JPH08288480A - シリコン量子ドットの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、既存の製造技術によってシリコン
半導体からなるシリコン量子ドットの量産性の向上を図
るとともに低コスト化を実現する。 【構成】 絶縁層11上のシリコン層12にシリコン系パタ
ーン13を形成した後、熱酸化によってシリコン系パター
ン13の表面に酸化膜14を形成し（第１工程）、それをエ
ッチバックしてシリコン系パターン13の側壁にのみ酸化
膜14を残し（第２工程）、続いてその酸化膜14を横切る
状態に線状のエッチングマスク15を形成して酸化膜14を
エッチングし、柱状のエッチングマスク16を形成し（第
３工程）、その後線状のエッチングマスク15とシリコン
系パターン13とを除去して（第４工程）から、柱状のエ
ッチングマスク16を用いたエッチングによってシリコン
層12をパターニングしてシリコン量子ドット17を形成す
る（第５工程）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、量子デバイスを形成す
る際に必要となるシリコン量子ドットの製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】電子の波長はおよそ１０ｎｍであるの
で、それ以下の長さを有する量子ドットは電子の移動空
間が小さくなる。そのため、量子ドットを用いることに
よって、小電力で大出力の半導体レーザ発振装置や超大
容量の半導体記憶装置等を実現できる。そこで、電子の
波長程度の量子ドットを製造することが必要とされてい
る。現在、製造されている量子ドットデバイスはIII-V
族化合物半導体で製造されたものである。すなわち、半
導体基板上に、例えばIII-V 族化合物半導体の薄い層を
成長させることによって化合物半導体のヘテロ接合を形
成し、そのヘテロ接合でゲートを形成したいた。そして
そのゲートに適当な電圧を印加させることで量子ドット
デバイスとして動作させていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
基板上に非常に薄い化合物半導体層を成長させて、量子
ドットを形成することは難しく、しかも装置コストも非
常に高くなる。そのため、化合物半導体による量子ドッ
トの製造は、一般には高価なものになるため、量産には
向かなかった。

【０００４】本発明は、既存の技術によってコスト的に
安価なシリコン半導体からなるシリコン量子ドットの製
造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたシリコン量子ドットの製造方法で
ある。すなわち、第１工程で、少なくとも絶縁層上にシ
リコン層が形成された基板のシリコン層上の一部分に、
シリコン層に対してエッチング選択性を有するとともに
シリコン層表面に対してほぼ垂直な側壁を有するシリコ
ン系パターンを形成した後、熱酸化によって少なくとも
シリコン系パターンの表面に酸化膜を形成する。次いで
第２工程で、エッチバックによってシリコン系パターン
の側壁にのみ酸化膜を残した後、第３工程で、残した酸
化膜を少なくとも横切る状態に線状のエッチングマスク
を形成してからエッチングによって、残した酸化膜をパ
ターニングして柱状のエッチングマスクを形成する。そ
して第４工程で、線状のエッチングマスクを除去した
後、シリコン系パターンをエッチングして除去する。そ
の後第５工程で、柱状のエッチングマスクを用いたエッ
チングによってシリコン層をパターニングすることで、
シリコン量子ドットを形成する。

【０００６】または、上記第１工程後、第２工程で、シ
リコン系パターンの側壁の酸化膜を少なくとも横切る状
態に線状のエッチングマスクを形成してからエッチング
によって、酸化膜をパターニングする。続いて第３工程
で、線状のエッチングマスクを除去した後、パターニン
グした酸化膜をエッチバックしてシリコン系パターンの
側壁にのみ酸化膜を残して柱状のエッチングマスクを形
成する。さらに第４でシリコン系パターンをエッチング
して除去する。その後上記第５工程を行ってシリコン量
子ドットを形成する。

【０００７】

【作用】上記シリコン量子ドットの製造方法では、絶縁
層上のシリコン層でシリコン量子ドットを形成すること
から、シリコン量子ドットは絶縁層上に形成される。ま
た、シリコン層上に形成したシリコン系パターン表面を
熱酸化することから、シリコン系パターンの側壁に形成
される酸化膜は、緻密で所望の厚さの薄い酸化膜にな
る。次いで、酸化膜のエッチバックおよび線状のエッチ
ングマスクを形成した後の酸化膜のエッチングによっ
て、シリコン系パターンの側壁のみに酸化膜からなる柱
状のエッチングマスクを形成することから、酸化膜の膜
厚と線状のエッチングマスクの線幅とによって柱状のエ
ッチングマスクのパターン寸法が決定される。そして柱
状のエッチングマスクを用いてシリコン層をエッチング
することから、形成されたシリコン量子ドットのパター
ン寸法は、その柱状のエッチングマスクの平面視的なパ
ターン寸法によって決定される。

【０００８】

【実施例】本発明の第１実施例を図１の製造工程図によ
って説明する。

【０００９】図１の（１）に示すように、第１工程で
は、例えば酸化シリコンからなる絶縁層１１上に例えば
単結晶シリコンからなるシリコン層１２が形成された基
板１が用意される。このような構成の基板１としては、
いわゆるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板がある。

【００１０】そして、例えば化学的気相成長法によって
上記シリコン層１２上に、このシリコン層１２に対して
エッチング選択性を有するドープトポリシリコン層（不
純物を導入した多結晶シリコン層）を成膜する。または
ドープトポリシリコンのかわりに多結晶シリコン層また
は非晶質シリコン層を形成してもよい。以下、ドープト
ポリシリコン層で説明する。次いで、リソグラフィー技
術（例えば、レジスト塗布、露光、現像、ベーキング
等）およびエッチングによってこのドープトポリシリコ
ン層をパターニングして、上記シリコン層１２上の一部
分にこのシリコン層１２の表面に対してほぼ垂直な側壁
を有するシリコン系パターン１３を形成する。

【００１１】その後、上記シリコン系パターン１３の加
工で用いたレジストマスク（図示省略）をアッシングま
たは剥離液を用いたウェット処理によって除去する。続
いて熱酸化法によって、上記シリコン系パターン１３お
よび上記シリコン層１２の各表面を酸化して酸化膜１４
を形成する。この酸化膜１４は、例えば膜厚が２ｎｍ〜
１０ｎｍ程度に形成される。上記熱酸化は、例えば、温
度が８５０℃の乾燥酸素（ｄｒｙ Ｏ₂ ）雰囲気中に１
５分間放置して行う。このように、熱酸化によって酸化
膜１４を形成することから、酸化膜１４は緻密で所望の
厚さの薄い膜に形成される。

【００１２】次いで図１の（２）に示すように第２工程
では、エッチバックによって、シリコン系パターン１３
の側壁に上記酸化膜１４を残す。その結果、シリコン層
１２上およびシリコン系パターン１３上の各酸化膜（１
４）が除去される。

【００１３】続いて図１の（３）の示す第３工程を行
う。この（３）の図では、図面左側に断面図を示し、図
面右側に平面図を示す。この工程では、少なくとも上記
残した酸化膜１４を横切る状態に線状のエッチングマス
ク１５を形成する。このとき、１個の量子ドットを形成
するのであれば、一方側の側壁の酸化膜１４だけを覆う
状態に線状のエッチングマスク１５を形成すればよい。
この線状のエッチングマスク１５は、例えば電子線露光
用レジストで形成され、電子線リソグラフィー技術によ
ってパターン形成される。または、光露光用レジストで
形成され、光リソグラフィー技術によりパターン形成さ
れた後、アッシングによってパターン化した光露光用レ
ジストの線幅を細らせる。このように処理することで、
２ｎｍ〜１０ｎｍ程度の線幅のエッチングマスク１５が
形成される。その後、線状のエッチングマスク１５を用
いた異方性エッチングによって、酸化膜１４（２点鎖線
で示す部分）をエッチングして、シリコン系パターン１
３の側壁に酸化膜（１４）からなる柱状のエッチングマ
スク１６を形成する。

【００１４】その後、例えばアッシングまたは剥離液を
用いたウェット処理によって、上記線状のエッチングマ
スク１５を除去する。そして図１の（４）に示すように
第４工程では、エッチングによって、シリコン系パター
ン１３（２点鎖線で示す部分）を除去する。このエッチ
ングでは、柱状のエッチングマスク１６がほとんどエッ
チングされないような条件（例えばエッチング選択比が
少なくとも２０以上のエッチング条件）で行う。例え
ば、フッ化水素（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃ ）と酢酸（Ｃ
Ｈ₃ ＣＯＯＨ）とを用いたウェットエッチングによって
行う。

【００１５】その後図１の（５）に示すように第５工程
では、柱状のエッチングマスク１６を用いた異方性エッ
チングとして、例えば反応性イオンエッチングによっ
て、上記シリコン層１２の２点鎖線で示す部分をエッチ
ングして、シリコン層（１２）でシリコン量子ドット１
７を形成する。このエッチングでは、柱状のエッチング
マスク１６がエッチングされないような条件（例えばエ
ッチング選択比が少なくとも３０以上のエッチング条
件）で行う。例えば、エッチング装置にマグネトロン反
応性イオンエッチング装置を用い、エッチングガスに塩
素（Ｃｌ₂ ）を用い、エッチング雰囲気の圧力を７．５
μＰａ、基板温度を−２０℃に設定する。このようにし
て、絶縁層１１上にシリコン量子ドット１７を形成す
る。

【００１６】そして図示はしないが、例えば等方性エッ
チングによって、上記柱状のエッチングマスク１６を除
去する。このとき、柱状のエッチングマスク１６は２ｎ
ｍ〜１０ｎｍ程度の厚さであるため、このエッチングに
よって上記絶縁層１１もわずかにエッチングされる。

【００１７】上記シリコン量子ドットの製造方法の第１
実施例では、絶縁層１１上のシリコン層１２でシリコン
量子ドット１７を形成するので、シリコン量子ドット１
７は絶縁層１１上に形成される。また、酸化膜１４のエ
ッチバックによってシリコン系パターン１３の側壁にの
み酸化膜１４を残し、その酸化膜１４を横切る状態に形
成した線状のエッチングマスク１５を用いたエッチング
によって柱状のエッチングマスク１５を形成することか
ら、柱状のエッチングマスク１５のパターン寸法は酸化
膜１４の膜厚と線状のエッチングマスク１５の線幅によ
って決定される。そのため、柱状のエッチングマスク１
５は２ｎｍ〜１０ｎｍ程度のパターン寸法に形成され
る。そして、柱状のエッチングマスク１６を用いてシリ
コン層１２をエッチングすることから、形成されるシリ
コン量子ドット１７のパターン寸法は、その柱状のエッ
チングマスク１６の平面視的なパターン寸法によって決
まる。そのため、シリコン量子ドット１７は２ｎｍ〜１
０ｎｍ程度のパターン寸法に形成される。

【００１８】次に第２実施例を図２の製造工程図によっ
て説明する。この説明では、上記第１実施例と同様の工
程は簡単に説明する。また図では、上記図１と同様の構
成部品には同一の符号を付す。

【００１９】上記第１実施例の第１工程と同様にして、
図２の（１）に示すように、絶縁層１１上に形成された
シリコン層１２上の一部分にシリコン系パターン１３を
形成した後、熱酸化によって、シリコン系パターン１３
の表面およびシリコン層１２の表面に酸化膜１４を形成
する。このように、熱酸化によって酸化膜１４を形成す
ることから、酸化膜１４は緻密で所望の厚さの薄い膜に
形成される。

【００２０】次いで図２の（２）に示す第２工程を行
う。この（２）の図では、図面左側に断面図を示し、図
面右側に平面図を示す。この工程では、少なくとも上記
シリコン系パターン１３の側壁の酸化膜１４を横切る状
態に線状のエッチングマスク１５を形成する。この線状
のエッチングマスク１５は上記第１実施例の第３工程で
説明したのと同様にして形成される。

【００２１】その後、例えばアッシングまたは剥離液を
用いたウェット処理によって、上記線状のエッチングマ
スク１５を除去する。続いて図２の（３）の示すように
第３工程では、上記第１実施例の第２工程で説明したの
と同様にして、エッチバックによって、上記残した酸化
膜１４（２点鎖線で示す部分）を異方性エッチングし
て、シリコン系パターン１３の側壁に酸化膜１４からな
る柱状のエッチングマスク１６を形成する。

【００２２】そして図２の（４）に示すように第４工程
では、上記第１実施例の第４工程で説明したのと同様に
して、エッチングによってシリコン系パターン１３（２
点鎖線で示す部分）を除去する。

【００２３】その後上記第１実施例の第５工程で説明し
たのと同様にして、図２の（５）に示すように、柱状の
エッチングマスク１６を用いた異方性エッチングによっ
て、上記シリコン層１２の２点鎖線で示す部分をエッチ
ングして、シリコン層（１２）でシリコン量子ドット１
７を形成する。このようにして、絶縁層１１上にシリコ
ン量子ドット１７を形成する。

【００２４】そして図示はしないが、例えば等方性エッ
チングによって、上記柱状のエッチングマスク１６を除
去する。このとき、柱状のエッチングマスク１６は２ｎ
ｍ〜１０ｎｍ程度の厚さであるため、このエッチングに
よって上記絶縁層１１もわずかにエッチングされる。

【００２５】上記シリコン量子ドットの製造方法の第２
実施例では、上記第１実施例で説明したのと同様に、シ
リコン量子ドット１７は絶縁層１１上に形成される。ま
た、線上のエッチングマスクを用いた酸化膜のエッチン
グおよびその酸化膜のエッチバックによって柱状のエッ
チバックマスク１６を形成することから、柱状のエッチ
ングマスク１５のパターン寸法は酸化膜１４の膜厚と線
状のエッチングマスク１５の線幅によって決定される。
そのため、柱状のエッチングマスク１５は２ｎｍ〜１０
ｎｍ程度のパターン寸法に形成される。そして、第１実
施例で説明したのと同様に、柱状のエッチングマスク１
６を用いてシリコン層１２をエッチングすることから、
シリコン量子ドット１７は２ｎｍ〜１０ｎｍ程度のパタ
ーン寸法に形成される。

【００２６】また、上記第１実施例または第２実施例で
説明した方法を用いて、シリコン量子ドットをアレイ状
に配列した状態に形成することも可能である。ここで
は、第１実施例を用いた場合を説明する。

【００２７】すなわち、上記第１実施例で説明したのと
同様のプロセスによって、図３の（１）の断面図に示す
ように、絶縁層１１上に形成したシリコン層１２上に複
数列のシリコン系パターン１３を形成する。その後、各
シリコン系パターン１３およびシリコン層１２の各表面
に酸化膜１４を形成する。

【００２８】次いで図３の（２）の断面図に示すよう
に、エッチバック処理によって、各シリコン系パターン
１３の側壁に酸化膜１４を残す。その後図３の（３）の
平面図に示すように、線状のエッチンクマスク１５を各
シリコン系パターン１３を横切る状態に形成する。そし
て、酸化膜１４の２点鎖線で示す部分をエッチングし
て、各シリコン系パターン１３の側面、ここでは両側面
に、酸化膜（１４）からなる柱状のエッチングマスク１
６を形成する。

【００２９】そして図３の（４）の断面図に示すよう
に、柱状のエッチングマスク１６を用いたエッチングに
よって、シリコン層１２の２点鎖線で示す部分を除去し
て、シリコン層（１２）からなるシリコン量子ドット１
７を形成する。

【００３０】このように製造することによって、シリコ
ン量子ドット１７は、絶縁層１１上に、いわゆるアレイ
状に形成される。ここでは、第１実施例で説明した方法
によって、アレイ状のシリコン量子ドット１７を形成し
たが、上記第２実施例で説明した方法によっても、同様
にしてアレイ状のシリコン量子ドット１７を形成するこ
とは容易である。

【００３１】また、上記第１実施例または第２実施例で
説明した方法を用いて、シリコン量子ドットをマトリッ
クス状に配列した状態に形成することも可能である。こ
こでは、第１実施例を用いた場合を説明する。

【００３２】すなわち、上記第１実施例で説明したのと
同様のプロセスによって、図４の（１）の断面図に示す
ように、絶縁層１１上に形成したシリコン層１２上に複
数のシリコン系パターン１３を並列に形成する。次いで
各シリコン系パターン１３の表面に酸化膜１４を形成す
る。

【００３３】次いで図４の（２）の断面図に示すよう
に、エッチバック処理によって、各シリコン系パターン
１３の側壁に酸化膜１４を残す。その後図３の（３）の
平面図に示すように、複数本の線状のエッチンクマスク
１５を各シリコン系パターン１３を横切る状態に形成す
る。そして、酸化膜１４の２点鎖線で示す部分をエッチ
ングして、各シリコン系パターン１３の各側面に、酸化
膜（１４）からなる柱状のエッチングマスク１６を形成
する。なお、図では代表して中央列のエッチングマスク
１６を引き出し線によって示した。

【００３４】そして図４の（４）の断面図に示すよう
に、柱状のエッチングマスク１６を用いたエッチングに
よって、シリコン層１２の２点鎖線で示す部分を除去し
て、シリコン層（１２）からなるシリコン量子ドット１
７を形成する。

【００３５】このように製造することによって、シリコ
ン量子ドット１７は、絶縁層１１上に、いわゆるマトリ
ックス状に形成される。ここでは、第１実施例で説明し
た方法によって、マトリックス状のシリコン量子ドット
１７を形成したが、上記第２実施例で説明した方法によ
っても、同様にしてアレイ状のシリコン量子ドット１７
を形成することは容易である。

【００３６】次に、絶縁層１１上にシリコン層１２を形
成した基板１の製造方法を簡単に説明する。まず、基板
１が通常のＳＯＩ基板からなる場合の製造方法を図５に
よって説明する。

【００３７】図５の（１）に示すように、通常のリソグ
ラフィー技術（例えば、レジスト塗布、露光、現像、ベ
ーキング等）とエッチングとによって、第１シリコン基
板２１に溝２２を形成する。

【００３８】その後、図５の（２）に示すように、上記
溝２２を埋め込む状態にかつ上記第１シリコン基板２１
上に酸化シリコン膜２３を形成し、さらに多結晶シリコ
ン膜２４を形成した後、例えば研磨によって、多結晶シ
リコン膜２４の表面を平坦化する。その後、多結晶シリ
コン膜２４の表面に第２シリコン基板２５を張り合わせ
る。

【００３９】その後図５の（３）に示すように、例えば
研削研磨によって、上記溝２２に埋め込まれた酸化シリ
コン膜２３を研磨ストッパにして、上記第１シリコン基
板２１の裏面側から除去する。そして、上記酸化シリコ
ン膜２３が露出した状態で研磨を終了する。なお、この
（３）の図は上記（１），（２）の図で示した状態を上
下逆さに示してある。このようにして、酸化シリコン膜
２３上に第１シリコン基板（２１）からなるいわゆる島
状のシリコン層２６を有するＳＯＩ基板２７が形成され
る。このＳＯＩ基板２７は、上記第１，第２実施例で説
明した基板１として用いることが可能である。

【００４０】次に横方向の固相エピタキシャル成長法を
用いてＳＯＩ基板を製造する方法を図６によって説明す
る。図６に示すように、シリコン基板３１上に酸化シリ
コン膜パターン３２を形成する。そして横方向の固相エ
ピタキシャル成長法を用いて、シリコン基板３１の露出
している表面からシリコンを横方向にエピタキシャル成
長させて、上記酸化シリコン膜パターン３２上にシリコ
ン層３３を形成する。このようにして、酸化シリコン膜
パターン３２上にシリコン層３３を有するＳＯＩ基板３
４が形成される。このＳＯＩ基板３４は、上記第１，第
２実施例で説明した基板１として用いることが可能であ
る。

【００４１】次にシリコン層に酸素ドーピング後、酸化
処理する方法によってＳＯＩ基板を製造する方法を図７
によって説明する。図７に示すように、例えばイオン注
入法によって、シリコン基板４１の内部に酸素のドーピ
ング層を形成する。その後酸化処理を行って、上記ドー
ピング層を酸化して酸化シリコン層４２を形成する。こ
のようにして、酸化シリコン層４２上にシリコン基板４
１からなるシリコン層４３を有するＳＯＩ基板４４が形
成される。このＳＯＩ基板４４は、上記第１，第２実施
例で説明した基板１として用いることが可能である。

【００４２】次に酸化シリコン層上に多結晶シリコン層
または非晶質シリコン層を形成する方法によってＳＯＩ
基板を製造する方法を図８によって説明する。例えば熱
酸化法または化学的気相成長法によって、シリコン基板
５１上に酸化シリコン膜５２を形成する。その後、化学
的気相成長によって、多結晶シリコンまたは非晶質シリ
コンからなるシリコン層５３を形成する。このようにし
て、酸化シリコン膜５２上にシリコン層５３を有するＳ
ＯＩ基板５４が形成される。このＳＯＩ基板５４は、上
記第１，第２実施例で説明した基板１として用いること
が可能である。

【００４３】本発明のシリコン量子ドットを形成するた
めのＳＯＩ基板は、上記図５〜図８によって説明した製
造方法で形成されたものに限定されることはなく、他の
既知の方法によって形成されたものであっても差し支え
はない。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
絶縁層上のシリコン層でシリコン量子ドットを形成する
ので、シリコン量子ドットは絶縁層上に形成できる。ま
た、シリコン層上に形成したシリコン系パターンの側壁
表面に酸化膜を形成した後、酸化膜のエッチバックおよ
び線状のエッチングマスクを用いた酸化膜のエッチング
によって柱状のエッチングマスクを形成し、それを用い
たエッチングによってシリコン層をパターニングしたの
で、シリコン層で形成されるシリコン量子ドットは、酸
化膜の膜厚と線状のエッチングマスクの線幅とによって
決定される柱状のエッチングマスクによってパターン寸
法を決定することができる。そのため、シリコン量子ド
ットは２ｎｍ〜１０ｎｍ程度のパターン寸法に形成する
ことができる。また特殊な製造方法を用いていないの
で、量産性に優れ、低コストでシリコン量子ドットを生
産できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の製造工程図である。

【図２】本発明の第２実施例の製造工程図である。

【図３】アレイ状シリコン量子ドットの製造工程図であ
る。

【図４】マトリックス状シリコン量子ドットの製造工程
図である。

【図５】ＳＯＩ基板の製法説明図である。

【図６】固相エピタキシャル成長法によるＳＯＩ基板の
製法説明図である。

【図７】酸素ドーピング法によるＳＯＩ基板の製法説明
図である。

【図８】多結晶（非晶質）シリコンを用いたＳＯＩ基板
の製法説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 １１ 絶縁層 １２ シリコン層 １３ シリコン
系パターン １４ 酸化膜 １５ 線状のエ
ッチングマスク １６ 柱状のエッチングマスク １７ シリコン
量子ドット

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも絶縁層上にシリコン層が形成
   された基板の該シリコン層上の一部分に、該シリコン層
   に対してエッチング選択性を有するとともに該シリコン
   層表面に対してほぼ垂直な側壁を有するシリコン系パタ
   ーンを形成した後、熱酸化によって少なくとも前記シリ
   コン系パターンの表面に酸化膜を形成する第１工程と、 エッチバックによって、前記シリコン系パターンの側壁
   にのみ前記酸化膜を残す第２工程と、 前記残した酸化膜を少なくとも横切る状態に線状のエッ
   チングマスクを形成してからエッチングによって、該酸
   化膜をパターニングして、前記シリコン系パターンの側
   壁に該酸化膜からなる柱状のエッチングマスクを形成す
   る第３工程と、 前記線状のエッチングマスクを除去した後、前記シリコ
   ン系パターンをエッチングして除去する第４工程と、 前記柱状のエッチングマスクを用いたエッチングによっ
   て前記シリコン層をパターニングして、シリコン量子ド
   ットを形成する第５工程とを備えたことを特徴とするシ
   リコン量子ドットの製造方法。
2. 【請求項２】 少なくとも絶縁層上にシリコン層が形成
   された基板の該シリコン層上の一部分に、該シリコン層
   に対してエッチング選択性を有するとともに該シリコン
   層表面に対してほぼ垂直な側壁を有するシリコン系パタ
   ーンを形成した後、熱酸化によって少なくとも前記シリ
   コン系パターンの表面に酸化膜を形成する第１工程と、 前記シリコン系パターンの側壁の前記酸化膜を少なくと
   も横切る状態に線状のエッチングマスクを形成してから
   エッチングによって、前記酸化膜をパターニングする第
   ２工程と、 前記線状のエッチングマスクを除去した後、前記パター
   ニングした酸化膜をエッチバックしてシリコン系パター
   ンの側壁にのみ該酸化膜を残して柱状のエッチングマス
   クを形成する第３工程と、 前記シリコン系パターンをエッチングして除去する第４
   工程と、 前記柱状のエッチングマスクを用いたエッチングによっ
   て前記シリコン層をパターニングして、シリコン量子ド
   ットを形成する第５工程とを備えたことを特徴とするシ
   リコン量子ドットの製造方法。