CN107845656A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置。该显示装置包括：基板、像素区域以及多条数据线。基板包括显示区域和非显示区域。像素区域在显示区域中并且包括第一像素列和第二像素列。第一像素列中的像素和第二像素列中的像素发射不同颜色的光。数据线分别耦接至第一像素列和第二像素列。在非显示区域中，数据线耦接至第一像素列或第二像素列中与受电阻影响大于另一颜色的颜色对应的一个像素列。数据线具有电阻小于耦接至其余像素列的其余数据线的线结构或接触结构的电阻的线结构或接触结构。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
2016年9月19日递交的并且标题为“显示装置”的韩国专利申请第10-2016-0119503号通过引用整体合并于此。
技术领域
本文描述的一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光显示装置基于从包括有机发光二极管的像素发射的光而生成图像。像素可包括以各种形式设置的红色像素、绿色像素和蓝色像素。当像素以条带形式设置时，各像素之间的黑矩阵可能会降低开口率和高分辨率图像的品质。被称为五片瓦阵列(PenTilematrix)结构的另一种像素结构可能更适于产生更高分辨率的图像。
发明内容
根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板、在显示区域中的像素区域以及多条数据线，基板包括显示区域和非显示区域；像素区域包括：包括多个像素的第一像素列和包括多个像素的第二像素列，第一像素列中的多个像素和第二像素列中的多个像素发射不同颜色的光；多条数据线分别耦接至第一像素列和第二像素列，其中，在非显示区域中，多条数据线中的一数据线耦接至第一像素列和第二像素列中的与受电阻影响大于另一颜色的颜色对应的一个像素列，并且具有电阻小于耦接至其余像素列的其余数据线的线结构或接触结构的电阻的线结构或接触结构。
在显示区域中，第一像素列对电阻的影响可以大于第二像素列对电阻的影响；并且在非显示区域中，耦接至第一像素列的数据线的电阻可以小于耦接至第二像素列的数据线的电阻。在非显示区域中，耦接至第一像素列的数据线的宽度可以大于耦接至第二像素列的数据线的宽度。在非显示区域中，耦接至第一像素列的数据线的长度可以小于耦接至第二像素列的数据线的长度。
在非显示区域中，多条数据线中的每一条数据线的各部分通过至少一个接触孔彼此耦接，并且耦接至第一像素列的数据线的各部分彼此耦接的接触孔的数量少于耦接至第二像素列的数据线的各部分彼此耦接的接触孔的数量。第一像素列可以包括第一像素和第二像素，第一像素在像素区域中并且在列方向上设置，第一像素发射第一颜色的光；第二像素发射第二颜色的光并且与第一像素交替设置，并且第二像素列可以包括第三像素，第三像素发射第三颜色的光。
显示装置可以包括：连续堆叠在基板上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中多条数据线包括耦接至第一像素列的第一数据线和耦接至第二像素列的第二数据线；并且其中第一数据线在显示区域中位于第三绝缘层上，并且在非显示区域中至少部分地位于第二绝缘层上；并且第二数据线在显示区域中位于第三绝缘层上，并且在非显示区域中至少部分地位于第一绝缘层上。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是蓝色，并且第三颜色可以是绿色。
非显示区域可以包括邻近于显示区域的扇出区域。第一数据线可以在扇出区域中位于第二绝缘层上，并且第二数据线可以在扇出区域中位于第一绝缘层上。非显示区域可以包括邻近于扇出区域的弯曲区域。第一数据线可以包括显示区域中的第一像素单元数据线、扇出区域中的第一扇出线以及弯曲区域中的第一链接线。第一像素单元数据线和第一链接线可以在第三绝缘层上，并且第一扇出线可以在第二绝缘层上。
第三绝缘层可以包括暴露第一扇出线的部分的第一接触孔和第二接触孔，第一像素单元数据线通过第一接触孔耦接至第一扇出线，并且第一扇出线通过第二接触孔耦接至第一链接线。第二数据线可以包括显示区域中的第二像素单元数据线、扇出区域中的第二扇出线以及弯曲区域中的第二链接线。
第二绝缘层和第三绝缘层可以包括暴露第二扇出线的部分的第三接触孔和第四接触孔，第二像素单元数据线通过第三接触孔可以耦接至第二扇出线，并且第二扇出线通过第四接触孔可以耦接至第二链接线。显示装置可以包括基板的弯曲区域中的弯曲部分绝缘层。第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层可以具有暴露基板的一部分的开口，并且弯曲部分绝缘层可以在开口中。
第一数据线的至少一部分可以在弯曲区域中位于弯曲部分绝缘层上，并且第二数据线的至少一部分可以在弯曲区域中位于弯曲部分绝缘层上。第一像素单元数据线可以在第三绝缘层上，第一扇出线可以在第二绝缘层上，并且第一链接线可以在弯曲部分绝缘层上。第二像素单元数据线可以在第三绝缘层上，第二扇出线可以在第一绝缘层上，并且第二链接线可以在弯曲部分绝缘层上。
显示装置可以包括：在第三绝缘层上的第四绝缘层，其中第二数据线包括第三绝缘层上的桥接图案。第二像素单元数据线可以在第三绝缘层上，第二扇出线可以在第一绝缘层上，并且第二链接线可以在第四绝缘层上。
第二绝缘层和第三绝缘层可以具有暴露第二扇出线的部分的第三接触孔和第四接触孔，并且第四绝缘层具有暴露桥接图案的一部分的第五接触孔，并且第二像素单元数据线通过第三接触孔可以耦接至第二扇出线，第二扇出线通过第四接触孔耦接至桥接图案，并且桥接图案通过第五接触孔耦接至第二链接线。
第一像素列和第二像素列可以分别包括多个第一像素列和多个第二像素列，并且多个第一像素列和多个第二像素列可以在行方向上交替设置。第一数据线和第二数据线可以分别包括多条第一数据线和多条第二数据线，并且多条第一数据线和多条第二数据线可以在行方向上交替设置。
第一像素、第二像素和第三像素中的每一个可以包括晶体管，晶体管包括：基板上的有源层；第一绝缘层上的栅电极；第二绝缘层上的上电容器电极；以及第三绝缘层上的源电极和漏电极。第一数据线或第二数据线在非显示区域中的一部分与提供的源电极和漏电极可以在同一层上，并且包括与源电极和漏电极相同的材料。
第二数据线在非显示区域中的一部分可以与栅电极位于同一层，并且包括与栅电极相同的材料。第一数据线在非显示区域中的一部分可以与上电容器电极位于同一层，并且包括与上电容器电极相同的材料。显示装置可以包括：第三绝缘层上的第四绝缘层；以及在第四绝缘层上并且耦接至漏电极的连接图案，其中第二数据线在非显示区域中的一部分与连接图案所处的层位于同一层，并且包括与连接图案相同的材料。第一像素、第二像素和第三像素中的至少两个像素的面积可以彼此不同。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，各特征将对本领域技术人员变得显而易见，附图中：
图1图示显示装置的实施例；
图2图示图1中的显示装置的另一视图；
图3A和图3B图示像素单元的实施例；
图4图示像素的电路实施例；
图5图示沿图2中的剖面线I-I’截取的包括显示区域的像素的一部分和非显示区域的视图；
图6图示包括显示装置中的数据线以及与图2中的部分A1对应的部分的实施例；
图7A图示沿图6中的剖面线II-II’截取的视图，图7B图示沿图6中的剖面线III-III’截取的视图，并且图7C图示沿图6中的剖面线IV-IV’截取的视图；
图8图示一个或多个像素的数据电压的实施例；
图9图示显示装置中的数据线以及与图2中的部分A1对应的部分的实施例；
图10A图示沿图8中的剖面线V-V’截取的视图，图10B图示沿图8中的剖面线VI-VI’截取的视图，图10C图示沿图8中的剖面线VII-VII’截取的视图，并且图10D图示沿图8中的剖面线VIII-VIII’截取的视图；
图11图示显示装置中的数据线以及与图2中的部分A1对应的部分的另一实施例；
图12A图示沿图11的剖面线IX-IX’截取的视图，图12B图示沿图11的剖面线X-X’截取的视图，图12C图示沿图11的剖面线XI-XI’截取的视图，并且图12D图示沿图11中的剖面线XII-XII’截取的视图；以及
图13图示显示装置中的数据线以及与图2中的部分A1对应的部分的另一实施例。
具体实施方式
将参照附图描述各示例实施例；然而，各示例实施例可以以不同形式实现并且不应被理解为限于本文提出的实施例。相反，提供这些实施例将使得本公开透彻和完整，并且将向本领域技术人员全面传达示例性实施方式。各实施例或其特定特征可进行组合以构成另外的实施例。
在附图中，为了清楚阐述的目的，层和区域的尺寸可能会被夸大。还将理解的是，当层或元件被称为位于另一层或基板“上”时，其可直接位于另一层或基板上，或者也可存在中间层。进一步，将理解的是，当层被称为位于另一层“下”时，其可直接位于另一层下，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为位于两层“之间”时，其可以是位于这两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
当元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可直接连接或耦接至另一元件，或者可在一个或多个中间元件插入其间的情况下间接连接或间接耦接至另一元件。此外，当元件被称为“包括”部件时，这表示该元件可进一步包括其他部件而不是排除其他部件，除非存在不同的公开。
图1图示显示装置的实施例，并且图2图示图1中的显示装置的另一视图的实施例。参见图1和图2，显示装置包括基板SUB、提供在基板SUB上的像素PXL以及线部分LP。基板SUB包括显示区域DA以及在显示区域DA的至少一侧的非显示区域NDA。
在实施例中，基板SUB可包括在第一方向DR1上彼此平行的一对短边以及在第二方向DR2上彼此平行的一对长边。基板SUB具有预定形状。示例包括近似四边形(例如，矩形)、包括直线边的闭合多边形、圆形、椭圆形等；或者包括由曲线构成的边的形状；以及半圆形、半椭圆形等等；或者包括由直线和曲线构成的边的形状。
在实施例中，当基板SUB具有由直线构成的边的情况下，每种形状的角中的至少一些角可由曲线构成。例如，当基板SUB具有矩形形状时，相邻直线边之间的结合点中的每一个由具有预定曲率的曲线替代。例如，顶点中的每一个可由具有预定曲率的曲形边构成，并且曲形边的相对端分别耦接至两个相邻的直线。该曲率可根据位置而不同。例如，曲率可根据曲线的起始点、曲线的长度等而不同。
显示区域DA包括用于显示图像的多个像素PXL。显示区域DA可具有与基板SUB的形状对应的形状。例如，显示区域DA可以以与基板SUB的形状相同的方式具有各种形状，例如，包括直线边的闭合多边形、圆形、椭圆形等；包括由曲线构成的边的形状；半圆形、半椭圆形等等；或者包括由直线和曲线构成的边的形状。在实施例中，当显示区域DA具有由直线构成的边时，每种形状的角中的至少一些角可由曲线构成。
像素PXL在基板SUB的显示区域DA中。每个像素PXL可以与用于显示图像的光的最小单元对应。像素PXL可发射白光和/或彩色光。例如，每个像素PXL可发射红光、绿光或蓝光。像素PXL可发射青光、品红光或黄光。
像素PXL中的每一个可以是包括有机发光层的发光元件。在一实施例中，像素PXL可以是液晶元件、电泳元件、电润湿元件或者其他类型的显示元件。
在实施例中，非显示区域NDA可进一步包括从非显示区域NDA的一部分突出的额外区域ADA。额外区域ADA可从限定非显示区域NDA的边突出。在一实施例中，额外区域ADA可从基板SUB的短边中的一条边突出。在一实施例中，额外区域ADA可从长边中的一条边突出，或者可从四条边中两条边或多条边中的每一条边突出。在实施例中，数据驱动单元可被提供在额外区域ADA上或可被耦接至额外区域ADA。
在实施例中，显示装置的至少一部分可具有柔性，并且显示装置可在具有柔性的部分处折叠。例如，显示装置可包括弯曲区域BA和平坦区域FA，弯曲区域BA具有柔性并且在一个方向上折叠；平坦区域FA被提供在弯曲区域BA的至少一侧处并且平坦无折叠。平坦区域FA可具有柔性或可不具有柔性。
在实施例中，弯曲区域BA可在额外区域ADA中。根据实施例，第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2可彼此间隔开，其间具有弯曲区域BA。第一平坦区域FA1可包括显示区域DA。在实施例中，弯曲区域BA可与显示区域DA间隔开。
关于弯曲区域BA，当折叠显示装置的线被称为折叠线时，该折叠线在弯曲区域BA中。术语“折叠”可与显示装置从原始形状变为另一形状的情况对应，例如，不具有固定形状的显示装置。此术语可包括但不限于以下情况：显示装置可沿着折叠线折叠或弯曲，或者可以通过例如卷动方式卷起。
在实施例中，存在两个平坦区域FA1和FA2，使得一个平坦区域的一边与另一平坦区域的一边平行，并且显示装置被折叠使得平坦区域FA1和FA2彼此面对。在一实施例中，具有插入的弯曲区域BA的两个平坦区域FA1和FA2可以以它们之间的预定角度(例如，锐角、直角或钝角)彼此折叠。在实施例中，额外区域ADA可沿着折叠线弯曲。在此情况下，由于额外区域ADA是弯曲的，因此可减小边框的宽度。
图3A和图3B图示显示装置的显示区域中的像素单元的实施例。参见图2、图3A和图3B，显示装置包括像素(PXL)单元，像素单元包括多个像素PXL以显示图像。
在实施例中，像素PXL可被设置在包括在第一方向DR1上延伸的行以及在第二方向DR2上延伸的列的矩阵中。像素PXL可以以多种形式设置。例如，像素PXL可被设置使得排列的一个方向与行方向对应，或者与一个方向倾斜的方向与行方向对应。
像素PXL可包括用于显示第一颜色的光的第一像素PX1、用于显示第二颜色的光的第二像素PX2以及用于显示第三颜色的光的第三像素PX3。在实施例中，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是蓝色，并且第三颜色可以是绿色。在一实施例中，第一颜色至第三颜色可以是颜色的不同组合，和/或可包括白色像素。
第一像素PX1和第二像素PX2在列方向上交替设置，因此构成第一像素列C1。第一像素列C1可具有按照第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1、第二像素PX2…的顺序设置的像素。第三像素PX3被设置在列方向上，因此构成第二像素列C2。第二像素列C2可具有按照第三像素PX3、第三像素PX3…的顺序设置的像素。
在实施例中，相邻的第一像素列C1的像素设置顺序可彼此不同。例如，在相邻的第一像素列C1中的一列中，像素可按照第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1、第二像素PX2…等的顺序设置。在另一第一像素列C1中，像素可按照第二像素PX2、第一像素PX1、第二像素PX2、第一像素PX1…等的顺序设置。
因此，在图3A的实施例中，像素可按照第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1、第三像素PX3…的顺序沿着行方向设置；或者按照第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3…等的顺序沿着行方向设置。在一实施例中，像素可按照第一像素PX1、第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3…等的顺序沿着行方向设置。
多个第一像素列C1和多个第二像素列C2被提供并且在行方向上交替设置。因此，基于任一行，例如，随意行，第一像素PX1和第三像素PX3交替设置在第n行上。也就是说，在第n行上，像素按照第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1、第三像素PX3、第一像素PX1…等的顺序设置。在第n-1行或第n+1行上，第二像素PX2和第三像素PX3交替设置。也就是说，在第n-1行或第n+1行上，像素按照第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2、第三像素PX3、第二像素PX2…等的顺序设置。
每个像素列耦接至对应的数据线DL。第一像素列C1的像素PXL耦接至第一数据线DL1。例如，第一像素列C1的第一像素PX1和第二像素PX2耦接至第一数据线DL1。第二像素列C2的像素PXL耦接至第二数据线DL2。第二像素列C2的第三像素PX3耦接至第二数据线DL2。因此，第一数据线DL1和第二数据线DL2在行方向上以与第一像素列C1和第二像素列C2相同的方式交替设置。
第一像素PX1至第三像素PX3的上述设置结构与五片瓦阵列像素(PXL)结构对应。在实施例中，五片瓦阵列像素(PXL)结构采用共享相邻像素的渲染方法来呈现颜色。因此，相对少量的像素可实现高分辨率。
在一实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可具有相同面积。在另一实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和/或第三像素PX3可具有不同面积。所有第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可具有不同面积，例如，它们之中的两个可具有相同面积，而另一个可具有不同面积。例如，发射作为第二颜色的蓝光的每个第二像素PX2的面积可大于发射作为第一颜色的红光的每个第一像素PX1的面积，和/或大于发射作为第三颜色的绿光的每个第三像素PX3的面积。在一实施例中，第一像素PX1和第二像素PX2可具有相同面积，并且第三像素PX3的面积可小于第一像素PX1和/或第二像素PX2的面积。
图4图示充当发光元件并且表示第一像素、第二像素和第三像素的结构的像素PXL的电路实施例。
参见图4，每个像素PXL包括耦接至线部分的薄膜晶体管、耦接至薄膜晶体管的发光元件EL以及电容器Cst。薄膜晶体管可包括用于控制发光元件EL的驱动薄膜晶体管TR2，以及用于开关驱动薄膜晶体管TR2的开关薄膜晶体管TR1。如所图示，像素PXL包括两个薄膜晶体管TR1和TR2。在一实施例中，每个像素PXL可包括一个薄膜晶体管和一个电容器，或者三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。在一实施例中，像素PXL可包括七个薄膜晶体管、一个或多个发光元件以及一个或多个存储电容器。
开关薄膜晶体管TR1包括栅电极、源电极和漏电极。在开关薄膜晶体管TR1中，栅电极耦接至栅极线GL，并且源电极耦接至数据线DL。漏电极耦接至驱动薄膜晶体管TR2的栅电极。响应于施加至栅极线GL的扫描信号，开关薄膜晶体管TR1将施加至数据线DL的数据信号传输至驱动薄膜晶体管TR2。
驱动薄膜晶体管TR2包括栅电极、源电极和漏电极。在驱动薄膜晶体管TR2中，栅电极耦接至开关薄膜晶体管TR1，源电极耦接至第一电源线ELVDD，并且漏电极耦接至发光元件EL。
发光元件EL包括第一电极与第二电极之间的发光层。第一电极耦接至驱动薄膜晶体管TR2的漏电极。第二电极耦接至第二电源线ELVSS，以接收公共电压。发光层通过基于驱动薄膜晶体管TR2的输出信号发光而显示图像。就此而言，从发光层发射的光可根据发光层材料而变化，并且可以是彩色光或者白光。
电容器Cst耦接在驱动薄膜晶体管TR2的栅电极和源电极之间，并且充入和存储数据信号以控制驱动薄膜晶体管TR2的栅电极电压。
再次参见图1至图4，非显示区域NDA是不包括像素的区域，并且因此不显示图像。非显示区域NDA可包括显示区域DA与弯曲区域BA之间的扇出区域FTA。显示区域DA、扇出区域FTA以及弯曲区域BA可按顺序设置。
扇出区域FTA是显示区域DA的线部分LP在扇出区域FTA上延伸至弯曲区域BA的部分。在显示区域DA中，在第二方向DR2上延伸的线是扇形，在扇出区域FTA中，线之间的间隔逐渐减小。线部分LP可包括各种种类的线。例如，线部分LP可将信号提供至每个像素PXL，并且可包括栅极线、数据线、第一电源线、第二电源线等。线部分LP可选地可包括其他线。在实施例中，将描述线部分LP的线是数据线DL的示例。
在实施例中，数据线DL可通常在显示区域DA中在第二方向DR2上延伸，并且彼此间隔开。由于数据线DL在第二方向DR2上延伸，因此相邻数据线DL之间的距离可逐渐减小或增加。在实施例中，数据线DL可被配置为使得在扇出区域FTA中相邻数据线DL之间的距离在第二方向DR2上逐渐减小。
非显示区域NDA可包括耦接至像素PXL的数据线DL和耦接至数据线DL以驱动像素PXL的驱动单元。数据线DL可耦接至像素PXL。数据线DL可被提供在显示区域DA和非显示区域NDA上。在一实施例中，数据线DL可经由非显示区域NDA的扇出区域FTA延伸至第二平坦区域FA2。
数据线DL耦接至驱动单元，并且驱动单元可耦接至线部分LP的端部。驱动单元通过对应的数据线DL将信号提供至每个像素PXL，并且根据该信号控制每个像素PXL的驱动。
驱动单元可包括：沿着对应的栅极线GL将扫描信号提供至每个像素PXL的扫描驱动单元，沿着对应的数据线DL将数据信号提供至每个像素PXL的数据驱动单元，以及控制扫描驱动单元和数据驱动单元的时序控制单元。
在实施例中，扫描驱动单元可直接安装在基板SUB上。当扫描驱动单元直接安装在基板SUB上时，可在形成像素PXL的过程期间形成扫描驱动单元。在一实施例中，扫描驱动单元可以在其已经形成于分离芯片上之后以玻璃上芯片(chip-on-glass)的形式位于基板SUB上。在一实施例中，扫描驱动单元可安装在印刷电路板上，并且然后通过连接器耦接至基板SUB。
在实施例中，数据驱动单元可直接安装在基板SUB上，或者可形成在分离芯片上并且然后耦接至基板SUB。根据实施例，当数据驱动单元形成在分离芯片上并且耦接至基板SUB时，其可以以玻璃上芯片或塑料上芯片(chip-on-plastic)的形式提供。在一实施例中，数据驱动单元可安装在印刷电路板上并且然后通过连接件耦接至基板SUB。在实施例中，数据驱动单元可以以膜上芯片(COF)的形式制造并且然后耦接至基板SUB。
图5图示沿图2中的线I-I’截取的剖视图，并且图示显示区域DA中的像素的一部分和非显示区域NDA。在实施例中，如图1中所图示，显示装置具有其中一部分是弯曲的形状。在图5中，显示装置以不弯曲状态示出。将首先描述显示区域DA，并且然后将描述非显示区域NDA。
在实施例中，多个像素PXL在显示区域DA中。每个像素PXL包括耦接至线部分LP的对应线的晶体管、耦接至晶体管的发光元件、以及电容器Cst。晶体管可包括用于控制发光元件的驱动晶体管以及用于开关该驱动晶体管的开关晶体管。
在图4中，针对每个像素PXL图示了两个晶体管和一个电容器。在一实施例中，可为每个像素PXL提供两个或更多个晶体管以及至少一个电容器。在另一实施例中，可为每个像素PXL提供三个或更多个晶体管以及两个或更多个电容器。
根据实施例，在基板SUB上提供像素PXL。基板SUB可由例如绝缘材料制成，绝缘材料诸如树脂。而且，基板SUB可由具有柔性的材料制成从而可弯折或可折叠，并且可具有单层或多层结构。
基板SUB可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素和聚氨酯中的至少一种。在另一实施例中，构成基板SUB的材料可以是不同的，并且基板SUB还可由纤维增强塑料(FRP)等制成。
缓冲层BF在基板SUB上。缓冲层BF用于防止杂质扩散到开关晶体管中或者驱动晶体管中。缓冲层BF可以以单层结构或者具有至少两层或更多层的多层结构提供。缓冲层BF可以是由无机材料形成的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。在缓冲层BF具有多层结构的情况下，各个层可由相同材料或不同材料制成。可根据基板SUB的材料或工艺条件省略缓冲层BF。
有源图案ACT在缓冲层BF上。每个有源图案ACT包括半导体材料。每个有源图案ACT可包括源区与漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是半导体图案，包括例如多晶硅、非晶硅或者氧化物半导体。沟道区可以是未掺杂杂质的半导体图案和本征半导体。源区和漏区中的每一个可以是掺杂有杂质的半导体图案。诸如n-型杂质、p-型杂质、或者其他材料的杂质可用作杂质。
第一绝缘层INS1在有源图案ACT上。第一绝缘层INS1可以是由无机材料形成的无机绝缘层或者由有机材料形成的有机绝缘层。诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅等的无机绝缘材料可用作无机材料。有机材料可以是有机绝缘材料，诸如但不限于聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物。
栅电极GE和下电容器电极LE在第一绝缘层INS1上。栅电极GE覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。栅电极GE和下电容器电极LE可由金属制成。例如，栅电极GE可包括诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的至少一种金属或者这些金属的合金。栅电极GE可具有单层结构或者具有通过堆叠两种或更多种材料的金属及合金而制成的多层结构。
在实施例中，包括栅极线的其他线可与栅电极GE和下电容器电极LE位于同一层，并且可由与它们的材料相同的材料制成。诸如栅极线的其他线可直接或间接耦接至每个像素PXL中的晶体管的一部分，例如栅电极GE。
第二绝缘层INS2在栅电极GE和下电容器电极LE上。第二绝缘层INS2可以是由无机材料形成的无机绝缘层。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可以用作无机材料。
上电容器电极UE在第二绝缘层INS2上，并且可由金属制成。例如，上电容器电极UE可包括诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的至少一种金属或这些金属的合金。上电容器电极UE可具有单层结构或者具有通过堆叠两种或更多种材料的金属及合金而制成的多层结构。
第二绝缘层INS2在下电容器电极LE与上电容器电极UE之间，由此形成电容器Cst。在另一实施例中，电容器Cst可具有不同结构。
第三绝缘层INS3在上电容器电极UE上并且可以是由无机材料形成的无机绝缘层。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可以用作无机材料。
源电极SE和漏电极DE在第三绝缘层INS3上。源电极SE和漏电极DE分别通过形成在第三绝缘层INS3、第二绝缘层INS2和第一绝缘层INS1中的接触孔而与有源图案ACT的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE可由金属或金属的合金制成，例如，诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的至少一种金属。源电极SE和漏电极DE中的每一个可具有单层结构或者具有通过堆叠两种或更多种材料的金属及合金而形成的多层结构。
在实施例中，数据线DL或第一电源线可与源电极SE和漏电极DE位于同一层，并且由与它们的材料相同的材料制成。数据线DL或第一电源线可直接或间接耦接至每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如，源电极SE和/或漏电极DE)。
钝化层PSV可在源电极SE和漏电极DE上。钝化层PSV可以是由无机材料形成的无机绝缘层。例如，聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可用作无机材料。在一个或多个实施例中，钝化层PSV可省略。
第四绝缘层INS4可以在钝化层PSV上。在一实施例中，钝化层PSV可省略。在此情况下，第四绝缘层INS4可在第三绝缘层INS3上。
第四绝缘层INS4可以是由有机材料形成的有机绝缘层。例如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可用作有机材料。
连接图案CNP可以在第四绝缘层INS4上。连接图案CNP通过穿过第四绝缘层INS4和钝化层PSV的接触孔耦接至漏电极DE。连接图案CNP可包括诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的至少一种金属或这些金属的合金。连接图案CNP可具有单层结构或者具有通过堆叠两种或更多种材料的金属及合金而形成的多层结构。
在一实施例中，诸如虚设电源线的其他线可与连接图案CNP位于同一层中，并且可由与连接图案CNP的材料相同的材料制成。
第五绝缘层INS5可在连接图案CNP上，并且可包括由有机材料形成的有机绝缘层。例如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可以用作有机材料。
第一电极EL1可在第五绝缘层INS5上。第一电极EL1以第一电极EL1通过穿过第五绝缘层INS5的接触孔耦接至连接图案CNP并且通过穿过第四绝缘层INS4和钝化层PSV的接触孔耦接至漏电极DE的方式耦接至晶体管。第一电极EL1可用作阳极或阴极。
在实施例中，由第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5形成的有机绝缘层可以在钝化层PSV上。在一实施例中，仅一个有机绝缘层在钝化层PSV与第一电极EL1之间。在实施例中，仅一个有机绝缘层在钝化层PSV上，并且第一电极EL1可以在该有机绝缘层上。在此情况下，连接图案CNP可省略，并且第一电极EL1可通过有机绝缘层中的接触孔直接耦接至漏电极DE。当描述有机绝缘层由包括第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的两层形成的实施例时，这可包括有机绝缘层被划分为第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的情况，或者仅提供一个有机绝缘层的情况。
第一电极EL1可包括金属层，比如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的合金,和/或ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等。在实施例中，第一电极EL1可由一种类型的金属或者两种或更多种类型的金属制成，例如Ag和Mg的合金。第一电极EL1可包括透明导电层，从而在朝向基板SUB下部的方向上提供图像，或者可包括金属反射层和/或透明导电层，从而在朝向基板SUB上部的方向上提供图像。
用于限定与每个像素PXL对应的像素(PXL)区域的像素限定层PDL在例如形成有第一电极EL1等的基板SUB上。像素限定层PDL是有机绝缘层，包括例如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物可用作有机材料。
像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面并且沿着像素PXL的边缘从基板SUB突出。
有机发光层OL可提供在由像素限定层PDL包围的像素(PXL)区域上。有机发光层OL可包括低分子或高分子材料。低分子材料可包括例如铜酞菁(CuPc)、N,N'-2(1-萘基)-N、N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。这些材料可通过真空蒸镀法形成。高分子材料可包括例如PEDOT、PPV(聚对苯乙烯)材料、聚芴材料等。
有机发光层OL可具有单层结构或者具有包括各种功能层的多层结构。当有机发光层OL具有多层结构时，该结构可包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等的全部或部分，可堆叠为单材料或多材料结构。有机发光层OL可通过例如蒸镀法、丝网印刷法、喷墨打印法、激光诱导热成像法(LITI)等形成。
在一实施例中，有机发光层OL的至少一部分可整体形成在多个第一电极EL1上。在一实施例中，有机发光层OL可被单独地提供以与第一电极EL1中的每一个对应。
第二电极EL2在有机发光层OL上，并且例如可为每个像素PXL提供第二电极EL2。在一实施例中，第二电极EL2可覆盖大部分显示区域DA，并且可由多个像素PXL共享。
第二电极EL2可充当阳极或阴极。当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极。当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。
第二电极EL2可包括：金属层和/或透明导电层，金属层包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等；透明导电层包括例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等。在实施例中，第二电极EL2可具有带有包括薄膜金属层的两层或更多层的多层结构。在一实施例中，第二电极EL2可具有例如ITO/Ag/ITO的三层结构。
当在朝向基板SUB下部的方向上提供图像时，第二电极EL2可包括金属反射层和/或透明导电层；并且当在朝向基板SUB上部的方向上提供图像时，第二电极EL2可包括透明导电层。
封装层SL在第二电极EL2上，并且可由单层或多层形成。在实施例中，封装层SL可包括第一封装层SL1至第三封装层SL3。第一封装层SL1至第三封装层SL3可包括有机材料和/或无机材料。在一实施例中，在最外层位置处的第三封装层SL3可由无机材料制成。
在实施例中，第一封装层SL1可包括无机材料，第二封装层SL2可包括有机材料或无机材料，并且第三封装层SL3可包括无机材料。在无机材料的情况下，与有机材料的情况相比，抗水或氧气渗透性更佳，但因为无机材料具有较低的柔性，因此易于裂化。由于第一封装层SL1和第三封装层SL3由无机材料制成，而第二封装层SL2由有机材料制成，因此可防止裂化的扩散。当第二封装层SL2包括有机材料时，其可完全由第三封装层SL3覆盖，从而防止第二封装层SL2的边缘外露。
在实施例中，有机材料可包括有机绝缘材料，例如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等可用作无机材料。当第二封装层SL2包括无机材料以代替有机材料时，可使用各种硅绝缘材料，例如六甲基二硅醚(HMDSO)、八甲基环四硅氧烷(OMCTSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、正硅酸乙酯(TEOS)等。在实施例中，构成发光元件的有机发光层OL可能容易因来自外部的水、氧气等受损。鉴于此，封装层SL覆盖有机发光层OL，由此对其进行保护。封装层SL可覆盖显示区域DA并且可延伸至显示区域DA的外部。
当绝缘层包括有机材料时，在柔性、弹性等方面存在优势，但与绝缘层由无机材料制成时相比，水或氧气更可能渗入。在实施例中，为了防止水或氧气渗入由有机材料制成的绝缘层，包括有机材料的绝缘层可用包括无机材料的绝缘层覆盖，使得由有机材料制成的绝缘层的边缘不外露。
例如，第四绝缘层INS4、第五绝缘层INS5和/或像素限定层PDL可由有机材料制成，有机材料仅延伸至非显示区域NDA的一部分而不覆盖整个非显示区域NDA。包括有机材料的第四绝缘层INS4、第五绝缘层INS5和/或像素限定层PDL可具有例如通过沿着显示区域DA的外围移除其一部分而形成的第一开口OPN1。
在实施例中，像素限定层PDL的上表面以及第四绝缘层INS4、第五绝缘层INS5和/或像素限定层PDL的通过第一开口OPN1的形成而暴露的侧表面被包括有机材料的绝缘层(例如，被封装层SL)封装，并且因此防止暴露至外部。在一实施例中，封装层SL可包括交替堆叠的多个有机材料层以及多个无机材料层。
在实施例中，线部分LP在非显示区域NDA中。非显示区域NDA中具有弯曲区域BA，基板SUB在弯曲区域BA处弯曲。线部分LP包括数据线DL，并且耦接驱动单元和像素PXL。
根据实施例的数据线DL可耦接像素PXL和驱动单元。为此，数据线DL可从像素PXL大致在第二方向DR2上延伸。数据线DL可关于第二方向DR2延伸至额外区域ADA的端部。可在数据线DL的端部上提供接触电极CTE。像素PXL可通过耦接至数据线DL的接触电极CTE耦接至驱动单元，驱动单元以膜上芯片等形式实现。
数据线DL包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。第一数据线DL1可包括显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a、在扇出区域FTA中提供的第一扇出线以及在弯曲区域BA中提供的第一链接线。第二数据线DL2可包括显示区域DA中的第二像素单元数据线DL2a、扇出区域FTA中的第二扇出线DL2b以及弯曲区域BA中的第二链接线DL2c。在图5中图示数据线DL之中的第二像素单元数据线DL2a、第二扇出线DL2b以及第二链接线DL2c。
缓冲层BF在基板SUB的非显示区域NDA上。第一绝缘层INS1至第四绝缘层INS4按顺序被提供在缓冲层BF上。
第二开口OPN2在弯曲区域BA中的绝缘层中。弯曲区域BA在基板SUB弯曲的区域中。例如，第二开口OPN2可通过移除缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3的与弯曲区域BA对应的部分而位于缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3中。在缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3中的一些层中，缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3的与弯曲区域BA对应的部分可不移除。例如，在缓冲层BF中，缓冲层BF的与弯曲区域BA对应的部分可不移除，而其他绝缘层(例如，第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3)可形成为使得其他绝缘层的与弯曲区域BA部分的部分被移除从而形成第二开口OPN2。
短语“第二开口OPN2与弯曲区域BA对应”指的是第二开口OPN2与弯曲区域BA重叠。第二开口OPN2的面积可大于弯曲区域BA的面积。在实施例中，第二开口OPN2的宽度被图示为大于弯曲区域BA的宽度。在一实施例中，第二开口OPN2的宽度可与弯曲区域BA的宽度相同，或者可不同于所图示的宽度。
在图5中，缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3的内侧表面彼此对准并且在一条直线上。例如，第三绝缘层INS3的第二开口OPN2的面积可大于缓冲层BF的第二开口OPN2的面积。在实施例中，缓冲层BF的第二开口OPN2的面积可具有在第一绝缘层INS1的第二开口OPN2、第二绝缘层INS2的第二开口OPN2以及第三绝缘层INS3的第二开口OPN2之中的最小面积。
弯曲部分绝缘层INS_B在第二开口OPN2中。第二开口OPN2中的至少一部分被弯曲部分绝缘层INS_B填充。在图5中，是第二开口OPN2完全被弯曲部分绝缘层INS_B填充的示例。在实施例中，弯曲部分绝缘层INS_B可填充第二开口OPN2，并且同时覆盖第三绝缘层INS3上表面的与邻接第二开口OPN2的区域对应的部分，该区域例如第一平坦区域FA1和/或第二平坦区域FA2。
弯曲部分绝缘层INS_B可以是由有机材料制成的有机绝缘层。诸如聚丙烯化合物、聚酰亚胺化合物、诸如聚四氟乙烯的碳氟化合物或者苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料可用作有机材料。
在图5中，显示装置处于未弯曲状态。在一实施例中，显示装置可在弯曲区域BA上弯曲。例如，显示装置可制造为平坦形状并且随后可弯曲。
在实施例中，弯曲区域BA布置在已移除了无机绝缘层的部分内。在一实施例中，弯曲区域BA可与已移除了无机绝缘层的部分相匹配。例如，尽管弯曲区域BA通常与已移除了绝缘层的部分对应，但弯曲区域BA可等于或宽于或窄于已移除了绝缘层的部分。而且，在实施例中，弯曲区域BA仅在非显示区域NDA上。在一实施例中，弯曲区域BA可在非显示区域NDA和显示区域DA二者之上，或者在显示区域DA中。
钝化层PSV可以在基板SUB上。钝化层PSV可以是无机绝缘层。就此而言，与上面提到的绝缘层(缓冲层BF、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和/或第三绝缘层INS3)的方式不同，钝化层PSV不在与弯曲区域BA对应的区域中。此外，钝化层PSV暴露下接触电极CTEa的上表面的一部分。
第四绝缘层INS4可以在钝化层PSV上。第五绝缘层INS5可以在第四绝缘层INS4上。第一开口OPN1在通过沿着显示区域DA的周界移除第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的一部分的第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中。因此，第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5不连续地从显示区域DA延伸至非显示区域NDA。
如上所述，第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的在显示区域DA中的侧表面用封装层SL覆盖。然而，第五绝缘层INS5的在非显示区域NDA中的上表面以及第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5的在非显示区域NDA中的侧表面可至少部分地暴露于外部，而不是完全由封装层SL覆盖。
下接触电极CTEa可以在第三绝缘层INS3上。上接触电极CTEb可以在下接触电极CTEa上。上接触电极CTEb可使用与显示区域DA的连接图案CNP的材料相同的材料、通过相同的工艺制成。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb构成接触电极CTE，并且各线可以耦接至以膜上芯片或印刷电路板等形式实现的驱动单元。
图6图示与图2的部分A1对应的部分的实施例。图7图示沿图6中的线II-II’截取的剖视图。图7B图示沿图6中的线III-III’截取的剖视图。图7C图示沿图6中的线IV-IV’截取的剖视图。
参见图6以及图7A至图7C，数据线DL包括耦接至第一像素列的第一数据线DL1以及耦接至第二像素列的第二数据线DL2。第一像素列可包括第一颜色的第一像素以及第二颜色的第二像素。第二像素列可包括第三颜色的第三像素。在实施例中，第一颜色可以是红色，而第二颜色可以是蓝色。因此，第一数据线DL1可耦接至红色像素和蓝色像素。在实施例中，第三颜色可以是绿色。因此，第二数据线DL2可耦接至绿色像素。
将参照图6描述平面图上的第一数据线DL1和第二数据线DL2，并且然后参照图7A至图7C描述剖视图上的第一数据线DL1和第二数据线DL2。
参见图6，第一数据线DL1和第二数据线DL2分别包括多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。第一数据线DL1和第二数据线DL2在第一方向DR1上交替设置。
在显示区域DA中，第一数据线DL1和第二数据线DL2在第二方向D2上延伸。在扇出区域FTA中，第一数据线DL1和第二数据线DL2近似在第二方向D2上延伸。相邻数据线DL之间的距离在第二方向D2上逐渐减小。在弯曲区域BA中，第一数据线DL1和第二数据线DL2在第二方向D2上延伸。弯曲区域BA中相邻的第一数据线DL1和第二数据线DL2之间的距离小于显示区域DA中相邻的第一数据线DL1和第二数据线DL2之间的距离。
每条第一数据线DL1包括在显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a、在扇出区域FTA中的第一扇出线DL1b以及在弯曲区域BA中的第一链接线DL1c。第一像素单元数据线DL1a耦接至第一扇出线DL1b。第一扇出线DL1b耦接至第一链接线DL1c。第一链接线DL1c通过接触电极等耦接至驱动单元。
第一像素单元数据线DL1a的端部和第一扇出线DL1b的端部彼此重叠并且通过第一接触孔CH1a彼此耦接。第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在另一实施例中，第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可以在显示区域DA中。
第一扇出线DL1b的端部和第一链接线DL1c的端部通过第二接触孔CH1b彼此耦接。第一扇出线DL1b与第一链接线DL1c之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在另一实施例中，第一扇出线DL1b与第一链接线DL1c之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可以在弯曲区域BA中。
每条第二数据线DL2包括在显示区域DA中的第二像素单元数据线DL2a、在扇出区域FTA中的第二扇出线DL2b以及在弯曲区域BA中的第二链接线DL2c。第二像素单元数据线DL2a耦接至第二扇出线DL2b。第二扇出线DL2b耦接至第二链接线DL2c。第二链接线DL2c通过接触电极等耦接至驱动单元。
第二像素单元数据线DL2a的端部和第二扇出线DL2b的端部彼此重叠并且通过第三接触孔CH2a彼此耦接。第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在另一实施例中，第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可在显示区域DA中。
第二扇出线DL2b的端部和第二链接线DL2c的端部通过第四接触孔CH2b彼此耦接。第二扇出线DL2b与第二链接线DL2c之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在另一实施例中，第二扇出线DL2b与第二链接线DL2c之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可在弯曲区域BA中。
参见图7A，缓冲层BF、第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3、钝化层PSV、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在显示区域DA和非显示区域NDA的部分上。弯曲部分绝缘层INS_B、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在基板SUB上、非显示区域NDA的弯曲区域BA中。
第一数据线DL1在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上并且在扇出区域FTA中位于第二绝缘层INS2上，并且在弯曲区域BA中可位于弯曲部分绝缘层INS_B上。第一像素单元数据线DL1a在显示区域DA中被提供在第三绝缘层INS3上。第一扇出线DL1b在扇出区域FTA中位于第二绝缘层INS2上。第一链接线DL1c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第一扇出线DL1b的上表面、第一接触孔CH1a以及第二接触孔CH1b的暴露部分在第三绝缘层INS3中。第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b在形成第一接触孔CH1a的部分中彼此重叠，并且通过第一接触孔CH1a彼此耦接。第一扇出线DL1b与第一链接线DL1c在形成第二接触孔CH1b的部分中彼此重叠，并且通过第二接触孔CH1b彼此耦接。第一链接线DL1c的一部分在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中，其被提供在弯曲部分绝缘层INS_B上。
例如，第一数据线DL1可由与显示区域DA中的像素PXL的材料相同的材料、通过相同的工艺制成。
根据实施例，第一像素单元数据线DL1a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。例如，第一像素单元数据线DL1a可通过单一光刻过程随显示区域DA中的源电极和漏电极一起制成。相应地，第一像素单元数据线DL1a可由与显示区域DA中的源电极和漏电极的材料相同的材料制成并且形成在同一层中，即，形成在第三绝缘层INS3上。
第一扇出线DL1b可通过与显示区域DA中的上电容器电极的工艺相同的工艺制成。例如，第一扇出线DL1b和上电容器电极可通过单一光刻过程制成。相应地，第一扇出线DL1b和上电容器电极可由相同的材料制成并且可形成在同一层中，例如，形成在第二绝缘层INS2上。
第一链接线DL1c可通过与显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a的工艺相同的工艺制成。例如，第一链接线DL1c可通过单个光刻过程、随显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a一起制成。相应地，第一链接线DL1c和第一像素单元数据线DL1a可由相同的材料制成并且可形成在第三绝缘层INS3上。就此而言，第一链接线DL1c的一部分在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
参见图7B，缓冲层BF、第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3、钝化层PSV、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在显示区域DA和非显示区域NDA的部分上。弯曲部分绝缘层INS_B、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在非显示区域NDA的弯曲区域BA上。
第二数据线DL2在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上并且在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上，并且在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。第二像素单元数据线DL2a在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上。第二扇出线DL2b在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上。第二链接线DL2c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第二扇出线DL2b的上表面、第三接触孔CH2a以及第四接触孔CH2b的暴露部分在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中。第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b在形成第三接触孔CH2a的部分中彼此重叠，并且通过第三接触孔CH2a彼此耦接。第二扇出线DL2b与第二链接线DL2c在形成第四接触孔CH2b的部分中彼此重叠，并且通过第四接触孔CH2b彼此耦接。第二链接线DL2c的一部分在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
根据实施例，第二像素单元数据线DL2a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。例如，第二像素单元数据线DL2a可通过单一光刻过程、随显示区域DA中的源电极和漏电极一起制成。相应地，第二像素单元数据线DL2a可由与显示区域DA中的源电极和漏电极的材料相同的材料制成并且形成在同一层中，例如，形成在第三绝缘层INS3上。
第二扇出线DL2b可通过与显示区域DA中的栅电极和下电容器电极的工艺相同的工艺制成。例如，第二扇出线DL2b、栅电极和下电容器电极可通过单一光刻过程制成。相应地，第二扇出线DL2b、栅电极和下电容器电极可由相同的材料制成并且可形成在同一层中，例如，形成在第一绝缘层INS1上。
第二链接线DL2c可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。例如，第二链接线DL2c可通过单一光刻过程、随显示区域DA中的源电极和漏电极一起制成。相应地，第二链接线DL2c、源电极和漏电极可由相同的材料制成并且可形成在第三绝缘层INS3上。就此而言，第二链接线DL2c的一部分在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
参见图7c，第一数据线DL1的第一扇出线DL1b和第二数据线DL2的第二扇出线DL2b彼此位于不同的层中，并且交替设置在平面上。第一扇出线DL1b在第二绝缘层INS2上，而第二扇出线DL2b在第一绝缘层INS1上。
由于第一扇出线DL1b和第二扇出线DL2b构成上面提到的结构，因此可确保相邻数据线DL之间相对大的距离。例如，如果数据线DL形成在一层上，则相邻数据线DL之间的距离相对小。然而，如果数据线DL交替设置在两个不同层上，则每一层上相邻数据线DL之间的距离可增加，并且因此可提高数据线DL的设计中的自由度。
在具有上面提到的配置的显示装置中，第一数据线DL1和第二数据线DL2的数据信号之间的延迟偏差降低了。结果是，可缓解缺陷(例如，由数据信号的这种延迟偏差引起的图像呈绿色的缺陷)。例如，在第一数据线DL1和第二数据线DL2中，耦接至与第一数据线DL1和第二数据线DL2耦接的第一像素列和第二像素列中的一像素列的数据线DL具有线结构或接触结构，该像素列表示受电阻影响大于另一颜色的颜色，该线结构或接触结构的电阻低于耦接至另一像素列的数据线的电阻。从而，降低了数据信号延迟中的偏差。
在实施例中，耦接至红色像素和蓝色像素的第一数据线DL1的电阻低于耦接至绿色像素的第二数据线DL2的电阻，并且施加给第一数据线DL1和第二数据线DL2的数据信号中的延迟度相互匹配，从而防止呈绿色的缺陷。
图8图示施加给每个像素的数据电压的波形，并且将参照图8描述相关细节。
施加给各个像素的数据电压的摆动宽度可互不相同。红色像素的数据电压的摆动宽度可大于绿色像素的数据电压的摆动宽度。蓝色像素的数据电压的摆动宽度可大于绿色像素的数据电压的摆动宽度。例如，红色像素的数据电压的摆动宽度和蓝色像素的数据电压的摆动宽度可约为3V或更大。绿色像素的数据电压的摆动宽度例如可小于约3V。结果是，如图8中所示，与通过第二数据线DL2将数据电压施加给绿色像素G相比，当通过第一数据线DL1将数据电压施加给红色像素R和蓝色像素B时，数据电压可能没有被充分充入。如果红色像素R和蓝色像素B没有充分充入数据电压，则红色像素和蓝色像素的亮度降低。结果是，会引起图像呈绿色的缺陷。
此外，根据线的形成材料或者线的图案化工艺，形成在第一绝缘层INS1上的线和形成在第二绝缘层INS2上的线可具有不同线宽和电阻值。通常，第一绝缘层INS1上的线的线宽小于形成在第二绝缘层INS2上形成的线的线宽。而且，关于数据线DL之间通过接触孔的连接，绝缘层越厚，接触路径越长。就此而言，与第三绝缘层INS3上的数据线DL耦接至第二绝缘层INS2上的线的情况相比，第三绝缘层INS3上的数据线DL耦接至第一绝缘层INS1上的线的情况具有更长的接触路径。
因此，当耦接至红色像素和蓝色像素的第一数据线DL1通过多个接触孔耦接至第一绝缘层INS1上的线时，与第一数据线DL1耦接至第二绝缘层INS2上的线相比，数据信号的延迟因该线的电阻而增加。这可能导致呈绿色的缺陷。
在实施例中，耦接至红色像素和蓝色像素、并且数据电压的摆动宽度相对大的第一数据线DL1耦接至第二绝缘层INS2上的线电阻相对小的线。耦接至绿色像素、数据电压的摆动宽度相对小的第二数据线DL2耦接至第一绝缘层INS1上的线。结果是，防止了各像素间的不均匀颜色的形成。
在实施例中，红色像素、蓝色像素和绿色像素用作表示第一颜色至第三颜色的像素。然而，在另一实施例中，第一颜色至第三颜色可不相同。而且，在实施例中，红色像素的数据电压的摆动宽度和蓝色像素的数据电压的摆动宽度大于绿色像素的数据电压的摆动宽度。在另一实施例中，针对各个颜色的数据电压的摆动宽度可与上述不同。针对表示其它颜色的像素，当缺陷是由诸如数据电压摆动宽度的差异或者数据线电阻的差异引起的信号延迟的原因导致时，可采用本实施例。根据实施例，可以以如上所述的其它形式提供数据线。
图9图示显示装置中的数据线以及与图2的部分A1对应的部分的另一实施例。图10A是沿图9的线V-V’截取的剖视图，图10B是沿图9的线VI-VI’截取的剖视图，图10C是沿图9的线VII-VII’截取的剖视图，并且图10D是沿图9的线VIII-VIII’截取的剖视图。
参见图9以及图10A至图10D，数据线DL包括耦接至第一像素列的第一数据线DL1以及耦接至第二像素列的第二数据线DL2。第一颜色的第一像素和第二颜色的第二像素可耦接至第一像素列。第一颜色可以是红色，并且第二颜色可以是蓝色。第三颜色的第三像素可耦接至第二像素列。第三颜色可以是绿色。
参见图9，第一数据线DL1和第二数据线DL2分别包括多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。第一数据线DL1和第二数据线DL2在第一方向DR1上交替设置。
每条第一数据线DL1包括在显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a、在扇出区域FTA中的第一扇出线DL1b以及在弯曲区域BA中的第一链接线DL1c。第一像素单元数据线DL1a耦接至第一扇出线DL1b，并且第一扇出线DL1b耦接至第一链接线DL1c。第一链接线DL1c通过接触电极等耦接至驱动单元。
第一像素单元数据线DL1a的端部和第一扇出线DL1b的端部彼此重叠并且通过第一接触孔CH1a彼此耦接。第一扇出线DL1b的端部和第一链接线DL1c的端部通过第二接触孔CH1b彼此耦接。
每条第二数据线DL2包括在显示区域DA中的第二像素单元数据线DL2a、在扇出区域FTA中的第二扇出线DL2b、在扇出区域FTA中的桥接图案BR以及在弯曲区域BA中的第二链接线DL2c。
第二像素单元数据线DL2a耦接至第二扇出线DL2b，第二扇出线DL2b耦接至桥接图案BR，并且桥接图案BR耦接至第二链接线DL2c。第二链接线DL2c通过接触电极等耦接至驱动单元。
第二像素单元数据线DL2a的端部和第二扇出线DL2b的端部彼此重叠并且通过第三接触孔CH2a彼此耦接。第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b之间的重叠部分可布置在扇出区域FTA中。
第二扇出线DL2b的端部和桥接图案BR的第一端部通过第四接触孔CH2b彼此耦接。第二扇出线DL2b与桥接图案BR之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在一实施例中，第二扇出线DL2b与桥接图案BR之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可在弯曲区域BA中。
桥接图案BR的第二端部和第二链接线DL2c通过第五接触孔CH2c彼此耦接。桥接图案BR的第二端部与第二链接线DL2c之间的重叠部分可以在扇出区域FTA中。在一实施例中，桥接图案BR与第二链接线DL2c之间的重叠部分的位置可以不同，例如，其至少一部分可以在弯曲区域BA中。
参见图10A，缓冲层BF、第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3、钝化层PSV、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在基板SUB上显示区域DA和非显示区域NDA的部分上。弯曲部分绝缘层INS_B、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在基板SUB上、非显示区域NDA的弯曲区域BA中。
第一数据线DL1在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上、在扇出区域FTA中位于第二绝缘层INS2上、并且在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。例如，第一像素单元数据线DL1a在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上。第一扇出线DL1b在扇出区域FTA中位于第二绝缘层INS2上。第一链接线DL1c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第一扇出线DL1b的上表面、第一接触孔CH1a以及第二接触孔CH1b的暴露部分形成在第三绝缘层INS3中。第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b在形成第一接触孔CH1a的部分中彼此重叠，并且通过第一接触孔CH1a彼此耦接。第一扇出线DL1b与第一链接线DL1c在形成第二接触孔CH1b的部分中彼此重叠，并且通过第二接触孔CH1b彼此耦接。第一链接线DL1c的一部分在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中被提供在弯曲部分绝缘层INS_B上。
第一数据线DL1可使用与显示区域DA的像素的材料相同的材料、通过相同的工艺制成。
根据实施例，第一像素单元数据线DL1a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。第一扇出线DL1b可通过与显示区域DA中的上电容器电极的工艺相同的工艺制成。第一链接线DL1c可通过与显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a的工艺相同的工艺制成。
参见图10B，缓冲层BF、第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3、钝化层PSV、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在显示区域DA和非显示区域NDA的部分上。弯曲部分绝缘层INS_B、第四绝缘层INS4以及第五绝缘层INS5堆叠在非显示区域NDA的弯曲区域BA上。
第二数据线DL2在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上、在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上、并且在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。第二像素单元数据线DL2a在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上。第二扇出线DL2b在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上。桥接图案BR在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上。第二链接线DL2c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第二扇出线DL2b的上表面、第三接触孔CH2a以及第四接触孔CH2b的暴露部分形成在第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中。第五接触孔CH2c形成在钝化层和第四绝缘层INS4中以暴露桥接图案BR的上表面的一部分。
第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b在形成第三接触孔CH2a的部分中彼此重叠，并且通过第三接触孔CH2a彼此耦接。第二扇出线DL2b与桥接图案BR在形成第四接触孔CH2b的部分中彼此重叠，并且通过第四接触孔CH2b彼此耦接。桥接图案BR与第二链接线DL2c在形成第五接触孔CH2c的部分中彼此重叠，并且通过第五接触孔CH2c彼此耦接。第二链接线DL2c的一部分在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
根据实施例，第二像素单元数据线DL2a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。第二扇出线DL2b可通过与显示区域DA中的栅电极和下电容器电极的工艺相同的工艺制成。
桥接图案BR可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。例如，桥接图案BR可通过单个光刻过程、随显示区域DA中的源电极和漏电极一起形成。相应地，桥接图案BR、源电极和漏电极可由相同的材料制成并且形成在第三绝缘层INS3上。
第二链接线DL2c可通过与显示区域DA中的连接图案的工艺相同的工艺制成。第二链接线DL2c可通过单个光刻过程、随显示区域DA中的连接图案一起形成。相应地，第二链接线DL2c和连接图案可由相同的材料制成并且形成在第四绝缘层INS4上。就此而言，第二链接线DL2c的一部分在弯曲区域BA中位于第四绝缘层INS4上。
参见图10C，第一数据线DL1的第一扇出线DL1b和第二数据线DL2的第二扇出线DL2b彼此位于不同的层中，并且交替设置在平面上。第一扇出线DL1b在第二绝缘层INS2上，而第二扇出线DL2b在第一绝缘层INS1上。由于第一扇出线DL1b和第二扇出线DL2b形成上面提到的结构，因此可确保相邻数据线DL之间相对大的距离。
参见图10D，第一数据线DL1的第一链接线DL1c和第二数据线DL2的第二链接线DL2c位于彼此不同的层中。第一链接线DL1c在弯曲部分绝缘层INS_B上。第二链接线DL2c在第四绝缘层INS4上。第一数据线DL1的第一链接线DL1c和第二数据线DL2的第二链接线DL2c交替设置在平面上。
由于第一链接线DL1c和第二链接线DL2c形成上面提到的结构，因此可确保相邻数据线DL之间相对大的距离。例如，如果数据线DL形成在一层上，则相邻数据线DL之间的距离相对小。然而，如果数据线DL交替设置在两个不同层上，则可增加每一层上的相邻数据线DL之间的距离，结果是，可提高数据线DL的设计中的自由度。
在具有上面提到的配置的显示装置中，第一数据线DL1和第二数据线DL2的数据信号之间的延迟偏差降低了。结果是，可缓解由数据信号延迟偏差引起的缺陷。在实施例中，显示装置被配置为使得耦接至红色像素和蓝色像素的第一数据线的电阻小于耦接至绿色像素的第二数据线的电阻，并且施加给第一数据线和第二数据线的数据信号中的延迟度互相匹配，因此防止呈绿色的缺陷。在本实施例中，第一数据线的长度以及第一数据线中接触孔的数量小于第二数据线的长度以及第二数据线中接触孔的数量，使得可增加耦接至彼此的线之间的接触路径。结果是，可更加容易地减少电阻中的偏差。根据实施例，数据线可具有与上面提到的实施例的形式不同的形式。
图11图示显示装置中的数据线以及与图2中的部分A1对应的部分的实施例。图12A是沿图11的线IX-IX'截取的剖视图，图12B是沿图11的线X-X'截取的剖视图，图12C是沿图11的线XI-XI'截取的剖视图，并且图12D是沿图11的线XII-XII'截取的剖视图。
参见图11以及图12A至图12D，数据线DL包括耦接至第一像素列的第一数据线DL1以及耦接至第二像素列的第二数据线DL2。第一颜色的第一像素和第二颜色的第二像素可耦接至第一像素列。第一颜色可以是红色，并且第二颜色可以是蓝色。第三颜色的第三像素可耦接至第二像素列。第三颜色可以是绿色。
参见图11，第一数据线DL1和第二数据线DL2分别包括多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。第一数据线DL1和第二数据线DL2在第一方向DR1上交替设置。
每条第一数据线DL1包括在显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a、在扇出区域FTA中的第一扇出线DL1b以及在弯曲区域BA中的第一链接线DL1c。第一像素单元数据线DL1a耦接至第一扇出线DL1b。第一扇出线DL1b耦接至第一链接线DL1c。第一链接线DL1c通过接触电极等耦接至驱动单元。
参见图12A，第一数据线DL1在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上、在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上、并且在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。第一像素单元数据线DL1a在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上。第一扇出线DL1b在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上。第一链接线DL1c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第一扇出线DL1b的上表面、第一接触孔CH1a以及第二接触孔CH1b的暴露部分形成于第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3中。第一像素单元数据线DL1a与第一扇出线DL1b在形成第一接触孔CH1a的部分中彼此重叠，并且通过第一接触孔CH1a彼此耦接。第一扇出线DL1b与第一链接线DL1c在形成第二接触孔CH1b的部分中彼此重叠，并且通过第二接触孔CH1b彼此耦接。第一链接线DL1c的一部分在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第一数据线DL1可使用与显示区域DA的像素的材料相同的材料、通过相同的工艺制成。
根据实施例，第一像素单元数据线DL1a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。第一扇出线DL1b可通过与显示区域DA中的栅电极和下电容器电极的工艺相同的工艺制成。第一链接线DL1c可通过与显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a的工艺相同的工艺制成。
参见图12B，第二数据线DL2在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上、在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上、并且在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。例如，第二像素单元数据线DL2a在显示区域DA中位于第三绝缘层INS3上。第二扇出线DL2b在扇出区域FTA中位于第一绝缘层INS1上。桥接图案BR在扇出区域FTA中位于第三绝缘层INS3上。第二链接线DL2c在弯曲区域BA中位于弯曲部分绝缘层INS_B上。
第二扇出线DL2b的上表面、第三接触孔CH2a以及第四接触孔CH2b的暴露部分形成于第二绝缘层INS2以及第三绝缘层INS3中。第五接触孔CH2c形成在钝化层PSV和第四绝缘层INS4中以暴露桥接图案BR的上表面的一部分。
第二像素单元数据线DL2a与第二扇出线DL2b在形成第三接触孔CH2a的部分中彼此重叠，并且通过第三接触孔CH2a彼此耦接。第二扇出线DL2b与桥接图案BR在形成第四接触孔CH2b的部分中彼此重叠，并且通过第四接触孔CH2b彼此耦接。桥接图案BR与第二链接线DL2c在形成第五接触孔CH2c的部分中彼此重叠，并且通过第五接触孔CH2c彼此耦接。第二链接线DL2c的一部分在扇出区域FTA中被提供在第三绝缘层INS3上，但在弯曲区域BA中被提供在弯曲部分绝缘层INS_B上。
根据实施例，第二像素单元数据线DL2a可通过与显示区域DA中的源电极和漏电极的工艺相同的工艺制成。第二扇出线DL2b可通过与显示区域DA中的栅电极和下电容器电极的工艺相同的工艺制成。
参见图12C，第一数据线DL1的第一扇出线DL1b和第二数据线DL2的第二扇出线DL2b彼此位于同一层中，并且交替设置在平面上。第一扇出线DL1b和第二扇出线DL2b二者均布置在第一绝缘层INS1上。
参见图12D，第一数据线DL1的第一链接线DL1c和第二数据线DL2的第二链接线DL2c彼此位于不同的层中。第一链接线DL1c在弯曲部分绝缘层INS_B上，并且第二链接线DL2c在第四绝缘层INS4上。第一数据线DL1的第一链接线DL1c和第二数据线DL2的第二链接线DL2c交替设置在平面上。
在具有上面提到的配置的显示装置中，第一数据线和第二数据线的数据信号之间的延迟偏差降低了。结果是，可缓解由数据信号延迟偏差引起的缺陷。在实施例中，显示装置被配置为使得耦接至红色像素和蓝色像素的第一数据线的电阻小于耦接至绿色像素的第二数据线的电阻，并且施加给第一数据线和第二数据线的数据信号中的延迟度互相匹配，因此防止呈绿色的缺陷。
在本实施例中，尽管第一数据线和第二数据线在扇出区域中形成于同一层，但第一链接线和第二链接线不仅在长度上、而且在接触孔的数量上也彼此不同。因此，在第一数据线和第二数据线之间，耦接至彼此的线之间的接触路径不同。由于第二数据线DL2的接触路径的长度增加了，因此第一数据线和第二数据线之间的电阻中的偏差减小了。
已将扇出区域中的第一数据线和第二数据线图示为形成在第一绝缘层上。在另一实施例中，扇出区域中的第一数据线和第二数据线二者均可被提供在第二绝缘层上。在此情况下，扇出区域中的第一数据线和第二数据线可通过与上电容器电极的工艺相同的工艺制成。
根据实施例，数据线可以以与上述实施例的形式不同的其他形式提供，从而与数据线的电阻相匹配。
图13图示显示装置中的数据线以及与图2的部分A1对应的部分的另一实施例。参见图13，第一数据线DL1和第二数据线DL2分别包括多条第一数据线DL1和多条第二数据线DL2。第一数据线DL1和第二数据线DL2在第一方向DR1上交替设置。
每条第一数据线DL1包括在显示区域DA中的第一像素单元数据线DL1a、在扇出区域FTA中的第一扇出线DL1b以及在弯曲区域BA中的第一链接线DL1c。第一像素单元数据线DL1a耦接至第一扇出线DL1b，并且第一扇出线DL1b耦接至第一链接线DL1c。第一链接线DL1c通过接触电极等耦接至驱动单元。
每条第二数据线DL2包括在显示区域DA中的第二像素单元数据线DL2a、在扇出区域FTA中的第二扇出线DL2b以及在弯曲区域BA中的第二链接线DL2c。第二像素单元数据线DL2a耦接至第二扇出线DL2b。第二扇出线DL2b耦接至第二链接线DL2c。第二链接线DL2c通过接触电极等耦接至驱动单元。
在本实施例中，第一数据线DL1和第二数据线DL2在非显示区域中可具有不同宽度。例如，在扇出区域FTA中的第一扇出线DL1b可具有大于第二扇出线DL2b的宽度的宽度。由于第一扇出线DL1b的宽度大于第二扇出线DL2b的宽度，第一扇出线DL1b的电阻可低于第二扇出线DL2b的电阻。
第一数据线DL1和第二数据线DL2在扇出区域FTA中可形成在同一层中。
根据本实施例，在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间，第一扇出线DL1b的宽度和第二扇出线DL2b的宽度、第一链接线DL1c的长度和第二链接线DL2c的长度以及接触孔的数量彼此不同。因此，在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间，耦接至彼此的线之间的接触路径不同。由于第二数据线DL2的接触路径的长度增加，因此第一数据线和第二数据线之间的电阻中的偏差减小。
在本实施例中，仅第一扇出线DL1b和第二扇出线DL2b具有不同宽度。在另一实施例中，为了减小第一数据线DL1和第二数据线DL2之间的电阻中的偏差，第一链接线DL1c的宽度和第二链接线DL2c的宽度也可变为不同值。
根据前述各实施例的显示装置可应用于各种电子装置中。例如，该显示装置可应用于电视、笔记本电脑、蜂窝电话、智能电话、智能平板、PMP(便携式多功能播放器)、PDA(个人数字助理)、导航装置、诸如智能手表的各种种类的可穿戴装置等。
根据实施例，提供一种显示装置，其能够通过将第一数据线和第二数据线之间的数据信号的电阻中的偏差与像素的电阻中的偏差相匹配而减少图像呈绿色的缺陷。
本文已公开了各示例实施例，并且虽然采用了特定的术语，但其应仅以概述和说明性的而非限制性的目的使用和解释。在一些情况下，对于本领域技术人员显而易见的是，自本申请的递交之日起，除非另外指明，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元素可单独使用或者可与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元素组合使用。因此，本领域技术人员应理解的是，在不脱离如随附权利要求提出的本发明的精神和范围的情况下，可做出形式和细节上的各种变化。

Claims (32)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和非显示区域；
在所述显示区域中的像素区域，所述像素区域包括：包括多个像素的第一像素列和包括多个像素的第二像素列，所述第一像素列中的所述多个像素和所述第二像素列中的所述多个像素发射不同颜色的光；以及
多条数据线，所述多条数据线分别耦接至所述第一像素列和所述第二像素列，其中，在所述非显示区域中，所述多条数据线中的一数据线耦接至所述第一像素列和所述第二像素列中的与受电阻影响大于另一颜色的颜色对应的一个像素列，并且具有电阻小于耦接至其余像素列的其余数据线的线结构或接触结构的电阻的线结构或接触结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
在所述显示区域中，所述第一像素列对电阻的影响大于所述第二像素列对电阻的影响；并且
在所述非显示区域中，耦接至所述第一像素列的数据线的电阻小于耦接至所述第二像素列的数据线的电阻。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述非显示区域中，耦接至所述第一像素列的所述数据线的宽度大于耦接至所述第二像素列的所述数据线的宽度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述非显示区域中，耦接至所述第一像素列的所述数据线的长度小于耦接至所述第二像素列的所述数据线的长度。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述非显示区域中：
所述多条数据线中的每一条数据线的各部分通过至少一个接触孔彼此耦接，并且与耦接至所述第二像素列的所述数据线的各部分相比，耦接至所述第一像素列的所述数据线的各部分通过较少数量的接触孔彼此耦接。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一像素列包括第一像素和第二像素，所述第一像素在所述像素区域中并且在列方向上设置，所述第一像素发射第一颜色的光，所述第二像素发射第二颜色的光并且与所述第一像素交替设置，并且
所述第二像素列包括第三像素，所述第三像素发射第三颜色的光。
7.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括：
连续堆叠在所述基板上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，
其中所述多条数据线包括耦接至所述第一像素列的第一数据线和耦接至所述第二像素列的第二数据线；并且
其中所述第一数据线在所述显示区域中位于所述第三绝缘层上，并且在所述非显示区域中至少部分地位于所述第二绝缘层上；并且所述第二数据线在所述显示区域中位于所述第三绝缘层上，并且在所述非显示区域中至少部分地位于所述第一绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一颜色是红色，
所述第二颜色是蓝色，并且
所述第三颜色是绿色。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述非显示区域包括邻近于所述显示区域的扇出区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
所述第一数据线在所述扇出区域中位于所述第二绝缘层上，并且
所述第二数据线在所述扇出区域中位于所述第一绝缘层上。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述非显示区域包括邻近于所述扇出区域的弯曲区域。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述第一数据线包括在所述显示区域中的第一像素单元数据线、在所述扇出区域中的第一扇出线以及在所述弯曲区域中的第一链接线。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中：
所述第一像素单元数据线和所述第一链接线在所述第三绝缘层上，并且
所述第一扇出线在所述第二绝缘层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中：
所述第三绝缘层包括暴露所述第一扇出线的部分的第一接触孔和第二接触孔，
所述第一像素单元数据线通过所述第一接触孔耦接至所述第一扇出线，并且
所述第一扇出线通过所述第二接触孔耦接至所述第一链接线。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第二数据线包括在所述显示区域中的第二像素单元数据线、在所述扇出区域中的第二扇出线以及在所述弯曲区域中的第二链接线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中：
所述第二绝缘层和所述第三绝缘层包括暴露所述第二扇出线的部分的第三接触孔和第四接触孔，
所述第二像素单元数据线通过所述第三接触孔耦接至所述第二扇出线，并且
所述第二扇出线通过所述第四接触孔耦接至所述第二链接线。
17.根据权利要求15所述的显示装置，进一步包括：
在所述基板的所述弯曲区域中的弯曲部分绝缘层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层具有暴露所述基板的一部分的开口，并且
所述弯曲部分绝缘层在所述开口中。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中：
所述第一数据线的至少一部分在所述弯曲区域中位于所述弯曲部分绝缘层上，并且
所述第二数据线的至少一部分在所述弯曲区域中位于所述弯曲部分绝缘层上。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中：
所述第一像素单元数据线在所述第三绝缘层上，
所述第一扇出线在所述第二绝缘层上，并且
所述第一链接线在所述弯曲部分绝缘层上。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中：
所述第二像素单元数据线在所述第三绝缘层上，
所述第二扇出线在所述第一绝缘层上，并且
所述第二链接线在所述弯曲部分绝缘层上。
22.根据权利要求15所述的显示装置，进一步包括：
在所述第三绝缘层上的第四绝缘层，
其中所述第二数据线包括在所述第三绝缘层上的桥接图案。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中：
所述第二像素单元数据线在所述第三绝缘层上，
所述第二扇出线在所述第一绝缘层上，并且
所述第二链接线在所述第四绝缘层上。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中：
所述第二绝缘层和所述第三绝缘层具有暴露所述第二扇出线的部分的第三接触孔和第四接触孔，并且所述第四绝缘层具有暴露所述桥接图案的一部分的第五接触孔，并且
所述第二像素单元数据线通过所述第三接触孔耦接至所述第二扇出线，所述第二扇出线通过所述第四接触孔耦接至所述桥接图案，并且所述桥接图案通过所述第五接触孔耦接至所述第二链接线。
25.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一像素列和所述第二像素列分别包括多个第一像素列和多个第二像素列，并且
所述多个第一像素列和所述多个第二像素列在行方向上交替设置。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中：
所述第一数据线和所述第二数据线分别包括多条第一数据线和多条第二数据线，并且
所述多条第一数据线和所述多条第二数据线在所述行方向上交替设置。
27.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每一个包括晶体管，所述晶体管包括：
在所述基板上的有源层；
在所述第一绝缘层上的栅电极；
在所述第二绝缘层上的上电容器电极；以及
在所述第三绝缘层上的源电极和漏电极。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中：
所述第一数据线或所述第二数据线的在所述非显示区域中的一部分与提供的所述源电极和所述漏电极在同一层，并且包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。
29.根据权利要求27所述的显示装置，其中所述第二数据线的在所述非显示区域中的一部分与所述栅电极位于同一层，并且包括与所述栅电极相同的材料。
30.根据权利要求27所述的显示装置，其中所述第一数据线的在所述非显示区域中的一部分与所述上电容器电极位于同一层，并且包括与所述上电容器电极相同的材料。
31.根据权利要求27所述的显示装置，进一步包括：
在所述第三绝缘层上的第四绝缘层；以及
连接图案，所述连接图案在所述第四绝缘层上并且耦接至所述漏电极，其中所述第二数据线的在所述非显示区域中的一部分与所述连接图案所处的层位于同一层，并且包括与所述连接图案相同的材料。
32.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的至少两个像素的面积彼此不同。
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