KR102502482B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102502482B1
KR102502482B1 KR1020150127246A KR20150127246A KR102502482B1 KR 102502482 B1 KR102502482 B1 KR 102502482B1 KR 1020150127246 A KR1020150127246 A KR 1020150127246A KR 20150127246 A KR20150127246 A KR 20150127246A KR 102502482 B1 KR102502482 B1 KR 102502482B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
characteristic
luminance
display device
amount
Prior art date
Application number
KR1020150127246A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170030153A (ko
Inventor
박진우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150127246A priority Critical patent/KR102502482B1/ko
Priority to US15/234,981 priority patent/US10559254B2/en
Publication of KR20170030153A publication Critical patent/KR20170030153A/ko
Priority to US16/744,093 priority patent/US11087681B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102502482B1 publication Critical patent/KR102502482B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0238—Improving the black level
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G09G2320/0295—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Abstract

표시 장치는 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 패널, 상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 센싱부 및 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 열화량을 산출하는 데이터 보상부를 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF COMPENSATING DEGRADATION OF THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열화를 보상하는 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 장치이다. 유기 발광 다이오드와 유기 발광 다이오드로 전류를 공급하는 구동 트랜지스터는 사용에 의해 그 특성이 열화될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드 또는 구동 트랜지스터의 열화(이하, "화소의 열화"라 함)에 따라 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없다.
종래의 유기 발광 표시 장치는 화소들에 기준 신호를 인가하고, 기준 신호에 따라 화소들 각각에 흐르는 전류(즉, 구동 전류)를 측정하며, 상기 측정된 전류와 더미 화소에서 측정된 전류간의 전류차에 기초하여 화소들 각각의 열화량을 산출한다.
그러나, 화소의 배치 위치에 따라 화소의 전류 변화 특성은 다르게 나타나므로, 화소와 더미 화소 간의 이격 거리가 클수록 산출된 열화량의 정확도가 낮아질 수 있다. 또한, 더미 화소를 화소와 인접하여 배치하는 경우, 더미 화소가 시인되는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 화소의 열화를 정확하게 보상할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치에서 수행되는 표시 장치의 열화 보상 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 패널, 상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 센싱부 및 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 열화량을 산출하는 데이터 보상부를 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 화소는 상기 제1 화소에 인접하여 배치되고, 상기 제2 휘도로 발광하여 상기 목표 휘도와 상기 제1 휘도간의 휘도 차를 보완 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 특성은 센싱 전압에 따라 상기 제1 발광 소자에 흐르는 제1 전류이고, 상기 제2 특성은 상기 센싱 전압에 따라 상기 제2 발광 소자에 흐르는 제2 전류일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 데이터 전압을 생성하고, 상기 제1 데이터 전압을 상기 제1 화소에 공급하며, 상기 목표 계조에 기초하여 제2 데이터 전압을 생성하고, 상기 제2 데이터 전압을 상기 제2 화소에 공급하는 데이터 구동부를 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 발광 제어 신호를 생성하고, 상기 제1 발광 제어 신호를 상기 제1 화소에 공급하며, 상기 목표 계조에 기초하여 제2 발광 제어 신호를 생성하고, 상기 제2 발광 제어 신호를 상기 제2 화소에 공급하는 발광 제어 구동부를 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 데이터 보상부는, 상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조를 상기 제1 휘도에 대응하는 제1 계조로 변조하고, 상기 목표 계조를 상기 제2 휘도에 대응하는 제2 계조로 변조 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 화소는 에이징 공정을 통해 상기 제2 화소보다 열화 될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 보상부는, 상기 제2 특성과 상기 제1 특성간의 특성 차를 산출하고, 상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 보상부는, 기 저장된 상기 제2 화소의 초기 특성 차에 기초하여 상기 특성 차를 보상하고, 상기 보상된 특성 차와 상기 열화량 간의 관계를 나타내는 선형 방정식을 이용하여 상기 열화량을 산출 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 보상부는 상기 열화량에 기초하여 입력 데이터를 보상 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 보상부는, 휘도 측정 장치로부터 상기 제1 특성에 대응하는 제1 측정 휘도 및 상기 제2 특성에 대응하는 제2 측정 휘도를 수신하고, 상기 제1 특성, 상기 제2 특성, 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도에 기초하여 열화 보상 모델을 생성하고, 상기 열화 보상 모델은 특성 변화량과 휘도 변화량을 상관 관계를 나타나며, 상기 특성 변화량은 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성 간의 특성 차이이고, 상기 휘도 변화량은 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도의 휘도 차이일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 보상부는, 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 초기 특성 차를 산출하고, 산출된 초기 특성 차를 메모리에 저장 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법은, 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 장치에서, 상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 단계, 및 상기 제1 특성에 대응하는 제1 측정 휘도 및 상기 제2 특성에 대응하는 제2 측정 휘도를 외부로부터 수신하는 단계 및 상기 제1 특성, 상기 제2 특성, 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도에 기초하여 열화 보상 모델을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 열화 보상 모델은 특성 변화량과 휘도 변화량을 상관 관계를 나타나며, 상기 특성 변화량은 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성 간의 특성 차이이고, 상기 휘도 변화량은 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도의 휘도 차이일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 열화 보상 모델을 생성하는 단계는, 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 초기 특성 차를 산출하고, 산출된 초기 특성 차를 메모리에 저장 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법은, 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 장치에서, 상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 단계 및 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 열화량을 산출하는 단계를 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 화소는 상기 제1 화소에 인접하여 배치되고, 상기 제2 휘도로 발광하여 상기 목표 휘도와 상기 제1 휘도간의 휘도 차를 보완 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 특성은 센싱 전압에 따라 상기 제1 발광 소자에 흐르는 제1 전류이고, 상기 제2 특성은 상기 센싱 전압에 따라 상기 제2 발광 소자에 흐르는 제2 전류일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 화소의 상기 열화량을 산출하는 단계는, 상기 제2 특성과 상기 제1 특성간의 특성 차를 산출하는 단계 및 상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출하는 단계를 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출하는 단계는, 기 저장된 상기 제2 화소의 초기 특성 차에 기초하여 상기 특성 차를 보상하는 단계 및 상기 보상된 특성 차와 상기 열화량 간의 관계를 나타내는 선형 방정식을 이용하여 상기 열화량을 산출하는 단계를 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치의 열화 보상 방법은, 상기 열화량에 기초하여 입력 데이터를 보상하는 단계를 더 포함 할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 목표 휘도보다 낮은 휘도로 발광하는(즉, 열화가 둔화되고) 제1 화소에 기초하여 제1 화소와 인접하여 배치된 제2 화소의 열화량을 산출할 수 있다. 따라서, 표시 장치는 정확한 열화 보상의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 표시 장치는 제2 화소를 목표 휘도보다 높은 휘도로 발광시킴으로써, 제1 화소의 부족한 휘도(즉, 목표 휘도보다 낮은 휘도)를 보완하므로, 표시 품질의 감소를 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법은 상기 표시 장치에서 수행될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에서 수행되는 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하는 그래프이다.
도 3a는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3b는 도 3의 표시 패널에 포함된 화소의 데이터-휘도 특성 곡선의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3c는 도 3의 표시 패널에 포함된 화소의 열화 곡선의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에서 수행되는 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하는 그래프이다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 및 센싱부의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치에 포함된 데이터 보상부의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법에 포함된 열화량을 산출하는 구성의 일 예를 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법의 일 예를 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 발광 구동부(140), 센싱부(150), 타이밍 제어부(160) 및 데이터 보상부(170)를 포함할 수 있다. 표시 장치(100)는 외부에서 제공되는 영상 데이터(예를 들어, 제1 데이터(DATA1))에 기초하여 영상을 출력하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
표시 패널(110)은 복수의 주사선들(S1 내지 Sn), 복수의 데이터선들(D1 내지 Dm), 복수의 발광제어선들(E1 내지 En), 복수의 피드백선들(F1 내지 Fm) 및 복수의 화소(111)들을 포함할 수 있다(단, n과 m은 2이상의 정수). 화소(111)들은 주사선들(S1 내지 Sn), 데이터선들(D1 내지 Dm), 발광제어선들(E1 내지 En) 및 피드백선들(F1 내지 Fm)의 교차부에 배치될 수 있다.
화소(111)들 각각은 주사 신호에 응답하여 데이터 신호를 저장하고, 저장된 데이터 신호에 기초하여 발광할 수 있다. 도 5를 참조하여 화소(111)의 구성에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
실시예들에서, 표시 패널(110)은 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소(또는, 참조 화소) 및 목표 휘도보다 높은 제2 휘도(또는, 인접 화소)로 발광하는 제2 화소를 포함할 수 있다. 여기서, 목표 휘도는 특정 데이터에 대응하여 기준 화소가 발광하는 휘도일 수 있다. 일 실시예에서, 제2 화소는 제1 화소에 인접하여 배치되고, 제2 휘도로 발광하여 목표 휘도와 제1 휘도간의 휘도 차를 보완할 수 있다. 즉, 제2 화소는 제1 화소의 부족 휘도(즉, 목표 휘도 제1 휘도)를 보완할 수 있다. 제1 화소 및 제2 화소에 대해서는 도 3a를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
주사 구동부(120)는 주사 구동제어신호(SCS)에 기초하여 주사신호를 생성할 수 있다. 주사 구동제어신호(SCS)는 타이밍 제어부(160)로부터 주사 구동부(120)에 제공될 수 있다. 주사 구동제어신호(SCS)는 스타트 펄스 및 클럭신호들을 포함하고, 주사 구동부(120)는 스타트 펄스 및 클럭신호들에 대응하여 순차적으로 주사신호를 생성하는 시프트 레지스터를 포함하여 구성될 수 있다.
데이터 구동부(130)는 데이터 구동제어신호(DCS) 및 영상 데이터(예를 들어, 제3 데이터(DATA3))에 기초하여 데이터 신호를 생성할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 데이터 구동제어신호(DCS)에 따라 생성된 데이터 신호를 표시 패널(110)에 제공할 수 있다. 즉, 데이터 구동부(130)는 테이터선들(D1 내지 Dm)을 통해 화소들(111)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 데이터 구동제어신호(DCS)는 타이밍 제어부(160)로부터 데이터 구동부(130)에 제공될 수 있다. 영상 데이터는 데이터 보상부(170) 또는 타이밍 제어부(160)로부터 데이터 구동부(130)에 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 구동부(130)는 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 데이터 전압을 생성하고, 제1 데이터 전압을 제1 화소에 공급하며, 목표 계조에 기초하여 제2 데이터 전압을 생성하고, 제2 데이터 전압을 제2 화소에 공급할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(130)는 복수의 감마 전압 생성부를 통해, 목표 계조에 대응하는 제1 데이터 전압 및 제2 데이터 전압을 각각 생성할 수 있다. 따라서, 제1 화소 및 제2 화소는 제1 데이터 전압 및 제2 데이터 전압에 기초하여 각각 제1 휘도 및 제2 휘도로 발광할 수 있다.
발광 구동부(140)는 발광 구동제어신호(ECS)에 기초하여 발광 제어신호를 생성할 수 있다. 발광 구동제어신호(ECS)는 타이밍 제어부(160)로부터 발광 구동부(140)에 제공될 수 있다. 발광 구동부(140)는 발광 구동제어신호(ECS) 및 클럭신호들에 기초하여 동시 또는 순차적으로 발광 제어신호를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 발광 구동부(140)는 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 발광 제어 신호를 생성하고, 제1 발광 제어 신호를 제1 화소에 공급하며, 목표 계조에 기초하여 제2 발광 제어 신호를 생성하고, 제2 발광 제어 신호를 제2 화소에 공급할 수 있다. 따라서, 제1 화소 및 제2 화소는 제1 발광 제어 신호 및 제2 발광 제어 신호에 기초하여 각각 제1 휘도 및 제2 휘도로 발광할 수 있다.
센싱부(150)는 피드백선들(F1 내지 Fm)에 연결되고, 제어신호(CS)에 기초하여 화소(111)의 특성을 측정(또는, 감지, 센싱)할 수 있다. 여기서, 제어신호(CS)는 타이밍 제어부(160)로부터 센싱부(150)에 제공될 수 있다. 화소(111)의 특성은 화소(111) 내에 구비된 발광 소자의 특성이고, 화소(111)의 특성은 발광 소자의 전류-전압 특성, 발광 소자의 전압-휘도 특성, 발광 소자의 임피던스(저항 성분 및 커패시터 성분) 특성 중 적어도 하나를 포함하고, 임피던스는 저항 성분과 커패시터 성분(예를 들어, 발광 소자의 기생 커패시터)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소(111)의 특성은 화소(111)에 특정 전압(예를 들어, 센싱 전압)이 인가된 경우, 화소(111) 내 발광 소자에 흐르는 전류량으로 나타날 수 있다. 이하에서, 화소(111)의 특성은 발광 소자의 전류-전압 특성이고, 센싱 전압에 따라 발광 소자에 흐르는 전류량(또는, 구동 전류량)인 것을 예로 들어 설명한다.
실시예들에서, 센싱부(150)는 제어신호에 응답하여 특정 피드백선(예를 들어, 제m 피드백선(Fm))에 기준전압(또는, 센싱 전압)을 인가하고, 기준전압에 따라 피드백선을 통해 피드백되는 전류를 적분하여 화소(111)의 구동 전류를 측정할 수 있다. 여기서, 기준전압은 유기 발광 다이오드의 문턱전압보다 클 수 있다. 센싱부(150)의 구성 및 화소(111)의 특성(즉, 발광 소자에 흐르는 구동 전류)를 측정하는 구성에 대해서는 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
타이밍 제어부(160)는 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 발광 구동부(140), 센싱부(150) 및 데이터 보상부(170)의 동작을 제어할 수 있다. 타이밍 제어부(160)는 주사 구동제어신호(SCS), 데이터 구동제어신호(DCS), 발광 구동제어신호(ECS), 제어신호(CS)를 생성하고, 상기 생성된 신호들에 기초하여 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 발광 구동부(140), 센싱부(150) 및 데이터 보상부(170) 각각을 제어할 수 있다.
데이터 보상부(170)는 화소(111)의 특성에 기초하여 화소의 열화량을 산출할 수 있다. 실시예들에서, 데이터 보상부(170)는 제1 화소의 특성 및 제2 화소의 특성에 기초하여 제2 화소의 열화량(즉, 상대 열화량)을 산출할 수 있다. 예를 들어, 데이터 보상부(170)는 제1 화소의 제1 전류와 제2 화소의 제2 전류간의 전류 차를 산출하고, 전류 차에 기초하여 제2 화소의 열화량을 산출할 수 있다. 예를 들어, 데이터 보상부(170)는 열화 곡선 또는 선형 방정식을 이용하여 제2 화소의 열화량을 산출할 수 있다. 여기서, 열화 곡선 또는 선형 방정식은 전류 차와 열화량 간의 상관 관계를 포함할 수 있다.
실시예들에서, 데이터 보상부(170)는 제2 화소의 열화량에 기초하여 입력 데이터(즉, 제2 화소에 대응하는 입력 데이터)(예를 들어, 제2 데이터(DATA2))를 보상할 수 있다. 예를 들어, 데이터 보상부(170)는 룩업 테이블을 이용하여 제2 화소의 열화량에 대응하는 보상 데이터를 획득하고, 제2 데이터(DATA2)에 보상 데이터를 합산하여 제3 데이터(DATA3)를 생성할 수 있다. 여기서, 룩업 테이블은 열화량에 대응하는 보상 데이터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 보상부(170)는 목표 계조를 제1 휘도에 대응하는 제1 계조로 변조하고, 목표 계조를 제2 휘도에 대응하는 제2 계조로 변조할 수 있다. 이 경우, 제1 화소 및 제2 화소는 제1 계조 및 제2 계조에 기초하여 각각 제1 휘도 및 제2 휘도로 발광할 수 있다. 데이터 보상부(170)의 구성에 대해서는 도 6을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1에 도시되지 않았으나, 유기 발광 표시 장치(100)는 전원 공급부를 더 포함할 수 있다. 전원 공급부는 유기 발광 표시 장치(100)의 구동에 필요한 구동 전압을 생성할 수 있다. 구동 전압은 제1 전원전압(ELVDD)와 제2 전원전압(ELVSS)를 포함할 수 있다. 제1 전원전압(ELVDD)은 제2 전원전압(ELVSS)보다 클 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 장치(100)는 목표 휘도보다 낮은 휘도로 발광하는 제1 화소에 기초하여 제1 화소와 인접하여 배치된 제2 화소의 열화량(즉, 상대 열화량)을 산출할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 제2 화소와 인접한 제1 화소를 이용하여 제2 화소의 상대 열화량을 산출하므로, 제2 화소에 대한 열화 보상의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 제2 화소를 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광시킴으로써, 제1 화소의 부족 휘도(즉, 목표 휘도와 제1 휘도간의 휘도 차이)를 보완할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 제1 화소가 시인되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 1에는 표시 패널(110)이 피드백선들(F1 내지 Fm)을 포함하고, 센싱부(150)는 피드백선들(F1 내지 Fm)에 연결되는 것으로 도시되어 있으나, 표시 패널(110)은 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 패널(110)은 피드백선들(F1 내지 Fm)을 포함하지 아니하고, 시분할 구동을 통해 데이터선들(D1 내지 Dm)을 피드백선(F1 내지 Fm)으로 이용할 수 있다.
또한, 도 1에는 데이터 보상부(170)가 별도로 구비되는 것으로 도시되어 있으나, 데이터 보상부(170)는 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 데이터 보상부(170)는 타이밍 제어부(160) 또는 구동 집적 회로(즉, 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 발광 구동부(140) 중 적어도 하나를 포함하는 집적 회로)에 포함될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에서 수행되는 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 도 1의 표시 장치(100)에 포함된 화소들(111)의 측정 데이터(즉, 센싱부(150)를 통해 측정된 화소들(111)의 구동 전류양)이 도시되어 있다.
제1 측정 데이터(210)는 제1 열화된 화소(Pd1)의 제1 측정 전압과, 제2 열화된 화소(Pd2)의 제2 측정 전압을 포함할 수 있다. 제1 측정 전압은 제1 열화된 화소(Pd1)에 센싱 전압이 인가된 경우, 제1 열화된 화소(Pd1)의 발광 소자에 흐르는 제1 구동 전류를 특정 시간동안 적분하여 생성될 수 있다. 제2 측정 전압은 제2 열화된 화소(Pd2)에 센싱 전압이 인가된 경우, 제2 열화된 화소(Pd2)의 발광 소자에 흐르는 제2 구동 전류를 특정 시간동안 적분하여 생성될 수 있다. 제2 열화된 화소(Pd2)의 열화량은 제1 열화된 화소(Pd1)의 열화량보다 크므로, 제2 측정 전압은 제1 측정 전압보다 제1 전압차(ΔV1)만큼 낮을 수 있다. 이 경우, 표시 장치(100)는 제1 전압차(ΔV1)에 기초하여 제2 열화된 화소(Pd2)의 데이터(즉, 제2 열화된 화소(Pd2)에 입력되는 데이터)를 보상할 수 있다. 데이터 보상에 따라, 제2 열화된 화소(Pd2)는 제1 열화된 화소(Pd1)과 동일한 구동 전류를 가지고, 제2 열화된 화소(Pd2)는 제1 열화된 화소(Pd1)의 휘도와 동일한 휘도로 발광할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 상대적으로 덜 열화된 제1 열화된 화소(Pd1)에 기초하여 제2 열화된 화소(Pd2)의 열화를 보상할 수 있다.
그러나, 제2 측정 데이터(220)에 도시된 바와 같이, 제2 열화된 화소(Pd2)가 제1 열화된 화소(Pd1)과 이격된 경우(또는 상대적으로 열화가 많이 된 열화영역(Ad2)이 넓은 경우), 제2 열화된 화소(Pd2)에 인접한 덜 열화된 화소가 없으므로, 표시 장치(100)는 제1 전압차(ΔV1)를 산출할 수 없다. 또한, 표시 패널의 영역마다 화소(111)의 특성은 편차를 가질 수 있으므로, 제2 측정 데이터(220)에 포함된 제1 열화된 화소(Pd1)에 기초하여 제2 열화된 화소(Pd2)의 열화량을 산출하는 경우, 열화량의 정확도는 낮을 수 있다. 따라서, 열화 보상의 정확도는 낮아질 수 있다.
제3 측정 데이터(230)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 열화 영역(Ad2)에 열화 보상의 기준이 되는 참조 픽셀(Pref1)을 포함하고, 도 1의 표시 장치(100)(또는, 표시 장치(100)에서 수행되는 열화 보상 방법)는 참조 픽셀(Pref1)에 기초하여 제2 열화된 화소(Pd2)의 제2 전압차(ΔV2)를 산출할 수 있다. 여기서, 참조 픽셀(Pref1)은 제2 열화된 화소(Pd2)에 비해 상대적으로 느린 열화 속도를 가질 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 제2 열화된 화소(Pd2)에 인접하여 배치된 참조 픽셀(Pref1)에 기초하여 제2 열화된 화소(Pd2)의 열화량을 산출할 수 있다. 따라서, 열화 보상의 정확도는 향상될 수 있다.
표시 장치(100)가 참조 픽셀(Vref1)의 열화를 둔화시키는 경우(예를 들어, 참조 픽셀(Vref1)에 데이터 전압을 인가하지 않는 경우), 참조 픽셀(Vref1)이 시인되는 문제점이 발생할 수 있다. 그러나, 표시 장치(100)는 참조 픽셀(Vref1)과 인접하여 배치된 화소들(111)을 이용하여 참조 픽셀(Vref1)이 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 3a는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 3b는 도 3의 표시 패널에 포함된 화소의 데이터-휘도 특성 곡선의 일 예를 나타내는 도면이며, 도 3c는 도 3의 표시 패널에 포함된 화소의 열화 곡선의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3a를 참조하면, 표시 패널(310)은 제1 내지 제9 화소들(P1 내지 P9)를 포함할 수 있다. 제1 화소(P1)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 참조 화소이고, 제2 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)는 도 2를 참조하여 설명한 인접 화소일 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제9 화소들(P1 내지 P9)에 동일한 데이터 전압이 인가된 경우, 제1 화소(P1)는 표시 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하고, 제2 내지 제9 화소(P2 내지 P9)는 표시 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광할 수 있다. 제1 화소(P1)는 제1 휘도로 발광하므로, 제1 화소(P1)의 열화는 상대적으로 둔화될 수 있다. 또한, 제2 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)는 제2 화소로 발광하여 제1 화소의 부족 휘도를 보완할 수 있다.
예를 들어, 제1 화소(P1)는 제1 발광 곡선(321)(또는, 데이터 전압-휘도 곡선)에 따라 표시 휘도의 20%인 제1 휘도로 발광하고, 제2 화소 내지 제9 화소(P2 내지 P9)는 제2 발광 곡선(322)에 따라 표시 휘도의 110%인 제2 휘도로 발광할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제9 화소들(P1 내지 P9)의 평균 휘도는 표시 휘도와 동일할 수 있다(즉, 평균 휘도 = (20% + 110% * 8 ) / 9 = 100%). 즉, 제1 내지 제9 화소들(P1 내지 P9)를 포함하는 제1 영역은 기준 발광 곡선(320)에 따라 표시 휘도로 발광할 수 있다. 따라서, 제2 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)은 제2 휘도로 발광함으로써, 제1 화소의 부족 휘도(예를 들어, 80%)를 보완하고, 제1 화소(P1)이 시인되는 것을 방지할 수 있다.일 실시예에서, 제1 화소(P1)는 제2 화소 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)에 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(P1)는 특정 영역의 중앙에 위치하고, 제1 화소(P1)를 중심으로 제2 화소 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)이 제1 화소(P1)와 인전하여 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 화소 내지 제9 화소들(P2 내지 P9)는 상대적으로 적은 증가 휘도량(즉, 제2 휘도 목표 휘도)만으로, 제1 화소(P1)의 부족 휘도를 보완할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(100)는 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 데이터 전압을 생성하고, 제1 데이터 전압을 제1 화소(P1)에 공급하며, 목표 계조에 기초하여 제2 데이터 전압을 생성하고, 제2 데이터 전압을 제2 화소(P2)(및, 제3 내지 제9 화소들(P3 내지 P9))에 공급할 수 있다. 여기서, 제1 데이터 전압은 목표 계조에 대응하는 목표 데이터 전압(또는, 기준 데이터 전압)보다 작고, 제2 데이터 전압은 목표 데이터 전압보다 클 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)는 제1 감마 전압 생성부 및 제2 감마 전압 생성부를 포함하고, 제1 감마 전압 생성부를 이용하여 제1 데이터 전압을 생성하고, 제2 감마 전압 생성부를 이용하여 제2 데이터 전압을 생성할 수 있다. 여기서, 제1 감마 전압 생성부 및 제2 감마 전압 생성부는 상호 동일한 감마 저항 열을 포함하고, 상호 다른 최대 전압을 외부로부터 수신할 수 있다.
이 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 화소(P1)가 받는 제1 스트레스 (ΔS1)(또는, 스트레스 변화량)은 제2 화소(P2)가 받는 제2 스트레스(ΔS2)보다 작으므로, 제1 화소(P1)의 특성 변화(예를 들어, 제1 전압 변화(ΔV_P1)는 제2 화소(P2)의 제2 특성 변화(예를 들어, 제2 전압 변화(ΔV_P2))보다 작을 수 있다. 즉, 제1 화소(P1)의 열화는 제2 화소(P2)에 비해 둔화될 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(100)는 목표 계조에 기초하여 제1 발광 제어 신호를 생성하고, 제1 발광 제어 신호를 제1 화소(P1)에 공급하며, 목표 계조에 기초하여 제2 발광 제어 신호를 생성하고, 제2 발광 제어 신호를 제2 화소(P2)(및, 제3 내지 제9 화소들(P3 내지 P9))에 공급할 수 있다. 여기서, 제1 발광 제어 신호의 오프 듀티 비는 목표 계조에 대응하는 기준 발광 제어 신호의 오프 듀티 비보다 클 수 있다. 즉, 제1 화소(P1)의 비발광 시간은 상대적으로 증가할 수 있다. 또한, 제2 발광 제어 신호의 오프 듀티 비는 목표 계조에 대응하는 기준 발광 제어 신호의 오프 듀티 비보다 작을 수 있다. 즉, 제2 화소(P2)의 비발광 시간은 상대적으로 감소할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(100)는 목표 계조를 제1 휘도에 대응하는 제1 계조로 변조하고, 목표 계조를 제2 휘도에 대응하는 제2 계조로 변조할 수 있다. 여기서, 제1 계조는 목표 계조보다 작고, 제2 계조는 목표 계조보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(100)는 제조 공정 과정에서 화소별로 다른 에이징 조건을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(P1)는 에이징 과정에서 제2 화소(P2)보다 열화될 수 있다.
이 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 화소(P1)가 받는 제3 스트레스 (ΔS3)(또는, 스트레스 변화량)는 제2 화소(P2)가 받는 제2 스트레스(ΔS2)와 동일하나, 제1 화소(P1)의 특성 변화(예를 들어, 제3 전압 변화(ΔV_P3)는 제2 화소(P2)의 제2 특성 변화(예를 들어, 제2 전압 변화(ΔV_P2))보다 작을 수 있다. 즉, 초기에 제1 화소(P1)를 상대적으로 열화시킨 경우, 제1 화소(P1)의 열화는 제2 화소(P2)에 비해 둔화될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소(P1) 및 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소(P2)(및 제3 내지 제9 화소들(P3 내지 P9))를 포함하고, 제2 화소(P2)는 제1 화소(P1)와 인접하여 배치될 수 있다. 따라서, 제1 화소(P1)는 제1 휘도로 발광하므로, 제1 화소(P1)의 열화는 둔화될 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 제2 휘도를 이용하여 제1 휘도의 부족 휘도를 보완하므로, 제1 화소(P1)가 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치에서 수행되는 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하는 그래프이다.
도 3a 및 도 4를 참조하면, 도 4에 도시된 제1 화소(P1)는 앞서 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같이, 제조 공정(에이징 공정)에서 제2 화소(P2)보다 열화될 수 있다. 이 경우, 에이징 공정 직후, 센싱 전압에 따른 제1 화소(P1)의 제1 초기 특성(예를 들어, 제1 초기 구동 전류)은 제2 화소(P2)의 제2 초기 특성(예를 들어, 제2 초기 구동 전류)보다 초기 특성 차(Vint)만큼 낮을 수 있다. 따라서, 표시 장치(100)는 제1 화소(P1)의 제1 특성(V1)과 제2 화소(P2)의 제2 특성(V2)에 기초하여 전압차(ΔV)를 산출하되, 초기 특성차(Vint)를 이용하여 산출된 전압차(ΔV)를 보상하고(즉, Vint - ΔV), 보상된 전압차에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화량을 산출할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)간의 초기 특성 차(Vint)를 고려하여, 제1 특성(V1) 및 초기 특성차(Vint)의 합(즉, V1 + Vint)을 기준으로 제2 화소(P2)의 열화량을 산출할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함된 화소 및 센싱부의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 화소(111)는 8T1C 구조를 가질 수 있다. 화소(111)는 제1 트랜지스터 내지 제8 트랜지스터(T8), 저장 커패시터(Cst) 및 유기 발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다. 또한, 화소(111)는 데이터선(Di)(또는, 피드백선)을 통해 센싱부(150)와 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)(또는, 구동 트랜지스터)는 고전원전압(ELVDD)(또는, 제1 노드(N1))와 유기 발광 다이오드(EL)(또는, 제2 노드(N2)) 사이에 연결되고, 제3 노드(N3)의 제1 노드 전압에 응답하여 턴온될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)(또는, 스위칭 트랜지스터)는 데이터선(Di)과 제1 노드(N1) 사이에 연결되고, 제1 주사신호(GW)(또는, 제1 게이트 신호)에 응답하여 턴온될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제2 노드(N2)와 제4 노드(N4) 사이에 연결되고, 제1 주사신호(GW)에 응답하여 턴온될 수 있다. 즉, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사신호(GW)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제1 노드(N1)로 전송하고, 제3 트랜지스터(T3)는 제1 주사신호(GW)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 제3 노드(N3)에 전송할 수 있다. 저장 커패시터(Cst)는 고전원전압(ELVDD)과 제3 노드(N3) 사이에 연결되고, 제3 노드(N3)에 제공되는 데이터 신호를 저장할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제4 노드(N4)와 초기화 전압(VINIT) 사이에 연결되고, 제2 주사신호(GI)(또는, 제2 게이트 신호)에 응답하여 턴온될 수 있다. 이 경우, 저장 트랜지스터(Cst)는 초기화 전압(VINIT)로 초기화될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 고전원전압(ELVDD)와 제1 노드(N1) 사이에 연결되고, 발광 제어신호(EM)에 응답하여 턴온 될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제2 노드(N2)와 제5 노드(N5) 사이에 연결되고, 발광 제어신호(EM)에 응답하여 턴온 될 수 있다. 즉, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어신호(EM)에 응답하여 고전원전압(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(EL)까지 전류 이동 경로를 형성할 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)는 제5 노드(N5)와 저전원전압(ELVSS) 사이에 연결될 수 있다. 즉, 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드는 제5 노드(N5)에 연결되고, 유기 발광 다이오드(EL)의 캐소드는 저전원전압(ELVSS)에 연결될 수 있다. 유기 발광 다이오드(EL)은 제1 트랜지스터(T1)를 통해 전송되는 전류(즉, 구동 전류)에 기초하여 발광할 수 있다. 한편, 유기 발광 다이오드(EL)는 커패시터 성분을 포함할 수 있고, 도 3에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드(EL)에 병렬 연결된 기생 커패시터(Cp)로 표현될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전압(VINIT)와 제5 노드(N5) 사이에 연결되고, 제3 주사신호(GB)에 응답하여 턴온될 수 있다. 즉, 제7 트랜지스터는 제3 주사신호(GB)에 응답하여 제5 노드(N5)로부터 초기화 전압(VINIT) 사이에 바이패스 경로를 형성할 수 있다.
제8 트랜지스터(T8)(또는, 센싱 트랜지스터)는 제5 노드(N5)와 데이터선(Di) 사이에 연결되고, 센싱 제어신호(SW_sense)에 응답하여 턴온될 수 있다. 즉, 제8 트랜지스터(T8)는 유기 발광 다이오드의 애노드 및 피드백선(Di) 사이에 연결되고, 센싱 제어신호(SW_sense)에 응답하여 유기 발광 다이오드의 애노드와 피드백선(Di)을 다이오드 커플링시킬 수 있다. 여기서, 센싱 제어신호(SW_sense)는 센싱부(150)(또는, 타이밍 제어부(160))로부터 제8 트랜지스터(T8)에 제공될 수 있다.
도 2에 도시된 화소(111)는 예시적인 것으로, 화소(111)가 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소(111)는 4T1C 구조(즉, 4개의 트랜지스터 및 1개의 커패시터를 포함하는 구조)를 가질 수 있다. 예를 들어, 화소(111)는 데이터선(Di)과 구분되는 피드백선을 포함할 수 있고, 제8 트랜지스터(T8)은 피드백선과 유기 발광 다이오드 사이에 연결될 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1 내지 T8) 각각은 P타입 트랜지스터이나, 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1 내지 T8)은 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제8 트랜지스터들(T1 내지 T8) 각각은 N타입 트랜지스터일 수 있다.
센싱부(150)는 증폭기(AMP), 적분 커패시터(Cint) 및 스위치(SW)를 포함할 수 있다. 증폭기(AMP)는 데이터선(Di)(또는, 피드백선)에 연결되는 제1 입력 단자, 기준 전압(Vset)을 수신하는 제2 입력 단자 및 출력 단자를 포함할 수 있다. 적분 커패시터(Cint)는 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자 및 출력 단자 사이에 연결될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)가 턴온된 경우, 증폭기(AMP)로부터 데이터선(Di)를 통해 유기 발광 다이오드(EL)까지 전류 이동 경로가 형성될 수 있다. 또한, 기준 전압(Vset)에 따라 증폭기(AMP)의 출력 단자로부터 적분 커패시터(Cint) 및 데이터선(Di)을 통해 피드백 전류(Ifb)가 흐르고, 적분 커패시터(Cint)는 피드백 전류(Ifb)를 적분할 수 있다. 센싱부(150)는 적분된 피드백 전류(즉, 측정 전압(Vout))를 샘플링 커패시터(Csp)를 이용하여 일시적으로 저장할 수 있다.
한편, 센싱부(150)는 측정 전압(Vout)(즉, 적분된 피드백 전류)에 기초하여 화소(111)의 임피던스 또는 화소(111)의 구동 전류를 생성하거나 또는 측정 전압(Vout)을 타이밍 제어부(160)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(150)는 비교기(미도시), 아날로그 디지털 변환기(ADC) 등을 이용하여 측정 전압(Vout)을 가공하고, 가공된 측정 전압(Vout)를 화소(111)의 측정 임피던스 또는 화소(111)의 측정 구동 전류로서 출력할 수 있다. 다른 예를 들어, 센싱부(150)는 측정 전압(Vout)을 타이밍 제어부(160)에 제공하고, 타이밍 제어부(160)는 측정 전압(Vout)을 가공하여 화소(111)의 측정 임피던스 또는 화소(111)의 측정 구동 전류를 생성할 수 있다.
한편, 스위치(SW)는 적분 커패시터(Cst)와 병렬 연결되고, 스위치 제어신호(RST)에 응답하여 턴오프(또는, 턴온)될 수 있다. 스위치(SW)가 턴온된 경우, 피드백 전류(Ifb)는 스위치(SW)에 의해 형성된 전류 이동 경로를 통해 흐르므로, 적분 커패시터(Cint) 양단에 걸리는 전압은 0V이고, 적분 커패시터(Cint)는 방전(또는, 초기화)될 수 있다.
상술한 바와 같이, 센싱부(140)는 화소(111)에 기준 전압(Vset)을 인가하고, 기준 전압(Vset)에 따라 화소(111)의 특성(또는, 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 구동 전류, 유기 발광 다이오드(EL)의 임피던스)를 측정할 수 있다.
도 6은 도 1의 표시 장치에 포함된 데이터 보상부의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 1, 도 3a 및 도 6을 참조하면, 데이터 보상부(170)는 열화량 산출부(610) 및 열화 보상부(620)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 보상부(170)는 메모리(630)를 더 포함할 수 있다.
열화량 산출부(610)는 제1 화소(P1)의 측정된 제2 특성과 제2 화소(P2)의 측정된 제1 특성에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화 보상 모델을 생성할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치의 제조 공정에서, 열화량 산출부(610)는 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1), 제1 화소(P1)의 제1 측정 휘도(SD_L1), 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2) 및 제2 화소(P2)의 제2 측정 휘도(SD_L2)에 기초하여, 전류 변화량과 휘도 변화량 간의 상관 관계를 나타내는 선형 방정식을 도출할 수 있다. 여기서, 전류 변화량은 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2)와 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1)간의 전류차이고, 휘도 변화량은 제2 화소(P2)의 제2 측정 휘도(SD_L2)와 제1 화소(P1)의 제1 측정 휘도(SD_L1)간의 휘도차일 수 있다. 또한, 제2 측정 휘도(SD_L2)와 제1 측정 휘도(SD_L1)는 별도의 휘도 측정 장치를 통해 표시 장치(100)에 제공될 수 있다.
예를 들어, 선형 방정식은 아래의 [수학식 1]과 같이 표현될 수 있다.
[수학식 1]
ΔL = (SD_L2 SD_L1) = a * (SD_P2 SD_P1) + b
(단, ΔL은 휘도 변화량, ΔI는 전류 변화량, a는 상수, b는 상수)
한편, 생성된 열화 보상 모델(또는, 도출된 선형 방정식)은 메모리(630)에 저장될 수 있다.
또한, 열화량 산출부(610)는 표시 장치(100)의 초기 구동시 측정된 제2 화소(P2)의 제2 특성과 제1 화소(P1)의 제1 특성에 기초하여 제2 화소의 초기 특성 차를 산출할 수 있다. 여기서, 초기 특성 차는 도 4를 참조하여 설명한 초기 특성 차(Vint)와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 열화량 산출부(610)는 표시 장치(100)의 초기 구동시 측정된 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2)와 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1)간의 초기 전류 차를 산출할 수 있다. 산출된 제2 화소의 초기 특성 차(또는, 초기 전류 차)는 메로리(300)에 저장될 수 있다.
열화량 산출부(610)는 제2 화소(P2)의 제2 특성과 제1 화소(P1)의 제1 특성 간의 특성 차를 산출하고, 특성 차에 기초하여 열화량을 산출할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)의 정상 구동시, 열화량 산출부(610)는 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2)와 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1) 간의 전류 차를 산출하고, 전류 차에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화량(ΔL)을 산출할 수 있다.
또한, 열화량 산출부(610)는 메모리(630)에 저장된 초기 특성 차(Vint)에 기초하여 산출된 특성 차를 보상하고, 메모리(630)에 저장된 열화 보상 모델을 이용하여 제2 화소(P2)의 열화량(ΔL)을 산출할 수 있다. 예를 들어, 열화량 산출부(610)는 산출된 전류 차에서 초기 특성 차(즉, 초기 전류 차)를 합산(또는, 차감)하여 산출된 전류 차를 보상하고, 선형 방정식(즉, 전류 변화량과 휘도 변화량의 상관 관계를 나타내는 선형 방정식)을 이용하여 보상된 전류 차에 대응하는 휘도 변화량(즉, 열화량(ΔL))을 산출할 수 있다.
열화 보상부(620)는 산출된 열화량(ΔL)에 기초하여 입력 데이터를 보상할 수 있다. 예를 들어, 열화 보상부(620)는 룩업 테이블을 이용하여 산출된 열화량(ΔL)에 대응하는 보상 데이터를 획득하고, 입력 데이터(예를 들어, 제2 데이터(DATA2))에 보상 데이터를 합산하여 보상된 입력 데이터(예를 들어, 제3 데이터(DATA3))를 생성할 수 있다. 여기서, 룩업 테이블은 열화량(ΔL)에 대응하는 보상 데이터를 포함하고, 메모리(333)에 기 저장될 수 있다.
상술한 바와 같이, 데이터 보상부(170)는 표시 장치(100)의 제조 공정에서(또는, 초기 구동시), 제1 화소(P1)의 제1 특성과 제2 화소(P2)의 제2 특성에 기초하여, 제2 화소(P2)의 열화 보상 모델 및 초기 특성 차를 각각 산출할 수 있다. 또한, 데이터 보상부(170)는 표시 장치(100)의 정상 구동시, 제1 화소(P1)의 제1 특성, 제2 화소(P2)의 제2 특성, 기 산출(및 저장)한 열화 보상 모델 및 초기 특성차(Vint)에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화량(ΔL)을 산출할 수 있다. 유사하게, 데이터 보상부(170)는 도 3a에 도시된 제3 내지 제9 화소들(P3 내지 P9) 뿐만 아니라, 표시 패널(110)에 포함된 복수의 화소들(111) 각각의 열화량(ΔL)을 산출할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1, 도 3a 및 도 7을 참조하면, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 도 1의 표시 장치(100)에서 수행될 수 있다.
도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제1 화소(P1) 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 제2 화소(P2) 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정할 수 있다(S710). 여기서, 제1 화소(P1)는 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하고, 제2 화소(P2)는 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광할 수 있다. 또한, 제2 화소(P2)는 앞서 설명한 바와 같이, 제1 화소(P1)에 인접하여 배치되고, 제2 휘도로 발광하여 제1 화소(P1)의 부족 휘도(즉, 목표 휘도와 제1 휘도간의 휘도 차)를 보완할 수 있다.
도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은, 도 3b 및 도 3c를 참조하여 설명한 바와 같이, 별도로 구비된 제1 감마 전압 생성부를 이용하거나, 별도로 생성된 제1 발광 제어 신호를 이용하거나, 또는 데이터 변조를 이용하여, 제1 화소(P1)를 제1 휘도로 발광 시킬 수 있다. 또한, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 표시 장치(100)의 제조 공정에서 제1 화소(P1)의 열화를 가속화시켜, 정상 구동시 제1 휘도로 발광하도록 할 수 있다.
도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제1 발광 소자의 제1 특성 및 제2 발광 소자의 제2 특성에 기초하여 제2 화소(P2)(또는, 제2 발광 소자)의 열화량을 산출할 수 있다(S720). 예를 들어, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 [수학식 1]에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화량을 산출할 수 있다.
한편, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 산출된 열화량에 기초하여 입력 데이터를 보상할 수 있다. 예를 들어, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 룩업 테이블을 이용하여 산출된 열화량에 대응하는 보상 데이터를 획득하고, 입력 데이터에 보상 데이터를 합산하여 보상된 입력 데이터를 생성할 수 있다. 도 8은 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법에 포함된 열화량을 산출하는 구성의 일 예를 나타내는 순서도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 7의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제2 발광 소자의 제2 특성과 제1 발광 소자의 제1 특성 간의 특성 차를 산출하고(S810), 기 저장된 제2 화소(P2)(또는, 제2 발광 소자)의 초기 특성 차에 기초하여 산출된 특성 차를 보상하며(S820), 선형 방정식을 이용하여 보상된 특성 차에 대응하는 열화량을 산출할 수 있다. 여기서, 선형 방정식은 앞서 설명한 바와 같이, 제2 화소(P2)(또는, 제2 발광 소자)의 특성차(즉, 보상된 특성 차)와 열화량 간의 상관 관계를 나타내고, 예를 들어, 선형 방정식은 [수학식 1]과 같이 표현될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법은 목표 휘도보다 낮은 휘도로 발광하는 제1 화소(P1)에 기초하여 제1 화소(P1)와 인접하여 배치된 제2 화소(P2)의 열화량(즉, 상대 열화량)을 산출할 수 있다. 즉, 표시 장치의 열화 보상 방법은 제2 화소(P2)에 인접한 제1 화소(P1)를 이용하여 제2 화소(P2)의 상대 열화량을 산출하므로, 제2 화소(P2)에 대한 열화 보상의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 제2 화소(P2)를 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광시킴으로써, 제1 화소(P1)의 부족 휘도(즉, 목표 휘도와 제1 휘도간의 휘도 차이)를 보완할 수 있다. 즉, 표시 장치(100)는 제1 화소가 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법의 일 예를 나타내는 순서도이다.
도 1, 도 3a, 도 7 및 도 9를 참조하면, 도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 도 1의 표시 장치에서 수행되고, 도 7의 제1 특성 및 제2 특성을 측정하는 단계에서 수행될 수 있다.
도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제1 화소(P1) 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 제2 화소(P2) 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정할 수 있다(S910).
도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 휘도 측정 장치로부터 제1 화소(P1)의 제1 측정 휘도(SD_L1) 및 제2 화소(P2)의 제2 측정 휘도(SD_L2)를 수신할 수 있다(S920). 여기서, 휘도 측정 장치는 표시 장치(100) 외부에 구비되어 표시 패널(110)(또는, 화소들(P1, P2))의 휘도를 측정할 수 있다.
도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제1 화소(P1)의 측정된 제2 특성과 제2 화소(P2)의 측정된 제1 특성에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화 보상 모델을 생성할 수 있다(S930). 예를 들어, 도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1), 제1 화소(P1)의 제1 측정 휘도(SD_L1), 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2) 및 제2 화소(P2)의 제2 측정 휘도(SD_L2)에 기초하여, 전류 변화량과 휘도 변화량 간의 상관 관계를 나타내는 선형 방정식을 도출할 수 있다. 여기서, 선형 방정식은 앞서 설명한 바와 같이, [수학식 1]과 같이 표현될 수 있다.
도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제2 화소(P2)의 제2 특성과 제1 화소(P1)의 제1 특성에 기초하여 제2 화소(P2)의 초기 특성 차를 산출할 수 있다. 여기서, 초기 특성 차는 도 4를 참조하여 설명한 초기 특성 차(Vint)와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 열화량 산출부(610)는 표시 장치(100)의 초기 구동시 측정된 제2 화소(P2)의 제2 측정 전류(SD_P2)와 제1 화소(P1)의 제1 측정 전류(SD_P1)간의 초기 전류 차를 산출할 수 있다. 산출된 제2 화소(P2)의 초기 특성 차(또는, 초기 전류 차)는 메로리(300)에 저장될 수 있다.
상술한 바와 같이, 도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 제2 화소(P2)의 열화 보상 모델 및 초기 특성 차를 산출할 수 있다. 따라서, 도 9의 표시 장치의 열화 보상 방법은 열화 보상 모델 및 초기 특성 차에 기초하여, 제2 화소(P2)의 상대 열화량을 산출하고, 산출된 열화량에 기초하여 제2 화소(P2)의 열화를 보상할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100: 표시 장치 110: 표시 패널
111: 화소 120: 주사 구동부
130: 데이터 구동부 140: 발광 구동부
150: 센싱부 160: 타이밍 제어부
170: 데이터 보상부 210: 제1 측정 데이터
220: 제2 측정 데이터 230: 제3 측정 데이터
310: 표시 패널 320: 기준 발광 곡선
321: 제1 발광 곡선 322: 제2 발광 곡선
610: 열화량 산출부 320: 열화 보상부
630: 메모리

Claims (20)

  1. 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 패널;
    상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 센싱부; 및
    상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 열화량을 산출하는 데이터 보상부를 포함하고,
    상기 제2 화소는 상기 제1 화소에 인접하여 배치되고, 상기 제2 휘도로 발광하여 상기 목표 휘도와 상기 제1 휘도간의 휘도 차를 보완하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 특성은 센싱 전압에 따라 상기 제1 발광 소자에 흐르는 제1 전류이고,
    상기 제2 특성은 상기 센싱 전압에 따라 상기 제2 발광 소자에 흐르는 제2 전류인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 데이터 전압을 생성하고, 상기 제1 데이터 전압을 상기 제1 화소에 공급하며, 상기 목표 계조에 기초하여 제2 데이터 전압을 생성하고, 상기 제2 데이터 전압을 상기 제2 화소에 공급하는 데이터 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조에 기초하여 제1 발광 제어 신호를 생성하고, 상기 제1 발광 제어 신호를 상기 제1 화소에 공급하며, 상기 목표 계조에 기초하여 제2 발광 제어 신호를 생성하고, 상기 제2 발광 제어 신호를 상기 제2 화소에 공급하는 발광 제어 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 데이터 보상부는, 상기 목표 휘도에 대응하는 목표 계조를 상기 제1 휘도에 대응하는 제1 계조로 변조하고, 상기 목표 계조를 상기 제2 휘도에 대응하는 제2 계조로 변조하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 화소는 에이징 공정을 통해 상기 제2 화소보다 열화된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 보상부는, 상기 제2 특성과 상기 제1 특성간의 특성 차를 산출하고, 상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 데이터 보상부는, 기 저장된 상기 제2 화소의 초기 특성 차에 기초하여 상기 특성 차를 보상하고, 상기 보상된 특성 차와 상기 열화량 간의 관계를 나타내는 선형 방정식을 이용하여 상기 열화량을 산출하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 보상부는 상기 열화량에 기초하여 입력 데이터를 보상하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 보상부는, 휘도 측정 장치로부터 상기 제1 특성에 대응하는 제1 측정 휘도 및 상기 제2 특성에 대응하는 제2 측정 휘도를 수신하고, 상기 제1 특성, 상기 제2 특성, 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도에 기초하여 열화 보상 모델을 생성하고,
    상기 열화 보상 모델은 특성 변화량과 휘도 변화량을 상관 관계를 나타나며,
    상기 특성 변화량은 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성 간의 특성 차이이고,
    상기 휘도 변화량은 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도의 휘도 차이인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 보상부는, 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 초기 특성 차를 산출하고, 산출된 초기 특성 차를 메모리에 저장하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 장치에서,
    상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 단계; 및
    상기 제1 특성에 대응하는 제1 측정 휘도 및 상기 제2 특성에 대응하는 제2 측정 휘도를 외부로부터 수신하는 단계; 및
    상기 제1 특성, 상기 제2 특성, 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도에 기초하여 열화 보상 모델을 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 열화 보상 모델은 특성 변화량과 휘도 변화량을 상관 관계를 나타나며, 상기 특성 변화량은 상기 제1 특성 및 상기 제2 특성 간의 특성 차이이고, 상기 휘도 변화량은 상기 제1 측정 휘도 및 상기 제2 측정 휘도의 휘도 차이인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 열화 보상 모델을 생성하는 단계는,
    상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 초기 특성 차를 산출하고, 산출된 초기 특성 차를 메모리에 저장하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  15. 목표 휘도보다 낮은 제1 휘도로 발광하는 제1 화소 및 상기 목표 휘도보다 높은 제2 휘도로 발광하는 제2 화소를 구비하는 표시 장치에서,
    상기 제1 화소 내 구비된 제1 발광 소자의 제1 특성 및 상기 제2 화소 내 구비된 제2 발광 소자의 제2 특성을 각각 측정하는 단계; 및
    상기 제1 특성 및 상기 제2 특성에 기초하여 상기 제2 화소의 열화량을 산출하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 화소는 상기 제1 화소에 인접하여 배치되고, 상기 제2 휘도로 발광하여 상기 목표 휘도와 상기 제1 휘도간의 휘도 차를 보완하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  16. 삭제
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 제1 특성은 센싱 전압에 따라 상기 제1 발광 소자에 흐르는 제1 전류이고,
    상기 제2 특성은 상기 센싱 전압에 따라 상기 제2 발광 소자에 흐르는 제2 전류인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 제2 화소의 상기 열화량을 산출하는 단계는,
    상기 제2 특성과 상기 제1 특성간의 특성 차를 산출하는 단계; 및
    상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 특성 차에 기초하여 상기 열화량을 산출하는 단계는,
    기 저장된 상기 제2 화소의 초기 특성 차에 기초하여 상기 특성 차를 보상하는 단계; 및
    상기 보상된 특성 차와 상기 열화량 간의 관계를 나타내는 선형 방정식을 이용하여 상기 열화량을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 열화량에 기초하여 입력 데이터를 보상하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 열화 보상 방법.
KR1020150127246A 2015-09-08 2015-09-08 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법 KR102502482B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150127246A KR102502482B1 (ko) 2015-09-08 2015-09-08 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법
US15/234,981 US10559254B2 (en) 2015-09-08 2016-08-11 Display device and method of compensating pixel degradation of the same
US16/744,093 US11087681B2 (en) 2015-09-08 2020-01-15 Display device and method of compensating pixel degradation of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150127246A KR102502482B1 (ko) 2015-09-08 2015-09-08 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170030153A KR20170030153A (ko) 2017-03-17
KR102502482B1 true KR102502482B1 (ko) 2023-02-23

Family

ID=58191056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150127246A KR102502482B1 (ko) 2015-09-08 2015-09-08 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10559254B2 (ko)
KR (1) KR102502482B1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106093529B (zh) * 2016-07-19 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 电流测量校准方法、电流测量方法及装置、显示装置
US10366674B1 (en) * 2016-12-27 2019-07-30 Facebook Technologies, Llc Display calibration in electronic displays
JP6872795B2 (ja) * 2017-10-05 2021-05-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
KR102563747B1 (ko) * 2018-08-16 2023-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
US11113999B2 (en) * 2018-09-03 2021-09-07 Chongqing Hkc Optoelectronics Technology Co., Ltd. Data processing method, display device, and computer-readable storage medium
KR102482335B1 (ko) * 2018-10-04 2022-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
KR102532775B1 (ko) * 2018-10-10 2023-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102583819B1 (ko) * 2018-12-18 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
KR102617178B1 (ko) 2018-12-28 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 광원 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 광원 장치의 휘도 편차 보상 방법
US11282432B2 (en) 2019-02-28 2022-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device and driving method thereof
CN110444168A (zh) * 2019-08-15 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示面板和显示设备
US11107410B2 (en) 2019-08-15 2021-08-31 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Pixel circuit and method of controlling the same, display panel and display device
KR20210089819A (ko) * 2020-01-08 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US20220101790A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 Apple Inc. Pixel screening and repair
KR20220138525A (ko) * 2021-04-05 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113362763B (zh) * 2021-06-01 2023-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其像素驱动电路的电流检测方法
KR20230046483A (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 보상 데이터 처리 방법
KR20230055440A (ko) 2021-10-18 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 구동 제어부 및 이를 포함하는 표시 장치
CN114512103B (zh) * 2022-04-19 2022-07-12 惠科股份有限公司 背光模组及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101470688B1 (ko) * 2011-12-08 2014-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 열화보상방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7885478B2 (en) * 2005-05-19 2011-02-08 Mstar Semiconductor, Inc. Noise reduction method and noise reduction apparatus
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
US10089921B2 (en) * 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
KR20120022411A (ko) * 2010-09-02 2012-03-12 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101908513B1 (ko) * 2011-08-30 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 화소 전류 측정을 위한 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 화소 전류 측정 방법
US9236011B2 (en) * 2011-08-30 2016-01-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device for pixel current sensing in the sensing mode and pixel current sensing method thereof
KR101964458B1 (ko) * 2012-12-10 2019-04-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 열화보상방법
KR102070375B1 (ko) * 2013-08-12 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20150018966A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 휘도 조정 방법
KR102233719B1 (ko) * 2014-10-31 2021-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그 구동 방법
US10657895B2 (en) * 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101470688B1 (ko) * 2011-12-08 2014-12-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 열화보상방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170030153A (ko) 2017-03-17
US11087681B2 (en) 2021-08-10
US20170069273A1 (en) 2017-03-09
US10559254B2 (en) 2020-02-11
US20200160785A1 (en) 2020-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102502482B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 열화 보상 방법
KR102472783B1 (ko) 표시 장치 및 열화 보상 방법
KR102312350B1 (ko) 전계 발광 표시장치 및 그 구동방법
US10325552B2 (en) Organic light emitting display device
US9013465B2 (en) Organic light emitting display and driving method thereof
KR102081292B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
KR102212424B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 구동방법
EP3496083B1 (en) Method for driving organic light emitting display device
KR102126543B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치의 데이터 처리 방법 및 장치
KR102280267B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
US8400380B2 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
JP2019091044A (ja) 画素、これを含むディスプレイ装置及びその制御方法
US20160260383A1 (en) Organic light-emitting display panel, organic light-emitting display apparatus, and voltage drop compensating method
KR20140134046A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102084711B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 구동방법
KR20110012274A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 이의 구동전압 설정방법
US10453393B2 (en) Organic light-emitting display device and driving method for implementing normal and standby modes through driving transistor voltage control
US11120742B2 (en) Display device including power manager and method of driving display device that includes generating corrected supply voltage
US9786221B2 (en) Organic light emitting display device and method of driving the same
KR20210124573A (ko) 화소 회로 및 표시 패널
KR20170014075A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102283009B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20100059316A (ko) 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20200100230A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
US20160372032A1 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)