TW202004189A - 空間轉換器、探針卡及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種空間轉換器、探針卡及其製造方法。所提出的空間轉換器與探針卡適用於探測晶圓，所述晶圓包含多個晶粒，各晶粒可與積體電路載板封裝成積體電路晶片，且所述積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局。所述空間轉換器包含增厚層體與第一多層體。增厚層體包含多個中間連接區塊，第一多層體設置於增厚層體的下表面。第一多層體包含彼此間隔排列之多個空間轉換區塊，且各空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各第一上接觸區分別電性連接於各中間連接區塊。彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區之間具有一電路布局，且各空間轉換區塊之電路布局相同於所述積體電路載板之電路布局。此外，相鄰二第一下接觸區沿一軸向具有間距D，各第一下接觸區沿上述軸向具有寬度W，其中D= n × W，且n為大於或等於2的正整數。

Description

空間轉換器、探針卡及其製造方法

本發明是關於一種空間轉換器、探針卡及其製造方法。

傳統的積體電路晶片的製造方法是先在晶圓上形成多個晶粒，然後將晶圓進行切割而形成多個獨立的晶粒，各個獨立的晶粒再分別予以封裝而成。晶粒本身依據功能的不同而可以有不同的尺寸，功能複雜的晶粒的尺寸通常比較大，晶粒上的接觸點的數量也較多，因此接觸點的間距通常甚窄。功能較簡單的晶粒上的接觸點雖然較少，但因為晶粒的尺寸也比較小，因此接觸點的間距也同樣甚窄。因此，一般的晶粒難以與電路板直接進行電性連接。

為了讓晶粒中的電路能夠和電路板進行電性連接，必須將晶粒上的接觸點的空間分布予以放大，此步驟稱之為空間轉換（space transform）。空間轉換通常是透過將晶粒焊接於積體電路載板上來實現。積體電路載板具有上表面與下表面，其上表面之上接觸點的空間分布與對應晶粒的接觸點的空間分布相同，下表面之下接觸點的分布則較為寬裕，上表面與下表面之間則存在一電路布局將上表面之上接觸點與下表面之下接觸點予以電性連接。如此一來，晶粒上的接觸點的空間分布便得以透過積體電路載板而放大。

晶粒在與積體電路載板結合前，通常必須經過檢測程序，例如透過探針卡進行針測（probing test）。為了能夠對晶圓上的晶粒進行探測，探針卡上的探針分布也必須與晶粒上之接觸點分布相同，因此探針同樣也會有緊湊的分布。如同前面所述，晶粒上之接觸點因為緊湊分布所以難以直接與電路板電性連接，同樣地，緊湊分布的探針也會有難以直接與測試電路板進行電性連接的問題，因此探針同樣也必須經過「空間轉換器」進行空間轉換始能與測試電路板電性連接。

空間轉換器係如同積體電路載板般具有上表面與下表面，其中與探針相連接的下表面具有與探針分布相同的緊湊的接觸點分布，朝向測試電路板的上表面則具有較寬裕的接觸點分布。空間轉換器之上表面與下表面之間同樣透過一電路布局來將上表面的接觸點與下表面的接觸點相互電性連接。

傳統半導體測試業者在進行探針分布的空間轉換時，均只考量空間轉換器之下表面的探針分布必須與晶粒上的接觸點分布相同，以及上表面的接觸點分布必須能夠和測試電路板進行電性連接，均未考量到空間轉換器之上下二表面之間的電路布局設計可能對晶粒電性測試表現的影響。由於晶粒必須進一步與積體電路載板連接後予以封裝成積體電路晶片，因此晶粒在進行測試時的電性表現不見得與其被封裝成積體電路晶片之後的電性表現一致。

有鑑於此，本發明提出一種空間轉換器，適用於一探針卡，探針卡適用於探測包含有多個晶粒之一晶圓。各晶粒可與積體電路載板封裝成積體電路晶片，積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局。所述空間轉換器包含：一增厚層體，包含複數中間連接區塊；及一第一多層體，設置於該增厚層體之下表面，包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局相同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n為大於或等於2的正整數。

本發明還提出一種探針卡，包含：上述空間轉換器；一電路板，設置於該增厚層體之上表面；及一探針頭，電性連接於該第一多層體之各該空間轉換區塊之第一下接觸區。

本發明還提出一種空間轉換器的製造方法，所製造出的空間轉換器適用於一探針卡，該探針卡適用於探測一晶圓，該晶圓包含複數晶粒，各該晶粒可與一積體電路載板封裝成一積體電路晶片，該積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局，該方法包含：獲取該積體電路載板之電路布局；提供包含有複數中間連接區塊之一核心層體；以多層有機製程技術逐層於該核心層體之二表面分別形成一第一多層體與一第二多層體，該第一多層體包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局相同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n為大於或等於2的正整數；該第二多層體包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊，各該延伸電連接區塊包含彼此相對之第二上接觸區與第二下接觸區，各該第二下接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊。

本發明還提出一種探針卡的製造方法，所製造出的探針卡適用於探測包含有多個晶粒的晶圓，各晶粒可與積體電路載板封裝成積體電路晶片，積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局，該方法包含：獲取該積體電路載板之電路布局；提供包含有複數中間連接區塊之一核心層體；以多層有機製程技術逐層於該核心層體之二表面分別形成一第一多層體與一第二多層體，該第一多層體包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局相同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n為大於或等於2的正整數；該第二多層體包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊，各該延伸電連接區塊包含彼此相對之第二上接觸區與第二下接觸區，各該第二下接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊；電性連接一電路板於該第二多層體之各該延伸電連接區塊之第二上接觸區；及電性連接一探針頭於該第一多層體之各該空間轉換區塊之第一下接觸區。

由於上述空間轉換器的電路布局係設計成與積體電路載板的電路布局相同，使得整體測試條件更貼近晶粒被封裝成積體電路晶片時的狀態，所得到的測試結果也更貼近真實，可靠度也更高。

請參照圖1與圖2，分別為本發明之一實施例的示意圖（一）與示意圖（二），其繪示出一探針卡10，包含電路板11、電性連接於電路板11之空間轉換器13、以及電性連接於空間轉換器13之探針頭15。為方便說明空間轉換器13的結構，上述探針卡10之各元件並未按實際比例繪製。實際上電路板11的厚度大於空間轉換器13的厚度。

探針卡10適用於對晶圓90上的多個晶粒91進行針測。晶圓90經切割而得到個別的晶粒91之後，各個晶粒91可以進一步與相匹配的積體電路載板（圖未示）共同封裝成積體電路晶片。用來和晶粒91相結合的積體電路載板本身具有一電路布局，用以將積體電路載板之上表面的各個接觸點電性連接於下表面的各個接觸點。當晶粒91銲接於積體電路載板之上表面時，透過積體電路載板的空間轉換，晶粒91便能夠以具有較寬裕空間分布之積體電路載板之下表面的接觸點來與外界的電路板作電性連接。

空間轉換器13包含增厚層體20與第一多層體132。本實施例之增厚層體20係包含核心層體131以及第二多層體133，但在另一實施例中，增厚層體20本身係可以只包含核心層體131而沒有第二多層體133。核心層體131為一具有硬度的基材，核心層體131的硬度大於第一多層體132。核心層體131包含多個中間連接區塊1311，各個中間連接區塊1311包含有多個透過機械鑽孔方式所形成的多個電連接通道1311a。

第一多層體132包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊1321，各個空間轉換區塊1321包含彼此相對之第一上接觸區132a與第一下接觸區132b。各第一上接觸區132a分別電性連接於核心層體131之各中間連接區塊1311，彼此相對之第一上接觸區132a與第一下接觸區132b之間具有一電路布局139，且各空間轉換區塊1321之電路布局139相同於積體電路載板之電路布局。但在另一實施例中，各空間轉換區塊1321之電路布局139係至少70%以上等同於積體電路載板之電路布局。之所以會有差異（小於30%）是因為在此實施例中，空間轉換區塊1321的電路布局139可以增加例如具有回授(Loopback)測試功能的電路、電容等。

增厚層體20之第二多層體133設置於核心層體131之上表面。第二多層體133包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊1331，各延伸電連接區塊1331包含彼此相對之第二上接觸區133a與第二下接觸區133b，各第二下接觸區133b分別電性連接於各中間連接區塊1311。在本實施例中，第二多層體133之上表面即相當於增厚層體20之上表面。

以上係本發明之一實施例的空間轉換器13的具體結構，若進一步將電路板11電性連接於第二多層體133之各延伸電連接區塊1331之第二上接觸區133a，以及將探針頭15電性連接於第一多層體132之各空間轉換區塊1321之第一下接觸區132b，即構成可對晶圓90之多個晶粒91進行針測的探針卡10。

請進一步參照圖3與圖4，分別為本發明之一實施例的空間轉換器13的仰視圖與俯視圖。如圖3所示，空間轉換器13的相鄰二第一下接觸區132b沿一軸向（例如x軸方向）具有一間距D，各個第一下接觸區132b沿X軸向具有一寬度W，且待測晶圓上各個待測裝置（DUT, Device Under Test）之間的切割道寬度為C（圖未示），其中D = n × W + (n+1)C，且n為正整數。當n=1的時候，間距D為一個DUT的寬度（相當於第一下接觸區132b沿X軸向的寬度）W加上DUT沿X軸向二側之兩個切割道的寬度C；當n=2的時候，間距D為二個DUT的寬度加上DUT沿X軸向二側之三個切割道的寬度C，依此類推。圖3所繪示的即為n=2的實施例。之所以限定相鄰二第一下接觸區132b之間的間距D = n × W + (n+1)C，是為了因應當待測晶圓上的待測晶粒（或待測裝置）的排列甚密時，由於探針排列密度有其先天限制，因此必須採取跳DUT（Device Under Test）的測試方式。亦即位於同一軸向上之連續相鄰兩待側晶粒（甚至是連續相鄰之三個以上的晶粒）在同一測試步驟中，只有一個會被測試探針卡所測試。進一步來說，探針排列密度有其先天限制是指空間轉換器13有其先天限制，第一下接觸區132b的下接觸點1322經由空間轉換之後對應第二上接觸區133a的上接觸點1332，上接觸點1332才能與電路板11電性連接，因此每一個第一下接觸區132b需要配合一個對應的第二上接觸區133a，空間轉換器13在對應一個待測晶粒的範圍時，應該以一個空間轉換區塊1321作為考量，所以空間轉換器13在下表面必須採取跳DUT的空間佈局方式。

承上，倘若單就空間轉換器13本身進行觀察，可透過第一下接觸區132b的尺寸來得知DUT沿特定軸向的寬度W。但若是不知悉空間轉換器13所對應的待側晶圓的DUT圖案，仍無法得知DUT沿特定軸向二側之切割道的寬度C，也就是僅能觀察到D = n × W ，n ＞ 1，但所屬技術領域中具有通常知識者仍可了解當知悉空間轉換器13所對應的待側晶圓的DUT沿特定軸向二側之切割道的寬度C時，D將會滿足D = n × W + (n+1)C，且n為正整數。

上述係本發明之一實施例的空間轉換器13的具體結構，若進一步將一電路板11電性連接於空間轉換器13之增厚層體20的上表面，以及將一探針頭15電性連接於空間轉換器13的下表面，即可構成可用來對晶圓90之多個晶粒91進行針測的探針卡10。如圖1與圖2所示，電路板11朝向空間轉換器13的表面設置有多個相對於第二上接觸區133a的上接觸點1332之電接觸點112，以及相對於第二上接觸區133a的空接觸點135之空接觸點115。相對應之上接觸點1332與電接觸點112之間可以透過錫球電性連接在一起。同樣地，探針頭15上的多根探針151也可以透過錫球個別地電性連接於相對應之第一多層體132的下接觸點1322。

在此需特別強調的是，本實施例之空間轉換器13的第一多層體132與第二多層體133係以MLO製程所製成，且第一多層體132之電路布局139與待測試的晶粒91所適用之積體電路載板的電路布局相同。藉此可以讓整體測試條件可以更貼近晶粒91被封裝成積體電路晶片時的狀態，所得到的測試結果也更加貼近真實，而增加測試結果的可信度。

請參照圖5，為本發明另一實施例之示意圖。在本發明之另一實施例中，第一多層體132與第二多層體133的層數相同，均包含四個基層，其中第一多層體132包含四個基層132L1~132L4，第二多層體133包含四個基層133L1~133L4。倘若第一多層體132與第二多層體133的層數不同，則空間轉換器13容易發生板翹的情況，導致上表面的上接觸點1332或者是下表面的下接觸點1322不共平面，進而造成探針卡10良率不佳或者壽命減少。此外，空間轉換器13之第二多層體133面向核心層體131之表面還可以設置有一強化層138，其可增加空間轉換器13整體的強度。當強化層138本身係使用銅或者其他導電材料製成時，在電路上還以可作為整體的接地平面（ground plane）或者電源平面（power plane）之用。除此之外，強化層138也可以改設置在背向核心層體131之表面，或者是同時設置在面向核心層體131之表面以及背向核心層體131之表面，甚至也可以設置在第二多層體133之任意二個基層之間。核心層體131係以玻璃纖維作為骨幹並填充膠體製成，因此厚度會較第一多層體132的四個基層132L1~132L4其中之一厚。

在本實施例中，空間轉換器13之第二多層體133的上接觸點1332定義出一上接觸點空間分布，空間轉換器13之第一多層體132的下接觸點1322則定義出一下接觸點空間分布，其中下接觸點空間分布會比上接觸點空間分布來得更密。所謂「更密」的意思是指每單位面積的接觸點的數量較多，或者是相鄰二接觸點之間的距離較近，即空間轉換器13之上接觸點空間分布在空間轉換器13的內部電路進行空間轉換成下接觸點空間分布。在本實施例中，空間轉換器13之第二多層體133的電連接通道1331a與核心層體131的電連接通道1311a均為垂直穿孔，表示在第二多層體133及核心層體131並沒有前述空間轉換的狀況，空間轉換的布局方式只有在第一多層體132發生。

請參照圖4，本實施例之探針卡10的第二上接觸區133a周圍或者是相鄰兩個第二上接觸區133a之間係為一空間間隔區133c。空間間隔區133c中可以進一步設置空接觸點135。本實施例之空接觸點135並沒有電性連接於探針卡10的測試電子迴路中，設置空接觸點135的其中一個目的是當電路板11與空間轉換器13透過錫球進行回焊(reflow)製程連接在一起時，位於空接觸點135上的錫球可作為支撐結構，也就是用來增加空間轉換器13與電路板11之間的連接界面的支撐強度。此外，也可以使各錫球平均分配應力，避免在上接觸點1332的區域內單獨過度承受應力而造成錫球破裂的情況發生。在一實施例中，空間間隔區133c除了設置空接觸點135之外，也可以視需求規劃出至少一電子元件放置區以設置IC晶片。此外，IC晶片與第二多層體133之間的電接觸點也可以包含一個以上的空接觸點135。

請參照圖6，其繪示出一例示空間轉換器23之空接觸區233d於第二多層體233的上表面上的分布。第二多層體233包含四個第二上接觸區233a，分別對應於四個第一下接觸區232b。在此實施例中，第二多層體233的上表面包含多個（圖中為五個）空接觸區233d，每個空接觸區233d包含多個空接觸點235。如圖6所示，空接觸區233d係分別位在四個角落以及第二多層體233的上表面的重心。

請參照圖7，第二多層體233的空接觸區233d也可以個別設置在第二多層體233的上表面的重心、以及以重心為基準沿X軸向與Y軸向延伸而與第二多層體233的上表面邊緣交會的四個區塊，這些空接觸區233d的連線構成相互正交的二條直線。此外，在本實施例中，空接觸區233d的空接觸點235的間距和第二上接觸區233a的上接觸點2332的間距相同。

請參照圖8，第二多層體233的空接觸區233d除了可以設置在四個角落以及第二多層體233的上表面的重心之外，還可以同時設置在以第二多層體233的上表面的重心為基準沿X軸向與Y軸向延伸到第二多層體233的上表面的邊緣的四個區域。

在一實施例中，核心層體131與第二多層體133二者的厚度總和可以大於0.3 mm，以達到特定的結構強度。在一實施例中，第一多層體132之空間轉換區塊1321的數量係為偶數。

本發明之另一實施例係為上述空間轉換器13的製造方法，所述空間轉換器13的製造方法包含以下所述的步驟，但不限於必須依照以下步驟的先後順序來製造，茲說明如下。

首先先取得所欲測試之晶片所使用的積體電路載板的電路布局。然後提供如圖1所示之包含有多個中間連接區塊1311之核心層體131，其中中間連接區塊1311包含有多個利用機械鑽孔方式所形成的多個電連接通道1311a。請參照圖5，利用多層有機製程技術（Multi-layer Organic, MLO）於核心層體131之二表面分別形成第一多層體132的子層132L1以及第二多層體133的子層133L1。然後利用雷射在第一多層體132的子層132L1上預備作為空間轉換區塊1321的位置形成多個穿孔，以及在第二多層體133的子層133L1上預備作為延伸電連接區塊1331的位置形成多個穿孔。然後，繼續以MLO製程形成子層132L2以及子層133L2；同樣地，也必須利用雷射在子層132L2上預備作為空間轉換區塊1321的位置形成穿孔，以及在子層133L2上預備作為延伸電連接區塊1331的位置形成多個穿孔。依此類推直到第一多層體132的層數滿足需求（例如具有四個子層132L1~132L4）以及第二多層體133的層數滿足需求（例如具有四個子層133L1~133L4）為止。其中，第一多層體132之子層132L1~132L4上的穿孔會相互連通，只要在穿孔內形成導電材質（例如銅或銀）便可形成導電線路，而每個空間轉換區塊1321之所有導電線路便構成電路布局139。同理，每個延伸電連接區塊1331也會具有多個導電線路，且每個導電線路分別連通於中間連接區塊1311之各個電連接通道1311a。

承上，所製造出的第一多層體132包含彼此間隔排列之多個空間轉換區塊1321，各空間轉換區塊1321包含彼此相對之第一上接觸區132a與第一下接觸區132b，且各個第一上接觸區132a分別電性連接於核心層體131之各中間連接區塊1311。彼此相對之第一上接觸區132a與第一下接觸區132b之間具有電路布局139。如圖3所示，相鄰二個第一下接觸區132b沿一軸向（例如x軸）具有一間距D，各第一下接觸區132b沿同一軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n必須是大於或等於2的正整數。此外，各空間轉換區塊1321之電路布局139必須實質相同或者至少有70%以上等同於待測晶片所搭配使用之積體電路載板的電路布局。這邊指的電路布局相同，是指客戶提供積體電路載板的電路布局，根據空間轉換器13與積體電路載板使用材料的差異，可以對阻抗線路匹配進行微調，例如線寬、線距等。

本發明之另一實施例係為探針卡10的製造方法，所述探針卡10的製造方法除了包含上述空間轉換器13的製造方法所包含的步驟之外，還進一步包含電性連接一電路板11於空間轉換器13之第二多層體133之各延伸電連接區塊1331之第二上接觸區133a，以及電性連接一探針頭15於第一多層體132之各空間轉換區塊1321之第一下接觸區132b。

上述各實施例包含以下共同特點：（一）空間轉換器13之相鄰二個第一下接觸區132b沿一軸向具有一間距D，各第一下接觸區132b沿同一軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n為大於或等於2的正整數；以及（二）各空間轉換區塊1321之電路布局139必須相同於待測試的晶粒91所搭配使用之積體電路載板的電路布局。（三）實驗顯示單純只使用第一多層體132作為空間轉換器，一旦與電路板11以BGA製程結合會有平整度不佳的情況發生。透過將第一多層體132與增厚層體20相結合，整體強度大幅上升，與電路板11以回焊製程結合後也不會發生平整度不佳的情況。

雖然本發明已以實施例揭露如上然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之專利申請範圍所界定者為準。

10‧‧‧探針卡 11‧‧‧電路板 112‧‧‧電接觸點 115‧‧‧空接觸點 13‧‧‧空間轉換器 131‧‧‧核心層體 1311‧‧‧中間連接區塊 1311a‧‧‧電連接通道 132‧‧‧第一多層體 1321‧‧‧空間轉換區塊 132a‧‧‧第一上接觸區 132b‧‧‧第一下接觸區 1322‧‧‧下接觸點 132L1~4‧‧‧基層 133L1~4‧‧‧基層 133‧‧‧第二多層體 133a‧‧‧第二上接觸區 133b‧‧‧第二下接觸區 133c‧‧‧空間間隔區 1331‧‧‧延伸電連接區塊 1331a‧‧‧電連接通道 1332‧‧‧上接觸點 135‧‧‧空接觸點 138‧‧‧強化層 139‧‧‧電路布局 15‧‧‧探針頭 151‧‧‧探針 20‧‧‧增厚層體 23‧‧‧ 空間轉換器 232b‧‧‧第一下接觸區 233‧‧‧第二多層體 233a‧‧‧第二上接觸區 233d‧‧‧空接觸區 2332‧‧‧上接觸點 235‧‧‧空接觸點 90‧‧‧晶圓 91‧‧‧晶粒 D‧‧‧間距 W‧‧‧寬度

[圖1] 為本發明一實施例之示意圖（一）； [圖2] 為本發明一實施例之示意圖（二）； [圖3] 為本發明一實施例之空間轉換器的仰視圖； [圖4] 為本發明一實施例之空間轉換器的俯視圖； [圖5] 為本發明另一實施例之示意圖； [圖6] 為本發明之一例示空間轉換器之空接觸區的分布示意圖（一）； [圖7] 為本發明之一例示空間轉換器之空接觸區的分布示意圖（二）； [圖8] 為本發明之一例示空間轉換器之空接觸區的分布示意圖（三）。

10‧‧‧探針卡

11‧‧‧電路板

112‧‧‧電接觸點

115‧‧‧空接觸點

13‧‧‧空間轉換器

131‧‧‧核心層體

1311‧‧‧中間連接區塊

1311a‧‧‧電連接通道

132‧‧‧第一多層體

1321‧‧‧空間轉換區塊

132a‧‧‧第一上接觸區

132b‧‧‧第一下接觸區

1322‧‧‧下接觸點

133‧‧‧第二多層體

133a‧‧‧第二上接觸區

133b‧‧‧第二下接觸區

1331‧‧‧延伸電連接區塊

1331a‧‧‧電連接通道

1332‧‧‧上接觸點

135‧‧‧空接觸點

139‧‧‧電路布局

15‧‧‧探針頭

151‧‧‧探針

20‧‧‧增厚層體

Claims (15)

1. 一種空間轉換器，適用於一探針卡，該探針卡適用於探測一晶圓，該晶圓包含複數晶粒，各該晶粒可與一積體電路載板封裝成一積體電路晶片，該積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局，該空間轉換器包含： 一增厚層體，包含複數中間連接區塊；及 一第一多層體，設置於該增厚層體之下表面，包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之一第一上接觸區與一第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局至少有70%以上等同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n大於1。
2. 如請求項1所述之空間轉換器，其中該增厚層體包含一核心層體與一第二多層體，該複數中間連接區塊位於該核心層體，該第二多層體設置於該核心層體之上表面，包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊，各該延伸電連接區塊包含彼此相對之一第二上接觸區與一第二下接觸區，各該第二下接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊。
3. 如請求項2所述之空間轉換器，更包含一強化層，設置於該第二多層體面向該核心層體之表面或背向該核心層體之表面。
4. 如請求項2所述之空間轉換器，更包含複數空接觸點，設置於各該複數第二上接觸區的周圍。
5. 如請求項4所述之空間轉換器，其中兩個相鄰的該第二上接觸區之間的區域為一空間間隔區，該複數空接觸點設置在該空間間隔區。
6. 如請求項5所述之空間轉換器，其中該空間間隔區更具有一電子元件放置區。
7. 如請求項2所述之空間轉換器，其中該核心層體與該第二多層體的總厚度大於0.3 mm。
8. 如請求項2所述之空間轉換器，其中該複數空間轉換區塊的數量為偶數。
9. 如請求項8所述之空間轉換器，更包含複數空接觸區，各該空接觸區包含複數空接觸點，該第二多層體的上表面呈矩形，該些空接觸區佈設在該第二多層體的上表面的四個角落及重心。
10. 如請求項8所述之空間轉換器，更包含複數空接觸區，各該空接觸區包含複數空接觸點，該第二多層體的上表面呈矩形，該些空接觸區佈設在該第二多層體的上表面的重心及以重心為基準沿一X軸向與一Y軸向延伸而與該第二多層體的上表面周緣交會的四個區塊。
11. 如請求項8所述之空間轉換器，更包含複數空接觸區，各該空接觸區包含複數空接觸點，該第二多層體的上表面呈矩形，該些空接觸區佈設在該第二多層體的上表面的四個角落、重心、及以重心為基準沿一X軸向與一Y軸向延伸而與該第二多層體的上表面周緣交會的四個區塊。
12. 如請求項2所述之空間轉換器，其中各該空間轉換區塊之第一下接觸區之接觸點分布係比該第一上接觸區之接觸點分布更密集。
13. 一種探針卡，該探針卡包含： 如請求項1至12任一項所述之空間轉換器； 一電路板，設置於該增厚層體之上表面；及 一探針頭，電性連接於該第一多層體之各該空間轉換區塊之第一下接觸區。
14. 一種空間轉換器的製造方法，所製造出的空間轉換器適用於一探針卡，該探針卡適用於探測一晶圓，該晶圓包含複數晶粒，各該晶粒可與一積體電路載板封裝成一積體電路晶片，該積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局，該方法包含： 獲取該積體電路載板之電路布局； 提供一核心層體，包含複數中間連接區塊；及 以多層有機製程技術逐層於該核心層體之二表面分別形成一第一多層體與一第二多層體，該第一多層體包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局至少有70%以上等同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n大於1；該第二多層體包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊，各該延伸電連接區塊包含彼此相對之第二上接觸區與第二下接觸區，各該第二下接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊。
15. 一種探針卡的製造方法，所製造出的探針卡適用於探測一晶圓，該晶圓包含複數晶粒，各該晶粒可與一積體電路載板封裝成一積體電路晶片，該積體電路載板之上表面與下表面之間具有一電路布局，該方法包含： 獲取該積體電路載板之電路布局； 提供包含有複數中間連接區塊之一核心層體； 以多層有機製程技術逐層於該核心層體之二表面分別形成一第一多層體與一第二多層體，該第一多層體包含彼此間隔排列之複數空間轉換區塊，各該空間轉換區塊包含彼此相對之第一上接觸區與第一下接觸區，各該第一上接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊，彼此相對之該第一上接觸區與該第一下接觸區之間具有一電路布局，且各該空間轉換區塊之電路布局至少有70%以上等同於該積體電路載板之電路布局；相鄰二該第一下接觸區沿一軸向具有一間距D，各該第一下接觸區沿該軸向具有一寬度W，其中D=n × W，且n大於1；該第二多層體包含彼此間隔排列之複數延伸電連接區塊，各該延伸電連接區塊包含彼此相對之第二上接觸區與第二下接觸區，各該第二下接觸區分別電性連接於各該中間連接區塊； 電性連接一電路板於該第二多層體之各該延伸電連接區塊之第二上接觸區；及 電性連接一探針頭於該第一多層體之各該空間轉換區塊之第一下接觸區。

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