JP6872795B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本開示は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いる表示装置に関する。
従来、有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発されている。このような表示装置は、行列状に配置された複数の画素回路を有し、複数の画素回路の各々は、有機ＥＬ素子と、表示装置に入力される映像信号に応じた電流を有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有する。表示装置の使用に伴って、駆動トランジスタは劣化し、閾値電圧がシフトする。このような駆動トランジスタの閾値電圧シフトが発生すると、映像信号に対応する電流を有機ＥＬ素子に供給できない。このため、有機ＥＬ素子を映像信号に対応する輝度で発光させることができない。このような問題を解決するために、閾値電圧を補償する技術が提案されている（特許文献１）。
特許文献１に開示された表示装置においては、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に映像信号に対応する電圧を印加する前に、閾値電圧に相当する電圧を駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に印加することで、閾値電圧を補償する。これにより、映像信号に対応する電流を有機ＥＬ素子に供給しようとしている。
国際公開第２０１５／０３３４９６号
しかしながら、特許文献１に開示された表示装置において、輝度ムラが生じる場合がある。
本開示は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子を用いる表示装置において、輝度ムラを低減することを目的とする。
上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、前記表示パネルは、前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、前記複数の画素回路の各々は、第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、電圧を保持するための容量素子と、前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有し、前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、前記制御回路は、前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行う。
本開示によれば、有機ＥＬ素子を用いる表示装置において、輝度ムラを低減することができる。
図１は、従来技術の表示装置の機能構成を示すブロック図である。 図２は、従来技術の表示装置の画素回路の一例を示す回路図である。 図３は、従来技術の表示部において生じる輝度ムラを示す概略図である。 図４は、表示装置の各制御信号線及びデータ信号線に入力される信号の波形を示すタイミングチャートである。 図５は、従来技術の表示装置において起こる第一の現象を説明する回路図である。 図６は、従来技術の表示装置において起こる第二の現象を説明する回路図である。 図７は、画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極とカソード電源線ＶＣＡＴとの間の接触抵抗２５の電圧−電流密度特性の概要を示すグラフである。 図８は、接触抵抗２５が発生するコンタクト領域の一例の例を示す模式的な断面図である。 図９は、接触抵抗２５が発生するコンタクト領域の他の例を示す模式的な断面図である。 図１０は、従来技術の表示装置の一フレーム期間における画素回路の第二電極の電圧波形を示すグラフである。 図１１Ａは、従来技術の表示装置の時点ｔ＝ｔａにおいて閾値補償制御を受ける画素回路が含まれる行、及び、初期化制御を受ける画素回路が含まれる行の表示部における位置を示す概略図である。 図１１Ｂは、従来技術の表示装置の時点ｔ＝ｔｂにおいて閾値補償制御を受ける画素回路が含まれる行、及び、初期化制御を受ける画素回路が含まれる行の表示部における位置を示す概略図である。 図１１Ｃは、従来技術の表示装置の時点ｔ＝ｔｃにおいて閾値補償制御を受ける画素回路が含まれる行、及び、初期化制御を受ける画素回路が含まれる行の表示部における位置を示す概略図である。 図１１Ｄは、従来技術の表示装置の時点ｔ＝ｔｄにおいて閾値補償制御を受ける画素回路が含まれる行の表示部における位置を示す概略図である。 図１２は、実施の形態１に係る表示装置の機能構成を示すブロック図である。 図１３は、実施の形態１に係る表示装置のダミー画素回路の一例を示す回路図である。 図１４は、実施の形態１の第１の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図１５は、実施の形態１の第２の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図１６は、実施の形態１の第３の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図１７は、実施の形態１の第４の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図１８は、実施の形態１の第５の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図１９は、実施の形態１の第６の変形例に係るダミー領域の配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図２０は、実施の形態１の第７の変形例に係るダミー領域Ｐｄの配置を示す表示パネルの概略平面図である。 図２１は、実施の形態１の第８の変形例に係るダミー画素回路の回路構成を示す回路図である。 図２２は、実施の形態１の第９の変形例に係るダミー画素回路の回路構成を示す回路図である。 図２３は、実施の形態１の第１０の変形例に係るダミー画素回路の回路構成を示す回路図である。 図２４Ａは、実施の形態１に係る表示装置の各行の初期化電源線の電位の波形を示す模式的なグラフである。 図２４Ｂは、実施の形態２に係る表示装置の各行の初期化電源線の電位の波形を示す模式的なグラフである。 図２５は、実施の形態２に係る初期化電源線の構成を示す模式的な配線図である。 図２６は、実施の形態１に係る画素回路の駆動トランジスタのゲート電極の電位の波形を示すグラフである。 図２７は、実施の形態３に係る画素回路の配線レイアウトを示す図である。 図２８は、実施の形態３に係る参照トランジスタの電極形状の概要を示す模式図である。 図２９は、実施の形態３に係る参照トランジスタの電極形状の概要を示す模式図である。
（本開示の基礎となった知見）
本開示の実施の形態の説明に先立ち、本開示の基礎となった知見について説明する。以下、本開示の基礎となった知見として、従来技術の表示装置及びその問題点について説明する。
図１は、従来技術の表示装置９００の機能構成を示すブロック図である。図１に示される従来技術の表示装置９００は、主に、表示パネル９１０と、制御回路９０３と、電源回路９０６とを備える。
表示パネル９１０は、表示部９０２と、走査線駆動回路９０４と、信号線駆動回路９０５とを有する。
表示部９０２は、行列状に配置された複数の画素回路９０を有する。当該行列の各行には同じ行に配置される複数の画素回路９０に共通に接続される制御信号線が設けられ、当該行列の各列には同じ列に配置される複数の画素回路９０に共通に接続されるデータ信号線が設けられる。
走査線駆動回路９０４は、制御信号線を介して、画素回路９０に対し、画素回路９０の動作を制御するための制御信号を供給する。
信号線駆動回路９０５は、データ信号線を介して、画素回路９０に対し、発光輝度に対応するデータ信号を供給する。データ信号は、画素回路９０の表示階調に基づく電圧信号である。
制御回路９０３は、表示パネル９１０を制御する回路であり、外部から映像信号を受信し、当該映像信号で表される画像が表示部９０２において表示されるように、走査線駆動回路９０４、信号線駆動回路９０５を制御する。
電源回路９０６は、表示装置９００の動作用の電源を、表示装置９００の各部に供給する。
複数の画素回路９０について図面を用いて説明する。図２は、従来技術の表示装置９００の画素回路９０の一例を示す回路図である。複数の画素回路９０は、データ信号に対応する輝度で有機ＥＬ素子２４を発光させる回路である。複数の画素回路９０の各々は、図２に示されるように、有機ＥＬ素子２４と、容量素子２０と、駆動トランジスタＴＤとを有する。複数の画素回路９０の各々は、さらに、参照トランジスタＴＲＥＦと、書込みトランジスタＴＷＳと、初期化トランジスタＴＩＮＩとを有する。複数の画素回路９０の各々には、走査線駆動回路９０４から出力される各制御信号を供給する参照信号線ＲＥＦ、書込み信号線ＷＳ及び初期化信号線ＩＮＩが接続される。また、複数の画素回路９０の各々には、信号線駆動回路９０５から出力されるデータ信号を供給するデータ信号線ＳＩＧが接続される。
有機ＥＬ素子２４は、第一電極及び第二電極を有する発光素子である。図２に示される例では、第一電極及び第二電極は、それぞれ有機ＥＬ素子２４のアノード及びカソードである。有機ＥＬ素子２４は、容量成分を有するため、画素回路９０の等価回路は、有機ＥＬ素子２４の容量成分に相当するＥＬ容量素子２２を用いて図２のように表される。また、有機ＥＬ素子２４の第二電極は、カソード電源線ＶＣＡＴに接続される。ただし、第二電極とカソード電源線ＶＣＡＴとの間には、接触抵抗２５が存在する。
容量素子２０は、電圧を保持するための素子であり、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとソース電極ｓとの間に接続される。
駆動トランジスタＴＤは、有機ＥＬ素子２４の第一電極と接続され、容量素子２０に保持された電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子２４に供給する薄膜トランジスタである。駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓが有機ＥＬ素子２４の第一電極（アノード）に接続され、ドレイン電極ｄがアノード電源線ＶＣＣに接続される。
初期化トランジスタＴＩＮＩは、有機ＥＬ素子２４の第一電極の電位を初期化するための薄膜トランジスタである。初期化トランジスタＴＩＮＩのドレイン電極及びソース電極の一方に初期化電源線ＶＩＮＩが接続され、他方に有機ＥＬ素子２４の第一電極（アノード）が接続される。初期化トランジスタＴＩＮＩのゲート電極には、初期化信号線ＩＮＩが接続される。
参照トランジスタＴＲＥＦは、容量素子２０に参照電圧を印加するための薄膜トランジスタである。参照トランジスタＴＲＥＦのドレイン電極及びソース電極の一方に参照電源線ＶＲＥＦが接続され、他方に駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇが接続される。参照トランジスタＴＲＥＦのゲート電極には、参照信号線ＲＥＦが接続される。
書込みトランジスタＴＷＳは、容量素子２０にデータ信号に対応する電圧を印加するための薄膜トランジスタである。書込みトランジスタＴＷＳのドレイン電極及びソース電極の一方にデータ信号線ＳＩＧが接続され、他方に駆動トランジスタＴＤのゲート電極が接続される。書込みトランジスタＴＷＳのゲート電極には、書込み信号線ＷＳが接続される。
上述したような従来技術の表示装置９００において、輝度ムラが発生することを発明者は見出した。以下、表示装置９００において生じる輝度ムラについて図面を用いて説明する。図３は、従来技術の表示部９０２において生じる輝度ムラを示す概略図である。
図３に示されるように、表示装置９００の表示部９０２においては、下方に他の領域より輝度が低い領域９０２ａが発生する。以下、この領域９０２ａを「輝度ムラが発生する領域」ともいう。このような輝度ムラが発生する原因の一つについて、以下で図面を用いて説明する。
図４は、表示装置９００の各制御信号線及びデータ信号線ＳＩＧに入力される信号の波形を示すタイミングチャートである。図４には、一フレーム周期における各信号の波形に加えて、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇの電位Ｖｇ及びソース電極ｓの電位Ｖｓの波形が示されている。なお、データ信号線ＳＩＧにおいては、各行に対するデータ信号が、一水平走査期間毎に印加されている。図４に示されるように、まず、時点Ｔ０において、参照信号線ＲＥＦに出力される参照信号が高レベルとなり、参照トランジスタＴＲＥＦのドレイン電極とソース電極との間が導通状態となる。これにより、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇに、例えば１Ｖ程度の参照電圧が印加される。参照信号線ＲＥＦに入力される参照信号は、時点Ｔ１において低レベルとなり、参照トランジスタＴＲＥＦのドレイン電極とソース電極との間が非導通状態となる。時点Ｔ０から時点Ｔ１までの期間は、有機ＥＬ素子２４を非発光状態とするための非発光期間である。
続いて、時点Ｔ２において、初期化信号線ＩＮＩに入力される初期化信号が高レベルとなる。これにより、初期化トランジスタＴＩＮＩのドレイン電極とソース電極との間が導通状態となる。したがって、有機ＥＬ素子２４の第一電極、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓ及び容量素子２０の当該第一電極に接続された電極の電位が、初期化される。図２に示される例では、例えば、有機ＥＬ素子２４の第一電極などに、−３Ｖ程度の初期化電圧が印加される。
続いて時点Ｔ３において、参照信号線ＲＥＦに入力される参照信号が高レベルとなり、時点Ｔ０における動作と同様に、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇに接続された電極に参照電圧が印加される。これにより、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇには、１Ｖ程度の参照電圧が印加され、ソース電極ｓには、−３Ｖ程度の初期化電圧が印加された状態となる。つまり、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとソース電極ｓとの間、及び、容量素子２０には、約４Ｖの電圧が印加された状態となる。ここで、駆動トランジスタＴＤとして、閾値電圧が４Ｖ未満であるものを用いる。この場合、駆動トランジスタＴＤのドレイン電極ｄとソース電極ｓとの間に、容量素子２０に保持される電圧に応じた電流が流れる。このとき、有機ＥＬ素子２４のアノードには、初期化トランジスタＴＩＮＩを介して−３Ｖ程度の初期化電圧が印加されており、カソードには、カソード電源線ＶＣＡＴによって＋１．５Ｖ程度のカソード電圧が印加されている。つまり、有機ＥＬ素子２４には逆バイアスが印加されている状態となるため、有機ＥＬ素子２４は発光しない。駆動トランジスタＴＤに流れる電流は、容量素子２０に流れ込み、後述する閾値補償動作において用いられる。以下では、時点Ｔ２から後述する時点Ｔ４までの有機ＥＬ素子２４の第一電極の電位を初期化する制御を初期化制御という。
続いて、時点Ｔ４において、初期化信号線ＩＮＩに入力される初期化信号が低レベルとなり、初期化トランジスタＴＩＮＩのドレイン電極とソース電極との間が非導通状態となる。これにより時点Ｔ４以降においては、初期化電源線ＶＩＮＩから容量素子２０への電圧供給が遮断され、かつ、有機ＥＬ素子２４には、逆バイアスが印加されている。このため、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとソース電極ｓとの間に流れる電流は、容量素子２０に流れ込む。これに伴い、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓに接続された容量素子２０の電極の電位が徐々に上昇する。また、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとソース電極ｓとの間の電圧、つまり、容量素子２０が保持する電圧が徐々に低下する。容量素子２０が保持する電圧が、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧に近付くと、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとソース電極ｓとの間に電流が流れなくなる。このように、容量素子２０が保持する電圧は、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧と等しい状態に維持される。なお、このとき、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位が上昇しても、有機ＥＬ素子２４に順方向閾値電圧以上の電圧が印加されないように、カソード電源線ＶＣＡＴに印加されるカソード電圧の値が設定されている。以上のように、表示装置９００においては、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧が補償される。続いて時点Ｔ５において、参照信号線ＲＥＦに入力される参照信号が低レベルとなり、参照トランジスタＴＲＥＦのドレイン電極とソース電極との間が非導通状態となる。以下では、時点Ｔ４から時点Ｔ５までの駆動トランジスタＴＤの閾値電圧を補償する制御を閾値補償制御という。
続いて、時点Ｔ６において、書込み信号線ＷＳに入力される信号が高レベルとなり、書込みトランジスタＴＷＳのドレイン電極とソース電極との間が導通状態となる。これに伴い、データ信号線ＳＩＧに入力されたデータ信号に対応する電圧が、容量素子２０に印加される。具体的には、容量素子２０に印加される電圧Ｖｇｓは、データ信号の電圧Ｖｓｉｇ、参照電圧Ｖｒｅｆ、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧Ｖｔｈ、容量素子２０の容量Ｃｓ及びＥＬ容量素子２２の容量Ｃｏｌｅｄを用いて、以下のように表される。
Ｖｇｓ＝（Ｖｓｉｇ−Ｖｒｅｆ）×Ｃｏｌｅｄ／（Ｃｓ＋Ｃｏｌｅｄ）＋Ｖｔｈ
続いて、時点Ｔ７において、書込み信号線ＷＳに入力される信号が低レベルとなり、書込みトランジスタＴＷＳのドレイン電極とソース電極との間が非導通状態となる。これに伴い、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇへのデータ信号の印加が解除されるので、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇの電位Ｖｇは上昇可能な状態となり、ソース電極ｓの電位Ｖｓも上昇可能な状態となる。このとき、駆動トランジスタＴＤには、ドレイン電流が流れ、ＥＬ容量素子２２が充電されることでブートストラップ動作が開始される。すなわち、有機ＥＬ素子２４のアノード、つまり、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位Ｖｓが上昇し、これに伴い、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇの電位Ｖｇも上昇する。このブートストラップ動作において、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位Ｖｓが上昇することによって、有機ＥＬ素子２４の逆バイアス状態が解消されるため、駆動トランジスタＴＤの出力電流が有機ＥＬ素子２４に流れる。これにより、有機ＥＬ素子２４は、データ信号が示す表示階調に応じた輝度で発光する。
表示装置９００の表示部９０２において、複数の画素回路９０の各々が順次以上のような動作を行う。
続いて、複数の画素回路９０が順次以上のような動作を行う場合に起こる現象について、図面を用いて説明する。図５及び図６は、それぞれ、従来技術の表示装置９００において起こる第一及び第二の現象を説明する回路図である。
図４の時点Ｔ２において、有機ＥＬ素子２４の第一電極（アノード）に−３Ｖ程度の初期化電圧が印加される直前まで、第一電極には、１Ｖ程度の参照電圧が印加された状態である。時点Ｔ２において、図５の矢印（１）で示されるように、初期化電圧が第一電極に印加される。これに伴い、第一電極の電位が１Ｖ程度から−３Ｖ程度まで急激に低下する（図５の矢印（２）参照）。ここで、第一電極と第二電極との間には、上述のとおりＥＬ容量素子２２が存在する。また、第二電極とカソード電源線ＶＣＡＴとの間には、接触抵抗２５が存在するため、第二電極の電位は変動し得る。特に、第二電極からカソード電源線ＶＣＡＴに流れる電流の密度が小さい場合には、接触抵抗２５の抵抗値が大きくなるため、第二電極の電位変動が顕著となる。このため、第一電極の電位低下に伴って、第二電極の電位も低下する（図５の矢印（３）参照）。
ここで、接触抵抗２５の抵抗値の非線形性について図面を用いて説明する。図７は、画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極とカソード電源線ＶＣＡＴとの間の接触抵抗２５の電圧−電流密度特性の概要を示すグラフである。図７に示されるように、接触抵抗２５の電圧−電流密度特性は非線形を有する。つまり、接触抵抗２５の抵抗値は、電流密度に応じて変化する。接触抵抗２５の抵抗値は、電流密度が小さいほど大きくなる。
このような接触抵抗２５の抵抗値の非線形性が生じる原因について、図面を用いて説明する。図８及び図９は、それぞれ、接触抵抗２５が発生するコンタクト領域の一例及び他の例を示す模式的な断面図である。図８には、有機ＥＬ素子２４及び接触抵抗２５が形成される領域の断面が示されている。図９には、赤、緑及び青の光をそれぞれ出射する有機ＥＬ素子２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂと、接触抵抗２５が形成される領域の断面が示されている。図９に示される有機ＥＬ素子２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂは、図２に示される有機ＥＬ素子２４の一例である。なお、図８及び図９においては、画素回路９０における薄膜トランジスタなどが形成された層は省略されている。
図８に示される例では、表示部９０２には複数の画素回路９０にそれぞれ対応する複数の有機ＥＬ素子２４が配置されている。複数の有機ＥＬ素子２４は、共通の基板９１２上に形成されている。有機ＥＬ素子２４の各々は、第一電極２４１と、第二電極２４２と、第一有機ＥＬ層２４３と、第二有機ＥＬ層２４４とを備える。有機ＥＬ素子２４の各々は、バンク２４５によって分離されている。なお、有機ＥＬ素子２４の各々は、これらの層以外の層を備えてもよい。
第一電極２４１は、例えば、有機ＥＬ素子２４のアノードであり、バンク２４５によって、隣り合う有機ＥＬ素子２４の第一電極２４１と分離されている。
第一有機ＥＬ層２４３は、有機材料からなる層であり、例えば、有機発光層である。第一有機ＥＬ層２４３は、バンク２４５によって、隣り合う有機ＥＬ素子２４の第一電極２４１と分離されている。複数の第一有機ＥＬ層２４３は、同一の有機材料膜をパターニングすることによって形成されてもよいし、例えば、発光色に応じて異なる有機材料膜が形成されてもよい。
第二有機ＥＬ層２４４は、有機材料からなる層であり、例えば、電子輸送層である。図８に示される例では、第二有機ＥＬ層２４４は、有機ＥＬ素子２４毎にパターニングせずに、第一有機ＥＬ層２４３及びバンク２４５上に一体的に設けられている。これにより、第二有機ＥＬ層２４４の形成において、パターニングの工程が不要となるため、有機ＥＬ素子２４の製造工程を簡素化できる。これに伴い、精度の高いマスクパターン形成が不要となるため、マスクコスト及び表示パネル製造コストを低減できる。
第二電極２４２は、例えば、有機ＥＬ素子２４のカソードであり、図８に示される例では、第二電極２４２は、有機ＥＬ素子２４毎にパターニングせずに、第二有機ＥＬ層２４４上に一体的に設けられている。これにより、第二電極２４２の形成において、パターニングの工程が不要となるため、有機ＥＬ素子２４の製造工程を簡素化できる。
図８に示される例では、カソード電源線ＶＣＡＴは、表示部９０２の外部に配置されている。カソード電源線ＶＣＡＴは、例えば、第一電極２４１と同じ導電材料を用いて形成されてもよい。カソード電源線ＶＣＡＴは、表示部９０２の外部のコンタクト領域９０２ｃにおいて、第二電極２４２と接触している。このコンタクト領域９０２ｃにおいて、接触抵抗２５が発生する。
図９に示される例では、表示部９０２にカソード電源線ＶＣＡＴ及びコンタクト領域９０２ｃが配置されている点において、図８に示される例と相違する。また、表示部９０２に配置される各画素９２は、赤、緑及び青の光をそれぞれ出射する有機ＥＬ素子２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂを有する。また、有機ＥＬ素子２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂの各々の構成は、図８に示される例と同様である。有機ＥＬ素子２４Ｒ、２４Ｇ及び２４Ｂが備える第一有機ＥＬ層２４３は、それぞれ異なる有機材料で形成されてもよい。
図８及び図９に示される各例のコンタクト領域９０２ｃにおいて、例えば、カソード電源線ＶＣＡＴと、第二電極２４２との間に、有機ＥＬ層が配置されることによって、接触抵抗２５が有機ＥＬ素子２４と同様にダイオード特性を有し得る。これにより、接触抵抗２５の抵抗値が、図７に示されるような非線形性を有する。
なお、接触抵抗２５が、非線形性を有する構成はこれに限定されない。例えば、有機ＥＬ素子２４の発光効率を高めるために、第一電極２４１の表面に薄い絶縁膜を形成する場合がある。この場合において、製造工程を簡略化するために、カソード電源線ＶＣＡＴを、第一電極２４１と同一の材料を用いて、同一工程で形成すると、カソード電源線ＶＣＡＴの表面にも絶縁膜が形成される。この場合も、接触抵抗２５の抵抗値が非線形性を有し得る。
なお、コンタクト領域９０２ｃなどの構成は、図８及び図９に示される例に限定されない。例えば、図８及び図９においては、有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子毎に分離された層と、分離されていない層とを備えたが、いずれか一方の層だけを備えてもよい。また、図９では、各画素９９２が赤、緑及び青の光を出射する有機ＥＬ素子を備える構成を示したが、各画素９２が、さらに、白色光を出射する有機ＥＬ素子を備えてもよい。また、各画素９２が一つの色の光を出射する有機ＥＬ素子だけを備えてもよい。また、図９に示される例では、画素９２毎にカソード電源線ＶＣＡＴが形成されているが、複数の画素９２毎に一つのカソード電源線ＶＣＡＴが形成されてもよい。
また、カソード電源線ＶＣＡＴを、第一電極２４１と同一の材料を用いて、同一工程で形成する例を示したが、カソード電源線ＶＣＡＴの少なくとも一部を、画素回路９０などに含まれる薄膜トランジスタを形成する層と同一の材料を用いて薄膜トランジスタと同一工程で形成してもよい。
画素回路９０において発生する現象の説明に戻る。図６に示される有機ＥＬ素子２４の第二電極は、複数の画素回路９０において共用されているため、一つの画素回路９０における第二電極の電位低下に伴って、当該画素回路の近傍に配置された他の画素回路９０の第二電極の電位も低下する（図６の矢印（１）参照）。当該他の画素回路９０の第二電極の電位低下に伴って、第二電極とＥＬ容量素子２２とを介して接続される第一電極の電位も低下する（図６の矢印（２）参照）。このとき、当該他の画素回路９０において、閾値補償制御が行われている場合（図４の時点Ｔ４から時点Ｔ５までの期間にある場合）、第一電極の電位、つまり、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位Ｖｓが低下することで、適切に閾値電圧の補償が行われない場合がある。つまり、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位Ｖｓが低下することで、容量素子２０が保持する電圧（図６の矢印（３）参照）が、閾値電圧より高くなる。このような現象が発生しても、引き続き閾値補償動作期間が続けば、容量素子２０及びＥＬ容量素子２２の充放電が行われることによって、容量素子２０が保持する電圧は、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧に近付く。しかしながら、上記現象が、閾値補償動作期間（図２の時点Ｔ４から時点Ｔ５までの期間）の終了間際に発生した場合には、容量素子２０が保持する電圧が、閾値電圧より高い状態のまま、閾値電圧補償期間が終了する。このため、当該他の画素回路９０において、データ信号に相当する電圧が印加される場合、容量素子２０が保持する電圧が、データ信号に相当する電圧より高くなる。これに伴い、有機ＥＬ素子２４の輝度がデータ信号に対応する輝度より高くなる。
このように、一つの画素回路９０における初期化制御に伴って、他の画素回路９０における有機ＥＬ素子２４の輝度がデータ信号に対応する輝度より高くなり得る。しかしながら、表示部９０２のうち、垂直走査方向の走査の終端近傍の画素では、閾値補償制御の期間中に、他の画素回路９０で初期化制御が行われていないため、このような輝度の増大現象は発生しない。このような現象について、図面を用いて説明する。
図１０は、従来技術の表示装置９００の一フレーム期間における画素回路９０の第二電極（つまり、カソード）の電位波形を示すグラフである。図１０は、複数の画素回路９０が行列状に配置された表示部９０２における有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位を示す。表示部９０２では、複数の画素回路９０のすべての第二電極が繋がっている。つまり、複数の画素回路９０のすべての第二電極は、単一の導電膜で形成されている。図１０では、表示部９０２における垂直走査の向きが表示部９０２の上側の行から下側の行へ向かう向きである場合の波形が示されている。
図１１Ａ〜図１１Ｄは、それぞれ、従来技術の表示装置９００の時点ｔ＝ｔａ〜ｔｄにおいて閾値補償制御を受ける画素回路９０が含まれる行、及び、初期化制御を受ける画素回路９０が含まれる行の表示部９０２における位置を示す概略図である。図１１Ａ〜図１１Ｄにおいて、閾値補償制御を受ける画素回路９０が含まれる行がＲ１ａ〜Ｒ１ｄで、初期化制御を受ける画素回路９０が含まれる行がＲ２ａ〜Ｒ２ｄで、それぞれ示される。
図１１Ａ〜図１１Ｃに示されるように、時点ｔ＝ｔｃまでは、画素回路９０が閾値補償制御を受ける際に、他の画素回路９０（行Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃ）において、初期化制御が行われる。これにより、図５を用いて説明したとおり、当該他の画素回路９０の第二電極の電位は、カソード電源線ＶＣＡＴの電位より低くなる。ここで、第二電極は、すべての画素回路９０で繋がっているため、時点ｔ＝ｔｃまでに閾値補償制御を受ける画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位は、第二電極と接触抵抗２５を介して接続されたカソード電源線ＶＣＡＴの電位（１．４Ｖ程度）より低くなる（図１０参照）。このため、時点ｔ＝ｔｃまでは、有機ＥＬ素子２４の輝度は、データ信号に対応する輝度より高くなる。
一方、時点ｔ＝ｔｃより後の時点では、画素回路９０が閾値補償制御を受ける際に、他の画素回路９０において、初期化制御が行われない。つまり、すべての画素回路９０において、初期化制御が行われない。このように、時点ｔ＝ｔｃより後の時点では、第二電極の電位を低下させる要因がないため、図１０に示されるように、第二電極の電位は、カソード電源線ＶＣＡＴ（１．４Ｖ程度）の電位とほぼ等しくなる。したがって、時点ｔ＝ｔｃより後の時点で閾値補償制御を受ける画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位は、カソード電源線ＶＣＡＴの電位とほぼ等しくなる。このため、有機ＥＬ素子２４の輝度は、データ信号に対応する輝度となる。
以上のような現象が発生することで、図３に示されるように、表示部９０２の下方に他の領域より輝度が低い領域９０２ａが発生する。
そこで、本開示は、有機ＥＬ素子を用いる表示装置において、上述したような輝度ムラを低減することを目的とする。
上記目的を達成するために、本開示の一態様に係る表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、前記表示パネルは、前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、前記複数の画素回路の各々は、第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、電圧を保持するための容量素子と、前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有し、前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、前記制御回路は、前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行う。
これにより、複数の画素回路のすべてにおいて、閾値補償動作の期間中に、有機ＥＬ素子の第二電極の電位を低下させることができる。これにより、複数の画素回路間における動作条件の差を低減できる。このため、本開示に係る表示装置では、輝度ムラを低減させることができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記制御回路は、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置されてもよい。
これにより、ダミー画素回路が配置された領域に向かって、発光させる画素回路を走査することで、ダミー画素回路を初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路と、ダミー画素回路との距離を低減できる。これにより、ダミー画素回路の初期化制御によって生じる有機ＥＬ素子の第二電極の電位低下の影響を、閾値補償制御を受けている画素回路により確実に与えることができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状の前記複数の画素回路のうち、最後に走査される行の画素回路と隣り合う領域に配置されてもよい。
これにより、ダミー画素回路を初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路と、ダミー画素回路との距離を低減できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向の両側に配置されてもよい。
これにより、画素回路の垂直走査の向きが垂直方向のどちらの向きである場合においても、ダミー画素回路を初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路と、ダミー画素回路との距離を低減できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち、最後に走査される行の少なくとも一方の端に位置する画素回路の前記垂直走査方向には、前記一つ以上のダミー画素回路は配置されなくてもよい。
これにより、表示パネルのダミー画素回路が配置されていない角部に空きスペースを設けることができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、前記複数の画素回路の水平走査方向に並べられた複数の領域に配置されてもよい。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状に配置され、前記一つ以上のダミー画素回路の配置の行数は、前記表示パネルの一フレーム期間のうち垂直ブランキング期間に含まれる水平走査期間数と等しくてもよい。
これにより、垂直ブランキング期間にわたって、画素回路と同様にダミー画素回路を走査することで、表示装置の輝度ムラを抑制できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状に配置され、行列状に配置された前記一つ以上のダミー画素回路の各行におけるダミー画素回路の個数は、前記表示領域から遠ざかるにしたがって減少してもよい。
これにより、有機ＥＬ素子の輝度が、垂直方向に徐々に低下するため、輝度ムラが目立ち難くすることができる。また、ダミー画素回路が配置されていない表示パネルの角部に空きスペースを設けることができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状に配置され、前記一つ以上のダミー画素回路の配置の行数は、前記表示パネルの一フレーム期間のうちブランキング期間に含まれる水平走査期間数より少なくてもよい。
このような構成において、一フレーム周期において、特定の行に含まれるダミー画素回路に対して、複数回、初期化制御を行うことで、閾値補償制御を受ける期間に他の画素回路９０が初期化制御されないすべての画素回路に対して、閾値補償制御を受ける期間に、ダミー画素回路の初期化制御を行うことができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記表示パネルは、前記複数の画素回路に初期化電圧を供給する初期化電源線を備え、前記初期化電源線は、前記複数の画素回路の水平走査方向に延びる水平走査方向配線と、前記複数の画素回路の垂直走査方向に延びる垂直走査方向配線とを有し、前記垂直走査方向配線は、前記水平走査方向配線より単位長さ当たりの抵抗が大きくてもよい。
これにより、初期化電源線の電位変動量を抑制しつつ、電位変動回数の増加の影響を抑制することができる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記画素回路は、参照電圧が印加される参照電源線と、前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとをさらに有してもよい。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）長が大きくてもよい。
これにより、画素回路の参照トランジスタにおけるリーク電流を低減できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりチャネル長に対するチャネル幅の比が小さくてもよい。
これにより、画素回路の参照トランジスタにおけるリーク電流を低減できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりゲート数が多くてもよい。
これにより、画素回路の参照トランジスタにおけるリーク電流を低減できる。
また、本開示の一態様に係る表示装置において、前記参照トランジスタは、二つのゲートと、チャネル層を形成する半導体層とを有し、前記半導体層の平面視において、前記二つのゲートの間に配置される前記半導体層は、Ｌ字状の形状を有してもよい。
これにより、画素回路の参照トランジスタにおけるリーク電流を低減できる。
以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
（実施の形態１）
実施の形態１に係る表示装置について説明する。
［１−１．全体構成］
まず、本実施の形態に係る表示装置９の全体構成について図面を用いて説明する。図１２は、本実施の形態に係る表示装置９の機能構成を示すブロック図である。表示装置９は、例えば、有機ＥＬディスプレイなどの画像表示装置である。図１２に示されるように、表示パネル１０と、制御回路３とを備える。表示装置９は、電源回路６をさらに備える。表示パネル１０は、表示部２と、走査線駆動回路４と、信号線駆動回路５とを有する。
制御回路３は、表示パネル１０を制御する回路であり、外部から映像信号を受信し、当該映像信号で表される画像が表示部２において表示されるように、走査線駆動回路４、信号線駆動回路５を制御する。
電源回路６は、表示装置９の動作用の電圧を、表示装置９の各部に供給する。
表示部２は、表示パネル１０の表示領域Ｐａに行列状に配置された複数の画素回路９０と、表示領域の外側（ダミー領域Ｐｄ）に配置された一つ以上のダミー画素回路９０ｄとを有する。行列状に配置された複数の画素回路９０の各行には同じ行に配置される複数の画素回路９０に共通に接続される制御信号線が設けられ、当該行列の各列には同じ列に配置される複数の画素回路９０に共通に接続されるデータ信号線ＳＩＧが設けられる。
複数の画素回路９０の各々は、上述した従来技術の画素回路９０と同様の構成を有する。画素回路９０は、図２に示されるように、第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子２４と、電圧を保持するための容量素子２０とを有する。画素回路９０は、さらに、有機ＥＬ素子２４の第一電極と接続され、容量素子２０に保持された電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタＴＤを有する。画素回路９０は、さらに、参照トランジスタＴＲＥＦと、書込みトランジスタＴＷＳと、初期化トランジスタＴＩＮＩとを有する。複数の画素回路９０の各々には、走査線駆動回路４から出力される各制御信号を供給する参照信号線ＲＥＦ、書込み信号線ＷＳ及び初期化信号線ＩＮＩが接続される。また、複数の画素回路９０の各々には、信号線駆動回路５から出力されるデータ信号を供給するデータ信号線ＳＩＧが接続される。
一つ以上のダミー画素回路９０ｄについて図面を用いて説明する。図１３は、本実施の形態に係る表示装置９のダミー画素回路９０ｄの一例を示す回路図である。図１３に示されるように、一つ以上のダミー画素回路９０ｄの各々は、第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有するダミー容量素子２２ｄを有する。ダミー画素回路９０ｄは、第二ダミー電極として第二電極を画素回路９０の有機ＥＬ素子２４と共有する。
図１３に示される例では、ダミー画素回路９０ｄは、有機ＥＬ素子２４に代えて、ダミー容量素子２２ｄを有する点において、画素回路９０と相違し、その他の点において一致する。つまり、ダミー画素回路９０ｄは、ダミー容量素子２２ｄと、容量素子２０と、駆動トランジスタＴＤと、参照トランジスタＴＲＥＦと、書込みトランジスタＴＷＳと、初期化トランジスタＴＩＮＩとを有する。
ダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極は、ダミー容量素子２２ｄの二つの電極のうち、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓに接続される電極である。ダミー容量素子２２ｄの第二ダミー電極は、ダミー容量素子２２ｄの二つの電極のうち、カソード電源線ＶＣＡＴに接続される電極である。第二ダミー電極は、複数の画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極と同一の導電膜で形成されてもよい。
ダミー画素回路９０ｄには、走査線駆動回路４から出力される各制御信号を供給する参照信号線ＲＥＦ、書込み信号線ＷＳ及び初期化信号線ＩＮＩが接続される。また、ダミー画素回路９０ｄには、信号線駆動回路５から出力されるデータ信号を供給するデータ信号線ＳＩＧが接続される。
ダミー容量素子２２ｄとして、例えば、有機ＥＬ素子２４を用いることができる。これにより、ダミー画素回路９０ｄの構成を画素回路９０と共通化できるため、表示パネル１０の製造工程を単純化できる。また、検査工程において、ダミー容量素子２２ｄとしての有機ＥＬ素子２４を発光させることで、ダミー画素回路９０ｄの動作を容易に検査できる。また、検査工程において、ダミー画素回路９０ｄを動作させ、有機ＥＬ素子２４を発光させることで、有機ＥＬ素子２４の発光効率、電流−電圧特性及び色度を検査できる。このようにダミー画素回路９０ｄを用いて、有機ＥＬ素子２４の検査を行うことで、複数の画素回路９０を用いずに、有機ＥＬ素子２４の評価を行うことができる。このため、複数の画素回路９０の有機ＥＬ素子２４を劣化させることなく、有機ＥＬ素子２４の検査を行うことができる。
また、ダミー画素回路９０ｄに接続する各信号線を、複数の画素回路９０に接続する各信号線とは別に引き出しておけば、当該信号線を用いてダミー画素回路９０ｄだけに信号を供給できる。これにより、検査用の機器をより簡素化できる。
ダミー容量素子２２ｄとして、有機ＥＬ素子２４を用いる場合、ダミー画素回路９０ｄにおけるダミー容量素子２２ｄとしての有機ＥＬ素子２４が発光した場合に光を外部に漏らさないために、有機ＥＬ素子２４の発光面にブラックマトリックスを設けてもよい。ブラックマトリックスは、ダミー画素回路９０ｄの検査後に設けられてもよい。このようなブラックマトリックスの形成工程は、例えば、ダミー画素回路９０ｄの検査後にブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタを表示パネルに貼ることで実現できる。また、ダミー画素回路９０ｄにデータ信号として黒色に対応する信号（黒データ）を印加してもよい。これにより、ダミー画素回路９０ｄにおける消費電力を低減できる。
ダミー容量素子２２ｄとして、有機ＥＬ素子２４のＥＬ容量素子２２と同等の容量を有する容量素子を用いてもよい。このようなダミー容量素子２２ｄとして、例えば、有機ＥＬ素子２４のうち、発光層だけを取り除いた素子を用いてもよい。これにより、発光しない素子をダミー容量素子２２ｄとして用いることができるため、発光面にブラックマトリックスを配置したり、ダミー画素回路９０ｄに黒データを印加したりしなくてよい。
また、ダミー容量素子２２ｄとして、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間に、有機ＥＬ素子２４の二つの電極間に積層される各層のうち、少なくとも一つの層を積層した素子を用いてもよい。これにより、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間に積層する層を適宜選択することで、有機ＥＬ素子２４よりも、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間の膜厚が薄いダミー容量素子２２ｄ、つまり、容量の大きいダミー容量素子２２ｄを実現できる。このようなダミー容量素子２２ｄとして用いることで、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間のカップリングを、より増大できる。したがって、初期化制御の際に、第一ダミー電極の電位低下に伴う第二ダミー電極の電位低下をより確実に実現できる。
また、ダミー容量素子２２ｄとして、最も容量の大きい発光色の有機ＥＬ素子２４だけを用いてもよい。つまり、表示装置９の複数の画素回路９０では、ＲＧＢ又はＲＧＢＷの３〜４色の発光色の有機ＥＬ素子２４が用いられるが、それらの有機ＥＬ素子２４のうち、最も容量の大きいものだけでダミー容量素子２２ｄが形成されてもよい。例えば、青色の発光色を有する有機ＥＬ素子２４だけでダミー容量素子２２ｄが形成されてもよい。これにより、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間のカップリングをより増大でき、かつ、ダミー容量素子２２ｄの製造工程を単純化できる。
また、ダミー容量素子２２ｄとして、有機ＥＬ素子２４を用いる場合に、ダミー画素回路間に有機ＥＬ素子２４を区画するためのバンク又はリブを設けなくてもよい。これにより、ダミー容量素子２２ｄとしての有機ＥＬ素子２４の開口率を高めることができるため、ダミー容量素子２２ｄの容量を増大できる。
また、ダミー容量素子２２ｄとして、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間をバンク又はリブで埋めた素子を用いてもよい。このような構成において、バンク又はリブの膜厚を変更できる場合には、当該膜厚を薄くしてもよい。これにより、ダミー容量素子２２ｄの容量を増大できる。
また、ダミー容量素子２２ｄとして、第一ダミー電極と第二ダミー電極との間を任意の絶縁膜で埋めた素子を用いてもよい。このような構成において絶縁膜の膜厚を変更できる場合には、膜厚を調整することで、ダミー容量素子２２ｄの容量を調節してもよい。
走査線駆動回路４は、制御信号線を介して、画素回路９０に対し、画素回路９０の動作を制御するための制御信号を供給する。本実施の形態では、走査線駆動回路４は、制御信号として、参照信号、初期化信号及び書込み信号を出力する。参照信号、初期化信号及び書込み信号は、それぞれ、参照信号線ＲＥＦ、初期化信号線ＩＮＩ及び書込み信号線ＷＳを介して、参照トランジスタＴＲＥＦ、初期化トランジスタＴＩＮＩ及び書込みトランジスタＴＷＳに供給される。走査線駆動回路４は、ダミー画素回路９０ｄにも制御信号を供給してもよい。
信号線駆動回路５は、データ信号線ＳＩＧを介して、画素回路９０に対し、発光輝度に対応するデータ信号を供給する。信号線駆動回路５は、ダミー画素回路９０ｄにもデータ信号を供給してもよい。
制御回路３は、表示装置９の動作を制御する回路であり、外部から映像信号を受信し、当該映像信号で表される画像が表示部２の表示領域Ｐａに表示されるように、走査線駆動回路４及び信号線駆動回路５を制御する。
電源回路６は、表示装置９の動作用の電圧を、表示装置９の各部に供給する。
［１−２．動作］
本実施の形態の表示装置９の動作について説明する。本実施の形態に係る表示装置９においては、制御回路３は、複数の画素回路９０に対して、従来技術の表示装置９００の制御回路９０３と同様に、図４のタイミングチャートを用いて説明したとおりの動作を行う。さらに、本実施の形態に係る表示装置９においては、制御回路３は、複数の画素回路９０の各々に対して、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、複数の画素回路９０の他の少なくとも一つの画素回路９０に対して有機ＥＬ素子２４の第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、ダミー画素回路９０ｄにおけるダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行う。以下、本実施の形態に係る表示装置９の動作について、従来技術の表示装置９００の動作と比較しながら説明する。
本実施の形態に係る表示装置９においては、従来技術の表示装置９００と同様に、画素回路９０に対して、閾値補償制御を行う期間内に、他の画素回路９０に対して初期化制御を行わない場合がある（図１１Ｄ参照）。本実施の形態に係る表示装置９では、このような場合には、制御回路３は、ダミー画素回路９０ｄにおけるダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御を行う。これにより、画素回路９０に対して初期化制御を行う場合と同様に、ダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極の電位が低下する。ここで、ダミー容量素子２２ｄは、第二ダミー電極として、有機ＥＬ素子２４の第二電極を共有する。このため、第一ダミー電極の電位を低下させることで、有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位を低下させることができる。これにより、複数の画素回路９０のすべてにおいて、閾値補償動作の期間中に、有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位を低下させることができる。これに伴い、従来技術の表示装置９００について説明したように、データ信号に対応する輝度より高い輝度で有機ＥＬ素子２４を発光させることができる。このため、本実施の形態に係る表示装置９では、図３を用いて説明したような従来技術の表示装置９００において発生する輝度ムラを低減させることができる。
また、本実施の形態に係る表示装置９においては、従来技術の表示装置９００と同様に、制御回路３は、行列状に配置された複数の画素回路９０のうち発光させる画素回路９０を垂直方向（つまり、図１２の上下方向）に走査する。また、図１２に示されるように、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、表示領域Ｐａに対して垂直走査方向に配置される。
この場合、ダミー画素回路９０ｄが配置された領域に向かって、発光させる画素回路９０を走査することで、ダミー画素回路９０ｄを初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路９０と、ダミー画素回路９０ｄとの距離を低減できる。つまり、図１２に示される例では、発光させる画素回路９０を図１２の上から下に向けて走査することで、ダミー画素回路９０ｄを初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路９０と、ダミー画素回路９０ｄとの距離を低減できる。これにより、ダミー画素回路９０ｄの初期化制御によって生じる有機ＥＬ素子２４の第二電極の電位低下の影響を、閾値補償制御を受けている画素回路９０により確実に与えることができる。
なお、ダミー画素回路９０ｄの行数は、閾値補償制御を受ける期間に他の画素回路９０が初期化制御されない画素回路９０が含まれる行数より少なくてもよい。
例えば、ダミー画素回路９０ｄは一行だけ配置されてもよい。ダミー画素回路９０ｄは表示領域Ｐａと異なり一フレームの間発光させる必要がないことから、同一のダミー画素回路９０ｄを一水平走査期間毎に初期化されられれば、一行だけ配置してもよい。ダミー画素回路９０ｄが一行だけ配置される場合には、一水平走査期間内で、初期化制御と、次の初期化制御の際に電位が変化するように、初期化電圧とは異なる別の電圧を第一ダミー電極に入力すれば、第二電極の電位低下を実現できる。初期化電圧と異なる電圧を入力する際に、第二ダミー電極に、初期化とは逆方向の電位変化が容量結合により伝わる可能性があるため、初期化電圧と異なる電圧は、ダミー画素回路９０ｄの第一ダミー電極にゆっくりと充電し、容量結合が起きにくいようにすることが好ましい。
以上のような制御を行うことなく単純な制御でダミー初期化制御を行うためには、ダミー画素回路９０ｄは、少なくとも二行配置されればよい。この場合、少なくとも二行のダミー画素回路９０ｄのうち、一行分において初期化制御を実施し、残る行において、初期化電圧と異なる電圧を印加する。このように、初期化制御と、初期化電圧と異なる電圧の印加とを繰り返し実施する。
初期化制御、及び、初期化電圧と異なる電圧の印加の周期は、ダミー画素回路９０ｄの行数により異なる。当該行数が二であれば、一水平走査期間毎に、初期化制御と、初期化電圧と異なる電圧の印加とを交互に繰り返す。三行以上ある場合には一水平走査期間毎に順に初期化制御を行う行を変え、初期化制御を行わない行において、初期化電圧と異なる電圧の印加を行う。
なお初期化電圧と異なる電圧を印加するために要する時間より、初期化制御終了時点から次の初期化制御開始時点までの時間の方が長い場合には、電圧を印加せずに、状態を保持しておく期間を設けてもよい。
また、初期化電圧と異なる電圧は、例えば、参照電圧又はデータ信号の電圧であってもよいし、画素回路９０において用いられる電圧以外の電圧（図２３を用いて後述するダミー用信号線Ｖａに印加された電圧など）であってもよい。
また、本実施の形態に係る表示装置９においては、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、行列状の複数の画素回路９０のうち、最後に走査される行の画素回路９０と隣り合う領域に配置される。
これにより、ダミー画素回路９０ｄを初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路９０と、ダミー画素回路９０ｄとの距離を低減できる。なお、最後に走査される行の画素回路９０と隣り合う領域とは、表示領域Ｐａの外部であって、最後に走査される行の画素回路９０と、それと対向する表示パネル１０の端縁との間の領域を意味する。例えば、当該領域は、最後に走査される行の画素回路９０と接する領域だけに限定されない。画素回路９０とダミー画素回路９０ｄとの間に他の回路などが介在してもよい。
また、以上では、閾値補償制御を行う際に、初期化制御及びダミー初期化制御の一方を行ったが、両方を同時に行ってもよい。例えば、初期化制御を行う際に、ダミー初期化制御を行うことで、輝度の微調整を行ってもよい。
［１−３．ダミー領域の変形例］
本実施の形態に係るダミー画素回路９０ｄが配置されるダミー領域Ｐｄの変形例について、図面を用いて説明する。図１４〜図２０は、それぞれ本実施の形態の第１〜第７の変形例に係るダミー領域Ｐｄの配置を示す表示パネル１０の概略平面図である。
図１４に示されるように、ダミー領域Ｐｄは、表示領域Ｐａの上下方向の両側に配置されてもよい。つまり、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、表示領域Ｐａに対して垂直走査方向の両側に配置されてもよい。これにより、画素回路９０の走査の向きが垂直走査方向のどちらの向きである場合においても、ダミー画素回路９０ｄを初期化制御する際に閾値補償制御を行う画素回路９０と、ダミー画素回路９０ｄとの距離を低減できる。つまり、例えば、画素回路９０の走査の向きが上向きである場合には、上側のダミー画素回路９０ｄを用いて輝度ムラを低減できる。
また、図１５に示されるように、ダミー領域Ｐｄの水平走査方向（図１５の水平方向）における長さは、表示領域Ｐａの水平走査方向における長さより短くてもよい。つまり、行列状に配置された複数の画素回路９０のうち、最後に走査される行の少なくとも一方の端に位置する画素回路９０の垂直走査方向には、ダミー画素回路９０ｄは、配置されなくてもよい。これにより、表示パネル１０のダミー画素回路９０ｄが配置されていない角部に空きスペースを設けることができる。このような空きスペースには、例えば、表示パネル１０のＩＤなどの情報を記入したり、製造業者のマークを記入したりしてもよい。これにより、表示パネル１０の寸法を拡大することなく、表示パネル１０にＩＤなどを記入できる。また、ダミー画素回路９０ｄの水平走査方向における個数は、必ずしも複数の画素回路９０の水平走査方向における個数と同数でなくても、表示装置９における輝度ムラを低減できる。
また、図１６に示されるように、ダミー領域Ｐｄは、複数の画素回路９０の水平走査方向において分離されていてもよい。つまり、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、複数の画素回路９０の水平走査方向に並べられた複数の領域に配置されてもよい。このような配置によっても、表示装置９における輝度ムラを低減できる。
また、図１６に示されるように、複数の信号線駆動回路ＤＣをダミー領域Ｐｄに対して垂直走査方向に隣り合う位置に配置する場合に、信号線駆動回路ＤＣと表示部２とを接続する配線の時定数を調整するためにダミー画素回路９０ｄを用いることができる。図１６に示される配線Ｗａ及び配線Ｗｂのように、信号線駆動回路ＤＣと表示部２とを接続する配線の長さは異なり得る。図１６に示される例では、配線Ｗａの長さは、配線Ｗｂの長さより小さい。この場合、一般に配線Ｗａの方が、配線Ｗｂより時定数が小さくなる。そこで、配線Ｗａが接続される列には、ダミー画素回路９０ｄを配置し、配線Ｗｂが接続される列には、ダミー画素回路９０ｄを配置しない。これにより、配線Ｗａの経路においては、配線Ｗａの時定数にダミー画素回路９０ｄの時定数が加えられるため、配線Ｗａの経路全体における時定数を、配線Ｗｂの経路全体における時定数に近づけることができる。このように、各配線の経路全体における時定数の差を低減できる。
以上のように、本レイアウト方法によれば、ダミー画素回路９０ｄは、輝度ムラを低減するほかに、配線時定数の差を小さくすることができる。これにより、配線時定数の差による所定階調における信号線電圧の充電率違いによる輝度ムラを低減することができる。つまり、本レイアウト方法によれば、二つの輝度ムラを同時に低減できる利点がある。
ダミー画素回路９０ｄの行数が、垂直ブランキング期間に含まれる水平走査期間数以上であれば、ダミー画素回路９０ｄに対して、画素回路９０に引き続き垂直走査方向に順次走査を行うことで、常に初期化制御が行われるため第二電極の電位をほぼ一定に維持できる。一方、ダミー画素回路９０ｄの行数決定方法の別の考え方としては、図１１Ａ〜図１１Ｄに示す閾値補償制御を行う行（図１１Ａ〜図１１ＤのＲ１ａ〜Ｒ１ｄ）が存在する期間には必ず初期化制御を行う画素回路９０の行（図１１Ａ〜図１１ＣのＲ２ａ〜Ｒ２ｃ）、又は、ダミー初期化制御を行うダミー画素回路９０ｄの行が存在するようにする。
図１１Ａに示される例では、表示領域Ｐａにおける上端の行から行Ｒ２ａまでの行数と、行Ｒ２ａまでの行数との差に相当する分だけ、表示部９０２の下側にダミー画素回路９０ｄを追加すれば、図１１Ｄの場合（時点ｔ＝ｔｃより後の場合）でも、ダミー画素回路９０ｄで初期化制御を実施できる。
また、図１７に示されるように、ダミー領域Ｐｄにおいて、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、行列状に配置されてもよい。その際、一つ以上のダミー画素回路９０ｄの配置の行数は、表示パネル１０の一フレーム期間のうち垂直ブランキング期間に含まれる水平走査期間数と等しくてもよい。これにより、垂直ブランキング期間にわたって、画素回路９０と同様にダミー画素回路９０ｄを走査することで、表示装置９の輝度ムラを抑制できる。
また、図１８に示されるように、ダミー領域Ｐｄにおいて、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、行列状に配置され、行列状に配置された一つ以上のダミー画素回路９０ｄの各行におけるダミー画素回路９０ｄの個数は、表示領域Ｐａから遠ざかるにしたがって減少してもよい。ダミー画素回路９０ｄを行毎に初期化する場合、各行におけるダミー画素回路９０ｄの個数が減少するほど、画素回路９０の有機ＥＬ素子２４の第二電極に対する電位低下効果は低減する。つまり、有機ＥＬ素子２４の輝度は低下する。しかしながら、図１８に示される例では、有機ＥＬ素子２４の輝度が、垂直走査方向に徐々に低下するため、輝度ムラが目立ち難い。また、図１５に示される例と同様に、ダミー画素回路９０ｄが配置されていない表示パネル１０の角部に空きスペースを設けることができる。
なお、ここでは、一つ以上のダミー画素回路９０ｄを「行列状に配置」との記載が表す構成には、各行におけるダミー画素回路９０ｄの個数が等しい構成だけでなく、各行におけるダミー画素回路９０ｄの個数が異なる構成も含まれる。
また、図１９に示されるように、ダミー領域Ｐｄにおいて、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、行列状に配置され、一つ以上のダミー画素回路９０ｄの配置の行数は、表示パネル１０の一フレーム期間のうちブランキング期間に含まれる水平走査期間数より少なくてもよい。このような構成においても、例えば、一フレーム周期において、特定の行に含まれるダミー画素回路９０ｄに対して、複数回、初期化制御を行ってもよい。これにより、閾値補償制御を受ける期間に他の画素回路９０が初期化制御されないすべての画素回路９０に対して、閾値補償制御を受ける期間に、ダミー画素回路９０ｄの初期化制御を行うことができる。
また、図１９の仮想ダミー領域Ｐｄｉで示されるように、ダミー領域の形状を三角形状としてもよい。この場合にも、一つ以上のダミー画素回路９０ｄの配置の行数を、表示パネル１０の一フレーム期間のうち垂直ブランキング期間に含まれる水平走査期間数と等しくてもよい。さらに、図１９の仮想ダミー領域Ｐｄｉに含まれるダミー画素回路９０ｄの動作のタイミングを変えることなく、配置位置を代替ダミー領域Ｐｄｒに移動させてもよい。これにより、表示パネル１０の額縁幅を縮小することができる。
また、図２０に示されるように、一つ以上のダミー画素回路９０ｄは、一行分だけ配置されてもよい。このような構成においても、一行分のダミー画素回路９０ｄに対して、一水平走査期間毎に繰り返し初期化制御を行うことで、表示装置９の輝度ムラを低減できる。
［１−４．ダミー画素回路の変形例］
本実施の形態に係るダミー画素回路９０ｄの回路構成の変形例について、図面を用いて説明する。図２１〜図２３は、それぞれ本実施の形態の第８〜第１０の変形例に係るダミー画素回路の回路構成を示す回路図である。
図２１に示されるダミー画素回路９０ｄ１は、複数の画素回路９０の第二電極と接続されるダミー容量素子２２ｄ、ダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極の電位を変化させるための手段として、参照トランジスタＴＲＥＦ及び初期化トランジスタＴＩＮＩを備える。
参照トランジスタＴＲＥＦ及び初期化トランジスタＴＩＮＩを画素回路９０と同様に動作させることにより、第二電極の電位を変動させることができる。なお、図２１に示す例では、ダミー容量素子２２ｄとして、有機ＥＬ素子２４を用いる構成が示されているが、ダミー容量素子２２ｄの構成として上述した任意の構成を採用できる。ダミー容量素子２２ｄの構成については、以下の各変形例についても同様である。
また、図２１では第二電極の電位を変化させるために必要な最低限の構成が示されているが、ダミー画素回路９０ｄ１は、画素回路９０に存在する、データ信号線ＳＩＧ及び書込みトランジスタＴＷＳ、駆動トランジスタＴＤのうちの一つ又は複数を備えてもよい。
図２２に示されるダミー画素回路９０ｄ２は、図２１に対して、参照電源線ＶＲＥＦ及び参照トランジスタＴＲＥＦに変えて、データ信号線ＳＩＧ及び書込みトランジスタＴＷＳを用いた構成を有する。
データ信号線ＳＩＧ及び初期化電源線ＶＩＮＩによりダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極の電位を変動させることによって、第二電極の電位を変化させる。なお、図２２では第二電極の電位を変化させるために必要な最低限の構成が示されているが、ダミー画素回路９０ｄ２は、画素回路９０に存在する、データ信号線ＳＩＧ及び書込みトランジスタＴＷＳ、駆動トランジスタＴＤのうちの一つ又は複数を備えてもよい。
図２３に示されるダミー画素回路９０ｄ３は、データ信号線ＳＩＧ及び書込みトランジスタＴＷＳ、並びに、参照電源線ＶＲＥＦ及び参照トランジスタＴＲＥＦに代えて、スイッチングトランジスタＴＺ及びダミー用信号線Ｖａを備える点において、画素回路９０と相違し、その他の点で一致する。このような構成においては、例えば、ダミー用信号線Ｖａに参照電圧と同程度の電圧を印加する。さらに、スイッチングトランジスタＴＺを制御信号線ＳＷによって制御することで、ダミー用信号線Ｖａに印加された電圧をダミー容量素子２２ｄの第一ダミー電極に印加できる。続いて、初期化トランジスタＴＩＮＩを用いて初期化制御を行うことで、上記各ダミー画素回路と同様に、ダミー容量素子２２ｄの第二電極の電位を変動させることができる。
図２３に示されるダミー画素回路９０ｄ３においては、ダミー用信号線Ｖａに印加される電圧は、画素回路９０に印加する電圧用の電源を用いて印加されてもよいし、別の電源によって印加されてもよい。別の電源を用いる場合には、ダミー用信号線Ｖａと有機ＥＬ素子２４との間に電圧を印加することで、有機ＥＬ素子２４の電流と電圧及び発光量との関係を取得できる。さらに、ダミー用信号線ＶａをＲＧＢ又はＲＧＢＷの発光色を有するダミー画素回路９０ｄ３毎に別々に設けることで、各発光色の有機ＥＬの電流と電圧及び発光量との関係を取得できる。
なお、画素回路及びダミー画素回路の構成は、以上の構成に限定されない。例えば、画素回路９０において、アノード電源線ＶＣＣと駆動トランジスタＴＤとの間にさらにスイッチングトランジスタを挿入した回路構成なども採用し得る。また、画素回路及びダミー画素回路は、参照トランジスタＴＲＥＦ、参照信号線ＲＥＦ及び参照電源線ＶＲＥＦを備えなくてもよい。例えば、書込みトランジスタＴＷＳ及び駆動トランジスタＴＤの二つのトランジスタだけを用いる画素回路及びダミー画素回路も実現可能である。このような画素回路などにおいては、データ信号線に印加する信号電圧を変動させ、当該信号電圧によって、第二電極の電位を変動させることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２に係る表示装置について説明する。本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態１に係る表示装置９の初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動を抑制するための構成を有する。以下、本実施の形態に係る表示装置９の初期化電源線ＶＩＮＩの構成について説明する。
［２−１．初期化電源線構成］
実施の形態１に係る表示装置９においては、行列状に配置された画素回路９０を行毎に走査する構成を有する。このような構成において、初期化電源線ＶＩＮＩとして、行毎に線状に設けられた、言わば一次元の配線を用いる場合、同一行に存在する各画素回路９０におけるＥＬ容量素子２２の放電が一本の配線に集中する。このため、特に、表示パネル１０の端部付近に配置された給電部から遠い位置、つまり、表示パネル１０の中央部に位置する配線の部分では、電位が上昇する。この現象について、図面を用いて説明する。
図２４Ａは、実施の形態１に係る表示装置９の各行の初期化電源線ＶＩＮＩの電位の波形を示す模式的なグラフである。図２４Ａにおいては、初期化電源線ＶＩＮＩとして一次元の配線を用いた場合における、初期化電源線ＶＩＮＩの表示パネル１０の中央部における電位が示されている。図２４Ａに示される時点Ｔ２１〜Ｔ２８は、それぞれ、１〜８行目の画素回路９０における初期化制御の開始時点（図４の時点Ｔ２）である。
図２４Ａに示されるように、各行の初期化電源線ＶＩＮＩの電位が上昇する。このような初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動は、有機ＥＬ素子２４の第一電極及び第二電極の電位変動に繋がるため、表示装置９の輝度ムラの原因となり得る。
そこで、本実施の形態では、初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動を抑制する構成とするために、初期化電源線ＶＩＮＩとして二次元の配線を用いる。つまり、本実施の形態では、水平走査方向及び垂直走査方向に格子状に形成された配線を初期化電源線ＶＩＮＩとして用いる。このような初期化電源線ＶＩＮＩにおける電位変動について図面を用いて説明する。
図２４Ｂは、本実施の形態に係る表示装置の各行の初期化電源線ＶＩＮＩの電位の波形を示す模式的なグラフである。図２４Ｂにおいては、初期化電源線ＶＩＮＩとして二次元の配線を用いた場合における、初期化電源線ＶＩＮＩの表示パネルの中央部における電位が示されている。図２４Ｂに示される時点Ｔ２１〜Ｔ２８は、それぞれ、１〜８行目の画素回路９０における初期化制御の開始時点（図４の時点Ｔ２）である。
図２４Ｂに示されるように、本実施の形態に係る二次元の配線からなる初期化電源線ＶＩＮＩにおいては、図２４Ａに示される一次元の配線からなる初期化電源線ＶＩＮＩより、電位変動量が小さい。ただし、本実施の形態に係る初期化電源線ＶＩＮＩにおいては、行間において、電位変動が伝わるため、一フレーム周期における各行の電位変動回数が増大する。このような現象について、図面を用いて説明する。
図２５は、本実施の形態に係る初期化電源線ＶＩＮＩの構成を示す模式的な配線図である。図２５においては、初期化電源線ＶＩＮＩの水平走査方向配線６１（実線）及び垂直走査方向配線６２（太い破線）が示されている。また、図２５には、有機ＥＬ素子２４の第二電極（カソード）が配線６４として細い破線で示されている。さらに、図２５には、有機ＥＬ素子２４のＥＬ容量素子２２が示されている。なお、図２５には、初期化電源線ＶＩＮＩと有機ＥＬ素子２４の第二電極との間に接続される、ＥＬ容量素子２２以外の素子については、記載が省略されている。
図２５に示されるように、本実施の形態に係る表示パネルは、複数の画素回路９０に初期化電圧を供給する初期化電源線ＶＩＮＩを備える。初期化電源線ＶＩＮＩは、複数の画素回路９０の水平走査方向に延びる水平走査方向配線６１と、複数の画素回路９０の垂直走査方向に延びる垂直走査方向配線６２とを有する。
本実施の形態においては、図２５に示されるように、例えば、一つの水平走査方向配線６１の点Ｂにおける初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動が、垂直走査方向配線６２を介して他の水平走査方向配線６１の点Ａに伝わる。これにより、図２４Ｂに示されるように、各行の初期化電源線ＶＩＮＩが一フレーム周期において複数回変動する。
以上のように、初期化電源線ＶＩＮＩに垂直走査方向配線６２を設けることで、初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動量は抑制できるが、変動回数が増加する。
また、図２５に示されるように、初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動は、ＥＬ容量素子２２を介して有機ＥＬ素子２４の第二電極（図２５の配線６４）に伝わるため、輝度ムラの原因となる。
そこで、本実施の形態では、初期化電源線ＶＩＮＩの垂直走査方向配線６２は、水平走査方向配線６１より単位長さ当たりの抵抗が大きい構成を採用する。これにより、初期化電源線ＶＩＮＩの電位変動量を抑制しつつ、電位変動回数の増加の影響を抑制することができる。
なお、水平走査方向配線６１及び垂直走査方向配線６２の各抵抗値は、表示パネルの寸法などに応じて適宜最適化されてもよい。また、各抵抗値は、配線材料、配線幅などによって適宜調整されてもよい。
（実施の形態３）
実施の形態３に係る表示装置について説明する。本実施の形態に係る表示装置は、上記輝度ムラの原因と成り得る画素回路９０におけるリーク電流を抑制できる構成を有する。以下、本実施の形態に係る画素回路９０について説明する。
［３−１．リーク電流］
まず、実施の形態１に係る表示装置９の画素回路９０におけるリーク電流について図面を用いて説明する。図２６は、実施の形態１に係る画素回路９０の駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇの電位Ｖｇの波形を示すグラフである。図２６においては、参照信号線ＲＥＦ、初期化信号線ＩＮＩ、書込み信号線ＷＳ及びデータ信号線ＳＩＧに入力される各信号の波形も併せて示されている。なお、各信号の波形は、図４に示される波形と同様である。
図２６に示されるように、時点Ｔ２において初期化制御が行われ、駆動トランジスタＴＤのソース電極ｓの電位が−３Ｖ程度に低下し、容量素子２０を介して、ゲート電極ｇの電位Ｖｇも低下する。これにより、ゲート電極ｇの電位Ｖｇが書込みトランジスタＴＷＳ及び参照トランジスタＴＲＥＦのオフ電位よりも低くなるため、これらのトランジスタにおいてリーク電流が発生する。これに伴い、ゲート電極ｇの電位Ｖｇが上昇する。図２６に示されるΔＶが、リーク電流に伴う電位の上昇量である。
ここで、書込みトランジスタＴＷＳ及び参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流の輝度ムラに対する影響について説明する。
まず、書込みトランジスタＴＷＳにおいて、リーク電流が発生する場合について説明する。この場合、書込みトランジスタＴＷＳに接続されるデータ信号線ＳＩＧから容量素子２０に電流が流れるため、データ信号の電圧が低下する。つまり、有機ＥＬ素子２４の輝度は低下する。ここで、上記輝度ムラが発生する領域（つまり輝度が低くなる領域）の画素回路９０において、データ信号が書き込まれるタイミングでは、他の領域の画素回路９０においてデータ信号が書き込まれるタイミングと比較して、複数の画素回路９０のうち初期化制御を受けている画素回路９０の個数が少ない。このため、輝度ムラが発生する領域の画素回路９０に書き込まれるデータ信号の電圧低下量は、他の領域の画素回路９０より小さい。つまり、書込みトランジスタＴＷＳにおけるリーク電流は、輝度ムラが発生する領域の輝度を他の領域より高くする。このため、書込みトランジスタＴＷＳにおけるリーク電流は、上記輝度ムラの原因とは考えにくい。
次に、参照トランジスタＴＲＥＦにおいて、リーク電流が発生する場合について説明する。
この場合、参照トランジスタＴＲＥＦに接続される参照電源線ＶＲＥＦから容量素子２０に電流が流れるため、参照電源線ＶＲＥＦの電圧である参照電圧Ｖｒｅｆが低下する。ここで、有機ＥＬ素子２４の発光期間に流れる電流Ｉｄｓは以下の式（１）で表されるように、参照電圧Ｖｒｅｆに依存する。
Figure 0006872795
式（１）において、μ、Ｗ及びＬは、それぞれ、駆動トランジスタＴＤのチャネル層におけるキャリアの移動度、チャネル幅、及び、チャネル長を表す。Ｖｓｉｇは、データ信号の電圧を表す。Ｃｏｌｅｄ及びＣｓは、それぞれ、ＥＬ容量素子２２の容量、及び、容量素子２０の容量をそれぞれ表す。Ｖｔｈは、駆動トランジスタＴＤの閾値電圧を表す。
式（１）に示されるように、参照電圧Ｖｒｅｆが変動することにより、有機ＥＬ素子２４に流れる電流Ｉｄｓが変動する。参照電圧Ｖｒｅｆは、上述のとおり、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流量によって変動し得るため、参照電圧Ｖｒｅｆの変動量が、画素回路９０毎に異なる場合、輝度ムラが発生し得る。
ここで、参照トランジスタＴＲＥＦを介して、参照電源線ＶＲＥＦから画素回路９０の駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇにリーク電流が流れる期間は、一つの画素回路９０については、一フレームのうち図４に示される時点Ｔ２〜Ｔ３の期間である。
表示装置９全体について考えると、リーク電流が流れる画素回路９０の行数の全行数に対する割合は、（Ｔ３−Ｔ２）／（一水平走査期間）となる。表示部９０２のうち暗くなる領域９０２ａ以外の領域では、参照電源線ＶＲＥＦが供給する画素回路９０へのリーク電流の総和はおおよそ（Ｔ３−Ｔ２）／（一水平走査期間）×（一行に配置される画素回路数）×（一画素回路あたりリーク電流）となる。しかし、領域９０２ａでは、データ信号書き込み時の参照電源線ＶＲＥＦからのリーク電流の和は、初期化制御を受けている画素回路９０の行数が少なくなっていることから、（Ｔ３−Ｔ２）／（一水平走査期間）×（一行に配置される画素回路数）×（一画素回路あたりリーク電流）より小さくなる。
その結果、領域９０２ａの書き込み時の参照電圧Ｖｒｅｆは、他の領域での参照電圧Ｖｒｅｆより高くなる。したがって、式（１）に示されるとおり、電流Ｉｄｓが減少するため、領域９０２ａにおける輝度が他の領域の表示領域Ｐａの輝度より低くなる。
以上のように、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流が上記輝度ムラの原因となり得るため、本実施の形態に係る画素回路９０においては、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流を低減する。
［３−２．画素回路構成］
次に、本実施の形態に係る画素回路９０の構成について図面を用いて説明する。図２７は、本実施の形態に係る画素回路９０の配線レイアウトを示す図である。図２７は、表示パネル１０の平面視における画素回路９０のレイアウトを示す。
図２７に示されるように、初期化電源線ＶＩＮＩ、アノード電源線ＶＣＣ及び参照電源線ＶＲＥＦと、それらの電源線に接続される初期化トランジスタＴＩＮＩ、駆動トランジスタＴＤ、書込みトランジスタＴＷＳ及び参照トランジスタＴＲＥＦとが配置されている。図２７に示されるように、画素回路９０は、駆動トランジスタＴＤと、参照電圧が印加される参照電源線ＶＲＥＦと、参照電源線ＶＲＥＦと駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとの間に接続される参照トランジスタＴＲＥＦと、有機ＥＬ素子２４に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線ＳＩＧと、データ信号線ＳＩＧと駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇとの間に接続される書込みトランジスタＴＷＳとをさらに有する。なお、画素回路９０における容量素子２０及び駆動トランジスタＴＤの配線レイアウトの詳細は、図面を簡略化するために省略されている。
図２７に示されるような画素回路９０の参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流を低減するために、本実施の形態では、参照トランジスタＴＲＥＦのＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）長は、書込みトランジスタＴＷＳより大きい。これにより、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流を低減できる。さらに、本実施の形態では、図２７に示されるように、参照トランジスタＴＲＥＦにおいて、参照信号線ＲＥＦが二か所においてポリシリコン層からなる半導体層と重なっている。ここで、参照信号線ＲＥＦは、参照トランジスタＴＲＥＦのゲート電極として機能する配線であることから、本実施の形態に係る参照トランジスタＴＲＥＦは、ダブルゲート型のトランジスタとなる。また、参照トランジスタＴＲＥＦは、シングルゲート型のトランジスタである書込みトランジスタＴＷＳよりゲート数が多い。これにより、参照トランジスタＴＲＥＦにおいては、二つのゲートによって電流を遮断できるため、リーク電流を低減できる。
また、図２７に示されるように、参照トランジスタＴＲＥＦは、二つのゲートと、チャネル層を形成する半導体層（図２７のポリシリコン層）とを有し、半導体層の平面視において、二つのゲートの間に配置される半導体層は、Ｌ字状の形状を有する。これにより、二つのゲートの間のＬＤＤ長を大きくできる。
また、上述したように、画素回路９０の初期化制御時に、駆動トランジスタＴＤのゲート電極ｇの電位が低下する。このため、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるソース電極及びドレイン電極は、画素回路９０における有機ＥＬ素子２４の発光時と、初期化制御時とで逆転する。図２７に示されるように、参照トランジスタＴＲＥＦの二つのゲートの間のＬＤＤ長を長くすることで、ソース電極及びドレイン電極がどちらに転じた場合においても、リーク電流を低減することができる。
また、画素回路９０において、参照トランジスタＴＲＥＦのゲート数は３以上であってもよい。このような参照トランジスタＴＲＥＦについて、図面を用いて説明する。図２８は、本実施の形態に係る参照トランジスタＴＲＥＦの電極形状の概要を示す模式図である。図２８においては、半導体層ＰＳの平面視における電極形状が示されている。
図２８に示されるように、参照信号線ＲＥＦを、三か所において半導体層ＰＳと重ねることで、トリプルゲート型のトランジスタを実現できる。これにより、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流をより一層低減できる。
また、画素回路９０において、参照トランジスタＴＲＥＦは、書込みトランジスタＴＷＳよりチャネル長に対するチャネル幅の比が小さくてもよい。このような参照トランジスタＴＲＥＦについて、図面を用いて説明する。図２９は、本実施の形態に係る参照トランジスタＴＲＥＦの電極形状の概要を示す模式図である。図２９においては、半導体層ＰＳの平面視における電極形状が示されている。
図２９に示される参照トランジスタＴＲＥＦのチャネル幅Ｗを小さく、チャネル長Ｌを長くすることで、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌを小さくできる。このように、参照トランジスタＴＲＥＦのチャネル長に対するチャネル幅の比を小さくすることで、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流を低減できる。
以上のように、本実施の形態では、参照トランジスタＴＲＥＦにおけるリーク電流を低減することによって、表示装置の輝度ムラを低減できる。
（他の実施の形態）
以上、本開示に係る表示装置について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本開示に係る表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本実施の形態に係る表示装置を内蔵した各種機器も本開示に含まれる。
本開示は、例えば、有機ＥＬ素子を用いたフラットパネルディスプレイに有用である。
２、９０２ 表示部
３、９０３ 制御回路
４、９０４ 走査線駆動回路
５、９０５ 信号線駆動回路
６、９０６ 電源回路
９、９００ 表示装置
１０、９１０ 表示パネル
２０ 容量素子
２２ ＥＬ容量素子
２２ｄ ダミー容量素子
２４、２４Ｂ、２４Ｇ、２４Ｒ 有機ＥＬ素子
２５ 接触抵抗
６１ 水平走査方向配線
６２ 垂直走査方向配線
６４ 配線
９０ 画素回路
９０ｄ、９０ｄ１、９０ｄ２、９０ｄ３ ダミー画素回路
９２ 画素
２４１ 第一電極
２４２ 第二電極
２４３ 第一有機ＥＬ層
２４４ 第二有機ＥＬ層
２４５ バンク
９０２ａ 領域
９０２ｃ コンタクト領域
９１２ 基板
ＩＮＩ 初期化信号線
Ｐａ 表示領域
Ｐｄ ダミー領域
ＲＥＦ 参照信号線
ＳＩＧ データ信号線
ＴＤ 駆動トランジスタ
ＴＩＮＩ 初期化トランジスタ
ＴＲＥＦ 参照トランジスタ
ＴＷＳ 書込みトランジスタ
ＶＣＡＴ カソード電源線
ＶＣＣ アノード電源線
ＶＩＮＩ 初期化電源線
ＶＲＥＦ 参照電源線
ＷＳ 書込み信号線

Claims (16)

  1. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    行列状に配置された前記複数の画素回路のうち、最後に走査される行の少なくとも一方の端に位置する画素回路の前記垂直走査方向には、前記一つ以上のダミー画素回路は配置されない
    表示装置。
  2. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に、かつ、行列状に配置され、
    行列状に配置された前記一つ以上のダミー画素回路の各行におけるダミー画素回路の個数は、前記表示領域から遠ざかるにしたがって減少する
    表示装置。
  3. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    前記表示パネルは、前記複数の画素回路に初期化電圧を供給する初期化電源線を備え、
    前記初期化電源線は、前記複数の画素回路の行毎に配置され水平走査方向に延びる水平走査方向配線と、前記複数の画素回路の列毎に配置され垂直走査方向に延びる垂直走査方向配線とを有し、
    前記垂直走査方向配線は、前記水平走査方向配線より単位長さ当たりの抵抗が大きい
    表示装置。
  4. 前記画素回路は、
    参照電圧が印加される参照電源線と、
    前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、
    前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、
    前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとをさらに有する
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
  5. 前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）長が大きい
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりチャネル長に対するチャネル幅の比が小さい
    請求項４又は５に記載の表示装置。
  7. 前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりゲート数が多い
    請求項４〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 前記参照トランジスタは、二つのゲートと、チャネル層を形成する半導体層とを有し、
    前記半導体層の平面視において、前記二つのゲートの間に配置される前記半導体層は、Ｌ字状の形状を有する
    請求項４〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、
    参照電圧が印加される参照電源線と、
    前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、
    前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、
    前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりＬＤＤ長が大きい
    表示装置。
  10. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、
    参照電圧が印加される参照電源線と、
    前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、
    前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、
    前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりチャネル長に対するチャネル幅の比が小さい
    表示装置。
  11. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、
    参照電圧が印加される参照電源線と、
    前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、
    前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、
    前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    前記参照トランジスタは、書込みトランジスタよりゲート数が多い
    表示装置。
  12. 表示装置であって、
    表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御回路とを備え、
    前記表示パネルは、
    前記表示パネルの表示領域に行列状に配置された複数の画素回路と、
    前記表示領域の外側に配置された一つ以上のダミー画素回路とを有し、
    前記複数の画素回路の各々は、
    第一電極及び第二電極を有する有機ＥＬ素子と、
    電圧を保持するための容量素子と、
    前記有機ＥＬ素子の第一電極と接続され、前記容量素子に保持された電圧に応じた電流を前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、
    参照電圧が印加される参照電源線と、
    前記参照電源線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される参照トランジスタと、
    前記有機ＥＬ素子に供給する電流に対応する電圧が印加されるデータ信号線と、
    前記データ信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続される書込みトランジスタとを有し、
    前記一つ以上のダミー画素回路の各々は、
    第一ダミー電極及び第二ダミー電極を有し、前記第二ダミー電極として前記第二電極を前記有機ＥＬ素子と共有するダミー容量素子を有し、
    前記制御回路は、
    前記複数の画素回路の各々に対して、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補償する閾値補償制御を行う期間内に、前記複数の画素回路の他の少なくとも一つの画素回路に対して前記有機ＥＬ素子の前記第一電極の電位を初期化する初期化制御、及び、前記ダミー容量素子の前記第一ダミー電極の電位を初期化するダミー初期化制御の少なくとも一方を行い、かつ、行列状に配置された前記複数の画素回路のうち発光させる画素回路を垂直走査方向に走査し、
    前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域に対して前記垂直走査方向に配置され、
    前記参照トランジスタは、二つのゲートと、チャネル層を形成する半導体層とを有し、
    前記半導体層の平面視において、前記二つのゲートの間に配置される前記半導体層は、Ｌ字状の形状を有する
    表示装置。
  13. 前記一つ以上のダミー画素回路は、前記表示領域の外部のうち前記表示領域に対して前記垂直走査方向に位置する一方の外部及び他方の外部に配置される
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 前記一つ以上のダミー画素回路は、前記複数の画素回路の水平走査方向に並べられた複数の領域に配置される
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  15. 前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状に配置され、
    前記一つ以上のダミー画素回路の配置の行数は、前記表示パネルの一フレーム期間のうち垂直ブランキング期間に含まれる水平走査期間数と等しい
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  16. 前記一つ以上のダミー画素回路は、行列状に配置され、
    前記一つ以上のダミー画素回路の配置の行数は、前記表示パネルの一フレーム期間のうちブランキング期間に含まれる水平走査期間数より少ない
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
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