CN112424961A - 发光器件及包括发光器件的显示设备 - Google Patents

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Abstract

发光器件包括：基板；发光元件，设置在基板上，并且在纵向方向上具有第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，设置在基板上并且以预定距离彼此间隔开，且发光元件插置在第一分隔壁和第二分隔壁之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一分隔壁上以与发光元件的第一端相邻，第二电极设置在第二分隔壁上以与发光元件的第二端相邻；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极将第一电极与发光元件的第一端联接，第二接触电极将第二电极与发光元件的第二端联接。当在平面上观察时，第一电极与第一分隔壁部分地重叠，并且第二电极与第二分隔壁部分地重叠。

Description

发光器件及包括发光器件的显示设备
技术领域
本公开的各种实施方式涉及发光器件及具有发光器件的显示设备。
背景技术
发光二极管(下文中称为“LED”)即使在不良的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面具有良好的性能。近来，对将这种LED应用于各种显示设备的技术的研究已经变得明显更加活跃。
作为这种研究的一部分，正在开发通过使用无机晶体结构(例如，通过生长基于氮化物的半导体而获得的结构)来制造具有对应于微米级或纳米级的非常小尺寸的杆式LED的技术。例如，杆式LED可以被制造成具有足够小的尺寸以形成自发光显示设备的像素等。
发明内容
技术问题
本公开的各种实施方式涉及包括杆式LED的发光器件和具有该发光器件的显示设备。
技术方案
根据本公开的实施方式，发光器件可以包括：基板；发光元件，设置在基板上，并且发光元件在纵向方向上具有第一端和第二端；第一分隔壁和第二分隔壁，设置在基板上，并且第一分隔壁和第二分隔壁以预定距离彼此间隔开，且发光元件插置在第一分隔壁和第二分隔壁之间；第一电极和第二电极，第一电极在第一分隔壁上设置成与发光元件的第一端相邻，第二电极在第二分隔壁上设置成与发光元件的第二端相邻；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极将第一电极与发光元件的第一端联接，第二接触电极将第二电极与发光元件的第二端联接。当在平面上观察时，第一电极可以与第一分隔壁部分地重叠，并且第二电极可以与第二分隔壁部分地重叠。
在实施方式中，第一电极可以设置在第一分隔壁的侧表面上，并且第二电极可以设置在第二分隔壁的侧表面上。
在实施方式中，发光器件还可以包括：钝化层，设置在第一分隔壁和第二分隔壁与基板之间；第一绝缘层，设置在钝化层和发光元件之间；第二绝缘层，设置在发光元件上并且将发光元件的第一端和第二端暴露于外部；第三绝缘层，设置在第一接触电极上以覆盖第一接触电极；以及第四绝缘层，设置在第二接触电极上以覆盖第二接触电极。
在实施方式中，第三绝缘层和第四绝缘层可以包括具有与第一电极的折射率和第二电极的折射率相同的折射率的绝缘材料。
在实施方式中，发光器件还可以包括设置在基板和钝化层之间的第一对准线和第二对准线，并且当在平面上观察时，第一对准线和第二对准线在一个方向上延伸。
在实施方式中，第一对准线可以电联接到第一电极，并且第二对准线可以电联接到第二电极。
在实施方式中，发光器件还可以包括：第一封装层，设置在第一电极和第一接触电极之间并且覆盖第一电极；以及第二封装层，设置在第二电极和第二接触电极之间并且覆盖第二电极。
在实施方式中，发光元件可以包括：第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及有源层，设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间。发光元件可以包括具有微米级或纳米级的圆柱形形状或者具有微米级或纳米级的棱柱形形状的发光二极管。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：基板，具有显示区域和非显示区域；像素电路部件，设置在基板的显示区域中，并且包括至少一个晶体管和设置在晶体管上的钝化层；以及显示元件层，设置在钝化层上，并且包括在纵向方向上具有第一端和第二端的至少一个发光元件。这里，显示元件层可以包括：第一分隔壁和第二分隔壁，设置在钝化层上并且以预定距离彼此间隔开，且发光元件插置在第一分隔壁和第二分隔壁之间；第一电极和第二电极，第一电极在第一分隔壁上设置成与发光元件的第一端相邻，第二电极在第二分隔壁上设置成与发光元件的第二端相邻；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极将第一电极与发光元件的第一端联接，第二接触电极将第二电极与发光元件的第二端联接。当在平面上观察时，第一电极可以与第一分隔壁部分地重叠，并且第二电极可以与第二分隔壁部分地重叠。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：基板，具有显示区域和非显示区域；像素电路部件，设置在基板的显示区域中，并且包括至少一个晶体管和设置在晶体管上的钝化层；以及显示元件层，设置在钝化层上，并且包括在纵向方向上具有第一端和第二端的至少一个发光元件。这里，显示元件层可以包括：第一分隔壁和第二分隔壁，设置在钝化层上并且以预定距离彼此间隔开，且发光元件插置在第一分隔壁和第二分隔壁之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一分隔壁上，第二电极设置在第二分隔壁上；第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极将第一电极与发光元件的第一端联接，第二接触电极将第二电极与发光元件的第二端联接；绝缘层，设置在第一接触电极和第二接触电极上；遮光图案，设置在绝缘层上；以及滤色器层，设置在遮光图案上。当在平面上观察时，第一电极与第一分隔壁完全重叠，并且第二电极与第二分隔壁完全重叠。
有益效果
根据本公开的实施方式，提供了具有提高的发光效率的发光器件和具有该发光器件的显示设备。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的杆式发光二极管的立体图。
图2a和图2b是示出根据本公开的实施方式的发光器件的单位发射区域的电路图。
图3是示出根据本公开的实施方式的显示设备(特别是使用包括图1中所示的杆式LED(LD)的发光器件作为发光源的显示设备)的示意性平面图。
图4是示出图3中所示的像素中的一个的等效电路图。
图5是示出发光器件的设置在如图3中所示的像素中的一个中的单位发射区域的平面图。
图6a是沿图5的线I-I’截取的剖视图。
图6b是对应于图5的线I-I’的剖视图的示出了图6a的发光器件的实施方式。
图7a是图6a中的区域EA1的放大剖视图，并且图7b是图6b中的区域EA2的放大剖视图。
图8a至图8h是依次示出制造图6a中所示的显示设备的方法的剖视图。
图9至图12是对应于图5的线I-I’的剖视图并且示出了根据本公开的实施方式的显示设备。
图13是图12的区域EA3的放大剖视图。
图14示出了根据本公开的实施方式的显示设备，特别地，是示出发光器件的设置在一个像素中的单位发射区域的平面图。
图15是沿图14的线II-II’截取的剖视图。
发明方式
由于本公开允许各种变化和多个实施方式，因此将在附图中示出示例性实施方式并在书面描述中详细描述。然而，这并不旨在将本公开内容限制于特定的实施方式或实践方式，并且应当理解，不背离本公开内容的精神和技术范围的所有改变、等同和替代都包含在本公开内容中。
在整个公开内容中，相同的附图标记在本公开的各个附图和实施方式中始终表示相同的元件。为了清楚说明，附图中的元件的尺寸可能被放大。应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。在本公开中，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(include)”、“具有(have)”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合的存在或添加。此外，当诸如层、膜、区域或板的第一部分设置在第二部分上时，第一部分不仅可以直接设置在第二部分上，而且第三部分可以介于它们之间。此外，当表述诸如层、膜、区域或板的第一部分形成在第二部分上时，第二部分的其上形成第一部分的表面不限于第二部分的上表面，而是可以包括第二部分的其它表面(诸如，侧表面或下表面)。相反，当诸如层、膜、区域或板的第一部分在第二部分下方时，第一部分不仅可以直接在第二部分下方，而且第三部分可以介于它们之间。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的杆式发光二极管的立体图。尽管在图1中已经示出了具有圆柱形形状的杆式发光二极管LD，但是本公开不限于此。
参考图1，根据本公开的实施方式的杆式发光二极管LD可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及插置在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间的有源层12。
例如，杆式发光二极管LD具有由通过依次堆叠第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体。在以下描述中，为了便于解释，杆式发光二极管LD将被称为“杆式LED LD”。
在本公开的实施方式中，杆式LED LD可以以在一个方向上延伸的杆的形式提供。如果将杆式LED LD延伸的方向定义为纵向方向，则杆式LED LD可以相对于杆式LED LD延伸的纵向方向具有第一端和第二端。
在实施方式中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端上。
在实施方式中，杆式LED LD可以设置成圆柱形形状。本文中，术语“杆式”包括在纵向方向上延伸的杆状形状和棒状形状(例如，具有大于1的纵横比)，诸如圆柱形形状和棱柱形形状。例如，杆式LED LD的长度可以大于其直径。
杆式LED LD可以制造成小尺寸，其直径和/或长度对应于例如微米级或纳米级尺寸。
然而，根据本公开的实施方式的杆式LED LD的尺寸不限于此，并且杆式LED LD的尺寸可以根据将应用杆式LED LD的显示设备的要求而改变。
第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括这样的半导体层，该半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN的半导体材料，并且掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂。
第一导电半导体层11的材料不限于此，然而，第一导电半导体层11可以由各种其它材料形成。
有源层12可以形成在第一导电半导体层11上并且可以具有单量子阱或多量子阱结构。在本公开的实施方式中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在有源层12上和/或下方。例如，包覆层可以是AlGaN层或InAlGaN层。此外，可以采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成有源层12。
如果将具有预定电压或更高电压的电场施加到杆式LED LD的相对端，则杆式LEDLD通过有源层12中的电子-空穴对的耦合来发光。
第二导电半导体层13可以设置在有源层12上并且可以包括具有与第一导电半导体层11的类型不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括这样的半导体层，该半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN的半导体材料，并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。
第二导电半导体层13的材料不限于此，然而，第二导电半导体层13可以由各种其它材料形成。
在本公开的实施方式中，杆式LED LD不仅可以包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13，而且还可以包括荧光层、另一有源层、另一半导体层和/或设置在每一层上和/或下方的电极层。
此外，杆式LED LD还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施方式中，可以省略绝缘膜14，或者可以将绝缘膜14设置为覆盖第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13中的仅一些。
例如，绝缘膜14可以设置在杆式LED LD的除杆式LED LD的相对端之外的部分上，使得杆式LED LD的相对端被暴露。
尽管在图1中示出了具有去除了其一部分的绝缘膜14，但这仅仅是为了便于解释，并且实际的杆式LED LD可以形成为使得其圆柱体的整个侧表面被绝缘膜14包围。
绝缘膜14可以设置成包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外周表面的至少一部分。例如，绝缘膜14可以设置成至少包围有源层12的外周表面。
在本公开的实施方式中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2构成的组中的至少一种绝缘材料，但其不限于此。换言之，可以采用具有绝缘特性的各种材料。
如果绝缘膜14设置在杆式LED LD上，则可以防止有源层12与第一电极(未示出)和/或第二电极(未示出)短路。
此外，绝缘膜14可以减少或防止杆式LED LD的表面上的缺陷的发生，由此提高杆式LED LD的寿命和效率。即使当多个杆式LED LD彼此相邻设置时，绝缘膜14也可以防止杆式LED LD彼此之间不希望地短路。
上述杆式LED LD可以用作各种显示设备的发光源。例如，杆式LED LD可以用于照明设备或自发光显示设备中。
图2a和图2b是示出根据本公开的实施方式的发光器件的单位发射区域的电路图。
特别地，图2a和图2b示出了形成有源发光显示面板的像素的示例。在本公开的实施方式中，单位发射区域可以是其中设置单个像素的像素区域。
参考图2a，像素PXL可以包括至少一个杆式LED LD，以及联接到杆式LED LD以驱动杆式LED LD的驱动电路144。
杆式LED LD的第一电极(例如，阳极电极)可以经由驱动电路144联接到第一驱动电源VDD，并且杆式LED LD的第二电极(例如，阴极电极)可以联接到第二驱动电源VSS。
第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS可以具有比第一驱动电源VDD的电势低等于或大于杆式LED LD的阈值电压的值的电势。
杆式LED LD可以发射具有与由驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度的光。
尽管图2a示出了其中每个像素PXL包括一个杆式LED LD的实施方式，但是本公开不限于此。例如，像素PXL可以包括彼此并联联接的多个杆式LED LD。
在本公开的实施方式中，驱动电路144可包括第一晶体管M1、第二晶体管M2和存储电容器Cst。然而，驱动电路144的结构不限于图2a中所示的实施方式。
第一晶体管(M1；开关晶体管)包括联接到数据线Dj的第一电极和联接到第一节点N1的第二电极。这里，第一晶体管M1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第一电极是源电极，则第二电极是漏电极。第一晶体管M1包括联接到扫描线Si的栅电极。
当从扫描线Si提供具有能够导通第一晶体管M1的电压(例如，低电平电压)的扫描信号时，第一晶体管M1导通以将数据线Dj与第一节点N1电联接。这里，相应帧的数据信号被提供给数据线Dj，并且由此数据信号被传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号被充电到存储电容器Cst中。
第二晶体管(M2；驱动晶体管)包括联接到第一驱动电源VDD的第一电极以及联接到杆式LED LD的第一电极的第二电极。第二晶体管M2包括联接到第一节点N1的栅电极。第二晶体管M2可以响应于第一节点N1的电压来控制要提供给杆式LED LD的驱动电流量。
存储电容器Cst的一个电极联接到第一驱动电源VDD，并且其另一电极联接到第一节点N1。存储电容器Cst可以利用与提供给第一节点N1的数据信号对应的电压进行充电，并且维持充电的电压直到向其提供后续帧的数据信号。
为了方便起见，图2a中示出的驱动电路144具有相对简单的结构，该驱动电路144包括配置成将数据信号传输到像素PXL的第一晶体管M1、配置成存储数据信号的存储电容器Cst以及配置成将对应于数据信号的驱动电流提供至杆式LED LD的第二晶体管M2。
然而，本公开不限于前述结构，并且驱动电路144的结构可以以各种方式改变。例如，驱动电路144还可以包括至少一个晶体管元件(诸如，配置成补偿第二晶体管M2的阈值电压的晶体管元件、配置成初始化第一节点N1的晶体管元件、配置成控制杆式LED LD的发射时间的晶体管元件)和/或其它电路元件(诸如，用于提高第一节点N1的电压的升压电容器)。
此外，尽管在图2a中将包括在驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管M1和第二晶体管M2)示出为由P型晶体管形成，但是本公开不限于此。换言之，包括在驱动电路144中的第一晶体管M1和第二晶体管M2中的至少一个可以是N型晶体管。
参考图2b，在本公开的实施方式中，第一晶体管M1和第二晶体管M2可以是N型晶体管。除了由于晶体管类型的改变而导致的一些部件的连接位置的改变之外，图2b中所示的驱动电路144的配置和操作类似于图2a中所示的驱动电路144的配置和操作。因此，将省略此实施方式的冗余的另外的描述。
图3是示出根据本公开的实施方式的显示设备(特别是使用包括图1中所示的杆式LED(LD)的发光器件作为发光源的显示设备)的示意性平面图。
参考图1至图3，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素PXL、设置在基板SUB上并配置成驱动像素PXL的驱动器以及将像素PXL与驱动器联接的线部件(未示出)。
基板SUB可以具有显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以是其中设置用于显示图像的像素PXL的区域。非显示区域NDA可以是其中设置用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL联接到驱动器的线部件(未示出)的一部分的区域。
显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以设置成各种形状，诸如具有线型边的闭合多边形、具有曲线边的圆形、椭圆形等或者具有线型边和曲线边的半圆形、半椭圆形等。
在显示区域DA具有多个区域的情况下，每个区域可以具有各种形式，诸如具有线型边的闭合多边形以及具有曲线边的半圆形、半椭圆形等。多个区域的表面面积可以彼此相同或不同。
在本公开的实施方式中，将描述其中显示区域DA以具有包括线型边的矩形形状的单个区域设置的示例。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上。在本公开的实施方式中，非显示区域NDA可以包围显示区域DA的外周。
像素PXL可以在基板SUB上设置在显示区域DA中。每个像素PXL是指用于显示图像的最小单元，并且可以设置多个像素PXL。
像素PXL中的每个可以包括发射白光和/或彩色光的至少一个杆式LED LD。每个像素PXL可以发射具有红色、绿色和蓝色中的任何一种颜色的光，但像素PXL不限于此。例如，像素PXL中的每个可以发射具有青色、品红色、黄色和白色中的任何一种颜色的光。
像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，像素PXL的布置不限于特定的布置。换言之，像素PXL可以以各种形式布置。
驱动器可以通过线部件向每个像素PXL提供信号，并且因此可以控制像素PXL的操作。在图3中，为了便于解释，省略了线部件。
驱动器可以包括：扫描驱动器SDV，配置成通过扫描线向像素PXL中的每个提供扫描信号；发射驱动器EDV，配置成通过发射控制线向像素PXL中的每个提供发射控制信号；数据驱动器DDV，配置成通过数据线向像素PXL中的每个提供数据信号；以及时序控制器(未示出)。时序控制器可以控制扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV。
图4是示出图3中所示的像素中的一个的等效电路图。
为了便于解释，在图4中示出了联接到第j条数据线Dj、第i-1条扫描线Si-1、第i条扫描线Si和第i+1条扫描线Si+1的一个像素。
参考图3和图4，根据本公开的实施方式的像素PXL可以包括杆式LED LD、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。
杆式LED LD可以具有经由第六晶体管T6联接到第一晶体管T1的第一端以及联接到第二驱动电源VSS的第二端。杆式LED LD可以发射具有与从第一晶体管T1提供的电流对应的预定亮度的光。
第一晶体管(T1；驱动晶体管)的源电极可经由第五晶体管T5联接到第一驱动电源VDD，并且其漏电极可经由第六晶体管T6联接到杆式LED LD的第一端。第一晶体管T1响应于连接到其栅电极的第一节点N1的电压而控制从第一驱动电源VDD经由杆式LED LD流到第二驱动电源VSS的电流。
第二晶体管(T2；开关晶体管)联接在第j条数据线Dj和第一晶体管T1的源电极之间。第二晶体管T2的栅电极联接到第i条扫描线Si。当向第i条扫描线Si提供扫描信号时，第二晶体管T2导通，使得第一晶体管T1的源电极与第j条数据线Dj电联接。
第三晶体管T3联接在第一晶体管T1的漏电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极联接到第i条扫描线Si。当向第i条扫描线Si提供扫描信号时，第三晶体管T3导通，使得第一晶体管T1的漏电极与第一节点N1电联接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。
第四晶体管T4可以联接在第一节点N1与初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极联接到第i-1条扫描线Si-1。当向第i-1条扫描线Si-1提供扫描信号时，第四晶体管T4导通，使得初始化电源Vint的电压被提供给第一节点N1。初始化电源Vint可以设置为低于数据信号的电压。
第五晶体管T5可以联接在第一驱动电源VDD和第一晶体管T1的源电极之间。第五晶体管T5的栅电极可以联接到第i条发射控制线Ei。第五晶体管T5可以在第i条发射控制线Ei被提供发射控制信号时截止，并且可以在其它情况下导通。
第六晶体管T6联接在第一晶体管T1的漏电极和杆式LED LD的第一端之间。第六晶体管T6的栅电极可以联接到第i条发射控制线Ei。第六晶体管T6可以在发射控制信号被提供给第i条发射控制线Ei时截止，并且可以在其它情况下导通。
第七晶体管T7联接在初始化电源Vint和杆式LED LD的第一端之间。第七晶体管T7的栅电极联接到第i+1条扫描线Si+1。第七晶体管T7可以在扫描信号被提供给第i+1条扫描线Si+1时导通，使得初始化电源Vint的电压可以被提供给杆式LED LD的第一端。
存储电容器Cst可以联接在第一驱动电源VDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst可存储与数据信号对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压。
同时，当杆式LED LD布置在一个像素PXL中时，第一对准线(未示出)联接到第二节点N2，并且第二对准线(未示出)联接到杆式LED LD的第二端。
可以将接地电压GND施加到第一对准线，并且可以将AC电压施加到第二对准线。当将具有不同电压电平的预定电压分别施加到第一对准线和第二对准线时，可以在第二节点N2和杆式LED LD的第二端之间产生电场。杆式LED LD可以通过电场在像素PXL内的期望区域中对准。
图5是示出发光器件的设置在图3中所示的像素中的一个上的单位发射区域的平面图，图6a是沿着图5的线I-I’截取的剖视图，图6b是对应于图5的线I-I’的剖视图以示出图6a的发光器件的实施方式，图7a是图6a的区域EA1的放大剖视图，以及图7b是图6b的区域EA2的放大剖视图。
尽管为了方便起见，图5示出了多个杆式LED布置在水平方向上，但是杆式LED的布置并不限于此。在图5中，单位发射区域可以是其中设置一个像素的像素区域。
此外，为了方便起见，在图5中未示出联接到杆式LED的晶体管和联接到晶体管的信号线。
参考图1至图7b，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素电路部件PCL以及设置在像素电路部件PCL上的显示元件层DPL。
基板SUB可以包括绝缘材料，诸如玻璃、有机聚合物或晶体。此外，基板SUB可以由柔性材料制成，以便可弯曲或可折叠，并且可以具有单层或多层结构。
例如，基板SUB可以包括以下中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，基板SUB的材料不限于此示例，并且可以使用各种合适的材料。
像素电路部件PCL可包括设置在基板SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2以及第一对准线ARL1和第二对准线ARL2。
显示元件层DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、多个杆式LED LD、第一电极REL1和第二电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
为了便于解释，首先将描述像素电路部件PCL，并且然后将描述显示元件层DPL。
缓冲层BFL可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个中。缓冲层BFL可以具有单层结构或包括多个层的多层结构。
在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，各层可以由相同的材料或不同的材料形成。可以根据基板SUB的材料或处理条件而省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1可以是电联接到杆式LED LD中的一些以驱动杆式LED LD的驱动晶体管。第二晶体管T2可以是切换第一晶体管T1的开关晶体管。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括半导体层SCL、栅电极GE以及第一晶体管电极EL1和第二晶体管电极EL2。
半导体层SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以具有与第一晶体管电极EL1接触的第一区域和与第二晶体管电极EL2接触的第二区域。第一区域和第二区域之间的区域可以是沟道区域。
在本公开的实施方式中，第一区域可以是源极区域和漏极区域中的任一个，并且第二区域可以是另一区域。
半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。沟道区域可以是没有掺杂杂质的半导体图案，即本征半导体。第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置在半导体层SCL上，且栅极绝缘层GI插置在栅电极GE和半导体层SCL之间。
第一晶体管电极EL1和第二晶体管电极EL2可以分别通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的相应接触孔而与半导体层SCL的第一区域和第二区域接触。
第一对准线ARL1可以设置在层间绝缘层ILD上，并且可以通过第二接触孔CH2电联接到第一电极REL1。第一对准电压可以被施加到第一对准线ARL1。
第一对准线ARL1可以将第一对准电压传输到第一电极REL1，以便在一个像素PXL中对准杆式LED LD。
第二对准线ARL2可以设置在层间绝缘层ILD上，并且可以通过第三接触孔CH3电联接到第二电极REL2。第二对准电压可以被施加到第二对准线ARL2。
第二对准线ARL2可以将第二对准电压传输到第二电极REL2，以便在一个像素PXL中对准杆式LED LD。
在本公开的实施方式中，可以将接地电压GND作为第一对准电压施加到第一对准线ARL1，并且可以将AC电压作为第二对准电压施加到第二对准线ARL2。
当将具有不同电压电平的预定电压分别施加到第一对准线ARL1和第二对准线ARL2时，可以在第一电极REL1和第二电极REL2之间形成电场。
在平面图中，第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以在第二方向DR2上延伸。在本公开的实施方式中，第一对准线ARL1可以设置成对应于仅一个像素PXL。第二对准线ARL2可以设置成对应于一个像素PXL以及沿着第二方向DR2与像素PXL相邻的另一像素(未示出)。
在本公开的实施方式中，在一个像素PXL中对准杆式LED LD之后，第二对准线ARL2可以用作向每个杆式LED LD的第二端EP2提供第二驱动电源VSS的驱动电压线。
第一晶体管T1和第二晶体管T2以及第一对准线ARL1和第二对准线ARL2上可以设置有钝化层PSV。
钝化层PSV可以具有第一接触孔CH1以及第二接触孔CH2和第三接触孔CH3，第一接触孔CH1将第一晶体管T1的第一晶体管电极EL1的一部分暴露于外部。
在本公开的实施方式中，尽管第一对准线ARL1和第二对准线ARL2被描述为设置在像素电路部件PCL中，但是本公开不限于此。
例如，第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以设置在显示元件层DPL中。在这种情况下，第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以设置在与第一电极REL1和第二电极REL2相同的层上，并且可以包括与第一电极REL1和第二电极REL2相同的材料。
包括在显示元件层DPL中的杆式LED LD中的每个可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及插置在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间的有源层12。
在实施方式中，杆式LED LD还可以包括设置在第二导电半导体层13上的电极层(未示出)。
此外，电极层可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、ITO(铟锡氧化物)及其氧化物或合金可以单独使用或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。
杆式LED LD中的每个可以在其纵向方向上具有第一端EP1和第二端EP2。
第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在第一端EP1处，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在第二端EP2处。杆式LED LD中的每个可以发射彩色光和/或白光。
杆式LED LD中的每个的第一端EP1和第二端EP2可以被覆盖杆式LED LD中的每个的上表面的一部分的第二绝缘层IL2暴露于外部。第二绝缘层IL2可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。
杆式LED LD中的每个的下方可以设置有第一绝缘层IL1。
第一绝缘层IL1可以填充杆式LED LD中的每个与钝化层PSV之间的空间，稳定地支撑杆式LED LD中的每个，并防止杆式LED LD中的每个被去除。
在本公开的实施方式中，第一绝缘层IL1可以包括包含无机材料的无机绝缘层，或者包含有机材料的有机绝缘层。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以限定一个像素PXL中的单位发射区域。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以设置在钝化层PSV上并且可以以预定距离彼此间隔开。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在钝化层PSV上设置成以等于或大于一个杆式LED LD的长度的距离彼此间隔开。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以包括包括无机材料或有机材料的绝缘材料，但是本公开不限于此。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有在从底部到顶部的方向上宽度减小的弯曲截面(诸如，半圆形或半椭圆形)，如图6a和图7a中所示。然而，本公开不限于此。与钝化层PSV接触的第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的下表面的宽度W可以是约6μm至7μm。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有侧面以预定角度倾斜的梯形形状，如图6b和图7b所示。在这种情况下，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有与钝化层PSV接触的下表面S4、与下表面S4面对并且宽度比下表面S4窄的上表面S1以及联接到下表面S4和上表面S1的第一侧表面S2和第二侧表面S3，如图7b中所示。因此，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有梯形截面。
这里，第二侧表面S3可以与杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2中的一个相邻，而第一侧表面S2可以面对第二侧表面S3。第二侧表面S3可以从上表面S1的一端延伸以基于垂直于下表面S4的法线具有预定倾角θ1。倾角θ1可以小于90°。因此，第二侧表面S3可以是倾斜的。第一侧表面S2可以以与第二侧表面S3的倾角θ1相同的倾角倾斜。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的截面可以具有各种形状，诸如圆形、矩形、三角形或多边形，但不限于上述实施方式。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在钝化层PSV上布置在相同的平面上，并且可以具有相同的高度。
第一电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1的侧表面和钝化层PSV上。此外，第二电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2的侧表面和钝化层PSV上。
为了便于解释，设置在第一分隔壁PW1的侧表面上的第一电极REL1将被称为第1-1电极REL1，而设置在第二分隔壁PW2的侧表面上的第二电极REL2将被称为第2-1电极REL2。
当在平面上观察时，第1-1电极REL1可以与第一分隔壁PW1部分地重叠，并且第2-1电极REL2可以与第二分隔壁PW2部分地重叠。
第1-1电极REL1和第2-1电极REL2可以与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应。
因此，当第一分隔壁PW1具有梯形截面时，第1-1电极REL1可以倾斜成与第一分隔壁PW1的第二侧表面S3的倾角θ1对应。此外，当第一分隔壁PW1具有半圆形或半椭圆形截面时，第1-1电极REL1可具有与第一分隔壁PW1的弯曲表面对应的曲率。
同样，当第二分隔壁PW2具有梯形截面时，第2-1电极REL2可以倾斜成与第二分隔壁PW2的第二侧表面S3的倾角对应。此外，当第二分隔壁PW2具有半圆形或半椭圆形截面时，第2-1电极REL2可具有与第二分隔壁PW2的弯曲表面对应的曲率。
在本公开的实施方式中，第1-1电极REL1和第2-1电极REL2可以使从杆式LED LD的相对端EP1和EP2发射的光在显示图像的方向(例如，正面方向)上行进。
特别地，由于第1-1电极REL1和第2-1电极REL2具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2对应的形状，因此从杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2发射的光可以被第1-1电极REL1和第2-1电极REL2反射，以进一步在正面方向上行进。因此，可以提高从杆式LED LD中的每个发射的光的效率。
随着第1-1电极REL1与杆式LED LD中的每个的第一端EP1之间的距离d1减小，从杆式LED LD中的每个的第一端EP1发射的光可以更少损耗地行进到第1-1电极REL1。因此，可以提高从杆式LED LD中的每个的第一端EP1发射的光的效率。
同样，随着第2-1电极REL2与杆式LED LD中的每个的第二端EP2之间的距离减小，从杆式LED LD中的每个的第二端EP2发射的光可以更少损耗地行进到第2-1电极REL2。
在本公开的实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以用作反射构件，其与第1-1电极REL1和第2-1电极REL2一起改善从杆式LED LD中的每个发射的光的效率。
第1-1电极REL1和第2-1电极REL2中的任何一个可以是阳极电极，并且另一个可以是阴极电极。在本公开的实施方式中，第1-1电极REL1可以是阳极电极，并且第2-1电极REL2可以是阴极电极。
第1-1电极REL1和第2-1电极REL2可以设置在相同的平面上，并且可以具有相同的高度。
设置在钝化层PSV上的第一电极REL1(下文中称为“第1-2电极”)可以通过穿过钝化层PSV形成的第二接触孔CH2而电联接到第一对准线ARL1。当在一个像素PXL中对准杆式LED LD时，第一对准线ARL1的第一对准电压可以通过第二接触孔CH2施加到第1-2电极REL1。
此外，第1-2电极REL1可以通过穿过钝化层PSV形成的第一接触孔CH1而电联接到第一晶体管T1的第一晶体管电极EL1。当驱动杆式LED LD时，可以将提供给第一晶体管T1的信号通过第一接触孔CH1传输到第1-2电极REL1。
设置在钝化层PSV上的第二电极REL2(下文中称为“第2-2电极”)可以通过穿过钝化层PSV形成的第三接触孔CH3而电联接到第二对准线ARL2。因此，当在一个像素PXL中对准杆式LED LD时，可以将第二对准线ARL2的第二对准电压通过第三接触孔CH3而施加到第2-2电极REL2。
在本公开的实施方式中，当驱动杆式LED LD时，可以将第二驱动电源VSS施加到第二对准线ARL2。因此，当驱动杆式LED LD时，可以将第二对准线ARL2的第二驱动电源VSS通过第三接触孔CH3传输到第2-2电极REL2。
第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2可以由具有预定反射率的导电材料制成。导电材料可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti的金属或其合金、诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO)的导电氧化物以及诸如PEDOT的导电聚合物。
此外，第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2可以具有单层结构。然而，不限于此，电极可以具有通过堆叠金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的两种或多种材料而形成的多层结构。
特别地，第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2可以具有多层结构，以便当信号被传输到杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2时，最小化由于信号延迟而引起的电压降。在这种实施方式中，第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2可以具有多层结构，在该多层结构中ITO、Ag和ITO以这种顺序堆叠，或者Ti、Al和Ti以这种顺序堆叠。然而，本公开不限于此。
第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2的材料不限于上述材料。例如，第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第2-1电极REL2和第2-2电极REL2可以由具有预定反射率的材料形成，以使从杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2发射的光在显示图像的方向(例如，正面方向)上行进。
第1-1电极REL1和第1-2电极REL1上可以设置有第一封装层CPL1。第一封装层CPL1可以防止由于在显示设备的制造过程期间出现的缺陷对第1-1电极REL1和第1-2电极REL1造成损坏，并且可以进一步增强第1-1电极REL1和第1-2电极REL1与像素电路部件PCL之间的粘附性。
第一封装层CPL1可以由诸如IZO的透明导电材料制成，以便最小化从杆式LED LD中的每个的第一端EP1发射并且然后被第1-1电极REL1和第1-2电极REL1在正面方向上反射的光的损失。
当在平面上观察时，第一封装层CPL1可以与第1-1电极REL1和第1-2电极REL1以及第一分隔壁PW1重叠。
将第1-1电极REL1与杆式LED LD中的每个的第一端EP1可靠地电联接和/或物理联接的第一接触电极CNE1可以设置在第一封装层CPL1上。
第一接触电极CNE1可以由透明导电材料形成。例如，透明导电材料可以包括ITO、IZO、ITZO等。然而，第一接触电极CNE1不限于上述材料。
当在平面上观察时，第一接触电极CNE1可以覆盖第1-1电极REL1和第1-2电极REL1，并且与第1-1电极REL1和第1-2电极REL1重叠。此外，第一接触电极CNE1可以与杆式LED LD中的每个的第一端EP1部分地重叠。
在实施方式中，当省略第一封装层CPL1时，第一接触电极CNE1可以直接设置在第1-1电极REL1和第1-2电极REL1上，以直接联接到第1-1电极REL1和第1-2电极REL1。
第一接触电极CNE1上可以设置有第三绝缘层IL3以覆盖第一接触电极CNE1。第三绝缘层IL3可以防止第一接触电极CNE1暴露于外部，从而防止第一接触电极CNE1被腐蚀。
第三绝缘层IL3可以由包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层形成。尽管第三绝缘层IL3可以具有所示的单层结构，但是本公开不限于此。例如，第三绝缘层IL3可以具有多层结构。
第二电极REL2上可以设置有第二封装层CPL2。第二封装层CPL2可以防止由于在显示设备的制造过程期间出现的缺陷对第2-1电极REL2和第2-2电极REL2造成损坏，并且可以进一步增强第2-1电极REL2和第2-2电极REL2与像素电路部件PCL之间的粘附性。
第二封装层CPL2可以设置在与第一封装层CPL1所设置在的层相同的层上，并且可以包括与第一封装层CPL1的材料相同的材料。当在平面上观察时，第二封装层CPL2可以与第2-1电极REL2和第2-2电极REL2以及第二分隔壁PW2重叠。
第二接触电极CNE2可以设置在第二封装层CPL2上。当在平面上观察时，第二接触电极CNE2可以覆盖第2-1电极REL2和第2-2电极REL2，并且与第2-1电极REL2和第2-2电极REL2重叠。此外，第二接触电极CNE2可以与杆式LED LD中的每个的第二端EP2重叠。
第二接触电极CNE2可以由与第一接触电极CNE1的材料相同的材料制成，但其不限于此。
在实施方式中，当省略第二封装层CPL2时，第二接触电极CNE2可以直接设置在第2-1电极REL2和第2-2电极REL2上，以直接联接到第2-1电极REL2和第2-2电极REL2。
第二接触电极CNE2上可以设置有第四绝缘层IL4以覆盖第二接触电极CNE2。
第四绝缘层IL4可以防止第二接触电极CNE2暴露于外部，从而防止第二接触电极CNE2被腐蚀。第四绝缘层IL4可以是无机绝缘层或有机绝缘层。
第四绝缘层IL4上可以设置有外涂层OC。
外涂层OC可以是用于使由设置在外涂层OC下方的部件形成的台阶结构平坦化的平坦化层。此外，外涂层OC可以用作用于防止氧气或水渗透到杆式LED LD中的封装层。
在实施方式中，可以省略外涂层OC。当省略外涂层OC时，第四绝缘层IL4可以用作防止氧气或水渗透到杆式LED LD中的封装层。
外涂层OC上可以设置有偏振膜POL。
偏振膜POL可以具有偏振轴，并且可以使光在垂直于偏振轴的方向上线性地偏振。例如，偏振膜POL可以吸收与偏振轴对准的光线，并允许垂直于偏振轴的光线穿过偏振膜POL。因此，当光穿过偏振膜POL时，光可以在垂直于偏振轴的方向上线性地偏振。
偏振膜POL可以吸收从外部设备引入到显示设备中的光之中与偏振轴对准、被显示设备反射并且然后被发射的光，从而降低显示设备的外部光的反射率。
如上所述，杆式LED LD中的每个的第一端EP1可以联接到第1-1电极REL1，并且杆式LED LD中的每个的第二端EP2可以联接到第2-1电极REL2。例如，杆式LED LD中的每个的第一导电半导体层11可以联接到第1-1电极REL1，并且杆式LED LD中的每个的第二导电半导体层13可以联接到第2-1电极REL2。
因此，杆式LED LD中的每个的第一导电半导体层11和第二导电半导体层13可以通过第1-1电极REL1和第2-1电极REL2接收预定电压。
如果将预定电压或更高电压的电场施加到杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2，则杆式LED LD中的每个由于有源层12中的电子-空穴对的耦合而发光。
从杆式LED LD中的每个的第一端EP1发射的光可以行进至与第一端EP1面对的第1-1电极REL1。入射到第1-1电极REL1的光可以被第1-1电极REL1在正面方向上反射，以朝第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4行进。
在本发明的实施方式中，为了提高被第1-1电极REL1在正面方向上反射的光(下文中称为“第一反射光”)的光输出效率，第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4可以是具有与第1-1电极REL1的折射率相同的折射率的绝缘层。
如果第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4各自具有比第1-1电极REL1的折射率小的折射率，则第一反射光的一部分可以通过全反射条件被第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4吸收。因此，第一反射光的光输出效率可能变差。
因此，在本公开的实施方式中，第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4中的每个的折射率可以设置成等于第1-1电极REL1的折射率，从而提高第一反射光的光输出效率而没有光损耗。
从杆式LED LD中的每个的第二端EP2发射的光可以行进至与第二端EP2面对的第2-1电极REL2。入射到第2-1电极REL2的光可以被第2-1电极REL2在正面方向上反射。
被第2-1电极REL2在正面方向上反射的光(下文中称为“第二反射光”)可以朝第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4行进。
由于第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4具有与第2-1电极REL2的折射率相同的折射率，因此第二反射光可以无损耗地穿过第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4。因此，可以提高第二反射光的光输出效率。
在本公开的实施方式中，为了改善穿过第四绝缘层IL4的第一反射光和第二反射光中的每个的光输出效率，设置在第四绝缘层IL4上的外涂层OC可以由具有与第四绝缘层IL4的折射率相同的折射率的有机绝缘层形成。
如上所述，在根据本公开的实施方式的显示设备中，第1-1电极REL1和第2-1电极REL2中的每个可以设置成当在平面上观察时与相应的分隔壁的一部分重叠。
换言之，第1-1电极REL1和第2-1电极REL2可以仅设置在显示设备中的特定区域中。更具体地，第1-1电极REL1可以仅设置在第一分隔壁PW1的侧表面上，并且第2-1电极REL2可以仅设置在第二分隔壁PW2的侧表面上。
在这种情况下，在入射到显示设备上的外部光之中，行进到相应分隔壁的上表面的光可由于没有第1-1电极REL1和第2-1电极REL2而被第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4以及外涂层OC吸收。
因此，根据本公开的实施方式的显示设备可以最小化由外部光引起的不良可见度。
在传统显示设备中，第1-1电极REL1和第2-1电极REL2完全覆盖相应的分隔壁。因此，传统显示设备中由第1-1电极REL1和第2-1电极REL2占据的面积可以大于根据本公开的实施方式的显示设备的第1-1电极REL1和第2-1电极REL2占据的面积。
当外部光入射到传统的显示设备上时，外部光可以被完全覆盖相应分隔壁的第1-1电极REL1和第2-1电极REL2反射，并且可以从外部被视觉识别。因此，传统显示设备的图像质量可能由于外部光的反射率的增加而变差。
因此，在本公开的实施方式中，第1-1电极REL1和第2-1电极REL2设置成仅与相应分隔壁的一部分重叠，使得由于外部光引起的图像质量的劣化被减小或最小化。
图8a至图8h是依次示出制造图6a中所示的显示设备的方法的剖视图。
参考图1至图8a，在基板SUB上形成像素电路部件PCL。
像素电路部件PCL包括第一晶体管T1和第二晶体管T2、第一对准线ARL1和第二对准线ARL2以及钝化层PSV。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个可以包括设置在位于基板SUB上的缓冲层BFL上的半导体层SCL、设置在半导体层SCL上的栅电极GE以及联接到半导体层SCL的第一晶体管电极EL1和第二晶体管电极EL2，且栅极绝缘层GI插置在半导体层SCL与栅电极GE之间。
第一晶体管T1的第一晶体管电极EL1的一部分可以通过穿过钝化层PSV形成的第一接触孔CH1暴露于外部。
第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以形成在层间绝缘层ILD上。第一对准线ARL1和第二对准线ARL2可以设置在与第一晶体管电极EL1和第二晶体管电极EL2相同的层上，并且可以包括与第一晶体管电极EL1和第二晶体管电极EL2相同的材料。
第一对准线ARL1的一部分可以通过穿过钝化层PSV形成的第二接触孔CH2暴露于外部，并且第二对准线ARL2的一部分可以通过穿过钝化层PSV形成的第三接触孔CH3暴露于外部。
参考图1至图8b，在钝化层PSV上形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以在钝化层PSV上设置成以预定距离彼此间隔开。在本公开的实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以由有利于调节倾角的有机绝缘层形成。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可以具有弯曲截面，例如半圆形截面或半椭圆形截面。在实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个的截面可以具备具有以预定倾角倾斜的侧表面S2和S3的梯形形状。
参考图1至图8c，在其上设置有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的钝化层PSV上形成包括具有高反射率的导电材料的第一电极REL1和第二电极REL2。
第一电极REL1可以设置在钝化层PSV和第一分隔壁PW1的第二侧表面S3上。第二电极REL2可以设置在钝化层PSV和第二分隔壁PW2的第二侧表面S3上。
设置在钝化层PSV上的第一电极REL1可以通过第一接触孔CH1电联接到第一晶体管T1的第一晶体管电极EL1。
此外，设置在钝化层PSV上的第一电极REL1可以通过第二接触孔CH2电联接到第一对准线ARL1，如图5中所示。
设置在钝化层PSV上的第二电极REL2可以通过第三接触孔CH3电联接到第二对准线ARL2。
设置在第一分隔壁PW1的侧表面上的第一电极REL1可以与第一分隔壁PW1的形状对应。同样，设置在第二分隔壁PW2的侧表面上的第二电极REL2可以与第二分隔壁PW2的形状对应。
参考图1至图8d，在其上形成有第一电极REL1和第二电极REL2的钝化层PSV上形成包括透明导电材料的第一封装层CPL1和第二封装层CPL2。
参考图1至图8e，在其上设置有第一封装层CPL1和第二封装层CPL2的整个钝化层PSV上沉积第一绝缘材料层(未示出)。
随后，为了在第一电极REL1和第二电极REL2之间形成电场，将第一对准电压施加到第一对准线ARL1，并且将第二对准电压施加到第二对准线ARL2。
第一对准电压可以是接地电压GND，并且第二对准电压可以是AC电压。
当将具有不同电平的预定电压分别施加到第一对准线ARL1和第二对准线ARL2时，可以在第一电极REL1和第二电极REL2之间形成电场。
将接地电压GND施加到第一电极REL1，以便不影响联接到第一电极REL1的第一晶体管T1的电特性。
在本公开的实施方式中，由于第一电极REL1是阳极电极，因此当具有不同于接地电压GND的预定电压电平的AC或DC电压被施加到第一电极REL1时，第一晶体管T1可能受到施加到第一电极REL1的电压的影响。因此，可能改变第一晶体管T1的电特性，使得像素电路部件PCL可能发生故障。
因此，在本公开的实施方式中，为了防止像素电路部件PCL发生故障，可以将接地电压GND施加到第一电极REL1，并且可以将具有预定电压电平的AC或DC电压施加到第二电极REL2。
如上所述，在第一电极REL1和第二电极REL2之间施加有电场的状态下，杆式LEDLD可以分布在基板SUB上。
作为分布杆式LED LD的方法的示例，可以使用喷墨印刷方法。喷墨印刷方法可以包括这样的方法，该方法将喷嘴放置在基板SUB上，通过喷嘴使包括杆式LED LD的溶液滴落，并将杆式LED LD分布在基板SUB上。将杆式LED LD分布在基板SUB上的方法不限于此。
当杆式LED LD被输入时，因为在第一电极REL1和第二电极REL2之间形成电场，所以可以诱导杆式LED LD的自对准。
如果杆式LED LD已经对准，则可以停止提供第一对准电压和第二对准电压。
随后，通过掩模工艺图案化第一绝缘材料层来形成设置在杆式LED LD中的每个下方的第一绝缘层IL1。
参考图1至图8f，在其上对准了杆式LED LD的钝化层PSV上沉积第二绝缘材料层(未示出)，并且通过掩模工艺将第二绝缘层IL2形成为暴露杆式LED LD中的每个的相对端EP1和EP2。
第一对准线ARL1和第二对准线ARL2中的每个的一部分可以通过掩模工艺去除。因此，可以将第一对准线ARL1设置成对应于一个像素PXL。
随后，在其上形成有第二绝缘层IL2的钝化层PSV上形成第一接触电极CNE1。
第一接触电极CNE1可以覆盖第一电极REL1和杆式LED LD中的每个的第一端EP1。第一电极REL1可以通过第一接触电极CNE1电联接到杆式LED LD中的每个的第一端EP1。
参考图1至图8g，在其上设置有第一接触电极CNE1的钝化层PSV上沉积第三绝缘材料层(未示出)之后，通过使用掩模工艺来形成第三绝缘层IL3以覆盖第一接触电极CNE1。
随后，在其上形成有第三绝缘层IL3的钝化层PSV上形成第二接触电极CNE2。
第二接触电极CNE2可以覆盖第二电极REL2和杆式LED LD中的每个的第二端EP2。第二电极REL2可以通过第二接触电极CNE2电联接到杆式LED LD中的每个的第二端EP2。
参考图1至图8h，在其上设置有第二接触电极CNE2的整个钝化层PSV上形成第四绝缘层IL4。
随后，在第四绝缘层IL4上形成外涂层OC，并在外涂层OC上形成偏振膜POL。
图9是对应于图5的线I-I’的剖视图以示出根据本发明的实施方式的显示设备。在本公开的实施方式中，以下描述将集中于与前述实施方式的不同之处，以避免重复解释。在本实施方式下面的描述中未单独解释的部件与前述实施方式的部件一致。相同的附图标记将被用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将被用于表示类似的部件。
除了第二对准线通过第二封装层电联接到第二电极之外，图9中所示的显示设备可以具有与图6中所示的显示设备基本上相同或相似的配置。
参考图5至图9，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素电路部件PCL、设置在像素电路部件PCL上的显示元件层DPL以及设置在显示元件层DPL上的外涂层OC。
像素电路部件PCL可以包括设置在基板SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2、第一对准线ARL1和第二对准线ARL2以及钝化层PSV。
显示元件层DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、多个杆式LED LD、第一电极REL1和第二电极REL2、第一封装层CPL1和第二封装层CPL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
第一电极REL1可以设置在第一分隔壁PW1的侧表面和钝化层PSV上。第二电极REL2可以设置在第二分隔壁PW2的侧表面和钝化层PSV上。
在本公开的实施方式中，第二电极REL2可以在一个像素PXL中设置成不与第二对准线ARL2重叠。在这种情况下，第二对准线ARL2和第二电极REL2可以通过覆盖第二电极REL2的第二封装层CPL2电联接。
第二封装层CPL2可以通过穿过钝化层PSV形成的第三接触孔CH3电联接到第二对准线ARL2。此外，第二封装层CPL2可以直接设置在设置于第二分隔壁PW的侧表面上的第二电极REL2上，以电联接到第二电极REL2。
因此，第二电极REL2可以经由第二封装层CPL2最终联接到第二对准线ARL2。
因此，当在一个像素PXL中对准杆式LED LD时，可以将第二对准线ARL2的第二对准电压通过第二封装层CPL2施加到第二电极REL2。此外，当驱动杆式LED LD时，可以将施加至第二对准线ARL2的第二驱动电源VSS(参见例如图4)通过第二封装层CPL2传输到第二电极REL2。
图10和图11各自是对应于图5的线I-I’的剖视图的示出了根据本发明的实施方式的显示设备。在本公开的实施方式中，以下描述将集中于与前述实施方式的不同之处，以避免重复解释。在本实施方式下面的描述中未单独解释的部件与前述实施方式的部件一致。相同的附图标记将用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将用于表示类似的部件。
除了外涂层被设置为滤色器层之外，图10和图11中所示的显示设备可以具有与图6中所示的显示设备基本上相同或相似的配置。
参考图5、图10和图11，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素电路部件PCL、设置在像素电路部件PCL上的显示元件层DPL以及设置在显示元件层DPL上的滤色器层CF。
像素电路部件PCL可以包括设置在基板SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2、第一对准线ARL1和第二对准线ARL2以及钝化层PSV。
显示元件层DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、多个杆式LED LD、第一电极REL1和第二电极REL2、第一封装层CPL1和第二封装层CPL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
滤色器层CF可以仅透射预设波长的光并阻挡其它波长范围的光，从而减少入射通过滤色器层CF的外部光的反射。在这种情况下，即使不使用单独的偏振膜，显示设备也具有减少外部光的反射的效果。
此外，滤色器层CF可以用作用于使由显示元件层DPL引起的台阶结构平坦化的平坦化层。
在本公开的实施方式中，滤色器层CF可以由具有与设置在第一电极REL1和第二电极REL2上的第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4的折射率相同的折射率的有机材料形成。
在这种情况下，从杆式LED LD发射并被第一电极REL1和第二电极REL2反射的光可以不被第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4以及滤色器层CF吸收，但是可以在显示图像的方向上行进。因此，可以提高从杆式LED LD发射的光的效率。
在图11中所示的实施方式中，滤色器层CF可以包括多个颗粒PTC。
颗粒PTC可以分散在滤色器层CF中，以控制从杆式LED LD发射并行进穿过滤色器层CF的光的分布。
在本公开的实施方式中，颗粒PTC可以包括金属导电氧化物或金属导电氮化物的颗粒，但不限于此。例如，颗粒PTC可以是作为空的空间的空隙。金属导电氧化物的示例可以包括钛氧化物(TiO2)和锆氧化物(ZrO2)。
颗粒PTC中的每个可以根据滤色器层CF的反射系数、滤色器层CF的厚度和与相邻颗粒PTC的距离而具有各种形状。
颗粒PTC可以分散在滤色器层CF中以散射传播到滤色器层CF的光，从而防止光集中在滤色器层CF的特定区域中。
对于滤色器层CF的每个区域，可以不同地调节颗粒PTC的密度。例如，当传播到滤色器层CF的光集中在滤色器层CF的中央区域中时，颗粒PTC可以被分散成集中在滤色器层CF的中央区域中。然而，本公开不限于此，并且其相反情况也是可能的。
图12是对应于图5的线I-I’的剖视图以示出根据本公开的另一实施方式的显示设备，以及图13是图12的区域EA3的放大剖视图。在本公开的实施方式中，以下描述将集中于与前述实施方式的不同之处，以避免重复解释。在本实施方式下面的描述中未单独解释的部件与前述实施方式的部件一致。相同的附图标记将用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将用于表示类似的部件。
除了第四绝缘层和外涂层之间设置有遮光图案之外，图12中所示的显示设备具有与图5和图11中所示的显示设备基本上相同或相似的配置。
参考图5、图12和图13，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素电路部件PCL、设置在像素电路部件PCL上的显示元件层DPL以及滤色器层CF。
像素电路部件PCL可以包括设置在基板SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2、第一对准线ARL1和第二对准线ARL2以及钝化层PSV。
显示元件层DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、多个杆式LED LD、第一电极REL1和第二电极REL2、第一封装层CPL1和第二封装层CPL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
显示设备还可以包括设置在滤色器层CF下方的第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2。
第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2可以包括黑矩阵并吸收入射到显示设备的外部光，从而减少外部光的反射。
第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2可以在显示元件层DPL的第四绝缘层IL4上设置成以预定距离彼此间隔开，且杆式LED LD中的每个插置在第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2之间。
第一遮光图案BLP1可以覆盖第一分隔壁PW1的一部分，并且可以不覆盖设置在第一分隔壁PW1的侧表面S3上的第一电极REL1(下文中称为“第1-1电极”)。
第二遮光图案BLP2可以覆盖第二分隔壁PW2的一部分，并且可以不覆盖设置在第二分隔壁PW2的侧表面上的第二电极REL2(下文中称为“第2-1电极”)。
第一遮光图案BLP1可以相对于从第1-1电极REL1的上端垂直延伸的法线NL与第1-1电极REL1以预定距离d2间隔开。
第一遮光图案BLP1和第1-1电极REL1之间的预定距离d2可以由第1-1电极REL1的光输出角θ2确定。
光输出角θ2可以指这样的范围内所包括的角度，在该范围内，当从杆式LED LD中的每个的第一端EP1发射的光被第1-1电极REL1在显示图像的方向上反射时，光不被第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4吸收。
光输出角θ2可以通过第1-1电极REL1的倾角来确定。第1-1电极REL1的倾角可以对应于第一分隔壁PW1的侧表面S3的倾角θ1(参见例如图7)。因此，光输出角θ2可以通过第一分隔壁PW1的侧表面S3的倾角θ1来确定。
例如，当第一分隔壁PW1的侧表面S3的倾角θ1是28°时，第1-1电极REL1的光输出角θ2可以是34°。因此，第一遮光图案BLP1可以设置在第四绝缘层IL4上，以与从法线NL向左倾斜34°的斜坡接触，而不覆盖第1-1电极REL1。
在本公开的实施方式中，第二遮光图案BLP2和第2-1电极REL2可以以第一遮光图案BLP1和第1-1电极REL1之间的预定距离d2彼此间隔开。
滤色器层CF可以设置在第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2上。
滤色器层CF可以仅透射预设波长的光并阻挡其它波长范围的光，从而减少入射通过滤色器层CF的外部光的反射。此外，滤色器层CF可以用作用于使由显示元件层DPL引起的台阶结构平坦化的平坦化层。
在本公开的实施方式中，滤色器层CF可以包括具有与设置在第一电极REL1和第二电极REL2上的第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4的折射率相同或相似的折射率的有机材料。
图14示出了根据本公开的实施方式的显示设备，特别地，图14是示出发光器件的设置在一个像素上的单位发射区域的平面图，以及图15是沿着图14的线II-II’截取的剖视图。
在本公开的实施方式中，以下描述将集中于与前述实施方式的不同之处，以避免重复解释。在本实施方式下面的描述中未单独解释的部件与前述实施方式的部件一致。相同的附图标记将用于表示相同的部件，并且类似的附图标记将用于表示类似的部件。
在图14中，为方便起见，示出了水平布置的多个杆式LED。然而，杆式LED的布置不限于此。
此外，为了方便起见，在图14中省略了联接到杆式LED的晶体管和联接到晶体管的信号线的图示。
除了第一电极覆盖整个第一分隔壁并且第二电极覆盖整个第二分隔壁之外，图14和图15中所示的显示设备可以具有与图12的显示设备基本上相同或相似的配置。
参考图14至图15，根据本公开的实施方式的显示设备可以包括基板SUB、设置在基板SUB上的像素电路部件PCL、设置在像素电路部件PCL上的显示元件层DPL以及设置在显示元件层DPL上的滤色器层CF。
像素电路部件PCL可以包括设置在基板SUB上的缓冲层BFL、设置在缓冲层BFL上的第一晶体管T1和第二晶体管T2、第一对准线ARL1和第二对准线ARL2以及钝化层PSV。
显示元件层DPL可以包括第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、多个杆式LED LD、第一电极REL1和第二电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
当在平面上观察时，第一电极REL1可以完全覆盖第一分隔壁PW1，并且第二电极REL2可以完全覆盖第二分隔壁PW2。
滤色器层CF可以用作用于使由显示元件层DPL引起的台阶结构平坦化的平坦化层。
在本公开的实施方式中，滤色器层CF可以由具有与设置在第一电极REL1和第二电极REL2上的第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4的折射率相同的折射率的有机材料形成。
显示设备还可以包括设置在滤色器层CF和第四绝缘层IL4之间的第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2。
第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2可以包括黑矩阵并且可以吸收入射在显示设备上的外部光，从而减少外部光的反射。
在本公开的实施方式中，第一遮光图案BLP1可以覆盖第一电极REL1的一部分，并且第二遮光图案BLP2可以覆盖第二电极REL2的一部分。
由于第一电极REL1和第二电极REL2完全覆盖相应的分隔壁，因此入射在显示设备上的外部光的一部分可以被第一电极REL1和第二电极REL2反射。
在这种情况下，第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2可以吸收被第一电极REL1和第二电极REL2反射的外部光。因此，可以防止设置在第一遮光图案BLP1和第二遮光图案BLP2下方的部件从外部被视觉识别。
根据本公开的实施方式的显示设备可以用在各种电子设备中。例如，显示设备可以应用于电视、笔记本计算机、蜂窝电话、智能电话、智能板(PD)、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航设备、各种类型的可穿戴设备(诸如，智能手表)等。
虽然上面已经描述了各种示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不背离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
因此，本说明书中公开的实施方式出于说明的目的，并且不对本公开的技术精神进行限制。本公开的范围必须由所附权利要求及其等同限定。

Claims (20)

1.发光器件，包括：
基板；
发光元件，设置在所述基板上，并且所述发光元件在纵向方向上具有第一端和第二端；
第一分隔壁和第二分隔壁，设置在所述基板上，并且所述第一分隔壁和所述第二分隔壁以预定距离彼此间隔开，且所述发光元件插置在所述第一分隔壁和所述第二分隔壁之间；
第一电极和第二电极，所述第一电极在所述第一分隔壁上设置成与所述发光元件的所述第一端相邻，所述第二电极在所述第二分隔壁上设置成与所述发光元件的所述第二端相邻；以及
第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极将所述第一电极与所述发光元件的所述第一端联接，所述第二接触电极将所述第二电极与所述发光元件的所述第二端联接，
其中，当在平面上观察时，所述第一电极与所述第一分隔壁部分地重叠，并且所述第二电极与所述第二分隔壁部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极设置在所述第一分隔壁的侧表面上，并且所述第二电极设置在所述第二分隔壁的侧表面上。
3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：
钝化层，设置在所述第一分隔壁和所述第二分隔壁与所述基板之间；
第一绝缘层，设置在所述钝化层和所述发光元件之间；
第二绝缘层，设置在所述发光元件上，并且将所述发光元件的所述第一端和所述第二端暴露于外部；
第三绝缘层，设置在所述第一接触电极上以覆盖所述第一接触电极；以及
第四绝缘层，设置在所述第二接触电极上以覆盖所述第二接触电极；
其中，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层包括具有与所述第一电极的折射率和所述第二电极的折射率相同的折射率的绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的发光器件，还包括：
第一对准线和第二对准线，设置在所述基板和所述钝化层之间，并且当在所述平面上观察时，所述第一对准线和所述第二对准线在一个方向上延伸，
其中，所述第一对准线电联接到所述第一电极，并且所述第二对准线电联接到所述第二电极。
5.根据权利要求4所述的发光器件，还包括：
第一封装层，设置在所述第一电极和所述第一接触电极之间并且覆盖所述第一电极；以及
第二封装层，设置在所述第二电极和所述第二接触电极之间并且覆盖所述第二电极。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光元件包括：
第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述发光元件包括具有微米级或纳米级的圆柱形形状或具有微米级或纳米级的棱柱形形状的发光二极管。
8.显示设备，包括：
基板，具有显示区域和非显示区域；
像素电路部件，设置在所述基板的所述显示区域中，并且包括至少一个晶体管和设置在所述晶体管上的钝化层；以及
显示元件层，设置在所述钝化层上，并且包括在纵向方向上具有第一端和第二端的至少一个发光元件，
其中，所述显示元件层包括：
第一分隔壁和第二分隔壁，设置在所述钝化层上，并且以预定距离彼此间隔开，且所述发光元件插置在所述第一分隔壁和所述第二分隔壁之间；
第一电极和第二电极，所述第一电极在所述第一分隔壁上设置成与所述发光元件的所述第一端相邻，所述第二电极在所述第二分隔壁上设置成与所述发光元件的所述第二端相邻；以及
第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极将所述第一电极与所述发光元件的所述第一端联接，所述第二接触电极将所述第二电极与所述发光元件的所述第二端联接，
其中，当在平面上观察时，所述第一电极与所述第一分隔壁部分地重叠，并且所述第二电极与所述第二分隔壁部分地重叠。
9.根据权利要求8所述的显示设备，还包括：
第一对准线和第二对准线，设置在所述基板和所述钝化层之间，并且当在所述平面上观察时，所述第一对准线和所述第二对准线在列方向上延伸，
其中，所述第一对准线电联接到所述第一电极，并且所述第二对准线电联接到所述第二电极。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一电极设置在所述第一分隔壁的侧表面上，并且所述第二电极设置在所述第二分隔壁的侧表面上。
11.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
第一绝缘层，设置在所述钝化层和所述发光元件之间；
第二绝缘层，设置在所述发光元件上，并且将所述发光元件的所述第一端和所述第二端暴露于外部；
第三绝缘层，设置在所述第一接触电极上以覆盖所述第一接触电极；以及
第四绝缘层，设置在所述第二接触电极上以覆盖所述第二接触电极；
其中，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层包括具有与所述第一电极的折射率和所述第二电极的折射率相同的折射率的绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的显示设备，还包括：
平坦化层，设置在所述第四绝缘层上，并且具有与所述第四绝缘层的折射率相同的折射率。
13.根据权利要求11所述的显示设备，还包括：
滤色器层，设置在所述第四绝缘层上，并且具有与所述第四绝缘层的折射率相同的折射率。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述滤色器层包括分散在所述滤色器层中的光散射颗粒。
15.根据权利要求13所述的显示设备，还包括：
遮光图案，设置在所述第四绝缘层和所述滤色器层之间，
其中，所述遮光图案包括黑矩阵，并且与所述第一分隔壁和所述第二分隔壁中的每个部分地对应。
16.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述发光元件包括：
第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述发光元件包括具有微米级或纳米级的圆柱形形状或具有微米级或纳米级的棱柱形形状的发光二极管。
18.显示设备，包括：
基板，具有显示区域和非显示区域；
像素电路部件，设置在所述基板的所述显示区域中，并且包括至少一个晶体管和设置在所述晶体管上的钝化层；以及
显示元件层，设置在所述钝化层上，并且包括在纵向方向上具有第一端和第二端的至少一个发光元件，
其中，所述显示元件层包括：
第一分隔壁和第二分隔壁，设置在所述钝化层上，并且以预定距离彼此间隔开，且所述发光元件插置在所述第一分隔壁和所述第二分隔壁之间；
第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述第一分隔壁上，所述第二电极设置在所述第二分隔壁上；
第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极将所述第一电极与所述发光元件的所述第一端联接，所述第二接触电极将所述第二电极与所述发光元件的所述第二端联接；
绝缘层，设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上；
遮光图案，设置在所述绝缘层上；以及
滤色器层，设置在所述遮光图案上，
其中，当在平面上观察时，所述第一电极与所述第一分隔壁完全重叠，并且所述第二电极与所述第二分隔壁完全重叠。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述遮光图案包括黑矩阵，并且覆盖所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分。
20.根据权利要求19所述的显示设备，
其中，所述绝缘层包括具有与所述第一电极的折射率和所述第二电极的折射率相同的折射率的绝缘材料，以及
其中，所述滤色器层具有与所述绝缘层的折射率相同的折射率。
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