CN111180350B - 半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质 - Google Patents

半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请公开一种半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质。该控制方法包括：分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；根据多个量测值与目标值，确定批次控制中EWMA控制器的加权因子；根据加权因子，确定当前周期的建议生产参数值；以及将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。该控制方法能够提高生产建议参数的稳定度，提升量测值逼近目标值的能力。

Description

半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质
技术领域
本发明涉及半导体制程控制技术，具体而言，涉及一种基于批次控制的半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质。
背景技术
批次控制(Run-to-run控制或简记为R2R控制)，又称为批对批控制，是反馈控制的一种。Run-to-Run(RtR,R2R)控制是一种针对间歇过程的优化控制方法，其根据历史批次信息的反馈评估与分析，更新过程模型并调整制程方案，从而降低批次间的产品差异。
随着半导体制造技术的进步，半导体产品集成度和制造产能的提高，使得半导体制造工艺变得越来越复杂，对半导体制造装备及其控制性能的要求越来越来越高。随着半导体产品特征尺寸的不断降低，批次控制被广泛应用到实际生产过程中，具有降低次品率、延长设备的使用周期和提升设备总体效能的功用。在半导体制造过程中，批次控制的应用范围遍布整体的生产线，其主要计算逻辑是应用[t-1]时间的生产线的后制程量测结果反馈(Feedback)，搭配指数权重移动平均法(EWMA)以预测[t]时间的生产线量测结果，再推算其结果以及期望目标值(Process Target)的差距，反向推算适当的建议生产参数值(Recommend Parameter)，完成量测结果接近目标值的期望。
目前，在半导体工艺制程的应用中，批次控制技术采用的EWMA的权值设定是基于技术人员的经验而讨论确定出来的一个固定值，因此无法因应变化剧烈的生产状况，例如机台预防保养(Preventive Maintenance，PM)或者机台关键零部件更换之后。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明提供一种基于批次控制的半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质，能够提高生产建议参数的稳定度，提升量测值逼近目标值的能力。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一方面，提供一种基于批次控制的半导体制程控制方法，包括：分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；根据多个量测值与目标值，确定批次控制中EWMA控制器的加权因子；根据加权因子，确定当前周期的建议生产参数值；以及将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
根据本发明的一实施方式，多个历史参考周期根据半导体制程被选取，半导体制程至少包括薄膜生长或沉积、干法或湿法刻蚀、化学机械研磨工艺制程中的一种。
根据本发明的一实施方式，根据多个量测值与目标值，确定批次控制中EWMA控制器的加权因子包括：分别确定多个量测值与目标值之间的、对应多个历史参考周期的多个差异值；以及根据多个差异值，确定加权因子。
根据本发明的一实施方式，根据加权因子，确定当前周期的建议生产参数值包括：分别根据多个量测值与目标值，确定对应多个历史参考周期的多个建议生产参数值；以及根据加权因子及多个建议生产参数值，确定当前周期的建议生产参数值。
根据本发明的一实施方式，根据多个差异值，确定加权因子包括：根据下述公式确定加权因子W1～Wn：
A1＝MET(T-t1)-TARGET，
A2＝MET(T-t2)-TARGET，
…
An＝MET(T-tn)-TARGET，
W1＝A1/(A1+A2+...+An)，
W2＝A2/(A1+A2+...+An)，
…
Wn＝An/(A1+A2+...+An)，
W1+W2+...+Wn＝1；
确定对应多个历史参考周期的多个建议生产参数值包括：根据下述公式，确定多个历史参考周期的多个建议生产参数值：
RECOMMEND(T-x)＝[MET(T-x)-TARGET-b]/a；
根据加权因子及多个建议生产参数值，确定当前周期的建议生产参数值包括：根据下述公式，确定当前周期的建议生产参数值：
RECOMMEND(T)＝W1*RECOMMEND(T-t1)
+W2*RECOMMEND(T-t2)+...+Wn*RECOMMEND(T-tn)；
其中，MET(T-t1)、MET(T-t2)、……、MET(T-tn)及MET(T-x)分别为第T-t1、T-t2、……、T-tn及T-x个历史参考周期的量测值，TARGET为目标值，W1～Wn为加权因子，RECOMMEND(T)为当前周期的建议生产参数值，RECOMMEND(T-t1)、RECOMMEND(T-t2)、……、RECOMMEND(T-tn)及RECOMMEND(T-x)分别为第T-t1、T-t2、……、T-tn及T-x个历史参考周期的建议生产参数值，a和b分别为给定的参数，t1、t2、……、tnx为正整数。
根据本发明的一实施方式，将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程包括：确定当前周期的建议生产参数是否满足一预设规格；如果当前周期的建议生产参数值满足预设规格，则将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程；以及如果当前周期的建议生产参数值不满足预设规格时，则将当前周期的建议生产参数值设置为一预设的固定值，并当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
根据本发明的一实施方式，量测值包括：薄膜厚度的量测值或刻蚀深度的量测值。
根据本发明的另一方面，提供一种基于批次控制的半导体制程控制装置，包括：接口单元、存储单元及处理单元，处理单元耦接接口单元与存储单元；其中：接口单元用于分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；存储单元用于存储接口单元获取的多个量测值及可在处理单元中运行的可执行指令；处理单元执行可执行指令时实现如上述任一种方法；接口单元还用于将处理单元确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
根据本发明的再一方面，提供一种半导体制造设备，包括：制程装置，用于对晶圆实施半导体制程；量测装置，与制程装置耦接，用于量测制程装置输出的晶圆；以及控制装置，耦接于制程装置与量测装置，包括：接口单元、存储单元及处理单元，处理单元耦接接口单元与存储单元；其中：接口单元用于从量测装置分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；存储单元用于存储接口单元获取的多个量测值及可在处理单元中运行的可执行指令；处理单元执行可执行指令时实现如上述任一种方法；接口单元还用于将处理单元确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至制程装置。
根据本发明的再一方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可执行指令，可执行指令被处理器执行时实现如上述任一种方法。
本发明的基于批次控制的半导体制程控制方法，借由历史参考周期的量测结果作为参考基准，通过提供EWMA控制模型中加权因子的自动化调整机制，可适应于变化剧烈的生产状况，进而提高建议生产参数值的准确度，提升量测结果趋近于目标值的能力，从而使得生产良率提升。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例，本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1是根据一示例性实施方式示出的一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。
图2是根据一示例性实施方式示出的另一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。
图3是根据一示例性实施方式示出的再一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。
图4是根据一示例性实施方式示出的一种基于批次控制的半导体制程控制装置的框图。
图5是根据一示例性实施方式示出的另一种半导体制造设备的框图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本发明的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免喧宾夺主而使得本发明的各方面变得模糊。
图1是根据一示例性实施方式示出的一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。如图1所示，该方法10包括：
在步骤S102中，分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值。
本实施方式中的半导体制程例如可以是用于薄膜沉积或生长、干法或湿法刻蚀、化学机械研磨等诸多半导体工艺制程中的至少一个。因而，在一些实施例中，量测值例如可以为晶圆的薄膜厚度的量测值或刻蚀后刻蚀深度的量测值等。
本实施方式中的晶圆例如可以是具有基本半导体、化合物半导体、合金半导体或其任意组合的半导体晶圆，本发明不以此为限。此外，随着制程的进行，晶圆上可能已经形成有完整或部分的半导体组件结构。
批次控制主要是同一单元操作不同批次间的控制，若每批次加工多个晶圆，多个晶圆称为一批(Lot)，此种情况下批次控制的组态形式为Lot-to-Lot(L2L)；而若每批次加工单个晶圆，此种情况下批次控制的组态形式为Wafer-to-Wafer(W2W)。因此，本实施方式中的历史参考周期可以为生产一批晶圆的周期，也可以为生产一个晶圆的周期，本发明不以此为限。此外，多个历史参考周期，可以为当前周期(T)的前一个周期(T-1)、前两个周期(T-2)或前三个周期(T-3)等。
在步骤S104中，根据所述多个量测值与目标值，确定批次控制中EWMA控制器的加权因子。
目标值为根据生产实际需求而设定的理想值，批次控制的控制目标即使量测值能趋于目标值，从而降低批次间产品的品质差异，提升产品质量，改善总体设备效能。
根据历史参考周期的量测值来动态计算EWMA控制器的加权因子，可提供自动化的调整机制，从而适应变化剧烈的生产环境。
在步骤S106中，根据加权因子，确定当前周期的建议生产参数值(RecommendParameter)。
在步骤S108中，将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
基于批次控制中的EWMA控制模型，根据历史参考周期的量测结果反馈，反向推算适当的建议生产参数值，从而调整下一次制程步骤。
本发明实施方式的基于批次控制的半导体制程控制方法，借由历史参考周期的量测结果作为参考基准，通过提供EWMA控制模型中加权因子的自动化调整机制，可适应于变化剧烈的生产状况，进而提高建议生产参数值的准确度，提升量测结果趋近于目标值的能力，从而使得生产良率提升。
应清楚地理解，本发明描述了如何形成和使用特定示例，但本发明的原理不限于这些示例的任何细节。相反，基于本发明公开的内容的教导，这些原理能够应用于许多其它实施方式。
图2是根据一示例性实施方式示出的另一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。如图2所示，方法20包括：
在步骤S202中，分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值。
本实施方式中的半导体制程例如可以是用于薄膜沉积或生长、干法或湿法刻蚀、化学机械研磨等诸多半导体工艺制程中的至少一个。因而，在一些实施例中，量测值例如可以为晶圆的薄膜厚度的量测值或刻蚀制程后刻蚀深度的量测值等。
本实施方式中的晶圆例如可以是具有基本半导体、化合物半导体、合金半导体或其任意组合的半导体晶圆，本发明不以此为限。此外，随着制程的进行，晶圆上可能已经形成有完整或部分的半导体组件结构。
本实施方式中的历史参考周期可以为生产一批晶圆的周期，也可以为生产一个晶圆的周期，本发明不以此为限。此外，多个历史参考周期，可以为当前周期(T)的前一个周期(T-1)、前两个周期(T-2)或前三个周期(T-3)等。
在步骤S204中，分别确定多个量测值与目标值之间的、对应多个历史参考周期的多个差异值。
在步骤S206中，根据多个差异值，确定加权因子。
在一些实施例中，可以通过下述公式(1)～(5)确定加权因子W1与W2：
A1＝MET(T-t1)-TARGET (1)
A2＝MET(T-t2)-TARGET (2)
W1＝A1/(A1+A2) (3)
W2＝A2/(A1+A2) (4)
W1+W2＝1 (5)
其中，MET(T-t1)与MET(T-t2)分别为第T-t1与T-t2个历史参考周期的量测值，TARGET为目标值，t1、t2为正整数。
例如，t1、t2可以为1和2，或者也可以为3和4等。
在一些实施例中，还可以通过下述公式(6)～(12)确定加权因子W1、W2及W3：
A1＝MET(T-t1)-TARGET (6)
A2＝MET(T-t2)-TARGET (7)
A3＝MET(T-t3)-TARGET (8)
W1＝A1/(A1+A2+A3) (9)
W2＝A2/(A1+A2+A3) (10)
W3＝A3/(A1+A2+A3) (11)
W1+W2+W3＝1 (12)
其中，MET(T-t1)、MET(T-t2)与MET(T-t3)分别为第T-t1、T-t2与T-t3个历史参考周期的量测值，t1、t2、t3为正整数。
例如，t1、t2、t3可以分别为1、2、3或者也可以为2、3、4等。
需要说明的是，以此类推，上述多个历史参考周期还可以选取为4个、5个或n个时，本发明可以通过下述公式(13)～(19)确定加权因子W1～Wn：
A1＝MET(T-t1)-TARGET (13)
A2＝MET(T-t2)-TARGET (14)
…
An＝MET(T-tn)-TARGET (15)
W1＝A1/(A1+A2+...+An) (16)
W2＝A2/(A1+A2+...+An) (17)
…
Wn＝An/(A1+A2+...+An) (18)
W1+W2+...+Wn＝1 (19)
上述历史参考周期可以根据半导体制程而被选取，例如不同的半导体制程，选择不同的历史参考周期；或者，在选取了历史参考周期后，可在一段时间内记录每次的量测结果，当发现该段时间内，量测结果超过一预定范围的次数大于一预定的阈值时，则可以重新选择历史参考周期，以改进控制结果。
在步骤S208中，分别根据多个量测值与目标值，确定对应多个历史参考周期的多个建议生产参数值。
在一些实施例中，多个建议生产参数值可以通过公式(20)确定：
MET(T-x)-TARGET＝RECOMMEND(T-x)*a+b (20)
也即，RECOMMEND(T-x)＝[MET(T-x)-TARGET-b]/a
其中，RECOMMEND(T-x)为第T-x个历史参考周期的所述建议生产参数值，MET(T-x)为第T-x个历史参考周期的所述量测值，TARGET为所述目标值，a和b分别为给定的参数，x为正整数。
在步骤S210中，根据加权因子及多个建议生产参数值，确定当前周期的建议生产参数值。
在一些实施例中，对应上述公式(1)～(5)，可根据下述公式(21)确定当前周期的建议生产参数值：
RECOMMEND(T)＝W1*RECOMMEND(T-t1)+W2*RECOMMEND(T-t2) (21)
其中，RECOMMEND(T)为当前周期的建议生产参数值，RECOMMEND(T-t1)、RECOMMEND(T-t2)分别为第T-t1、T-t2个历史参考周期的建议生产参数值。
或者，在一些实施例中，对应上述公式(6)～(12)，可以根据下述公式(22)确定当前周期的建议生产参数值：
RECOMMEND(T)＝W1*RECOMMEND(T-t1)
+W2*RECOMMEND(T-t2)+W3*RECOMMEND(T-t3) (22)
其中，RECOMMEND(T)为当前周期的建议生产参数值，RECOMMEND(T-t1)、RECOMMEND(T-t2)、RECOMMEND(T-t3)分别为第T-t1、T-t2、T-t3个历史参考周期的建议生产参数值。
以此类推，当选取更多历史参考周期时，可因应加权因子的计算，确定当前周期的建议生产参数值。
再或者，在一些实施例中，对应上述公式(13)～(19)，可以根据下述公式(23)确定当前周期的建议生产参数值：
RECOMMEND(T)＝W1*RECOMMEND(T-t1)
+W2*RECOMMEND(T-t2)+...+Wn*RECOMMEND(T-tn) (23)
其中，RECOMMEND(T)为当前周期的建议生产参数值，RECOMMEND(T-t1)、RECOMMEND(T-t2)、……、RECOMMEND(T-tn)分别为第T-t1、T-t2、……、T-tn个历史参考周期的建议生产参数值。
在步骤S212中，将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
基于批次控制中的EWMA控制模型，根据历史参考周期的量测结果反馈，反向推算适当的建议生产参数值，从而调整下一次制程步骤。
图3是根据一示例性实施方式示出的再一种基于批次控制的半导体制程控制方法的流程图。如图3所示，方法30是对图1所示的方法10中的步骤S108及图2所示的方法20中的步骤S212的进一步说明，也即方法30可以实施于方法10中，也可以实施于方法20中。方法30进一步包括：
在步骤302中，确定当前周期的建议生产参数值是否满足一预设规格，如果满足，则进入步骤S304；否则，进入步骤S306。
该预设规格例如可以为生产参数的一预设范围，当确定出的建议生产参数值落在该预设范围内时，则满足该预设规格；否则，不满足该预设规格。该预设范围可根据半导体制程及实际生产需求而确定，本发明不以此为限。
在步骤S304中，将当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
在步骤S306中，将当前周期的建议生产参数值设置为一预设的固定值，并进入步骤S304。
该预设的固定值根据半导体制程及实际生产需求而配置，本发明不以此为限。
本领域技术人员可以理解实现上述实施方式的全部或部分步骤被实现为由处理器执行的可执行指令。在该可执行指令被处理器执行时，执行本发明提供的上述方法所限定的上述功能。所述的可执行指令可以存储于一种计算机可读存储介质中，该存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
此外，需要注意的是，上述附图仅是根据本发明示例性实施方式的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
下述为本发明装置实施例，可以用于执行本发明方法实施例。对于本发明装置实施例中未披露的细节，请参照本发明方法实施例。
图4是根据一示例性实施方式示出的一种基于批次控制的半导体制程控制装置的框图。如图4所示，装置40包括：接口单元402、存储单元404及处理单元406。
其中，处理单元406与接口单元402及存储单元404耦接。
接口单元402用于分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值。
存储单元404用于存储接口单元402获取的多个量测值及可在所述处理单元中运行的可执行指令。存储单元404例如可以为可读存储介质等。
处理单元406例如可以是微处理器、专用集成电路或其他逻辑组件，其通过执行所述可执行指令时实现上述基于批次控制的半导体制程控制方法10、20或30。
接口单元402还用于将处理单元406确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至半导体制程。
图5是根据一示例性实施方式示出的另一种半导体制造设备的框图。如图5所示，设备50包括：制程装置502、量测装置504与控制装置506。
其中，制程装置502用于对晶圆实施半导体制程。半导体制程例如可以是用于薄膜沉积或生长、干法或湿法刻蚀、化学机械研磨等诸多半导体工艺制程中的至少一个。
量测装置504与制程装置502耦接，用于量测制程装置502输出的晶圆，以提供历史参考周期的量测值。
晶圆例如可以是具有基本半导体、化合物半导体、合金半导体或其任意组合的半导体晶圆，本发明不以此为限。此外，随着制程的进行，晶圆上可能已经形成有完整或部分的半导体组件结构。
在一些实施例中，量测值例如可以为晶圆的薄膜厚度的量测值或刻蚀制程后刻蚀深度的量测值等。
历史参考周期可以为生产一批晶圆的周期，也可以为生产一个晶圆的周期，本发明不以此为限。此外，多个历史参考周期，可以为当前周期(T)的前一个周期(T-1)、前两个周期(T-2)或前三个周期(T-3)等。
控制装置506耦接于制程装置502与量测装置504，进一步包括：接口单元5062、存储单元5064及处理单元5066。
其中，处理单元5066耦接接口单元5062与存储单元5064。
接口单元5062用于分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值。
存储单元5064用于存储接口单元5062获取的多个量测值及可在所述处理单元中运行的可执行指令。存储单元5064例如可以为可读存储介质等。
处理单元5066例如可以是微处理器、专用集成电路或其他逻辑组件，其通过执行所述可执行指令时实现上述基于批次控制的半导体制程控制方法10、20或30。
接口单元5062还用于将处理单元5066确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至制程装置504。
需要注意的是，上述附图中所示的框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。
在一些可能的实施方式中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其可以存储在一个非易失性可读存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，其包括可执行指令，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行根据本发明各种示例性实施方式的基于批次控制的半导体制程控制方法10、20或30中的步骤。
以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应可理解的是，本发明不限于这里描述的详细结构、设置方式或实现方法；相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效设置。

Claims (7)

1.一种基于批次控制的半导体制程控制方法，其特征在于，包括：
设定目标值，分别获取半导体制程中被选取出的多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；
分别确定所述多个量测值与所述目标值之间的、对应所述多个历史参考周期的多个差异值；
根据所述多个差异值，确定批次控制中指数加权移动平均值控制器的加权因子；
分别根据所述多个量测值与所述目标值，确定对应所述多个历史参考周期的多个建议生产参数值；
根据所述加权因子及所述多个建议生产参数值，确定当前周期的建议生产参数值；以及
将所述当前周期的建议生产参数值反馈至所述半导体制程；
其中，根据下述公式确定所述加权因子，W1~Wn为所述加权因子：
Figure 491028DEST_PATH_IMAGE001
，
Figure 365443DEST_PATH_IMAGE002
，
…
Figure 194728DEST_PATH_IMAGE003
，
Figure 470988DEST_PATH_IMAGE004
，
Figure 704524DEST_PATH_IMAGE005
，
…
Figure 207180DEST_PATH_IMAGE006
，
Figure 449943DEST_PATH_IMAGE007
；
其中，根据下述公式，确定所述多个历史参考周期的多个建议生产参数值：
Figure 472388DEST_PATH_IMAGE008
；
其中，根据下述公式，确定所述当前周期的建议生产参数值：
Figure 876824DEST_PATH_IMAGE009
Figure 866777DEST_PATH_IMAGE010
；
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE011
、
Figure 913230DEST_PATH_IMAGE012
、……、
Figure 554296DEST_PATH_IMAGE013
及
Figure 129634DEST_PATH_IMAGE014
分别为第T-t1、T-t2、……、T- tn及T-x个历史参考周期的所述量测值，
Figure 606883DEST_PATH_IMAGE015
为所述目标值，
Figure 925869DEST_PATH_IMAGE016
为所述当前周 期的建议生产参数值，
Figure 296807DEST_PATH_IMAGE017
、
Figure 934724DEST_PATH_IMAGE018
、……、
Figure 492745DEST_PATH_IMAGE019
及
Figure 615421DEST_PATH_IMAGE020
分别为第T-t1、T-t2、……、T-tn及T-x个历史参考周期的所述建议生 产参数值，a和b分别为给定的参数，t1、t2、……、tn及x均为正整数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个历史参考周期根据所述半导体制程被选取，所述半导体制程至少包括薄膜生长或沉积、干法或湿法刻蚀、化学机械研磨工艺制程中一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将所述当前周期的建议生产参数值反馈至所述半导体制程包括：
确定所述当前周期的建议生产参数是否满足一预设规格；
如果所述当前周期的建议生产参数值满足所述预设规格，则将所述当前周期的建议生产参数值反馈至所述半导体制程；以及
如果所述当前周期的建议生产参数值不满足所述预设规格时，则将所述当前周期的建议生产参数值设置为一预设的固定值，并反馈至所述半导体制程。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述量测值包括：薄膜厚度的量测值或刻蚀深度的量测值。
5.一种基于批次控制的半导体制程控制装置，其特征在于，包括：接口单元、存储单元及处理单元，所述处理单元耦接所述接口单元与所述存储单元；其中：
所述接口单元用于分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；
所述存储单元用于存储所述接口单元获取的所述多个量测值及可在所述处理单元中运行的可执行指令；
所述处理单元执行所述可执行指令时实现如权利要求1-4任一项所述的方法；
所述接口单元还用于将所述处理单元确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至所述半导体制程。
6.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：
制程装置，用于对晶圆实施半导体制程；
量测装置，与所述制程装置耦接，用于量测所述制程装置输出的所述晶圆；以及
控制装置，耦接于所述制程装置与所述量测装置，包括：接口单元、存储单元及处理单元，所述处理单元耦接所述接口单元与所述存储单元；其中：
所述接口单元用于从所述量测装置分别获取半导体制程中对应多个历史参考周期的晶圆的多个量测值；
所述存储单元用于存储所述接口单元获取的所述多个量测值及可在所述处理单元中运行的可执行指令；
所述处理单元执行所述可执行指令时实现如权利要求1-4任一项所述的方法；
所述接口单元还用于将所述处理单元确定出的当前周期的建议生产参数值反馈至所述制程装置。
7.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可执行指令，其特征在于，所述可执行指令被处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述的方法。
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