TW201738642A - 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種電晶體基板，包括：複數條資料線；及複數條掃描線，與些資料線彼此交錯定義出複數個像素單元，其中些像素單元之一者包括：第一電極，具有狹縫，其中狹縫與些資料線實質上平行；第二電極；及開關電晶體，包括：閘極電極，連接於些掃描線之一者，包括第一邊緣實質上平行於些掃描線的延伸方向；及汲極電極，電性連接於第一電極和第二電極其中之一，包括延伸部，其中延伸部往狹縫的方向延伸並且突出第一邊緣之延伸線，並與狹縫具有重疊區域。

Description

電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
本揭露係有關於電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置，且特別係有關於一種電極具有狹縫之電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置。
顯示裝置近年來已經被大量應用在各式各樣產品的顯示元件上。其中液晶顯示裝置係利用液晶分子在不同排列狀態下，對於光線具有不同的偏振或折射效果的特性來控制光線的穿透量，進而使液晶顯示裝置得以產生影像。傳統扭轉向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示裝置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子結構與光學特性的影響，相對其視角非常狹窄。
為了解決此問題，近來業者已開發出其它種形態的廣視角液晶顯示裝置，例如邊緣電場切換(Fringe-Field Switching，簡稱FFS)液晶顯示裝置以及平面電場切換(In-Plane Switching，簡稱IPS)液晶顯示裝置等具有廣視角的液晶顯示裝置。
然而，目前的顯示裝置並非各方面皆令人滿意。因此，業界仍須一種可更進一步提升開口率及對比率之顯示裝置
本揭露提供一種電晶體基板，包括：複數條資料線；及複數條掃描線，與上述資料線彼此交錯定義出複數個像素單元，其中像素單元之一者包括：第一電極，具有狹縫，其中狹縫與資料線實質上平行；第二電極，其中第一電極和第二電極之一者用以接收像素電壓訊號，且第一電極和第二電極之另一者用以接收共電壓訊號；及開關電晶體，包括：閘極電極，連接於掃描線之一者，包括第一邊緣實質上平行於掃描線的延伸方向；及汲極電極，電性連接於第一電極和第二電極其中之一，包括延伸部，其中延伸部往狹縫的方向延伸並且突出第一邊緣之延伸線，並與狹縫具有重疊區域。
本揭露更提供一種顯示裝置，包括：上述電晶體基板；對向基板，相對電晶體基板設置；以及顯示介質，設於電晶體基板與對向基板之間。
為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧電晶體基板
104‧‧‧掃描線
106‧‧‧資料線
108‧‧‧像素單元
110‧‧‧開關電晶體
112‧‧‧源極電極
114‧‧‧汲極電極
114A‧‧‧延伸部
114AE‧‧‧第二邊緣
115‧‧‧線段
116‧‧‧閘極電極
116E‧‧‧第一邊緣
116EA‧‧‧延伸線
117‧‧‧延伸線
118‧‧‧基板
120‧‧‧閘極介電層
122‧‧‧第一絕緣層
124‧‧‧共同電極
126‧‧‧第二絕緣層
128‧‧‧畫素電極
130‧‧‧開口
132‧‧‧對向基板
134‧‧‧顯示介質
136‧‧‧基板
138‧‧‧遮光層
140‧‧‧彩色濾光層
142‧‧‧保護層
144‧‧‧像素顯示區
146‧‧‧狹縫
146A‧‧‧主軸部
146B‧‧‧彎曲部
146P‧‧‧點
146PL‧‧‧線段
148‧‧‧區域
150‧‧‧掃描線
152‧‧‧半導體層
400‧‧‧顯示裝置
500‧‧‧顯示裝置
A1‧‧‧方向
A2‧‧‧方向
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
L‧‧‧長度
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧長度
D3‧‧‧距離
2B-2B‧‧‧線段
第1圖係本揭露實施例之顯示裝置的電晶體基板之上視圖。
第2A圖係第1圖之顯示裝置的電晶體基板之部分放大圖。
第2B圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。
第2C圖係本揭露實施例之顯示裝置的電晶體基板之上視圖。
第3A圖係本揭露實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中 的長度與開口率的關係圖。
第3B圖係本揭露實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中的長度與透光率的關係圖。
第3C圖係本揭露實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中的長度與對比率的關係圖。
第4圖係本揭露另一實施例之剖面圖。
第5圖係本揭露另一實施例之上視圖。
以下針對本揭露之電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，圖式之元件或裝置可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基 板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
在此，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。
能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本揭露之教示的情況下被稱為一第二元件、組成成分、區域、層、及/或部分。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。
本揭露實施例可配合圖式一併理解，本揭露之圖式亦被視為揭露說明之一部分。需了解的是，本揭露之圖式並未以實際裝置及元件之比例繪示。在圖式中可能誇大實施例的形狀與厚度以便清楚表現出本揭露之特徵。此外，圖式中之結構及裝置係以示意之方式繪示，以便清楚表現出本揭露之特徵。
在本揭露中，相對性的用語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該段以及相關圖式中所繪示的方位。此相對性的用語僅是為了方便說明之用，其並不代表其所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。而關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。
應注意的是，在後文中「基板」一詞可包括透明基板上已形成的元件與覆蓋在基板上的各種膜層，其上方可以已形成任何所需的電晶體元件，不過此處為了簡化圖式，僅以平整的基板表示之。此外，「基板表面」係包括透明基板上最上方且暴露之膜層，例如一絕緣層及/或金屬線。
本揭露實施例係使汲極電極與畫素電極或共同電極之狹縫的末端部重疊，以遮蔽此末端部區域之漏光，並提升顯示裝置之開口率及對比率。
第1圖係本揭露一實施例之顯示裝置100的電晶體基板102之上視圖，第2A圖係第1圖之顯示裝置100的電晶體基板102 之其中一個像素單元的放大圖。如第1-2A圖所示，電晶體基板102包括沿第一方向A1延伸之複數條掃描線(閘極線)104，以及與掃描線104交會之複數條資料線106。掃描線104係沿著方向A1延伸，資料線106大扺垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)掃描線且沿第二方向A2延伸。
此外，上述複數條掃描線104與複數條資料線106彼此交錯定義出複數個像素單元108(例如為次畫素)，且此複數個像素單元108其中之一者包括開關電晶體110。
上述資料線106係透過開關電晶體110提供訊號至像素單元108，而此掃描線(閘極線)104提供掃描脈衝訊號至像素單元108，並配合開關電晶體110一同控制像素單元108。
上述開關電晶體110包括半導體層152、源極電極112、汲極電極114、以及閘極電極116。此閘極電極116連接於上述複數條掃描線104之其中一者，且係自掃描線104延第二方向A2延伸而出，而此源極電極112則為資料線106之一部分。
第2B圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。如第2B圖所示，電晶體基板102包括一基板118，此基板118可包括透明基板，例如為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之基板。而上述資料線106、源極電極112、汲極電極114係設於此基板118上。此外，絕緣層120係設於資料線106、源極電極112、汲極電極114及基板118間，絕緣層120在此簡化一層繪示，實際製程不只單層，例如可包括閘極介電層，緩衝層。
此閘極電極116與閘極線104可為一或多種金屬、金屬氮化物、導電金屬氧化物、或上述之組合。上述金屬可包括但 不限於鉬(molybdenum)、鎢(tungsten)、鈦(titanium)、鉭(tantalum)、鉑(platinum)或鉿(hafnium)。上述金屬氮化物可包括但不限於氮化鉬(molybdenum nitride)、氮化鎢(tungsten nitride)、氮化鈦(titanium nitride)以及氮化鉭(tantalum nitride)。上述導電金屬氧化物可包括但不限於釕金屬氧化物(ruthenium oxide)以及銦錫金屬氧化物(indium tin oxide)。此閘極電極116與閘極線104可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沈積方式形成。
此閘極介電層120可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數(high-k)介電材料、或其它任何適合之介電材料、或上述之組合。此高介電常數(high-k)介電材料之材料可為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬矽化物、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸鹽、鋯矽酸鹽、鋯鋁酸鹽。例如，此高介電常數(high-k)介電材料可為LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3、其它適當材料之其它高介電常數介電材料、或上述組合。此閘極介電層120可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
繼續參見第2B圖，上述資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114係設於絕緣層120上。上述資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114之材料可包括銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料。於其它實施例中，上述資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。此資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114之材料可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沉積方式形成。在一些實施例中，上述資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114之材料可相同，且可藉由同一道沈積步驟形成。然而，在其它實施例中，上述資料線106(包括源極電極112)與汲極電極114亦可藉由不同之沈積步驟形成，且其材料可彼此不同。
繼續參見第2B圖，電晶體基板102更包括覆蓋資料線106(包括源極電極112)、汲極電極114與閘極介電層120之第一絕緣層122。此第一絕緣層122可為有機材料絕緣層，也可以是無機材料例如氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽。第一絕緣層122可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法 (rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
此外，在其它實施例中，上述第一絕緣層122之材質亦可為有機之絕緣材料或無機之絕緣材料之組合。
繼續參見第2B圖，電晶體基板102更包括設於第一絕緣層122上之共同電極124。此共同電極124係用以接收共電壓訊號。
繼續參見第2B圖，電晶體基板102更包括覆蓋共同電極124之第二絕緣層126。此第二絕緣層126可為氮化矽、二氧化矽、或氮氧化矽。
繼續參見第2B圖，電晶體基板102更包括設於此第二絕緣層126上之畫素電極128，此畫素電極128係用以接收像素電壓訊號。此外，此畫素電極128經由第2A圖之開口130電性連接開關電晶體110之汲極電極114。
此外，繼續參見第2B圖，顯示裝置100更包括相對電晶體基板102設置之對向基板132以及設於電晶體基板102與對向基板132之間的顯示介質134。
上述顯示裝置100可為觸控液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。或者，此液晶顯示器可為扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示器、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶顯示器、雙層超扭轉向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶顯示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示器、水平電場效應(In-Plane Switching,IPS)型液晶顯示器、膽固醇(Cholesteric)型液晶顯示器、藍相(Blue Phase)型液晶顯示器、邊際電場效應(FFS)型液晶顯示器、或其它任何適合之液晶顯示器。
在一些實施例中，對向基板132為彩色濾光層基板。詳細而言，作為彩色濾光層基板之對向基板132可包括一基板136、設於此基板136上之遮光層138、設於此遮光層138及基板136上之彩色濾光層140、以及覆蓋遮光層138與彩色濾光層140之披覆層142。
上述基板136可包括透明基板，例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板，上述遮光層138可包括黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂。而上述彩色濾光層140可包括紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層、或其它任何適合之彩色濾光層。
第2C圖係本揭露一些實施例之顯示裝置100的電晶體基板102之上視圖，其顯示與第1圖相同之電晶體基板102以及對向基板之遮光層138。在一些實施例中，如第2C圖所示，遮光層138定義像素開口區144。易言之，電晶體基板102未被此遮光層138遮蔽之區域即為像素開口區144，而電晶體基板102對應上述對向基板132之遮光層138的區域即為遮光區。
繼續參見第2A圖，畫素電極128具有狹縫146，且此狹縫146與資料線106實質上平行。此外，閘極電極116包括第一邊緣116E，此第一邊緣116E實質上平行於掃描線104的延伸方向A1，且為閘極電極116最遠離掃描線104之邊緣。此外，汲極電極 114包括延伸部114A，此延伸部114A往狹縫146的方向延伸並且突出第一邊緣116E之延伸線116EA，並與狹縫146具有重疊區域。
詳細而言，狹縫146包括主軸部146A以及與主軸部146A連接之彎曲部146B(或稱末端部146B)。以掃描線104的延伸方向A1為基準，主軸部146A之邊緣的斜率與彎曲部146B之邊緣的斜率不同。例如，在本揭露一些實施例中，主軸部146A之邊緣與資料線106實質上平行，而彎曲部146B之邊緣與資料線106實質上不平行。
此外，在本揭露一些實施例中，狹縫146之邊緣上斜率開始與資料線106之邊緣的斜率不同之點為點146P，而穿過此點146P且平行於掃描線104的延伸方向A1之線段為線段146PL，此線段146PL即為主軸部146A與彎曲部146B之分界線。而上述汲極電極114之延伸部114A與狹縫146之重疊區域係位於此彎曲部146B中。
在顯示裝置100中，狹縫146之彎曲部146B所對應之區域可能會產生漏光。於傳統之顯示裝置中，係以遮光層遮蔽此部分之漏光。然而，傳統之顯示裝置中的遮光層除遮蔽上述狹縫之彎曲部外，更會遮蔽其它額外之區域，例如此遮光層會遮蔽第2C圖中包括彎曲部146B之整個區域148。相較之下，本案實施例係以汲極電極114之延伸部114A僅遮蔽狹縫之彎曲部146B，而不會遮蔽其它額外之區域，例如上述區域148中除彎曲部146B以外之區域。因此，本案實施例可提升顯示裝置之開口率。
此外，在本揭露一些實施例中，如第2C圖所示，部分汲極電極114之延伸部114A係位於像素開口區144內。
接著，繼續參見第2A圖，在本揭露一些實施例中，彎曲部146B於垂直掃描線104的延伸方向A1之方向A2上的長度L為2微米(μm)至4微米。
此外，在本揭露一些實施例中，彎曲部146B之末端與閘極電極116之第一邊緣116E於垂直掃描線104的延伸方向A1之方向A2上的距離D1為3微米(μm)至5微米。此彎曲部146B之末端係指於方向A2上，此彎曲部146B之中最靠近閘極電極116或掃描線104的點。
易言之，通過此彎曲部146B之末端且平行於方向A1之線段為線段115，而上述距離D1為線段115至第一邊緣116E之延伸線116EA於方向A2上之距離。
此外，延伸部114A包括一第二邊緣114AE，此第二邊緣114AE與第一邊緣116E實質上平行，且為延伸部114A中於方向A2上最遠離閘極電極116或掃描線104的邊緣。此外，至少部分第二邊緣114AE位於上述重疊區域中。
此外，參見第3A圖，該圖係本揭露一些實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中的長度與開口率的關係圖。如第3A圖所示，橫軸為汲極電極114的延伸部114A在方向A2上於重疊區域中的長度D2與彎曲部146B於方向A2上的長度L的比值。而縱軸為此像素單元108之開口率。由第3A圖可知，在汲極電極114的延伸部114A與狹縫146之彎曲部146B未重疊時(D2/L=0)，此像素單元108之開口率為50.70%。而當D2/L為0.5時，此像素單元108之開口率為50.05%。而當汲極電極114的延伸部114A完全遮蔽狹縫146之彎曲部146B時(D2/L=1)，此像素單元108之開口率為49.41%。
此外，當開口率減少1%時，D2/L為0.78，而此時開口率為49.70%，而長度D2之最大值為長度L之最大值(4μm)乘上0.78，即為3.12μm。而如第2A圖所示，閘極電極116之第一邊緣116E與延伸部114A之第二邊緣114AE於方向A2上的最小距離D3為上述長度D2加上距離D1，故當開口率減少1%時，此時距離D3之最大值為上述長度D2之最大值(3.12μm)加上距離D1之最大值(5μm)，即為8.12μm，或約8.2μm。
此外，延伸部114A之第二邊緣114AE的延伸線為延伸線117，而上述長度D2為延伸線117至線段115於方向A2上之距離，上述距離D3為延伸線117至第一邊緣116E之延伸線116EA於方向A2上之距離。
此外，參見第3B圖，該圖係本揭露一些實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中的長度與透光率的關係圖。如第3B圖所示，橫軸為汲極電極114的延伸部114A在方向A2上於重疊區域中的長度D2與彎曲部146B於方向A2上的長度L的比值。而縱軸為此像素單元108之透光率。由第3B圖可知，在汲極電極114的延伸部114A與狹縫146之彎曲部146B未重疊時(D2/L=0)，此像素單元108之透光率係訂為100%。而當D2/L為0.5時，此像素單元108之透光率為99.69%。而當汲極電極114的延伸部114A完全遮蔽狹縫146之彎曲部146B時(D2/L=1)，此像素單元108之透光率為98.92%。
此外，當透光率減少0.5%時，D2/L為0.65，而此時透光率為99.50%，長度D2之最大值為長度L之最大值(4μm)乘上0.65，即為2.6μm。而如第2A圖所示，此時閘極電極116之第一 邊緣116E與延伸部114A之第二邊緣114AE於方向A2上的距離D3之最大值為上述長度D2之最大值(2.6μm)加上距離D1之最大值(5μm)，即為約7.6μm。
此外，參見第3C圖，該圖係本揭露一些實施例之汲極電極的延伸部於重疊區域中的長度與對比率的關係圖。如第3C圖所示，橫軸為汲極電極114的延伸部114A在方向A2上於重疊區域中的長度D2與彎曲部146B於方向A2上的長度L的比值。而縱軸為此像素單元108之對比率。由第3C圖可知，在汲極電極114的延伸部114A與狹縫146之彎曲部146B未重疊時(D2/L=0)，此像素單元108之對比率係訂為100%。而當D2/L為0.5時，此像素單元108之對比率為100.96%。而當汲極電極114的延伸部114A完全遮蔽狹縫146之彎曲部146B時(D2/L=1)，此像素單元108之對比率為101.49%。
此外，當D2/L之值在0至0.2之範圍內時，每增加一單位之D2/L的值可增加最多的對比率。而當D2/L為0.2時，此時對比率為100.45%，而此時長度D2之最小值為長度L之最小值(2μm)乘上0.2，即為0.4μm。而如第2A圖所示，閘極電極116之第一邊緣116E與延伸部114A之第二邊緣114AE於方向A2上的距離D3之最小值為上述長度D2之最小值(0.4μm)加上距離D1之最小值(3μm)，即為約3.4μm。
因此，當閘極電極116之第一邊緣116E與延伸部114A之第二邊緣114AE於方向A2上的最小距離D3為大於0微米(μm)和小於8.2微米時，可增加裝置之對比率且僅減少少許開口率與透光率。進一步而言，當閘極電極116之第一邊緣116E與延伸部114A 之第二邊緣114AE於方向A2上的最小距離D3為大於3.4微米和小於7.6微米時，可大幅增加裝置之對比率且僅稍微減少少許開口率與透光率。
此外，當上述汲極電極114之延伸部114A與狹縫146之彎曲部146B的重疊區域之面積為彎曲部146B之面積的約0.2至約0.8倍，例如為約0.3至約0.7倍，亦可大幅增加裝置之對比率且僅稍微減少少許開口率與透光率。
此外，需注意的是，若此距離D3大於8.2微米時，或上述重疊區域之面積大於彎曲部146B之面積的0.8倍時，則會減少過多開口率與透光率。
此外，在本揭露一些實施例中，如第2A圖所示，汲極電極114之延伸部114A的最小寬度W1大於狹縫146的最大寬度W2。如此可使汲極電極114之延伸部114A完全遮蔽狹縫146的彎曲部146B處的漏光，增加裝置之對比率。
應注意的是，第1-2C圖所示之實施例僅為說明之用，本揭露之範圍並不以此為限。除上述第1-2C圖所示之實施例以外，本揭露之共同電極與畫素電極亦可有其它配置，如第4圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1-2C圖所示之實施例為限。此部分將於後文詳細說明。
應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
第4圖係本揭露另一些實施例之顯示裝置400的剖面圖。第4圖所示之實施例與前述第2B圖之實施例之差別在於共同 電極124係設於畫素電極128上，且共同電極124具有上述狹縫146，而畫素電極128係設於兩資料線106之間。
應注意的是，第1-2C圖所示之實施例僅為說明之用，本揭露之範圍並不以此為限。除上述第1-2C圖所示之實施例以外，本揭露之掃描線亦可有其它圖案，如第5圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1-2C圖所示之實施例為限。此部分將於後文詳細說明。
第5圖係本揭露另一些實施例之顯示裝置500的上視圖。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。第5圖所示之實施例與前述第2B圖之實施例之差別在於掃描線(閘極線)150具有彎曲圖案。然而，此掃描線(閘極線)150亦沿著方向A1延伸，與第1圖之掃描線(閘極線)104相同。
綜上所述，本揭露實施例係使汲極電極與畫素電極或共同電極之狹縫的彎曲部(或末端部)重疊，以遮蔽此彎曲部區域之漏光，並提升顯示裝置之開口率及對比率。
此外，應注意的是，熟習本技術領域之人士均深知，本揭露所述之汲極與源極可互換，因其定義係與本身所連接的電壓位準有關。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件參數、以及元件形狀皆非為本揭露之限制條件。此技術領域中具有通常知識者可以根據不同需要調整這些設定值。另外，本揭露之電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置並不僅限於第1-5 圖所圖示之狀態。本揭露可以僅包括第1-5圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本揭露之電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置中。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧電晶體基板
104‧‧‧掃描線
106‧‧‧資料線
108‧‧‧像素單元
110‧‧‧開關電晶體
112‧‧‧源極電極
114‧‧‧汲極電極
114A‧‧‧延伸部
114AE‧‧‧第二邊緣
115‧‧‧線段
116‧‧‧閘極電極
116E‧‧‧第一邊緣
116EA‧‧‧延伸線
117‧‧‧延伸線
128‧‧‧畫素電極
130‧‧‧開口
146‧‧‧狹縫
146A‧‧‧主軸部
146B‧‧‧彎曲部
146P‧‧‧點
146PL‧‧‧線段
152‧‧‧半導體層
A1‧‧‧方向
A2‧‧‧方向
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
L‧‧‧長度
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧長度
D3‧‧‧距離
2B-2B‧‧‧線段

Claims (10)

  1. 一種電晶體基板，包括：複數條資料線；及複數條掃描線，與該些資料線彼此交錯定義出複數個像素單元，其中該些像素單元之一者包括：一第一電極，具有一狹縫，其中該狹縫與該些資料線實質上平行；一第二電極，其中該第一電極和該第二電極之一者用以接收一像素電壓訊號，且該第一電極和該第二電極之另一者用以接收一共電壓訊號；及一開關電晶體，包括：一閘極電極，連接於該些掃描線之一者，包括一第一邊緣，該第一邊緣實質上平行於該些掃描線的延伸方向；及一汲極電極，電性連接於該第一電極和該第二電極其中之一，包括一延伸部，其中該延伸部往該狹縫的方向延伸並且突出該第一邊緣之延伸線，並與該狹縫具有一重疊區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電晶體基板，其中該延伸部包括一第二邊緣與該第一邊緣實質上平行，且至少部分該第二邊緣位於該重疊區域中，其中該第一邊緣與該第二邊緣的最小距離大於0微米(μm)和小於8.2微米。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電晶體基板，其中該第一邊緣與該第二邊緣的最小距離大於3.4微米和小於7.6微米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電晶體基板，其中該狹縫包括一彎曲部，且該重疊區域位於該彎曲部中。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電晶體基板，其中該狹縫更包括一主軸部，連接該彎曲部，其中以該些掃描線的延伸方向為基準，該主軸部之邊緣的斜率絕對值與該彎曲部之邊緣的斜率不同。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之電晶體基板，其中該彎曲部於垂直該些掃描線的延伸方向之方向上的長度為2微米(μm)至4微米。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之電晶體基板，其中該彎曲部之末端與該閘極電極之該第一邊緣於垂直該些掃描線的延伸方向之方向上的距離為3微米(μm)至5微米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電晶體基板，其中該汲極電極之該延伸部的最小寬度大於該狹縫的最大寬度。
  9. 一種顯示裝置，包括：一電晶體基板，包括：複數條資料線；及複數條掃描線，與該些資料線彼此交錯定義出複數個像素單元，其中該些像素單元之一者包括：一第一電極，具有一狹縫，其中該狹縫與該些資料線實質上平行；一第二電極，其中該第一電極和該第二電極之一者用以接收一像素電壓訊號，且該第一電極和該第二電極之另一者用以接收一共電壓訊號；及 一開關電晶體，包括：一閘極電極，連接於該些掃描線之一者，包括一第一邊緣，該第一邊緣實質上平行於該些掃描線的延伸方向；及一汲極電極，電性連接於該第一電極和該第二電極其中之一，包括一延伸部，其中該延伸部往該狹縫的方向延伸並且突出該第一邊緣之延伸線，並與該狹縫具有一重疊區域；一對向基板，相對該電晶體基板設置；以及一顯示介質，設於該電晶體基板與該對向基板之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該對向基板包括一遮光層，其中該遮光層定義一像素開口區，且部分該汲極電極之該延伸部係位於該像素開口區內。
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