JP7044774B2 - 化学機械研磨のためのリアルタイム・プロファイル制御 - Google Patents
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Description
e(t)=yR(t)-yC(t)
ここで、u(0)は、処理レシピによる固定された所定の公称パラメータ(例えば、所定の公称研磨圧力)であり、KP、KI、及びKDは、PIDコントローラのパラメータである。
rerr(t)=rSP(t)-rC(t)
u’(0)=u(0)+KR*rerr
ここで、u(0)は、所定の制御区域公称パラメータ値であり、KRは、制御パラメータ定数である。上述されたように、動的制御区域公称パラメータ値(ライン215)は、PID制御モジュール(210)の中へ供給される。
rSP=r(t)-DSPW*RMAX
ここで、RMAXは、制御区域の変化率について制約を設定する所定の定数であり、DSPWは、動的な設定点重み付けである。動的な設定点重み付けは、以下の式に従って計算され得る。すなわち、
ここで、errはエラー値e(t)であり、fはチューニング値である。ある場合では、fが定数である。ある場合では、fが以下のように表現され得る。すなわち、
(この場合では、DSPW、f、及びrSPを特定するために、微分方程式を解く必要があるだろう)。
ここで、yRとyCは、上述されたように、それぞれ、基準区域と制御区域の特性値であり、yEPは、目標特性値、例えば目標厚さである。
err=k1*err1+k2*err2
ここで、k1とk2は、定数であり、err1は、直前の基板から計算されたエラーであり、err2は、直前の基板より前の1以上の基板に対して計算されたエラーである。
Claims (15)
- 非一過性のコンピュータ可読媒体内で有形に具現化されたコンピュータプログラム製品であって、プロセッサに、
インシトゥ・モニタシステムからの信号に基づいて、処理を受け且つ前記インシトゥ・モニタシステムによってモニタされている基板上の基準区域の物理的な特性を示す特性値の第1のシーケンスを生成すること、
前記インシトゥ・モニタシステムからの前記信号に基づいて、前記基板上の制御区域の物理的な特性を示す特性値の第2のシーケンスを生成すること、
前記特性値の第1のシーケンスから基準区域レートを特定すること、
前記特性値の第2のシーケンスから制御区域レートを特定すること、
前記基準区域に対する特性値を前記制御区域に対する特性値と比較することによってエラー値を特定すること、
比例・積分・微分制御アルゴリズムを使用して、少なくとも前記エラー値と動的公称制御区域値とに基づいて、第1の制御ループ内で前記制御区域に対する出力パラメータ値を計算すること、
少なくとも前記基準区域レートと前記制御区域レートとに基づいて、第2の制御ループ内で前記動的公称制御区域値を生成すること、及び
前記出力パラメータ値を使用して、処理システムに前記制御区域を処理させること、を行わせるための指示命令を備える、コンピュータプログラム製品。 - 前記エラー値を特定するための前記指示命令が、前記基準区域に対する前記特性値と前記制御区域に対する前記特性値との間の差を計算するための指示命令を含む、請求項1に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記基準区域レートを特定するための前記指示命令が、前記基準区域に対する前記特性値の第1のシーケンスに第1の関数をフィッティングし、前記第1の関数の第1の傾斜を特定するための指示命令を含み、前記制御区域レートを特定するための前記指示命令が、前記制御区域に対する前記特性値の第2のシーケンスに第2の関数をフィッティングし、前記第2の関数の第2の傾斜を特定するための指示命令を含む、請求項1に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記動的公称制御区域値を生成するための前記指示命令が、少なくとも前記基準区域レートと前記制御区域レートとに基づいて、エラー率を生成するための指示命令を含む、請求項1に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記エラー率を生成するための前記指示命令が、前記基準区域レートに基づいて、レート設定点値を計算するための指示命令を含む、請求項4に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記レート設定点値を計算するための前記指示命令が、前記エラー値、前記基準区域レート、及び前記制御区域レートに基づいて、前記レート設定点値を計算するための指示命令を含む、請求項5に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記レート設定点値を計算するための前記指示命令が、前記基準区域に対する前記特性値、前記制御区域に対する前記特性値、及び前記基準区域レート、並びに目標特性値に基づいて、前記レート設定点値を計算するための指示命令を含む、請求項5に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記エラー率を生成するための前記指示命令が、前記レート設定点値を前記制御区域レートと比較するための指示命令を含む、請求項5に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記エラー率を生成するための前記指示命令が、前記レート設定点値と前記制御区域レートとの間の差を計算するための指示命令を含む、請求項8に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記動的公称制御区域値を生成するための前記指示命令が、前記エラー率と所定の制御区域公称圧力とから前記動的公称制御区域値を計算するための指示命令を含む、請求項4に記載のコンピュータプログラム製品。
- 基板の処理を制御する方法であって、
インシトゥ・モニタシステムからの信号に基づいて、処理を受け且つ前記インシトゥ・モニタシステムによってモニタされている基板上の基準区域の物理的な特性を示す特性値の第1のシーケンスを生成すること、
前記インシトゥ・モニタシステムからの前記信号に基づいて、前記基板上の制御区域の物理的な特性を示す特性値の第2のシーケンスを生成すること、
前記特性値の第1のシーケンスから基準区域レートを特定すること、
前記特性値の第2のシーケンスから制御区域レートを特定すること、
前記基準区域に対する特性値を前記制御区域に対する特性値と比較することによってエラー値を特定すること、
比例・積分・微分制御アルゴリズムを使用して、少なくとも前記エラー値と動的公称制御区域値とに基づいて、第1の制御ループ内で制御区域に対する出力パラメータ値を計算すること、
少なくとも前記基準区域レートと前記制御区域レートとに基づいて、第2の制御ループ内で前記動的公称制御区域値を生成すること、及び
前記出力パラメータ値に従って前記基板の前記制御区域を処理することを含む前記基板を処理することを含む、方法。 - 基準区域のパラメータ値に従って前記基板の前記基準区域を処理することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記基板を処理することが、前記基板を研磨することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記インシトゥ・モニタシステムが、光学モニタシステム及び/又は渦電流モニタシステムを含む、請求項11に記載の方法。
- 研磨パッドを保持するためのプラテン、
基板を前記研磨パッドに接触させるように保持するためのキャリア、
前記プラテンと前記キャリアとの間で相対運動を生成するために前記プラテンと前記キャリアのうちの少なくとも一方に接続されたモータ、
前記基板の研磨中に前記基板の物理的なパラメータを示す信号を生成するように構成されたインシトゥ・モニタシステム、並びに
前記信号を受信するコントローラであって、
前記インシトゥ・モニタシステムからの前記信号に基づいて、前記基板上の基準区域の物理的な特性を示す特性値の第1のシーケンスを生成すること、
前記インシトゥ・モニタシステムからの前記信号に基づいて、前記基板上の制御区域の物理的な特性を示す特性値の第2のシーケンスを生成すること、
前記特性値の第1のシーケンスから基準区域レートを特定すること、
前記特性値の第2のシーケンスから制御区域レートを特定すること、
前記基準区域に対する特性値を前記制御区域に対する特性値と比較することによってエラー値を特定すること、
比例・積分・微分制御アルゴリズムを使用して、少なくとも前記エラー値と動的公称制御区域値とに基づいて、第1の制御ループ内で前記制御区域に対する出力圧力値を計算すること、
少なくとも前記基準区域レートと前記制御区域レートとに基づいて、第2の制御ループ内で前記動的公称制御区域値を生成すること、及び
キャリアヘッドに、前記出力圧力値を前記基板の前記制御区域に適用させること、を行うように構成されたコントローラを備える、研磨システム。
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7306507B2 (en) | 2005-08-22 | 2007-12-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad assembly with glass or crystalline window |
CN111180350B (zh) * | 2018-11-12 | 2022-05-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体制程控制方法、装置、设备及可读存储介质 |
US11282755B2 (en) * | 2019-08-27 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Asymmetry correction via oriented wafer loading |
TWI809389B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於在拋光相鄰導電層的堆疊期間的輪廓控制的系統、方法及電腦程式產品 |
JP2023538198A (ja) | 2021-03-05 | 2023-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | コスト関数または予想される将来のパラメータ変化を使用した、基板研磨中の処理パラメータの制御 |
US20220283554A1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Applied Materials, Inc. | Control of processing parameters for substrate polishing with substrate precession |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008503356A (ja) | 2004-06-21 | 2008-02-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
JP2008238367A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012510169A (ja) | 2008-11-26 | 2012-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御のために光計測学を使用すること |
JP2015193068A (ja) | 2014-03-20 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2016538728A5 (ja) | 2014-11-12 | 2017-12-21 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4290240A (en) * | 1980-01-28 | 1981-09-22 | Robinson Charles E | Automatic equalizer for abrasive belt |
GB8324553D0 (en) * | 1983-09-14 | 1983-10-19 | Btr Plc | Monitoring flow of particulate material in impact treatment equipment |
US5951370A (en) * | 1997-10-02 | 1999-09-14 | Speedfam-Ipec Corp. | Method and apparatus for monitoring and controlling the flatness of a polishing pad |
FR2789519B1 (fr) * | 1999-02-05 | 2003-03-28 | Commissariat Energie Atomique | Transistor mos a tension de seuil dynamique equipe d'un limiteur de courant, et procede de realisation d'un tel transistor |
US6623334B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with friction-based control |
US6623333B1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | System and method for controlling a wafer polishing process |
US6707540B1 (en) * | 1999-12-23 | 2004-03-16 | Kla-Tencor Corporation | In-situ metalization monitoring using eddy current and optical measurements |
US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
US7175503B2 (en) * | 2002-02-04 | 2007-02-13 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a characteristic of polishing within a zone on a specimen from combined output signals of an eddy current device |
US7101257B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-09-05 | Ebara Corporation | Substrate polishing apparatus |
US7040958B2 (en) * | 2004-05-21 | 2006-05-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer |
US7108578B2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-09-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System and method for manufacturing magnetic heads |
US8260446B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values |
US7409260B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate thickness measuring during polishing |
KR101834944B1 (ko) * | 2008-09-04 | 2018-03-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 동안 기판의 분광 모니터링의 이용에 의한 연마 속도들의 조정 |
TWI496661B (zh) * | 2010-04-28 | 2015-08-21 | Applied Materials Inc | 用於光學監測之參考光譜的自動產生 |
US9579767B2 (en) * | 2010-04-28 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Automatic generation of reference spectra for optical monitoring of substrates |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
US8694144B2 (en) * | 2010-08-30 | 2014-04-08 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing |
US8547538B2 (en) * | 2011-04-21 | 2013-10-01 | Applied Materials, Inc. | Construction of reference spectra with variations in environmental effects |
US10065288B2 (en) * | 2012-02-14 | 2018-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control |
WO2013133974A1 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Applied Materials, Inc. | Fitting of optical model to measured spectrum |
US9289875B2 (en) * | 2012-04-25 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Feed forward and feed-back techniques for in-situ process control |
US9022715B2 (en) * | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber designs for high-throughput processing system |
US10090207B2 (en) * | 2012-11-28 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-point chemical mechanical polishing end point detection system and method of using |
WO2014149330A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Dynamic residue clearing control with in-situ profile control (ispc) |
US9490186B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Limiting adjustment of polishing rates during substrate polishing |
US9673113B2 (en) * | 2014-06-05 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method and system for real-time polishing recipe control |
JP6778176B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2020-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板の厚さプロファイルの調節 |
-
2017
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008503356A (ja) | 2004-06-21 | 2008-02-07 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
JP2008238367A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012510169A (ja) | 2008-11-26 | 2012-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フィードバックおよびフィードフォワードプロセス制御のために光計測学を使用すること |
JP2015193068A (ja) | 2014-03-20 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2016538728A5 (ja) | 2014-11-12 | 2017-12-21 |
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