CN107919266A - 一种量子点结构的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种量子点结构的制作方法，包括：在衬底上制备量子点膜层；在所述量子点膜层上制备第一保护膜；在所述第一保护膜上制备图形化阵列；在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；对所述中间体进行退火处理，在所述衬底上获得量子点结构。根据本发明的量子点结构的制作方法，以图形化阵列作为模板，利用模板选择区域退火工艺来制作有序的量子点结构，并采用后续热处理工艺，一方面避免对衬底的表面造成损伤，提高量子点结构的性能；另一方面，可有效控制量子点密度及位置，使所获得的量子点结构应用于量子点器件时，性能更为优越。

Description

一种量子点结构的制作方法
技术领域
本发明属于半导体量子点及其制造技术领域，具体地讲，涉及一种量子点结构的制作方法。
背景技术
量子信息技术是物理学领域前沿的重大的研究方向之一，而基于单光子态操纵实现量子计算、量子通信是目前量子信息技术最重要的物理实现方法。但是目前缺乏理想的单光子发射器件，因此目前来说，量子密钥通信的实验演示都采用激光衰减光源来模拟单光子发射，但是这种实验需要极为复杂的光路系统，而且单光子产生效率很低，也不能消除多光子的存在，无法避免受到多光子攻击的可能性。这将会给量子通信带来安全隐患，如窃听者可以通过光子数分裂(PNS)方法进行窃听。因此如何得到一种稳定、高效、可靠的单光子源，已经成为量子通信和量子密码实用化的一个瓶颈问题。
半导体量子点结构因其在X、Y、Z三个方向的尺寸在几纳米到几十纳米之间，所以将受到很强的三维的量子限制效应，能级分布呈类氢光谱状，具有典型的“类原子”结构；并且半导体量子点结构还具备波长可调谐范围大、易于集成等优势，因此成为制备单光子发射器件的理想选择之一。
但是，传统的Stranski-Krastanow模式(简称SK模式)量子点生长工艺很难长出密度可控，尺寸、位置可控的量子点结构。为了解决这个问题，近年来采用在纳米图形化衬底上外延生长量子点结构的技术受到了广泛关注，但这些方法不仅工艺繁琐而且对衬底有较大的损伤，不利于得到高质量的量子点结构。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种量子点结构的制作方法，该制作方法采用模板选区退火工艺，从而获得了其中量子点的密度及位置可控的量子点结构。
为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种量子点结构的制作方法，包括：在衬底上制备量子点膜层；在所述量子点膜层上制备第一保护膜；在所述第一保护膜上制备图形化阵列；在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；对所述中间体进行退火处理，在所述衬底上获得量子点结构。
进一步地，所述图形化阵列的材料选自TiO2、Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3中的任意一种；所述图形化阵列的厚度为40nm～300nm，所述图形化阵列的长和/或宽为10nm～10μm。
进一步地，所述第一保护膜和所述第二保护膜的材料均为SiO2；所述第一保护膜的厚度为5nm～50nm，所述第二保护膜的厚度为50nm～300nm。
进一步地，对所述中间体进行退火处理的退火温度为550℃～1000℃，退火时间为30s～10min。
进一步地，所述量子点膜层的材料选自InAs、InGaAs、InGaAlAs、InSb、GaSb、InP中的任意一种；所述量子点膜层的生长温度为300℃～550℃；所述量子点膜层的厚度为1.4ML～10ML；所述量子点膜层中量子点的密度为108cm-2～1011cm-2。
进一步地，在所述第一保护膜上制备所述图形化阵列的方法具体包括：在所述第一保护膜上制备前驱体膜层；采用激光直写工艺对所述前驱体膜层进行图形化处理，所述前驱体膜层形成所述图形化阵列及围绕在所述图形化阵列周围的前驱体残膜；剥离所述前驱体残膜，在所述第一保护膜上形成所述图形化阵列。
进一步地，所述前驱体膜层的材料为Ti；所述前驱体膜层的厚度为40nm～300nm；所述图形化阵列的长和/或宽为100nm～500nm。
进一步地，在所述第一保护膜上制备所述图形化阵列的方法具体包括：在所述第一保护膜上制备光刻胶层；采用光刻工艺或电子束光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理，形成与所述图形化阵列的形状相匹配的凹孔；在所述凹孔中沉积图形化膜层；剥离所述光刻胶层，在所述第一保护膜上形成所述图形化阵列。
进一步地，所述图形化膜层的材料选自TiO2、Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3中的任意一种；所述图形化膜层的厚度为40nm～300nm；当采用光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理时，所述图形化阵列的长和/或宽为200nm～10μm；当采用电子束光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理时，所述图形化阵列的长和/或宽为10nm～200nm。
进一步地，所述衬底的材料选自GaAs、GaSb、InP中的任意一种。
有益效果：
(1)简化了工艺流程，优化了量子点结构的制作过程；本发明以图形化阵列作为模板，利用模板选择区域退火工艺来制作有序的量子点结构，并采用后续热处理工艺，相比现有技术中量子点结构的制作方法，避免对衬底的表面造成损伤，完整的衬底表面有利于减少量子点结构在生长过程中引入的缺陷，从而提高量子点结构的性能。
(2)制备密度可控的量子点，进而提高相应的量子点结构的性能，如可将低密度量子点结构应用于单光子器件中；本发明利用均匀的图形化阵列作为模板图形，有利于制备出均匀分布的量子点结构，从而可提高单光子器件、量子点激光器等量子点器件的性能。
(3)控制退火程度，可以在不同的模板区域得到不同密度、发射谱的量子点结构，有利于在宽光谱器件中的应用；本发明通过生长不同厚度的SiO2薄膜作为第一保护膜和第二保护膜，在相同的退火条件下，可以得到不同发射谱的量子点区域，而调控量子的发射谱，进而在同一块衬底上得到具有宽光谱性质的结构。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1-图7是根据本发明的实施例1的量子点结构的制作方法的工艺流程图示。
图8-图10是根据本发明的实施例2的量子点结构的制作方法的工艺流程图示。
图11是根据本发明的实施例3的量子点结构的制作方法获得的量子点结构的结构示意图。
图12是根据本发明的实施例4的量子点结构的制作方法获得的量子点结构的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。
将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
实施例1
图1-图7是根据本实施例的量子点结构的制作方法的工艺流程图示。
具体参照图1-图7，根据本实施例的量子点结构的制作方法包括下述步骤：
步骤一：在衬底1上制备量子点膜层2a。
具体地，在本实施例中，衬底1的材料为GaAs；量子点膜层2a的材料为InAs；量子点膜层2a的厚度为1.4ML～10ML，优选为1.4ML～5ML；量子点膜层2a中量子点的密度为108cm-2～1011cm-2。此处，ML即为单原子层(monolayer)，也即单层原子的厚度。
更为具体地，采用分子束外延SK模式生长量子点膜层2a，生长温度为300℃～550℃；关于该分子束外延SK模式来制备量子点膜层2a的具体工艺此处不再赘述，本领域技术人员参照现有技术即可。值得说明的是，当采用分子束外延SK模式制备量子点膜层2a的过程中，会伴生有浸润层2b，浸润层2b形成于衬底1上，而量子点膜层2a中的量子点阵列即“镶嵌”于该浸润层2b中，如图1所示。
当然，衬底1以及量子点膜层2a的材料并不限于本实施例中所述的GaAs及InAs；衬底1的材料还可以选用GaSb、InP或其他半导体材料衬底，量子点膜层2a的材料还可以选用InGaAs、InGaAlAs、InSb、GaSb、InP等。
步骤二：在量子点膜层2a上制备第一保护膜31，如图2所示。
具体地，可选择等离子体增强化学气相沉积法(简称PECVD)在量子点膜层2a上沉积一层厚度为5nm～50nm的SiO2作为第一保护膜31。
步骤三：在第一保护膜31上制备图形化阵列4。
参照图3-图5，本实施例采用激光直写工艺在第一保护膜31上制备图形化阵列4。
具体来讲，参照下述步骤：(1)采用电子束蒸发法在第一保护膜31上沉积厚度为40nm～300nm的Ti作为前驱体膜层4a，如图3所示；(2)采用激光直写工艺对前驱体膜层4a进行图形化处理，该前驱体膜层4a形成图形化阵列4和围绕在该图形化阵列4四周的前驱体残膜4a-1，如图4所示；(3)经HF酸显影后，前驱体残膜4a-1被剥离，即在第一保护膜31上形成图形化阵列4，如图5所示。
值得说明的是，在上述激光直写工艺处理的过程中，图形化区域的Ti即被氧化变成TiO2，也就是说，最终形成的图形化阵列4的材料为TiO2。
鉴于激光直写工艺的控制精度，最终获得的图形化阵列4的特征尺寸为100nm～500nm，也就是说，图形化阵列4的长和/或宽为100nm～500nm。同时，由于上述制备的前驱体膜层4a的厚度为40nm～300nm，因此最终获得的图形化阵列4的厚度也为40nm～300nm。
值得说明的是，当采用本实施例中的激光直写工艺在第一保护膜31上制备图形化阵列4时，Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3等不适用于用作图形化阵列4的材料。
步骤四：在第一保护膜31及图形化阵列4上制备第二保护膜32，获得中间体10a，如图6所示。
具体地，采用PECVD在第一保护膜31及图形化阵列4上沉积一层厚度为50nm～300nm的SiO2作为第二保护膜32。
步骤五：对中间体10a进行退火处理，并剥离第一保护膜31、图形化阵列4及第二保护膜32，在衬底1上获得量子点结构10，如图7所示。
具体来讲，本实施例的退火温度为550℃～750℃，退火时间为30s～5min。
通过前述步骤一-步骤四的操作，可以看出，衬底1上量子点膜层2a中的量子点分为两个区域，一个区域的量子点上方即被第一保护膜31、图形化阵列4及第二保护膜32覆盖，而这一区域周围的其他区域的量子点上方仅被第一保护膜31和第二保护膜32覆盖。在对中间体10a进行退火的过程中，未被图形化阵列4覆盖的量子点的密度变低，随着退火时间的增加，密度趋于稳定的量子点经高温会促进互混扩散，直至消失。一般地，当控制退火温度为550℃～750℃，退火时间为30s～5min时，未被图形化阵列4覆盖的量子点即互混扩散形成如图7中所示的第二量子点阵列22，而被图形化阵列4覆盖的量子点在退火过程中未发生变化，形成如图7中所示的第一量子点阵列21，由此最终在衬底1上形成了量子点结构10。
实施例2
在实施例2的描述中，与实施例1的相同之处在此不再赘述，只描述与实施例1的不同之处。实施例2中的量子点结构的制作方法与实施例1中的不同之处在于，步骤三中在第一保护膜31上制备图形化阵列4的具体方法不同。
参照图8-图10，本实施例采用光刻工艺在第一保护膜31上制备图形化阵列4。
具体来讲，参照下述步骤：(1)用甩胶机在第一保护膜31上旋涂一层光刻胶层4b，如图8所示；(2)采用光刻工艺对光刻胶层4b进行图形化处理，该光刻胶层4b形成光刻残胶4b-2，同时，光刻残胶4b-2内形成与预制备的图形化阵列4的形状相匹配的凹孔4b-1，如图9所示；(3)采用电子束蒸发工艺在光刻残胶4b-2及凹孔4b-1上沉积厚度为40nm～300nm的TiO2作为图形化膜层4c，其中，覆盖在光刻残胶4b-2上的图形化膜层记为4c-1，而落入凹孔4b-1内并直接覆盖在第一保护膜31上的图形化膜层记为4c-2，如图10所示；(4)剥离光刻残胶4b-2及位于其表面的图形化膜层4c-2，位于凹孔4b-1内部的图形化膜层4c-1则形成如图5中所示图形，即在第一保护膜31上形成了以TiO2为材料的图形化阵列4。
当然，在本实施例中，图形化膜层4c的材料还可以是Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3中的任意一种，由此，图形化阵列4的材料即对应与上述图形化膜层4c的材料相同。
鉴于光刻工艺的控制精度，最终获得的图形化阵列4的特征尺寸为200nm～10μm，也就是说，图形化阵列4的长和/或宽为200nm～10μm。同时，由于上述制备的图形化膜层4c的厚度为40nm～300nm，因此最终获得的图形化阵列4的厚度也为40nm～300nm。
其余步骤参照实施例1中所述，最终获得如图7中所示的量子点结构10。
实施例3
在实施例3的描述中，与实施例2的相同之处在此不再赘述，只描述与实施例2的不同之处。实施例3中的量子点结构的制作方法与实施例2中的不同之处在于，步骤三中在第一保护膜上制备图形化阵列的具体方法不同；同时，步骤五中对中间体进行退火的退火时间及退火温度不同。
具体来讲，本实施例将实施例2步骤三中步骤(2)的光刻工艺替换为电子束光刻工艺，以对光刻胶层进行图形化处理。
值得说明的是，鉴于电子束光刻工艺的控制精度，最终获得的图形化阵列的特征尺寸为10nm～200nm，即获得的图形化阵列的长和/或宽为10nm～200nm。
在本实施例中，中间体10a的退火温度为650℃～1000℃，退火时间为5min～10min，由此获得如图11所示的量子点结构10。
对比图7和图11中的量子点结构10的形状，可以看出，第二量子点阵列22消失，而第一量子点阵列21中的量子点也互混扩散，形成了第三量子点阵列23。这是由于，本实施例中图形化阵列采用电子束光刻工艺来制备，所获得的图形化阵列的特征尺寸较小，因为无法对位于其下方的量子点形成良好的保护作用，造成了位于其下方的多个量子点也出现了互混扩散的现象，由此形成了第三量子点阵列23，而又由于退火温度较高，退火时间较长，因此造成未被图形化阵列覆盖区域处的量子点互混扩散严重并导致消失。
实施例4
在实施例4的描述中，与实施例1的相同之处在此不再赘述，只描述与实施例1的不同之处。实施例4与实施例1的不同之处在于，在步骤五中，退火时间为650℃～1000℃，退火时间为5min～10min，由此获得如图12中的量子点结构10。
对比图7和图12中的量子点结构10的形状，可以看出，第二量子点阵列11消失，而第一量子点阵列21则保持原状。这是由于，本实施例中的退火温度较实施例1中的退火温度更高，且退火时间较实施例1中的退火时间更长，由此造成未被图形化阵列覆盖区域处的量子点互混扩散严重并导致消失，而由于本实施例中图形化阵列的制备方法为激光直写，所获得的图形化阵列的特征尺寸较大，因此被图形化阵列覆盖的多个量子点仍旧保持原状。
综上，可以看出，图形化阵列的制备方法以及退火温度、退火时间均会对最终获得的量子点结构的形状造成影响，由此，即可通过选择不同的图形化阵列的制备方法、以及控制中间体的退火温度和退火时间来制备密度、位置可控的量子点结构。
由此，本领域技术人员将理解的是，通过制备具有较小特征尺寸的图形化阵列、并控制较低退火温度及较短的退火时间，可制备获得第二量子点阵列和第三量子点阵列共存的量子点结构。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1.一种量子点结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备量子点膜层；
在所述量子点膜层上制备第一保护膜；
在所述第一保护膜上制备图形化阵列；
在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；
对所述中间体进行退火处理，在所述衬底上获得量子点结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述图形化阵列的材料选自TiO2、Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3中的任意一种；所述图形化阵列的厚度为40nm～300nm，所述图形化阵列的长和/或宽为10nm～10μm。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一保护膜和所述第二保护膜的材料均为SiO2；所述第一保护膜的厚度为5nm～50nm，所述第二保护膜的厚度为50nm～300nm。
4.根据权利要求1-3任一所述的制作方法，其特征在于，对所述中间体进行退火处理的退火温度为550℃～1000℃，退火时间为30s～10min。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述量子点膜层的材料选自InAs、InGaAs、InGaAlAs、InSb、GaSb、InP中的任意一种；所述量子点膜层的生长温度为300℃～550℃；所述量子点膜层的厚度为1.4ML～10ML；所述量子点膜层中量子点的密度为108cm-2～1011cm-2。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一保护膜上制备所述图形化阵列的方法具体包括：
在所述第一保护膜上制备前驱体膜层；
采用激光直写工艺对所述前驱体膜层进行图形化处理，所述前驱体膜层变为所述图形化阵列及围绕在所述图形化阵列周围的前驱体残膜；
剥离所述前驱体残膜，在所述第一保护膜上形成所述图形化阵列。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述前驱体膜层的材料为Ti；所述前驱体膜层的厚度为40nm～300nm；所述图形化阵列的长和/或宽为100nm～500nm。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一保护膜上制备所述图形化阵列的方法具体包括：
在所述第一保护膜上制备光刻胶层；
采用光刻工艺或电子束光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理，形成与所述图形化阵列的形状相匹配的凹孔；
在所述凹孔中沉积图形化膜层；
剥离所述光刻胶层，在所述第一保护膜上形成所述图形化阵列。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述图形化膜层的材料选自TiO2、Al、HfO2、Si3N4、SrTiO3中的任意一种；所述图形化膜层的厚度为40nm～300nm；当采用光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理时，所述图形化阵列的长和/或宽为200nm～10μm；当采用电子束光刻工艺对所述光刻胶层进行图形化处理时，所述图形化阵列的长和/或宽为10nm～200nm。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料选自GaAs、GaSb、InP中的任意一种。
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