CN107863309A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107863309A
CN107863309A CN201710858732.8A CN201710858732A CN107863309A CN 107863309 A CN107863309 A CN 107863309A CN 201710858732 A CN201710858732 A CN 201710858732A CN 107863309 A CN107863309 A CN 107863309A
Authority
CN
China
Prior art keywords
brush
design
substrate
straightening members
contact site
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710858732.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107863309B (zh
Inventor
矢野航
桥诘彰夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN107863309A publication Critical patent/CN107863309A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107863309B publication Critical patent/CN107863309B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B13/00—Brushes with driven brush bodies or carriers
    • A46B13/02—Brushes with driven brush bodies or carriers power-driven carriers
    • A46B13/04—Brushes with driven brush bodies or carriers power-driven carriers with reservoir or other means for supplying substances
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B15/00—Other brushes; Brushes with additional arrangements
    • A46B15/0002—Arrangements for enhancing monitoring or controlling the brushing process
    • A46B15/0004—Arrangements for enhancing monitoring or controlling the brushing process with a controlling means
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B5/00—Brush bodies; Handles integral with brushware
    • A46B5/002—Brush bodies; Handles integral with brushware having articulations, joints or flexible portions
    • A46B5/0025—Brushes with elastically deformable heads that change shape during use
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B9/00—Arrangements of the bristles in the brush body
    • A46B9/005—Arrangements of the bristles in the brush body where the brushing material is not made of bristles, e.g. sponge, rubber or paper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/12—Brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B08B1/36—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis orthogonal to the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
    • B08B1/52—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members using fluids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B2200/00—Brushes characterized by their functions, uses or applications
    • A46B2200/30—Brushes for cleaning or polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，抑制清洗刷的刷主体中的用于与基板抵接的基板抵接部的大小的变动。基板处理装置具备基板的旋转保持机构、用于使安装有清洗刷的轴移动的刷移动机构，刷主体包括用于形成柱状部分的顶端面的基板抵接部，基板处理装置还具备矫正构件、用于使矫正构件相对地定位于目标位置的相对定位机构。在矫正构件定位于目标位置时，矫正构件的接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，将设计刷的设计主体的设计柱状部分的外周面中的设计抵接部、带状的环状部分合起来的部分，接触部形成为将设计刷的对象部分的形状反转的形状，并且接触部中的与带状的环状部分对应的部分，是与轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及使刷接触各种基板的表面来实施清洗处理的基板处理装置。各种基板包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
专利文献1中公开了对基板的上表面进行清洗处理的基板处理装置。该基板处理装置具备臂，该臂能够上下移动，并且能够在水平面内以规定的旋转轴为中心旋转。在臂的顶端设置有向下方延伸的轴，该轴能够以其中心轴为中心旋转。在轴的下端连结有清洗刷，该清洗刷具备安装于刷保持件的刷主体。在该基板处理装置中，在使清洗刷按压于旋转的基板的上表面的状态下，向基板的上表面供给清洗用的处理液并且使臂旋转，从而使得清洗刷在基板的上表面中央部和上表面周缘部之间移动。由此，清洗刷的刷主体与基板的整个上表面接触，对基板的上表面进行清洗处理。当基板的清洗处理结束时，该基板处理装置通过使臂移动，来使清洗刷移动到设置于待机位置的筒状的待机容器(pod)。在待机容器，设置有喷出用于清洗清洗刷的清洗液的筒状的清洗棒。在该基板处理装置中，能够在使清洗刷的刷主体接触清洗棒的状态下，通过使轴和清洗刷以中心轴为中心一体地旋转来清洗刷主体。
专利文献1：日本特开2015-19024号公报
但是，在专利文献1的基板处理装置中，当重复进行基板的清洗处理时，因清洗刷的刷主体变形而导致刷主体中的与基板抵接的基板抵接部的大小变动，因此刷主体与基板的接触方式产生变动。由此，不能进行预想的清洗方式，因此存在清洗效率变差或者污染基板的问题。
发明内容
本发明是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供一种技术，能够抑制清洗刷的刷主体中的用于与基板抵接的基板抵接部的大小的变动。
为了解决所述的问题，第一方式的基板处理装置具备：旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，该基板抵接部形成所述柱状部分的顶端面；所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的主面接触；在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，所述基板处理装置还具备：矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，以及，相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷规定的目标位置；在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，将所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的外周面中的所述设计抵接部、该外周面中的从所述设计抵接部的周缘沿着所述轴的延伸方向延伸的带状的环状部分合起来的部分；所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部中的与所述带状的环状部分对应的部分，是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
第八方式的基板处理装置具备：具备：旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，该基板抵接部形成所述柱状部分的顶端面；所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的主面接触；在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，所述基板处理装置还具备：矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷规定的目标位置，以及，相对旋转机构，使所述清洗刷以所述轴的中心轴线为中心，相对于所述矫正构件相对地旋转；将所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的外周面中的所述设计抵接部、该外周面中的从所述设计抵接部的周缘沿着所述轴的延伸方向延伸的带状的环状部分合起来的部分，是以所述中心轴线为中心的旋转体；在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，将所述旋转体的旋转轨迹中的与所述带状的环状部分对应的部分的周向的至少一部分、该旋转轨迹中的与所述设计抵接部对应的部分合起来的部分，所述旋转体利用所述相对旋转机构相对于所述矫正构件相对地旋转；所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部中的与所述带状的环状部分对应的部分，是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
第十五方式的基板处理装置具备：旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且在所述柱状部分的侧面包括用于与所述基板抵接的基板抵接部；所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的周缘部接触；在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，所述基板处理装置还具备：矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，以及，相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷规定的目标位置；在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的侧面中的、包括所述设计抵接部的部分；所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
第二十二方式的基板处理装置具备：旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且在所述柱状部分的侧面包括用于与所述基板抵接的基板抵接部；所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的周缘部接触；在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，所述基板处理装置还具备：矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷规定的目标位置，以及，相对旋转机构，使所述清洗刷以所述轴的中心轴线为中心，相对于所述矫正构件相对地旋转；所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的侧面中的、包括所述设计抵接部的环状部分，是以所述中心轴线为中心的旋转体；在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，所述旋转体的旋转轨迹中的周向的至少一部分，所述旋转体利用所述相对旋转机构相对于所述矫正构件相对地旋转；所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
第二方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，所述刷主体具有海绵状的结构；所述基板处理装置还具备流体供给机构，在所述矫正构件相对于所述设计刷定位于所述目标位置的状态下，所述流体供给机构向所述清洗刷的所述刷主体供给规定的流体，形成经过所述刷主体的内部朝向所述矫正构件的所述接触部的所述流体的流体流。
第三方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，在所述矫正构件形成有在所述接触部开口的吸引用流路，所述基板处理装置还具备减压机构，所述减压机构与所述吸引用流路连通，来对所述吸引用流路内进行减压。
第四方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，还具备矫正构件清洗机构，在所述矫正构件从所述目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向所述矫正构件的所述接触部供给清洗液来清洗所述接触部。
第五方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，还具备刷清洗机构，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
第六方式的基板处理装置在第四方式的基板处理装置的基础上，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述矫正构件清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
第七方式的基板处理装置在第一方式至第六方式中任一方式的基板处理装置的基础上，还具备测量器，所述测量器测量所述清洗刷的所述刷主体的变形量。
根据第一方式的方案，清洗刷的刷主体包括形成柱状部分的顶端面的基板抵接部，所述柱状部分沿着轴的延伸方向延伸。设计刷具有清洗刷的设计形状。对象部分为，将设计刷的外周面中的与基板抵接部相当的设计抵接部、从设计抵接部的周缘沿着轴的延伸方向延伸的带状的环状部分合起来的部分。然后，在矫正构件定位于目标位置时，矫正构件的接触部与对象部分彼此重叠。接触部形成为将对象部分的形状反转的形状，并且接触部中的与带状的环状部分对应的部分，是与轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。因此，当矫正构件定位于目标位置时，清洗刷的基板抵接部的扩展被矫正构件的中心轴线相对面限制。由此，能够抑制基板抵接部的大小变动。
根据第八方式的方案，清洗刷的刷主体包括形成柱状部分的顶端面的基板抵接部，所述柱状部分沿着轴的延伸方向延伸。设计刷具有清洗刷的设计形状。清洗刷以轴的中心轴线为中心，相对于矫正构件相对地旋转，包括设计刷的设计抵接部、从设计抵接部的周缘延伸的带状的环状部分的部分，是以轴的中心轴线为中心的旋转体，对象部分为，将该旋转体的旋转轨迹中的与带状的环状部分对应的部分的周向的至少一部分、该旋转轨迹中的与设计抵接部对应的部分合起来的部分。然后，当矫正构件定位于目标位置时，矫正构件的接触部与对象部分彼此重叠。接触部形成为将对象部分的形状反转的形状，并且接触部中的与带状的环状部分对应的部分，是与轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。因此，当矫正构件定位于目标位置时，清洗刷的基板抵接部的扩展被矫正构件的中心轴线相对面限制。由此，能够抑制基板抵接部的大小变动。此外，根据第八方式的发明，由于清洗刷以轴的中心轴线为中心，相对于矫正构件相对地旋转，因此清洗刷的基板抵接部的扩展更强力地被矫正构件的中心轴线相对面限制。
根据第十五方式的方案，清洗刷的刷主体在柱状部分的侧面包括基板抵接部，所述柱状部分沿着轴的延伸方向延伸。设计刷具有清洗刷的设计形状。对象部分为，设计刷的与该柱状部分相当的设计柱状部分的侧面中的、包括与基板抵接部相当的设计抵接部的部分。然后，当矫正构件定位于目标位置时，矫正构件的接触部与对象部分彼此重叠。接触部形成为将设计刷的对象部分的形状反转的形状，并且接触部是与轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。因此，当矫正构件定位于目标位置时，清洗刷的基板抵接部的扩展被矫正构件的中心轴线相对面限制。由此，能够抑制基板抵接部的大小变动。
根据第二十二方式的方案，清洗刷的刷主体在柱状部分的侧面包括基板抵接部，所述柱状部分沿着轴的延伸方向延伸。设计刷具有清洗刷的设计形状。清洗刷以轴的中心轴线为中心，相对于矫正构件相对地旋转，设计刷的设计柱状部分的侧面中的包括设计抵接部的环状部分，是以轴的中心轴线为中心的旋转体，设计刷的对象部分为，该旋转体的旋转轨迹中的周向的至少一部分。然后，当矫正构件定位于目标位置时，矫正构件的接触部与对象部分彼此重叠。接触部形成为将设计刷的对象部分的形状反转的形状，并且接触部是与轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。因此，当矫正构件定位于目标位置时，清洗刷的基板抵接部的扩展被矫正构件的中心轴线相对面限制。由此，能够抑制基板抵接部的大小变动。此外，根据第二十二方式的发明，由于清洗刷以轴的中心轴线为中心，相对于矫正构件相对地旋转，因此清洗刷的基板抵接部的扩展更强力地被矫正构件的中心轴线相对面限制。
根据第二方式的方案，刷主体具有海绵状的结构，在矫正构件相对于设计刷定位于目标位置的状态下，流体供给机构向清洗刷的刷主体供给规定的流体，形成经过刷主体的内部朝向矫正构件的接触部的该流体的流体流。因此，即使在刷主体中的与矫正构件的接触部相对的部分收缩的情况下，也能够利用流体使刷主体膨胀来按压于接触部，因此能够使该相对的部分接近接触部的形状。
根据第三方式的方案，在矫正构件形成有在接触部开口的吸引用流路，基板处理装置还具备减压机构，该减压机构与吸引用流路连通来对吸引用流路内进行减压。因此，在矫正构件相对于设计刷定位于目标位置的状态下，如果减压机构对吸引用流路内进行减压，则即使在清洗刷的刷主体中的与接触部相对的部分收缩的情况下，也能够通过对吸引用流路内进行减压，使该部分朝向接触部拉伸来接近接触部的形状。
根据第四方式的方案，基板处理装置还具备矫正构件清洗机构，在矫正构件从目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向矫正构件的接触部供给清洗液来清洗接触部。因此，在利用清洗刷进行清洗基板的清洗处理中能够并行地清洗接触部，因此能够提高基板处理装置的处理能力。
根据第五方式的方案，基板处理装置还具备刷清洗机构，在矫正构件定位于目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向清洗刷的刷主体供给清洗液来清洗刷主体。因此，能够一边利用矫正构件矫正清洗刷的刷主体的形状，一边清洗刷主体。
根据第六方式的方案，在矫正构件定位于目标位置的状态下，矫正构件清洗机构能够向清洗刷的刷主体供给清洗液来清洗刷主体。因此，没有必要设置用于清洗刷主体的专用的清洗机构，因此能够简化装置结构。
根据第七方式的方案，还具备测量器，所述测量器测量清洗刷的刷主体的变形量。因此，在变形量超过规定的基准的情况下，基板处理装置能够发出例如警报或者提醒更换清洗刷的消息等。
附图说明
图1是示意性表示第一实施方式的基板处理装置的概要结构的侧视图。
图2是示意性表示图1的基板处理装置的概要结构的俯视图。
图3是示意性表示图1的矫正构件的其他配置例的立体图。
图4是示意性表示基板抵接部没有倾斜的图1的清洗刷的侧视图。
图5是示意性表示基板抵接部倾斜的图1的清洗刷的侧视图。
图6是用曲线图形式表示基板抵接部的倾斜和基板的处理张数之间的关系的一例的图。
图7是用曲线图形式表示基板抵接部的倾斜和颗粒数之间的关系的一例的图。
图8是用于说明设计刷和矫正构件的结构例的截面示意图。
图9是用于说明矫正清洗刷的刷主体的情形的图。
图10是用于说明刷主体和矫正构件的清洗顺序的一例的截面示意图。
图11是用于说明利用清洗刷进行的基板的清洗和矫正构件的清洗的时机的一例的示意图。
图12是示意性表示与流体供给机构连接的清洗刷的一例的剖视图。
图13是示意性表示与减压机构连接的矫正构件的一例的剖视图。
图14是示意性表示第二实施方式的基板处理装置的概要结构的俯视图。
图15是示意性表示刷的宽度为设计尺寸的图14的清洗刷的立体图。
图16是示意性表示刷的宽度变动的图14的清洗刷的立体图。
图17是用曲线图形式表示刷的宽度的变化量和颗粒的去除率之间的关系例的图。
图18是用于说明设计刷和矫正构件的结构例的侧视示意图。
图19是示意性表示图18的设计刷和矫正构件的俯视示意图。
图20是示意性表示与流体供给机构连接的清洗刷的一例的侧视图。
图21是示意性表示与减压机构连接的矫正构件的一例的剖视图。
图22是示意性表示向矫正处理中的清洗刷供给清洗液的喷嘴的配置例的俯视图。
图23是表示矫正构件的一例的立体图。
图24是表示矫正构件的一例的立体图。
图25是表示矫正构件的一例的立体图。
图26是用于说明矫正构件的清洗方式的一例的侧视示意图。
图27是示意性表示图26的矫正构件的结构例的侧视剖视图。
图28是表示清洗刷的一例的立体图。
其中，附图表记说明如下：
1、1A：基板处理装置
5、8：清洗刷
50、80：刷保持件
51、81：刷主体
52、82：柱状部分
53、83：基板抵接部
6、9：设计刷
61、91：设计主体
62、92：设计柱状部分
63、93：设计抵接部
64：带状的环状部分
94：环状部分
65、95：对象部分
66、96：旋转体
67、97：旋转轨迹
7、10：矫正构件
74、104：中心轴线相对面
75、105：接触部
150、150A：相对定位机构
160：相对旋转机构
170、170A：流体供给机构
11：刷清洗机构
12：矫正构件清洗机构
a1：旋转轴线
a2：中心轴线
a3：旋转轴线
W：基板
具体实施方式
以下，参照附图，说明实施方式。以下的实施方式只是将本发明具体化的一例，不是用于限定本发明的技术范围的事例。此外，以下参照的各附图中，为了便于理解，有时夸张或简化图示各部的尺寸和数量。此外，各附图中，对具有相同的结构和功能的部分标注相同的附图标记，以下说明中省略重复说明。上下方向是铅垂方向，在以旋转卡盘为基准时，基板侧为上方。
〈关于第一实施方式〉
〈基板处理装置1的结构〉
图1是示意性表示第一实施方式的基板处理装置1的概要结构的侧视图。图2是示意性表示基板处理装置1的概要结构的俯视图。图3是示意性表示矫正构件的另一配置例的立体图。
基板处理装置1是使清洗刷5接触于基板W来清洗基板W的单张式的装置。基板处理装置1在被未图示的腔室(“框体”)包围的处理空间500中具备：旋转保持机构2，其将基板W保持为水平姿势且使该基板W旋转；处理液供给机构4，其用于向基板W供给处理液；清洗刷5，其用于清洗基板W；筒状的待机容器39，设置于清洗刷5的退避位置，用于容纳清洗刷5；矫正构件(也称为“模具(mold)”)7，其设置于待机容器39内；刷移动机构3，其用于移动清洗刷5；刷旋转机构18，其使与清洗刷5连结的轴20旋转，来使安装于轴20的清洗刷5旋转；刷清洗机构11，其用于在待机容器39内清洗清洗刷5；防溅挡板27，其用于抑制向基板W供给的处理液飞散；以及，测量器191，其测量清洗刷5的刷主体51的变形量。
〈旋转保持机构2〉
旋转保持机构2将基板W保持为水平姿势，并且使保持为水平姿势的基板W以沿着铅垂方向延伸的旋转轴线a1为中心旋转。旋转保持机构2是真空吸附式的卡紧机构。旋转保持机构2具备：旋转卡盘(“基板保持机构”)21，其将基板W保持为水平姿势；筒状的旋转轴22，其从旋转卡盘21向下方延伸；以及，旋转驱动机构23，其使旋转卡盘21和旋转轴22旋转。旋转轴22的下侧部分和旋转驱动机构23容纳于筒状的壳体24。
旋转轴22从旋转驱动机构23沿着铅垂方向向上方延伸设置，与旋转驱动机构23结合。在旋转轴22的上端，安装有从基板W的下表面侧吸附保持基板W的旋转卡盘21。基板W以其上表面朝向上方的方式，被旋转卡盘21保持为大致水平姿势。
旋转驱动机构23例如包括伺服马达、向旋转轴22传递伺服马达的旋转的齿轮机构。旋转轴22向旋转卡盘21传递旋转驱动机构23的驱动力。由此，基板W与旋转卡盘21一起，以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线a1为中心一体地旋转。另外，在本实施方式中，例示了吸附式的旋转保持机构2，但旋转保持机构2也可以是用多个基板夹持构件夹持基板W的夹持式的卡紧机构。
〈刷旋转机构18〉
刷旋转机构18包括：旋转驱动机构19，其配置于臂35内；以及，轴20，其与旋转驱动机构19结合。轴20例如是四棱柱状的不锈钢等。在轴20的下端部分，设置有用于可装卸地固定清洗刷5的螺母(未图示)。该螺母例如通过安装于在清洗刷5的上端突出设置的安装部(未图示)的周围的螺钉部，将清洗刷5固定于轴20的下端部。
旋转驱动机构19例如具有伺服马达、向轴20传递伺服马达的旋转的齿轮机构。轴20沿着铅垂方向，即贯穿基板W的上表面(“主面”)的方向延伸设置。轴20的上端与旋转驱动机构19结合。此外，轴20的下端从臂35向下方突出。轴20利用旋转驱动机构19，以轴20的中心轴线a2为中心进行旋转驱动。由此，安装于轴20的清洗刷5与轴20一体地，以中心轴线a2为中心进行旋转驱动。
刷旋转机构18还用作：使清洗刷5以轴20的中心轴线a2为中心，相对于后述的矫正构件7相对地旋转的相对旋转机构160。即，刷旋转机构18还能用作相对旋转机构160。相对旋转机构160也可以设置为与刷旋转机构18不同的机构。
〈刷移动机构3〉
刷移动机构3具备：臂35，其位于比被旋转保持机构2保持的基板W的保持位置更靠上方的位置，且大致水平地延伸；以及，臂移动机构30，其使臂35移动。
臂移动机构30通过使臂35移动，使得清洗刷5与臂35一体地移动。臂移动机构30具备：臂支撑轴33，其支撑臂35并沿着铅垂方向延伸；以及，升降驱动机构31和旋转驱动机构32，与臂支撑轴33结合。
升降驱动机构31能够使臂35升降。通过将升降驱动机构31的驱动力传递给臂支撑轴33来使臂支撑轴33升降，使得臂35和清洗刷5一体地升降。升降驱动机构31例如具备伺服马达、将伺服马达的旋转转换为直线运动并传递给臂支撑轴33的滚珠螺杆等。
旋转驱动机构32将其驱动力传递给臂支撑轴33，使臂支撑轴33以旋转轴线a3为中心旋转。旋转轴线a3沿着臂支撑轴33在上下方向上延伸。臂35能够以旋转轴线a3为中心沿着水平面旋转。利用臂35的旋转，清洗刷5以旋转轴线a3为中心与臂35一体地旋转。图2表示了如下的例子，即，清洗刷5从设定于基板W的旋转范围外的清洗刷5的待机位置的上方(圆形的双点划线的位置)，沿着通过基板W的上表面中央部的上方的大致圆弧状的路径T1移动。待机容器39设置于基板W的旋转范围外。旋转驱动机构32例如具备伺服马达、向臂支撑轴33传递伺服马达的旋转的齿轮机构等。
刷移动机构3能够在使构成清洗刷5的刷主体51的下端面的基板抵接部53与基板W的上表面抵接的状态下，使清洗刷5在水平面内移动。由此，利用刷主体51对基板W的上表面进行清扫。
这样，刷移动机构3能够使清洗刷5升降，并且能够使清洗刷5在水平面内沿着路径T1移动。
基板处理装置1的刷移动机构3也可以用作相对定位机构150，该相对定位机构150通过分别使后述的矫正构件7相对于设计刷6相对地移动，来使矫正构件7定位于相对于设计刷6规定的目标位置。即，刷移动机构3也可以用作相对定位机构150。相对定位机构150也可以设定为与刷移动机构3不同的机构。
〈清洗刷5〉
图4是示意性表示清洗刷5的侧视图。图4的清洗刷5的基板抵接部53与基板W的上表面平行。即，基板抵接部53以相对于基板W的上表面没有倾斜的状态，与基板W的上表面抵接。
清洗刷5包括刷主体51、保持刷主体51的刷保持件50。刷保持件50通过省略图示的螺母等，可装卸地安装于轴20的顶端(下端)。由此，清洗刷5可装卸地与轴20的下端部分连结。在该状态下，当刷主体51的上侧部分容纳并保持于刷保持件50时，刷主体51的一部分的柱状部分52比刷保持件50的下面更向下方突出。基板处理装置1利用刷移动机构3使清洗刷5与臂35一体地移动，使刷主体51与基板W的表面接触。刷保持件50例如由聚丙烯等塑料材料一体地形成。刷主体51例如由烯烃类树脂、氟树脂、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯或聚氨酯树脂等形成为能够弹性变形。
在本说明书中，刷主体能够弹性变形是指，刷主体的几何学形状因受到作用于刷主体的作用力而变化，当该力消失时能够立即恢复成接近最初的几何学形状。
利用刷移动机构3，使清洗刷5的刷主体51按压于旋转的基板W的表面来进行扫描。由于基板W比刷主体51更硬、基板W以旋转轴线a1为中心旋转等，因此刷主体51变形。
图5是示意性表示刷主体51变形、而基板抵接部53倾斜的清洗刷5的侧视图。就基板抵接部53的倾斜而言，例如在基板抵接部53的径向的一端与基板W的上表面抵接、而基板抵接部53的径向的另一端从上表面离开的状态下，用基板W的上表面和该另一端之间的间隔(也称为“刷的平面度”)D1表示。
图6是用曲线图形式表示基板抵接部53的倾斜(间隔D1)和基板W的处理张数之间的关系的一例的图。图7是用曲线图形式表示基板抵接部53的倾斜(间隔D1)和颗粒数之间的关系的一例的图。
就基板抵接部53的倾斜而言，利用后述的矫正构件7来矫正。在图6中，关于使用矫正构件7的情况(标注有四边形标记的曲线图)和不使用矫正构件7的情况(标注有菱形标记的曲线图)，表示了基板的处理张数和间隔D1之间的关系。如图6所示，不使用矫正构件7的情况与使用矫正构件7的情况相比，相对于基板的处理张数的间隔D1的增加率显著地变大。此外，在图7的例中，当间隔D1超过1.5mm时，残留于基板W的颗粒数显著地增加。
〈设计刷6和矫正构件7〉
图8是用于说明设计刷6和矫正构件7的结构例的截面示意图。设计刷6是具有设计成清洗刷5的形状的设计形状，以规定的方式安装于轴20的假设的清洗刷。设计刷保持件60是设计刷6的与清洗刷5的刷保持件50相当的部分。设计主体61是设计刷6的与清洗刷5的刷主体51相当的部分。设计抵接部63是设计主体61的与刷主体51的基板抵接部53相当的部分。设计柱状部分62是设计刷6的与清洗刷5的柱状部分52相当的部分。
矫正构件7是在外周面包括接触部75的构件。当矫正构件7定位于相对于设计刷6规定的目标位置时，接触部75与设计刷6的设计主体61的外周面接触。在基板处理装置1中，将矫正构件7定位于目标位置，从而调整清洗刷5的形状。
分为第一情形和第二情形说明第一实施方式的设计刷6和矫正构件7，其中，所述第一情形指，一边使清洗刷5以轴20的中心轴线a2为中心相对于矫正构件7相对地旋转，一边矫正清洗刷5，所述第二情形指，在不使清洗刷5相对于矫正构件7旋转的情况下，矫正清洗刷5。另外，矫正构件7例如由石英、PTFE、PVC、PFA、PP、PS等树脂或玻璃类材料形成。矫正构件7的材质比刷主体51更硬。矫正构件7实质上由非研磨性材料形成。矫正构件7优选由不包含研磨材料的材料形成。
〈第一情形的设计刷6和矫正构件7〉
在第一情形中，设计刷6的设计主体61中的包括设计抵接部63和带状的环状部分64的部分，是以中心轴线a2为中心的旋转体(a body of revolution，此处的旋转体指，使平面图形以该平面上的轴为中心旋转而得到的立体)66。带状的环状部分64为，设计柱状部分62的外周面中的、从设计抵接部63的周缘沿着轴20的延伸方向延伸的大致恒定宽度的部分。
在矫正构件7定位于目标位置时，矫正构件7的接触部75与对象部分65彼此重叠，所述对象部分65指，将相对于矫正构件7相对地旋转的旋转体66的旋转轨迹67中的与带状的环状部分64对应的部分的周向的至少一部分、该旋转轨迹67中的与设计抵接部63对应的部分合起来的部分。
接触部75形成为将设计刷6的对象部分65的形状进行反转的形状，并且接触部75中的与带状的环状部分64对应的部分，是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面74。
图8表示了与第一情形对应的设计刷6和矫正构件7的结构例。在图8中，设计刷6的设计抵接部63为，中心轴线a2通过中心且与中心轴线a2正交的圆。带状的环状部分64从设计抵接部63的周缘垂直地立设。矫正构件7包括：圆板部，其具有水平的上表面；以及，周壁部，其沿着该圆板部的周缘部从该周缘部向上方立设。当矫正构件7配置于目标位置时，该圆板部的上表面中的被该周壁部包围的部分(底面73)，与设计刷6的设计抵接部63重叠，该周壁的内周面(中心轴线相对面74)与设计刷6的带状的环状部分64重叠。
〈第二情形的设计刷6和矫正构件7〉
在第二情形中，设计刷6的设计主体61中的包括设计抵接部63和带状的环状部分64的部分，没必要是以中心轴线a2为中心的旋转体。
在矫正构件7定位于目标位置时，矫正构件7的接触部75与对象部分65彼此重叠，所述对象部分65指，将设计刷6的设计抵接部63和带状的环状部分64合起来的部分。
接触部75形成为将设计刷6的对象部分65的形状进行反转的形状，并且接触部75中的与带状的环状部分64对应的部分，是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面74。
图28是表示作为用于清洗基板W的主面的清洗刷的一例的清洗刷5A的立体图。清洗刷5A在长方体型的刷保持件容纳有刷主体。刷主体中的从该刷保持件向下方突出的部分也形成为长方体型。刷主体的下端面是基板抵接部。例如，就清洗刷5而言，无论在所述的第一情形和第二情形的任一情形下，都能利用矫正构件7矫正形状。但是，清洗刷5A不相对于矫正构件7进行旋转来进行矫正。用于矫正清洗刷5A的矫正构件例如具备：长方体型的平板部，其与刷主体的形状对应；以及，框部(周壁部)，其从平板部的周缘沿着周缘向上方突出设置。
〈处理液供给机构4〉
处理液供给机构4包括向基板W的上表面喷出处理液(例如，纯水(deionizedwater：去离子水)、碳酸水、含氢水、氨水、SC1、NH4OH、柠檬酸水溶液、FOM、FPM、HF、SC2、HCl、IPA、TMAH或三甲基-2-羟乙基氢氧化铵水溶液(CHOLINE，胆碱)等)的喷嘴41。来自处理液供给源44的处理液，经由配管42向喷嘴41供给。在配管42的途中安装有开闭阀43。通过对开闭阀43进行开闭，能够对从喷嘴41喷出处理液和停止从喷嘴41喷出处理液进行切换。喷嘴41向利用旋转卡盘21旋转的基板W的上表面喷出：经由配管42供给的处理液。从喷嘴41喷出的处理液，向基板W的上表面中的包括旋转中心的范围供给。
〈防溅挡板27〉
基板处理装置1具备用于抑制向基板W供给的处理液飞散的防溅挡板(“罩”)27。防溅挡板27是上端部分朝向上方而缩径的筒状的构件。防溅挡板27的上端的直径稍微大于基板W和壳体24的直径。防溅挡板27利用未图示的升降机构在上方位置和退避位置之间升降，其中，所述上方位置指，防溅挡板27的上端位于基板W的上方的位置，所述退避位置指，防溅挡板27的上端位于基板W的下方的位置。在处理液供给机构4向基板W的上表面喷出处理液时，防溅挡板27配置于上方位置，由内壁面接收从基板W的周缘排出的处理液。接收的处理液经由设置于防溅挡板27的下方的未图示的排液配管被指定的容器等回收。
〈待机容器39〉
基板处理装置1具备配置于清洗刷5的待机位置的筒状的待机容器39。待机容器39呈上端和下端开放的沿着上下方向延伸的筒状。在待机容器39内，设置有上面形成有凹部的矫正构件7。该凹部的表面是接触部75。从刷清洗机构11向待机容器39内供给清洗液。接触到矫正构件7的该凹部的清洗液，从在矫正构件7的凹部开口并向下方延伸的排液配管38排出。另外，清洗刷5容纳于待机容器39内的矫正构件7的位置是清洗刷5的待机位置。
〈刷清洗机构11〉
刷清洗机构11具备：喷嘴110，其向清洗刷5的基板抵接部53供给清洗液(例如，碳酸水、纯水、含氢水、氨水、SC1、NH4OH、柠檬酸水溶液、FOM、FPM、HF、SC2、HCl、IPA、TMAH或三甲基-2-羟乙基氢氧化铵水溶液(CHOLINE，胆碱)等)；以及，清洗液供给机构115，其与喷嘴110连通来向喷嘴110供给清洗液。清洗液供给机构115包括：清洗液供给源118；以及，配管116，其向喷嘴110引导清洗液供给源118供给的清洗液。在配管116的途中设置有开闭阀117。通过对开闭阀117进行开闭，能够对从喷嘴41喷出处理液和停止从喷嘴41喷出处理液进行切换。
刷清洗机构11也可以用作向矫正构件7供给清洗液来清洗矫正构件7的矫正构件清洗机构12。另外，刷清洗机构11和矫正构件清洗机构12也可以是不同的机构。
〈测量器191〉
测量器191是检测刷主体51的大小的变化量的检测器。测量器191例如由激光位移计构成。测量器191也可以由利用雷达的三角测量或图像测量器等实现。测量器191的输出供给至控制部140，控制部140在基于该输出检测到异常时，发出警报或进行禁止清洗处理等。在清洗刷5旋转的情况下，如果对刷主体51的旋转轨迹的一处进行测量，则能够对刷主体51的整周的大小的变化进行测量。
〈控制部140〉
基板处理装置1具备用于控制其各部的控制部140。作为控制部140的硬件的结构，例如可以采用与普通的计算机相同的结构。即，控制部140例如用总线将进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的读取专用的存储器即ROM、存储各种信息的可自由读写的存储器即RAM、存储与各种处理对应的程序和数据等的存储装置连接而成。存储装置还存储有规定基板W的处理内容和处理顺序的规程(recipe)等。
基板处理装置1的旋转保持机构2、刷移动机构3、处理液供给机构4、刷清洗机构11、矫正构件清洗机构12、相对定位机构150、相对旋转机构160、流体供给机构170和刷旋转机构18等各部，根据控制部140的控制进行动作。
〈关于基板处理装置1的动作〉
图9是用于按照时间顺序说明矫正清洗刷的刷主体的情形的图。在最初的步骤S110中，清洗刷5的刷主体51的侧面相对于铅垂方向倾斜角度θ1。角度θ1例如为0.1度～0.3度。当相对定位机构150使清洗刷5从矫正构件7的上方下降时(步骤S110)，刷主体51的下端部分与矫正构件7中的形成中心轴线相对面74的周壁部接触(步骤S120)。然后，当清洗刷5进一步被压入接触部75时，刷主体51被按压于接触部75而矫正为设计刷6的形状(步骤S130)。
图10是用于说明刷主体51和矫正构件7的清洗顺序的一例的截面示意图。基板处理装置1具备刷清洗机构11，在矫正构件7相对于设计刷6定位于目标位置的状态下，该刷清洗机构11能够向清洗刷5的刷主体51供给清洗液来清洗刷主体51。当进行了基板W的清洗处理的清洗刷5利用刷移动机构3配置于退避位置、矫正构件7利用相对定位机构150(刷移动机构3)配置于目标位置来开始进行刷主体51的矫正处理时，刷清洗机构11从喷嘴110向刷主体51喷出清洗液的液流L1，进行刷主体51的清洗，由此，还防止刷主体51的干燥。
当完成刷主体51的矫正而从矫正构件7搬出清洗刷5时，刷清洗机构11例如能够通过降低清洗液的流量等，来清洗矫正构件7的接触部75。另外，开闭阀117的开度可变更。
图11是用于说明利用清洗刷5进行的基板W的清洗和矫正构件7的清洗的时刻的一例的示意图。在图11所示的例子中，在基板处理装置1利用清洗刷5进行基板W的上表面的清洗的期间，从喷嘴110向矫正构件7喷出清洗液。由此，由于基板W的清洗和矫正构件7的清洗并行地进行，因此能够提高基板处理装置1的运转效率。
另外，基板处理装置1也可以定期进行利用矫正构件7矫正清洗刷5的刷主体51的矫正处理。此外，基板处理装置1也可以按照批次清洗基板，在进行各批次的清洗处理之前或之后，进行刷主体51的矫正处理。
图12是示意性表示与流体供给机构170连接的清洗刷5的一例的剖视图。基板处理装置1还具备流体供给机构170。流体供给机构170具备：刷保持件50；流路171，其穿过轴20的内部；配管172，其将流路171与流体供给源174连接；以及，开闭阀173，其设置于配管172的路径途中。流体供给源174例如能够供给空气、氮气，氦，氩或者纯水等规定的流体。流体供给源174优选供给气体。
刷主体51具有海绵状的结构，使得流体供给源174供给的流体能够穿过内部。在矫正构件7相对于设计刷6定位于目标位置的状态下，流体供给机构170根据控制部140的控制向刷主体51供给规定的流体。流体供给机构170形成：经过刷主体51的内部朝向矫正构件7的接触部75的规定的流体的流体流。由此，刷主体51膨胀而被按压于矫正构件7的接触部75。由此，刷主体51的形状被矫正为接近设计刷6的形状。
图13是示意性表示与减压机构180连接的矫正构件7A的一例的剖视图。在矫正构件7A形成有吸引用流路181。矫正构件7A在厚度方向具有双层结构。接触部75侧的层形成有多个小径流路。各小径流路的一端在接触部75的表面开口，另一端与贯通矫正构件7A的另一层的大径配管的流路连通。吸引用流路181包括各小径流路和大径配管的流路。基板处理装置1还包括与吸引用流路181连通并对吸引用流路内进行减压的减压机构180。减压机构180包括：吸引用流路181；配管182，其与吸引用流路181连通；真空泵等减压器184，其与配管182连接，能够对配管182和吸引用流路181内进行减压；以及，开闭阀183，其安装于配管182。
吸引用流路181的各小径流路的直径例如设定为0.2mm～0.4mm左右。为了抑制矫正构件7A的刚性降低，多个小径流路优选设置成蜂巢图案形状。此外，多个小径流路的多个喷出口优选在整个接触部75相同地设置。
〈关于第二实施方式〉
图14是示意性表示第二实施方式的基板处理装置1A的概要结构的俯视图。在基板处理装置1A中，在臂35的轴20安装有用于清洗基板W的周缘部的清洗刷8，来代替基板处理装置1的清洗刷5。此外，在待机容器39内设置有矫正构件10，来代替基板处理装置1的矫正构件7。除了这些不同之外，基板处理装置1A与基板处理装置1相同。
但是，由于用于对清洗基板W的上表面(主面)进行清洗的清洗刷5变更为清洗刷8，因此基板处理装置1A的刷移动机构3使清洗刷8移动的范围，与基板处理装置1的刷移动机构3使清洗刷5移动的范围不同。图14中表示了如下的例子，即，使清洗刷8从设定于基板W的旋转范围外的清洗刷8的待机位置的上方(圆形的双点划线的位置)，沿着通过基板W的周缘部的上方的大致圆弧状的路径T2移动。此外，基板处理装置1A具备与基板处理装置1相同地构成的处理液供给机构4，但是基板处理装置1A的处理液供给机构4向利用清洗刷5进行清洗的基板W的周缘部供给处理液。基板W的周缘部例如为，从基板W的周缘起宽度为1mm～3mm左右的环状的区域。
此外，在基板处理装置1中，刷移动机构3发挥相对定位机构150功能，但是由于基板处理装置1A具备矫正构件10来代替基板处理装置1的矫正构件7，因此基板处理装置1A具备与刷移动机构3独立的相对定位机构150A(图18、图19)。
以下，说明基板处理装置1A的各结构要素中的与基板处理装置1不同的结构要素，省略说明相同地构成的结构要素。
〈清洗刷8〉
图15是示意性表示刷的宽度D2(与基板W的周缘部抵接的基板抵接部83的径向的尺寸)是设计尺寸的清洗刷8的立体图。
清洗刷8的刷主体81包括沿着轴20(中心轴线a2)的延伸方向延伸的柱状部分82。刷主体81能够弹性变形。柱状部分82在上部包括朝向下方变细的倒立圆锥台状部分，在下部包括朝向下方变粗的圆锥台状部分。该倒立圆锥台部分和该圆锥台部分都是以中心轴线a2为中心的旋转体。该倒立圆锥台状部分的上下方向(中心轴线a2的方向)的一部分的带状的环状侧面，是能够与基板W的周缘部中的上侧部分抵接的基板抵接部83。另外，该圆锥台状部分的上下方向的一部分的带状的环状侧面(未图示)，可以设定为能够与基板W的周缘部中的下侧部分抵接的基板抵接部。此外，例如柱状部分82的中心轴线a2方向的中央部分(该倒立圆锥台部分和该圆锥台部分的连接部分)，是包括柱状部分82中的刷的宽度最细部分的部分。也可以使基板W的周缘部中的上侧部分与该中央部分的上侧部分抵接，并且使基板W的周缘部的下侧部分与该中央部分的下侧部分抵接，来进行基板W的清洗。
图16示是意性表示刷的宽度D2变动的清洗刷8的立体图。清洗刷8的刷主体81利用刷移动机构3被按压于旋转的基板W的周缘部。由于基板W比刷主体81更硬、基板W以旋转轴线a1为中心旋转等，因此刷主体81变形。在图16的例中，刷的宽度D2与设计尺寸相比变小。
图17是以曲线图形式表示清洗刷8的刷的宽度D2的变化量和粒径为45nm以上的颗粒的去除率之间的关系例的图。在该去除率的目标值为70％的情况下，当刷的宽度D2的变化量比0.4mm更大时，去除率比目标值低。
〈设计刷9和矫正构件10〉
图18是用于说明设计刷9和矫正构件10的结构例的侧视示意图。图19是示意性表示设计刷9和矫正构件10的俯视示意图。另外，图18和后述的图20、图21是侧视示意图，但是图中的设计刷9(清洗刷8)为了易于识别而表示为立体图。
在图18、图19中，设计刷9是具有清洗刷8的设计形状、且以规定的方式安装于轴20的假设的清洗刷。设计主体91是设计刷9的相当于清洗刷8的刷主体81的部分。设计抵接部93是设计主体91的相当于刷主体81的基板抵接部83的部分。设计柱状部分92是设计刷9的相当于清洗刷8的柱状部分82的部分。
矫正构件10是在外周面具有接触部105的构件。当矫正构件10定位于相对于设计刷9规定的目标位置时，接触部105与设计刷9的设计主体91的外周面接触。在基板处理装置1A中，相对定位机构150A将矫正构件10定位于该目标位置，来矫正清洗刷8的形状。
分第三情形和第四情形说明第二实施方式的设计刷9和矫正构件10，所述第三情形是指，与第一实施方式的第一情形相同地，一边使清洗刷8以轴20的中心轴线a2为中心相对于矫正构件10相对地旋转，一边矫正清洗刷8，所述第四情形是指，与第一实施方式的第二情形相同地，在不使清洗刷8相对于矫正构件10旋转的情况下，矫正清洗刷8。另外，矫正构件10具有与矫正构件7相同的材质。
〈第三情形的设计刷9和矫正构件10〉
在第三情形中，设计刷9的设计柱状部分92的侧面中的包括设计抵接部93的环状部分94，是以中心轴线a2为中心的旋转体96。设计抵接部93也是以中心轴线a2为中心的带状的旋转体。环状部分94是设计柱状部分92的该侧面中的包括设计抵接部93的部分。环状部分94也是旋转体。
在矫正构件10定位于目标位置时，矫正构件10的接触部105与相对于矫正构件10相对地旋转的旋转体96的旋转轨迹97中的、周向的至少一部分的对象部分95彼此重叠。接触部105形成为将设计刷9的对象部分95的形状进行反转的形状，并且是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面104。
〈第四情形的设计刷9和矫正构件10〉
在第四情形中，设计刷9的设计柱状部分92的侧面中的包括设计抵接部93的环状部分94，没必要是以中心轴线a2为中心的旋转体。
在矫正构件10定位于目标位置时，矫正构件10的接触部105与设计刷9的设计柱状部分92的侧面中的、包括设计抵接部93的对象部分95彼此重叠。接触部105形成为将设计刷9的对象部分95的形状进行反转的形状，并且是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面104。
在图18、图19中，表示了用于说明与第三情形对应的设计刷9和矫正构件10的结构例的侧视示意图和俯视示意图。
设计刷9的设计主体91包括沿着轴20(中心轴线a2)的延伸方向延伸的设计柱状部分92。设计柱状部分92在上部包括向下方变细的倒立圆锥台状部分，设计柱状部分92在下部包括向下方变粗的圆锥台状部分。该倒立圆锥台部分和该圆锥台部分都是以中心轴线a2为中心的旋转体。该倒立圆锥台状部分的上下方向(中心轴线a2的方向)的一部分的带状的环状侧面为，能够与基板W的周缘部中的上侧部分抵接的设计抵接部93。
图23是表示矫正构件10的立体图。矫正构件10是截面呈五边形、且水平延伸的柱状构件。矫正构件10的柱状构件具有将设计刷9的倒立圆锥台状部分和圆锥台状部分的纵截面的一侧面的弯折的轮廓，沿着与该纵截面垂直的方向延伸的形状。矫正构件10包括向上倾斜的斜面和向下倾斜的斜面。在该向上倾斜的斜面和该向下倾斜的斜面中，沿着所述的弯折的轮廓在上下方向上延伸的带状部分，既是接触部105也是中心轴线相对面104。
在待机容器39内设置有水平姿势的平板101，在平板101的上表面以垂直姿势立设有彼此平行的一对平板102。在一对平板102的各个相对面，分别安装有矫正构件10。该一对矫正构件10以各自的顶部彼此相对的方式，安装于一对平板102。
一对平板102设置成保持相互平行的状态，且可变更相互的间隔。在刷移动机构3将设计刷9(清洗刷8)配置于待机容器39内的退避位置的状态下，相对定位机构150A将一对矫正构件10配置于各自的目标位置时，各矫正构件10的接触部105与设计刷9的各对象部分95重叠。
〈相对定位机构150A〉
相对定位机构150A是通过使矫正构件10相对于设计刷9(清洗刷8)相对地移动，来使矫正构件10定位于相对于设计刷9规定的目标位置的机构。在图18、图19所示的例子中，在一对平板102安装有一对矫正构件10，相对定位机构150A通过使一对平板102移动，来使一对矫正构件10与一对平板102一体地移动。具体来说，相对定位机构150A例如具备平板101、在各平板102之间设置的各移动台(stage)。在刷移动机构3将清洗刷8移动到待机容器39内的退避位置时、在使清洗刷8从退避位置向待机容器39外移动时，相对定位机构150A以不阻碍清洗刷8的移动的方式，设定一对矫正构件10的间隔。在刷移动机构3将清洗刷8配置于待机容器39内的退避位置的状态下，相对定位机构150A根据控制部140的控制，使各矫正构件10分别移动到目标位置。由此，清洗刷8的形状被矫正为接近设计刷9的形状。
图20是示意性表示与流体供给机构170A连接的清洗刷8A的一例的侧视图。清洗刷8A与清洗刷8相同地，用于清洗基板W的周缘部。清洗刷8A利用刷移动机构3配置于退避位置，一对矫正构件10定位于其目标位置。清洗刷8A包括沿着其中心轴贯通清洗刷8A的配管。在配管的侧面，设置有用于与配管内的流路连通的多个贯通孔，向该配管供给的空气等流体，经过该贯通孔向清洗刷8A的刷主体内供给。流体供给机构170A通过向清洗刷8A的刷主体供给规定的流体，形成经过该刷主体的内部朝向矫正构件10的接触部105的该流体的流体流。由此，清洗刷8A的刷主体被按压于接触部105而矫正其形状。流体供给机构170A与基板处理装置1的流体供给机构170相同地，包括：流体供给源174；配管172，其与流体供给源174连接；开闭阀173，其设置于配管172的途中；轴20的内部的流路171A，其与配管172连接；以及，清洗刷8A内的配管，其与流路171A连接。
图21是示意性表示作为与减压机构连接的矫正构件的一例的矫正构件10D的剖视图。在矫正构件10D，形成有在接触部105开口的吸引用流路181A。吸引用流路181A包括：多个分支配管，其在接触部105开口；大径配管，与各分支配管连通。该大径配管贯通平板102。该大径配管与包括真空泵等的未图示的减压机构连通。通过该减压机构对吸引用流路181A内进行减压，使清洗刷8的刷主体81向矫正构件10D的接触部105侧拉伸。由此，刷主体81的形状被矫正为接触部105的形状。
如图14所示，基板处理装置1A具备与基板处理装置1相同的刷清洗机构11。刷清洗机构11具备：喷嘴110，其用于向清洗刷8的刷主体81喷出清洗液；以及，清洗液供给机构115，其与喷嘴110连通来向喷嘴110供给清洗液(例如碳酸水或纯水等)。在矫正构件10定位于目标位置的状态下，刷清洗机构11能够向清洗刷8的刷主体81供给清洗液来清洗刷主体81。
刷清洗机构11也能够用作向矫正构件10供给清洗液来清洗矫正构件10的矫正构件清洗机构12。另外，刷清洗机构11和矫正构件清洗机构12也可以是不同的机构。在矫正构件10从目标位置离开而露出矫正构件10的接触部105的状态下，矫正构件清洗机构12向接触部105供给清洗液来清洗接触部105。
图22是示意性表示向矫正处理中的清洗刷8供给清洗液的多个喷嘴110的配置例的俯视图。在图14的例子中，刷清洗机构11具备一个喷嘴110，但是如图22所示，刷清洗机构11也可以具备多个(图的例子中为两个)喷嘴110。在图22中，一对矫正构件10分别定位于目标位置来矫正清洗刷8的形状。多个喷嘴110设置成沿着清洗刷8的旋转方向夹住一个矫正构件10。各喷嘴的喷出口大致与清洗刷8的刷主体81正对。根据该结构，在刷主体81以中心轴线a2为中心旋转且利用矫正构件10矫正形状的期间，向刷主体81的周向中的多处供给清洗液，从而高效地进行清洗。
图26是用于说明对用于矫正清洗刷8的形状的矫正构件10C的清洗方式的一例的侧视示意图。图27是示意性表示矫正构件10C的结构例的侧视剖视图。在图22的例子中，从另行设置的喷嘴110向矫正构件10供给清洗液，但是图22的一对矫正构件10C可分别被另一个矫正构件10C喷出清洗液来被清洗。如图27所示，在矫正构件10C的内部形成有储液孔110C，形成有与该储液孔110C连通、且在接触部105开口的多个流路。储液孔110C与配管175连接，配管175与图14所示的清洗液供给机构115连通。清洗液供给机构115供给的清洗液，经由配管175导入到矫正构件10C内的储液孔110C，从储液孔110C经由各流路，从各流路的喷出口向另一个矫正构件10C的接触部105喷出。因此，即使没有另行设置清洗用的喷嘴，一对矫正构件10也能够分别清洗另一个矫正构件10C的接触部105。
图24、图25是表示作为用于矫正清洗刷8的形状的矫正构件的一例的矫正构件10A、10B的立体图。
矫正构件10A形成为，在矫正构件10A定位于目标位置时，与清洗刷8相对的顶端侧的部分呈四棱锥状。即使采用矫正构件10A，如果清洗刷8以中心轴线a2为中心旋转，则能够使矫正构件10A的接触部105与清洗刷8的基板抵接部83接触。由此，能够利用矫正构件10A矫正清洗刷8的刷主体81的形状。
矫正构件10B包括在定位于目标位置时与清洗刷8相对的部分。在该部分形成有沿着清洗刷8的周向延伸的半圆弧部。周向的各处的半圆弧部的截面形状，呈顶点朝向清洗刷8的刷主体81的缩颈部的三角形状。半圆弧部的表面中的上下方向的中央部分的上侧的部分，是朝向上方扩径的研钵状，下侧部分是朝向下方扩径的研钵状。该半圆弧部的整个表面是矫正构件10B的接触部105。也可以利用使半圆弧部彼此相对的一对矫正构件10B，矫正清洗刷8的形状。
此外，在图14的例中采用一对矫正构件10，但是也可以仅由该一对矫正构件10中的一个矫正构件10矫正清洗刷8的形状。此外，清洗刷5的刷主体51、清洗刷8的刷主体81等结构，不限于海绵状的结构。
根据上述那样构成的第一实施方式的基板处理装置，在该装置相当于所述的第二情形的情况下，清洗刷5的刷主体51包括形成沿着轴20的延伸方向延伸的柱状部分52的顶端面的基板抵接部53。设计刷6具有清洗刷5的设计形状。对象部分65是将设计刷6的外周面中的与基板抵接部53相当的设计抵接部63、从设计抵接部63的周缘沿着轴20的延伸方向延伸的带状的环状部分64合起来的部分。然后，在矫正构件7定位于目标位置时，矫正构件7的接触部75与对象部分65彼此重叠。接触部75形成为将对象部分65的形状反转的形状，并且接触部75中的与带状的环状部分64对应的部分，是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面74。因此，当矫正构件7定位于目标位置时，清洗刷5的基板抵接部53的扩展，被矫正构件7的中心轴线相对面74限制。由此，能够抑制基板抵接部53的大小的变动。
此外，根据第一实施方式的基板处理装置，在该装置相当于第一实施方式的所述的第一情形的情况下，清洗刷5的刷主体51包括形成沿着轴20的延伸方向延伸的柱状部分52的顶端面的基板抵接部53。设计刷6具有清洗刷5的设计形状。清洗刷5以轴20的中心轴线a2为中心，相对于矫正构件7相对地旋转。设计刷6的包括设计抵接部63、从设计抵接部63的周缘延伸的带状的环状部分64部分，是以轴20的中心轴线a2为中心的旋转体66。对象部分65是指，将该旋转体66的旋转轨迹67中的与带状的环状部分64对应的部分的周向的至少一部分、该旋转轨迹67中的与设计抵接部63对应的部分合起来的部分。然后，当矫正构件7定位于目标位置时，矫正构件7的接触部75与对象部分65彼此重叠。接触部75形成为将对象部分65的形状反转的形状，并且接触部75中的与带状的环状部分64对应的部分，是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面74。因此，当矫正构件7定位于目标位置时，清洗刷5的基板抵接部53的扩展，被矫正构件7的中心轴线相对面74限制。由此，能够抑制基板抵接部53的大小的变动。
此外，根据第一实施方式的基板处理装置，在该装置相当于所述的第一情形的情况下，由于清洗刷5以轴20的中心轴线a2为中心，相对于矫正构件7相对地旋转，因此清洗刷5的基板抵接部53的扩展，更强力地被矫正构件7的中心轴线相对面74限制。
此外，根据上述那样构成的第二实施方式的基板处理装置，在该装置相当于所述的第四情形的情况下，清洗刷8的刷主体81在沿着轴20的延伸方向延伸的柱状部分82的侧面包括基板抵接部83。设计刷9具有清洗刷8的设计形状。对象部分95是指，设计刷9的与该柱状部分82相当的设计柱状部分92的侧面中的、包括与基板抵接部83相当的设计抵接部93的部分。然后，在矫正构件10定位于目标位置时，矫正构件10的接触部105与对象部分95彼此重叠。接触部105形成为将设计刷9的对象部分95的形状反转的形状，并且是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面104。因此，当矫正构件10定位于目标位置时，清洗刷8的基板抵接部83的扩展被矫正构件10的中心轴线相对面104限制。由此，能够抑制基板抵接部83的大小的变动。
此外，根据第二实施方式的基板处理装置，在该装置相当于所述的第三情形的情况下，清洗刷8的刷主体81在沿着轴20的延伸方向延伸的柱状部分82的侧面包括基板抵接部83。设计刷9具有清洗刷8的设计形状。清洗刷8以轴20的中心轴线a2为中心，相对于矫正构件10相对地旋转。设计刷9的设计柱状部分92的侧面中的包括设计抵接部93的环状部分94，是以轴20的中心轴线a2为中心的旋转体96。设计刷9的对象部分95是该旋转体96的旋转轨迹97中的周向的至少一部分。矫正构件10定位于目标位置时，矫正构件10的接触部105与对象部分95彼此重叠。接触部105形成为将设计刷9的对象部分95的形状反转的形状，并且是与轴20的中心轴线a2相对的中心轴线相对面104。因此，当矫正构件10定位于目标位置时，清洗刷8的基板抵接部83的扩展被矫正构件10的中心轴线相对面104限制。由此，能够抑制基板抵接部83的大小的变动。
此外，根据第二实施方式的基板处理装置，在该装置相当于所述的第三情形的情况下，由于清洗刷8以轴20的中心轴线a2为中心，相对于矫正构件10相对地旋转，因此清洗刷8的基板抵接部83的扩展，更强力地被矫正构件10的中心轴线相对面104限制。
此外，根据第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，刷主体51、81具有海绵状的结构，在矫正构件7、10相对于设计刷6、9定位于目标位置的状态下，流体供给机构向清洗刷5、8的刷主体51、81供给规定的流体，形成经过刷主体51、81的内部朝向矫正构件7、10的接触部75、105的该流体的流体流。因此，即使在刷主体51、81中的与矫正构件7、10的接触部75、105相对的部分收缩的情况下，也能够利用流体使刷主体51、81膨胀来被按压于接触部75、105，因此能够使该相对的部分接近接触部75、105的形状。
此外，第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，在矫正构件7、10形成有在接触部75、105开口的吸引用流路181、181A，基板处理装置还包括用于与吸引用流路181、181A连通并对吸引用流路181、181A内进行减压的减压机构。因此，在矫正构件7、10相对于设计刷6、9定位于目标位置的状态下，如果减压机构对吸引用流路181、181A内进行减压，则即使在清洗刷5、8的刷主体51、81中的与接触部75、105相对的部分收缩的情况下，也能够通过对吸引用流路181、181A内进行减压，来使该部分朝向接触部75、105拉伸，从而接近接触部75、105的形状。
此外，根据第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，还具备矫正构件清洗机构12，在矫正构件7、10从目标位置离开的状态下，该矫正构件清洗机构12向矫正构件7、10的接触部75、105供给清洗液来清洗接触部75、105。因此，在利用清洗刷5、8清洗基板W的清洗处理中，能够并行地清洗接触部75、105，因此能够提高基板处理装置的处理能力。
此外，根据第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，还具备刷清洗机构11，在矫正构件7、10定位于目标位置的状态下，该刷清洗机构11能够向清洗刷5、8的刷主体51、81供给清洗液来清洗刷主体51、81。因此，能够一边利用矫正构件7、10矫正清洗刷5、8的刷主体51、81的形状，一边清洗刷主体51、81。
此外，根据第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，在矫正构件7、10定位于目标位置的状态下，矫正构件清洗机构12能够向清洗刷5、8的刷主体51、81供给清洗液来清洗刷主体51、81。因此，无需设置用于清洗刷主体51、81的专用的清洗机构，因此能够简化装置结构。
此外，根据第一实施方式、第二实施方式的基板处理装置，还具备用用于测量清洗刷5、8的刷主体51、81的变形量的测量器191。因此，在变形量超过规定的基准的情况下，基板处理装置能够发出例如警报或提醒更换清洗刷5、8的消息等。
详细地表示并记载了本发明，但是所述的记载对于所有方式只是用来例示而不是用来限定的。因此，本发明在本发明的范围内，能够对实施方式进行适当地变形、省略。

Claims (28)

1.一种基板处理装置，其中，
具备：
旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，
清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，
刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；
所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，该基板抵接部形成所述柱状部分的顶端面，
所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的主面接触，
在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，
所述基板处理装置还具备：
矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，以及，
相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷被规定的目标位置；
在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，将所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的外周面中的所述设计抵接部、该外周面中的从所述设计抵接部的周缘沿着所述轴的延伸方向延伸的带状的环状部分合起来的部分，
所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部中的与所述带状的环状部分对应的部分，是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述刷主体具有海绵状的结构；
所述基板处理装置还具备流体供给机构，
在所述矫正构件相对于所述设计刷定位于所述目标位置的状态下，所述流体供给机构向所述清洗刷的所述刷主体供给规定的流体，形成经过所述刷主体的内部朝向所述矫正构件的所述接触部的所述流体的流体流。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件形成有在所述接触部开口的吸引用流路，
所述基板处理装置还具备减压机构，所述减压机构与所述吸引用流路连通，来对所述吸引用流路内进行减压。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还具备矫正构件清洗机构，在所述矫正构件从所述目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向所述矫正构件的所述接触部供给清洗液来清洗所述接触部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还具备刷清洗机构，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述矫正构件清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的基板处理装置，其中，
还具备测量器，所述测量器测量所述清洗刷的所述刷主体的变形量。
8.一种基板处理装置，其中，
具备：
旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，
清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，
刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；
所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，该基板抵接部形成所述柱状部分的顶端面，
所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的主面接触，
在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，
所述基板处理装置还具备：
矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，
相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷被规定的目标位置，以及，
相对旋转机构，使所述清洗刷以所述轴的中心轴线为中心，相对于所述矫正构件相对地旋转；
将所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的外周面中的所述设计抵接部、该外周面中的从所述设计抵接部的周缘沿着所述轴的延伸方向延伸的带状的环状部分合起来的部分，是以所述中心轴线为中心的旋转体，
在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，将所述旋转体的旋转轨迹中的与所述带状的环状部分对应的部分的周向的至少一部分、该旋转轨迹中的与所述设计抵接部对应的部分合起来的部分，所述旋转体利用所述相对旋转机构相对于所述矫正构件相对地旋转，
所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部中的与所述带状的环状部分对应的部分，是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述刷主体具有海绵状的结构；
所述基板处理装置还具备流体供给机构，
在所述矫正构件相对于所述设计刷定位于所述目标位置的状态下，所述流体供给机构向所述清洗刷的所述刷主体供给规定的流体，形成经过所述刷主体的内部朝向所述矫正构件的所述接触部的所述流体的流体流。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件形成有在所述接触部开口的吸引用流路，
所述基板处理装置还具备减压机构，所述减压机构与所述吸引用流路连通，来对所述吸引用流路内进行减压。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
还具备矫正构件清洗机构，在所述矫正构件从所述目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向所述矫正构件的所述接触部供给清洗液来清洗所述接触部。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
还具备刷清洗机构，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述矫正构件清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
14.根据权利要求8至13中任一项权利要求所述的基板处理装置，其中，
还具备测量器，所述测量器测量所述清洗刷的所述刷主体的变形量。
15.一种基板处理装置，其中，
具备：
旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，
清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，
刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；
所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且在所述柱状部分的侧面包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，
所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的周缘部接触，
在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，
所述基板处理装置还具备：
矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，以及，
相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷被规定的目标位置；
在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的侧面中的、包括所述设计抵接部的部分，
所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
所述刷主体具有海绵状的结构；
所述基板处理装置还具备流体供给机构，
在所述矫正构件相对于所述设计刷定位于所述目标位置的状态下，所述流体供给机构向所述清洗刷的所述刷主体供给规定的流体，形成经过所述刷主体的内部朝向所述矫正构件的所述接触部的所述流体的流体流。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件形成有在所述接触部开口的吸引用流路，
所述基板处理装置还具备减压机构，所述减压机构与所述吸引用流路连通，来对所述吸引用流路内进行减压。
18.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
还具备矫正构件清洗机构，在所述矫正构件从所述目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向所述矫正构件的所述接触部供给清洗液来清洗所述接触部。
19.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
还具备刷清洗机构，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
20.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述矫正构件清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
21.根据权利要求15至20中任一项权利要求所述的基板处理装置，其中，
还具备测量器，所述测量器测量所述清洗刷的所述刷主体的变形量。
22.一种基板处理装置，其中，
具备：
旋转保持机构，保持基板，使该基板以规定的旋转轴为中心旋转，
清洗刷，包括能够弹性变形的刷主体，以及，
刷移动机构，包括安装有所述清洗刷的轴，所述刷移动机构通过使所述轴移动来使所述清洗刷移动，所述轴沿着贯穿所述基板的主面的方向延伸；
所述刷主体包括沿着所述轴的延伸方向延伸的柱状部分，并且在所述柱状部分的侧面包括用于与所述基板抵接的基板抵接部，
所述刷移动机构能够使所述刷主体的所述基板抵接部与所述基板的周缘部接触，
在用具有所述清洗刷的设计形状且以规定的方式安装于所述轴的假设的清洗刷定义设计刷，用所述设计刷的与所述刷主体相当的部分定义设计主体，用所述设计主体的与所述基板抵接部相当的部分定义设计抵接部时，
所述基板处理装置还具备：
矫正构件，在该矫正构件的外周面包括接触部，该接触部能够与所述设计刷的所述设计主体的外周面相对并接触，
相对定位机构，通过使所述矫正构件相对于所述设计刷相对地移动，使所述矫正构件定位于相对于所述设计刷规定的目标位置，以及，
相对旋转机构，使所述清洗刷以所述轴的中心轴线为中心，相对于所述矫正构件相对地旋转；
所述设计主体的与所述柱状部分相当的设计柱状部分的侧面中的、包括所述设计抵接部的环状部分，是以所述中心轴线为中心的旋转体，
在所述矫正构件定位于所述目标位置时，所述接触部与对象部分彼此重叠，所述对象部分为，所述旋转体的旋转轨迹中的周向的至少一部分，所述旋转体利用所述相对旋转机构相对于所述矫正构件相对地旋转，
所述接触部形成为将所述设计刷的所述对象部分的形状反转的形状，并且所述接触部是与所述轴的中心轴线相对的中心轴线相对面。
23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其中，
所述刷主体具有海绵状的结构；
所述基板处理装置还具备流体供给机构，
在所述矫正构件相对于所述设计刷定位于所述目标位置的状态下，所述流体供给机构向所述清洗刷的所述刷主体供给规定的流体，形成经过所述刷主体的内部朝向所述矫正构件的所述接触部的所述流体的流体流。
24.根据权利要求22所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件形成有在所述接触部开口的吸引用流路，
所述基板处理装置还具备减压机构，所述减压机构与所述吸引用流路连通，来对所述吸引用流路内进行减压。
25.根据权利要求22所述的基板处理装置，其中，
还具备矫正构件清洗机构，在所述矫正构件从所述目标位置离开的状态下，所述矫正构件清洗机构向所述矫正构件的所述接触部供给清洗液来清洗所述接触部。
26.根据权利要求22所述的基板处理装置，其中，
还具备刷清洗机构，在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述刷清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
27.根据权利要求25所述的基板处理装置，其中，
在所述矫正构件定位于所述目标位置的状态下，所述矫正构件清洗机构能够向所述清洗刷的所述刷主体供给清洗液来清洗所述刷主体。
28.根据权利要求22至27中任一项权利要求所述的基板处理装置，其中，
还具备测量器，所述测量器测量所述清洗刷的所述刷主体的变形量。
CN201710858732.8A 2016-09-21 2017-09-21 基板处理装置 Active CN107863309B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016183919A JP6751634B2 (ja) 2016-09-21 2016-09-21 基板処理装置
JP2016-183919 2016-09-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107863309A true CN107863309A (zh) 2018-03-30
CN107863309B CN107863309B (zh) 2021-11-05

Family

ID=61617759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710858732.8A Active CN107863309B (zh) 2016-09-21 2017-09-21 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10821483B2 (zh)
JP (1) JP6751634B2 (zh)
KR (1) KR102072375B1 (zh)
CN (1) CN107863309B (zh)
TW (1) TWI667079B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6684191B2 (ja) * 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
JP1581087S (zh) * 2016-12-16 2017-07-10
US20200058521A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning with dynamic contacts
US10980388B2 (en) 2019-06-17 2021-04-20 Robert Bosch Tool Corporation Hand held rotary cleaning tool including liquid dispenser
JP7368992B2 (ja) * 2019-09-27 2023-10-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置およびブラシ収納容器
JP7364460B2 (ja) * 2019-12-25 2023-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2023137471A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2024106671A (ja) * 2023-01-27 2024-08-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183828A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置のクリーニング方法及びその装置
US6158075A (en) * 1996-11-19 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US7032269B2 (en) * 2003-02-28 2006-04-25 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating substrate processing system
CN101295630A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
CN101609791A (zh) * 2008-06-18 2009-12-23 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置、基板清洗方法以及存储介质
JP5139090B2 (ja) * 2008-01-08 2013-02-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326474A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Hitachi Ltd 洗浄装置
KR970005686B1 (ko) * 1994-04-28 1997-04-18 한국베리안 주식회사 박막열처리 장치
JP3447869B2 (ja) 1995-09-20 2003-09-16 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び装置
JP3420046B2 (ja) * 1996-11-19 2003-06-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3654779B2 (ja) * 1998-01-06 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄具及び基板洗浄方法
JP4091187B2 (ja) 1998-12-08 2008-05-28 株式会社荏原製作所 洗浄具、基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002222788A (ja) 2001-01-29 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄具及び基板洗浄装置
US20050208774A1 (en) * 2004-01-08 2005-09-22 Akira Fukunaga Wet processing method and processing apparatus of substrate
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US8608858B2 (en) 2004-09-28 2013-12-17 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member
US8137467B2 (en) * 2007-10-16 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
JP5016455B2 (ja) * 2007-11-22 2012-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5016462B2 (ja) * 2007-12-03 2012-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2009206358A (ja) 2008-02-28 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009212119A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010003739A (ja) 2008-06-18 2010-01-07 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置
JP6143589B2 (ja) 2013-07-12 2017-06-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6490202B2 (ja) * 2014-09-26 2019-03-27 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハ洗浄装置及び半導体ウェハ洗浄方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183828A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置のクリーニング方法及びその装置
US6158075A (en) * 1996-11-19 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate
US7032269B2 (en) * 2003-02-28 2006-04-25 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating substrate processing system
CN101295630A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
JP5139090B2 (ja) * 2008-01-08 2013-02-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN101609791A (zh) * 2008-06-18 2009-12-23 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置、基板清洗方法以及存储介质

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAO MINYU; HAN HUANMEI; XIAO SHOUJUN: "High hydrosilylation efficiency of porous silicon SiHx species produced by Pt-assisted chemical etching for biochip fabrication", 《SCIENCE CHINA(CHEMISTRY)》 *
王同庆; 韩桂全; 赵德文; 何永勇; 路新春: "抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究", 《摩擦学学报》 *

Also Published As

Publication number Publication date
TWI667079B (zh) 2019-08-01
TW201822904A (zh) 2018-07-01
US10821483B2 (en) 2020-11-03
JP6751634B2 (ja) 2020-09-09
KR102072375B1 (ko) 2020-02-03
CN107863309B (zh) 2021-11-05
KR20180032185A (ko) 2018-03-29
JP2018049909A (ja) 2018-03-29
US20180078973A1 (en) 2018-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107863309A (zh) 基板处理装置
CN102810459B (zh) 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法
CN101740450B (zh) 基板支撑单元、使用该单元抛光基板的装置及方法
US8657963B2 (en) In-situ backside cleaning of semiconductor substrate
US7743449B2 (en) System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
JP3933670B2 (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
KR101816694B1 (ko) 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
TW201537632A (zh) 硏磨洗淨機構、基板處理裝置及基板處理方法
CN113043158A (zh) 清洗装置、研磨装置
KR20160128541A (ko) 기판 연마 장치
CN116099785A (zh) 晶圆清洗装置和晶圆加工设备
WO2015061741A1 (en) Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning
KR102626035B1 (ko) 기판 스피닝 장치 및 그 제어방법
US20190184517A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program
JP4047406B2 (ja) 洗浄処理装置
TWI723144B (zh) 局部區域研磨系統及用於研磨系統的研磨墊組件
KR101099591B1 (ko) 기판 세정용 디스크 유닛 및 이를 갖는 기판 세정 장치
TWI689002B (zh) 利用具有摩擦增強圖案的周邊表面在濕式化學製程期間接觸基板的壓模製品
CN219233207U (zh) 晶圆清洗装置和晶圆加工设备
US20230182262A1 (en) Substrate cleaning device and substrate polishing device
CN111341690B (zh) 喷淋结构及反应腔室
JP2012182507A (ja) 基板洗浄装置
CN115020298A (zh) 一种管路预清洗方法、预制输送管路和晶圆后处理装置
JP2001176832A (ja) 基板の洗浄処理方法及び洗浄処理装置
CN103186049A (zh) 一种涂胶显影机及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant