CN108083286A - 一种球形二氧化硅微粉及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种球形二氧化硅微粉的制备方法,首先将无机硅化合物粉末与分散剂依次进行混合、研磨处理,得到活化无机硅化合物;然后将活化无机硅化合物与改性剂依次进行混合、加热处理,得到改性无机硅化合物;所述加热的温度为60~120℃,加热的时间为5~30min;然后再将改性无机硅化合物进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉;所述球化处理的温度为1800~2200℃。本发明还提供了一种二氧化硅微粉,本发明提供的球形二氧化硅微粉的平均粒径为0.1μm~2.0μm,比表面积为3m2/g~30m2/g,球形度为0.98以上。本发明还提供了制备得到的球形二氧化硅微粉在半导体填料中的应用,有效地解决了现有技术中球形二氧化硅微粉粒径过大,且球形度差,无法满足半导体填料粒径和球形度要求的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种二氧化硅的制备方法,尤其涉及一种球形二氧化硅微粉及其制备方法。
背景技术
随着电子设备向小型化、薄型化方向发展,人们对半导体封装用填料的粒径要求也越来越高。为了提高填料在半导体封装中的填充量和流动性,需要添加粒径小且球形度高的亚微米级填料。
半导体填料中常用的有二氧化硅微粉,现有技术多采用火焰成球法制备球形二氧化硅微粉。火焰成球法制备二氧化硅微粉时,首先对二氧化硅颗粒进行粉碎、筛分和提纯等前处理,然后将二氧化硅送入可燃气-氧气产生的高温场中,进行高温熔融、冷却成球,最终形成高纯度球形硅微粉。例如,1990年美国专利(专利号:US4923520)使用可燃气丙烷和助燃剂氧气形成高温火焰,使角状二氧化硅微粉球形化,但是这种方法只能得到平均粒径在10μm~50μm的产品。后来经过不断改进,在实际生产过程中,能得到平均粒径在3μm左右的产品,而对于小于3μm的产品,这种方法无法实现。而且,现有技术中得到的球形二氧化硅微粉球形度较差。因此,由火焰成球法制备得到的球形二氧化硅微粉粒径一般在3μm以上,且球形度较差,无法满足半导体封装用填料对粒径和球形度的要求。
发明内容
本发明提供了一种球形二氧化硅微粉的制备方法,本发明所述方法能够制备得到粒径为0.1μm~2.0μm的球形二氧化硅微粉。
本发明提供的球形二氧化硅微粉的制备方法包括以下步骤:
(1)将无机硅化合物粉末与分散剂进行混合研磨,得到活化无机硅化合物;所述分散剂包括硅油类分散剂、脂肪酸类分散剂、醇胺类分散剂和多元醇类分散剂中的一种或多种;
(2)将所述步骤(1)得到的活化无机硅化合物与改性剂进行混合加热处理,得到改性无机硅化合物;
所述改性剂包括硅烷类改性剂、硅氧烷类改性剂和硅胺烷类改性剂中的一种或多种;
所述混合加热处理的温度为60~120℃,混合加热处理的时间为5~30min;
(3)在包含载气、天然气和氧气的混合气体存在条件下,将所述步骤(2)得到的改性无机硅化合物进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉;
所述球化处理的温度为1800~2200℃,所述球化处理的时间为0.1s~3.0s。
优选的,所述步骤(1)中无机硅化合物粉末与分散剂的质量比为100:0.01~0.5。
优选的,所述步骤(1)中分散剂包括甲基硅油、硬脂酸、油酸、聚合醇胺、乙二醇和二乙二醇中的一种或多种。
优选的,所述步骤(2)中活化无机硅化合物与改性剂的质量比为100:0.1~5.0。
优选的,所述步骤(2)中改性剂包括甲基三甲氧基硅烷、正硅酸甲酯、三乙氧基乙基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、二羟基二甲基硅烷、六甲基二硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、聚硅氧烷和六甲基二硅胺烷中的一种或多种。
优选的,所述步骤(3)中载气、天然气和氧气的体积比为0.6~12:0.3~3.5:0.3~12。
优选的,所述载气为空气、氧气、氮气和氩气中的一种或多种。
优选的,所述步骤(3)中球化处理包括:将所述改性无机硅化合物以50~500kg/h的给料速率投加到球化装置中。
本发明还提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的球形二氧化硅微粉,所述球形二氧化硅微粉的粒径为0.1μm~2.0μm;所述球形二氧化硅微粉的比表面积为3m2/g~30m2/g,所述球形二氧化硅微粉的球形度为0.98以上。
本发明还提供了上述技术方案所述球形二氧化硅微粉作为半导体填料的应用。
本发明提供了一种球形二氧化硅微粉的制备方法,首先将无机硅化合物粉末与分散剂进行混合研磨,得到活化无机硅化合物;所述分散剂包括硅油类分散剂、脂肪酸类分散剂、醇胺类分散剂和多元醇类分散剂中的一种或多种;然后将活化无机硅化合物与改性剂进行混合加热处理,得到改性无机硅化合物;所述改性剂包括硅烷类改性剂、硅氧烷类改性剂和硅胺烷类改性剂中的一种或多种;所述混合加热处理的温度为60~120℃,混合加热处理的时间为5~30min;然后在包含载气、天然气和氧气的混合气体存在条件下,将改性无机硅化合物进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉;所述球化处理的温度为1800~2200℃,所述球化处理的时间为0.1s~3.0s。本发明提供的无机硅化合物在分散剂作用下被活化,提高了无机硅化合物的表面活性,得到活化无机硅化合物;活化无机硅化合物在改性剂的作用下,发生表面化学改性,进一步提高了活化无机硅化合物的分散效果,得到改性无机硅化合物;然后改性无机硅化合物在高温下与氧气发生化学反应,形成粉爆,从而得到了粒径为0.1μm~2.0μm,球形度为0.98以上的球形二氧化硅微粉。
附图说明
图1为本发明实施例1制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图;
图2为本发明实施例2制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图;
图3和图4为本发明实施例3制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图;
图5为本发明实施例1和实施例3原料中角状二氧化硅微粉的扫描电镜图。
具体实施方式
本发明提供了一种球形二氧化硅微粉的制备方法,包括以下步骤:
(1)将无机硅化合物粉末与分散剂进行混合研磨,得到活化无机硅化合物;所述分散剂包括硅油类分散剂、脂肪酸类分散剂、醇胺类分散剂和多元醇类分散剂中的一种或多种;
(2)将所述步骤(1)得到的活化无机硅化合物与改性剂进行混合加热处理,得到改性无机硅化合物;
所述改性剂包括硅烷类改性剂、硅氧烷类改性剂和硅胺烷类改性剂中的一种或多种;
所述混合加热处理的温度为60~120℃,混合加热处理的时间为5~30min;
(3)在包含载气、天然气和氧气的混合气体存在条件下,将所述步骤(2)得到的改性无机硅化合物进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉;
所述球化处理的温度为1800~2200℃,所述球化处理的时间为0.1s~3.0s。
本发明将无机硅化合物粉末与分散剂进行混合研磨,得到活化无机硅化合物。
在本发明中,所述无机硅化合物粉末与分散剂的质量比优选为(95~99.9):(0.01~5),进一步优选为(96~99):(0.5~4.5),更优选为(97~98):(1~4),最优选为(97~98):(2~3)。
在本发明中,所述无机硅化合物粉末的化学组成优选为SiXRn,其中,R为C,N或O;x=1或3;n=1、2或4。在本发明中,所述无机硅化合物粉末优选包括SiO2、Si3N4、SiC中的一种或多种。
在本发明中,所述无机硅化合物粉末的粒径优选为2~100μm,进一步优选为5~80μm,更优选为5~30μm。在本发明中,当无机硅化合物包括几种不同的原料时,每种原料的粒径之间相互独立,可以相同,也可以不同。本发明对所述无机硅化合物粉末的形状没有特别要求,尤其是当原料中包括二氧化硅时,所述二氧化硅的形状可以是角状的,也可以是其它形状的。
在本发明的具体实施例中,本发明优选以二氧化硅和氮化硅的混合物作为原料,其中二氧化硅的价格为0.5元/kg,而氮化硅的价格为100元/kg,有效解决了只以氮化硅为原料时成本高的问题,有利于降低生产成本。
在本发明的另一个具体实施例中,本发明优选以碳化硅作为原料,碳化硅的价格为15元/kg,成本较低,有效地降低了生产成本。
在本发明的又一个具体实施例中,本发明优选以碳化硅和二氧化硅的混合物作为原料,碳化硅和二氧化硅原料成本均较低,有效降低了生产成本。
在本发明中,所述分散剂包括硅油类分散剂、脂肪酸类分散剂、醇胺类分散剂和多元醇类分散剂中的一种或多种;所述硅油类分散剂优选包括甲基硅油;所述脂肪酸类分散剂优选包括硬脂酸和/或油酸;所述醇胺类分散剂优选包括聚合醇胺;所述多元醇类分散剂优选包括乙二醇和/或二乙二醇。在本发明的实施例中,所述分散剂具体为甲基硅油、硬脂酸、聚合醇胺和二乙二醇的混合物;还可以为油酸、聚合醇胺和二乙二醇的混合物。当所述分散剂为多种组分的混合物时,本发明对所述混合物中各组分的含量没有特殊要求,采用任意比例均可。
本发明对无机硅化合物粉末与分散剂的混合方式没有特别限定,采用本领域技术人员所熟知的混合方式即可。
在本发明中,所述研磨时球磨机的转速优选为10-30rpm,进一步优选为15~25rpm;所述研磨的时间优选为10-60min,进一步优选为20~40min,更优选为25~35min。
在本发明中,无机硅化合物粉末在分散剂的作用下,充分分散,得到活化的无机硅化合物;同时,无机硅化合物粉末在分散剂的作用下,能够除去无机硅化合物表面的附着物,得到的活化的无机硅化合物。
得到活化无机硅化合物后,本发明将活化无机硅化合物与改性剂进行混合加热处理,得到改性无机硅化合物。
在本发明中,所述活化无机硅化合物与改性剂的质量比优选为100:0.1~5.0,进一步优选为100:0.5~4.5,更优选为100:1~4,更进一步优选为100:2~3。
在本发明中,所述改性剂包括硅烷类改性剂、硅氧烷类改性剂和硅胺烷类改性剂中的一种或多种;所述硅烷类改性剂优选包括甲基三甲氧基硅烷、正硅酸甲酯、三乙氧基乙基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和二羟基二甲基硅烷中的一种或多种;所述硅氧烷类改性剂优选包括六甲基二硅氧烷、六甲基环三硅氧烷和聚硅氧烷中的一种或多种;所述硅胺烷类改性剂优选包括六甲基二硅胺烷。在本发明的实施例中,所述改性剂具体为甲基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷和六甲基二硅胺烷的混合物;还可以为甲基三甲氧基硅烷、正硅酸甲酯、六甲基环三硅氧烷和聚硅氧烷的混合物;还可以为三乙氧基乙基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和二羟基二甲基硅烷的混合物;也可以为六甲基二硅氧烷、六甲基环三硅氧烷和聚硅氧烷的混合物。当所述改性剂为多种组分的混合物时,本发明对所述混合物中各组分的含量没有特殊要求,采用任意比例均可。
在本发明中,所述混合加热处理优选在将所述活化无机硅化合物与改性剂混合的同时进行加热。本发明对所述活化无机硅化合物与改性剂的混合方式没有特别限定,采用本领域技术人员所熟知的混合方式即可。在本发明中,所述加热的温度为60~120℃,优选为70~110℃,进一步优选为80~100℃,更优选为85~95℃;所述加热的时间为5~30min,优选为10~25min,进一步优选为15~20min,更优选为16~18min。
本发明在混合加热处理过程中,活化无机硅化合物表面羟基与改性剂发生分子间键合或共价键的键连,活化无机硅化合物被改性剂包覆,使活化无机硅化合物的分散性更好,不容易聚合在一起。
得到改性无机硅化合物后,本发明将所述改性无机硅化合物在包含载气、天然气和氧气的混合气体存在条件下,进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉。
在本发明中,所述载气、天然气和氧气的体积比优选为0.6~12:0.3~3.5:0.3~12,进一步优选为1~10:1~3:1~10,更优选为2~8:1~3:2~8,更进一步优选为4~6:1~3:4~6。本发明通过载气将改性无机硅化合物输送到球化装置中,所述载气体积与改性无机硅化合物的质量比优选为(0.6~12)m3:1kg,进一步优选为(1~11)m3:1kg,更优选为(2~10)m3:1kg,更进一步优选为(4~8)m3:1kg,最优选为(5~6)m3:1kg。在本发明中,所述天然气作为燃气,可以发生燃烧反应,产生高温区域;所述天然气的体积与改性无机硅化合物的质量比优选为(0.3~3.5)m3:1kg,进一步优选为(1~3)m3:1kg,更优选为(1.5~2.5)m3:1kg,更进一步优选为(1.8~2.3)m3:1kg。在本发明中,所述氧气作为助燃剂,为燃烧反应提供条件;所述氧气的体积与改性无机硅化合物的质量比优选为(0.3~12)m3:1kg,进一步优选为(1~11)m3:1kg,更优选为(2~10)m3:1kg,更进一步优选为(4~8)m3:1kg,最优选为(5~6)m3:1kg。在本发明中所述载气、天然气和氧气的体积均是在20℃、标准大气压下测得的。
在本发明中,所述载气优选为空气、氧气、氮气和氩气中的一种或多种。在本发明中,所述载气、天然气和氧气的体积用量之间相互独立,当载气为氧气时,载气与助燃剂氧气的体积用量相互独立。
在本发明中,所述球化处理的温度为1800~2800℃,优选为1900~2600℃,进一步优选为2000~2400℃,更优选为2100~2300℃;所述球化处理的时间为0.1s~3s,优选为0.5~2.5s,进一步优选为1~2s,更优选为1.2~1.8s。本发明在球化过程中,天然气与氧气燃烧放出热量,形成高温区,改性无机硅化合物在高温区内与氧气发生化学反应,同时形成粉爆,制备得到球形二氧化硅微粉。在本发明中,所述化学反应优选包括改性无机硅化合物与氧气发生燃烧反应,生成球形二氧化硅微粉。
在本发明中,形成粉爆后,优选还包括凝集、冷却过程,本发明对所述凝集、冷却过程没有特别限制,采用本领域技术人员所熟知的凝集、冷却过程即可。
本发明优选将所述改性无机硅化合物以50~500kg/h的给料速率投加到球化装置中,进一步优选为100~450kg/h,更优选为150~400kg/h,最优选为150~300kg/h。在本发明中,所述无机硅化合物在载气的作用下,被投加到球化装置中。
在本发明中,所述改性无机硅化合物在所述温度调节下与氧气发生化学反应,形成粉爆,制备得到了球形二氧化硅微粉。
本发明还提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的球形二氧化硅微粉,所述球形二氧化硅微粉的粒径为0.1μm~2.0μm,所述球形二氧化硅微粉的比表面积为3m2/g~30m2/g,所述球形二氧化硅的球形度为0.98以上。
本发明还提供了上述技术方案所述球形二氧化硅微粉作为半导体填料的应用。
在本发明中,所述球形二氧化硅微粉在半导体填料中的加入量优选3~10%,使半导体填料的填充量能够提高10-50%。
在本发明中,所述球形二氧化硅微粉在半导体填料中的作用是提高耐热性、耐候性,绝缘性,降低成本和提高性能,所述球形二氧化硅微粉在半导体填料中的加入量优选为3%~30%,进一步优选为10~25%,更优选为15~20%。
下面将结合本发明中的实施例,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
将平均粒径为2.0μm的角状二氧化硅微粉、平均粒径为5.0μm氮化硅微粉和硬脂酸混合研磨1小时,得到活化无机硅化合物,其中二氧化硅、氮化硅和硬脂酸的质量比为100:0.02;将得到的无机硅化合物与六甲基二硅胺烷进行混合,在60℃下加热30min,其中六甲基二硅烷与无机硅化合物的质量比为2:100,得到改性无机硅化合物;将改性无机硅化合物以50kg/h的速度进料到由天然气和氧气燃烧形成的温度为1800℃的高温火焰区,在火焰区球化0.3s,得到球形二氧化硅微粉。
实施例2
将平均粒径为25μm的碳化硅微粉和乙二醇混合研磨3小时,得到活化无机硅化合物,其中碳化硅和乙二醇的质量比为100:0.01;将得到的无机硅化合物与甲基三甲氧基硅烷进行混合,在120℃下加热5min,其中甲基三甲氧基硅烷与无机硅化合物的质量比为1.5:100,得到改性无机硅化合物;将改性无机硅化合物在载气的驱动下以450kg/h的速度进料到由天然气和氧气燃烧形成的温度为1800℃的高温火焰区,在火焰区球化0.5s,得到球形二氧化硅微粉。
实施例3
将平均粒径为2μm的角状二氧化硅、15μm的碳化硅和油酸混合研磨0.5小时,得到活化无机硅化合物,其中角状二氧化硅、碳化硅和油酸的质量比为100:0.05;将得到的无机硅化合物与聚氧硅烷进行混合,在80℃下加热15min,其中聚氧硅烷与无机硅化合物的质量比为1:99,得到改性无机硅化合物;将改性无机硅化合物以150kg/h的速度进料到由天然气和氧气燃烧形成的温度为1800℃的高温火焰区,在火焰区球化1s,得到球形二氧化硅微粉。
实施例1制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图如图1所示,由图1可知,实施例1制备得到的球形二氧化硅微粉的球形度为0.990,实施例1制备得到的球形二氧化硅微粉的平均粒径为0.80μm。
实施例2制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图如图2所示,由此可知,实施例2制备得到的球形二氧化硅微粉的球形度为0.998,实施例2制备得到的球形二氧化硅微粉的粒径平均粒径为0.20μm。
实施例3制备得到的球形二氧化硅微粉的扫描电镜图如图3和图4所示,由此可知,实施例3制备得到的球形二氧化硅微粉的球形度为0.981,实施例3制备得到的球形二氧化硅微粉的平均粒径为1.30μm。
图5为实施例1和实施例3原料中角状二氧化硅的扫描电镜图,通过将图5与图1和图3进行对比可知,本发明提供的方法能够由角状的二氧化硅制备得到球形度高的二氧化硅微粉。
对实施例1~3制备得到的球形二氧化硅微粉的平均粒径和比表面积进行测试,测试结果如下表I所示。
比表面积的测试方法为:通过N2吸附法按照YST438.4-2001《砂状氧化铝物理性能测定方法比表面积的测定》进行测定,比表面积仪的型号为3H-2000PS2。
平均粒径(D50)的测试方法为:通过利用激光衍射散射粒度分布分析仪(型号:Beckmann)测定粒径。将待测粉末分散到水中,用输出功率为200W的超声波超声1min,进行测试。测定的粒径分布中,累积体积分数达到50%粒径为平均粒径(D50)。球形二氧化硅粉末的折射率为1.46,水的折射率为1.33。
表I实施例1~3制备得到的球形二氧化硅微粉的比表面积和平均粒径
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | |
比表面积 | 8m2/g | 18m2/g | 3.5m2/g |
平均粒径 | 0.8μm | 0.20μm | 1.3μm |
由表1测试结果可知,本发明制备得到的球形二氧化硅微粉的平均粒径在2.0μm以下。
由以上实施例可知,通过本发明所述方法可制备得到平均粒径为0.1μm~2.0μm的球形二氧化硅微粉,本发明所述方法有效地解决了现有技术中二氧化硅微粉粒径大且球形度差的问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种球形二氧化硅微粉的制备方法,包括以下步骤:
(1)将无机硅化合物粉末与分散剂进行混合研磨,得到活化无机硅化合物;所述分散剂包括硅油类分散剂、脂肪酸类分散剂、醇胺类分散剂和多元醇类分散剂中的一种或多种;
(2)将所述步骤(1)得到的活化无机硅化合物与改性剂进行混合加热处理,得到改性无机硅化合物;
所述改性剂包括硅烷类改性剂、硅氧烷类改性剂和硅胺烷类改性剂中的一种或多种;
所述混合加热处理的温度为60~120℃,混合加热处理的时间为5~30min;
(3)在包含载气、天然气和氧气的混合气体存在条件下,将所述步骤(2)得到的改性无机硅化合物进行球化处理,得到球形二氧化硅微粉;
所述球化处理的温度为1800~2200℃,所述球化处理的时间为0.1s~3.0s。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中无机硅化合物粉末与分散剂的质量比为100:0.01~0.5。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中分散剂包括甲基硅油、硬脂酸、油酸、聚合醇胺、乙二醇和二乙二醇中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中活化无机硅化合物与改性剂的质量比为100:0.1~5.0。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中改性剂包括甲基三甲氧基硅烷、正硅酸甲酯、三乙氧基乙基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、二羟基二甲基硅烷、六甲基二硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、聚硅氧烷和六甲基二硅胺烷中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中载气、天然气和氧气的体积比为0.6~12:0.3~3.5:0.3~12。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述载气为空气、氧气、氮气和氩气中的一种或多种。
8.根据权利要求1、6或7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中球化处理包括:将所述改性无机硅化合物以50~500kg/h的给料速率投加到球化装置中。
9.权利要求1~8任一项所述制备方法制备得到的球形二氧化硅微粉,所述球形二氧化硅微粉的粒径为0.1μm~2.0μm,所述球形二氧化硅微粉的比表面积为3m2/g~30m2/g,所述球形二氧化硅微粉的球形度为0.98以上。
10.权利要求9所述球形二氧化硅微粉作为半导体填料的应用。
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