CN109400641B - 胶体量子点改性方法 - Google Patents
胶体量子点改性方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109400641B CN109400641B CN201811213616.1A CN201811213616A CN109400641B CN 109400641 B CN109400641 B CN 109400641B CN 201811213616 A CN201811213616 A CN 201811213616A CN 109400641 B CN109400641 B CN 109400641B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dots
- plasma
- colloidal quantum
- quantum dot
- colloidal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 10
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 16
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical class [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 5
- IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N [C].[C] Chemical group [C].[C] IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical group CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical group CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
本发明公开了一种胶体量子点改性方法，包括：制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；将胶体量子点涂敷于基底上；将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。其通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种胶体量子点改性方法。
背景技术
半导体量子点材料，由于其优异的光学及物理性质，如量子产率高、发光波长可调及高色域等特点，在太阳能电池、发光二极管、激光、探测器、背光显示等领域发挥着广阔的应用。量子点材料是纳米科学与纳米科技的重要材料，对众多领域的发展起着重要的作用。量子点一般包括内核与表面配体，其中，表面配体起钝化量子点表面缺陷、促进量子点分散、提供空间位阻等作用。
钙钛矿量子点是一种新型纳米材料，属于钙钛矿结构，钙钛矿量子点的可溶液加工性、低成本和可大规模生产的特性使其优于多数传统的Ⅱ-Ⅵ或Ⅲ-Ⅴ族量子点材料。经过短短几年的研究与发展，钙钛矿量子点在众多领域展现出巨大的应用价值。但该材料的稳定性较差，易受水、氧、光照及热的影响而发生团聚、分解或结构转变，从而导致材料性能的下降及后续加工性能变差。目前，可以使用包覆的方法提高钙钛矿量子点的稳定性，如在钙钛矿量子点中嵌入二氧化硅多孔筛、聚苯乙烯等物质；也可以通过在钙钛矿量子点表面沉积氧化铝的方式提高材料的稳定性。但这两种方法都存在部分限制，如包覆后的钙钛矿量子点难以进行精细加工，导电性不佳等。
发明内容
本发明的目的是提供一种胶体量子点改性方法，有效解决了现有技术中钙钛矿型卤化物量子点在使用过程中不稳定的技术问题。
本发明提供的技术方案如下：
一种胶体量子点改性方法，包括：
制备胶体量子点，所述胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且所述有机配体碳链中含有不饱和键；
将所述胶体量子点涂敷于基底上；
将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。
在本技术方案中，根据有机配体所需的聚合程度来调整等离子体的电离度及等离子体对量子点的辐照时间。
进一步优选地，所述不饱和建为碳碳双键。
进一步优选地，在等离子体设备中，使用氮气和/或氩气作为等离子源，对胶体量子点进行辐照。
进一步优选地，在等离子体设备中，在温度为0~80℃的环境中对胶体量子点进行等离子体辐照。
进一步优选地，所述基底为玻璃基底或硅衬底或由柔性有机材料制备的基底。
在本发明提供的胶体量子点改性方法中，通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点形成一种自包覆，从而提高胶体量子点的稳定性，包括提高胶体量子点对水、氧、光照及热的抵抗力，实现对胶体量子点材料的改性；此外，有机配体聚合后，排列更加有序，促进载流子的传输，从而大大提高了量子点器件的性能；最后，该改性方法操作简单，成本低廉，且通用性强，既可适用于表面有机配体含碳碳双键的量子点材料，对其他材料有机配体的等离子体诱导聚合也有一定的借鉴作用，可大规模应用。
附图说明
下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及实现方式予以进一步说明。
图1为本发明中胶体量子点改性方法流程示意图；
图2为本发明实例1中等离子体诱导量子点表面配体聚合的原理示意图；
图3为本发明实例1中等离子体处理量子点样品前后的红外图谱；
图4为本发明实例1中等离子体处理后钙钛矿量子点水稳定性增强的紫外荧光图。
具体实施方式
下面结合附图和实例进一步说明本发明的实质内容，但本发明的内容并不限于此。
由于钙钛矿量子点的高比表面积及配体的有机物特性，导致其活性高，稳定性不佳，本发明提供了一种胶体量子点改性方法，通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性。如图1所示，在该改性方法中包括：
S1 制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；
S2 将胶体量子点涂敷于基底上；
S3 将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。
具体，钙钛矿型卤化物量子点的化学通式为ABX3，其中，A可以为Cs、CH3NH3、NH2CH2NH3等，B可以为金属Pb、Sn等，X为Cl、Br、I中的一种或两种混合，其有机配体碳链中的不饱和键为碳碳双键（量子点包括内核和表面配体，表面配体为有机物，即上述有机配体）。基底为玻璃基底或硅衬底或由柔性有机材料制备的基底。在等离子体设备中，使用氮气和/或氩气作为等离子源，对胶体量子点进行辐照，对于等离子体的电离度及等离子体对量子点的辐照时间可根据有机配体所需的聚合程度来调整（等离子体为物质的第四态，即被电离的气体，该等离子体成分可以为N2、Ar等）；且在等离子体设备中，在温度为0~80℃的环境中对胶体量子点进行等离子体辐照。
在使用等离子体对胶体量子点进行辐照预设时间（5-60min）后，胶体量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，如图2所示，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性，实现发明目的。
实施例1
本实施例以CsPbBr3钙钛矿量子点为例，其表面配体为油酸和油胺，油酸和油胺为长链有机物，在碳氢链的中间含一个碳碳双键。如图1所示流程，对CsPbBr3钙钛矿量子点进行改性处理：
1.1 将制备的CsPbBr3钙钛矿量子点通过匀胶机旋转涂布于玻璃基底上；
1.2 将涂布有CsPbBr3钙钛矿量子点的玻璃基底置于等离子体设备中，用氮气作等离子源，激发氮气使气体电离，让等离子体与样品接触；
1.3 25℃下，使用等离子体辐照样品30 min（分钟），使得CsPbBr3钙钛矿量子点表面的配体油酸和油胺发生碳碳双键聚合，其效果如图2和图3所示，完成对CsPbBr3钙钛矿量子点的改性。从图3处理前后红外吸收谱对比可以看出，等离子体处理后的CsPbBr3钙钛矿量子点中的C=C双键消失，证明发生了聚合。结束后，从等离子体设备中取出样品。
经测试，本实施例所得到的表面配体发生聚合的CsPbBr3钙钛矿量子点样品形貌良好，对水、氧及光照的抵抗性增强，量子点材料稳定性明显提升，效果如图4所示，从图中可以看出，未处理的CsPbBr3钙钛矿量子点在水中10分钟就完全分解，而等离子处理后CsPbBr3钙钛矿量子点100小时仍然完整。
实施例2
本实施例以CsPbI3钙钛矿量子点为例，其表面配体为油酸和十二胺，在油酸的碳氢链中间含一个碳碳双键。在对CsPbI3钙钛矿量子点进行改性的过程中：
2.1 将制备的CsPbI3钙钛矿量子点通过刮涂的方法置于柔性PET（PolyethyleneTerephthalate，聚对苯二甲酸类塑料）基底上；
2.2 将涂布有CsPbI3钙钛矿量子点的PET基底置于等离子体设备中，用氩气作等离子源，激发氩气使气体电离，让等离子体与样品接触；
2.3 使用等离子体辐照样品20 min，使得CsPbI3钙钛矿量子点表面的配体油酸发生碳碳双键聚合，完成对CsPbI3钙钛矿量子点的改性。结束后，从等离子体设备中取出样品。
经测试，本实施例所得到的表面配体发生聚合的CsPbI3钙钛矿量子点样品形貌良好，对水、氧及光照的抵抗性增强，量子点材料稳定性明显提升。
实施例3
本实施例以CdSe量子点为例，其表面配体为油酸和油胺，油酸和油胺为长链有机物，在碳氢链的中间含一个碳碳双键。在对CdSe钙钛矿量子点进行改性的过程中：
3.1 将制备的CdSe量子点涂敷在玻璃基底上；
3.2 将涂敷有CdSe量子点的玻璃基底置于等离子体设备中，用氩气作等离子源，激发氩气使气体电离，让等离子体与样品接触；
3.3 使用等离子体辐照样品30 min，使得CdSe量子点表面的配体油酸和油胺发生碳碳双键聚合，完成对CdSe量子点的改性。结束后，从等离子体设备中取出样品。
经测试，本实施例所得到的表面配体发生聚合的CdSe量子点样品形貌良好，对水、氧及光照的抵抗性增强，量子点材料稳定性明显提升。
实施例4
本实施例以MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点为例，其表面配体为油酸和辛胺，在油酸的碳氢链中间含一个碳碳双键。在对MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点进行改性的过程中：
4.1 将制备的MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点通过原位制备的方法制备在玻璃基底上；
4.2 将制备由MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点的玻璃基底置于等离子体设备中，用氩气作等离子源，激发氩气使气体电离，让等离子体与样品接触；
4.3 使用等离子体辐照样品20 min，使得MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点表面的配体油酸发生碳碳双键聚合，完成对MAPbBr1.5I1.5钙钛矿量子点的改性。结束后，从等离子体设备中取出样品。
经测试，本实施例所得到的表面配体发生聚合的MAPbBr3钙钛矿量子点样品形貌良好，对水、氧及光照的抵抗性增强，钙钛矿量子点材料稳定性明显提升。
实施例5
本实施例以PbS量子点为例，其表面配体为油酸，在油酸的碳氢链中间含一个碳碳双键。在对PbS量子点进行改性的过程中：
5.1 将制备的PbS量子点涂敷在硅基底上；
5.2 将涂敷有PbS量子点的硅基底置于等离子体设备中，用氩气作等离子源，激发氩气使气体电离，让等离子体与样品接触；
5.3 80℃下，使用等离子体辐照样品30 min，使得PbS量子点表面的配体油酸发生碳碳双键聚合，完成对PbS量子点的改性。结束后，从等离子体设备中取出样品。
经测试，本实施例所得到的表面配体发生聚合的PbS量子点样品形貌良好，对水、氧及光照的抵抗性增强，量子点材料稳定性明显提升。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种胶体量子点改性方法，其特征在于，所述改性方法中包括：
制备胶体量子点，所述胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且所述有机配体碳链中含有不饱和键；所述不饱和建为碳碳双键；有机配体中包含油酸；
将所述胶体量子点涂敷于基底上；
将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。
2.如权利要求1所述的改性方法，其特征在于，在等离子体设备中，使用氮气和/或氩气作为等离子源，对胶体量子点进行辐照。
3.如权利要求1或2所述的改性方法，其特征在于，在等离子体设备中，在温度为0～80℃的环境中对胶体量子点进行等离子体辐照。
4.如权利要求1或2所述的改性方法，其特征在于，所述基底为玻璃基底或硅衬底或由柔性有机材料制备的基底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811213616.1A CN109400641B (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 胶体量子点改性方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811213616.1A CN109400641B (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 胶体量子点改性方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109400641A CN109400641A (zh) | 2019-03-01 |
| CN109400641B true CN109400641B (zh) | 2021-04-16 |
Family
ID=65467517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811213616.1A Active CN109400641B (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 胶体量子点改性方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109400641B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110684528B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-08-16 | 太原科技大学 | 一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法 |
| CN110845152B (zh) * | 2019-11-21 | 2022-03-08 | 惠雨恩科技(深圳)有限公司 | 一种改性胶体量子点薄膜的声表面波气体传感器及其制备方法 |
| CN116656363B (zh) * | 2023-04-25 | 2024-08-23 | 北京科技大学 | 一种量子点表面配体的处理方法及其应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102741297A (zh) * | 2010-02-26 | 2012-10-17 | 高丽大学校产学协力团 | 纳米粒子 |
| CN107099290A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-08-29 | 向爱双 | 制备核壳结构钙钛矿量子点的方法 |
| CN107966878A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 三星电子株式会社 | 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置 |
| CN108360081A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-08-03 | 宁波工程学院 | 一种原位合成CsPbX3纳米晶并封装于聚合物纤维中的方法 |
-
2018
- 2018-10-18 CN CN201811213616.1A patent/CN109400641B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102741297A (zh) * | 2010-02-26 | 2012-10-17 | 高丽大学校产学协力团 | 纳米粒子 |
| CN107966878A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 三星电子株式会社 | 量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置 |
| CN107099290A (zh) * | 2017-07-05 | 2017-08-29 | 向爱双 | 制备核壳结构钙钛矿量子点的方法 |
| CN108360081A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-08-03 | 宁波工程学院 | 一种原位合成CsPbX3纳米晶并封装于聚合物纤维中的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| X-ray Lithography on Perovskite Nanocrystals Films: From Patterning with Anion-Exchange Reactions to Enhanced Stability in Air and Water;Francisco Palazon等，;《ACS Nano》;20151130;第1224-1230页，尤其是第1225、1228页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109400641A (zh) | 2019-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109400641B (zh) | 胶体量子点改性方法 | |
| Heller et al. | Controlled suppression or enhancement of the photoactivity of titanium dioxide (rutile) pigment | |
| Luo et al. | Lead halide perovskite nanocrystals: Stability, surface passivation, and structural control | |
| Mariotti et al. | Silicon nanocrystals in liquid media: optical properties and surface stabilization by microplasma‐induced non‐equilibrium liquid chemistry | |
| CN102477291B (zh) | 一种ZnO纳米棒阵列的制备方法 | |
| CN1751381A (zh) | 杂质导入方法 | |
| CN109560206B (zh) | 胶体量子点薄膜图案化方法 | |
| CN110416334A (zh) | 一种基于异质外延Ga2O3薄膜深紫外光电探测器的制备方法 | |
| Yang et al. | Structure, X-ray photoelectron spectroscopy and photoluminescence properties of highly ordered ZnO microrods | |
| CN108550706A (zh) | 一种量子点光电探测器的制备方法 | |
| Kuo et al. | A comparative study of the photoluminescence and conduction mechanisms of low temperature pulsed laser deposited and atomic layer deposited zinc oxide thin films | |
| Nosaka et al. | Effect of charge of polymeric stabilizing agents on the quantum yields of photoinduced electron transfer from photoexcited colloidal semiconductors to adsorbed viologens | |
| CN111129240A (zh) | 一种提高氮化物led电流扩展能力的外延生长方法 | |
| Rathod et al. | Plasma-Treated CsPbBr3 Nanocrystal Films for Anticounterfeiting Applications | |
| CN106998596A (zh) | 用于制备电热膜的饱和溶液 | |
| Su et al. | Improving the property of ZnO nanorods using hydrogen peroxide solution | |
| CN106950213B (zh) | 一种纳米异质结表面增强拉曼活性基底的制备方法 | |
| CN107313024A (zh) | 一种提高单层过渡金属硫化物材料发光性能的方法 | |
| CN116969575A (zh) | 硫化镉复合UIO-66(Ce)催化剂的应用 | |
| Burlacu et al. | Enhanced radiation hardness of ZnO nanorods versus bulk layers | |
| CN111378431A (zh) | 一种量子点膜及其制备方法与应用 | |
| Al-Obaidi et al. | Surface-enhanced Raman scattering studies of metalloporphyrins on silver sols, MELLFs and electrodes: evidence for reversible photoinduced demetalation of a silver (II) porphyrin | |
| CN109742649B (zh) | 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法 | |
| KR20200077458A (ko) | 플래쉬 램프를 이용한 도핑된 메조포어 구조의 그래핀 박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 메조포어 구조의 그래핀 박막 | |
| Huang et al. | Luminescence enhancement of ZnO-core/a-SiN x: H-shell nanorod arrays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |