CN107449538B - 半导体压力传感器 - Google Patents

半导体压力传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN107449538B
CN107449538B CN201710403836.XA CN201710403836A CN107449538B CN 107449538 B CN107449538 B CN 107449538B CN 201710403836 A CN201710403836 A CN 201710403836A CN 107449538 B CN107449538 B CN 107449538B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating film
film
movable electrode
polysilicon layer
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710403836.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107449538A (zh
Inventor
佐藤公敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Corp
Original Assignee
Mitsubishi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Corp filed Critical Mitsubishi Corp
Publication of CN107449538A publication Critical patent/CN107449538A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107449538B publication Critical patent/CN107449538B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0044—Constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00642—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for improving the physical properties of a device
    • B81C1/0065—Mechanical properties
    • B81C1/00666—Treatments for controlling internal stress or strain in MEMS structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0045—Diaphragm associated with a buried cavity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0047—Diaphragm with non uniform thickness, e.g. with grooves, bosses or continuously varying thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/005—Non square semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0161—Controlling physical properties of the material
    • B81C2201/0163—Controlling internal stress of deposited layers
    • B81C2201/0167—Controlling internal stress of deposited layers by adding further layers of materials having complementary strains, i.e. compressive or tensile strain
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/0176—Chemical vapour Deposition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。

Description

半导体压力传感器
技术领域
本发明涉及一种半导体压力传感器以及其制造方法。该半导体压力传感器适于向包含具有MOS构造的场效应晶体管(下面，简称为“MOS晶体管”)的电路(下面，简称为“MOS电路”)进行集成化。
此外，“MOS”这一用语以前用于金属/氧化物/半导体的层叠构造，采用了Metal-Oxide-Semiconductor的第一个字母。然而，特别是对于MOS晶体管，从近年来的集成化及制造工艺的改善等角度出发，对栅极绝缘膜、栅极电极的材料进行了改善。
例如，就MOS晶体管而言，主要从以自对准的方式形成源极及漏极的角度出发，取代金属而采用多晶硅作为栅极电极的材料。另外，从改善电气特性的角度出发，采用高介电常数的材料作为栅极绝缘膜的材料，但该材料并非必须限定于氧化物。
因此，“MOS”这一用语不是必须仅限定于金属/氧化物/半导体的层叠构造才被采用的用语，在本说明书中也不以上述限定为前提。即，鉴于技术常识，这里“MOS”不限定于因其词源而产生的缩略语，广义上具有还包含导电体/绝缘体/半导体的层叠构造的含义。
背景技术
近年来，在以汽车为首的各种领域中使用了半导体压力传感器。例如专利文献1所公开的那样，半导体压力传感器集成于MOS电路。
对于专利文献1所公开的半导体压力传感器，在半导体基板规定了形成MOS电路的区域即MOS区域和形成压力传感器的区域即压力传感器区域。
在MOS区域形成有MOS电路，该MOS电路包含n沟道型的MOS晶体管和p沟道型的MOS晶体管。在压力传感器区域形成有电容式的半导体压力传感器。
专利文献2、3所公开的半导体压力传感器也与专利文献1所公开的半导体压力传感器类似，形成的是电容式的压力传感器。
就这样的电容式的半导体压力传感器而言，形成有固定电极和可动电极，在固定电极和可动电极之间设置有真空室。真空室通过密封膜进行密封。可动电极和固定电极之间的距离由于其周围的压力而变动，该距离被作为固定电极和可动电极之间的静电电容的值而进行检测。压力是基于该静电电容的变动而进行测定的。
可动电极由于是使用半导体工艺对多晶硅等进行沉积而形成的，因此具有内部应力。为了降低成为可动电极的多晶硅的内部应力，想到进行高温的热处理的方法。对于集成于MOS电路的半导体压力传感器，不易于应用该方法。
因此，专利文献1提出了下述技术，即，同时进行可动电极即隔膜的热处理和将CMOS晶体管的源极及漏极激活的退火。
如专利文献2中也提及的那样，在该内部应力为压缩应力的情况下，有时可动电极屈曲成向与真空室相反侧凸出的形状。该可动电极的形状使得半导体压力传感器特性不稳定。
因此，在专利文献2中提出了下述技术，即，在可动电极的周缘部形成压缩应力的厚壁部、或者在可动电极的中央部形成内部应力为拉伸的膜而进行可动电极的应力控制，防止可动电极变为向与真空室相反侧凸出的形状。
像上述这样不采用用于对可动电极进行应力控制的高温的热处理这一作法对于与以微细工艺形成的MOS电路的单片集成化而言是适用的。
如专利文献3中也提及的那样，如果在对压力进行测定时被测定物与可动电极接触，则有时带电物会附着于可动电极。由于该带电物，有时会使可动电极的电位紊乱，进而半导体压力传感器的输出变得不稳定。
因此，在专利文献3中提出了下述技术，即，隔着绝缘膜利用导电性的多晶硅而将接地状态的电磁屏蔽用导电膜设置于可动电极的表面。由此，半导体压力传感器的可靠性提高。
此外，作为其他与本申请相关的现有技术文献还举出专利文献4～7。
专利文献1：日本专利第4267322号公报
专利文献2：日本专利第3359871号公报
专利文献3：日本专利第3310216号公报
专利文献4：日本特开2014-115153号公报
专利文献5：日本特开2007-274096号公报
专利文献6：日本特开平11-281509号公报
专利文献7：日本特开平08-335707号公报
对于专利文献1所提出的技术，在压缩应力的多晶硅膜的下层使用了低应力的氮化膜。因而，通过将CMOS晶体管的源极及漏极激活的退火而进行隔膜的应力释放这一作法在以下方面而言并非是优选的，即，由于多晶硅和氮化膜的线膨胀系数的不同，容易受到温度变化的影响而在隔膜产生挠曲。
另外，想到由于多晶硅的压缩应力和下层氮化膜的拉伸应力，隔膜成为向下凸出的形状。而且，该形状具有容易受到各个膜的制造波动的影响的缺点。
对于专利文献2所提出的技术，需要在可动电极的一部分的区域形成被控制为压缩应力或者拉伸应力的膜，需要进行下述工序追加，即，追加进行了应力控制的膜的成膜和通过照相制版进行的图案化。该工序的追加在使整体的制造工序变长且变得复杂这方面而言并非是优选的。
对于专利文献3所提出的技术，仅在可动电极中的屏蔽用导电膜设置侧形成绝缘膜。变为采用热膨胀系数不同的膜的层叠构造。这使得可动电极的挠曲的温度依赖性变大且变得复杂。因此，必须将因所施加的压力的变化引起的可动电极的挠曲的变化与因温度变化引起的可动电极的挠曲的变化区分开。然而，这样的区分需要复杂的校正。
该校正所用的电路能够在MOS电路进行集成化。然而，设置校正用电路在会使电路规模增大、包含该电路的芯片的尺寸也变大这方面而言并非是优选的。
发明内容
本发明就是鉴于上述观点而提出的，目的在于提供一种无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。
本发明涉及的半导体压力传感器具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的。所述隔膜具有：可动电极；第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜。
发明的效果
本发明涉及的半导体压力传感器无需用于应力控制的热处理，并且可靠性高。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图2是表示第1实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图3是表示第1实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的俯视图。
图4是示意性表示隔膜的结构的剖视图。
图5是示意性表示隔膜的结构的剖视图。
图6是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图7是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图8是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图9是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图10是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图11是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图12是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图13是说明第1实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图14是表示本发明的第2实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图15是表示本发明的第2实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图16是说明第2实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图17是说明第2实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图18是说明第2实施方式涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图19是表示第3实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图20是表示第3实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的俯视图。
图21是表示本发明的第4实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图22是表示本发明的第5实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
图23是表示本发明的第6实施方式涉及的半导体压力传感器的结构的剖视图。
标号的说明
11半导体基板，18固定电极，19绝缘膜，34侧壁，39可动电极，39a第1多晶硅层，39b第2多晶硅层，39c第3多晶硅层，39d第1绝缘膜，51空隙，58第2绝缘膜，59屏蔽膜，60固定部，61隔膜，100A、100B、100C、100D、100E、100F半导体压力传感器。
具体实施方式
下面基于附图对本发明的实施方式进行说明。
第1实施方式.
图1以及图2均是表示本发明的第1实施方式涉及的半导体压力传感器100A的结构的剖视图。图3是表示半导体压力传感器100A的结构的俯视图。图3的位置AA表示图1的剖面所处的位置，位置BB表示图2的剖面所处的位置。此外，图3中在标号“100A”旁边标注了“(100B)”，这是由于后述第2实施方式涉及的半导体压力传感器100B的俯视图也使用图3的俯视图，没有其他的含义。
半导体压力传感器100A形成于半导体基板11。对于在半导体基板11构成CMOS电路的技术，例如在专利文献4中进行了详述，因此这里省略说明。半导体基板11例如是硅基板。
半导体压力传感器100A设置于半导体基板11的一个主面。在图1以及图2中，该主面是半导体基板11的与处于下方的面相反侧的面。
半导体压力传感器100A具有固定电极18和隔膜61。固定电极18位于半导体基板11的主面。隔膜61隔着空隙51至少与固定电极18相对而在半导体基板11的厚度方向(下面，简称为“厚度方向”)上是可动的。
在半导体基板11的表面存在第1阱区域12和第2阱区域13。第1阱区域12和第2阱区域13彼此导电型不同。例如，如果第1阱区域12的导电型为p型，则第2阱区域13的导电型为n型。
固定电极18存在于第1阱区域12的表面，其导电型与第1阱区域12的导电型相同。固定电极18由杂质扩散层来实现，其杂质浓度比第1阱区域12的杂质浓度高，作为导电体起作用。在半导体基板11的主面存在将固定电极18包围的绝缘膜19。该绝缘膜19能够由所谓的场氧化膜来实现。
就绝缘膜19而言，具有存在于第1阱区域12之上的绝缘膜19和与第1阱区域12之间存在扩散层20的绝缘膜19。扩散层20的导电型与第1阱区域12的导电型相同，其杂质浓度比第1阱区域12的杂质浓度高，作为导电体起作用。扩散层20与固定电极18接触，该扩散层20作为所谓的扩散引线起作用。该扩散引线也可以理解为还包含第1阱区域12。
存在于半导体基板11的第1阱区域12、第2阱区域13、场氧化膜、以及作为导电体起作用的杂质扩散层作为例如实现CMOS电路的技术来说是公知的。
固定电极18以及绝缘膜19由保护膜25覆盖。保护膜25在形成空隙51的工序中承担保护固定电极18免受蚀刻的作用，但不承担与半导体压力传感器100A的动作相关联的作用。另外，并非必须将绝缘膜19覆盖。
隔膜61具有可动电极39、第1绝缘膜39d、第2绝缘膜58和导电性的屏蔽膜59。第1绝缘膜39d和第2绝缘膜58采用相同种类的膜，例如均使用TEOS(Tetra Ethyl OrthoSilicate glass)类的氧化膜。可动电极39以及屏蔽膜59例如由导电性的多晶硅形成。
第1绝缘膜39d位于可动电极39的空隙51侧，第2绝缘膜58位于可动电极39的与空隙51相反侧。屏蔽膜59与可动电极39一起夹着第2绝缘膜58。屏蔽膜59的电位被固定，例如固定于接地电位。
此外，隔膜61所包含的第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58是指夹着可动电极39的部分。换言之，第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58中的并未夹着可动电极39的、延伸出的部分不包含于隔膜61。
第2绝缘膜58具有使屏蔽膜59与可动电极39绝缘的作用。例如根据专利文献3，这样的可动电极39、第2绝缘膜58和屏蔽膜59层叠的构造本身是公知的，因此省略进一步的详细说明。
但是，要追加说明的是，即使带电物附着于隔膜61，由于屏蔽膜59的作用，也与专利文献3中示出的效果相同地，半导体压力传感器100A的输出不会变得不稳定。更详细而言，附着于隔膜61的带电物、水分、以及来自外部的噪声对半导体压力传感器100A的影响能够被第2绝缘膜58以及屏蔽膜59隔断。
还形成用于使固定电极18、可动电极39与半导体压力传感器100A的外部电导通的配线、电极。还形成用于将屏蔽膜59接地、例如与半导体基板11连接的配线。然而，使用上述配线以及电极而进行的与外部的导通以及接地在例如专利文献3、4等中是公知的，因此省略图示以及详细的说明。
可动电极39在其与固定电极18之间形成在对施加于半导体压力传感器100A的压力进行检测中采用的静电电容。空隙51处于真空状态，隔膜61与所施加的绝对压力成正比地进行挠曲。隔膜的挠曲量与施加于隔膜61的压力的变化相对应地变化，由此固定电极18和可动电极39之间的距离变化，将所施加的绝对压力作为静电电容的变化而进行检测。
第2绝缘膜58的内部应力和屏蔽膜59的内部应力之间的差异、第2绝缘膜58的内部应力和可动电极39的内部应力之间的差异导致隔膜61的内部应力的在厚度方向上的梯度(下面，简称为“应力梯度”)。另外，第2绝缘膜58的线膨胀系数和屏蔽膜59的线膨胀系数之间的差异、第2绝缘膜58的线膨胀系数和可动电极39的线膨胀系数之间的差异会提高隔膜61的位移的温度依赖性。该隔膜61的应力梯度以及温度依赖性成为除了所施加的压力以外的给可动电极39的位移带来影响的要因。该要因会产生上述静电电容的偏差(offset)、或者进一步使该偏差产生温度依赖性。
然而，第1绝缘膜39d相对于可动电极39位于与第2绝缘膜58相反侧。因而，第1绝缘膜39d降低第2绝缘膜58的热膨胀、内部应力给隔膜61整体带来的影响。无论可动电极39的材质如何，都会得到该效果。
如上所述，第2绝缘膜58和第1绝缘膜39d的膜的种类相同，但优选采用相同的成膜条件来进行成膜。更优选使两者的膜厚相等。然而，第1绝缘膜39d还具有相对于在形成空隙51的工序中所进行的蚀刻而对可动电极39进行保护的作用。因而，第2绝缘膜58的膜厚优选不是第1绝缘膜39d的成膜时的膜厚，而是与该蚀刻之后的第1绝缘膜39d的成膜时的膜厚一致。后面将说明该蚀刻。
如上所述，不仅通过第2绝缘膜58以及屏蔽膜59来提高针对带电物以及水分的附着、来自外部的噪声这些误差要因的可靠性，还通过第1绝缘膜39d来提高针对隔膜61的应力梯度以及隔膜61的位移的温度依赖性这些误差要因的可靠性。
隔膜61的剖视图上的端部呈现为固定部60，固定部60在与半导体基板11相反侧固定于绝缘膜19。由于固定部60和固定电极18所形成的静电电容不依赖于压力的变动，因此该静电电容相对于作为压力传感器的静电电容来说可以称为寄生电容。从降低该寄生电容的角度出发，优选将固定部60固定于在固定电极18的周围存在的绝缘膜19。
半导体压力传感器100A具有侧壁34。侧壁34位于绝缘膜19之上，具有与固定部60相邻的相邻面。该相邻面是越远离绝缘膜19则越接近空隙51侧的曲面。因而，隔膜61的固定部60的剖面形状是曲线。该固定部60的形状从在向隔膜61施加了压力时避免固定部60处的应力的集中的角度出发是优选的。
第1层间绝缘膜40以及第2层间绝缘膜45被用在下述工序中，即，将与半导体压力传感器100A并行地制作的其他电路、例如CMOS电路的电极引出而与配线连接的工序。该工序如专利文献4等所公开的那样为公知技术，因此后面简单地进行说明，省略详细说明。第2层间绝缘膜45相对于第1层间绝缘膜40而设置于与半导体基板11相反侧(图1以及图2中的上侧)。
相对于第2层间绝缘膜45而在与半导体基板11相反侧设置密封膜47。在位置BB的剖面中，如图2所示，蚀刻孔46将第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45、第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58贯穿，与空隙51连通。
密封膜47到达蚀刻孔46以及与其连通的位置处的空隙51，有助于空隙51的蚀刻孔46处的密封。蚀刻孔46有助于形成空隙51的工序，该工序如专利文献4等所公开的那样为公知技术，因此后面简单地进行说明，省略详细说明。
第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45以及密封膜47将隔膜61的周围覆盖。第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45以及密封膜47在至少使区域108露出的开口54处开口。区域108是空隙51所在的区域中的、与固定电极18相对的区域。这是为了，通过开口54使区域108露出，由此确保隔膜61中的与固定电极18相对的部分的可动性，高精度地对大幅反映出压力的静电电容的变化进行检测。
优选开口54还将区域108的周围、例如隔膜61中的与绝缘膜19相对的部分露出。这是为了，还确保区域108周围的隔膜61的可动性而使区域108处的隔膜61的位移增大，更高精度地对压力进行检测。
区域103是空隙51所在的区域中的、处于区域108的周围且与蚀刻孔46连通的区域。因而，区域103中的至少蚀刻孔46所在的位置被第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45以及密封膜47覆盖。
在本实施方式中，例示出可动电极39由在厚度方向上从接近固定电极18侧起依次层叠的第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b和第3多晶硅层39c构成的情况。另外，例示出屏蔽膜59由第4多晶硅层构成的情况。上述多晶硅层均具有导电性。
优选第1多晶硅层39a、第3多晶硅层39c和屏蔽膜59所具有的内部应力的方向相同，且上述内部应力的方向和第2多晶硅层39b所具有的内部应力的方向相反。这是因为，与由单层的多晶硅层构成可动电极39的情况相比，降低了隔膜61的内部应力或应力梯度，因而提高了隔膜61的位移、乃至在压力检测中采用的可动电极39的位移的可靠性。
图4以及图5均是示意性地表示隔膜61的结构的剖视图。在图4中示出了第1多晶硅层39a具有压缩性的内部应力Fa、第3多晶硅层39c具有压缩性的内部应力Fc、屏蔽膜59具有压缩性的内部应力F5、第2多晶硅层39b具有拉伸性的内部应力Fb的情况。在图5中示出了第1多晶硅层39a具有拉伸性的内部应力Fa、第3多晶硅层39c具有拉伸性的内部应力Fc、屏蔽膜59具有拉伸性的内部应力F5、第2多晶硅层39b具有压缩性的内部应力Fb的情况。
上述内部应力在图4以及图5中均由空心箭头表示，通过箭头的长度表示内部应力的大小。通常所产生的内部应力的大小是膜厚越厚则其越大，因此图4以及图5中也以相同的倾向来描绘箭头的长度。
例如，第1多晶硅层39a、第3多晶硅层39c和屏蔽膜59以相同的成膜条件进行成膜。因而，它们所产生的内部应力的方向即内部应力是压缩性的还是拉伸性的是一致的，且每相同厚度的大小相等。
相对于第2多晶硅层39b，第1多晶硅层39a与第3多晶硅层39c、屏蔽膜59彼此位于相反侧。因而，通过使第3多晶硅层39c的膜厚与屏蔽膜59的膜厚之和、第1多晶硅层39a的膜厚彼此相等，从而能够将隔膜61的整体的应力梯度抵消。从使无负荷时的隔膜61的挠曲量大致为0的角度出发，这一作法是优选的。
不仅是降低应力梯度，还能够降低隔膜61的整体的内部应力本身。例如，在第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c和屏蔽膜59的每相同膜厚的内部应力的大小彼此相等的情况下，通过使第1多晶硅层39a的膜厚、第3多晶硅层39c的膜厚和屏蔽膜59的膜厚之和与第2多晶硅层39b的膜厚相等，从而将隔膜61的整体的内部应力抵消。
各多晶硅层的内部应力受到其制造工艺的影响。然而，通常膜厚越厚则所产生的内部应力的大小也越大。因而，根据具有上述构造的隔膜61，不但具有屏蔽膜59，并且，仅通过调整膜厚，即可降低隔膜61的整体的应力梯度，或者进一步降低内部应力本身，而无需高温热处理的追加、复杂的工艺。从容易得到可靠性、精度高的半导体压力传感器100A的角度出发，这一作法是优选的。
还能够积极地利用应力梯度。在图4所示的结构中，使第1多晶硅层39a的膜厚比第3多晶硅层39c的膜厚和屏蔽膜59的膜厚之和薄。或者在图5所示的结构中，使第1多晶硅层39a的膜厚比第3多晶硅层39c的膜厚和屏蔽膜59的膜厚之和厚。通过这样的膜厚的调整，隔膜61产生应力梯度，产生朝向半导体基板11凸出的弯矩。这适于如专利文献2中提出的希望得到在无负荷状态下朝向半导体基板11凸出的隔膜61的情况。
即，通过对各多晶硅层的膜厚进行调整，从而能够控制隔膜61、乃至可动电极39的位移的应力依赖性。
在使用图4以及图5进行的说明中，未考虑第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58的内部应力。其依据是，第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58的厚度均比第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c、相当于屏蔽膜59的第4多晶硅层中的任意者的厚度薄。换言之，隔膜61的整体的应力的抵消、应力梯度的降低在某种程度上是能够通过第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c、屏蔽膜59来进行的。
但是，正如已经叙述的那样，为了降低因第2绝缘膜58与上述多晶硅层的线膨胀系数之间的差异引起的、隔膜61的位移的温度依赖性，优选设置第1绝缘膜39d。
也可以是以第1绝缘膜39d以及第2绝缘膜58所具有的内部应力为判断基准，确定采用图4所示的结构、和图5所示的结构中的哪个。
下面，利用图6至图13，说明对具有上述结构的半导体压力传感器100A进行制造的方法。图6至图10是与图3的位置AA相当的位置处的剖视图，图11至图13是与图3的位置BB相当的位置处的剖视图。
首先，参照图6。在半导体基板11的主面以CMOS工艺中公知的方法形成第1阱区域12和第2阱区域13。具体而言，采用杂质的注入和热扩散的工序。选定为了使第1阱区域12和第2阱区域13导电型不同而注入的杂质的种类。
然后参照图7。使用例如在CMOS工艺中公知的LOCOS(Local Oxidation ofSilicon)法将绝缘膜19作为场氧化膜而形成。绝缘膜19的膜厚为0.2～1.0μm左右。绝缘膜19覆盖第2阱区域13，使第1阱区域12部分地露出。
LOCOS法为公知的技术，因此仅简单说明。首先，在半导体基板11的主面将衬垫氧化膜、多晶硅膜以及硅氮化膜(均未图示)按该顺序层叠而形成。通过针对它们的层叠体实施规定的照相制版处理以及蚀刻，从而将形成绝缘膜19的区域的硅氮化膜去除。
接着，通过再次实施照相制版处理，从而将抗蚀掩模(未图示)作为注入掩模，将杂质注入至第1阱区域12的主面中的应当形成扩散层20的区域。该杂质的导电型与第1阱区域12相同。
然后，将抗蚀掩模去除。然后，基于规定条件实施氧化处理，由此将去除了硅氮化膜的部分的多晶硅膜局部地氧化，形成绝缘膜19。随后，将残留的硅氮化膜去除。
在形成绝缘膜19的氧化处理时，将注入至应当形成扩散层20的区域的杂质激活，形成扩散层20。绝缘膜19正下方的扩散层20在半导体压力传感器100A中有助于固定电极18的扩散引线部分的低电阻化。
然后，在半导体基板11通过例如热氧化法而形成绝缘性的保护膜25。对于保护膜25的形成，能够利用在CMOS工艺中公知的形成栅极氧化膜的工序。
然后参照图8。在由绝缘膜19包围的区域的第1阱区域12将与第1阱区域12相同导电型的杂质经由保护膜25而注入，然后进行热扩散而形成固定电极18。在该杂质注入中，可以采用公知的技术，例如将抗蚀掩模(未图示)作为注入掩模。
然后，以覆盖保护膜25的方式对牺牲膜23进行成膜。例如利用在CMOS工艺中公知的形成栅极电极的工序，由多晶硅化物膜或者单纯的多晶硅膜对牺牲膜23进行成膜。
如后述那样，牺牲膜23会被去除而不残留在半导体压力传感器100A，因此并非必须具有导电性。但是，牺牲膜23的形成所利用的工序是形成栅极电极的工序，因此，这里对牺牲膜23具有导电性的情况进行说明。
该多晶硅化物膜由例如膜厚为50～300nm左右的多晶硅膜和膜厚为50～300nm左右的硅化钨(WSi2)膜构成。该多晶硅膜通过CVD法而形成。在该形成过程中或者刚成膜之后，通过导入磷而得到n型的多晶硅膜。硅化钨膜通过溅射法、或者CVD法而以覆盖该多晶硅膜的方式进行成膜。
通过蚀刻对这样成膜的多晶硅化物膜进行整形，形成牺牲膜23。牺牲膜23至少将固定电极18覆盖，并且攀升至固定电极18的周围处的绝缘膜19。该整形能够通过将实施公知的照相制版处理而得到的抗蚀掩模(未图示)作为蚀刻掩模来进行公知的蚀刻处理而实现。
然后，在牺牲膜23的侧面形成侧壁34。侧壁34通过保护膜25而与固定电极18绝缘，通过第1绝缘膜39d而与可动电极39绝缘。因而，基本上，从用于半导体压力传感器100A的角度出发，侧壁34的材料是导电性的还是绝缘性均可。
然而，作为形成侧壁34的工序，能够利用在CMOS工艺中公知的、在栅极电极的旁边形成侧壁的工序。从该角度出发，作为形成侧壁34的工序，能够例示形成将牺牲膜23覆盖的膜例如TEOS类的氧化膜，对其实施各向异性的干蚀刻处理的工序。
另外，从能够将越远离绝缘膜19则越接近空隙51侧的曲面形成于侧壁34的与空隙51相反侧的角度出发，进行这样的干蚀刻处理是优选的。该曲面会减轻牺牲膜23周边的台阶差，因而有助于形成针对牺牲膜23的包覆性良好的第1绝缘膜39d，进而如上述那样使固定部60的剖面形状为曲线，从上述角度出发，该曲面为优选。
然后，通过例如TEOS类的氧化膜进行将牺牲膜23、保护膜25以及侧壁34覆盖的第1绝缘膜39d的成膜。
然后参照图9。在第1绝缘膜39d之上形成可动电极39。可动电极39具有上述层叠构造。将第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c按照该顺序依次进行成膜，随后对它们进行整形而形成可动电极39。
例如，第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c均使用减压CVD法进行成膜。对这些多晶硅膜的内部应力通过成膜时的温度而进行控制是公知的。例如，为了得到具有压缩性应力的多晶硅膜，将成膜时的温度设为620℃，为了得到具有拉伸应力的多晶硅膜，将成膜时的温度设为580℃。
由于对可动电极39要求导电性，因此针对第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c，在各自的成膜过程中或者刚成膜之后将杂质导入。通过所导入的杂质而得到的导电型可以是n型也可以是p型。然而，从可动电极39的整体的导电性的角度出发，优选第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c彼此相同。
也可以使第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c的俯视图上的形状相同。在本实施方式中，设想为上述形状。因而，它们的整形能够通过1次照相制版处理、加工处理来进行。即，能够简单地对可动电极39的内部应力进行控制而无需对可动电极39的形成追加复杂的工序，因此工序数的增加得到抑制。从抑制成本的上升的角度出发，这一作法也是优选的。
然后参照图10以及图11。对覆盖可动电极39的第2绝缘膜58、屏蔽膜59按该顺序进行成膜。它们均能够使用CVD法来进行成膜。然而，第2绝缘膜58与第1绝缘膜39d为相同种类的膜，且以相同的条件形成。两者的膜厚的关系如上所述。
针对屏蔽膜59，在其成膜过程中或者刚成膜之后，将杂质导入。通过所导入的杂质而得到的导电型可以是n型也可以是p型。对屏蔽膜59通过照相制版处理、蚀刻处理而进行整形。隔膜61的膜厚为500～2000nm左右。
然后参照图12。对覆盖隔膜61、第2绝缘膜58以及屏蔽膜59的第1层间绝缘膜40进行成膜。在第1层间绝缘膜40通过公知的技术而形成在其表面敷设的铝配线以及在其厚度方向上贯穿的接触孔。经由该接触孔将固定电极18、可动电极39、屏蔽膜59与铝配线连接，经由铝配线而得到它们与半导体压力传感器的外部之间的导通。用于得到该导通的技术在例如专利文献4等中为公知的，因此这里省略接触孔以及铝配线的图示以及详细的说明。
对覆盖上述的铝配线(图示省略)以及第1层间绝缘膜40的第2层间绝缘膜45进行成膜。第2层间绝缘膜45例如通过PE-TEOS(Plasma Enhanced-Tetra Ethyl OrthoSilicate glass)而进行成膜。然后，通过实施照相制版处理、蚀刻处理，从而使蚀刻孔46将第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45、第2绝缘膜58、第1绝缘膜39d贯穿而进行开口，该蚀刻孔46到达至俯视图上不存在隔膜61的位置处的牺牲膜23。这里，例示出蚀刻孔46位于不存在屏蔽膜59的位置的情况。
向蚀刻孔46加入蚀刻液。该蚀刻液例如是对多晶硅进行蚀刻的蚀刻剂。其对牺牲膜23进行蚀刻，但第1绝缘膜39d以及保护膜25均未显著蚀刻。由此，得到图1以及图2所示的空隙51。
然而，如果还考虑第1绝缘膜39d由于对牺牲膜23进行蚀刻而受到的影响，则如上所述，优选第2绝缘膜58的膜厚与该蚀刻之后的第1绝缘膜39d的成膜时的膜厚一致。
然后参照图13。对覆盖第2层间绝缘膜45、将蚀刻孔46密封的绝缘性的密封膜47进行成膜。该成膜是在真空氛围中进行的，因此空隙51成为真空室。并且，以公知的技术对第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45、密封膜47进行整形，得到图1以及图2所示的结构。
如上所述，形成半导体压力传感器100A的工序大多能够利用形成MOS电路的微细半导体工艺。而且不需要用于对隔膜61的内部应力进行控制的新的热处理。上述的各多晶硅层的成膜温度为560～750℃左右即可，无需如专利文献1中介绍的大于或等于900℃的高温处理。因而，即使将半导体压力传感器100A与MOS电路形成为单片，也不会损害MOS电路。换言之，半导体压力传感器100A适于与MOS电路集成化为单片。
第2实施方式.
图14以及图15均是表示本发明的第2实施方式涉及的半导体压力传感器100B的结构的剖视图。图14表示在图3的位置AA所呈现出的剖面，图15表示在图3的位置BB所呈现出的剖面。
半导体压力传感器100B与半导体压力传感器100A仅可动电极39的层叠构造不同。更具体而言，例示出半导体压力传感器100B的可动电极39由在厚度方向上从接近固定电极18侧起依次层叠的第1多晶硅层39a和第2多晶硅层39b构成的情况。即，半导体压力传感器100B具有从半导体压力传感器100A将第3多晶硅层39c省略后的结构。
半导体压力传感器100B也与半导体压力传感器100A相同地，如果施加于隔膜61的压力发生变化，则隔膜61的挠曲量变化，可动电极39和固定电极18之间的距离变化，将其作为静电电容的变化而进行检测。
就半导体压力传感器100B而言，例如将第1多晶硅层39a以及屏蔽膜59的内部应力设为拉伸性的，将第2多晶硅层39b的内部应力设为压缩性的。或者，将第1多晶硅层39a以及屏蔽膜59的内部应力设为压缩性的，将第2多晶硅层39b的内部应力设为拉伸性的。如第1实施方式中所说明的那样，各层处的这样的应力控制例如能够通过其成膜时的温度控制而实现。
与半导体压力传感器100A相同地，就半导体压力传感器100B而言，也设置膜种类与第2绝缘膜58相同的第1绝缘膜39d，从而降低因可动电极39和第2绝缘膜58的内部应力的差异、以及屏蔽膜59和第2绝缘膜58的内部应力的差异引起的隔膜61的应力梯度。另外，降低因可动电极39和第2绝缘膜58的线膨胀系数的差异、以及屏蔽膜59和第2绝缘膜58的线膨胀系数的差异引起的隔膜61的位移的温度依赖性。
特别是，对于优选第1绝缘膜39d和第2绝缘膜58的膜厚相等这一方面，第1实施方式中的说明在第2实施方式中也适用。
第1多晶硅层39a和屏蔽膜59的内部应力的方向一致。因而，降低隔膜61的应力梯度。
特别是，使第1多晶硅层39a和屏蔽膜59的膜种类以及成膜条件、厚度相等，将隔膜61的应力梯度抵消。从使隔膜61在无负荷状态下大致平坦的角度，即，使无负荷状态下的隔膜61的挠曲量大致为0的角度出发，这一作法是优选的。
当希望得到在无负荷状态下朝向半导体基板11凸出的隔膜61的情况下，能够利用由隔膜61的应力梯度引起的弯矩。例如在第1多晶硅层39a以及屏蔽膜59的内部应力为拉伸性的情况下，优选使第1多晶硅层39a比屏蔽膜59厚。例如在第1多晶硅层39a以及屏蔽膜59的内部应力为压缩性的情况下，优选使屏蔽膜59比第1多晶硅层39a厚。
不仅是应力梯度，还能够降低隔膜61的整体的内部应力本身。例如，在第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b和屏蔽膜59的每相同膜厚的内部应力的大小彼此相等的情况下，通过使第1多晶硅层39a的膜厚和屏蔽膜59的膜厚之和与第2多晶硅层39b的膜厚相等，从而将隔膜61的整体的内部应力抵消。
因而，半导体压力传感器100B也与半导体压力传感器100A相同地，不仅提高了针对带电物以及水分的附着、来自外部的噪声这些误差要因的可靠性，针对隔膜61的应力梯度以及隔膜61的位移的温度依赖性这些误差要因的可靠性也提高。
另外，通过对各多晶硅层的膜厚进行调整，从而能够对隔膜61、乃至可动电极39的位移的应力依赖性进行控制。
使用图16至图18说明对半导体压力传感器100B进行制造的方法。图16至图18是与图3的位置BB相当的位置处的剖视图。就半导体压力传感器100B的制造工序而言，直到形成第2多晶硅层39b为止采用半导体压力传感器100A的制造工序。
参照图16，在第1绝缘膜39d之上将第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b按该顺序依次进行成膜，然后对它们进行整形而形成可动电极39。
例如，第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b的成膜条件采用在第1实施方式中说明的成膜条件。
也可以使第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b的俯视图上的形状相同。在本实施方式中，设想为上述形状。因而，它们的整形能够通过1次照相制版处理、加工处理来进行。即，与半导体压力传感器100A相同地，能够简单地对可动电极39的内部应力进行控制而无需对可动电极39的形成追加复杂的工序，因此工序数的增加得到抑制。从抑制成本的上升的角度出发，这一作法也是优选的。
然后，将覆盖可动电极39的第2绝缘膜58、屏蔽膜59按该顺序进行成膜。它们的成膜条件采用在第1实施方式中说明的成膜条件。屏蔽膜59通过照相制版处理、蚀刻处理而进行整形。隔膜61的膜厚为500～2000nm左右。
然后参照图17。对覆盖隔膜61、第2绝缘膜58以及屏蔽膜59的第1层间绝缘膜40进行成膜，对覆盖第1层间绝缘膜40的第2层间绝缘膜45进行成膜。它们的成膜条件采用在第1实施方式中说明的成膜条件。
与第1实施方式相同地，蚀刻孔46将第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45、第2绝缘膜58、第1绝缘膜39d贯穿而进行开口。
向蚀刻孔46加入蚀刻液，对牺牲膜23进行蚀刻而得到图14以及图15所示的空隙51。
然后参照图18。对覆盖第2层间绝缘膜45、将蚀刻孔46密封的绝缘性的密封膜47进行成膜。该成膜是在真空氛围中进行的，因此空隙51成为真空室。并且，以公知的技术对第1层间绝缘膜40、第2层间绝缘膜45、密封膜47进行整形，得到图14以及图15所示的结构。
如上所述，形成半导体压力传感器100B的工序是从形成半导体压力传感器100A的工序中将形成第3多晶硅层39c的工序省略而得到的。因而，形成半导体压力传感器100B的工序与形成半导体压力传感器100A的工序相比，在工序数少这方面是有利的。而且，半导体压力传感器100B也与半导体压力传感器100A相同地，适于与MOS电路集成化为单片。
第3实施方式.
图19是表示本发明的第3实施方式涉及的半导体压力传感器100C的结构的剖视图。图20是表示半导体压力传感器100C的结构的俯视图。图20的位置CC表示图19的剖面所处的位置。
将图19与图1进行比较，半导体压力传感器100C相对于半导体压力传感器100A的不同点在于，在固定电极18的周围存在空隙51的区域较宽。即，就半导体压力传感器100C而言，明确地表现出空隙51也位于绝缘膜19和隔膜61之间。在本实施方式及其以后的实施方式中，将半导体压力传感器100A的包含区域103(参照图2以及图3)、且在固定电极18的周围存在空隙51的区域作为区域109来对待。
在区域109处，隔膜61也在厚度方向上隔着空隙51与绝缘膜19相对、且在与绝缘膜19相对的位置处也在厚度方向上是可动的。然而，可动电极39和固定电极18之间的静电电容几乎不受区域109的可动电极39的挠曲的影响。
另一方面，区域109的可动电极39将区域108的可动电极39包围。而且，开口54不仅使区域108露出，还使除被密封的蚀刻孔46(参照图2、图15等)附近以外的区域109露出。因而，区域109的可动电极39作为使区域108的可动电极39的挠曲变大的弹簧起作用。从静电电容大幅依赖于施加至半导体压力传感器100C的压力的角度出发、即从提高对压力进行检测的灵敏度以及精度的角度出发，该区域109较宽这一结构是优选的。
例如在图19所表现的剖面中，区域109的可动电极39的长度优选为区域108的可动电极39的长度的1/2～3倍左右。
该半导体压力传感器100C是与半导体压力传感器100A相同地进行制造的，但为了将空隙51设得较宽，将整形后的牺牲膜23(参照图8～图12)在绝缘膜19侧设置得较宽。
在图19中，对于半导体压力传感器100C，与半导体压力传感器100A相同地，作为可动电极39而例示出第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c的三层构造。半导体压力传感器100C也可以与半导体压力传感器100B相同地，使可动电极39为第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b的双层构造。针对第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c、第1绝缘膜39d、第2绝缘膜58、屏蔽膜59各自的应力方向、膜厚的优选设定与在第1实施方式以及第2实施方式中说明的设定相同。
因而，半导体压力传感器100C也与半导体压力传感器100A、100B相同地，不仅提高了针对带电物以及水分的附着、来自外部的噪声这些误差要因的可靠性，针对隔膜61的应力梯度以及隔膜61的位移的温度依赖性这些误差要因的可靠性也提高。
就半导体压力传感器100C而言，隔膜61的形状也呈现出固定部60，固定部60在与半导体基板11相反侧固定于绝缘膜19。优选侧壁34位于绝缘膜19之上，与固定部60相邻的相邻面是越远离绝缘膜19则越接近空隙51侧的曲面。半导体压力传感器100C的上述特征的优点与半导体压力传感器100A、100B相同。
第4实施方式.
图21是表示本发明的第4实施方式涉及的半导体压力传感器100D的结构的剖视图。图21的剖面所处的位置与图19的剖面所处的位置相对应。
半导体压力传感器100D相对于半导体压力传感器100C的不同点在于，在区域109处隔膜61的形状呈现为固定部110。在该固定部110和半导体基板11之间不存在空隙51，第1绝缘膜39d、保护膜25与该固定部110接触。例如，固定部110在俯视图上设置为将区域108包围的环状、或者间断的环状。
即使与半导体压力传感器100C相同地，将区域109设置得较宽，固定部110也妨碍区域109的可动电极39作为针对区域108的可动电极39的弹簧的作用。从该角度出发，优选将固定部110设置于区域109中的接近区域108的位置。
这样，半导体压力传感器100D与半导体压力传感器100C相同地，空隙51也位于绝缘膜19和隔膜61之间，隔膜61在区域109也在厚度方向上隔着空隙51与绝缘膜19相对。然而，隔膜61在与绝缘膜19相对的位置处在厚度方向上是固定的。
半导体压力传感器100D适于用作半导体压力传感器100C的参照。将固定部110形成于绝缘膜19之上，因此固定部110的存在本身不会带来半导体压力传感器100C、100D之间的静电电容的差。因而，以半导体压力传感器100D的静电电容的值为基准的半导体压力传感器100C的静电电容的变化中的因制造波动、除压力变化以外的要因引起的变化被消除。因而，通过使用半导体压力传感器100C、100D相互间的静电电容的差，从而能够高精度地对压力进行检测。
为了该目的，优选将半导体压力传感器100C与半导体压力传感器100D一起集成化为单片。
半导体压力传感器100D能够与半导体压力传感器100C相同地进行制造。然而，为了设置固定部110，针对绝缘膜19之上的牺牲膜23(参照图8～图12)，以环状进行去除。
此外，为了使牺牲膜23的蚀刻从区域109侧起进行而达到区域108侧，优选在区域108、109之间使牺牲膜23连通。因而，优选不以环状完全地将牺牲膜23去除，而是以间断的环状进行去除。由此，固定部110虽然没有将区域108和区域109完全地分离，但足以使区域109的可动电极39不作为针对区域108的可动电极39的弹簧起作用。
第5实施方式.
图22是表示本发明的第5实施方式涉及的半导体压力传感器100E的结构的剖视图。图22的剖面所处的位置与图19的剖面所处的位置相对应。
将图22与图1进行比较，半导体压力传感器100E相对于半导体压力传感器100A的不同点在于，在固定电极18的周围存在空隙51的区域较宽。即，就半导体压力传感器100E而言，空隙51也位于半导体基板11的主面中的将固定电极18包围的周围主面、和隔膜61之间。该周围主面也可以认为是区域109的半导体基板11的主面。
空隙51在固定电极18的周围，在这里是在区域109，在厚度方向上蛇行弯曲。而且，隔膜61在与区域109相对的位置处在厚度方向上也是可动的。
在本实施方式中，也将在固定电极18的周围存在空隙51的区域作为区域109来对待。然而，本实施方式与第4实施方式不同，区域109不仅包含设置有绝缘膜19的区域，还包含没有设置固定电极18以及绝缘膜19这两者的区域。具体而言，在图22中图示于左侧的区域109，在半导体基板11的主面设置绝缘膜19和第1阱区域12。在图22中图示于右侧的区域109，在半导体基板11的主面设置绝缘膜19和第2阱区域13。
在第1阱区域12，在绝缘膜19的下方即与空隙51相反侧设置有扩散层20。然而，扩散层20由于绝缘膜19而比空隙51更大程度地与可动电极39分开。因而，扩散层20本身不作为固定电极起作用，仅作为来自固定电极18的扩散引线起作用。
绝缘膜19如在第1实施方式中参照图8至图18所示出的那样，还承担确定空隙51的厚度方向的位置的功能。具体而言，与未设置绝缘膜19的区域相比，在设置有绝缘膜19的区域，牺牲膜23是与半导体基板11分离而成膜的。因而，与未设置绝缘膜19的区域相比，在设置有绝缘膜19的区域，空隙51也位于与半导体基板11分离的位置。
在本实施方式中，绝缘膜19设置于区域109中的靠近区域108的端部、和与区域108远离侧的端部，因此在区域109，空隙51在厚度方向上蛇行弯曲。例如，隔膜61也在区域109在厚度方向上蛇行弯曲。具体而言，在区域109，隔膜61在与半导体基板11相反侧呈现为凹部107。
另外，开口54不仅使区域108露出，还使除被密封的蚀刻孔46(参照图2、图15等)附近以外的区域109露出。因而，区域109的可动电极39作为使区域108的可动电极39的挠曲变大的弹簧起作用。从静电电容大幅依赖于施加至半导体压力传感器100E的压力的角度出发、即从提高对压力进行检测的灵敏度以及精度的角度出发，在该区域109使空隙51在厚度方向上蛇行弯曲是优选的。
该半导体压力传感器100E是与半导体压力传感器100C相同地来制造的，但为了使空隙51蛇行弯曲，绝缘膜19也设置于区域108的周围。
在图22中，对于半导体压力传感器100E，与半导体压力传感器100A相同地，作为可动电极39而例示出第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c的三层构造。半导体压力传感器100E也可以与半导体压力传感器100B相同地，使可动电极39为第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b的双层构造。针对第1多晶硅层39a、第2多晶硅层39b、第3多晶硅层39c、第1绝缘膜39d、第2绝缘膜58、屏蔽膜59各自的应力方向、膜厚的优选设定与在第1实施方式以及第2实施方式中说明的设定相同。
因而，半导体压力传感器100E也与半导体压力传感器100A、100B相同地，不仅提高了针对带电物以及水分的附着、来自外部的噪声这些误差要因的可靠性，针对隔膜61的应力梯度以及隔膜61的位移的温度依赖性这些误差要因的可靠性也提高。
就半导体压力传感器100E而言，隔膜61的剖视图上的端部也呈现为固定部60，固定部60在与半导体基板11相反侧固定于绝缘膜19。优选侧壁34位于绝缘膜19之上，与固定部60相邻的相邻面是越远离绝缘膜19则越接近空隙51侧的曲面。半导体压力传感器100E的上述特征的优点与半导体压力传感器100A、100B相同。
第6实施方式.
图23是表示本发明的第6实施方式涉及的半导体压力传感器100F的结构的剖视图。图23的剖面所处的位置与图19的剖面所处的位置相对应。
半导体压力传感器100F相对于半导体压力传感器100E的不同点在于，在区域109，隔膜61的形状呈现出固定部110。在该固定部110和半导体基板11之间不存在空隙51，第1绝缘膜39d、保护膜25与该固定部110接触。
即使与半导体压力传感器100E相同地，将区域109设置得较宽，固定部110也妨碍区域109的可动电极39作为针对区域108的可动电极39的弹簧的作用。从该角度出发，优选将固定部110设置于区域109中的接近区域108的位置。例如，固定部110在俯视图上设置于设置有绝缘膜19的位置。
这样，半导体压力传感器100F与半导体压力传感器100E相同地，空隙51也位于绝缘膜19和隔膜61之间，隔膜61在区域109也在厚度方向上隔着空隙51与绝缘膜19相对。然而，隔膜61在与绝缘膜19相对的位置处在厚度方向上是固定的。
半导体压力传感器100F适于用作半导体压力传感器100E的参照。将固定部110形成于绝缘膜19之上，因此固定部110的存在本身不会带来半导体压力传感器100E、100F之间的静电电容的差。因而，以半导体压力传感器100F的静电电容的值为基准的半导体压力传感器100E的静电电容的变化中的因制造波动、除压力变化以外的要因引起的变化被消除。因而，通过使用半导体压力传感器100E、100F相互间的静电电容的差，从而能够高精度地对压力进行检测。
为了该目的，优选将半导体压力传感器100E与半导体压力传感器100F一起集成化为单片。
半导体压力传感器100F能够与半导体压力传感器100E相同地进行制造。为了设置固定部110，针对绝缘膜19之上的牺牲膜23(参照图8～图12)，以环状进行去除。然而，优选不以环状完全地将牺牲膜23去除，而是以间断的环状进行去除，这方面与半导体压力传感器100D相同。
本发明能够在其发明的范围内对各实施方式自由进行组合，或者将各实施方式的任意的结构要素适当进行变形，或者在各实施方式中将任意的结构要素省略。
在上述实施方式中，还记载了各结构要素的材质、材料、实施的条件等，但这些是例示，并不限定于所记载的内容。

Claims (12)

1.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
还具有：第3绝缘膜，其在所述半导体基板的所述主面将所述固定电极包围，
所述隔膜的形状在剖视图上的端部处呈现为固定部，该固定部在与所述半导体基板相反侧固定于所述第3绝缘膜，
所述空隙还位于所述第3绝缘膜和所述隔膜之间，
所述隔膜在所述厚度方向上隔着所述空隙还与所述第3绝缘膜相对，并且，在与所述第3绝缘膜相对的位置处在所述厚度方向上是可动的。
2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，
还具有：侧壁，其在所述第3绝缘膜之上具有与所述固定部相邻的相邻面，该侧壁位于所述第3绝缘膜之上，
所述相邻面是越远离所述第3绝缘膜则越接近所述空隙侧的曲面。
3.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第3多晶硅层具有压缩性的内部应力，
所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。
4.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第2多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第3多晶硅层具有拉伸性的内部应力，
所述屏蔽膜是具有拉伸性的内部应力的第4多晶硅层。
5.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层和第2多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，
所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。
6.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层和第2多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第2多晶硅层具有压缩性的内部应力，
所述屏蔽膜是具有拉伸性的内部应力的第4多晶硅层。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体压力传感器，其中，
还具有：第3绝缘膜，其在所述半导体基板的所述主面将所述固定电极包围，
所述隔膜的形状在剖视图上的端部处呈现为固定部，该固定部在与所述半导体基板相反侧固定于所述第3绝缘膜。
8.根据权利要求7所述的半导体压力传感器，其中，
还具有：侧壁，其在所述第3绝缘膜之上具有与所述固定部相邻的相邻面，该侧壁位于所述第3绝缘膜之上，
所述相邻面是越远离所述第3绝缘膜则越接近所述空隙侧的曲面。
9.根据权利要求7所述的半导体压力传感器，其中，
所述空隙还位于所述第3绝缘膜和所述隔膜之间，
所述隔膜在所述厚度方向上隔着所述空隙还与所述第3绝缘膜相对，并且，在与所述第3绝缘膜相对的位置处在所述厚度方向上是固定的。
10.根据权利要求9所述的半导体压力传感器，其中，
还具有：侧壁，其在所述第3绝缘膜之上具有与所述固定部相邻的相邻面，该侧壁位于所述第3绝缘膜之上，
所述相邻面是越远离所述第3绝缘膜则越接近所述空隙侧的曲面。
11.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述空隙还位于所述半导体基板的所述主面中的将所述固定电极包围的周围主面和所述隔膜之间，
所述空隙至少在所述固定电极的周围在所述厚度方向上蛇行弯曲，
所述隔膜在与所述周围主面相对的位置处也在所述厚度方向上是可动的。
12.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，
所述隔膜具有：
可动电极；
第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；
第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及
屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，
所述空隙还位于所述半导体基板的所述主面中的将所述固定电极包围的周围主面和所述隔膜之间，
所述空隙至少在所述固定电极的周围在所述厚度方向上蛇行弯曲，
所述隔膜在与所述周围主面相对的位置处在所述厚度方向上是固定的。
CN201710403836.XA 2016-06-01 2017-06-01 半导体压力传感器 Expired - Fee Related CN107449538B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016109795A JP6532429B2 (ja) 2016-06-01 2016-06-01 半導体圧力センサ
JP2016-109795 2016-06-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107449538A CN107449538A (zh) 2017-12-08
CN107449538B true CN107449538B (zh) 2019-12-27

Family

ID=60327790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710403836.XA Expired - Fee Related CN107449538B (zh) 2016-06-01 2017-06-01 半导体压力传感器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10239747B2 (zh)
JP (1) JP6532429B2 (zh)
CN (1) CN107449538B (zh)
DE (1) DE102017208436B4 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10379074B2 (en) * 2017-12-21 2019-08-13 NeoTek Energy, Inc. System and method for shielded chemical sensing using a fine-line shielded sensing structure
CN109987568A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜结构的形成方法、声电换能器件及其形成方法
EP3569995B1 (en) * 2018-05-14 2021-05-26 Huba Control Ag Sensor recording temperature and pressure
DE102021211561A1 (de) * 2020-11-19 2022-05-19 Vitesco Technologies USA, LLC Mems-druckerfassungselement mit spannungsjustierern
DE102020215985A1 (de) * 2020-12-16 2022-06-23 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Drucksensorvorrichtung, kapazitive Drucksensorvorrichtung und ein Herstellungsverfahren für eine kapazitive Drucksensorvorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1942022A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 雅马哈株式会社 电容器传声器、隔膜及它们的制造方法
CN103872050A (zh) * 2012-12-07 2014-06-18 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法
CN104124244A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法
CN104848971A (zh) * 2014-02-14 2015-08-19 欧姆龙株式会社 静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5064165A (en) * 1989-04-07 1991-11-12 Ic Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
JPH08335707A (ja) 1995-06-08 1996-12-17 Nippondenso Co Ltd 半導体力学量センサ及びその製造方法
JP3359871B2 (ja) 1998-06-24 2002-12-24 株式会社日立製作所 容量型圧力センサ及びその製造方法
JP3310216B2 (ja) 1998-03-31 2002-08-05 株式会社日立製作所 半導体圧力センサ
JP3432780B2 (ja) 2000-02-22 2003-08-04 株式会社日立製作所 半導体圧力センサ
US6472243B2 (en) 2000-12-11 2002-10-29 Motorola, Inc. Method of forming an integrated CMOS capacitive pressure sensor
CN1263674C (zh) 2001-03-29 2006-07-12 株式会社丰田中央研究所 硅系列构造体的制造装置与制造方法
DE10206711B4 (de) 2002-02-18 2012-02-23 Siemens Ag Mikromechanisches Bauelement
US6945115B1 (en) * 2004-03-04 2005-09-20 General Mems Corporation Micromachined capacitive RF pressure sensor
DE102004061796A1 (de) 2004-12-22 2006-07-13 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches kapazitives Sensorelement
JP2007274096A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Yamaha Corp ダイヤフラム及びその製造方法
JP4636187B2 (ja) * 2008-04-22 2011-02-23 株式会社デンソー 力学量センサの製造方法および力学量センサ
DE102013217726B4 (de) 2013-09-05 2021-07-29 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung
JP6433349B2 (ja) 2015-03-19 2018-12-05 三菱電機株式会社 半導体圧力センサおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1942022A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 雅马哈株式会社 电容器传声器、隔膜及它们的制造方法
CN103872050A (zh) * 2012-12-07 2014-06-18 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法
CN104124244A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法
CN104848971A (zh) * 2014-02-14 2015-08-19 欧姆龙株式会社 静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107449538A (zh) 2017-12-08
US20170349430A1 (en) 2017-12-07
DE102017208436B4 (de) 2020-07-02
DE102017208436A1 (de) 2017-12-07
US10239747B2 (en) 2019-03-26
JP2017215224A (ja) 2017-12-07
JP6532429B2 (ja) 2019-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107449538B (zh) 半导体压力传感器
US5063431A (en) Semiconductor device having a two-layer gate structure
US5475248A (en) Semiconductor device with a conductive reaction-preventing film
JP5933480B2 (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
KR100498176B1 (ko) 반도체 장치
KR0185375B1 (ko) 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조 방법
JP5832417B2 (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
US9187315B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US6941815B2 (en) Sensor with built-in circuits and pressure detector using the same
US7838962B2 (en) Semiconductor device having capacitor, transistor and diffusion resistor and manufacturing method thereof
KR101593179B1 (ko) 전계효과트랜지스터형 압력 센서 및 그 제조 방법
US20200095115A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPH0370178A (ja) 半導体装置
US10373949B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6101162B2 (ja) 半導体装置
JP2002222918A (ja) 半導体装置
JP2002134504A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN114446951A (zh) 具备基准电压电路的半导体装置
JP2022073883A (ja) 基準電圧回路を備えた半導体装置
US7749880B2 (en) Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device
JPH09275189A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH11126833A (ja) 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US20180306738A1 (en) Structure of gas sensor
JPH10326892A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2013122946A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191227

Termination date: 20210601