CN107966878A - 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置 - Google Patents

量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107966878A
CN107966878A CN201710977354.5A CN201710977354A CN107966878A CN 107966878 A CN107966878 A CN 107966878A CN 201710977354 A CN201710977354 A CN 201710977354A CN 107966878 A CN107966878 A CN 107966878A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dots
polymer complexes
complexes membrane
compound
combinations
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710977354.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107966878B (zh
Inventor
金泰坤
权河
权河一
田信爱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Samsung SDI Co Ltd
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Samsung SDI Co Ltd
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd, Samsung SDI Co Ltd, Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN107966878A publication Critical patent/CN107966878A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107966878B publication Critical patent/CN107966878B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/34Introducing sulfur atoms or sulfur-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/37Thiols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/22Luminous paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0044Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists involving an interaction between the metallic and non-metallic component, e.g. photodope systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/773Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/778Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/783Organic host/matrix, e.g. lipid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/813Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/815Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
    • Y10S977/818III-P based compounds, e.g. AlxGayIn2P
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/813Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/824Group II-VI nonoxide compounds, e.g. CdxMnyTe
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y10S977/897Polymerization
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

公开量子点‑聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置。所述量子点‑聚合物复合物膜包括:多个量子点,其中所述量子点在其表面上包括有机配体;包含碳‑碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物;和选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。

Description

量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置
技术领域
公开量子点-聚合物复合物膜、其制造方法、和包括其的装置。
背景技术
量子点(半导体纳米晶体)可通过控制纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能带隙,且因此可发射多种光致发光波长的光。由于量子点具有100%的理论量子产率(QY)并且发射具有高的色纯度(例如,小于或等于约40nm的半宽度(FWHM))的光,因此作为发光材料的量子点可实现增加的发光效率和改善的颜色再现性。在湿化学方法中,在晶体生长期间有机材料例如分散剂配位在半导体晶体的表面上。结果,可提供具有均匀地控制的尺寸并且具有良好的光致发光特性和稳定性的量子点。
另一方面,量子点为纳米尺寸的颗粒,并且量子点的光致发光特性和稳定性可容易地受外部环境影响。因此,量子点分散在固体状态的基质(例如,聚合物基体)中以形成量子点-聚合物复合物,并且该复合物应用于多种电子装置例如显示器和照明装置。然而,在制造成复合物的过程(例如,热处理)期间,量子点的原始光致发光特性可大大恶化。因此,需要能够制造量子点-聚合物复合物或将其图案化而不使量子点的原始性质恶化的技术的开发。
发明内容
一个实施方式提供能够防止量子点的劣化的量子点-聚合物复合物膜。
另一实施方式提供制造所述量子点-聚合物复合物膜的方法。
还一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物膜的装置。
根据一种实施方式,量子点-聚合物复合物膜包括:多个量子点,其中所述量子点在其表面上包括有机配体;包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物;和选自高沸点溶剂的残留物(residue)、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。
所述量子点可选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、及其组合。
所述有机配体可选自RC(=O)OH、RC(=O)OM、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RSM、R3PO、R3P、ROH、RP(=O)(OH)2、R2P(=O)OH、R2NC(=S)SM(其中,R独立地选自C5-C24烷基、C5-C24烯基、和C6-C20芳基且M为单价金属)、聚合物有机配体、及其组合。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体可选自二(甲基)丙烯酸酯化合物、三(甲基)丙烯酸酯化合物、四(甲基)丙烯酸酯化合物、五(甲基)丙烯酸酯化合物、六(甲基)丙烯酸酯化合物、及其组合。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物可为所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体和具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物的固化产物。
所述高沸点溶剂可为具有约200℃-约350℃、例如约250℃-约330℃或约250℃-约300℃的沸点的化合物。
所述高沸点溶剂可选自C6-C20脂族烃化合物、C6-C20醚化合物、C6-C20胺化合物、C6-C20醇化合物、基于卡必醇的化合物、真空润滑油(润滑脂)、离子液体、及其组合。特别地,所述高沸点溶剂可选自:选自十八烯、十二烯、和十四烷的脂族烃化合物;选自辛基醚和苯基醚的醚化合物;选自三辛基胺、油胺、二乙醇胺、和三乙醇胺的基于胺的化合物;选自油醇、甘油、一缩二乙二醇、和二缩三丙二醇甲基醚的醇化合物;选自乙基卡必醇乙酸酯和丁基卡必醇乙酸酯的基于卡必醇的溶剂;选自聚硅氧烷油、硅油、氟油、和烃油的真空润滑油;包含选自咪唑吡啶吡咯烷铵、哌啶 和锍的阳离子的离子液体;及其组合。
所述多价金属化合物可包括选自Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、及其组合的金属。
所述多价金属化合物可选自有机金属化合物、有机盐、无机盐、及其组合。
所述多价金属化合物可选自金属卤化物、金属烷基化物、金属羧酸盐、金属(甲基)丙烯酸盐、金属二烷基二硫代氨基甲酸盐、金属硫属化物、及其组合。
所述多价金属化合物可选自金属氯化物例如氯化锌、氯化铟、氯化镉、氯化铝、氯化铁、或氯化锰;金属烷基化物例如二乙基锌、二丙基锌、二丁基锌、三乙基铝、或三丁基铝;有机金属化合物例如羧酸锌例如乙酸锌、丙烯酸锌、二乙基二硫代氨基甲酸锌、或乙酸铟、及其组合。
所述量子点-聚合物复合物膜可进一步包括聚合物粘结剂。所述聚合物粘结剂可选自基于丙烯酰基的聚合物粘结剂、基于cardo的聚合物粘结剂、及其组合。
所述聚合物粘结剂可具有约30mg KOH/g-约200mg KOH/g、例如约50mg KOH/g-约150mg KOH/g的酸值。
所述聚合物粘结剂可具有约1,000-约150,000g/mol的重均分子量。
所述量子点-聚合物复合物膜可进一步包括选自金属氧化物颗粒、金属颗粒、及其组合的光散射体。在这里,可进一步添加分散剂以提高所述光散射体的可分散性。
所述量子点-聚合物复合物膜可包括:约1重量%-约50重量%的所述量子点;约0.5重量%-约30重量%的所述能光聚合的单体的固化产物;和约0.01-约15重量%的所述残留物。
所述量子点-聚合物复合物膜可包括所述多价金属化合物的残留物,和所述聚合物粘结剂可包括羧酸根离子基团(C(=O)O-)。
根据另一实施方式,制造量子点-聚合物复合物膜的方法包括:将包含多个量子点(其中所述量子点在其表面上包括有机配体)、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、光引发剂、和溶剂的光敏组合物涂布在基底上,继之以干燥其以获得膜;将所述膜在掩模下曝光和将所述膜显影以形成图案化的膜;将选自高沸点溶剂、多价金属化合物溶液、及其组合的材料涂布在所述图案化的膜上以形成液体阻挡层;和热处理其上形成有所述液体阻挡层的所述图案化的膜。
所述方法可进一步包括在所述液体阻挡层上设置膜或箔。
所述热处理可在大于或等于约120℃且小于约200℃的温度下进行。
所述光敏组合物可进一步包含聚合物粘结剂和光散射体的至少一种。
所述量子点、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、聚合物粘结剂、和光散射体与在所述量子点-聚合物复合物膜中描述的相同。
另一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物膜的滤色器。
还一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物膜的装置。
即使在光刻过程之后,所述量子点-聚合物复合物膜也不遭遇量子点的发光效率的恶化。
附图说明
图1显示使用根据实施方式的光敏组合物(光刻胶)制造用于滤色器的图案的过程。
图2为根据实施方式的液晶显示器(LCD)的示意性横截面图。
图3为根据实施方式的太阳能电池模块的示意图。
图4为显示根据实施例1到6以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜在热处理(后烘烤,POB)之前和之后的光转换效率的保持率的图。
图5为显示根据实施例7到10以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜在热处理(后烘烤,POB)之前和之后的光转换效率的保持率的图。
图6为显示根据实施例11和对比例1的量子点-聚合物复合物膜在各步骤处的光转换效率的图。
图7为显示根据对比例1、实施例1、实施例5和实施例6的量子点-聚合物复合物膜的气相色谱法/质谱法分析(GC/MS)的分析结果的图。
图8为显示根据实施例7以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜的飞行时间二次离子质谱法(ToF-SIMS)的分析结果的图。
图9为显示根据实施例7以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜的红外线光谱法(FT-IR)的分析结果的图。
图10为在除去第二膜之后,根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的照片。
图11为显示在除去第二膜之后,根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光致发光强度的图。
图12为根据实施例12和对比例2的发光二极管的光致发光强度的图。
具体实施方式
参照以下实例实施方式以及附于此的图,本公开内容的优点和特性以及用于实现其的方法将变得明晰。然而,所述实施方式可以许多不同的形式体现并且不应被解释为限于本文中阐明的实施方式。如果未另外定义,则说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常理解地定义。常用字典中定义的术语不可理想化地或夸大地解释,除非清楚地定义。另外,除非明确地相反说明,否则措辞“包括(包含)”将被理解为暗示包括所陈述的要素,但是不排除任何其它要素。
此外,单数包括复数,除非另外提及。
在附图中,为了清楚,层、膜、面板、区域等的厚度被放大。在说明书中,相同的附图标记始终表示相同的要素。
将理解,当一个元件例如层、膜、区域或基板被称为“在”另外的元件“上”时,其可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反,当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”时,则不存在中间元件。
如本文中使用的,当未另外提供定义时,术语“取代(的)”指的是化合物或基团的氢被选自如下的取代基代替:C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C6-C30芳基、C7-C30烷芳基、C1-C30烷氧基、C1-C30杂烷基、C3-C30杂烷芳基、C3-C30环烷基、C3-C15环烯基、C6-C30环炔基、C2-C30杂环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br、或-I)、羟基(-OH)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、氨基(-NRR',其中R和R'独立地为氢或C1-C6烷基)、叠氮基(-N3)、脒基(-C(=NH)NH2)、肼基(-NHNH2)、腙基(=N(NH2)、醛基(-C(=O)H)、氨基甲酰基(-C(O)NH2)、硫醇基(-SH)、酯基(-C(=O)OR,其中R为C1-C6烷基或C6-C12芳基)、羧基(-COOH)或其盐(-C(=O)OM,其中M为有机或无机阳离子)、磺酸基团(-SO3H)或其盐(-SO3M,其中M为有机或无机阳离子)、磷酸基团(-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2,其中M为有机或无机阳离子)、及其组合。
如本文中使用的,当未另外提供定义时,术语“亚烷基”指的是具有至少二价的直链或支化的饱和脂族烃基,其任选地被一个或多个取代基取代。
如本文中使用的,术语“亚芳基”指的是通过除去芳族环中的至少两个氢而获得的具有至少二价的官能团,其任选地被一个或多个取代基取代。
如本文中使用的,当未另外提供定义时,术语“烷基”指的是C1-C30直链或支化烷基。
如本文中使用的,术语“芳族有机基团”指的是C6-C40例如C6-C30芳基或C6-C20芳基、或者C2-C30杂芳基例如C2-C20杂芳基。
如本文中使用的,术语“脂族烃基”指的是C1-C10烷基、C2-C10烯基、或C2-C10炔基,且术语“脂环族烃基”指的是C3-C20环烷基、C3-C20环烯基、或C6-C20环炔基。
如本文中使用的,术语“(甲基)丙烯酸酯(盐)”指的是丙烯酸酯(盐)和/或甲基丙烯酸酯(盐)。
如本文中使用的,术语“可见光”指的是具有约390nm-约700nm的波长的光,且术语“UV”指的是具有约200nm-约400nm的波长的光。
如本文中使用的,术语“其组合”指的是至少两种组分(成分、部件)的混合物、层叠体、共聚物、合金等。
在实施方式中,量子点-聚合物复合物膜包括:多个量子点,其中所述量子点在其表面上包括有机配体;包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物;和选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。
所述量子点没有特别限制并且可为可商购得到的量子点。例如,所述量子点可选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、及其组合。
所述II-VI族化合物可选自:选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、及其混合物的二元化合物;选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、及其混合物的三元化合物;和选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、及其混合物的四元化合物。所述III-V族化合物可选自:选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、及其混合物的二元化合物;选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、及其混合物的三元化合物;和选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、及其混合物的四元化合物。所述IV-VI族化合物可选自:选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、及其混合物的二元化合物;选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、及其混合物的三元化合物;和选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、及其混合物的四元化合物。所述I-III-VI族化合物可包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe、和CuInGaS,但不限于此。所述I-II-IV-VI族化合物可包括CuZnSnSe和CuZnSnS,但不限于此。所述IV族元素或化合物可包括选自Si、Ge、及其混合物的单质;和选自SiC、SiGe、及其混合物的二元化合物。
所述二元化合物、三元化合物或四元化合物分别在所述量子点颗粒中以均匀的浓度存在或者在相同的颗粒中以局部不同的浓度存在。另外,所述量子点可具有其中一个量子点包围另一(不同的)量子点的芯-壳结构。所述芯和壳可具有界面,且所述界面中的所述芯或壳的至少一个的元素可具有其中所述元素的浓度从所述壳朝着所述芯降低的浓度梯度。另外,所述量子点可具有一个半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的多壳。所述多壳结构具有至少两个壳,其中各壳可为单一组成、合金、或具有浓度梯度的。
在所述量子点颗粒中,所述壳的材料可具有比所述芯的能带隙大的能带隙,且由此所述量子点可更有效地呈现量子限制效应。在多壳型的量子点颗粒的情况中,外部壳的材料的带隙可具有比内部壳(更接近于芯的壳)的带隙高的能量。在这种情况下,所述量子点可发射范围从UV到红外光的波长的光。
所述量子点可具有大于或等于约10%、大于或等于约30%、例如大于或等于约50%、大于或等于约60%、大于或等于约70%、或大于或等于约90%的量子效率。
所述量子点可具有较窄的FWHM以在显示器中实现提升的色纯度(或颜色再现性)。所述量子点可具有小于或等于约45纳米(nm)、例如小于或等于约40nm、或小于或等于约30nm的FWHM。在这样的范围内,包括所述量子点的装置可具有提升的色纯度或改善的颜色再现性。
所述量子点可具有约1nm-约100nm的粒径(对于非球形状,平均最大颗粒尺寸)。例如,所述量子点可具有约1nm-约20nm、例如约2nm-15nm或约3nm-15nm的粒径(对于非球形状,平均最大颗粒尺寸)。
所述量子点的形状可具有本领域中通常使用的形状,因此没有特别限制。例如,所述量子点可具有球形、棱锥形、多臂、或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片颗粒等。
所述量子点可为可商购得到的或者可根据任何方法合成。例如,数纳米尺寸的量子点可根据湿化学过程合成。在所述湿化学过程种,前体在有机溶剂中反应以生长纳米晶体颗粒,且所述有机溶剂或配体化合物可配位在所述半导体纳米晶体的表面上,控制所述纳米晶体的生长。所述有机溶剂和配体化合物的实例是已知的。未配位在所述量子点的表面上的有机溶剂可影响装置的稳定性,且因此可通过如下除去未配位在所述量子点的表面上的过量的有机材料:将其倒在过量的非溶剂中,并且将所得混合物离心。所述非溶剂的实例可为丙酮、乙醇、甲醇等,但不限于此。在除去多余的有机材料之后,配位在所述量子点的表面上的有机材料的量可小于或等于约50重量%、例如小于或等于约30重量%、小于或等于约20重量%或者小于或等于约10重量%。所述有机材料可包括配体化合物、有机溶剂、或其组合。
所述量子点包括结合在其表面上的有机配体。所述有机配体可选自RC(=O)OH、RC(=O)OM、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RSM、R3PO、R3P、ROH、RP(=O)(OH)2、R2P(=O)OH、R2NC(=S)SM(其中,R独立地选自C5-C24烷基、C5-C24烯基、和C6-C20芳基且M为单价金属、例如第1族金属例如Na)、聚合物有机配体、及其组合。
所述有机配体化合物的具体实例可为羧酸化合物或其酯化合物例如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、油酸、苯甲酸等;硫醇化合物例如甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、苄基硫醇等;胺例如甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷胺、十六烷胺、十八烷胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、三丁基胺、三辛基胺等;膦化合物例如甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦、三辛基膦等;膦氧化物化合物例如甲基膦氧化物、乙基膦氧化物、丙基膦氧化物、丁基膦氧化物、戊基膦氧化物、三丁基膦氧化物、辛基膦氧化物、二辛基膦氧化物、三辛基膦氧化物等;二苯基膦、三苯基膦化合物或其氧化物化合物;己基次膦酸;C5-C20烷基膦酸例如辛基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、十八烷基膦酸等,但不限于此。
所述量子点的量可大于或等于约1重量%、例如大于或等于约5重量%、或者大于或等于约10重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。另外,所述量子点的量可小于或等于约50重量%、小于或等于约45重量%、例如小于或等于约40重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。
由于所述量子点具有100%的理论量子效率(QY)且可发射具有高的色纯度(例如,小于或等于约40nm的半宽度(FWHM))的光,因此其可提升发光效率且改善颜色再现性。因此,预期包括所述量子点-聚合物复合物膜的滤色器实现具有高的亮度、宽的视角和高的颜色再现性的显示器。
所述多个量子点通过所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物分散(例如,彼此分离(隔开))。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体包含碳-碳不饱和键且没有特别限制,只要其是能光聚合的。例如,所述能光聚合的单体可为包括至少一个烯属不饱和双键的单官能或多官能的(甲基)丙烯酸酯。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体可选自二(甲基)丙烯酸酯化合物、三(甲基)丙烯酸酯化合物、四(甲基)丙烯酸酯化合物、五(甲基)丙烯酸酯化合物、六(甲基)丙烯酸酯化合物、及其组合。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的具体实例可为乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二缩三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、一缩二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A环氧丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、线型酚醛环氧(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲基醚(甲基)丙烯酸酯、磷酸三(甲基)丙烯酰氧基乙酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯,但不限于此。根据实施方式的能光聚合的单体可选自二(甲基)丙烯酸酯化合物、三(甲基)丙烯酸酯化合物、四(甲基)丙烯酸酯化合物、五(甲基)丙烯酸酯化合物、六(甲基)丙烯酸酯化合物、及其组合。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物的量可大于或等于约0.5重量%、例如大于或等于约1重量%或者大于或等于约2重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。所述能光聚合的单体的量可小于或等于约30重量%、例如小于或等于约20重量%、或小于或等于约10重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。
所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物可为包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体和具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物的固化产物。
所述具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物可包括由化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在化学式1中,
R1为氢;取代或未取代的C1-C30直链或支化烷基;取代或未取代的C6-C30芳基;取代或未取代的C3-C30杂芳基;取代或未取代的C3-C30环烷基;取代或未取代的C3-C30杂环烷基;取代或未取代的C1-C10烷氧基;羟基;-NH2;取代或未取代的C1-C30胺基(-NRR',其中R和R'独立地为氢或C1-C30直链或支化烷基,条件是R和R'不同时为氢);异氰酸酯基团;卤素;-ROR'(其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基且R'为氢或C1-C20直链或支化烷基);酰卤基团(-RC(=O)X,其中R为取代或未取代的亚烷基且X为卤素);-C(=O)OR'(其中R'为氢或C1-C20直链或支化烷基);-CN;或-C(=O)ONRR'(其中R和R'独立地为氢或C1-C20直链或支化烷基),
L1为碳原子、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚环烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基、或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被磺酰基(-SO2-)、羰基(-CO-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-SO-)、酯(-C(=O)O-)、酰胺(-C(=O)NR-)(其中R为氢或C1-C10烷基)、或其组合代替的取代的C2-C30亚烷基,
Y1为直接的键;取代或未取代的C1-C30亚烷基;取代或未取代的C2-C30亚烯基;或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被磺酰基(-S(=O)2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-S(=O)-)、酯(-C(=O)O-)、酰胺(-C(=O)NR-)(其中R为氢或C1-C10直链或支化烷基)、亚胺(-NR-)(其中R为氢或C1-C10直链或支化烷基)、或其组合代替的取代的C2-C30亚烷基或C3-C30亚烯基,
m为1或更大的整数,
k1为0或1,k2为1或更大的整数,和
m与k2之和为3或更大的整数,
条件是当Y1不是直接的键时,m不超过Y1的化合价,且条件是k1与k2之和不超过L1的化合价。
所述具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物可包括由化学式1-1表示的化合物。
[化学式1-1]
在化学式1-1中,
L1'为碳、取代或未取代的C2-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂环烷基,
Ya-Yd独立地为直接的键;取代或未取代的C1-C30亚烷基;取代或未取代的C2-C30亚烯基;或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被磺酰基(-S(=O)2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-S(=O)-)、酯(-C(=O)O-)、酰胺(-C(=O)NR-)(其中R为氢或C1-C10直链或支化烷基)、亚胺(-NR-)(其中R为氢或C1-C10直链或支化烷基)、或其组合代替的取代的C2-C30亚烷基或C3-C30亚烯基,和
Ra-Rd独立地为化学式1的R1或SH,条件是Ra-Rd的至少两个为SH。
所述具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物可为乙氧基化的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、三羟甲基丙烷三(2-巯基乙酸酯)、二醇二-3-巯基丙酸酯、聚丙二醇3-巯基丙酸酯、乙氧基化的三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、二醇二巯基乙酸酯、乙氧基化的二醇二巯基乙酸酯、1,4-双(3-巯基丁酰氧基)丁烷、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、三[2-(3-巯基丙酰氧基)乙基]异氰脲酸酯、1,3,5-三(3-巯基丁氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(2-巯基乙酸酯)、1,6-己二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,2-乙二硫醇、包括1-10个乙二醇重复单元的聚乙二醇二硫醇、或其组合。
所述高沸点溶剂可为具有约200℃-约350℃、例如约250℃-约330℃或约250℃-约300℃的沸点的化合物。具有在所述范围内的沸点的溶剂在光刻过程期间被涂布在所述量子点-聚合物复合物膜的表面上并且在随后的过程、后烘烤过程和洗涤过程之后保留在所述膜内部。
所述高沸点溶剂可选自C6-C20脂族烃化合物、C6-C20醚化合物、C6-C20胺化合物、C6-C20醇化合物、基于卡必醇的化合物、真空润滑油、离子液体、及其组合。
具体地,所述高沸点溶剂可选自:选自十八烯、十二烯、和十四烷的脂族烃化合物;选自辛基醚和苯基醚的醚化合物;选自三辛基胺、油胺、二乙醇胺、和三乙醇胺的基于胺的化合物;选自油醇、甘油、一缩二乙二醇、和二缩三丙二醇甲基醚的醇化合物;选自乙基卡必醇乙酸酯和丁基卡必醇乙酸酯的基于卡必醇的溶剂;选自聚硅氧烷油、硅油、氟油、和基于烃的油的真空润滑油;离子液体;及其组合。
离子液体指的是由离子组成的液体并且可通常为由大阳离子和较小的阴离子组成的熔盐。所述离子液体没有特别限制,但所述离子液体的阳离子可选自由化学式2A表示的咪唑由化学式2B表示的吡啶由化学式2C表示的吡咯烷由化学式2D表示的铵、由化学式2E表示的哌啶由化学式2F表示的和由化学式2G表示的锍。
[化学式2A][化学式2B][化学式2C][化学式2D]
[化学式2E][化学式2F][化学式2G]
在化学式2A到2G中,
R1、R2、R3和R4可为C1-C30直链或支化烷基。
另外,所述离子液体的阴离子可选自Cl-、Br-、NO3-、BF4-、PF6-、AlCl4-、Al2Cl7 -、CH3COO-、CF3COO-、CH3SO3 -、CF3SO3 -、(CF3SO2)2N-、(CF3SO2)3C-、(CF3CF2SO2)2N-、C4F9SO3 -、C3F7COO-、(CF3SO2)(CF3CO)N-、C4F10N-、C2F6NO4S2 -、C2F6NO6S2 -、C4F10NO4S2 -、CF3SO2 -、CF3SO3 -、C4F9SO2 -、C4F9SO3 -、C2H6NO4S2-、C3F6NO3S-、CH3CH(OH)CO2-等。
所述离子液体可为例如化学式3的[双(三氟甲基磺酰)亚胺]1-辛基-3-甲基咪唑([Omim][TFSI])、化学式4的[双(三氟甲基磺酰)亚胺]1-丁基-3-甲基咪唑([Bmim][TFSI])。
[化学式3]
[化学式4]
所述多价金属化合物可包括选自Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、及其组合的金属。
所述多价金属化合物可包括有机金属化合物、有机盐、无机盐、或其组合。
所述多价金属化合物可包括金属卤化物、金属烷基化物、金属羧酸盐例如金属乙酸盐等、金属(甲基)丙烯酸盐、金属二烷基二硫代氨基甲酸盐、金属硫属化物或其组合。所述金属卤化物可为金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等。
所述多价金属化合物可选自金属氯化物例如氯化锌、氯化铟、氯化镉、氯化铝、氯化铁、氯化锰等;金属烷基化物例如二乙基锌、二丙基锌、二丁基锌、三乙基铝、三丁基铝等;有机金属化合物例如羧酸锌例如乙酸锌、丙烯酸锌、二乙基二硫代氨基甲酸锌、乙酸铟等;及其组合。
在一种实施方式中,所述量子点-聚合物复合物膜可包括约1重量%-约50重量%的所述量子点;约0.5重量%-约30重量%的所述能光聚合的单体的固化产物;和约0.01-约15重量%的所述残留物。
另外,所述量子点-聚合物复合物膜可进一步包括聚合物粘结剂。在这种情况下,所述多个量子点在所述聚合物粘结剂和所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物的基体中分散(例如,彼此分离)。
所述聚合物粘结剂可选自基于丙烯酰基的聚合物粘结剂、基于cardo的聚合物粘结剂、及其组合。
所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂为第一不饱和单体和与其能共聚的第二不饱和单体的共聚物。
所述第一不饱和单体可为不饱和羧酸或乙烯基酯化合物例如丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、衣康酸、富马酸、3-丁烯酸、乙酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等,但不限于此。所述第一不饱和单体可单独地或者作为两种或更多种化合物的混合物使用。
所述第二不饱和单体可为烯基芳族化合物例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基苄基甲基醚等;不饱和羧酸酯化合物例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苯酯等;不饱和羧酸氨基烷基酯化合物例如(甲基)丙烯酸2-氨基乙酯、(甲基)丙烯酸2-二甲氨基乙酯、N-苯基马来酰亚胺、N-苄基马来酰亚胺、N-烷基马来酰亚胺、甲基丙烯酸2-二甲氨基乙酯等;不饱和羧酸缩水甘油酯化合物例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等;乙烯基氰化物化合物例如(甲基)丙烯腈等;不饱和酰胺化合物例如(甲基)丙烯酰胺等;(甲基)丙烯酸羟基烷基酯例如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯等,但不限于此。所述第二不饱和单体可单独地或者作为两种或更多种化合物的混合物使用。
所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂的实例可为甲基丙烯酸-甲基丙烯酸苄基酯共聚物、甲基丙烯酸-甲基丙烯酸苄基酯-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸-甲基丙烯酸苄基酯-甲基丙烯酸2-羟基乙酯共聚物、甲基丙烯酸-甲基丙烯酸苄基酯-苯乙烯-甲基丙烯酸2-羟基乙酯共聚物等,但不限于此。它们可单独地或者作为两种或更多种的混合物使用。
在所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂中,得自所述第一不饱和单体的第一结构单元的量可大于或等于约10摩尔%、例如大于或等于约15摩尔%、大于或等于约20摩尔%、或大于或等于约25摩尔%。在所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂中,得自所述第一不饱和单体的第一结构单元的量可小于或等于约45摩尔%、例如小于或等于约35摩尔%、或小于或等于约30摩尔%。
在所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂中,得自所述第二不饱和单体的结构单元的量可大于或等于约10摩尔%、例如大于或等于约15摩尔%、大于或等于约20摩尔%、或大于或等于约25摩尔%。在所述基于丙烯酰基的聚合物粘结剂中,得自所述第二不饱和单体的第二结构单元的量可小于或等于约40摩尔%、例如小于或等于约35摩尔%、或小于或等于约30摩尔%。
所述聚合物粘结剂可具有约1,000-约150,000g/摩尔、例如约3,000-约100,000g/摩尔、约5,000-约50,000g/摩尔或约2,000-约30,000g/摩尔的重均分子量。当所述聚合物粘结剂的重均分子量在所述范围内时,所述量子点-聚合物复合物膜的物理和化学性质改善且粘度是适宜的,并且在所述量子点-聚合物复合物膜的制造期间,与基底的密切接触性质改善。
所述聚合物粘结剂可具有约30mg KOH/g-约200mg KOH/g、例如约50mg KOH/g-约150mg KOH/g的酸值。当所述粘结剂树脂具有在所述范围内的酸值时,像素图案的分辨率改善。所述量子点与具有在所述范围内的酸值的聚合物粘结剂混合以形成量子点-粘结剂分散液,所述量子点-粘结剂分散液可呈现改善的与所述光敏组合物的其它组分(例如,所述能光聚合的单体、光引发剂、溶剂等)的相容性以将所述量子点良好地分散在所得光敏组合物中和获得良好的图案。
所述基于cardo的聚合物粘结剂为具有羧酸基团(-COOH)的包括多个芳族环的聚合物并且可包括由化学式5表示的结构单元。
[化学式5]
在化学式5中,
*为与所述聚合物粘结剂的主链的相邻原子的连接点,Z1为由化学式5A到5F表示的连接部分之一,且在化学式5A到5F中,*为与芳族部分的连接点:
[化学式5A][化学式5B][化学式5C]
[化学式5D][化学式5E][化学式5F]
在化学式5E中,
Ra为氢、乙基、C2H4Cl、C2H4OH、CH2CH=CH2、或苯基。
所述具有羧酸基团的包括多个芳族环的聚合物可包括由化学式6表示的结构单元。
[化学式6]
在化学式6中,
Z1为由化学式5A到5F表示的连接部分之一,
L独立地为直接的键、C1-C10亚烷基、包括具有碳-碳不饱和键的取代基的C1-C10亚烷基、C1-C10氧基亚烷基、或包括具有碳-碳不饱和键的取代基的C1-C10氧基亚烷基,
A为-NH-、-O-、或C1-C10亚烷基,
Z2为C6-C40芳族有机基团,和
m1和m2独立地为0-4的整数。
在化学式6中,Z2可为由6A、6B和6C表示的连接部分之一。
[化学式6A][化学式6B]
[化学式6C]
在化学式6A、6B和6C中,
*为与羰基碳的连接点,L为直接的键、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2-、-Si(CH3)2-、-(CH2)p-(其中,1≤p≤10)、-(CF2)q-(其中,1≤q≤10)、-CRaRb-(其中,Ra和Rb独立地为氢、C1-C10脂族烃基、C6-C20芳族烃基、或C6-C20脂环族烃基)、-C(CF3)2-、-C(CF3)(C6H5)-、或-C(=O)NH-。
所述具有羧酸基团的包括多个芳族环的聚合物可包括由化学式7表示的结构单元:
[化学式7]
在化学式7中,
R1和R2独立地为氢或者取代或未取代的(甲基)丙烯酰氧基烷基,
R3和R4独立地为氢、卤素、或者取代或未取代的C1-C20烷基,
Z1为由化学式5A到5F表示的连接部分之一,
Z2为C6-C40芳族有机基团,和
m1和m2独立地为范围0-4的整数。
所述聚合物粘结剂的量可大于或等于约0.5重量%、例如大于或等于约1重量%或者大于或等于约5重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。另外,所述聚合物粘结剂的量可小于或等于约40重量%、例如小于或等于约35重量%或者小于或等于约30重量%,基于所述量子点-聚合物复合物膜的总重量。在所述范围内,可在保证量子点的分散的同时实现在后图案形成过程期间适宜的显影性能和加工性能。
当所述量子点-聚合物复合物膜包括所述多价金属化合物的残留物时,所述聚合物粘结剂可包括羧酸根离子基团(C(=O)O-)。认为,所述羧酸根离子基团(C(=O)O-)可通过将通过所述多价金属化合物的热处理产生的多价金属离子与在所述膜内部的聚合物粘结剂结合而产生。
所述量子点-聚合物复合物膜可进一步包括选自金属氧化物颗粒、金属颗粒、及其组合的光散射体。所述光散射体可增加所述组合物的折射率因此增加入射光进入具有量子点的组合物中的可能性。所述光散射体可包括无机氧化物颗粒例如氧化铝、二氧化硅、氧化锆、二氧化钛、氧化锌、或金属颗粒例如金、银、铜、铂等,但不限于此。在这里,为了增加所述光散射体的可分散性,可添加分散剂。
根据另一实施方式,制造量子点-聚合物复合物膜的方法包括将包含多个量子点(其中所述量子点在其表面上包括有机配体)、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、光引发剂、和溶剂的光敏组合物涂布在基底上,继之以干燥其以获得膜;将所述膜在掩模下曝光和将所述膜显影以形成图案化的膜;和将选自高沸点溶剂、多价金属化合物溶液、及其组合的材料涂布在所述图案化的膜上以形成液体阻挡层;和热处理其上形成有所述液体阻挡层的所述图案化的膜。
参照图1描述制造所述量子点-聚合物复合物膜的方法。图1为显示用于制造量子点-聚合物复合物膜的过程的流程图。
首先,制备包含多个量子点(其中所述量子点在其表面上包括有机配体)、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、光引发剂和溶剂的光敏组合物(S1)。可将所述光敏组合物的量子点、能光聚合的单体、光引发剂、溶剂以及当需要时的聚合物粘结剂、光散射体、或其它添加剂根据没有特别限制的合乎需要的混合方式混合。例如,可将各组分顺序地或同时混合。
所述量子点、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、聚合物粘结剂和光散射体与以上在所述量子点-聚合物复合物膜中描述的相同。其在所述光敏组合物中的量可考虑各组分在所述量子点-聚合物复合物膜中的量确定。
在下文中,描述所述光敏组合物中包括的光引发剂和溶剂。所述光引发剂没有特别限制且可合乎需要地选择。例如,所述光引发剂可选自基于三嗪的化合物、基于乙酰苯的化合物、基于二苯甲酮的化合物、基于噻吨酮的化合物、基于安息香的化合物、基于肟的化合物、及其组合,但不限于此。
所述基于三嗪的化合物可包括2,4,6-三氯-s-三嗪、2-苯基-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3',4'-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4'-甲氧基萘基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对-甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对-甲苯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-联苯基-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-苯乙烯基-s-三嗪、2-(萘-1-基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘-1-基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-胡椒基-s-三嗪、或2,4-双(三氯甲基)-6-(4'-甲氧基苯乙烯基)-s-三嗪,但不限于此。
所述基于乙酰苯的化合物可包括2,2'-二乙氧基乙酰苯、2,2'-二丁氧基乙酰苯、2-羟基-2-甲基丙酰苯、对-叔丁基三氯乙酰苯、对-叔丁基二氯乙酰苯、4-氯乙酰苯、2,2'-二氯-4-苯氧基乙酰苯、2-甲基-1-(4-(甲基硫)苯基)-2-吗啉代丙-1-酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁-1-酮,但不限于此。
所述基于二苯甲酮的化合物可包括二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸酯、苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、丙烯酸酯化的二苯甲酮、4,4'-双(二甲氨基)二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、或3,3'-二甲基-2-甲氧基二苯甲酮,但不限于此。
所述基于噻吨酮的化合物可包括噻吨酮、2-甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、或2-氯噻吨酮,但不限于此。
所述基于安息香的化合物可包括安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、安息香异丁基醚、或苄基二甲基缩酮,但不限于此。
所述基于肟的化合物可包括2-(O-苯甲酰基肟)-1-[4-(苯基硫)苯基]-1,2-辛二酮或1-(O-乙酰基肟)-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮,但不限于此。
除所述光引发剂之外,基于咔唑的化合物、二酮化合物、基于硼酸锍的化合物、基于重氮的化合物、基于联咪唑的化合物等也可用作光引发剂。
在所述光敏组合物中,所述光引发剂的量可大于或等于约0.01重量%、例如大于或等于约0.1重量%、或大于或等于约1重量%,基于所述光敏组合物的总重量。所述光引发剂的量可小于或等于约10重量%、例如小于或等于约8重量%,基于所述光敏组合物的总重量。在一种实施方式中,所述光引发剂的量可为约0.05重量%-约10重量%,基于所述光敏组合物的固体物(即,非挥发性组分)的总重量。在所述范围内,可获得具有合乎需要的形状的图案。
所述光敏组合物中的溶剂的量可考虑其它组分(即,量子点、能光聚合的单体、聚合物粘结剂、和光引发剂)的量确定。所述光敏组合物可包含除合乎需要的固体物(非挥发性物质)的量之外的余量的所述溶剂。所述溶剂可考虑对于所述光敏组合物中的其它组分(例如,所述能光聚合的单体、光引发剂、和聚合物粘结剂)的亲和性、对于碱性显影溶液的亲和性、和沸点等适宜地选择。
所述溶剂的实例可为3-乙氧基丙酸乙酯;亚烷基二醇例如乙二醇、一缩二乙二醇、或聚乙二醇;二醇醚例如乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、一缩二乙二醇单甲基醚、乙二醇二乙基醚、或一缩二乙二醇二甲基醚;二醇醚乙酸酯例如乙二醇乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯、一缩二乙二醇单乙基醚乙酸酯、或一缩二乙二醇单丁基醚乙酸酯;丙二醇类例如丙二醇;丙二醇醚例如丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、丙二醇二甲基醚、一缩二丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、或一缩二丙二醇二乙基醚;丙二醇醚乙酸酯例如丙二醇单甲基醚乙酸酯、或一缩二丙二醇单乙基醚乙酸酯;酰胺例如N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、或二甲基乙酰胺;酮例如甲基乙基酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)、或环己酮;石油类例如甲苯、二甲苯、或溶剂石脑油;酯例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、或乳酸乙酯;醚例如二乙基醚、二丙基醚、和二丁基醚;及其混合物。
除以上组分之外,所述光敏组合物可视需要进一步包含多种添加剂例如流平剂、偶联剂等。所述添加剂含量没有特别限制,但可适宜地控制在不对所述光敏组合物和由其获得的图案造成不利影响的范围内。
所述流平剂防止瑕疵或斑点并改善流平特性且可包括基于氟的流平剂。
所述基于氟的流平剂可包括商业产品例如BM-和BM-(BM ChemieInc.);Dainippon Ink Kagaku Kogyo Co.,Ltd的MEGAFACE FFF和FSumitomo 3M Co.,Ltd.的FC-FC-FC-和FC-Asahi GlassCo.,Ltd.的SURFLON S-SURFLON S-SURFLON S-SURFLON S-和SURFLONS-);以及Toray Silicone Co.,Ltd.的SH-SH-SH-SZ-和SF-等)。
所述偶联剂可用于增加与基底的粘附并且可包括基于硅烷的偶联剂。所述基于硅烷的偶联剂的具体实例可为乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基硅烷)、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
将所述光敏组合物使用合乎需要的液体涂布方法例如旋涂或狭缝涂布以预定的厚度例如约2μm-约30μm涂布在预定的基底上,以形成膜。所述基底可为玻璃基底或以预定的厚度例如涂覆有SiNx(保护层)的玻璃基底、硅(Si)基底、氧化硅(SiOx)基底、或聚合物基底。所述聚合物基底可为聚醚砜(PES)或聚碳酸酯(PC)。
如果期望,可用预烘烤进行膜的形成(S2)。预烘烤的具体条件例如温度、时间和气氛是已知的且可合适地选择。
将所形成的(或者,任选地经预烘烤的)膜在具有预定图案的掩模下暴露于具有预定波长的光(S3)。光的波长和强度可考虑光引发剂的种类和含量、以及量子点的种类和含量等进行选择。
当将经曝光的膜用碱性显影溶液处理时,所述膜中的未暴露的区域溶解以提供合乎需要的图案(S4)。
将选自高沸点溶剂、多价金属化合物溶液、及其组合的材料涂布在所述图案化的膜上以形成液体阻挡层(S5)。
所述多价金属化合物溶液可通过将所述多价金属化合物溶解在溶剂中而制备。所述溶剂可为C1-C5醇例如甲醇、乙醇或丁醇。
所述液体阻挡层防止所述量子点-聚合物复合物膜在随后的过程即后烘烤过程期间暴露于氧和量子点的劣化。量子点的量子产率(发光效率)可通过后烘烤过程急剧地降低,但所述液体阻挡层可防止量子产率的这样的恶化。
可进一步在所述液体阻挡层上设置膜或箔。这样的膜或箔可防止所述液体阻挡层的分离。所述膜或箔可为聚合物离型膜或金属箔例如铝箔。
可视需要将所获得的图案化的膜在例如大于或等于约120℃且小于约200℃或者大于或等于约140℃且小于约200℃、例如大于或等于约170℃且小于或等于约190℃的温度下热处理(后烘烤,POB)预定的时间例如大于或等于约10分钟或者大于或等于约20分钟以改善图案的耐开裂性和耐溶剂性(S6)。热处理气氛可为空气气氛且没有特别限制。提出了在氮气、惰性或真空气氛下进行热处理(后烘烤,POB)以防止当暴露于空气时量子点的劣化,其具有增加制造成本的问题。另外,还提出了通过在图案化的膜上沉积氧化物或氮化物层而形成无机阻挡层。然而,通过在无机阻挡层和图案化的膜之间的热膨胀系数的差异以及除气,可保证量子点的稳定性,但膜的裂纹可出现。当在图案化的膜上形成有机阻挡层时,如下不是容易的:可除去在POB过程之后的有机阻挡层。相反,所述液体阻挡层通过由有机材料组成而可不引起以上问题,通过以液体形成而可在POB过程中除去,可充分地防止氧以即使在空气气氛下热处理之后也不减损量子点,可抑制配体的损失且可补充损失的配体。
在POB过程之后在表面上的残留材料可通过将其用溶剂例如己烷、甲苯或氯仿洗涤而除去。
高沸点溶剂通过后烘烤过程渗入到所述图案化的膜的孔中以保护量子点的表面。
所述多价金属化合物通过后烘烤过程渗入到处于熔融状态的所述图案化的膜的孔中以保护量子点的表面并且结合到量子点的表面以起到配体的作用。
另一实施方式提供包括所述量子点-聚合物复合物膜的装置,例如光学装置。所述量子点-聚合物复合物膜可用作量子点激光器、用于光学装置的光学波导、LED颜色转换层、用于LCD背光的量子点片材、或太阳能聚光膜。所述图案化的量子点-聚合物复合物膜可具有两种或更多种不同的颜色部分例如RGB颜色部分的重复图案。所述图案化的量子点-聚合物复合物膜可用作代替液晶显示器的吸收性滤色器的光致发光滤色器。
在下文中,参照图2描述液晶显示器的结构作为包括所述量子点-聚合物复合物膜的显示装置的一个实例。图2为根据实施方式的液晶显示器(LCD)的示意性横截面图。
参照图2,液晶显示器(LCD)10包括显示面板200和背光100。显示面板200包括以预定的距离设置的前板230和背板210以及在其间的液晶(LC)层250。
前板230包括透明的第一绝缘基板232、在第一绝缘基板232的外表面上的前偏振器231以及顺序地堆叠在第一绝缘基板232的内表面上的公共电极233和上部定向层234。背板210包括透明的第二绝缘基板212,且背侧(后侧)偏振器211设置在第二绝缘基板212的外表面上。另外,包括作为液晶驱动电路的像素电极、TFT开关等的线层213形成于第二绝缘基板212的内表面上,并且下部定向层214安装在线层213上。
在前偏振器231上,形成包括红色发射层(R)、绿色发射层(G)、和蓝色发射层(B)的滤色器300。在背板210中,限定第一到第三像素区域PA1、PA2和PA3,且红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)发射层分别对应于第一到第三像素区域PA1、PA2和PA3。
滤色器300可包括量子点-复合物膜。
背侧偏振器211设置在背板210之下,且背光100安装在背侧偏振器211之下。背侧偏振器211和前偏振器231具有彼此垂直交叉的偏振轴。背光100可由光源和光导组成,且光源可安置在光导的侧面或下面。
图3显示使用量子点-聚合物复合物膜作为用于太阳能电池模块的聚光膜的实例。参照图3,太阳能电池模块20包括在多个太阳能电池21和21'之间的包括量子点23a和聚合物基体23b的量子点-聚合物复合物膜23。量子点-聚合物复合物膜23设置在多个太阳能电池21和21'之间并收集入射光且然后向太阳能电池21和21'提供光。反射器25设置在量子点-聚合物复合物膜23下面并且帮助量子点-聚合物复合物膜23有效地收集入射光。
在下文中,参照实施例更详细地说明实施方式。然而,它们是本发明的示例性实施方式,并且本发明不限于此。
实施例
实施例1:
实施例1-1:InP/ZnSe/ZnS(红色)量子点的合成
将0.2mmol的乙酸铟、0.6mmol的棕榈酸、和10mL的1-十八烯放在反应器中并且在真空下在120℃下加热。在1小时之后,将反应器中的气氛变换为氮气。在将反应器加热至280℃之后,向其快速地注入0.07mmol的HF/1.5mL的三辛基胺的混合溶液,且随后,快速地注入另一0.1mmol的三(三甲基甲硅烷基)膦(TMS3P)和0.5mL的三辛基膦的混合溶液。使所获得的溶液反应20分钟。在将反应溶液快速冷却至室温之后,向其添加丙酮,并将混合物离心以获得沉淀物,并将所述沉淀物分散在甲苯中以获得InP甲苯分散体。
将0.3mmol(0.056g)的乙酸锌、0.6mmol(0.189g)的油酸、和10mL的三辛基胺放在反应烧瓶中并且在120℃下真空加热10分钟。将反应烧瓶在内部用N2置换并且加热至220℃。将所制备的InP半导体纳米晶体甲苯分散体(OD=第1激子吸收的光学密度,且OD:0.15)在10秒内添加在反应烧瓶中,向其一起添加0.6mmol的Se-TOP(分散或溶解在三辛基膦中的Se)和0.6mmol的S-TOP(分散或溶解在三辛基膦中的S),并且将混合物加热至280℃并使其反应30分钟。随后,向其额外添加0.6mmol的S-TOP并使之与其反应30分钟,将反应溶液快速地冷却到室温,向其添加乙醇以形成沉淀物,并将所述沉淀物通过离心分离且分散在甲苯中。
实施例1-2:InP/ZnSe/ZnS(绿色)量子点的合成
将0.2毫摩尔(mmol)的乙酸铟、0.6mmol的棕榈酸、和10毫升(mL)的1-十八烯放在反应器中并且在真空下在120℃下加热。在1小时之后,将反应器中的气氛变换为氮气。在将反应器加热至280℃之后,向其快速地注入0.07mmol的HF/1.5mL的三辛基胺的混合溶液,且随后,快速地注入另一0.1mmol的三(三甲基甲硅烷基)膦(TMS3P)和0.5mL的三辛基膦的混合溶液。使所获得的溶液反应10分钟。然后,根据与实施例1-1中相同的过程进行随后的过程以获得InP/ZnSe/ZnS(绿色)量子点分散体。
实施例1-3:红色光敏组合物的制备
将0.6g的在实施例1-1中制备的干燥InP/ZnSe/ZnS(红色)量子点分散在1.2g的氯仿中,并向其添加1.2g的聚合物粘结剂溶液且与其混合1分钟以制备量子点-聚合物粘结剂分散液。所述粘结剂溶液中的聚合物为甲基丙烯酸、甲基丙烯酸苄基酯、甲基丙烯酸羟基乙酯、和苯乙烯的四元共聚物(酸值:130mg KOH/g且单体比率:甲基丙烯酸:甲基丙烯酸苄基酯:甲基丙烯酸羟基乙酯:苯乙烯=61.5摩尔%:12摩尔%:16.3摩尔%:10.2摩尔%),其中的溶剂为聚丙二醇单甲基醚乙酸酯,且所述粘结剂溶液的浓度为30重量%。
将59.9重量%的所述量子点-聚合物粘结剂分散液与5重量%的作为能光聚合的单体的具有化学式A的结构的六丙烯酸酯、0.1重量%的作为光引发剂的肟酯化合物、15重量%作为光散射体的TiO2、和20重量%的作为溶剂的PGMEA混合以制备光敏组合物。
[化学式A]
实施例1-4:绿色光敏组合物的制备
根据与在实施例1-3中相同的方法制备绿色光敏组合物,除了如下之外:使用在实施例1-2中制备的InP/ZnSe/ZnS(绿色)量子点代替在实施例1-1中制备的InP/ZnSe/ZnS(红色)量子点。
实施例1-5:量子点-聚合物复合物膜的制造
将实施例1-3的红色光敏组合物在玻璃基底上旋涂至2μm厚并且在100℃下预烘烤2分钟。将经涂布的基底在具有预定的图案的掩模下通过光(波长:365nm,强度:100mJ)照射1秒,然后用氢氧化钾水溶液(浓度:0.043重量%)显影50秒以获得图案化的膜。在所述图案化的膜上,滴落作为高沸点溶剂的十八烯,然后,用离型膜覆盖使得所述溶剂可被均匀地涂布。随后,将所述基底在烘箱中在大气下在180℃下热处理(后烘烤,POB)30分钟以获得量子点-聚合物复合物膜。
实施例2:量子点-聚合物复合物膜的制造
根据与实施例1(具体地,实施例1-5)相同的方法制造量子点-聚合物复合物膜,除了如下之外:使用高真空润滑油(Dow Corning Corp.)代替十八烯以形成液体阻挡层。
实施例3:量子点-聚合物复合物膜的制造
根据与实施例1相同的方法制造量子点-聚合物复合物膜,除了如下之外:使用硅油(KS-609,ShinEtsu Chemical Co.,Ltd.)代替十八烯以形成液体阻挡层。
实施例4:量子点-聚合物复合物膜的制造
根据与实施例1相同的方法制造量子点-聚合物复合物膜,除了如下之外:使用离子液体六氟磷酸1-丁基-3-甲基咪唑代替十八烯以形成液体阻挡层。
实施例5:量子点-聚合物复合物膜的制造
根据与实施例1相同的方法形成量子点-聚合物复合物膜,除了如下之外:使用三辛基胺代替十八烯以形成液体阻挡层。
实施例6:量子点-聚合物复合物膜的制造
将在实施例1-3中制备的红色光敏组合物在玻璃基底上旋涂至2μm厚并且在100℃下预烘烤2分钟。将经涂布的基底在具有预定的图案的掩模下通过光(波长:365nm,强度:100mJ)照射1秒,然后,用氢氧化钾水溶液(浓度:0.043重量%)显影50秒以形成图案化的膜。随后,将通过将油酸Zn以10重量%的浓度溶解在三辛基胺中而获得的溶液滴在所述图案化的膜上,然后,用离型膜覆盖使得所述溶液可被均匀地涂布。然后,可将所获得的基底在烘箱中在大气下在180℃下热处理(后烘烤,POB)30分钟以获得量子点-聚合物复合物膜。
实施例7到10:量子点-聚合物复合物膜的制造
将在实施例1-3中制备的光敏组合物旋涂在玻璃基底上以获得膜。将所述膜在100℃下预烘烤2分钟。将经预烘烤的膜在具有预定的图案的掩模下通过光(波长:365nm,强度:100mJ)照射1秒,然后,用氢氧化钾水溶液(浓度:0.043重量%)显影50秒以形成图案化的膜。在所述图案化的膜上,分别涂布通过将金属盐以表1中描述的各重量%浓度溶解在丁醇中而获得的溶液并容许其放置1分钟,且用旋涂器将膜表面上的金属盐-丁醇溶液以2000rpm除去20秒。随后,将所获得的膜在烘箱中在大气下在180℃下热处理(后烘烤,POB)30分钟以获得量子点-聚合物复合物膜。
(表1)
金属盐 相对于溶液的量(重量%)
实施例7 ZnCl2 7
实施例8 InCl3 11
实施例9 GaCl3 9
实施例10 MgCl2 5
对比例1:量子点-聚合物复合物膜的制造
根据与实施例1相同的方法制造量子点-聚合物复合物膜,除了如下之外:不形成液体阻挡层。
实施例11:量子点-聚合物复合物膜的制造
将通过将油酸Zn以10重量%的浓度溶解在三辛基胺中而获得的溶液涂覆在根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜上,然后在烘箱中在大气下在180℃下热处理(后烘烤,POB)30分钟以获得量子点-聚合物复合物膜。
测量根据实施例1-10以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜在热处理(后烘烤,POB)之前和之后的光转换效率,并且评价其保持率。所述光转换效率是通过使用CAS 140CTArray Spectrometer(Instrument Systems Inc.)测量所述量子点-聚合物复合物膜在约450nm蓝色光激发下的发光效率而获得的。根据方程1计算保持率。
[方程1]
[在热处理(后烘烤,POB)之后的光转换效率/在热处理(后烘烤,POB)之前的光转换效率]×100
结果示于图4和5中。图4为显示根据实施例1-6以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜在热处理(POB)之前和之后的光转换效率的保持率的图。图5为显示根据实施例7-10以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜在热处理(后烘烤,POB)之前和之后的光转换效率的保持率的图。
参照图4,与根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜相比,根据实施例1到6的量子点-聚合物复合物膜显示改善大于或等于20%的保持率。另外,根据实施例1、2、5和6的量子点-聚合物复合物膜显示出比在POB之前的那些增加的在POB之后的光转换效率。
参照图5,实施例7到10的量子点-聚合物复合物膜显示出比对比例1的保持率改善大于或等于12.1%的保持率。另外,实施例7的量子点-聚合物复合物膜显示出比在POB之前的光转换效率改善的在POB之后的光转换效率。
为了证实液体阻挡层的保护量子点的效果,评价根据实施例11的量子点-聚合物复合物膜在各步骤处的光转换效率并且结果示于图6中。为了比较,还示出根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜在各步骤处的光转换效率。参照图6,根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光转换效率为30.3%。在于烘箱中在大气下在180℃下另外热处理(post POB(后后烘烤))30分钟之后,根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光转换效率降低至27.7%,而在于烘箱中在大气下在180℃下另外热处理(post POB(后后烘烤))30分钟之后,根据实施例11的量子点-聚合物复合物膜的光转换效率增加至35.7%。因此,通过将油酸Zn以10重量%的浓度溶解在三辛基胺中而获得的溶液提供使在量子点的表面上的缺陷钝化并且将在量子点的表面上的陷阱除去的配体。
通过气相色谱法/质谱法分析(GC/MS)检查根据实施例1、5和6的量子点-聚合物复合物膜的液体阻挡层的残留物,且结果示于图7中。图7为显示根据对比例1、实施例1、实施例5和实施例6的量子点-聚合物复合物膜的气相色谱法/质谱法分析(GC/MS)结果的图。参照图7,根据实施例1、5和6的量子点-聚合物复合物膜显示出对应于液体阻挡层的残留物的峰。
进行ToF-SIMS分析以研究根据实施例7的量子点-聚合物复合物膜的液体阻挡物的残留物,且结果示于图8中。一起显示根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜的ToF-SIMS分析结果用于比较。图8为显示根据实施例7以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜的ToF-SIMS分析结果的图。参照图8,由于在ToF-SIMS分析中在根据实施例7的量子点-聚合物复合物膜的整个范围内检测到氯,因此ZnCl2结果总体上渗入所述量子点-聚合物复合物膜中并且存在于其内部。相反,检测到根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光敏组合物的组分。
根据实施例7以及对比例1的量子点-聚合物复合物膜的FT-IR分析结果示于图9中。参照图9,在根据实施例7的量子点-聚合物复合物膜中发现对应于羧酸根离子基团的峰,但在根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜中发现对应于羧基的峰。认为所述羧酸根离子基团是通过与液体阻挡层中的Zn的键产生的。
对量子点-聚合物复合物膜的表面的残留物(残渣)的评价
将根据实施例1-4的绿色光敏组合物分别涂覆在根据实施例1到10和对比例1的各量子点-聚合物复合物膜(第一膜)上以获得膜(第二膜)。将第二膜在100℃下预烘烤2分钟。随后,使用氢氧化钾水溶液(浓度:0.043重量%)洗涤所获得的膜50秒以检查第二膜的残留物是否保留在第一膜上。
在根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的表面上的残留物示于图10中。图10为显示在除去第二膜之后根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的照片。参照图10,对于根据对比例1的量子点-复合物膜,许多第二膜的残留物保留,但是对于根据实施例7的量子点-复合物膜,第二膜被完全(明显)除去。测量在分别除去第二膜之后根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光致发光强度(通过使用具有450nm的发光波长的光源),并且结果示于图11中。图11为显示在除去第二膜之后根据实施例7和对比例1的量子点-聚合物复合物膜的光致发光强度。参照图11,根据对比例1的量子点-聚合物复合物膜在绿色光发射区域中呈现出光致发光强度,但是根据实施例7的量子点-聚合物复合物膜在绿色光发射区域中未呈现出光致发光强度。因此,在根据实施例7的量子点-聚合物复合物膜上的第二膜被完全除去。
图10和11证明根据实施例7的量子点-复合物膜具有光刻胶图案化特性。
实施例12到15:发光二极管的制造
将根据实施例1-1的量子点洗涤并干燥,然后添加到氯仿溶剂以制备约1重量%量子点溶液。另一方面,通过将由Dow Corning Corp.制造的EG6301A和EG6301B以1:1的体积比混合并且从其除去蒸气而制备有机硅树脂。将100微升的所述量子点溶液和0.5g的所述有机硅树脂搅拌并均匀地混合,且将混合物在真空下保持约1小时以除去氯仿溶剂从而制备用于光转换层的组合物。将200μL的所述用于光转换层的组合物安装在具有450nm的发光波长并且以50mA驱动的蓝色(蓝光)LED芯片上,然后通过以1000mJ/cm2照射UV光而光固化。然后,分别将通过将金属盐以如表1中所示的重量%浓度溶解在丁醇中而获得的溶液涂覆在其上并且容许其保持5分钟,然后在烘箱中在大气下在120℃下热处理30分钟以制造各个包括光转换层的发光二极管。
对比例2:发光二极管的制造
根据与实施例12相同的方法制造安装有量子点-聚合物复合物的发光二极管,除了如下之外:不使用通过将金属盐以如表1中所示的重量%浓度溶解在丁醇中而获得的溶液。
使根据实施例12到15和对比例2的发光二极管运行以测量取决于时间的光致发光强度。图12显示根据实施例12和对比例2的发光二极管的光致发光强度。
参照图12,与根据对比例2的LED相比,根据实施例12的发光二极管保持优异的光致发光强度。
尽管已经关于目前被认为是实践性的实例实施方式的内容描述了本公开内容,但是将理解,本发明不限于所公开的实施方式,而是相反,意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (29)

1.量子点-聚合物复合物膜,包括
多个量子点,其中所述量子点在其表面上包括有机配体;
包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物;和
选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。
2.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、及其组合。
3.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述有机配体选自RC(=O)OH、RC(=O)OM、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RSM、R3PO、R3P、ROH、RP(=O)(OH)2、R2P(=O)OH、R2NC(=S)SM、聚合物有机配体、及其组合,其中,R独立地选自C5-C24烷基、C5-C24烯基、和C6-C20芳基且M为单价金属。
4.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体选自二(甲基)丙烯酸酯化合物、三(甲基)丙烯酸酯化合物、四(甲基)丙烯酸酯化合物、五(甲基)丙烯酸酯化合物、六(甲基)丙烯酸酯化合物、及其组合。
5.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物为所述包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体和具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物的固化产物。
6.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述高沸点溶剂为具有200℃-350℃的沸点的化合物。
7.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述高沸点溶剂为具有250℃-300℃的沸点的化合物。
8.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述高沸点溶剂选自C6-C20脂族烃化合物、C6-C20醚化合物、C6-C20胺化合物、C6-C20醇化合物、基于卡必醇的化合物、真空润滑油、离子液体、及其组合。
9.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述高沸点溶剂选自十八烯、十二烯、十四烷、辛基醚、苯基醚、三辛基胺、油胺、二乙醇胺、三乙醇胺、油醇、甘油、一缩二乙二醇、二缩三丙二醇甲基醚、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、及其组合。
10.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述多价金属化合物包括选自Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、及其组合的金属。
11.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述多价金属化合物选自有机金属化合物、有机盐、无机盐、及其组合。
12.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述多价金属化合物选自金属卤化物、金属烷基化物、金属羧酸盐、金属(甲基)丙烯酸盐、金属二烷基二硫代氨基甲酸盐、金属硫属化物、及其组合。
13.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述多价金属化合物选自氯化锌、氯化铟、氯化镉、氯化铝、氯化铁、氯化锰、二乙基锌、二丙基锌、二丁基锌、三乙基铝、三丁基铝、羧酸锌、二乙基二硫代氨基甲酸锌、乙酸铟、及其组合。
14.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述量子点-聚合物复合物膜包括1重量%-50重量%的所述量子点;0.5重量%-30重量%的所述能光聚合的单体的固化产物;和0.01-15重量%的所述残留物。
15.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述量子点-聚合物复合物膜进一步包括聚合物粘结剂。
16.如权利要求15所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述聚合物粘结剂选自基于丙烯酰基的聚合物粘结剂、基于cardo的聚合物粘结剂、及其组合。
17.如权利要求15所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述聚合物粘结剂具有30mgKOH/g-200mg KOH/g的酸值。
18.如权利要求15所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述聚合物粘结剂具有1,000g/mol-150,000g/mol的重均分子量。
19.如权利要求15所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述量子点-聚合物复合物膜包括所述多价金属化合物的残留物,和所述聚合物粘结剂包括羧酸根离子基团(C(=O)O-)。
20.如权利要求1所述的量子点-聚合物复合物膜,其中所述量子点-聚合物复合物膜进一步包括选自金属氧化物颗粒、金属颗粒、及其组合的光散射体。
21.制造如权利要求1-20任一项所述的量子点-聚合物复合物膜的方法,包括
将包含多个量子点、包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体、光引发剂和溶剂的光敏组合物涂布在基底上,继之以干燥其以获得膜,其中所述量子点在其表面上包括有机配体;
将所述膜在掩模下曝光和将所述膜显影以形成图案化的膜;
将选自高沸点溶剂、多价金属化合物溶液、及其组合的材料涂布在所述图案化的膜上以形成液体阻挡层;和
热处理其上形成有所述液体阻挡层的所述图案化的膜。
22.如权利要求21所述的方法,其中所述光敏组合物进一步包含具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物。
23.如权利要求21所述的方法,其中所述光敏组合物进一步包含聚合物粘结剂。
24.如权利要求23所述的方法,其中所述聚合物粘结剂选自基于丙烯酰基的聚合物粘结剂、基于cardo的聚合物粘结剂、及其组合。
25.如权利要求21所述的方法,其中所述光敏组合物进一步包含选自金属氧化物颗粒、金属颗粒、及其组合的光散射体。
26.如权利要求21所述的方法,其中所述方法进一步包括在所述液体阻挡层上设置膜或箔。
27.如权利要求21所述的方法,其中所述热处理在大于或等于120℃且小于200℃的温度下进行。
28.滤色器,其包括根据权利要求1到权利要求20任一项的量子点-聚合物复合物膜。
29.装置,其包括根据权利要求1到权利要求20任一项的量子点-聚合物复合物膜。
CN201710977354.5A 2016-10-19 2017-10-19 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置 Active CN107966878B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160136016 2016-10-19
KR10-2016-0136016 2016-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107966878A true CN107966878A (zh) 2018-04-27
CN107966878B CN107966878B (zh) 2023-08-15

Family

ID=60301752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710977354.5A Active CN107966878B (zh) 2016-10-19 2017-10-19 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11034884B2 (zh)
EP (1) EP3323870A1 (zh)
KR (1) KR102515563B1 (zh)
CN (1) CN107966878B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109400641A (zh) * 2018-10-18 2019-03-01 南昌大学 胶体量子点改性方法
CN109722097A (zh) * 2018-12-26 2019-05-07 珠海天威新材料股份有限公司 量子点墨水、量子点膜片及其制备方法
CN111040755A (zh) * 2019-11-13 2020-04-21 华南农业大学 量子点复合发光材料及其制备和其在led光源中的应用
CN111077732A (zh) * 2019-12-20 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光耦合输出透镜的材料组成物及制造方法
CN111073628A (zh) * 2018-10-18 2020-04-28 苏州星烁纳米科技有限公司 钙钛矿量子点-聚合物复合体及发光设备
CN111349430A (zh) * 2018-12-21 2020-06-30 奇美实业股份有限公司 量子点及其制造方法与应用
WO2020134146A1 (zh) * 2018-12-25 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 一种复合物及其制备方法
CN112210366A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 新亚T&C公司 包含量子点层的光转换膜、包含光转换膜的显示装置用背光单元和量子点分散体的制造方法
WO2021258693A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法
CN114456666A (zh) * 2022-03-30 2022-05-10 北京化工大学 一种耐高温水性光油、其制备方法及用途
WO2022104640A1 (zh) * 2020-11-19 2022-05-27 南京大学 量子点防蓝光材料及其制备方法、防蓝光镜片和膜片
CN112210366B (zh) * 2019-07-09 2024-06-28 新亚T&C公司 包含量子点层的光转换膜、包含光转换膜的显示装置用背光单元和量子点分散体的制造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102581926B1 (ko) * 2015-08-24 2023-09-22 삼성전자주식회사 감광성 조성물, 이를 제조하기 위한 방법, 및 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 패턴
KR102601102B1 (ko) 2016-08-09 2023-11-10 삼성전자주식회사 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자
TWI656195B (zh) 2017-10-24 2019-04-11 奇美實業股份有限公司 量子點、發光材料及量子點的製造方法
EP3480276B1 (en) 2017-11-03 2021-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot composition, quantum dot polymer composite, and layered structures and electronic devices including the same
KR20190073301A (ko) 2017-12-18 2019-06-26 삼성전자주식회사 적층 구조물과 이를 포함하는 전자 소자
KR102233030B1 (ko) * 2018-06-11 2021-03-30 한국과학기술원 다공성 구조를 갖는 양자점 필름 및 이의 제조방법
US20200075816A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Oregon State University Micro-led apparatus with enhanced illumination, and method for forming such
KR102492620B1 (ko) * 2018-10-18 2023-01-26 동우 화인켐 주식회사 광변환 수지 조성물, 광변환 시트 및 화상표시장치
KR20200062052A (ko) 2018-11-23 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 양자점, 이를 포함하는 조성물과 복합체, 및 이를 포함하는 전자 소자
US11740495B2 (en) 2018-11-29 2023-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR102311491B1 (ko) * 2019-02-13 2021-10-08 삼성에스디아이 주식회사 2중층 격벽 조성물, 이를 이용한 2중층 격벽 및 2중층 격벽을 포함하는 디스플레이 소자
CN111638573B (zh) * 2019-03-01 2022-12-02 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点偏光片及显示设备
CN110028949A (zh) * 2019-03-22 2019-07-19 深圳市华星光电技术有限公司 量子点复合膜制备方法、背光模组
CN109904335B (zh) * 2019-03-26 2021-11-12 京东方科技集团股份有限公司 量子点层的图案化方法、量子点器件及其制备方法
CN113710773A (zh) * 2019-04-15 2021-11-26 纳米系统公司 提高磷化铟量子点量子产率的方法
KR20200144510A (ko) 2019-06-18 2020-12-29 삼성전자주식회사 양자점과 이를 포함한 복합체
EP3812444B1 (en) 2019-10-25 2023-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot and electronic device including the same
KR20210076744A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 삼성전자주식회사 발광소자와 그 제조방법
JP2021105710A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 住友化学株式会社 感光性組成物
KR20210115612A (ko) 2020-03-13 2021-09-27 삼성전자주식회사 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자
CN112965287B (zh) * 2020-05-08 2022-11-29 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种彩膜基板的制备方法、显示装置与显示背板
JP2024521358A (ja) * 2021-06-01 2024-05-31 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 組成物
CN115308997A (zh) * 2022-08-31 2022-11-08 南京大学 一种绿色溶剂中胶体纳米晶的无胶光学图案化方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103059393A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 三星电子株式会社 复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件
CN103474451A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 彩色oled器件及其制作方法
CN104513335A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 三星电子株式会社 半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元
US20160005932A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions and polymer composites prepared from the same
US20160011506A1 (en) * 2013-12-30 2016-01-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Photosensitive resin composition and method for forming quantum dot pattern using the same
CN105388702A (zh) * 2014-09-03 2016-03-09 东友精细化工有限公司 感光性树脂组合物
CN105829103A (zh) * 2013-12-20 2016-08-03 3M创新有限公司 边缘侵入得到改善的量子点制品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI315105B (en) * 2004-12-21 2009-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A method for the synthesis of qunatum dots
KR101413660B1 (ko) 2012-04-13 2014-07-04 홍익대학교 산학협력단 발광다이오드용 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 그 제조 방법
GB201207417D0 (en) 2012-04-27 2012-06-13 Electra Polymers Ltd A method for photoimaging a substrate
KR101685238B1 (ko) 2012-11-07 2016-12-12 포항공과대학교 산학협력단 양자점-고분자-층상 구조 세라믹 복합체 합성
KR102223504B1 (ko) 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법
KR102293604B1 (ko) * 2014-09-04 2021-08-24 삼성전자주식회사 자발광 액정 표시 장치
JP6666842B2 (ja) * 2014-09-05 2020-03-18 住友化学株式会社 硬化性組成物
KR102494728B1 (ko) * 2016-08-11 2023-02-02 삼성전자주식회사 양자점 응집물 입자, 그 제조방법, 및 이를 포함한 조성물과 전자 소자

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103059393A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 三星电子株式会社 复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件
CN103474451A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 彩色oled器件及其制作方法
CN104513335A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 三星电子株式会社 半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元
CN105829103A (zh) * 2013-12-20 2016-08-03 3M创新有限公司 边缘侵入得到改善的量子点制品
US20160011506A1 (en) * 2013-12-30 2016-01-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Photosensitive resin composition and method for forming quantum dot pattern using the same
US20160005932A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions and polymer composites prepared from the same
CN105388702A (zh) * 2014-09-03 2016-03-09 东友精细化工有限公司 感光性树脂组合物

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111073628A (zh) * 2018-10-18 2020-04-28 苏州星烁纳米科技有限公司 钙钛矿量子点-聚合物复合体及发光设备
CN109400641B (zh) * 2018-10-18 2021-04-16 南昌大学 胶体量子点改性方法
CN109400641A (zh) * 2018-10-18 2019-03-01 南昌大学 胶体量子点改性方法
CN111349430A (zh) * 2018-12-21 2020-06-30 奇美实业股份有限公司 量子点及其制造方法与应用
WO2020134146A1 (zh) * 2018-12-25 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 一种复合物及其制备方法
CN111363536A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 Tcl集团股份有限公司 一种复合物及其制备方法
CN109722097A (zh) * 2018-12-26 2019-05-07 珠海天威新材料股份有限公司 量子点墨水、量子点膜片及其制备方法
CN112210366A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 新亚T&C公司 包含量子点层的光转换膜、包含光转换膜的显示装置用背光单元和量子点分散体的制造方法
CN112210366B (zh) * 2019-07-09 2024-06-28 新亚T&C公司 包含量子点层的光转换膜、包含光转换膜的显示装置用背光单元和量子点分散体的制造方法
CN111040755A (zh) * 2019-11-13 2020-04-21 华南农业大学 量子点复合发光材料及其制备和其在led光源中的应用
CN111077732A (zh) * 2019-12-20 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光耦合输出透镜的材料组成物及制造方法
WO2021258693A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法
WO2022104640A1 (zh) * 2020-11-19 2022-05-27 南京大学 量子点防蓝光材料及其制备方法、防蓝光镜片和膜片
CN114456666A (zh) * 2022-03-30 2022-05-10 北京化工大学 一种耐高温水性光油、其制备方法及用途

Also Published As

Publication number Publication date
EP3323870A1 (en) 2018-05-23
CN107966878B (zh) 2023-08-15
KR102515563B1 (ko) 2023-03-30
US20180105739A1 (en) 2018-04-19
US11034884B2 (en) 2021-06-15
US20210301200A1 (en) 2021-09-30
KR20180043748A (ko) 2018-04-30
US11613694B2 (en) 2023-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107966878A (zh) 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置
KR102601102B1 (ko) 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자
CN109749733A (zh) 量子点组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构体和电子装置
CN108102640A (zh) 量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的电子装置
KR102589860B1 (ko) 감광성 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체, 및 이를 포함하는 적층 구조물과 전자 소자
KR101878421B1 (ko) 양자점 분산체 및 이를 포함하는 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상표시장치
KR102540848B1 (ko) 조성물, 이로부터 제조된 복합체, 및 이를 포함한 전자 소자
CN108089399A (zh) 光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置
CN106468856A (zh) 光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件
CN107722184A (zh) 量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置
CN110018591A (zh) 层状结构体和包括其的电子装置
CN106970505A (zh) 具有聚合物外层的量子点复合体、含其的光敏组合物、量子点聚合物复合物图案和电子器件
CN106468858A (zh) 光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件
KR20170075874A (ko) 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자
KR20180097146A (ko) 적층 구조물, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20190019863A (ko) 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체와 적층 구조물, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN109652076A (zh) 组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置
CN110300791B (zh) 量子点分散液、自发光感光性树脂组合物、滤色器及图像显示装置
KR20180096536A (ko) 감광성 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체, 및 이를 포함하는 적층 구조물과 전자 소자
KR102062352B1 (ko) 자발광 조성물, 이를 이용하여 제조된 광변환 적층 기재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108227297A (zh) 层状结构体、其制造方法、和包括其的液晶显示器
KR20210154588A (ko) 양자점, 양자점 분산체, 광변환 경화성 조성물, 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 잉크 조성물, 상기 광 변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막 및 상기 경화막을 포함하는 화상표시장치
KR102339403B1 (ko) 컬러필터용 조성물 및 그의 경화물을 포함하는 컬러필터
KR102635660B1 (ko) 양자점 조성물, 이로부터 형성된 경화 패턴, 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
KR102582006B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant