JP6127626B2 - 量子ドットアレイデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(付記1)基板上に化学量論比の組成SiAからなる第1の層を成長させる第1の成膜工程と、前記第1の層上に化学量論比よりSiリッチな組成SiA1−x(x<1)からなり、内部に面内方向位で位置制御されたSiクラスターを含む第2の層を成長させる第2の成膜工程とを前記Siクラスターが積層方向で互いに投影的に重なるように交互に成長させて積層構造を形成する工程と、前記積層構造を熱処理することにより前記Siクラスターを成長核としてSi量子ドットを成長させる工程とを有し、得ようとする前記Si量子ドットのサイズに応じて前記第2の層に含まれる前記SiクラスターにおけるSi原子数及び前記第2の層の前記SiA1−xの層厚を設定することを特徴とする量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記2)前記第2の成膜工程が、SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、前記SiA1−x(x<1)層上に位置制御してSiクラスターを堆積する工程と、前記Siクラスターを覆うように、SiA1−x(x<1)層を成膜する工程とを有することを特徴とする付記1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記3)前記第2の成膜工程が、SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、前記SiA1−x(x<1)層中に位置制御してSiクラスターを打ち込む工程とを有することを特徴とする付記1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記4)前記第2の成膜工程が、SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、前記SiA1−x(x<1)層中に位置制御された開口部を有するマスクを介してSiクラスターを打ち込む工程とを有することを特徴とする付記1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記5)前記マスクがSiAからなり、次の第1の成膜工程が、前記SiAからなるマスクの開口部をSiAで埋め込む工程であることを特徴とする付記4に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記6)前記Siクラスターを構成するSi原子数が、積層方向に向かって順次少なくすることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
(付記7)前記SiAが、SiO2或いはSiCのいずれかであることを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
2 第1の層
3 第2の層
4 Siクラスター
5 Si量子ドット
6 第3の層
11 Si基板
12,45 SiO2層
13,15,19,21,23,25,27,29,44 SiOx層
14,20,22,24,26,28,30,48 Siクラスター
16,31,50 積層構造
17,32〜37,51 Si量子ドット
18,38〜43,52 酸化シリコン層
46 レジストパターン
47 開口部
49 SiO2
61 n型SiC基板
62 SiC層
63 SiCx層
64 レジストパターン
65 開口部
66 Siクラスター
67 p型SiC層
68 積層構造
69 Si量子ドット
70 炭化シリコン層
81 シリコン基板
82 SiO2膜
83 SiOx膜
84 Si量子ドット
85 酸化シリコン膜
Claims (5)
- 基板上に化学量論比の組成SiAからなる第1の層を成長させる第1の成膜工程と、前記第1の層上に化学量論比よりSiリッチな組成SiA1−x(x<1)からなり、内部に面内方向位で位置制御されたSiクラスターを含む第2の層を成長させる第2の成膜工程とを前記Siクラスターが積層方向で互いに投影的に重なるように交互に成長させて積層構造を形成する工程と、
前記積層構造を熱処理することにより前記Siクラスターを成長核としてSi量子ドットを成長させる工程と
を有し、
得ようとする前記Si量子ドットのサイズに応じて前記第2の層に含まれる前記SiクラスターにおけるSi原子数及び前記第2の層の前記SiA1−xの層厚を設定することを特徴とする量子ドットアレイデバイスの製造方法。 - 前記第2の成膜工程が、
SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、
前記SiA1−x(x<1)層上に位置制御してSiクラスターを堆積する工程と、
前記Siクラスターを覆うように、SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と
を有することを特徴とする請求項1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。 - 前記第2の成膜工程が、
SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、
前記SiA1−x(x<1)層中に位置制御してSiクラスターを打ち込む工程と
を有することを特徴とする請求項1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。 - 前記第2の成膜工程が、
SiA1−x(x<1)層を成膜する工程と、
前記SiA1−x(x<1)層中に位置制御された開口部を有するマスクを介してSiクラスターを打ち込む工程と
を有することを特徴とする請求項1に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。 - 前記SiAが、SiO2或いはSiCのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の量子ドットアレイデバイスの製造方法。
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- 2013-03-21 JP JP2013058137A patent/JP6127626B2/ja active Active
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