CN107239008B - 图像形成装置和处理盒 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于提供图像形成装置和处理盒。一种图像形成装置，其具备电子照相感光体(1)、充电装置(2)、静电潜像形成装置(3)、显影装置(4)和转印装置(5)，该电子照相感光体(1)具有导电性基体和配置于导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层，该转印装置(5)具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带(20)，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质(P)，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

Description

图像形成装置和处理盒

技术领域

本发明涉及图像形成装置和处理盒。

背景技术

以往，作为电子照相方式的图像形成装置，广泛已知利用电子照相感光体(下文中有时称为“感光体”)依次进行充电、静电潜像形成、显影、转印、清洁等工序的装置。

作为电子照相感光体，已知：在铝等具有导电性的基体上层积产生电荷的电荷产生层和传输电荷的电荷传输层的功能分离型的感光体；或者由同一层发挥出产生电荷的功能和传输电荷的功能的单层型感光体。

例如，专利文献1中公开了

“一种图像形成装置，其特征在于，其具备：

图像承载体，其承载色调剂图像；

充电装置，其对上述图像承载体施加充电偏压并利用充电部使上述图像承载体的表面进行充电；

充电电流检测装置，其对利用上述充电装置对上述图像承载体施加充电偏压时流动的充电电流进行检测；

转印装置，其利用转印部将承载于上述图像承载体上的色调剂图像转印至被转印构件；

转印电源，其对上述转印装置施加转印偏压；

转印电流检测装置，其检测对上述转印装置施加转印偏压时流动的转印电流；和

控制装置，其中，在色调剂图像未通过上述转印部的期间，以特定电位充电的上述图像承载体的区域通过上述转印部时，对上述转印装置施加多个不同的转印偏压，基于各上述转印偏压与施加各上述转印偏压时通过上述转印部的上述图像承载体的区域在随后通过上述充电部时被上述充电电流检测装置所检测出的充电电流的关系，该控制装置能够实行设定转印偏压的转印偏压设定程序。”

专利文献2中公开了“一种图像形成装置，其特征在于，其具有：图像承载体；充电装置，其使该图像承载体的表面充电；静电潜像形成装置，其根据图像数据对上述图像承载体表面的充电面进行曝光从而形成静电潜像；显影装置，其进行利用充电的色调剂使该上述图像承载体表面的静电潜像变为色调剂图像而进行可视化的处理；转印装置，其进行将该上述图像承载体表面的色调剂图像转印至记录介质；除电装置，其对通过色调剂图像的转印处理而充电的记录介质施加偏压而除去充电电荷，从而防止记录介质静电吸附于图像承载体；和预曝光装置，其利用光照射对残留于上述图像承载体表面的转印处理后的残留电荷进行除电处理，该图像形成装置根据由上述除电装置对记录介质施加的偏压的大小，改变上述预曝光装置的发光量。”

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-153410号公报

专利文献2：日本特开2007-108588号公报

发明内容

发明要解决的课题

对于电子照相方式的图像形成装置来说，从低成本、节省空间的方面考虑，近年来要求省略了除电装置的构成。

本发明的目的在于提供一种图像形成装置，其与下述图像形成装置相比，即便不具备专用的除电装置，也可抑制在反复进行图像形成时因前图像的历程残留而产生的残留图像现象(下文中也称为“重影”)的发生。进行比较的图像形成装置为：一种图像形成装置，其具备电子照相感光体和转印装置，所述电子照相感光体具有包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层，所述转印装置具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内超过 0.003(logΩ·cm)/V的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电；或者，一种图像形成装置，其具备电子照相感光体和转印装置，所述电子照相感光体具有不包含受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂的感光层，所述转印装置具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

用于解决课题的方案

为了达到上述目的，提供以下的技术方案。

方案1的发明为一种图像形成装置，该图像形成装置具备：电子照相感光体，其具有导电性基体和配置于上述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；充电装置，其使上述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成装置，其在上述电子照相感光体的所充电的表面形成静电潜像；显影装置，其利用包含色调剂的显影剂将形成于上述电子照相感光体的表面的静电潜像显影，形成色调剂图像；和转印装置，其具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

方案2的发明为如方案1所述的图像形成装置，其中，上述受阻酚系抗氧化剂具有下述式(HP)所表示的结构。

[化1]

(通式(HP)中，R^H1和R^H2各自独立地表示碳原子数为4以上8以下的支链状的烷基。R^H3和R^H4各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1以上10以下的烷基。R^H5表示碳原子数为1以上10以下的亚烷基。)

方案3的发明为，如方案1或方案2所述的图像形成装置，其中，上述二苯甲酮系紫外线吸收剂具有下述式(BP)所表示的结构。

[化2]

(通式(BP)中，R^B1、R^B2和R^B3各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、碳原子数为1以上10以下的烷基、碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者碳原子数为1 以上10以下的芳基。)

方案4的发明为，如方案1～方案3中任一项所述的图像形成装置，其中，上述电子照相感光体具有电荷产生层和含有下述通式(CT1)所表示的电荷传输材料的电荷传输层作为上述感光层。

[化3]

(通式(CT1)中，R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数为1以上20以下的烷基、碳原子数为1以上20以下的烷氧基或者碳原子数为6以上30以下的芳基，相邻的两个取代基彼此可以键合而形成烃环结构。n 和m各自独立地表示0、1或2。)

方案5的发明为，如方案1～方案4中任一项所述的图像形成装置，其中，上述色调剂的体积平均粒径为5.0μm以下。

方案6的发明为一种处理盒，该处理盒具备：

电子照相感光体，其具有导电性基体和配置于上述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；和

中间转印带，其体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下，

该处理盒能够安装于具备转印装置的图像形成装置并从该图像形成装置拆卸，该转印装置中，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

发明的效果

根据方案1、2或者3的发明，提供一种图像形成装置，其与下述图像形成装置相比抑制了重影的发生，进行比较的图像形成装置为：一种图像形成装置，其具备电子照相感光体和转印装置，所述电子照相感光体具有包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层，所述转印装置具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内超过0.003(logΩ·cm)/V的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电；或者，一种图像形成装置，其具备电子照相感光体和转印装置，所述电子照相感光体具有不包含受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂的感光层，所述转印装置具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为 0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

根据方案4的发明，上述电子照相感光体与具有电荷产生层和仅含有N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺作为电荷传输材料的电荷传输层作为上述感光层的情况相比，可提供抑制了重影的发生的图像形成装置。

根据方案5的发明，即便在使用色调剂的体积平均粒径为5.0μm以下的显影剂的情况下，也可提供抑制了重影的发生和转印不良的发生的图像形成装置。

根据方案6的发明，与将下述处理盒适用于具备转印装置的图像形成装置的情况相比，可提供抑制了重影的发生的处理盒，进行比较的处理盒为：一种处理盒，其具备电子照相感光体和中间转印带，所述电子照相感光体具有包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层，所述中间转印带的体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内超过0.003(logΩ·cm)/V；或者，一种处理盒，其具备电子照相感光体和中间转印带，所述电子照相感光体具有不包含受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂的感光层，所述中间转印带的体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下，该转印装置中，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

附图说明

图1是示出本实施方式的图像形成装置的一例的示意性构成图。

图2是示出本实施方式中的电子照相感光体的层结构的一例的示意性部分截面图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，附图中，对于具有相同功能的要素标记相同的符号，以省略重复说明。

[图像形成装置]

本实施方式的图像形成装置具备：

电子照相感光体，其具有导电性基体和配置于上述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；

充电装置，其使上述电子照相感光体的表面充电；

静电潜像形成装置，其在上述电子照相感光体的所充电的表面形成静电潜像；

显影装置，其利用包含色调剂的显影剂将形成于上述电子照相感光体的表面的静电潜像显影，形成色调剂图像；和

转印装置，其具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像转印至记录介质，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

根据本实施方式的图像形成装置，即便在不具有专用的除电机构的情况下，在反复进行图像形成时也可抑制重影的发生。其理由可推测如下。

在利用电子照相方式的图像形成中，为了抑制重影的发生，需要将在图像形成循环结束后残留于感光体表面的电荷除去的工序。作为将感光体表面的残留电荷除去 (除电)的方法，例如已知对感光体表面施加反极的偏压的方法；在下一循环的图像形成前将感光体曝光，利用所产生的电荷消除残留电荷的方法。但是，无论是哪种除电方法，在前一循环中进行了图像形成的历程部与不形成图像部中所存在的感光体内部的电荷量均存在差异，因而下一循环中的潜像形成残留有差异，容易发生重影导致的浓度变化。

对于在前一循环的曝光部的感光体内残留的电荷来说，广泛地分布于迁移率慢的成分至快的成分，并且由于迁移率具有电场依赖性，因此为了仅利用图像形成工序中的几十毫秒的短时间的电场施加而释放全部迁移率慢的成分，需要施加强电场。因此，难以兼顾重影和转印不良的抑制。

此外，对于中间转印带等转印构件来说，由于体积电阻也具有电场依赖性，因而迁移率慢的成分更慢地被释放，迁移率快速的成分更快地被释放，转印条件进一步被限定。特别是，在要求更强的转印电场的、使用附着力大、粒径小的色调剂以高速形成图像的情况下，容易显著地出现转印不良。

另一方面，认为：在本实施方式的图像形成装置中，通过感光体的感光层中包含的受阻酚系抗氧化剂或二苯甲酮系紫外线吸收剂来捕获转印后残留的电荷，残留电荷降低。另外认为，由于本实施方式的图像形成装置中使用的中间转印带的电场依赖性小，因而可抑制迁移率慢的成分(电荷)的产生。如此，认为：本实施方式的图像形成装置抑制了迁移率慢的残留电荷的产生，具有通过转印电场而释放迁移率快的残留电荷的构成，因而，即便不具备专用的除电机构也可抑制重影的发生。

下面，参照附图对本实施方式的图像形成装置的一例进行说明。图1示意性地示出了本实施方式的图像形成装置的一例。

图1是示出本实施方式的图像形成装置的一例的示意性构成图。

图1所示的图像形成装置具备电子照相方式的第1～第4的图像形成单元10Y、10M、10C、10K，其输出基于经分色的图像数据的黄色(Y)、品红色(M)、蓝色(C)、黑色(K)的各种颜色的图像。这些图像形成单元(下文中有时简称为“单元”)10Y、10M、 10C、10K在水平方向相互隔开预定的距离而并列设置。需要说明的是，这些单元10Y、 10M、10C、10K可以是相对于图像形成装置进行安装拆卸的处理盒。

在各单元10Y、10M、10C、10K的附图的上方，通过各单元而延伸设置有作为中间转印体的中间转印带20。中间转印带20按照从内表面被图中从左向右相互隔开而配置的驱动辊22和与中间转印带20内表面接触的支撑辊24所支撑的方式进行设置，在从第1单元10Y向第4单元10K的方向运行。需要说明的是，支撑辊24由于未图示的弹簧等而在从驱动辊22离开的方向受到力，对被两者所支撑的中间转印带 20提供了张力。另外，在中间转印带20的外侧与驱动辊22相对地具备中间转印体清洁装置30。

另外，对各单元10Y、10M、10C、10K的显影装置(显影装置)4Y、4M、4C、4K 分别供给收纳于色调剂盒8Y、8M、8C、8K的包含黄色、品红色、蓝色、黑色这4 种颜色的色调剂的色调剂。

第1～第4单元10Y、10M、10C、10K具有同等的构成，因此，此处以配设于中间转印带运行方向的上游侧的形成黄色图像的第1单元10Y为代表来进行说明。需要说明的是，对于与第1单元10Y相同的部分，代替黄色(Y)而附上附有品红色(M)、蓝色(C)、黑色(K)的参照符号，由此省去第2～第4单元10M、10C、10K的说明。

第1单元10Y具有作为图像保持体而发挥作用的感光体1Y。在感光体1Y的周围依次配置有：使感光体1Y的表面充电为预先确定的电位的充电辊(充电装置的一例)2Y；利用基于经分色的图像信号的激光束3Y对充电的表面进行曝光，从而形成静电图像的曝光装置(静电图像形成装置的一例)3；对静电图像供给充电的色调剂而将静电图像显影的显影装置(显影装置的一例)4Y；将显影的色调剂图像转印至中间转印带20上的初级转印辊5Y(初级转印装置的一例)；和将初级转印后残存于感光体1Y 的表面的色调剂除去的感光体清洁装置(清洁装置的一例)6Y。

需要说明的是，初级转印辊5Y配置于中间转印带20的内侧，设置于与感光体 1Y相对的位置。此外，各初级转印辊5Y、5M、5C、5K分别连接有施加初级转印偏压的偏压电源(未图示)。各偏压电源通过未图示的控制部所进行的控制，使对各初级转印辊施加的转印偏压可变。

下面，对于在第1单元10Y中形成黄色图像的操作进行说明。

首先，在操作之前，利用充电辊2Y将感光体1Y的表面充电至-600V～-800V的电位。

感光体1Y是在导电性(例如20℃的体积电阻率：1×10^-6Ωcm以下)的基体上层积感光层而形成的。该感光层通常为高电阻(一般的树脂的电阻)，但具有在照射激光束 3Y时照射到激光束的部分的电阻率发生变化的性质。因此，对于充电的感光体1Y 的表面，根据由未图示的控制部送来的黄色用的图像数据，利用曝光装置3输出激光束3Y。激光束3Y照射至感光体1Y的表面的感光层，由此在感光体1Y的表面形成黄色图像图案的静电图像。

静电图像是指通过充电而形成于感光体1Y的表面的图像，通过激光束3Y，使感光层的被照射部分的电阻率降低，感光体1Y的表面的充电的电荷流动，另一方面，未照射到激光束3Y的部分的电荷残留，由此形成的所谓负潜像即为静电图像。

形成于感光体1Y上的静电图像随着感光体1Y的运行而旋转至预先确定的显影位置。然后，在该显影位置，感光体1Y上的静电图像通过显影装置4Y而被可视(显影)化为色调剂图像。

在显影装置4Y内例如容纳有至少包含黄色色调剂和载体的静电图像显影剂。黄色色调剂通过在显影装置4Y的内部被搅拌而摩擦充电，在感光体1Y上具有与充电的电荷相同极性(负极性)的电荷，保持于显影剂辊(显影剂保持体的一例)上。并且，感光体1Y的表面通过显影装置4Y，由此黄色色调剂通过静电而附着于感光体1Y表面上的经除电的潜像部，潜像被黄色色调剂所显影。形成有黄色的色调剂图像的感光体1Y继续以预先设定的速度运行，在感光体1Y上显影的色调剂图像被搬运至预先确定的初级转印位置。

若感光体1Y上的黄色色调剂图像被搬运至初级转印，则初级转印偏压施加至初级转印辊5Y，由感光体1Y向初级转印辊5Y的静电力作用于色调剂图像，感光体 1Y上的色调剂图像被转印至中间转印带20上。此时施加的转印偏压是与色调剂的极性(-)相反极性的(+)极性，例如在第1单元10Y中，被控制部(未图示)控制为+26μA。

对于感光体1Y来说，在色调剂图像被转印至中间转印带20后，通过初级转印辊5Y施加用于除电的电流(下文中有时称为“除电偏压”)。需要说明的是，关于对各感光体1Y、1M、1C、1K所施加的除电偏压，在色调剂图像被转印至中间转印带20 后，分别利用充电装置(充电辊2Y、2M、2C、2K)进行充电前施加即可，也可以在初级转印至中间转印带20的色调剂图像被次级转印至记录纸P上后施加。

施加至感光体1Y的除电偏压是与残留电荷相反极性的(+)极性，优选为5μA以上50μA以下。若除电偏压为10μA以上，则残留于感光体1Y的电压可靠地被除去，若除电偏压为50μA以下，则能够防止因过剩的电压而充电为反极性的色调剂从中间转印带20向感光体1Y的再转印导致的图像浓度不均。从该方面考虑，除电偏压更优选为10μA以上40μA以下、进一步优选为15μA以上30μA以下。

另一方面，残留于感光体1Y上的色调剂被感光体清洁装置6Y除去并回收。

另外，对第2单元10M之后的初级转印辊5M、5C、5K所施加的初级转印偏压和除电偏压也根据第1单元来控制。

这样，利用第1单元10Y转印了黄色色调剂图像的中间转印带20通过第2～第 4单元10M、10C、10K而依次被搬运，各色的色调剂图像重叠而进行了多次转印。

通过第1～第4单元而多次转印了4色的色调剂图像的中间转印带20向次级转印部移动，该次级转印部移动由中间转印带20、与中间转印带内表面接触的支撑辊 24和配置于中间转印带20的图像保持面侧的次级转印辊(次级转印装置的一例)26构成。另一方面，记录纸(记录介质的一例)P藉由供给机构在预先确定的时刻被送纸到次级转印辊26与中间转印带20接触的间隙，次级转印偏压被施加至支撑辊24。此时所施加的转印偏压是与色调剂的极性(-)相同极性的(-)极性，由中间转印带20向记录纸P的静电力作用于色调剂图像，中间转印带20上的色调剂图像被转印至记录纸 P上。需要说明的是，此时的次级转印偏压根据由检测次级转印部的电阻的电阻检测装置(未图示)所检测出的电阻来决定，进行了电压控制。

之后，记录纸P被送到定影装置(定影装置的一例)28中的一对定影辊的压接部(夹持部)，色调剂图像被定影至记录纸P上，形成定影图像。

作为转印色调剂图像的记录纸P，例如，可以举出用于电子照相方式的复印机、打印机等的普通纸。除了记录纸P以外，记录介质还可以举出OHP片等。

为了进一步提高定影后的图像表面的平滑性，优选记录纸P的表面也平滑，例如，适合使用将普通纸的表面用树脂等进行了涂布的涂布纸、印刷用的铜版纸等。

彩色图像的定影完成后记录纸P被搬出至排出部，一系列的彩色图像形成操作结束。

下面，对本实施方式的图像形成装置的构成进行具体说明。

<电子照相感光体>

电子照相感光体(下文中也称为“感光体”)具有导电性基体和配置于上述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少 1种的感光层。

图2是示出本实施方式中的电子照相感光体1的层结构的一例的示意性部分截面图。图2所示的电子照相感光体1具有在导电性基体14上依次层积有底涂层11、电荷产生层12和电荷传输层13的结构。电荷产生层12和电荷传输层13构成了感光层 15。

电子照相感光体1也可以为不设有底涂层11的层结构。另外，电子照相感光体 1也可以为在电荷传输层13上进一步设有保护层的层结构。另外，各电子照相感光体1也可以为电荷产生层12与电荷传输层13的功能一体化的单层型感光层。

下面，对电子照相感光体的各要素进行说明。需要说明的是，关于各要素的符号，省略符号而进行说明。

(导电性基体)

作为导电性基体，例如，可以举出包含金属(铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金、铂等)或合金(不锈钢等)的金属板、金属鼓和金属带等。另外，作为导电性基体，例如，还可以举出涂布、蒸镀或层压有导电性化合物(例如导电性聚合物、氧化铟等)、金属(例如铝、钯、金等)或合金的纸、树脂膜、带等。此处，“导电性”是指体积电阻率小于10¹³Ωcm。

对于导电性基体的表面来说，在电子照相感光体被用于激光打印机的情况下，为了抑制照射激光时产生的干涉条纹，优选粗糙化成以中心线平均粗糙度Ra计为 0.04μm以上0.5μm以下。需要说明的是，在将非干涉光用于光源的情况下，不特别需要防止干涉条纹的粗糙化，但由于可抑制导电性基体的表面凹凸导致的缺陷的发生，适合于更长寿命化。

作为粗糙化的方法，例如可以举出：通过将研磨剂悬浮于水中并喷射至支持体而进行的湿式珩磨；使导电性基体压接于旋转的磨石而连续地进行磨削加工的无心磨削、阳极氧化处理等。

作为粗糙化的方法，还可以举出下述方法：在不对导电性基体的表面进行粗糙化的情况下使导电性或半导电性粉体分散于树脂中，在导电性基体的表面上形成层，利用分散于该层中的颗粒来进行粗糙化。

关于基于阳极氧化的粗糙化处理，将金属制(例如铝制)的导电性基体作为阳极，在电解质溶液中进行阳极氧化，由此在导电性基体的表面形成氧化膜。作为电解质溶液，例如可以举出硫酸溶液、草酸溶液等。但是，通过阳极氧化形成的多孔质阳极氧化膜在原本的状态下为化学活性，容易被污染，环境引起的电阻变动也大。因此，优选对多孔质阳极氧化膜进行下述封孔处理：即，在加压水蒸气或沸腾水中(也可以加入镍等金属盐)，利用水合反应引起的体积膨胀来堵塞氧化膜的微细孔，变化为更稳定的水合氧化物。

阳极氧化膜的膜厚例如优选为0.3μm以上15μm以下。若该膜厚在上述范围内，则具有发挥出对于注入的阻隔性的倾向，并且具有抑制反复使用导致的残留电位上升的倾向。

也可以对导电性基体实施利用酸性处理液的处理或勃母石处理。

利用酸性处理液的处理例如如下实施。首先，制备包含磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理液。酸性处理液中的磷酸、铬酸和氢氟酸的混合比例例如为：磷酸为10重量％以上11重量％以下的范围，铬酸为3重量％以上5重量％以下的范围，氢氟酸为0.5 重量％以上2重量％以下的范围，这些酸整体的浓度可以为13.5重量％以上18重量％以下的范围。处理温度例如优选为42℃以上48℃以下。覆膜的膜厚优选为0.3μm以上15μm以下。

关于勃母石处理，例如在90℃以上100℃以下的纯水中浸渍5分钟至60分钟来进行，或者与90℃以上120℃以下的加热水蒸气接触5分钟至60分钟来进行。覆膜的膜厚优选为0.1μm以上5μm以下。也可以对其进一步使用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐、柠檬酸盐等覆膜溶解性低的电解质溶液来进行阳极氧化处理。

(底涂层)

底涂层例如为包含无机颗粒和粘结树脂(結着樹脂)的层。

作为无机颗粒，例如可以举出粉体电阻(体积电阻率)为10²Ωcm以上10¹¹Ωcm以下的无机颗粒。

这些之中，作为具有上述电阻值的无机颗粒，例如优选为氧化锡颗粒、二氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、氧化锆颗粒等金属氧化物颗粒，特别优选氧化锌颗粒。

无机颗粒的基于BET法的比表面积例如可以为10m²/g以上。

无机颗粒的体积平均粒径例如可以为50nm以上2000nm以下(优选为60nm以上1000nm以下)。

无机颗粒的含量例如相对于粘结树脂优选为10重量％以上80重量％以下、更优选为40重量％以上80重量％以下。

无机颗粒可以实施了表面处理。无机颗粒可以将表面处理不同的无机颗粒或者粒径不同的无机颗粒混合2种以上来使用。

作为表面处理剂，例如可以举出硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝系偶联剂、表面活性剂等。特别优选硅烷偶联剂，更优选具有氨基的硅烷偶联剂。

作为具有氨基的硅烷偶联剂，例如可以举出3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、 N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷等，但不限定于这些。

硅烷偶联剂可以将2种以上混合使用。例如，可以将具有氨基的硅烷偶联剂和其它硅烷偶联剂合用。作为该其它硅烷偶联剂，例如可以举出乙烯基三甲氧基硅烷、3- 甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、 3-氯丙基三甲氧基硅烷等，但不限定于这些。

利用表面处理剂的表面处理方法只要是公知的方法就可以为任意方法，可以为干式法或湿式法中的任一种。

表面处理剂的处理量例如相对于无机颗粒优选为0.5重量％以上10重量％以下。

此处，从电特性的长期稳定性、载流子阻挡性(キャリアブロック性)提高的方面考虑，底涂层优选与无机颗粒一同含有电子接受性化合物(受体化合物)。

作为电子接受性化合物，例如可以举出氯醌、溴醌等醌系化合物；四氰基对苯醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮、2,4,5,7-四硝基-9-芴酮等芴酮化合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,5-双(4-萘基)-1,3,4-噁二唑、2,5-双(4-二乙基氨基苯基)-1,3,4-噁二唑等噁二唑系化合物；咕吨酮系化合物；噻吩化合物；3,3’,5,5’-四叔丁基联苯醌等联苯醌化合物；等电子传输性物质等。

特别是，作为电子接受性化合物，优选具有蒽醌结构的化合物。作为具有蒽醌结构的化合物，例如优选羟基蒽醌化合物、氨基蒽醌化合物、氨基羟基蒽醌化合物等，具体地说，例如优选蒽醌、茜素、醌茜、蒽绛酚、红紫素等。

电子接受性化合物可以与无机颗粒一同分散包含于底涂层中，也可以以附着于无机颗粒的表面的状态包含。

作为使电子接受性化合物附着于无机颗粒的表面的方法，例如可以举出干式法或湿式法。

干式法例如为下述方法：利用剪切力大的混合器等对无机颗粒进行搅拌，同时直接滴加或滴加溶解于有机溶剂中的电子接受性化合物，与干燥空气或氮气一同进行喷雾，使电子接受性化合物附着于无机颗粒的表面。在电子接受性化合物的滴加或喷雾时，以溶剂的沸点以下的温度进行即可。在滴加或喷雾电子接受性化合物后，可以进一步于100℃以上进行印相(焼き付け)。关于印相，只要是可得到电子照相特性的温度、时间就没有特别限制。

湿式法例如为下述方法：通过搅拌、超声波、砂磨机、磨碎机、球磨机等使无机颗粒分散于溶剂中，同时添加电子接受性化合物并搅拌或分散，之后除去溶剂，使电子接受性化合物附着于无机颗粒的表面。关于溶剂除去方法，例如通过过滤或蒸馏来蒸馏除去。溶剂除去后，可以进一步在100℃以上进行印相。关于印相，只要是可得到电子照相特性的温度、时间就没有特别限定。在湿式法中，可以在添加电子接受性化合物前除去无机颗粒的含有水分，作为其实例，可以举出在溶剂中一边搅拌加热一边除去的方法；与溶剂共沸而除去的方法。

需要说明的是，电子接受性化合物的附着可以在对无机颗粒实施利用表面处理剂的表面处理之前或之后进行，也可以同时进行电子接受性化合物的附着和利用表面处理剂的表面处理。

电子接受性化合物的含量例如相对于无机颗粒可以为0.01重量％以上20重量％以下、优选为0.01重量％以上10重量％以下。

作为底涂层中所用的粘结树脂，例如可以举出缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、硅酮-醇酸树脂、脲树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等公知的高分子化合物；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；硅烷偶联剂等公知的材料。

作为用于底涂层的粘结树脂，例如还可以举出具有电荷传输性基团的电荷传输性树脂、导电性树脂(例如聚苯胺等)等。

这些之中，作为用于底涂层的粘结树脂，不溶于上层的涂布溶剂的树脂是合适的，特别是，脲树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等热固化性树脂；通过选自由聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇树脂和聚乙烯醇缩醛树脂组成的组中的至少1种树脂与固化剂的反应而得到的树脂是合适的。

在将这些粘结树脂组合2种以上使用的情况下，其混合比例根据需要进行设定。

为了提高电特性、提高环境稳定性、提高画质，底涂层中可以包含各种添加剂。

作为添加剂，可以举出多环缩合系、偶氮系等电子传输性颜料、锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物、硅烷偶联剂等公知的材料。如上所述，硅烷偶联剂被用于无机颗粒的表面处理，但也可以作为添加剂进一步添加至底涂层中。

作为添加剂的硅烷偶联剂例如可以举出乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷等。

作为锆螯合物，例如可以举出丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮合丁醇锆、乙酰乙酸乙酯丁醇锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁醇锆、硬脂酸丁醇锆和异硬脂酸丁醇锆。

作为钛螯合物，例如可以举出钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚体、钛酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、辛二醇酸钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸钛乙酯、三乙醇胺合钛和多羟基硬脂酸钛等。

作为铝螯合物，例如可以举出异丙醇铝、二异丙醇单丁氧基铝、丁醇铝、二异丙醇二乙酰乙酸乙酯铝、三(乙酰乙酸乙酯)铝等。

这些添加剂可以单独使用，或者也可以以多种化合物的混合物或缩聚物的形式使用。

底涂层的维氏硬度可以为35以上。

关于底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)，为了抑制莫尔条纹，可以调整为所使用的曝光用激光波长λ的1/(4n)(n为上层的折射率)至1/2。

为了调整表面粗糙度，可以在底涂层中添加树脂颗粒等。作为树脂颗粒，可以举出有机硅树脂颗粒、交联型聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒等。另外，为了调整表面粗糙度，可以对底涂层的表面进行研磨。作为研磨方法，可以举出抛光研磨、喷砂处理、湿式珩磨、磨削处理等。

对底涂层的形成没有特别限制，利用公知的形成方法，例如，形成将上述成分添加至溶剂中而成的底涂层形成用涂布液的涂膜，并将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此来进行底涂层的形成。

作为用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂，可以举出公知的有机溶剂、例如醇系溶剂、芳香族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮系溶剂、酮醇系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂等。

作为这些溶剂，具体地说，例如可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等通常的有机溶剂。

作为制备底涂层形成用涂布液时的无机颗粒的分散方法，例如可以举出辊碾机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨、涂料摇摆器等公知的方法。

作为将底涂层形成用涂布液涂布于导电性基体上的方法，例如可以举出刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂布法、气刀涂布法、幕涂法等通常的方法。

底涂层的膜厚例如优选设定为15μm以上、更优选设定为20μm以上50μm以下的范围内。

(中间层)

虽然省略了图示，但可以在底涂层与感光层之间进一步设置中间层。

中间层例如为包含树脂的层。作为用于中间层的树脂，例如可以举出缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、硅酮-醇酸树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂等高分子化合物。

中间层也可以为包含有机金属化合物的层。作为用于中间层的有机金属化合物，可以举出含有锆、钛、铝、锰、硅等金属原子的有机金属化合物等。

这些用于中间层的化合物可以单独使用，或者也可以以多种化合物的混合物或缩聚物的形式使用。

这些之中，中间层优选为包含含有锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。

对中间层的形成没有特别限制，利用公知的形成方法，例如，形成将上述成分添加至溶剂中而成的中间层形成用涂布液的涂膜，并将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此来进行中间层的形成。

作为形成中间层的涂布方法，使用浸涂法、上推(突き上げ)涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮涂法、幕涂法等通常的方法。

中间层的膜厚例如优选设定为0.1μm以上3μm以下的范围。需要说明的是，也可以将中间层作为底涂层使用。

(电荷产生层)

电荷产生层例如为包含电荷产生材料和粘结树脂的层。另外，电荷产生层也可以为电荷产生材料的蒸镀层。电荷产生材料的蒸镀层适合于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)、有机EL(Electro-Luminescence，电致发光)图像阵列等使用非干涉性光源的情况。

作为电荷产生材料，可以举出双偶氮、三偶氮等偶氮颜料；二溴二苯并芘二酮醇(dibromoantanthrone)等稠环芳香族颜料；二萘嵌苯颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；三方晶系硒等。

这些之中，为了与近红外区域的激光曝光对应，作为电荷产生材料，优选使用金属酞菁颜料、或者无金属酞菁颜料。具体地说，例如更优选日本特开平5-263007号公报、日本特开平5-279591号公报等所公开的羟基酞菁镓；日本特开平5-98181号公报等所公开的氯代酞菁镓；日本特开平5-140472号公报、日本特开平5-140473号公报等所公开的二氯酞菁锡；日本特开平4-189873号公报等所公开的酞菁氧钛。

另一方面，为了与近紫外区域的激光曝光对应，作为电荷产生材料，优选二溴二苯并芘二酮醇(dibromoantanthrone)等稠环芳香族颜料；硫靛蓝系颜料；四氮杂卟啉化合物；氧化锌；三方晶系硒；日本特开2004-78147号公报、日本特开2005-181992 号公报所公开的双偶氮颜料等。

在450nm以上780nm以下具有发光的中心波长的LED、有机EL图像阵列等使用非干涉性光源的情况下，也可以使用上述电荷产生材料，从分辨率的方面考虑，以 20μm以下的薄膜使用感光层时，感光层中的电场强度提高，容易产生由基体的电荷注入导致的充电降低、被称为所谓黑点的图像缺陷。该情况在使用三方晶系硒、酞菁颜料等在p-型半导体中容易产生暗电流的电荷产生材料时变得显著。

与此相对，作为电荷产生材料使用稠环芳香族颜料、二萘嵌苯颜料、偶氮颜料等n-型半导体的情况下，难以产生暗电流，即便为薄膜也能够抑制被称为黑点的图像缺陷。作为n-型的电荷产生材料，例如可以举出日本特开2012-155282号公报的[0288]～ [0291]段所记载的化合物(CG-1)～(CG-27)，但不限定于此。

需要说明的是，关于n-型的判定，使用通常所用的飞行时间法，通过流动的光电流的极性来判定，将与空穴相比更容易将电子作为载流子而流动的情况作为n-型。

作为电荷产生层中所用的粘结树脂，从广泛的绝缘性树脂中选择，另外，作为粘结树脂，可以从聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘、聚硅烷等有机光导电性聚合物中选择。

作为粘结树脂，例如可以举出聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚类与芳香族二元羧酸的缩聚体等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂、聚乙烯吡咯烷酮树脂等。此处，“绝缘性”是指体积电阻率为10¹³Ωcm以上。

这些粘结树脂单独使用1种或将2种以上混合使用。

需要说明的是，电荷产生材料与粘结树脂的混合比以重量比计优选为10:1～1:10的范围内。

除此以外，电荷产生层中还可以包含公知的添加剂。

对电荷产生层的形成没有特别限制，利用公知的形成方法，例如，形成将上述成分添加至溶剂中而成的电荷产生层形成用涂布液的涂膜，并将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此来进行电荷产生层的形成。需要说明的是，电荷产生层的形成也可以通过电荷产生材料的蒸镀来进行。利用蒸镀形成电荷产生层特别适合于利用稠环芳香族颜料、二萘嵌苯颜料作为电荷产生材料的情况。

作为用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂，可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等。这些溶剂单独使用1种或将2种以上混合使用。

作为使颗粒(例如电荷产生材料)分散于电荷产生层形成用涂布液中的方法，例如利用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、卧式砂磨机等介质分散机；搅拌、超声波分散机、辊碾机、高压均质机等无介质分散机。作为高压均质机，例如可以举出：在高压状态下使分散液进行液-液碰撞或液-壁碰撞而分散的碰撞方式；在高压状态下贯通微细的流路而分散的贯通方式等。

需要说明的是，该分散时，使电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平均粒径为0.5μm以下、优选为0.3μm以下、进一步优选为0.15μm以下是有效的。

作为将电荷产生层形成用涂布液涂布至底涂层上(或中间层上)的方法，例如可以举出刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂布法、气刀涂布法、幕涂法等通常的方法。

电荷产生层的膜厚例如优选设定为0.1μm以上5.0μm以下、更优选设定为0.2μm 以上2.0μm以下的范围内。

(电荷传输层)

电荷传输层例如包含电荷传输材料和粘结树脂，进一步包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种。

-电荷传输材料-

作为电荷传输材料，优选下述式(CT1)所表示的电荷传输材料(下文中有时称为“丁二烯系电荷传输材料(CT1)”)。丁二烯系电荷传输材料CT1的电荷传输速度快，至电荷传输层的表面的电荷传输性优异，因而容易消除残留电荷，对于高速下的转印有利。

[化4]

通式(CT1)中，R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数为1以上20以下的烷基、碳原子数为1以上20以下的烷氧基或者碳原子数为6以上30以下的芳基，相邻的两个取代基彼此可以键合而形成烃环结构。

n和m各自独立地表示0、1或2。

通式(CT1)中，作为R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示的卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。这些之中，作为卤原子，优选氟原子、氯原子，更优选氯原子。

通式(CT1)中，作为R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示的烷基，可以举出碳原子数为1以上20以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷基。

作为直链状的烷基，具体地说，可以举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等。

作为支链状的烷基，具体地说，可以举出异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基、异十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、异十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、异十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、异十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-异丁基-4-乙基辛基、异十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、异十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、异十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、异十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、异十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、异二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基、新二十烷基等。

这些之中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。

通式(CT1)中，作为R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示的烷氧基，可以举出碳原子数为1以上20以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷氧基。

作为直链状的烷氧基，具体地说，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基、正二十烷氧基等。

作为支链状的烷氧基，具体地说，可以举出异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、异十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、异十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、异十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、异十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-异丁基-4-乙基辛氧基、异十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、异十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、异十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、异十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、异十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、异二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基、新二十烷氧基等。

这些之中，作为烷氧基，优选甲氧基。

通式(CT1)中，作为R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示的芳基，可以举出碳原子数为6以上30以下(优选为6以上20以下、更优选为6以上16以下)的芳基。

作为芳基，具体地说，可以举出苯基、萘基、菲基、联苯基等。

这些之中，作为芳基，优选苯基、萘基。

需要说明的是，通式(CT1)中，R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15、和R^C16表示的上述各取代基还包含进一步具有取代基的基团。作为该取代基，可以举出上述例示的原子和基团(例如卤原子、烷基、烷氧基、芳基等)。

通式(CT1)中，作为R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16的相邻的两个取代基彼此(例如R^C11和R^C12彼此、R^C13和R^C14彼此、R^C15和R^C16彼此)连结而成的烃环结构中的将该取代基彼此连结的基团，可以举出单键、2,2’-亚甲基、2,2’-亚乙基、2,2’-亚乙烯基等，这些之中，优选单键、2,2’-亚甲基。

此处，作为烃环结构，具体地说，例如可以举出环烷烃结构、环烯烃结构、环烷烃多烯结构等。

通式(CT1)中，n和m优选为1。

通式(CT1)中，从得到电荷传输能力高的感光层(电荷传输层)的方面考虑，优选R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示氢原子、碳原子数为1以上20以下的烷基或者碳原子数为1以上20以下的烷氧基，m和n表示1或2，更优选R^C11、R^C12、 R^C13、R^C14、R^C15和R^C16表示氢原子，m和n表示1。

即，丁二烯系电荷传输材料(CT1)更优选为下述结构式(CT1A)所表示的电荷传输材料(例示化合物(CT1-3))。

[化5]

下面，示出丁二烯系电荷传输材料(CT1)的具体例，但不限定于此。

[化6]

需要说明的是，上述例示化合物中的简写符号表示下述含义。另外，取代基前所带有的编号表示对苯环的取代位置。

·-CH₃：甲基

·-OCH₃：甲氧基

丁二烯系电荷传输材料(CT1)可以单独使用1种，也可以将2种以上合用。

电荷传输层也可以包含下述式(CT2)所表示的电荷传输材料(下文中有时称为“联苯胺系电荷传输材料(CT2)”)作为电荷传输材料。

[化7]

通式(CT2)中，R^C21、R^C22和R^C23各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数为1 以上10以下的烷基、碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者碳原子数为6以上10 以下的芳基。

通式(CT2)中，作为R^C21、R^C22和R^C23表示的卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。这些之中，作为卤原子，优选氟原子、氯原子，更优选氯原子。

通式(CT2)中，作为R^C21、R^C22和R^C23表示的烷基，可以举出碳原子数为1以上 10以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷基。

作为直链状的烷基，具体地说，可以举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。

作为支链状的烷基，具体地说，可以举出异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。

这些之中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。

通式(CT2)中，作为R^C21、R^C22、和R^C23表示的烷氧基，可以举出碳原子数为1 以上10以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷氧基。

作为直链状的烷氧基，具体地说，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等。

作为支链状的烷氧基，具体地说，可以举出异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基等。

这些之中，作为烷氧基，优选甲氧基。

通式(CT2)中，作为R^C21、R^C22和R^C23表示的芳基，可以举出碳原子数为6以上 10以下(优选为6以上9以下、更优选为6以上8以下)的芳基。

作为芳基，具体地说，可以举出苯基、萘基等。

这些之中，作为芳基，优选苯基。

需要说明的是，通式(CT2)中，R^C21、R^C22和R^C23表示的上述各取代基还包含进一步具有取代基的基团。作为该取代基，可以举出上述例示的原子和基团(例如卤原子、烷基、烷氧基、芳基等)。

通式(CT2)中，特别是从得到电荷传输能力高的感光层(电荷传输层)的方面考虑，优选R^C21、R^C22和R^C23各自独立地表示氢原子或碳原子数为1以上10以下的烷基，更优选R^C21和R^C23表示氢原子，R^C22表示碳原子数为1以上10以下的烷基(特别是甲基)。

具体地说，联苯胺系电荷传输材料(CT2)特别优选为下述结构式(CT2A)所表示的电荷传输材料(例示化合物(CT2-2))。

[化8]

下面，示出联苯胺系电荷传输材料(CT2)的具体例，但不限定于此。

[化9]

需要说明的是，上述例示化合物中的简写符号表示下述含义。另外，取代基前所带有的编号表示对苯环的取代位置。

·-CH₃：甲基

·-C₂H₅：乙基

·-OCH₃：甲氧基

·-OC₂H₅：乙氧基

联苯胺系电荷传输材料(CT2)可以单独使用1种，也可以将2种以上合用。

-受阻酚系抗氧化剂-

对受阻酚系抗氧化剂进行说明。

受阻酚系抗氧化剂是具有受阻酚环的化合物，优选为分子量为300以上的化合物。若受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上，则在形成感光层时的干燥工序中，可抑制受阻酚系抗氧化剂挥发，容易残留于感光层中，因此容易得到受阻酚系抗氧化剂所产生的作用效果。

对于受阻酚系抗氧化剂来说，受阻酚环例如是至少取代有一个碳原子数为4以上8以下的烷基(例如碳原子数为4以上8以下的支链状的烷基)的苯酚环。更具体地说，受阻酚环例如是相对于酚羟基在邻位取代有叔烷基(例如叔丁基)的苯酚环。

作为受阻酚系抗氧化剂，可以举出：

1)具有1个受阻酚环的抗氧化剂；

2)具有2个以上4个以下的受阻酚环且通过由直链或支链状的2价以上4价以下的脂肪族烃基构成的连接基团、或在2价以上4价以下的脂肪族烃基的碳-碳键间夹杂有酯键(-C(＝O)O-)和醚键(-O-)中的至少一者的连接基团将2个以上4个以下的受阻酚环连结而成的抗氧化剂；

3)具有2个以上4个以下的受阻酚环和1个苯环(未取代、或者被烷基等取代的取代苯环)或异氰脲酸酯环且2个以上4个以下的受阻酚环各自藉由亚烷基与苯环或异氰脲酸酯环连结而成的抗氧化剂；等等。

具体地说，作为受阻酚系抗氧化剂，从抑制重影的方面考虑，优选下述通式(HP)所表示的抗氧化剂。

[化10]

通式(HP)中，R^H1和R^H2各自独立地表示碳原子数为4以上8以下的支链状的烷基。

R^H3和R^H4各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1以上10以下的烷基。

R^H5表示碳原子数为1以上10以下的亚烷基。

通式(HP)中，作为R^H1和R^H2表示的烷基，可以举出碳原子数为4以上8以下(优选碳原子数为4以上6以下)的支链状的烷基。

作为支链状的烷基，具体地说，可以举出异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基。

这些之中，作为烷基，优选叔丁基、叔戊基，更优选叔丁基。

通式(HP)中，作为R^H3和R^H4，可以举出碳原子数为1以上10以下(优选碳原子数为1以上4以下)的直链状或支链状的烷基。

作为直链状的烷基，具体地说，可以举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。

作为支链状的烷基，具体地说，可以举出异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。

这些之中，作为烷基，优选甲基、乙基等低级烷基。

通式(HP)中，R^H5表示碳原子数为1以上10以下(优选为1以上4以下)的直链状或支链状亚烷基。

作为直链状的亚烷基，具体地说，可以举出亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基、正亚戊基、正亚己基、正亚庚基、正亚辛基、正亚壬基、正亚癸基等。

作为支链状的亚烷基，具体地说，可以举出异亚丙基、异亚丁基、仲亚丁基、叔亚丁基、异亚戊基、新亚戊基、叔亚戊基、异亚己基、仲亚己基、叔亚己基、异亚庚基、仲亚庚基、叔亚庚基、异亚辛基、仲亚辛基、叔亚辛基、异亚壬基、仲亚壬基、叔亚壬基、异亚癸基、仲亚癸基、叔亚癸基等。

这些之中，作为亚烷基，优选亚甲基、亚乙基、亚丁基等低级亚烷基。

需要说明的是，通式(HP)中，R^H1、R^H2、R^H3、R^H4和R^H5表示的上述各取代基还包含进一步具有取代基的基团。作为该取代基，例如可以举出卤原子(例如氟原子、氯原子)、烷氧基(例如碳原子数为1以上4以下的烷氧基)、芳基(例如苯基、萘基等) 等。

通式(HP)中，特别是从抑制重影的方面考虑，优选R^H1和R^H2表示叔丁基，优选 R^H1和R^H2表示叔丁基，R^H3和R^H4表示碳原子数为1～3的烷基(特别是甲基)，R^H5表示碳原子数为1～4的亚烷基(特别是亚甲基)。

具体地说，受阻酚系抗氧化剂特别优选例示化合物(HP-3)所表示的受阻酚系抗氧化剂。

从抑制重影的方面考虑，受阻酚系抗氧化剂的分子量优选300以上1000以下、更优选300以上900以下、进一步优选300以上800以下。

下面，示出本实施方式中可以使用的受阻酚系抗氧化剂的具体例，但不限定于这些。

[化11]

[化12]

受阻酚系抗氧化剂可以单独使用1种，也可以将2种以上合用。

接下来，对二苯甲酮系紫外线吸收剂进行说明。

二苯甲酮系紫外线吸收剂为具有二苯甲酮骨架的化合物。

作为二苯甲酮系紫外线吸收剂，可以举出1)2个苯环为无取代的化合物、2)2个苯环各自独立地被选自由羟基、卤原子、烷基、烷氧基以及芳基组成的组中的至少一种取代基所取代的化合物。特别是，二苯甲酮系紫外线吸收剂可以为2个苯环中的一个至少取代有羟基(特别是，在相对于-C(＝O)-基为邻位进行取代)的化合物。

具体地说，作为二苯甲酮系紫外线吸收剂，从抑制重影的方面考虑，优选下述通式(BP)所表示的紫外线吸收剂。

[化13]

通式(BP)中，R^B1、R^B2和R^B3各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、碳原子数为1以上10以下的烷基、碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者碳原子数为6以上 10以下的芳基。

通式(BP)中，作为R^B1、R^B2和R^B3表示的卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。这些之中，作为卤原子，优选氟原子、氯原子，更优选氯原子。

通式(BP)中，作为R^B1、R^B2和R^B3表示的烷基，可以举出碳原子数为1以上10 以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷基。

作为直链状的烷基，具体地说，可以举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。

作为支链烷基，具体地说，可以举出异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。

这些之中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。

通式(BP)中，作为R^B1、R^B2和R^B3表示的烷氧基，可以举出碳原子数为1以上 10以下(优选为1以上6以下、更优选为1以上4以下)的直链状或支链状的烷氧基。

作为直链状的烷氧基，具体地说，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等。

作为支链状的烷氧基，具体地说，可以举出异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基等。

这些之中，作为烷氧基，优选甲氧基。

通式(BP)中，作为R^B1、R^B2和R^B3表示的芳基，可以举出碳原子数为6以上10 以下(优选为6以上9以下、更优选为6以上8以下)的芳基。

作为芳基，具体地说，可以举出苯基、萘基等。

这些之中，作为芳基，优选苯基。

需要说明的是，通式(BP)中，R^B1、R^B2和R^B3表示的上述各取代基还包含进一步具有取代基的基团。作为该取代基，可以举出上述例示的原子和基团(例如卤原子、烷基、烷氧基、芳基等)。

通式(BP)中，特别是，从抑制重影的方面考虑，优选R^B1、R^B2和R^B3中的至少1 者表示碳原子数为1以上3以下的烷氧基。

例如，特别优选为下述结构式所表示的二苯甲酮系紫外线吸收剂。

[化14]

下面，示出二苯甲酮系紫外线吸收剂(通式(BP)所表示的二苯甲酮系紫外线吸收剂)的其它具体例，但不限定于这些。

[化15]

需要说明的是，上述例示化合物中的简写符号表示下述含义。另外，取代基前所带有的编号表示对苯环的取代位置。

·-CH₃：甲基

·-C₂H₅：乙基

·-(CH₂)₇-CH₃：辛基

·-OCH₃：甲氧基

·-OH：羟基

·-C(CH₃)₃：叔丁基

二苯甲酮系紫外线吸收剂可以单独使用1种，也可以将2种以上合用。

接下来，对电荷传输材料、抗氧化剂和紫外线吸收剂的含量进行说明。

关于丁二烯系电荷传输材料(CT1)的含量，从得到电荷传输能力高的感光层(电荷传输层)的方面考虑，以丁二烯系电荷传输材料(CT1)与粘结树脂的混合比(重量比 CT1：粘结树脂)计优选为0.1：9.9～4.0：6.0的范围内、更优选为0.4：9.6～3.5：6.5 的范围内、进一步优选为0.6：9.4～3.0：7.0的范围内。

需要说明的是，也可以合用丁二烯系电荷传输材料(CT1)和联苯胺系电荷传输材料(CT2)以外的其它电荷传输材料。但是，该情况下，在全部电荷传输材料中所占的其它电荷传输材料的含量可以为10重量％以下(优选为5重量％以下)。

关于受阻酚系抗氧化剂的含量，从抑制重影的方面考虑，相对于全部电荷传输材料量100重量％，优选为0.5重量％以上30.0重量％以下、更优选为0.5重量％以上 15重量％以下、进一步优选为0.5重量％以上9.0重量％以下。需要说明的是，该受阻酚系抗氧化剂的含量示出了将全部电荷传输材料的含量设为100重量份时的份数 (重量份)。

关于二苯甲酮系紫外线吸收剂的含量，从抑制重影的方面考虑，相对于全部电荷传输材料量100重量％，优选为0.5重量％以上30.0重量％以下、更优选为0.5重量％以上15重量％以下、进一步优选为0.5重量％以上9.0重量％以下。需要说明的是，该二苯甲酮系紫外线吸收剂的含量示出了将全部电荷传输材料的含量设为100重量份时的份数(重量份)。

需要说明的是，通过使受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂的含量均为30.0重量％以下，可抑制抗氧化剂和紫外线吸收剂导致的对电荷传输材料的电荷传输能力的阻碍。即，可抑制光照射导致的对在感光体表面的静电潜像形成的阻碍，阻害容易得到目标浓度的图像。

在电荷传输层中所用的粘结树脂可以举出聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯 -乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、有机硅树脂、硅酮-醇酸树脂、酚醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等。这些之中，作为粘结树脂，聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂是合适的。这些粘结树脂可以单独使用1种或使用2种以上。

需要说明的是，电荷传输材料与粘结树脂的混合比以重量比计优选为10：1～1：5。

除此以外，电荷传输层中也可以包含公知的添加剂。

对电荷传输层的形成没有特别限制，利用公知的形成方法，例如，形成将上述成分添加至溶剂中而成的电荷传输层形成用涂布液的涂膜，并将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此来进行电荷传输层的形成。

作为用于制备电荷传输层形成用涂布液的溶剂，可以举出苯、甲苯、二甲苯、氯苯等芳香族烃类；丙酮、2-丁酮等酮类；二氯甲烷、氯仿、氯乙烯等卤化脂肪族烃类；四氢呋喃、乙醚等环状或直链状的醚类等通常的有机溶剂。这些溶剂可以单独使用或将2种以上混合使用。

作为将电荷传输层形成用涂布液涂布于电荷产生层上时的涂布方法，可以举出刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂布法、气刀涂布法、幕涂法等通常的方法。

电荷传输层的膜厚例如优选设定为5μm以上50μm以下、更优选设定为10μm以上30μm以下的范围内。

(保护层)

保护层根据需要设定于感光层上。保护层例如是出于防止充电时的感光层的化学变化、或进一步改善感光层的机械强度的目的而设置的。

因此，保护层可以适用由固化膜(交联膜)构成的层。作为这些层，例如可以举出下述1)或2)所示的层。

1)由包含在同一分子内具有反应性基团和电荷传输性骨架的含反应性基团电荷传输材料的组合物的固化膜所构成的层(即，包含该含反应性基团电荷传输材料的聚合物或交联体的层)

2)由包含非反应性的电荷传输材料和不具有电荷传输性骨架而具有反应性基团的含反应性基团非电荷传输材料的组合物的固化膜所构成的层(即，包含非反应性的电荷传输材料和该含反应性基团非电荷传输材料的聚合物或交联体的层)

作为含反应性基团电荷传输材料的反应性基团，可以举出链聚合性基团、环氧基、-OH、-OR[其中，R表示烷基]、-NH₂、-SH、-COOH、-SiR^Q1 _3-Qn(OR^Q2)_Qn[其中，R^Q1表示氢原子、烷基、或者取代或无取代的芳基，R^Q2表示氢原子、烷基、三烷基甲硅烷基。Qn表示1～3的整数]等公知的反应性基团。

作为链聚合性基团，只要是能够进行自由基聚合的官能团就没有特别限定，例如，为具有至少含有碳双键的基团的官能团。具体地说，可以举出含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及它们的衍生物中的至少一种的基团等。其中，由于其反应性优异，因而，作为链聚合性基团而优选为含有选自乙烯基、苯乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及它们的衍生物中的至少一种的基团。

作为含反应性基团电荷传输材料的电荷传输性骨架，只要是电子照相感光体中的公知的结构就没有特别限定，例如可以举出下述结构：其为来自三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、腙系化合物等含氮的空穴传输性化合物的骨架，与氮原子发生共轭。这些之中，优选三芳基胺骨架。

这些具有反应性基团和电荷传输性骨架的含反应性基团电荷传输材料、非反应性的电荷传输材料、含反应性基团非电荷传输材料只要从公知的材料中选择即可。

除此以外，保护层中也可以包含公知的添加剂。

对保护层的形成没有特别限制，利用公知的形成方法，例如，形成将上述成分添加至溶剂中而成的保护层形成用涂布液的涂膜，并将该涂膜干燥，根据需要进行加热等固化处理，由此来进行保护层的形成。

作为用于制备保护层形成用涂布液的溶剂，可以举出甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂；甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；乙二醇单甲基醚等溶纤剂系溶剂；异丙醇、丁醇等醇系溶剂等。这些溶剂可以单独使用或将2种以上混合使用。

需要说明的是，保护层形成用涂布液可以为无溶剂的涂布液。

作为将保护层形成用涂布液涂布于感光层(例如电荷传输层)上的方法，可以举出浸涂法、上推(突き上げ)涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮涂法、幕涂法等通常的方法。

保护层的膜厚例如优选设定为1μm以上20μm以下、更优选设定为2μm以上 10μm以下的范围内。

(单层型感光层)

单层型感光层(电荷产生/电荷传输层)例如为包含电荷产生材料和电荷传输材料、选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少一种物质、根据需要的粘结树脂、以及其它公知的添加剂的层。需要说明的是，这些材料与在电荷产生层和电荷传输层中说明的材料相同。

并且，在单层型感光层中，电荷产生材料的含量相对于总固体成分可以为10重量％以上85重量％以下、优选为20重量％以上50重量％以下。另外，在单层型感光层中，电荷传输材料的含量相对于总固体成分可以为5重量％以上50重量％以下。

单层型感光层的形成方法与电荷产生层、电荷传输层的形成方法相同。

单层型感光层的膜厚例如可以为5μm以上50μm以下、优选为10μm以上40μm 以下。

<中间转印带>

中间转印带20是包含赋予半导电性的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、或者橡胶等的带状，体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下。

中间转印带20的体积电阻率如下进行测定。

对数字静电计8340A(ADVANTEST公司制造)连接UR100探针(ダイアインスツルメンツ公司制造)以及测量台UFL(ダイアインスツルメンツ公司制造)，在探针与台间夹入测定对象的带，测定由测量台分别每隔5秒施加500V、750V、1000V的电压时流至探针的电流量，由电压、电流、电极面积和带厚计算出体积电阻率。需要说明的是，测定在22℃、55％RH的环境下实施。

另外，电压在V1(V)以上V2(V)以下的范围内的中间转印带的体积电阻率的电场依赖性P(logΩ·cm/V)由下述式(1)表示。

P＝(R2-R1)/(V2-V1) (1)

R1表示对中间转印带施加转印电压V1(V)时的中间转印带的体积电阻率(logΩ·cm)，R2表示对中间转印带施加转印电压V2(V)时的中间转印带的体积电阻率(logΩ·cm)。

本实施方式中，在V1＝500V和V2＝750V的情况下，以及V1＝750V和V2＝1000V 的情况下，分别使用由上述式(1)计算出的电场依赖性P为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带。

需要说明的是，500V以上1000V以下的转印电压是在图像形成装置中常用的转印电压，本实施方式的图像形成装置中也可以适用。

从抑制重影的发生的方面考虑，本实施方式中的中间转印带优选500V以上 1000V以下的范围内的体积电阻率的电场依赖性为0.0010(logΩ·cm)/V以上 0.0028(logΩ·cm)/V以下。

对制造本实施方式中的中间转印带、即体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带的方法没有特别限定，优选对使用聚酰亚胺前体溶液所形成的圆筒形状的涂布膜进行酰亚胺化而得到的聚酰亚胺制的无端带，该聚酰亚胺前体溶液含有包含聚酰胺酸和炭黑的聚酰胺酸组合物。这种情况下，通过提高炭黑的分散性，可以制造体积电阻率的电场依赖性在上述范围内的无端带(中间转印带)。具体地说，优选使用包含下述的第1实施方式的聚酰胺酸组合物或第2实施方式的聚酰胺酸组合物的聚酰亚胺前体溶液。

<第1实施方式的聚酰胺酸组合物>

第1实施方式的聚酰胺酸组合物包含聚酰胺酸、炭黑和溶剂而构成，该聚酰胺酸中末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基和末端羧基的总摩尔量(X)的比例Y/X(下文中也称为末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基的总摩尔量(X)的比例Y/X)为 0≤Y/X<0.4，该炭黑相对于总固体成分为10重量％以上80重量％以下且pH小于7。需要说明的是，第1实施方式中的聚酰胺酸是指羧酸二酐与二胺化合物的聚合体，并且是未利用羧酸单酸酐进行封端的聚酰胺酸。以下，将pH小于7的炭黑也称为“酸性炭黑”。

[聚酰胺酸]

第1实施方式的聚酰胺酸组合物含有末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基的总摩尔量(X)的比例Y/X为0≤Y/X<0.4的聚酰胺酸。需要说明的是，“末端羧基”包括 2个羧基脱水后的末端无水羧基。

聚酰胺酸是聚酰亚胺的前体，是在同一重复单元内具有酰胺键(-NH-CO-)和羧基的高分子化合物。

第1实施方式的聚酰胺酸只要至少1种在包含具有酰胺键和羧基的重复单元的分子链(主链)的末端具有氨基即可，并且，只要聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基的总摩尔量(X)的比例Y/X在0≤Y/X<0.4的范围，则也可以在包含具有酰胺键和羧基的重复单元的分子链(主链)的末端具有羧基。另外，聚酰胺酸的主链部分只要为包含酰胺键和羧基并存的重复单元的结构就没有特别限制。

如上所述，聚酰胺酸主要分成两末端为氨基的聚酰胺酸(下文中也称为“DA”)、两末端为羧基的聚酰胺酸(下文中也称为“DC”)、一个末端为氨基而另一个末端为羧基的聚酰胺酸(下文中也称为“AC”)。

此处，关于聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的末端氨基的总摩尔量(X)，在聚酰胺酸组合物中包含DA、DC和AC的全部种类的聚酰胺酸的情况下，是指存在于DA的两末端的末端氨基、和存在于AC的一个末端的末端氨基的合计摩尔量。即，末端氨基的总摩尔量(X)是指聚酰胺酸组合物中的具有末端氨基的聚酰胺酸的全部末端氨基量(摩尔量)。

末端氨基的总摩尔量(X)通过利用酸(例如，盐酸等)对聚酰胺酸组合物进行中和滴定而测定。

聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的末端羧基的总摩尔量(Y)也同样。

关于末端羧基的总摩尔量(Y)，在聚酰胺酸组合物中包含DA、DC和AC的全部种类的聚酰胺酸的情况下，是指存在于DC的两末端的末端羧基、和存在于AC的一个末端的末端羧基的合计摩尔量。即，末端羧基的总摩尔量(Y)是指聚酰胺酸组合物中的具有末端羧基的聚酰胺酸的全部末端羧基量(摩尔量)。

末端羧基的总摩尔量(Y)通过利用碱(例如，氢氧化钠等)对聚酰胺酸组合物进行中和滴定而测定。

末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基的总摩尔量(X)的比例Y/X是由上述2 个中和滴定得到的X与Y之比。

从酸性炭黑的分散性的方面考虑，Y/X优选为0≤Y/X<0.4、更优选为0≤Y/X≤0.3。另一方面，从聚酰胺酸组合物的贮存期的方面考虑，Y/X优选为0.1≤Y/X<0.4、更优选为0.2≤Y/X<0.4。

另外，关于聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸的含量，从与酸性炭黑的分散性的方面考虑，相对于聚酰胺酸组合物的总固体成分量，优选为10重量％以上80重量％以下、更优选为20重量％以上40重量％以下。

聚酰胺酸的优选重均分子量(Mw)的范围根据对聚酰胺酸加热、脱水缩合而得到的聚酰亚胺的用途而异，一般为27,000以上39,000以下，例如，在将聚酰胺酸组合物用于图像形成装置的中间转印体中所用的无端带的制造的情况下，优选为33,000 以下、更优选为30,000以下。

对于聚酰胺酸来说，通常，使四羧酸二酐或其衍生物与二胺化合物以等摩尔聚合而进行合成，从而以DA:DC:AC＝2:2:1(摩尔基准)得到两末端为氨基的聚酰胺酸(DA)、两末端为羧基的聚酰胺酸(DC)、和一个末端为氨基且另一个末端为羧基的聚酰胺酸 (AC)。

能够用于聚酰胺酸的合成的四羧酸二酐和二胺化合物例如使用下述物质即可。

-四羧酸二酐-

作为四羧酸二酐，只要是分子结构中具有2个来自羧酸酐的结构(-CO-O-CO-)的化合物就没有特别限制，也可以使用芳香族系、脂肪族系中的任一种化合物。

例如，可以举出下述通式(I)所表示的物质。

[化16]

通式(I)

(通式(I)中，R为4价的有机基团，是芳香族、脂肪族、环状脂肪族、芳香族和脂肪族组合而成的基团、或者它们经取代而成的基团。)

作为芳香族系的四羧酸二酐，例如可以举出均苯四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-联苯砜四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、 3,3’,4,4’-联苯醚四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二甲基二苯基硅烷四羧酸二酐、3,3’,4,4’-四苯基硅烷四羧酸二酐、1,2,3,4-呋喃四羧酸二酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酸酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯砜二酸酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯基丙烷二酸酐、3,3’,4,4’-全氟异亚丙基双邻苯二甲酸酐、3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐、双(邻苯二甲酸)苯基氧化膦二酸酐、对亚苯基-双(三苯基邻苯二甲酸)二酸酐、间亚苯基-双 (三苯基邻苯二甲酸)二酸酐、双(三苯基邻苯二甲酸)-4,4’-二苯基醚二酸酐、双(三苯基邻苯二甲酸)-4,4’-二苯基甲烷二酸酐等。

作为脂肪族的四羧酸二酐，可以举出丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、 1,3-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-环戊烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基环戊基乙酸二酐、3,5,6-三羧基降冰片烷-2-乙酸二酐、2,3,4,5-四氢呋喃四羧酸二酐、5-(2,5- 二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1,2-二羧酸二酐、双环[2,2,2]-7-辛烯-2,3,5,6-四羧酸二酐等脂肪族或脂环式四羧酸二酐；1,3,3a,4,5,9b-六氢化-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氢化-5-甲基-5-(四氢-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氢化-8-甲基-5-(四氢-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮等具有芳香环的脂肪族四羧酸二酐等。

作为上述四羧酸二酐，优选芳香族系的四羧酸二酐，更优选均苯四酸二酐、 3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-联苯砜四羧酸二酐。

这些四羧酸二酐可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。

-二胺化合物-

二胺化合物只要是分子结构中具有2个氨基的二胺化合物就没有特别限定。

上述二胺化合物例如可以举出对苯二胺、间苯二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’- 二氨基二苯基乙烷、4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯硫醚、4,4’-二氨基二苯基砜、1,5-二氨基萘、3,3-二甲基-4,4’-二氨基联苯、5-氨基-1-(4’-氨基苯基)-1,3,3-三甲基茚满、6-氨基-1-(4’-氨基苯基)-1,3,3-三甲基茚满、4,4’-二氨基苯酰替苯胺、3,5-二氨基 -3’-三氟甲基苯酰替苯胺、3,5-二氨基-4’-三氟甲基苯酰替苯胺、3,4’-二氨基二苯基醚、 2,7-二氨基芴、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、4,4’-亚甲基-双(2-氯苯胺)、2,2’,5,5’-四氯-4,4’-二氨基联苯、2,2’-二氯-4,4’-二氨基-5,5’-二甲氧基联苯、3,3’-二甲氧基-4,4’- 二氨基联苯、4,4’-二氨基-2,2’-双(三氟甲基)联苯、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、 2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、4,4’-双(4-氨基苯氧基)-联苯、1,3’-双(4-氨基苯氧基)苯、9,9-双(4-氨基苯基)芴、4,4’-(对亚苯基异亚丙基) 双苯胺、4,4’-(间亚苯基异亚丙基)双苯胺、2,2’-双[4-(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯基] 六氟丙烷、4,4’-双[4-(4-氨基-2-三氟甲基)苯氧基]-八氟联苯等芳香族二胺；二氨基四苯基噻吩等具有与芳香环键合的2个氨基和该氨基的氮原子以外的杂原子的芳香族二胺；1,1-间苯二甲胺、1,3-丙二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、1,8-辛二胺、1,9- 壬二胺、4,4-二氨基七亚甲基二胺、1,4-环己二胺、异佛尔酮二胺、四氢二环亚戊二烯基二胺、六氢化-4,7-亚甲基亚茚满基二亚甲基二胺、三环[6,2,1,0^2.7]-十一碳烯二甲基二胺、4,4’-亚甲基双(环己基胺)等脂肪族二胺和脂环式二胺等。

作为二胺化合物，优选对苯二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚、 4,4’-二氨基二苯硫醚、4,4’-二氨基二苯基砜。这些二胺化合物可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。

-四羧酸二酐与二胺化合物的组合-

聚酰胺酸的合成中所用的优选的四羧酸二酐与二胺化合物的组合优选为芳香族四羧酸二酐与芳香族系二胺的组合。

对合成(聚合)聚酰胺酸时的聚合体系的固体成分浓度没有特别规定，优选为5重量％以上50重量％以下、更优选为10重量％以上30重量％以下。

作为合成聚酰胺酸时的聚合温度，优选为0℃以上80℃以下的范围。

[溶剂]

第1实施方式的聚酰胺酸组合物含有至少1种溶剂。

溶剂也成为在聚酰胺酸组合物中酸性炭黑发生分散的分散介质。

作为该溶剂，例如可以举出有机极性溶剂，具体地说，可以举出二甲基亚砜、二乙基亚砜等亚砜系溶剂；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺等甲酰胺系溶剂； N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺等乙酰胺系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙烯基-2-吡咯烷酮等吡咯烷酮系溶剂；苯酚、邻甲酚、间甲酚或者对甲酚、二甲苯酚、卤化苯酚、邻苯二酚等酚系溶剂；四氢呋喃、二噁烷、二氧戊环等醚系溶剂；甲醇、乙醇、丁醇等醇系溶剂；丁基溶纤剂等溶纤剂系；和六甲基磷酰胺、γ-丁内酯等。

其中，优选吡咯烷酮系溶剂，更优选N-甲基-2-吡咯烷酮(下文中也称为“NMP”)。

聚酰胺酸组合物中包含的溶剂可以仅使用1种，也可以将2种以上混合使用。另外，关于聚酰胺酸组合物中的溶剂的含量，从酸性炭黑的分散性的方面出发，相对于聚酰胺酸组合物总量优选为70重量％以上80重量％以下，更优选为76重量％以上 78重量％以下。

需要说明的是，上述有机极性溶剂也可以作为使四羧酸二酐与二胺化合物反应而合成聚酰胺酸时所用的聚合溶剂来使用，优选将上述有机极性溶剂单独或混合使用。作为聚合溶剂，可以进一步使用二甲苯、甲苯之类的芳香族烃。聚酰胺酸的聚合溶剂只要是溶解聚酰胺酸的溶剂就没有特别限定。

[酸性炭黑]

第1实施方式的聚酰胺酸组合物含有10重量％以上80重量％以下的pH小于7 的炭黑(酸性炭黑)。

对于酸性炭黑，通过对炭黑进行氧化处理，从而对表面赋予羧基、醌基、内酯基、羟基等，由此进行制造。该氧化处理通过下述方法来进行：在高温(例如，300℃以上 800℃以下)气氛下与空气接触而进行反应的空气氧化法；在常温(例如25℃、以下相同)下与氮氧化物或臭氧进行反应的方法；以及在高温(例如300℃以上800℃以下)下的空气氧化后，在低温(例如20℃以上200℃以下)下进行臭氧氧化的方法；等等。

具体地说，酸性炭黑例如通过接触法进行制造。作为该接触法，可以举出槽法、气黑法等。另外，酸性炭黑可以通过将气体或油作为原料的炉黑法来制造。此外，根据需要在实施这些处理后也可以利用硝酸等进行液相氧化处理。

需要说明的是，酸性炭黑可通过接触法来制造，但通常利用密闭式的炉法进行制造。在炉法的情况下，通常仅制造高pH、低挥发分的炭黑，但也可以对其实施上述液相酸处理来调整pH。因此，通过基于炉法的制造所得到的炭黑(且该炭黑通过后续工序处理而调节成pH小于7)也可适用。

酸性炭黑的pH值小于7，优选为pH4.4以下，更优选为pH4.0以下。

此处，关于酸性炭黑的pH，制备炭黑的水性悬浮液，用玻璃电极进行测定而求出。另外，酸性炭黑的pH根据氧化处理工序中的处理温度、处理时间等条件来调整。

对于酸性炭黑来说，例如挥发分的含量优选为1重量％以上25重量％以下、更优选为2重量％以上20重量％以下、进一步优选为3.5重量％以上15重量％以下。

作为酸性炭黑，具体地说，例如可以举出Orion Engineered Carbons公司制造的“Printex 150T”(pH4.5、挥发分10.0％)、同公司制造的“Special Black 350”(pH3.5、挥发分2.2％)、同公司制造的“Special Black 100”(pH3.3、挥发分2.2％)、同公司制造的“Special Black 250”(pH3.1、挥发分2.0％)、同公司制造的“Special Black 5”(pH3.0、挥发分15.0％)、同公司制造的“Special Black 4”(pH3.0、挥发分14.0％)、同公司制造的“Special Black 4A”(pH3.0、挥发分14.0％)、同公司制造的“Special Black 550”(pH2.8、挥发分2.5％)、同公司制造的“Special Black 6”(pH2.5、挥发分18.0％)、同公司制造的“Color Black FW200”(pH2.5、挥发分20.0％)、同公司制造的“Color Black FW2”(pH2.5、挥发分16.5％)、同公司制造的“Color Black FW2V”(pH2.5、挥发分16.5％)、Cabot公司制造的“MONARCH1000”(pH2.5、挥发分9.5％)、Cabot公司制造的“MONARCH1300”(pH2.5、挥发分9.5％)、Cabot公司制造的“MONARCH1400”(pH2.5、挥发分9.0％)、同公司制造的“MOGUL-L”(pH2.5、挥发分5.0％)、同公司制造的“REGAL400R”(pH4.0、挥发分3.5％)等。

酸性炭黑的聚酰胺酸组合物中的含量相对于组合物的总固体成分为10重量％以上80重量％以下，进一步优选为20重量％以上40重量％以下、更优选为22重量％以上29重量％以下。

[分散剂等]

如上所述，认为酸性炭黑通过将存在于聚酰胺酸组合物中的过量的聚酰胺酸的末端氨基和氢键连结，从而分散性提高，为了进一步提高分散性，聚酰胺酸组合物也可以进一步含有分散剂。

作为为了分散酸性炭黑而可使用的分散剂，可以为低分子量，也可以为高分子量，可以使用选自阳离子系、阴离子系、非离子系中的任一种类的分散剂。作为分散剂，优选使用非离子系高分子。

-非离子系高分子-

作为非离子系高分子，可以举出聚(N-乙烯基-2-吡咯烷酮)、聚(N,N’-二乙基丙烯酰胺)、聚(N-乙烯基甲酰胺)、聚(N-乙烯基乙酰胺)、聚(N-乙烯基邻苯二甲酰胺)、聚(N-乙烯基琥珀酰胺)、聚(N-乙烯基脲)、聚(N-乙烯基哌啶酮)、聚(N-乙烯基己内酰胺)、聚(N-乙烯基噁唑啉)等。

这些非离子系高分子可以单独使用，也可以将2种以上混合使用。其中，优选聚(N-乙烯基-2-吡咯烷酮)。

聚酰胺酸组合物中的非离子系高分子的混合量相对于聚酰胺酸100重量份优选为0.2重量份以上3重量份以下。

[第1实施方式的聚酰胺酸组合物的制备方法]

第1实施方式的聚酰胺酸组合物如下制备即可。

首先，使四羧酸二酐和二胺化合物在溶剂中进行聚合反应，得到作为聚酰亚胺树脂的前体的聚酰胺酸溶液。对于该聚酰胺酸溶液，添加至甲醇等不良溶剂中，暂时使聚酰胺酸析出至不良溶剂中，并使其再沉淀而进行精制。将析出的聚酰胺酸滤除后，再溶解于γ-丁内酯等聚酰胺酸所溶解的溶剂中，得到聚酰胺酸溶液。

接着，向所得到的聚酰胺酸溶液中例如以相对于聚酰胺酸树脂的干燥重量100 重量份合计为20重量份以上50重量份以下的范围添加酸性炭黑即可。

此外，为了提高酸性炭黑的分散性，可以使用利用混合器或搅拌子的搅拌、平行辊、超声波分散等物理手法对聚酰胺酸溶液中的成分进行混合。作为进一步提高酸性炭黑的分散性的手法，可例示出向聚酰胺酸溶液中导入分散剂等化学手法，但不限定于这些。

<第2实施方式的聚酰胺酸组合物>

第2实施方式的聚酰胺酸组合物是全部末端为氨基的聚酰胺酸，其包含聚酰胺酸、炭黑和溶剂而构成，该聚酰胺酸中利用羧酸单酸酐封端的末端氨基的总摩尔量(Z) 相对于未利用羧酸单酸酐封端的末端氨基和利用羧酸单酸酐封端的末端氨基的总摩尔量(X)的比例Z/X(下文中，也称为末端氨基经羧酸单酸酐封端的末端的总摩尔量(Z) 相对于未利用羧酸单酸酐封端的末端氨基的总摩尔量(X)比例Z/X)为0≤Z/X<0.4，该炭黑相对于总固体成分为10重量％以上80重量％以下且pH小于7。

此处，如作为一例在下述图示中所示出的那样，聚酰胺酸为进行了聚酰胺酸的合成、根据需要利用羧酸单酸酐进行了封端的聚酰胺酸。

首先，例如，使四羧酸二酐或其衍生物和二胺化合物按照二胺化合物过量的方式进行反应，合成全部胺末端聚酰胺酸。接着，使羧酸单酸酐和末端胺基反应，对末端胺基进行封端。如此形成末端胺基的羧酸单酸酐封闭末端。

[化17]

并且，聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的未利用羧酸单酸酐封端的末端氨基的总摩尔量(X)是指，在两末端为氨基的聚酰胺酸(DA)的两末端所存在的末端氨基中，未与羧酸单酸酐的羧基反应的末端氨基的合计摩尔量。

末端氨基的总摩尔量(X)通过利用酸(例如，盐酸等)对聚酰胺酸组合物进行中和滴定来测定。

另一方面，聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的末端氨基经羧酸单酸酐封端的末端的总摩尔量(Z)是指，在两末端为氨基的聚酰胺酸(DA)的两末端所存在的末端氨基中，与羧酸单酸酐的羧基反应的末端的合计摩尔量。

聚酰胺酸组合物中的全部聚酰胺酸中的末端的总摩尔量(Z)利用酸(例如，盐酸等) 进行中和滴定来测定。

即，在全部末端为氨基的聚酰胺酸中，末端氨基经羧酸单酸酐封端的末端的总摩尔量(Z)相对于未利用羧酸单酸酐封端的末端氨基的总摩尔量(X)的比例Z/X是通过上述测定方法得到的X与Z之比。

从酸性炭黑的分散性的方面出发，Z/X优选为0≤Z/X<0.4、更优选为0≤Z/X≤0.3。另一方面，从聚酰胺酸组合物的贮存期的方面出发，Z/X优选为0.1≤Z/X<0.4、更优选为0.2≤Z/X<0.4。

此处，两末端为氨基的聚酰胺酸通过使四羧酸二酐或其衍生物和二胺化合物以二胺化合物过量的方式聚合并合成而得到。

另外，在两末端为氨基的聚酰胺酸中，对末端氨基进行封端的羧酸单酸酐是具有2个羧基、并且该2个羧基发生了分子内脱水缩合反应的环状羧酸酐。

作为羧酸单酸酐，具体地说，例如可以举出邻苯二甲酸酐、马来酸酐、2,3-二苯甲酮二羧酸酐、3,4-二苯甲酮二羧酸酐、2,3-二羧基苯基苯基醚酸酐、3,4-二羧基苯基苯基醚酸酐、2,3-联苯二羧酸酐、3,4-联苯二羧酸酐、2,3-二羧基苯基苯基砜酸酐、3,4- 二羧基苯基苯基砜酸酐、2,3-二羧基苯基苯基硫化物酸酐、3,4-二羧基苯基苯基硫化物酸酐、1,2-萘二羧酸酐、2,3-萘二羧酸酐、1,8-萘二羧酸酐、1,2-蒽二羧酸酐、2,3- 蒽二羧酸酐、1,9-蒽二羧酸酐等，这些之中，优选邻苯二甲酸酐、马来酸酐。

需要说明的是，羧酸酐在上述Z/X达到上述范围的范围内对用量(封端量)进行调整。

除了上述以外，以上说明的第2实施方式的聚酰胺酸与第1实施方式的聚酰胺酸组合物相同，因而省去说明。

本实施方式中的中间转印带例如通过将圆筒形状的涂布膜酰亚胺化而得到，该圆筒形状的涂布膜是使用包含上述第1或第2实施方式的聚酰胺酸组合物的聚酰亚胺前体溶液而形成的。需要说明的是，该情况下，优选使涂布膜的干燥温度为130℃以上 200℃以下的范围。

另外，根据需要，也可以为层积了包含聚酰胺的其它层的构成。

<充电装置>

作为充电装置，不限定于充电辊2Y、2M、2C、2K，例如可广泛适用下述公知的充电器：使用刷、膜或橡胶刮板等的接触型充电器；利用了电晕放电的反电晕(scorotron)充电器或电晕管(corotron)充电器等。这些之中，优选接触型充电器。

充电装置通常对感光体1Y、1M、1C、1K施加直流电流，但也可以进一步重叠施加交流电流。

<曝光装置>

作为曝光装置3，没有特别限制，例如可广泛适用下述公知的曝光装置：可利用半导体激光、LED(Light Emitting Diode,发光二极管)光或液晶光闸等光源、或者根据由这些光源藉由多面反射镜所确定的图像对感光体1Y、1M、1C、1K的表面进行曝光的光学系统设备；等等。

<显影装置>

作为显影装置4Y、4M、4C、4K，根据目的进行选择。例如可以举出使用刷或辊等使单组分系显影剂或双组分系显影剂以接触或非接触方式来进行显影的公知的显影器等。

显影装置4Y、4M、4C、4K中使用的显影剂可以为色调剂单独的单组分系显影剂，也可以为包含色调剂和载体的双组分系显影剂。另外，显影剂可以为磁性，也可以为非磁性。这些显影剂可适用公知的显影剂。

需要说明的是，色调剂的体积平均粒径为5.0μm以下的色调剂虽然可得到高精细的图像，但另一方面由于附着力大，因而容易发生转印不良。但是，若使用本实施方式的图像形成装置，即便是色调剂的体积平均粒径为5.0μm以下也可抑制重影的发生，同时可有效抑制转印不良的发生。

此处，关于色调剂的体积平均粒径，例如在包含色调剂颗粒和外部添加剂的色调剂的情况下，与色调剂颗粒的体积平均粒径相当。

色调剂(色调剂颗粒)的体积平均粒径的测定如下进行。

首先，在作为分散剂的表面活性剂(优选烷基苯磺酸钠)的5重量％水溶液2ml中加入测定试样0.5mg以上50mg以下，将其添加至100ml以上150ml以下的电解液中。利用超声波分散器对悬浮有该测定试样的电解液进行1分钟分散处理，通过Coulter Multisizer II型(Beckman Coulter公司制造)利用孔径为100μm的孔测定粒径为2.0μm 以上60μm以下的范围的颗粒的粒度分布。测定的颗粒数为50,000。

对于将所得到的粒度分布分割而成的粒度范围(通道)，从小粒径侧描绘体积累积分布，将达到累积50％的粒径作为体积平均粒径D50v。

需要说明的是，由于具有色调剂的体积平均粒径越小则越难转印的倾向，因而，本实施方式中使用的色调剂的体积平均粒径优选为3.8μm以上。

<初级转印辊>

初级转印辊5Y、5M、5C、5K可以为单层或多层中的任一种。例如，在为单层结构的情况下，该初级转印辊由在发泡或无发泡的硅酮橡胶、氨基甲酸酯橡胶或 EPDM等中适量混合炭黑等导电性颗粒而成的辊构成。

初级转印辊将形成于电子照相感光体的表面的色调剂图像初级转印至中间转印带，在电子照相感光体的色调剂图像被初级转印至中间转印带后，在充电前对电子照相感光体施加电流(除电偏压)，由此对电子照相感光体的表面进行除电。

<感光体清洁装置>

感光体清洁装置6Y、6M、6C、6K用于除去在初级转印工序后的感光体1Y、1M、 1C、1K的表面所附着的残存色调剂，除了清洁刮板以外，还可使用刷清洁或辊清洁等。这些之中，优选使用清洁刮板。另外，作为清洁刮板的材质，可以举出氨基甲酸酯橡胶、氯丁橡胶或硅酮橡胶等。

<次级转印辊>

对次级转印辊26的层结构没有特别限定，例如在三层结构的情况下，由核心层、中间层、以及覆盖其表面的涂布层构成。核心层由分散有导电性颗粒的硅酮橡胶、氨基甲酸酯橡胶或EPDM等的发泡体构成，中间层由它们的无发泡体构成。作为涂布层的材料，可以举出四氟乙烯-六氟丙烯共聚物或全氟烷氧基树脂等。次级转印辊26 的体积电阻率优选为10⁷Ωcm以下。另外，次级转印辊也可以为除去中间层以外的2 层结构。

<支撑辊>

支撑辊24形成次级转印辊26的对电极。支撑辊24的层结构可以为单层或多层中的任一种。例如在单层结构的情况下，该支撑辊由在硅酮橡胶、氨基甲酸酯橡胶或 EPDM等中适量混合炭黑等导电性颗粒而成的辊构成。在两层结构的情况下，该支撑辊由利用高电阻层被覆了由上述橡胶材料构成的弹性层的外周面而成的辊构成。

<定影装置>

作为定影装置4Y、4M、4C、4K，例如可广泛适用热辊定影器、加压辊定影器或闪光定影器等公知的定影器。

<中间转印带清洁装置>

作为中间转印体清洁装置30，除了清洁刮板以外，还可使用刷清洁或辊清洁等。这些之中，优选使用清洁刮板。另外，作为清洁刮板的材质，可以举出氨基甲酸酯橡胶、氯丁橡胶或硅酮橡胶等。

需要说明的是，本实施方式的图像形成装置即便不具备专用的除电装置也可抑制重影的发生，但为了更可靠地除去残留于转印后的感光体1Y、1M、1C、1K的表面的残留电位，也可以具备除电装置。

[处理盒]

本实施方式的处理盒具有下述构成，其具备电子照相感光体和中间转印带，该电子照相感光体具有导电性基体和配置于上述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；该中间转印带的体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下，该处理盒能够安装于具备转印装置的图像形成装置并从该图像形成装置拆卸，该转印装置中，藉由上述中间转印带将形成于上述电子照相感光体的表面的色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于上述电子照相感光体的表面的上述色调剂图像被转印至上述中间转印带后，对上述电子照相感光体施加电流，由此对上述电子照相感光体的表面进行除电。

通过将本实施方式的处理盒能够安装于具备转印装置的图像形成装置并从该图像形成装置拆卸，即便不具备专用的除电装置，也可抑制重影的发生。该转印装置中，藉由中间转印带将形成于电子照相感光体的表面的色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于电子照相感光体的表面的色调剂图像被转印至中间转印带后，对电子照相感光体施加转印偏压电流，由此对电子照相感光体的表面进行除电。

需要说明的是，本实施方式的处理盒不限定于上述构成，根据需要也可以为具备选自例如充电装置、静电图像形成装置、显影装置等其它装置中的至少一种的构成。

实施例

下面，对本发明的实施例进行说明，但本发明不限定于以下的实施例。

<中间转印带的制作>

[聚酰胺酸的合成]

作为分子链的两末端为氨基的聚酰胺酸，利用下述方法合成了聚酰胺酸DA-A1，作为分子链的两末端为羧基的聚酰胺酸，利用下述方法合成了聚酰胺酸DC-A1。

(合成例1)

-聚酰胺酸溶液DA-A1的制备-

向N-甲基-2-吡咯烷酮(下文中简称为“NMP”と略す)800g中加入作为二胺化合物的4,4’-二氨基二苯基醚(下文中简称为“ODA”)83.48g(416.9毫摩尔)，在常温(25℃)下一边搅拌一边溶解。接下来，慢慢地添加作为四羧酸二酐的3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐 (下文中简称为“BPDA”)116.52g(396.0毫摩尔)。在四羧酸二酐的添加、溶解后，加热至反应液的温度为60℃，之后在保持反应液温度的状态下进行20小时聚合反应，得到包含聚酰胺酸DA-A1和NMP的反应液。

用#800的不锈钢网过滤所得到的反应液，冷却至室温(25℃)，得到25℃的溶液粘度为2.0Pa·s的聚酰胺酸溶液DA-A1。需要说明的是，聚酰胺酸溶液的溶液粘度是如下测得的值：使用东机产业公司制造的E型旋转粘度计TV-20H，以标准转子 (1°34“×R24)、测定温度：25℃、转速：0.5rpm(100Pa·s以上)、1rpm(小于100Pa·s) 的条件进行测定。下述合成例中得到的聚酰胺酸溶液的溶液粘度也是同样测得的值。

(合成例2)

-聚酰胺酸溶液DC-A1的制备-

使ODA为79.57g(397.4毫摩尔)、BPDA为120.43g(409.3毫摩尔)，除此以外与合成例1同样得到包含聚酰胺酸DC-A1和NMP的溶液粘度为6.0Pa·s的聚酰胺酸溶液DC-A1。

[聚酰胺酸组合物A1的制备]

·包含聚酰胺酸DA-A1的聚酰胺酸溶液DA-A1 700g·包含聚酰胺酸DC-A1的聚酰胺酸溶液DC-A1 300g·酸性炭黑(干燥状态；导电剂)

[SPECIAL BLACK6：Orion Engineered Carbons公司制造、pH2.5、挥发分：18.0％、(下文中简称为“SB-6”)]55.6g

将上述组成的聚酰胺酸溶液DA-A1和聚酰胺酸溶液DC-A1混合，利用球磨机在 30℃对酸性炭黑SB-6进行12小时分散处理，由此分散于聚酰胺酸溶液的混合液中。之后，用#400不锈钢网过滤SB-6分散而成的混合液，得到下述组成的聚酰胺酸组合物A1。

聚酰胺酸组合物A1的组成为聚酰胺酸固体成分(聚酰胺酸DA-A1与DC-A1的合计)/NMP/SB-6＝185.4/814.6/55.6(重量比)。

聚酰胺酸组合物A1中的全部聚酰胺酸中的末端羧基的总摩尔量(Y)相对于末端氨基的总摩尔量(X)的比例Y/X为0.3。

[中间转印带A的制作]

准备外径278mm、长度400mm的SUS材料制筒型金属模具，对其外表面涂布硅酮系防粘剂并进行干燥处理(防粘剂处理)。

使实施了防粘剂处理的圆筒型金属模具在圆周方向以10rpm的速度旋转，同时，由圆筒型金属模具端部将上述聚酰胺酸组合物A1从口径1.0mm点胶机(dispenser)排出，利用设置于金属模具上的金属刮板以同样的压力按压，由此进行涂布。通过使点胶机单元在圆筒型金属模具的轴向以100mm/分钟的速度移动，由此将聚酰胺酸组合物A1以螺旋状涂布至圆筒型金属模具上。

之后，使金属模具和涂布物在干燥炉中在145℃空气气氛下以10rpm进行旋转，同时进行30分钟干燥处理。

干燥后，溶剂从涂布物挥发，由此涂布物变化为具有自我支撑性的聚酰胺酸树脂成型品(无端带主体)。

干燥处理后，接下来在洁净烘箱中于300℃进行2小时烧制处理，使酰亚胺化反应进行。之后，使金属模具为25℃，将树脂从金属模具卸下，得到目标聚酰亚胺无端带A。

将所得到的聚酰亚胺无端带A的两端部切断，将所制成的中间转印带(厚度： 80μm)作为带A。

利用上述方法测定所得到的带的体积电阻率和电场依赖性，结果带A的体积电阻率为11.0logΩ·cm，电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0025(logΩ· cm)/V。

[中间转印带B的制作]

使中间转印带A的制作中的干燥处理温度为160℃，除此以外同样地制作，将所制作的中间转印带(厚度：80μm)作为带B。

带B的体积电阻率为10.2logΩ·cm，电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0040(logΩ·cm)/V。

[中间转印带C的制作]

使中间转印带A的制作中的干燥处理温度为155℃，使干燥处理时间为40分钟，除此以外同样地制作，将所制作的中间转印带(厚度：80μm)作为带C。

带C的体积电阻率为10.8logΩ·cm，电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0029(logΩ·cm)/V。

[中间转印带D的制作]

使中间转印带A的制作中的干燥处理温度为170℃，使烧制处理温度为310℃，除此以外同样地制作，将所制作的中间转印带(厚度：80μm)作为带D。

带D的体积电阻率为10.0logΩ·cm，电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0055(logΩ·cm)/V。

[感光体的制作]

(感光体A的制作)

将氧化锌(平均粒径：70nm、TAYCA公司制造、比表面积值：15m²/g)100重量份与甲醇500重量份搅拌混合，添加作为硅烷偶联剂的KBM603(信越化学工业公司制造)0.75重量份，搅拌2小时。之后，通过减压蒸馏将甲醇蒸馏除去，在120℃进行 3小时印相，得到硅烷偶联剂表面处理氧化锌颗粒。

将实施了上述表面处理的氧化锌颗粒60重量份、作为电子接受性化合物的4-乙氧基-1,2-二羟基-9,10-蒽醌1.2重量份、作为固化剂的封端异氰酸酯(Sumidur 3173、Sumitomo-Bayer Urethane Co.,Ltd.制造)13.5重量份、和丁缩醛树脂(S-LEC BM-1、积水化学工业公司制造)15重量份溶解于甲基乙基酮85重量份中，将所得到的溶液38 重量份与甲基乙基酮25重量份混合，利用直径1mm的玻璃珠通过砂磨机进行4小时的分散，得到分散液。向所得到的分散液中添加作为催化剂的二月桂酸二辛基锡0.005 重量份、和有机硅树脂颗粒(TOSPEARL 145、Momentive Performance Materials公司制造)4.0重量份，得到底涂层形成用涂布液。底涂层形成用涂布液在涂布温度24℃时的粘度为235mPa·s。

利用浸涂法以涂布速度220mm/min将该涂布液涂布至直径30mm的铝基材上，在180℃进行40分钟的干燥固化，得到厚度23.5μm的底涂层。

接着，作为电荷产生材料，将下述混合物用直径1mm的玻璃珠通过砂磨机分散 4小时，得到电荷产生层形成用涂布液，该混合物由关于CuKα特性X射线至少在布拉格角(2θ±0.2°)为7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处具有强衍射峰的羟基镓酞菁晶体15重量份、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂(VMCH、日本Union Carbide Corporation公司制造)10重量份和正丁醇300重量份构成。电荷产生层形成用涂布液在涂布温度24℃时的粘度为1.8mPa·s。利用浸渍涂布法以涂布速度65mm/min 将该涂布液浸渍涂布于上述底涂层上，在150℃干燥7.5分钟，得到电荷产生层。

接着，将四氟乙烯树脂颗粒8重量份(平均粒径：0.2μm)、含氟代烷基的甲基丙烯酸共聚物(ARON GF400、东亚合成公司制造)0.01重量份与四氢呋喃4重量份、甲苯1重量份一同保持为20℃的液温，搅拌混合48小时，得到四氟乙烯树脂颗粒悬浮液A(下文中简称为“A液”)。

接着，将作为电荷传输性材料的下述结构式1所示的化合物1.6重量份、N,N′- 双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺3重量份、作为粘结树脂的由下述结构式2和下述结构式3的重复单元构成的聚碳酸酯共聚物(重均分子量45000)6重量份、作为抗氧化剂的2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚0.1重量份以及下述结构式4所表示的受阻酚系抗氧化剂0.14重量份、和下述结构式5所表示的二苯甲酮系紫外线吸收剂0.07重量份混合，混合溶解四氢呋喃24重量份和甲苯11重量份，得到混合溶解液B(下文中简称为“B液”)。

向B液中加入上述A液并搅拌混合后，利用安装有具有微细流路的贯通式腔室的高压均质机(吉田机械兴行株式会公司制造)，向反复进行了6次升压至500kgf/cm²的分散处理的液体中添加醚改性硅油(商品名：KP340：信越化学工业公司制造)5ppm，充分搅拌而得到电荷传输层形成用涂布液。将该涂布液以40μm的厚度涂布至电荷产生层上，在145℃干燥40分钟，形成电荷传输层，得到目标电子照相感光体。将如此得到的电子照相感光体作为感光体A。

[化18]

(结构式1)

[化19]

[化20]

(结构式4)

[化21]

(结构式5)

(感光体B的制作)

在感光体A的制作中，作为电荷传输性材料，仅使用N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺4.6重量份，除此以外同样地制作，将所制作的感光体作为感光体B。

(感光体C的制作)

在感光体A的制作中，不在电荷传输层形成用涂布液中加入受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂，除此以外同样地制作，将所制作的感光体作为感光体C。

(感光体D的制作)

在感光体A的制作中，作为电荷传输性材料，仅使用N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺4.6重量份，不加入受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂，除此以外同样地制作，将所制作的感光体作为感光体D。

(感光体E的制作)

在感光体A的制作中，不在电荷传输层形成用涂布液中加入受阻酚系抗氧化剂，除此以外同样地制作，将所制作的感光体作为感光体E。

(感光体F的制作)

在感光体A的制作中，不在电荷传输层形成用涂布液中加入二苯甲酮系紫外线吸收剂，除此以外同样地制作，将所制作的感光体作为感光体F。

<实施例1>

将如上制作的中间转印带A和感光体A安装至DocuCentre-IV C5575(富士施乐公司制造)的改装机，进行图像形成，并进行了下述评价。上述改装机被改装成能够调节除电偏压。

[评价]

-重影-

关于重影，将实施例或比较例的感光体和中间转印带安装至DocuCentre-IVC5575的改装机中，在高温高湿的条件下输出图像浓度为100％的20mm×20mm图像，进一步连续输出A4半色调30％图像，对感光体一周后的半色调上的浓度变动仅目视评价。此处，高温高湿是指28℃、85％RH的周边环境。

A：浓度无变动

B：浓度有略微变动

C：浓度有变动

D：浓度有明显变动

-转印不良-

关于转印不良，将实施例或比较例的感光体和中间转印带安装至DocuCentre-IVC5575的改装机中，在高温高湿的条件下输出图像浓度为100％的20mm×20mm图像，对图像内的白点(白抜け)进行目视评价。此处，高温高湿是指28℃、85％RH的周边环境。

A：无白点

B：略有白点

C：有白点

D：有明显的白点

<实施例2～6和比较例1～5>

将感光体、中间转印带和色调剂变更为表1所示的组合，除此以外与实施例1 同样地进行图像形成，并进行了评价。

将各例中使用的中间转印体和感光体以及评价结果示于表1。

[表1]

由上述结果可知，在实施例中，与比较例相比抑制了“重影”和“转印不良”。

符号说明

1、1Y、1M、1C、1K电子照相感光体、2Y、2M、2C、2K充电辊(充电装置的一例)、3曝光装置(静电图像形成装置的一例)、3Y、3M、3C、3K激光束、4Y、 4M、4C、4K显影装置(显影装置的一例)、5Y、5M、5C、5K初级转印辊(初级转印装置的一例)、6Y、6M、6C、6K感光体清洁装置(清洁装置的一例)、8Y、8M、8C、 8K色调剂盒、10Y、10M、10C、10K图像形成单元、11底涂层、12电荷产生层、 13电荷传输层、14导电性基体、15感光层、20中间转印带、22驱动辊、24支撑辊、26次级转印辊(次级转印装置的一例)、30中间转印体清洁装置、P记录纸(记录介质的一例) 。

Claims (19)

1.一种图像形成装置，该图像形成装置具备：

电子照相感光体，其具有导电性基体和配置于所述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；

充电装置，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；

静电潜像形成装置，其在所述电子照相感光体的所充电的表面形成静电潜像；

显影装置，其利用包含色调剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面的静电潜像显影，形成色调剂图像；和

转印装置，其具有体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下的中间转印带，藉由所述中间转印带将形成于所述电子照相感光体的表面的所述色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于所述电子照相感光体的表面的所述色调剂图像被转印至所述中间转印带后，对所述电子照相感光体施加电流，由此对所述电子照相感光体的表面进行除电。

2.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述中间转印带的体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0010(logΩ·cm)/V以上0.0028(logΩ·cm)/V以下。

3.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述受阻酚系抗氧化剂具有下述式(HP)所表示的结构，

[化1]

通式(HP)中，R^H1和R^H2各自独立地表示碳原子数为4以上8以下的支链状的烷基，R^H3和R^H4各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1以上10以下的烷基，R^H5表示碳原子数为1以上10以下的亚烷基。

4.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上1000以下。

5.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上900以下。

6.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上800以下。

7.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述二苯甲酮系紫外线吸收剂具有下述式(BP)所表示的结构，

[化2]

通式(BP)中，R^B1、R^B2和R^B3各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、碳原子数为1以上10以下的烷基、碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者碳原子数为1以上10以下的芳基。

8.如权利要求7所述的图像形成装置，其中，所述式(BP)所表示的结构中的R^B1、R^B2和R^B3中的至少一个表示碳原子数为1以上3以下的烷氧基。

9.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述电子照相感光体具有电荷产生层和含有下述通式(CT1)所表示的电荷传输材料的电荷传输层作为所述感光层，

[化3]

通式(CT1)中，R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数为1以上20以下的烷基、碳原子数为1以上20以下的烷氧基或者碳原子数为6以上30以下的芳基，相邻的两个取代基彼此可以键合而形成烃环结构，n和m各自独立地表示0、1或2。

10.如权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述色调剂的体积平均粒径为5.0μm以下。

11.一种处理盒，该处理盒具备：

电子照相感光体，其具有导电性基体和配置于所述导电性基体上并包含选自由受阻酚系抗氧化剂和二苯甲酮系紫外线吸收剂组成的组中的至少1种的感光层；和

中间转印带，其体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.003(logΩ·cm)/V以下，

该处理盒能够安装于具备转印装置的图像形成装置并从该图像形成装置拆卸，该转印装置中，藉由所述中间转印带将形成于所述电子照相感光体的表面的色调剂图像转印至记录介质，并且，在形成于所述电子照相感光体的表面的所述色调剂图像被转印至所述中间转印带后，对所述电子照相感光体施加电流，由此对所述电子照相感光体的表面进行除电。

12.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述中间转印带的体积电阻率的电场依赖性在500V以上1000V以下的范围内为0.0010(logΩ·cm)/V以上0.0028(logΩ·cm)/V以下。

13.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述受阻酚系抗氧化剂具有下述式(HP)所表示的结构，

[化1]

通式(HP)中，R^H1和R^H2各自独立地表示碳原子数为4以上8以下的支链状的烷基，R^H3和R^H4各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1以上10以下的烷基，R^H5表示碳原子数为1以上10以下的亚烷基。

14.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上1000以下。

15.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上900以下。

16.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述受阻酚系抗氧化剂的分子量为300以上800以下。

17.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述二苯甲酮系紫外线吸收剂具有下述式(BP)所表示的结构，

[化2]

通式(BP)中，R^B1、R^B2和R^B3各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、碳原子数为1以上10以下的烷基、碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者碳原子数为1以上10以下的芳基。

18.如权利要求17所述的处理盒，其中，所述式(BP)所表示的结构中的R^B1、R^B2和R^B3中的至少一个表示碳原子数为1以上3以下的烷氧基。

19.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述电子照相感光体具有电荷产生层和含有下述通式(CT1)所表示的电荷传输材料的电荷传输层作为所述感光层，

[化3]

通式(CT1)中，R^C11、R^C12、R^C13、R^C14、R^C15和R^C16各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数为1以上20以下的烷基、碳原子数为1以上20以下的烷氧基或者碳原子数为6以上30以下的芳基，相邻的两个取代基彼此可以键合而形成烃环结构，n和m各自独立地表示0、1或2。

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