配线35b和36b是除伪配线35a和36a以外的所有伪配线的代表。因此，在图2的配线层35和 36中，伪配线35b和36b包括所有未标注符号的方形结构。
在图2和图3示出的固态成像元件11中，2像素×4像素总计8个像素被设定为共用单位。更详细地，共用单位以在图3左上部的粗线中所示的由R像素、Gr像素、Gb像素和B像素组成的4像素单元的部位彼此上下设置的方式设定有8个像素。此外，在图3的示例中，在由上述8 个像素构成的共用单位内的上部2像素×2像素和下部2像素×2像素的各自中心位置处，以与FD电连接的方式设置FD触点(未示出)。
由于伪配线35a和36a以与该FD触点相同间距布置，因此由图2 的剖面图中的透镜层31的凸部所示的像素单元被设定为由P所示的2像素单元。
如图3的下部所示，当由PD1至PD4构成2像素×2像素的各个像素时，FD触点是电连接至设置在传输对应电荷的传输晶体管TR12-1至 TR12-4的输出侧的FD的FD触点C。如图3的下部所示，FD触点C设置在相对于2像素×2像素的布局的中心位置处。因此，在图3的上部的示例中，将2像素×2像素相对于水平方向×垂直方向的间距定义为FD触点间距。
因此，图3的上部示出了对应于伪配线D的伪配线35a和36a以与 2像素×2像素的FD触点间距相同的间距以方形形状布置在配线层35和 36中。
同样地，伪配线35a和35b以及伪配线36a和36b均以FD触点的间距等间隔地布置。换言之，布置伪配线35a与伪配线36b的间距与布置 FD触点C的间距相同。
通过如图3所示地布置伪配线D，可使各像素中的因伪配线35a和 36a之间的耦合而产生的寄生电容相同。注意，这对于因其它伪配线之间的耦合而产生的寄生电容当然同样适用。
因此，对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置，在借助伪配线保持晶片的贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
此外，在图2中，在配线层35中，虽然以伪配线35a和伪配线35b 用作端部的方式给出了电容器的标记，但并非为了表示实际存在电容器，而是示意性地表示由于伪配线35a和伪配线36b之间的耦合而产生的寄生电容。
第二实施例
以上说明使用了伪配线以与FD触点的间距相同的间距布置的示例。通过以FD触点的间距布置伪配线，实质上，使各像素中因耦合而产生的寄生电容相同。因此，即使在各像素中伪配线以FD触点的间距设置但具有其他形状，伪配线也可取得相同效果。
图4是示出了固态成像元件的构造示例，其中，在FD触点形成在中心处的2像素×2像素中，以FD触点的布置位置为中心，伪配线D以相对于水平方向和垂直方向点对称的方式布置。
更详细地，如图4所示，具有八边形形状的伪配线D1和D2设置在 2像素×2像素的FD触点的中心部分和用作与该中心部分同心的八边形的顶点的各个位置处。
图4中的伪配线D1对应于图2中的伪配线35a，而伪配线D2对应于图2的伪配线36a。
伪配线D1和D2的各者均具有八边形形状，并且伪配线D2具有比伪配线D1的直径稍大的八边形形状。此外，以一个配线设置在中心位置 (即布置FD触点的位置)处且当八边形相对于中心位置同心地形成时八个配线布置在八个顶点的位置处的方式，总计9个伪配线D1和D2被布置在FD触点设置在中心位置处的2像素×2像素的范围内。
通过以这种方式布置伪配线D1和D2，伪配线D1和D2在中心位置处布置有FD触点的2像素×2像素的多个像素内点对称地布置。因此，能够使每个像素中因伪配线D1和D2之间的耦合而引起的寄生电容所导致的特性变动相同。
注意，在其中将布置有FD触点的位置用作中心并且共用该FD触点的2像素×2像素内，只要伪配线D1和D2以FD触点的间距布置并以 FD触点为中心点对称地布置，伪配线的形状和数量就不受限制。此外，与上芯片侧的伪配线35a相对应的伪配线D1和与下芯片侧的伪配线36a 相对应的伪配线D2可以具有彼此相同或彼此不同的尺寸。对于通过贴合多个芯片而层叠构成的装置，在保持晶片的贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
第三实施例
以上说明使用如下示例：其中，通过将伪配线D(或D1和D2)以FD 触点的间距在与FD触点相同的位置处重复地设置，能够抑制因所布置的伪配线之间的耦合而引起的电容量变动所造成的特性变动。然而，即使以其它方法布置伪配线，只要因伪配线之间的耦合而引起的电容量变动相同，就能够抑制特性变动。例如，如图5所示，伪配线D可以被布置成与FD的共用单位相匹配的形状，使得固定电位被施加至伪配线D。
也就是说，在图5的固态成像元件中，伪配线D在2像素×4像素的共用单位的沿水平方向的中心附近沿垂直方向成带状布置，同时在2像素×4像素的共用单位的沿垂直方向的中心附近沿水平方向成带状布置，从而将伪配线D布置成格子形状。
图6的上部是构成图5的固态成像元件的芯片的顶视图，而图6的下部是图5的虚线部的侧视剖面图。如图6的上部所示，芯片的中心范围是固态摄像元件的有效区域A，并且在该范围的周围设置有电极B。此外，如图6的下部中的图5的虚线部的侧视剖面图所示，伪配线35a 和36a以沿图6的水平方向连续地连接的方式形成。
如图6的下部所示，形成有透镜层31的右侧部Z1是对应于有效区域A的部分，而图6的形成有透镜层31的左侧部Z2是除了有效区域A 以外的区域(非有效区域)。也就是说，图6的下部的Z1部分对应于图6 的上部中的有效区域A。在图6的下部中，电源触点E设置在属于伪配线35a上的Z2部分的范围内，并且电源触点E连接至图6的上部中的电极B。利用这种构造，将伪配线35a和36a的电位设定为固定电位。
也就是说，通过如图5中的伪配线D所示地在平面方向上将伪配线 D布置为格子图案，并通过使用如图6中的伪配线35a和36a(＝伪配线 D)所示那样的层叠构造，将伪配线D(35a和36a)设定为固定电位。利用这种构造，能够使与因伪配线的耦合而出现的寄生电容相对应的电容量变动所引起的特性变动在由2像素×4像素构成的各共用单位中相同。
因此，对于通过贴合多个芯片而层叠构成的装置，在保持晶片的贴合的接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。注意，电源触点E可以设置在作为有效区域A的Z1部分和作为非有效区域的Z2部分的任一者处，并且可以连接到伪配线35a和 36a中的任一者。可替代地，可以采用不设置电源触点E的连接并且电位不固定的构造。此外，伪配线D可以不仅仅有如图5所示的格子图案，还可以具有仅在水平方向上具有条纹或仅在垂直方向上具有条纹的构造。另外，伪配线不仅限于将伪配线设置在整个表面上并且以如图5的格子图案般地从中去除矩形形状的方式布置，还可以通过挖空出其它形状而布置。例如，可以采用通过从设置在整个表面上的伪配线挖空出正方形而获得的格子图案。
第四实施例
以上说明使用如下示例：配线层35和36中的伪配线35a和36a全部具有大致相同的形状并被布置在大致相同的位置，但是只要伪配线35a 和36a分别以FD触点的间距布置，伪配线35a和36a就可以以不同的形状和不同的位置布置。
图7示出了其中伪配线35a和36a以不同的形状和不同的位置布置的固态成像元件的构造示例。
更具体地，在图7中，每个与伪配线35a相对应的伪配线D1在沿同一方向从共用同一FD触点的2像素×2像素的范围的中心位置偏移相同距离的位置处被布置成正方形。同时，与伪配线36a相对应的伪配线D2 以从具有公共FD触点的2像素×2像素的范围切出正方形的方式布置。
如上所述，与芯片的上侧的伪配线35a相对应的伪配线D1和与芯片的下侧的伪配线36a相对应的伪配线D2可在接合面F上具有不同的形状和位置。然而，在这种情况下，只要在共用FD触点的2像素×2像素的范围内分别以相同形状且在相同位置处布置伪配线D1和D2，对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置而言，就能够在保持晶片的贴合的接合强度的同时，抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。顺便提及地，如上所述，可以固定伪配线D1和D2的电位。
第五实施例
以上说明使用如下示例：由共用同一FD触点的2像素×2像素的共用单位或共用FD的2像素×4像素的共用单位在同一位置构成对应于配线层35和36中的伪配线35a和36a的伪配线D1和D2。然而，伪配线 D1和D2可以在FD的共有单元内的更小的单元中具有相同的形状和位置。
图8的固态成像元件示出了当对应于伪配线35a和36的伪配线D在像素单元内在相同的位置以相同的形状设置时固态成像元件的构造示例。
更详细地，图8中的固态成像元件图示了如下的固态成像元件的构 造示例：其中，作为具有四边形形状的伪配线35a和36a的伪配线D设置在构成共用单位的每个像素的中心附近的。
结果，即使采用这种构造，在共用同一FD触点的2像素×2像素的单元中，对应于伪配线35a和36a的伪配线D以相同形状布置在相同位置处。借此，对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置，能够在保持晶片的贴合的接合强度的同时，抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
第六实施例
以上说明使用如下示例：其中，配线层35和36中的伪配线35a、36a 的布置位置被构造成以共用同一FD触点的间距并且具有相同的形状和位置，但是此外，将配线层35的像素信号传送到配线层36的真实配线在共用同一FD触点的2像素×2像素的各单元中也可以是相同的布置。
图9示出了如下的固态成像元件的构造示例：其中，除对应于配线层35和36中的伪配线35a和36a的伪配线D之外，真实配线的布置位置也被构造为以共用同一FD触点的2像素×2像素为单位而具有相同的位置。
更详细地，在图9中，真实配线L被布置在作为共用同一FD触点的单元的2像素×2像素的中心位置处，而由伪配线35a和36a构成的伪配线D被布置在作为共用该FD触点的单元的2像素×2像素的各个角部。
对于这种构造，正方形的真实配线L被布置在作为共用同一FD触点的单元的2像素×2像素的中心位置处，而由伪配线35a和36a构成的正方形的伪配线D被布置在作为共用该FD触点的单元的2像素×2像素的各个角部。对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置而言，这使得能够在保持晶片的贴合的接合强度的同时，抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
第七实施例
上面的说明使用如下示例：真实配线L被布置在作为共用同一FD 触点的单元的2像素×2像素的中心位置处，而由伪配线35a和36a构成的伪配线D被布置在作为共用该FD触点的单元的2像素×2像素的各个角部。然而，在共有FD触点的单元中，伪配线D和真实配线L仅需处于相同的位置。
图10示出了当伪配线D和真实配线L在作为共用FD触点的单元的 2像素×2像素的各单元中处于相同位置的另一构造示例。
也就是说，在图10中，伪配线D基本上布置在作为共用FD触点的单元的2像素×2像素之中的特定三个像素(图10中的R、Gr和B像素) 的中心位置处，而真实配线L基本上布置在另一像素(图10中的Gb像素) 的中心位置处。
也就是说，伪配线D和将像素信号从配线层35传送至配线层36的真实配线L以2像素×2像素作为单元(此单元是共有FD触点的单元) 在相同的特定位置处以相同形状和相同位置布置。借此，对于通过贴合多个芯片而层叠构造的装置，能够在保持晶片的贴合接合强度的同时，抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动。
注意，对于伪配线D(上芯片侧的伪配线35a和下芯片侧的伪配线36a) 和真实配线，形状、布置、尺寸、是使用固定电位还是浮动电位不受上述实施例的限制，并可以进行各种变型组合。因此，当由第一实施例至第七实施例的要点总结上述各实施例的变化时，例如，可获得如图11所示的关系组合。
也就是说，伪配线和的真实配线的间距可使用诸如FD触点、共用单位或像素等的任何单位。此外，伪配线和的真实配线的形状可以为包括正方形(残留)、矩形(残留)、八边形、正方形(挖空)、矩形(挖空)和条纹 (垂直或水平)的任何形状。这里“残留”表示使用特定形状来形成伪配线和真实配线，而“挖空”表示使用通过切除特定形状而获得的外周部的形状来形成伪配线和的真实配线。另外，对于上芯片和下芯片的组合，所有的上芯片和下芯片的形状、大小和位置可以相同或不同。此外，伪配线的电位可以为浮动电位或固定电位。另外，无论FD像素间距、共用单位间距或像素间距如何，真实配线是否存在并不重要。
降低特性变动的影响的方法
通过使上侧芯片中的伪配线35a比下侧芯片中的伪配线36a大，即使当在接合面F上贴合配线层35和36时出现偏移，也能够降低特性变动的影响。
也就是说，通过使伪配线35a比下侧芯片中的伪配线36a大，即使在如图12的上部所示地伪配线35a和36a在正确位置处被贴合的情况下以及在如图12的下部所示地配线层36相对于配线层35向右偏移的情况下，例如，从伪配线35b观察，因伪配线35a+伪配线36a的耦合而生成的电容量变动基本为零。因此，即使在将配线层35和36贴合在一起时发生偏移，也能够实质降低其对特性变动的影响。
对除固态成像元件以外的装置的应用
以上说明使用固态成像元件的示例，但是本技术可应用于其他半导体装置，只要该半导体装置通过贴合芯片而层叠构成即可。
例如，本技术可应用于通过层叠多个芯片而构成的存储器的情况。
也就是说，如图13所示，在通过将由基板层51和配线层52构成的芯片以及由配线层53和基板层54构成的芯片在接合面F处贴合在一起而构成的存储器的情况下，通过以重复单元胞(unit cell)MU的间距将伪配线52a和53a布置成列，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所导致的特性变动。
在此情况下，只要存储器使用单元胞就可以应用于存储器，具体地，本技术可应用于例如动态随机访问存储器(DRAM，dynamic random access memory)和闪速存储器。除存储器以外，本技术能够被应用于例如任意半导体装置，只要该半导体装置通过重复地布置单元胞而形成即可。
对电子设备的应用例
上述固态成像元件可应用至各种电子设备，例如，诸如数码相机或数码摄像机等的成像装置、具有成像功能的移动电话或具有成像功能的其他设备。
图14是示出了用作应用有本技术的电子设备的成像装置的构造示例的框图。
图14中所示的成像装置201被构造成包括：光学系统202、快门装置203、固态成像元件204、驱动电路205、信号处理电路206、监视器 207和存储器208，并且能够拍摄静态图像和动态图像。
光学系统202被构造成包括一个或多个透镜，并将来自被摄体的光 (入射光)引导至固态成像元件204，以在固态成像元件204的受光面上成像。
快门装置203设置在光学系统202和固态成像元件204之间，并且在驱动电路1005的控制下，对固态成像元件204的光照射期间和遮光期间进行控制。
固态成像元件204由包括上述固态成像元件的封装体构成。固态成像元件204根据经由光学系统202和快门装置203而形成在受光面上的光在一段时间内累积信号电荷。累积在固态成像元件204中的信号电荷根据从驱动电路205提供的驱动信号(时序信号)而被传送。
驱动电路205输出用于控制固态成像元件204的传送动作和快门装置203的快门动作的驱动信号，以驱动固态成像元件204和快门装置203。
信号处理电路206对从固态成像元件204输出的信号电荷应用各种类型的信号处理。通过由信号处理电路206施加的信号处理而获得的图像(图像数据)被提供给监视器207进行显示或者被提供给存储器208进行存储(记录)。
另外，在如上所述构造的成像装置201中，能够通过应用固态成像元件1来代替上述固态成像元件204而实现所有像素的低噪声成像。
固态成像元件的使用例
图15是示出了使用上述固态成像元件的使用例的图。
例如，如下文所述，上述固态成像元件可以用于感测诸如可见光、红外光、紫外光、X射线之类的光的各种情况下。
拍摄鉴赏用图片的装置，诸如数码照相机和具有照相机功能的移动装置等。
交通运输用装置，诸如为了例如自动停止等安全驾驶和识别驾驶员状况而用于拍摄汽车的前、后、周围和内部等的图像的车载传感器、用于例如监控行进车辆和道路的监控摄像机以及用于测量车辆之间距离的测距传感器等。
用于诸如电视机、电冰箱和空调之类的家用电器的装置，用以获取用户手势图像以便根据该手势来操作装置。
医疗和保健用装置，诸如内窥镜和通过接收红外光来进行血管造影的装置等。
安保用装置，诸如防犯罪用监控摄像机和身份认证用摄像机等。
美容用装置，诸如拍摄皮肤图像的皮肤测量装置和拍摄头皮图像的显微镜。
体育用途装置，诸如体育用途的动作照相机和可穿戴照相机等。
农业用途装置，诸如用于监测土地和作物状态的照相机。
注意，本技术也可构造如下。
(1)一种半导体装置，其包括：
两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的所述接合面被接合而层叠；
并且，对于以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上布置伪配线。
(2)根据(1)所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置为固态成像元件，并且，
对于所述固态成像元件的像素的以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上设置所述伪配线。
(3)根据(2)所述的半导体装置，其中，
布置在彼此相对的所述接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的所述接合面的另一者上的伪配线具有基本相同的图案。
(4)根据(2)所述的半导体装置，其中，
布置在彼此相对的所述接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的所述接表面的另一者上的伪配线具有不同的图案。
(5)根据(2)至(4)中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是共用同一浮动扩散区的触点的多个像素。
(6)根据(2)至(4)中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是共有同一浮动扩散的多个像素。
(7)根据(2)至(4)中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是单一的所述像素。
(8)根据(2)至(7)中任一项所述的半导体装置，其中，
对于所述固态成像元件的所述像素的以所述预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上一并布置所述伪配线和真实配线。
(9)根据(1)至(7)中任一项所述的半导体装置，进一步包括：施加有预定电压的电极，其中。
所述伪配线被固定至由所述电极施加的预定电压。
(10)一种固态成像元件，其包括：
两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的所述接合面被接合而层叠；
并且，对于像素的以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上布置伪配线。
(11)一种成像装置，其包括：
两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的所述接合面被接合而层叠；
并且，对于像素的以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上布置伪配线。
(12)一种电子设备，其包括：
两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的所述接合面被接合而层叠；
并且，对于像素的以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上布置伪配线。
附图标记列表
11 固态成像元件
31 透镜层
32 滤色器层
33 遮光壁层
33a 遮光壁
34 光电转换层
35 配线层
35a、35b 伪配线
36 配线层
36a、36b 伪配线
51 基板层
52 配线层
52a、52b 伪配线层
53 配线层
53a、53b 伪配线层
54 基板层

Claims (13)

1.一种半导体装置，其包括：
两个以上芯片，其中，电连接的配线形成在接合面上，并且彼此相对的所述接合面被接合而层叠；
并且，对于以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上布置伪配线，
其中，所述伪配线布置为与浮动扩散部相对应，
其中，所述伪配线之间的间距与FD触点之间的间距相同或不同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置为固态成像元件，并且，
对于所述固态成像元件的像素的以预定单位周期性地重复布置所述配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上设置所述伪配线。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
布置在彼此相对的所述接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的所述接合面的另一者上的伪配线具有基本相同的图案。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
布置在彼此相对的所述接合面的一者上的伪配线和布置在彼此相对的所述接合面的另一者上的伪配线具有不同的图案。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是共用同一浮动扩散部的触点的多个像素，且所述浮动扩散部位于所述伪配线的中间位置处。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是共有同一浮动扩散部的多个像素。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述固态成像元件的所述像素的所述预定单位是单一的所述像素。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，
对于所述固态成像元件的所述像素的以所述预定单位周期性地重复布置配线的区域，以与所述预定单位相对应的间距在所述接合面上一并布置所述伪配线和真实配线。
9.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，进一步包括：施加有预定电压的电极，其中，
所述伪配线被固定至由所述电极施加的预定电压。
10.一种固态成像元件，其包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置。
11.一种成像装置，其包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置。
12.一种电子设备，其包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置。
13.一种摄像器件，其包括：
如权利要求10中所述的固态成像元件；
光学系统，所述光学系统将来自被摄体的入射光引导至所述固态成像元件；
信号处理电路，所述信号处理电路对从所述固态成像元件输出的信号电荷执行信号处理；
开关装置，所述开关装置用于控制光照射期间和遮光期间；以及
驱动电路，所述驱动电路用于提供驱动信号。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102541701B1 (ko) * 2016-01-15 2023-06-13 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
JP6912922B2 (ja) * 2017-04-12 2021-08-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
KR20200017240A (ko) 2018-08-08 2020-02-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013009301A (ja) * 2011-05-25 2013-01-10 Olympus Corp 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
CN102956660A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 索尼公司 固态成像器件和电子设备
CN103503122A (zh) * 2011-05-24 2014-01-08 索尼公司 半导体装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100610481B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-08 매그나칩 반도체 유한회사 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법
US7541628B2 (en) * 2005-07-09 2009-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors including active pixel sensor arrays
US7781716B2 (en) 2008-03-17 2010-08-24 Eastman Kodak Company Stacked image sensor with shared diffusion regions in respective dropped pixel positions of a pixel array
JP4835710B2 (ja) * 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5526592B2 (ja) * 2009-04-24 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
EP3514831B1 (en) * 2009-12-26 2021-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus and image pickup system
JP2012174937A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体ウエハの貼り合わせ方法及び電子機器
JP5919653B2 (ja) 2011-06-09 2016-05-18 ソニー株式会社 半導体装置
JP5814634B2 (ja) * 2011-06-03 2015-11-17 オリンパス株式会社 補正処理装置、撮像装置および補正処理方法
JP2013051327A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Sony Corp 固体撮像素子および電子機器
JP6021383B2 (ja) 2012-03-30 2016-11-09 オリンパス株式会社 基板および半導体装置
JP5953087B2 (ja) 2012-01-17 2016-07-13 オリンパス株式会社 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2013187360A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
JP2014022561A (ja) 2012-07-18 2014-02-03 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
JP6116878B2 (ja) * 2012-12-03 2017-04-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8946784B2 (en) * 2013-02-18 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
JP6307791B2 (ja) * 2013-02-27 2018-04-11 株式会社ニコン 半導体装置
US9318640B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
JP5784167B2 (ja) * 2014-03-14 2015-09-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2016005068A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
US9437633B2 (en) * 2014-11-06 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Depth sensing pixel, composite pixel image sensor and method of making the composite pixel image sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103503122A (zh) * 2011-05-24 2014-01-08 索尼公司 半导体装置
JP2013009301A (ja) * 2011-05-25 2013-01-10 Olympus Corp 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
CN102956660A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 索尼公司 固态成像器件和电子设备

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