CN107627468A - 检查方法 - Google Patents

检查方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107627468A
CN107627468A CN201710573935.2A CN201710573935A CN107627468A CN 107627468 A CN107627468 A CN 107627468A CN 201710573935 A CN201710573935 A CN 201710573935A CN 107627468 A CN107627468 A CN 107627468A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mark
chuck table
shooting
machining cell
environment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710573935.2A
Other languages
English (en)
Inventor
吉原弘行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN107627468A publication Critical patent/CN107627468A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626Energy control of the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2881Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to environmental aspects other than temperature, e.g. humidity or vibrations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种检查方法,对加工装置从设置环境受到的影响进行检查,该检查方法具有:标记设定步骤,对用于确定该卡盘工作台与该加工单元的相对位置关系的标记进行设定;拍摄步骤,在使该移动构件停止的状态下利用拍摄单元对该标记进行多次拍摄;以及判定步骤,根据通过该拍摄步骤得到的拍摄图像对该标记的位置进行检测,判定该加工装置有无从设置环境受到的影响,在该判定步骤中,在该标记的位置的变化量小于阈值的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置没有从该环境受到影响,在该标记的位置的变化量为阈值以上的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置从该环境受到影响。

Description

检查方法
技术领域
本发明涉及对加工装置从设置环境受到的影响进行检查的检查方法。
背景技术
在器件芯片的制造工艺中,在由硅或化合物半导体构成的晶片的正面设定被称为间隔道的格子状的分割预定线,在由分割预定线划分的各区域中形成IC、LSI等器件。这些晶片沿着分割预定线进行分割而制造各个器件芯片。
在对上述那样的晶片进行分割时,使用切削装置、激光加工装置等加工装置。另外,也在对封装基板、陶瓷基板、玻璃基板等被加工物进行分割时使用这些加工装置。
近年来,器件芯片的微细化的趋势显著,与其相伴加工装置的加工精度中所要求的水准也不断提高。为了实现高精度的加工,需要以高精度对这些加工装置所具有的加工单元(切削刀具、激光束等)进行控制。
另一方面,设置加工装置的工厂等的设置面(地板面)大多情况下是呈格子状组装的钢材(钢格板)或隆起的面。当在这样的面上设置加工装置时,担心振动等从其他装置或设备传来,而对加工单元的控制产生一些影响。因此,为了缓和该影响,寻求各种对策。
作为一例,专利文献1中公开了关于不使设置面的振动传播到装置的免振固定件的技术。通过利用该免振固定件对加工装置进行支承,能够缓和来自设置环境的振动的影响,能够稳定地实施加工。
但是,即使在利用这样的免振固定器具对加工装置进行支承的情况下,也有时在加工结果上产生偏差。并且,通常难以判别该偏差是由于未彻底缓和环境所导致的影响而产生的、还是其他原因所导致的。对于未判明原因的问题进一步研究对策等并不容易。
另外,有时加工装置本身所产生的振动也会给加工结果带来偏差。例如,在使切削刀具高速旋转、或者使卡盘工作台高速移动时所产生的振动有时会使加工结果产生偏差。专利文献2中公开了下述技术:在切削刀具或卡盘工作台上附加可变的重物,从而使该振动的频率相对于从外部传来的振动的频率错开,从而降低它们的共振所导致的影响。
专利文献1:日本特开2013-44421号公报
专利文献2:日本特开2014-11267号公报
原理上若卡盘工作台与加工单元的相对位置关系维持恒定、不发生相对振动等,则加工装置的设置环境等不会给加工结果带来影响。但是,为了对其进行确认,需要在该加工装置上实际安装激光测量器等来对卡盘工作台与加工单元的相对位置关系进行验证。
但是,当将用于该验证的器具安装在加工装置时,花费成本。另外,根据加工装置的结构,有时无法充分确保用于安装该器具的空间,导致无法安装该器具。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的,其目的在于提供如下的检查方法:不安装新的测量装置就能够对卡盘工作台与加工单元的相对位置关系进行评价,从而能够对加工装置从设置环境受到的影响进行检查。
根据本发明的一个方式,提供一种检查方法,对加工装置从设置环境受到的影响进行检查,所述加工装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;加工单元,其对保持于该卡盘工作台的被加工物进行加工;移动构件,其使该卡盘工作台与该加工单元相对移动;以及拍摄单元,其固定于该加工单元,对保持于该卡盘工作台的被加工物进行拍摄,该检查方法的特征在于,具有下述的步骤:标记设定步骤,对用于确定该卡盘工作台与该加工单元的相对位置关系的标记进行设定;拍摄步骤,在使该移动构件停止的状态下利用拍摄单元对该标记进行多次拍摄;以及判定步骤,根据通过该拍摄步骤得到的拍摄图像对该标记的位置进行检测,判定该加工装置有无从设置环境受到的影响,在该判定步骤中,在该标记的位置的变化量小于阈值的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置没有从该环境受到影响,在该标记的位置的变化量为阈值以上的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置从该环境受到影响。
另外,在本发明的一个方式的检查方法中,也可以是,在该拍摄步骤中,对该拍摄单元与该卡盘工作台之间的距离进行设定以使拍摄单元的焦点与该标记一致,然后开始拍摄。另外,也可以是,该标记设定在该卡盘工作台或该卡盘工作台所保持的被保持物上。
在本发明的一个方式的检查方法中,使用加工单元相对于卡盘工作台的定位等中所使用的拍摄单元来检查加工装置有无从环境受到的影响。该拍摄单元原本是在加工单元对被加工物进行加工时用于对加工位置等进行确认并将加工单元定位于规定的位置。在本发明的检查方法中,将该拍摄单元用于该检查,因此无需为了进行该检查而在该加工装置上设置新的测量装置等。
该拍摄单元固定于加工单元,因此在加工单元发生振动等的情况下,该拍摄单元也同样地进行振动等。利用该拍摄单元对该加工装置的卡盘工作台的位置进行确定,因此当对标记进行多次拍摄时,能够对该加工单元与该卡盘工作台的相对位置的变化进行检测。并且,当在使该加工单元与该卡盘工作台停止的状态下进行检查时,能够判定外部的环境等是否会给两者的位置关系带来影响。
当使用拍摄单元所拍摄的拍摄图像对该影响进行检查时,能够向装置的使用者或管理者等提供客观的检查结果。若确认到外部的环境等给两者的位置关系带来影响,则能够研究针对该影响的对策。另外,若确认到外部的环境等未给两者的位置关系带来影响,则能够寻求除了外部的环境以外的该偏差的原因。
因此,根据本发明,提供如下的检查方法,不安装新的测量装置就能够对卡盘工作台与加工单元的位置关系的变化进行评价,从而能够对加工装置从设置环境受到的影响进行检查。
附图说明
图1是示意性示出加工装置的一例的立体图。
图2的(A)是示意性示出在卡盘工作台上设定标记的情况下的一例的立体图,图2的(B)是示意性示出在卡盘工作台的被保持物(检查体)上设定标记的情况下的一例的立体图。
图3是对检查时的拍摄单元与检查体的位置关系进行示意性说明的图。
图4的(A)是示意性示出拍摄图像的一例的图,图4的(B)是示意性示出卡盘工作台与加工单元的相对位置关系存在变动的情况下的拍摄图像的一例的图。
标号说明
1:晶片;3:分割预定线;5:器件;7:框架;9:带;11:标记;11a:基准的位置;13:检查体;15:拍摄图像;2:加工装置;4:基台;4a:开口;6:X轴移动工作台;8:防尘防滴罩;10:卡盘工作台;10a:保持面;10b:夹具;12:突出部;14:加工单元;16:支承构造;18:加工单元移动机构;20:Y轴导轨;22:Y轴移动板;24:Y轴滚珠丝杠;26:Z轴导轨;28:Z轴移动板;30:Z轴滚珠丝杠;32:Z轴脉冲电动机;34:拍摄单元(相机);36:切削刀具;38:清洗单元;38a:旋转工作台;38b:喷射喷嘴;40:盒升降机;42:盒。
具体实施方式
对本发明的实施方式进行说明。首先,对实施本实施方式的检查方法的加工装置进行说明。图1是示意性示出作为该加工装置的一例的切削装置的立体图。该加工装置例如设置在器件芯片的制造工厂等。有时该工厂中的加工装置的设置面(地板面)为呈格子状组装的钢材(钢格板)或隆起的面,当在这样的面上设置加工装置时,担心从其他装置或设备传来的振动等所导致的影响。
对该加工装置的结构要素进行说明。如图1所示,加工装置2具有基台4,其对各结构要素进行支承。在基台4的上表面沿X轴方向(加工进给方向)形成有长矩形形状的开口4a。
在该开口4a内设置有X轴移动工作台6、使该X轴移动工作台6在X轴方向上移动的X轴移动机构(移动构件)(未图示)以及对X轴移动机构进行覆盖的防尘防滴罩8。该X轴移动机构具有与X轴方向平行的一对X轴导轨(未图示),X轴移动工作台6以能够滑动的方式安装在X轴导轨上。
在X轴移动工作台6的下表面侧设置有螺母部(未图示),在该螺母部上螺合有与X轴导轨平行的X轴滚珠丝杠(未图示)。在X轴滚珠丝杠的一端部连结有X轴脉冲电动机(未图示)。当利用X轴脉冲电动机使X轴滚珠丝杠旋转时,移动工作台6沿着X轴导轨在X轴方向上移动。
在X轴移动工作台6上设置有用于对晶片1进行吸引、保持的卡盘工作台10。卡盘工作台10与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,绕与Z轴方向(铅垂方向)大致平行的旋转轴旋转。另外,卡盘工作台10利用上述的X轴移动机构在X轴方向上进行加工进给。
卡盘工作台10的正面(上表面)成为对晶片1进行吸引、保持的保持面10a。该保持面10a通过形成于卡盘工作台10的内部的流路(未图示)与吸引源(未图示)连接。在卡盘工作台10的周围设置有夹具10b,其用于固定对晶片1进行支承的环状的框架。
另外,如图1所示,晶片1可以粘贴在保持于环状的框架7的带9上,与框架7一体地进行操作。当使用该框架7和带9对晶片1进行操作时,能够保护晶片1而免受搬送晶片1时所产生的冲击等。另外,当对该带9进行扩展时,能够将晶片1分割成多个器件芯片。
在远离支承构造16的基台4的角部设置有从基板4向侧方突出的突出部12。在突出部12的内部形成空间,在该空间中设置有能够升降的盒升降机40。在盒升降机40的上表面载置着能够收纳多个晶片1的盒42。
在接近开口4a的位置设置有搬送单元(未图示),其将上述的晶片1搬送至卡盘工作台10。利用搬送单元从盒42拉出的晶片1(环状的框架)被载置于卡盘工作台10的保持面10a上。
在基台4的上表面以向开口4a的上方突出的方式配置有支承构造16,其对加工晶片1的加工单元14进行支承。在支承构造16的前表面上部设置有使加工单元14在Y轴方向(分度进给方向)和Z轴方向移动的加工单元移动机构(移动构件)18。
加工单元移动机构18具有一对Y轴导轨20,该一对Y轴导轨20配置在支承构造16的前表面上,与Y轴方向平行。在Y轴导轨20上以能够滑动的方式安装有构成加工单元移动机构18的Y轴移动板22。在Y轴移动板22的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部上螺合有与Y轴导轨20平行的Y轴滚珠丝杠24。
在Y轴滚珠丝杠24的一端部连结有Y轴脉冲电动机(未图示)。当利用Y轴脉冲电动机使Y轴滚珠丝杠24旋转时,Y轴移动板22沿着Y轴导轨20在Y轴方向上移动。在Y轴移动板22的正面(前表面)设置有与Z轴方向平行的一对Z轴导轨26。在Z轴导轨26上以能够滑动的方式安装有Z轴移动板28。
在Z轴移动板28的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部上螺合有与Z轴导轨26平行的Z轴滚珠丝杠30。在Z轴滚珠丝杠30的一端部连结有Z轴脉冲电动机32。若利用Z轴脉冲电动机32使Z轴滚珠丝杠30旋转,则Z轴移动板28沿着Z轴导轨26在Z轴方向上移动。
在Z轴移动板28的下部设置有对晶片1进行加工的加工单元14。另外,在加工单元14上固定有用于对晶片1的正面进行拍摄的拍摄单元(相机)34。若利用加工单元移动机构18使Y轴移动板22在Y轴方向上移动,则加工单元14和拍摄单元34进行分度进给,若使Z轴移动板28在Z轴方向上移动,则加工单元14和拍摄单元34进行升降。
加工单元14的一例是具有切削刀具的切削单元。该情况下,加工单元14例如具有圆环状的切削刀具36,该切削刀具36安装在构成与Y轴方向平行的旋转轴的主轴(未图示)的一端侧。在主轴的另一端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示),使安装在主轴上的切削刀具36旋转。
当在使Z轴移动板28移动而将切削刀具36下降到规定的高度、并使切削刀具36旋转的状态下使X轴移动机构进行动作而对卡盘工作台10进行加工进给时,切削刀具36进行切削。
另外,加工单元14可以是照射激光束的激光加工单元。该情况下例如该加工单元14具有激光振荡器和加工头,该激光振荡器所振荡出的激光束通过该加工头而照射至卡盘工作台10上的晶片1。当一边调整光学系统使激光束照射至该规定的深度一边使X轴移动机构(移动构件)进行动作而对卡盘工作台10进行加工进给时,进行激光加工。
拍摄单元(相机)34对保持于卡盘工作台10的晶片1的正面进行拍摄。在为了对规定的部位进行加工而对加工单元14进行定位时使用所得到的拍摄图像。另外,在本实施方式的检查方法中,如后所述,在对设定在卡盘工作台10或晶片1等的标记进行拍摄来判定有无外部的环境所导致的影响时使用该拍摄单元34。另外,在拍摄单元34中例如使用CCD相机、CMOS传感器等。
加工后的晶片1例如通过搬送机构(未图示)从卡盘工作台10搬送至清洗单元38。清洗单元38在筒状的清洗空间内具有对晶片1进行吸引、保持的旋转工作台38a。在旋转工作台38a的下部连结有使旋转工作台38a以规定的速度旋转的旋转驱动源(未图示)。
在旋转工作台38a的上方配置有朝向晶片1喷射清洗用的流体(典型的是将水和空气混合而得到的二流体)的喷射喷嘴38b。当使保持晶片1的旋转工作台38a旋转并从喷射喷嘴38b喷射清洗用的流体时,能够对晶片1进行清洗。利用清洗单元38进行了清洗的晶片1例如利用搬送机构(未图示)收纳于盒42中。
接着,对本实施方式的检查方法进行说明。在该检查方法中,首先,实施标记设定步骤,对用于确定卡盘工作台10与加工单元14的相对位置关系的标记进行设定。接着,进行拍摄步骤,在使移动构件(X轴移动机构、加工单元移动机构以及Z轴脉冲电动机)停止的状态下利用拍摄单元34对该标记进行多次拍摄。然后,实施判定步骤,根据该拍摄步骤中所得到的拍摄图像对该标记的位置进行检测,判定该加工装置2有无从设置环境受到的影响。
另外,在该判定步骤中,在该标记的位置的变化量小于阈值的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置没有从该环境受到影响。另外,在该标记的位置的变化量为阈值以上的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置从该环境受到影响。
以下,对本实施方式的检查方法的各步骤进行详细的说明。首先,对标记设定步骤进行说明。该标记用于确定卡盘工作台10与加工单元14的相对位置关系。该关系的变化在拍摄单元34所拍摄的范围内表现为该标记的位置的变化。在后述的拍摄步骤中,对该标记进行拍摄。
该标记设定在卡盘工作台10或保持于该卡盘工作台10的被保持物上。在标记设定在该被保持物上的情况下,该被保持物可以是利用该加工装置2进行加工的晶片1,也可以是为了实施该检查方法而模仿晶片1进行制作的专用的检查体。
例如可以将形成在卡盘工作台10或被保持物上的构造、图案等设定为标记。另外,可以在卡盘工作台10或被保持物上设置构造物等并在该构造物上设定标记。在对设定标记的被保持物(检查体)使用作为被加工物的晶片1的情况下,例如通过将形成在晶片1上的器件5的电路图案等设定为标记,而无需设置新的构造物等。
使用图2对标记的一例进行说明。图2的(A)是示意性示出形成在卡盘工作台10的外周部的标记11的立体图。标记11如拍摄单元34所拍摄的那样形成在卡盘工作台10的上表面。该标记利用拍摄单元34能够拍摄的材料形成即可,例如使用金属、遮光性树脂等形成。另外,可以利用遮光性的墨、激光标记等绘制而形成。
另外,优选该标记的形状是容易捕捉卡盘工作台10与加工单元14的相对位置的变化的形状。例如可以是如图2的(A)所示那样的十字型,也可以是并列形成有彼此平行的多条直线的刻度型。
另外,图2的(B)是示意性示出将形成在作为加工装置2的被加工物的晶片1上的图案设定为标记11的情况下的例子的立体图。如图2的(B)所示,在晶片1的正面上,在由呈格子状排列的分割预定线3划分而成的多个区域中形成有IC等器件5。晶片1最终沿着分割预定线3被切断等而分割为各个器件芯片。
晶片1例如隔着带9而载置于卡盘工作台10的保持面10a上。并且,框架7由加工装置2的夹具10b进行把持,从卡盘工作台10作用负压而将晶片1保持在卡盘工作台10上。例如当受到外部的环境影响而使卡盘工作台10与加工单元14的相对位置关系发生变动时,作为被加工物的晶片1与加工单元14的相对位置也发生变动,因此加工单元14所进行的加工受到该变动的影响。
当在晶片1上设定标记11的情况下,晶片1成为作为检查的对象的检查体。例如在形成有器件5的区域或该区域的附近形成图案,将该图案设定为标记11。标记11的位置越是在加工装置2中的实际的加工部位的附近,越能够准确地把握外部的环境给加工带来的影响。
被设定为该标记11的图案可以使用构成器件5的金属膜、绝缘膜等中所用的材料形成。当使用构成器件5的膜的材料时,在形成器件5的过程中能够形成标记11而无需增加其他工序。
另外,即使不形成仅为了设定为标记11而使用的图案,也可以将构成器件5的布线等图案设定为标记11。该情况下,本实施方式的检查方法可以不在加工单元14、卡盘工作台10以及晶片1上新设置特别的结构而实施。
另外,也可以是,仅为了实施该检查而制作模仿晶片1的专用的检查体,将该检查体吸引保持于卡盘工作台10上,在该检查体上设定标记11而实施该检查。专用的检查体不实施加工,不会发生损耗,因此能够在多次该检查中重复使用该检查体。于是,例如每次进行加工装置2的维修时都能够以相同的条件实施检查,能够对多次检查结果进行比较,因此能够准确地把握外部的环境所导致的影响的变化。
接着,对本实施方式的检查方法中的拍摄步骤进行说明。图3是对拍摄时的加工单元、卡盘工作台以及标记等的关系进行说明的示意图。图3中示出拍摄单元34对设定在检查体13(晶片1或专用的检查体)上的标记11进行拍摄的例子。
在该拍摄步骤中,首先使加工单元14和卡盘工作台10移动,以便加工单元14所具有的拍摄单元(相机)34能够对标记11进行拍摄。然后,对拍摄单元34与卡盘工作台10之间的距离进行设定以使拍摄单元34的聚焦(焦点)与该标记11一致。
在使拍摄单元34移动到对标记11进行拍摄的位置之后,使加工单元14和卡盘工作台10相对停止。即,成为下述状态:使移动构件(X轴移动机构、加工单元移动机构以及Z轴脉冲电动机)停止,尽可能不产生加工装置2所导致的振动。然后,利用拍摄单元34开始拍摄。
加工装置2设置于器件芯片的制造工厂的无尘室等中,在该工厂的无尘室的内外例如配置有用于确保空气的清洁度的清洁装置、对温度和湿度进行管理的空调设备、与各种装置连接的排气装置等。另外,通常在无尘室内配置多个其他加工装置等。
并且,有时该工厂中的该加工装置的设置面(地板面)为呈格子状组装的钢材(钢格板)或隆起的面。当在这样的面上设置加工装置时,担心从其他装置或设备传来的振动等所导致的影响。
担心给加工带来影响的外部的环境中主要因素是产生自其他装置或设备的振动。为了对该振动所导致的影响进行评价,需要进行多次拍摄,但由于该振动等是恒定的,因此即使不始终持续拍摄,也能够充分地评价外部的环境所导致的影响。
图4的(A)中示出了拍摄单元34所拍摄的拍摄图像的一例。如图4的(A)所示,在拍摄图像15上映入标记11。
在拍摄步骤中,得到多个拍摄图像15。在后述的判定步骤中,当读取分别在该多个拍摄图像15上映入的标记11的位置并对这些位置进行比较时,能够导出位置的变化量,并对该变化量进行评价。
另外,对多个拍摄图像15进行比较而能够进行评价的不仅仅是与卡盘工作台10的保持面10a平行的面内的位置的变化量。当在多个拍摄图像15中对映入拍摄图像15的标记11的轮廓的清晰度(模糊情况)进行比较时,能够对有无与该保持面10a垂直的方向上的位置的变化进行评价。
另外,拍摄单元34可以对静止图像进行拍摄,也可以对动态图像进行拍摄。在拍摄单元34对静止图像进行拍摄的情况下,使用所拍摄的多个拍摄图像对标记11的位置的变化量进行评价。另外,在拍摄单元34对动态图像进行拍摄的情况下,由该动态图像制作多个拍摄图像,使用该多个拍摄图像对标记11的位置的变化量进行评价。
接着,对本实施方式的检查方法的判定步骤进行说明。在该判定步骤中,根据上述的拍摄步骤中所得到的拍摄图像对标记11的位置进行检测,判定该加工装置有无从环境受到影响。
在判定步骤中,首先,读取拍摄步骤中所得到的映入拍摄图像15的标记11的位置。例如在多个拍摄图像15中读取标记11的位置,对所得到的多个位置进行比较而能够导出位置的变化量。
关于导出标记11的位置的变化量的过程,使用图4的(A)和图4的(B)进行说明。图4的(A)是拍摄图像的一例,图4的(B)是在与对图4的(A)的拍摄图像进行拍摄的时间不同的时间所拍摄的拍摄图像的一例。
例如,将映入图4的(A)的标记11的位置作为基准的位置,对映入图4的(B)的标记11的位置进行评价。图4的(B)中示出标记11的基准的位置11a。该基准的位置11a是图的4(A)所示的拍摄图像15中的标记11的位置。
当利用图4的(B)对标记11的位置与基准的位置11a进行比较时,可确认X轴方向(加工进给方向)上的位置的变化。另外,在Y轴方向(分度进给方向)上,未发现位置的变化。另外,两个拍摄图像中标记11的轮廓同程度地清晰,因此也未发现Z轴方向的位置的变化。这样,当对多个拍摄图像进行比较时,能够导出标记11的位置的变化量。
接着,对标记11的位置的变化量进行评价。有时加工装置2中的卡盘工作台10与加工单元14的位置关系未受到外部的环境的影响而发生变化。若无法适当地区分外部的环境所导致的变化和非外部的环境所导致的变化,则无法准确地对外部的环境所导致的影响进行评价。
因此,根据非外部的环境所导致的标记11的变化,预先确定阈值。并且,若标记11的位置的变化量小于该阈值,则判定为外部的环境不影响卡盘工作台10与加工单元14的相对位置,若该变化量为该阈值以上,则判定为外部的环境影响该相对位置。
但是,该阈值也可以不根据非外部的环境所导致的标记11的变化而设定。例如在希望包含加工装置2的内部的原因在内而进行评价并提出对策的情况下,可以将阈值设定为更小的值。另外,也可以将被认为是小到对加工结果的影响所允许的变化量、或几乎没有的变化量作为阈值。
这样,当使用多个拍摄图像15对标记11的变化量进行评价时,能够客观地对加工装置2的外部的环境进行评价。并且,例如当在加工装置2所进行的加工中发现偏差时理解成不存在外部的环境所导致的影响,则能够排除外部的环境而对该偏差的产生原因进行研究。另外,例如若得到存在外部的环境所导致的影响的结果,则能够研究对策以缓和外部的环境所导致的影响。
如以上说明,根据本实施方式的检查方法,不在加工装置上安装新的测量装置等就能够对卡盘工作台与加工单元的位置关系进行确认,从而能够对加工装置从设置环境受到的影响进行检查。
另外,本发明不限于上述实施方式的记载,可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中,在判定步骤中,对于下述情况进行了说明:对两个映入拍摄图像15的标记11的位置进行比较而导出标记11的变化量。但是,判定步骤中的标记11的变化量的导出方法不限于此。
例如,在从多个拍摄图像15读取标记11的位置时,在与卡盘工作台10的保持面10a平行的面内确定临时的原点,将映入各拍摄图像15的标记11的位置标示在以该临时原点为基准的临时坐标系中。然后,求出该临时的坐标系中所标示的标记11的位置的平均值,新设定以该平均的位置为原点的坐标系而重新标示各标记11的位置。于是,能够对该坐标系中所标示的多个点进行统计学处理。
例如,可以导出该坐标系中所标示的多个点中距原点最远的点作为标记11的位置的变化量。另外,可以导出利用对多个点的统计处理而求出的标准偏差作为标记11的位置的变化量。
另外,对于标记11的位置的变化,可以利用以时间为轴的图表来表达。在外部的环境所导致的振动反映在该图表中的情况下,该图表有时成为使具有特定的周期的振动重合而得的波形。
该情况下,若对该图表进行解析而得到各振动的频率,则容易确定振动的产生源。例如,如果对该图表进行解析而得到的一个振动的频率和从与加工装置2相邻的其他装置连接的真空泵产生的振动的频率一致,则能够确定该真空泵为振动的产生源。
除此之外,上述实施方式的构造、方法等只要在不脱离本发明的目的的范围内,则可以适当变更并实施。

Claims (3)

1.一种检查方法,对加工装置从设置环境受到的影响进行检查,所述加工装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;加工单元,其对保持于该卡盘工作台的被加工物进行加工;移动构件,其使该卡盘工作台与该加工单元相对移动;以及拍摄单元,其固定于该加工单元,对保持于该卡盘工作台的被加工物进行拍摄,该检查方法的特征在于,具有下述的步骤:
标记设定步骤,对用于确定该卡盘工作台与该加工单元的相对位置关系的标记进行设定;
拍摄步骤,在使该移动构件停止的状态下利用拍摄单元对该标记进行多次拍摄;以及
判定步骤,根据通过该拍摄步骤得到的拍摄图像对该标记的位置进行检测,判定该加工装置有无从设置环境受到影响,
在该判定步骤中,
在该标记的位置的变化量小于阈值的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置没有从该环境受到影响,
在该标记的位置的变化量为阈值以上的情况下,判定为该卡盘工作台与该加工单元的相对位置从该环境受到影响。
2.根据权利要求1所述的检查方法,其特征在于,
在该拍摄步骤中,对该拍摄单元与该卡盘工作台之间的距离进行设定以使拍摄单元的焦点与该标记一致,然后开始拍摄。
3.根据权利要求1或2所述的检查方法,其特征在于,
该标记设定在该卡盘工作台或该卡盘工作台所保持的被保持物上。
CN201710573935.2A 2016-07-19 2017-07-14 检查方法 Pending CN107627468A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016141331A JP2018013342A (ja) 2016-07-19 2016-07-19 検査方法
JP2016-141331 2016-07-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107627468A true CN107627468A (zh) 2018-01-26

Family

ID=60989579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710573935.2A Pending CN107627468A (zh) 2016-07-19 2017-07-14 检查方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10643909B2 (zh)
JP (1) JP2018013342A (zh)
KR (1) KR20180009708A (zh)
CN (1) CN107627468A (zh)
MY (1) MY181951A (zh)
SG (1) SG10201705359WA (zh)
TW (1) TW201812246A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7145643B2 (ja) * 2018-05-17 2022-10-03 株式会社ディスコ 検査治具及び検査方法
CN111180350B (zh) * 2018-11-12 2022-05-17 长鑫存储技术有限公司 半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质
JP7286456B2 (ja) * 2019-07-19 2023-06-05 株式会社ディスコ 加工装置の制御方法
CN111010764B (zh) * 2019-12-25 2021-10-08 深圳市美斯特光电技术有限公司 具备光控和调光的多个led电源并联的控制装置及方法
JP7353190B2 (ja) * 2020-01-10 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 載置台における異物の検出方法、及び、検出装置
CN111515864B (zh) * 2020-04-30 2022-04-05 华虹半导体(无锡)有限公司 金刚石盘的监控方法及系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274027A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp ステージ装置の特性計測方法及び該方法を使用する露光装置
JP2010091517A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Soka Univ 位置計測装置
WO2012042715A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 検査装置
CN102528289A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 株式会社迪思科 激光加工装置
CN104625396A (zh) * 2013-11-12 2015-05-20 株式会社片冈制作所 激光加工机
US20150346611A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
US9507277B2 (en) * 2010-07-30 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2013044421A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Disco Corp 免震支持構造
JP6063656B2 (ja) 2012-06-28 2017-01-18 株式会社ディスコ 切削装置のチャックテーブル機構
JP6515819B2 (ja) * 2016-01-08 2019-05-22 三菱電機株式会社 評価装置、プローブ位置の検査方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274027A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp ステージ装置の特性計測方法及び該方法を使用する露光装置
JP2010091517A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Soka Univ 位置計測装置
WO2012042715A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 検査装置
CN102528289A (zh) * 2010-11-04 2012-07-04 株式会社迪思科 激光加工装置
CN104625396A (zh) * 2013-11-12 2015-05-20 株式会社片冈制作所 激光加工机
US20150346611A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
MY181951A (en) 2021-01-15
SG10201705359WA (en) 2018-02-27
US20180025953A1 (en) 2018-01-25
KR20180009708A (ko) 2018-01-29
US10643909B2 (en) 2020-05-05
TW201812246A (zh) 2018-04-01
JP2018013342A (ja) 2018-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107627468A (zh) 检查方法
KR102275113B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102238572B1 (ko) 디바이스의 제조 방법 및 연삭 장치
TWI677039B (zh) 晶圓的加工方法
JP6250329B2 (ja) 加工装置
CN103358026B (zh) 激光加工方法及激光加工装置
JP4648056B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US20180076060A1 (en) Wafer perforating device
CN103033130B (zh) 激光加工装置的聚光光斑位置检测方法
CN108568593A (zh) 激光加工装置
CN104867842B (zh) 加工装置的晶片中心检测方法
CN103659002B (zh) 加工装置
CN107919310A (zh) 加工装置
CN109382591B (zh) 激光加工方法
KR20180119124A (ko) 레이저 가공 방법
JP5717575B2 (ja) 切削ブレードの外径サイズ検出方法
CN106920775A (zh) 晶片的加工方法
CN110504191A (zh) 检查治具和检查方法
JP6345928B2 (ja) 検出装置
CN108927705A (zh) 切削装置的切削刀具检测机构
CN110010446A (zh) 加工方法
JP2011181623A (ja) 板状物の加工方法
JP6046535B2 (ja) 半導体ウエハマッピング方法及び半導体ウエハのレーザ加工方法
JP2014033122A (ja) 被加工物の加工方法
CN106493470A (zh) 激光加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180126

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication