CN107629236A - 一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,属于膜制造技术领域,包括厚度为20μm的BOPET基膜以及在基膜两端的有机硅离型层和抗静电涂层;异丙醇比例为20%;抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌机的速度为1000r/min;湿涂布量为2g/㎡;烘干温度为120℃,烘干机速度为10m/min。本发明解决了静电电荷的存在导致产品表面产生灰尘颗粒物的吸附、导致的静电放电会造成电子元器件的损坏、导致火灾、爆炸等灾难性事故等不足,在不增加额外的加工工序以及加工成本的条件下,获得较高抗静电效果,能满足高要求场合的使用。
Description
技术领域
本发明属于膜制造技术领域,涉及一种离型膜制备方法,特别是涉及一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法。
背景技术
随着电子科技的不断发展,人们对电子领域用的离型膜性能要求越来越高,其中非常关键的就是要求其具备抗静电效果。传统的离型膜基材一般使用的是BOPET(双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PE(聚乙烯)等高绝缘性的高分子薄膜材料,离型涂层使用的一般也是绝缘性很强的有机硅类涂层,通常情况下,其表面电阻率可达1012Ω/□,甚至更高。因此,传统离型膜在收放卷和使用过程中特别容易产生和聚集静电电荷。静电电荷的存在对其使用造成很多影响,轻者容易导致产品表面产生灰尘颗粒物的吸附,重者由于静电堆积过多导致的静电放电会造成电子元器件的损坏,更为严重的还可能导致火灾、爆炸等灾难性事故。
目前,要提高离型膜的抗静电效果主要是在其基材表面涂覆一层抗静电涂层,然后在抗静电涂层表面进行离型硅油的涂布,这样做虽然可以提高其抗静电效果,但是由于使用的抗静电涂层多为表面活性剂型的,其抗静电持久性能不佳,而且它们与离型硅油的相容性也不是很好,容易使离型膜的残余粘着率变低,易产生硅油转移或掉硅现象,影响其使用。因此,如何提供一种抗静电效果优异、具有双面抗静电效果、且不影响离型膜残余粘着率的抗静电离型膜具有非常重要的意义。
发明内容
本发明针对本发明为了解决静电电荷的存在导致产品表面产生灰尘颗粒物的吸附、导致的静电放电会造成电子元器件的损坏、导致火灾、爆炸等灾难性事故等不足,提供一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,在不增加额外的加工工序以及加工成本的条件下,获得较高抗静电效果,能满足高要求场合的使用。
本发明的技术方案是:一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,包括厚度为20μm的BOPET 基膜以及在所述基膜两端的有机硅离型层和抗静电涂层;其特征在于,包括如下操作步骤:
(1)将抗静电剂用去离子水和异丙醇的混合溶剂进行搅拌稀释,其中异丙醇的比例为8%,抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌速度为1000 r/min ;
(2)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜正面;
(3)对涂布好的涂层进行第一次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(4)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜反面;
(5)对涂布好的涂层进行第二次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(6)将步骤(3)和(5)中的涂布膜进行表面电阻测试,测试温度为30℃,湿度大于50%,若表面电阻大于100Ω/□,则对其背面进行有机硅油的涂布;
(7)有机硅油涂布的湿涂布量为0.5g/㎡,有机硅油的烘干温度为120℃,烘干机速为10m/min ;
(8)对烘干固化好的双面抗静电离型膜进行收卷,包装。
所述有机硅离型层为加成型有机硅油,离型力为10g/inch;
所述抗静电涂层为聚噻吩及其衍生物、聚苯乙烯磺酸及其衍生物、聚吡咯及其衍生物中的一种或多种混合,其表面电阻为100Ω/ □。
步骤(1)中所述异丙醇比例为20%。
步骤(1)中抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌机的速度为1000r/min。
步骤(7)中湿涂布量为2g/㎡。
步骤(3)中烘干温度为120℃,烘干机速度为10m/min。
本发明的有益效果为:本发明提出的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,制作过程合理清晰,解决了静电电荷的存在导致产品表面产生灰尘颗粒物的吸附、导致的静电放电会造成电子元器件的损坏、导致火灾、爆炸等灾难性事故等不足,在不增加额外的加工工序以及加工成本的条件下,获得较高抗静电效果,能满足高要求场合的使用。
具体实施方式
下面对本发明作进一步说明:
一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,包括厚度为20μm的BOPET 基膜以及在所述基膜两端的有机硅离型层和抗静电涂层;包括如下操作步骤:
(1)将抗静电剂用去离子水和异丙醇的混合溶剂进行搅拌稀释,其中异丙醇的比例为8%,抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌速度为1000 r/min ;
(2)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜正面;
(3)对涂布好的涂层进行第一次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(4)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜反面;
(5)对涂布好的涂层进行第二次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(6)将步骤(3)和(5)中的涂布膜进行表面电阻测试,测试温度为30℃,湿度大于50%,若表面电阻大于100Ω/□,则对其背面进行有机硅油的涂布;
(7)有机硅油涂布的湿涂布量为0.5g/㎡,有机硅油的烘干温度为120℃,烘干机速为10m/min ;
(8)对烘干固化好的双面抗静电离型膜进行收卷,包装。
一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,有机硅离型层为加成型有机硅油,离型力为10g/inch;抗静电涂层为聚噻吩及其衍生物、聚苯乙烯磺酸及其衍生物、聚吡咯及其衍生物中的一种或多种混合,其表面电阻为100Ω/ □;异丙醇比例为20%;抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌机的速度为1000r/min;湿涂布量为2g/㎡;烘干温度为120℃,烘干机速度为10m/min。
本发明解决了静电电荷的存在导致产品表面产生灰尘颗粒物的吸附、导致的静电放电会造成电子元器件的损坏、导致火灾、爆炸等灾难性事故等不足,在不增加额外的加工工序以及加工成本的条件下,获得较高抗静电效果,能满足高要求场合的使用。
Claims (6)
1.一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,包括厚度为20μm的BOPET 基膜以及在所述基膜两端的有机硅离型层和抗静电涂层;其特征在于,包括如下操作步骤:
(1)将抗静电剂用去离子水和异丙醇的混合溶剂进行搅拌稀释,其中异丙醇的比例为8%,抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌速度为1000 r/min ;
(2)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜正面;
(3)对涂布好的涂层进行第一次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(4)将混合稀释好的抗静电液均匀涂布于经过电加热处理的BOPET 薄膜反面;
(5)对涂布好的涂层进行第二次电加热烘干和风干,电加热烘干温度为120℃,电加热托辊旋转转速为10 m/min;
(6)将步骤(3)和(5)中的涂布膜进行表面电阻测试,测试温度为30℃,湿度大于50%,若表面电阻大于100Ω/□,则对其背面进行有机硅油的涂布;
(7)有机硅油涂布的湿涂布量为0.5g/㎡,有机硅油的烘干温度为120℃,烘干机速为10m/min ;
(8)对烘干固化好的双面抗静电离型膜进行收卷,包装。
2.根据权利要求1所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:所述有机硅离型层为加成型有机硅油,离型力为10g/inch;
根据权利要求1所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:所述抗静电涂层为聚噻吩及其衍生物、聚苯乙烯磺酸及其衍生物、聚吡咯及其衍生物中的一种或多种混合,其表面电阻为100Ω/ □。
3.根据权利要求1所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述异丙醇比例为20%。
4.根据权利要求1所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:步骤(1)中抗静电剂与混合稀释溶剂的比例为1:2.5,搅拌机的速度为1000r/min。
5.根据权利要求1所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:步骤(7)中湿涂布量为2g/㎡。
6.根据权利要求1 所述的一种双面超薄防静电有机硅离型膜制备方法,其特征在于:步骤(3)中烘干温度为120℃,烘干机速度为10m/min。
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2016
- 2016-07-19 CN CN201610567867.4A patent/CN107629236A/zh active Pending
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