CN108193277A - 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法 - Google Patents

制备大面积单层二硒化钨单晶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108193277A
CN108193277A CN201810078755.1A CN201810078755A CN108193277A CN 108193277 A CN108193277 A CN 108193277A CN 201810078755 A CN201810078755 A CN 201810078755A CN 108193277 A CN108193277 A CN 108193277A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
substrate
boat
selenium
tungsten
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810078755.1A
Other languages
English (en)
Inventor
谢涌
马晓华
何皓
南塘
王湛
吴瑞雪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xidian University
Original Assignee
Xidian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xidian University filed Critical Xidian University
Priority to CN201810078755.1A priority Critical patent/CN108193277A/zh
Publication of CN108193277A publication Critical patent/CN108193277A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法，主要解决了传统制备方法工艺较复杂，可控性差的问题，其实施步骤为：1.选用衬底并进行RCA标准清洗，选取两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟，吹干；2.将清洗后的衬底置于管式炉内，准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟，将NaCl溶液滴在第一片衬底前端后在热板上加热至去离子水完全气化；在第一片衬底盛放WO3，盖上第二片衬底后将钨舟置于高温区，硒舟中盛放Se后置于低温区；3.吹扫腔体，对管式炉高低温区分别进行控温，使WO3和Se反应产生WSe2，并对其进行密封。本发明成本较低，可控性高，适用于可重复性的大面积的单层WSe2材料的制备。

Description

制备大面积单层二硒化钨单晶的方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种单层二硒化钨(WSe2)单晶的化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)制备方法，用于可重复性的大面积的单层WSe2制备。
背景技术
以二硫化钼(MoS2)、二硒化坞(WSe2)为代表的二维过渡族金属硫族化合物功能材料在多层到单层的过程中，能够实现由间接带隙到直接带隙的转变，凭借其独特的物理、化学性质使得其在电子器件、光电子器件等领域有较大应用潜力，受到了研究人员的广泛重视。WSe2的发光特性较之MoS2，更具特色，目前制备大面积的单层WSe2主要采用CVD方法，需要用到硒源和钨源作为前驱体。常用的CVD方法使用的钨源为WO3，但由于WO3的蒸发温度高，难以蒸出，因此WO3仅存在于部分位置。同时，硒源的温度必须得到精确控制，来实现稳定的硒源的蒸发。
文献1“J.-K.Huang,J.Pu,C.-L.Hsu,M.-H.Chiu,Z.-Y.Juang,Y.-H.Chang,W.-H.Chang,Y.Iwasa,T.Takenobu and L.-J.Li,ACS Nano 8(1),923-930(2013)..”报道了采用CVD方法，以WO3为前驱体制备单层WSe2的方法。这种方法在二维材料中具有代表性，其采用的工艺过程中，采用氢气和氩气作为载气，但该方法生长的WS2三角单晶的边长仅在20μm以下，且层数不能得到精确控制，限制了材料的器件应用。
文献2“H.Zhou,C.Wang,J.C.Shaw,R.Cheng,Y.Chen,X.Huang,Y.Liu,N.O.Weiss,Z.Lin,Y.Huang and X.Duan,Nano Letters 15(1),709-713(2014).”报道了采用CVD方法，以WO3为前驱体制备单层WSe2的方法。这种方法在二维材料中具有代表性，其采用的工艺过程中，先加热WO3粉末使其在1070℃被硒化，最终生成WSe2的薄膜，该方法虽说能够得到不同层数的WSe2单晶，但是由于硒单质的温度不能得到有效的单独控制，因而生长的WSe2尺寸均小于20μm，限制了其器件应用。
文献3“S.M.Eichfeld,L.Hossain,Y.-C.Lin,A.F.Piasecki,B.Kupp,A.G.Birdwell,R.A.Burke,N.Lu,X.Peng,J.Li,A.Azcatl,S.McDonnell,R.M.Wallace,M.J.Kim,T.S.Mayer,J.M.Redwing and J.A.Robinson,ACS Nano 9(2),2080-2087(2015).”报道了以W(CO)6为前躯体，采用(CH3)2Se提供Se源来得到WSe2的方法，该方法为有机气相沉积的方法，前躯体有毒，需要复杂的尾气处理和安全防护，成本较高。
文献4“S.Li,S.Wang,D.-M.Tang,W.Zhao,H.Xu,L.Chu,Y.Bando,D.Golberg andG.Eda,Applied Materials Today 1(1),60-66(2015).”采用混合NaCl和WO2.9作为前驱体的方法来制备得到WS2和WSe2，这种方法通过加入与WO2.9粉末质量比为7:3的NaCl，通过Ar/H2的混合气体，可以明显增大生长尺寸200μm，不过该方法需要H2等还原性保护气体，而且NaCl达到了30mg，在800℃高温下会对石英管和金属造成腐蚀。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法，以减小制备成本，增大生长单晶薄膜的面积。
本发明的技术关键是：采用移液枪精确控制NaCl加入量的方法来实现CVD反应的形核和生长过程控制，最终实现大面积、可控的WSe2生长。其实现步骤包括如下：
(1)选取两片衬底，并采用标准RCA清洗工艺对其进行清洗，选取两只石英舟分别作为钨舟和硒舟；
(2)将1-100mg的NaCl溶于5mL去离子水中制成盐溶液，将2-20μL的盐溶液滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
(3)在第一片衬底中心盛放3-300mg的WO3后，将其置于钨舟中,把第二片衬底盖在WO3上方的1mm-10mm位置，再将钨舟置于管式炉高温区，随后在硒舟中加入10-500mg的硒粉，并将硒舟置于管式炉低温区；
(4)将高温区升温至100-150℃，使用100-1000sccm流量的氩气吹扫反应腔体15分钟到2小时；
(5)将氩气流量调节至10sccm-200sccm,同时使高温区迅速升温至300-700℃；
(6)降低升温速率，在高温区温度达到600-850℃时，对低温区独立加热，使其中的Se融化并与WO3反应3-60分钟；
(7)自然降温，待温度降至100℃以下，将样品取出密封，即完成单层二硒化钨单晶的制备。
本发明与现有技术相比较具有如下优点：
1.本发明由于在反应时使用WO3作为前驱体，同时不使用H2，降低了反应条件，同时也更加安全；
2.本发明由于使用了NaCl，消除了使用WO3时原材料的中毒反应，同时将NaCl用移液枪以溶液形式引入，可以精准控制NaCl的引入量；
3.本发明由于使用独立控温区控制Se的引入温度，能够精确控制WSe2形核和生长过程；
4.本发明将WO3前驱体和衬底间隙控制在1mm-10mm之间，实现了大尺寸、大面积的单层WSe2的制备，该工艺可将制备的单晶尺寸扩展至英寸级别。
下面结合附图和实施例对本发明做详细说明。
附图说明
图1为本发明使用的装置示意图；
图2是本发明的实现流程示意图；
图3为本发明中控制WO3和Se的温度变化曲线图；
图4为用本发明方法生长的单层WSe2在不同放大倍数下的光学显微镜图片；
图5为用本发明方法生长的单层WSe2的电子显微镜图片。
具体实施方式
本实例采用WO3这类较难蒸发的原材料作为前驱体，通过微克级NaCl来实现钨源的形核过程的控制，通过三温区中的独立温区实现硒源的控制，最终实现大面积、可控的WSe2生长。
参照图1，本发明使用的管式炉为三温区炉，三个温区的温度分别由不同程序独立控制。管式炉配有气体流量控制装置，可控制炉中引入的气体种类及流量。
参照图2，本发明的具体实现给出如下三种实施例：
实施例1：制备尺寸为60μm的单层WSe2，
步骤A，选用衬底并进行RCA标准清洗。
选取两片在硅上沉积了一层二氧化硅的硅片作为衬底,将这两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟，再用氮气枪吹干。
步骤B，将清洗后的衬底盛放药品置于管式炉内。
准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟，将1mg的NaCl溶于5mL的去离子水中备用，将20μL的盐溶液用移液枪滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
在第一片衬底中心盛放10mg的WO3粉末后，将其置于钨舟中,把第二片衬底盖在WO3上方的1mm位置，再将钨舟置于管式炉的高温区；
在硒舟中加入50mg的Se粉末，并将硒舟置于管式炉的低温区。
步骤C，生长单晶。
在生长单晶的过程中通过对管式炉的升温、降温进行，如图3所示：
C1)将高温区一次升温至150℃，使用500sccm的氩气吹扫反应腔体30分钟；
C2)将氩气流量调节至50sccm，以30℃/min的速率对高温区进行二次升温，使WO3粉末加热到300℃；
C3)以15℃/min的速率对高温区进行三次升温至750℃，并将低温区以10℃/min的速率加热至250℃，使Se粉末融化与钨舟中的WO3粉末反应10分钟，在第二片衬底上形成单晶样品。
步骤D，完成制备。
使管式炉整体自然降温，待高温区温度降至100℃以下，将单晶样品取出密封，完成对60μm的WSe2单晶样品的制备，。
实施例2：制备尺寸为30μm的单层WSe2
步骤1，选用衬底并进行RCA标准清洗。
本步骤与实施例1的步骤A相同。
步骤2，将清洗后的衬底盛放药品置于管式炉内。
首先，准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟，将100mg的NaCl溶于5mL的去离子水中备用，将2μL的盐溶液用移液枪滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
然后，在第一片衬底中心盛放10mg的WO3粉末后，将其置于钨舟中,把第二片衬底盖在WO3粉末上方的10mm位置，再将钨舟置于管式炉高温区；
最后，在硒舟中加入150mg的Se粉末，并将硒舟置于管式炉低温区。
步骤3，生长单晶。
本步骤通过对管式炉的高温区和低温区施加不同的温度使其WO3和Se发生反应而实现，其操作如下：
首先，将高温区一次升温至150℃，使用500sccm的氩气吹扫反应腔体30分钟；
然后，将氩气流量调节至100sccm，以30℃/min的速率对高温区进行二次升温，使WO3粉末加热到300℃；
最后，以15℃/min的速率对高温区进行第三次升温至750℃，并将低温区以10℃/min的速率加热至250℃，使Se粉末融化与钨舟中的WO3粉末反应20分钟，以在第二片衬底上形成单晶样品。
步骤4，完成制备。
使管式炉整体自然降温，待高温区温度降至100℃以下，将单晶样品取出密封，完成对30μm的WSe2单晶样品的制备。
实施例3：制备尺寸为40μm的单层WSe2
步骤一，选用衬底并进行RCA标准清洗。
本步骤与实施例1的步骤A相同。
步骤二，将清洗后的衬底盛放药品置于管式炉内。
第一步，准备两只石英舟分别作为钨舟和硒舟，将5mg的NaCl溶于5mL的去离子水中备用，将20μL的盐溶液用移液枪滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
第二步，在第一片衬底中心盛放10mg的WO3后，将其置于钨舟中,把第二片衬底盖在WO3上方的5mm位置，再将钨舟置于管式炉高温区；
第三步，在硒舟中加入150mg的Se粉末，并将硒舟置于管式炉低温区。
步骤三，生长单晶。
本步骤通过对管式炉的高温区和低温区施加不同的温度使其WO3和Se发生反应而实现，即先将高温区一次升温至150℃，使用500sccm的氩气吹扫反应腔体30分钟；接着将氩气流量调节至200sccm，并以30℃/min的速率对高温区进行二次升温，使WO3粉末加热到300℃；再以15℃/min的速率对高温区进行第三次升温至600℃，并将低温区以10℃/min的速率加热至250℃，使Se粉末融化与钨舟中的WO3粉末反应30分钟，以在第二片衬底上形成单晶样品。
步骤四，完成制备。
将管式炉整体自然降温，待高温区温度降至100℃以下时，将单晶样品取出密封，完成对40μm的WSe2单晶样品的制备。
本发明的效果可以通过以下的实测结果进一步说明。
实验一，对实施例1生长的单晶样品利用光学显微镜拍摄的在不同倍数下的图片，结果如图4所示，其中图4(a)为单晶样品放大100倍时的显微镜图片，图4(b)为三角状单晶放大500倍时的显微镜图片，图4(c)为雪花状单晶放大500倍时的显微镜图片，图4(d)为六角星状单晶放大500时的显微镜图片。
从图4可以看出，本发明可以生长出尺寸达到60微米的WSe2单层单晶材料，现有方法同样条件下只能生长尺寸为20微米以下的WSe2单层单晶材料。
实验2，实施例1生长出的单晶样品利用电子显微镜在放大300倍下进行拍摄，结果如图5所示；
从图5可以看出，本实例得到的WSe2单层尺寸普遍在30～60微米，且表面平整。

Claims (3)

1.制备大面积单层二硒化钨单晶的方法，包括：
(1)选取两片衬底，并采用标准RCA清洗工艺对其进行清洗，选取两只石英舟分别作为钨舟和硒舟；
(2)将1-100mg的NaCl溶于5mL去离子水中制成盐溶液，将5-20μL的盐溶液滴在第一片衬底前端，再在热板上加热至去离子水完全气化；
(3)在第一片衬底中心盛放3-300mg的WO3后，将其置于钨舟中,把第二片衬底盖在WO3上方的1mm-10mm位置，再将钨舟置于管式炉高温区，随后在硒舟中加入50-150mg的硒粉，并将硒舟置于管式炉低温区；
(4)将高温区升温至100-150℃，使用500sccm流量的氩气吹扫反应腔体15分钟到2小时；
(5)将氩气流量调节至10sccm-200sccm,同时使高温区迅速升温至300-700℃；
(6)降低升温速率，在高温区温度达到600-850℃时，对低温区独立加热，使其中的硒融化并与WO3反应10-60分钟；
(7)自然降温，待温度降至100℃以下，将样品取出密封，即完成尺寸为10μm-60μm的单层二硒化钨单晶的制备。
2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(2)中盐溶液滴在第一片衬底前端，是利用移液枪将盐溶液滴在距衬底前端3-5mm的位置处。
3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(3)中的管式炉，设有三个温区，三个温区分别由不同程序独立控制，其中第一温区和第二温区作为低温区，温度范围为200-500℃，第三温区作为高温区，温度范围为600-850℃。
CN201810078755.1A 2018-01-26 2018-01-26 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法 Pending CN108193277A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810078755.1A CN108193277A (zh) 2018-01-26 2018-01-26 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810078755.1A CN108193277A (zh) 2018-01-26 2018-01-26 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108193277A true CN108193277A (zh) 2018-06-22

Family

ID=62591340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810078755.1A Pending CN108193277A (zh) 2018-01-26 2018-01-26 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108193277A (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023296A (zh) * 2018-08-06 2018-12-18 华东师范大学 一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法
CN109183156A (zh) * 2018-11-08 2019-01-11 西北工业大学 一种二硫化物单晶及其制备方法和用途
CN109371381A (zh) * 2018-11-29 2019-02-22 河北工业大学 一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法
CN109437124A (zh) * 2018-12-28 2019-03-08 吉林大学 一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法
CN110416065A (zh) * 2019-07-29 2019-11-05 湖南大学 二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法
CN110611012A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 西安工业大学 一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法
CN110607561A (zh) * 2019-10-28 2019-12-24 国家纳米科学中心 一种单层过渡金属硫化物的制备方法
CN111074234A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 上海理工大学 一种基于推拉小车的方式生长二维材料的装置及方法
CN114835090A (zh) * 2022-05-08 2022-08-02 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法
CN115246631A (zh) * 2021-12-22 2022-10-28 青岛大学 一种同心三角结构硒化钨纳米片的制备方法及应用
CN115367714A (zh) * 2022-08-31 2022-11-22 西北工业大学 一种二硒化钨纳米片及其制备方法
CN115491656A (zh) * 2022-08-09 2022-12-20 大连理工大学盘锦产业技术研究院 单层二硒化钨及其制备方法
WO2023193637A1 (zh) * 2022-04-07 2023-10-12 北京大学 在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法
CN117855322A (zh) * 2023-11-06 2024-04-09 济南大学 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103614777A (zh) * 2013-10-15 2014-03-05 中国科学院理化技术研究所 一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法
CN103952682A (zh) * 2014-04-22 2014-07-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 化学气相沉积生长单层二硫化钼的方法
CN104649326A (zh) * 2015-02-11 2015-05-27 中国科学技术大学 一种硒掺杂过渡金属硫化物单层薄膜及其制备方法
CN104846434A (zh) * 2015-04-10 2015-08-19 武汉大学 一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
CN106757361A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 西安电子科技大学 基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103614777A (zh) * 2013-10-15 2014-03-05 中国科学院理化技术研究所 一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法
CN103952682A (zh) * 2014-04-22 2014-07-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 化学气相沉积生长单层二硫化钼的方法
CN104649326A (zh) * 2015-02-11 2015-05-27 中国科学技术大学 一种硒掺杂过渡金属硫化物单层薄膜及其制备方法
CN104846434A (zh) * 2015-04-10 2015-08-19 武汉大学 一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
CN106757361A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 西安电子科技大学 基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHISHENG LI等: "Halide-assisted atmospheric pressure growth of large WSe2and WS2monolayer crystals", 《APPLIED MATERIALS TODAY》 *
李伟等: "Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究", 《功能材料》 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023296A (zh) * 2018-08-06 2018-12-18 华东师范大学 一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法
CN109183156A (zh) * 2018-11-08 2019-01-11 西北工业大学 一种二硫化物单晶及其制备方法和用途
CN109371381B (zh) * 2018-11-29 2021-01-15 河北工业大学 一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法
CN109371381A (zh) * 2018-11-29 2019-02-22 河北工业大学 一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法
CN109437124A (zh) * 2018-12-28 2019-03-08 吉林大学 一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法
CN110416065A (zh) * 2019-07-29 2019-11-05 湖南大学 二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法
CN110611012A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 西安工业大学 一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法
CN110607561A (zh) * 2019-10-28 2019-12-24 国家纳米科学中心 一种单层过渡金属硫化物的制备方法
CN111074234A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 上海理工大学 一种基于推拉小车的方式生长二维材料的装置及方法
CN115246631A (zh) * 2021-12-22 2022-10-28 青岛大学 一种同心三角结构硒化钨纳米片的制备方法及应用
WO2023193637A1 (zh) * 2022-04-07 2023-10-12 北京大学 在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法
CN114835090A (zh) * 2022-05-08 2022-08-02 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法
CN114835090B (zh) * 2022-05-08 2024-05-07 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法
CN115491656A (zh) * 2022-08-09 2022-12-20 大连理工大学盘锦产业技术研究院 单层二硒化钨及其制备方法
CN115367714A (zh) * 2022-08-31 2022-11-22 西北工业大学 一种二硒化钨纳米片及其制备方法
CN117855322A (zh) * 2023-11-06 2024-04-09 济南大学 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法
CN117855322B (zh) * 2023-11-06 2024-06-11 济南大学 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108193277A (zh) 制备大面积单层二硒化钨单晶的方法
CN106757361A (zh) 基于CVD法生长MoS2二维晶体的方法
Zhang et al. High‐speed preparation of< 111>‐and< 110>‐oriented β‐SiC films by laser chemical vapor deposition
KR20190005180A (ko) 2차원 물질을 형성하기 위한 화학적 기상 증착 방법
CN104389016B (zh) 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法
CN105839072B (zh) 一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法
CN106558475B (zh) 晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
CN107287578B (zh) 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法
KR101591833B1 (ko) 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막
CN108546994A (zh) 一种二维三硒化二铟原子晶体及其制备方法和用途
CN109437124B (zh) 一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法
Jubu et al. Deposition of gallium oxide nanostructures at low substrate temperature by chemical vapor deposition
Hu et al. Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate
US8916455B2 (en) Method of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films on glass substrates and devices thereon
JP6005766B2 (ja) ＣｕＩｎＳｅ２及びＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２被膜を用いて太陽電池を形成する為のシステム及び方法
CN102181924B (zh) 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯
Liu et al. Improvement of crystal quality and UV transparence of dielectric Ga 2 O 3 thin films via thermal annealing in N 2 atmosphere
CN110804731B (zh) 一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法
Verlaan et al. High-density silicon nitride deposited at low substrate temperature with high deposition rate using hot wire chemical vapour deposition
CN111206284B (zh) 一种硒化钯单晶及其制备和应用
CN103498191B (zh) 高纯度短棒状结晶FeWO4/FeS核壳纳米结构的制备方法
KR101484770B1 (ko) 커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법
JP6783722B2 (ja) 窒化ホウ素膜の成長装置および方法
CN215887222U (zh) 一种二维材料气相制备的装备
CN113380603B (zh) 高硼组分二维iii族多元氮化物混合晶体及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180622