CN108027675A - 静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置 - Google Patents

静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明能够提供一种静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置，本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物，所述静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜。

Description

静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输 入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装 置及图像显示装置
技术领域
本发明涉及一种静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置。
背景技术
在移动电话、汽车导航、个人计算机、售票机、银行终端等电子设备中，近年来，有如下电子设备：具备具有触摸面板式输入装置的液晶显示装置，能够使手指或触控笔等接触显示于液晶显示装置上的图像等而输入所希望的指令。
输入装置(触摸面板)中有电阻膜型及静电电容型等。静电电容型输入装置具有可以仅在一张基板上形成透明导电膜的优点。这种静电电容型输入装置中有如下类型的静电电容型输入装置，例如使电极图案在彼此交叉的方向上延伸，当手指等接触静电电容型输入装置的输入面时，检测电极之间的静电电容发生变化而检测输入位置。
作为电极图案，已知有除了具有导电性且透明的ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等金属氧化物以外，还使用银等具有导电性的金属细线(参考例如专利文献1及2)。
例如在专利文献1中记载有一种触摸面板用导电片的制造方法，其具备：“在基板的背面上形成第1检测电极、及一端与第1检测电极电连接且另一端上具有第1焊盘部分的背面侧配线，并且，在基板的表面上形成第2检测电极、与第2检测电极电连接的第2引出配线、及配置于隔着基板而与第1焊盘部分对置的位置上的第2焊盘部分的工序”；“形成贯通第1焊盘部分、基板及第2焊盘部分的通孔的工序”；及“在通孔中填充导电材料而制作将第1焊盘部分和第2焊盘部分进行电连接的贯通配线，并形成包括背面侧配线及贯通配线、且与第1检测电极电连接的第1引出配线的工序”。并且，在专利文献1中记载有：第1检测电极及第2检测电极由导电性细线构成；及由导电性细线的导电性优异的理由，导电性细线中所包含的导电材料优选为银。
在专利文献2中记载有一种触摸面板用层叠体，其配置于显示装置的辨识侧，其中，依次具备第1透明保护基板、至少具有第1粘结剂层及金属细线的导电薄膜、及第2粘结剂层及第2透明保护基板，当配置于显示装置上时，第2透明保护基板配置于显示装置侧，第2透明保护基板分别具有至少1层以上的有机层和无机层，第2透明保护基板的水蒸气透过率为0.001g/m2·24h(40℃、90％)以下，金属细线中所包含的每单位面积的金属量为0.010～10g/m2。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-206936号公报
专利文献2：日本特开2015-69585号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
近年来，作为具有静电电容型输入装置的图像显示装置的方式，不是以往的具有刚性的方式，而是从设计性、携带性及可佩戴性的观点考虑，要求能够弯曲成所希望的形状的柔性(柔软的)方式。
与使用了ITO等脆性金属氧化物的电极图案相比，可推定专利文献1和2中所记载的使用了具有导电性的金属细线的电极图案的弯曲度更强。
另一方面，有时将静电电容型输入装置的电极图案及汇总于框部的卷绕配线(例如铜线等金属配线)等进行保护的静电电容型输入装置的电极保护膜设置于与用手指等进行输入的表面相反的一侧。从提高保护功能的观点考虑，设想静电电容型输入装置的电极保护膜使用硬性材料。
例如专利文献1中记载有，在感光性层上还可以设置由粘合剂构成的保护层、以及因设置保护层而防止刮伤和改善力学特性，关于保护层的材料却未记载。
专利文献2中记载有，在至少具有金属细线的导电薄膜的与用手指等进行输入的表面相反的一侧，具备第2粘结剂层和第2透明保护基板。专利文献2中记载有，在第2粘结剂层中使用丙烯酸类粘结材料等聚合物。并且，专利文献2中记载有：第2透明保护基板分别具有至少1层以上有机层和无机层，若有机层的硬度高，则无机层平滑地成膜，其结果，可知阻隔性能提高，因此优选有机层的硬度高。
如上所述，事实上，能够使用于能够弯曲成所希望的形状的柔性静电电容型输入装置中的、耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜尚未公开。
本发明要解决的课题在于提供一种静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜。
并且，本发明要解决的课题在于提供一种静电电容型输入装置的电极保护膜及转印薄膜，它们使用了该静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物。
并且，本发明要解决的课题在于提供一种将耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜作为感光性树脂层而包含的层叠体、包含该层叠体的静电电容型输入装置及包含该静电电容型输入装置的图像显示装置。
用于解决技术课题的手段
本发明人发现如下内容，即，若并用重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物和通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，则能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜，并完成了本发明。
作为用于解决上述课题的具体的方式的本发明及本发明的优选的方式为如下。
[1]一种静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
[2]根据[1]所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选将静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物固化后的静电电容型输入装置的电极保护膜在23℃、相对湿度为50％的环境下的拉伸试验中，断裂伸长率为5％以上。
[3]根据[1]或[2]所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1-1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350以上的光聚合性化合物。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于所有(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例为10质量％以上。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于总固体成分的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例为5质量％以上。
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物为封端异氰酸酯。
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，优选(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物为具有由下述通式(1)表示的结构的化合物；
通式(1)
[化学式1]
通式(1)中，R1～R3分别独立地表示1价的有机基团。
[8]一种静电电容型输入装置的电极保护膜，其由[1]～[7]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物形成。
[9]一种转印薄膜，其具有临时支撑体和包含[1]～[7]中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的感光性树脂层。
[10]一种静电电容型输入装置的电极保护膜，其从[9]所述的转印薄膜去除了临时支撑体。
[11]一种层叠体，其在具备静电电容型输入装置的电极的基板上具有[8]或[10]所述的静电电容型输入装置的电极保护膜，或者通过转印[9]所述的转印薄膜的感光性树脂层而形成的静电电容型输入装置的电极保护膜。
[12]一种层叠体，其具有：
基板，具备静电电容型输入装置的电极；及
感光性树脂层，位于基板上，其中，
感光性树脂层包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
[13]根据[11]或[12]所述的层叠体，其中，优选静电电容型输入装置的电极包含：选自Au、Ag、Cu及Al的至少一种金属；或者选自Au、Ag、Cu及Al的至少一种金属的合金。
[14]根据[11]～[13]中任一项所述的层叠体，其中，优选感光性树脂层被固化。
[15]一种静电电容型输入装置，其包含[11]～[14]中任一项所述的层叠体。
[16]一种图像显示装置，其具有[15]所述的静电电容型输入装置。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物。
并且，根据本发明，能够提供一种使用了该静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的静电电容型输入装置的电极保护膜及转印薄膜。
并且，根据本发明，能够提供一种将耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜作为感光性树脂层而包含的层叠体、包含该层叠体的静电电容型输入装置及包含该静电电容型输入装置的图像显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的静电电容型输入装置的结构的一例的剖面概略图。
图2是表示本发明中的基板的一例的说明图。
图3是表示本发明中的电极图案与非图案区域的关系的一例的说明图。
图4是表示形成有开口部的基板的一例的俯视图。
图5是表示形成有掩模层的基板的一例的俯视图。
图6是表示形成有第一电极图案的基板的一例的俯视图。
图7是表示形成有第一电极图案及第二电极图案的基板的一例的俯视图。
图8是表示形成有与第一电极图案及第二电极图案不同的导电性要件的基板的一例的俯视图。
图9是表示本发明的静电电容型输入装置的结构的另一例的剖面概略图。
图10是表示电极图案的端部的锥形形状的一例的说明图。
图11是表示本发明的层叠体的结构的一例的剖面概略图。
图12是表示本发明的转印薄膜的结构的一例的剖面概略图。
图13是表示本发明的静电电容型输入装置的结构的另一例的俯视图，表示包含被图案曝光且未被感光性树脂层包覆的卷绕配线的终端部(末端部分)的方式。
图14是表示通过层压将具有感光性树脂层的本发明的转印薄膜层叠于静电电容型输入装置的电极图案上，并通过曝光等进行固化之前的状态的一例的概略图。
图15是表示感光性树脂层被固化的所希望的图案的一例的概略图。
图16是表示电极图案的一例的概略图。
图17是表示电极图案的一例的放大的形状的概略图。
具体实施方式
以下，关于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物、静电电容型输入装置的电极保护膜、转印薄膜、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置进行说明。以下所记载的构成要件的说明是根据本发明的代表性实施方式和具体例而完成的，但本发明并不限定于实施方式和具体例。另外，在本说明书中用“～”表示的数值范围是指将记载于“～”前后的数值作为下限值及上限值而包括的范围。“(甲基)丙烯酸”是指“甲基丙烯酸”及“丙烯酸”两者，其他“(甲基)”也以相同的方式被解释。
只要没有特别的说明，则本说明书中的折射率表示550nm波长下的折射率。
另外，在本说明书中透明是指波长为400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上。从而，透明的层是指波长为400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上的层。透明的层的波长为400nm～700nm的可见光的平均透射率优选为90％以上。
关于本发明的转印薄膜或转印薄膜的透明层的波长为400nm～700nm的可见光的平均透射率，使用Hitachi,Ltd.制造的分光光度计U-3310而测定。
[静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物]
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
根据该结构，本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜。
通常，以往的静电电容型输入装置的电极保护膜提高烯属不饱和基团的密度，以不弯曲的方式固化成坚硬。与此相对，在本发明中，通过使用(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物，无需过度固化便能够形成耐弯曲性良好的(即使弯曲已固化的电极保护膜，也难以引起开裂和白化等外观异常)静电电容型输入装置的电极保护膜。虽然不受任何理论的约束，但是关于(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物，可推定烯属不饱和基团之间的距离比以往所使用的光聚合性化合物相对变长。因此，关于通过固化本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物而形成的膜，可推定膜中的烯属不饱和基团的密度和(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物的交联密度得到抑制。其结果，可推定能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜。
以下，关于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的优选的方式进行说明。
＜特性＞
在本发明中，从耐弯曲性的观点考虑，优选将静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物固化后的静电电容型输入装置的电极保护膜在23℃、相对湿度为50％的环境下的拉伸试验中，断裂伸长率为4.8％以上，更优选断裂伸长率为5％以上，尤其优选断裂伸长率为5.1％以上。
＜组成＞
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物可以是负型材料，也可以是正型材料，优选为负型材料。即，本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜可以是负型材料，也可以是正型材料，优选为负型材料。
关于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的优选的组成进行说明。
((a)粘合剂聚合物)
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(a)粘合剂聚合物。
粘合剂聚合物并无特别的限制。
粘合剂聚合物优选为丙烯酸树脂。
对使用于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的粘合剂聚合物的优选范围具体地进行说明。
粘合剂聚合物优选为碱溶性树脂，更优选为具有极性基团的树脂，尤其优选为具有酸基的树脂。对具有酸基的树脂添加(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物而进行热交联，由此可推定三维交联密度提高，并有助于改善赋予盐水后的耐湿热性等作为保护膜的功能。
在粘合剂聚合物为具有酸基的树脂的情况下，粘合剂聚合物的酸值并无特别的限制。
作为使用于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的具有酸基的树脂即粘合剂聚合物(也称作“粘合剂”或“聚合物”)，只要不违背本发明的主旨就无特别的限制，能够从公知的粘合剂聚合物中适当地进行选择。优选使用在日本特开2011-95716号公报的0025段中记载的聚合物、及在日本特开2010-237589号公报的0033～0052段中记载的聚合物。
在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，作为粘合剂聚合物，可以包含由聚合物乳胶形成的粘合剂聚合物。在此所说的聚合物乳胶是水不溶性聚合物粒子分散于水中的乳胶。关于聚合物乳胶，例如记载于室井宗一著“高分子乳胶的化学(高分子刊行会发行(1973年))”。
作为能够使用的聚合物粒子，优选为包含丙烯酸类、乙酸乙烯酯类、橡胶类(例如苯乙烯-丁二烯类、氯丁二烯类)、烯烃类、聚酯类、聚氨酯类、聚苯乙烯类等聚合物及它们的共聚物的聚合物粒子。
由聚合物乳胶形成的粘合剂聚合物优选使构成聚合物粒子的聚合物链彼此之间的键合力增强。作为使聚合物链彼此之间的键合力增强的方法，可以举出利用因氢键而产生的相互作用的方法和生成共价键的方法。
作为利用因氢键力而产生的相互作用的方法，优选在聚合物链上将具有极性基团的单体进行共聚或者接枝聚合而导入。
作为粘合剂聚合物所具有的极性基团(优选酸基)，可以举出羧基(丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸、马来酸、巴豆酸、部分酯化马来酸等中所包含)、伯氨基、仲氨基及叔氨基、铵盐基、磺酸基(苯乙烯磺酸基等)等。在粘合剂聚合物中，作为极性基团，优选至少具有羧基。在粘合剂聚合物为具有酸基的树脂的情况下，优选为含羧基的树脂。对含羧基的树脂添加(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物(封端异氰酸酯等)而进行热交联，由此三维交联密度提高，且含羧基的树脂的羧基脱水而进行疏水化等，可推定这将有助于改善赋予盐水后的耐湿热性等作为保护膜的功能。
粘合剂聚合物更优选为含羧基的丙烯酸树脂。
静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物可以包含除了含羧基的丙烯酸树脂以外的其他粘合剂聚合物。
作为静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中所包含的其他粘合剂聚合物，能够不受特别的限制而使用任意的聚合物成分，但从作为静电电容型输入装置的透明保护膜而使用的观点考虑，优选耐热性高的粘合剂聚合物，更优选碱溶性树脂。
在粘合剂聚合物中，源自这些具有极性基团的单体的构成单元的共聚比的优选范围，相对于粘合剂聚合物100质量％为5～50质量％，更优选为5～40质量％，尤其优选在20～30质量％的范围内。
作为生成共价键的方式，可以举出使环氧化合物、封端异氰酸酯、异氰酸酯、乙烯基砜化合物、醛化合物、羟甲基化合物及羧酸酐等中的至少一种，对羟基、羧基、伯氨基或仲氨基、乙酰乙酰基及磺酸基等中的至少一种进行反应的方法。
能够使用于本发明中的聚合物乳胶可以通过乳化聚合而得到，也可以是通过乳化而得到。关于这些聚合物乳胶的制备方法，例如记载于“乳液/乳胶手册”(乳液/乳胶手册编辑委员会编辑，TAISEISHA LTD.发行(1975年))。
作为能够使用于本发明的聚合物乳胶，能够举出例如丙烯酸烷基酯共聚物铵(商品名称：JURYMER AT-210TOAGOSEI CO.,LTD.制造)、丙烯酸烷基酯共聚物铵(商品名称：JURYMER ET-410TOAGOSEI CO.,LTD.制造)、丙烯酸烷基酯共聚物铵(商品名称：JURYMERAT-510TOAGOSEI CO.,LTD.制造)、聚丙烯酸(商品名称：JURYMER AC-10L TOAGOSEI CO.,LTD.制造)，通过氨进行中和并乳化的物质。
碱溶性树脂是线状有机高分子聚合物，能够从分子(优选将丙烯酸类共聚物、苯乙烯类共聚物作为主链的分子)中具有至少1个促进碱溶解的基团(即酸基：例如羧基、磷酸基、磺酸基等)的碱溶性树脂中适当地进行选择。其中，进一步优选为可溶解于有机溶剂且能够通过弱碱性水溶液进行显影的碱溶性树脂。作为酸基，优选为羧基。
在碱溶性树脂的制造中，能够适用例如利用公知的自由基聚合法的方法。利用自由基聚合法来制造碱溶性树脂时的温度、压力、自由基引发剂的种类及其量、溶剂的种类等聚合条件，对于本领域技术人员来讲是能够容易设定的，也能够实验性地确定条件。
作为上述线状有机高分子聚合物，优选在侧链上具有羧酸的聚合物。作为优选例，可以举出例如在日本特开昭59-44615号、日本特公昭54-34327号、日本特公昭58-12577号、日本特公昭54-25957号、日本特开昭59-53836号、日本特开昭59-71048号、日本特开昭46-2121号公报和日本特公昭56-40824号公报的各公报中所记载的聚(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸共聚物、苯乙烯/马来酸等马来酸共聚物、部分酯化马来酸共聚物、羧烷基纤维素及羧烷基淀粉等在侧链上具有羧酸的酸性纤维素衍生物、对具有羟基的聚合物加成了酸酐的聚合物、以及在侧链上具有(甲基)丙烯酰基等反应性官能团的高分子聚合物。
其中，尤其优选包含苄基(甲基)丙烯酸酯/(甲基)丙烯酸共聚物和苄基(甲基)丙烯酸酯/(甲基)丙烯酸/其他单体的多元共聚物。
此外，也可以举出将2-羟基乙基甲基丙烯酸酯共聚的聚合物等作为有用的聚合物。该聚合物能够以任意的量进行混合而使用。
除了上述聚合物以外，可以举出在日本特开平7-140654号公报中所记载的、2-羟基丙基(甲基)丙烯酸酯/聚苯乙烯大分子单体/苄基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸共聚物、2-羟基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子单体/苄基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸共聚物、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯/聚苯乙烯大分子单体/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯/聚苯乙烯大分子单体/苄基甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸共聚物等。
关于碱溶性树脂的具体的构成单元，尤其优选(甲基)丙烯酸与能够与其共聚的其他单体的共聚物。
作为能够与(甲基)丙烯酸共聚的其他单体，可以举出烷基(甲基)丙烯酸酯、芳基(甲基)丙烯酸酯、乙烯基化合物等。在此，烷基及芳基的氢原子可以被取代基取代。
作为烷基(甲基)丙烯酸酯及芳基(甲基)丙烯酸酯的具体例，能够举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、丙烯酸甲苯酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸环己基酯等。
作为乙烯基化合物，能够举出例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯腈、乙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基丙烯酸四氢糠酯、聚苯乙烯大分子单体、聚甲基丙烯酸甲酯大分子单体、CH2＝CR1R2、CH2＝C(R1)(COOR3)〔在此，R1表示氢原子或碳原子数为1～5的烷基，R2表示碳原子数为6～10的芳香族烃环，R3表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～12的芳烷基。〕等。
这些能够共聚的其他单体能够单独仅使用一种，或者能够组合两种以上而使用。优选的能够共聚的其他单体是选自CH2＝CR1R2、CH2＝C(R1)(COOR3)、苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯及苯乙烯的至少一种，尤其优选为CH2＝CR1R2和/或CH2＝C(R1)(COOR3)。
此外，可以举出如下树脂：使具有反应性官能团的(甲基)丙烯酸化合物、肉桂酸等和具有与该反应性官能团能够反应的取代基的线状高分子进行反应，从而将烯属不饱和双键导入到该线状高分子中。作为反应性官能团，能够例示羟基、羧基、氨基等，作为能够与该反应性官能团反应的取代基，能够举出异氰酸酯基、醛基、环氧基等。
其中，作为碱溶性树脂，优选为具有酸基的丙烯酸树脂，更优选为(甲基)丙烯酸/乙烯基化合物的共聚树脂，尤其优选为(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烯丙酯的共聚树脂。另外，在本说明书中，在丙烯酸树脂中包含甲基丙烯酸树脂和丙烯酸树脂这两种，同样地，在(甲基)丙烯酸中可以包含甲基丙烯酸和丙烯酸。
粘合剂聚合物的重均分子量优选为1万以上，进一步优选为2万～10万。
((b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物)
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物只要具有至少1个烯属不饱和基团作为聚合性基团即可，除了烯属不饱和基团以外，还可以具有环氧基等其他聚合性基团。作为聚合性基团，优选能够进行自由基聚合或阳离子聚合的聚合性基团，能够举出例如乙烯基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、二氧杂环丁烷基、氰基及异氰酸酯基等。作为(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物，优选包含具有(甲基)丙烯酰基的化合物。
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物可以单独仅使用一种，也可以组合两种以上而使用，但优选组合两种以上而使用。
在本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团(优选烯属不饱和基团)的平均个数的值为270以上的光聚合性化合物。
在本说明书中，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的重均分子量使用根据GPC(gel permeation chromatography：凝胶渗透色谱法)并通过聚苯乙烯换算求出的值。
在本说明书中，关于(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的聚合性基团的平均个数，固体成分中的含量为10质量％以下的杂质进行忽略，在化合物为混合物的情况下采用与含量比对应的平均值。
关于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，从改善耐弯曲性的观点考虑，在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于所有(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例优选为10质量％以上，更优选为15质量％以上，尤其优选为20质量％以上。关于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于所有(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例可以为100质量％，但优选为80质量％以下，更优选为60质量％以下，尤其优选为50质量％以下。
关于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，从改善耐弯曲性的观点考虑，在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于总固体成分的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例优选为5质量％以上，更优选为6质量％以上，尤其优选为7质量％以上。关于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于总固体成分的、(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例优选为80质量％以下，更优选为50质量％以下，尤其优选为30质量％以下。
在本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物优选包含(b1-1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350以上的光聚合性化合物，更优选包含(b1-2)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350～3000的光聚合性化合物。静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的、(b1-1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350以上的光聚合性化合物及(b1-2)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350～3000的光聚合性化合物的优选的比例与(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的优选的比例相同。
作为能够使用于本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物，能够举出市售品。能够举出例如A-BPEF(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、A-600(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、A-GLY-9E(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、UF-8001G(Kyoeisha chemical Co.,Ltd.制造)、UA-160TM(Shin-Nakamura ChemicalCo.,Ltd.制造)、UA-122P(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)等。
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物优选将3官能以上的光聚合性化合物和2官能的光聚合性化合物进行组合而使用。2官能的光聚合性化合物相对于所有光聚合性化合物优选在10～90质量％的范围内进行使用，更优选在20～85质量％的范围内进行使用，尤其优选在30～80质量％的范围内进行使用。3官能以上的光聚合性化合物相对于所有光聚合性化合物优选在10～90质量％的范围内进行使用，更优选在15～80质量％的范围内进行使用，尤其优选在20～70质量％的范围内进行使用。在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，作为(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物，优选至少包含具有2个烯属不饱和基团的化合物及具有至少3个烯属不饱和基团的化合物，更优选至少包含具有2个(甲基)丙烯酰基的化合物及具有至少3个(甲基)丙烯酰基的化合物。
并且，在静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，从(a)粘合剂聚合物的羧基和(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的羧基形成羧酸酐而进一步提高赋予盐水后的耐湿热性的观点考虑，(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的至少一种优选含有羧基。作为具有羧基的具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物不受特别的限定，能够使用市售的化合物。能够优选使用例如ARONIX TO-2349(TOAGOSEI CO.,LTD.制造)、ARONIXM-520(TOAGOSEI CO.,LTD.制造)、ARONIX M-510(TOAGOSEI CO.,LTD.制造)等。含有羧基的具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物优选相对于所有光聚合性化合物在1～50质量％的范围内进行使用，更优选在1～30质量％的范围内进行使用，尤其优选在1～15质量％的范围内进行使用。
(b)作为具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物，优选包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物的混合量相对于所有光聚合性化合物优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上。在氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物中，光聚合性基团的官能团数即(甲基)丙烯酰基的数量优选为3官能以上，更优选为4官能以上。
具有2官能的烯属不饱和基团的光聚合性化合物只要是在分子内具有2个烯属不饱和基团的化合物就不受特别的限定，能够使用市售的(甲基)丙烯酸酯化合物。能够优选使用例如三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、三环癸二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(A-HD-N Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)等。
具有3官能以上的烯属不饱和基团的光聚合性化合物只要是在分子内具有烯属不饱和基团的3个以上的化合物就不受特别的限定，能够使用例如二季戊四醇(三/四/五/六)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、异氰脲酸丙烯酸酯等骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物，但优选(甲基)丙烯酸酯之间的跨距长度长的化合物。具体而言，能够优选使用二季戊四醇(三/四/五/六)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、异氰脲酸丙烯酸酯等骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物的己内酯改性化合物(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的KAYARAD DPCA、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造的A-9300-1CL等)、环氧烷改性化合物(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造的KAYARAD RP-1040、Shin-Nakamura ChemicalCo.,Ltd.制造的ATM-35E、A-9300、DAICEL-ALLNEX LTD.制造的EBECRYL 135等)等。并且，优选使用3官能以上的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。作为3官能以上的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，能够优选使用8UX-015A(Taisei Fine Chemical Co.,Ltd.制造)、UA-32P(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)、UA-1100H(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造)等。
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物的重均分子量优选为80～10000，更优选为90～3000，尤其优选为95～2500。
((c)光聚合引发剂)
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(c)光聚合引发剂。静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物及(c)光聚合引发剂，由此能够容易形成静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的图案。
作为使用于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的光聚合引发剂，能够使用在日本特开2011-95716号公报的0031～0042段中记载的光聚合引发剂。例如除了1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲酰肟)](商品名称：IRGACURE OXE-01、BASF公司制造)以外，能够优选使用1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-乙酮1-(O-乙酰肟)(商品名称：IRGACURE OXE-02,BASF公司制造)、2-(二甲氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(商品名称：IRGACURE 379EG，BASF公司制造)、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉代丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 907，BASF公司制造)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 127、BASF公司制造)、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1(商品名称：IRGACURE 369，BASF公司制造)、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 1173，BASF公司制造)、1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名称：IRGACURE 184，BASF公司制造)、2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 651，BASF公司制造)、肟酯类光聚合引发剂(商品名称：Lunar 6、DKSH JAPAN K.K.制造)等。
相对于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，优选包含(c)光聚合引发剂1质量％以上，更优选包含2质量％。相对于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，优选包含(c)光聚合引发剂10质量％以下，从改善本发明的层叠体的图案形成性的观点考虑，更优选包含5质量％以下。
((d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物)
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物包含(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物。
作为(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，只要不违背本发明的主旨就无特别的限制。(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物优选为，与25℃下的酸基或醇性羟基的反应性相比，超过25℃而加热后的酸基或醇性羟基的反应性更高的化合物。(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物为在常温下因热解离性封端剂而暂且被惰性化的化合物，但优选为在规定的解离温度下源自热解离性封端剂的基团通过加热进行解离的化合物。
作为(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，能够举出封端异氰酸酯及环氧化合物。在本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物优选为封端异氰酸酯。
-(d1)封端异氰酸酯-
封端异氰酸酯是指“具有用热解离性封端剂对异氰酸酯的异氰酸酯基进行保护(也称作掩模或封端化)的结构的化合物”。
封端异氰酸酯优选为具有用热解离性封端剂对聚异氰酸酯的异氰酸酯基进行保护(掩模)的结构的化合物。
聚异氰酸酯能够通过使一元醇及二异氰酸酯进行氨基甲酸酯化反应，之后，或者同时进行异氰脲酸酯化反应而得到。
二异氰酸酯能够使用选自脂肪族二异氰酸酯及脂环族二异氰酸酯的至少一种二异氰酸酯化合物、碳原子数为1～20的一元醇。
作为脂肪族二异氰酸酯，可以例示丁烷二异氰酸酯、戊烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯(以下，HDI)、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯。其中，从工业的易获性考虑优选HDI。上述脂肪族二异氰酸酯可以单独使用，也可以并用两种以上。
并且，作为脂环族二异氰酸酯，可以举出异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、加氢亚二甲苯二异氰酸酯、加氢二苯基甲烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯等。其中，从工业的易获性考虑优选IPDI。上述脂环族二异氰酸酯可以单独使用，也可以并用两种以上。上述脂肪族二异氰酸酯及脂环族二异氰酸酯均可以单独使用，也可以以脂肪族二异氰酸酯和脂环族二异氰酸酯并用两种以上。
作为上述聚异氰酸酯的原料，可以使用碳原子数为1～20的一元醇。一元醇的碳原子数的下限优选为2，更优选为3，进一步优选为4，尤其优选为6。上限优选为16，更优选为12，进一步优选为9。一元醇可以仅使用一种，也可以混合两种以上而使用。并且，上述一元醇可以在分子内包含醚基、酯基、羰基，但优选由饱和烃基构成的一元醇。而且，更优选具有分支的一元醇。作为一元醇，可以举出例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、异丁醇、1-戊醇、2-戊醇、异戊醇、1-己醇、2-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-乙基-1-己醇、3,5,5-三甲基-1-己醇、十三醇、十五烷醇、棕榈醇、硬脂醇、环戊醇、环己醇、甲基环己醇、三甲基环己醇等。其中，异丁醇、1-丁醇、异戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-乙基-1-己醇、十三醇、十五烷醇、棕榈醇、硬脂醇、3,5,5-三甲基-1-环己醇与活性氢化合物的相溶性优异，因此更优选。
封端聚异氰酸酯的前体即聚异氰酸酯优选在分子中含有异氰脲酸酯环。异氰脲酸酯环的结构为由3个异氰酸酯基形成。在本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物优选为具有由下述通式(1)表示的结构的化合物；
通式(1)
[化学式2]
通式(1)中，R1～R3分别独立地表示1价的有机基团。
通式(1)中，R1～R3表示的1价的有机基团分别可以相同，也可以不同。通式(1)中，作为R1～R3表示的1价的有机基团，能够举出包含热解离性封端剂的基团。R1～R3表示的1价的有机基团优选为如下基团：其经由源自在聚异氰酸酯的合成中所使用的二异氰酸酯化合物的2价的连接基团和/或源自在聚异氰酸酯的合成中所使用的碳原子数为1～20的一元醇的2价的连接基团，键合了包含热解离性封端剂的基团。
使聚异氰酸酯的异氰酸酯基与热解离性封端剂反应而进行保护，由此能够制造通过热解离性封端剂而被保护的聚异氰酸酯。在此，“热解离”是指键合于异氰酸酯基的封端剂通过加热而进行解离。解离中所需温度根据封端剂的结构而不同，例如为40℃～300℃。
作为热解离性封端剂的例子，可以举出肟类、醇类、酰胺类、酰亚胺类、酚类、胺类、活性亚甲基类、咪唑类、吡唑类化合物等。作为肟类，可以举出甲醛肟、乙酰醛肟、丙酮肟、甲乙酮肟、环己酮肟等，作为醇类，可以举出甲醇、乙醇、2-丙醇、正丁醇、仲丁醇、2-乙基-1-己醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇等。作为酰胺类，可以举出乙酰苯胺、乙酸酰胺、ε-己内酰胺、δ-戊内酰胺、γ-丁内酰胺等。作为酰亚胺类，琥珀酰亚胺、马来酰亚胺等。作为酚类，可以举出苯酚、甲酚、乙基酚、丁基酚、壬基酚、二壬基酚、苯乙烯酚、羟基苯甲酸酯等。作为胺类，可以举出二苯胺、苯胺、咔唑、二正丙胺、二异丙胺、异丙基乙胺等。作为活性亚甲基类，可以举出丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰丙酮等。作为咪唑类，可以举出咪唑、2-甲基咪唑等。作为吡唑类，可以举出吡唑、3-甲基吡唑、3,5-二甲基吡唑等。其中，从易获性和所制造出的封端聚异氰酸酯组合物的粘度、反应温度及反应时间的观点考虑，优选肟类、酰胺类、胺类、活性亚甲基类及吡唑类化合物，进一步优选甲乙酮肟、ε-己内酰胺、丙二酸二乙酯、乙酰乙酸乙酯及3,5-二甲基吡唑。
热解离性封端剂可以使用一种，也可以以所希望的比例使用两种以上。并且，通过公知的方法，并利用热解离性封端剂来保护全部或部分的异氰酸酯的异氰酸酯基，但优选保护全部。在保护全部的异氰酸酯基的情况下，(热解离性封端剂的摩尔数)/(聚异氰酸酯组合物中的异氰酸酯基的摩尔数)优选为1.0～1.5。该情况下，过度或未反应的热解离性封端剂残留于封端异氰酸酯组合物内。与聚异氰酸酯同样，利用无机溶剂进行保护反应，或者根据需要可以使用不具有与异氰酸酯基的反应性的有机溶剂，之后，将有机溶剂进行分离。
保护反应的反应温度能够设为-20～150℃，但从反应速度和副反应的观点考虑，优选为0～100℃。
封端异氰酸酯的被封端的异氰酸酯基在每一个分子中的个数优选为1～10，更优选为2～6，尤其优选为3～4。
作为封端异氰酸酯的具体例，能够举出以下化合物。然而，本发明中所使用的封端异氰酸酯并不限定于以下具体例。
[化学式3]
作为封端异氰酸酯，也能够举出市售的封端异氰酸酯。例如能够举出DuranateTPA-B80E(Asahi Kasei Chemicals Corporation制造)等。
封端异氰酸酯的重均分子量优选为200～3000，更优选为250～2600，尤其优选为280～2200。
-(d2)环氧化合物-
作为环氧化合物并无特别的限制，能够使用公知的化合物。
作为环氧化合物，能够优选使用在日本特开2015-135396号公报的[0096]～[0098]中记载的化合物，该公报的内容援用于本发明中。
作为环氧化合物的例子，能够举出EPOX-MK R151(Printec Co.制造)等。
(添加剂)
静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中还可以使用添加剂。作为所述添加剂，可以举出例如日本专利第4502784号公报的0017段、日本特开2009-237362号公报的0060～0071段中所记载的表面活性剂，或日本专利第4502784号公报的0018段中所记载的热聚合抑制剂，另外，在日本特开2000-310706号公报的0058～0071段中所记载的其他添加剂。作为优选使用于静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中的添加剂，可以举出公知的氟类表面活性剂即MEGAFACE F-551(DIC CORPORATION制造)。
[转印薄膜]
本发明的转印薄膜具有临时支撑体和包含本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的感光性树脂层。
＜临时支撑体＞
作为使用于转印薄膜中的临时支撑体并无特别的限制。
(厚度)
临时支撑体的厚度并无特别的限制，通常为5～200μm的范围，从易处理性、通用性等方面考虑，尤其优选为10～150μm的范围。
(材质)
作为临时支撑体，优选为薄膜，更优选为树脂薄膜。
作为用作临时支撑体的薄膜，能够使用具有挠性且在加压情况下，或者在加压及加热的情况下，不产生显著的变形、收缩或伸长的材料。作为满足该性质的临时支撑体的例子，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、三乙酸纤维素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等，其中，尤其优选双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
并且，临时支撑体可以是透明的，也可以含有染料硅、氧化铝溶胶、铬盐、锆盐等。
并且，通过日本特开2005-221726号公报中所记载的方法等，能够对临时支撑体赋予导电性。
＜感光性树脂层的结构＞
感光性树脂层可以是光固化性树脂层，也可以是热固性且光固化性树脂层。其中，从转印后进行光固化而容易进行制膜，且制膜后进行热固化而能够赋予膜的可靠性及赋予盐水后的耐湿热性的观点考虑，感光性树脂层优选为热固性且光固化性树脂层。
在本说明书中，为了便于说明，将本发明的转印薄膜的感光性树脂层转印到电极图案上，并对这些层进行光固化之后，在这些层失去了光固化性的情况下，不管这些层是否具有热固性，分别继续称作感光性树脂层。而且，有时在对这些层进行光固化之后进行热固化，但是该情况下，也不管这些层是否具有固化性，分别继续称作感光性树脂层。同样地，将本发明的转印薄膜的感光性树脂层转印到电极图案上，并对这些层进行热固化之后，在这些层失去了热固性的情况下，不管这些层是否具有光固化性，也分别继续称作感光性树脂层。
感光性树脂层优选为碱溶性树脂层。树脂层为碱溶性树脂层是指通过弱碱性水溶液而进行溶解，优选能够通过弱碱性水溶液而进行显影。
(厚度)
在转印薄膜中，感光性树脂层的厚度优选为1～20μm，更优选为2～15μm，尤其优选为3～12μm。感光性树脂层优选使用于静电电容型输入装置的图像显示部分，该情况下，重要的是高透明性及高透射率化，且感光性树脂层的厚度充分厚，由此不易产生由感光性树脂层的吸收引起的透射率的降低，并且，由于短波不易被吸收，因此也不易产生黄着色化。
＜第二感光性树脂层＞
转印薄膜在感光性树脂层上还可以具有第二感光性树脂层。作为第二感光性树脂层，能够举出公知的折射率调整层等。
＜热塑性树脂层＞
转印薄膜也能够在临时支撑体与感光性树脂层之间设置热塑性树脂层。若使用具有热塑性树脂层的转印材料转印感光性树脂层而形成层叠体，则在通过转印而形成的各要件上难以产生气泡，在图像显示装置中难以产生图像不均等，能够获得优异的显示特性。
热塑性树脂层优选为碱溶性树脂层。热塑性树脂层发挥着作为缓冲材料的作用，以便能够吸收基底表面的凹凸(也包括由已形成图像等引起的凹凸等。)，优选具有根据对象面的凹凸可以变形的性质。
热塑性树脂层优选将日本特开平5-72724号公报中所记载的有机高分子物质作为成分而包含的方式，尤其优选包含至少一种选自通过维卡(Vicat)法〔具体而言，根据美国试验材料协会(ASTM International)ASTM D1235的聚合物软化点测定法〕求出的软化点约为80℃以下的有机高分子物质的方式。
具体而言，可以举出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、乙烯和乙酸乙烯酯或其皂化物等乙烯共聚物、乙烯和丙烯酸酯或其皂化物的共聚物、聚氯乙烯或氯乙烯和乙酸乙烯酯或其皂化物等氯乙烯共聚物、聚偏二氯乙烯、偏二氯乙烯共聚物、聚苯乙烯、苯乙烯和(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等苯乙烯类共聚物、聚乙烯基甲苯、乙烯基甲苯和(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等乙烯基甲苯共聚物、聚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁酯和乙酸乙烯酯等(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙酸乙烯酯共聚物尼龙、共聚尼龙、N-烷氧基甲基化尼龙、N-二甲氨基化尼龙等聚酰胺树脂等有机高分子。
热塑性树脂层的厚度优选为3～30μm。在热塑性树脂层的厚度小于3μm的情况下，层压时的追随性不充分，有时无法完全吸收基底表面的凹凸。并且，在厚度超过30μm的情况下，对热塑性树脂层形成于临时支撑体时的干燥(去除溶剂)施加负载，或者在热塑性树脂层的显影中费时间，有可能使工艺适性变差。作为热塑性树脂层的厚度，更优选为4～25μm，尤其优选为5～20μm。
热塑性树脂层通过涂布包含热塑性有机高分子的制备溶液等而能够形成，涂布等时所使用的制备溶液能够使用溶剂而制备。作为溶剂，若为可溶解构成热塑性树脂层的高分子成分的溶剂，则并无特别的限制，例如可以举出甲乙酮、环己酮、丙二醇单甲醚乙酸酯、正丙醇及2-丙醇等。
＜中间层＞
转印薄膜也能够在热塑性树脂层与感光性树脂层之间设置中间层。作为中间层，优选为在日本特开平5-72724号公报中作为“分离层”所记载的层。
＜保护膜＞
转印薄膜优选在感光性树脂层的表面还设置保护膜等。
作为保护膜，能够适当地使用在日本特开2006-259138号公报的0083～0087及0093段中所记载的保护膜。
图12中示出本发明的转印薄膜的优选结构的一例。图12是临时支撑体26、感光性树脂层7、第二感光性树脂层12及保护膜29依次彼此相邻地层叠而成的本发明的转印薄膜30的概略图。
＜转印薄膜的制造方法＞
转印薄膜的制造方法并无特别的限制，能够使用公知的方法。
(在临时支撑体上形成感光性树脂层的工序)
转印薄膜的制造方法具有在临时支撑体上形成感光性树脂层的工序，形成感光性树脂层的工序优选为将有机溶剂类树脂组合物涂布于临时支撑体上的工序。
-有机溶剂类树脂组合物-
有机溶剂类树脂组合物是指能够溶解于有机溶剂中的树脂组合物。
作为有机溶剂，能够使用通常的有机溶剂。作为有机溶剂的例子，能够举出甲乙酮、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、环己酮、甲基异丁酮、乳酸乙酯、乳酸甲酯、己内酰胺等。
在转印薄膜的制造方法中，在感光性树脂层的形成中所使用的有机溶剂类树脂组合物为本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物。
＜其他工序＞
也可以包括如下工序，即，在临时支撑体上形成感光性树脂层之前，还形成热塑性树脂层的工序。
在形成热塑性树脂层的工序之后，可以包括在热塑性树脂层与感光性树脂层之间形成中间层的工序。具体而言，在形成具有中间层的感光性材料的情况下，在临时支撑体上涂布将热塑性有机高分子和添加剂进行溶解的溶解液(热塑性树脂层用涂布液)，并使其干燥而设置热塑性树脂层之后，在该热塑性树脂层上涂布通过在不溶解热塑性树脂层的溶剂中添加树脂及添加剂而制备的制备溶液(中间层用涂布液)，并使其干燥而层叠中间层，在该中间层上进而涂布使用不溶解中间层的溶剂而制备的感光性树脂层用涂布液，并使其干燥而层叠感光性树脂层，由此能够适当地进行制作。
其他感光性树脂层的制造方法能够采用在日本特开2006-259138号公报的0094～0098段中所记载的感光性转印材料的制作方法。
＜用途＞
本发明的转印薄膜优选使用于静电电容型输入装置的电极保护膜中。在静电电容型输入装置的电极保护膜用途中，更优选为透明绝缘层用途或透明保护层用途。本发明的转印薄膜中感光性树脂层可以是未固化状态，该情况下，在电极图案上，通过光刻方式而能够用作用于形成静电电容型输入装置的电极保护膜的层叠图案的转印薄膜，或者用作用于形成折射率调整层及静电电容型输入装置的电极保护膜(外涂层)的层叠图案的转印薄膜。
[静电电容型输入装置的电极保护膜]
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜的第1方式为由本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物形成的电极保护膜。
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜的第2方式为从本发明的转印薄膜去除了临时支撑体的电极保护膜。
本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜的耐弯曲性良好，因此优选使用于膜传感器型静电电容型输入装置的电极保护膜中。
[层叠体]
本发明的层叠体的第1方式为一种层叠体，其具有在静电电容型输入装置的电极的基板上具有本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜，或者通过转印本发明的转印薄膜的感光性树脂层而形成的静电电容型输入装置的电极保护膜。
本发明的层叠体的第2方式为一种层叠体，其具有：基板，具备静电电容型输入装置的电极；及感光性树脂层，位于基板上，其中，感光性树脂层包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
由于是这些结构，因此本发明的层叠体的耐弯曲性良好。
在本发明的层叠体中，优选感光性树脂层被固化，更优选感光性树脂层被实施了曝光及加热中的至少一种处理，尤其优选感光性树脂层被实施了曝光及加热处理。
静电电容型输入装置的电极可以是电极图案，也可以是卷绕配线。静电电容型输入装置的电极优选为电极图案。
＜层叠体的结构＞
本发明的层叠体优选具有具备静电电容型输入装置的电极的基板和位于该基板上的感光性树脂层，更优选至少具有基板、电极图案及感光性树脂层。
层叠体在电极与感光性树脂层之间还可以具有第二感光性树脂层。具有基板和电极图案、与该电极图案相邻配置的第二感光性树脂层、与该第二感光性树脂层相邻配置的感光性树脂层，第二感光性树脂层的折射率比感光性树脂层的折射率更高。该情况下，第二感光性树脂层的折射率优选为1.6以上。通过设成该结构，能够使电极图案不易被辨识，图案形成性变得良好。
本发明的层叠体可以在与电极图案的形成有第二感光性树脂层的一侧相反的一侧还具有折射率为1.60～1.78且厚度为55～110nm的透明膜和其他折射率或厚度的透明膜。另外，在本说明书中无特别的说明而记载为“透明膜”的情况下是指，上述“折射率为1.60～1.78且厚度为55～110nm的透明膜”。
本发明的层叠体优选在与折射率为1.60～1.78且厚度为55～110nm的透明膜的形成有电极图案的一侧相反的一侧，还具有基板。
图11表示本发明的层叠体的结构的1例。
在图11中，面内具有区域21，该区域21具有基板1及透明膜11，还依次层叠有电极图案和感光性树脂层。并且，在图11中示出，层叠体除了包括依次层叠有电极图案和感光性树脂层的区域21以外，还包括依次层叠有基板1及透明膜11的区域(在图11的结构中，依次层叠有第二感光性树脂层12和感光性树脂层7的区域(未形成有电极图案的非图案区域22))。
面内方向是指相对于与层叠体的基板平行的面大致平行的方向。从而，面内包括依次层叠有第二电极图案4、第二感光性树脂层12及感光性树脂层7的区域是指，依次层叠有第二电极图案4、第二感光性树脂层12及感光性树脂层7的区域的对与层叠体的基板平行的面的正投影存在于与层叠体的基板平行的面内。
在此，将本发明的层叠体使用于后述静电电容型输入装置中的情况下，有时电极图案在行方向和列方向大致正交的2个方向上分别作为第一电极图案及第二电极图案而设置(例如参考图3)。例如在图3的结构中，本发明的层叠体中的电极图案可以是第二电极图案4，也可以是第一电极图案3的焊盘部分3a。换言之，以下本发明的层叠体的说明中，有时以“4”为代表而表示电极图案的符号，但本发明的层叠体中的电极图案并不限定于使用于本发明的静电电容型输入装置中的第二电极图案4，例如也可以作为第一电极图案3的焊盘部分3a而使用。
本发明的层叠体优选包括未形成有电极图案的非图案区域。在本说明书中，非图案区域是指未形成有第二电极图案4的区域。
图11中示出本发明的层叠体包括非图案区域22的方式。
本发明的层叠体优选在未形成有电极图案的非图案区域22的至少一部分，在面内包括依次层叠有基板及透明膜的区域。
本发明的层叠体在依次层叠有基板及透明膜的区域，优选透明膜彼此相邻。
然而，在非图案区域22的其他区域，只要不违背本发明的主旨就可以将其他部件配置于任意的位置上，例如在将本发明的层叠体使用于后述静电电容型输入装置中的情况下，能够层叠图1中的掩模层2、绝缘层5及其他导电性要件6等。
图11中示出在基板1上相邻层叠有透明膜11的方式。
然而，只要不违背本发明的主旨，则在基板及透明膜之间可以层叠有第三透明膜。例如，在基板及透明膜之间可以包括折射率为1.50～1.52的第三透明膜(图11中未图示)。
图11中示出在透明膜11的一部分区域上相邻层叠有第二电极图案4的方式。
第二电极图案4的端部的形状并无特别的限制，如图11所示，可以具有锥形形状，例如，可以具有基板侧一面比与基板相反的一侧的面更宽的锥形形状。
在此，电极图案的端部呈锥形形状时的电极图案的端部的角度(以下，也称作锥角)优选为30°以下，更优选为0.1～15°，尤其优选为0.5～5°。
关于本说明书中的锥角的测定方法，对电极图案的端部的显微镜照片进行摄影，使该显微镜照片的锥形部分近似于三角形，能够通过直接测定锥角而求出。
图10中示出电极图案的端部呈锥形形状的情况的一例。图10中的近似于锥形部分的三角形的底面为800nm，高度(与底面大致平行的上底部分的厚度)为40nm，此时的锥角α约为3°。近似于锥形部分的三角形的底面优选为10～3000nm，更优选为100～1500nm，尤其优选为300～1000nm。
另外，近似于锥形部分的三角形的高度的优选范围与电极图案的厚度的优选范围相同。
图11中示出以下方式：在依次层叠有电极图案和感光性树脂层的区域21中，电极图案、第二感光性树脂层及感光性树脂层彼此相邻的方式。
图11中示出以下方式：在第二感光性树脂层12的与形成有电极图案的表面相反一侧的表面上层叠有感光性树脂层7。
如图11所示，在本发明的层叠体中，电极图案及感光性树脂层可以隔着第二感光性树脂层而被层叠，但优选包括电极图案及感光性树脂层彼此相邻的区域(未图示)。
本发明的层叠体优选通过透明膜直接或隔着其他层连续地包覆电极图案及未形成有电极图案的非图案区域22这两者。
在此，“连续”是指透明膜不是图案膜，而是连续膜。即，从不易辨识电极图案的观点考虑，优选透明膜不具有开口部。
并且，与电极图案及非图案区域22通过透明膜隔着其他层被包覆相比，优选直接被包覆。作为隔着其他层被包覆的情况下的“其他层”，能够举出后述本发明的静电电容型输入装置中所包含的绝缘层5，或者如后述本发明的静电电容型输入装置一样在包括2层以上的电极图案的情况的第2层的电极图案等。
图11中示出层叠有第二感光性树脂层12的方式。第二感光性树脂层12横跨透明膜11上的未层叠有第二电极图案4的区域和层叠有第二电极图案4的区域上而层叠。即，第二感光性树脂层12与透明膜11相邻，而且，第二感光性树脂层12与第二电极图案4相邻。
并且，第二电极图案4的端部为锥形形状的情况下，优选按照锥形形状(与锥角相同的斜率)层叠有第二感光性树脂层12或感光性树脂层7。
＜层叠体的材料＞
(基板)
本发明的层叠体具有具备静电电容型输入装置的电极的基板。关于具备静电电容型输入装置的电极的基板，优选基板和电极为分体部件。
从提供耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的观点考虑，基板优选为薄膜基板。并且，基板优选为透明基板。即，在本发明的层叠体中，基板更优选为透明薄膜基板。
基板的折射率尤其优选为1.50～1.52。
作为基板而使用薄膜基板的情况下，更优选使用无光学应变的薄膜基板，或透明度高的薄膜基板，具体而言，能够举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、三乙酰纤维素及环烯烃聚合物。
层叠体也优选在基板的两面分别具有电极及感光性树脂层的结构。该情况下，层叠体优选用作膜传感器。
(电极)
电极优选为导电性细线。
电极优选为电极图案。
电极图案的材料并无特别的限制，能够使用公知的材料。
在本发明的层叠体中，静电电容型输入装置的电极优选包含：选自Au、Ag、Cu及Al中的至少一种金属；或者选自Au、Ag、Cu及Al中的至少一种的金属的合金。
作为在包含选自Au、Ag、Cu及Al中的至少一种金属的合金中使用的其他金属，可以举出例如锡、钯、镍及铬等。
其中，根据电极的导电性优异的理由，电极优选为Ag。
电极也优选通过由银或银合金构成的金属纳米线形成。金属纳米线的制造方法并无特别的限制，可以通过任意的方法而制作，优选通过在溶解了卤素化合物和分散剂的溶剂中还原金属离子而制造。并且，从分散性及导电膜的经时稳定性的观点考虑，优选在形成金属纳米线之后，通过常规方法进行脱盐处理。
并且，作为金属纳米线的制造方法，能够使用在日本特开2009-215594号公报、日本特开2009-242880号公报、日本特开2009-299162号公报、日本特开2010-84173号公报、日本特开2010-86714号公报、日本特表2009-505358号公报等中记载的方法。
从电极与基板的密合性的观点考虑，优选在电极中包含粘合剂。
根据电极与基板的密合性更优异的理由，粘合剂优选为水溶性高分子。作为粘合剂，可以举出例如明胶、卡拉胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、淀粉等多糖类、纤维素及其衍生物、聚环氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、壳聚糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明质酸、羧基纤维素、阿拉伯胶及海藻酸钠等。其中，根据电极与基板的密合性更优异的理由，优选为明胶。
另外，作为明胶，除了石灰处理明胶以外，还可以使用酸处理明胶等。能够使用明胶的水解物、明胶酶分解物、以及对其他氨基和/或羧基进行了修饰的明胶(邻苯二甲酸明胶、乙酰化明胶)。
在电极中包含金属和粘合剂的情况下，金属和粘合剂的体积比(金属的体积/粘合剂的体积)优选为1.0以上，更优选为1.5以上。通过将金属和粘合剂的体积比设为1.0以上，能够进一步提高电极的导电性。上限并无特别的限制，但从生产率的观点考虑，优选为4.0以下，更优选为2.5以下。
另外，金属和粘合剂的体积比能够根据电极中所包含的金属及粘合剂的密度来计算。例如金属为银的情况下，将银的密度设为10.5g/cm3，且在粘合剂为明胶的情况下，将明胶的密度设为1.34g/cm3进行计算而求出。
作为电极的优选方式之一，可以举出包含金属银、明胶及不同于明胶的高分子的方式。
作为不同于明胶的高分子(以下，也简称为高分子)，优选为不包含蛋白质的高分子。
更具体而言，可以举出例如选自包括丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、乙烯基树脂、聚烯烃树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚二烯树脂、环氧树脂、硅酮树脂、纤维素聚合物及壳聚糖聚合物的组中的至少任一种树脂，或者由构成这些树脂的单体形成的共聚物等。其中，优选不会因蛋白质分解酶而分解的高分子，可以举出丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、聚酯树脂等。
其中，作为上述高分子的优选方式，在日本特开2014-206936号公报的[0023]～[0042]中有记载，该公报的内容通过参考援用于本发明中。
电极的导电性细线的线宽并无特别的限制，从能够比较容易地形成低电阻的电极的观点考虑，上限优选为30μm以下，更优选为15μm，进一步优选为10μm，尤其优选为9μm以下，最优选为7μm以下。导电性细线的线宽的下限优选为0.5μm以上，更优选为1.0μm以上。
电极的厚度并无特别的限制，但从导电性及辨识性的观点考虑，能够从0.00001mm～0.2mm中进行选择，但优选为30μm以下，更优选为20μm以下，进一步优选为0.01～9μm，最优选为0.05～5μm。
图16中示出表示电极图案的一例的概略图。图17中示出表示将电极图案的一例进行了放大的形状的概略图。在图16中，层叠有格子的电极图案(无标号)和感光性树脂层7。图16中记载了感光性树脂层7的各边长度，图17中记载了电极图案的格子的一边长度。
格子包括通过电极的导电性细线包围的开口区域。格子的一边长度W的上限优选为800μm以下，更优选为600μm以下。格子的一边长度W的下限优选为400μm以上。
从可见光透射率的观点考虑，电极的开口率优选为85％以上，更优选为90％以上，最优选为95％以上。开口率相当于电极中的去除了导电性细线的透射性部分在整体中所占的比例。
格子优选具有大致呈菱形的形状。然而，此外，也可以设为多边形的形状(例如三角形、四边形、六边形)。并且，除了将一边的形状设为直线状以外，也可以设为弯曲形状，也可以设为圆弧状。在设为圆弧状的情况下，例如可以设为：关于对置的两边，设为向外部凸出的圆弧状，关于另一对置的两边，设为向内部凸出的圆弧状。并且，可以将各边的形状设为向外部凸出的圆弧和向内部凸出的圆弧连续的波浪线形状。当然，也可以将各边的形状设为正弦曲线。
另外，在图16中，电极的导电性细线作为网格图案而形成，但并不限定于该方式，也可以是条纹图案。
另外，电极并不限定于由导电性细线的网格结构构成的方式，例如也可以由银浆及铜浆等金属浆料，或者由银纳米线及铜纳米线等金属纳米线粒子构成。其中，从导电性和透明性优异的观点考虑，优选为银纳米线。
另外，电极的图案形成能够根据电极部的材料来进行选择，可以利用光刻法或抗蚀剂掩模丝网印刷-蚀刻法、喷墨法及印刷法等。
(感光性树脂层)
本发明的层叠体中所包含的感光性树脂层的优选范围与本发明的转印薄膜中的感光性树脂层的优选范围相同。
＜层叠体的制造方法＞
层叠体的制造方法并无特别的限制，但优选包括使用本发明的转印薄膜，在具备静电电容型输入装置的电极的基板上转印转印薄膜的感光性树脂层的工序。
层叠体的制造方法优选包括在电极(优选为电极图案)上依次层叠本发明的转印薄膜的第二感光性树脂层及感光性树脂层的工序。
通过该结构，能够一并转印层叠体的第二感光性树脂层及感光性树脂层，能够容易且以高生产率制造不易辨识电极图案的层叠体。
另外，关于第二感光性树脂层，优选直接或隔着其他层，图案区域中在电极图案上进行制膜，而非图案区域中在基板或透明膜上进行制膜。
(基板的表面处理)
并且，为了提高在后续转印工序中进行层压之后的各层的密合性，能够预先对基板的非接触面(构成静电电容型输入装置的基板的表面中，与手指等输入手段接触侧的面相反一侧的面)实施表面处理。作为表面处理，优选实施使用了硅烷化合物的表面处理(硅烷偶联处理)。作为硅烷偶联剂，优选为具有与感光性树脂相互作用的官能团的硅烷偶联剂。例如将硅烷偶联液(N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷0.3质量％水溶液，商品名称：KBM603、Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)，通过喷淋喷附20秒钟，并进行纯水喷淋清洗。之后，优选通过加热而使其反应。可以使用加热槽，也可以利用层压机的预热，均能够促进反应。
(电极的制膜)
关于电极，能够使用后述本发明的静电电容型输入装置的说明中的第一电极图案3、第二电极图案4及其他导电性要件6的形成方法等，在基板上或者在折射率为1.6～1.78且厚度为55～110nm的透明膜上进行制膜，优选使用感光性薄膜的方法。
并且，作为电极的制膜，在日本特开2014-206936号公报的[0053]～[0074]、日本特开2015-69585号公报的[0049]～[0061]中有记载，这些公报的内容通过参考援用于本发明中。
(感光性树脂层的制膜)
关于形成感光性树脂层的方法，可以举出具有从本发明的转印薄膜去除保护膜的保护膜去除工序、将去除了保护膜的本发明的转印薄膜的感光性树脂层转印于电极上的转印工序、将转印到电极上的感光性树脂层进行曝光的曝光工序、以及将被曝光的感光性树脂层进行显影的显影工序的方法。
-转印工序-
转印工序优选为将去除了保护膜的本发明的转印薄膜的感光性树脂层转印于电极(优选为电极图案)上的工序。
此时，优选包括将本发明的转印薄膜的感光性树脂层层压于电极之后，去除临时支撑体的工序的方法。
感光性树脂层对电极表面的转印(贴合)优选通过将感光性树脂层重叠于电极表面，并进行加压和/或加热而进行。贴合时能够使用层压机、真空层压机及能够进一步提高生产率的自动切割层压机等公知的层压机。
-曝光工序、显影工序及其他工序-
作为曝光工序、显影工序及其他工序的例子，也能够将日本特开2006-23696号公报的0035～0051段中记载的方法优选使用于本发明中。
曝光工序优选为将转印到电极图案上的感光性树脂层进行曝光的工序。
具体而言，可以举出如下方法：在形成于电极图案上的感光性树脂层及临时支撑体的上方配置规定的掩模，之后，从该掩模上方的光源(隔着掩模、临时支撑体)对感光性树脂层进行曝光。
在此，作为曝光的光源，只要是能够照射能够固化感光性树脂层的波长区域的光(例如365nm、405nm等)的光源，则能够适当地进行选择而使用。具体而言，可以举出超高压汞灯、高压汞灯、金属卤化物灯等。作为曝光量，通常为5～200mJ/cm2左右，优选为10～100mJ/cm2左右。
显影工序为将被曝光的感光性树脂层进行显影的工序。
显影工序为通过显影液将被实施图案曝光的感光性树脂层进行图案显影的狭义含义的显影工序。
能够使用显影液来进行显影。作为显影液并无特别的限制，能够使用在日本特开平5-72724号公报中记载的显影液等公知的显影液。另外，显影液优选为感光性树脂层进行溶解类型的显影行为的显影液，例如优选以0.05～5mol/L的浓度含有pKa(power of Ka；Ka为酸解离常数)＝7～13的化合物的显影液。另一方面，感光性树脂层本身不形成图案的情况下的显影液优选为进行不溶解非碱性显影型着色组合物层的类型的显影行为的显影液，例如优选以0.05～5mol/L的浓度含有pKa＝7～13的化合物的显影液。在显影液中还可以少量添加具有与水的混和性的有机溶剂。作为具有与水的混和性的有机溶剂，可以举出甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单正丁基醚、苯甲醇、丙酮、甲乙酮、环己酮、ε-己内酯、γ-丁内酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、六甲基膦酰胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己内酰胺、N-甲基吡咯烷酮等。有机溶剂的浓度优选为0.1质量％～30质量％。
并且，显影液中还能够添加公知的表面活性剂。表面活性剂的浓度优选为0.01质量％～10质量％。
作为显影方式，可以是旋覆浸没式显影、喷淋显影、喷淋&旋涂显影及浸渍显影等中的任一种。在此，对喷淋显影进行说明，通过喷淋对曝光后的感光性树脂层喷附显影液而能够去除未固化部分。另外，在设置有热塑性树脂层和/或中间层等的情况下，优选在显影之前通过喷淋等而喷附感光性树脂层的溶解性低的碱性液，并去除热塑性树脂层和/或中间层等。并且，优选在显影之后，通过喷淋而喷附清洗剂等，一边用刷子等进行擦拭，一边去除显影残渣。显影液的液体温度优选为20℃～40℃，并且显影液的pH优选为8～13。
层置体的制造方法可以具有后曝光工序等其他工序。
可以在剥离临时支撑体之后进行图案化曝光或整面曝光，也可以在剥离临时支撑体之前进行曝光(也可以在剥离临时支撑体之前进行曝光之后剥离临时支撑体)。可以是隔着掩模的曝光，也可以是使用了激光等的数字曝光。
-加热工序-
层叠体的制造方法优选包括对转印后的感光性树脂层进行加热处理的工序，从能够提高赋予盐水后的耐湿热性的观点考虑，更优选包括通过对转印后的感光性树脂层进行加热处理使含羧基的丙烯酸树脂的至少一部分成为羧酸酐的工序。对转印后的感光性树脂层的加热处理优选在曝光及显影后进行，即优选为曝光及显影后的后烘干工序。感光性树脂层为热固性树脂层的情况下，尤其优选进行后烘干工序。
关于通过对转印后的感光性树脂层进行加热处理使含羧基的丙烯酸树脂的至少一部分成为羧酸酐的工序中的加热温度，在将薄膜基板用作基板的情况下，优选为100～160℃，更优选为140～150℃。
层叠体的制造方法优选包括将感光性树脂层进行固化的工序，更优选包括进行图案固化的工序。由此，在将感光性树脂层从本发明的转印薄膜转印到电极图案上之后，能够通过光刻显影成所希望的图案。
层叠体的制造方法更优选包括在将感光性树脂层进行固化的工序之后，将感光性树脂层的未固化部(光固化的情况下，仅将未曝光部，或者仅将曝光部)进行显影并去除的工序。
[静电电容型输入装置]
本发明的静电电容型输入装置包含本发明的层叠体。
本发明的静电电容型输入装置优选通过卷绕配线的终端部而与形成于聚酰亚胺薄膜等上的柔性配线连接。因此，优选卷绕配线的终端部不被感光性树脂层包覆。
图13中示出该方式。图13中示出包含电极图案的卷绕配线(其他导电性要件6)和卷绕配线的终端部31的以下结构的静电电容型输入装置。
由于卷绕配线的终端部31上的感光性树脂层成为未固化部(未曝光部)，因此通过显影而被去除，露出卷绕配线的终端部31。
图14及图15中示出具体的曝光及显影的方式。图14表示通过层压将具有感光性树脂层的本发明的转印薄膜30层叠于静电电容型输入装置的电极图案上，并通过曝光等进行固化之前的状态。在利用光刻的情况下，即，在通过曝光进行固化的情况下，使用掩模来进行图案曝光及未曝光部的显影，从而能够得到图15所示形状的感光性树脂层的固化部(曝光部)33。具体而言，在图15中，作为感光性树脂层的未固化部而与卷绕配线的终端部对应的开口部34、及具有在静电电容型输入装置的框部轮廓的外侧突出的感光性树脂层的本发明的转印薄膜的端部被去除的结果，得到感光性树脂层的固化部(用于避免包覆卷绕配线的终端部(引出配线部)的所希望的图案)。
由此，能够将制作于聚酰亚胺薄膜上的柔性配线直接连接于卷绕配线的终端部31，由此能够将传感器的信号发送到电路。
以下，对本发明的静电电容型输入装置的优选的方式的详细内容进行说明。
本发明的静电电容型输入装置在基板(相当于本发明的层叠体中的基板。也称作前面板)和基板的非接触面侧至少具有下述要件(3)～(5)、(7)及(8)，优选具有本发明的层叠体。
(3)多个第一电极图案，由多个焊盘部分经由连接部分在第一方向上延伸形成；
(4)多个第二电极图案，与第一电极图案电绝缘，且由在与第一方向交叉的方向上延伸形成的多个焊盘部分构成；
(5)绝缘层，将第一电极图案与第二电极图案进行电绝缘；
(7)第二感光性树脂层，以包覆要件(3)～(5)的全部要件或一部分要件的方式形成；
(8)感光性树脂层，以包覆要件(7)的方式相邻地形成。
在此，(7)第二感光性树脂层相当于本发明的层叠体中的第二感光性树脂层。并且，所述(8)感光性树脂层相当于本发明的层叠体中的感光性树脂层。另外，感光性树脂层优选为通常公知的静电电容型输入装置中的所谓的透明保护层。
本发明的静电电容型输入装置中，(3)第一电极图案及(4)第二电极图案可以是透明电极图案，也可以不是透明电极图案，但从耐弯曲性的观点考虑，优选不是透明电极图案。
本发明的静电电容型输入装置还可以具有(6)与第一电极图案及第二电极图案中的至少一个电连接，且与第一电极图案及第二电极图案不同的导电性要件。
在此，在(4)第二电极图案不是本发明的层叠体中的电极图案、且不具有(6)其他导电性要件的情况下，(3)第一电极图案相当于本发明的层叠体中的电极图案。
在(4)第二电极图案是本发明的层叠体中的电极图案、且不具有(6)其他导电性要件的情况下，(3)第一电极图案及(4)第二电极图案中的至少一个相当于本发明的层叠体中的电极图案。
在(4)第二电极图案不是本发明的层叠体中的电极图案、且具有(6)其他导电性要件的情况下，(3)第一电极图案及(6)其他导电性要件中的至少一个相当于本发明的层叠体中的电极图案。
在(4)第二电极图案是本发明的层叠体中的电极图案、且具有(6)其他导电性要件的情况下，(3)第一电极图案、(4)第二电极图案及(6)其他导电性要件中的至少一个相当于本发明的层叠体中的电极图案。
本发明的静电电容型输入装置优选在(3)第一电极图案与基板之间、(4)第二电极图案与基板之间、或者(6)其他导电性要件与基板之间还具有(2)透明膜。在此，从进一步改善电极图案隐蔽性的观点考虑，优选(2)透明膜相当于本发明的层叠体中的折射率为1.6～1.78且厚度为55～110nm的透明膜。
本发明的静电电容型输入装置根据需要优选还具有(1)掩模层和/或装饰层。也为了避免从接触侧能看见电极图案的卷绕配线，或者为了进行装饰，掩模层作为黑色框缘而被设置于用手指或触控笔等所触碰的区域的周围。装饰层为了进行装饰而作为框缘设置于用手指或触控笔等所触碰的区域的周围，例如优选设置白色装饰层。
(1)掩模层和/或装饰层优选存在于(2)透明膜与基板之间、(3)第一电极图案与基板之间、(4)第二电极图案与基板之间、或者(6)其他导电性要件与基板之间。(1)掩模层和/或装饰层更优选与基板相邻设置。
本发明的静电电容型输入装置构成为使用折射率为1.6～1.78且厚度为55～110nm的透明膜和第二感光性树脂层夹持电极图案，由此能够改善电极图案隐蔽性问题。
＜静电电容型输入装置的结构＞
首先，关于本发明的静电电容型输入装置的优选结构，结合构成装置的各部件的制造方法进行说明。图1是表示本发明的静电电容型输入装置的优选结构的剖视图。图1中示出静电电容型输入装置10由基板1、掩模层2、折射率为1.6～1.78且厚度为55～110nm的透明膜11、第一电极图案3(图1中仅图示连接部分3b)、第二电极图案4、绝缘层5、其他导电性要件6、第二感光性树脂层12及感光性树脂层7构成的方式。
并且，表示后述图3中的X-Y剖面的图9也同样是表示本发明的静电电容型输入装置的优选结构的剖视图。图9中示出静电电容型输入装置10由基板1、折射率为1.6～1.78且厚度为55～110nm的透明膜11、第一电极图案3(图9中仅图示焊盘部分3a)、第二电极图案4、第二感光性树脂层12及感光性树脂层7构成的方式。
基板1能够使用作为本发明的层叠体中的电极图案的材料而举出的材料。并且，图1中将基板1的设置有各要件的一侧称作非接触面侧。在本发明的静电电容型输入装置10中，通过将手指等接触于基板1的接触面(与非接触面相反的面)而进行输入。
在基板1的非接触面上设置有掩模层2。掩模层2为在触摸面板基板的非接触面侧形成的显示区域周围的框缘状图案，是为了避免看见卷绕配线等而形成的。
如图2所示，在本发明的静电电容型输入装置10中，以包覆基板1的一部分区域(图2中为除了输入面以外的区域)的方式设置有掩模层2。另外，在基板1上，如图2所示能够在局部设置开口部8。在开口部8能够设置按压式机械开关。
图1中，在基板1的非接触面上形成有：多个第一电极图案3(图1中示出的是第一透明电极图案的连接部分3b)，由多个焊盘部分经由连接部分在第一方向上延伸形成；多个第二电极图案4，与第一电极图案3电绝缘，且由在与第一方向交叉的方向上延伸形成的多个焊盘部分构成；绝缘层5，将第一电极图案3和第二电极图案4进行电绝缘。第一电极图案3、第二电极图案4及后述其他导电性要件6能够使用作为本发明的层叠体中的电极图案的材料而举出的材料。
第一电极图案3及第二电极图案4中的至少一方能够横跨基板1的非接触面及掩模层2的与基板1相反的一侧的面这两个区域而设置。图1中示出第二电极图案4横跨基板1的非接触面及掩模层2的与基板1相反的一侧的面这两个区域而设置的图。
如此，即使在横跨需要一定厚度的掩模层和基板的非接触面(接触面的背面)而层压感光性薄膜的情况下，通过使用具有后述特定的层结构的感光性薄膜，即使不使用真空层压机等昂贵的设备，也能够以简单的工序在掩模部分边界进行不产生气泡的层压。
利用图3对第一电极图案3及第二电极图案4进行说明。图3是表示本发明中的第一电极图案及第二电极图案的一例的说明图。如图3所示，第一电极图案3是通过焊盘部分3a经由连接部分3b在第一方向C上延伸而形成的。并且，第二电极图案4通过绝缘层5而与第一电极图案3电绝缘，且由在与第一方向交叉的方向(图3中的第二方向D)上延伸形成的多个焊盘部分构成。在此，在形成第一电极图案3的情况下，可以将焊盘部分3a和连接部分3b制作成一体，也可以仅制作连接部分3b，并将焊盘部分3a和第二电极图案4制作(图案化)成一体。在将焊盘部分3a和第二电极图案4制作(图案化)成一体的情况下，如图3所示，以连接部分3b的一部分与焊盘部分3a的一部分被连结且第一电极图案3与第二电极图案4通过绝缘层5被电绝缘的方式形成各层。
并且，图3中的未形成有第一电极图案3、第二电极图案4及其他导电性要件6的区域，相当于本发明的层叠体中的非图案区域22。
图1中，在掩模层2的与基板1相反的一侧的面侧设置有其他导电性要件6。其他导电性要件6与第一电极图案3(图1中示出的是第一透明电极图案的连接部分3b)及第二电极图案4中的至少一方电连接，且为与第一电极图案3及第二电极图案4不同的要件。
图1中示出其他导电性要件6与第二电极图案4连接的方式。
并且，在图1中，以包覆所有的各构成要件的方式设置有感光性树脂层7。感光性树脂层7也可以以仅包覆一部分各构成要件的方式构成。绝缘层5和感光性树脂层7可以是相同的材料，也可以是不同的材料。作为构成绝缘层5的材料，能够优选使用作为本发明的层叠体中的感光性树脂层的材料举出的材料。
＜静电电容型输入装置的制造方法＞
作为在制造本发明的静电电容型输入装置的过程中形成的方式例，能够举出图4～图8的方式。图4是表示形成有开口部8的由强化处理玻璃构成的透明的基板1的一例的俯视图。图5是表示形成有掩模层2的基板的一例的俯视图。图6是表示形成有第一电极图案3的基板的一例的俯视图。图7是表示形成有第一电极图案3和第二电极图案4的基板的一例的俯视图。图8是表示形成有与第一电极图案及第二电极图案不同的导电性要件6的基板的一例的俯视图。这些是表示将以下说明进行具体化的例子的图，本发明的范围并不会被这些附图限定地解释。
在静电电容型输入装置的制造方法中，在形成第二感光性树脂层12及感光性树脂层7的情况下，能够通过使用本发明的转印薄膜，在任意地形成有各要件的基板1的表面转印第二感光性树脂层及感光性树脂层而形成。
在静电电容型输入装置的制造方法中，优选使用依次具有临时支撑体和感光性树脂层的感光性薄膜而形成掩模层2、第一电极图案3、第二电极图案4、绝缘层5、其他导电性要件6中的至少一个要件。
若使用本发明的转印薄膜或感光性薄膜来形成各要件(掩模层2、第一电极图案3、第二电极图案4、绝缘层5、其他导电性要件6中的至少一个要件)，则即使是具有开口部的基板，抗蚀剂成分也不会从开口部分泄漏和/或溢出，尤其在需要将遮光图案形成至基板的边缘部的边界线正上方为止的掩模层上，抗蚀剂成分不会从基板的边缘部泄漏和/或溢出。因此能够不会污染基板的非接触面侧，而以简单的工序制造薄型化及轻量化的触摸面板。
在使用感光性薄膜来形成使用了掩模层、绝缘层、导电性感光性树脂层的情况下的第一电极图案、第二电极图案及其他导电性要件等永久材料的情况下，感光性薄膜可以在层压于基板之后，根据需要而被进行图案曝光。感光性薄膜可以是负型材料，也可以是正型材料。在感光性薄膜为负型材料的情况下，将非曝光部进行显影处理而去除，在正型材料的情况下，将曝光部进行显影处理而去除，从而能够获得图案。显影时可以分别用不同的显影液将热塑性树脂层和感光性树脂层进行显影而去除，也可以用相同的显影液进行去除。根据需要，可以将刷子、高压喷射器等公知的显影设备进行组合。在显影之后，根据需要，也可以进行后曝光和/或后烘干。
(感光性薄膜)
关于在制造本发明的静电电容型输入装置时优选使用的、除了本发明的转印薄膜以外的感光性薄膜，在日本特开2014-178922号公报的[0222]～[0255]中有记载，该公报的内容可以援用于本说明书中。
[图像显示装置]
本发明的图像显示装置具有本发明的静电电容型输入装置。
本发明的静电电容型输入装置及具有该静电电容型输入装置的图像显示装置，能够应用“最新触摸面板技术”(2009年7月6日发行，Techno Times Co.,Ltd.)、三谷雄二监修、“触摸面板的技术和开发”、CMC出版(2004，12)、FPD International 2009 Forum T-11讲座教材、Cypress Semiconductor Corporation应用笔记AN2292等中所公开的结构。
实施例
以下，举出实施例对本发明进行进一步具体的说明。以下实施例中示出的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等，在不脱离本发明的主旨的范围内能够适当地进行变更。从而，本发明的范围并不限定于以下所示的具体例。另外，若无特别说明，“份”及“％”为质量基准。
[实施例1～10、比较例1～9]
[静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物的制备]
以成为下述表1及表2所示组成的方式制备出静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物即材料-1～材料-14。
以下，对使用于材料-1～材料-14中的原材料的详细内容进行说明。
(通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物)
化合物1具有由通式(1)表示的结构。化合物2具有由通式(1)表示的结构。
通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物即化合物1及化合物2通过下述合成例1的方法而合成。
-化合物1的合成-
在将安装有搅拌器、温度计及冷却管的4颈烧瓶的内部取代为氮气的装置中，装入六亚甲基二异氰酸酯(也称作HDI、1,6-二异氰酸酯己烷)600份，在搅拌的状态下，使反应器内部温度保持在70℃。作为异氰脲酸酯化催化剂而加入辛酸四甲基铵，在产率成为40质量％的时刻加入磷酸使反应停止。在过滤反应溶液之后，使用薄膜蒸发罐去除了未反应的HDI。装入所得到的聚异氰酸酯并加热为40℃，相对于聚异氰酸酯的含-NCO的摩尔量，逐渐加入了1.05倍摩尔量的甲乙酮肟。在将甲乙酮肟全部加入完之后，将反应溶液加热为60℃并搅拌了2小时。通过FT-IR(Fourier-transform infrared spectroscopy：傅氏转换红外线光谱分析仪)来确认由异氰酸酯引起的吸收消失之后停止搅拌，得到了封端聚异氰酸酯组合物。将所得到的封端聚异氰酸酯组合物作为化合物1。
-化合物2的合成-
在将安装有搅拌器、温度计及冷却管的4颈烧瓶的内部取代为氮气的装置中装入1,6-二异氰酸酯己烷600份，在搅拌的状态下，使反应器内温度保持在70℃。作为异氰脲酸酯化催化剂而加入辛酸四甲基铵，在产率成为40质量％的时刻添加磷酸，并使反应停止。在过滤反应溶液之后，使用薄膜蒸发罐去除了未反应的HDI。装入所得到的聚异氰酸酯并加热为80℃，相对于聚异氰酸酯的含-NCO的摩尔量，逐渐加入了1.05倍摩尔量的3,5-二甲基吡唑。在将3,5-二甲基吡唑全部加入完之后，将反应溶液进一步搅拌了2小时。通过FT-IR来确认由异氰酸酯引起的吸收消失之后停止搅拌，得到了封端聚异氰酸酯组合物。将所得到的封端聚异氰酸酯组合物设为化合物2。
(添加剂)
作为添加剂，使用了包含由以下结构式表示的化合物的聚合物溶液3。另外，本说明书中的“wt％”与“质量％”含义相同。
[化学式4]
[转印薄膜的制作]
在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜即16μm的临时支撑体上，使用狭缝状喷嘴调整涂布量，以使干燥后的感光性树脂层的厚度成为表3中所记载的厚度，并涂布感光性树脂层用材料-1～材料-14中的任一种，形成了感光性树脂层。在感光性树脂层上压接保护膜(厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)，制作出实施例1～10及比较例1～9的转印薄膜。
[静电电容型输入装置的电极保护膜的制作和评价]
＜屈服点、断裂伸长率＞
如下所述进行求出静电电容型输入装置的电极保护膜的屈服点及断裂伸长率的拉伸试验。
首先，在CERAPEEL(TORAY ADVANCED FILM Co.,Ltd.制造)上，涂布进行拉伸试验的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物并进行干燥，以使干燥后的厚度成为20μm，在CERAPEEL表面形成静电电容型输入装置的电极保护膜(以下，称作聚合物膜)。接着，用高压汞灯对形成于CERAPEEL表面的聚合物膜以120mJ/cm2进行曝光而进行固化之后，在145℃下加热30分钟，之后切断为3cm×5mm的大小。之后，将聚合物膜从CERAPEEL进行剥离。通过拉伸试验机(TENSILON：A&D Company制造)在23℃且相对湿度为50％的环境下，以50mm/分钟的速度对所得到的聚合物膜进行拉伸试验，测定伸长率(伸展度)和应力。另外，用高压汞灯以120mJ/cm2进行曝光而进行固化之后在145℃下加热30分钟的条件是使固化完全结束的条件。关于固化完全结束，能够通过即使进一步追加加热10分钟，聚合率也不发生变化来确认。
该拉伸试验中，聚合物膜的伸长率根据拉伸应力而变大，若超过一定的应力，则会引起如下现象，即，相对于应变(伸长率)变大，拉伸应力却下降。将该现象判断为聚合物膜“屈服”，将该点上的应力称作屈服点。将表示该行为的聚合物判断为“具有屈服点”。另一方面，将拉伸应力和伸长率同时上升，且在一定应力下断裂的聚合物膜判断为“不具有屈服点”。另外，作为能够形成具有屈服点的聚合物膜的市售品的粘合剂聚合物，可以举出例如Mitsui Chemicals,Inc.制造的Bonron XPS001、Bonron XPS002(均为商品名称：丙烯酸树脂粒子分散物)、TOYOBO CO.,LTD.Hardlen NZ-1001(商品名称：酸改性烯烃树脂粒子分散物)等。Bonron XPS001使用于材料-7中。
关于“不具有屈服点”聚合物膜，将断裂时的伸长率作为断裂伸长率而求出。
将所得到的结果记载于下述表3中。
＜耐弯曲性＞
通过以下方法制备出在具有100μm、75μm、65μm及50μm厚度的下述表3中所记载的基板的单面或两面，以膜厚10μm层叠各实施例及比较例的静电电容型输入装置的电极保护膜而成的样品。
在实施例1～6及比较例1～9中，使用剥离了保护膜的实施例1～6及比较例1～9的转印薄膜，在下述表3中所记载的基板的单面或两面上，依次转印感光性树脂层及临时支撑体，得到了层叠体(基板的温度：40℃、橡胶辊温度110℃、线压3N/cm、输送速度2m/分钟)。之后，对所得到的层叠体，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi High-TechElectronics Engineering Co.,Ltd.制造)，将曝光掩模(具有外涂层形成用图案的石英曝光掩模)面与临时支撑体之间的距离设定为125μm，并隔着临时支撑体以曝光量100mJ/cm2(i射线)进行了图案曝光。在剥离临时支撑体之后，使用纯碱2质量％的水溶液在32℃下对图案曝光后的层叠体(薄膜基板)进行了60秒钟的清洗处理。通过从超高压清洗喷嘴对清洗处理后的基板喷吹超纯水而去除了残渣。接着，喷吹空气而去除基板上的水分，进行145℃且30分钟的加热(后烘干)处理，从而制备出在基板上层叠有感光性树脂层的样品。
在实施例7～10的耐弯曲性试验中，将通过后述方法制作的实施例7～10的层叠体作为在100μm的基板上层叠有静电电容型输入装置的电极及感光性树脂层的样品。而且，在实施例7～10的层叠体的制作中，制作出使用了除了将基板的厚度分别变更为75μm、65μm及50μm以外，以与基板-1或基板-2相同的方式制作的、具备静电电容型输入装置的电极的基板的样品，制备出在75μm、65μm及50μm的基板上层叠有静电电容型输入装置的电极及感光性树脂层的样品。
使用依照JIS(Japanese Industrial Standards：日本工业标准)K5600的芯棒试验机，并使用直径为2mm的金属棒，实施了有关耐弯曲性的芯棒试验。在重复进行1000次将各样品卷绕于金属棒上的试验之后，使用显微镜观察了外观。
按照以下基准评价了观察到开裂和白化等外观异常的样品和未观察到外观异常的样品。另外，基板的厚度越厚，芯棒试验后越容易产生外观异常。
A：在将静电电容型输入装置的电极保护膜层叠于具有100μm厚度的基板上的情况下未观察到外观异常。
B：在将静电电容型输入装置的电极保护膜层叠于具有100μm厚度的基板上的情况下观察到外观异常，但在层叠于具有75μm、65μm及50μm厚度的基板上的情况下未观察到外观异常。
C：在将静电电容型输入装置的电极保护膜层叠于具有100μm及75μm厚度的基板上的情况下观察到外观异常，但在层叠于具有65μm及50μm厚度的基板上的情况下未观察到外观异常。
D：在将静电电容型输入装置的电极保护膜层叠于具有100μm、75μm及65μm厚度的基板上的情况下观察到外观异常，但在层叠于具有50μm厚度的基板上的情况下未观察到外观异常。
E：在将静电电容型输入装置的电极保护膜层叠于具有100μm、75μm、65μm及50μm厚度的基板上的情况下观察到外观异常。
将所得到的结果记载于下述表3中。
[具备静电电容型输入装置的电极的基板的制作]
在实施例7～10中，在具备静电电容型输入装置的电极的基板上形成实施例7～10的静电电容型输入装置的电极保护膜，制作出实施例7～10的层叠体。
首先，通过以下方法制作出具备静电电容型输入装置的电极的基板。
＜基板-1＞
(卤化银乳剂的制备)
在保持为38℃、pH4.5的下述1溶液中，将分别相当于下述2溶液及3溶液的90％的量，在进行搅拌的同时经20分钟进行添加，从而形成了0.16μm的卤化银核粒子。接着，经8分钟添加下述4溶液及5溶液，进而，经2分钟添加下述2溶液及3溶液的剩余部分的10％的量，使卤化银粒生长至0.21μm。进而添加碘化钾0.15g进行5分钟的成熟，结束了卤化银粒子的银形成。
1溶液：
2溶液：
水 300ml
硝酸银 150g
3溶液：
4溶液：
水 100ml
硝酸银 50g
5溶液：
之后，按照常规方法，通过絮凝法对卤化银粒子进行了水洗。具体而言，将温度降低为35℃，使用硫酸降低了pH(pH为3.6±0.2的范围)，直至卤化银粒子沉淀。接着，去除了约3升的上清液(第一水洗)。进而添加3升的蒸馏水之后，添加了硫酸直至卤化银沉淀。再次去除了3升的上清液(第二水洗)。再重复进行1次与第二水洗相同的操作(第三水洗)，从而结束了水洗/脱盐工序。将水洗/脱盐后的乳剂调整为pH6.4、pAg7.5，添加明胶3.9g、苯硫代磺酸钠10mg、苯硫代亚磺酸钠3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，在55℃下实施化学敏化，以获得最佳灵敏度，作为稳定剂而添加了1,3,3a,7-四氮茚100mg、作为防腐剂而添加了PROXEL(商品名称、ICI Co.,Ltd.制造)100mg。最终得到的乳剂为包含碘化银0.08摩尔％，将氯溴化银的比率设为氯化银70摩尔％、且溴化银30摩尔％的、平均粒径为0.22μm、变动系数为9％的碘溴化银立方体粒子乳剂。
(银盐乳剂层形成用组合物的制备)
在上述乳剂中添加1,3,3a,7-四氮茚1.2×10-4摩尔/摩尔Ag、氢醌1.2×10-2摩尔/摩尔Ag、柠檬酸3.0×10-4摩尔/摩尔Ag、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐0.90g/摩尔Ag，并使用柠檬酸将涂布液的pH调整为5.6，从而得到了银盐乳剂层形成用组合物。
(银盐乳剂层形成工序)
对厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜实施了电晕放电处理之后，在上述PET薄膜的两面，作为下涂层而设置了厚度为0.1μm的明胶层，而且，在下涂层上设置了包含光学浓度约为1.0、且因显影液的碱性而褪色的染料的防光晕层。在上述防光晕层上涂布上述银盐乳剂层形成用组合物，进而设置厚度为0.15μm的明胶层，得到了两面形成有银盐乳剂层的PET薄膜。将所得到薄膜设为薄膜A。所形成的银盐乳剂层中银量为6.0g/m2，明胶量为1.0g/m2。
(曝光显影工序)
在上述薄膜A的两面，隔着配置有线与空间(线/空间，以下，也称作L/S)为50μm/50μm的梳子型图案的光掩模，使用将高压汞灯作为光源的平行光进行了曝光。曝光之后，用下述显影液进行显影，进而使用定影液(商品名称：CN16X用N3X-R、Fujifilm Corporation制造)进行了显影处理。进而，用纯水进行冲洗并干燥，由此得到了两面形成有由Ag细线(金属细线)构成的电极图案和明胶层的PET薄膜。明胶层形成于Ag细线之间，根据荧光X射线分析，此时的Ag细线中的Ag量为5.5g/m2。将所得到的带梳子型配线图案薄膜设为基板-1。
(显影液的组成)
显影液1升(L)中包含以下化合物。
＜基板-2＞
制作出具有后述进行了图案化的导电膜1的基板-2。另外，根据荧光X射线分析，Ag量为0.015g/m2。
(银纳米线分散液的制作)
-银纳米线分散液(1)的制备-
使硝酸银粉末60g溶解于丙二醇370g中，制备出硝酸银溶液101。在丙二醇4.45kg中添加聚乙烯基吡咯烷酮(分子量55,000)72.0g，一边使氮气通过容器的气相部分，一边升温为90℃。将该溶液设为反应溶液101。在保持通氮气的状态下，对剧烈搅拌的反应溶液101中添加2.50g的硝酸银溶液101，并进行了1分钟的加热搅拌。进而，对该溶液添加将四丁基氯化铵11.8g溶解于丙二醇100g而成的溶液，并设为反应溶液102。
对保持在90℃且以搅拌速度500rpm(revolutions per minute：每分钟转数)进行搅拌的反应溶液102中，以50cm3/分钟的添加速度添加了200g的硝酸银溶液101。使搅拌速度降低为100rpm，并停止通氮气，进行了15小时的加热搅拌。对保持在90℃且以100rpm的搅拌速度进行搅拌的反应溶液中，以0.5cm3/分钟的添加速度添加220g的硝酸银溶液101，在添加结束之后，持续了2小时的加热搅拌。将搅拌速度变更为500rpm，在添加蒸馏水1.0kg之后冷却至25℃，从而制作出反应液101。
使用分级分子量为15万的超滤模块，如下实施了超滤。重复进行了对反应液101的添加蒸馏水和1-丙醇的混合溶液(体积比1比1)和浓缩反应液101，直至最终滤液的导电率成为50μS/cm以下。进行浓缩，得到了金属含量为0.45质量％的银纳米线分散液(1)。
关于所得到的银纳米线分散液(1)的银纳米线，测定出平均短轴长及平均长轴长。其结果，平均短轴长为28.5nm，平均长轴长为15.2μm。以下，在表述为“银纳米线分散液(1)”的情况下，表示通过上述方法得到的银纳米线分散液。
(导电膜1的制作)
将下述组成的烷氧基化合物溶液在60℃下搅拌1小时，并确认了其变得均匀。通过GPC(聚苯乙烯换算)测定所得到的溶胶凝胶溶液的重均分子量的结构，重均分子量为4,400。将溶胶凝胶溶液2.24份和通过上述方法而制备的银纳米线分散液(1)17.76份进行混合，进而用蒸馏水及1-丙醇进行稀释而得到银纳米线涂布液(1)。所得到的涂布液的溶剂比率为蒸馏水:1-丙醇＝60:40(体积比)。在PET基板(厚度100μm)上，通过棒涂法以银量成为0.015g/m2、总固体成分涂布量成为0.120g/m2的方式涂布银纳米线涂布液(1)之后，在120℃下干燥1分钟，从而形成了含有银纳米线的导电膜1。
(烷氧基化合物的溶液)
·四乙氧基硅烷 5.0份
(KBE-04、Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)
·1质量％的乙酸水溶液 11.0份
·蒸馏水 4.0份
(导电膜1的图案化)
在导电膜1上，通过旋涂法涂布光致抗蚀剂(TMSMR-8900LB：TOKYO OHKA KOGYOCO.,LTD.制造)，并在90℃下煅烧了60秒钟。接着，使用光掩模进行图案曝光(曝光量：12mW/cm2、20秒钟)，并通过显影液(NMD-W：TOKYO OHKA KOGYO CO.,LTD.制造)进行显影，在进行水洗及干燥之后，在120℃下煅烧60秒钟，在导电膜1上形成了被实施图案化的光致抗蚀剂。
接着，在银蚀刻液(SEA-2：KANTO CHEMICAL CO.,INC.制造)中浸渍30秒钟之后，进行水洗及干燥，并对银纳米线进行蚀刻，在导电膜1上形成了非导电部。之后，使用中性剥离液(PK-SFR8120：Parker corporation,Inc.制造)来剥离光致抗蚀剂，之后，进行水洗及干燥，从而制作出被图案化为梳子状电极图案(L/S＝50μm/50μm)的导电膜1。
[层叠体的制作]
使用剥离了保护膜的实施例7～10的转印薄膜，在下述表3中所记载的具备静电电容型输入装置的电极的基板的单面或两面上，依次层叠感光性树脂层及临时支撑体，得到了层叠体(基板温度：40℃、橡胶辊温度110℃、线压3N/cm、输送速度2m/分钟)。
之后，在所得到的层叠体上，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(HitachiHigh-Tech Electronics Engineering Co.,Ltd.制造)，将曝光掩模(具有外涂层形成用图案的石英曝光掩模)面与临时支撑体之间的距离设定为125μm，并隔着临时支撑体以曝光量100mJ/cm2(i射线)进行了图案曝光。在剥离了临时支撑体之后，使用纯碱2质量％的水溶液对图案曝光后的层叠体(薄膜基板)在32℃下进行了60秒钟的清洗处理。通过从超高压清洗喷嘴对进行清洗处理后的基板喷射超纯水而去除了残渣。接着，喷吹空气而去除基板上的水分，进行145℃且30分钟的加热(后烘干)处理，得到了在基板上依次具备电极图案(静电电容型输入装置的电极)及感光性树脂层的层叠体。将所得到的层叠体设为实施例7～10的层叠体。
＜导通试验＞
使试验机接触实施例7～10的层叠体的电极图案的端子，并测定配线电阻，由此实施了导通试验。
使用数字万用表(PICOTEST公司制造的M3500)进行了测定。在各实施例中，分别准备5个等级的图16及图17所示的网格图案的电极图案，将电阻值的平均值设为网格图案的电极图案的配线电阻。
对实施例7～10的层叠体，以与对静电电容型输入装置的电极保护膜的芯棒试验相同的方式进行了芯棒试验。将芯棒试验前后配线电阻变化为10％以下的层叠体设为未导通试验A评价，将配线电阻变化超过10％的层叠体设为导通试验B评价。将所得到的结果记载于下述表3中。
由上述表3可知，本发明的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物能够形成耐弯曲性良好的静电电容型输入装置的电极保护膜。
另一方面，不包含重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物，且也不包含通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物的比较例1～3的耐弯曲性为E评价，为较差。
不包含通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物的比较例4及5的耐弯曲性为E评价，为较差。
不包含重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比较例7～9的耐弯曲性为C评价或D评价，为较差。
[静电电容型输入装置及图像显示装置(触摸面板)的制作]
在通过日本特开2009-47936号公报的[0097]～[0119]中所记载的方法制造的液晶显示元件上贴合上述所制造的实施例7～10的层叠体，进而，贴合前玻璃板，由此通过公知的方法而制作出实施例7～10的静电电容型输入装置及图像显示装置。
＜静电电容型输入装置及图像显示装置的评价＞
包含实施例7～10的层叠体的图像显示装置为耐弯曲性良好的图像显示装置。
符号说明
1-基板，2-掩模层，3-电极图案(第一电极图案)，3a-焊盘部分，3b-连接部分，4-电极图案(第二电极图案)，5-绝缘层，6-其他导电性要件，7-感光性树脂层，8-开口部，10-静电电容型输入装置，11-透明膜，12-第二感光性树脂层，13-层叠体，21-依次层叠有电极图案和感光性树脂层的区域，22-非图案区域，α-锥角，26-临时支撑体，27-热塑性树脂层，28-中间层，29-保护膜，30-转印薄膜，31-卷绕配线的终端部，33-感光性树脂层的固化部，34-与卷绕配线的终端部对应的开口部(感光性树脂层的未固化部)，C-第一方向，D-第二方向。

Claims (16)

1.一种静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
所述(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
2.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
将所述静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物固化后的静电电容型输入装置的电极保护膜在23℃、相对湿度为50％的环境下的拉伸试验中，断裂伸长率为5％以上。
3.根据权利要求1或2所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
所述(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1-1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为350以上的光聚合性化合物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
在所述静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于所有所述(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物，所述(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例为10质量％以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
在所述静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物中，相对于总固体成分，所述(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物的比例为5质量％以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
所述(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物为封端异氰酸酯。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物，其中，
所述(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物为具有由下述通式(1)表示的结构的化合物；
通式(1)
[化学式1]
所述通式(1)中，R1～R3分别独立地表示1价的有机基团。
8.一种静电电容型输入装置的电极保护膜，其由权利要求1至7中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物形成。
9.一种转印薄膜，其具有临时支撑体和感光性树脂层，该感光性树脂层包含权利要求1至7中任一项所述的静电电容型输入装置的电极保护膜用组合物。
10.一种静电电容型输入装置的电极保护膜，其从权利要求9所述的转印薄膜去除了所述临时支撑体。
11.一种层叠体，其在具备静电电容型输入装置的电极的基板上具有权利要求8或10所述的静电电容型输入装置的电极保护膜，或者具有通过转印权利要求9所述的转印薄膜的所述感光性树脂层而形成的静电电容型输入装置的电极保护膜。
12.一种层叠体，其具有：
基板，该基板具备静电电容型输入装置的电极；及
感光性树脂层，该感光性树脂层位于所述基板上，
其中，
所述感光性树脂层包含(a)粘合剂聚合物、(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物、(c)光聚合引发剂及(d)通过加热能够与酸基或醇性羟基反应的化合物，
(b)具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物包含(b1)重均分子量除以聚合性基团的平均个数所得的值为270以上的光聚合性化合物。
13.根据权利要求11或12所述的层叠体，其中，
所述静电电容型输入装置的电极包含：选自Au、Ag、Cu及Al的至少一种金属；或者选自Au、Ag、Cu及Al的至少一种金属的合金。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的层叠体，其中，
所述感光性树脂层被固化。
15.一种静电电容型输入装置，其包含权利要求11至14中任一项所述的层叠体。
16.一种图像显示装置，其具有权利要求15所述的静电电容型输入装置。
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