CN107449948A - 探针卡装置 - Google Patents
探针卡装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107449948A CN107449948A CN201710369105.8A CN201710369105A CN107449948A CN 107449948 A CN107449948 A CN 107449948A CN 201710369105 A CN201710369105 A CN 201710369105A CN 107449948 A CN107449948 A CN 107449948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- tie points
- card device
- probe card
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
Abstract
本揭示涉及一种探针卡装置，包括若干个探针；一薄膜基板，包括若干个第一薄膜连接点以及若干个第二薄膜连接点，其中这些第一薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第二薄膜连接点之至少一者，两相邻第一薄膜连接点的间距小于两相邻第二薄膜连接点之间距；以及一电路板，包括若干个第一电路板连接点，其中这些第二薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第一电路板连接点之至少一者。该探针卡装置可同时加强布线功能及支撑功能。
Description
技术领域
本揭示涉及测试领域，特别是涉及一种探针卡装置。
背景技术
请参阅图1，图1显示现有技术中一探针卡装置10之纵剖面图。
该探针卡装置10包括一探针头(probe head)100、一转接板102、一中介层(interposer)104、一电路板106、以及一强化件108。
该探针头100电性连接至该转接板102且包括若干个探针110。
该转接板102又称为多层有机板(Multi-Layer Organic，MLO)或多层陶瓷板(Multi-Layer Ceramic，MLC)，该转接板102电性连接至该探针头100及该中介层104。该转接板102用于将窄线距的探针110电性连接至该中介层104中宽线距的中介组件112，也就是说，该转接板102可视为一空间转换器(space transformer)。
该中介层104电性连接至该电路板106。该中介层104用于将该转接板102对接至该电路板106。
该电路板106固定于该强化件108上。该电路板102用于传输一测试系统(未图示)之至少一测试信号，该至少一测试信号透过该中介层104之中介组件112及该转接板102传送至这些探针110上，这些探针110接触一晶圆(未图示)上之芯片接点以对芯片接点进行电性测试。
上述探针卡装置10中，该转接板102具有布线功能及支撑功能，该布线功能用于将窄线距的探针110电性连接至该中介层104中宽线距的中介组件112，该支撑功能则是用于当这些探针110接触晶圆(未图示)上之芯片接点时提供足够的支撑力。然而若要加强该转接板102之支撑功能而使用较硬的材料时，则因为较硬的材料导致布线密度受到限制(线距不能缩小)，亦即降低布线功能，另一方面，若要增强该转接板102之布线功能而使用较软的材料时，则因为较软的材料降低支撑功能，更明确地说，当加强支撑功能时，布线功能变差，当加强布线功能时，支撑功能变差。
因此需要针对现有技术之探针卡装置的问题提出解决方法。
发明内容
本揭示提供一种探针卡装置，其能解决现有技术中的问题。
本揭示之探针卡装置包括：一探针头，包括若干个探针；一薄膜基板，包括一薄膜本体、若干个第一薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第一表面、若干个第二薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该薄膜本体内部，其中这些第一薄膜连接点之至少一者透过该薄膜基板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二薄膜连接点之至少一者，两相邻第一薄膜连接点的间距小于两相邻第二薄膜连接点之间距，各探针之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点之其中一者；一电路板，包括一电路板本体、若干个第一电路板连接点形成于该电路板本体之一第一表面、以及若干个第二电路板连接点形成于该电路板本体之一第二表面，其中这些第二薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第一电路板连接点之至少一者；以及一底部填充材料，形成于该薄膜基板以及该电路板之间。
本揭示之探针卡装置包括：一探针头，包括若干个探针；一薄膜基板，包括一薄膜本体、若干个第一薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第一表面、若干个第二薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该薄膜本体内部，其中这些第一薄膜连接点之至少一者透过该薄膜基板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二薄膜连接点之至少一者，两相邻第一薄膜连接点的间距小于两相邻第二薄膜连接点之间距，各探针之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点之其中一者；一测试板，包括一测试板本体、若干个第一测试板连接点形成于该测试板本体之一第一表面、若干个第二测试板连接点形成于该测试板本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该测试板本体内部，这些第二薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第一测试板连接点之至少一者，这些第一测试板连接点之至少一者透过该测试板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二测试板连接点之至少一者；一电路板，电性连接至这些第二测试板连接点之至少一者；以及一底部填充材料，形成于该薄膜基板以及该测试板之间。
本揭示之探针卡装置中，由于布线功能及支撑功能分别由不同的组件提供，故可同时加强布线功能及支撑功能。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1显示现有技术中一探针卡装置之纵剖面图。
图2显示根据本揭示一实施例之探针卡装置之纵剖面图。
图3显示图2之探针、薄膜基板、及电路板之示意图。
图4显示根据本揭示一实施例之薄膜基板之示意图。
图5显示根据本揭示另一实施例之薄膜基板之示意图。
图6显示根据本揭示另一实施例之探针卡装置之纵剖面图。
图7图显示图6之探针、薄膜基板、及测试板之示意图。
具体实施方式
请参阅图2，图2显示根据本揭示一实施例之探针卡装置20之纵剖面图。
该探针卡装置20包括一探针头200、一薄膜基板202(thin film substrate)、一电路板204、以及一强化件206。
该探针头200包括一针座2000(housing)以及若干个探针2002，这些探针2002设置于该针座2000中且穿过该针座2000。
请参阅图2以及图3，图3显示图2之探针2002、薄膜基板202、及电路板204之示意图。
该薄膜基板202包括一薄膜本体2032、若干个第一薄膜连接点2020形成于该薄膜本体2032之一第一表面、若干个第二薄膜连接点2022形成于该薄膜本体2032之一第二表面、以及至少一内部金属层2024设置于该薄膜本体2032内部。这些第一薄膜连接点2020之至少一者透过该至少一内部金属层2024电性连接至这些第二薄膜连接点2022之至少一者，两相邻第一薄膜连接点2020的间距小于两相邻第二薄膜连接点2022之间距。
该薄膜基板202用于将窄线距的探针2020电性连接至宽线距的电路板204，也就是说，该薄膜基板202之功能等同于图1之转接板102。
本揭示之探针卡装置20中，该薄膜基板202提供布线功能，该电路板204提供支撑功能，由于布线功能及支撑功能分别由不同的组件提供，故可同时加强布线功能及支撑功能。
这些第一薄膜连接点2020之表面及这些第二薄膜连接点2022之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金(Electroless Nickel Electroless Palladium and Immersion Gold，ENEPIG)、无电镀镍浸金(Electroless Nickel Immersion Gold，ENIG)、或有机保焊层(Organic Solderability Preservative，OSP)。
于一实施例中，这些第二薄膜连接点2022可以为锡球(solder ball)。于另一实施例中，这些第二薄膜连接点2022可以为复合焊接体，更明确地说，这些第二薄膜连接点2022各包括一金属材以及包覆该金属材料的锡材。
各探针2002之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点2020之其中一者，各探针2002之另一端用于电性接触一芯片接点30，该芯片接点30为一待测芯片之接点。
该电路板204包括一电路板本体2046、若干个第一电路板连接点2040形成于该电路板本体2046之一第一表面、以及若干个第二电路板连接点2042形成于该电路板本体2046之一第二表面。这些第二薄膜连接点2022之至少一者电性连接至这些第一电路板连接点2040之至少一者。这些第一电路板连接点2040之至少一者透过至少一内部金属层2044电性连接至这些第二电路板连接点2042之至少一者。
此外，于本揭示之探针卡装置20中，一底部填充材料208(underfill)形成于该薄膜基板202以及该电路板204之间，该底部填充材料208用于包覆这些第二薄膜连接点2022及这些第一电路板连接点2040。
如图2所示，该电路板204固定于该强化件206上，该电路板204用于传输一测试系统(未图示)之至少一测试信号，该至少一测试信号透过该薄膜基板202传送至这些探针2002，这些探针2002接触图3之芯片接点30以对芯片接点30进行电性测试。
该探针卡装置20在进行测试时，这些探针2002需要施力于这些芯片接点30以接触这些芯片接点30，一般每根探针2002施力为2公克重(gram weight，gw)至6公克重，当该探针卡装置20包括5000根探针2002时，总施力为10公斤重(kilogram weight，kgw)至30公斤重，该薄膜基板202与该电路板204也会承受相同力量，若该电路板204之钢性不足以支撑，则可以加强该强化件206以支撑该探针卡装置20。
请参阅图2至图4，图4显示根据本揭示一实施例之薄膜基板202之示意图。
该薄膜基板202包括该薄膜本体2032、这些第一薄膜连接点2020、该至少一内部金属层2024、以及这些第二薄膜连接点2022。该薄膜本体2032包括一第一表面介电层2026、至少一内部介电层2028、以及一第二表面介电层2030。于本实施例中，该薄膜基板202包括三层内部金属层2024及三层内部介电层2028，然而本揭示并非限定于此。
这些第一薄膜连接点2020形成于该第一表面介电层2026中，这些内部金属层2024形成于对应的内部介电层2028中，这些第二薄膜连接点2022形成于该第二表面介电层2030中。这些第一薄膜连接点2020之至少一者透过这些内部金属层2024电性连接至这些第二薄膜连接点2022之至少一者。
这些第一薄膜连接点2020突出于该薄膜本体2032之第一表面，这些第一薄膜连接点2020适用于图3之探针2002的底部尺寸大于这些第一薄膜连接点2020的尺寸(dimension)的情况。
该薄膜基板202的层数可以为4层至20层。该第一表面介电层2026、该至少一内部介电层2028、及该第二表面介电层2030的厚度为5微米(micrometer；μm)至20微米，其材料为聚酰亚胺(polyimide)。这些第一薄膜连接点2020的高度、该至少一内部金属层2024的厚度、及这些第二薄膜连接点2022的高度为1微米至10微米，该至少一内部金属层2024的线宽为2微米至100微米。要说明的是，该至少一内部金属层2024可以为整面金属层的形式以作为一电源层或一接地层。该至少一内部金属层2024的导孔(via)尺寸为10微米至50微米。
图3之电路板本体2046可以为有机材料或陶瓷材料，当该电路板本体2046为陶瓷材料制成时，该电路板204具有较大之杨氏系数，当探针2002施加外力以接触芯片接点30时，陶瓷材料不易弯折，可以提供更好的支撑功能。该电路板204之金属层的线宽为大于50微米。该电路板204之金属层的导孔尺寸为大于50微米。该电路板204之总厚度为大于2毫米(millimeter；mm)。
请参阅图2至图3以及图5，图5显示根据本揭示另一实施例之薄膜基板202’之示意图。
该薄膜基板202’包括一薄膜本体2032’、若干个第一薄膜连接点2020’、至少一内部金属层2024’、以及若干个第二薄膜连接点2022’。该薄膜本体2032’包括一第一表面介电层2026’、至少一内部介电层2028’、以及一第二表面介电层2030’。于本实施例中，该薄膜基板202’包括三层内部金属层2024’及两层内部介电层2028’，然而本揭示并非限定于此。
这些第一薄膜连接点2020’形成于该第一表面介电层2026’中，这些内部金属层2024’形成于对应的内部介电层2028’中，这些第二薄膜连接点2022’形成于该第二表面介电层2030’中。这些第一薄膜连接点2020’之至少一者透过这些内部金属层2024’(对应至图3之内部金属层2024)电性连接至这些第二薄膜连接点2022’之至少一者。
这些第一薄膜连接点2020’低于该薄膜本体2032’之第一表面，亦即这些第一薄膜连接点2020’形成于该薄膜本体2032’之内部，这些第一薄膜连接点2020’适用于图3之探针2002的底部尺寸小于这些第一薄膜连接点2020’的尺寸(dimension)的情况。
要说明的是，图4所述之层数、厚度、材料、高度、线宽亦适用于本实施例，此不多加赘述。
请参阅图6，图6显示根据本揭示另一实施例之探针卡装置40之纵剖面图。
该探针卡装置40包括一探针头400、一薄膜基板402、一测试板(Device undertest board，Dut board)404、一中介层406、一电路板408、以及一强化件410。
该探针头400包括一针座4000以及若干个探针4002，这些探针4002设置于该针座4000中且穿过该针座4000。
请参阅图6以及图7，图7显示图6之探针4002、薄膜基板402、及测试板404之示意图。
该薄膜基板402包括一薄膜本体4026、若干个第一薄膜连接点4020形成于该薄膜本体4026之一第一表面、若干个第二薄膜连接点4022形成于该薄膜本体4026之一第二表面、以及至少一内部金属层4024设置于该薄膜本体4026内部。这些第一薄膜连接点4020之至少一者透过该至少一内部金属层4024电性连接至这些第二薄膜连接点4022之至少一者，两相邻第一薄膜连接点4020的间距小于两相邻第二薄膜连接点4022之间距。
该薄膜基板402用于将窄线距的探针4020电性连接至宽线距的测试板404，也就是说，该薄膜基板402之功能等同于图1之转接板102。
本揭示之探针卡装置40中，该薄膜基板402提供布线功能，该测试板404提供支撑功能，由于布线功能及支撑功能分别由不同的组件提供，故可同时加强布线功能及支撑功能。
这些第一薄膜连接点4020之表面及这些第二薄膜连接点4022之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金(Electroless Nickel Electroless Palladium and Immersion Gold，ENEPIG)、无电镀镍浸金(Electroless Nickel Immersion Gold，ENIG)、或有机保焊层(Organic Solderability Preservative，OSP)。
于一实施例中，这些第二薄膜连接点4022可以为锡球(solder ball)。于另一实施例中，这些第二薄膜连接点4022可以为复合焊接体，更明确地说，这些第二薄膜连接点4022各包括一金属材以及包覆该金属材料的锡材。
各探针4002之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点4020之其中一者，各探针4002之另一端用于电性接触一芯片接点30，该芯片接点30为一待测芯片之接点。
该测试板404包括一测试板本体4046、若干个第一测试板连接点4040形成于该测试板本体4046之一第一表面、若干个第二测试板连接点4042形成于该测试板本体4046之一第二表面、以及至少一内部金属层4044设置于该测试板本体4046内部。这些第二薄膜连接点4022之至少一者电性连接至这些第一测试板连接点4040之至少一者。这些第一测试板连接点4040之至少一者透过该至少一内部金属层4044电性连接至这些第二测试板连接点4042之至少一者。这些第二测试板连接点4042之至少一者再透过图6之中介层406电性连接至该电路板408。该中介层406设置于该测试板404及该电路板408之间并用于将该电路板408电性连接至该测试板404。
图7之测试板本体4046可以为有机材料或陶瓷材料，当该测试板本体4046为陶瓷材料制成时，该测试板404具有较大之杨氏系数，当探针4002施加外力以接触芯片接点30时，陶瓷材料不易弯折，可以提供更好的支撑功能。由于薄膜基板402已完成所有布线，该测试板404内部之金属层可以仅为垂直的导通孔，例如内部之金属层可以为电镀导孔(plating through hole)或以金属材料塞孔，故该测试板404不需要布线层，进而可以简化结构达成本揭示同时加强布线功能及支撑功能的目的。
此外，于本揭示之探针卡装置40中，一底部填充材料412(underfill)形成于该薄膜基板402以及该测试板404之间，该底部填充材料412用于包覆这些第二薄膜连接点4022及这些第一测试板连接点4040。
如图6所示，该电路板408固定于该强化件410上，该电路板408用于传输一测试系统(未图示)之至少一测试信号，该至少一测试信号透过该中介层406之中介组件4060、该测试板404、及该薄膜基板402传送至这些探针4002，这些探针4002接触图7之芯片接点30以对芯片接点30进行电性测试。
要说明的是，本实施例之探针卡装置40中，该中介层406为可选用的组件，则该电路板408直接电性连接至这些第二测试板连接点4042之至少一者。若不使用该中介层406，则可以透过加大该测试板404的厚度以使该电路板408与该针座4000之间的距离不变，进而不需要改变其他机构设计。
此外，本实施例之薄膜基板402的具体结构可参阅上述图4至图5之相关描述，此不多加赘述。
本揭示之探针卡装置中，由于布线功能及支撑功能分别由不同的组件提供，故可同时加强布线功能及支撑功能。再者，本揭示之探针卡装置使用薄膜基板作为空间转换器，可降低线宽、线距及噪声，并可大幅降低厚度。
综上所述，虽然本揭示已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (18)
1.一种探针卡装置，其特征在于，包括：
一探针头，包括若干个探针；
一薄膜基板，包括一薄膜本体、若干个第一薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第一表面、若干个第二薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该薄膜本体内部，其中这些第一薄膜连接点之至少一者透过该薄膜基板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二薄膜连接点之至少一者，两相邻第一薄膜连接点的间距小于两相邻第二薄膜连接点之间距，各探针之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点之其中一者；
一电路板，包括一电路板本体、若干个第一电路板连接点形成于该电路板本体之一第一表面、以及若干个第二电路板连接点形成于该电路板本体之一第二表面，其中这些第二薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第一电路板连接点之至少一者；以及
一底部填充材料，形成于该薄膜基板以及该电路板之间。
2.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，该探针头进一步包括一针座，这些探针穿过该针座。
3.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，这些第一薄膜连接点之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金、无电镀镍浸金、或有机保焊层。
4.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，这些第二薄膜连接点之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金、无电镀镍浸金、或有机保焊层。
5.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，这些第二薄膜连接点各包括一金属材以及包覆该金属材料的锡材。
6.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，该薄膜本体包括：
一第一表面介电层，该第一薄膜连接点形成于该第一表面介电层中；
至少一内部介电层，该至少一内部金属层形成于该至少一内部介电层中；以及
一第二表面介电层，该第二薄膜连接点形成于该第二表面介电层中。
7.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，进一步包括：
一强化件，该电路板固定于该强化件上。
8.根据权利要求1所述的探针卡装置，其特征在于，该电路板本体由陶瓷材料制成。
9.一种探针卡装置，其特征在于，包括：
一探针头，包括若干个探针；
一薄膜基板，包括一薄膜本体、若干个第一薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第一表面、若干个第二薄膜连接点形成于该薄膜本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该薄膜本体内部，其中这些第一薄膜连接点之至少一者透过该薄膜基板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二薄膜连接点之至少一者，两相邻第一薄膜连接点的间距小于两相邻第二薄膜连接点之间距，各探针之一端用于电性连接这些第一薄膜连接点之其中一者；
一测试板，包括一测试板本体、若干个第一测试板连接点形成于该测试板本体之一第一表面、若干个第二测试板连接点形成于该测试板本体之一第二表面、以及至少一内部金属层设置于该测试板本体内部，这些第二薄膜连接点之至少一者电性连接至这些第一测试板连接点之至少一者，这些第一测试板连接点之至少一者透过该测试板之该至少一内部金属层电性连接至这些第二测试板连接点之至少一者；
一电路板，电性连接至这些第二测试板连接点之至少一者；以及
一底部填充材料，形成于该薄膜基板以及该测试板之间。
10.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，该探针头进一步包括一针座，这些探针穿过该针座。
11.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，这些第一薄膜连接点之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金、无电镀镍浸金、或有机保焊层。
12.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，这些第二薄膜连接点之表面各包括无电镀镍无电镀钯浸金、无电镀镍浸金、或有机保焊层。
13.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，这些第二薄膜连接点各包括一金属材以及包覆该金属材料的锡材。
14.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，该薄膜本体进一步包括：
一第一表面介电层，该第一薄膜连接点形成于该第一表面介电层中；
至少一内部介电层，该至少一内部金属层形成于该至少一内部介电层中；以及
一第二表面介电层，该第二薄膜连接点形成于该第二表面介电层中。
15.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，进一步包括：
一强化件，该电路板固定于该强化件上。
16.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，进一步包括：
一中介层，设置于该测试板及该电路板之间并用于将该电路板电性连接至该测试板。
17.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，该测试板之该至少一内部金属层可以仅为若干个垂直的导通孔。
18.根据权利要求9所述的探针卡装置，其特征在于，该测试板本体由陶瓷材料制成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662343500P | 2016-05-31 | 2016-05-31 | |
| US62/343,500 | 2016-05-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107449948A true CN107449948A (zh) | 2017-12-08 |
Family
ID=59067472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710369105.8A Pending CN107449948A (zh) | 2016-05-31 | 2017-05-23 | 探针卡装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10451654B2 (zh) |
| EP (1) | EP3252479A1 (zh) |
| CN (1) | CN107449948A (zh) |
| TW (2) | TWI632376B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110967533A (zh) * | 2018-10-01 | 2020-04-07 | 巨擘科技股份有限公司 | 探针卡装置 |
| CN112710877A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-27 | 巨擘科技股份有限公司 | 金属探针结构及其制造方法 |
| CN112748268A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 巨擘科技股份有限公司 | 探针卡器件 |
| CN114200280A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 强一半导体（苏州）有限公司 | 一种薄膜探针卡及其探针头 |
| TWI763530B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-05-01 | 欣興電子股份有限公司 | 探針卡測試裝置 |
| CN114441918A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-05-06 | 强一半导体（苏州）有限公司 | 一种防探针脱落的薄膜探针头及薄膜探针卡 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI721424B (zh) * | 2018-05-23 | 2021-03-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 空間轉換器、探針卡及其製造方法 |
| US11018082B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-05-25 | Dyi-chung Hu | Space transformer and manufacturing method thereof |
| TWI754537B (zh) * | 2019-05-16 | 2022-02-01 | 旺矽科技股份有限公司 | 空間轉換器、探針卡及其製造方法 |
| CN110568336B (zh) * | 2019-08-30 | 2022-03-04 | 上海御渡半导体科技有限公司 | 一种接口装置及设有该接口装置的测试设备 |
| CN214473541U (zh) * | 2021-01-08 | 2021-10-22 | 迪科特测试科技(苏州)有限公司 | 测试探针模块 |
| TWI810885B (zh) * | 2021-04-16 | 2023-08-01 | 旺矽科技股份有限公司 | 用於半導體測試之電路板 |
| CN115684681A (zh) | 2021-07-26 | 2023-02-03 | 迪科特测试科技(苏州)有限公司 | 探针卡结构 |
| TWI798027B (zh) * | 2022-03-14 | 2023-04-01 | 巨擘科技股份有限公司 | 探針卡裝置 |
| TWI830478B (zh) * | 2022-11-03 | 2024-01-21 | 勗銧科技股份有限公司 | 應用垂直探針頭於晶圓測試之複合中介裝置 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040124519A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-07-01 | Yu Zhou | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
| US20040262470A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-12-30 | Lowry Michael G. | Label holder for electronic labeling devices |
| CN1955743A (zh) * | 2005-10-24 | 2007-05-02 | 旺矽科技股份有限公司 | 探针卡的探针装置 |
| CN101193502A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制作方法 |
| CN101192542A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制造方法 |
| CN101198878A (zh) * | 2005-05-03 | 2008-06-11 | Sv探针私人有限公司 | 具有介电结构的探针卡组件 |
| CN101359640A (zh) * | 2007-08-02 | 2009-02-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 具嵌埋半导体元件的电路板叠接结构 |
| CN101360392A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 连接安置有被动组件的电路板结构及其叠放连接结构 |
| CN101930016A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 旺矽科技股份有限公司 | 可替换式探针装置及其应用的探针卡 |
| CN102543927A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 欣兴电子股份有限公司 | 嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法 |
| CN103687344A (zh) * | 2012-09-26 | 2014-03-26 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板制作方法 |
| US20150033553A1 (en) * | 2011-04-21 | 2015-02-05 | Mpi Corporation | Assembly method of direct-docking probing device |
| TWM521177U (zh) * | 2016-02-03 | 2016-05-01 | 中華精測科技股份有限公司 | 超微間距測試介面板 |
| CN106068060A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 爱思开海力士有限公司 | 具有支撑图案的印刷电路板及其制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134570A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード及びそれに用いられる異方性導電シートの製造方法 |
| CN101755216B (zh) * | 2007-07-19 | 2012-10-10 | 日本发条株式会社 | 探针卡 |
| JP5550280B2 (ja) | 2009-07-29 | 2014-07-16 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板 |
| TWM392351U (en) * | 2010-04-06 | 2010-11-11 | Mpi Corp | Probe card structure |
| US9244099B2 (en) * | 2011-05-09 | 2016-01-26 | Cascade Microtech, Inc. | Probe head assemblies, components thereof, test systems including the same, and methods of operating the same |
| US9326378B2 (en) * | 2011-08-29 | 2016-04-26 | Kyocera Corporation | Thin-film wiring substrate and substrate for probe card |
| WO2013070201A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Advantest America, Inc. | Fine pitch microelectronic contact array and method of making same |
| TWI484191B (zh) | 2012-09-28 | 2015-05-11 | Hermes Epitek Corp | 電路測試探針卡 |
| US9263407B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing a plurality of metal posts |
| SG11201510024VA (en) * | 2013-05-06 | 2016-01-28 | Formfactor Inc | A probe card assembly for testing electronic devices |
| CN108713354B (zh) * | 2016-03-03 | 2020-12-11 | 株式会社村田制作所 | 探针卡用层叠布线基板以及具备它的探针卡 |
-
2017
- 2017-05-16 TW TW106116218A patent/TWI632376B/zh active
- 2017-05-16 TW TW107123192A patent/TWI663406B/zh active
- 2017-05-23 CN CN201710369105.8A patent/CN107449948A/zh active Pending
- 2017-05-26 US US15/606,905 patent/US10451654B2/en active Active
- 2017-05-31 EP EP17173755.4A patent/EP3252479A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040262470A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-12-30 | Lowry Michael G. | Label holder for electronic labeling devices |
| US20040124519A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-07-01 | Yu Zhou | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
| CN101198878A (zh) * | 2005-05-03 | 2008-06-11 | Sv探针私人有限公司 | 具有介电结构的探针卡组件 |
| CN1955743A (zh) * | 2005-10-24 | 2007-05-02 | 旺矽科技股份有限公司 | 探针卡的探针装置 |
| CN101193502A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制作方法 |
| CN101192542A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制造方法 |
| CN101360392A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 连接安置有被动组件的电路板结构及其叠放连接结构 |
| CN101359640A (zh) * | 2007-08-02 | 2009-02-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 具嵌埋半导体元件的电路板叠接结构 |
| CN101930016A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 旺矽科技股份有限公司 | 可替换式探针装置及其应用的探针卡 |
| CN102543927A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 欣兴电子股份有限公司 | 嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制造方法 |
| US20150033553A1 (en) * | 2011-04-21 | 2015-02-05 | Mpi Corporation | Assembly method of direct-docking probing device |
| CN103687344A (zh) * | 2012-09-26 | 2014-03-26 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板制作方法 |
| CN106068060A (zh) * | 2015-04-23 | 2016-11-02 | 爱思开海力士有限公司 | 具有支撑图案的印刷电路板及其制造方法 |
| TWM521177U (zh) * | 2016-02-03 | 2016-05-01 | 中華精測科技股份有限公司 | 超微間距測試介面板 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| GRACE CHAN等: ""C4 probe card space transformer technology overview"", 《谷歌》 * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110967533A (zh) * | 2018-10-01 | 2020-04-07 | 巨擘科技股份有限公司 | 探针卡装置 |
| CN112710877A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-27 | 巨擘科技股份有限公司 | 金属探针结构及其制造方法 |
| CN112748268A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 巨擘科技股份有限公司 | 探针卡器件 |
| TWI763530B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-05-01 | 欣興電子股份有限公司 | 探針卡測試裝置 |
| CN114200280A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 强一半导体（苏州）有限公司 | 一种薄膜探针卡及其探针头 |
| CN114441918A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-05-06 | 强一半导体（苏州）有限公司 | 一种防探针脱落的薄膜探针头及薄膜探针卡 |
| CN114441918B (zh) * | 2022-01-07 | 2023-03-24 | 强一半导体（苏州）有限公司 | 一种防探针脱落的薄膜探针头及薄膜探针卡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201839409A (zh) | 2018-11-01 |
| TWI632376B (zh) | 2018-08-11 |
| EP3252479A1 (en) | 2017-12-06 |
| US20170343582A1 (en) | 2017-11-30 |
| TWI663406B (zh) | 2019-06-21 |
| US10451654B2 (en) | 2019-10-22 |
| TW201805636A (zh) | 2018-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107449948A (zh) | 探针卡装置 | |
| US10283434B2 (en) | Electronic device, method for manufacturing the electronic device, and electronic apparatus | |
| US20070045828A1 (en) | Semiconductor device package | |
| US8692136B2 (en) | Method of repairing probe card and probe board using the same | |
| JP5740442B2 (ja) | プローブカード及びその製造方法 | |
| CN110531125B (zh) | 空间转换器、探针卡及其制造方法 | |
| JP5412667B2 (ja) | 積層ｌｓｉチップのシステム検査のための方法および検査システム | |
| US20090045828A1 (en) | Fine Pitch Testing Substrate Structure And Method Of Manufacturing The Same | |
| JP2001015882A (ja) | 歪みゲージ内蔵回路基板およびその製造方法 | |
| TW201918713A (zh) | 探針卡 | |
| TWI680705B (zh) | 多晶粒測試介面模組及其製造方法 | |
| KR200450813Y1 (ko) | 스페이스 트랜스포머 인쇄회로 기판을 사용한 프로브 카드 | |
| WO2022033167A1 (zh) | 测试治具 | |
| KR100959859B1 (ko) | 전자부품 내장 기판 형성방법 | |
| US20090004891A1 (en) | Test access for high density interconnect boards | |
| Gunji et al. | Cost-effective Capacitive Testing for Fine Pitch RDL First | |
| WO2021149836A1 (ja) | 半導体装置及びその検査装置 | |
| KR101142340B1 (ko) | 반도체 패키지용 기판 및 그의 제조 방법 | |
| Ohshima et al. | Electrical design and demonstration of an embedded high-pin-count LSI chip package | |
| TWM428364U (en) | Fine pitch testing carrier board structure | |
| Smetana et al. | The Effects of Non-filled Microvia in Pad on Pbfree Solder Joint Reliability of BGA and QFN Packages in Accelerated Thermal Cycling | |
| Aschenbrenner | System-in-package solutions with embedded active and passive components | |
| TW202004189A (zh) | 空間轉換器、探針卡及其製造方法 | |
| Jimarez et al. | Technical evaluation of a near chip scale size flip chip/plastic ball grid array package | |
| TWM517412U (zh) | 半導體探針裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171208 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |