CN114902322A - 显示设备中的图像显示方法、显示设备、外围感测电路和像素驱动电路 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备中的显示图像方法。该方法包括在图像显示阶段中在各个子像素中显示图像。在所述图像显示阶段之后的感测阶段中，该方法还包括：向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号达第一时间段；在所述初始电压信号停止时，允许各个发光元件的阳极放电达第二时间段；在所述第二时间段结束时，通过各个像素驱动电路的感测子电路获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号；以及将所述残余电压信号发送到集成电路。

Description

显示设备中的图像显示方法、显示设备、外围感测电路和像素 驱动电路
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示设备中的图像显示方法、显示设备、外围感测电路和像素驱动电路。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一。与使用稳定电压来控制亮度的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)不同，OLED由需要保持恒定以控制照度的驱动电流来驱动。OLED显示面板包括多个像素单元，所述多个像素单元配置有以多行和多列布置的像素驱动电路。每个像素驱动电路包括驱动晶体管，该驱动晶体管具有连接到每行一条栅线的栅极端子和连接到每列一条数据线的漏极端子。当其中像素单元被选通的行被导通时，连接到驱动晶体管的开关晶体管被导通，并且数据电压从数据线经由开关晶体管施加到驱动晶体管，使得驱动晶体管将与数据电压对应的电流输出到OLED器件。驱动OLED器件发射相应亮度的光。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种显示设备中的图像显示方法，其包括：在图像显示阶段中在各个子像素中显示图像；在所述图像显示阶段之后的感测阶段中，该方法还包括：向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号达第一时间段；在所述初始电压信号停止时，允许各个发光元件的阳极放电达第二时间段；在所述第二时间段结束时，通过各个像素驱动电路的感测子电路获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号；以及将所述残余电压信号发送到集成电路。
可选地，在随后的图像显示阶段中，所述方法还包括：基于所述残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，由所述集成电路补偿在所述随后的图像显示阶段中被提供给各个子像素的数据信号。
可选地，获得所述残余电压信号包括：向所述感测子电路中的感测晶体管的栅极提供感测控制信号，以导通所述感测晶体管；以及允许在各个发光元件的阳极处的所述残余电压信号通过所述感测晶体管，并通过各个感测信号线发送到所述集成电路。
可选地，提供所述初始电压信号包括：将所述初始电压信号提供给各个像素驱动电路中的重置晶体管的源极，所述重置晶体管的漏极连接到各个发光元件的阳极；以及将重置控制信号提供给所述重置晶体管的栅极，以导通所述重置晶体管达所述第一时间段。
可选地，提供所述初始电压信号包括：通过各个感测信号线将所述初始电压信号提供给所述感测子电路中的感测晶体管的漏极，所述感测晶体管的源极连接到各个发光元件的阳极；以及将感测控制信号提供给所述感测晶体管的栅极，以导通所述感测晶体管达所述第一时间段。
可选地，提供所述初始电压信号进一步包括：通过参考信号线将所述初始电压信号提供给第一参考晶体管的源极，所述第一参考晶体管的漏极通过相应感测信号线连接到所述感测晶体管的源极；以及将第一参考控制信号提供给所述第一参考晶体管的栅极，以导通所述第一参考晶体管达一时间段。
可选地，提供所述初始电压信号进一步包括：通过参考信号线将所述初始电压信号提供给第一参考晶体管的源极和第二参考晶体管的源极，所述第一参考晶体管的漏极和所述第二参考晶体管的漏极通过相应感测信号线连接到所述感测晶体管的源极；以及将参考控制信号提供给所述第一参考晶体管的栅极或所述第二参考晶体管的栅极或两者，以导通所述第一参考晶体管或所述第二参考晶体管或两者达所述第一时间段。
可选地，所述参考信号线与多个数据线在同一层中。
可选地，所述方法进一步包括：通过N个感测多路复用器将分别来自多列子像素的残余电压信号发送到所述集成电路，其中，N≥2，所述N个感测多路复用器经配置以按时间顺序被导通，以允许将分别来自所述多列子像素的所述残余电压信号分别通过多个感测信号线传输到所述集成电路。
可选地，所述集成电路是数据驱动集成电路；该方法还包括：通过M个数据多路复用器将数据信号从所述集成电路分别发送到所述多列子像素，其中，M≥2，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许所述数据信号分别通过多个数据线分别传输到所述多列子像素。
可选地，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；以及所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路。
可选地，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；各个第二列包括第二颜色的子像素；以及各个第三列包括沿着列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括：多个像素驱动电路；多个感测信号线；以及集成电路；其中，各个像素驱动电路包括感测子电路，所述感测子电路被配置成获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号；各个感测信号线被配置为将所述残余电压信号发送到所述集成电路；以及所述集成电路被配置为基于所述残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，来补偿在随后的图像显示阶段中被提供给各个子像素的数据信号。
可选地，感测子电路包括感测晶体管，所述感测晶体管具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到各个发光元件的阳极的源极和连接到各个感测信号线的漏极。
可选地，所述显示设备进一步包括：参考信号线；第一参考控制信号线；以及多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到所述第一参考控制信号线。
可选地，所述显示设备进一步包括：参考信号线；第一参考控制信号线；第二参考控制信号线；多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，并且所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到所述第一参考控制信号线；以及多个第二参考晶体管，所述多个第二参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第二参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第二参考晶体管的栅极分别连接到所述第二参考控制信号线。
可选地，所述参考信号线与多个数据线在同一层中。
可选地，所述显示设备进一步包括N个感测多路复用器，N≥2；其中，所述N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多个感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到所述集成电路。
可选地，所述集成电路为数据驱动集成电路；所述显示设备还包括：M个数据多路复用器，M≥2；以及多个数据线，其分别连接到所述多列子像素；其中，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过所述多个数据线将数据信号分别传输到所述多列子像素。
可选地，所述显示设备进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自所述N个感测多路复用器中的至少两个不同的感测多路复用器的至少两个开关晶体管的源极，且连接到分别来自所述M个数据多路复用器中的至少两个不同的数据多路复用器的至少两个开关晶体管的源极。
可选地，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；以及所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路。
可选地，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；所述M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器和第二数据多路复用器；所述第一数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到奇数列子像素；以及所述第二数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到偶数列子像素。
可选地，所述显示设备进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器、所述第二感测多路复用器和所述第三感测多路复用器中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器和所述第二数据多路复用器的两个开关晶体管的源极。
可选地，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号和分别来自第四列子像素的第四残余电压信号传输到所述集成电路；所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；各个第二列包括第二颜色的子像素；各个第三列包括沿着所述列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素；以及各个第四列包括所述第二颜色的子像素。
可选地，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号和分别来自第四列子像素的第四残余电压信号传输到所述集成电路；所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；各个第二列包括第二颜色的子像素；各个第三列包括沿着所述列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素；各个第四列包括所述第二颜色的子像素；所述M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器和第二数据多路复用器；所述第一数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到奇数列子像素；以及所述第二数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到偶数列子像素。
可选地，所述显示设备进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器、所述第二感测多路复用器和所述第三感测多路复用器中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器和所述第二数据多路复用器的两个开关晶体管的源极。
在另一方面，本公开提供了一种外围感测电路，包括：多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到多个感测信号线，所述多个感测信号线分别连接到多列子像素，并且所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到第一参考控制信号线；以及N个感测多路复用器，N≥2；其中，所述N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过所述多个感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到集成电路。
可选地，所述外围感测电路进一步包括多个第二参考晶体管，所述多个第二参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第二参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第二参考晶体管的栅极分别连接到第二参考控制信号线。
可选地，所述外围感测电路进一步包括M个数据多路复用器，M≥2；其中，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多个数据线分别将数据信号传输到所述多列子像素。
在另一方面，本公开提供了一种像素驱动电路，其包括：存储电容器；驱动晶体管；感测晶体管，其具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到相应发光元件的阳极的源极、以及连接到相应感测信号线的漏极；其中，所述感测晶体管被配置成：在所述相应发光元件的阳极被初始电压信号充电达第一时间段、并且在所述初始电压信号停止时被允许放电达第二时间段之后，获得所述阳极处的残余电压信号。
附图说明
根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的示例，并且不旨在限制本发明的范围。
图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的平面图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的像素驱动电路的结构的电路图。
图3A是示出根据本公开的一些实施例中的阵列基板的各个子像素的结构的图。
图3B是示出图3A中所示的阵列基板的各个子像素中的半导体材料层的结构的图。
图3C是示出图3A所示的阵列基板的各个子像素中的第一导电层的结构的图。
图3D是示出图3A所示的阵列基板的各个子像素中的第二导电层的结构的图。
图3E是示出图3A所示的阵列基板的各个子像素中的信号线层的结构的图。
图4A是沿图3A中的A-A'线的截面图。
图4B是沿图3A中的B-B'线的截面图。
图4C是沿图3A中的C-C'线的截面图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。
图7是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。
图8是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。
图9示出根据本公开的一些实施例中的在显示设备中获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号的过程。
图10是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。
图11是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。
图12是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。
图13是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。
图14是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。
图15是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。
图16是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。
图17是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。
图18是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。
图19是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。
图20是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。
图21是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。
图22是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。
图23是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。
图24是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。
具体实施方式
现在将参考以下实施例更具体地描述本公开。应当注意，本文中呈现的一些实施例的以下描述仅用于说明和描述的目的。其不是穷举的或限于所公开的精确形式。
本公开尤其提供了一种显示设备中的图像显示方法、显示设备、外围感测电路和像素驱动电路，它们基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。在一个方面，本公开提供了一种像素驱动电路。在一些实施例中，像素驱动电路包括存储电容器；驱动晶体管；以及感测晶体管，感测晶体管具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到相应发光元件的阳极的源极、以及连接到相应感测信号线的漏极。可选地，感测晶体管被配置为在相应发光元件的阳极被初始电压信号充电达第一时间段、并且在所述初始电压信号停止时被允许放电达第二时间段之后，获得所述阳极处的残余电压信号。
在本阵列基板中可以使用各种适当的像素驱动电路。适当的驱动电路的示例包括3T1C、2T1C、4T1C、4T2C、5T2C、6T1C、7T1C、7T2C、8T1C和8T2C。在一些实施例中，多个像素驱动电路中的各个像素驱动电路是8T1C驱动电路。在本阵列基板中可以使用各种适当的发光元件。适当的发光元件的示例包括有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。可选地，发光元件为微发光二极管。可选地，发光元件是包括有机发光层的有机发光二极管。
图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的平面图。参照图1，阵列基板包括子像素Sp的阵列。每个子像素包括电子元件，例如发光元件。在一个示例中，发光元件由相应像素驱动电路PDC驱动。阵列基板包括多个栅线GL、多个数据线DL、多个感测信号线SL、多个电压供应线Vdd(例如，高电压供应线Vdd)和各个第二电压供应线(例如，低电压供应线Vss)，它们中的每个电连接到相应的像素驱动电路PDC。各个子像素sp的发光由相应像素驱动电路PDC驱动。在一个示例中，高电压信号(例如VDD信号)通过高电压供应线Vdd输入到连接至发光元件的阳极的相应像素驱动电路PDC；低电压信号(例如，VSS信号)通过低电压供应线Vss输入到发光元件的阴极。高电压信号(例如VDD信号)和低电压信号(例如VSS信号)之间的电压差是驱动电压ΔV，其驱动发光元件发光。根据本公开的阵列基板包括多个感测信号线SL，其分别连接到在多个像素驱动电路中的感测子电路。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的像素驱动电路的结构的电路图。参照图2，在一些实施例中，像素驱动电路包括驱动晶体管Td；具有第一电容器电极Ce1和第二电容器电极Ce2的存储电容器Cst；第一晶体管T1，其具有连接到第一重置控制信号线rst1的栅极、连接到第一重置信号线Vint1的源极、以及连接到存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1和驱动晶体管Td的栅极的漏极；第二晶体管T2，其具有连接到栅线GL的栅极、连接到数据线DL的源极、和连接到驱动晶体管Td的源极的漏极；第三晶体管T3，其栅极连接到栅线GL、源极连接到存储电容器Cst的第一电容器电极Ce1和驱动晶体管Td的栅极、以及漏极连接到驱动晶体管Td的漏极；第四晶体管T4，其栅极连接到发光控制信号线em、源极连接到电压供应线Vdd、以及漏极连接到驱动晶体管Td的源极和第二晶体管T2的漏极；第五晶体管T5，其具有连接到发光控制信号线em的栅极、连接到驱动晶体管Td的漏极和第三晶体管T3的漏极的源极、以及连接到发光元件LE的阳极的漏极；以及第六晶体管T6，其具有连接到第二重置控制信号线rst2的栅极、连接到第二重置信号线Vint2的源极、以及连接到第五晶体管的漏极和发光元件LE的阳极的漏极。第二电容器电极Ce2连接至电压供应线Vdd与第四晶体管T4的源极。像素驱动电路还包括感测晶体管Ts，该感测晶体管Ts具有连接到多个感测控制信号线SCL中的相应感测控制信号线的栅极、连接到相应发光元件LE的阳极的源极、以及连接到相应感测信号线SL的漏极。
像素驱动电路还包括第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3以及第四节点N4。第一节点N1连接至驱动晶体管Td的栅极、第一电容器电极Ce1以及第三晶体管T3的源极。第二节点N2连接至第四晶体管T4的漏极、第二晶体管T2的漏极及驱动晶体管Td的源极。第三节点N3连接至驱动晶体管Td的漏极、第三晶体管T3的漏极和第五晶体管T5的源极。第四节点N4连接至第五晶体管T5的漏极、第六晶体管T6的漏极、感测晶体管Ts的漏极和发光元件LE的阳极。
图3A是示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板的各个子像素的结构的图。参照图3A，在一些实施例中，阵列基板包括多个子像素(例如，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素)。在一些实施例中，阵列基板包括分别沿第一方向DR1延伸的多条栅线GL、分别沿第二方向DR2延伸的多条数据线DL；以及分别沿第二方向DR2延伸的多个电压供应线Vdd。可选地，阵列基板还包括分别沿第一方向DR1延伸的多条重置控制信号线(其包括当前级的重置控制信号线rstN和下一级的重置控制信号线rst(N+1))；分别沿第一方向DR1延伸的多条重置信号线(其包括当前级的重置信号线VintN和下一级的重置信号线Vinit(N+1))；以及分别沿第一方向DR1延伸的多个发光控制信号线em。图3A中描绘了像素驱动电路中的多个晶体管的对应位置。像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、感测晶体管Ts以及驱动晶体管Td。
图3B是示出了图3A中所示的阵列基板的各个子像素中的半导体材料层的结构的图。图3C是示出了图3A所示的阵列基板的各个子像素中的第一导电层的结构的图。图3D是示出了图3A所示的阵列基板的各个子像素中的第二导电层的结构的图。图3E是示出图3A所示的阵列基板的各个子像素中的信号线层的结构的图。图4A是沿图3A中的A-A'线的截面图。图4B是沿图3A中的B-B'线的截面图。参照图3A至图3E以及图4A至图4B，在一些实施例中，阵列基板包括基底基板BS，基底基板BS上的半导体材料层SML，位于半导体材料层SML的远离基底基板BS的一侧的栅极绝缘层GI，位于栅极绝缘层GI的远离半导体材料层SML的一侧的第一导电层，位于第一导电层的远离栅极绝缘层GI的一侧的绝缘层IN，位于绝缘层IN的远离第一导电层的一侧的第二导电层，位于第二导电层的远离绝缘层IN的一侧的层间电介质层ILD，位于层间电介质层ILD的远离第二导电层的一侧的信号线层，位于信号线层的远离层间电介质层ILD的一侧的第一平坦化层PLN1。
参照图2、图3A和图3B，在一些实施例中，在各个子像素sp中，半导体材料层具有整体结构(unitary structure)。在图3B中，各个子像素sp标注有标记，其指示与各个像素驱动电路中的多个晶体管相对应的区域，这些晶体管包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、感测晶体管Ts以及驱动晶体管Td。各个子像素sp还标注有标记，其指示像素驱动电路中的多个晶体管中的每一个的组件。例如，第一晶体管T1包括有源层ACT1、源极S1、和漏极D1。第二晶体管T2包括有源层ACT2、源极S2、和漏极D2。第三晶体管T3包括有源层ACT3、源极S3和漏极D3。第四晶体管T4包括有源层ACT4、源极S4和漏极D4。第五晶体管T5包括有源层ACT5、源极S5和漏极D5。第六晶体管T6包括有源层ACT6、源极S6和漏极D6。感测晶体管Ts包括有源层ACTs、源极Ss和漏极Ds。驱动晶体管Td包括有源层ACTd、源极Sd和漏极Dd。在一个示例中，在各个子像素sp中的晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6、Ts和Td)的有源层(ACT1、ACT2、ACT3、ACT4、ACT5、ACT6、ACTs和ACTd)、源极(S1、S2、S3、S4、S5、S6、Ss和Sd)以及漏极(D1、D2、D3、D4、D5、D6、Ds和Dd)是各个子像素中的整体结构的一部分。在另一示例中，晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6、Ts和Td)的有源层(ACT1、ACT2、ACT3、ACT4、ACT5、ACT6、ACTs和ACTd)、源极(S1、S2、S3、S4、S5、S6、Ss和Sd)和漏极(D1、D2、D3、D4、D5、D6、Ds和Dd)在同一层中。
如在此所使用的，有源层是指包括半导体材料层的至少一部分的晶体管的组件，该半导体材料层的至少一部分在基底基板上的正投影与栅极在基底基板上的正投影重叠。如这里所使用的，源极指的是连接到有源层的一侧的晶体管的组件，漏极指的是连接到有源层的另一侧的晶体管的组件。在双栅极型晶体管(例如，第三晶体管T3)的情况下，有源层是指包括半导体材料层的第一部分、半导体材料层的第二部分、和在第一部分与第二部分之间的第三部分的晶体管的组件，半导体材料层的第一部分在基底基板上的正投影与第一栅极在基底基板上的正投影重叠，半导体材料层的第二部分在基底基板上的正投影与第二栅极在基底基板上的正投影重叠。在双栅极型晶体管的情况中，源极是指晶体管的连接到第一部分的远离第三部分的一侧的组件，且漏极是指晶体管的连接到第二部分的远离第三部分的一侧的组件。
参照图2、图3A、图3C、图4A以及图4B，在一些实施例中，第一导电层包括多个栅线GL、多个重置控制信号线(其包括当前级的重置控制信号线rstN和下一级的重置控制信号线rst(N+1))；多个发光控制信号线em和储存电容器Cst的第一电容器电极Ce1。各种适当的电极材料和各种适当的制造方法可以用于制造第一导电层。例如，导电材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上并被图案化。用于制造第一导电层的适当的导电材料的示例包括但不限于铝、铜、钼、铬、铝铜合金、铜钼合金、钼铝合金、铝铬合金、铜铬合金、钼铬合金、铜钼铝合金等。可选地，多个栅线GL、多个重置控制信号线；多个发光控制信号线em和第一电容器电极Ce1位于同一层中。
如本文所用，术语“同一层”是指在同一步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当多个栅线GL和第一电容器电极Ce1是由同一材料层中进行的同一图案化工艺的一或多个步骤所形成时，多个栅线GL和第一电容器电极Ce1位于同一层中。在另一示例中，通过同时执行形成多个栅线GL的步骤和形成第一电容器电极Ce1的步骤，多个栅线GL和第一电容器电极Ce1可形成于同一层中。术语“同一层”并不总是意味着在截面图中该层的厚度或该层的高度是相同的。
参照图2、图3A与图3D，在一些实施例中，第二导电层包括多条重置信号线(其包括当前级的重置信号线VintN和下一级的重置信号线Vinit(N+1))，以及储存电容器Cst的第二电容器电极Ce2。各种适当的导电材料和各种适当的制造方法可以用于制造第二导电层。例如，导电材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上并被图案化。用于制造第二导电层的适当的导电材料的示例包括但不限于铝、铜、钼、铬、铝铜合金、铜钼合金、钼铝合金、铝铬合金、铜铬合金、钼铬合金、铜钼铝合金等。可选地，多条重置信号线和第二电容器电极Ce2位于同一层中。
参照图2、图3A、图3B和图3E，在一些实施例中，信号线层包括多条电压供应线Vdd、多条数据线DL、多条感测信号线SL、节点连接线Cln、第一初始化连接线Cli1、第二初始化连接线Cli2和阳极接触焊盘ACP。节点连接线Cln将第一电容器电极Ce1和各个子像素sp中的第三晶体管T3的源极连接在一起。第一初始化连接线Cli1将多个重置信号线中的相应一个(例如，当前级的重置信号线VintN)和相应子像素sp中的第一晶体管T1的源极连接在一起。第二初始化连接线Cli2将多个重置信号线中的相应一个(例如，下一级的重置信号线Vinit(N+1))和相应子像素sp中的第六晶体管T6的源极连接在一起。阳极接触焊盘ACP将各个子像素sp中的第五晶体管T5的源极连接到各个子像素sp中的阳极。各种适当的导电材料和各种适当的制造方法可以用于制造信号线层。例如，导电材料可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积在基板上并被图案化。用于制造第一信号线层的适当导电材料的示例包括但不限于铝、铜、钼、铬、铝铜合金、铜钼合金、钼铝合金、铝铬合金、铜铬合金、钼铬合金、铜钼铝合金等。可选地，多条电压供应线Vdd、多条数据线DL、多条感测信号线SL、节点连接线Cln、第一初始化连接线Cli1、第二初始化连接线Cli2和阳极接触焊盘ACP位于同一层中。
图4C是沿图3A中的C-C'线的截面图。参照图2A、图3E和图4C，在一些实施例中，第一初始化连接线Cli1将当前级的重置信号线VintN与相应子像素中的第一晶体管T1的源极S1连接在一起。当前级的重置信号线VintN经配置以通过第一初始化连接线Cli1将重置信号提供到相应子像素中的第一晶体管T1的源极S1。可选地，第一初始化连接线Cli1通过延伸穿过层间电介质层ILD的第九通孔v9连接到当前级的重置信号线VintN。可选地，第一初始化连接线Cli1通过延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN和栅极绝缘层GI的第八通孔v8连接到相应子像素中的第一晶体管T1的源极S1。
参照图2、图3A、图3E与图4B，在一些实施例中，第二初始化连接线Cli2将下一级的重置信号线Vinit(N+1)与相应子像素中的第六晶体管T6的源极S6连接在一起。下一级的重置信号线Vinit(N+1)被配置为通过第二初始化连接线Cli2向相应子像素中的第六晶体管T6的源极S6提供重置信号。可选地，第二初始化连接线Cli2通过延伸穿过层间电介质层ILD的第七通孔v7连接到下一级的重置信号线Vinit(N+1)。可选地，第二初始化连接线Cli2通过延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN和栅极绝缘层GI的第六通孔v6连接到相应子像素中的第六晶体管T6的源极S6。
参照图2A、图3A、图3C、图3D与图4A，在一些实施例中，除了其中不存在第二电容器电极Ce2的一部分的孔区域H外，第二电容器电极Ce2在基底基板BS上的正投影完全覆盖第一电容器电极Ce1在基底基板BS上的正投影，并留有余量。在一些实施例中，信号线层包括节点连接线Cln，其位于层间电介质层ILD的远离第二电容器电极Ce2的一侧。节点连接线Cln与多条电压供应线Vdd和多条数据线DL在同一层中。可选地，所述阵列基板还包括在所述孔区域H中且延伸穿过层间介质层ILD和绝缘层IN的第一通孔v1。可选地，节点连接线Cln通过第一通孔v1连接到第一电容器电极Ce1。在一些实施例中，第一电容器电极Ce1位于栅极绝缘层IN的远离基底基板BS的一侧。可选地，阵列基板还包括第一通孔v1和第二通孔v2。第一通孔v1在孔区域H中，并延伸穿过层间电介质层ILD和绝缘层IN。第二通孔v2延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN和栅极绝缘层GI。可选地，节点连接线Cln通过第一通孔v1连接到第一电容器电极Ce1，并且连接节点连接线Cln通过第二通孔v2连接到半导体材料层SML。可选地，节点连接线Cln连接至第三晶体管的源极S3，如图4A所示。
参照图2A、图3A、图3D与图4B，在一些实施例中，多条感测信号线SL中的各条通过延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN与栅极绝缘层GI的第三通孔v3连接至感测晶体管Ts的漏极Ds。可选地，感测晶体管Ts被配置为在各个子像素中的各个发光元件的阳极被初始电压信号充电达第一时间段并且在初始电压信号停止时被允许放电达第二时间段之后，获得阳极处的残余电压信号。可选地，多个感测信号线SL中的各条被配置为将残余电压信号发送到集成电路。可选地，在随后的图像显示阶段中，集成电路被配置为基于残余电压差来补偿在随后的图像显示阶段中提供给各个子像素的数据信号。如在此所使用的，术语“随后的图像显示阶段”可以是紧接的下一图像显示阶段，但不限于紧接的下一图像显示阶段。“随后的图像显示阶段”可以是当前图像显示阶段之后的任何图像显示阶段。
参考图2A、图3A、图3D和图4B，在一些实施例中，阳极接触焊盘ACP通过延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN和栅极绝缘层GI的第四通孔v4连接到感测晶体管Ts的源极Ss，并且通过延伸穿过层间电介质层ILD、绝缘层IN和栅极绝缘层GI的第五通孔v5连接到第六晶体管T6的漏极D6。阳极接触焊盘ACP穿过多个感测控制信号线SCL中的各个感测控制信号线。在一个示例中，阳极接触焊盘ACP实质上沿着第二方向DR2延伸，且多个感测控制信号线SCL中的各个感测控制信号线实质上沿着第一方向DR1延伸。如图4B所示，阳极接触焊盘ACP在基底基板BS上的正投影与多个感测控制信号线SCL中的各个感测控制信号线在基底基板BS上的正投影部分重叠。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备。在一些实施例中，显示设备包括多个像素驱动电路；多条感测信号线；以及集成电路。可选地，各个像素驱动电路PDC包括感测子电路Ts，其被配置为获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号。可选地，各个感测信号线被配置为将残余电压信号发送到集成电路。可选地，集成电路被配置为基于残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差来补偿在随后的图像显示阶段中提供给各个子像素的数据信号。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。参照图5，在一些实施例中，显示设备包括显示区域DA和周边区域PA。在一些实施例中，显示设备包括连接到周边区域PA的集成电路IC、延伸到显示区域DA中并连接到多列子像素的多条感测信号线SL。多条感测信号线SL通过外围感测电路PSC连接到集成电路IC。如本文所使用，术语“周边区域”是指显示设备的其中设置各种电路和导线以将信号发送到显示基板的区域。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明部件或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框架)可以被布置在周边区域中而不是布置在显示区域中。如这里所使用的，术语“显示区域”是指显示设备的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，例如，与液晶显示器中的像素电极相对应的区域或与有机发光二极管显示面板中的发光层相对应的区域。子像素间区域是指相邻子像素区域之间的区域，例如与液晶显示器中的黑矩阵相对应的区域或与有机发光二极管显示面板中的像素限定层相对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是两个相邻像素中的两个相邻子像素区域之间的区域。
在一些实施例中，集成电路IC是数据驱动集成电路，显示设备还包括多条数据线DL，其延伸到显示区域DA中并且连接到多列子像素。多条数据线DL通过外围感测电路PSC连接到集成电路IC。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。如图6所示，在一些实施例中，各个像素驱动电路PDC包括感测子电路Scc，该感测子电路Scc被配置为获得各个子像素中的各个发光元件的阳极处的残余电压信号。多条感测信号线SL中的各个感测信号线被配置为将残余电压信号发送到集成电路IC。集成电路IC被配置为基于残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，来补偿在随后的图像显示阶段中提供给各个子像素的数据信号。
在一些实施例中，感测子电路Scc包括感测晶体管Ts，该感测晶体管Ts具有连接到多条感测控制信号线SCL中的相应感测控制信号线的栅极、连接到相应发光元件的阳极的源极、以及连接到多条感测信号线SL中的相应感测信号线的漏极。如图6所示，感测晶体管Ts的漏极连接到相应像素驱动电路PDC中的第四节点N4。在一个示例中，第四节点N4连接至第五晶体管T5的漏极、第六晶体管T6的漏极、感测晶体管Ts的漏极、以及发光元件LE的阳极。
随着显示设备的使用，显示设备中的发光元件(例如，有机发光二极管)的发光效率随着时间而降低，导致提供给发光元件的同一数据信号的亮度降低。观察到不同颜色的子像素分别具有以不同程度降低的发光效率。例如，与红色发光元件和绿色发光元件相比，蓝色发光元件的发光效率降低最大，导致图像显示中的色移。
本发明提供一种新颖的像素驱动电路，其能够分别感测到不同颜色的各个发光元件中的发光效率的降低。集成电路基于由像素驱动电路检测到的信号，可以补偿提供给各个发光元件的数据信号，以修正亮度降低和色移问题。
因此，在另一方面，本公开提供了一种显示设备中的图像显示方法。在一些实施例中，显示设备中的图像显示包括图像显示阶段和感测阶段。在图像显示阶段，显示设备显示一帧图像，例如，在图像显示阶段显示各个子像素中的子像素图像。在一些实施例中，在图像显示阶段之后的感测阶段，该方法包括：向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号达第一时间段；在所述初始电压信号停止时，允许各个发光元件的所述阳极放电达第二时间段；在所述第二时间段结束时，通过各个像素驱动电路的感测子电路获得各个发光元件的所述阳极处的残余电压信号；以及将所述残余电压信号发送到集成电路。可选地，在随后的图像显示阶段，该方法还包括：基于残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，由集成电路补偿在随后的图像显示阶段中提供给各个子像素的数据信号。
图7是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。参考图2和图7，在一些实施例中，图像显示阶段包括初始子阶段t0、重置子阶段t1、数据写入子阶段t2和发光子阶段t3。在初始子阶段t0，通过当前级的重置控制信号线rstN将截止重置控制信号提供给第一晶体管T1的栅极，以截止第一晶体管T1。在初始子阶段t0，栅线GL被提供有截止信号，因此第二晶体管T2和第三晶体管T3截止。
在重置子阶段t1，导通重置控制信号通过当前级的重置控制信号线rstN被提供至第一晶体管T1的栅极以导通第一晶体管T1；允许初始电压信号从第一晶体管T1的源极传递至第一晶体管T1的漏极，且接着传递至第二电容器电极Ce2和驱动晶体管Td的栅极。驱动晶体管Td的栅极被初始化。第一电容器电极Ce1从电压供应线Vdd接收高电压信号。由于第一电容器电极Ce1与第二电容器电极Ce2之间的电压差增加，第二电容器电极Ce2在重置子阶段t1中被充电。在重置子阶段t1，栅线GL被提供有截止信号，因此第二晶体管T2与第三晶体管T3截止。发光控制信号线em被提供有高电压信号以截止第四晶体管T4和第五晶体管T5。
在数据写入子阶段t2，再次通过当前级的重置控制信号线rstN将截止重置控制信号提供给第一晶体管T1的栅极，以截止第一晶体管T1。栅线GL被提供有导通信号，因此第二晶体管T2与第三晶体管T3导通。驱动晶体管Td的栅极和漏极分别与第三晶体管T3的源极和漏极相连。由于第三晶体管T3在数据写入子阶段t2被导通，驱动晶体管Td的栅极和漏极连接并短路，仅有驱动晶体管Td的栅极和源极之间的PN结有效，从而使驱动晶体管Td为二极管连接模式。第二晶体管T2在数据写入子阶段t2被导通。通过数据线DL发送的数据电压信号由第二晶体管T2的源极接收，并接着被发送到驱动晶体管Td的源极，该源极连接到第二晶体管T2的漏极。连接至驱动晶体管Td的源极的节点N2具有数据电压信号的电压电平。由于仅有驱动晶体管Td的栅极和源极之间的PN结有效，因此，在数据写入子阶段t2，N1节点处的电压电平逐渐增加至(Vdata+Vth)，其中，Vdata为数据电压信号的电压电平，Vth为PN结的阈值电压Th的电压电平。因为第一电容器电极Ce1和第二电容器电极Ce2之间的电压差降低到相对小的值，所以存储电容器Cst放电。发光控制信号线em被提供有高电压信号，以截止第四晶体管T4和第五晶体管T5。
在发光子阶段t3，再次通过当前级的重置控制信号线rstN将截止重置控制信号提供给第一晶体管T1的栅极，以截止第一晶体管T1。栅线GL被提供有截止信号，第二晶体管T2与第三晶体管T3截止。发光控制信号线em被提供低电压信号以导通第四晶体管T4和第五晶体管T5。在发光子阶段t3，节点N1的电压电平维持在(Vdata+Vth)，驱动晶体管Td被该电压电平导通，且工作在饱和区。形成通过第四晶体管T4、驱动晶体管Td、第五晶体管T5至发光元件LE的路径。驱动晶体管Td生成驱动电流，用于驱动发光元件LE发光。在连接到驱动晶体管Td的漏极的节点N3处的电压电平等于发光元件LE的发光电压。
在图像显示阶段，感测晶体管Ts保持截止。在图像显示阶段期间，截止信号Voff总是通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条被提供至感测晶体管Ts的栅极。
图8是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。图9示出根据本公开的一些实施例中的在显示设备中获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号的过程。在一些实施例中，感测阶段包括充电子阶段t4和放电子阶段t5。充电子阶段t4持续第一时间段，放电子阶段t5持续第二时间段。在感测阶段，第一晶体管T1保持截止。通过当前级的重置控制信号线rstN将截止重置控制信号提供给第一晶体管T1的栅极，以截止第一晶体管T1。
参考图9，在充电子阶段t4，在一些实施例中，该方法包括向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号V0达第一时间段。在放电子阶段t5，在一些实施例中，该方法包括在初始电压信号V0停止时，允许各个发光元件的阳极放电达第二时间段；在第二时间段结束时，各个像素驱动电路的感测子电路获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号V1；将所述残余电压信号V1发送给集成电路。
在一些实施例中，该方法还包括在随后的图像显示阶段，集成电路基于残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，补偿在随后的图像显示阶段中提供给各个子像素的数据信号。参考图9，在一个示例中，残余电压信号的值V1与参考残余电压的值V1’之间的残余电压差ΔV。在一个示例中，参考残余电压V1'可以是在较早时间点(例如，在首次使用显示设备时的初始时间或在完成显示设备的制造时的时间)测量的残余电压信号的值。
在一个示例中，可以将包含与各种残余电压差相对应的各种补偿值的查找表存储在集成电路中。集成电路被配置为基于残余电压差ΔV和查找表来补偿数据信号。
参照图2、图8和图9，在感测阶段，通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条将导通信号Von提供至感测晶体管Ts的栅极，以导通感测晶体管Ts，以允许各个发光元件LE的阳极处的残余电压信号V1通过感测晶体管Ts，并通过各个感测信号线SL发送至集成电路。在感测阶段结束时，通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供截止信号Voff，以截止感测晶体管Ts。在感测阶段结束时，测量残余电压信号V1的值。基于显示设备的类型和初始电压信号V0的值，可使用各种适当的第二时间段。在一个示例中，第二时间段在几十微秒到几千微秒的范围内。
可以使用各种适当的方法来向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号V0。在一些实施例中，提供初始电压信号包括：将初始电压信号提供给各个像素驱动电路中的重置晶体管的源极，重置晶体管的漏极连接到相应发光元件的阳极；以及向重置晶体管的栅极提供重置控制信号以导通重置晶体管达第一时间段。参照图2、图8和图9，导通重置控制信号通过下一级的重置控制信号线rst(N+1)提供给第六晶体管T6的栅极，以导通第六晶体管T6达第一时间段。(例如，从当前级的重置信号线VintN发送的)初始电压信号被提供给第六晶体管T6的源极。导通第六晶体管T6达第一时间段，以允许初始电压信号从第六晶体管T6的源极传递到第六晶体管T6的漏极，并传递到各个发光元件LE的阳极。
如图3A和图3D所示，重置信号线位于第二导电层中(例如，与第二电容器电极Ce2位于同一层中)。通常，第二导电层中的信号线与第一信号线层相比具有相对较大的电阻(见图3E)。由于重置信号线中的相对较大的负载，发送到显示设备的中心区域中的子像素的初始电压信号V0可能不同于发送到显示设备的边缘区域中的子像素的初始电压信号V0，导致发送到显示设备的不同区域的初始电压信号不均匀。
在一些实施例中，参考图2，提供初始电压信号包括：通过各个感测信号线将初始电压信号提供给感测子电路中的感测晶体管Ts的漏极，感测晶体管Ts的源极连接到相应发光元件LE的阳极；以及通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条将感测控制信号提供给感测晶体管Ts的栅极，以导通感测晶体管Ts达第一时间段。如图3E所示，多条感测信号线SL位于第一信号线层中，与第二导电层相比，第一信号线层的电阻相对较小。由于多条感测信号线SL中的负载相对较小，因此发送至显示设备的不同区域的初始电压信号更均匀。
参照图5和图6，在一些实施例中，显示设备还包括参考信号线Vref；第一参考控制信号线Ref-sw1；以及多个第一参考晶体管Trf1，多个第一参考晶体管Trf1的源极分别连接至参考信号线Vref，多个第一参考晶体管Trf1的漏极分别连接至多个感测信号线SL，多个第一参考晶体管Trf1的栅极分别连接至第一参考控制信号线Ref-sw1。
图10是在根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。参见图2、图5、图6和图10，在充电子阶段t4，通过第一参考控制信号线Ref-sw1向多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个的栅极提供导通控制信号，以使多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个导通达第一时间段。(例如，从参考信号线Vref发送的)初始电压信号被提供给多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个的源极。多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个被导通达第一时间段，从而允许初始电压信号从多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个的源极传递到多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个的漏极，传递到多个感测信号线SL中的相应一个。通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供导通信号Von，以导通感测晶体管Ts，以允许初始电压信号从感测晶体管Ts的漏极传递到感测晶体管Ts的源极，并且进而传递到各个发光元件LE的阳极。
在放电子阶段t5，导通信号Von通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条被提供到感测晶体管Ts的栅极，以导通感测晶体管Ts，以允许在各个发光元件LE的阳极处的残余电压信号V1通过感测晶体管Ts并通过各个感测信号线SL被发送到集成电路。在感测阶段结束时，通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供截止信号Voff，以截止感测晶体管Ts。在感测阶段结束时，测量残余电压信号V1的值。
图11是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。图12是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。参照图11和图12，在一些实施例中，显示设备还包括参考信号线Vref；第一参考控制信号线Ref-sw1；第二参考控制信号线Ref-sw2；多个第一参考晶体管Trf1，多个第一参考晶体管Trf1的源极分别连接至参考信号线Vref，多个第一参考晶体管Trf1的漏极分别连接至多个感测信号线SL，多个第一参考晶体管Trf1的栅极分别连接至第一参考控制信号线Ref-sw1；以及多个第二参考晶体管Trf2，多个第二参考晶体管Trf2的源极分别连接至参考信号线Vref，多个第二参考晶体管Trf2的漏极分别连接至多个感测信号线SL，多个第二参考晶体管Trf2的栅极分别连接至第二参考控制信号线Ref-sw2。
在一些实施例中，提供初始电压信号还包括：通过参考信号线将初始电压信号提供给第一参考晶体管的源极和第二参考晶体管的源极，第一参考晶体管的漏极和第二参考晶体管的漏极通过各个感测信号线连接到感测晶体管的源极；以及向第一参考晶体管的栅极或第二参考晶体管的栅极或两者提供参考控制信号，以导通第一参考晶体管或第二参考晶体管或两者达第一时间段。
图13是在根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。参见图2、图11、图12和图13，在充电子阶段t4，通过第二参考控制信号线Ref-sw2向多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的栅极提供导通控制信号，以在第一时间段内导通多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个。(例如，从参考信号线Vref发送的)初始电压信号被提供给多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的源极。多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个被导通达第一时间段，从而允许初始电压信号从多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的源极传递到多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的漏极，传递到多个感测信号线SL中的相应一个。通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供导通信号Von，以导通感测晶体管Ts，以允许初始电压信号从感测晶体管Ts的漏极传递到感测晶体管Ts的源极，并且进而传递到各个发光元件LE的阳极。
在放电子阶段t5，导通信号Von通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条被提供到感测晶体管Ts的栅极，以导通感测晶体管Ts，以允许在各个发光元件LE的阳极处的残余电压信号V1通过感测晶体管Ts并通过各个感测信号线SL被发送到集成电路。在感测阶段结束时，通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供截止信号Voff，以截止感测晶体管Ts。在感测阶段结束时，测量残余电压信号V1的值。
在一些实施例中，参考信号线Vref与多条数据线位于同一层。在一个示例中，参考信号线Vref位于第一信号线层中，与第二导电层相比，第一信号线层具有相对较小的电阻。由于参考信号线Vref中加载了相对较小的负载，发送到显示设备的不同区域的初始电压信号更均匀。
在一些实施例中，显示设备还包括N个感测多路复用器，N≥2。N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多个感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到集成电路。参考图5、图6、图11和图12，在一些实施例中，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2和第三感测多路复用器Smux3。第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2以及第三感测多路复用器Smux3被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条感测信号线SL将分别来自多列子像素的残余电压信号传输至集成电路IC。
在一些实施例中，用于图像显示的方法还包括：通过N个感测多路复用器(N≥2)将分别来自多列子像素的残余电压信号发送到集成电路IC，N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条感测信号线SL将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到集成电路IC。
图14是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。图14为操作图5与图6所示的显示设备的时序图。参照图5、图6和图14，N个感测多路复用器控制信号线被提供有高电压信号(例如，截止信号)，以截止N个感测多路复用器。N个感测多路复用器控制信号线中的相应一个连接到N个感测多路复用器中的相应一个中的晶体管的栅极。提供到所述N个感测多路复用器控制信号线中的相应一个的截止信号截止N个感测多路复用器中的相应一个中的晶体管。在一个示例中，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2和第三感测多路复用器Smux3；N个感测多路复用器控制信号线包括第一感测多路复用器控制信号线Smuxc1、第二感测多路复用器控制信号线Smuxc2和第三感测多路复用器控制信号线Smuxc3。
在图像显示阶段，参照图5、图6和图14，感测晶体管Ts维持截止。在图像显示阶段期间，截止信号Voff总是通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条被提供至感测晶体管Ts的栅极。
在图像显示阶段，参照图5、图6和图14，参考信号线Vref被配置为提供参考电压信号(例如，上述初始电压信号V0)至多条感测信号线SL，以避免多条感测信号线SL处于浮接状态。因此，在图像显示阶段，第一参考控制信号线Ref-sw1提供有低电压信号(例如，导通信号)以导通多个第一参考晶体管Trf1。因为多个第一参考晶体管Trf1是一直导通的，所以多个第一参考晶体管Trf1的阈值电压可能因为负偏置温度应力(NBTS)效应而具有负偏移，这影响被发送至多个感测信号线SL的参考电压信号。为了避免此问题，显示设备可进一步包括多个第二参考晶体管Trf2和第二参考控制信号线Ref-sw2。多个第一参考晶体管Trf1和多个第二参考晶体管Trf2以包括第一模式和第二模式的时分驱动模式操作。在第一模式中，多个第一参考晶体管Trf1经配置以导通，且多个第二参考晶体管Trf2经配置以截止。在第二模式中，多个第一参考晶体管Trf1经配置以截止，且多个第二参考晶体管Trf2经配置以导通。
图15是根据本公开的一些实施例中在图像显示阶段中操作显示设备的时序图。图15为操作图11和图12所示的显示设备的时序图。参照图11、图12和图15，多个第一参考晶体管Trf1和多个第二参考晶体管Trf2以分时驱动模式来操作。图15示出第二模式，在第二模式中，多个第一参考晶体管Trf1经配置以截止，且多个第二参考晶体管Trf2经配置以导通。
在一些实施例中，集成电路是数据驱动集成电路。该显示设备进一步包括M个数据多路复用器，M≥2；以及分别连接到多列子像素的多条数据线。M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条数据线将数据信号分别传输到多列子像素。参考图5、图6、图11和图12，在一些实施例中，M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器Dmux1和第二数据多路复用器Dmux2。第一数据多路复用器Dmux1和第二数据多路复用器Dmux2被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条数据线SL分别向多列子像素传输数据信号。
参照图5、图6、图11、图12，在一些实施例中，显示设备还包括多条引线LL，其分别连接至集成电路IC。多条引线LL分别连接到集成电路IC中的多个接合引脚(例如，端口1、端口2、端口3、......)。多条引线LL中的相应引线连接到分别来自所述N个感测多路复用器中的至少两个不同的感测多路复用器的至少两个开关晶体管的源极，且连接到分别来自所述M个数据多路复用器中的至少两个不同的数据多路复用器的至少两个开关晶体管的源极。
在一些实施例中，用于图像显示的方法还包括：通过M个数据多路复用器(M≥2)将数据信号从集成电路分别发送到多列子像素，M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许数据信号分别通过多条数据线分别传输到多列子像素。
参照图5、图6、图11、图12、图14和图15，在图像显示阶段，M个数据多路复用器控制信号线按时间顺序被提供有低电压信号(例如，导通信号)，以按时间顺序导通M个数据多路复用器。M个数据多路复用器控制信号线中的相应一个连接到M条数据多路复用器中的相应一个中的晶体管的栅极。提供到所述M个数据多路复用器控制信号线中的所述相应一个的所述导通信号导通所述M个数据多路复用器中的所述相应一个中的所述晶体管。在一个示例中，所述M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器Dmux1和第二数据多路复用器Dmux2；M个数据多路复用器控制信号线包括第一数据多路复用器控制信号线Dmuxc1和第二数据多路复用器控制信号线Dmuxc2。
图16是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。图17是根据本公开的一些实施例中在感测阶段中操作显示设备的时序图。参考图16和图17，在一些实施例中，感测阶段包括充电子阶段t4、放电子阶段t5和检测子阶段t6。
图16为操作图11和图12所示的显示设备的时序图。图16示出了通过各个像素驱动电路的第六晶体管提供初始电压信号的示例。参照图2、图11、图12和图16，在充电子阶段t4，导通重置控制信号通过下一级的重置控制信号线rst(N+1)提供至第六晶体管T6的栅极，以在第一时间段内导通第六晶体管T6。(例如，从当前级的重置信号线VintN发送的)初始电压信号被提供给第六晶体管T6的源极。第六晶体管T6导通达第一时间段，以允许初始电压信号从第六晶体管T6的源极传递到第六晶体管T6的漏极，并传递到各个发光元件LE的阳极。
图17为操作图11和图12所示的显示设备的时序图。图17示出了通过感测子电路中的感测晶体管经由各个感测信号线提供初始电压信号的示例。参见图2、图11、图12和图17，在充电子阶段t4，通过第二参考控制信号线Ref-sw2向多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的栅极提供导通控制信号，以在第一时间段内导通多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个。(例如，从参考信号线Vref发送的)初始电压信号被提供给多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的源极。多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个被导通达第一时间段，从而允许初始电压信号从多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的源极传递到多个第二参考晶体管Trf2中的相应一个的漏极，传递到多个感测信号线SL中的相应一个。通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供导通信号Von，以导通感测晶体管Ts，以允许初始电压信号从感测晶体管Ts的漏极传递到感测晶体管Ts的源极，并且进而传递到各个发光元件LE的阳极。
参照图5、图6、图11、图12、图16和图17，在一些实施例中，在检测子阶段t6，N个感测多路复用器控制信号线(例如，第一感测多路复用器控制信号线Smuxc1、第二感测多路复用器控制信号线Smuxc2和第三感测多路复用器控制信号线Smuxc3)按时间顺序被提供有导通电压信号，以按时间顺序导通N个感测多路复用器(例如，第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2和第三感测多路复用器Smux3)，以允许分别通过多条感测信号线SL将来自多列子像素的残余电压信号传输至集成电路IC。在检测子阶段t6，通过多条感测控制信号线SCL中的相应一条向感测晶体管Ts的栅极提供导通信号Von，以导通感测晶体管Ts，从而允许残余电压信号从各个子像素中的感测晶体管Ts传递到集成电路。
图18是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。参考图18，在一些实施例中，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2和第三感测多路复用器Smux3。第一感测多路复用器Smux1被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色C1的第一列子像素的第一残余电压信号传输到集成电路IC。第二感测多路复用器Smux2被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色C2的第二列子像素的第二残余电压信号传输到集成电路IC。第三感测多路复用器Smux3被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色C3的第三列子像素的第三残余电压信号传输到集成电路IC。可选地，第一颜色C1、第二颜色C2和第三颜色C3是选自红色、绿色和蓝色的三种不同颜色。
在一些实施例中，M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器Dmux1和第二数据多路复用器Dmux2。第一数据多路复用器Dmux1被配置为被导通，以允许数据信号分别传输到奇数列子像素。第二数据多路复用器Dmux2被配置为被导通，以允许数据信号分别传输到偶数列子像素。
在一些实施例中，显示设备还包括分别连接到集成电路IC的多条引线LL。多条引线LL中的各个引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器Smux1、所述第二感测多路复用器Smux2和所述第三感测多路复用器Smux3中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器Dmux1和所述第二数据多路复用器Dmux2的两个开关晶体管的源极。
在一些实施例中，图18中所描绘的显示设备具有真实RGB像素布置，其中，第一颜色C1的第一列子像素、第二颜色C2的第二列子像素和第三颜色C3的第三列子像素沿着行方向交替布置。
图19是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。参考图19，在一些实施例中，N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器Smux1、第二感测多路复用器Smux2和第三感测多路复用器Smux3。第一感测多路复用器Smux1被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到集成电路IC。第二感测多路复用器Smux2被配置为被导通，以允许分别来自第二列子像素的第二残余电压信号和分别来自第四列子像素的第四残余电压信号传输到集成电路IC。第三感测多路复用器Smux3被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到集成电路。各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色C1的子像素和第三颜色C3的子像素。各个第二列包括第二颜色C2的子像素。各个第三列包括沿着列方向交替布置的第三颜色C3的子像素和第一颜色C1的子像素。各个第四列包括第二颜色C2的子像素。可选地，第一颜色C1、第二颜色C2和第三颜色C3是选自红色、绿色和蓝色的三种不同颜色。
在一些实施例中，M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器Dmux1和第二数据多路复用器Dmux2。第一数据多路复用器Dmux1被配置为被导通，以允许数据信号分别传输到奇数列子像素。第二数据多路复用器Dmux2被配置为被导通，以允许数据信号分别传输到偶数列子像素。
在一些实施例中，显示设备还包括分别连接到集成电路IC的多条引线LL。多条引线LL中的相应引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器Smux1、所述第二感测多路复用器Smux2和所述第三感测多路复用器Smux3中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器Dmux1和所述第二数据多路复用器Dmux2的两个开关晶体管的源极。
在一些实施例中，图19中描述的显示设备-具有Pentile像素布置，其中第一列子像素、第二列子像素、第三列子像素和第四列子像素沿行方向交替布置。子像素以阵列布置。各个第一列包括C1-C3的重复图案，其中C1代表第一颜色的子像素，而C3代表第三颜色的子像素。各个第三列包括C3-C1的重复图案，其中C1代表第一颜色的子像素，而C3代表第三颜色的子像素。可选地，所述Pentile像素布置包括沿列方向交替布置的第一行子像素和第二行子像素。各个第一行包括C1-C2-C3-C2的重复图案，其中C1代表第一颜色的子像素，C2代表第二颜色的子像素，C3代表第三颜色的子像素。各个第二行包括C3-C2-C1-C2的重复图案，其中C1代表第一颜色的子像素，C2代表第二颜色的子像素，C3代表第三颜色的子像素。
第一感测多路复用器Smux1被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色C1的子像素和第三颜色C3的子像素的残余电压信号传输到集成电路IC。集成电路IC被配置为根据奇数行和偶数行采用残余电压信号，从而将来自第一颜色C1的子像素的残余电压信号和来自第三颜色C3的子像素的残余电压信号分离。类似地，第三感测多路复用器Smux3被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色C3的子像素和第一颜色C1的子像素的残余电压信号传输到集成电路IC。集成电路IC被配置为根据奇数行和偶数行采用残余电压信号，从而将来自第三颜色C3的子像素的残余电压信号和来自第一颜色C1的子像素的残余电压信号分离。
图20是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备中的集成电路与各个子像素中的各个像素驱动电路之间的电连接的示意图。图19描述了其中没有使用多路复用器的显示设备。
在另一方面，本公开提供了一种外围感测电路。外围感测电路设置在显示设备的周边区域中。在一些实施例中，外围感测电路包括分别连接到参考信号线的晶体管，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到多个感测信号线，所述多个感测信号线分别连接到多列子像素，并且所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到第一参考控制信号线。图21是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。多个第一参考晶体管Trf1中的相应一个在图21中示出。可选地，外围感测电路还包括多个第二参考晶体管，多个第二参考晶体管的源极分别连接到参考信号线，多个第二参考晶体管的漏极分别连接到多个感测信号线，多个第二参考晶体管的栅极分别连接到第二参考控制信号线。图22是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。在图22中标注了多个第二参考晶体管Trf2中的相应一者。
在一些实施例中，外围感测电路还包括N个感测多路复用器，N≥2。N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到集成电路。图23是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。在图23中标注了在N个感测多路复用器中的相应一个中的开关晶体管Tsmux。
在一些实施例中，外围感测电路还包括M个数据多路复用器，M≥2。M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多条数据线将数据信号分别传输到多列子像素。图24是根据本公开的一些实施例中的外围感测电路的一部分的扫描电镜图。在图24中标注了M个数据多路复用器中的相应一个中的开关晶体管Tdmux。
在另一方面，本发明提供一种像素驱动电路。在一些实施例中，像素驱动电路包括存储电容器；驱动晶体管；以及感测晶体管，感测晶体管具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到各个发光元件的阳极的源极、以及连接到各个感测信号线的漏极。可选地，所述感测晶体管被配置成：在各个发光元件的所述阳极被初始电压信号充电达第一时间段并且在所述初始电压信号停止时被允许在第二时间段内放电之后，获得所述阳极处的残余电压信号。
为了说明和描述的目的，已经给出了本发明的实施例的上述描述。其不是穷举的，也不是要将本发明限制为所公开的精确形式或示例性实施例。因此，前面的描述应当被认为是说明性的而不是限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所考虑的特定使用或实现的各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价物来限定，其中除非另有说明，否则所有术语都意味着其最广泛的合理意义。因此，术语“本发明(the invention、the presentinvention)”等不一定将权利要求范围限制为特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的引用不意味着对本发明的限制，并且不应推断出这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限定。此外，这些权利要求可能涉及使用“第一”、“第二”等，随后是名词或元素。这些术语应当被理解为命名法，并且不应当被解释为对由这些命名法所修改的元件的数量进行限制，除非已经给出了特定的数量。所描述的任何优点和益处可能不适用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行改变。此外，本公开中的元件和组件都不是要贡献给公众，无论该元件或组件是否在所附权利要求中明确叙述。

Claims (30)

1.一种显示设备中的图像显示方法，其包括：
在图像显示阶段中在各个子像素中显示图像；
在所述图像显示阶段之后的感测阶段中，该方法还包括：
向各个子像素中的各个发光元件的阳极提供初始电压信号达第一时间段；
在所述初始电压信号停止时，允许各个发光元件的阳极放电达第二时间段；
在所述第二时间段结束时，通过各个像素驱动电路的感测子电路获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号；以及
将所述残余电压信号发送到集成电路。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在随后的图像显示阶段中，所述方法还包括：基于所述残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，由所述集成电路补偿在所述随后的图像显示阶段中被提供给各个子像素的数据信号。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，获得所述残余电压信号包括：
向所述感测子电路中的感测晶体管的栅极提供感测控制信号，以导通所述感测晶体管；以及
允许在各个发光元件的阳极处的所述残余电压信号通过所述感测晶体管，并通过各个感测信号线发送到所述集成电路。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，提供所述初始电压信号包括：
将所述初始电压信号提供给各个像素驱动电路中的重置晶体管的源极，所述重置晶体管的漏极连接到各个发光元件的阳极；以及
将重置控制信号提供给所述重置晶体管的栅极，以导通所述重置晶体管达所述第一时间段。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，提供所述初始电压信号包括：
通过各个感测信号线将所述初始电压信号提供给所述感测子电路中的感测晶体管的漏极，所述感测晶体管的源极连接到各个发光元件的阳极；以及
将感测控制信号提供给所述感测晶体管的栅极，以导通所述感测晶体管达所述第一时间段。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，提供所述初始电压信号进一步包括：
通过参考信号线将所述初始电压信号提供给第一参考晶体管的源极，所述第一参考晶体管的漏极通过相应感测信号线连接到所述感测晶体管的源极；以及
将第一参考控制信号提供给所述第一参考晶体管的栅极，以导通所述第一参考晶体管达一时间段。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，提供所述初始电压信号进一步包括：
通过参考信号线将所述初始电压信号提供给第一参考晶体管的源极和第二参考晶体管的源极，所述第一参考晶体管的漏极和所述第二参考晶体管的漏极通过相应感测信号线连接到所述感测晶体管的源极；以及
将参考控制信号提供给所述第一参考晶体管的栅极或所述第二参考晶体管的栅极或两者，以导通所述第一参考晶体管或所述第二参考晶体管或两者达所述第一时间段。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述参考信号线与多个数据线在同一层中。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法，进一步包括：通过N个感测多路复用器将分别来自多列子像素的残余电压信号发送到所述集成电路，其中，N≥2，所述N个感测多路复用器经配置以按时间顺序被导通，以允许将分别来自所述多列子像素的所述残余电压信号分别通过多个感测信号线传输到所述集成电路。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述集成电路是数据驱动集成电路；
该方法还包括：
通过M个数据多路复用器将数据信号从所述集成电路分别发送到所述多列子像素，其中，M≥2，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许所述数据信号分别通过多个数据线分别传输到所述多列子像素。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；以及
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路。
12.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；
各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；
各个第二列包括第二颜色的子像素；以及
各个第三列包括沿着列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素。
13.一种显示设备，其包括：
多个像素驱动电路；
多个感测信号线；以及
集成电路；
其中，各个像素驱动电路包括感测子电路，所述感测子电路被配置成获得各个发光元件的阳极处的残余电压信号；
各个感测信号线被配置为将所述残余电压信号发送到所述集成电路；以及
所述集成电路被配置为基于所述残余电压信号的值与参考残余电压值之间的残余电压差，来补偿在随后的图像显示阶段中被提供给各个子像素的数据信号。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述感测子电路包括感测晶体管，所述感测晶体管具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到各个发光元件的阳极的源极和连接到各个感测信号线的漏极。
15.根据权利要求13或14所述的显示设备，其进一步包括：
参考信号线；
第一参考控制信号线；以及
多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到所述第一参考控制信号线。
16.根据权利要求13或14所述的显示设备，其进一步包括：
参考信号线；
第一参考控制信号线；
第二参考控制信号线；
多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，并且所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到所述第一参考控制信号线；以及
多个第二参考晶体管，所述多个第二参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第二参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第二参考晶体管的栅极分别连接到所述第二参考控制信号线。
17.根据权利要求15或16所述的显示设备，其中，所述参考信号线与多个数据线在同一层中。
18.根据权利要求13到17中任一项所述的显示设备，其进一步包括N个感测多路复用器，N≥2；
其中，所述N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多个感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到所述集成电路。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述集成电路为数据驱动集成电路；
所述显示设备还包括：
M个数据多路复用器，M≥2；以及
多个数据线，其分别连接到所述多列子像素；
其中，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过所述多个数据线将数据信号分别传输到所述多列子像素。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；
其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自所述N个感测多路复用器中的至少两个不同的感测多路复用器的至少两个开关晶体管的源极，且连接到分别来自所述M个数据多路复用器中的至少两个不同的数据多路复用器的至少两个开关晶体管的源极。
21.根据权利要求18到20中任一项所述的显示设备，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；以及
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路。
22.根据权利要求19到21中任一项所述的显示设备，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一颜色的第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二颜色的第二列子像素的第二残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三颜色的第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；
所述M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器和第二数据多路复用器；
所述第一数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到奇数列子像素；以及
所述第二数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到偶数列子像素。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；
其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器、所述第二感测多路复用器和所述第三感测多路复用器中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器和所述第二数据多路复用器的两个开关晶体管的源极。
24.根据权利要求18到20中任一项所述的显示设备，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号和分别来自第四列子像素的第四残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；
各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；
各个第二列包括第二颜色的子像素；
各个第三列包括沿着所述列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素；以及
各个第四列包括所述第二颜色的子像素。
25.根据权利要求19、20和24中任一项所述的显示设备，其中，所述N个感测多路复用器包括第一感测多路复用器、第二感测多路复用器和第三感测多路复用器；
所述第一感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第一列子像素的第一残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第二感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第二列子像素的第二残余电压信号和分别来自第四列子像素的第四残余电压信号传输到所述集成电路；
所述第三感测多路复用器被配置为被导通，以允许将分别来自第三列子像素的第三残余电压信号传输到所述集成电路；
各个第一列包括沿着列方向交替布置的第一颜色的子像素和第三颜色的子像素；
各个第二列包括第二颜色的子像素；
各个第三列包括沿着所述列方向交替布置的所述第三颜色的子像素和所述第一颜色的子像素；
各个第四列包括所述第二颜色的子像素；
所述M个数据多路复用器包括第一数据多路复用器和第二数据多路复用器；
所述第一数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到奇数列子像素；以及
所述第二数据多路复用器被配置为被导通，以允许将数据信号分别传输到偶数列子像素。
26.根据权利要求25所述的显示设备，其进一步包括分别连接到所述集成电路的多个引线；
其中，所述多个引线中的各个引线连接到分别来自选自所述第一感测多路复用器、所述第二感测多路复用器和所述第三感测多路复用器中的两个不同的感测多路复用器的两个开关晶体管的源极，并且连接到分别来自所述第一数据多路复用器和所述第二数据多路复用器的两个开关晶体管的源极。
27.一种外围感测电路，包括：
多个第一参考晶体管，所述多个第一参考晶体管的源极分别连接到参考信号线，所述多个第一参考晶体管的漏极分别连接到多个感测信号线，所述多个感测信号线分别连接到多列子像素，并且所述多个第一参考晶体管的栅极分别连接到第一参考控制信号线；以及
N个感测多路复用器，N≥2；
其中，所述N个感测多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过所述多个感测信号线将分别来自多列子像素的残余电压信号传输到集成电路。
28.根据权利要求27所述的外围感测电路，其进一步包括多个第二参考晶体管，所述多个第二参考晶体管的源极分别连接到所述参考信号线，所述多个第二参考晶体管的漏极分别连接到所述多个感测信号线，以及所述多个第二参考晶体管的栅极分别连接到第二参考控制信号线。
29.根据权利要求27或28所述的外围感测电路，其进一步包括M个数据多路复用器，M≥2；
其中，所述M个数据多路复用器被配置为按时间顺序被导通，以允许分别通过多个数据线分别将数据信号传输到所述多列子像素。
30.一种像素驱动电路，其包括：
存储电容器；
驱动晶体管；
感测晶体管，其具有连接到感测控制信号线的栅极、连接到相应发光元件的阳极的源极、以及连接到相应感测信号线的漏极；
其中，所述感测晶体管被配置成：在所述相应发光元件的阳极被初始电压信号充电达第一时间段、并且在所述初始电压信号停止时被允许放电达第二时间段之后，获得所述阳极处的残余电压信号。
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