CN107532079A - 具有硫醇‑烯烃‑环氧基体的量子点制品 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种量子点膜制品,其包含固化的硫醇‑烯烃‑环氧基体的量子点。基体制剂抵抗水和/或氧气的侵入,同时在老化时还提供可接受的颜色稳定性。

Description

具有硫醇-烯烃-环氧基体的量子点制品
背景技术
量子点增强膜(QDEF)用于LCD显示器。红色和绿色量子点在QDEF中与蓝光LED一起用作光源以发出全光谱颜色。其优点在于,与典型LCD显示器相比改善了色域,并且与OLED或LED显示器相比保持了低能耗。
量子点膜制品包括分散于层合在两个阻挡层之间的基体中的量子点。量子点制品包括作为荧光元素的绿色量子点和红色量子点的组合,当用于诸如例如液晶显示器(LCD)的显示装置中时,其可增强色域性能。
量子点对于劣化高度敏感,因此量子点制品应当具有优异的阻挡特性,以防止水分和氧气的侵入,水分和氧气的侵入可劣化制品的性能。阻挡层保护层合构造内部区域中的量子点免于因为暴露于氧气或水而遭到损坏,但制品的切割边缘会使基体材料暴露于大气环境中。在这些边缘区域中,保护分散于基体中的量子点主要依赖于基体本身的阻挡特性。
如果水和/或氧气进入量子点制品的边缘区域,那么层合构造的暴露边缘上的或附近的量子点可劣化,并且最终在受到紫外线或可见光激发时无法发光。这种类型的量子点劣化称为边缘侵入,可导致在膜制品的切割边缘周围出现暗线,这可对其中量子点制品形成其一部分的显示器的性能造成不利影响。因此,需要具有更好的阻挡特性的基体,以用于保护QDEF中的量子点免受劣化,从而延长寿命稳定性。
发明内容
一般来讲,本公开涉及在量子点制品中使用的基体制剂。基体制剂抵抗水和/或氧气的侵入,同时在老化时仍提供可接受的颜色稳定性。在一个实施方案中,本公开涉及包括第一阻挡层、第二阻挡层以及位于第一阻挡层和第二阻挡层之间的量子点层的膜制品。量子点层包括分散于基体中的量子点,该基体包含固化的硫醇烯基树脂。
更具体地,硫醇-烯烃-环氧基体为包含多硫醇、多炔基化合物(聚烯烃)和环氧树脂的固化反应产物,所述物质各具有≥2的官能度。
就硫醇-烯烃-环氧基体而言,在超过100小时的加速老化之后观察到转变部件的边缘侵入不超过1mm。在各种实施方案中,本公开中所述的基体材料将在65℃/95%相对湿度或85℃条件下老化之后的边缘侵入限制为小于0.5mm,并且在1931CIE坐标系中初始测量的x和y轴两者上具有不超过0.02或甚至0.005的颜色变化。这些基体制剂可延长显示器应用中量子点制品的使用寿命。
如本文所用,
“硫醇-烯烃-环氧”是指多硫醇与具有两个或更多个烯基基团的多烯基化合物和环氧树脂的反应混合物,并且以与炔烃和(甲基)丙烯酸酯的硫醇-烯反应相排斥的方式使用。
“烷基”是指直链或支链、环状或非环状的饱和一价烃。
“亚烷基”是指直链或支链的不饱和二价烃。
“烯基”是指直链或支链的不饱和烃。
“芳基”是指一价芳族基团,诸如苯基、萘基等。
“亚芳基”是指多价芳族基团,诸如亚苯基、亚萘基等。
“亚芳烷基”是指如上定义的芳基基团连接到如上定义的亚烷基而形成的基团,例如苄基、1-萘乙基等。
本文使用的“(杂)烃基”,包括烃基烷基和烃基芳基基团,以及杂烃基杂烷基和杂烃基杂芳基基团,杂烃基杂烷基和杂烃基杂芳基基团包含一个或多个悬链(链中)杂原子,诸如醚基或氨基。杂烃基可以任选地包含一个或多个悬链(链中)官能团,所述悬链官能团包括酯、酰胺、脲、氨基甲酸酯和碳酸酯官能团。除非另外指明,否则非聚合的(杂)烃基通常包含1个至60个碳原子。如本文所用的这类杂烃基的一些示例除上文针对“烷基”、“杂烷基”和“芳基”所述的那些外,还包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、4-二苯基氨基丁基、2-(2'-苯氧基乙氧基)乙基、3,6-二氧杂庚基、3,6-二氧杂己基-6-苯基。
如本文所用的术语“复合粒子”是指纳米粒子,该纳米粒子通常为芯/壳纳米粒子(优选地,纳米晶体)的形式,其在纳米粒子的表面上具有不通过普通溶解从表面去除的任何相关联的有机涂层或其它材料。此类复合粒子可用作“量子点”,所述量子点由于使用半导体材料而在近紫外线(UV)到远红外线(IR)范围内具有可调发射。
术语“纳米粒子”是指具有在0.1纳米至1000纳米范围内,诸如0.1纳米至100纳米范围内或1纳米至100纳米范围内的平均粒径的粒子。术语“直径”不仅指大致球形的粒子的直径,而且还指沿结构的最短轴线的距离。用于测量平均粒径的合适技术包括例如扫描隧道显微镜法、光散射法和透射电子显微镜法。
纳米粒子的“芯”被理解为意指尚未施加壳的纳米粒子(优选地,纳米晶体)或者意指芯/壳纳米粒子的内部部分。纳米粒子的芯可具有均一的组成或者其组成可随芯内的深度变化。已知有许多材料用于芯纳米粒子中,并且在本领域中已知有许多方法用于将一个或多个壳施加到芯纳米粒子。芯具有与所述壳不同的组成。芯通常具有与芯/壳纳米粒子的壳不同的化学组成。
如本文所用,“硫醇-烯烃-环氧”是指衍生自多硫醇、聚烯烃和聚环氧组分的反应混合物的固化或未固化树脂。
如本文所用,术语“光化辐射”是指电磁波谱的任何波长范围内的辐射。光化辐射通常处于紫外线波长范围内、可见光波长范围内、红外线波长范围内,或它们的组合。可使用本领域中已知的任何合适的能量源来提供光化辐射。
附图说明
图1为包含量子点的例示性膜制品的边缘区域的示意性侧视图。
图2为形成量子点膜的例示性方法的流程图。
图3为包括量子点制品的显示器的实施方案的示意图。
具体实施方式
本公开提供一种量子点膜制品,所述量子点膜制品包括:第一阻挡层、第二阻挡层;和所述第一阻挡层和第二阻挡层之间的量子点层,所述量子点层包括分散于基体中的量子点,所述基体包含具有>20℃的Tg的固化的硫醇-烯烃-环氧。
所述固化的硫醇-烯烃-环氧基体或粘合剂为多硫醇化合物、聚烯烃化合物和环氧树脂或树脂的反应产物,其中各具有≥2的官能度。优选地,所述多硫醇化合物和聚烯烃化合物两者均具有≥2的官能度。应当理解单环氧化合物的官能度为2,因为亲电子环氧基团在开环时产生亲核羟基基团,并且所述羟基基团然后可与附加环氧基团反应,但优选所述环氧树脂具有至少两个环氧基团。
本公开提供一种量子点制品,所述量子点制品包括:第一阻挡膜、第二阻挡膜;和所述第一阻挡膜和第二阻挡膜之间的量子点层,所述量子点层包括分散于基体中的量子点,所述基体包含具有>20℃的Tg的固化的硫醇-烯烃-环氧化物。
硫醇-烯烃-环氧树脂中的多硫醇反应物具有下式:
R2(SH)y,I
其中R2为具有y价的(杂)烃基基团,并且y≥2,优选地y>2。多硫醇的硫醇基团可以为伯硫醇或仲硫醇。式I的化合物可包括具有二或更大的平均官能度的化合物的混合物。
R2包含任何(杂)烃基基团,其包括脂族和芳族多硫醇。R2可任选地还包含一种或多种官能团,所述官能团包括悬垂的羟基、酸、酯或氰基基团或者悬链(链中)醚、脲、氨基甲酸酯和酯基团。
在一个实施方案中,R2包含具有1个至30个碳原子的非聚合脂族或脂环族部分。在另一个实施方案中,R2是聚合的并且包含具有悬垂或末端反应性-SH基团的聚氧化烯、聚酯、聚烯烃、聚丙烯酸酯或聚硅氧烷聚合物。可用的聚合物包括(例如)硫醇封端的聚乙烯或聚丙烯和硫醇封端的聚(烯化氧)。
可用的多硫醇的具体示例包括2,3-二巯基-1-丙醇、2-巯基乙基醚、2-巯基乙基硫化物、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,8-二巯基-3,6-二硫杂辛烷、丙烷-1,2,3-三硫醇和三聚硫氰酸。
另一类可用的多硫醇包括通过多羟基化合物与末端硫醇取代的羧酸(或它们的衍生物,诸如酯或酰基卤)的酯化反应所获得的那些,所述末端硫醇取代的羧酸包括α-或β-巯基羧酸,诸如巯基乙酸、β-巯基丙酸、2-巯基丁酸或它们的酯。
由此获得的可商购获得的化合物的可用示例包括乙二醇双(巯基乙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、二季戊四醇六(3-巯基丙酸酯)、乙二醇双(3-巯基丙酸酯)、三羟甲基丙烷三(巯基乙酸酯)、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(巯基乙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丁酸酯)和1,4-双3-巯基丁酰氧基丁烷、三[2-(3-巯基丙酰氧基]乙基]异氰脲酸酯、三羟甲基丙烷三(巯基乙酸酯)、2,4-双(巯基甲基)-1,3,5,-三嗪-2,4-二硫醇、2,3-二(2-巯基乙基)硫基)-1-丙硫醇、二巯基二乙基硫化物和乙氧基化的三甲基丙-三(3-巯基丙酸酯)。
聚合的多硫醇的具体示例为聚丙烯醚二醇双(3-巯基丙酸酯),它是通过聚丙烯醚二醇(例如,PluracolTMP201,巴斯夫怀恩多特化工公司(BASF Wyandotte ChemicalCorp.))和3-巯基丙酸的酯化反应制备的。
可用的可溶性高分子量硫醇包括聚乙二醇二(2-巯基乙酸酯)、新泽西州特伦顿的莫顿塞奥科公司(Morton Thiokol Inc.(Trenton,NJ))提供的LP3TM树脂,以及加利福尼亚格伦代尔的产品研究和化学公司(Products Research&Chemical Corp.(Glendale,CA))提供的Permapol P3TM树脂,以及化合物,诸如2-巯基乙胺和己内酰胺的加合物。
优选的多硫醇包括以下:
可固化组合物包含具有至少两个反应性烯烃基团的聚烯烃化合物。这类化合物由以下的通式表示:
其中
R1为多价(杂)烃基基团,
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
并且x≥2。
式II的化合物可包括聚烯烃,诸如聚脂肪族-烯烃类(例如,1,2-丁二烯低聚物和共-低聚物)、聚乙烯-烯烃类(乙烯基醚)、和聚烯丙基-烯烃类(烯丙基醚)。就胺配体稳定的量子点而言,优选基于非丙烯酸酯的多烯或聚烯烃用于配方稳定性。
在一些实施方案中,R1是脂族或芳族基团。R1可以选自1至20个碳原子的烷基基团或含有6-18个环原子的芳基芳族基团。R2具有x价,其中x为至少2,优选大于2。R1任选地含有一种或多种酯、酰胺、醚、硫醚、氨基甲酸酯或脲官能团。式I的化合物可包括具有2或更大的平均官能度的化合物的混合物。在一些实施方案中,R10和R11可合在一起以形成环。
在一些实施方案中,R1是杂环基团。杂环基团包括含有一个或多个氮、氧和硫杂原子的芳族和非芳族环系。合适的杂芳基基团包括呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基、四唑基、咪唑基和三嗪基。杂环基团可以是未取代的或被一个或多个取代基取代的,所述取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、羟基、卤素、卤代烷基、聚卤代烷基、全卤烷基(如,三氟甲基)、三氟烷氧基(如,三氟甲氧基)、硝基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、烷基羰基、烯基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基、芳烷基、杂芳基、杂芳基烷基、杂环基、杂环烷基、腈和烷氧羰基。
在一些实施方案中,烯烃化合物是多异氰酸酯的反应产物:
其中
R3为(杂)烃基基团;
X1为-O-、-S-或NR4-,其中R4为C1-C4烷基的H;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
R5为(杂)烃基基团,
x≥2。
具体地,R5可为具有任选的链中杂原子的亚烷基、亚芳基、亚烷芳基、亚芳烷基。R5可以选自1至20个碳原子的烷基基团或含有6-18个环原子的芳基芳族基团。R2具有x价,其中x为至少2,优选大于2。R1任选地含有一种或多种酯、酰胺、醚、硫醚、氨基甲酸酯或脲官能团。
可用于制备烯烃化合物的多异氰酸酯化合物包括连接到多价有机基团的异氰酸酯基团,在一些实施方案中,所述多价有机基团可包括多价脂族、脂环族或芳族部分(R3);或连接到缩二脲、异氰脲酸酯或脲二酮的多价脂族、脂环族或芳族部分,或它们的混合物。优选的多官能异氰酸酯化合物含有至少两个异氰酸酯(-NCO)基。含有至少两个-NCO基的化合物优选由连接有-NCO基的二价或三价脂族、脂环族、芳烷基或芳族基团组成。
合适的多异氰酸酯化合物的代表性示例包括如本文所定义的多异氰酸酯化合物的异氰酸酯官能化衍生物。衍生物的示例包括(但不限于)选自以下的衍生物:脲、缩二脲、脲基甲酸酯、异氰酸酯化合物的二聚物和三聚物(如脲二酮和异氰脲酸酯)以及它们的混合物。可以单独使用或者以两种或更多种混合物的形式使用任何适当的有机多异氰酸酯,诸如脂族、脂环族、芳烷基或芳族多异氰酸酯。
脂族多异氰酸酯化合物通常提供比芳族化合物更好的光稳定性。另一方面,与脂族多异氰酸酯化合物相比,芳族多异氰酸酯化合物通常更经济,并且与亲核物质的反应性更高。合适的芳族多异氰酸酯化合物包括(但不限于)选自以下的芳族多异氰酸酯化合物:2,4-甲苯二异氰酸酯(TDI)、2,6-甲苯二异氰酸酯、TDI与三羟甲基丙烷的加合物(以DesmodurTM CB购自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(Bayer Corporation,Pittsburgh,PA))、TDI的异氰脲酸酯三聚物(以DesmodurTM IL购自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(Bayer Corporation,Pittsburgh,PA))、二苯基甲烷4,4'-二异氰酸酯(MDI)、二苯基甲烷2,4'-二异氰酸酯、1,5-二异氰酸根萘、1,4-亚苯基二异氰酸酯、1,3-亚苯基二异氰酸酯、1-甲氧基-2,4-亚苯基二异氰酸酯、1-氯苯基-2,4-二异氰酸酯以及它们的混合物。
可用的脂环族多异氰酸酯化合物的示例包括(但不限于)选自以下的脂环族多异氰酸酯化合物:二环己基甲烷二异氰酸酯(H12MDI,以DesmodurTM商购自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(Bayer Corporation,Pittsburgh,PA))、4,4'-异丙基-双(环己基异氰酸酯)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、环丁烷-1,3-二异氰酸酯、环己烷1,3-二异氰酸酯、环己烷1,4-二异氰酸酯(CHDI)、1,4-环己烷双(亚甲基异氰酸酯)(BDI)、二聚酸二异氰酸酯(得自拜耳公司(Bayer))、1,3-双(异氰酸根甲基)环己烷(H6XDI)、3-异氰酸根甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯以及它们的混合物。
可用的脂族多异氰酸酯化合物的示例包括(但不限于)选自以下的脂族多异氰酸酯化合物:四亚甲基1,4-二异氰酸酯、六亚甲基1,4-二异氰酸酯、六亚甲基1,6-二异氰酸酯(HDI)、亚辛基1,8-二异氰酸酯、1,12-二异氰酸根合十二烷、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯(TMDI)、2-甲基-1,5-五亚甲基二异氰酸酯、二聚二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯的脲、六亚甲基1,6-二异氰酸酯(HDI)的缩二脲(DesmodurTM N-100和N-3200,得自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(Bayer Corporation,Pittsburgh,PA))、HDI的异氰脲酸酯(以DesmodurTM N-3300和DesmodurTM N-3600得自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(BayerCorporation,Pittsburgh,PA))、HDI的异氰脲酸酯和HDI的脲二酮的共混物(以DesmodurTMN-3400购自宾夕法尼亚州匹兹堡的拜耳公司(Bayer Corporation,Pittsburgh,PA))以及它们的混合物。
可用的芳烷基多异氰酸酯(具有烷基取代的芳基基团)的示例包括(但不限于)选自以下的芳烷基多异氰酸酯:间四甲基亚二甲苯基二异氰酸酯(m-TMXDI)、对四甲基亚二甲苯基二异氰酸酯(p-TMXDI)、1,4-亚二甲苯基二异氰酸酯(XDI)、1,3-亚二甲苯基二异氰酸酯、对-(1-异氰酸根乙基)苯基异氰酸酯、间-(3-异氰酸根丁基)苯基异氰酸酯、4-(2-异氰酸根环己基-甲基)苯基异氰酸酯以及它们的混合物。
通常,优选的多异氰酸酯包括选自2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯(TMDI)、四亚甲基1,4-二异氰酸酯、六亚甲基1,4-二异氰酸酯、六亚甲基1,6-二异氰酸酯(HDI)、八亚甲基1,8-二异氰酸酯、1,12-二异氰酸根合十二烷、它们的混合物以及缩二脲、异氰脲酸酯或脲二酮衍生物中的那些。
在一些优选的实施方案中,烯烃化合物为下式的氰脲酸酯或异氰脲酸酯:
其中n为至少1;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
其它可用的聚烯烃化合物包括以下物质。
聚烯烃化合物可以制备为多硫醇化合物和环氧-烯烃化合物的反应产物。类似地,聚烯烃化合物可以通过多硫醇或多元醇与二级或更高级环氧化合物反应,然后通过与环氧-烯烃化合物反应来制备。或者,聚氨基化合物可以与环氧-烯烃化合物反应,或者聚氨基化合物可以与二级或更高级环氧化合物反应,然后与环氧-烯烃化合物反应。
聚烯烃可以通过双烯基胺(诸如HN(CH2CH=CH2))与二级或更高级环氧化合物或与双或高(甲基)丙烯酸酯或多异氰酸酯的反应来制备。
聚烯烃可通过用α-卤代ω-烯烃(如烯丙基卤化物)烷基化多元醇,例如,用烯丙基卤化物烷基化季戊四醇来制备。另选地,聚烯烃可通过多元醇与具有异氰酸酯基团和末端链烯基团的化合物的反应来制备。
聚烯烃可以通过羟基官能的聚烯基化合物(诸如(CH2=CH-CH2-O)n-R-OH)与聚环氧化合物或多异氰酸酯的反应来制备。
低聚聚烯烃可以通过(甲基)丙烯酸羟烷基酯和烯丙基缩水甘油醚之间的反应来制备。
在一些优选的实施方案中,聚烯烃和/或多硫醇化合物是低聚的并且通过二者中一者过量的反应制备。例如,式I的多硫醇可以与过量的式II的聚烯烃反应,使得低聚聚烯烃产物具有至少2的官能度。相反,过量的式I的多硫醇可以与式II的聚烯烃反应,由此使得低聚多硫醇产物具有至少2的官能度。低聚聚烯烃和多硫醇可以由下式表示,其中下标z为2或更大。R1、R2、R10、R11、y和x如前所定义。
在下式中,为了简单起见,示出了线性硫醇-烯烃聚合物。应当理解,第一聚合物的侧链烯基将与过量的硫醇反应,并且第二聚合物的侧链硫醇基团将与过量的烯烃反应。
该组合物还包含环氧树脂。合适的环氧树脂包含可为脂族、脂环族、芳族或杂环的单体或低聚的环氧化合物。这些材料通常每个分子平均具有≥1个的可聚合的环氧基团。一些环氧树脂每个分子具有≥1.5个或≥2个可聚合的环氧基团。低聚的环氧化物可以为具有环氧端基的直链低聚物(例如,聚氧化烯二醇的二缩水甘油醚)、具有框架环氧单元的低聚物(例如,聚丁二烯聚环氧化物)、或具有环氧侧基的低聚物(例如,甲基丙烯酸缩水甘油酯低聚物或共低聚物)。环氧化物可为纯化合物或可为每个分子包含一个、两个或更多个环氧基团的化合物的混合物。这些含环氧的材料可具有任何类型的主链并且其上具有大致上不妨碍固化的任何合适的取代基。许可的取代基的例示包括卤素、酯基、醚、磺酸酯基、硅氧烷基、硝基、磷酸酯基,等等。含环氧的材料的平均分子量可为约58g/mol至约1000g/mol或更大。
可用的环氧树脂包含具有下列式IV的缩水甘油醚化合物:
其中R20为m价的(杂)烃基基团,并且m≥2,优选地m>2。式IV的化合物可包括具有2个或更大的平均官能度的化合物的混合物。
R20包含任何(杂)烃基基团,包括脂族和芳族多硫醇。R20任选地还包括一种或多种官能团,所述官能团包括侧链的羟基、酸、酯或氰基基团或者悬链(链中)醚、脲、氨基甲酸酯、酯基团、酰胺、硫醚、官能团。
在一个实施方案中,R20包含具有1个至30个碳原子的非聚合脂族或脂环族部分。在另一个实施方案中,R20是聚合的并且包含具有悬垂或末端反应性环氧基团的聚氧化烯、聚酯、聚烯烃、聚丙烯酸酯或聚硅氧烷聚合物。可用的聚合物包括(例如)环氧封端的聚乙烯或聚丙烯、以及环氧封端的聚(氧化烯)。
示例性环氧化物为多元酚的缩水甘油醚,其可通过多元酚与过量氯乙醇诸如环氧氯丙烷反应而得到(例如,2,2-双-(2,3-环氧丙氧基苯酚)-丙烷的二缩水甘油醚)。该类型环氧化物的另外的示例在美国专利号3,018,262和在Lee与Neville的《环氧树脂手册》,纽约麦格劳希尔出版公司(1967年)(Handbook of Epoxy Resins,Lee and Neville,McGraw-Hill Book Co.,New York(1967))中有所描述。
可利用多种可商购获得的环氧树脂。具体而言,易得的环氧化物包括十八烯氧化物、环氧氯丙烷、氧化苯乙烯、乙烯基环己烯氧化物、缩水甘油、甲基丙烯酸缩水甘油酯、双酚A的二缩水甘油醚(例如,购自迈图专用化学品公司(Momentive Specialty Chemicals)EPON 828、EPON 825、EPON 1004、和EPON 1001),以及购自密执安州米德兰的陶氏化学公司(Dow Chemical Co.,Midland,MI)的DER 221、DER 332、和DER 334、乙烯基环己烯二氧化物(例如,购自联合碳化物公司(Union Carbide)的ERL 4206)、3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烯羧酸酯(例如,购自联合碳化物公司(Union Carbide)ERL 4221、CYRACURE UVR6110、和CYRACURE UVR 6105)、3,4-环氧-6-甲基环己基甲基-3,4-环氧-6-甲基-环己烯羧酸酯(例如,购自联合碳化物公司(Union Carbide)的ERL 4201)、二(3,4-环氧-6-甲基环己基甲基)己二酸酯(例如,ERL 4289)、二(2,3-环氧环戊基)醚(例如,ERL 0400)、由聚丙二醇改性的脂族环氧树脂(例如,ERL 4050和ERL 4052)、二氧化二戊烯(例如,ERL 4269)、环氧化聚丁二烯(例如,购自FMC公司(FMC Corp.)的OXIRON 2001)、包含环氧官能团的有机硅树脂、诸如溴化双酚型环氧树脂的阻燃环氧树脂(例如,DER 580)、苯酚甲醛酚醛清漆的1,4-丁二醇二缩水甘油醚(例如,购自陶氏化学公司(Dow Chemical)的DEN 431和DEN 438)、间苯二酚二缩水甘油醚(例如,购自柯柏斯公司(Koppers Company,Inc.)的KOPOXITE)、二(3,4-环氧环己基)己二酸酯(例如,ERL 4299或CYRACURE UVR 6128)、2-(3,4-环氧环己基-5,5-螺-3,4-环氧)环己烷-间-二噁烷(例如,ERL-4234)、乙烯基环己烯一氧化物、1,2-环氧十六烷(例如,CYRACURE UVR-6216)、诸如烷基Cs-C10缩水甘油醚(例如,购自分解性能产品部(Resolution Performance Products)的HELOXY MODIFIER7)、烷基C12-C14缩水甘油醚(例如,购自迈图专用化学品公司(Momentive Specialty Chemicals)的HELOXY MODIFIER 8)、丁基缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 61)、甲苯基缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER62)、对叔丁基苯基缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 65)的烷基缩水甘油醚、诸如1,4-丁二醇的二缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 67)、新戊二醇的二缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 68)、环已烷二甲醇的二缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 107)、三羟甲基乙烷三缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 44)、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚(例如,HELOXY 48)、脂族多元醇的多缩水甘油醚(例如,HELOXY MODIFIER 84)的多官能缩水甘油醚、聚二醇二环氧化物(例如,HELOXY MODIFIER 32)、双酚F环氧化物(例如,购自亨斯迈先进材料公司(Huntsman Advanced Materials)的EPON 862和Araldite GY-281)、双酚A环氧甲基丙烯酸酯低聚物(例如,购自美国沙多玛公司(Sartomer Americas)的SARTOMERCN154)、以及9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基芴酮(例如,购自迈图专用化学品公司(Momentive Specialty Chemicals)的EPON 1079)。
其它可用的含环氧的材料包括含有环氧环己烷基团的那些,诸如环氧环己烷羧酸酯,典型如3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烷羧酸酯、3,4-环氧-2-甲基环己基甲基-3,4-环氧-2-甲基环己烷羧酸酯、以及双(3,4-环氧-6-甲基环己基甲基)己二酸酯。这种实质的可用的环氧化物的更详细清单在U.S.3,117,099(Proops等人)中给出。
其它可用的环氧树脂是众所周知的并且包含环氧化物,诸如环氧氯丙烷、环氧烷(例如,环氧丙烷)、氧化苯乙烯、链烯基氧化物(例如,丁二烯氧化物)和缩水甘油基酯(例如,缩水甘油酸乙酯)。还有其它可用的环氧树脂包括环氧官能化的硅氧烷,诸如在U.S.4,279,717(Eckberg等人)中所述的那些,其可从通用电气公司(General Electric Company)商购获得。这些环氧树脂是聚二甲基硅氧烷,其中1摩尔%至20摩尔%的硅原子已被环氧烷基(优选地为环氧环己基乙基,如U.S.5,753,346(Leir等人)中所述)取代。
也可使用各种含环氧的材料的共混物。合适的共混物可包含两个或更多个重均分子量分布的含环氧的化合物,诸如低分子量环氧化物(例如,重均分子量低于200g/mol)、中等分子量的环氧化物(例如,重均分子量范围为约200g/mol至1000g/mol)、以及较高分子量的环氧化物(例如,重均分子量高于约1000g/mol)。作为另外的选择或除此之外,环氧树脂可包含具有不同化学性质诸如脂族和芳族,或者不同官能团诸如极性和非极性的含环氧的材料的共混物。
优选的环氧树脂包括以下:
组分一般以大约1:1(+/-20%)的硫醇基团与(烯烃基团+环氧基团)的摩尔量使用。因此,多硫醇的硫醇基团与(聚烯烃的烯烃基团加上环氧树脂的环氧基团)的摩尔比将为0.75:1至1:0.75,优选地,0.9:1至1:0.9。此外,根据需要和性能,多烯和聚环氧化物的比率从95:5至5:95改变。在硫醇-烯烃和硫醇-环氧化物的不同固化条件下,分步固化有利于高质量QDEF制品(尤其是如果同时固化可产生显著量的热的较厚制品)的固化热控制。烯烃和环氧化物的不同比例提供了固化热控制的可能性。
在一些实施方案中,(甲基)丙烯酸酯用于基体粘结剂组合物中。可用的辐射固化性甲基丙烯酸酯化合物具有可最小化水和/或氧气侵入的阻挡特性。在一些实施方案中,玻璃化转变温度(Tg)大于约100℃的甲基丙烯酸酯化合物和能够形成高交联密度的取代基可提供具有改善的气体和水蒸气阻挡特性的基体。在一些实施方案中,辐射可固化甲基丙烯酸酯化合物是多官能的,并且合适的示例包括但不限于以商品名SR 348(乙氧基化(2)双酚A二(甲基)丙烯酸酯)、SR540(乙氧基化(4)双酚A二(甲基)丙烯酸酯)和SR239(1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯)得自宾夕法尼亚州埃克斯顿的美国沙多玛公司(Sartomer USA,LLC,Exton,PA)的那些。
(甲基)丙烯酸酯化合物形成约0重量%至约25重量%,或约5重量%至约25重量%,或约10重量%至约20重量%的基体组合物。
在其中硫醇-烯烃-环氧聚合物组合物还包含(甲基)丙烯酸酯组分的实施方案中,烯烃的摩尔官能团当量加上(甲基)丙烯酸酯的摩尔官能团当量加上环氧基团的摩尔当量等于硫醇当量+/-20%。
可在硫醇-烯烃-环氧化物配方中加入环氧-烯烃化合物,诸如烯丙基缩水甘油基醚、1,2-环氧-7-辛烯和1,2-环氧-9-癸烯以将硫醇-烯烃和硫醇-环氧化物基体桥联。
硫醇-烯烃-环氧树脂可通过将多硫醇、聚烯烃和环氧树脂以适合的比率组合,并且然后使用自由基(就硫醇-烯烃而言)和胺或酸催化剂(就硫醇-环氧化物而言)的组合固化来制备。一般来讲,基体可通过使用光、热或氧化还原引发剂的自由基步骤,之后使用胺或酸催化剂的热固化来固化。胺或酸催化剂可以是光酸或光碱催化剂。应当理解一些硫醇-烯烃反应不需要自由基催化剂,但其是优选的
硫醇-烯烃-环氧树脂的硫醇和烯烃可通过暴露于光化辐射诸如紫外光而光固化。该组合物可以暴露于任何形式的光化辐射,例如可见光或紫外线辐射,但是优选地暴露于UVA(320至390nm)或UVV(395至445nm)辐射。一般来讲,光化辐射的量应足以形成触摸不粘的固体块。一般来讲,固化本发明的组合物所需的能量在约0.2至20.0J/cm2的范围。
为了引发光聚合反应,将树脂放在光化学辐射源(诸如高能量紫外光源)下方,该辐射源的暴露具有一定的持续时间和强度,以使得基本完成(大于80%)模具中所含组合物的聚合。如果需要,可以采用滤波器来排除可能对反应性组分或光聚合反应产生有害影响的波长。可以通过可固化组合物的暴露表面或通过如本文所述的阻挡层(通过适当选择在影响聚合所需的波长下具有必要透射的阻挡膜)来影响光聚合。
光引发能源发出光化辐射,即,具有700纳米或以下波长的辐射,它能够直接或间接产生能够引发基体组合物的硫醇和烯烃组分的聚合的自由基。优选的光引发能源发出紫外线辐射,即,具有约180至460纳米之间波长的辐射,其包括诸如汞弧灯、碳弧灯、低、中或高压汞蒸气灯、湍流等离子体弧灯、氙闪光灯、紫外发光二极管和紫外发光激光器的光引发能源。特别优选的紫外光源是购自日本东京的日亚公司(Nichia Corp.,Tokyo Japan)的紫外发光二极管,诸如型号NVSU233A U385、NVSU233A U404、NCSU276A U405、和NCSU276AU385。
在一个实施方案中,引发剂是光引发剂并且能够通过紫外线辐射激活。可用的光引发剂包括(例如)苯偶姻醚(诸如,苯偶姻甲醚和苯偶姻异丙醚)、取代的苯偶姻醚、取代的苯乙酮(诸如,2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)和取代的α-酮醇。可商购获得的光引发剂的示例包括IrgacureTM 819和DarocurTM 1173(两者均购自巴斯夫公司(BASF))、Lucem TPOTM(购自新泽西帕西波尼的巴斯夫公司(BASF,Parsippany,NJ))和IrgacureTM 651,(2,2-二甲氧基-1,2-联苯基-1-乙酮),其购自巴斯夫公司(BASF)。优选的光引发剂为购自新泽西蒙特奥利弗的巴斯夫公司(BASF,Mt.Olive,NJ)的2,4,6三甲基苯甲酰基苯基次膦酸乙酯(LucirinTM TPO-L)、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮(IRGACURE 1173TM,BASF公司(BASF))、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IRGACURE 651TM,BASF公司(BASF))、苯基双-(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦(IRGACURE 819,BASF公司(BASF))。其它合适的光引发剂包括巯基苯并噻唑、巯基苯并噁唑和六芳基双咪唑。
合适的热引发剂的示例包括过氧化物诸如过氧化苯甲酰、过氧化二苯甲酰、过氧化二月桂酰、过氧化环己烷、过氧化甲基乙基酮、氢过氧化物(例如,叔丁基氢过氧化物和枯烯氢过氧化物)、过氧化二碳酸二环己酯、2,2-偶氮-双(异丁腈)和过苯甲酸叔丁酯。市售的热引发剂的示例包括以商品名VAZO(其包括VAZOTM 64(2,2'-偶氮-双-(异丁腈))和VAZOTM52)购自特拉华州威名顿杜邦特种化学品公司(DuPont Specialty Chemical,Wilmington,DE)的引发剂以及得自宾夕法尼亚州费城北美埃尔夫爱托化学有限公司(Elf AtochemNorth America,Philadelphia,PA)的LucidolTM 70。
硫醇和烯烃组分也可使用有机过氧化物和叔胺的氧化还原引发剂体系聚合。可参考Bowman等人的Redox Initiation of Bulk Thiol-alkene Polymerizations,Polym.Chem.,2013,4,1167-1175(大量硫醇烯烃聚合的氧化还原引发,《聚合物化学》,2013年,第4卷,第1167-1175页)和其中的参考文献。
一般而言,引发剂的量小于5重量%,优选小于2重量%。在一些实施方案中,未添加自由基引发剂。
如果需要,可向硫醇-烯烃-环氧组合物添加稳定剂或抑制剂以控制自由基反应速率。稳定剂可以为硫醇-烯烃和/或环氧树脂领域中已知的任一者并且包括US 5358976(Dowling等人)和US 5208281(Glaser等人)中所述的N-亚硝基化合物,以及US 5459173(Glaser等人)中所述的烯基取代的酚类化合物。
在自由基引发之后,使用胺或酸催化剂,利用多硫醇将环氧树脂组分热固化。催化剂可以是包括光酸产生剂或光碱产生剂的光催化剂。一般来讲,如果量子点是胺配体稳定化的,则优选用于环氧树脂的胺催化剂。类似地,如果量子点是酸稳定的,则优选酸催化剂。
胺催化剂用于将硫醇(-SH)去质子化为硫醇盐(-S-),其通过亲核开环聚合与环氧基团反应。胺催化剂可包括以下组中的一种或多种:环脒;叔胺;仲胺;取代的环脒、取代的叔胺、取代的仲胺;或它们的组合。催化剂可包括咪唑、咪唑啉、吡咯烷、取代的咪唑化合物、取代的咪唑啉化合物、1,4,5,6-四氢嘧啶、取代的1,4,5,6-四氢嘧啶化合物、取代的吡咯烷化合物、取代的哌啶化合物中的一种或多种,以及它们的组合。催化剂还可包括未取代的哌啶、无环脒,或取代的无环脒。根据本发明可以是可接受的催化剂的无环脒的示例包括N,N'-二烷基烷基脒,诸如N,N'-二甲基烷基脒和N,N'-二乙基甲基脒。
多重官能或多官能胺(例如,含有伯官能和仲官能或多伯官能的二胺)将导致链延伸和交联(即,将用作固化剂)。即使这将导致发生交联,也可以使用多官能胺或其它固化剂,但使用有限的量。
用于环氧树脂的胺催化剂可以选自光碱产生剂。暴露于UV辐射时,光碱产生剂释放胺,其催化硫醇与环氧树脂的加成。
本发明中可用的光碱产生剂为暴露于光时释出碱的任何化合物,所述光的波长通常为约320纳米至420纳米,然而其它波长也可以是合适的。合适的光碱产生剂包括但不限于:苄基氨基甲酸酯、安息香氨基甲酸酯、o-氨基甲酰羟胺、O-氨基甲酰肟、芳族磺酰胺、α-内酰胺、N-(2-烯丙基乙烯基)酰胺、芳香叠氮化合物、N-芳基甲酰胺和4-(邻硝基苯基)二氢吡啶。
光碱产生剂并不受到具体的限制,只要其在光照下直接或间接生成胺即可。光碱产生剂包括(例如)双[[(2-硝基苄基)氧代]羰基己烷-1,6-二胺]、硝苯苄基环己基氨基甲酸酯、二(甲氧苄基)六亚甲基二氨基甲酸酯以及通式为(R5-NR6)x-R7的化合物,其中R5为光敏基团(包括苄氧基和甲缩醛基),R6为氢或烷基,R7为多价烷基或芳基,并且x为至少1。应当理解,上式表示其中通过光解而释出的聚胺具有式(HNR6)x-R7的胺光碱产生剂。
对于非黄化而言,优选非芳族碱作为催化剂。
光碱产生剂还描述于M.Shirai等人的“季铵二硫代氨基甲酸酯作为光碱产生剂的光化学反应及其在聚(甲基丙烯酸缩水甘油酯)的光引发热交联中的用途(PhotochemicalReactions of Quatemary Ammonium Dithiocarbamates as Photobase Generators and Their Use in The Photoinitiated Thermal Crosslinking of Poly (gycidylmethacrylate))”,聚合物科学杂志A部分(Journal of Polymer Science,PartA):聚合物化学,第39卷第1329-1341页(2001年)(Polymer Chemistry,vol.39,pp.1329-1341(2001));以及M.Shirai等人的“光酸产生剂和光碱产生剂:对聚合物材料的化学作用和应用(Photoacid and photobase generators:chemistry and applications topolymeric materials)”,聚合物科学进展,第21卷,第1-45页,XP-002299394,1996年(Progress in Polymer Science,vol.21,pp.1-45,XP-002299394,1996)。
任何合适的Ahrrhenius、路易斯酸或布朗斯台德-劳里酸催化剂均可用于催化与多硫醇的环氧树脂交联反应。合适的酸催化剂包括但不限于:强无机酸,诸如盐酸、硫酸、磷酸等;以及有机酸,诸如乙酸、对甲苯磺酸和草酸。可用的催化剂的示例为路易斯酸化合物,诸如BF3胺络合物,SbF6锍化合物、双芳烃铁络合物和布朗斯台德酸化合物,诸如五氟锑酸络合物。
酸催化剂可以选自光酸产生剂(PAG)。在被光能照射时,离子光酸产生剂发生断裂反应并且释放一个或多个路易斯或布朗斯台德酸分子,这些分子催化悬垂环氧基团的开环和加成,以形成交联。可用的光酸产生剂是热稳定的,并且不与共聚物发生热诱导的反应,并且易于溶解或分散于可交联组合物中。光酸产生剂是已知的,并且参见K.Dietliker所著的Chemistry and Technology of UV and EB Formulation for Coatings,Inks andPaints,vol.III(用于涂料、油墨和油漆的UV和EB制剂的化工技术,第III卷),SITATechnology Ltd.,London,1991。还可以参见Kirk-Othmer Encyclopedia of ChemicalTechnology,4.sup.th Edition,Supplement Volume(Kirk-Othme化工技术百科全书,第4增订版,增补卷),John Wiley and Sons,New York,year,第253-255页。
可用作本发明的离子光敏引发剂的阳离子部分的阳离子包括有机鎓阳离子,例如在U.S.4,250,311、3,708,296、4,069,055、4,216,288、5,084,586、5,124,417、5,554,664中所描述的那些,并且此类描述以引用方式并入本文,包括脂族或芳族基团的以IVA VIIA(CAS版本)族元素为中心的鎓盐,优选地为以I-、S-、P-、Se-N-和C-为中心的鎓盐,诸如选自氧化硫、碘鎓、锍、硒鎓、吡啶鎓、碳鎓和鏻鎓的那些鎓盐,并且最优选地为以I-和S-为中心的鎓盐,诸如选自氧化硫、二芳基碘鎓、三芳基锍、二芳基烷基硫、二烷基芳基硫和三烷基硫的那些鎓盐。
离子PAG中抗衡阴离子的实质可影响环氧基团的阳离子加成聚合的速率和程度。例如,J.V.Crivello和R.Narayan在化学材料第4692页(1992年)(Chem.Mater.,4,692,(1992))中报道常用的亲核阴离子的反应活性顺序为-SbF6>-AsF6>-PF6>-BF4。阴离子对反应活性的影响被归因于三个主要因素:(1)产生的质子或路易斯酸的酸性,(2)阳离子增长链中离子对的分离程度,和(3)阴离子对氟离子夺取反应和随后的链终止反应的易感性。也可以使用-B(C6F5)4
可用的鎓盐包括重氮盐,诸如芳基重氮盐;卤鎓盐,诸如二芳基碘鎓盐;锍盐,诸如三芳基锍盐;硒鎓盐,诸如三芳基硒鎓盐;氧化锍盐,诸如三芳基氧化锍盐;以及其它各类鎓盐,诸如三芳基鏻鎓盐和砷鎓盐,以及吡喃鎓盐和硫代吡喃鎓盐。
可用的离子光酸产生剂包括双(4-叔丁基苯基)碘鎓六氟锑酸盐(得自康涅狄格州斯特拉特福的Hampford研究公司(Hampford Research Inc.,Stratford,Conn.)的FP5034TM)、以Syna P1-6976.TM.购自新泽西州的Synasia Metuchen公司(SynasiaMetuchen,N.J.)的三芳基锍盐(二苯基(4-苯硫基)苯基锍六氟锑酸盐,二(4-二苯基硫鎓苯基)硫醚六氟锑酸盐)的混合物、(4-甲氧基苯基)苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)樟脑磺酸碘鎓盐、双(4-叔-丁基苯基)碘鎓六氟锑酸盐,、双(-叔-丁基苯基)碘鎓六氟磷酸盐、双(4-叔-丁基苯基)碘鎓四苯基硼酸盐、双(4-叔-丁基苯基)碘鎓甲苯磺酸盐、双(4-叔-丁基苯基)碘鎓三氟甲磺酸盐、([4-(辛氧基)苯基]苯碘鎓六氟磷酸盐)、([4-(辛氧基)苯基]苯碘鎓六氟锑酸盐)、(4-异丙基苯基)(4-甲基苯基)碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐(可以Rhodorsil 2074TM购自新泽西州东布朗士维克的蓝星有机硅公司(Bluestar Silicones,East Brunswick,Nj))、双(4-甲基苯基)碘鎓六氟磷酸盐(可以Omnicat 440TM购自美国伊利诺伊州的IGM树脂公司(IGM Resins Bartlett,Il))、4-(2-羟基-1-十四烷氧基)苯基碘鎓六氟锑酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐(可以CT-548TM得自台湾台北的科博科技有限公司(Chitec Technology Corp.Taipei,Taiwan))、二苯基(4-苯硫基)苯基锍六氟磷酸盐、二(4-(二苯基硫鎓)苯基)硫醚双六氟磷酸盐、二苯基(4-苯硫基)苯基锍六氟锑酸盐、二(4-(二苯基硫鎓)苯基)硫醚六氟锑酸盐、以及以商品名Syna PI-6992TM和Syna PI-6976TM(分别对应于PF6和SbF6盐)购自新泽西州梅塔坎的Synasia公司(Synasia,Metuchen,NJ)的这些三芳基锍盐的共混物。
使用光碱产生剂或光酸产生剂可以在光化学产生碱的过程中产生残余产物。一旦暴露于光化学辐射,光碱产生剂便将发生光解,从而生成胺和残余化合物。例如,二胺的双-苄基氨基甲酸酯将光解生成二胺和作为“光碱产生剂残余物”的苯基酮。肟酯将生成酮。此类残余物的含量很低,因此通常不会干扰所得偏振片的所需光学特性。残余物可以通过常规的分析技术(诸如红外光谱、紫外光谱和NMR光谱、气相或液相色谱、质谱或此类技术的组合)进行检测。因此,本发明可包含固化的硫醇-烯烃-环氧基体共聚物和来自光碱/光酸产生剂的可检测量的残余物。
通常,基于环氧基团的总量和催化剂的分子量计,环氧树脂的催化剂的用量为至少约0.05重量%,
更优选地至少约0.1重量%,在约0.1重量%至约5重量%的范围内,或更优选地在约0.5重量%至约2重量%的范围内。
参见图1,量子点制品10包括第一阻挡层32、第二阻挡层34和位于第一阻挡层32与第二阻挡层34之间的量子点层20。量子点层20包括分散于基体24中的多个量子点22。
阻挡基体层32,34可由任何可用材料形成,该可用材料可保护量子点22免于暴露在环境污染物(例如,氧气、水和水蒸气)中。合适的阻挡层32、阻挡层34包括但不限于聚合物膜、玻璃膜和介电材料膜。在一些实施方案中,用于阻挡层32、阻挡层34的合适的材料包括例如:玻璃和聚合物,诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、PEN、聚醚或PMMA;氧化物,诸如氧化硅、氧化钛或氧化铝(例如,SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3);以及它们的合适的组合。期望阻挡层对选定波长的入射和发射的辐射至少90%,优选地至少95%是能够透射的。
更具体地,阻挡基体可选自多种构造。通常选择阻挡基体以使得它们根据应用需要而具有指定水平的氧和水传输速率。在一些实施方案中,阻挡基体层具有分散于基体中且作为膜制品层压在两个透明阻挡膜之间的量子点。在一些实施方案中,膜制品具有不小于初始量子点的量子收率。在一些实施方案中,在38℃和100%的相对湿度下,阻挡膜的水蒸气透过率(WVTR)小于约0.005g/m2/天;在一些实施方案中在38℃和100%的相对湿度下,小于约0.0005g/m2/天;并且在一些实施方案中,在38℃和100%的相对湿度下小于约0.00005g/m2/天,以更好的保护氧和水分敏感性量子点。在一些实施方案中,在50℃和100%的相对湿度下,柔性阻挡膜的WVTR小于约0.05、0.005、0.0005或0.00005g/m2/天;在85℃和100%的相对湿度下,柔性阻挡膜的WVTR甚至小于约0.005、0.0005、0.00005g/m2/天。在一些实施方案中,在23℃和90%的相对湿度下,阻挡膜的氧气透过率小于约0.005g/m2/天,在一些实施方案中小于约0.0005g/m2/天,在一些实施方案中小于约0.00005g/m2/天。
示例性的可用阻挡膜包括通过原子层沉积、热蒸发、溅射和化学气相沉积法制备的无机膜。可用的阻挡膜通常是柔性且透明的。在一些实施方案中,可用的阻挡膜包含无机物/有机物。包含多层无机物/有机物的柔性超阻挡膜在例如美国专利No.7,018,713(Padiyath等人)中有所描述。此类柔性超阻挡膜可以具有设置于聚合物膜基材上的第一聚合物层,该聚合物膜基材用由至少一个第二聚合物层隔开的两个或更多个无机阻挡层顶涂。在一些实施方案中,阻挡膜包括一个无机阻挡层,该无机阻挡层插入设置于聚合物膜基材上的第一聚合物层和第二聚合物层224之间。
任选地,阻挡膜包括一个或多个底漆层以进一步改进阻挡性能以及量子点层在阻挡层上的粘附。然而,具有硫醇-烯烃-环氧基体,无需底漆层。
在一些实施方案中,量子点制品10的每个阻挡层32、阻挡层34包括不同材料或组合物的至少两个亚层。在一些实施方案中,此类多层阻挡构造可更有效地减小或消除阻挡层32、阻挡层34中的针孔缺陷对准,从而提供更有效的屏蔽以避免氧气和湿气渗入基体24中。量子点制品10可包含任何合适的材料,或阻挡材料的组合,以及在量子点层20的一侧或两侧上的任意合适数量的阻挡层或亚层。阻挡层和亚层的材料、厚度和数量将取决于具体应用,并且将被适当地选择以使阻挡保护和量子点22亮度增至最大,同时使量子点制品10的厚度减至最小。在一些实施方案中,每个阻挡层32、阻挡层34本身为层合膜,诸如双重层合膜,其中每个阻挡膜层足够厚,以在辊对辊或层合制造工艺中消除褶皱。在一个例示性实施方案中,阻挡层32、阻挡层34为其暴露表面上具有氧化物层的聚酯膜(例如,PET)。
量子点层20可包括量子点或量子点材料22的一个或多个群体。在将蓝光LED所发出的蓝基色光降频转换为量子点所发出的二次光时,示例性量子点或量子点材料22发出绿光和红光。可控制红光、绿光和蓝光的各自的部分来实现由结合了量子点制品10的显示装置发射的白光的所期望白点。用于量子点制品10中的示例性量子点22包括但不限于带ZnS壳的CdSe。用于本文所述量子点制品中的合适量子点包括但不限于芯/壳发光纳米晶体,包括CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS。在示例性实施方案中,发光纳米晶体包括外部配体涂层,并且发光纳米晶体分散于聚合物基体中。量子点和量子点材料22可从例如美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的Nanosys公司(Nanosys Inc.,Milpitas,CA)商购获得。量子点层20可具有任何可用量的量子点22,并且在一些实施方案中,量子点层20可包含基于量子点层20的总重量计0.1重量%至20重量%的量子点。
在一些实施方案中,量子点可以另外被具有下式的配体化合物官能化:
R8-(X)p VII
其中
R8为具有C2至C30碳原子的(杂)烃基基团;优选地为10个至30个碳原子的直链或支链烷基、或聚硅氧烷;
p为至少1;优选地为至少2;
X为供电子基团。优选地,X为氨基基团或硫醇。当用式I的配体官能化时,可以添加此类另外的配体。通常,每个纳米粒子存在许多配体分子。配体多于纳米晶体以确保QD的覆盖。
在一些实施方案中,量子点材料可包括分散于液体载体中的量子点,其可以是配体官能的或非官能的。例如,液体载体可包括油,诸如氨基硅油。期望地,选择液体载体以匹配聚合物基体的透射率。为了增加通过量子点层的光程长度,以及改善量子点吸收和效率,载体液体和聚合物基体的折射率差值≥0.05,优选地≥0.1。
氨基取代的硅氧烷载体液体(配体官能的载体液体)具有下式VI:
其中
每一个R6独立地为烷基或芳基;
RNH2为胺取代的(杂)烃基基团;
x为1至2000;优选为3至100;
y可以为零;
x+y为至少1;
R7为烷基、芳基或RNH2
其中胺官能的硅氧烷具有至少两个RNH2基团。
可用的氨基硅氧烷及其制备方法在US 2013/0345458(Freeman等人)中有所描述,该专利通过引用并入本文。可用的胺官能的硅氧烷描述于Lubkowsha等人的氨基烷基官能化硅氧烷(Aminoalkyl Functionalized Siloxanes),聚合物,2014年第59期,第763-768页(Polimery,2014 59,pp763-768)中,其可购自宾夕法尼亚州莫里斯维尔的Gelest有限公司(Gelest Inc,Morrisville,PA),以XiameterTM(包括Xiamter OFX-0479、OFX-8040、OFX-8166、OFX-8220、OFX-8417、OFX-8630、OFX-8803以及OFX-8822)得自道康宁公司(DowCorning)。可用的胺官能的硅氧烷也可以以商品名SilamineTM购自Siletech.com,以商品名ASF3830、SF4901、Magnasoft、Magnasoft PlusTSF4709、Baysilone OF-TP3309、RPS-116、XF40-C3029以及TSF4707购自Momentive.com。
购自MU的伯顿的杰纳西聚合物公司(Genesee Polymer Corp,Burton,MU)的特别优选的氨基硅氧烷GP-988具有下式:
用于CdSe基量子点的配体体系的示例为具有类似组成的粘结材料和附加材料两者的液体氨基硅氧烷类型油。用于InP基量子点的配体体系的示例为粘结介质链羧酸物质,其具有固体聚合物(例如,甲基丙烯酸异冰片酯)作为附加材料,或具有也粘结到量子点的聚合物中的羧酸根基团。
在一些实施方案中,配体系统在渗透时可为液体,并且随后通过固化、聚合或溶剂去除转变为固体。在一些实施方案中,配体体系可以保持液体以提供分散于载体液体中,继而分散于聚合物基体中的量子点的液滴。
在一些实施方案中,相对于包括无机纳米粒子的总量,配体和载体液体(配体官能的或非官能的)的量60重量%,优选地≥70重量%,更优选地≥80重量%。换句话说,相对于稳定的量子点的总重量,配体稳定的量子点包含≥60重量%的式VII的配体化合物和/或式VI的硅氧烷。
在一个或多个实施方案中,量子点层20可任选地包含散射小珠或散射粒子。这些散射小珠或散射粒子具有不同于基体材料24的折射率的折射率,折射率差值为至少0.05或至少0.1。这些散射小珠或散射粒子可包括例如:聚合物,诸如硅氧烷、丙烯酸类树脂、尼龙等等;或无机材料,诸如TiO2、SiOx、AlOx等等;以及它们的组合。在一些实施方案中,量子点层20中包含散射粒子可增加通过量子点层20的光程长度,并且改善量子点的吸收和效率。在许多实施方案中,散射小珠或散射粒子具有1微米至10微米,或2微米至6微米的平均粒度。在一些实施方案中,量子点材料20可任选地包含填料诸如热解法二氧化硅。
在一些优选的实施方案中,散射小珠或散射粒子为无机小珠,诸如可从俄亥俄州哥伦布的迈图专用化学品公司(Momentive Specialty Chemicals Inc.,Columbus,Ohio)分别以2.0、3.0、4.5和6.0微米粒度得到的TospearlTM 120A、130A、145A和2000B球形硅氧烷树脂。其它可用的散射粒子为可从永濑美国公司(Nagase America)或从积水化学工业株式会社(Sekisui Chemicals)得到的有机小珠。
量子点层20的基体24由本文所述的硫醇-烯烃-环氧树脂形成,该硫醇-烯烃树脂粘附到形成阻挡层32,34的材料以形成层合构造,并且还形成量子点22的保护性基体。在一个实施方案中,通过固化硫醇-烯烃-环氧组合物形成基体24,该硫醇-烯烃-环氧组合物包含任选的辐射可固化甲基丙烯酸酯化合物。
参见图2,在另一个方面,本公开涉及一种形成量子点膜制品100的方法,该方法包括将包含量子点的硫醇-烯烃-环氧组合物涂覆在第一阻挡层102上,并将第二阻挡层设置在量子点材料104上。在一些实施方案中,方法100包括使辐射可固化硫醇-烯烃-环氧聚合(例如,辐射固化)以形成部分固化的量子点材料106,并进一步使粘结剂组合物聚合以形成固化的基体108。在一些实施方案中,硫醇-烯烃-环氧树脂可在106中完全固化。
在一些实施方案中,可通过加热来固化或硬化粘结剂组合物。在其它实施方案中,还可以通过施加辐射诸如紫外(UV)光来固化或硬化量子点组合物。固化或硬化步骤可包括UV固化、加热或这两者。在一些并非旨在限制的示例性实施方案中,UV固化条件可包括施加约10mJ/cm2至约4000mJ/cm2的UVA,更优选地约10mJ/cm2至约200mJ/cm2的UVA。加热和UV光也可以单独施加或组合施加,以提高粘结剂组合物的粘度,这可允许在涂覆和加工线上更容易处理。
量子点组合物一般具有至少200cP,并且至多15,000cP,优选地为500cP至10,000cP并且最优选地在1000cP与3000cP之间的粘度。期望的可涂覆粘度通过选择相关联的多硫醇、聚烯烃和环氧树脂来实现。
在一些实施方案中,粘结剂组合物可以在层合在叠置的阻挡膜32、阻挡膜34之后固化。因此,粘结剂组合物粘度的提高在层合后立刻锁定了涂层的质量。通过先涂覆或层合再固化,在一些实施方案中,固化的粘结剂使粘度增大至某个点,此时粘结剂组合物充当粘合剂,以在固化期间将层合物保持在一起,并大大减少固化期间的缺陷。在一些实施方案中,粘结剂的辐射固化与传统的热固化相比,更好地控制涂覆、固化和幅材处理。
一旦粘结剂组合物至少部分地固化,就形成聚合物网络,其为量子点22提供保护性支撑基体24。
侵入(包括边缘侵入)被定义为由于湿气和/或氧气侵入基体24中而造成量子点性能损失。在各种实施方案中,湿气和氧气至固化的基体24中的边缘侵入在85℃下1周后小于约1.0mm,或在85℃下1周后小于约0.75mm,或在85℃下1周后小于约0.5mm,或在85℃下1周后小于0.25mm。在各种实施方案中,基体具有在65℃和95%相对湿度下500小时后小于约0.5mm的湿气和氧气侵入。
在各种实施方案中,至固化基体中的氧气渗透率小于约80(cc.密耳)/(m2天),或小于约50(cc.密耳)/(m2天)。在各种实施方案中,固化基体的水蒸气透过率应当小于约15(20g/m2.密耳.天),或小于约10(20g/m2.密耳.天)。
在各种实施方案中,在老化时观察到的颜色变化由在85℃下老化1周的时间段之后,在1931CIE(x,y)色谱坐标系上小于0.02的变化限定。在某些实施方案中,在老化时的颜色变化在85℃下老化1周的时间段之后小于0.005。在某些实施方案中,基体在65℃和95%相对湿度下100小时后使用CIE1931(x,y)规则具有小于约0.02的色移d(x,y)。
硫醇-烯烃-环氧基体在入射辐射的光谱区域,通常为450±50nm的区域中具有至少85%,优选地至少90%,更优选至少95%的透射率。另外,硫醇-烯烃-环氧基体在450至750nm的可见光区内具有至少85%,优选地至少90%,更优选至少95%的平均透射率。
在各种实施方案中,量子点层20的厚度为约25微米至500微米,通常为40微米至约250微米。
硫醇-烯烃-环氧基体中的点的量子效率通常超过溶液中量子点的效率。量子点制品可实现>85%,优选地>90%的外部量子效率(EQE),如通过使用Nanosys公司(Nanosys)提供的量子点的Hamamatsu(TM)Quantarus来测量。参见http://www.hamamatsu.com/us/en/product/alpha/P/5033/index.html。
图3为包括本文所述的量子点制品的显示装置200的实施方案的示意图。该示意图仅作为示例提供,并且不旨在进行限制。显示装置200包括具有光源204(诸如例如发光二极管(LED))的背光源202。光源204沿着发射轴235发光。光源204(例如,LED光源)发出的光通过输入边缘208进入中空光循环腔210中,该中空光循环腔上具有背反射器212。背反射器212可主要为镜面反射型、漫射型或它们的组合,并且优选地为高度反射型。背光源202还包括量子点制品220,该量子点制品包括其中分散有量子点222的保护性基体224。保护性基体224的两个表面由聚合物阻挡膜226、聚合物阻挡膜228界定,该聚合物阻挡膜可包括单层或多层。
显示装置200还包括前反射器230,该前反射器包括多个定向再循环膜或层,这些定向再循环膜或层是光学膜,其表面结构在更接近显示器轴的方向上重新导向偏轴光,这可增加通过显示装置轴向传播的光量,这提高了观看者所看到的图像的亮度和对比度。前反射器230还可包括其它类型的光学膜,诸如偏振片。在一个非限制性示例中,前反射器230可包括一个或多个棱镜膜232和/或增益漫射器。棱镜膜232可以具有沿着轴伸长的棱镜,其可以相对于光源204的发射轴235平行或垂直取向。在一些实施方案中,棱镜膜的棱镜轴可以交叉。前反射器230还可包括一个或多个偏振膜234,该偏振膜可包括多层光学偏振膜、漫反射偏振膜等等。由前反射器230发射的光进入液晶(LC)面板280。背光结构和膜的多个示例可以见于例如美国专利公布号US 8848132(Epstein等人)中。
实施例
材料
方法
制备基体涂层制剂的一般方法
通过以所需的当量比混合多硫醇、聚烯和聚环氧化物混合,并且然后加入约1g的量子点(QD)混合物(包含QD-1(0.8g)和QD-2(0.2g))和光引发剂(1%,~0.2g TPO-L)以及碱催化剂(0.5%,~0.1g Me2NCH2CH2OH)制备下述每个实施例和比较例的约20g基体涂层制剂,其用Cowles叶片式混合器在氮气箱中以1400rpm的速度充分混合2分钟。在比较例的情况下,引发剂为碱催化剂(0.75%,~0.15g Me2NCH2CH2OH)。
然后,将上述制备的制剂以约100μm的厚度在两片剥离膜(SILPHAN S36M,1R10003Clear 152m,获自伊利诺斯州芝加哥的思立科S.P.A.公司(Siliconature S.P.A.,Chicago IL))之间刀涂,并通过在385nm LED UV光(获自明尼苏达州霍普金斯的清晰岩石科技公司(Clearstone Technologies,Hopkins,Minnesota))下暴露经涂覆的膜30秒而固化。经涂覆的和固化的膜用于如下所述的热分析。
然后,将上述制备的制剂在两个2密耳(50μm)厚的底漆PET阻挡膜(FTB3-M-50,可以商品名“3M FTB3BARRIER FILM”购自明尼苏达州圣保罗的3M公司(3M Company,St.Paul,Minnesota))之间以约100μm的厚度刀涂,并且通过在385nm的LED UV光下暴露经涂覆的膜30秒钟来固化,然后在110℃烘箱中热固化5分钟。固化膜用于量子收率测量和老化研究。
用于测定涂层质量的方法
目视检查根据上述程序制得的基体的质量。“差”是指具有显著厚度变化的不均匀基体;“不均匀”是指具有一些波浪线的不均匀基体;“好”是指可接受的质量;“良好”是指基体中的非常有限的不均匀区;并且“极好”是指不具有明确缺陷的均匀基体。
热分析方法
使用Q200差示扫描量热仪(特拉华州纽卡斯尔的TA仪器公司(TA Instruments,New Castle,Delaware))进行热分析。差示扫描量热仪(DSC)扫描在-75℃至150℃下以3℃/分钟的加热速率进行。测定玻璃化转变温度(Tg)。
用于测量量子产率(QY)的方法
所有量子产率(EQE)通过使用绝对PL量子产率光谱仪C11347(新泽西州米德尔塞克斯的滨松公司(Hamamatsu Corporation,Middlesex,New Jersey))测量。
用于老化研究的方法
老化研究通过将下述实施例中制得的切割膜放置在85℃烘箱中7天,然后测量EQE和边缘入侵来评估老化稳定性。
用于测定边缘侵入的方法
在切割膜如上所述老化之后,通过放大镜下的直尺从基体膜的切割边缘测量具有两个阻挡膜的固化基体的边缘侵入。如果在老化期间量子点被氧气和/或湿气劣化并且不发出绿色和/或红色光,则边缘处的量子点在蓝色光下显示黑线。边缘侵入标号表示量子点从切割边缘已经劣化的深度。
实施例1-29(实施例1-实施例29)和比较例1-11(比较例1-比较例11)
根据上述用于制备基体涂层制剂的一般方法,制备实施例1-实施例29和比较例1至比较例10基体涂层制剂。基体涂层制剂有所不同。使用上述测试方法,评估所得基体膜的涂层质量、热分析、量子收率测量和边缘入侵。在所制备的样品(即,老化之前)上进行如上所述的老化稳定性测试(即,老化之后)之后进行量子产率测量。
下表1总结了实施例1-实施例29和比较例1-比较例10的中每一个的所得基体膜的基体涂层制剂和质量。
下表2总结了在制备样品时的Tg和QY数据(EQE%、Abs%)和所选实施例的相同样品在老化之后的QY数据(EQE%、Abs%)和边缘入侵。比较例11为“3M量子点增加膜”,其中环氧树脂-胺/丙烯酸酯基体通过紫外线和热处理固化,其购自明尼苏达州圣保罗的3M公司(3M Company,Saint Paul,Minnesota.)。
表1.
虽然不受理论的束缚,但因为固化期间产生的强放热,所有基于硫醇-环氧的制剂(比较例1至比较例10)更难以通过一般涂覆和固化过程以可接受的质量获得均匀的基体。通过将光固化的硫醇-烯烃与热固化的硫醇-环氧树脂共混,可通过将固化热稀释成两个独立地固化过程来实现,首先光照射固化然后热固化或者反之亦然。在每个固化过程中的固化热可容易地通过烯烃和环氧树脂的比率来调节。
表2.

Claims (65)

1.一种组合物,所述组合物包含分散于硫醇-烯烃-环氧树脂基体中的量子点。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述硫醇-烯烃-环氧树脂衍生自至少一种多硫醇、至少一种聚烯烃和至少一种聚环氧树脂,其中各具有≥2的官能度。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中所述基体为固化的并且具有>20℃的Tg
4.根据权利要求1所述的组合物,其中所述基体为未固化的。
5.根据权利要求2所述的组合物,其中所述聚烯烃具有下式:
其中
R1为多价(杂)烃基基团,
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
并且x≥2。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中R1为环状脂族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、硫醚、氨基甲酸酯、脲官能团组成的一者或多者,并且x≥2。
7.根据权利要求5所述的组合物,其中R1为低聚或非低聚脂族或芳族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚、脲官能团组成的一者或多者,并且x≥2。
8.根据权利要求2所述的组合物,其中所述多硫醇具有下式:
R2(SH)y,其中R2为具有y价的(杂)烃基基团,并且y≥2。
9.根据权利要求8所述的组合物,其中R2为脂族或芳族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚和脲官能团组成的一者或多者,并且y≥2。
10.根据权利要求9所述的组合物,其中R2为具有1至30个碳原子和任选地氧、氮或硫的1至4个悬链杂原子的脂族部分、脂环族部分、芳族部分或烷基取代的芳族部分。
11.根据权利要求2所述的组合物,其中所述多硫醇是通过多元醇与末端硫醇取代的羧酸的酯化反应而获得的。
12.根据权利要求2所述的组合物,其中所述聚烯烃具有下式:
其中
R3为(杂)烃基基团;
X1为-O-、-S-或–NR4-,其中R4为C1-C4烷基的H;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
n为至少1,
x≥2。
13.根据权利要求2所述的组合物,其中所述聚烯烃具有下式:
其中n为至少1;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基,或
以下基团。
14.根据权利要求2所述的组合物,其中所述环氧树脂为具有下式的缩水甘油醚:
其中
R20为(杂)烃基基团,并且m为1至6。
15.根据权利要求14所述的组合物,其中R20还包括选自下列的一个或多个官能团:侧羟基、酸、酯、或氰基基团。
16.根据权利要求14所述的组合物,其中R20还包括悬链(链中)醚、脲、氨基甲酸酯、酯基团、酰胺、硫醚、官能团。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的组合物,其中所述多硫醇的硫醇基团与所述聚烯烃的烯烃基团加上所述环氧树脂的环氧基团的化学计量摩尔比为0.75:1至1:0.75。
18.根据权利要求17所述的组合物,其中所述聚烯烃的烯烃基团和所述聚环氧化物的环氧基团的比率为95:5至5:95。
19.根据权利要求1所述的组合物,其中所述量子点为由有机配体稳定的芯-壳量子点。
20.根据权利要求1所述的组合物,其中所述量子点选自CdSe/ZnS和InP/ZnS。
21.根据权利要求1-20中任一项所述的组合物,其中所述硫醇-烯烃-环氧基体中的量子点的重量比为0.1%至20%。
22.根据权利要求1-21中任一项所述的组合物,其中所述基体还包含具有在1微米至10微米范围内的平均尺寸的散射粒子。
23.根据权利要求1-22中任一项所述的组合物,其中所述硫醇-烯烃-环氧基体不具有(甲基)丙烯酸酯或炔基基团。
24.一种量子点制品,所述量子点制品包括:
第一阻挡层;
第二阻挡层;以及
所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的量子点层,所述量子点层包括分散于基体中的量子点,所述基体包含具有>20℃的Tg的固化的硫醇-烯烃-环氧树脂。
25.根据权利要求24所述的制品,其中所述硫醇-烯烃-环氧衍生自至少一种多硫醇、至少一种聚烯烃和至少一种聚环氧树脂,其中各具有≥2的官能度。
26.根据权利要求25所述的制品,其中所述聚烯烃具有下式:
其中
R1为多价(杂)烃基基团,
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
并且x≥2。
27.根据权利要求26所述的制品,其中R1为环状脂族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、硫醚、氨基甲酸酯、脲官能团组成的一者或多者,并且x≥2。
28.根据权利要求26所述的制品,其中R1为低聚或非低聚脂族或芳族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚、脲官能团组成的一者或多者,并且x≥2。
29.根据权利要求25所述的制品,其中所述多硫醇具有下式:
R2(SH)y,其中R2为具有y价的(杂)烃基基团,并且y≥2。
30.根据权利要求29所述的制品,其中R2为脂族或芳族基团,任选地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚和脲官能团组成的一者或多者,并且x≥2。
31.根据权利要求29所述的制品,其中R2为具有1至30个碳原子和任选地氧、氮或硫的1至4个悬链杂原子的脂族部分、脂环族部分、芳族部分或烷基取代的芳族部分。
32.根据权利要求25所述的制品,其中所述多硫醇是通过多元醇与末端硫醇取代的羧酸的酯化反应获得的。
33.根据权利要求25所述的制品,其中所述聚烯烃具有下式:
其中
R3为(杂)烃基基团;
X1为-O-、-S-或–NR4-,其中R4为C1-C4烷基的H;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基;
n为至少1,
x≥2。
34.根据权利要求25所述的制品,其中所述聚烯烃具有下式:
其中n为至少1;
R10和R11中的每一个独立地为H或C1-C4烷基,或
以下基团。
35.根据权利要求25所述的制品,其中所述环氧树脂为具有下式的缩水甘油醚:
其中
R20为(杂)烃基基团,并且m为1至6。
36.根据权利要求35所述的制品,其中R20还包括选自下列的一个或多个官能团:侧羟基、酸、酯、或氰基基团。
37.根据权利要求35所述的制品,其中R20还包括悬链(链中)醚、脲、氨基甲酸酯、酯基团、酰胺、硫醚、官能团。
38.根据权利要求24-37中任一项所述的膜制品,其中所述多硫醇的硫醇基团与所述聚烯烃的烯烃基团加上所述环氧树脂的环氧基团的化学计量摩尔比为0.75:1至1:0.75。
39.根据权利要求24-38中任一项所述的膜制品,其中所述聚烯烃的烯烃基团和所述聚环氧化物的环氧基团的比率为95:5至5:95。
40.根据前述权利要求24-39中任一项所述的制品,其中所述量子点为由有机配体稳定的芯-壳量子点。
41.根据权利要求40所述的膜制品,其中所述量子点选自CdSe/ZnS和InP/ZnS。
42.根据权利要求24-41中任一项所述的制品,其中所述硫醇-烯烃-环氧基体中的量子点的重量比为0.1%至20%。
43.根据权利要求24所述的制品,所述制品还包括底漆层,所述底漆层设置在所述阻挡层和所述量子点层之间。
44.根据权利要求24所述的制品,所述制品还不包括底漆层,所述底漆层设置在所述阻挡层和所述量子点层之间。
45.根据前述权利要求24-44中任一项所述的制品,其中所述硫醇-烯烃-环氧基体在450至750nm的区域中具有至少85%的平均透射率。
46.根据权利要求24-45中任一项所述的膜制品,其中所述基体还包含具有在1微米至10微米范围内的平均尺寸的散射粒子。
47.根据权利要求24-46中任一项所述的膜制品,其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的至少一者包括至少一种聚合物膜。
48.根据权利要求24-47中任一项所述的膜制品,其中所述基体在85℃下500小时后具有小于约0.5mm的湿气和氧气侵入。
49.根据权利要求24-48中任一项所述的膜制品,其中所述基体在65℃和95%相对湿度下500小时后具有小于约0.5mm的湿气和氧气侵入。
50.根据权利要求24-49中任一项所述的膜制品,其中所述基体在85℃下100小时后使用CIE1931(x,y)规则具有小于约0.02的色移d(x,y)。
51.根据权利要求24-49中任一项所述的膜制品,其中所述基体在85℃下100小时后使用CIE1931(x,y)规则具有小于约0.005的颜色变化d(x,y)。
52.根据权利要求24-51中任一项所述的膜制品,其中所述基体在65℃和95%相对湿度下100小时后使用CIE1931(x,y)规则具有小于约0.02的色移d(x,y)。
53.根据权利要求52所述的膜制品,其中所述基体在65℃和95%相对湿度下100小时后使用CIE 1931(x,y)规则具有小于约0.005的颜色变化d(x,y)。
54.根据权利要求24-53中任一项所述的膜制品,所述膜制品具有>85%的外部量子效率(EQE)。
55.根据权利要求24-54中任一项所述的制品,其中所述第一阻挡层和第二阻挡层之间的量子点基体层的厚度为25~500um。
56.根据权利要求24-55中任一项所述的制品,其中所述硫醇-烯烃-环氧不具有(甲基)丙烯酸酯或炔基基团。
57.一种显示装置,所述显示装置包括权利要求24-56中任一项的膜制品。
58.一种形成量子点膜制品的方法,所述量子点制品包括:
第一阻挡层;
第二阻挡层;以及
所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的量子点层,所述量子点层包括分散于基体中的量子点,所述基体包含具有>20℃的Tg的固化的硫醇-烯烃-环氧树脂;
所述方法包括以下步骤:将权利要求1-23中任一项的组合物涂覆在第一阻挡层上,任选地层压第二阻挡层,并且固化。
59.根据权利要求58所述的方法,所述方法包括将第二聚合物膜层压在涂覆的基体组合物上并固化。
60.根据权利要求58或59所述的方法,其中所述涂层组合物包含用有机配体稳定并分散于官能化硅氧烷中的芯-壳量子点。
61.根据权利要求58所述的方法,其中所述量子点涂层组合物具有至少200cP,并且至多15,000cP,优选地500~10,000cP的粘度。
62.根据权利要求58所述的方法,其中借助于光引发剂进行所述固化。
63.根据权利要求58所述的方法,其中用热引发剂进行所述固化。
64.根据权利要求58所述的方法,其中用氧化还原引发剂进行所述固化。
65.根据权利要求54-64中任一项所述的方法,其中用光酸产生剂或光碱产生剂固化所述环氧组分。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110962427A (zh) * 2019-11-25 2020-04-07 Tcl华星光电技术有限公司 量子点膜
CN111334151A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 三星显示有限公司 用于光转换层的组合物、光转换层以及包括其的电子装置
CN111971591A (zh) * 2018-03-27 2020-11-20 日立化成株式会社 波长变换构件、背光单元、图像显示装置及硬化性组合物
CN115677965A (zh) * 2022-09-15 2023-02-03 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种高性能量子点复合物的制备方法
CN116102885A (zh) * 2022-12-23 2023-05-12 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种水氧阻隔量子点复合材料及其制备方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3337872A1 (en) 2015-08-19 2018-06-27 3M Innovative Properties Company Perfluoroether-stabilized quantum dots
CN108026444B (zh) 2015-09-15 2020-08-04 3M创新有限公司 添加剂稳定的复合纳米粒子
KR20180054675A (ko) 2015-09-15 2018-05-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 첨가제 안정화된 복합 나노입자
KR20180084089A (ko) 2015-11-18 2018-07-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 나노입자를 위한 공중합체성 안정화 담체 유체
US11015115B2 (en) 2015-12-31 2021-05-25 3M Innovative Properties Company Curable quantum dot compositions and articles
CN108431172B (zh) 2015-12-31 2021-04-13 3M创新有限公司 包含具有量子点的颗粒的制品
US10899961B2 (en) 2016-02-17 2021-01-26 3M Innovative Properties Company Quantum dots with stabilizing fluorochemical copolymers
KR20220065086A (ko) 2016-04-01 2022-05-19 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 플루오로케미칼 안정화제를 갖는 양자점
WO2017200824A1 (en) 2016-05-20 2017-11-23 3M Innovative Properties Company Quantum dots with mixed amine and thiol ligands
CN109476987A (zh) 2016-07-20 2019-03-15 3M创新有限公司 用于量子点的稳定苯乙烯系聚合物
CN109476986B (zh) 2016-07-20 2022-07-01 3M创新有限公司 用于量子点的稳定苯乙烯聚合物
US11021574B2 (en) 2016-12-02 2021-06-01 3M Innovative Properties Company Dual cure monomers
US20190382655A1 (en) * 2016-12-12 2019-12-19 Dic Corporation Luminescent nanocrystal complex
US20200115630A1 (en) 2017-03-14 2020-04-16 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
JP7169308B2 (ja) * 2017-06-07 2022-11-10 ナノシス・インク. 樹脂フィルムにおける改善された量子ドットの信頼性のためのチオール化親水性リガンド
CA3066089C (en) * 2017-06-09 2022-09-13 Prc-Desoto International, Inc. Dual cure sealants
WO2018237236A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Austin Smith ANAEROBICALLY STABLE HOMOGENEOUS QUANTUM POINT CONCENTRATES
EP3444316A1 (en) * 2017-08-16 2019-02-20 Henkel AG & Co. KGaA Polythiourethane (meth)acrylate matrix containing nanocrystals
EP3444317B1 (en) * 2017-08-16 2020-07-08 Suzhou Rainbow Materials Co., Ltd. Epoxy-polythiourethane matrix containing nanocrystals
JP7013736B2 (ja) * 2017-09-07 2022-02-01 凸版印刷株式会社 プライマー層形成用組成物、バリアフィルム、波長変換シート、及び、波長変換シートの製造方法
WO2019115489A1 (en) 2017-12-14 2019-06-20 Merck Patent Gmbh Semiconducting light emitting nanoparticle
KR20200138248A (ko) * 2018-03-27 2020-12-09 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 파장 변환 부재, 백 라이트 유닛, 화상 표시 장치, 경화성 조성물 및 경화물
EP3643765A1 (en) 2018-10-22 2020-04-29 SABIC Global Technologies B.V. Stable quantum dot compositions
CN113544183A (zh) * 2019-03-27 2021-10-22 株式会社艾迪科 固化性树脂组合物
US11015057B2 (en) 2019-04-03 2021-05-25 Prc-Desoto International, Inc. Dual-cure compositions
JP2021038307A (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 学校法人慶應義塾 硬化性組成物、フィルム、発光表示素子用の光学フィルム、発光表示素子パネル、及び発光表示装置
KR20210036435A (ko) 2019-09-25 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220043997A (ko) 2020-09-28 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 양자점 조성물 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법
CN113214605B (zh) * 2021-06-28 2022-05-31 安徽绿洲危险废物综合利用有限公司 一种电路板回收料制备环氧树脂复合材料的方法
EP4180499A1 (en) 2022-10-27 2023-05-17 Avantama AG Color conversion film with separation layer
CN116239758B (zh) * 2022-12-08 2023-12-19 南京贝迪新材料科技股份有限公司 含硫醇-氨基-环氧树脂基体的量子点材料

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080001124A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluorescent composition and fluorescence conversion substrate using the same
KR20120095486A (ko) * 2011-02-19 2012-08-29 충남대학교산학협력단 양자점 나노입자가 분산된 에폭시 고분자 복합체 제조방법
US20130105854A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device
CN103189412A (zh) * 2010-11-05 2013-07-03 汉高爱尔兰有限公司 具有改善的稳定性的环氧-硫醇组合物
WO2014113562A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-24 3M Innovative Properties Company Quantum dot film
US20150083970A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same
CN104513335A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 三星电子株式会社 半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3018262A (en) 1957-05-01 1962-01-23 Shell Oil Co Curing polyepoxides with certain metal salts of inorganic acids
GB1051391A (zh) 1959-12-24
US3708296A (en) 1968-08-20 1973-01-02 American Can Co Photopolymerization of epoxy monomers
GB1512982A (en) 1974-05-02 1978-06-01 Gen Electric Salts
US4250311A (en) 1974-05-02 1981-02-10 General Electric Company P, As, and Sb hexafluoride onium salts as photoinitiators
US4216288A (en) 1978-09-08 1980-08-05 General Electric Company Heat curable cationically polymerizable compositions and method of curing same with onium salts and reducing agents
US4279717A (en) 1979-08-03 1981-07-21 General Electric Company Ultraviolet curable epoxy silicone coating compositions
US5650261A (en) 1989-10-27 1997-07-22 Rohm And Haas Company Positive acting photoresist comprising a photoacid, a photobase and a film forming acid-hardening resin system
EP0428342B1 (en) 1989-11-13 1997-01-15 LOCTITE (IRELAND) Ltd. Stable thiol-ene compositions
US5084586A (en) 1990-02-12 1992-01-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Novel initiators for cationic polymerization
US5124417A (en) 1990-02-12 1992-06-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Initiators for cationic polymerization
US5208281A (en) 1991-02-05 1993-05-04 Loctite Corporation Stabilization of thiolene compositions
TW268969B (zh) 1992-10-02 1996-01-21 Minnesota Mining & Mfg
US5459173A (en) 1993-06-22 1995-10-17 Loctite Corporation Stabilizer system for thiol-ene and thiol-nene compositions
US5554664A (en) 1995-03-06 1996-09-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-activatable salts with fluorocarbon anions
US5593795A (en) 1995-05-01 1997-01-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polymer electrolyte composition based upon thiol-ene chemistry
CN1215421A (zh) 1996-04-05 1999-04-28 美国3M公司 可见光可聚合的组合物
US6153719A (en) 1998-02-04 2000-11-28 Lord Corporation Thiol-cured epoxy composition
MXPA02008811A (es) * 2000-03-09 2004-10-14 Advanced Chemistry And Technol Polimeros de alta resistencia y selladores aereoespaciales de los mismos.
US20030066998A1 (en) * 2001-08-02 2003-04-10 Lee Howard Wing Hoon Quantum dots of Group IV semiconductor materials
US7018713B2 (en) 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7374807B2 (en) 2004-01-15 2008-05-20 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7553670B2 (en) 2004-04-28 2009-06-30 3M Innovative Properties Company Method for monitoring a polymerization in a three-dimensional sample
US7521015B2 (en) 2005-07-22 2009-04-21 3M Innovative Properties Company Curable thiol-ene compositions for optical articles
CN101309992A (zh) 2005-08-16 2008-11-19 切弗朗菲利浦化学公司 硫醇硬化的环氧聚合物组合物及其制备和使用方法
JP5014863B2 (ja) * 2007-03-30 2012-08-29 新日鐵化学株式会社 エポキシ基含有シリコーン樹脂
CN101939675A (zh) 2008-02-07 2011-01-05 3M创新有限公司 具有结构化膜的中空背光源
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
CN104387772B (zh) 2009-05-01 2017-07-11 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
US20100311861A1 (en) 2009-06-03 2010-12-09 3M Innovative Properties Company Thiol-yne shape memory polymer
US9726928B2 (en) 2011-12-09 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display including the same
US9139770B2 (en) 2012-06-22 2015-09-22 Nanosys, Inc. Silicone ligands for stabilizing quantum dot films
US9506627B2 (en) 2012-08-06 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Highly stable QDS-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization
KR20140032811A (ko) 2012-09-07 2014-03-17 삼성전자주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정 디스플레이 장치
KR20160099650A (ko) 2013-12-20 2016-08-22 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 에지 침입이 개선된 양자점 물품
WO2015153148A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 3M Innovative Properties Company Composite nanoparticles including a thioether ligand
KR20170029533A (ko) 2014-07-03 2017-03-15 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 저감된 에지 침입 및 개선된 색상 안정성을 갖는 양자점 물품
US20180282617A1 (en) 2014-11-17 2018-10-04 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-alkene matrix
JP6333749B2 (ja) * 2015-02-02 2018-05-30 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置、波長変換部材の製造方法
KR20170137882A (ko) 2015-04-16 2017-12-13 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 티올-에폭시 매트릭스를 갖는 양자점 물품

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080001124A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Fluorescent composition and fluorescence conversion substrate using the same
CN103189412A (zh) * 2010-11-05 2013-07-03 汉高爱尔兰有限公司 具有改善的稳定性的环氧-硫醇组合物
KR20120095486A (ko) * 2011-02-19 2012-08-29 충남대학교산학협력단 양자점 나노입자가 분산된 에폭시 고분자 복합체 제조방법
US20130105854A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device
WO2014113562A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-24 3M Innovative Properties Company Quantum dot film
US20150083970A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same
CN104513335A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 三星电子株式会社 半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111971591A (zh) * 2018-03-27 2020-11-20 日立化成株式会社 波长变换构件、背光单元、图像显示装置及硬化性组合物
CN111334151A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 三星显示有限公司 用于光转换层的组合物、光转换层以及包括其的电子装置
CN111334151B (zh) * 2018-12-19 2023-03-10 三星显示有限公司 用于光转换层的组合物、光转换层以及包括其的电子装置
US11675231B2 (en) 2018-12-19 2023-06-13 Samsung Display Co., Ltd. Composition for light conversion layer, light conversion layer and electronic device including the same
CN110962427A (zh) * 2019-11-25 2020-04-07 Tcl华星光电技术有限公司 量子点膜
CN115677965A (zh) * 2022-09-15 2023-02-03 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种高性能量子点复合物的制备方法
CN115677965B (zh) * 2022-09-15 2023-07-04 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种高性能量子点复合物的制备方法
CN116102885A (zh) * 2022-12-23 2023-05-12 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种水氧阻隔量子点复合材料及其制备方法
CN116102885B (zh) * 2022-12-23 2023-09-26 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种水氧阻隔量子点复合材料及其制备方法

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