CN107919310B - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107919310B
CN107919310B CN201710910368.5A CN201710910368A CN107919310B CN 107919310 B CN107919310 B CN 107919310B CN 201710910368 A CN201710910368 A CN 201710910368A CN 107919310 B CN107919310 B CN 107919310B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
unit
processing
transferred
processing condition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710910368.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107919310A (zh
Inventor
关家一马
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN107919310A publication Critical patent/CN107919310A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107919310B publication Critical patent/CN107919310B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

提供加工装置，能够对多种晶片进行加工，防止产生由于晶片的误投入所导致的缺陷。具有晶片检查单元(20)，对从盒载置单元(12)搬送的晶片是否是与加工条件对应的晶片进行检查。晶片检查单元利用测量构件(52)对所搬送的晶片的特性进行测量，控制单元(26)的判断部(78)对测量构件所测量的晶片特性的实测值和与加工条件对应的晶片特性的设定值进行比较，对所搬送的晶片的适当性进行判断。在判断部判断为是与加工条件对应的晶片的情况下，将该晶片搬送至加工单元(22a、22b、22c)而实施加工，在判断为不是与加工条件对应的晶片的情况下，利用通知构件(80)通知错误。由此，能够避免产生由于晶片的误投入所导致的缺陷。

Description

加工装置
技术领域
本发明涉及用于对晶片进行加工的加工装置。
背景技术
在半导体器件或电子部件的制造工艺中，利用磨削装置或研磨装置对半导体晶片或由陶瓷基板等各种原材料构成的板状的被加工物进行薄化而形成规定的厚度，然后利用安装于切削装置的主轴的切削刀具或激光加工装置沿着分割预定线分割成各个器件芯片。近年来，随着对被加工物的加工方式(薄化等)的多样化，提出了使各种加工装置自由组合并协作的晶片加工装置(集群模块系统)(参照专利文献1)。在集群模块系统中，能够以同时进行的方式进行多种多样的器件晶片的加工。
专利文献1：日本特开2015-8195号公报
但是，在同时对加工条件不同的多种多样的晶片进行加工的情况下，有可能将不适合所设定的加工条件的晶片投入加工装置。在产生这样的晶片的误投入的情况下，存在下述课题：无法执行适当的加工而导致加工缺陷，或者作业在加工中途中断而产生时间的损失，从而给生产率及成本带来不良影响。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于提供一种加工装置，避免产生由于晶片的误投入所导致的缺陷。
根据本发明，提供加工装置，其特征在于，该加工装置具有：盒载置单元，其载置对多个晶片进行收纳的盒；搬出单元，其将晶片从该盒载置单元所载置的盒中搬出；搬送单元，其对利用该搬出单元搬出的晶片进行搬送；多个加工单元，它们与该搬送单元相邻地配设且对晶片实施各不相同的加工；控制单元，其对该各单元进行控制，该控制单元具有存储部，该存储部预先存储有与至少包含晶片的厚度和晶片的外径在内的晶片特性对应地设定的加工条件；以及晶片检查单元，其与该搬送单元相邻地配设，为了对由该搬送单元搬送的晶片是否是与该加工条件对应的晶片进行判断而进行检查，该晶片检查单元包含：保持工作台，其对从该搬送单元搬送的晶片进行保持；以及测量构件，其对该保持工作台所保持的该晶片特性进行测量，该控制单元具有判断部，该判断部对该测量构件所测量的该晶片特性的实测值和与该加工条件对应的晶片特性的设定值进行比较，对所搬送的晶片是否是与该加工条件对应的晶片进行判断，在该判断部判断为所搬送的晶片是与该加工条件对应的晶片的情况下，将该晶片搬送至该加工单元并实施加工，在该判断部判断为所搬送的晶片不是与该加工条件对应的晶片的情况下，利用通知构件通知错误。
根据该结构，仅在所搬送的晶片具有与加工条件对应的晶片特性的情况下利用加工单元实施加工，在所搬送的晶片不具有与加工条件对应的晶片特性的情况下通知错误，因此不会对误投入的晶片直接进行加工。
优选在对是否是与加工条件对应的晶片进行判断时参照的晶片特性包含晶片的外径、晶片的厚度、转位尺寸和对准用关键图案图像中的任意特性。
优选加工装置还具有：载置工作台，其将利用该搬出单元搬出的晶片载置于上表面；以及中心对准构件，其对晶片的中心进行对准，具有三个以上的抵接部，该抵接部构成为能够以该载置工作台为中心在径向上移动，该中心对准构件包含测量构件，该测量构件兼作晶片检查单元，对载置于该载置工作台的该晶片的晶片特性进行测量，载置于该载置工作台的晶片借助该抵接部进行中心对准，并且在该测量构件中对该晶片特性进行实测。
根据本发明，能够得到一种加工装置，其避免产生由于晶片的误投入所导致的缺陷。
附图说明
图1是以分解成各单元的状态示出本实施方式的晶片加工装置的立体图。
图2是以将各单元组合的状态示出本实施方式的晶片加工装置的立体图。
标号说明
10：晶片加工装置；12：盒载置单元；14：搬出单元；16：搬送单元；18：中心对准单元；20：晶片检查单元；22a：粗磨削单元(加工单元)；22b：精磨削单元(加工单元)；22c：激光加工单元(加工单元)；24：清洗单元；26：控制单元；46：载置工作台；48：抵接部；50：保持工作台；52：测量构件；76：存储部；78：判断部；80：通知构件。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式的加工装置进行说明。图1示出将晶片加工装置10分解成各单元的状态，图2示出将各单元组合的状态的晶片加工装置10。晶片加工装置10具有盒载置单元12、搬出单元14、搬送单元16、中心对准单元18、晶片检查单元20、多个加工单元22a、22b、22c、清洗单元24以及控制单元26。
盒载置单元12具有排成一列的多个盒载置工作台30a、30b、30c、30d以及分别载置于各盒载置工作台30a、30b、30c、30d的盒32a、32b、32c、32d。在各盒32a、32b、32c、32d内能够收纳多张晶片。
搬出单元14具有：导轨34，其与多个盒载置工作台30a、30b、30c、30d在盒载置单元12上所排列的方向大致平行地延伸；移动构件36，其被支承为能够沿着导轨34移动；以及晶片保持构件38，其被移动构件36支承且能够对晶片进行保持。导轨34是将在长度方向上分割的多个轨单元组合而构成的，在图1中以虚线示出各轨单元的边界部分。在本实施方式中，利用两个端部轨单元和两个中间轨单元构成导轨34。移动构件36被支承为能够在导轨34的长度方向上移动，利用内置的线性电动机的驱动力进行移动。晶片保持构件38由在前端具有晶片保持用的手臂的多轴关节机器人构成。通过使移动构件36和晶片保持构件38进行动作，能够将收纳于各盒32a、32b、32c、32d内的晶片搬出以及将晶片收纳于各盒32a、32b、32c、32d内。
搬送单元16具有：导轨40，其在相对于搬出单元14的导轨34的长度方向垂直的方向上延伸；移动构件42，其被支承为能够沿着导轨40移动；以及晶片保持构件44，其被移动构件42支承且能够对晶片进行保持。导轨40是将在长度方向上分割的多个轨单元组合而构成的，在图1中以虚线示出各轨单元的边界部分。在本实施方式中，利用两个端部轨单元和三个中间轨单元构成导轨40。移动构件42被支承为能够在导轨40的长度方向上移动，利用内置的线性电动机的驱动力进行移动。晶片保持构件44由在前端具有晶片保持用的手臂的多轴关节机器人构成。
中心对准单元18具有：载置工作台46，其能够在上表面上载置晶片；以及四个抵接部48，它们能够以载置工作台46为中心在径向上移动。各抵接部48由圆柱形状的销构成，使四个抵接部48朝向径向的中心移动，从而进行对载置于载置工作台46的上表面的晶片的中心对准。
晶片检查单元20具有：保持工作台50，其能够在上表面上对晶片进行保持；以及测量构件52，其对保持工作台50上所保持的晶片的特性进行测量。利用测量构件52测量的晶片特性包含晶片的外径、晶片的厚度、晶片上的转位尺寸(相邻分割预定线间尺寸)以及对准用关键图案图像中的任意特性。
在将晶片检查单元20的测量对象设为晶片的外径的情况下，可以使用能够对晶片整体进行拍摄的拍摄装置作为测量构件52。按照将保持工作台50上所保持的大致圆形的晶片的整体收入画面内的方式对拍摄装置的高度位置及拍摄倍率进行设定，根据所拍摄的图像确定晶片的中心。例如，设定将所拍摄的晶片的外周上的三点作为顶点的假想的等腰三角形，引出其顶角的二等分线。当引出两条以上处于非平行的关系的上述二等分线时，其交点是晶片的中心。并且，在拍摄图像上，求出通过晶片的中心的直线与晶片的外周相交的两个交点之间的距离，根据该距离而得到晶片外径的测量值。
在将晶片检查单元20的测量对象设为晶片的厚度的情况下，可以使用接触式的测量器或非接触式的高度传感器作为测量构件52。在接触式的测量器的情况下，使测量器与保持工作台50的上表面以及保持工作台50上所保持的晶片的上表面(无论晶片的正面和背面，是朝向上方的面)接触，利用该高度方向上的差而得到晶片的厚度的测量值。在非接触式的高度传感器的情况下，从上方对晶片照射测量光，根据在晶片的上表面反射的反射光与透过晶片而在下表面侧反射的反射光的光路长之差，得到晶片的厚度的测量值。例如，在利用非接触式的高度传感器对正面侧粘贴有保护带的晶片的厚度进行测量的情况下，使保护带的某一表面朝下(与保持工作台50的上表面对置的朝向)而将晶片载置于保持工作台50上，从朝向上方的晶片的背面侧照射红外线的测量光。在晶片的上方配设能够透过晶片而对红外线图像进行拍摄的红外线相机，利用红外线相机对晶片的背面(上表面)侧的反射光和晶片的正面(下表面)侧的反射光进行受光，从而能够对晶片的厚度进行测量。
在将晶片检查单元20的测量对象设为晶片上的转位尺寸(相邻分割预定线间尺寸)的情况下，可以使用拍摄装置作为测量构件52。与各个器件芯片对应的分割预定线、对准用的关键图案等形成在晶片上，利用拍摄装置对相邻的分割预定线、关键图案等进行拍摄而进行长度测量，从而得到转位尺寸的测量值。
在将晶片检查单元20的测量对象设为对准用关键图案图像的情况下，可以使用对对准用关键图案图像进行拍摄的拍摄装置作为测量构件52。例如，拍摄装置以低倍率对晶片进行拍摄而获得宏观用关键图案图像，以高倍率对晶片进行拍摄而获得微观用关键图案图像。
作为晶片检查单元20的测量构件52，也可以组合使用以上例示的多个构件来对多种晶片特性进行测量。
在本实施方式中，多个加工单元22a、22b、22c由粗磨削单元22a、精磨削单元22b以及激光加工单元22c构成。粗磨削单元22a具有：转台56，其以能够转动的方式支承在单元壳体54上；两个卡盘工作台58，其支承在转台56上；粗磨削构件60，其位于转台56的上方；以及支承构件62，其对粗磨削构件60进行支承。通过转台56的旋转，能够使两个卡盘工作台58交替位于粗磨削构件60的下方的加工区域和接近搬送单元16的导轨40的晶片装卸区域。两个卡盘工作台58分别能够在上表面上对晶片进行吸引保持。粗磨削构件60被支承构件62支承为能够上下移动，利用磨削磨具对卡盘工作台58上的晶片实施粗磨削加工。精磨削单元22b除了代替粗磨削构件60而具有精磨削构件64以外，结构与粗磨削单元22a相同，对于与粗磨削单元22a相同的要素标记相同的标号并省略了说明。精磨削单元22b利用设置于精磨削构件64的磨削磨具对卡盘工作台58上所保持的晶片实施精磨削加工。
激光加工单元22c具有：卡盘工作台68，其支承在单元壳体66上；激光光线照射构件70，其位于卡盘工作台68的上方；以及支承构件72，其对激光光线照射构件70进行支承。激光光线照射构件70被支承构件72支承为可动。卡盘工作台68能够相对于激光光线照射构件70在加工进给方向上移动，并能够在上表面上对晶片进行吸引保持。激光加工单元22c利用激光光线照射构件70对卡盘工作台68上所保持的晶片照射激光光线而实施规定的激光加工。
清洗单元24具有公知的旋转式清洗构件，对搬入至清洗区域74的晶片进行旋转清洗。
如图2所示，在将构成晶片加工装置10的各单元组合的状态下，中心对准单元18、晶片检查单元20、多个加工单元22a、22b、22c、清洗单元24均与搬送单元16的导轨40相邻地配设。另外，中心对准单元18也与搬出单元14的导轨34相邻。并且，能够借助搬出单元14和搬送单元16将晶片搬送至各单元。
以上所述的盒载置单元12、搬出单元14、搬送单元16、中心对准单元18、晶片检查单元20、粗磨削单元22a、精磨削单元22b、激光加工单元22c、清洗单元24具有对自己的动作及作业进行控制的控制构件。控制单元26在与这些各单元的控制构件之间接收控制信号而进行晶片加工装置10的整体的控制。
控制单元26具有存储部76和判断部78。存储部76中存储有利用晶片加工装置10进行处理的晶片的加工条件。加工条件包含晶片加工装置10中的晶片的搬送路径(各单元间的搬送顺序)、上述的晶片特性(晶片的外径、晶片的厚度、转位尺寸以及对准用的关键图案图像等)、清洗条件以及其他的从加工开始至结束所需的条件。加工条件按照每个所制造的器件而不同，对于与多种器件对应的多个加工条件，标记器件数据序号等识别信息而进行管理。
控制单元26的判断部78对利用晶片检查单元20的测量构件52测量的晶片特性与存储于存储部76的加工条件中所含的晶片特性的设定值的相关关系进行比较，对两者是否对应进行判断。例如，在利用晶片检查单元20的测量构件52对晶片的外径、晶片的厚度以及晶片上的转位尺寸中的至少一个进行了测量的情况下，对这些实测值相对于加工条件中作为设定值所包含的晶片外径、晶片厚度以及转位尺寸的数值是否处于规定的容许范围内进行判断。另外，在利用晶片检查单元20的测量构件52获得了晶片上的对准用关键图案图像的情况下，对所拍摄的对准用关键图案图像和加工条件中所含的基准图案的相似度进行判定，从而对是否满足规定以上的相似度进行判断。另外，作为基准图案，可以使用操作者利用示教处理而预先设定的图案。
晶片加工装置10还具有通知构件80。通知构件80被控制单元26控制，通过视觉信息或声音信息来通过后述的错误状态。
对如以上那样构成的晶片加工装置10的动作进行说明。在利用晶片加工装置10进行加工作业时，将加工前的晶片收纳于盒32a、32b、32c、32d的一部分或全部盒中。在各盒32a、32b、32c、32d中，可以对多张晶片特性相同的同一种类的晶片进行收纳，也可以以多张晶片特性不同的多种晶片混合存在的方式进行收纳。在任意的情况下，均通过操作者将与收纳于各盒32a、32b、32c、32d的加工前的各晶片的特性对应的加工条件输入至控制单元26，在存储部76中作为数据进行保持。
当操作者输入对规定的晶片的加工开始信号时，利用搬出单元14从盒32a、32b、32c、32d中搬出相应的晶片，搬送至中心对准单元18。利用中心对准单元18进行晶片的中心对准，进行了中心对准的晶片被搬送单元16搬送至晶片检查单元20。
晶片检查单元20利用测量构件52对保持工作台50的上表面所保持的晶片的晶片特性进行测量。控制单元26的判断部78对测量构件52所测量的晶片特性的实测值和与预先存储于存储部76的加工条件对应的晶片特性的设定值进行比较，对搬送至保持工作台50上的晶片是否是与该加工条件对应的晶片进行判断。在判断部78判断为该晶片是与加工条件对应的适当的晶片的情况下，进入后述的加工处理。在判断部78判断为该晶片是与加工条件不对应的不适当的晶片的情况下，不进入加工处理，进行错误处理。
在错误处理中，利用通知构件80通知错误。通知的内容能够根据通知构件80的结构而任意选择。例如，作为通知构件80，可以使用以文字信息或图像信息的形式通知错误的显示器、以发光信息的形式通知错误的LED或灯泡以及以声音信息的形式通知错误的扬声器等，也可以将它们组合使用。在错误处理中还使用搬送单元16和搬出单元14使判断为与加工条件不对应的晶片返回最初收纳的盒32a、32b、32c、32d等，从搬送路径移除。
在判断部78判断为是与加工条件对应的适当的晶片而进入加工处理的情况下，控制单元26使用搬送单元16在加工条件中所含的规定的搬送路径上对晶片进行搬送。对于粗磨削单元22a、精磨削单元22b、激光加工单元22c、清洗单元24中的任意一个，以哪种顺序对晶片进行搬送根据加工条件而不同。当各单元中的作业结束而发送作业结束信号时，控制单元26对搬送单元16发送向下一单元的搬送指令信号，对经过了各加工阶段的晶片进行搬送。结束了加工条件中所含的所有加工的晶片被搬送至中心对准单元18而进行中心对准，然后利用搬出单元14收纳于规定的盒32a、32b、32c、32d的规定的位置。
在上文中，对一张晶片的加工的流程进行了说明，但当各单元中的作业结束时，可以依次从盒32a、32b、32c、32d搬出下一晶片，继续对多张晶片进行加工。
如上所述，在本实施方式的晶片加工装置10中，对晶片检查单元20所测量的晶片特性的实测值和与加工条件对应的晶片特性的设定值进行比较，对是否实际搬送与加工条件对应的晶片进行判断。并且，在判断为是不适合加工条件的晶片的情况下，利用通知构件80进行错误通知。由此，能够防止利用各加工单元22a、22b、22c对不适合加工条件的晶片进行加工。
特别是在晶片加工装置10那样具有多个加工单元而能够同时对加工条件不同的多种多样的晶片进行加工的集群模块系统中，为了进行与加工条件一致的加工，必须正确设定各盒内的晶片的收纳位置及对晶片进行收纳的多个盒的相互配置。在本实施方式的晶片加工装置10中，能够简单且可靠地对要进入加工的晶片是否是收纳于适当的收纳位置的适当种类的晶片进行判断。该判断是与从加工条件相同的多个晶片中发现不合格品并去除的单纯的检查作业不同的作业。即，应用了本发明的加工装置能够可靠地解决因多种晶片的混合存在而产生的晶片的误投入这样的在集群模块系统中特有的课题。
作为与本实施方式的晶片加工装置10不同的形态，也可以采用中心对准单元18兼作晶片检查单元的结构。在中心对准单元18进行晶片的中心对准时，能够使用四个抵接部48作为测量构件来对晶片的外径进行测量。在中心对准单元18兼作晶片检查单元的情况下，可以省略上述实施方式中的晶片检查单元20。另外，在上述实施方式中，中心对准单元18具有四个抵接部48，但若具有至少三个以上的抵接部，则能够进行晶片的中心对准和外径的测量。即，在将晶片的外径作为测量对象的情况下，若具有三个以上的抵接部，则作为本发明中的测量构件成立。
另外，本发明的实施方式并不限于上述各实施方式，可以在不脱离本发明的技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。另外，通过技术的进步或衍生的其他技术，只要能够利用其他方式实现本发明的技术思想，则可以使用该方法实施。因此，权利要求书保护能够包含在本发明的技术思想的范围内的所有实施方式。
例如，在上述实施方式中，晶片加工装置10具有粗磨削单元22a、精磨削单元22b和激光加工单元22c作为加工单元，但构成本发明的加工装置的多个加工单元的数量及功能的组合并不限于此。作为一例，可以在加工装置的加工单元中包含抛光加工单元或蚀刻加工单元等。
如以上说明那样，本发明具有下述效果：能够适当且可靠地对晶片进行加工，而不会将不适合加工条件的晶片误投入而产生加工缺陷，特别是在以同时进行的方式对多种多样的半导体晶片或光器件晶片进行加工的加工装置中有用。

Claims (3)

1.一种加工装置，其特征在于，
该加工装置具有：
盒载置单元，其对收纳了多个晶片的盒进行载置；
搬出单元，其将晶片从该盒载置单元所载置的盒中搬出；
搬送单元，其对利用该搬出单元搬出的晶片进行搬送；
多个加工单元，它们与该搬送单元相邻地配设，对晶片实施各不相同的加工；
控制单元，其对该各单元进行控制，该控制单元具有存储部，该存储部预先存储有与至少包含晶片的厚度和晶片的外径在内的晶片特性对应地设定的加工条件，预先存储在该存储部中的加工条件用于判断所搬送的晶片是否适合在所述加工单元中进行加工；以及
晶片检查单元，其与该搬送单元相邻地配设，为了判断由该搬送单元搬送的晶片是否是与该加工条件对应的晶片而进行检查，
该晶片检查单元包含：
保持工作台，其对从该搬送单元搬送的晶片进行保持；以及
测量构件，其对该保持工作台所保持的该晶片的晶片特性进行测量，
该控制单元具有判断部，该判断部对该测量构件所测量的该晶片特性的实测值和与该加工条件对应的晶片特性的设定值进行比较，对所搬送的晶片是否是与该加工条件对应的晶片进行判断，
在该判断部判断为所搬送的晶片是与该加工条件对应的晶片的情况下，将该晶片搬送至该加工单元并实施加工，
在该判断部判断为所搬送的晶片不是与该加工条件对应的晶片的情况下，利用通知构件通知错误。
2.根据权利要求1所述的加工装置，其特征在于，
该晶片特性包含晶片的外径、晶片的厚度、转位尺寸以及对准用关键图案图像中的任意特性。
3.根据权利要求1或2所述的加工装置，其特征在于，
该加工装置还具有：
载置工作台，其将利用该搬出单元搬出的晶片载置于上表面；以及
中心对准构件，其对晶片的中心进行对准，具有三个以上的抵接部，该抵接部构成为能够以该载置工作台为中心在径向上移动，
该中心对准构件包含测量构件，该测量构件兼作晶片检查单元，对载置于该载置工作台的该晶片的晶片特性进行测量，
载置于该载置工作台的晶片借助该抵接部进行中心对准，并且在该测量构件中对该晶片特性进行实测。
CN201710910368.5A 2016-10-07 2017-09-29 加工装置 Active CN107919310B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-198614 2016-10-07
JP2016198614A JP6765926B2 (ja) 2016-10-07 2016-10-07 加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107919310A CN107919310A (zh) 2018-04-17
CN107919310B true CN107919310B (zh) 2023-03-28

Family

ID=61829064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710910368.5A Active CN107919310B (zh) 2016-10-07 2017-09-29 加工装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10964567B2 (zh)
JP (1) JP6765926B2 (zh)
CN (1) CN107919310B (zh)
TW (1) TWI732933B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP2019198940A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP7201478B2 (ja) * 2019-02-28 2023-01-10 株式会社ディスコ 加工装置
JP2021126744A (ja) * 2020-02-17 2021-09-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2022097831A (ja) * 2020-12-21 2022-07-01 株式会社ディスコ 研削装置及び研削装置の駆動方法
CN114659456A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 中国科学院微电子研究所 一种软刷辊轴间距检测装置、调整系统及方法
TWI790591B (zh) * 2021-04-12 2023-01-21 環球晶圓股份有限公司 晶圓加工系統及其重工方法
US20230039611A1 (en) * 2021-08-06 2023-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sandpaper replacement system
JP2024018207A (ja) 2022-07-29 2024-02-08 株式会社ディスコ 搬送装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6286685B1 (en) * 1999-03-15 2001-09-11 Seh America, Inc. System and method for wafer thickness sorting
US6324298B1 (en) * 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
JP2005311386A (ja) * 2005-05-06 2005-11-04 Hitachi Ltd ウエハ検査装置
CN103094164A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板搬送方法
JP2015008195A (ja) * 2013-06-25 2015-01-15 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637170A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Fujitsu Ltd ウェーハアライメント方法及び装置
TW543080B (en) * 1999-10-26 2003-07-21 Fab Solutions Inc Semiconductor device
JP2002050597A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板の裏面研削装置
JP4765166B2 (ja) * 2000-12-18 2011-09-07 パナソニック株式会社 塗液の塗布装置
US7698012B2 (en) * 2001-06-19 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing
JP4234934B2 (ja) * 2002-02-15 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 無人搬送車システム
JP4302491B2 (ja) * 2003-11-14 2009-07-29 株式会社アルバック 枚葉式真空処理装置
JP5122854B2 (ja) * 2007-04-13 2013-01-16 株式会社ディスコ デバイスの研削方法
JP4866782B2 (ja) * 2007-04-27 2012-02-01 富士フイルム株式会社 基板クランプ機構及び描画システム
JP2011096843A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ウェーハ搬送装置及びウェーハサイズの判別方法
JP2015038944A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 株式会社ディスコ 加工装置
JP6230934B2 (ja) * 2014-03-06 2017-11-15 株式会社ディスコ 切削装置
US9341580B2 (en) * 2014-06-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Linear inspection system
JP6064015B2 (ja) * 2015-10-14 2017-01-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6324298B1 (en) * 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6286685B1 (en) * 1999-03-15 2001-09-11 Seh America, Inc. System and method for wafer thickness sorting
JP2005311386A (ja) * 2005-05-06 2005-11-04 Hitachi Ltd ウエハ検査装置
CN103094164A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板搬送方法
JP2015008195A (ja) * 2013-06-25 2015-01-15 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6765926B2 (ja) 2020-10-07
CN107919310A (zh) 2018-04-17
US10964567B2 (en) 2021-03-30
TWI732933B (zh) 2021-07-11
TW201816873A (zh) 2018-05-01
US20180102268A1 (en) 2018-04-12
JP2018060958A (ja) 2018-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107919310B (zh) 加工装置
US10482587B2 (en) Apparatus having transfer control based on imaged image
US11105752B2 (en) Inspecting apparatus and processing apparatus including the same
TWI751354B (zh) 切割裝置及晶圓的加工方法
JP4216263B2 (ja) 製造検査解析システム、および製造検査解析方法
KR102305300B1 (ko) 가공 장치
US20050134256A1 (en) System for processing electronic devices
KR20180020889A (ko) 피가공물의 절삭 방법
JP2008218903A (ja) ウエハの求心装置および方法
KR102645229B1 (ko) 검사 지그 및 검사 방법
JP6004761B2 (ja) ダイシング方法
KR20140089298A (ko) 웨이퍼 표면 검사 장치
JP7152290B2 (ja) 貼り合わせウェーハのエッジトリミング加工方法
JP2848185B2 (ja) 自己診断機能付き半導体製造装置及びその自己診断方法
TWI824103B (zh) 關鍵圖案檢測方法及裝置
JP2014033122A (ja) 被加工物の加工方法
CN102914551A (zh) 玻璃基板检查系统以及玻璃基板的制造方法
JP2021126744A (ja) 加工装置
JP7324920B2 (ja) 貼り合わせウェーハのエッジトリミング加工方法、及びエッジトリミング加工装置
KR102592786B1 (ko) 가공 장치의 관리 방법 및 가공 장치
JP2004096078A (ja) アライメント装置
CN116779472A (zh) 被加工物的处理方法
JP2023006188A (ja) 情報交換システム
KR20210003049A (ko) 가공 장치 및 척 테이블
US9464884B2 (en) Method for determining the position of a rotation axis

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant