TWI695495B - 半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器 - Google Patents

半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器 Download PDF

Info

Publication number
TWI695495B
TWI695495B TW105104986A TW105104986A TWI695495B TW I695495 B TWI695495 B TW I695495B TW 105104986 A TW105104986 A TW 105104986A TW 105104986 A TW105104986 A TW 105104986A TW I695495 B TWI695495 B TW I695495B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dummy wiring
bonding surface
wiring
wafer
semiconductor device
Prior art date
Application number
TW105104986A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201703240A (zh
Inventor
鈴木麗菜
松沼健司
城直樹
香川惠永
Original Assignee
日商新力股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新力股份有限公司 filed Critical 日商新力股份有限公司
Publication of TW201703240A publication Critical patent/TW201703240A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI695495B publication Critical patent/TWI695495B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Exposure Control For Cameras (AREA)

Abstract

本技術係關於一種半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器，其等可一邊藉由虛設配線保持貼合接合強度，一邊抑制由該虛設配線所致之電容變動而引起之特性變動。
本技術包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之接合面接合而積層；且對於按包含共用同一浮動擴散區接點之複數個像素之每一共用單位週期性重複配設之區域，於其中心位置以共用單位之間距於接合面配設虛設配線。本技術可適用於CMOS影像感測器。

Description

半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器
本技術係關於一種半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器，尤其是關於一種可對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，一邊藉由虛設配線保持貼合接合強度，一邊抑制起因於該虛設配線引起之電容變動之特性變動之半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器。
作為將2片以上之半導體晶片接合而製作積層型之半導體裝置之技術，有藉由於兩晶片之接合面形成配線層，而於接合面之配線層藉由將晶片彼此貼合而電性連接者。
於固態攝像元件之情形，藉由將形成有光電轉換部之晶圓、及包含進行信號處理之電路之晶圓介隔電性連接部貼合，而形成自光電轉換部經由貼合面之配線部，向信號處理電路傳送信號之構成。
作為對於此種固態攝像元件之技術，提出如下技術：藉由於貼合面，於形成有光電轉換部之部分形成電性連接之真實連接配線部，並於形成有光電轉換部之部分以外形成未電性連接之虛設配線，且，以同一間隔配置真實之連接配線部與虛設配線，而謀求製造時之良率提高(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-168623號公報
然而，於貼合配線層之情形時，為了保持接合面之平坦性或貼合強度，而有將接合面之金屬之被覆率設為特定之範圍內之必要性，為了將金屬之被覆率維持於特定之範圍內，提出於接合面配置虛設配線。
然而，於固態攝像元件之情形，有時產生位於像素內之虛設配線映入輸出圖像之現象。該現象被認為是起因於因虛設配線之配置，而因虛設配線間之耦合產生之每一像素之寄生電容之變動者。
若為藉由積層晶片而構成之裝置，則即使為固態攝像元件以外之裝置，亦產生起因於虛設配線之耦合引起之電容變動之特性變動。例如，於將快閃記憶體等作成積層構造之情形時，因虛設配線，而於每一單元特性不均一，從而有無法進行適當動作之可能性。
本技術係鑑於此種狀況而完成者，尤其針對藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊藉由虛設配線保持晶片之貼合接合強度，一邊抑制起因於該虛設配線引起之電容變動之特性變動。
本技術之一態樣之半導體裝置包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設虛設配線。
上述半導體裝置可設為固態攝像元件，且對於按相對於上述固態攝像元件之像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
可設為配設於上述對向之一上述接合面之虛設配線、與配設於另一上述接合面之虛設配線為大致相同之圖案。
可設為配設於上述對向之一上述接合面之虛設配線、與配設於另一上述接合面之虛設配線為不同之圖案。
對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位可設為共用同一浮動擴散區之接點之複數個上述像素。
對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位可設為共用同一浮動擴散區之複數個上述像素。
對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位可設為單一之上述像素。
可設為對於按相對於上述固態攝像元件之像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面與上述虛設配線一併配設實際配線。
可設為包含施加特定電壓之電極，且可將上述虛設配線固定為由上述電極施加之特定電壓。
本技術之一態樣之固態攝像元件包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
本技術之一態樣之攝像裝置包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
本技術之一態樣之電子機器包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
於本技術之一態樣中包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成 電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
根據本技術之一態樣，針對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊藉由虛設配線保持晶片之貼合接合強度，一邊抑制起因於該虛設配線引起之電容變動之特性變動。
11‧‧‧固態攝像元件
31‧‧‧透鏡層
32‧‧‧彩色濾光片層
33‧‧‧遮光壁層
33a‧‧‧遮光壁
34‧‧‧光電轉換層
35‧‧‧配線層
35a‧‧‧虛設配線
35b‧‧‧虛設配線
36‧‧‧配線層
36a‧‧‧虛設配線
36b‧‧‧虛設配線
51‧‧‧基板層
52‧‧‧配線層
52a‧‧‧虛設配線
52b‧‧‧虛設配線
53‧‧‧配線層
53a‧‧‧虛設配線
53b‧‧‧虛設配線
54‧‧‧基板層
201‧‧‧攝像裝置
202‧‧‧光學系統
203‧‧‧快門裝置
204‧‧‧固態攝像元件
205‧‧‧驅動電路
206‧‧‧信號處理電路
207‧‧‧監視器
208‧‧‧記憶體
A‧‧‧有效區域
B‧‧‧電極
B‧‧‧像素
C‧‧‧FD接點
D‧‧‧虛設配線
D‧‧‧汲極
D'‧‧‧汲極
D1‧‧‧虛設配線
D2‧‧‧虛設配線
E‧‧‧電源接點
F‧‧‧接合面
G‧‧‧像素
Gr‧‧‧像素
Gb‧‧‧像素
FD‧‧‧浮動擴散區
L‧‧‧實際配線
MU‧‧‧單元胞
P‧‧‧2像素單位
PD1~PD8‧‧‧光電二極體
R‧‧‧像素
TR11‧‧‧重設電晶體
TR12-1~TR12-8‧‧‧傳送電晶體
TR13‧‧‧放大電晶體
TR14‧‧‧選擇電晶體
VLINE‧‧‧垂直傳送線
Z1‧‧‧部位
Z2‧‧‧部位
圖1係說明應用本技術之固態攝像元件之電路構成例之圖。
圖2係說明應用本技術之固態攝像元件之第1實施形態之構成例之側面剖面之圖。
圖3係說明圖2之固態攝像元件之虛設配線之配設圖案之圖。
圖4係說明應用本技術之固態攝像元件之第2實施形態之構成例之圖。
圖5係說明應用本技術之固態攝像元件之第3實施形態之構成例之圖。
圖6係說明圖5之固態攝像元件之構成例之側面剖面之圖。
圖7係說明應用本技術之固態攝像元件之第4實施形態之構成例之圖。
圖8係說明應用本技術之固態攝像元件之第5實施形態之構成例之圖。
圖9係說明應用本技術之固態攝像元件之第6實施形態之構成例之圖。
圖10係說明應用本技術之固態攝像元件之第7實施形態之構成例之圖。
圖11係說明應用本技術之固態攝像元件之重點之圖。
圖12係說明藉由應用本技術之固態攝像元件而減低特性變動之影響之方法之圖。
圖13係說明應用本技術之半導體裝置之應用例之圖。
圖14係說明利用應用本技術之固態攝像元件之攝像裝置及電子機器之構成之圖。
圖15係顯示固態攝像元件之使用例之圖。
以下，雖說明用以實施本發明之最佳形態之例，但本發明並非限定於以下之例。
<第1實施形態>
<固態攝像元件之電路構成例>
其次，參照圖1，說明應用本技術之固態攝像元件之電路構成例。圖1係顯示構成應用本技術之固態攝像元件之電路構成例。
於圖1之固態攝像元件之電路構成例中包含：重設電晶體TR11、傳送電晶體TR12-1至12-8、放大電晶體TR13、選擇電晶體TR14、浮動擴散區FD(以下，亦簡稱為FD)、光電二極體PD1至PD8(以下，亦簡稱為PD1至PD8)、及垂直傳送線VLINE。
圖1之固態攝像元件由於為包含重設電晶體TR11、傳送電晶體TR12-1至TR12-8、放大電晶體TR13、及選擇電晶體TR14之合計4種電晶體之固態攝像元件，故為尤其是被稱為4TR型(4電晶體型)之固態攝像元件。另，於本實施例中，雖設為以4TR型之固態攝像元件為例進行說明，但亦可為除此以外之構成，例如，亦可為不存在選擇電晶體TR14之包含3種電晶體之3TR型之固態攝像元件。
PD1至PD8係藉由光電轉換產生對應於入射光之光量之電荷，且蓄積所產生之電荷。
傳送電晶體TR12-1至TR12-8係對應於傳送信號而開關之電晶 體，於傳送信號為高位準之情形時導通，且將蓄積於PD1至PD8之電荷傳送至FD。
FD經由傳送電晶體TR12-1至TR12-8，將藉由PD1至PD8傳送來之電荷對應於重設電晶體TR11及放大電晶體TR13之開關狀態而蓄積。
重設電晶體TR11係對應於重設信號而開關之電晶體，於重設信號為高位準之情形時導通，且將蓄積於FD之電荷排出至汲極D。
放大電晶體TR13係藉由對應於蓄積於FD之電荷之輸入電壓予以控制之電晶體，將自汲極D'施加之電壓以對應於蓄積於FD之電荷之輸入電壓放大，且作為像素信號輸出至選擇電晶體TR14。
選擇電晶體TR14係對應於選擇控制信號而開關之電晶體，於選擇控制信號為高位準時控制為導通，且將自放大電晶體TR13輸出之像素信號輸出至垂直傳送線VLINE。
即，藉由使重設電晶體TR11及傳送電晶體TR12-1至TR12-8導通，而重設PD1至PD8及FD。
其次，若將重設電晶體TR11及傳送電晶體TR12-1至TR12-8斷開，則成為PD1至PD8之曝光狀態，從而依序於PD1至PD8中藉由光電轉換而產生對應於入射光之光量之電荷並逐漸蓄積。
此處，藉由將傳送電晶體TR12-1至TR12-8中任一者導通，而將蓄積於對應之PD1至PD8中任一者之電荷傳送至FD。
此時，藉由將與蓄積於PD1至PD8中任一者且被傳送至FD之電荷對應之電壓輸入於放大電晶體TR13之閘極，放大電晶體TR13將自汲極端子D'施加之電壓放大，且作為像素信號輸出至選擇電晶體TR14。
然後，選擇電晶體TR14若藉由選擇信號導通，則將自放大電晶體TR13輸出之像素信號輸出至垂直傳送線VLINE。
以後，藉由依序切換PD1至PD8，將8像素量之像素信號依序切換 而輸出。
此處，於圖1中，顯示針對同一FD，設置有於源極汲極間連接PD1至PD8之陰極之傳送電晶體TR12-1至TR12-8之電路構成例。
即，於圖1中，顯示將PD1至PD8之8個像素以1個FD共用時之電路構成。
藉由此種構成，例如、藉由將傳送電晶體TR12-2至TR12-8維持斷開狀態，並將傳送電晶體TR12-1控制為導通或斷開，可針對PD1之1個像素，使用FD。同樣，藉由依序切換傳送電晶體TR12-2至TR12-8之導通或斷開，可針對PD1至PD8之各者切換使用FD。結果，可實現於圖1之二點鏈線所包圍之以8個像素共用1個FD(包含重設電晶體TR11、放大電晶體TR13、選擇電晶體TR14、及垂直傳送線VLINE)之8像素共用。
又，例如，如圖1之一點鏈線所包圍之範圍所示般，藉由除了1個之重設電晶體TR11、放大電晶體TR13、選擇電晶體TR14及垂直傳送線VLINE以外，僅有傳送電晶體TR12-1至TR12-4以及PD1至PD4之構成，可實現以4個像素共用1個FD之4像素共用。
進而，對於除此以外之個數之PD，亦可藉由經由傳送電晶體連接於共通之FD而實現。
另，於以後，將上述之共用1個FD而使用之複數個像素群稱為共用單位。因此，於圖1中，一點鏈線所包圍之範圍成為實現4像素共用之共用單位，又，二點鏈線所包圍之範圍成為實現8像素共用之共用單位。
<固態攝像元件之佈局>
圖2、圖3係說明應用本技術之固態攝像元件之佈局之圖，圖2係側面剖視圖，圖3係俯視圖。更詳細而言，圖2之剖視圖係圖3之虛線所示之部位之側面剖面。
圖2之固態攝像元件11係自上起由透鏡層31、彩色濾光片層32、遮光壁層33、光電轉換層34、及配線層35、36構成。
透鏡層31為使自圖中上方入射之光即入射光於光電轉換層34中對焦而聚光之方式使其透過。
彩色濾光片層32使以像素單位透過透鏡層31之入射光之中、僅特定波長之光透過。更詳細而言，彩色濾光片層32將例如對應於如圖3所示般之R、G(Gr、Gb)、B(紅、綠、藍)之顏色之光的波長之光以像素單位擷取並使其透過。
遮光壁層33係設置遮光壁33a之層，藉由該遮光壁33a，以僅於形成於圖1之透鏡層31之每一凸部之像素單位之光入射於其正下方之對應於像素之光電轉換層34之PD之方式，對來自鄰接像素之入射光進行遮光。
光電轉換層34係形成有上述之像素單位之PD1至PD8之層，其藉由光電轉換產生對應於入射光之光量之電荷，且將產生之電荷經由設於配線層之傳送電晶體TR12傳送至FD。
配線層35設置有重設電晶體TR11、傳送電晶體TR12、放大電晶體TR13、選擇電晶體TR14、FD、及汲極D、D'，而將像素信號經由未圖示之實際配線(實際之傳送信號之配線)，輸出至配線層36之未圖示之實際配線。又，於圖2之配線層35內，以與FD接點相同之間距設置有銅製(Cu)之虛設配線35a、35b，而補強伴隨配線層35、36之接合之強度。
配線層36設置有用於處理經由配線層35之未圖示之實際配線，自配線層36之未圖示之實際配線輸入之像素信號之電路。又，與配線層35之情形相同，於配線層36中，亦以與FD接點相同之間距設置有虛設配線36a、36b。
配線層35、36係以介隔未圖示之實際配線，以接合面F為邊界貼 合而電性連接之狀態形成，且均於製造之初始階段，形成為個別晶片(晶圓)。又，虛設配線35a、36a雖於接合面F貼合，但虛設配線35b、36b係顯示除虛設配線35a、36a以外之所有虛設配線中之代表性者。因此，於圖2中之配線層35、36中，未標註符號之方形狀之構成均為虛設配線35b、36b。
於圖2、圖3之固態攝像元件11中，將2像素×4像素共計8個像素設定為共用單位。更詳細而言，以將圖3之左上部之粗線內之包含R像素、Gr像素、Gb像素、及B像素之4像素單位之部位上下配設之8個像素設定共用單位。又，於圖3之例中，於該包含8個像素之共用單位內之上段之2像素×2像素、及下段之2像素×2像素之各者之中央位置，以與FD電性連接之方式設置有未圖示之FD接點。
虛設配線35a、36a由於以與該FD接點相同之間距配置，故於圖2之剖面中，將以透鏡層31之凸部所示之像素單位設定為以P所示之2像素單位。
FD接點係如圖3之下部所示般，將2像素×2像素之各像素電性連接至由PD1至PD4構成且設置於傳送對應之電荷之傳送電晶體TR12-1至TR12-4之輸出側之FD之FD接點C。FD接點C係如圖3之下部所示般，對於2像素×2像素之佈局，設置於其中心位置。因此，於圖3之上部之例中，對於水平方向×垂直方向之2像素×2像素之間距成為FD接點間距。
因此，於圖3之上部中，顯示有以與2像素×2像素之FD接點間距相同之間距，於配線層35、36方形狀地配置對應於虛設配線D之虛設配線35a、36a。
同樣，將各虛設配線35a、35b及虛設配線36a、36b以FD接點之間距等間隔地配置。換言之，配置各虛設配線35a及虛設配線36b之間距與配置FD接點C之間距相同。
藉由如圖3般配設虛設配線D，可將因虛設配線35a、36a間之耦合產生之寄生電容於各像素設為相同。再者，當然，關於因其他虛設配線間之耦合產生之寄生電容亦相同。
結果，關於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊藉由虛設配線保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制因該虛設配線引起之電容變動之特性變動。
另，於圖2中，於配線層35中，雖以虛設配線35a與虛設配線35b成為端部之方式標註電容器之記號，但並非意指作為實際情況存在電容器之情況，而係示意性表現因虛設配線35a與虛設配線36b之耦合產生之寄生電容。
<第2實施形態>
於以上，雖對以與FD接點之間距相同之間距，配設虛設配線之例加以說明，但虛設配線藉由以與FD接點之間距配設，而實質上，於各像素中將因耦合產生之寄生電容設為相同。因此，虛設配線為FD接點之間距，且於各像素中，其他形狀之虛設配線亦可發揮同樣之效果。
圖4係顯示關於於其中心形成FD接點之2像素×2像素，以配置FD接點之位置為中心，以相對於水平方向、及垂直方向成為點對稱之方式配設虛設配線D之固態攝像元件之構成例。
更詳細而言，如圖4所示，於2像素×2像素之配置FD接點之中心部、與相對於其中心部以同心圓狀地成為八邊形之頂點之位置之各者設有八邊形之虛設配線D1、D2。
圖4之虛設配線D1係對應於圖2之虛設配線35a者，虛設配線D2係對應於圖2之虛設配線36a者。
虛設配線D1、D2均為八邊形狀，且虛設配線D2為虛設配線D1徑稍大之八邊形狀。又，虛設配線D1、D2係於將FD接點配設於中心位 置之2像素×2像素之範圍內，配設有包含於配設FD接點之位置即中心位置1個、與於相對於其中心位置以同心圓狀形成八邊形時之8個頂點之位置之8個共計9個。
藉由如此配設虛設配線D1、D2，而於將FD接點配設於中心位置之2像素×2像素之各像素中，均點對稱地配設虛設配線D1、D2。其結果，於任一像素中，均可將起因於虛設配線D1、D2之耦合引起之寄生電容之特性變動設為相同。
另，虛設配線D1、D2係只要以FD接點之間距配置，且以FD接點配設之位置為中心，於共用該FD接點之2像素×2像素內，以FD接點為中心點對稱地配設，則虛設配線之形狀、及個數不限制。又，對應於上晶片側之虛設配線35a之虛設配線D1與對應於下晶片側之虛設配線36a之虛設配線D2可相互為相同之尺寸，亦可為不同之尺寸。對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。
<第3實施形態>
以上已說明藉由以FD接點之間距於相同之位置重複配設虛設配線D(或D1、D2)，而抑制起因於因配設之虛設配線間之耦合而產生之電容變動之特性變動之例加以說明。然而，只要因虛設配線間之耦合產生之電容變動相同，則即使以其他方法配設亦可抑制特性變動。例如，亦可如圖5所示般，於FD之共用單位以一致之形狀配設虛設配線D，且對虛設配線D施加固定電位。
即，於圖5之固態攝像元件中，藉由將虛設配線D於共用單位之2像素×4像素之水平方向之中央附近沿垂直方向帶狀地配設，且於共用單位之2像素×4像素之垂直方向之中央附近沿水平方向帶狀地配置而配設成格子狀。
圖6之上部係構成圖5之固態攝像元件之晶片之俯視圖，圖6之下 部係圖5之虛線部之側面剖面。如圖6之上部所示，晶片之中央之範圍係固態攝像元件之有效區域A，於其周邊設置有電極B。又，圖6之下部之如圖5之虛線部之側面剖面所示，虛設配線35a、36a係於圖中之水平方向以連續地連接之狀態形成。
如圖6之下部所示，形成有透鏡層31之右側之部位Z1係對應於有效區域A之部位，圖中之形成有透鏡層31之左側之部位Z2為有效區域A以外(非有效區域)。即，圖6之下部之部位Z1係於圖6之上部中對應於有效區域A者。於圖6之下部中，於虛設配線35a上之屬於部位Z2之範圍，設置有電源接點E，而與圖6之上部之電極B連接。藉由如此構成，將虛設配線35a、36a之電位設為固定電位。
即，藉由如圖5之虛設配線D所示般於平面方向配設成格子狀，且如圖6之虛設配線35a、36a(=虛設配線D)所示般之積層構成，而將虛設配線D(35a、36a)設為固定電位。藉由如此構成，可於由2像素×4像素構成之每一共用單位，將對應於由與虛設配線之耦合而產生之寄生電容之電容變動所引起之特性變動設為相同。
結果，對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制由虛設配線所致之電容變動而引起之特性變動。另，電源接點E可設置於有效區域A即部位Z1、非有效區域即部位Z2之任一者，且可連接於虛設配線35a、36a之任一者，又，亦可為不藉由電源接點E連接，而不固定電位之構成。又，虛設配線D並非僅可設為如圖5所示般之格子狀，既可設為僅水平方向之條紋之構成，亦可設為僅垂直方向之條紋。此外，虛設配線並非限於如圖5之格子狀般於整面設置虛設配線且以長方形狀挖空般之配設，而亦可為以其他形狀挖空而配設，例如，亦可為自設置於整面之虛設配線以正方形狀挖空般之格子狀。
<第4實施形態>
於以上，雖對配線層35、36之虛設配線35a、36a分別以大致相同形狀，配置於大致相同之位置之例加以說明，但只要將各者個別地以FD接點之間距配置，則亦可將虛設配線35a、36a以不同之形狀、及不同位置配設。
圖7顯示將虛設配線35a、36a以不同之形狀、及不同位置配設之固態攝像元件之構成例。
更具體而言，於圖7中，對應於虛設配線35a之虛設配線D1係於自共用同一FD接點之2像素×2像素之範圍之中心位置向相同方向位移相同距離之位置正方形狀地配設。又，對應於虛設配線36a之虛設配線D2係於FD接點共通之2像素×2像素之範圍，以切出正方形之方式配設。
如此，於接合面F中，關於對應於上側晶片之虛設配線35a之虛設配線D1、與對應於下側晶片之虛設配線36a之虛設配線36a之形狀、及位置，亦可為不同者。但，於該情形時，只要將虛設配線D1、D2之各者個別地於共用FD接點之2像素×2像素之範圍內以相同之形狀、及位置配設，即可對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。另，亦可如上述般，將虛設配線D1、D2電位固定。
<第5實施形態>
於以上，雖就對應於配線層35、36之虛設配線35a、36a之虛設配線D1、D2於共用同一FD接點之2像素×2像素、或共用FD之2像素×4像素之共用單位中於同一位置構成之例加以說明，但虛設配線D1、D2亦可於FD之共用單位內之更小之單位中形狀及位置相同。
圖8之固態攝像元件係顯示按像素單位以相同位置、及形狀設置對應於虛設配線35a、36a之虛設配線D時之固態攝像元件之構成例。
更詳細而言，圖8之固態攝像元件係顯示於構成共用單位之各像 素之中心附近設置方形狀之虛設配線35a、36a即虛設配線D之固態攝像元件之構成例。
以此種構成，結果，亦可於共用同一FD接點之2像素×2像素單位將對應於虛設配線35a、36a之虛設配線D以相同之形狀、位置配設。藉此，可對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。
<第6實施形態>
於以上，雖對配線層35、36之虛設配線35a、36a之配設位置按共用同一FD接點之間距以相同之形狀及位置構成之例加以說明，但亦可進而將實際上自配線層35對配線層36傳送像素信號之實際配線之配置亦於每一共用同一FD接點之2像素×2像素之單位設為相同之配置。
圖9顯示除了對應於配線層35、36之虛設配線35a、36a之虛設配線D之外，亦將實際配線之配設位置於共用同一FD接點之2像素×2像素之單位於相同之位置構成之固態攝像元件之構成例。
更詳細而言，於圖9中，於共用同一FD接點之單位即2像素×2像素之中心位置配設實際配線L，於共用FD接點之單位即2像素×2像素之各角部配置有包含虛設配線35a、36a之虛設配線D。
藉由此種構成，於共用同一FD接點之單位即2像素×2像素之中心位置配設正方形狀之實際配線L，且於共用FD接點之單位即2像素×2像素之各角部配置正方形狀之包含虛設配線35a、36a之虛設配線D。藉此，可對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。
<第7實施形態>
於以上，雖對於共用FD接點之單位即2像素×2像素之中心位置配 設實際配線L，且於共用FD接點之單位即2像素×2像素之各角部配置包含虛設配線35a、36a之虛設配線D之例加以說明，但只要於共用FD接點之單位虛設配線D與實際配線L位於相同位置即可。
圖10顯示於共用FD接點之單位即2像素×2像素之單位虛設配線D與實際配線L位於相同位置時之其他構成例。
即，於圖10中，於共用同一FD接點之單位即2像素×2像素之特定之3個像素(於圖10中，R、Gr、B像素)之大致中心位置配設有虛設配線D，且於其他1個像素(於圖10中，Gb像素)之大致中心位置配設有實際配線L。
即，以共用同一FD接點之單位即2像素×2像素為單位，於特定之相同位置，將虛設配線D、與自配線層35對配線層36傳送像素信號之實際配線L以相同之形狀、及相同之位置配設。藉此，對於藉由貼合複數個晶片而積層構成之裝置，可一邊保持晶圓之貼合接合強度，一邊抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。
另，關於虛設配線D(上晶片側之虛設配線35a、下晶片側之虛設配線36a)、及實際配線之形狀、配置、尺寸、及電位是為固定或浮動，並非限於上述之實施形態，亦可以各種變化組合。因此，若自第1實施形態至第7實施形態之重點，匯總該等變化，則成為組合成例如圖11所示般之關係者。
即，作為虛設配線及實際配線之間距，亦可為以FD接點、共用單位、及像素之任一者為單位者。又，虛設配線及實際配線之形狀亦可為正方形(留下)、長方形(留下)、八邊形、正方形(挖空)、長方形(挖空)、及包含條紋(縱、或橫)之任何形狀。此處，「留下」表示以該形狀形成虛設配線及實際配線，「挖空」表示以以該形狀挖空而以外周部之形狀形成虛設配線及實際配線。進而，上下之晶片之組合係於上下之晶片全部形狀、尺寸、及位置相同、或不同者均可。又，關於 虛設配線之電位，為浮動或固定電位均可。進而，FD像素間距、共用單位間距、及像素間距之任一者均不管實際配線之有無。
<降低特性變動之影響之方法>
藉由將上側晶片之虛設配線35a設為大於下側晶片之虛設配線36a，而即使於在接合面F貼合配線層35、36之時產生偏離亦可進一步減小特性變動之影響。
即，藉由將虛設配線35a設為大於下側晶片之虛設配線36a，而即使如圖12之上部所示般於正確位置貼合，仍如圖12之下部所示般，配線層36相對於配線層35向右方向產生偏離，亦由於例如自虛設配線35b觀察到之因虛設配線35a+虛設配線36a之耦合產生之電容變化幾近零，故即使實質上於配線層35、36之貼合時產生偏離，亦可減低對於特性變動之影響。
<對固態攝像元件以外之裝置之應用>
於以上，雖對固態攝像元件之例加以說明，但只要為將晶片貼合而積層之半導體裝置，亦可應用於其他裝置。
例如，亦可應用於將複數個晶片積層而構成記憶體之情形。
即，於如圖13所示般，將包含基板層51及配線層52之晶片，及包含配線層53及基板層54之晶片於接合面F貼合而構成記憶體之情形時，藉由配合於重複單元胞MU之間距，配置虛設配線52a、53a，可抑制起因於虛設配線引起之電容變動之特性變動。
於該情形時，只要為使用單元胞之記憶體，即可應用，具體而言，例如、可應用於DRAM(Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體)、及快閃記憶體體等。又，除記憶體以外亦只要為藉由以單元胞之重複配置而形成之半導體裝置等，則於任一者均可適用。
<對電子機器之應用例>
上述之固態攝像元件可應用於例如數位靜態相機或數位攝影機等攝像裝置、具備攝像功能之行動電話、或具備攝像功能之其他機器等各種電子機器。
圖14係顯示作為應用本技術之電子機器之攝像裝置之構成例之方塊圖。
圖14所示之攝像裝置201構成為具備：光學系統202、快門裝置203、固態攝像元件204、驅動電路205、信號處理電路206、監視器207、及記憶體208，可拍攝靜態圖像及動態圖像。
光學系統202構成為具有1片或複數片透鏡，而將來自被攝體之光(入射光)導向固態攝像元件204，使其成像於固態攝像元件204之受光面。
快門裝置203配置於光學系統202及固態攝像元件204之間，且按照驅動電路1005之控制，控制對固態攝像裝置204之光照射期間及遮光期間。
固態攝像元件204由包含上述之固態攝像元件之封裝構成。固態攝像元件204對應於經由光學系統202及快門裝置203成像於受光面之光，於一定期間，蓄積信號電荷。將蓄積於固態攝像元件204之信號電荷按照自驅動電路205供給之驅動信號(時序信號)而傳送。
驅動電路205輸出控制固態攝像元件204之傳送動作、及快門裝置203之快門動作之驅動信號，而驅動固態攝像元件204及快門裝置203。
信號處理電路206對自固態攝像元件204輸出之信號電荷實施各種信號處理。將藉由信號處理電路206實施信號處理而獲得之圖像(圖像資料)供給至監視器207予以顯示，或供給至記憶體208予以記憶(記錄)。
於如此構成之攝像裝置201中，藉由取代上述之固態攝像元件 204，而應用固態攝像元件1，亦可於所有像素實現低雜訊之攝像。
<固態攝像元件之使用例>
圖15係顯示使用上述之固態攝像元件之使用例之圖。
上述之固態攝像元件例如可於如以下般感測可見光、紅外光、紫外光、X射線等光之各種例中使用。
．數位相機、或附相機功能之攜帶式機器等、拍攝供欣賞用之圖像之裝置。
．為了自動停止等安全駕駛、或辨識駕駛者之狀態等，而拍攝汽車之前方或後方、周圍、車內等之車載用感測器、監視行駛車輛或道路之監視相機、進行車輛間等之測距之測距感測器等之供交通用之裝置。
．為了拍攝使用者之姿勢而進行遵從該姿勢之機器操作，而供用於TV、冰箱、空調等家電之裝置。
．內視鏡、或利用紅外光之受光進行血管攝影之裝置等之供醫療或保健用之裝置。
．防盜用途之監視相機、或人物認證用途之相機等之供保全用之裝置。
．拍攝皮膚之皮膚檢測器、或拍攝頭皮之顯微鏡等之供美容用之裝置。
．適於運動用途等之運動相機或穿戴式相機等之供運動用之裝置。
．用於監視農田或作物之狀態之照相機等之供農業用之裝置。
另，本技術亦可採取如下之構成。
(1)一種半導體裝置，其包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且 對於按每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設虛設配線。
(2)如(1)之半導體裝置，其中：上述半導體裝置係固態攝像元件；對於按相對於上述固態攝像元件之像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
(3)如(2)之半導體裝置，其中：配設於上述對向之一上述接合面之虛設配線、與配設於另一上述接合面之虛設配線為大致相同之圖案。
(4)如(2)之半導體裝置，其中：配設於上述對向之一上述接合面之虛設配線、與配設於另一上述接合面之虛設配線為不同之圖案。
(5)如(2)至(4)中任一項之半導體裝置，其中：對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位係共用同一浮動擴散區之接點的複數個上述像素。
(6)如(2)至(4)中任一項之半導體裝置，其中：對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位係共用同一之浮動擴散區之複數個上述像素。
(7)如(2)至(4)中任一項之半導體裝置，其中：對於上述固態攝像元件之像素之上述特定單位係單一之上述像素。
(8)如(2)至(7)中任一項之半導體裝置，其中：對於按相對於上述固態攝像元件之像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面與上述虛設配線一併配設實際配線。
(9)如(1)至(7)中任一項之半導體裝置，其包含：施加特定電壓之電極；且將上述虛設配線固定為由上述電極施加之特定電壓。
(10)一種固態攝像元件，其包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
(11)一種攝像裝置，其包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
(12)一種電子機器，其包含：2個以上之晶片，其等於接合面形成電性連接之配線，且將對向之上述接合面接合而積層；且對於按相對於像素之每一特定單位將上述配線週期性重複配設之區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設上述虛設配線。
11‧‧‧固態攝像元件
31‧‧‧透鏡層
32‧‧‧彩色濾光片層
33‧‧‧遮光壁層
33a‧‧‧遮光壁
34‧‧‧光電轉換層
35‧‧‧配線層
35a‧‧‧虛設配線
35b‧‧‧虛設配線
36‧‧‧配線層
36a‧‧‧虛設配線
36b‧‧‧虛設配線
F‧‧‧接合面
P‧‧‧2像素單位

Claims (14)

  1. 一種半導體裝置，其包含2個以上之晶片，其中各晶片包含：接合面、及於各自之接合面形成的電性連接之配線，對向之接合面係相互積層，於俯視下，上述電性連接之配線係依特定單位而週期性重複配設於各晶片之區域，且於各晶片之上述區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設有虛設配線，其中於上述半導體裝置之第1晶片之第1接合面配設的第1虛設配線係與於上述半導體裝置之第2晶片之第2接合面配設的第2虛設配線耦合，其中上述第1虛設配線及上述第2虛設配線係配設為與上述特定單位之至少中心部分對應。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中：上述半導體裝置係固態攝像元件；且各晶片之上述接合面係各晶片之像素之接合面。
  3. 如請求項2之半導體裝置，其中：上述第1接合面與上述第2接合面對向，且配設於上述第1接合面之上述第1虛設配線的圖案與配設於上述第2接合面之上述第2虛設配線的圖案大致相同。
  4. 如請求項2之半導體裝置，其中：上述第1接合面與上述第2接合面對向，且配設於上述第1接合面之上述第1虛設配線的圖案與配設於上述第2接合面之上述第2虛設配線的圖案不同。
  5. 如請求項2之半導體裝置，其中： 複數個像素共用(share)浮動擴散區(floating diffusion)之接點。
  6. 如請求項2之半導體裝置，其中：複數個像素共用浮動擴散區。
  7. 如請求項2之半導體裝置，其中：各晶片之上述特定單位係各晶片之上述像素的單位。
  8. 如請求項7之半導體裝置，其中：上述第1虛設配線及上述第2虛設配線係配設為與各晶片之上述像素的上述單位之浮動擴散區對應。
  9. 如請求項8之半導體裝置，其中：上述浮動擴散區係由各晶片之上述像素的上述單位共用。
  10. 如請求項2之半導體裝置，其中：以對應於上述特定單位之上述間距於上述接合面，與上述虛設配線一併地配設有實際配線(real wire)，其中上述實際配線傳送像素信號。
  11. 如請求項1之半導體裝置，其進一步包含：施加特定電壓之電極；且上述虛設配線被固定於上述特定電壓，其中上述特定電壓係自上述電極施加至上述虛設配線。
  12. 一種固態攝像元件，其包含2個以上之晶片，其中各晶片包含：接合面、及於各自之接合面形成的電性連接之配線，對向之上述接合面係相互積層，於俯視下，上述電性連接之配線係依特定單位而週期性重複配設於各晶片之區域，且於各晶片之上述區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設有虛設配線，其中於上述半導體裝置之第1晶片之第 1接合面配設的第1虛設配線係與於上述半導體裝置之第2晶片之第2接合面配設的第2虛設配線耦合，其中上述第1虛設配線及上述第2虛設配線係配設為與上述特定單位之至少中心部分對應。
  13. 一種攝像裝置，其包含2個以上之晶片，其中各晶片包含：接合面、及於各自之接合面形成的電性連接之配線，對向之接合面係相互積層，於俯視下，上述電性連接之配線係依特定單位而週期性重複配設於各晶片之區域，且於各晶片之上述區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設有虛設配線，其中於上述半導體裝置之第1晶片之第1接合面配設的第1虛設配線係與於上述半導體裝置之第2晶片之第2接合面配設的第2虛設配線耦合，其中上述第1虛設配線及上述第2虛設配線係配設為與上述特定單位之至少中心部分對應。
  14. 一種電子機器，其包含2個以上之晶片，其中各晶片包含：接合面、及於各自之接合面形成的電性連接之配線，對向之上述接合面係相互積層，於俯視下，上述電性連接之配線係依特定單位而週期性重複配設於各晶片之區域，且於各晶片之上述區域，以對應於上述特定單位之間距於上述接合面配設有虛設配線，其中於上述半導體裝置之第1晶片之第1接合面配設的第1虛設配線係與於上述半導體裝置之第2晶片之第2接合面配設的第2虛設配線耦合， 其中上述第1虛設配線及上述第2虛設配線係配設為與上述特定單位之至少中心部分對應。
TW105104986A 2015-02-27 2016-02-19 半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器 TWI695495B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-038059 2015-02-27
JP2015038059 2015-02-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201703240A TW201703240A (zh) 2017-01-16
TWI695495B true TWI695495B (zh) 2020-06-01

Family

ID=56788539

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105104986A TWI695495B (zh) 2015-02-27 2016-02-19 半導體裝置、固態攝像元件、攝像裝置、及電子機器
TW109114621A TWI791982B (zh) 2015-02-27 2016-02-19 固態攝像裝置、及電子機器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109114621A TWI791982B (zh) 2015-02-27 2016-02-19 固態攝像裝置、及電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10665623B2 (zh)
JP (2) JP6816712B2 (zh)
KR (3) KR102674335B1 (zh)
CN (2) CN107251227B (zh)
TW (2) TWI695495B (zh)
WO (1) WO2016136488A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102541701B1 (ko) * 2016-01-15 2023-06-13 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
JP6912922B2 (ja) * 2017-04-12 2021-08-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
KR20200017240A (ko) 2018-08-08 2020-02-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP2022143269A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 キオクシア株式会社 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130049082A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
US20140145338A1 (en) * 2011-05-24 2014-05-29 Sony Corporation Semiconductor device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100610481B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-08 매그나칩 반도체 유한회사 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법
US7541628B2 (en) * 2005-07-09 2009-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors including active pixel sensor arrays
US7781716B2 (en) 2008-03-17 2010-08-24 Eastman Kodak Company Stacked image sensor with shared diffusion regions in respective dropped pixel positions of a pixel array
JP4835710B2 (ja) * 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5526592B2 (ja) * 2009-04-24 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
KR101411800B1 (ko) * 2009-12-26 2014-06-24 캐논 가부시끼가이샤 고체 촬상 장치 및 촬상 시스템
JP2012174937A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体ウエハの貼り合わせ方法及び電子機器
JP5919653B2 (ja) * 2011-06-09 2016-05-18 ソニー株式会社 半導体装置
JP6045156B2 (ja) * 2011-05-25 2016-12-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP5814634B2 (ja) * 2011-06-03 2015-11-17 オリンパス株式会社 補正処理装置、撮像装置および補正処理方法
JP5999750B2 (ja) * 2011-08-25 2016-09-28 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置及び生体撮像装置
JP2013051327A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Sony Corp 固体撮像素子および電子機器
JP6021383B2 (ja) 2012-03-30 2016-11-09 オリンパス株式会社 基板および半導体装置
JP5953087B2 (ja) 2012-01-17 2016-07-13 オリンパス株式会社 固体撮像装置、撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2013187360A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
JP2014022561A (ja) 2012-07-18 2014-02-03 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
JP6116878B2 (ja) * 2012-12-03 2017-04-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8946784B2 (en) * 2013-02-18 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
JP6307791B2 (ja) 2013-02-27 2018-04-11 株式会社ニコン 半導体装置
US9318640B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for image sensor packaging
JP5784167B2 (ja) * 2014-03-14 2015-09-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2016005068A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
US9437633B2 (en) * 2014-11-06 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Depth sensing pixel, composite pixel image sensor and method of making the composite pixel image sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140145338A1 (en) * 2011-05-24 2014-05-29 Sony Corporation Semiconductor device
US20130049082A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US11004879B2 (en) 2021-05-11
KR102674335B1 (ko) 2024-06-12
JP7131602B2 (ja) 2022-09-06
US10665623B2 (en) 2020-05-26
KR20240096802A (ko) 2024-06-26
TW202044575A (zh) 2020-12-01
CN113658966B (zh) 2024-05-17
TWI791982B (zh) 2023-02-11
KR20230066136A (ko) 2023-05-12
JPWO2016136488A1 (ja) 2017-12-07
CN107251227A (zh) 2017-10-13
US20210233946A1 (en) 2021-07-29
CN107251227B (zh) 2021-07-20
KR20170122724A (ko) 2017-11-06
CN113658966A (zh) 2021-11-16
KR102530162B1 (ko) 2023-05-09
TW201703240A (zh) 2017-01-16
US20180033813A1 (en) 2018-02-01
JP6816712B2 (ja) 2021-01-20
US20200185433A1 (en) 2020-06-11
WO2016136488A1 (ja) 2016-09-01
JP2021052210A (ja) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6848436B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器
TWI523213B (zh) 包含具有鏡像電晶體佈局像素單元之影像感測器
KR102545845B1 (ko) 반도체 장치 및 전자 기기
JP5537172B2 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP7131602B2 (ja) 半導体装置、固体撮像装置、撮像装置、および電子機器
JP6732730B2 (ja) 固体撮像素子、駆動方法、および電子機器
WO2016152577A1 (ja) 固体撮像装置および電子機器
JP6276297B2 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP5874777B2 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP2017175164A (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP2013197333A (ja) 固体撮像装置、カメラ、および電子機器
WO2022149488A1 (ja) 光検出装置および電子機器