CN107850570B - 缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头 - Google Patents

Abstract

本发明定量地测定磁性体构件中的缺陷。使用具备磁铁(2)和配置于由磁铁(2)及磁性体管(P)形成的磁回路上且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测的霍尔元件(3)的检查探头(100)，并测定霍尔元件(3)的输出，基于霍尔元件(3)的输出来判定有无缺陷并算出缺陷的深度。

Description

缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头

技术领域

本发明涉及对由磁性体构成的构件的缺陷进行测定的缺陷测定方法及缺陷测定装置、以及上述缺陷的测定所使用的检查探头。

背景技术

以往，作为用于调查磁性体构件中有无壁厚减薄、龟裂等缺陷的检查方法，已知有专利文献1等公开的漏磁通法(MFL；Magnetic Flux Leakage)等。

例如，在专利文献1中，具备电磁铁及磁传感器的检查金属锭以使作为检查对象的配管部分磁饱和的方式进行磁化，利用磁传感器检测来自该配管部分的漏磁通，由此判定配管有无缺陷。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2004-212161号公报(2004年7月29日公开)”

发明内容

发明要解决的课题

然而，漏磁通法基于来自配管部分的漏磁通来判定有无缺陷，但磁通的泄漏仅在缺陷的端部等配管的形状不连续的部分产生。因此，在配管的整周产生了壁厚减薄的情况下或在缓慢地产生了壁厚减薄的情况下，不产生磁通的泄漏而存在无法检测出缺陷这一问题。另外，漏磁通法虽然能够基于磁通的泄漏来判定有无缺陷，但也存在无法定量地测定该缺陷的深度等的问题。

本发明是鉴于上述的问题而做出的，其目的在于定量地测定磁性体构件中的缺陷。

用于解决课题的方案

本发明的一方案的缺陷测定方法用于检查磁性体构件的缺陷，所述缺陷测定方法的特征在于，包括：测定工序，在该测定工序中，使用具备磁铁和磁传感器的检查探头，并测定所述磁传感器的输出，所述磁传感器配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测；以及算出工序，在该算出工序中，基于所述磁传感器的输出来判定所述磁性体构件有无缺陷，并算出所述磁性体构件与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体构件的缺陷的深度。

本发明的一方案的缺陷测定装置的特征在于，具备：检查探头，其具备磁铁和磁传感器，所述磁传感器配置于由所述磁铁及磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测；以及缺陷深度算出部，其基于所述磁传感器的输出来判定所述磁性体构件有无缺陷，并算出所述磁性体构件与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体构件的缺陷的深度。

本发明的一方案的检查探头用于检查磁性体构件的缺陷，所述检查探头的特征在于，具备磁铁和磁传感器，所述磁传感器配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测。

发明效果

如以上那样，根据本发明的缺陷测定方法、缺陷测定装置及检查探头，能够定量地测定磁性体构件中的缺陷。

附图说明

图1是表示在本发明的一实施方式的壁厚减薄测定装置中使用的检查探头的结构的示意图。

图2是表示图1所示的检查探头的壁厚减薄测定时的状态的示意图。

图3是表示从图1所示的检查探头所具备的霍尔元件输出的电压与磁性体管的壁厚减薄率的关系的图。

图4的(a)及(b)是表示外部磁场H、向置于外部磁场H中的磁性体管作用的磁通密度B、以及根据B＝μH的关系求出的磁性体管的相对导磁率μ的关系的图。

图5的(a)及(b)是表示具有多个壁厚减薄部的试验片的一例的说明图，(a)是表示整面壁厚减薄的试验片的图，(b)是表示局部壁厚减薄的试验片的图。

图6是表示对于图5的(a)及(b)所示的试验片而言的霍尔元件的输出电压与磁性体管的壁厚减薄率及壁厚减薄范围的关系的图。

图7是表示对于图5的(a)及(b)所示的试验片以及实际机器中使用的磁性体管而言的、图1所示的检查探头所具备的霍尔元件的输出电压与壁厚减薄深度的实测值的关系的图。

图8是表示图1所示的检查探头的壁厚评价值与壁厚实测值的关系的图。

图9是表示本发明的一实施方式的壁厚减薄测定装置所具备的处理部的结构的框图。

图10是表示本发明的一实施方式的壁厚减薄测定装置的处理流程的流程图。

图11是表示在漏磁通法中从霍尔元件输出的电压与磁性体管的壁厚减薄率的关系的图。

具体实施方式

本发明的磁性体构件是由磁性体构成的构件，例如可举出由磁性体构成的线缆、线材、板状构件、各种构造物等。作为磁性体构件的缺陷，可举出壁厚减薄状的缺陷(以下，称作壁厚减薄)、龟裂状的缺陷等。该壁厚减薄是指因机械磨损、化学腐蚀而厚度变薄的现象。

说明本发明的一实施方式。在本实施方式中，说明作为磁性体构件而以磁性体管为检查对象、作为磁传感器使用霍尔元件来检查壁厚减薄的实施例，但本发明的适用对象不限于磁性体管，也不限于壁厚减薄的检查。

在本实施方式中，将本发明的磁性体构件与磁铁对置的方向上的缺陷的深度称作“壁厚减薄深度”，将基于本发明的磁传感器的输出来判定有无缺陷并算出磁性体构件与磁铁对置的方向上的缺陷的深度的缺陷深度算出部称作“壁厚减薄深度算出部”，将本发明的缺陷测定装置称作“壁厚减薄测定装置”。

(1.检查探头100的结构)

图1是表示本实施方式的检查探头100的结构的示意图。

在本实施方式中，将检查探头100插入磁性体管的管内并使其在管内移动，使用后述的磁通阻力法(MFR；Magnetic Flux Resistance)检查磁性体管的壁厚减薄。作为检查对象的磁性体管，可以使用由如下磁性体构成的管体，所述磁性体例如是碳素钢、铁素体系不锈钢、由铁氧体相及奥氏体相这二相构成的二相不锈钢等。

如图1所示，检查探头100具备磁铁2、霍尔元件3及磁轭1。

磁轭1是由磁性体构成的中空圆筒状的构件。作为构成磁轭1的磁性体，例如可以使用碳素钢、低合金钢等高导磁率金属。需要说明的是，磁轭1的形状没有特别限定，例如可举出棒状、板状、圆柱状等形状。

磁铁2沿着磁轭1的外周面安装，且以在检查探头100插入到磁性体管内时一方的磁极与磁轭1对置且另一方(相反侧)的磁极与磁性体管对置的方式使磁极朝向磁性体管的半径方向配置。即，磁铁2在与磁性体管对置的方向上极化。需要说明的是，在图1中，示出了磁铁2的N极配置于磁轭1侧且S极配置于磁性体管侧的例子，但不限于此，也可以将S极配置于磁轭1侧且将N极配置于磁性体管侧。

在此，如图1中的箭头所示，磁铁2和磁轭1形成磁回路。霍尔元件3设置于该磁回路上，在图1中，示出了霍尔元件3设置于磁铁2中的位于磁性体管的轴向上的端部的例子。另外，霍尔元件3以如下方式配置：当磁阻减少而通过霍尔元件3的磁通密度变大时，输出电压减少。

(2.磁通阻力法的概要)

图2是示意性地示出磁性体管P的壁厚减薄测定时的检查探头100的图，(a)示出在磁性体管P中未产生壁厚减薄的情况，(b)示出在磁性体管P中产生了壁厚减薄的情况。对于本实施方式的检查探头100，将检查探头100向磁性体管P的内部插入，由此检查探头100的磁铁2及磁轭1、以及磁性体管P形成磁回路。如图2的(a)所示，在磁性体管P中未产生壁厚减薄的情况下，由于磁性体管P的壁厚大，因此磁回路中的磁阻变小，通过霍尔元件3的磁通密度变大。与此相对，如图2的(b)所示，在磁性体管P中产生了壁厚减薄的情况下，磁性体管P的壁厚与图2的(a)所示的状态相比变小，磁回路中的磁阻变大。因此，通过霍尔元件3的磁通密度也与图2的(a)所示的状态相比变小。在此，霍尔元件3的输出电压根据通过霍尔元件3的磁通密度的多寡而变化。因此，通过以在通过霍尔元件3的磁通密度变大时霍尔元件3的输出电压减少的方式配置霍尔元件3并测定霍尔元件3的输出电压，来判定磁性体管P有无壁厚减薄，算出磁性体管P的壁厚及壁厚减薄深度。需要说明的是，本实施方式中的磁性体管P的壁厚是指磁性体管P与磁铁2对置的方向上的磁性体管P的厚度。

图3是表示从霍尔元件3输出的电压与磁性体管P的壁厚减薄率的关系的图，将在磁性体管P中未产生壁厚减薄而健全的情况下的霍尔元件3的输出电压示为0V。另外，为了进行比较，图11示出在漏磁通法中从霍尔元件3’输出的电压与磁性体管P的壁厚减薄率的关系。

如图3所示，在检查探头100处于空闲状态的情况下，即在磁回路内不存在作为检查对象的磁性体管P的情况下，磁回路中的磁阻大，因此通过霍尔元件3的磁通密度小，霍尔元件3的输出电压成为大的值。另一方面，在检查探头100处于磁性体管P的内部且在磁性体管P中未产生壁厚减薄的情况下，如上所述，磁回路中的磁阻变小，霍尔元件3的输出电压成为小的值。并且，在磁性体管P中产生了壁厚减薄的情况下，霍尔元件3输出与壁厚减薄率相应的电压。例如，在磁性体管P中以25％、50％、75％的壁厚减薄率产生了壁厚减薄的情况下，霍尔元件3输出与各个壁厚减薄率相应的电压。需要说明的是，本实施方式中的壁厚减薄率是表示磁性体管P与磁铁2对置的方向上的壁厚减薄部的深度相对于健全状态下的磁性体管P的壁厚的比例的值，若壁厚减薄率为75％，则表示磁性体管P的厚度为健全状态下的1/4。

与此相对，如图11所示，若采用漏磁通法，则产生磁通的泄漏仅是在磁性体管P的形状不连续的部分，因此，霍尔元件3’的输出电压发生变化也仅是在磁性体管P的形状不连续的部分。另外，无法根据霍尔元件3’的输出电压来算出磁性体管P的壁厚及壁厚减薄深度。

图4是表示外部磁场H、向置于外部磁场H的磁性体管P作用的磁通密度B、以及根据B＝μH的关系求出的磁性体管P的相对导磁率μ的关系的图，在图4的(a)中，使横轴为外部磁场H且使纵轴为相对导磁率μ及磁通密度B来示出其关系，在图4的(b)中，使横轴为磁通密度B且使纵轴为相对导磁率μ来示出其关系。

如图4的(b)所示，磁通密度B小的区域(图中区域α)是产生磁噪声而相对导磁率μ不稳定的区域。另外，磁通密度B为中等程度的区域(图中区域β)是如下区域：虽然磁噪声被抑制，但即便磁通密度B增加，相对导磁率μ的变化也小，不适于使用霍尔元件3来测定磁性体管P的壁厚减薄率。

另一方面，磁通密度大的区域(图中的区域γ)是如下区域：随着磁通密度B增加而相对导磁率μ单调减少，适于测定磁性体管P的壁厚减薄率。尤其是，在磁通密度B大到使磁性体管P完全未达到磁饱和这种程度的区域，随着磁通密度B增加而相对导磁率μ直线地减少。因此，当以使该区域的磁通密度B作用于磁性体管P的方式构成检查探头100来测定磁性体管P的壁厚减薄率时，在磁性体管P的壁厚减薄率与霍尔元件3的输出电压之间成立直线关系。因此，检查探头100所使用的磁铁2优选为产生强的磁场的高性能磁铁，例如可以使用钕磁铁等稀土类磁铁。

在此，检查探头100向磁性体管P的内部插入，因此磁性体管P的内径小而能够配设于检查探头100的磁铁2的大小存在制约，仅凭借单一的磁铁2有时无法达到图4的(b)所示的区域γ的磁通密度。在这样的情况下，也可以使用以海尔贝克阵列对多个磁铁2进行配置等方法来实现所期望的磁通密度B。

图5是表示具有多个壁厚减薄部的试验片的一例的说明图，(a)示出整面壁厚减薄的试验片，(b)示出局部壁厚减薄的试验片。

制作具有图5的(a)及(b)所示那样的12种类的壁厚减薄部的试验片，测定了各个壁厚减薄部处的霍尔元件3的输出电压。即，制作了具有〔壁厚减薄范围，壁厚减薄率〕分别为〔45°，25％〕、〔45°，50％〕、〔45°，75％〕、〔90°，25％〕、〔90°，50％〕、〔90°，75％〕、〔135°，25％〕、〔135°，50％〕、〔135°，75％〕、〔360°，25％〕、〔360°，50％〕、〔360°，75％〕的壁厚减薄部的试验片。在此，壁厚减薄范围利用角度来表示在与磁性体管P的轴向垂直的截面中周向上产生壁厚减薄的范围。即，若壁厚减薄范围为360度，则表示在磁性体管P的整周产生了壁厚减薄。

图6是表示对于图5的(a)及(b)所示的试验片而言的霍尔元件3的输出电压与磁性体管P的壁厚减薄率及壁厚减薄范围的关系的图。

如图6所示，在壁厚减薄范围为45°、90°、135°及360°中的任一情况下霍尔元件3的输出电压与壁厚减薄率之间均是直线关系，但该直线的斜率根据壁厚减薄范围而变化，随着壁厚减薄范围变宽，斜率变小。这是因为，壁厚减薄范围越窄，则磁通越容易绕过壁厚减薄部而向健全部流通。即，在壁厚减薄范围窄的情况下，即便壁厚减薄率变大，磁阻也不变大，因此即便壁厚减薄率发生变化，通过霍尔元件3的磁通密度也几乎不发生变化。因此，在壁厚减薄范围窄的情况下，相对于壁厚减薄率的变化而言霍尔元件3的输出电压的变化小，表示霍尔元件3的输出电压与壁厚减薄率的关系的直线的斜率显示大的值。

图7是表示对于上述的试验片以及实际机器所使用的磁性体管而言的霍尔元件3的输出电压与壁厚减薄深度的实测值的关系的图。需要说明的是，壁厚减薄深度的实测值使用超声波厚度计或水浸旋转式超声波厚度测定法来进行测定。

在此，在实际机器所使用的磁性体管中，与试验片不同，以平缓的壁厚减薄、点腐蚀状的壁厚减薄这样的各种形态产生壁厚减薄。然而，即便在实际机器所使用的磁性体管中，如图7所示那样，在霍尔元件3的输出电压与壁厚减薄深度的实测值之间也存在相关系数R的平方值即决定系数R²≈0.72程度的相关性。

因此，将实际机器所使用的磁性体管用作校正用的磁性体管而算出了霍尔元件3的输出电压与磁性体管的壁厚减薄深度的实测值之间的关系式。具体而言，使用最小二乘法算出了近似直线L(Y＝aX)。然后，根据这样算出的近似直线L和由检查探头100测定出的磁性体管中的磁传感器的输出值来算出磁性体管的壁厚减薄深度，求出健全状态下的磁性体管的壁厚与该壁厚减薄深度之差，由此算出了壁厚评价值。

图8是表示壁厚评价值与壁厚实测值的关系的图。在图中，以实线表示壁厚评价值＝壁厚实测值的线，以虚线表示壁厚评价值+0.2mm＝壁厚实测值的线，以单点划线表示壁厚评价值-0.2mm＝壁厚实测值的线。如图8所示，在壁厚评价值与壁厚实测值之间存在良好的相关性，壁厚评价值与壁厚实测值之差换算为壁厚则是大致±0.2mm左右。需要说明的是，壁厚实测值使用超声波厚度计或水浸旋转式超声波厚度测定法来进行测定。

这样，采用实际机器所使用的磁性体管来算出检查探头100的霍尔元件3的输出电压与壁厚减薄深度的实测值之间的关系式，通过使用该关系式，能够根据由检查探头100测定出的霍尔元件3的输出电压来求出磁性体管的壁厚减薄深度及壁厚。

(3.处理部20的结构)

图9是表示本实施方式的壁厚减薄测定装置200所具备的处理部20的结构的框图。需要说明的是，由检查探头100和处理部20构成本实施方式的壁厚减薄测定装置200。

本实施方式的壁厚减薄测定装置200基于检查探头100所具备的霍尔元件3的输出电压，使用磁通阻力法而由处理部20定量地评价磁性体管的壁厚减薄。

如图9所示，处理部20具备检测部21、存储部22及运算部23。另外，运算部23具备检测位置确定部24及壁厚减薄深度算出部25。

检测部21取得霍尔元件3的输出电压值，将取得的电压值与该各电压值的检测时刻(检测时机)建立对应关系而存储于存储部22。

存储部22的结构没有特别限定，例如可以使用磁带、盒式磁带等带系、包括FLOPPY(注册商标)盘/硬盘等磁盘、CD-ROM/MO/MD/DVD/CD-R等光盘在内的盘系、IC卡(包括存储卡)/光卡等卡系、或者光罩式ROM/EPROM/EEPROM(注册商标)/闪存式ROM等半导体存储器系等的记录介质。另外，存储部22中预先存储有使用校正用的磁性体管而算出的表示霍尔元件3的输出电压与磁性体管的壁厚减薄深度的关系的关系式。

检测位置确定部24基于存储于存储部22的霍尔元件3的输出电压值及其检测时刻，来确定磁性体管中的与霍尔元件3的输出电压对应的检测位置。

壁厚减薄深度算出部25基于保存于存储部22的霍尔元件3的输出电压、以及表示霍尔元件3的输出电压与磁性体管的壁厚减薄深度的关系的关系式，来判定有无壁厚减薄，并算出磁性体管的壁厚减薄深度。

需要说明的是，运算部23可以是ASIC(Application specific integratedcircuit)等集成电路(硬件逻辑)，也可以通过搭载有CPU等处理器的计算机执行软件来实现，还可以将它们组合来实现。

另外，运算部23可以设置于与检测部21、存储部22共用的壳体，也可以分体设置。在后者的情况下，运算部23经由有线通信、无线通信或者能够装卸的存储介质等来取得存储于存储部22的信息，并进行运算处理。

(4.壁厚减薄测定处理)

图10是表示本实施方式中的壁厚减薄测定处理的流程的流程图。

首先，将检查探头100向作为检查对象的磁性体管插入，一边使检查探头100在磁性体管内沿着轴向移动一边通过霍尔元件3进行测定处理(S1)。

接着，检测位置确定部24基于存储于存储部22的信息来确定与霍尔元件3的输出电压值对应的检测位置(磁性体管的轴向上的位置)(S2)。

接着，壁厚减薄深度算出部25基于保存于存储部22的霍尔元件3的输出电压、以及表示霍尔元件3的输出电压与磁性体管的壁厚减薄深度的关系的关系式，来判定有无壁厚减薄，并算出磁性体管的壁厚减薄深度(S3)。然后，壁厚减薄深度算出部25将算出的壁厚减薄深度与检测位置确定部24所确定的检测位置建立对应关系，并结束处理。

(5.变形例)

需要说明的是，在本实施方式中，作为对在磁回路流通的磁通进行检测的磁传感器而使用了霍尔元件3，但可以使用能够对在磁回路流通的磁通密度的变化进行检测的各种磁传感器。

另外，在本实施方式中，霍尔元件3设置于磁铁2中的位于磁性体管的长度方向上的端部，但设置霍尔元件3的位置并不限定于此。霍尔元件3能够检测在由磁铁2、磁性体管、以及根据需要设置的磁轭1构成的磁回路中流通的磁通密度即可，即只要是位于该磁回路上，则可以设置在任意的位置。

另外，在本实施方式中，检查探头100具备一个霍尔元件3，但霍尔元件3的数量并不限定于此，检查探头100也可以具备多个霍尔元件3。在检查探头100具备多个霍尔元件3的情况下，磁轭1具有圆筒或者圆柱形状，沿着磁轭1的外周以等间隔配置有多个磁铁2。并且，多个霍尔元件3在由多个磁铁2中的各个磁铁2和磁轭1形成的磁回路上以在该磁回路流通的磁通密度变小则输出大的电压的方式分别配置。通过使检查探头100为这样的结构，能够从多个霍尔元件3分别得到输出电压。因此，即便是壁厚减薄范围窄而磁通绕过该壁厚减薄部并在健全部流通这样的局部的壁厚减薄，也能够进行壁厚减薄的检测及壁厚减薄率的评价。这样，在检查探头100具备多个霍尔元件3的情况下，使用多个霍尔元件3的输出电压中的显示最大值的输出电压来进行壁厚减薄部的深度及壁厚的评价，由此能够更准确地进行壁厚减薄部的深度及壁厚的评价。

另外，在本实施方式中，示出了以检查探头100中的磁铁2的极化方向为与磁性体管对置的方向的方式配置磁铁2的结构，但如上所述，只要能够达到图4的(b)所示的区域γ的磁通密度即可，配置于检查探头100的磁铁2的极化方向不限定于此。例如，磁铁2也可以以磁性体管的轴向与极化方向平行的方式配置。在这样的情况下，也只要霍尔元件3及磁轭1设置于由磁铁2和磁性体管构成的磁回路上即可。

另外，在本实施方式中，示出了检查探头100具备磁轭1的结构，但不一定需要具备磁轭1。即，检查探头100只要使图4的(b)所示的区域γ的磁通密度作用于磁性体管即可。

另外，在本实施方式中，将检查探头100向作为检查对象的磁性体管插入，一边使检查探头100在磁性体管内沿着轴向移动一边通过霍尔元件3进行测定处理，从而判定有无壁厚减薄并算出壁厚减薄深度，但在判定作为检查对象的磁性体管的某一点处有无壁厚减薄以及算出壁厚减薄深度的情况下，无需使检查探头100移动。即，也可以将检查探头100向作为检查对象的磁性体管插入，在任意部位测定霍尔元件3的输出，来判定磁性体管的任意部位处有无壁厚减薄及测定壁厚减薄深度。

(总结)

本发明的一方案的缺陷测定方法用于检查磁性体构件的缺陷，所述缺陷测定方法的特征在于，包括：测定工序，在该测定工序中，使用具备磁铁和磁传感器的检查探头，并测定所述磁传感器的输出，所述磁传感器配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测；以及算出工序，在该算出工序中，基于所述磁传感器的输出来判定所述磁性体构件有无缺陷，并算出所述磁性体构件与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体构件的缺陷的深度。

根据上述的方法，使用具备磁铁、以及配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上且对在该磁回路中流通的磁通进行检测的磁传感器的检查探头，并测定所述磁传感器的输出，并基于所述磁传感器的输出来判定有无缺陷，并算出缺陷的深度，由此能够定量地测定磁性体构件中的缺陷。

另外，也可以是，所述缺陷测定方法在所述测定工序之前包括关系式算出工序，在所述关系式算出工序中，使用校正用的磁性体构件并将所述校正用的磁性体构件的缺陷的深度的实测值与所述磁传感器的输出建立对应关系，由此算出所述磁传感器的输出与作为检查对象的磁性体构件的缺陷的深度之间的关系式，在所述算出工序中，基于所述关系式而从所述磁传感器的输出算出所述磁性体构件的缺陷的深度。

根据上述的结构，采用使用校正用的磁性体构件算出的、磁传感器的输出与作为检查对象的磁性体构件的缺陷的深度之间的关系式，来算出所述磁性体构件的缺陷的深度，由此能够精度良好地测定缺陷的深度。

本发明的一方案的缺陷测定装置的特征在于，具备：检查探头，其具备磁铁和磁传感器，所述磁传感器配置于由所述磁铁及磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测；以及缺陷深度算出部，其基于所述磁传感器的输出来判定所述磁性体构件有无缺陷，并算出所述磁性体构件与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体构件的缺陷的深度。

根据上述的结构，使用具备磁铁、以及配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测的磁传感器的检查探头，并测定所述磁传感器的输出，并基于所述磁传感器的输出来判定有无缺陷，且算出缺陷的深度，由此能够定量地测定磁性体构件中的缺陷。

另外，也可以是，所述缺陷测定装置具备存储有所述磁传感器的输出与作为检查对象的磁性体构件的缺陷的深度之间的关系式的存储部，所述关系式通过使用校正用的磁性体构件并将所述校正用的磁性体构件的缺陷的深度的实测值与所述磁传感器的输出建立对应关系来算出，所述缺陷深度算出部基于所述关系式而从所述磁传感器的输出算出所述磁性体构件的缺陷的深度。

根据上述的结构，采用使用校正用的磁性体构件算出的、磁传感器的输出与作为检查对象的磁性体构件的缺陷的深度之间的关系式，来算出所述磁性体构件的缺陷的深度，由此能够精度良好地测定缺陷的深度。

本发明的一方案的检查探头用于检查磁性体构件的缺陷，所述检查探头的特征在于，具备：磁铁；以及磁传感器，其配置于由所述磁铁及所述磁性体构件形成的磁回路上，且对在该磁回路中流通的磁通密度进行检测。

根据上述的结构，磁传感器检测在由磁铁及磁性体构件形成的磁回路中流通的磁通密度，由此能够基于磁传感器的输出值而定量地测定磁性体构件中的缺陷。

另外，也可以是，所述磁铁在与所述磁性体构件对置的方向上极化，所述检查探头具备磁轭，所述磁轭在所述磁铁中的与所述磁性体构件对置的对置面的相反侧的面以与所述磁铁对置的方式配设，所述磁轭与所述磁铁及所述磁性体构件一起形成所述磁回路。

根据上述的结构，能够定量地测定磁性体构件中的缺陷。

(附记事项)

本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在技术方案所示的范围内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围内。

产业上的可利用性

本发明能够适用于对由磁性体构成的构件的缺陷进行测定的缺陷测定方法及缺陷测定装置、以及上述缺陷的测定所使用的检查探头。

附图标记说明：

1 磁轭

2 磁铁

3 霍尔元件(磁传感器)

20 处理部

25 壁厚减薄深度算出部(缺陷深度算出部)

100 检查探头

200 壁厚减薄测定装置(缺陷测定装置)

P 磁性体管(磁性体构件)。

Claims (6)

1.一种缺陷测定方法，其用于检查磁性体管的缺陷，

所述缺陷测定方法的特征在于，包括：

测定工序，在该测定工序中，将具备磁轭、多个磁铁以及多个霍尔元件的检查探头插入所述磁性体管的内部，并测定所述多个霍尔元件的输出，所述磁轭为中空圆筒状，所述多个磁铁沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周，并在与所述磁性体管对置的方向上极化，所述多个霍尔元件配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达所述磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上，且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测；以及

算出工序，在该算出工序中，基于所述多个霍尔元件的输出来判定所述磁性体管有无缺陷，并算出所述磁性体管与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体管的缺陷的深度。

2.根据权利要求1所述的缺陷测定方法，其特征在于，

所述缺陷测定方法在所述测定工序之前包括关系式算出工序，在所述关系式算出工序中，使用校正用的磁性体管并将所述校正用的磁性体管的缺陷的深度的实测值与所述多个霍尔元件的输出建立对应关系，由此算出所述多个霍尔元件的输出与作为检查对象的磁性体管的缺陷的深度之间的关系式，

在所述算出工序中，基于所述关系式而由所述多个霍尔元件的输出算出所述磁性体管的缺陷的深度。

3.一种缺陷测定装置，其特征在于，具备：

检查探头，其具备磁轭、多个磁铁以及多个霍尔元件，所述磁轭为中空圆筒状，所述多个磁铁沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周，并在与磁性体管对置的方向上极化，所述多个霍尔元件配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上，且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测；以及

缺陷深度算出部，其基于所述多个霍尔元件的输出来判定所述磁性体管有无缺陷，并算出所述磁性体管与所述磁铁对置的方向上的所述磁性体管的缺陷的深度。

4.根据权利要求3所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述缺陷测定装置具备存储有所述多个霍尔元件的输出与作为检查对象的磁性体管的缺陷的深度之间的关系式的存储部，所述关系式通过使用校正用的磁性体管并将所述校正用的磁性体管的缺陷的深度的实测值与所述多个霍尔元件的输出建立对应关系来算出，

所述缺陷深度算出部基于所述关系式而由所述多个霍尔元件的输出算出所述磁性体管的缺陷的深度。

5.一种检查探头，其用于检查磁性体管的缺陷，

所述检查探头的特征在于，具备：

磁轭，其为中空圆筒状；

多个磁铁，其沿着周向而以等间隔配置在所述磁轭的外周，并在与所述磁性体管对置的方向上极化；以及

多个霍尔元件，其配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁轭后从所述磁轭通过所述磁铁的外部而到达所述磁性体管再从所述磁性体管返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上、或者配置在从所述多个磁铁中的各磁铁到达所述磁性体管后从所述磁性体管通过所述磁铁的外部而到达所述磁轭再从所述磁轭返回所述多个磁铁中的各磁铁的多个磁回路上，且对在该多个磁回路中从所述磁轭朝向所述磁性体管或者从所述磁性体管朝向所述磁轭而沿着所述磁性体管的半径方向在所述磁铁的外部流通的磁通密度进行检测。

6.根据权利要求5所述的检查探头，其特征在于，

所述磁轭在所述磁铁中的与所述磁性体管对置的对置面的相反侧的面以与所述磁铁对置的方式配设，

所述磁轭与所述磁铁及所述磁性体管一起形成所述磁回路。

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