CN107390438A - 晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置 - Google Patents

晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107390438A
CN107390438A CN201710292146.1A CN201710292146A CN107390438A CN 107390438 A CN107390438 A CN 107390438A CN 201710292146 A CN201710292146 A CN 201710292146A CN 107390438 A CN107390438 A CN 107390438A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
edge
slit
extension
transistor base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710292146.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107390438B (zh
Inventor
杨咏舜
林峻良
陈奕静
许乃方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Publication of CN107390438A publication Critical patent/CN107390438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107390438B publication Critical patent/CN107390438B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置，该晶体管基板包括：多条数据线；及多条扫描线，与该些数据线彼此交错定义出多个像素单元，其中该些像素单元的一者包括：第一电极，具有狭缝，其中狭缝与该些数据线实质上平行；第二电极；及开关晶体管，包括：栅极电极，连接于该些扫描线的一者，包括第一边缘实质上平行于些扫描线的延伸方向；及漏极电极，电连接于第一电极和第二电极其中之一，包括延伸部，其中延伸部往狭缝的方向延伸并且突出第一边缘的延伸线，并与狭缝具有重叠区域。

Description

晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置
技术领域
本发明涉及晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置，且特别是涉及一种电极具有狭缝的晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置。
背景技术
显示装置近年来已经被大量应用在各式各样产品的显示元件上。其中液晶显示装置是利用液晶分子在不同排列状态下，对于光线具有不同的偏振或折射效果的特性来控制光线的穿透量，进而使液晶显示装置得以产生图像。传统扭转向列型(Twisted Nematic，TN)液晶显示装置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子结构与光学特性的影响，相对其视角非常狭窄。
为了解决此问题，近来业者已开发出其它种形态的广视角液晶显示装置，例如边缘电场切换(Fringe-Field Switching，简称FFS)液晶显示装置以及平面电场切换(In-Plane Switching，简称IPS)液晶显示装置等具有广视角的液晶显示装置。
然而，目前的显示装置并非各方面都令人满意。因此，业界仍须一种可更进一步提升开口率及对比率的显示装置。
发明内容
为达上述目的，本发明提供一种晶体管基板，包括：多条数据线；及多条扫描线，与上述数据线彼此交错定义出多个像素单元，其中像素单元的一者包括：第一电极，具有狭缝，其中狭缝与数据线实质上平行；第二电极，其中第一电极和第二电极的一者用以接收像素电压信号，且第一电极和第二电极的另一者用以接收共电压信号；及开关晶体管，包括：栅极电极，连接于扫描线的一者，包括第一边缘实质上平行于扫描线的延伸方向；及漏极电极，电连接于第一电极和第二电极其中之一，包括延伸部，其中延伸部往狭缝的方向延伸并且突出第一边缘的延伸线，并与狭缝具有重叠区域。
本发明还提供一种显示装置，包括：上述晶体管基板；对向基板，相对晶体管基板设置；以及显示介质，设于晶体管基板与对向基板之间。
为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例的显示装置的晶体管基板的上视图；
图2A为图1的显示装置的晶体管基板的部分放大图；
图2B为沿着图2A的线段2B-2B所绘制的剖视图；
图2C为本发明实施例的显示装置的晶体管基板的上视图；
图3A为本发明实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与开口率的关系图；
图3B为本发明实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与透光率的关系图；
图3C为本发明实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与对比率的关系图；
图4为本发明另一实施例的剖视图；
图5为本发明另一实施例的上视图。
符号说明
100 显示装置；
102 晶体管基板；
104 扫描线；
106 数据线；
108 像素单元；
110 开关晶体管；
112 源极电极；
114 漏极电极；
114A 延伸部；
114AE 第二边缘；
115 线段；
116 栅极电极；
116E 第一边缘；
116EA 延伸线；
117 延伸线；
118 基板；
120 栅极介电层；
122 第一绝缘层；
124 共同电极；
126 第二绝缘层；
128 像素电极；
130 开口；
132 对向基板；
134 显示介质；
136 基板；
138 遮光层；
140 彩色滤光层；
142 保护层；
144 像素显示区；
146 狭缝；
146A 主轴部；
146B 弯曲部；
146P 点；
146PL 线段；
148 区域；
150 扫描线；
152 半导体层；
400 显示装置；
500 显示装置；
A1 方向；
A2 方向；
W1 宽度；
W2 宽度；
L 长度；
D1 距离；
D2 长度；
D3 距离；
2B-2B 线段。
具体实施方式
以下针对本发明的晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
必需了解的是，附图的元件或装置可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇发明所属的一般技术者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图也被视为揭露说明的一部分。需了解的是，本发明的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明的特征。
在本发明中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
应注意的是，在后文中“基板”一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基板上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的晶体管元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。此外，“基板表面”是包括透明基板上最上方且暴露的膜层，例如一绝缘层及/或金属线。
本发明实施例是使漏极电极与像素电极或共同电极的狭缝的末端部重叠，以遮蔽此末端部区域的漏光，并提升显示装置的开口率及对比率。
图1是本发明一实施例的显示装置100的晶体管基板102的上视图，图2A是图1的显示装置100的晶体管基板102的其中一个像素单元的放大图。如图1及图2A所示，晶体管基板102包括沿第一方向A1延伸的多条扫描线(栅极线)104，以及与扫描线104交会的多条数据线106。扫描线104是沿着方向A1延伸，数据线106大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)扫描线且沿第二方向A2延伸。
此外，上述多条扫描线104与多条数据线106彼此交错定义出多个像素单元108(例如为次像素)，且此多个像素单元108其中的一者包括开关晶体管110。
上述数据线106是通过开关晶体管110提供信号至像素单元108，而此扫描线(栅极线)104提供扫描脉冲信号至像素单元108，并配合开关晶体管110一同控制像素单元108。
上述开关晶体管110包括半导体层152、源极电极112、漏极电极114、以及栅极电极116。此栅极电极116连接于上述多条扫描线104的其中一者，且是自扫描线104延第二方向A2延伸而出，而此源极电极112则为数据线106的一部分。
图2B是沿着图2A的线段2B-2B所绘制的剖视图。如图2B所示，晶体管基板102包括一基板118，此基板118可包括透明基板，例如为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的基板。而上述数据线106、源极电极112、漏极电极114是设于此基板118上。此外，绝缘层120是设于数据线106、源极电极112、漏极电极114及基板118间，绝缘层120在此简化一层绘示，实际制作工艺不只单层，例如可包括栅极介电层，缓冲层。
此栅极电极116与栅极线104可为一或多种金属、金属氮化物、导电金属氧化物、或上述的组合。上述金属可包括但不限于钼(molybdenum)、钨(tungsten)、钛(titanium)、钽(tantalum)、铂(platinum)或铪(hafnium)。上述金属氮化物可包括但不限于氮化钼(molybdenum nitride)、氮化钨(tungsten nitride)、氮化钛(titanium nitride)以及氮化钽(tantalum nitride)。上述导电金属氧化物可包括但不限于钌金属氧化物(rutheniumoxide)以及铟锡金属氧化物(indium tin oxide)。此栅极电极116与栅极线104可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。
此栅极介电层120可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、或其它任何适合的介电材料、或上述的组合。此高介电常数(high-k)介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。例如，此高介电常数(high-k)介电材料可为LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3、其它适当材料的其它高介电常数介电材料、或上述组合。此栅极介电层120可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(lowtemperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapidthermal chemical vapor deposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasmaenhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
继续参见图2B，上述数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114是设于绝缘层120上。上述数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。在其它实施例中，上述数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114的材料可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性即可。此数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114的材料可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在一些实施例中，上述数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。然而，在其它实施例中，上述数据线106(包括源极电极112)与漏极电极114也可通过不同的沉积步骤形成，且其材料可彼此不同。
继续参见图2B，晶体管基板102还包括覆盖数据线106(包括源极电极112)、漏极电极114与栅极介电层120的第一绝缘层122。此第一绝缘层122可为有机材料绝缘层，也可以是无机材料例如氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅。第一绝缘层122可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressurechemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemicalvapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapordeposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
此外，在其它实施例中，上述第一绝缘层122的材质也可为有机的绝缘材料或无机的绝缘材料的组合。
继续参见图2B，晶体管基板102还包括设于第一绝缘层122上的共同电极124。此共同电极124是用以接收共电压信号。
继续参见图2B，晶体管基板102还包括覆盖共同电极124的第二绝缘层126。此第二绝缘层126可为氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅。
继续参见图2B，晶体管基板102还包括设于此第二绝缘层126上的像素电极128，此像素电极128是用以接收像素电压信号。共同电极124可对应像素电极128设置。此外，此像素电极128经由图2A的开口130电连接开关晶体管110的漏极电极114。如此，像素电极128可通过漏极电极114接收像素电压信号。漏极电极114可电连接该些数据线106的一者。
此外，继续参见图2B，显示装置100还包括相对晶体管基板102设置的对向基板132以及设于晶体管基板102与对向基板132之间的显示介质134。
上述显示装置100可为触控液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示器、超扭转向列(SuperTwisted Nematic,STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super TwistedNematic,DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示器、水平电场效应(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示器、胆固醇(Cholesteric)型液晶显示器、蓝相(Blue Phase)型液晶显示器、边际电场效应(FFS)型液晶显示器、或其它任何适合的液晶显示器。
在一些实施例中，对向基板132为彩色滤光层基板。详细而言，作为彩色滤光层基板的对向基板132可包括一基板136、设于此基板136上的遮光层138、设于此遮光层138及基板136上的彩色滤光层140、以及覆盖遮光层138与彩色滤光层140的披覆层142。
上述基板136可包括透明基板，例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板，上述遮光层138可包括黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂。而上述彩色滤光层140可包括红色滤光层、绿色滤光层、蓝色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。
图2C是本发明一些实施例的显示装置100的晶体管基板102的上视图，其显示与图1相同的晶体管基板102以及对向基板的遮光层138。在一些实施例中，如图2C所示，遮光层138定义像素开口区144。易言之，晶体管基板102未被此遮光层138遮蔽的区域即为像素开口区144，而晶体管基板102对应上述对向基板132的遮光层138的区域即为遮光区。
继续参见图2A，显示两相邻扫描线104与两相邻数据线106而定义出的一像素单元108。像素电极128具有狭缝146，且此狭缝146与数据线106实质上平行。此外，栅极电极116包括第一边缘116E，此第一边缘116E实质上平行于扫描线104的延伸方向A1，且为栅极电极116最远离扫描线104的边缘。第一边缘116E邻近狭缝146。此外，漏极电极114包括延伸部114A，此延伸部114A往狭缝146的方向延伸并且突出第一边缘116E的延伸线116EA，并与狭缝146具有重叠区域。
详细而言，狭缝146包括主轴部146A以及与主轴部146A连接的弯曲部146B(或称末端部146B)。以扫描线104的延伸方向A1为基准，主轴部146A的边缘的斜率与弯曲部146B的边缘的斜率不同。例如，在本发明一些实施例中，主轴部146A的边缘与数据线106实质上平行，而弯曲部146B的边缘与数据线106实质上不平行。
此外，在本发明一些实施例中，狭缝146的边缘上斜率开始与数据线106的边缘的斜率不同的点为点146P，而穿过此点146P且平行于扫描线104的延伸方向A1的线段为线段146PL，此线段146PL即为主轴部146A与弯曲部146B的分界线。而上述漏极电极114的延伸部114A与狭缝146的重叠区域是位于此弯曲部146B中。
在显示装置100中，狭缝146的弯曲部146B所对应的区域可能会产生漏光。在传统的显示装置中，是以遮光层遮蔽此部分的漏光。然而，传统的显示装置中的遮光层除遮蔽上述狭缝的弯曲部外，还会遮蔽其它额外的区域，例如此遮光层会遮蔽图2C中包括弯曲部146B的整个区域148。相较之下，本案实施例是以漏极电极114的延伸部114A仅遮蔽狭缝的弯曲部146B，而不会遮蔽其它额外的区域，例如上述区域148中除弯曲部146B以外的区域。因此，本案实施例可提升显示装置的开口率。
此外，在本发明一些实施例中，如图2C所示，部分漏极电极114的延伸部114A位于像素开口区144内。
接着，继续参见图2A，在本发明一些实施例中，弯曲部146B于垂直扫描线104的延伸方向A1的方向A2上的长度L为2微米(μm)至4微米。
此外，在本发明一些实施例中，弯曲部146B的末端与栅极电极116的第一边缘116E于垂直扫描线104的延伸方向A1的方向A2上的距离D1为3微米(μm)至5微米。此弯曲部146B的末端是指于方向A2上，此弯曲部146B的中最靠近栅极电极116或扫描线104的点。
易言之，通过此弯曲部146B的末端且平行于方向A1的线段为线段115，而上述距离D1为线段115至第一边缘116E的延伸线116EA于方向A2上的距离。
此外，延伸部114A包括一第二边缘114AE，此第二边缘114AE与第一边缘116E实质上平行，且为延伸部114A中于方向A2上最远离栅极电极116或扫描线104的边缘。此外，至少部分第二边缘114AE位于上述重叠区域中。
此外，参见图3A，该图是本发明一些实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与开口率的关系图。如图3A所示，横轴为漏极电极114的延伸部114A在方向A2上于重叠区域中的长度D2与弯曲部146B于方向A2上的长度L的比值。而纵轴为此像素单元108的开口率。由图3A可知，在漏极电极114的延伸部114A与狭缝146的弯曲部146B未重叠时(D2/L＝0)，此像素单元108的开口率为50.70％。而当D2/L为0.5时，此像素单元108的开口率为50.05％。而当漏极电极114的延伸部114A完全遮蔽狭缝146的弯曲部146B时(D2/L＝1)，此像素单元108的开口率为49.41％。
此外，当开口率减少1％时，D2/L为0.78，而此时开口率为49.70％，而长度D2的最大值为长度L的最大值(4μm)乘上0.78，即为3.12μm。而如图2A所示，栅极电极116的第一边缘116E与延伸部114A的第二边缘114AE于方向A2上的最小距离D3为上述长度D2加上距离D1，故当开口率减少1％时，此时距离D3的最大值为上述长度D2的最大值(3.12μm)加上距离D1的最大值(5μm)，即为8.12μm，或约8.2μm。
此外，延伸部114A的第二边缘114AE的延伸线为延伸线117，而上述长度D2为延伸线117至线段115于方向A2上的距离，上述距离D3为延伸线117至第一边缘116E的延伸线116EA于方向A2上的距离。
此外，参见图3B，该图是本发明一些实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与透光率的关系图。如图3B所示，横轴为漏极电极114的延伸部114A在方向A2上于重叠区域中的长度D2与弯曲部146B于方向A2上的长度L的比值。而纵轴为此像素单元108的透光率。由图3B可知，在漏极电极114的延伸部114A与狭缝146的弯曲部146B未重叠时(D2/L＝0)，此像素单元108的透光率定为100％。而当D2/L为0.5时，此像素单元108的透光率为99.69％。而当漏极电极114的延伸部114A完全遮蔽狭缝146的弯曲部146B时(D2/L＝1)，此像素单元108的透光率为98.92％。
此外，当透光率减少0.5％时，D2/L为0.65，而此时透光率为99.50％，长度D2的最大值为长度L的最大值(4μm)乘上0.65，即为2.6μm。而如图2A所示，此时栅极电极116的第一边缘116E与延伸部114A的第二边缘114AE于方向A2上的距离D3的最大值为上述长度D2的最大值(2.6μm)加上距离D1的最大值(5μm)，即为约7.6μm。
此外，参见图3C，该图是本发明一些实施例的漏极电极的延伸部于重叠区域中的长度与对比率的关系图。如图3C所示，横轴为漏极电极114的延伸部114A在方向A2上于重叠区域中的长度D2与弯曲部146B于方向A2上的长度L的比值。而纵轴为此像素单元108的对比率。由图3C可知，在漏极电极114的延伸部114A与狭缝146的弯曲部146B未重叠时(D2/L＝0)，此像素单元108的对比率定为100％。而当D2/L为0.5时，此像素单元108的对比率为100.96％。而当漏极电极114的延伸部114A完全遮蔽狭缝146的弯曲部146B时(D2/L＝1)，此像素单元108的对比率为101.49％。
此外，当D2/L的值在0至0.2的范围内时，每增加一单位的D2/L的值可增加最多的对比率。而当D2/L为0.2时，此时对比率为100.45％，而此时长度D2的最小值为长度L的最小值(2μm)乘上0.2，即为0.4μm。而如图2A所示，栅极电极116的第一边缘116E与延伸部114A的第二边缘114AE于方向A2上的距离D3的最小值为上述长度D2的最小值(0.4μm)加上距离D1的最小值(3μm)，即为约3.4μm。
因此，当栅极电极116的第一边缘116E与延伸部114A的第二边缘114AE于方向A2上的最小距离D3为大于0微米(μm)和小于8.2微米时，可增加装置的对比率且仅减少少许开口率与透光率。进一步而言，当栅极电极116的第一边缘116E与延伸部114A的第二边缘114AE于方向A2上的最小距离D3为大于3.4微米和小于7.6微米时，可大幅增加装置的对比率且仅稍微减少少许开口率与透光率。
此外，当上述漏极电极114的延伸部114A与狭缝146的弯曲部146B的重叠区域的面积为弯曲部146B的面积的约0.2至约0.8倍，例如为约0.3至约0.7倍，也可大幅增加装置的对比率且仅稍微减少少许开口率与透光率。
此外，需注意的是，若此距离D3大于8.2微米时，或上述重叠区域的面积大于弯曲部146B的面积的0.8倍时，则会减少过多开口率与透光率。
此外，在本发明一些实施例中，如图2A所示，漏极电极114的延伸部114A的最小宽度W1大于狭缝146的最大宽度W2。如此可使漏极电极114的延伸部114A完全遮蔽狭缝146的弯曲部146B处的漏光，增加装置的对比率。
应注意的是，图1、图2A、图2B、及图2C所示的实施例仅为说明之用，本发明的范围并不以此为限。除上述图1～图2C所示的实施例以外，本发明的共同电极与像素电极也可有其它配置，如图4的实施例所示。本发明的范围并不以图1～图2C所示的实施例为限。此部分将于后文详细说明。
应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。
图4是本发明另一些实施例的显示装置400的剖视图。图4所示的实施例与前述图2B的实施例的差别在于共同电极124是设于像素电极128上，且共同电极124具有上述狭缝146，而像素电极128是设于两数据线106之间。
应注意的是，图1、图2A、图2B、及图2C所示的实施例仅为说明之用，本发明的范围并不以此为限。除上述图1、图2A、图2B、及图2C所示的实施例以外，本发明的扫描线也可有其它图案，如图5的实施例所示。本发明的范围并不以图1、图2A、图2B、及图2C所示的实施例为限。此部分将于后文详细说明。
图5是本发明另一些实施例的显示装置500的上视图。应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。图5所示的实施例与前述图2B的实施例的差别在于扫描线(栅极线)150具有弯曲图案。然而，此扫描线(栅极线)150也沿着方向A1延伸，与图1的扫描线(栅极线)104相同。
综上所述，本发明实施例是使漏极电极与像素电极或共同电极的狭缝的弯曲部(或末端部)重叠，以遮蔽此弯曲部区域的漏光，并提升显示装置的开口率及对比率。
此外，应注意的是，熟悉本技术领域的人士均深知，本发明所述的漏极与源极可互换，因其定义与本身所连接的电压电位有关。
值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件参数、以及元件形状都非为本发明的限制条件。此技术领域中具有通常知识者可以根据不同需要调整这些设定值。另外，本发明的晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置并不仅限于图1～图5所图示的状态。本发明可以仅包括图1～图的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图示的特征均须同时实施于本发明的晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置中。
虽然本发明的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (11)

1.一种晶体管基板，包括：
多条数据线；及
多条扫描线，与该些数据线彼此交错定义出多个像素单元，其中该些像素单元的一者包括：
第一电极，具有狭缝，其中该狭缝与该些数据线实质上平行；
第二电极，其中该第一电极和该第二电极的一者用以接收一像素电压信号，且该第一电极和该第二电极的另一者用以接收一共电压信号；及
开关晶体管，包括：
栅极电极，连接于该些扫描线的一者，包括第一边缘，该第一边缘实质上平行于该些扫描线的延伸方向；及
漏极电极，电连接于该第一电极和该第二电极其中之一，包括延伸部，其中该延伸部往该狭缝的方向延伸并且突出该第一边缘的延伸线，并与该狭缝具有一重叠区域。
2.如权利要求1所述的晶体管基板，其中该延伸部包括第二边缘与该第一边缘实质上平行，且至少部分该第二边缘位于该重叠区域中，其中该第一边缘与该第二边缘的最小距离大于0微米(μm)和小于8.2微米。
3.如权利要求2所述的晶体管基板，其中该第一边缘与该第二边缘的最小距离大于3.4微米和小于7.6微米。
4.如权利要求1所述的晶体管基板，其中该狭缝包括一弯曲部，且该重叠区域位于该弯曲部中。
5.如权利要求4所述的晶体管基板，其中该狭缝还包括主轴部，连接该弯曲部，
其中以该些扫描线的延伸方向为基准，该主轴部的边缘的斜率绝对值与该弯曲部的边缘的斜率不同。
6.如权利要求4所述的晶体管基板，其中该弯曲部于垂直该些扫描线的延伸方向的方向上的长度为2微米至4微米。
7.如权利要求4所述的晶体管基板，其中该弯曲部的末端与该栅极电极的该第一边缘于垂直该些扫描线的延伸方向的方向上的距离为3微米至5微米。
8.如权利要求第1项所述的晶体管基板，其中该漏极电极的该延伸部的最小宽度大于该狭缝的最大宽度。
9.一种显示装置，包括：
晶体管基板，包括：
多条数据线；及
多条扫描线，与该些数据线彼此交错定义出多个像素单元，其中该些像素单元的一者包括：
第一电极，具有狭缝，其中该狭缝与该些数据线实质上平行；
第二电极，其中该第一电极和该第二电极的一者用以接收一像素电压信号，且该第一电极和该第二电极的另一者用以接收一共电压信号；及
开关晶体管，包括：
栅极电极，连接于该些扫描线的一者，包括一第一边缘，该第一边缘实质上平行于该些扫描线的延伸方向；及
漏极电极，电连接于该第一电极和该第二电极其中之一，包括延伸部，其中该延伸部往该狭缝的方向延伸并且突出该第一边缘的延伸线，并与该狭缝具有一重叠区域；
对向基板，相对该晶体管基板设置；以及
显示介质，设于该晶体管基板与该对向基板之间。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中该对向基板包括遮光层，
其中该遮光层定义一像素开口区，且部分该漏极电极的该延伸部是位于该像素开口区内。
11.一种显示装置，包括：
晶体管基板，包括：
多条数据线；以及
多条扫描线，与该些数据线彼此交错，两相邻的该些扫描线与两相邻的该些数据线定义出一像素单元，其中该像素单元包括：
第一电极，具有狭缝，该狭缝包括一弯曲部；
第二电极，对应该第一电极设置；以及
开关晶体管，包括：
栅极电极，电连接该些扫描线的一者，该栅极电极包括一第一边缘，该第一边缘实质上平行于该些扫描线的延伸方向，且该第一边缘邻近该狭缝；以及
漏极电极，电连接该第一电极和该些数据线的一者，该漏极电极包括一延伸部，该延伸部突出于该第一边缘的延伸线，并与该弯曲部重叠，
其中，该第一电极通过该漏极电极接收一像素电极信号，且该第二电极接收一共电压信号；
对向基板，相对该晶体管基板设置；以及
显示介质，设于该晶体管基板与该对向基板之间。
CN201710292146.1A 2016-04-28 2017-04-28 晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置 Active CN107390438B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105113233 2016-04-28
TW105113233A TWI614556B (zh) 2016-04-28 2016-04-28 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107390438A true CN107390438A (zh) 2017-11-24
CN107390438B CN107390438B (zh) 2020-11-06

Family

ID=60157424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710292146.1A Active CN107390438B (zh) 2016-04-28 2017-04-28 晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (4) US20170315415A1 (zh)
CN (1) CN107390438B (zh)
TW (1) TWI614556B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581761A (zh) * 2018-12-29 2019-04-05 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN114911100A (zh) * 2021-02-09 2022-08-16 群创光电股份有限公司 显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI614556B (zh) * 2016-04-28 2018-02-11 群創光電股份有限公司 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
CN113655649B (zh) * 2021-07-22 2023-10-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备、显示系统、显示方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM415321U (en) * 2011-02-10 2011-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Display panel
US20120218501A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
CN104808405A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 三星显示有限公司 液晶显示器
CN105045013A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 像素阵列、显示面板及显示装置
CN106802519A (zh) * 2015-11-24 2017-06-06 三星显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3556364B2 (ja) * 1995-12-27 2004-08-18 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示パネル及び投射型表示装置
KR100364836B1 (ko) * 2001-02-09 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
JP4717672B2 (ja) * 2006-03-17 2011-07-06 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
JP4329828B2 (ja) * 2007-02-26 2009-09-09 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
JP2008209858A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Seiko Epson Corp 液晶装置、及び電子機器
KR101374078B1 (ko) * 2007-06-04 2014-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
TWI356231B (en) * 2007-08-31 2012-01-11 Au Optronics Corp A liquid crystal display with contrast improvement
JP5138481B2 (ja) * 2008-06-30 2013-02-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP5513751B2 (ja) * 2008-09-29 2014-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
KR101968257B1 (ko) * 2012-08-31 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI681233B (zh) * 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
CN103323988B (zh) * 2013-06-27 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置
JP6132924B2 (ja) * 2013-09-26 2017-05-24 シャープ株式会社 表示装置
KR102130545B1 (ko) * 2013-11-27 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP6497876B2 (ja) * 2014-09-01 2019-04-10 三菱電機株式会社 液晶表示パネル、及びその製造方法
JP2017090502A (ja) * 2015-11-02 2017-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105552028A (zh) * 2016-02-18 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
TWI614556B (zh) * 2016-04-28 2018-02-11 群創光電股份有限公司 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
FR3051053B1 (fr) * 2016-05-03 2018-05-25 Essilor International Matrice active transparente a reseau desordonne et composant optique integrant une telle matrice

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM415321U (en) * 2011-02-10 2011-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Display panel
US20120218501A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
CN104808405A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 三星显示有限公司 液晶显示器
CN105045013A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 像素阵列、显示面板及显示装置
CN106802519A (zh) * 2015-11-24 2017-06-06 三星显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581761A (zh) * 2018-12-29 2019-04-05 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN114911100A (zh) * 2021-02-09 2022-08-16 群创光电股份有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210149263A1 (en) 2021-05-20
TW201738642A (zh) 2017-11-01
US20220413348A1 (en) 2022-12-29
TWI614556B (zh) 2018-02-11
CN107390438B (zh) 2020-11-06
US20230350251A1 (en) 2023-11-02
US11719987B2 (en) 2023-08-08
US11460741B2 (en) 2022-10-04
US20170315415A1 (en) 2017-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106356377B (zh) 触控显示装置
CN107390438A (zh) 晶体管基板及使用此晶体管基板所制得的显示装置
CN103309102B (zh) 横向电场型液晶显示装置
JP6581754B2 (ja) 液晶表示装置
CN100435012C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN105116638B (zh) 液晶显示器件
CN105629612B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105892180B (zh) 液晶显示装置
US20170017327A1 (en) Touch display device
US8629949B2 (en) Liquid crystal display and method of forming the same
CN106249931B (zh) 显示装置
US20160357286A1 (en) Display device
CN105470266B (zh) Ffs型阵列基板及其制作方法
TW594305B (en) IPS-LCD device with a color filter formed on an array substrate
CN106469737B (zh) 薄膜晶体管基板
CN106292100B (zh) 阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示面板
CN104347642B (zh) 显示装置及其制造方法
CN105870132A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
CN106249934B (zh) 触控显示装置
US20150070635A1 (en) Liquid crystal display
US20170102591A1 (en) Liquid crystal display device
US20160300860A1 (en) Thin film transistor array panel, liquid crystal display including the same, and manufacturing method thereof
CN204536697U (zh) 显示面板
CN107919321A (zh) Ffs型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN103985714B (zh) 阵列基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant