CN114207848A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置可以包括：基体层，包括多个岛、在第一方向上连接岛的至少一个第一桥以及在第二方向上连接岛的至少一个第二桥；以及至少一个像素，包括设置在基体层中的多个子像素。这里，子像素中的每个可以包括：第一电极和第二电极，设置在岛中的一个岛中并且彼此间隔开；第三电极和第四电极，设置在第一桥和第二桥中的一个桥中并且彼此间隔开；至少一个第一发光元件，布置在第一电极与第二电极之间；以及至少一个第二发光元件，布置在第三电极与第四电极之间。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本公开的各种实施例涉及显示装置以及制造显示装置的方法。
背景技术
随着对信息显示的兴趣的增加以及对使用便携式信息介质的需求的增加，对显示装置的需求显著增加，并且显示装置的商业化正在进行中。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施例涉及一种具有提高的光输出效率的显示装置和一种制造显示装置的方法。
技术方案
根据本公开的实施例的显示装置可以包括：基体层，包括多个岛、被构造为在第一方向上连接岛的至少一个第一桥以及被构造为在第二方向上连接岛的至少一个第二桥；以及至少一个像素，包括设置在基体层中的多个子像素。
在本公开的实施例中，子像素中的每个可以包括：第一电极和第二电极，设置在岛中的一个岛中并且彼此分隔开；第三电极和第四电极，设置在第一桥和第二桥中的一个桥中并且彼此分隔开；至少一个第一发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；以及至少一个第二发光元件，设置在第三电极与第四电极之间。
在本公开的实施例中，所述一个岛包括被构造为发射光的第一发射区域，并且所述一个桥包括被构造为发射光的至少一个第二发射区域。
在本公开的实施例中，第一电极可以与第三电极一体地设置并电连接，并且第二电极可以与第四电极一体地设置并电连接。
在本公开的实施例中，第一桥和第二桥中的其余桥可以包括被设置为不发射光的非发射区域。
在本公开的实施例中，子像素中的每个还可以包括：第一堤，设置在所述一个岛中并且定位在第一电极和第二电极中的每个下面；第一接触电极，被构造为将第一电极与第一发光元件的相对两端中的任一端电连接；以及第二接触电极，被构造为将第二电极与第一发光元件的相对两端中的其余端电连接。
在本公开的实施例中，子像素中的每个还可以包括：第二堤，设置在所述一个桥中并且定位在第三电极和第四电极中的每个下面；第三接触电极，被构造为将第三电极与第二发光元件的相对两端中的任一端电连接；以及第四接触电极，被构造为将第四电极与第二发光元件的相对两端中的其余端电连接。
在本公开的实施例中，第一堤和第二堤可以一体地连接。第一接触电极和第三接触电极可以一体地设置并且彼此电连接。第二接触电极和第四接触电极可以一体地设置并且彼此电连接。
在本公开的实施例中，子像素中的每个还可以包括：至少一个第一子电极，设置在所述一个岛中，并且设置在第一电极与第二电极之间；以及至少一个第二子电极，设置在所述一个桥中，并且设置在第三电极与第四电极之间。第一子电极和第二子电极可以一体地设置并且彼此电连接。
在本公开的实施例中，所述一个岛可以具有由第一边至第四边包围的矩形形状。第一桥可以包括从所述一个岛的第一边在第一方向上延伸的第1-1子桥以及从所述一个岛的第三边在第一方向上延伸的第1-2子桥。第二桥可以包括从所述一个岛的第二边在第二方向上延伸的第2-1子桥以及从所述一个岛的第四边在第二方向上延伸的第2-2子桥。
在本公开的实施例中，像素可以包括：第一子像素，设置在第一行第一列中并且被构造为发射第一颜色的光；第二子像素，设置在第一行第二列中并且被构造为发射第二颜色的光；第三子像素，设置在第二行第一列中并且被构造为发射第二颜色的光；以及第四子像素，设置在第二行第二列中并且被构造为发射第三颜色的光。
在本公开的实施例中，第一子像素至第四子像素中的每个可以包括所述一个岛、第1-1子桥和第1-2子桥以及第2-1子桥和第2-2子桥。
在本公开的实施例中，第一子像素和第二子像素可以相对于在第二方向上延伸的虚拟线镜像对称。第一子像素的第1-1子桥和第二子像素的第1-1子桥可以一体地设置。
在本公开的实施例中，第三子像素和第四子像素可以相对于虚拟线镜像对称。第三子像素的第1-1子桥和第四子像素的第1-1子桥可以一体地连接。
在本公开的实施例中，设置在第一子像素的第1-1子桥中的第三电极和设置在第二子像素的第1-1子桥中的第三电极可以在平面图中彼此分隔开。设置在第三子像素的第1-1子桥中的第三电极和设置在第四子像素的第1-1子桥中的第三电极可以在平面图中彼此分隔开。
在本公开的实施例中，第一子像素至第四子像素中的每个的第一发光元件和第二发光元件可以发射相同颜色的光。
在本公开的实施例中，显示装置还可以包括：基底，被设置为面对基体层，第一子像素区域至第四子像素区域被设置在基体层中；第一颜色转换图案，设置在基底上以与第一子像素对应，并且被构造为将第一颜色的光转换为红光；第二颜色转换图案，设置在基底上以与第二子像素和第三子像素中的每个对应，并且被构造为将第二颜色的光转换为绿光；以及第三颜色转换图案，设置在基底上以与第四子像素对应，并且被构造为将第三颜色的光转换为蓝光。
在本公开的实施例中，第一子像素至第四子像素中的每个的第一发光元件和第二发光元件可以发射不同颜色的光。
在本公开的实施例中，第一子像素的第一发光元件和第二发光元件可以发射红光。第二子像素和第三子像素的第一发光元件和第二发光元件可以发射绿光。第四子像素的第一发光元件和第二发光元件可以发射蓝光。
在本公开的实施例中，基体层可以是包括聚酰亚胺的柔性基底。
一种制造根据本公开的实施例的显示装置的方法可以包括：设置基体层，基体层包括多个岛、被构造为在第一方向上连接岛的至少一个第一桥以及被构造为在第二方向上连接岛的至少一个第二桥；在岛中的每个中形成彼此分隔开的第一电极和第二电极，并且在第一桥和第二桥中的每个中形成彼此分隔开的第三电极和第四电极；将至少一个第一发光元件在第一电极与第二电极之间对准，并且将至少一个第二发光元件在第三电极与第四电极之间对准；在第一发光元件和第二发光元件中的每个的上表面上形成绝缘层；以及在包括绝缘层的基体层上形成第一接触电极和第二接触电极。
在本公开的实施例中，第一电极和第三电极可以一体地设置并彼此电连接，并且第二电极和第四电极可以一体地设置并彼此电连接。
有益效果
本公开的各种实施例可以提供一种显示装置和制造显示装置的方法，在所述显示装置中发光元件可以设置在桥中，使得可以进一步增大发射区域，由此可以提高光输出效率。
本公开的效果不受前述内容的限制，并且在此预期了其它各种效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
图2a和图2b是图1的部分EA1的放大平面图。
图3a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的发光元件的透视图。
图3b是示出图3a的发光元件的剖视图。
图4a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。
图4b是示出图4a的发光元件的剖视图。
图5a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。
图5b是示出图5a的发光元件的剖视图。
图6a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。
图6b是示出图6a的发光元件的剖视图。
图7a至图7d是示出包括在图1中所示的像素中的每个中所包括的子像素中的组件的电连接关系的各种实施例的电路图。
图8是示意性地示出图1中所示的像素中的一个的平面图。
图9a是示意性地示出图8的第一子像素的平面图。
图9b是图9a的部分EA2的放大平面图。
图10是沿着图9a的线I-I'截取的剖视图。
图11示出了其中图10的第一接触电极和第三接触电极与第二接触电极和第四接触电极设置在不同层上的实施例，并且是与图9a的线I-I'对应的剖视图。
图12示出了其中盖层分别设置在图10中所示的第一电极至第四电极上的实施例，并且是与图9a的线I-I'对应的剖视图。
图13是沿着图9a的线II-II'截取的剖视图。
图14示出了图13中所示的第一堤的另一种形状，并且是与图9a的线II-II'对应的剖视图。
图15是沿着图9a的线III-III'截取的剖视图。
图16a至图16f是顺序地示出制造图9a中所示的第一子像素的方法的示意性平面图。
图17a至图17g是顺序地示出制造图10中所示的第一子像素的方法的剖视图。
图18a是示意性地示出图1中所示的像素中的一个像素的平面图。
图18b是示意性地示出图18a的第一子像素至第四子像素的发射区域的平面图。
图19是沿着图18a的线IV-IV'截取的剖视图。
图20示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图18a的线IV-IV'对应的剖视图。
图21是沿着图18a的线V-V'截取的剖视图。
图22示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图18a的线IV-IV'对应的剖视图。
图23a和图23b是示意性地示出根据本公开的实施例的设置在显示装置中的子像素的平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细描述特定实施例。然而，这并不意图将本公开限制于特定的实践的模式，并且将理解的是，不脱离本公开的技术范围的所有改变、等同物和替代物都被包含在本公开中。
在整个公开中，贯穿本公开的各个附图和实施例，同样的附图标记指同样的部件。为了清楚的示出，附图中的元件的尺寸可能被夸大。将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
还将理解的是，当术语“包含”、“包括”、“具有”等用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部件设置在第二部件上时，这不仅包括第一部件可以直接在第二部件上的情况，而且包括第三部件可以介于第一部件与第二部件之间的情况。另外，当表述为诸如层、膜、区域或板的第一部件形成在第二部件上时，第二部件的其上形成有第一部件的表面不限于第二部件的上表面，而是可以包括诸如第二部件的侧表面或下表面的其它表面。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部件在第二部件下面时，这不仅包括第一部件可以直接在第二部件下面的情况，而且包括第三部件可以介于第一部件与第二部件之间的情况。
参照附图描述本公开的实施例和对应的细节，以详细描述本公开，使得在本公开所属技术领域中具有普通知识的技术人员可以容易地实践本公开。此外，只要在句子中没有具体提及，那么单数形式可以包括复数形式。
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基体层BS、设置在基体层BS中的多个像素PXL、设置在基体层BS中并被构造为驱动像素PXL的驱动器(未示出)以及被构造为将像素PXL与驱动器连接的线组件(未示出)。
基体层BS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
在实施例中，显示区域DA可以设置在显示装置的中心区域中，并且非显示区域NDA可以以包围显示区域DA的方式设置在显示装置的外围区域中。显示区域DA和非显示区域NDA的位置不限于此，并且显示区域DA和非显示区域NDA的位置可以改变。
显示区域DA可以是其中设置有用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置有用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL结合到驱动器的线组件中的一些的区域。
显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以以各种形式(诸如包括由直线形成的边的闭合多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等)设置。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧中。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的外围。
基体层BS可以包括允许光透射的透明绝缘材料。
基体层BS可以包括柔性基底。这里，柔性基底可以是包括聚合物有机材料的膜基底或塑料基底。例如，柔性基底可以包括以下中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。在本公开的实施例中，基体层BS可以包括具有优异的柔性的聚酰亚胺。
基体层BS的一个区域可以被设置为其中设置有像素PXL的显示区域DA，并且基体层BS的另一个区域可以被设置为非显示区域NDA。例如，基体层BS可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA，显示区域DA包括其中形成有相应的像素PXL的像素区域。
像素PXL可以在基体层BS上设置在显示区域DA中。像素PXL中的每个可以包括多个子像素。例如，每个像素PXL可以包括至少三个子像素。子像素可以发射不同颜色的光。在实施例中，一些子像素可以发射相同颜色的光。然而，形成每个像素PXL的子像素的颜色、类型和/或数量没有特别限制。例如，可以以各种方式改变从每个子像素发射的光的颜色。在本公开的实施例中，像素PXL可以以条状或pentile排列结构布置在显示区域DA中，但是本公开不限于此。
每个子像素可以包括被构造为发射白光和/或彩色光的发光元件(未示出)以及被构造为驱动发光元件的像素电路(未示出)。像素电路可以包括连接到发光元件的至少一个晶体管。每个子像素可以发射具有红色、绿色和蓝色之中的任何一种颜色的光，但是本公开不限于此。例如，每个子像素可以发射具有青色、品红色、黄色和白色之中的任何一种颜色的光。
驱动器可以通过线组件向每个像素PXL提供信号，从而控制像素PXL的操作。为了解释的目的，在图1中，省略了线组件。
驱动器可以包括被构造为通过扫描线向像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器、被构造为通过发射控制线向像素PXL提供发射控制信号的发射驱动器、被构造为通过数据线向像素PXL提供数据信号的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。
每个像素PXL可以包括由预定的控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定的电源(例如，第一驱动电源和第二驱动电源)驱动的至少一个光源。可以使用发光元件(例如，发光二极管)作为光源，所述发光元件包括无机晶体结构(例如，基于氮化物的半导体)并且具有超小型尺寸(例如，范围从纳米级到微米级)。下面将参照图3a至图6b描述上述发光元件。
上述显示装置可以实现为包括多个拉伸单元(或称为伸缩单元)的可拉伸显示装置(或称为可伸缩显示装置)。在下文中，将参照图2a和图2b描述多个拉伸单元。
图2a和图2b是图1的部分EA1的放大平面图。
参照图1、图2a和图2b，显示装置可以包括其上设置有像素PXL的基体层BS。
在本公开的实施例中，基体层BS可以包括多个岛IS以及被构造为将沿着第一方向DR1和第二方向DR2彼此相邻地设置的岛IS连接的桥BR。此外，基体层BS可以包括通过去除基体层BS的一区域而形成的狭缝V(也称为“切口”)。在本公开的实施例中，岛IS、桥BR和狭缝V可以形成显示装置的多个拉伸单元STU。每个拉伸单元STU可以是拉伸可拉伸显示装置的基本单元。
每个岛IS可以是具有岛形状的基体层BS，并且可以与在第一方向DR1上同其相邻(或紧邻)的岛IS间隔开，并且狭缝V置于它们之间。此外，每个岛IS可以与在第二方向DR2上同其相邻(或紧邻)的岛IS间隔开，并且狭缝V置于它们之间。可以在每个岛IS中设置(或提供)包括从其发射红光、蓝光、绿光或白光的发射区域EMA的至少一个子像素(或像素PXL)。
桥BR可以分别设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的两个岛IS之间以及在第二方向DR2上彼此间隔开的两个岛IS之间。每个桥BR可以是基体层BS的将彼此相邻的两个岛IS连接的一个区域。可以在桥BR中设置用于将电力和/或信号传送到设置在每个岛IS中的子像素(或像素PXL)的线。设置在每个岛IS中的子像素(或像素PXL)可以通过设置在桥BR中的线供应有电力和/或信号，并且可以通过电力和/或信号而被驱动。
狭缝V的形状和表面积(或尺寸)可以被改变以允许显示装置拉伸。狭缝V可以定位于在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此相邻的两个岛IS之间、一个岛IS与桥BR之间以及在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此相邻的两个桥BR之间。狭缝V可以形成为穿过基体层BS。狭缝V可以在岛IS之间提供间隔区域，并且减小基体层BS的重量，并且改善基体层BS的柔性。由于当基体层BS被弯曲、弯折、卷曲或拉伸时狭缝V的形状改变，所以可以有效地减小在基体层BS变形时产生的应力，使得可以防止基体层BS异常变形，并且可以提高基体层BS的耐久性。
尽管可以通过经由诸如蚀刻的方法去除基体层BS的一个区域来形成狭缝V，但是本公开不限于此。在实施例中，当制造基体层BS时，基体层BS可以形成为包括狭缝V。在实施例中，可以在形成岛IS和桥BR之后使基体层BS图案化来形成狭缝V。在基体层BS中形成狭缝V的方法不限于上述实施例，并且可以通过各种方法形成狭缝V。
随着包括在基体层BS中的狭缝V的形状和表面积(或尺寸)改变，显示装置可以被拉伸。在平面图中，显示装置可以在各个方向(例如，在第一方向DR1上、在第二方向DR2上、在与第一方向DR1相反的方向(例如，向左方向上)以及与在第二方向DR2相反的方向(例如，向上方向))上被拉伸。当显示装置被拉伸时，每个岛IS的形状和/或表面积(或尺寸)可以很少改变，并且仅每个岛IS的位置会改变。因此，当显示装置被拉伸时，设置在岛IS中的每个中的子像素(或像素PXL)可以被保持而不被损坏。然而，当显示装置被拉伸时，桥BR的形状和/或表面积(或尺寸)会改变，桥BR中的每个将两个岛IS进行连接。
尽管图2a和图2b示出了每个岛IS具有类似于矩形形状的形状，但是本公开不限于此，并且岛IS的形状可以以各种方式改变。用于连接两个岛IS的桥BR的形状也可以以各种方式改变，而不限于图2a和图2b中所示的形状。
图3a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的发光元件的透视图。图3b是示出图3a的发光元件的剖视图。图4a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。图4b是示出图4a的发光元件的剖视图。图5a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。图5b是示出图5a的发光元件的剖视图。图6a是示意性地示出用作图1的显示装置的光源的另一发光元件的透视图。图6b是示出图6a的发光元件的剖视图。
为了解释的目的，将参照图3a、图3b、图4a、图4b、图5a和图5b描述通过蚀刻方法制造的发光元件，然后将参照图6a和图6b描述具有核-壳结构并通过生长方法制造的发光元件。在本公开的实施例中，发光元件LD的类型和/或形状不限于图3a、图3b、图4a、图4b、图5a、图5b、图6a和图6b中所示的实施例。
参照图3a、图3b、图4a、图4b、图5a、图5b、图6a和图6b，发光元件LD可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件LD可以实现为通过连续地堆叠第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13而形成的发射堆叠件。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以形成为在一个方向上延伸的形状。在发光元件LD延伸所沿的方向被定义为纵向方向的情况下，发光元件LD可以在延伸方向上具有一端和另一端。第一半导体层11和第二半导体层13中的任何一个可以设置在发光元件LD的一端上，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的另一端上。
发光元件LD可以具有各种形状。例如，发光元件LD可以具有在纵向方向上延伸的杆状形状或棒状形状(即，具有大于1的纵横比)。在本公开的实施例中，发光元件LD相对于纵向方向的长度L可以大于其直径D(或横截面的宽度)。发光元件LD可以包括被制造为具有超小型尺寸(例如，具有与微米级或纳米级对应的直径D和/或长度L)的发光二极管。在本公开的各种实施例中，发光元件LD的形状可以被改变，以满足照明装置或自发射显示装置的要求(或设计条件)。
第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的n型半导体层。然而，第一半导体层11的构成材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种其它材料形成。
第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的n型半导体层。然而，第一半导体层11的构成材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种其它材料形成。
活性层12可以设置在第一半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。活性层12的位置可以根据发光元件LD的类型以各种方式改变。活性层12可以发射波长范围为400nm至900nm的光，并且使用双异质结构。在本公开的实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下面。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。在实施例中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层12，并且可以使用各种其它材料来形成活性层12。
在将预定电压或更高电压的电场施加在发光元件LD的相对两端之间的情况下，发光元件LD通过活性层12中的电子-空穴对的结合来发射光。因为可以基于前述原理控制发光元件LD的光发射，所以发光元件LD可以用作各种发光装置以及显示装置的像素的光源。
第二半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料的p型半导体层，并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。然而，用于形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料形成。
在本公开的实施例中，第一半导体层11和第二半导体层13可以相对于发光元件LD的纵向方向(L)而具有不同的宽度(或厚度)。例如，相对于发光元件LD的纵向方向(L)，第一半导体层11可以具有大于第二半导体层13的宽度(或厚度)的宽度(或厚度)。因此，如图3a至图5b中所示，与第一半导体层11的下表面相比，发光元件LD的活性层12可以设置在更靠近第二半导体层13的上表面的位置处。在这种情况下，在具有圆柱形形状并通过蚀刻方法制造的发光元件LD中，活性层12可以设置为与上端相邻。
在本公开的实施例中，发光元件LD除了包括第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13之外还可以包括设置在第二半导体层13上的一个电极层15。在实施例中，如图5a和图5b中所示，发光元件LD还可以包括设置在第一半导体层11的一端上的另一电极层16。
尽管电极层15和16中的每个可以由欧姆接触电极形成，但是本公开不限于此。电极层15和16可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO以及它们的氧化物或合金可以单独使用或者彼此组合使用。然而，本公开不限于此。
包括在相应的电极层15和16中的材料可以彼此相同或不同。电极层15和16可以是基本透明的或半透明的。因此，从发光元件LD产生的光可以穿过电极层15和16，然后发射到发光元件LD外部。
在本公开的实施例中，发光元件LD还可以包括绝缘膜14。然而，在一些实施例中，绝缘膜14可以被省略，并且可以被设置为仅覆盖第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13中的一些。
绝缘膜14可以防止活性层12由于与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触而短路。由于绝缘膜14，可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD彼此紧密接触地设置的情况下，绝缘膜14可以防止发光元件LD之间发生不期望的短路。不限制是否设置绝缘膜14，只要可以防止活性层12与外部导电材料短路即可。
如图3a和图3b中所示，绝缘膜14可以设置为包围包括第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和电极层15的发射堆叠件的外周表面的全部的形状。为了解释的目的，图3a示出了其一部分已经被去除的绝缘膜14。包括在实际发光元件LD中的第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和电极层15可以被绝缘膜14包围。
尽管在上述实施例中，绝缘膜14已经被描述为包围第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和电极层15的相应的外周表面的全部，但是本公开不限于此。
在一个或更多个实施例中，如图4a和图4b中所示，绝缘膜14可以包围第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的相应的外周表面，并且可以不包围设置在第二半导体层13上的电极层15的外周表面的全部，或者可以仅包围电极层15的外周表面的一部分而不包围另一部分。这里，绝缘膜14可以允许发光元件LD的至少相对两端暴露于外部，例如，不仅允许设置在第二半导体层13的一端上的电极层15暴露于外部，而且允许第一半导体层11的一端暴露于外部。在实施例中，如图5a和图5b中所示，在电极层15和16设置在发光元件LD的相应的相对两端上的情况下，绝缘膜14可以允许电极层15和16中的每个的至少一个区域暴露于外部。可选地，在实施例中，可以不设置绝缘膜14。
在本公开的实施例中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自于由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中的至少一种绝缘材料，但是本公开不限于此。换言之，可以采用具有绝缘性质的各种材料。
在绝缘膜14设置在发光元件LD的表面上的情况下，可以防止活性层12与未示出的第一电极和/或第二电极短路。由于绝缘膜14，可以使发光元件LD的表面上的缺陷的发生最小化，由此可以改善发光元件LD的寿命和效率。在多个发光元件LD彼此紧密接触地设置的情况下，绝缘膜14可以防止发光元件LD之间发生不期望的短路。
发光元件LD可以用作各种显示装置的光源。发光元件LD可以通过表面处理工艺制造。例如，可以对每个发光元件LD进行表面处理，使得当多个发光元件LD与流体溶液(或溶剂)混合然后被供应到每个发射区域(例如，每个子像素的发射区域)时，发光元件LD可以均匀地分散在溶液中而不是不均匀地聚集。
包括上述发光元件LD的发光器件不仅可以用在显示装置中，而且可以用在需要光源的各种装置中。例如，在多个发光元件LD设置在显示面板的每个像素PXL的发射区域中的情况下，发光元件LD可以用作像素PXL的光源。然而，发光元件LD的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件LD还可以用在需要光源的其它类型的装置(诸如，照明装置)中。
接下来，将参照图6a和图6b描述具有核-壳结构的发光元件LD。具有核-壳结构的发光元件LD的以下描述将集中于与上述实施例的不同之处，并且在以下描述中没有单独解释的发光元件LD的组件可以与先前实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将用于表示类似的组件。
参照图6a和图6b，根据本公开的实施例的发光元件LD可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。在一个或更多个实施例中，发光元件LD可以包括具有核-壳结构的发光图案10。发光图案10可以包括设置在发光元件LD的中心部分中的第一半导体层11、包围第一半导体层11的至少一侧的活性层12、包围活性层12的至少一侧的第二半导体层13以及包围第二半导体层13的至少一侧的电极层15。
发光元件LD可以形成为在一个方向上延伸的多棱锥形状。在本公开的实施例中，发光元件LD可以以六角锥的形式设置。在发光元件LD延伸所沿的方向被定义为纵向方向(L)的情况下，发光元件LD可以在纵向方向(L)上具有第一端(或下端)和第二端(或上端)。在实施例中，第一半导体层11和第二半导体层13中的任何一个可以设置在发光元件LD的第一端(或下端)中。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端(或上端)中。
在实施例中，发光元件LD可以具有与纳米级或微米级对应的小尺寸(例如，具有纳米级范围或微米级范围的直径和/或长度L)。然而，在本公开中，发光元件LD的尺寸不限于此，并且发光元件LD的尺寸可以被改变以满足发光元件LD应用于其的照明装置或自发射显示装置的要求(或应用条件)。
在本公开的实施例中，第一半导体层11可以设置在发光元件LD的核(即，中心(或中间)部分)中。发光元件LD可以具有与第一半导体层11的形状对应的形状。例如，在第一半导体层11具有六角锥形状的情况下，发光元件LD和发光图案10也均可以具有六角锥形状。
活性层12可以设置并且/或者形成为在发光元件LD的纵向方向(L)上包围第一半导体层11的外周表面的形状。详细地，在发光元件LD的纵向方向(L)上，活性层12可以设置并且/或者形成为包围第一半导体层11的除了第一半导体层11的相对两端中的下端之外的区域的形状。
第二半导体层13可以设置并且/或者形成为在发光元件LD的纵向方向(L)上包围活性层的形状，并且可以包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以包括包围第二半导体层13的至少一侧的电极层15。电极层15可以是电连接到第二半导体层13的欧姆接触电极，但是本公开不限于此。
如上所述，发光元件LD可以具有相对两端向外突出的六角锥形状，并且可以实现为具有核-壳结构的发光图案10，发光图案10包括设置在发光图案10的中心部分中的第一半导体层11、包围第一半导体层11的活性层12、包围活性层12的第二半导体层13和包围第二半导体层13的电极层15。第一半导体层11可以设置在具有六角锥形状的发光元件LD的第一端(或下端)中，并且电极层15可以设置在发光元件LD的第二端(或上端)中。
在实施例中，发光元件LD还可以包括设置在具有核-壳结构的发光图案10的外周表面上的绝缘膜14。绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。
图7a至图7d是示出包括在图1中所示的像素中的每个中所包括的子像素中的组件的电连接关系的一个或更多个实施例的电路图。
例如，图7a至图7d示出了可用于有源显示装置中的子像素SP中所包括的组件的电连接关系的不同实施例。然而，可以应用本公开的实施例的子像素SP中包括的组件的类型不限于此。
在图7a至图7d中，不仅子像素SP中所包括的组件而且其中设置有该组件的区域可以被包含在术语“子像素SP”的定义中。在实施例中，图7a至图7d中所示的每个子像素SP可以是设置在图1的显示装置中的像素PXL中的每个中所包括的子像素中的任何一个。包括在每个像素PXL中的子像素SP可以具有彼此基本相同或类似的结构。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b和图7a至图7d，一个子像素SP(在下文中，称为“子像素”)可以包括被构造为生成具有与数据信号对应的亮度的光的发射单元EMU。子像素SP还可以选择性地包括被构造为驱动发射单元EMU的像素电路144。
在实施例中，发射单元EMU可以包括并联连接在第一驱动电源VDD施加于其的第一电力线PL1与第二驱动电源VSS施加于其的第二电力线PL2之间的多个发光元件LD。例如，发射单元EMU可以包括经由像素电路144和第一电力线PL1连接到第一驱动电源VDD的第一电极EL1(或“第一对准电极”)、通过第二电力线PL2连接到第二驱动电源VSS的第二电极EL2(或“第二对准电极”)以及在第一电极EL1与第二电极EL2之间在同一方向上彼此并联连接的多个发光元件LD。在本公开的实施例中，第一电极EL1可以是阳极电极，第二电极EL2可以是阴极电极。
在本公开的实施例中，包括在发射单元EMU中的发光元件LD中的每个可以包括通过第一电极EL1连接到第一驱动电源VDD的第一端以及通过第二电极EL2连接到第二驱动电源VSS的第二端。第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电位。例如，第一驱动电源VDD可以被设定为高电位电源，第二驱动电源VSS可以被设定为低电位电源。这里，在子像素SP的发射时段期间，可以将第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间的电位差设定为等于或大于发光元件LD的阈值电压的值。
如上所述，在具有不同电位的电压分别供应于其的第一电极EL1和第二电极EL2之间按同一方向(例如，按正向方向)彼此并联连接的发光元件LD可以形成相应的有效光源。可以使有效光源聚集以形成子像素SP的发射单元EMU。
发射单元EMU的发光元件LD可以发射具有与通过像素电路144向其供应的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路144可以将与对应的帧数据的灰度对应的驱动电流供应到发射单元EMU。供应到发射单元EMU的驱动电流可以被划分成在同一方向上彼此连接的发光元件LD。因此，发光元件LD中的每个可以发射具有与施加到其的电流对应的亮度的光，使得发射单元EMU可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
尽管图7a至图7d示出了其中发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间在同一方向上彼此连接的实施例，但是本公开不限于此。在实施例中，发射单元EMU除了包括形成相应的有效光源的发光元件LD之外还可以包括至少一个无效光源。例如，如图7d中所示，至少反向发光元件LDr可以进一步连接在发射单元EMU的第一电极EL1和第二电极EL2之间。反向发光元件LDr与形成有效光源的发光元件LD一起可以在第一电极EL1与第二电极EL2之间彼此并联连接。这里，反向发光元件LDr可以在与发光元件LD的方向相反的方向上连接在第一电极EL1与第二电极EL2之间。即使当在第一电极EL1与第二电极EL2之间施加预定的驱动电压(例如，正常方向的驱动电压)时，反向发光元件LDr也保持禁用。因此，电流基本不流过反向发光元件LDr。
像素电路144可以连接到对应的子像素SP的扫描线Si和数据线Dj。例如，在子像素SP设置在显示区域DA的第i行(i是正整数)第j列(j是正整数)中的情况下，子像素SP的像素电路144可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。在实施例中，如图7a和图7b中所示，像素电路144可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。像素电路144的结构不限于图7a和图7b中的每个中所示的实施例。
第一晶体管T1(开关晶体管)的第一端子可以连接到数据线Dj，并且第一晶体管T1的第二端子可以连接到第一节点N1。这里，第一晶体管T1的第一端子和第二端子是不同的端子，例如，在第一端子是源电极的情况下，第二端子是漏电极。第一晶体管T1的栅电极可以连接到扫描线Si。
当从扫描线Si供应具有能够使第一晶体管T1导通的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管T1导通，以将数据线Dj与第一节点N1电连接。这里，对应的帧的数据信号供应到数据线Dj，由此该数据信号传送到第一节点N1。传送到第一节点N1的数据信号可以被充入到存储电容器Cst。
第二晶体管T2(驱动晶体管)的第一端子可以连接到第一驱动电源VDD，并且第二晶体管T2的第二端子可以电连接到用于发光元件LD的第一电极EL1。第二晶体管T2的栅电极可以连接到第一节点N1。如此，第二晶体管T2可以响应于第一节点N1的电压来控制将被供应到发光元件LD的驱动电流的量。
存储电容器Cst的第一电极可以连接到第一驱动电源VDD，并且存储电容器Cst的第二电极可以连接到第一节点N1。存储电容器Cst充入与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且保持充入的电压直到下一帧的数据信号被供应为止。
图7a和图7b均示出了像素电路144，像素电路144包括被构造为将数据信号传送到子像素SP的第一晶体管T1、被构造为存储数据信号的存储电容器Cst以及被构造为将与数据信号对应的驱动电流供应到发光元件LD的第二晶体管T2。
然而，本公开不限于此，并且像素电路144的结构可以以各种方式改变。例如，像素电路144还可以包括至少一个晶体管元件(诸如，被构造为补偿第二晶体管T2的阈值电压的晶体管元件、被构造为使第一节点N1初始化的晶体管元件和/或被构造为控制发光元件LD的发射时间的晶体管元件)或者其它电路元件(诸如，用于升高第一节点N1的电压的升压电容器)。
此外，尽管在图7a中包括在像素电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换言之，包括在像素电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以改变为N型晶体管。例如，包括在像素电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的一个可以由N型晶体管形成，并且另一个可以由P型晶体管形成。
在实施例中，包括在像素电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2可以由氧化物半导体薄膜晶体管或LTPS薄膜晶体管形成。在实施例中，包括在像素电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的一个可以由氧化物半导体薄膜晶体管形成，并且另一个可以由LTPS薄膜晶体管形成。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b以及图7b，根据本公开的实施例的第一晶体管T1和第二晶体管T2可以由N型晶体管形成。除了由于晶体管的类型的改变而引起的一些组件的连接位置的改变以外，图7b中所示的像素电路144的构造和操作与图7a的像素电路144的构造和操作类似。因此，将省略与图7b中所示的像素电路144有关的详细描述。
在本公开的实施例中，像素电路144的构造不限于图7a和图7b中所示的实施例。例如，像素电路144可以以与图7c和图7d中的每个中示出的实施例的方式相同的方式构造。
如图7c和图7d中所示，像素电路144可以连接到子像素SP的扫描线Si和数据线Dj。例如，在子像素SP设置在显示区域DA的第i行第j列中的情况下，对应的子像素SP的像素电路144可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。
在实施例中，像素电路144还可以连接到至少另一条扫描线。例如，设置在显示区域DA的第i行中的子像素SP还可以连接到第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施例中，像素电路144不仅可以连接到第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS，而且可以连接到第三电源。例如，像素电路144也可以连接到初始化电源Vint。
像素电路144可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极(例如，源电极)可以经由第五晶体管T5连接到第一驱动电源VDD，并且第一晶体管T1的第二电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管T6连接到发光元件LD的一端。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制经由发光元件LD在第一驱动电源VDD与第二驱动电源VSS之间流动的驱动电流。
第二晶体管T2(开关晶体管)可以连接在与子像素SP连接的第j数据线Dj与第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极可以连接到与子像素SP连接的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第二晶体管T2可以导通以将第j数据线Dj电连接到第一晶体管T1的源电极。因此，在第二晶体管T2导通的情况下，从第j数据线Dj供应的数据信号可以被传送到第一晶体管T1。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极可以连接到第i扫描线Si。当从第i扫描线Si供应具有栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以将第一晶体管T1的漏电极电连接到第一节点N1。
第四晶体管T4可以连接在第一节点N1与初始化电源Vint将被施加于其的初始化电力线IPL之间。第四晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线(例如，第i-1扫描线Si-1)。当具有栅极导通电压的扫描信号被供应到第i-1扫描线Si-1时，第四晶体管T4可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以被传送到第一节点N1。这里，初始化电源Vint可以具有等于或小于数据信号的最小电压的电压。
第五晶体管T5可以连接在第一驱动电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极可以连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线Ei)。第五晶体管T5可以在具有栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1与发光元件LD的第一端之间。第六晶体管T6的栅电极可以连接到第i发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在具有栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第七晶体管T7可以连接在初始化电力线IPL与发光元件LD的第一端之间。第七晶体管T7的栅电极可以连接到下一级的扫描线中的任何一条(例如，连接到第i+1扫描线Si+1)。当具有栅极导通电压的扫描信号被供应到第i+1扫描线Si+1时，第七晶体管T7可以导通，使得初始化电源Vint的电压可以被供应到发光元件LD的第一端。
存储电容器Cst可以连接在第一驱动电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与在每个帧周期期间施加到第一节点N1的数据信号和第一晶体管T1的阈值电压两者对应的电压。
尽管在图7c和图7d中的每个中包括在像素电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7)已经被示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可以改变为N型晶体管。例如，包括在像素电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的一个可以由N型晶体管形成，并且另一个可以由P型晶体管形成。
在实施例中，包括在像素电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7均可以由氧化物半导体薄膜晶体管或LTPS薄膜晶体管形成。在实施例中，包括在像素电路144中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些晶体管均可以由氧化物半导体薄膜晶体管形成，并且其它晶体管均可以由LTPS薄膜晶体管形成。
尽管图7a至图7d示出了其中每个发射单元EMU的所有发光元件LD彼此并联连接的实施例，但是本公开不限于此。在实施例中，发射单元EMU可以包括包含彼此并联连接的多个发光元件LD的至少一个串联级。换言之，发射单元EMU可以由串联/并联组合结构形成。
可以应用于本公开的子像素SP的结构不限于图7a至图7d中所示的实施例，并且对应的子像素SP可以具有各种结构。在本公开的实施例中，每个子像素SP可以被构造在无源发光显示装置等中。在这种情况下，可以省略像素电路144，并且包括在发射单元EMU中的发光元件LD的相对两端可以直接连接到扫描线Si-1、Si和Si+1、数据线Dj、第一驱动电源VDD将施加于其的第一电力线PL1、第二驱动电源VSS将施加于其的第二电力线PL2以及/或者预定控制线。
图8是示意性地示出图1中所示的像素中的一个的平面图。图9a是示意性地示出图8的第一子像素的平面图。图9b是图9a的部分EA2的放大平面图。图10是沿着图9a的线I-I'截取的剖视图。图11示出了其中图10的第一接触电极和第三接触电极与第二接触电极和第四接触电极设置在不同层上的实施例，并且是与图9a的线I-I'对应的剖视图。图12示出了其中盖层分别设置在图10中所示的第一电极至第四电极上的实施例，并且是与图9a的线I-I'对应的剖视图。图13是沿着图9a的线II-II'截取的剖视图。图14示出了图13中所示的第一堤的另一种形状，并且是与图9a的线II-II'对应的剖视图。图15是沿着图9a的线III-III'截取的剖视图。
为了示出的目的，图8仅示出了第一电极和第二电极、第一子电极和第二子电极、设置在第一电极与第二电极之间以及第一子电极与第二子电极之间的发光元件。
在图8和图9a中，为了解释的目的，省略了连接到发光元件的晶体管和连接到晶体管的信号线的图示。
图9a中所示的第一子像素可以是图7a至图7d中的每个中所示的子像素中的任何一个。例如，图9a中所示的子像素可以是图7a中所示的子像素。
尽管图8至图15简单地示出了像素PXL的结构(例如，示出了每个电极由单个电极层形成并且每个绝缘层由单个绝缘层形成)，但是本公开不限于此。
另外，在本公开的实施例的描述中，“组件设置并且/或者形成在同一层上”可以表示组件通过同一工艺形成，并且“组件设置并且/或者形成在不同的层上”可以表示组件通过不同的工艺形成。
参照图1至图7a以及图8至图15，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基体层BS、线组件和至少一个像素PXL。
在本公开的实施例中，基体层BS可以是由具有柔性的材料形成以可弯曲或可折叠的可拉伸基底，并且可以具有单层或多层结构。例如，基体层BS可以包括诸如硅弹性体或聚氨酯的聚合物材料，但是本公开不限于此。
像素PXL可以包括设置在基体层BS中的第一子像素SP1至第四子像素SP4。
第一子像素SP1可以是设置在第一像素行R1第一像素列C1中的子像素。第二子像素SP2可以是设置在第一像素行R1第二像素列C2中的子像素。第三子像素SP3可以是设置在第二像素行R2第一像素列C1中的子像素。第四子像素SP4可以是设置在第二像素行R2第二像素列C2中的子像素。
在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是红色子像素。第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个可以是绿色子像素。第四子像素SP4可以是蓝色子像素。然而，本公开不限于此。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个可以包括一个岛IS和连接到岛IS的至少一个桥BR。例如，第一子像素SP1可以包括第一岛IS1和连接到第一岛IS1的桥BR。第二子像素SP2可以包括第二岛IS2和连接到第二岛IS2的桥BR。第三子像素SP3可以包括第三岛IS3和连接到第三岛IS3的桥BR。第四子像素SP4可以包括第四岛IS4和连接到第四岛IS4的桥BR。
在本公开的实施例中，桥BR可以包括分别连接到对应的子像素的对应的岛IS的四条边的第一桥BR1至第四桥BR4。例如，第一子像素SP1的第一桥BR1可以连接到包括在第一子像素SP1中的第一岛IS1的第一边S1。第一子像素SP1的第二桥BR2可以连接到第一岛IS1的第二边S2。第一子像素SP1的第三桥BR3可以连接到第一岛IS1的第三边S3。第一子像素SP1的第四桥BR4可以连接到第一岛IS1的第四边S4。
在平面图中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一桥BR1和第三桥BR3可以是基体层BS的在第一方向DR1上延伸的一个区域，并且将在第一方向DR1(或“行方向”)上彼此相邻(紧邻)的两个子像素连接。例如，第一子像素SP1的第一桥BR1和与第一子像素SP1的第一桥BR1设置在同一行中的第二子像素SP2的第一桥BR1可以一体地设置并且彼此连接。同样地，第三子像素SP3的第一桥BR1和与第三子像素SP3的第一桥BR1设置在同一行中的第四子像素SP4的第一桥BR1可以一体地设置并且彼此连接。
在平面图中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二桥BR2和第四桥BR4可以是基体层BS的在第二方向DR2上延伸的一个区域，并且将在第二方向DR2(或“列方向”)上彼此相邻(紧邻)的两个子像素连接。例如，第一子像素SP1的第四桥BR4和与第一子像素SP1的第四桥BR4设置在同一列中的第三子像素SP3的第四桥BR4可以一体地设置并且彼此连接。此外，第二子像素SP2的第四桥BR4和与第二子像素SP2的第四桥BR4设置在同一列中的第四子像素SP4的第四桥BR4可以一体地设置并且彼此连接。
在本公开的实施例中，在第二方向DR2上延伸的第二虚拟线VL2可以设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间并且在第三子像素SP3与第四子像素SP4之间。此外，在第一方向DR1上延伸的第一虚拟线VL1可以设置在第一子像素SP1与第三子像素SP3之间并且在第二子像素SP2与第四子像素SP4之间。
第一子像素SP1和第二子像素SP2可以相对于第二虚拟线VL2镜像对称。第一子像素SP1和第三子像素SP3可以相对于第一虚拟线VL1镜像对称。第二子像素SP2和第四子像素SP4可以相对于第一虚拟线VL1镜像对称。第三子像素SP3和第四子像素SP4可以相对于第二虚拟线VL2镜像对称。
狭缝V可以设置(或定位)在第一子像素SP1的第一岛IS1与第二子像素SP2的第二岛IS2之间、第一岛IS1与第三子像素SP3的第三岛IS3之间、第二岛IS2与第四子像素SP4的第四岛IS4之间以及第三岛IS3与第四岛IS4之间。此外，狭缝V可以设置(或定位)在第一子像素SP1的第四桥BR4与第二子像素SP2的第四桥BR4之间以及第三子像素SP3的第四桥BR4与第四子像素SP4的第四桥BR4之间。
此外，狭缝V可以设置(或定位)在第一子像素SP1的第三桥BR3与第三子像素SP3的第三桥BR3之间以及第二子像素SP2的第三桥BR3与第四子像素SP4的第三桥BR3之间。
在本公开的实施例中，狭缝V可以形成为穿过基体层BS，并且在包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的第一岛IS1至第四岛IS4之间提供间隔区域。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个可以包括被构造为发射光的发射区域EMA以及包围发射区域EMA的外围的外围区域。这里，术语“外围区域”可以包括不发射光的非发射区域。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA可以包括第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA。第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。
显示元件层DPL可以包括第一电极EL1和第二电极EL2、第一导线CL1和第二导线CL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4。
在本公开的实施例中，第一发射区域MEMA可以设置在对应的子像素的岛IS中。第二发射区域SEMA可以设置在对应的子像素的桥BR中的至少一个桥BR中。例如，第一子像素SP1的第一发射区域MEMA可以设置在第一子像素SP1的第一岛IS1中。第一子像素SP1的第二发射区域SEMA可以设置在第一子像素SP1的第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中。第一子像素SP1的第二桥BR2和第四桥BR4可以包括不发射光的非发射区域。然而，本公开不限于此。在实施例中，显示元件层DPL可以设置在第二桥BR2和第四桥BR4中的每个中，使得第一桥BR1和第四桥BR4也可以包括可以从其发射光的第二发射区域SEMA。
在本公开的实施例中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的像素区域可以包括对应的子像素的发射区域EMA和外围区域。
为了解释的目的，将首先描述形成并且/或者设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的组件，然后将描述形成并且/或者设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的桥BR中的组件。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS可以包括第一发射区域MEMA和包围第一发射区域MEMA的外围区域。像素电路层PCL和显示元件层DPL可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中。在本公开的实施例中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS可以指基体层BS的具有岛形状的一个区域。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的像素电路层PCL可以包括设置在基体层BS上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的至少一个晶体管T以及钝化层PSV。
缓冲层BFL可以防止杂质扩散到晶体管T中。缓冲层BFL可以设置为单层结构或者具有至少两层的多层结构。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各个层可以由相同的材料或不同的材料形成。根据基体层BS的材料和/或处理条件，可以省略缓冲层BFL。
晶体管T可以包括第一晶体管T1(T)和第二晶体管T2(T)。在本公开的实施例中，第一晶体管T1(T)可以是电连接到对应的子像素的发光元件LD并且被构造为驱动发光元件LD的驱动晶体管。第二晶体管T2(T)可以是被构造为使第一晶体管T1(T)开关的开关晶体管。
第一晶体管T1(T)和第二晶体管T2(T)中的每个可以包括晶体管半导体层SCL、栅电极GE、第一端子SE和第二端子DE。第一端子SE可以是源电极或漏电极，并且第二端子DE可以是另一电极。例如，在第一端子SE是源电极的情况下，第二端子DE可以是漏电极。
晶体管半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。晶体管半导体层SCL可以包括接触第一端子SE的第一区域和接触第二端子DE的第二区域。第一区域与第二区域之间的区域可以是沟道区。
晶体管半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区可以是作为未掺杂的半导体图案的本征半导体。第一区域和第二区域均可以是掺杂有杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在晶体管半导体层SCL上，并且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与晶体管半导体层SCL之间。栅极绝缘层GI可以是包括无机材料的无机绝缘层。
第一端子SE和第二端子DE可以通过穿过第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI的对应的接触孔而分别接触晶体管半导体层SCL的第一区域和第二区域。第一层间绝缘层ILD1可以是包括无机材料的无机绝缘层。
尽管在前述实施例中已经描述了第一晶体管T1(T)和第二晶体管T2(T)中的每个的第一端子SE和第二端子DE是与晶体管半导体层SCL电连接的单独电极，但是本公开不限于此。在实施例中，第一晶体管T1(T)和第二晶体管T2(T)中的每个的第一端子SE可以是与每个晶体管半导体层SCL的沟道区相邻的第一区域和第二区域中的一个区域。第一晶体管T1(T)和第二晶体管T2(T)中的每个的第二端子DE可以是与每个晶体管半导体层SCL的沟道区相邻的第一区域和第二区域中的另一区域。在这种情况下，第一晶体管T1(T)的第二端子DE可以通过桥电极或接触电极等电连接到第一像素SP1至第四像素SP4中的每个的发射单元EMU。
在本公开的实施例中，包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的像素电路层PCL中的至少一个晶体管T可以由LTPS薄膜晶体管形成，但是本公开不限于此。在一个或更多个实施例中，至少一个晶体管T可以由氧化物半导体薄膜晶体管形成。此外，在一个或更多个实施例中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的像素电路层PCL可以包括由LTPS薄膜晶体管形成的至少一个晶体管T和由氧化物半导体薄膜晶体管形成的至少一个晶体管T。另外，在本公开的实施例中，已经示出了晶体管T是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但是本公开不限于此。在实施例中，晶体管T可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
第三层间绝缘层ILD3可以设置在晶体管T上。第三层间绝缘层ILD3可以是包括无机材料的无机绝缘层，但是本公开不限于此。根据实施例，可以省略第三绝缘层ILD3。
钝化层PSV可以设置在第三层间绝缘层ILD3上。钝化层PSV可以设置并且/或者形成在晶体管T上并且覆盖晶体管T。钝化层PSV可以以有机绝缘层、无机绝缘层或者包括设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的结构的形式设置。无机绝缘层可以包括氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。有机绝缘层可以包括允许光穿过其的有机绝缘材料。有机绝缘层可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
接下来，将描述包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的显示元件层DPL。在本公开的实施例中，第一子像素SP1至第四子像素SP4XL中的每个的显示元件层DPL的一些组件可以设置在对应的子像素的岛IS的外围区域中，并且其它组件可以设置在岛IS的第一发射区域MEMA中。
包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的显示元件层DPL可以包括第一堤BNK1、第1-1电极EL1_1、第2-1电极EL2_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和多个发光元件LD。在本公开的实施例中，包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的显示元件层DPL可以具有基本类似或相同的结构。因此，为了解释的目的，包括在第一子像素SP1的第一岛IS中的显示元件层DPL的描述将代替包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的显示元件层DPL的描述。
至少一个第一堤BNK1可以设置在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中。
在设置在第一岛IS1中的第一发射区域MEMA中，在钝化层PSV与第1-1电极EL1_1之间、钝化层PSV与第2-1电极EL2_1之间、钝化层PSV与第1-1子电极CL1_1之间以及钝化层PSV与第2-1子电极CL2_1之间均可以设置并且/或者形成第一堤BNK1。
第一堤BNK1可以是支撑第1-1电极EL1_1、第2-1电极EL2_1、第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1中的每个的支撑件或绝缘图案，以改变第1-1电极EL1_1、第2-1电极EL2_1、第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1中的每个的表面轮廓，使得从发光元件LD发射的光可以在显示装置的图像显示方向上更可靠地行进。
第一堤BNK1可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。在实施例中，第一堤BNK1可以包括具有单层结构的有机绝缘层以及/或者具有单层结构的无机绝缘层，但是本公开不限于此。在实施例中，第一堤BNK1可以以通过堆叠至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层而形成的多层结构的形式来设置。
第一堤BNK1可以具有其中其宽度从钝化层PSV的一个表面向上减小的梯形剖面，但是本公开不限于此。在实施例中，如图14中所示，第一堤BNK1可以包括具有其宽度从钝化层PSV的一个表面向上减小的具有半椭圆形状、半圆形形状等的横截面的弯曲表面。在横截面图中，第一堤BNK1的形状不限于前述示例，并且可以在其中可提高从发光元件LD中的每个发射的光的效率的范围内以各种方式改变。彼此相邻的第一堤BNK1可以在钝化层PSV上设置在同一平面处并且具有相同的高度。
第一子像素SP1的显示元件层DPL还可以包括设置在第一子像素SP1的外围区域中的第三堤(未示出)。第三堤可以是限定第一子像素SP1和与第一子像素SP1相邻的子像素(例如，第二子像素SP2或第三子像素SP3)中的每个的第一发射区域MEMA的结构，并且可以是例如像素限定层。第三堤可以包括至少一种遮光材料和/或反射材料，从而防止其中光(或光线)在第一子像素SP1与同第一子像素SP1相邻的子像素之间泄漏的漏光缺陷。在实施例中，反射材料层可以形成并且/或者设置在第三堤上，以进一步提高从每个第一子像素SP1发射的光的效率。尽管第三堤可以形成并且/或者设置在与第一堤BNK1的层不同的层上，但是本公开不限于此。在实施例中，第三堤可以形成并且/或者设置在与第一堤BNK1的层相同的层处。此外，设置在第一子像素SP1的外围区域中的第三堤可以具有与设置在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中的第一堤BNK1的高度不同的高度。
在本公开的实施例中，第一子像素SP1的第一发射区域MEMA可以在平面图中具有与第一岛IS1对应的形状，第一岛IS1是基体层BS的具有岛形状的一个区域，但是本公开不限于此。在实施例中，第一子像素SP1的第一发射区域MEMA在平面图中可以不对应于第一岛IS1的形状，并且可以具有与第一岛IS1的形状不同的形状。
第1-1电极EL1_1和第2-1电极EL2_1可以在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中设置在彼此分隔开的位置处。第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1可以设置在第1-1电极EL1_1与第2-1电极EL2_1之间。例如，第1-1子电极CL1_1可以设置在第1-1电极EL1_1与第2-1子电极CL2_1之间。第2-1子电极CL2_1可以设置在第1-1子电极CL1_1与第2-1电极EL2_1之间。在平面图中，第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1可以设置在彼此分隔开的位置处。
在本公开的实施例中，第1-1电极EL1_1和第1-1子电极CL1_1可以彼此分隔开预定距离。第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1可以彼此分隔开预定距离。第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1可以彼此分隔开预定距离。在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA1中，第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间的空间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间的空间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间的空间可以具有相同(或一致)的距离。因此，发光元件LD可以在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中更均匀地对准。这里，本公开不限于此。在实施例中，第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间的空间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间的空间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间的空间可以具有不同的距离。
第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1均可以设置在第一堤BNK1上，并且具有与第一堤BNK1的形状对应的表面轮廓。例如，第1-1电极EL1_1、第2-1电极EL2_1、第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1中的每个可以具有与第一堤BNK1对应的突起部分和与钝化层PSV对应的平面部分。第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1可以由具有预定反射率的材料制成，以允许从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光在显示装置的图像显示方向上(例如，在正面方向上)行进。
第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以由具有预定反射率的导电材料形成。导电材料可以包括适合使从发光元件LD发射的光在显示装置的图像显示方向上反射的不透明金属。不透明金属可以包括金属，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti及其合金。在实施例中，第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以包括透明导电材料。透明导电材料可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))或者导电聚合物(诸如，PEDOT)。在第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个包括透明导电材料的情况下，在第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以进一步包括由不透明金属制成以在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件LD发射的光的单独的导电层。然而，用于第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个的材料不限于前述材料。
此外，尽管第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个由单层形成，但是本公开不限于此。在实施例中，第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以形成为通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的两种或更多种材料而形成的多层结构。第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以由具有至少两层的多层结构形成，以使当信号(或电压)被传送到发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2时由于信号延迟而可能发生的失真最小化。例如，第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以具有其中以ITO/Ag/ITO的顺序堆叠层的多层结构。
如上所述，第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1均可以具有与设置在其下面的第一堤BNK1的形状对应的表面轮廓。因此，从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光可以被第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1反射，并且在显示装置的图像显示方向上更可靠地行进。因此，可以进一步提高从发光元件LD中的每个发射的光的输出效率。
在本公开的实施例中，第一堤BNK1、第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1均可以用作将从发光元件LD发射的光在期望的方向上引导的反射器，从而提高显示装置的光效率。换言之，第一堤BNK1、第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1均可以用作允许从发光元件LD发射的光在显示装置的图像显示方向上行进的反射器，从而提高发光元件LD的光输出效率。
在第一发射区域MEMA中，多个发光元件LD可以在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间中的每个中对准并且/或者设置。在第一发射区域MEMA中，在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间中的每个中对准并且/或者设置的发光元件LD可以形成第一子像素SP1的发射单元EMU。
包括在第一子像素SP1的发射单元EMU中的第1-1电极EL1_1可以是阳极电极，并且第2-1电极EL2_1可以是发射单元EMU的阴极电极。
第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与第一子像素SP1的像素电路层PCL电连接。例如，在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中，第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与第一子像素SP1的像素电路层PCL电连接。第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与第一子像素SP1的像素电路层PCL的第一晶体管T1(T)的第二端子DE电连接。因此，施加到第一晶体管T1(T)的信号(或电压)可以被传送到第1-1电极EL1_1。
第2-1电极EL2_1可以与设置在第一桥BR1中的第2-2电极EL2_2电连接和/或物理连接，并且可以被供应有来自第2-2电极EL2_2的第二驱动电源VSS的电压。下面可以结合第一子像素SP1的桥BR的描述对第2-1电极EL2_1与第2-2电极EL2_2之间的连接关系做出详细的描述。
在前述实施例中，发光元件LD中的每个可以由用具有无机晶体结构的材料制成并且具有超小型尺寸(例如，范围从纳米级到微米级)的发光元件形成。例如，如图3a至图6b中所示，发光元件LD中的每个可以是具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的超小型发光元件。发光元件LD的尺寸、类型、形状等可以以各种方式改变。尽管至少两个或数十个发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准，但是本公开不限于此。在实施例中，可以以各种方式改变在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中设置并且/或者对准的发光元件LD的数量。
发光元件LD可以在溶液中以扩散形式提供，然后被供应到第一子像素SP1的第一发射区域MEMA。在本公开的实施例中，可以通过喷墨印刷方案、狭缝涂覆方案或其它各种方案将发光元件LD供应到第一子像素SP1的第一发射区域MEMA。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合，然后通过喷墨印刷方案或狭缝涂覆方案供应到第一子像素SP1的第一发射区域MEMA。这里，在对应的对准信号(或对准电压)分别施加到设置在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中的第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1的情况下，在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间均可以形成电场。因此，发光元件LD可以在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间中的每个中对准。在发光元件LD已经对准之后，可以通过挥发方案或其它方案去除溶剂，使得发光元件LD可以最终在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准。
如上所述，当发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准时，第1-1电极EL1_1和第2-1电极EL2_1以及第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1可以用作用于对准发光元件LD的对准电极(或对准线)。例如，第1-1电极EL1_1和第2-1子电极CL2_1可以是相同的第一对准信号(或第一对准电压)将施加于其的第一对准电极，并且第1-1子电极CL1_1和第2-1电极EL2_1可以是相同的第二对准信号(或第二对准电压)将施加于其的第二对准电极。第一对准信号和第二对准信号可以具有不同的电压电平。这里，在对应的对准信号分别施加到第1-1电极EL1_1、第1-1子电极CL1_1、第2-1子电极CL2_1和第2-1电极EL2_1的情况下，在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间均可以形成电场。发光元件LD可以通过分别形成在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间、第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间以及第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间的电场而在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准。
在本公开的实施例中，在将发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准的步骤中，可以通过控制将被施加到第1-1电极EL1_1和第2-1电极EL2_1以及第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1的对准信号(或对准电压)或者形成磁场来控制供应到第一发射区域MEMA的发光元件LD相对偏置地对准。例如，在发光元件LD的对准步骤中，由于调整对准信号的波形或者在第一发射区域MEMA中形成磁场，因此可以把按正向方向定位使得发光元件LD中的每个的第一端EP1朝向第一对准电极定位并且发光元件LD中的每个的第二端EP2朝向第二对准电极定位的发光元件LD的数量控制为大于在与其相反的方向上定位的反向发光元件(参照图7d的LDr)的数量。
发光元件LD中的每个可以包括通过蚀刻方案制造的圆柱形发光元件LD或者通过生长方案制造的核-壳发光元件LD。在发光元件LD中的每个是通过蚀刻方案制造的发光元件的情况下，每个发光元件LD可以包括通过在每个发光元件LD的纵向方向(L)上连续地堆叠第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和电极层15而形成的发射堆叠件(或堆叠图案)。在发光元件LD中的每个是具有核-壳结构的发光元件的情况下，每个发光元件LD可以包括具有设置在发光元件LD的中心部分中的第一半导体层11、包围第一半导体层11的至少一侧的活性层12、包围活性层12的至少一侧的第二半导体层13以及包围第二半导体层13的至少一侧的电极层15的发光图案10。
发光元件LD中的每个可以包括电连接到彼此分隔开预定距离的两个电极中的一个的第一端EP1和电连接到另一个电极的第二端EP2。例如，在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间对准(或设置)的发光元件LD中的每个可以包括电连接到第1-1电极EL1_1的第一端EP1和电连接到第1-1子电极CL1_1的第二端EP2。在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间对准(或设置)的发光元件LD中的每个可以包括电连接到第1-1子电极CL1_1的第二端EP2和电连接到第2-1子电极CL2_1的第一端EP1。在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间对准(或设置)的发光元件LD中的每个可以包括电连接到第2-1子电极CL2_1的第一端EP1和电连接到第2-1电极EL2_1的第二端EP2。
在本公开的实施例中，每个发光元件LD的第一端EP1可以是包括p型半导体层的第二半导体层13，并且每个发光元件LD的第二端EP2可以是包括n型半导体层的第一半导体层11。换言之，在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中，每个发光元件LD可以按正向方向连接在两个相邻的电极之间。如上所述，按正向方向连接在两个相邻的电极之间的发光元件LD可以形成第一子像素SP1的发射单元EMU的有效光源。尽管在上述实施例中，已经描述了在两个相邻的电极之间对准(或设置)的发光元件LD按正向方向连接，但是本公开不限于此。在实施例中，在两个相邻的电极之间对准(或设置)的发光元件LD中的一些可以按与正向方向相反的方向连接。在以下实施例中，将描述其中在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中在两个相邻的电极之间对准(或设置)的发光元件LD按正向方向连接的示例。
发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到以预定距离彼此相邻设置的两个电极中的一个，或者可以通过接触电极连接到所述一个电极。此外，发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到两个相邻的电极中的另一个电极，或者可以通过另一个接触电极连接到所述另一个电极。
在本公开的实施例中，设置在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第1-1电极EL1_1，或者可以连接到第1-1接触电极CNE1_1并因此间接连接到第1-1电极EL1_1。此外，设置在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第1-1子电极CL1_1的一侧，或者可以连接到第2-1接触电极CNE2_1并因此间接连接到第1-1子电极CL1_1。
设置在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第1-1子电极CL1_1的另一侧，或者可以连接到第2-1接触电极CNE2_1并因此间接连接到第1-1子电极CL1_1。此外，设置在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第2-1子电极CL2_1的一侧，或者可以连接到第3-1接触电极CNE3_1并因此间接连接到第2-1子电极CL2_1。
设置在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第2-1子电极CL2_1的另一侧，或者可以连接到第3-1接触电极CNE3_1并因此间接连接到第2-1子电极CL2_1。此外，设置在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第2-1电极EL2_1，或者可以连接到第4-1接触电极CNE4_1并因此间接连接到第2-1电极EL2_1。
发光元件LD可以在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中设置并且/或者形成在第一绝缘层INS1上。
第一绝缘层INS1可以在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中形成并且/或者设置于在彼此分隔开预定距离的两个电极中的一个电极与另一个电极之间对准的发光元件LD中的每个下面。第一绝缘层INS1可以被填充到钝化层PSV与发光元件LD中的每个之间的空间中，以稳定地支撑发光元件LD并且防止发光元件LD从钝化层PSV去除。例如，第一绝缘层INS1可以形成并且/或者设置于在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间对准的发光元件LD中的每个下面。此外，第一绝缘层INS1可以形成并且/或者设置于在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间对准的发光元件LD中的每个下面。此外，第一绝缘层INS1可以形成并且/或者设置于在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间对准的发光元件LD中的每个下面。
在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中，第一绝缘层INS1可以暴露彼此分隔开预定距离的两个电极中的一个电极的一个区域，并且覆盖除了暴露的区域之外的其余区域以保护所述一个电极的其余区域。此外，第一绝缘层INS1可以暴露彼此分隔开预定距离的两个电极中的另一个电极的一个区域，并且覆盖除了暴露的区域之外的其余区域以保护所述另一个电极的其余区域。
第一绝缘层INS1可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。尽管在本公开的实施例中，第一绝缘层INS1可以由具有保护发光元件LD免受第一子像素SP1的像素电路层PCL影响的优点的无机绝缘层形成，但是本公开不限于此。在实施例中，第一绝缘层INS1可以由可适合于使发光元件LD的支撑表面平坦化的有机绝缘层形成。
第二绝缘层INS2可以设置并且/或者形成在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以设置并且/或者形成在发光元件LD中的每个上以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分，并且将发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2暴露于外部。第二绝缘层INS2可以在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中形成为独立的图案，但是本公开不限于此。
第二绝缘层INS2可以由单层或多层形成，并且包括包含至少一种无机材料的无机绝缘层或包含至少一种有机材料的有机绝缘层。第二绝缘层INS2可以将在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准的发光元件LD中的每个固定就位。在本公开的实施例中，第二绝缘层INS2可以包括适合于保护发光元件LD中的每个的活性层12免受外部氧气、水等影响的无机绝缘层。然而，本公开不限于此。根据应用有发光元件LD的显示装置的设计条件，第二绝缘层INS2可以由包括有机材料的有机绝缘层形成。
在本公开的实施例中，在已经完成发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中的对准之后，在发光元件LD上形成第二绝缘层INS2，使得可以防止发光元件LD从对准位置被去除。在形成第二绝缘层INS2之前在第一绝缘层INS1与发光元件LD之间存在空间(例如，间隙)的情况下，所述间隙可以在形成第二绝缘层INS2的工艺期间用第二绝缘层INS2来填充。因此，可以更稳定地支撑发光元件LD。因此，第二绝缘层INS2可以由适合于用第二绝缘层INS2填充第一绝缘层INS1与发光元件LD之间的空间的有机绝缘层形成。
在本公开的实施例中，第二绝缘层INS2可以形成在发光元件LD中的每个上，使得可以防止发光元件LD中的每个的活性层12与外部导电材料接触。第二绝缘层INS2可以仅覆盖发光元件LD中的每个的表面的一部分，使得发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2可以暴露于外部。
在以下实施例中，为了描述的目的，在第1-1电极EL1_1与第1-1子电极CL1_1之间对准的发光元件LD将被表示为“第一发光元件LD”，在第1-1子电极CL1_1与第2-1子电极CL2_1之间对准的发光元件LD将被表示为“第二发光元件LD”，并且在第2-1子电极CL2_1与第2-1电极EL2_1之间对准的发光元件LD将被表示为“第三发光元件LD”。
在本公开的实施例中，在发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准之后，第1-1电极EL1_1和第2-1电极EL2_1中的每个可以用作用于驱动发光元件LD的驱动电极(或驱动线)。此外，在发光元件LD在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中对准之后，第1-1子电极CL1_1和第2-1子电极CL2_1中的每个可以是在第1-1电极EL1_1与第2-1电极EL2_1之间用于将驱动电流从第1-1电极EL1_1传送到第2-1电极EL2_1的通道。
第1-1接触电极CNE1_1可以设置并且/或者形成在第1-1电极EL1_1以及第一发光元件LD中的每个的第一端EP1上，以将第1-1电极EL1_1与第一发光元件LD中的每个的第一端EP1彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第1-1接触电极CNE1_1不仅可以与第1-1电极EL1_1叠置，而且可以与第一发光元件LD中的每个的第一端EP1叠置。
第2-1接触电极CNE2_1可以设置并且/或者形成在第一发光元件LD中的每个的第二端EP2、第1-1子电极CL1_1以及第二发光元件LD中的每个的第二端EP2上，以将第一发光元件LD中的每个的第二端EP2与第1-1子电极CL1_1的一侧彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接以及将第1-1子电极CL1_1的另一侧与第二发光元件LD中的每个的第二端EP2彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第2-1接触电极CNE2_1可以与第一发光元件LD中的每个的第二端EP2叠置，与第1-1子电极CL1_1叠置，并且还与第二发光元件LD中的每个的第二端EP2叠置。
第3-1接触电极CNE3_1可以设置并且/或者形成在第二发光元件LD中的每个的第一端EP1、第2-1子电极CL2_1以及第三发光元件LD中的每个的第一端EP1上，以将第二发光元件LD中的每个的第一端EP1与第2-1子电极CL2_1的一侧彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接以及将第2-1子电极CL2_1的另一侧与第三发光元件LD中的每个的第一端EP1彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第3-1接触电极CNE3_1可以与第二发光元件LD中的每个的第一端EP1叠置，与第2-1子电极CL2_1叠置，并且还与第三发光元件LD中的每个的第一端EP1叠置。
第4-1接触电极CNE4_1可以设置并且/或者形成在第三发光元件LD中的每个的第二端EP2和第2-1电极EL2_1上，以将第三发光元件LD中的每个的第二端EP2与第2-1电极EL2_1彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第4-1接触电极CNE4_1不仅可以与第三发光元件LD中的每个的第二端EP2叠置，而且可以与第2-1电极EL2_1叠置。
第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的每个可以由各种透明导电材料形成。例如，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的每个可以由透明导电材料形成，以使从发光元件LD中的每个发射并且在显示装置的图像显示方向上被对应的电极反射的光的损失最小化。透明导电材料可以包括各种导电材料(例如，ITO、IZO和ITZO)中的至少一种，并且可以是基本透明的或半透明的以满足预定的透射率。
第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的每个可以具有在一个方向上延伸的棒形状，但是本公开不限于此，例如，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的每个可以改变为各种形状，只要它可以将设置在其下面的一个电极与发光元件LD中的每个的相对两端中的一个可靠地电连接和/或物理地可靠地连接即可。
在本公开的实施例中，在平面图中，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的每个可以设置在与相邻的接触电极分隔开的位置处。例如，第1-1接触电极CNE1_1和第2-1接触电极CNE2_1可以彼此分隔开预定距离。第2-1接触电极CNE2_1和第3-1接触电极CNE3_1可以彼此分隔开预定距离。第3-1接触电极CNE3_1和第4-1接触电极CNE4_1可以彼此分隔开预定距离。
在本公开的实施例中，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1可以设置并且/或者形成在同一层上。在这种情况下，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1可以设置并且/或者形成在第二绝缘层INS2上。在剖视图中，第1-1接触电极CNE1_1和第2-1接触电极CNE2_1可以在第一发光元件LD上的第二绝缘层INS2上彼此分隔开，因此彼此电分离和/或物理分离。在剖视图中，第2-1接触电极CNE2_1和第3-1接触电极CNE3_1可以在第二发光元件LD上的第二绝缘层INS2上彼此分隔开，因此彼此电分离和/或物理分离。尽管未在附图中直接示出，但是第3-1接触电极CNE3_1和第4-1接触电极CNE4_1可以在第三发光元件LD上的第二绝缘层INS2上彼此分隔开，因此彼此电分离和/或物理分离。
在第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1设置在同一层上的情况下，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1可以设置并且/或者形成在第二绝缘层INS2上，并且被第三绝缘层INS3覆盖。第三绝缘层INS3可以是包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层，但是本公开不限于此。在实施例中，第三绝缘层INS3可以是包括覆盖包含发光元件LD的显示元件层DPL的多个绝缘层的封装层ENC。例如，第三绝缘层INS3(ENC)可以具有通过交替地堆叠至少一个无机层和至少一个有机层而形成的结构。
尽管在前述实施例中已经描述了其中第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1设置并且/或者形成在同一层上的情况，但是本公开不限于此。在实施例中，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1可以设置并且/或者形成在不同的层上。在这种情况下，第1-1接触电极CNE1_1至第4-1接触电极CNE4_1中的一些可以设置在第二绝缘层INS2上，并且另一些可以设置在辅助绝缘层AU_INS上。例如，如图11中所示，在彼此相邻(紧邻)的第1-1接触电极CNE1_1和第2-1接触电极CNE2_1设置并且/或者形成在不同层上的情况下，第1-1接触电极CNE1_1可以设置在第二绝缘层INS2上并被辅助绝缘层AU_INS覆盖，并且第2-1接触电极CNE2_1可以设置在辅助绝缘层AU_INS上并被第三绝缘层INS3(ENC)覆盖。然而，本公开不限于此。在实施例中，在第2-1接触电极CNE2_1设置在第二绝缘层INS1上并被辅助绝缘层AU_INS覆盖的情况下，第1-1接触电极CNE1_1可以设置在辅助绝缘层AU_INS上并被第三绝缘层INS3(ENC)覆盖。
在本公开的实施例中，第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与第一子像素SP1的像素电路层PCL的像素电路144的一些组件电连接。
在驱动电流通过包括在第一子像素SP1的像素电路144中的第一晶体管T1(T)经由像素电路144从第一电力线PL1流到第二电力线PL2的情况下，驱动电流可以通过第一接触孔CH1供应到第一子像素SP1的发射单元EMU。例如，驱动电流可以通过第一接触孔CH1供应到第1-1电极EL1_1，并且驱动电流可以经由第一发光元件LD流到第1-1子电极CL1_1。因此，第一发光元件LD中的每个可以以与分布电流对应的亮度发光。流过第1-1子电极CL1_1的驱动电流可以经由第二发光元件LD2流到第2-1子电极CL2_1。因此，第二发光元件LD中的每个可以以与分布电流对应的亮度发光。流过第2-1子电极CL2_1的驱动电流可以经由第三发光元件LD流到第2-1电极EL2_1。因此，第三发光元件LD中的每个可以以与分布电流对应的亮度发光。
在实施例中，如图12中所示，盖层CPL可以设置并且/或者形成在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA中。
在第一发射区域MEMA中，可以在第1-1电极EL1_1与第1-1接触电极CNE1_1之间、第1-1子电极CL1_1与第2-1接触电极CNE2_1之间、第2-1子电极CL2_1与第3-1接触电极CNE3_1之间以及第2-1电极EL2_1与第4-1接触电极CNE4_1之间均设置并且/或者形成盖层CPL。
盖层CPL可以防止对应的电极和对应的接触电极由于在制造显示装置的工艺期间引起的故障而被损坏，并且增强对应的电极与设置在对应的电极下面的像素电路层PCL之间的粘合力。此外，盖层CPL可以防止对应的子电极和对应的接触电极由于在制造显示装置的工艺期间引起的故障而被损坏，并且增强对应的子电极与设置在对应的子电极下面的像素电路层PCL之间的粘合力。
盖层CPL可以由诸如氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成，以使从发光元件LD中的每个发射并且在显示装置的图像显示方向上被对应的电极和对应的子电极反射的光的损失最小化。
在本公开的实施例中，包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的桥BR中的显示元件层DPL可以具有基本类似或相同的结构。因此，为了解释的目的，包括在第一子像素SP1的桥BR中的显示元件层DPL的描述将代替包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的桥BR中的显示元件层DPL的描述。
第一子像素SP1的桥BR可以包括第一桥BR1至第四桥BR4。第一桥BR1至第四桥BR4均可以是基体层BS的除了第一岛IS1之外的一个区域，并且与同第一子像素SP1相邻(或紧邻)的子像素的一些桥BR一体地设置并连接。
第一桥BR1可以连接到第一子像素SP1的第一岛IS1的第一边S1的一部分并且在第一方向DR1上延伸。第二桥BR2可以连接到第一岛IS1的第二边S2的一部分并且在第二方向DR2上延伸。第三桥BR3可以连接到第一岛IS1的第三边S3的一部分并且在第一方向DR1上延伸。第四桥BR4可以连接到第一岛IS1的第四边S4的一部分并且在第二方向DR2上延伸。
在本公开的实施例中，第一桥BR1至第四桥BR4中的每个可以包括开口OPN。可以通过去除设置在第一桥BR1至第四桥BR4中的每个的基体层BS上的绝缘层的部分来形成开口OPN。这里，绝缘层可以包括连续地形成并且/或者设置在基体层BS上的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1。例如，绝缘层可以包括形成并且/或者设置在基体层BS上的无机绝缘层。
作为参照，在图10至图12中，示出了以下示例：在该示例中，在第一子像素SP1的第一桥BR1和第一岛IS1之间的边界区域中，缓冲层BFL、栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1的相应的内侧表面彼此对准，使得缓冲层BFL的开口OPN、栅极绝缘层GI的开口OPN和第一层间绝缘层ILD1的开口OPN设置在共线的直线上，但是本公开不限于此。在一个或更多个实施例中，栅极绝缘层GI的开口OPN的边界点可以设置成比缓冲层BFL的开口OPN的边界点靠近第一桥BR1，反之亦然。
在本公开的实施例中，开口OPN可以以相应的岛IS为单位破坏包括无机材料的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1的连续性。换言之，包括无机材料的缓冲层BFL、栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1可以仅设置在第一子像素SP1的第一岛IS1中，并且可以不设置在第一桥BR1至第四桥BR4中。
在本公开的实施例中，第一桥BR1至第四桥BR4可以包括基体层BS和设置在基体层BS上的像素电路层PCL。
第一桥BR1至第四桥BR4中的每个的像素电路层PCL可以包括设置在基体层BS上的第二层间绝缘层ILD2、设置在第二层间绝缘层ILD2上的多条线(未示出)以及被构造为覆盖这些线的钝化层PSV。
第二层间绝缘层ILD2可以是包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可以包括聚丙烯类化合物、聚酰亚胺类化合物、碳氟化合物(诸如特氟隆)、苯并环丁烯化合物等。可以设置第二层间绝缘层ILD2以用其填充开口OPN。整个开口OPN可以填充有第二层间绝缘层ILD2，但是本公开不限于此。在实施例中，开口OPN的至少一部分可以填充有第二层间绝缘层ILD2。可以设置第二层间绝缘层ILD2以用其填充第一桥BR1至第四桥BR4中的每个的开口OPN，并且由于第二层间绝缘层ILD2的材料特性，当显示装置被拉伸时，第二层间绝缘层ILD2可以向第一桥BR1至第四桥BR4中的每个提供柔性。因此，可以提高显示装置的抗冲击特性。在本公开的实施例中，开口OPN和第二层间绝缘层ILD2可以不设置并且/或者不形成在基体层BS的狭缝V中。
在本公开的实施例中，设置在第一桥BR1至第四桥BR4中的每个中的线LP可以是用于向设置在第一岛IS1中的像素电路144供应驱动电压、扫描信号、数据信号等的信号线。此外，第一桥BR1至第四桥BR4中的至少一个桥BR可以设置并且/或者形成有第二驱动电源VSS的电压可以施加于其的驱动电压线DVL。例如，驱动电压线DVL可以设置并且/或者形成在第一桥BR1中。在本公开的实施例中，在包括在第一子像素SP1的像素电路层PCL中的像素电路144中，驱动电压线DVL可以是第二驱动电源VSS的电压将施加于其的第二电力线PL2。
钝化层PSV可以设置并且/或者形成在前述线LP和驱动电压线DVL上。钝化层PSV可以具有与设置在第一岛IS1中的像素电路层PCL的钝化层PSV的构造相同的构造。钝化层PSV可以包括驱动电压线DVL的一部分通过其而被暴露的第二接触孔CH2。在本公开的实施例中，钝化层PSV可以不设置并且/或者形成在基体层BS的狭缝V中。
显示元件层DPL可以设置并且/或者形成在第一桥BR1至第四桥BR4之中的在第一方向DR1上延伸的第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的像素电路层PCL上。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个可以包括第二发射区域SEMA，包括在显示元件层DPL中的组件可以从第二发射区域SEMA发射光。第一桥BR1至第四桥BR4之中的在第二方向DR2上延伸的第二桥BR2和第四桥BR4中的每个可以不包括显示元件层DPL。本公开不限于此。在实施例中，显示元件层DPL也可以设置并且/或者形成在在第二方向DR2上延伸的第二桥BR2和第四桥BR4中的每个的像素电路层PCL上。
第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的显示元件层DPL的一些组件可以设置在对应的桥BR的外围区域中，并且其它组件可以设置在对应的桥BR的第二发射区域SEMA中。
第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的显示元件层DPL可以包括第二堤BNK2、第1-2电极EL1_2、第2-2电极EL2_2、第1-2子电极CL1_2、第2-2子电极CL2_2以及多个发光元件LD。
在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中，可以在钝化层PSV与第1-2电极EL1_2之间、钝化层PSV与第2-2电极EL2_2之间、钝化层PSV与第1-2子电极CL1_2之间以及钝化层PSV与第2-2子电极CL2_2之间均设置并且/或者形成第二堤BNK2。
第二堤BNK2可以是支撑第1-2电极EL1_2、第2-2电极EL2_2、第1-2子电极CL1_2和第2-2子电极CL2_2中的每个的支撑件或绝缘图案，以改变第1-2电极EL1_2、第2-2电极EL2_2、第1-2子电极CL1_2和第2-2子电极CL2_2中的每个的表面轮廓，使得从设置(或对准)在第二发射区域SEMA中的发光元件LD发射的光可以更可靠地在显示装置的图像显示方向上行进。
第二堤BNK2可以具有与第一堤BNK1的材料相同的材料，并且可以设置并且/或者形成在与第一堤BNK1的层相同的层上。在本公开的实施例中，第一堤BNK1和第二堤BNK2可以通过同一工艺形成，并且可以被一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第二堤BNK2可以从第一岛BNK1的第一堤BNK1的一侧在第一方向DR1上(例如，在水平方向上)延伸。第三桥BR3的第二堤BNK2可以从第一岛BNK1的第一堤BNK1的另一侧在水平方向上延伸。
第一桥BR1和第三桥BR3中的每个可以包括设置在第二发射区域SEMA周围的外围区域。第三堤(未示出)可以设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的外围区域中。
第1-2电极EL1_2和第2-2电极EL2_2可以在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中设置在彼此分隔开的位置处。第1-2子电极CL1_2和第2-2子电极CL2_2可以设置在第1-2电极EL1_2与第2-2电极EL2_2之间。例如，第1-2子电极CL1_2可以设置在第1-2电极EL1_2与第2-2子电极CL2_2之间。第2-2子电极CL2_2可以设置在第1-2子电极CL1_2与第2-2电极EL2_2之间。在平面图中，第1-2电极EL1_2、第1-2子电极CL1_2、第2-2子电极CL2_1和第2-2电极EL2_1可以设置在彼此分隔开的位置处。
在本公开的实施例中，第1-2电极EL1_2和第1-2子电极CL1_2可以彼此分隔开预定距离。第1-2子电极CL1_2和第2-2子电极CL2_2可以彼此分隔开预定距离。第2-2子电极CL2_2和第2-2电极EL2_2可以彼此分隔开预定距离。在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中，第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间的距离、第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间的距离以及第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间的距离可以彼此相同(或一致)。因此，发光元件LD可以在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中更一致地对准。
第1-2电极EL1_2、第1-2子电极CL1_2、第2-2子电极CL2_2和第2-2电极EL2_2均可以设置在第二堤BNK2上，并且具有与第二堤BNK2的形状对应的表面轮廓。第1-2电极EL1_2、第1-2子电极CL1_2、第2-2子电极CL2_2和第2-2电极EL2_2可以由具有预定反射率的材料制成，以允许从发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2发射的光在显示装置的图像显示方向上(例如，在正面方向上)行进。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第1-2电极EL1_2可以连接到第一岛IS1的第1-1电极EL1_1的一侧。第三桥BR3的第1-2电极EL1_2可以连接到第1-1电极EL1_1的另一侧。例如，第一桥BR1的第1-2电极EL1_2可以从第一岛IS1的第1-1电极EL1_1的一侧在第一方向DR1上(例如，在水平方向上)朝向第一桥BR1延伸。第三桥BR3的第1-2电极EL1_2可以从第一岛IS1的第1-1电极EL1_1的另一侧在第一方向DR1上(例如，在水平方向上)朝向第三桥BR3延伸。
第一桥BR1的第1-2电极EL1_2、第一岛IS1的第1-1电极EL1_1和第三桥BR3的第1-2电极EL1_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第1-2电极EL1_2和第三桥BR3的第1-2电极EL1_2可以与第一岛IS1的第1-1电极EL1_1一体地设置，并且被视为第1-1电极EL1_1的一个区域。第一桥BR1的第1-2电极EL1_2、第一岛IS1的第1-1电极EL1_1和第三桥BR3的第1-2电极EL1_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第一电极EL1。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第2-2电极EL2_2可以连接到第一岛IS1的第2-1电极EL2_1的一侧。第三桥BR3的第2-2电极EL2_2可以连接到第2-1电极EL2_1的另一侧。例如，第一桥BR1的第2-2电极EL2_2可以从第一岛IS1的第2-1电极EL2_1的一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第一桥BR1延伸。第三桥BR3的第2-2电极EL2_2可以从第一岛IS1的第2-1电极EL2_1的另一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第三桥BR3延伸。
第一桥BR1的第2-2电极EL2_2、第一岛IS1的第2-1电极EL2_1和第三桥BR3的第2-2电极EL2_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第2-2电极EL2_2和第三桥BR3的第2-2电极EL2_2可以与第一岛IS1的第2-1电极EL2_1一体地设置，并且被视为第2-1电极EL2_1的一个区域。第一桥BR1的第2-2电极EL2_2、第一岛IS1的第2-1电极EL2_1和第三桥BR3的第2-2电极EL2_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第二电极EL2。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第1-2子电极CL1_2可以连接到第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1的一侧。第三桥BR3的第1-2子电极CL1_2可以连接到第1-1子电极CL1_1的另一侧。例如，第一桥BR1的第1-2子电极CL1_2可以从第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1的一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第一桥BR1延伸。第三桥BR3的第1-2电极CL1_2可以从第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1的另一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第三桥BR3延伸。
第一桥BR1的第1-2子电极CL1_2、第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1和第三桥BR3的第1-2子电极CL1_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第1-2子电极CL1_2和第三桥BR3的第1-2子电极CL1_2可以与第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1一体地设置，并且被视为第1-1子电极CL1_1的一个区域。第一桥BR1的第1-2子电极CL1_2、第一岛IS1的第1-1子电极CL1_1和第三桥BR3的第1-2子电极CL1_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第一子电极CL1。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第2-2子电极CL2_2可以连接到第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1的一侧。第三桥BR3的第2-2子电极CL2_2可以连接到第2-1子电极CL2_1的另一侧。例如，第一桥BR1的第2-2子电极CL2_2可以从第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1的一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第一桥BR1延伸。第三桥BR3的第2-2子电极CL2_2可以从第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1的另一侧在第一方向DR1上(在水平方向上)朝向第三桥BR3延伸。
第一桥BR1的第2-2子电极CL2_2、第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1和第三桥BR3的第2-2子电极CL2_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第2-2子电极CL2_2和第三桥BR3的第2-2子电极CL2_2可以与第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1一体地设置，并且被视为第2-1子电极CL2_1的一个区域。第一桥BR1的第2-2子电极CL2_2、第一岛IS1的第2-1子电极CL2_1和第三桥BR3的第2-2子电极CL2_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第二子电极CL2。
在平面图中，在第一子像素SP1的发射区域EMA中，第一电极EL1、第一子电极CL1、第二子电极CL2和第二电极EL2可以设置在彼此分隔开的位置处。例如，第一电极EL1和第一子电极CL1可以彼此分隔开预定距离。第一子电极CL1和第二子电极CL2可以彼此分隔开预定距离。第二子电极CL2和第二电极EL2可以彼此分隔开预定距离。
在本公开的实施例中，在第一子像素SP1的发射区域EMA中，第一电极EL1可以仅设置并且/或者形成在第一子像素SP1中，以允许第一子像素SP1与相邻子像素不同地独立地(或单独地)而被驱动，并且可以与设置并且/或者形成在相邻子像素中的每个中的第一电极EL1电分离和/或物理分离。此外，在第一子像素SP1的发射区域EMA中，第一子电极CL1和第二子电极CL2可以仅设置并且/或者形成在第一子像素SP1中，并且可以分别与设置并且/或者形成在同第一子像素SP1相邻的子像素中的每个中的第一子电极CL1和第二子电极CL2电分离和/或物理分离。在第一子像素SP1的发射区域EMA中，对于第一子像素SP1和在第一方向DR1上与第一子像素SP1相邻的子像素而言，第二电极EL2可以被设置为公共的。因此，在第一方向DR1上设置在同一子像素行中的多个子像素可以共同连接到第二电极EL2。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第2-2电极EL2_2可以通过穿过钝化层PSV的第二接触孔CH2电连接到包括在第一桥BR1的像素电路层PCL中的驱动电压线DVL。因为第一桥BR1的第2-2电极EL2_2电连接到驱动电压线DVL，所以施加到驱动电压线DVL的第二驱动电源VSS的电压可以被传送到第一子像素SP1的第二电极EL2以及设置在与第一子像素SP1的子像素行相同的子像素行中的多个子像素中的每个的第二电极EL2。
在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中，多个发光元件LD可以在第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间、第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间以及第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间中的每个中对准并且/或者设置。在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中，在第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间、第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间以及第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间中的每个中设置(或对准)的发光元件LD可以另外形成第一子像素SP1的发射单元。
尽管发光元件LD中的至少两个到几十个在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中对准，但是本公开不限于此。根据实施例，发光元件LD的数量可以以各种方式改变。
发光元件LD可以在溶液中扩散并被供应到第一子像素SP1的发射区域EMA中。
在对应的对准信号(或对准电压)分别施加到设置在第一子像素SP1中的第一电极EL1和第二电极EL2以及第一子电极CL1和第二子电极CL2的情况下，可以在第一电极EL1与第一子电极CL1之间、在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间均形成电场。因此，发光元件LD可以在第一电极EL1与第一子电极CL1之间、在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间中的每个中对准。在发光元件LD已经对准之后，可以去除溶剂，使得发光元件LD可以最终在第一子像素SP1的第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA中的每个中对准。
如上所述，当发光元件LD在第一子像素SP1中对准时，第一电极EL1和第二电极EL2以及第一子电极CL1和第二子电极CL2可以用作用于发光元件LD的对准的对准电极(或对准线)。换言之，当发光元件LD在第一子像素SP1中对准时，第1-1电极EL1_1和第1-2电极EL1_2、第1-1子电极CL1_1和第1-2子电极CL1_2、第2-1子电极CL2_1和第2-2子电极CL2_2以及第2-1电极EL2_1和第2-2电极EL2_2可以用作用于发光元件LD的对准的对准电极(或对准线)。在本公开的实施例中，形成第一电极EL1的第1-1电极EL1_1和第1-2电极EL1_2以及形成第二子电极CL2的第2-1子电极CL2_1和第2-2子电极CL2_2可以是相同的对准信号(或相同的第一对准电压)将施加于其的第一对准电极。此外，形成第一子电极CL1的第1-1子电极CL1_1和第1-2子电极CL1_2以及形成第二电极EL2的第2-1电极EL2_1和第2-2电极EL2_2可以是相同的第二对准信号(或相同的第二对准电压)将施加于其的第二对准电极。
在本公开的实施例中，在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中对准的发光元件LD中的每个可以在两个相邻的电极之间按正向方向连接。
在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中对准的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到以预定距离彼此相邻设置的两个电极中的一个，或者可以通过接触电极连接到所述一个电极。此外，发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到所述两个相邻的电极中的另一个电极，或者可以通过另一个接触电极连接到所述另一个电极。
在本公开的实施例中，设置在第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第1-2电极EL1_2，或者可以连接到第1-2接触电极CNE1_2并因此间接连接到第1-2电极EL1_2。此外，设置在第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第1-2子电极CL1_2，或者可以连接到第2-2接触电极CNE2_2并因此间接连接到第1-2子电极CL1_2。
设置在第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第1-2子电极CL1_2，或者可以连接到第2-2接触电极CNE2_2并因此间接连接到第1-2子电极CL1_2。此外，设置在第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第2-2子电极CL2_2，或者可以连接到第3-2接触电极CNE3_2并因此间接连接到第2-2子电极CL2_2。
设置在第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间的发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第2-2子电极CL2_2，或者可以连接到第3-2接触电极CNE3_2并因此间接连接到第2-2子电极CL2_2。此外，设置在第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间的发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第2-2电极EL2_2，或者可以连接到第4-2接触电极CNE4_2并因此间接连接到第2-2电极EL2_2。
在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中设置(或对准)的发光元件LD可以设置并且/或者形成在第一绝缘层INS1上。在本公开的实施例中，第一绝缘层INS1可以是与设置在第一岛IS1的第一发射区域MEMA中的第一绝缘层INS1对应的组件，并且可以包括与设置在第一发射区域MEAM中的第一绝缘层INS1的材料相同的材料并且可以通过同一工艺形成。
第二绝缘层INS2可以设置并且/或者形成于在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中设置(或对准)的发光元件LD中的每个上。第二绝缘层INS2可以设置并且/或者形成在发光元件LD中的每个上以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的一部分，并且将发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2暴露于外部。第二绝缘层INS2可以是与设置在第一岛IS1的第一发射区域MEMA中的第二绝缘层INS2对应的组件，并且可以包括与设置在第一发射区域MEMA中的第二绝缘层INS2的材料相同的材料并且可以通过同一工艺形成。
在本公开的实施例中，在发光元件LD在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中对准之后，第1-2电极EL1_2和第2-2电极EL2_2中的每个可以用作用于驱动发光元件LD的驱动电极(或驱动线)。此外，在发光元件LD在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA中对准之后，第1-2子电极CL1_2和第2-2子电极CL2_2中的每个可以是在第1-2电极EL1_2与第2-2电极EL2_2之间用于将驱动电流从第1-2电极EL1_2传送到第2-2电极EL2_2的通道。
在以下实施例中，为了描述的目的，在第1-2电极EL1_2与第1-2子电极CL1_2之间对准(或设置)的发光元件LD将被表示为“第四发光元件LD”，在第1-2子电极CL1_2与第2-2子电极CL2_2之间对准(或设置)的发光元件LD将被表示为“第五发光元件LD”，并且在第2-2子电极CL2_2与第2-2电极EL2_2之间对准(或设置)的发光元件LD将被表示为“第六发光元件LD”。
第1-2接触电极CNE1_2可以设置并且/或者形成在第1-2电极EL1_2以及第四发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上，以将第1-2电极EL1_2与第四发光元件LD中的每个的所述一端彼此电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第1-2接触电极CNE1_2不仅可以与第1-2电极EL1_2叠置，而且可以与第四发光元件LD中的每个的所述一端叠置。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第1-2接触电极CNE1_2可以包括与第一岛IS1的第1-1接触电极CNE1_1的材料相同的材料。
第2-2接触电极CNE2_2可以设置并且/或者形成在第四发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端、第1-2子电极CL1_2以及第五发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上。第2-2接触电极CNE2_2可以将第四发光元件LD中的每个的另一端与第1-2子电极CL1_2的一侧电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。此外，第2-2接触电极CNE2_2可以将第1-2子电极CL1_2的另一侧与第五发光元件LD中的每个的一端电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第2-2接触电极CNE2_2可以与第四发光元件LD中的每个的另一端叠置，与第1-2子电极CL1_2叠置，并且还与第五发光元件LD中的每个的一端叠置。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第2-2接触电极CNE2_2可以包括与第一岛IS1的第2-1接触电极CNE2_1的材料相同的材料。
第3-2接触电极CNE3_2可以设置并且/或者形成在第五发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端、第2-2子电极CL2_2以及第六发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上。第3-2接触电极CNE3_2可以将第五发光元件LD中的每个的另一端与第2-2子电极CL2_2的一侧电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。此外，第3-2接触电极CNE3_2可以将第2-2子电极CL2_2的另一侧与第六发光元件LD中的每个的一端电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第3-2接触电极CNE3_2可以与第五发光元件LD中的每个的另一端叠置，与第2-2子电极CL2_2叠置，并且还与第六发光元件LD中的每个的一端叠置。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第3-2接触电极CNE3_2可以包括与第一岛IS1的第3-1接触电极CNE3_1的材料相同的材料。
第4-2接触电极CNE4_2可以设置并且/或者形成在第六发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的另一端以及第2-2电极EL2_2上。第4-2接触电极CNE4_2可以将第六发光元件LD中的每个的另一端与第2-2电极EL2_2电可靠地连接和/或物理地可靠地连接。在平面图中，第4-2接触电极CNE4_2不仅可以与第六发光元件LD中的每个的另一端叠置，而且可以与第2-2电极EL2_2叠置。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第4-2接触电极CNE4_2可以包括与第一岛IS1的第4-1接触电极CNE4_1的材料相同的材料。
在本公开的实施例中，在平面图中，第1-2接触电极CNE1_2至第4-2接触电极CNE4_2中的每个可以设置在与相邻的接触电极分隔开的位置处。例如，第1-2接触电极CNE1_2和第2-2接触电极CNE2_2可以彼此分隔开预定距离。第2-2接触电极CNE2_2和第3-2接触电极CNE3_2可以彼此分隔开预定距离。第3-2接触电极CNE3_2和第4-2接触电极CNE4_2可以彼此分隔开预定距离。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第1-2接触电极CNE1_2、第一岛IS1的第1-1接触电极CNE1_1和第三桥BR3的第1-2接触电极CNE1_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第1-2接触电极CNE1_2和第三桥BR3的第1-2接触电极CNE1_2可以与第一岛IS1的第1-1接触电极CNE1_1一体地设置，并且被视为第1-1接触电极CNE1_1的一个区域。第一桥BR1的第1-2接触电极CNE1_2、第一岛IS1的第1-1接触电极CNE1_1和第三桥BR3的第1-2接触电极CNE1_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第一接触电极CNE1。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第2-2接触电极CNE2_2、第一岛IS1的第2-1接触电极CNE2_1和第三桥BR3的第2-2接触电极CNE2_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第2-2接触电极CNE2_2和第三桥BR3的第2-2接触电极CNE2_2可以与第一岛IS1的第2-1接触电极CNE2_1一体地设置，并且被视为第2-1接触电极CNE2_1的一个区域。第一桥BR1的第2-2接触电极CNE2_2、第一岛IS1的第2-1接触电极CNE2_1和第三桥BR3的第2-2接触电极CNE2_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第二接触电极CNE2。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第3-2接触电极CNE3_2、第一岛IS1的第3-1接触电极CNE3_1和第三桥BR3的第3-2接触电极CNE3_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第3-2接触电极CNE3_2和第三桥BR3的第3-2接触电极CNE3_2可以与第一岛IS1的第3-1接触电极CNE3_1一体地设置，并且被视为第3-1接触电极CNE3_1的一个区域。第一桥BR1的第3-2接触电极CNE3_2、第一岛IS1的第3-1接触电极CNE3_1和第三桥BR3的第3-2接触电极CNE3_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第三接触电极CNE3。
在本公开的实施例中，第一桥BR1的第4-2接触电极CNE4_2、第一岛IS1的第4-1接触电极CNE4_1和第三桥BR3的第4-2接触电极CNE4_2可以一体地设置并彼此连接。例如，第一桥BR1的第4-2接触电极CNE4_2和第三桥BR3的第4-2接触电极CNE4_2可以与第一岛IS1的第4-1接触电极CNE4_1一体地设置，并且被视为第4-1接触电极CNE4_1的一个区域。第一桥BR1的第4-2接触电极CNE4_2、第一岛IS1的第4-1接触电极CNE4_1和第三桥BR3的第4-2接触电极CNE4_2可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中形成第四接触电极CNE4。
在平面图中，第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4可以在第一子像素SP1的发射区域EMA中设置在彼此分隔开的位置处。第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4可以设置并且/或者形成在同一层上。例如，第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4可以设置并且/或者形成在第二绝缘层INS2上，并且被第三绝缘层INS3覆盖。形成在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个上的第三绝缘层INS3可以是与形成在第一岛IS1中的第三绝缘层INS3(ENC)对应的组件，并且可以包括与设置在第一发射区域MEMA中的第三绝缘层INS3(ENC)的材料相同的材料，并且可以通过同一工艺形成。
如上所述，可以将预定电压分别施加到在第一子像素SP1中设置(或对准)的发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2，使得发光元件LD中的每个可以通过电子-空穴对在发光元件LD中的每个的活性层12中的结合来发射光。发光元件LD中的每个可以发射具有例如范围为400nm至900nm的波段的光。
如上所述，由于在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中对准的发光元件LD，所以第一桥BR1和第三桥BR3中的每个可以包括可以发射光的第二发射区域SEMA。第一桥BR1和第三桥BR3中的每个的第二发射区域SEMA与设置在第一岛IS1中的第一发射区域MEMA一起可以形成第一子像素SP1的发射区域EMA。因此，第一子像素SP1的发射区域EMA可以包括第一岛IS1的第一发射区域MEMA、第一桥BR1的第二发射区域SEMA和第三桥BR3的第二发射区域SEMA。
因为第一子像素SP1除了包括设置在第一岛IS1中的第一发射区域MEMA之外还包括设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第二发射区域SEMA来作为形成为发射光的发射区域EMA，所以可以进一步增大最终从第一子像素SP1发射有光的发射表面积。因此，可以提高显示装置的整体光输出效率，从而可以改善在显示装置上显示的图像的质量。
另外，根据前述实施例，包括有机材料的第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一桥BR1至第四桥BR4中的每个的基体层BS上，并且包括线LP和驱动电压线DVL的像素电路层PCL以及包括发光元件LD的显示元件层DPL可以设置在第二层间绝缘层ILD2之上。因此，可以防止像素电路层PCL和显示元件层DPL因显示装置被拉伸时产生的应力而损坏。
保护掩模PMK可以设置在第一子像素SP1的基体层BS的一个表面(例如，基体层BS的下表面)上。保护掩模PMK可以由包括导电材料的金属层和/或包括无机材料的无机绝缘层形成。例如，保护掩模PMK可以包括氧化硅、氮化硅等。保护掩模PMK可以阻挡特定区域的光，使得可以阻挡特定区域的光入射在设置在基体层BS上的晶体管T上，从而可以防止晶体管T的特性改变。保护膜层PFL可以设置在保护掩模PMK上。
保护膜层PFL可以用于保护基体层BS，并且可以由单层或多层形成。
图16a至图16f是顺序地示出制造图9a中所示的第一子像素的方法的示意性平面图。图17a至图17g是顺序地示出制造图10中所示的第一子像素的方法的剖视图。
在下文中，将参照图16a至图16f和图17a至图17g顺序地描述根据本公开的实施例的制造图9a和图10中所示的第一子像素的方法。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16a和图17a，在由刚性基底形成的载体基底CSUB上形成由软材料形成的辅助基底ASUB。辅助基底ASUB可以具有包括从由聚酯类聚合物、硅类聚合物、丙烯酸类聚合物、聚烯烃类聚合物及其共聚物组成的组中选择的一种的膜的形式。例如，辅助基底ASUB可以由聚酰亚胺形成。
此后，在辅助基底ASUB上形成由包括无机材料的无机绝缘层形成的保护掩模PMK。保护掩模PMK可以包括单层或多个层。例如，在保护掩模PMK由多个层形成的情况下，保护掩模PMK可以具有通过连续地堆叠氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、非晶硅(a-Si)等形成的结构。
接下来，在保护掩模PMK上形成具有柔性的基体层BS。尽管基体层BS包括与辅助基底ASUB的材料相同的材料，但是本公开不限于此。在本公开的实施例中，基体层BS可以包括具有岛形状的第一岛IS1以及连接到第一岛IS1的第一桥BR1至第四桥BR4。第一岛IS1可以是基体层BS的具有岛形状的一个区域。第一桥BR1至第四桥BR4中的每个可以是基体层BS的除了第一岛IS1之外的其它区域。
在基体层BS上形成第一子像素SP1的像素电路层PCL。
形成在基体层BS的第一岛IS1中的像素电路层PCL可以包括至少一个绝缘层、包括至少一个晶体管T的像素电路144以及被构造为覆盖晶体管T的钝化层PSV。形成在基体层BS的第一桥BR1至第四桥BR4中的每个中的像素电路层PCL可以包括利用其填充开口OPN的第二层间绝缘层ILD2、设置在第二层间绝缘层ILD2上的线LP以及被构造为覆盖线LP的钝化层PSV。这里，线LP可以包括第二驱动电源VSS的电压将施加于其的驱动电压线DVL。
钝化层PSV可以包括暴露第一晶体管T1(T)的第二端子DE的第一接触孔CH1以及暴露驱动电压线DVL的一部分的第二接触孔CH2。在本公开的实施例中，第一接触孔CH1可以被包括在形成在第一岛IS1中的钝化层PSV中，并且第二接触孔CH2可以被包括在形成在第一桥BR1中的钝化层PSV中。
在本公开的实施例中，钝化层PSV可以具有与基体层BS的形状对应的形状。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16b、图17a和图17b，在第一子像素SP1的钝化层PSV上形成第一堤BNK1和第二堤BNK2。在本公开的实施例中，可以在形成在第一岛IS1中的钝化层PSV上形成第一堤BNK1。可以在形成在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的钝化层PSV上形成第二堤BNK2。
第一堤BNK1可以在钝化层PSV上与相邻的第一堤BNK1分隔开预定距离。在平面图中，第一堤BNK1可以在第二方向DR2上延伸并且具有弯曲至少一次的形状，但是本公开不限于此。第一堤BNK1可以由包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层形成。
第二堤BNK2可以在钝化层PSV上与相邻的第二堤BNK2分隔开预定距离。在平面图中，第二堤BNK2可以在第一方向DR1上延伸。第二堤BNK2可以具有与第一堤BNK1的材料相同的材料，并且可以通过与第一堤BNK1的工艺相同的工艺形成。
在本公开的实施例中，第一堤BNK1和第二堤BNK2可以一体地设置并且彼此连接。例如，在形成在第一桥BR1中的钝化层PSV上的第二堤BNK2可以连接到在形成在第一岛IS1中的钝化层PSV上的第一堤BNK1的一侧。在形成在第三桥BR3中的钝化层PSV上的第二堤BNK2可以连接到第一堤BNK1的另一侧。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16c和图17a至图17c，在包括第一堤BNK1和第二堤BNK2的钝化层PSV上形成包括具有高反射率的导电材料的第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2。
第一电极EL1可以包括形成在第一堤BNK1上的第1-1电极EL1_1和形成在第二堤BNK2上的第1-2电极EL1_2。第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与形成在第一岛IS1中的像素电路层PCL中包括的像素电路144电连接。例如，第1-1电极EL1_1可以通过第一接触孔CH1与像素电路144的第一晶体管T1(T)的第二端子DE电连接。
第二电极EL2可以包括形成在第一堤BNK1上的第2-1电极EL2_1和形成在第二堤BNK2上的第2-2电极EL2_2。第2-2电极EL2_2可以通过第二接触孔CH2电连接到形成在第一桥BR1中的像素电路层PCL中包括的驱动电压线DVL。
第一子电极CL1可以包括形成在第一堤BNK1上的第1-1子电极CL1_1和形成在第二堤BNK2上的第1-2子电极CL1_2。第二子电极CL2可以包括形成在第一堤BNK1上的第2-1子电极CL2_1和形成在第二堤BNK2上的第2-2子电极CL2_2。
可以针对第一子像素SP1和设置在与第一子像素SP1的像素行相同的像素行中的子像素共同地设置第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2中的每个。换言之，在第一方向DR1上设置在同一像素行中的第一子像素SP1和第二子像素SP2可以共同连接到第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2中的每个。例如，第一子像素SP1的第一电极EL1和第二子像素SP2的第一电极EL1可以彼此连接。第一子像素SP1的第二电极EL2和第二子像素SP2的第二电极EL2可以彼此连接。此外，第一子像素SP1的第一子电极CL1和第二子像素SP2的第一子电极CL1可以彼此连接。第一子像素SP1的第二子电极CL2和第二子像素SP2的第二子电极CL2可以彼此连接。
在平面图中，第一电极EL1和第二电极EL2以及第一子电极CL1和第二子电极CL2均可以在一个方向上延伸，并且具有在第一岛IS1与第一桥BR1之间的边界点处以及在第一岛IS1与第三桥BR3之间的边界点处弯曲的形状。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16d和图17a至图17d，在包括第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2的钝化层PSV上形成绝缘材料层INSM。绝缘材料层INSM可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。
随后，第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2分别被供应有对应的对准信号(或对准电压)，使得在两个相邻的电极之间形成电场。在本公开的实施例中，可以将第一对准信号(或第一对准电压)施加到第一电极EL1和第二子电极CL2中的每个。可以将具有与第一对准信号的电压电平不同的电压电平的第二对准信号(或第二对准电压)施加到第一子电极CL1和第二电极EL2中的每个。例如，在将具有预定电压和周期的DC电力或AC电力若干次重复地施加到第一电极EL1、第一子电极CL1、第二子电极CL2和第二电极EL2中的每个的情况下，可以在第一电极EL1、第一子电极CL1、第二子电极CL2和第二电极EL2中的两个相邻的电极之间通过所述两个相邻的电极之间的电位差形成电场。
当在第一电极EL1与第一子电极CL1之间、在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间形成电场时，通过喷墨印刷方法等将包括发光元件LD的混合溶液供应到绝缘材料层INSM上。例如，在绝缘材料层INSM上设置喷墨喷嘴，并且可以将混合有多个发光元件LD的溶剂供应到绝缘材料层INSM上。这里，溶剂可以是丙酮、水、乙醇和甲苯中的任何一种，但是本公开不限于此。例如，溶剂可以具有墨或膏的形式。供应发光元件LD的方法不限于前述实施例的方法。供应发光元件LD的方法可以以各种方式改变。
在已经完成发光元件LD的供应之后，可以去除溶剂。
如果供应发光元件LD，则可以通过在第一电极EL1与第一子电极CL1之间、在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间形成的电场来引起发光元件LD的自对准。因此，发光元件LD可以在第一电极EL1与第一子电极CL1之间、在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间中的每个中对准。发光元件LD可以在绝缘材料层INSM上对准(或设置在绝缘材料层INSM上)。
第一子像素SP1可以包括可通过对准的(或设置的)发光元件LD从其发射光的发射区域EMA。第一子像素SP1的发射区域EMA可以包括可由对准(或设置)在第一岛IS1中的发光元件LD从其发射光的第一发射区域MEMA以及由对准(或设置)在第一桥BR1和第三桥BR3中的发光元件LD从其发射光的第二发射区域SEMA。换言之，第一子像素SP1的发射区域EMA可以包括第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16e和图17a至图17e，在发光元件LD对准之后，可以在发光元件LD中的每个上形成第二绝缘层INS2。第二绝缘层INS2可以覆盖发光元件LD中的每个的上表面的至少一部分，使得发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2可以暴露于外部。
可以通过形成第二绝缘层INS2的工艺或者在该工艺之前或之后执行的蚀刻工艺，通过蚀刻绝缘材料层INSM使得第一电极EL1、第二电极EL2、第一子电极CL1和第二子电极CL2中的每个的一部分暴露来形成第一绝缘层INS1。
在形成第一绝缘层INS1的工艺期间，通过激光切割方案、使用掩模的蚀刻方案等将第一电极EL1、第一子电极CL1和第二子电极CL2在第一子像素SP1与同第一子像素SP1相邻的子像素之间彼此分离，使得第一子像素SP1可以与相邻的子像素独立地(或单独地)驱动。因此，第一子像素SP1的第一电极EL1可以与同第一子像素SP1相邻的子像素的第一电极EL1(例如，第二子像素SP2的第一电极EL1)电分离和/或物理分离。此外，第一子像素SP1的第一子电极CL1和第二子电极CL2中的每个可以与第二子像素SP2的第一子电极CL1和第二子电极CL2中的每个分离。
在剖视图和平面图中，可以在两个相邻的电极之间的第一绝缘层INS1上设置发光元件LD。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10、图16f和图17a至图17f，在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上形成第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4。
可以在第一电极EL1上以及在第一电极EL1与第一子电极CL1之间对准的发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上直接设置第一接触电极CNE1。第一接触电极CNE1可以包括设置在第一岛IS1中的第1-1接触电极CNE1_1以及设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第1-2接触电极CNE1_2。
可以在在第一电极EL1与第一子电极CL1之间对准的发光元件LD中的每个的另一端上、第一子电极CL1上以及在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间对准的发光元件LD中的每个的相对两端EP1和EP2中的一端上直接设置第二接触电极CNE2。第二接触电极CNE2可以包括设置在第一岛IS1中的第2-1接触电极CNE2_1以及设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第2-2接触电极CNE2_2。
可以在在第一子电极CL1与第二子电极CL2之间对准的发光元件LD中的每个的另一端上、第二子电极CL2上以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间对准的发光元件LD中每个的相对两端中的一端上直接设置第三接触电极CNE3。第三接触电极CNE3可以包括设置在第一岛IS1中的第3-1接触电极CNE3_1以及设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第3-2接触电极CNE3_2。
可以在第二电极EL2上以及在第二子电极CL2与第二电极EL2之间对准的发光元件LD中的每个的另一端上直接设置第四接触电极CNE4。第四接触电极CNE4可以包括设置在第一岛IS1中的第4-1接触电极CNE4_1以及设置在第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第4-2接触电极CNE4_2。
参照图1、图2a、图2b、图3a至图6b、图7a、图8、图9a、图10和图17a至图17g，在第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4上形成第三绝缘层INS3。第三绝缘层INS3可以是包括覆盖包含发光元件LD的显示元件层DPL的多个绝缘层的封装层ENC。例如，第三绝缘层INS3(ENC)可以具有通过交替地堆叠至少一个无机层和至少一个有机层而形成的结构。
此后，通过激光将载体基底CSUB与辅助基底ASUB分离，从而去除载体基底CSUB。随后，通过执行干蚀刻工艺等从保护掩模PMK去除辅助基底ASUB，然后在保护掩模PMK的一个表面上形成保护膜层PFL。
图18a是示意性地示出图1中所示的像素中的一个像素的平面图。图18b是示意性地示出图18a的第一子像素至第四子像素的发射区域的平面图。图19是沿着图18a的线IV-IV'截取的剖视图。
为了避免多余的解释，图18a、图18b和图19的像素的描述将集中于与前述实施例的像素的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独解释的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将用于表示类似的组件。
参照图1、图18a、图18b和图19，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有包含第一子像素SP1至第四子像素SP4的至少一个像素PXL的第一基底SUB1以及与第一基底SUB1连接的第二基底SUB2。
在本公开的实施例中，第一基底SUB1可以包括保护膜层PFL、保护掩模PMK、基体层BS、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基体层BS可以包括柔性基底，并且可以包括多个岛IS、桥BR和狭缝V。
像素PXL可以形成并且/或者设置在限定在基体层BS上的像素区域中。像素区域可以包括其中形成并且/或者设置有第一子像素SP1的第一子像素区域SPA1、其中形成并且/或者设置有第二子像素SP2的第二子像素区域SPA2、其中形成并且/或者设置有第三子像素SP3的第三子像素区域(未示出)以及其中形成并且/或者设置有第四子像素SP4的第四子像素区域SPA4。
在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是被构造为发射红光(R)的红色子像素。第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个可以是被构造为发射绿光(G)的绿色子像素。第四子像素SP4可以是被构造为发射蓝光(B)的蓝色子像素。
第一子像素SP1可以包括第一岛IS1和连接到第一岛IS1的桥BR。第二子像素SP2可以包括第二岛IS2和连接到第二岛IS2的桥BR。第三子像素SP3可以包括第三岛IS3和连接到第三岛IS3的桥BR。第四子像素SP4可以包括第四岛IS4和连接到第四岛IS4的桥BR。在本公开的实施例中，连接到第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS的桥BR可以包括分别连接到岛IS的四条边的第一桥BR1至第四桥BR4。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的子像素区域可以包括被构造为发射光的发射区域EMA和包围发射区域EMA的外围的外围区域。第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA可以包括第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA。第一发射区域MEMA可以设置在对应的子像素的岛IS中。第二发射区域SEMA可以设置在对应的子像素的桥BR中的至少一个桥BR中。
第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA可以包括包含设置在基体层BS上的至少一个晶体管T和被构造为覆盖晶体管T的钝化层PSV的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA可以包括包含设置在基体层BS上的至少一条线(参照图15的LP)和被构造为覆盖线LP的钝化层PSV的像素电路层PCL以及设置在像素电路层PCL上的显示元件层DPL。
设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域MEMA中的显示元件层DPL可以包括第一堤BNK1、第二堤BNK2、第一电极EL1、第二电极EL2、多个发光元件LD以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
第一堤BNK1可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中。第二堤BNK1可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中。
第一电极EL1可以包括设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中的第1-1电极EL1_1以及设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中的第1-2电极EL1_2。第二电极EL2可以包括设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中的第2-1电极EL2_1以及设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中的第2-2电极EL2_2。
第一接触电极CNE1可以包括设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中的第1-1接触电极CNE1_1以及设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中的第1-2接触电极CNE1_2。第二接触电极CNE2可以包括设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中的第2-1接触电极CNE2_1以及设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中的第2-2接触电极CNE2_2。
发光元件LD可以在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA中设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。例如，发光元件LD可以在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一发射区域MEMA中设置在第1-1电极EL1_1与第2-1电极EL2_1之间。此外，发光元件LD可以在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第二发射区域SEMA中设置在第1-2电极EL1_2与第2-2电极EL2_2之间。
在本公开的实施例中，发光元件LD可以包括在第一子像素SP1的发射区域EMA中对准的第一发光元件LD1(LD)、在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中对准的第二发光元件LD2(LD)以及在第四子像素SP4的发射区域EMA中对准的第三发光元件LD3(LD)。
第一发光元件LD1(LD)、第二发光元件LD2(LD)和第三发光元件LD3(LD)可以发射不同颜色的光。例如，第一发光元件LD1(LD)可以发射红光(R)，第二发光元件LD2(LD)可以发射绿光(G)，并且第三发光元件LD3(LD)可以发射蓝光(B)。因为第一发光元件LD1(LD)、第二发光元件LD2(LD)和第三发光元件LD3(LD)可以发射不同颜色的光，所以可以省略被构造为将从像素PXL的显示元件层DPL发射的光转换为特定颜色的光的光转换图案层(未示出)。
第三绝缘层INS3可以设置于在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA中设置的第一接触电极CNE1至第四接触电极CNE4上。
第三绝缘层INS3可以完全覆盖设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中的显示元件层DPL。此外，第三绝缘层INS3可以完全覆盖设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的桥BR中的结构。例如，第三绝缘层INS3可以覆盖设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的第一桥BR1和第三桥BR3中的第1-2接触电极CNE1_2至第4-2接触电极CNE4_2。此外，第三绝缘层INS3可以覆盖保护掩模PMK的通过基体层BS的狭缝V暴露的一个区域，但是本公开不限于此。在实施例中，第三绝缘层INS3可以仅覆盖分别设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS和桥BR中的结构，而不覆盖基体层BS的狭缝V。在这种情况下，保护掩模PMK的一个区域可以暴露于外部。
尽管为了解释的目的，图19示出了第三绝缘层INS3被设置为覆盖包括在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的显示元件层DPL的全部，但是本公开不限于此。在实施例中，第一子像素SP1的第三绝缘层INS3可以仅覆盖第一岛IS1中的显示元件层DPL。第二子像素SP2的第三绝缘层ISN3可以仅覆盖第二岛IS2的显示元件层DPL。第三子像素SP3的第三绝缘层INS3可以仅覆盖第三岛IS3中的显示元件层DPL。第四子像素SP4的第三绝缘层INS3可以仅覆盖第四岛IS4中的显示元件层DPL。
显示元件层DPL的一些组件也可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的外围区域中。例如，第三堤BNK3可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的外围区域中。第三堤BNK3可以是限定第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA的结构，并且可以是像素限定层。第三堤BNK3可以包括至少一种遮光材料和/或反射材料，从而防止发生其中在相邻的子像素之间泄漏光(或光线)的漏光缺陷。
第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1上，以覆盖其中设置有像素PXL的显示区域DA。第二基底SUB2可以形成显示装置的上基底(例如，封装基底或薄膜封装层)和/或窗组件。在实施例中，第二基底SUB2可以是刚性基底或柔性基底，并且第二基底SUB2的材料或性质没有特别限制。此外，第二基底SUB2可以由与第一基底SUB1的基体层BS的材料相同的材料形成，或者可以由与基体层BS的材料不同的材料形成。
第二基底SUB2可以通过中间层CTL连接到第一基底SUB1。
中间层CTL可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。中间层CTL可以在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间保护包括在第一基底SUB1中的显示元件层DPL，并且将第一基底SUB1接合到第二基底SUB2。中间层CTL可以具有粘性或粘附性以执行接合功能。此外，中间层CTL可以由透明材料制成，以允许图像透射到第二基底SUB2。另外，中间层CTL可以由绝缘材料形成并且具有柔性。
中间层CTL的材料种类不受限制，只要中间层CTL由可以保护位于第一基底SUB1中的显示元件层DPL并且起到将第一基底SUB1接合到第二基底SUB2的作用的材料制成即可。例如，中间层CTL可以由有机材料形成。
如上所述，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个不仅可以包括设置在对应的子像素的岛IS中的第一发射区域MEMA还可以包括设置在连接到岛IS的第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第二发射区域SEMA作为发射区域EMA，使得最终发射光的发射表面积可以进一步增大。因此，可以提高显示装置的整体光输出效率，从而可以改善在显示装置上显示的图像的质量。
在前述实施例中，已经描述了其中第一发光元件LD1(LD)、第二发光元件LD2(LD)和第三发光元件LD3(LD)可以发射不同颜色的光的显示装置。在实施例中，显示装置可以包括被构造为发射相同颜色的光的发光元件LD。在下文中，其中设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个中的发光元件LD可以发射相同颜色的光的实施例。
图20示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图18a的线IV-IV'对应的剖视图。图21是沿着图18a的线V-V'截取的剖视图。
在图20和图21中，因为第一基底SUB1具有与图19中所示的第一基底SUB1的构造相同的构造，所以将简化第一基底SUB1的详细描述，并且将主要描述设置在第二基底SUB2上的组件。
为了避免多余的解释，图20和图21中所示的每个像素的描述将集中于与前述实施例的描述的不同之处。在本实施例的以下描述中未单独解释的组件与前述实施例的组件一致。相同的附图标记将用于表示相同的组件，并且类似的附图标记将用于表示类似的组件。
参照图1、图18a、图18b、图20和图21，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有包括第一子像素SP1至第四子像素SP4的至少一个像素PXL的第一基底SUB1以及与第一基底SUB1连接的第二基底SUB2。
在本公开的实施例中，第一基底SUB1可以包括保护膜层PFL、保护掩模PMK、基体层BS、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基体层BS可以包括多个岛IS、桥BR和狭缝V。
像素PXL可以形成并且/或者设置在限定在基体层BS上的像素区域中。像素区域可以包括其中形成并且/或者设置有第一子像素SP1的第一子像素区域SPA1、其中形成并且/或者设置有第二子像素SP1的第二子像素区域SPA2、其中形成并且/或者设置有第三子像素SP3的第三子像素区域SPA3以及其中形成并且/或者设置有第四子像素SP4的第四子像素区域SPA4。
在本公开的实施例中，第一子像素SP1可以是被构造为发射红光(R)的红色子像素。第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个可以是被构造为发射绿光(G)的绿色子像素。第四子像素SP4可以是被构造为发射蓝光(B)的蓝色子像素。
显示元件层DPL可以包括设置于在像素电路层PCL上设置的第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光元件LD。
发光元件LD可以包括设置在第一子像素SP1的发射区域EMA中的第一发光元件LD1(LD)、设置在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的发射区域EMA中的第二发光元件LD2(LD)以及设置在第四子像素SP4的发射区域EMA中的第三发光元件LD3(LD)。在本公开的实施例中，第一发光元件LD1(LD)、第二发光元件LD2(LD)和第三发光元件LD3(LD)可以发射相同颜色的光。例如，第一发光元件LD1(LD)、第二发光元件LD2(LD)和第三发光元件LD3(LD)可以发射相同颜色的光(例如，蓝光)。
第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1上，以覆盖其中设置有第一子像素SP1至第四子像素SP4的显示区域DA。第二基底SUB2可以形成显示装置的上基底(例如，封装基底或薄膜封装层)和/或窗组件。在实施例中，第二基底SUB2可以是刚性基底或柔性基底，并且第二基底SUB2的材料或性质没有特别限制。此外，第二基底SUB2可以由与第一基底SUB1的基体层BS的材料相同的材料形成，或者可以由与基体层BS的材料不同的材料形成。
根据本公开的实施例的显示装置可以包括设置在第二基底SUB2的一个表面上以面对第一基底SUB1的第一子像素SP1至第四子像素SP4的光转换图案层LCP。
在实施例中，光转换图案层LCP可以包括被设置为面对第一子像素SP1的第一光转换图案层LCP1、被设置为面对第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的第二光转换图案层LCP2以及被设置为面对第四子像素SP4的第三光转换图案层LCP3。
在实施例中，第一光转换图案层LCP1至第三光转换图案层LCP3中的至少一些可以包括与预定颜色对应的颜色转换层和/或滤色器。例如，第一光转换图案层LCP1可以包括包含与第一颜色对应的第一颜色转换颗粒的第一颜色转换层CCL1以及被构造为允许第一颜色的光选择性地穿过其的第一滤色器CF1。同样地，第二光转换图案层LCP2可以包括包含与第二颜色对应的第二颜色转换颗粒的第二颜色转换层CCL2以及被构造为允许第二颜色的光选择性地穿过其的第二滤色器CF2。第三光转换图案层LCP3可以包括包含光散射颗粒SCT的光散射层LSL以及被构造为允许第三颜色的光选择性地穿过其的第三滤色器CF3中的至少一者。
在本公开的实施例中，在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域EMA中对准的发光元件LD可以发射相同颜色的光。颜色转换层可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的一些子像素之上。例如，第一颜色转换层CCL1可以设置在第一子像素SP1之上，第二颜色转换层CCL2可以设置在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个之上。因此，根据本公开的实施例的显示装置可以显示全色图像。
在本公开的实施例中，第一颜色转换层CCL1可以设置在第二基底SUB2的一个表面上以面对第一子像素SP1，并且包括将从设置在第一子像素SP1中的第一发光元件LD1(LD)发射的颜色的光转换为第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。例如，在第一子像素SP1是红色子像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括将从第一发光元件LD1(LD)发射的蓝光转换为红光的红色量子点QDr。如果蓝光被吸入包括红色量子点QDr的第一颜色转换层CCL1中，则第一颜色转换层CCL1可以吸收蓝光，通过能级跃迁使光的波长转变，并且发射红光。
在本公开的实施例中，第二颜色转换层CCL2可以设置在第二基底SUB2的一个表面上以面对第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个，并且包括将从设置在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个中的第二发光元件LD2(LD)发射的颜色的光转换为第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。例如，在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个是绿色子像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括将从第二发光元件LD2(LD)发射的蓝光转换为绿光的绿色量子点QDg。如果蓝光被吸入包括绿色量子点QDg的第二颜色转换层CCL2中，则第二颜色转换层CCL2可以吸收蓝光，通过能级跃迁使光的波长转变，并且发射绿光。
在本公开的实施例中，红色量子点QDr和绿色量子点QDg可以选自于II-IV族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
光散射层LSL可以设置在第二基底SUB2的一个表面上以面对第四子像素SP4。例如，光散射层LSL可以设置在第四子像素SP4与第三滤色器CF3之间。
第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CCL1与第二基底SUB2之间，并且包括允许由第一颜色转换层CCL1转换的第一颜色的光选择性地穿过其的滤色器材料。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。
第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CCL2与第二基底SUB2之间，并且包括允许由第二颜色转换层CCL2转换的第二颜色的光选择性地穿过其的滤色器材料。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器。
第三滤色器CF3可以设置在光散射层LSL上并且在第二基底SUB2的一个表面上，并且包括允许穿过光散射层LSL的颜色的光选择性地穿过其的滤色器材料。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。
可以在第一滤色器CF1与第二滤色器CF2之间以及第二滤色器CF2与第三滤色器CF3之间均设置黑矩阵BM。例如，黑矩阵BM可以设置在第二基底SUB2上，以与第一基底SUB1中的第三堤BNK3叠置。在本公开的实施例中，可以在第一颜色转换层CCL1与第二颜色转换层CCL2之间以及第二颜色转换层CCL2与光散射层LSL之间均设置子黑矩阵S_BM。例如，子黑矩阵S_BM可以设置在黑矩阵BM上，并且包括与黑矩阵BM的材料相同的材料。根据实施例，可以省略子黑矩阵S_BM。
在本公开的实施例中，当在可见光区域中具有相对短波长的蓝光入射在红色量子点QDr和绿色量子点QDg中的每个上时，可以增大红色量子点QDr和绿色量子点QDg的吸收系数。因此，可以提高从第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个发射的光的效率，并且可以确保令人满意的颜色再现性。最终，可以从第一子像素SP1的第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA中的每个发射红光(R)，可以从第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA中的每个发射绿光(G)，并且可以从第四子像素SP4的第一发射区域MEMA和第二发射区域SEMA中的每个发射蓝光(B)。
此外，在本公开的实施例中，可以容易地制造使用被构造为发射相同颜色的光的发光元件LD的每个像素PXL和包括像素PXL的显示装置。因为颜色转换层设置在至少一些子像素上，所以可以制造包括全色的像素PXL的显示装置。
如上所述，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个不仅可以包括设置在对应的子像素的岛IS中的第一发射区域MEMA还可以包括设置在连接到岛IS的第一桥BR1和第三桥BR3中的每个中的第二发射区域SEMA作为发射区域EMA，使得最终发射光的发射表面积可以进一步增大。因此，可以提高显示装置的整体光输出效率，从而可以改善在显示装置上显示的图像的质量。
图22示出了根据本公开的实施例的显示装置，并且是与图18a的线IV-IV'对应的剖视图。
在图22中，将省略与图20和图21的实施例的构造类似或相同的构造的详细描述。
参照图1、图18a、图18b和图22，根据本公开的实施例的显示装置可以包括其上设置有包括第一子像素SP1至第四子像素SP4的至少一个像素PXL的基体层BS以及与基体层BS连接的封装层ENC。第一子电极SP1至第四子电极SP4中的每个可以包括设置在基体层BS与封装层ENC之间的光转换图案层LCP。
光转换图案层LCP可以包括设置并且/或者形成在第一子像素SP1的显示元件层DPL上的第一光转换图案层LCP1、设置并且/或者形成在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个的显示元件层DPL上的第二光转换图案层LCP2以及设置并且/或者形成在第四子像素SP4的显示元件层DPL上的第三光转换图案层LCP3。
第一光转换图案层LCP1可以包括包含与红色对应的第一颜色转换颗粒QDr的第一颜色转换层CCL1以及被构造为允许红光选择性地穿过其的第一滤色器CF1。第二光转换图案层LCP2可以包括包含与绿色对应的第二颜色转换颗粒QDg的第二颜色转换层CCL2以及被构造为允许绿光选择性地穿过其的第二滤色器CF2。第三光转换图案层LCP3可以包括包含光散射颗粒SCT的光散射层LSL以及被构造为允许蓝光选择性地穿过其的第三滤色器CF3中的至少一者。
在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域MEMA和SEMA中对准的发光元件LD可以发射相同颜色的光(例如，蓝光)。颜色转换层可以设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个中，并且光散射层LSL可以设置在第四子像素SP4中。根据本公开的实施例的显示装置可以显示全色的图像。
第三堤BNK3可以设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的外围区域(或非发射区域)中。具体地，第三堤BNK3可以设置在两个相邻的子像素之间的外围区域中，并且限定每个子像素的发射区域MEMA和SEMA。
第一颜色转换层CCL1可以在第一子像素SP1的第一岛IS1中直接形成在显示元件层DPL上，并且设置为具有其中第一子像素SP1的发射区域MEMA和SEMA填充有第一颜色转换层CCL1的结构。换言之，第一颜色转换层CCL1可以设置为具有这样的形状：第一颜色转换层CCL1在由设置在第一子像素SP1与同第一子像素SP1相邻的子像素之间的外围区域中的第三堤BNK3限定的发射区域MEMA和SEMA中覆盖第一子像素SP1的显示元件层DPL。在这种情况下，从在发射区域MEMA和SEMA中对准的发光元件LD(例如，第一发光元件LD1)发射的光可以直接入射在第一颜色转换层CCL1上。入射在第一颜色转换层CCL1上的光可以通过第一颜色转换颗粒QDr转换为红光。
第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CCL1上，并且允许由第一颜色转换层CCL1转换的红光选择性地穿过其。
第二颜色转换层CCL2可以在第二子像素SP2的第二岛IS2中直接形成在显示元件层DPL上，并且设置为具有其中第二子像素SP2的发射区域MEMA和SEMA填充有第二颜色转换层CCL2的结构。换言之，第二颜色转换层CCL2可以设置为具有这样的形状：第二颜色转换层CCL2在由设置在第二子像素SP2与同第二子像素SP2相邻的子像素之间的外围区域中的第三堤BNK3限定的发射区域MEMA和SEMA中覆盖第二子像素SP2的显示元件层DPL。在这种情况下，从在发射区域MEMA和SEMA中对准的发光元件LD(例如，第二发光元件LD2)发射的光可以直接入射在第二颜色转换层CCL2上。入射在第二颜色转换层CCL2上的光可以通过第二颜色转换颗粒QDg转换为绿光。
第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CCL2上，并且允许由第二颜色转换层CCL2转换的绿光选择性地穿过其。
尽管未在附图中直接示出，但是第二颜色转换层CCL2可以在第三子像素SP3的第三岛IS3中直接形成在显示元件层DPL上，并且设置为具有其中第三子像素SP3的发射区域MEMA和SEMA填充有第二颜色转换层CCL2的结构。
光散射层LSL可以在第四子像素SP4的第四岛IS4中直接形成在显示元件层DPL上，并且设置为具有其中第四子像素SP4的发射区域MEMA和SEMA填充有光散射层LSL的结构。换言之，光散射层LSL可以设置为具有这样的形状：光散射层LSL在由设置在第四子像素SP4与同第四子像素SP4相邻的子像素之间的外围区域中的第三堤BNK3限定的发射区域MEMA和SEMA中覆盖第四子像素SP4的显示元件层DPL。此外，第三滤色器CF3可以进一步设置在光散射层LSL上。
第三滤色器CF3可以允许从设置在第四子像素SP4中的发光元件LD(例如，第三发光元件LD3)发射的蓝光选择性地穿过其。
设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的外围区域中并限定对应的子像素的发射区域MEMA和SEMA的第三堤BNK3可以包括用于防止其中光(或光线)在相邻的子像素之间泄漏的漏光缺陷的遮光材料。在这种情况下，第三堤BNK3可以是黑矩阵。此外，第三堤BNK3可以防止从各个相邻的子像素发射的颜色的光混合。在实施例中，第三堤BNK3可以包括反射材料，并且能够使从在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域MEMA和SEMA中对准的发光元件LD发射的光在显示装置的图像显示方向上更可靠地行进，使得可以提高发光元件LD的光输出效率。
如上所述，当从第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个发射的光穿过光转换图案层LCP并通过封装层ENC发射到外部时，可以实现显示装置可以显示图像。这里，封装层ENC可以直接设置在光转换图案层LCP上。光转换图案层LCP可以被设置为具有这样的形状：在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的发射区域MEMA和SEMA中第三堤BNK3与封装层ENC之间的空间被光转换图案层LCP填充。因此，可以使从发光元件LD发射的光通过封装层ENC发射到外部所沿的光路的长度最小化，使得可以使光效率最大化。另外，在根据前述实施例的显示装置中，光转换层LCP在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个的岛IS中直接形成在显示元件层DPL上，而不是形成在单独的基底上，使得光转换层LCP可以设置在由第三堤BNK3限定的空间中。因此，可以简化制造显示装置的工艺。
此外，在根据前述实施例的显示装置中，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每个不仅可以包括设置在对应的子像素的岛IS中的第一发射区域MEMA，还可以包括设置在与岛IS连接的桥BR中的一些桥BR中的第二发射区域SEMA。
图23a和图23b是示意性地示出根据本公开的实施例的设置在显示装置中的子像素的平面图。
为了避免多余的解释，图23a和图23b的每个子像素的描述将集中于与前述实施例的不同之处。
参照图1、图23a和图23b，一个子像素SP(在下文中，称为“子像素”)可以包括岛IS、连接到岛IS的第一桥BR1至第四桥BR4以及狭缝V。子像素SP可以包括可以从其发射光的发射区域。发射区域可以包括基体层BS、像素电路层PCL和显示元件层DPL。显示元件层DPL可以包括发光元件LD、第一电极EL1、第二电极EL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
显示元件层DPL可以设置并且/或者布置在岛IS和至少一个桥BR中。例如，如图23a中所示，显示元件层DPL可以设置并且/或者布置在岛IS中，并且设置并且/或者布置在第一桥BR1和第四桥BR4中的每个中。由于在岛IS中设置并且/或者布置的显示元件层DPL，岛IS可以包括可以从其发射光的第一发射区域MEMA。由于在第一桥BR1和第四桥BR4中的每个中设置并且/或者布置的显示元件层DPL，第一桥BR1和第四桥BR4中的每个可以包括可以从其发射光的第二发射区域SEMA。
在本公开的实施例中，发光元件LD、第一电极EL1、第二电极EL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2均可以设置并且/或者形成在第一桥BR1的第二发射区域SEMA、岛IS的第一发射区域MEMA和第四桥BR4的第四发射区域SEMA中。具体地，第一电极EL1和第二电极EL2中的每个可以设置为从第一桥BR1经由岛IS延伸到第四桥BR4的形状。同样地，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以设置为与对应的电极的形状相同的形状。换言之，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以设置为从第一桥BR1经由岛IS延伸到第四桥BR4的形状。
尽管在前述实施例中已经描述了显示元件层DPL设置并且/或者形成在第一桥BR1和第四桥BR4中的每个中，但是本公开不限于此。在实施例中，如图23b中所示，显示元件层DPL可以设置并且/或者形成在第二桥BR2和第三桥BR3中的每个中。因此，第二桥BR2和第三桥BR3中的每个可以包括通过显示元件层DPL从其发射光的第二发射区域SEMA。在这种情况下，发光元件LD、第一电极EL1、第二电极EL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2均可以设置并且/或者形成在第二桥BR2的第二发射区域SEMA、岛IS的第一发射区域MEMA和第三桥BR3的第二发射区域SEMA中。具体地，第一电极EL1和第二电极EL2中的每个可以设置为从第二桥BR2经由岛IS延伸到第三桥BR3的形状。同样地，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以设置为与对应的电极的形状相同的形状。换言之，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个也可以设置为从第二桥BR2经由岛IS延伸到第三桥BR3的形状。
在实施例中，包括在子像素SP中的显示元件层DPL可以设置并且/或者形成在岛IS、第一桥BR1和第二桥BR2中的每个中。在这种情况下，第一电极EL1和第二电极EL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2均可以设置为从第一桥BR1和第二桥BR2中的任何一个经由岛IS延伸到另一个的形状。
在实施例中，包括在子像素SP中的显示元件层DPL可以设置并且/或者形成在岛、第三桥BR3和第四桥BR4中的每个中。在这种情况下，第一电极EL1和第二电极EL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2均可以设置为从第三桥BR3和第四桥BR4中的任何一个经由岛IS延伸到另一个的形状。
在本公开的实施例中，因为包括在子像素SP中的显示元件层DPL设置并且/或者形成在岛IS以及连接到岛IS的至少一个桥BR中，因此可以从其发射光的发射区域的表面积可以进一步增大。
尽管上面已经描述了各种实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
因此，本说明书中公开的实施例仅用于说明性目的，而不是限制本公开的技术范围。本公开的范围必须由所附权利要求限定。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层，包括多个岛、被构造为在第一方向上连接所述多个岛的至少一个第一桥以及被构造为在第二方向上连接所述多个岛的至少一个第二桥；以及
至少一个像素，包括设置在所述基体层中的多个子像素，
其中，所述多个子像素中的每个包括：
第一电极和第二电极，设置在所述多个岛中的一个岛中并且彼此分隔开；
第三电极和第四电极，设置在所述第一桥和所述第二桥中的一个桥中并且彼此分隔开；
至少一个第一发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
至少一个第二发光元件，设置在所述第三电极与所述第四电极之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述一个岛包括被构造为发射光的第一发射区域，并且所述一个桥包括被构造为发射光的至少一个第二发射区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极与所述第三电极一体地设置并电连接，并且所述第二电极与所述第四电极一体地设置并电连接。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一桥和所述第二桥中的其余桥包括被设置为不发射光的非发射区域。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每个还包括：
第一堤，设置在所述一个岛中并且定位在所述第一电极和所述第二电极中的每个下面；
第一接触电极，被构造为将所述第一电极与所述第一发光元件的相对两端中的任一端电连接；以及
第二接触电极，被构造为将所述第二电极与所述第一发光元件的所述相对两端中的其余端电连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每个还包括：
第二堤，设置在所述一个桥中并且定位在所述第三电极和所述第四电极中的每个下面；
第三接触电极，被构造为将所述第三电极与所述第二发光元件的相对两端中的任一端电连接；以及
第四接触电极，被构造为将所述第四电极与所述第二发光元件的所述相对两端中的其余端电连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述第一堤和所述第二堤一体地连接，
其中，所述第一接触电极和所述第三接触电极一体地设置并且彼此电连接，并且
其中，所述第二接触电极和所述第四接触电极一体地设置并且彼此电连接。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每个还包括：
至少一个第一子电极，设置在所述一个岛中，并且设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
至少一个第二子电极，设置在所述一个桥中，并且设置在所述第三电极与所述第四电极之间，
其中，所述第一子电极和所述第二子电极一体地设置并且彼此电连接。
9.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述一个岛具有由第一边至第四边包围的矩形形状，
其中，所述第一桥包括从所述一个岛的所述第一边在所述第一方向上延伸的第1-1子桥以及从所述一个岛的所述第三边在所述第一方向上延伸的第1-2子桥，并且
其中，所述第二桥包括从所述一个岛的所述第二边在所述第二方向上延伸的第2-1子桥以及从所述一个岛的所述第四边在所述第二方向上延伸的第2-2子桥。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述像素包括：
第一子像素，设置在第一行第一列中并且被构造为发射第一颜色的光；
第二子像素，设置在第一行第二列中并且被构造为发射第二颜色的光；
第三子像素，设置在第二行第一列中并且被构造为发射所述第二颜色的光；以及
第四子像素，设置在第二行第二列中并且被构造为发射第三颜色的光。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一子像素至所述第四子像素中的每个包括所述一个岛、所述第1-1子桥和所述第1-2子桥以及所述第2-1子桥和所述第2-2子桥。
12.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述第一子像素和所述第二子像素相对于在所述第二方向上延伸的虚拟线镜像对称，并且
其中，所述第一子像素的所述第1-1子桥和所述第二子像素的所述第1-1子桥一体地连接。
13.根据权利要求12所述的显示装置，
其中，所述第三子像素和所述第四子像素相对于所述虚拟线镜像对称，并且
其中，所述第三子像素的所述第1-1子桥和所述第四子像素的所述第1-1子桥一体地连接。
14.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，设置在所述第一子像素的所述第1-1子桥中的所述第三电极和设置在所述第二子像素的所述第1-1子桥中的所述第三电极在平面图中彼此分隔开，并且
其中，设置在所述第三子像素的所述第1-1子桥中的所述第三电极和设置在所述第四子像素的所述第1-1子桥中的所述第三电极在平面图中彼此分隔开。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一子像素至所述第四子像素中的每个的所述第一发光元件和所述第二发光元件发射相同颜色的光。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
基底，被设置为面对所述基体层，所述第一子像素区域至所述第四子像素区域定位在所述基体层中；
第一颜色转换图案，设置在所述基底上以与所述第一子像素对应，并且被构造为将所述第一颜色的光转换为红光；
第二颜色转换图案，设置在所述基底上以与所述第二子像素和所述第三子像素中的每个对应，并且被构造为将所述第二颜色的光转换为绿光；以及
第三颜色转换图案，设置在所述基底上以与所述第四子像素对应，并且被构造为将所述第三颜色的光转换为蓝光。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一子像素至所述第四子像素中的每个的所述第一发光元件和所述第二发光元件发射不同颜色的光。
18.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述第一子像素的所述第一发光元件和所述第二发光元件发射红光，
其中，所述第二子像素和所述第三子像素的所述第一发光元件和所述第二发光元件发射绿光，并且
其中，所述第四子像素的所述第一发光元件和所述第二发光元件发射蓝光。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基体层包括包含聚酰亚胺的柔性基底。
20.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
设置基体层，所述基体层包括多个岛、被构造为在第一方向上连接所述多个岛的至少一个第一桥以及被构造为在第二方向上连接所述多个岛的至少一个第二桥；
在所述多个岛中的每个中形成彼此分隔开的第一电极和第二电极，并且在所述第一桥和所述第二桥中的每个中形成彼此分隔开的第三电极和第四电极；
将至少一个第一发光元件在所述第一电极与所述第二电极之间对准，并且将至少一个第二发光元件在所述第三电极与所述第四电极之间对准；
在所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个的上表面上形成绝缘层；以及
在包括所述绝缘层的所述基体层上形成第一接触电极和第二接触电极，
其中，所述第一电极和所述第三电极一体地设置并彼此电连接，并且所述第二电极和所述第四电极一体地设置并彼此电连接。
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