CN111282698A - 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法 - Google Patents

一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111282698A
CN111282698A CN202010107854.5A CN202010107854A CN111282698A CN 111282698 A CN111282698 A CN 111282698A CN 202010107854 A CN202010107854 A CN 202010107854A CN 111282698 A CN111282698 A CN 111282698A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
silicon
copper
micron
clad plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010107854.5A
Other languages
English (en)
Inventor
钮计芹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Haige New Material Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Haige New Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Haige New Material Co Ltd filed Critical Jiangsu Haige New Material Co Ltd
Priority to CN202010107854.5A priority Critical patent/CN111282698A/zh
Publication of CN111282698A publication Critical patent/CN111282698A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C21/00Disintegrating plant with or without drying of the material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C17/00Disintegrating by tumbling mills, i.e. mills having a container charged with the material to be disintegrated with or without special disintegrating members such as pebbles or balls
    • B02C17/10Disintegrating by tumbling mills, i.e. mills having a container charged with the material to be disintegrated with or without special disintegrating members such as pebbles or balls with one or a few disintegrating members arranged in the container
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/62Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,包括如下步骤:步骤一,将石英碎片和石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,研磨介质为锆球,通过高速分级机分离,过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<10微米;步骤二,将1‑3微米硅微粉粗粉配成硅微粉浆料;步骤三,向步骤二制得的硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液;步骤四,对步骤三制得的乳液进行砂磨,研磨介质为锆球,研磨时间为150min,转速为6000~8000转每分钟;步骤五,对经步骤四研磨后的乳液进行喷雾干燥,制得0.1~1微米的超细硅微粉。本发明应用于覆铜板生产能够有效降低板材膨胀系数、吸水率、硬度和提高板材韧性。

Description

一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法
技术领域
本发明属于制造集成电路的材料领域,具体涉及一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法。
背景技术
随着我国电子信息产业的快速发展,越来越多的电子信息产品逐步位于国际前列,推动了我国集成电路市场的不断增长。
复合硅微粉作为集成电路封装用的重要环氧塑封料填料,已经凸显出行业的重要位置,具有巨大的市场空间。目前市场应用的系列超细硅微粉材料,大部分使用氧化铝球形粉等高档材料,但价格较高,在未来应用市场将很快被覆铜板超细硅微粉替代。当前,覆铜板用超细硅微粉的市场需求每年都以15~20%的速度增长。然而,传统的结晶型硅微粉已经很难满足低膨胀系数、绿色环保、低介电常数和高强度的要求。为了提高技术集程度和降低制造成本,多数覆铜板厂家已广泛使用复合型硅微粉来代替结晶型硅微粉,并逐步提高使用比例,促进复合型硅微粉的需求市场。
有鉴于此,本案提出一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,本案由此产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,应用于覆铜板生产能够有效降低板材膨胀系数、吸水率、硬度和提高板材韧性。
为实现上述目的,本发明具体提供技术方案为:一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,具体步骤如下:
(1)将二氧化硅含量高于99.9%的石英碎片和5微米~0.5毫米的石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,研磨介质为锆球(0.1~1.0mm)。调节引风通量在约1~1.5万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉。过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<10微米。
(2)将1-3微米硅微粉粗粉配成浆料,浓度大约10%质量浓度。
(3)向2步制得的硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液。
(4)对3步制得的乳液进行砂磨,研磨介质为锆球(0.5~1.5mm),研磨时间为150min,转速为6000~8000转每分钟。
(5)对经第4步研磨后的乳液进行喷雾干燥,制得0.1~1微米的超细硅微粉。
进一步,将超细二氧化硅微粉的改性方法:将超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.02~0.1:0.02比例混合于无水甲苯,在100~130℃反应4~24小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
当前应用在覆铜板上的超细硅微粉平均粒径在2~3微米,随着半导体电子基板材料向超薄化方向发展,要求填料具有更小的粒度和更好的散热性。未来覆铜板的需求市场,将采用平均粒径在0.5~1微米左右的超微细填料,以达到结晶型硅微粉具有良好的导热作用,并实现填料在树脂中的分散性和上胶工艺的技术集成。
本发明相对于现有技术的有益效果:(1)超细硅微粉成分与基板骨架成分相似,相容性得到提高,超细的粒径提升了电路基板的导热作用,并实现填料在树脂中的分散性和上胶工艺的技术集成,有效的降低了板材膨胀系数、吸水率、硬度并提高了板材韧性,从而提高电路基板的使用可靠性,降低成本。
(2)超细硅微粉硬度较低,使得板材后续加工更容易。
(3)通过添加微晶纤维素,很好的解决了二氧化硅在浆料中易沉降的难题,使砂磨制得的硅微粉粒径更细更均一;而微晶纤维素还能够防止二氧化硅微粉的聚集,使得二氧化硅微粉的形貌更趋近于球体。
(4)通过表面改性在硅微粉表面引入甲基,作为填充料时,其与树脂相容性更好;而修饰的氨基可以与环氧树脂更好的结合,增加电路基板的韧性和强度。
(5)本发明在生产超细硅微粉过程中绿色环保,无二次污染。
附图说明
图1是实施例四制备的超细硅微粉的扫描电子显微镜图。图2是实施例四制备的超细硅微粉和改性硅微粉的红外谱图。
具体实施方式
面结合若干实施案例描述本发明具体技术方案,以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
其中图1可以看出制备的硅微粉近球形,大小在0.5~1微米之间。图2可以看出改性后的硅微粉呈现明显的氨基特征振动峰。
实施例一:
(1)将二氧化硅含量高于99.9%的石英碎片和5微米-0.5毫米的石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,每次投料总量100公斤,研磨锆球质量为20吨(0.1~1.0mm)。调节引风通量在约1.2万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉。过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<10微米。
(2)将1~3微米硅微粉粗粉配成浆料,浓度大约10%质量浓度,并向硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液,加入锆球(0.5-1.5mm)作为介质进行研磨,研磨时间为150min,转速为6000转每分钟;随后对乳液进行喷雾干燥,制得0.5-1微米的超细硅微粉。
(3)将1公斤超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.05:0.02比例混合于20升无水甲苯,在100~130℃反应6小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
实施例二:
(1)将二氧化硅含量高于99.9%的石英碎片和5微米-0.5毫米的石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,每次投料总量50公斤,研磨锆球质量为8吨(0.1~1.0mm)。调节引风通量在约1.0万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉。过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<13微米。
(2)将1~3微米硅微粉粗粉配成浆料,浓度大约10%质量浓度,并向硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液,加入锆球(0.5-1.5mm)作为介质进行研磨,研磨时间为100min,转速为7000转每分钟;随后对乳液进行喷雾干燥,制得0.5~1微米的超细硅微粉。
(3)将0.5公斤超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.08:0.02比例混合于12升无水甲苯,在115℃反应12小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
实施例三:
(1)将二氧化硅含量高于99.9%的石英碎片和5微米-0.5毫米的石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,每次投料总量150公斤,研磨锆球质量为35吨(0.1~1.0mm)。调节引风通量在约1.5万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉。过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<13微米。
(2)将1~3微米硅微粉粗粉配成浆料,浓度大约10%质量浓度,并向硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液,加入锆球(0.5-1.5mm)作为介质进行研磨,研磨时间为200min,转速为7000转每分钟;随后对乳液进行喷雾干燥,制得0.5~1微米的超细硅微粉。
(3)将1.5公斤超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.1:0.02比例混合于30升无水甲苯,在130℃反应10小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
结合图1、2所示,实施例四:
(1)将二氧化硅含量高于99.9%的石英碎片和5微米-0.5毫米的石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,每次投料总量300公斤,研磨锆球质量为45吨(0.1~1.0mm)。调节引风通量在约1.0万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉。过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<13微米。
(2)将1~3微米硅微粉粗粉配成浆料,浓度大约10%质量浓度,并向硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液,加入锆球(0.5-1.5mm)作为介质进行研磨,研磨时间为200min,转速为8000转每分钟;随后对乳液进行喷雾干燥,制得0.5~1微米的超细硅微粉。
(3)将0.8公斤超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.06:0.02比例混合于15升无水甲苯,在120℃反应20小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
应用实验结果
评估体系:120℃环氧固化体系
填料添加量:35%
表1板材综合性能对比
Figure BDA0002388965090000061
Figure BDA0002388965090000071
从测试结果看,实施例二实施例四的产品的稳定性、介电性能和强度等性能都更为优秀。

Claims (6)

1.一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,将石英碎片和石英砂按照质量比2:1的比例投入连续运转球磨机,研磨介质为锆球,调节引风通量在约1~1.5万立方米每小时,通过高速分级机分离制得粒径分布不均的大颗粒硅微粉,过150微米保障筛,制得1~3微米硅微粉粗粉,D100<10微米;
步骤二,将1-3微米硅微粉粗粉配成硅微粉浆料;
步骤三,向步骤二制得的硅微粉浆料中加入5%微晶纤维素,制得乳液;
步骤四,对步骤三制得的乳液进行砂磨,研磨介质为锆球,研磨时间为150min,转速为6000~8000转每分钟;
步骤五,对经步骤四研磨后的乳液进行喷雾干燥,制得0.1~1微米的超细硅微粉。
2.根据权利要求1所述一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于:将超细硅微粉、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和六甲基二硅胺烷按质量比1:0.02~0.1:0.02比例混合于无水甲苯,在100~130℃反应4~24小时,冷却后离心分离,甲苯洗涤3次在60℃真空干燥12小时,制得氨基改性超细硅微粉。
3.根据权利要求1所述一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于:所述石英碎片中二氧化硅含量高于99.9%。
4.根据权利要求1所述一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于:所述石英砂粒径为5微米~0.5毫米。
5.根据权利要求1所述一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于:所述步骤二中的浆料质量浓度为7%-12%。
6.根据权利要求1所述一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法,其特征在于:所述锆球的粒径为0.5~1.5mm。
CN202010107854.5A 2020-02-21 2020-02-21 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法 Pending CN111282698A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010107854.5A CN111282698A (zh) 2020-02-21 2020-02-21 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010107854.5A CN111282698A (zh) 2020-02-21 2020-02-21 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111282698A true CN111282698A (zh) 2020-06-16

Family

ID=71021914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010107854.5A Pending CN111282698A (zh) 2020-02-21 2020-02-21 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111282698A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114436267A (zh) * 2022-02-14 2022-05-06 连云港淼晶硅材料有限公司 一种高纯超细硅微粉的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0081061A1 (en) * 1981-11-30 1983-06-15 The Perkin-Elmer Corporation Low thermal expansion modified cordierites
CN101474584A (zh) * 2009-01-19 2009-07-08 连云港东海铭友高科硅微粉有限公司 一种电子级无定型硅微粉的生产方法
CN101280125B (zh) * 2008-05-27 2010-12-08 阮建军 电子级低热膨胀系数覆铜板用超细硅微粉的生产方法
CN102491344A (zh) * 2011-11-24 2012-06-13 昆明理工大学 一种二氧化硅纳米粒子及其制备方法和应用
CN106517221A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 江西德弘新材料有限公司 一种具有高分散稳定性的二氧化硅及其制备方法与应用
CN106567194A (zh) * 2016-11-15 2017-04-19 广东聚航新材料研究院有限公司 一种SiO2 纳米粒子改性聚氨酯双疏膜的制备方法
CN108083286A (zh) * 2018-01-05 2018-05-29 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种球形二氧化硅微粉及其制备方法和应用

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0081061A1 (en) * 1981-11-30 1983-06-15 The Perkin-Elmer Corporation Low thermal expansion modified cordierites
CN101280125B (zh) * 2008-05-27 2010-12-08 阮建军 电子级低热膨胀系数覆铜板用超细硅微粉的生产方法
CN101474584A (zh) * 2009-01-19 2009-07-08 连云港东海铭友高科硅微粉有限公司 一种电子级无定型硅微粉的生产方法
CN102491344A (zh) * 2011-11-24 2012-06-13 昆明理工大学 一种二氧化硅纳米粒子及其制备方法和应用
CN106517221A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 江西德弘新材料有限公司 一种具有高分散稳定性的二氧化硅及其制备方法与应用
CN106567194A (zh) * 2016-11-15 2017-04-19 广东聚航新材料研究院有限公司 一种SiO2 纳米粒子改性聚氨酯双疏膜的制备方法
CN108083286A (zh) * 2018-01-05 2018-05-29 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种球形二氧化硅微粉及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吴范宏: "《应用化学》", 31 August 2016, 华东理工大学出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114436267A (zh) * 2022-02-14 2022-05-06 连云港淼晶硅材料有限公司 一种高纯超细硅微粉的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109721370A (zh) 氮化硅、陶瓷浆料及制备方法
CN109135346A (zh) 一种高纯超细改性硅微粉及其制备方法
CN112500608B (zh) 高频高速覆铜板用熔融硅微粉的制备方法
CN110951279A (zh) 一种超细针状硅灰石改性球形二氧化硅复合粉体的制备方法
CN113248900B (zh) 一种动态键交联高填充导热复合材料及其制备方法和应用
CN111282698A (zh) 一种覆铜板用电子级超细二氧化硅微粉的制备方法
CN115724434A (zh) 一种高纯超细硅微粉的制备方法
CN114410130A (zh) 一种改性硅灰石及其制备方法和应用
CN111303667A (zh) 一种高端覆铜板用超细复合硅微粉的改性方法
CN114074943A (zh) 一种高密度的电子封装用球形硅微粉的制备方法
CN111548756B (zh) 环氧树脂胶粘剂用碳酸钙复合填料的制备方法
CN113308229A (zh) 用于球栅阵列封装的高导热球形粉的制备方法
CN1257214C (zh) 一种超细活性硅灰石组合物及其制备工艺和应用
CN114196234B (zh) 一种软性硅微粉及其制备方法
CN113462196A (zh) 一种窄分布超细硅微粉的制备方法
CN107935556B (zh) 一种纳米陶瓷结合剂的制备方法
CN102815713B (zh) 一种二氧化硅粉材料的制备方法
CN113149664B (zh) 一种复合陶瓷材料粉体及陶瓷产品的制备方法
CN108975679B (zh) 一种tft-lcd玻璃基板用硅微粉制备方法
CN113004718A (zh) 一种应用于电子行业的超细活性硅微粉及其制备方法
CN113831760A (zh) 一种改性硅土的制备方法及改性硅土
CN113510244A (zh) 一种片状金属颜料的生产方法及装置
CN118145656A (zh) 一种二氧化硅微粉及其制备方法、环氧树脂灌封料
CN111892058B (zh) 贴片式分立器件用超细硅微粉及其制备方法
CN111498881A (zh) 一种高频应用的低介电常数氧化铝材料及制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200616