CN107112200A - 多阻挡层封装叠层 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于封装设备以限制在设备与外界环境之间的环境元素渗透的方法，其包括向设备施加多个阻挡层并且在每次层施加之前独立地清洁当前暴露的设备表面，从而产生包括封装叠层的设备，其中封装叠层包括阻挡层的多层叠层。每次独立的清洁从当前暴露的设备表面去除颗粒，从而暴露阻挡层中的由颗粒形成的间隙，随后施加的阻挡层至少部分地填充间隙，以便限制经由间隙空间穿过封装叠层的渗透路径。施加以形成叠层的阻挡层的数量可以基于判定的概率，判定的概率为特定数量的阻挡层的叠层与穿过叠层的至少一定数量的连续渗透路径无关的概率。

Description

多阻挡层封装叠层
背景技术
各种设备可以包括基板、设置在一个或多个基板上的装置等等。这种装置可以包括电致变色(EC)装置、发光二极管(OLED)、光生伏打(PV)、薄膜装置、薄膜电池装置、其某个组合等等中的一者或多者。在一些情况下，设备可以定位在包括可以破坏或恶化装置、基板等等的环境元素的环境中。例如，EC装置可以暴露于作为环境空气和水蒸汽的混合物的周围环境。来自周围环境的可以包括颗粒物质、沉淀物、气体、液体、固体等等的一个或多个不同情况的环境元素可以渗透通过各种设备(包括EC装置)的各个层。例如，环境元素可以包括水、氧气、其某个组合等等中的一者或多者，其中设备包括对水敏感(在此也称为对“水分”敏感)的EC装置，水向EC装置的渗透可能引起EC装置的一个或多个元件的恶化，这可能引起EC装置的功能的恶化。EC装置的恶化功能可以包括EC装置的至少部分地基于所施加的电势改变着色的结构能力的恶化。包括有机发光二极管(OLED)、光生伏打(PV)、薄膜装置、其某个组合等等的各种其他设备可以对一个或多个不同的环境元素敏感。
在一些情况下，设备被构造成包括提供对来自周围环境的环境元素渗透的至少一定保护的阻挡层。在一些情况下，所施加的阻挡层称为“封装层”、“封装叠层”等。设备的这种结构化可以称为使设备“钝化”，构造成限制环境元素经由一个或多个阻挡层在设备的环境元素敏感部分与外界环境之间渗透的设备可以称为“被钝化的”设备。
施加到设备的阻挡层在一些情况下可以包括瑕疵、缺陷等等，这可以引起穿过环境元素能够经由其通过的阻挡层的渗透“路径”，由此造成穿过阻挡层的环境元素渗透。这些缺陷可能由存在于暴露的设备表面上的颗粒引起，其中封装叠层施加至暴露的设备表面。在一些情况下，颗粒可能由于阻挡层施加过程的一个或多个部分而沉积在暴露表面上。
在一些情况下，存在于暴露表面上的颗粒可能引起间隙的形成，间隙在本文中还可互换地称为所施加的阻挡层中的“间隙空间”。这种间隙空间的形成可以由存在于暴露表面上的颗粒所引起，颗粒的直径基本大于所施加的阻挡层的厚度，使得包围颗粒的阻挡层的部分上的应力引起阻挡层的粘着的局部削弱，这可能引起颗粒周围的局部阻挡层分离、失效等等。例如，一些阻挡层施加过程包括原子层沉积(ALD)，原子层沉积在暴露表面上提供共形、薄层的渗透抵抗材料。在一些情况下，在阻挡层施加过程之前或作为阻挡层施加过程的结果而存在于暴露表面上的颗粒可以比经由ALD施加的阻挡层的厚度基本更厚(即直径更宽)，导致在阻挡层中形成间隙空间，在此间隙空间提供用于使环境元素从外界环境穿行至设备的渗透路径。
附图说明
图1示出根据一些实施例的设备的透视图，该设备包括基板、设置在基板上的装置以及施加到装置的基板远端侧上的封装层，封装层使设备对于至少一些环境元素钝化。
图2示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备具有包括由于颗粒而形成的间隙空间缺陷的所施加的阻挡层。
图3示出根据一些实施例的设备的由于施加到设备的阻挡层中的间隙空间而随着时间逐渐恶化的多个视图。
图4A示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括交替的共形和渗透抵抗层的多层封装叠层。
图4B示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括多个连续渗透抵抗层的多层封装叠层。
图5A-H示出根据一些实施例的在设备上施加多层封装叠层的过程，包括在施加多个阻挡层中的每一个之前执行对当前暴露的设备表面的清洁。
图6示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括多个连贯地施加的渗透抵抗层的多层封装叠层，其中在每一层施加之前清洁当前暴露的设备表面。
图7A-7D示出根据一些实施例的可以在当前暴露的设备表面上执行的各种清洁过程。
图8示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括基板和施加到基板的表面的封装叠层。
图9示出根据一些实施例的设备的透视图，该设备构造成至少部分地是柔性的并且包括封装叠层。
图10示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括基板、设置在基板的一部分上的装置以及施加到设备的表面的封装叠层，使得封装叠层覆盖装置的至少一些部分以及基板的至少一些暴露部分。
图11示出根据一些实施例的可以包括在设备中的卵形装置的透视图。
图12A-12B示出根据一些实施例的设备，该设备包括在向设备上施加封装层以及将一组或多组母线联接至EC装置之后的卵形EC装置。
图13示出根据一些实施例的包括封装叠层施加系统的设备制造系统。
图14示出根据一些实施例的在对当前暴露表面的前述清洁的情况下在设备上施加多个阻挡层的封装叠层施加系统。
图15示出根据一些实施例的构造成控制向设备的封装叠层施加的控制系统。
图16A示出根据一些实施例施加多层封装叠层。
图16B示出根据一些实施例的确定要施加以建立多层封装叠层的特定数量的阻挡层。
图17是示出可用于一些实施例的示例计算机系统的框图。
本文中说明的各个实施例易于进行各种改进和可替代形式。具体实施例在附图中通过举例示出并且将在本文中进行详细说明。然而，应该理解的是附图及其详细说明并非旨在将本公开限制于所公开的特定形式，而相反地，旨在覆盖落在随附权利要求的精神和范围内的全部改进、等同方案和可替代方案。本文中使用的标题仅用于组织目的，而非旨在用于限制说明书或权利要求书的范围。如在整个本申请中所使用的，词语“可以”以容许意义(即指的是具有潜在性)而非强制意义(即意味着必须)使用。类似地，词语“包括”、“包含”和“含有”指的是包括，而非限制。
具体实施方式
公开了一种包括多层封装叠层的设备和用于向设备施加多层封装叠层的方法的各个实施例。设备可以包括基板、设置在基板上的装置等等中的一个或多个。多层封装叠层可以包括多个连贯地施加的阻挡层，其中每个单独阻挡层构造成抵制环境元素穿过相应的阻挡层渗透。封装叠层可以包括一种或多种不同类型的阻挡层，包括但不限于薄膜阻挡层、经由原子层沉积(ALD)施加的阻挡层、层压阻挡层、共形阻挡层、无机阻挡层、其某个组合等等中的一种或多种。构造成抵制环境元素渗透的阻挡层可以包括构造成抵制一种或多种不同的环境元素通过相应的阻挡层渗透的阻挡层。环境元素可以包括相对于封装叠层施加于其的设备可以存在于外界环境中的特定元素、分子、物质等等中的一种或多种。在一些实施例中，环境元素包括可能存在于周围环境中的任何物质、分子、原子元素等等中的一种或多种，包括任何颗粒物质、气体、液体、大气沉降物、作为蒸汽包含在环境中的物质、其某个组合等等。例如，如本文中所指代的环境元素可以包括一种或多种不同的物质，非限制地包括氧气、水、作为蒸汽包含在环境空气中的水(也称为“湿气”、“水分”等等)、其某个组合等等。
在一些实施例中，封装叠层经由包括连贯地施加多层封装叠层的单独的阻挡层中的每一个的过程施加，其中单独的阻挡层的每个单独的阻挡层施加在对阻挡层施加于其的当前暴露的设备表面的清洁之后进行。当前暴露的设备表面可以包括设备的一个或多个部分的特定表面，包括一个或多个基板的暴露表面、设置在基板上的装置的暴露表面、其某个组合等等。设置在基板上的装置的暴露表面可以包括装置的暴露的基板远端表面。
在一些实施例中，施加阻挡层并且在所述施加之前进行清洁的当前暴露的设备表面可以包括在前施加到设备的一个或多个阻挡层的暴露表面。例如，在封装叠层包括两个连贯地施加的阻挡层的情况下，封装叠层经由其施加的过程可以包括在将第一阻挡层施加至暴露的设备表面之前清洁暴露的设备表面以及随后施加第一阻挡层，使得设备包括当前暴露的设备表面，当前暴露的设备表面包括第一阻挡层的暴露表面。包括第一阻挡层的暴露表面的当前暴露的设备表面可以在第二阻挡层的施加之前进行清洁，第二阻挡层可以随后施加至当前暴露的设备表面。如本文所述的，清洁当前暴露的设备表面可以包括在当前暴露的设备表面的至少一部分上执行一个或多个特定的清洁过程。
在一些实施例中，在另一个阻挡层在前施加至设备并且当前暴露的设备表面包括在前施加的“其他”阻挡层的暴露表面的情况下，在将特定阻挡层施加至当前暴露的设备表面之前清洁当前暴露的设备表面可以指代将对当前暴露的设备表面的清洁介入连续阻挡层施加、在连续阻挡层施加之间的清洁当前暴露的设备表面、其某个组合等等。
在一些实施例中，在阻挡层施加中的每一个之前、在连续的阻挡层施加之间等等清洁当前暴露的设备表面产生包括多个连贯地施加的阻挡层的封装叠层，其中，封装叠层至少部分地没有连续渗透路径，环境元素可以经由连续渗透路径从外界环境通过封装叠层渗入至设备。在连续的阻挡层施加之前、之间等等的对当前暴露的设备表面的清洁可以使得每个施加的阻挡层填充到存在于在前施加的阻挡层中的任何间隙空间中的至少一些中，由此密封通过叠层的由单独的阻挡层中的间隙空间形成的潜在渗透路径，环境元素可以通过潜在渗透路径渗入外界环境与施加叠层的设备之间。
这种所形成的封装叠层可以保护设备的环境元素敏感部分免受环境元素影响。此外，封装叠层可以相对于包括有机层的封装叠层而包括相对低的厚度，该有机层通过涂布颗粒限制通过叠层的环境元素渗透，从而形成穿过叠层的弯曲渗透路径，等等。另外，封装叠层经由其施加的过程相对于施加一层的过程、在施加多个阻挡层中的每一个之前、之间等等不进行清洁的施加多个层的过程，可以具有宽松的清洁度要求，这是由于可以通过随后施加的阻挡层减轻给定施加的阻挡层中的缺陷。
例如，在一些实施例中，封装叠层包括各自包括无机阻挡层的多个阻挡层，在此阻挡层包括构造成抵制环境元素渗透穿过材料的无机材料。在一些实施例中，封装叠层的多层结构包括连贯的阻挡层，连贯的阻挡层包括交替的高/低折射率材料，例如可以通过例如元模式过程(溅射)施加的例如Si3N4/SiO2。该过程可以需要具有最小颗粒的非常清洁的表面，这可以促成用于环境元素渗透穿过薄膜的路径。
在一些实施例中，叠层与设备表面的粘着以及叠层中最小化的压应力(例如＜600MPa)可以引起叠层的随着时间而增强的限制环境元素渗透的耐久性。可以通过PECVD方法施加密集无组织的交替有机和无机层状叠层。这些薄膜可以由于无组织的共形薄膜特性而高度地附着并具有减小的缺陷。密集的减小缺陷的多层涂层还可以通过原子层沉积(ALD)技术施加。
在一些实施例中，封装叠层包括特定数量的阻挡层，其中层的数量基于各种因素预先确定，包括以下中的一个或多个：包含在每一层中的材料、设备的由封装叠层覆盖的表面面积、存在于每个阻挡层施加之前和之后的暴露表面上的估算的颗粒分布和大小、在施加给定阻挡层时存在于每个单独的阻挡层中的间隙空间的估算数量、分布和尺寸、其某个组合等等。基于因素中的一个或多个，可以以一个或多个特定置信水平确定包括给定数量的阻挡层的封装叠层将不包括不多于一定数量的经由各个单独阻挡层中的对准的间隙空间而穿过叠层的连续渗透路径的概率。特定数量的层可以基于最小数量的层确定，在最小数量的层时，所形成的封装叠层包括穿过叠层的至少一定最小数量的路径的所确定的在特定置信水平下的概率小于阈值。在另一个示例中，特定数量的层可以基于最小数量的层确定，在最小数量的层时，所形成的封装叠层包括穿过叠层的不多于一定最小数量的路径的所确定的在特定置信水平下的概率大于阈值。
如本文中所使用的，“构造(configuring)”设备、阻挡层、装置、系统、过程等等可以与“构造(structuring)”相同地互换。“构造成(configured to)”做某件事情的设备、阻挡层、装置、系统、过程等等可以可互换地指代“构造成(structured to)”作某件事情、“结构上配置成”做某件事情等等的设备、阻挡层、装置、系统、过程等等。
I设备的封装叠层保护
图1示出根据一些实施例的设备的透视图，该设备包括基板、设置在基板上的装置以及施加到装置的基板远端侧的封装层，封装层使设备对于至少一些环境元素钝化。设备100包括基板110、设置在基板的表面上的装置120和施加到装置120的基板远端表面的封装叠层130。
在一些实施例中，装置120包括电致变色(EC)装置。EC装置可以包括EC薄膜叠层和位于EC薄膜叠层的相对侧上的传导层。如本文中所指的EC薄膜叠层可以包括对抗电极(CE)层、电致变色(EC)层和两者之间的离子导电(IC)层。在一些实施例中，CE层或EC层之一构造成可逆地插入比如为阳离子或阴离子的离子，阳离子包括H+、Li+、D+、Na+、K+中的一个或多个，阴离子包括特别是由阳极(或相应的阴极)电致变色材料制成的OH-中的一个或多个；以及CE层或EC层中的另一者构造成可逆地插入所述离子，特别由阴极(或相应的阳极)电致变色材料制成的离子。在一些实施例中，IC层构造成包括电解质层。EC薄膜叠层的特征可以在于CE层或EC层中的至少一者可被构造成可逆地插入所述离子，包括由阳极或阴极电致变色材料制成的层，具有足够的厚度以允许全部离子在不使所述活性层电化学机能失调的情况下插入，其中，具有电解质功能的IC层包括基于从以下材料中选择的材料的至少一层：氧化钽、氧化钨、氧化钼、氧化锑、氧化铌、氧化铬、氧化钴、二氧化钛、氧化锡、氧化镍、与铝选择性地合金的氧化锌、氧化锆、氧化铝、与铝选择性地合金的二氧化硅、与铝或与硼选择性地合金的氮化硅、氮化硼、氮化铝、与铝选择性地合金的氧化钒以及锡氧化锌，这些氧化物中的至少一者被选择性地氢化或氮化，其中，CE层或EC层中的一个或多个包括以下化合物中的至少一种：钨W、铌Nb、锡Sn、铋Bi、钒V、镍Ni、铱Ir、锑Sb和钽Ta的氧化物、单独的或作为混合物，以及选择性地包括另外的金属，比如钛、铼或钴，以及其中，EC层或CE层中的一个或多个的厚度在70μm与250μm之间、在150μm与220μm之间等等。
EC薄膜叠层可以包括各种材料，包括氧化钨。CE层可以包括各种材料，包括一种或多种钨镍氧化物。IC层可以包括各种材料，包括一种或多种二氧化硅。电荷可以包括各种带电电解质物质，包括锂离子。IC层可以包括层区域、多层区域、界面区域、其某个组合等。包括界面区域的IC层可以包括EC层或CE层中的一个或多个的一种或多种部件材料。
在一些实施例中，EC装置的EC区域、传导层区域等等中的每一个可以具有相同或不同的尺寸、体积和/或表面面积。在其他实施例中，EC区域、传导层区域等等中的每一个可以具有相同或不同的形状(包括弯曲或弧形形状)。
在一些实施例中，装置120可以包括一个或多个不同类型的装置，包括一个或多个薄膜装置、光生伏打装置、有机发光二极管(OLED)装置等等。将理解的是，可以包括在装置120中的薄膜装置可以包括任何已知的薄膜装置。
如图所示，封装叠层130定位在集合装置120和基板110与外界环境140之间。本文中指代的外界环境可以包括周围环境、包括在装置的壳体内的内部环境、其某个组合等等。在一些实施例中，装置120和基板110中的一个或多个包括一个或多个环境元素敏感部分，在此也称为设备的环境元素敏感部分，封装叠层130限制所述环境元素在外界环境140与这些部分之间的渗透，由此保护设备100免于由于环境元素而被破坏和恶化。
图2示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备具有包括由于颗粒而形成的间隙空间缺陷的施加的阻挡层。设备200可以包括在以上实施例中的任一个中。设备200包括设备部分205的设备表面210和施加到表面210的阻挡层220。阻挡层220可被构造成限制环境元素经由层220在表面210与外界环境250之间的渗透。
在一些实施例中，阻挡层可能受损，这种受损可被称为阻挡层的至少局部“失效”，在此阻挡层的这种受损在阻挡层中产生环境元素能够通过其渗入的间隙、间隙空间等等。阻挡层的这种受损可以至少部分地基于在施加阻挡层220之前颗粒在设备表面210上的存在。在一些实施例中，颗粒可以具有所施加阻挡层的厚度的相当大比例、数倍等等的直径，这可以引起围绕颗粒的阻挡层的局部失效，这导致阻挡层中的间隙空间的形成。
例如，在图2所示的图解实施例中，施加到设备部分205的表面210的阻挡层220具有可以显著小于设备200上的颗粒230的厚度275的特定厚度270。在一些实施例中，阻挡层220是至少部分地符合表面210的外形的共形层。还如图所示，颗粒230存在于表面210上并且比阻挡层220的厚度大数倍。在一个非限制示例中，阻挡层厚度270可以为大约5纳米-100纳米的厚度，颗粒5230的厚度275可以为大约3000纳米-5000纳米的厚度，使得该特例具有至少数倍于阻挡层220的厚度的近似厚度。将理解的是，阻挡层220和颗粒的厚度可以包括其他厚度。在一些实施例中，其中颗粒230在向表面210上施加层220时存在于表面210上，施加过程不能将层220施加在颗粒230周围的空间中，导致在层220中形成间隙空间240。颗粒不能固定至表面210并且随后可以从其所示位置运动，由此使间隙空间240暴露于外界环境并且使得环境元素能够经由包括间隙空间240的渗透路径在环境250与设备200之间渗透。在一些实施例中，在层220共形的情况下，层220可以围绕颗粒230和在颗粒230之上施加。然而，至少部分地基于颗粒230相对于层220的厚度的显著尺寸，颗粒230之上的层220中的轮廓可以引起层220上的相对较高的应力，这可能引起颗粒230周围的层220的最终局部失效，导致形成间隙空间240。
在一些实施例中，设备200包括可以被从环境250穿透层220中的间隙空间240的环境元素破坏、恶化等等的一个或多个环境元素敏感部分。例如，设备200可以包括设置在基板上的装置，包括电致变色装置、OLED等等，在此表面210包括装置的表面，环境元素可以从环境250穿过间隙空间240渗入的装置的至少部分可以对所述环境元素敏感，间隙空间240的存在可以引起装置的破坏、恶化、失效等等。
图3示出根据一些实施例的设备的由于施加到设备的阻挡层中的间隙空间而随着时间逐渐恶化的多个视图。设备310可以包括在以上实施例中的任一个中。
在一些实施例中，包括对环境元素敏感的部分的设备可以基于环境元素穿过施加到设备的一个或多个阻挡层中的一个或多个间隙空间的渗透随着时间而恶化。在一些实施例中，这种恶化可以从相对小数量的间隙空间传遍相当大比例的设备，这能够引起设备的局部或完全失效。
例如在所示出的实施例中，设备310的几个视图沿着时间线301呈现于单独的点处，在此设备310包括环境元素敏感装置311。所示实施例示出了至少部分地基于施加到设备310的一个或多个阻挡层中的间隙空间的设备的恶化随着时间的逐渐蔓延。
所示时间线301示出了从时间点t＝0开始的时间“t”的进展状态，其中，t＝0为阻挡层施加于设备310的暴露表面并且阻挡层包括四个间隙空间的时间点。
如图所示，在第一时间戳“t1”302处，设备310A在t1处包括功能区域311，功能区域311未被破坏并且构造成执行功能，和包括相对于区域311无功能的四个不同的恶化区域312。例如，在设备310包括对一个或多个环境元素敏感的OLED装置的情况下，区域311可以包括可以发光的OLED的区域，区域312可以相对于区域312至少部分地恶化，使得区域312内的OLED的部分可以至少部分地基于区域312由于环境元素渗透的恶化而至少部分地不能发光。四个区域312中的每一个均与施加于设备310的相应的一个或多个阻挡层(图3中未示出)中的单独的间隙空间相关，在此环境元素能够从外界环境经由穿过一个或多个阻挡层的单独的路径渗入至设备310上的四个单独的点。每个单独的区域312可以包括环境元素经由穿过一个或多个阻挡层的单独的路径到达设备310的原点。
如在第二时间戳“t2”304处所示，设备310B在t2处包括相对于在时间t1处的区域312具有扩大尺寸的恶化区域314。由于环境元素可以在区域312内的点处穿过一个或多个阻挡层渗入至设备310，环境元素随后可以渗透穿过设备自身，使得恶化区域312可以随着时间扩大以包括设备310的更大比例。因此，如在时间304处所示，设备310B包括相对于时间302更小的功能区域311，四个单独的恶化区域314扩大。
如在第三时间戳“t3”306处所示，设备310C在t3处包括具有进一步扩大尺寸的恶化区域，使得四个单独的区域314合并成相对于功能区域311包括设备310C的大部分的单独恶化区域316。恶化区域的至少部分地基于渗透穿过设备310的环境元素的这种扩张能够引起整体设备310的显著恶化，使得设备可被视为至少部分地失去功能。例如，在设备310包括OLED以及恶化区域316不能相对于功能区域311发光的情况下，如在时间306处所示的OLED的恶化可以构成OLED的功能的显著丧失，使得OLED可被视为已失去有用功能。
在一些实施例中，图3所示的设备310的逐渐恶化可以在相对较短的经过时间段内发生。例如，在一些实施例中，在设备310至少部分地对氧气敏感的情况下，由渗透穿过施加于设备310的阻挡层中的单独间隙空间的氧气引起的恶化区域在暴露于氧气的一定天数时期内可以对自助的人类目视观察来说变得明显。
在一些实施例中，封装叠层可以包括可以包含一个或多个阻挡层的多个层，并且构造成相对于单独阻挡层对设备提供免受环境元素影响的加强的保护。
图4A-4B示出各自包括多层封装叠层的设备的局部截面图。图4A示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括交替的共形和渗透抵抗层的多层封装叠层。图4B示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括多个连续渗透抵抗层的多层封装叠层。图4A-4B中示出的设备400A、400B中的每一个可以单独地或组合地包括在上文实施例中的任一个中。
在一些实施例中，封装叠层包括多层叠层，多层叠层包括包含有机层和无机阻挡层的交替的有机/无机层，有机层可以包括聚合物、包含丙烯酸酯的单体等等，无机阻挡层构造成限制环境元素渗透，比如为包括SiO2或Al2O3的层。阻挡层可以包括多个随后沉积的二分体(dyad)，以实现低的水分渗透速度。这种叠层放松了微粒污染要求并且减小了穿过完整的封装叠层的路径的概率。叠层向设备的施加在真空中执行，有机层可以以液体施加并且快速固化。下一次沉积可以包括无机阻挡层等等。有机层可以是共形的并且可以共形地“涂布”缺陷并且防止缺陷包括一个或多个阻挡层中的间隙空间直接传播通过叠层。所产生的用于环境元素穿过叠层的路径可能非常曲折，使得可以减小渗透速度。
在一些实施例中，包括VITEXTM的封装叠层形成在可以包括PET的薄聚合物基板上。该叠层然后可以利用一种或多种不同的胶合剂层压至设备，胶合剂包括硅酮胶、比如为SENTRYGLASTM的“干”胶合剂等等。
图4A示出包括具有封装叠层440施加于其的表面412的设备部分410的设备400A，在此叠层440包括交替的有机层420A-C和无机阻挡层430A-B。如图所示，有机层420A-C各自均是共形的并且可以“涂布”存在于其上施加给定有机层的表面412上的颗粒444。例如，在颗粒444存在于表面410上时，层420A在施加于表面410时涂布颗粒444，使得颗粒嵌入在层420A内。另外，如图所示，每个层420A-C具有足够的厚度以使当施加时单独的层具有光滑的暴露表面，使得随后施加的无机层430施加在光滑表面上。如进一步示出的，在无机层430A的施加产生存在于层430A的暴露表面上的颗粒444的情况下，随后施加的有机层420B共形地涂布颗粒并且将颗粒嵌入层420B内。
如进一步示出的，尽管单独的阻挡层420A-B各自包括相应的层430A-B中的相应的间隙空间446A-B，环境元素可以贯穿叠层440以从环境490渗透至设备表面412的连续渗透路径480至少部分地基于多个阻挡层430A-B的存在以及约束交替的阻挡层430的有机层420的厚度而相对曲折。尽管有机层420A-C可以被环境元素渗透，但是相对增加的长度以及渗透路径480的盘绕至少部分地限制或至少阻止环境元素沿着路径480的渗透。此外，有机层420可以“填充”给定暴露表面中的缺陷，包括间隙空间、颗粒等等，使得这些缺陷不影响随后施加的阻挡层。
在一些实施例中，包括交替的阻挡层和有机层的封装叠层可以比不包括有机层的封装叠层基本更厚。这种厚度可以部分地基于涂布和在给定有机层内嵌入包括颗粒的缺陷的有机层的使用。例如，如图所示，在每个单独的阻挡层430A-B为大约20nm厚时，每个有机层为大约1000nm厚。因此，有机层420A-B嵌入基本大于阻挡层430A-B的厚度的颗粒444，同时仍然提供随后的阻挡层可以施加于其上的光滑暴露表面412。因此，封装叠层440具有3040nm的总厚度。在一些实施例中，包括交替的有机和无机阻挡层的封装叠层440可以至少部分地基于叠层440的厚度至少部分地对使设备410挠曲的应力敏感，包括压应力或拉应力中的一个或多个。
图4B示出包括施加于设备部分450的表面461的封装叠层460的设备400B。封装叠层460包括各自具有20nm的近似厚度的四个连贯的阻挡层462A-D，使得整体封装叠层460具有80nm的近似厚度。
如图4B所示，每个单独的阻挡层462可以包括特定于单独阻挡层的单独的缺陷，叠层中的多个阻挡层可以共同地限制环境元素渗透穿过单独层的单独缺陷。这种集合限制可以基于叠层460，叠层460构造成使得单独的阻挡层的单独缺陷被阻止共同地建立穿过整个叠层460的渗透路径。例如，在图4B的所示实施例中，每个层462A-D包括至少一个间隙空间440C，并且当层462B-D中每一个中的间隙空间共同地建立穿过从表面461延伸的叠层460的一部分的路径时，层462A中的间隙空间440C与层462B-D中的间隙空间不对准，使得该路径不穿过层462A延伸至环境490。因此，层462A-D中的单独的间隙空间440C不建立穿过叠层460的渗透路径。另外，由于有机层420不施加在叠层460中以涂布和嵌入颗粒，因此图4B中的叠层460的厚度基本小于图4A中的叠层440的厚度。
在一些实施例中，叠层460的单独的阻挡层462A-D连贯地施加以形成叠层460。颗粒在阻挡层施加于其的当前暴露的设备表面上的存在可以导致层变得受损。如关于图2所注意的，颗粒可以基本大于单独阻挡层的厚度。在图4B的所示实施例中，即使具有大约100nm的直径或“厚度”的单个颗粒也可以具有大于整个叠层460的厚度的直径。
在一些实施例中，限制在环境490与设备部分460之间的渗透的叠层460的施加可以包括经由在表面461上执行清洁过程从表面461去除颗粒，在此清洁过程从表面461去除颗粒。在一些实施例中，向当前暴露的设备表面施加阻挡层的过程可以导致一个或多个颗粒存在于所施加得层中，在此即使阻挡层施加在在前已经由清洁过程清除颗粒的表面461上，一个或多个颗粒也导致在所施加的层中形成一个或多个间隙空间。随后施加的阻挡层可以至少部分地填充给定暴露表面的间隙空间中，在暴露表面上、甚至是施加的阻挡层的暴露表面上执行的清洁过程可以产生随后的阻挡层可以施加于其上的暴露表面。在一些实施例中，封装叠层460的每个单独的阻挡层462A-D可以包括一个或多个单独缺陷，但是叠层460可以包括足够数量的阻挡层462A-D以防止存在经由对准的间隙空间形成并且穿过叠层中的每一个阻挡层的至少一定数量的连续渗透路径，由此限制环境元素渗透穿过叠层。在一些实施例中，一定数量的连续路径是1(一)个，使得叠层包括足够数量的阻挡层以防止存在穿过叠层的任何连续渗透路径。
图5A-H示出根据一些实施例的在设备上施加多层封装叠层的过程，包括在施加多个阻挡层中的每一个之前执行对当前暴露的设备表面的清洁。该过程可以关于包括在本文中包括的实施例中的任一个中的任何设备施加。
在图5A-H的所示实施例中，该设备最初包括设置在基板510的至少一部分上的基板510和装置520，封装叠层590以连续步骤的顺序施加于设备。图5A-5H中的设备的示出部分包括设置在可见基板510的整体上的装置520。将理解的是，设备的一些部分包括基板510的不通过装置520覆盖的部分。
图5A示出施加叠层590之前的设备。装置520设置在基板510上。如图所示，数个颗粒512存在于装置520的暴露表面511上，在此暴露表面511包含在暴露的设备表面中。在图5A中，表面511是当前暴露的设备表面。
图5B示出在当前暴露的设备表面511上经由执行清洁过程对当前暴露的设备表面511进行清洁。当清洁过程在表面511上执行时去除524颗粒512的至少一部分，使得表面511至少部分地清除颗粒。在图5B的所示实施例中，所执行的清洁过程包括通过流体源装置520引导以冲击表面511的流体522的射流，在此流体522承载颗粒512远离表面511。流体522可以包括任何已知的清洁流体，包括一种或多种溶剂，并且可以包括一种或多种状态的流体，包括气态、液态、其某个组合等等。
将理解的是，虽然图5A-H中示出的清洁过程示出为包括流体射流清洁过程，在图5A-H中执行的清洁过程中的每一个可以包括任何已知的清洁过程并且不限于流体射流清洁过程。
图5C示出阻挡层534在表面511上的施加。阻挡层534可以经由任何已知的阻挡层施加过程施加。所说明的过程示出提供阻挡层534的材料532以涂布当前暴露表面511以形成层534的施用器530。在一些实施例中，阻挡层包括经由“溅射”过程施加的薄膜阻挡层。在一些实施例中，阻挡层包括经由原子层沉积过程施加的薄膜阻挡层。可以理解包括其他阻挡层施加过程。
如图5C所示，尽管经由执行图5B中的清洁过程来清除颗粒512，但是图5C处的阻挡层564的施加形成包括颗粒536的阻挡层534，在此颗粒536引起阻挡层534中的缺陷，包括间隙空间535A-B。这些颗粒536可以沉积在设备上，作为施加阻挡层534的副效应。例如，图5C处施加的清洁度限制可以足够地松弛，使得颗粒536能够经由从施用器530设置到表面511上的材料流532沉积在设备上。如图5C所示，颗粒536的直径可以足够大，以产生延伸穿过整个所施加的阻挡层534的间隙空间535A-B。
如图5C所示，阻挡层534的施加形成设备的新的当前暴露表面531，其中表面531包括施加的阻挡层534的暴露表面。
图5D示出在当前暴露的设备表面531上经由执行清洁过程对当前暴露的设备表面531进行清洁。在图5D中的表面531上执行的清洁过程可以与在图5B中的表面511上执行的过程相似、不同、其某个组合等等。当清洁过程在表面531上执行时去除544颗粒536的至少一部分，使得表面531清除颗粒。在图5D的所示实施例中，所执行的清洁过程包括通过流体源装置540引导以冲击表面531的流体542的射流，在此流体542承载颗粒536远离表面531。流体542可以包括任何已知的清洁流体，包括一种或多种溶剂，并且可以包括一种或多种状态的流体，包括气态、液态、其某个组合等等。
如图5D所示，清洁过程在表面531上的执行导致暴露间隙空间535A-B。由于暴露的间隙空间暴露了表面511的部分，因此图5D中的当前暴露的设备表面包括暴露表面511和通过间隙空间535A-B暴露的表面511的相应的部分。随后施加的阻挡层可以填充间隙空间中的一个或多个，由此密封间隙空间并且防止环境元素渗透穿过一个或多个间隙空间。
图5E示出阻挡层554在图5D中示出的当前暴露的设备表面上的施加。阻挡层554可以经由任何已知的阻挡层施加过程施加。所说明的过程示出提供阻挡层554的材料552以涂布当前暴露表面531、511以形成层554的施用器550。在一些实施例中，阻挡层包括经由“溅射”过程施加的薄膜阻挡层。在一些实施例中，阻挡层包括经由原子层沉积过程施加的薄膜阻挡层。可以理解包括其他阻挡层施加过程。
如图5E所示，所施加的阻挡层554填充间隙空间535A。作为阻挡层554，如同层534，包括环境元素渗透抵抗材料，间隙空间535A的填充密封间隙空间535A以便不允许环境元素渗透穿过间隙空间535A。
如图5E所示，尽管表面531经由执行图5D中的清洁过程清除颗粒536，使得暴露间隙空间535A-B，阻挡层554在图5E处的施加形成包括颗粒556的阻挡层554，在此颗粒556导致阻挡层554中的缺陷，特别是间隙空间545A-B。这些颗粒556可以沉积在设备上，作为阻挡层554的施加的副效应。另外，如图所示，由颗粒556形成的间隙空间545B之一与间隙空间535B对准，使得存在从装置520穿过两个层534、554的渗透路径。
如图5C所示，阻挡层534的施加形成设备的新的当前暴露表面551，其中表面551包括施加的阻挡层554的暴露表面。
图5F示出清洁过程在当前暴露的设备表面551上的执行。在图5E中的表面551上执行的清洁过程可以与在图5B中的表面511和图5D中的表面531上执行的过程相似、不同、其某个组合等等。当清洁过程在表面551上执行时去除564颗粒556的至少一部分，使得表面551清除颗粒。在图5F的所示实施例中，所执行的清洁过程包括通过流体源装置560引导以冲击表面551的流体562的射流，在此流体562承载颗粒556远离表面551。流体562可以包括任何已知的清洁流体，包括一种或多种溶剂，并且可以包括一种或多种状态的流体，包括气态、液态、其某个组合等等。
如图5F所示，清洁过程在表面551上的执行导致暴露间隙空间545A-B。由于暴露的间隙空间暴露了表面531和表面511的部分，因此图5F中的当前暴露的设备表面包括通过间隙空间555A-B暴露的表面531、511的相应的部分。随后施加的阻挡层可以填充间隙空间中的一个或多个，由此密封间隙空间并且防止环境元素渗透穿过一个或多个间隙空间。
图5G示出阻挡层574在图5F中示出的当前暴露的设备表面上的施加。阻挡层574可以经由任何已知的阻挡层施加过程施加。所说明的过程示出提供阻挡层574的材料572以涂布当前暴露表面的施用器570，当前暴露表面包括形成层574的表面551、531、511。在一些实施例中，阻挡层包括经由“溅射”过程施加的薄膜阻挡层。在一些实施例中，阻挡层包括经由原子层沉积过程施加的薄膜阻挡层。可以理解包括其他阻挡层施加过程。
如图5G所示，所施加的阻挡层574填充间隙空间545A-B和535B。作为阻挡层574，如同层554、534，包括环境元素渗透抵抗材料，间隙空间545A-B、535A的填充密封间隙空间以便不允许环境元素渗透穿过间隙空间535A。此外，如图5G所示，由于全部间隙空间暴露表面511被填充，因此不存在装置520的表面511与外界环境之间的渗透路径。
图5H示出经由在由施加的阻挡层574引起的当前暴露的设备表面上执行清洁过程来清洁当前暴露的设备表面。当前暴露的设备表面包括层574和层554的暴露表面。在图5H中的当前暴露表面上执行的清洁过程可以与在图5B中的表面511和图5D中的表面531上执行的过程相似、不同、其某个组合等等。当清洁过程在在表面上执行时去除584颗粒586的至少一部分，使得表面清除颗粒。在图5H的所示实施例中，所执行的清洁过程包括通过流体源装置580引导以冲击表面的流体582的射流，在此流体582承载颗粒586远离当前暴露表面。流体582可以包括任何已知的清洁流体，包括一种或多种溶剂，并且可以包括一种或多种状态的流体，包括气态、液态、其某个组合等等。
在一些实施例中，可以缺少图5H中示出的清洁过程，这至少是因为不存在穿过叠层590的连续渗透路径。
图6示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括构造成包括多个连贯地施加的渗透抵抗层的多层封装叠层，其中在每一层施加之前清洁当前暴露的设备表面。设备、封装叠层等等中的一个或多个可以包括在本文中实施例中的任一个中。
设备600包括基板610、设置在基板上的装置620以及施加在设备上的封装叠层670，在此封装叠层670施加于装置620的至少基板远端表面621。
在一些实施例中，经由连续阻挡层施加而施加的封装叠层，在此每个阻挡层施加在对当前暴露的设备表面执行清洁过程之后进行，产生多层叠层，在此一个或多个单独的阻挡层包括一个或多个间隙空间，间隙空间通过一个或多个随后施加的阻挡层填充。因此，单独的阻挡层中的单独缺陷可以通过其他阻挡层减轻，使得叠层中的多个阻挡层不包括在包括装置的设备的环境元素敏感部分与外界环境之间的穿过封装叠层的连续渗透路径。这种减轻可以至少部分地基于在每个阻挡层施加之前、在连续的阻挡层施加之间介入、其某个组合等等，在当前暴露的设备表面上执行清洁过程。
例如，如图6所示，封装叠层670包括三个单独的且连贯地施加的阻挡层630、640、650，其中每个单独的阻挡层包括多个间隙空间。层630包括三个间隙空间632A-C，层640包括三个间隙空间642A-C，层650包括两个间隙空间652A-B。如图所示，所施加的阻挡层640填充层630的间隙空间632A-B，由此密封这些间隙空间632A-B，防止在装置620与外界环境之间形成穿过叠层670的路径的一部分。另外，层650填充层640的间隙空间642A-C。
在一些实施例中，可以使封装叠层中的相邻阻挡层的至少一些间隙空间对准，在本文中还称为相邻阻挡层“重叠”的间隙空间，使得间隙空间在不被填充的情况下可以形成穿过至少相邻层的连续渗透路径。在一些实施例中，封装叠层包括足够数量的阻挡层，使得至少最小数量的连续渗透路径延伸穿过叠层中的全部阻挡层的概率小于对于一个或多个特定置信水平的阈值。例如，在所示实施例中，可以基于对包括三个连贯地施加的阻挡层的封装叠层将包括穿过叠层的至少一个连续渗透路径的概率小于1％的阈值的具有95％置信度的判定，在每个阻挡层施加之前在当前暴露的设备表面上执行清洁过程的情况下，将三个阻挡层630、640、650连贯地施加于设备600。
在所示实施例中，尽管层630、640的间隙空间632C和642C重叠，但是随后施加的层650填充在两个间隙空间中，由此密封间隙空间642C、632C防止形成穿过叠层670的全部层的连续渗透路径的一部分。虽然层650可以自身包括间隙空间652A-B，这些间隙空间中没有一个与相邻层的任何间隙空间对准。因此，多个阻挡层630、640、650不包括穿过三个层的连续渗透路径，由此使得叠层670与穿过叠层670的任何渗透路径无关。
如图6所示，在一些实施例中，封装叠层中所施加的阻挡层至少部分地是共形的，使得施加在缺陷上的阻挡层可以至少部分地遵循缺陷的轮廓。如图所示，阻挡层640的填充间隙空间632A-B的部分包括每一个填充的间隙空间上的相应的凹坑。随后施加的层650不包括在前施加的层640的凹坑的每一个之上的这种凹坑。
在一些实施例中，封装叠层可以包括相对于多个连贯地施加的阻挡层的一个或多个另外的层，一个或多个另外的层提供除对封装叠层的环境元素渗透抵抗以外的特性。这种特性可以包括抗反射、暴露表面光滑化等等。这种另外的层可以随后施加以施加多个阻挡层，使得穿过另外的层的环境元素的任何渗透通过多个阻挡层被限制渗透整个叠层。在所示实施例中，例如，叠层670包括另外的外层660，另外的外层660填充层650的间隙空间652A-B、嵌入存在于层650的暴露表面上的任何颗粒并且导致光滑的暴露表面661。虽然层660可以由环境元素至少部分地可渗透，多个阻挡层630、640、650限制环境元素渗透至装置620。在一些实施例中，层660可以包括一种或多种不同的材料，包括一种或多种聚合物材料、单体材料等等。层660例如可以包括相对于叠层670中的多个阻挡层更厚的聚合物材料。
图7A-7D示出根据一些实施例的可以在当前暴露的设备表面上执行的各种清洁过程。这种清洁过程可以执行为施加包括在本文中的封装叠层的实施例中的任一个的一部分。任何清洁过程可以在其上执行的当前暴露的设备表面可以包括包含在本文中实施例中的任一个的任何设备。在一些实施例中，在当前暴露的设备表面上执行清洁过程包括在当前暴露的设备表面上执行两个或更多个单独的清洁过程。
图7A-D中所示实施例中的每一个说明了在设备700的当前暴露表面721上执行清洁过程，在此设备700包括在将所说明的清洁过程在表面721上执行之前施加至设备的部分710的阻挡层720，阻挡层720包括通过在执行所说明的清洁过程中任一个之前至少部分地位于间隙空间的颗粒724形成的间隙空间722。
图7A示出包括将刷涂装置施加至当前暴露的设备表面的清洁过程，其中基于刷涂装置相对于设备的运动，刷涂装置从表面去除颗粒、暴露包括在其中的间隙空间、其某个组合等等，使得刷子“扫过”表面的表面面积的至少一部分。如图所示，刷涂装置730在表面721上运动，至少部分地与表面721物理接触，使得刷涂装置730的至少一部分在颗粒724位于其中的间隙空间722上运动时从间隙空间722去除颗粒724。刷涂装置730可以使颗粒724去除以免于与设备700的任何部分物理接触。在一些实施例中，刷涂装置的施加包括以下中的一个或多个：施加多个刷涂装置以在表面721的各个部分上运动，施加多个刷涂装置以沿相对于表面721的不同方向在表面721的公共部分运动，施加单个刷涂装置730以沿相对于表面721的不同方向在表面721的公共部分上运动，施加单个刷涂装置7340以沿相对于表面721的不同方向在表面721的不同部分上运动，其某个组合等等。在一些实施例中，刷涂装置730向设备700的表面721的施加包括使设备700相对于安装在固定位置中的刷涂装置730运动，使得刷涂装置730在表面721上运动。
图7B示出包括向当前暴露的设备表面721施加擦洗装置的清洁过程，其中擦洗装置基于擦洗装置擦洗表面721从表面去除颗粒、暴露包括在其中的间隙空间、其某个组合等等，使得擦洗装置740在表面的表面面积的至少一部分上运动并且去除装置所遇到的颗粒。如图所示，擦洗装置740可以包括擦洗头部742的辊子装置，其中，该装置沿着其长轴旋转以使头部742擦洗表面721的部分。装置740可以在表面721上运动，同时装置740滚动，使得头部742的至少一部分在颗粒724位于其中的间隙空间722上运动时从间隙空间722去除颗粒724。擦洗装置740可以使颗粒724去除以免于与设备700的任何部分物理接触。
图7C示出包括向设备的当前暴露的设备表面721施加流体流722的清洁过程，其中流体流从表面721去除颗粒724。流体流可以通过一个或多个施用器750提供，在此施用器750可以引导流体流722从而以相对于表面721的一个或多个角度冲击表面。在一些实施例中，流体流包括流体射流，比如如上参照图5A-5H所述。流体可以包括一种或多种不同的流体，包括一种或多种液体、气体、固体、其某个组合等等。例如，流体流可以包括包含也称为二氧化碳“薄片”的冻结二氧化碳、干冰颗粒、二氧化碳“雪”等等的流。施用器750可以引导跨过当前暴露表面的包括固体二氧化碳、气体二氧化碳等等中的一者或多者的流体流722，其中，薄片可以经由在颗粒上施加气动阻力、动量传递、溶解经由液化薄片的冲击应力感应的颗粒、其某个组合等等中的一个或多个从表面去除颗粒。在另一个示例中，流体流可以包括气泡射流，气泡射流可以包括共同流体流中的液态和气态材料、物质等等的混合物。在一些实施例中，流体722包括溶剂流体，溶剂流体在接触颗粒724时可以通过至少部分地断裂颗粒724的物理结构来至少部分地去除颗粒。在一些实施例中，图7C中所示的清洁过程的执行包括当施用器750施加流体流722时使流体施用器相对于表面721运动、沿定向调整、其某个组合等等，使得流体流在表面721的各个部分上可调整地引导。
图7D示出包括向当前暴露的设备表面施加流体液滴和向表面施加声波以使液滴移位形成表面的颗粒724的清洁过程。这种移位可以基于液滴的由于所施加的声波的振动、液滴的由于所施加的声波的内爆、其某个组合等等。如图所示，流体液滴施用器762可以向表面721提供液滴763，声波发生器764可以提供声波765，声波765在到达设置在表面721上的液滴766时干扰767液滴766，使得受干扰的液滴767使颗粒724从其在表面721上的静止位置移位，包括从间隙空间722移位。在一些实施例中，声波765包括超声波。在一些实施例中，受干扰的液滴767是由于超声波765在液滴766上的施加而至少部分地内爆的液滴。在一些实施例中，使颗粒724上的液滴767内爆的力可以迫使颗粒724从其在间隙空间722中的静止位置移位。在一些实施例中，发生器764是光束发射器，包括激光束源，波765是由发生器764引导到当前暴露表面上的引起提供到表面上的液滴767、气泡等等的内爆(也称为气穴作用)的一个或多个光束。
在一些实施例中，经由至少部分执行图7A-7D的所示清洁过程中的任一个来清洁当前暴露的设备表面721，包括引起图7A-7D所示的各个装置730、740、750、762、764的运动、调节、操作、其某个组合等等，通过可以由一个或多个计算机系统执行的一个或多个控制系统控制。
图8示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括基板和施加到基板的表面的封装叠层。设备800可以包括在本文中的实施例中的任一个中。
在一些实施例中，设备的至少一部分包括基板，并且没有任何设置的装置，使得封装叠层施加于基板的表面。例如在所示实施例中，设备800包括具有表面801的基板810，可以包括连贯地施加的阻挡层的多个层的封装叠层820可以经由在每个阻挡层施加之前在当前暴露的设备表面上执行清洁过程的情况下连续施加多个阻挡层来施加于基板810的表面801。
图9示出根据一些实施例的设备的透视图，该设备构造成至少部分地是柔性的并且包括封装叠层。设备900可以包括在本文中的实施例中的任一个中。
在一些实施例中，设备900构造成相对于参考平面950至少部分地弯曲。在一些实施例中，该设备构造成使设备的多个单独的部分相对于平面950沿多个不同的方向弯曲。如图所示，设备900构造成使得设备的一端可以相对于平面950沿正方向以至少一个角度942弯曲，而设备的另一端相对于平面950沿反方向以至少一个角度944弯曲。在一些实施例中，设备900指的是至少部分柔性的设备。如图所示，设备900可以包括基板910、设置在基板910上的装置920以及施加于装置920的基板远端表面的封装叠层930。可以包括在本文中包括的任何封装叠层实施例的封装叠层930构造成在不失效、恶化等等的情况下随设备900一起弯曲。因此，包括在多层封装叠层930中的各个阻挡层构造成弯曲。
图10示出根据一些实施例的设备的局部截面图，该设备包括基板、设置在基板的一部分上的装置以及施加到设备的表面的封装叠层，使得封装叠层覆盖装置的至少一些部分以及基板的至少一些暴露部分。设备900可以包括在本文中的实施例中的任一个中。
在一些实施例中，设备包括设置在基板的受限部分上的装置，可以包括在本文中包括的任何封装叠层实施例的多层封装叠层施加于装置和其上不设置装置的基板的至少一些部分。例如，如图10所示，设备1000包括设置在基板1010的一部分上的装置1020。装置1020可以包括在本文中包括的任何实施例中包括的任何装置，包括EC装置。如图所示，封装叠层1030施加于设备，在此封装叠层1030施加于1020装置的基板远端表面、延伸至基板1010表面的装置1020表面以及不设置装置1020的基板1010表面的部分1040。因此，装置1020的表面中的一些或全部由叠层1030覆盖，从而限制环境元素从装置1020的多个表面渗透至装置1020。在一些实施例中，施加于部分1040的叠层1030限制环境元素渗透至基板1010，基板1010可以保护基板以防环境元素恶化、防止环境元素经由基板1010渗透至装置1020、其某个组合等等。
在一些实施例中，封装层可以包括层压在设备的表面的顶部上的多层叠层。例如，封装叠层可以包括多个阻挡层，多个阻挡层可以包括形成在基板上的多层叠层，基板可以层压在可以包括EC薄膜叠层的装置上。基板可以包括抵抗水分渗透穿过基板的薄玻璃基板、聚合物基板等等。多层叠层可以包括一个或多个AR层、IR切除过滤层等等。在一些实施例中，多层叠层至少部分地能够渗透水分，多层叠层形成于其上的基板是抵抗水分渗透的，因此包括基板和多层叠层的封装层抵抗水分渗透。基板可以经由一种或多种不同的胶合剂、一个或多个标引适配层等等层压至EC薄膜叠层。
在一些实施例中，包括在本文中包括的实施例中的一个或多个中的设备包括设置在基板上的装置，在此装置包括电致变色(EC)装置。该装置可以包括多层装置，在此各个层可以具有一个或多个不同的形状和大小。EC装置可以包括EC薄膜叠层和位于EC薄膜叠层的相对侧上的传导层。
图11示出根据一些实施例的构造成在EC薄膜叠层的不同区域中在单独的透射模式之间切换以及构造成选择性地加热传导层的对应于EC薄膜叠层区域中的一个或多个的一个或多个区域的卵形EC装置的透视图。EC装置1100至少包括EC薄膜叠层1102、位于EC薄膜叠层1102的相对侧上的传导层1104、1106以及联接至传导层中的单独各层的电极1108A-B、1109A-B。
在一些实施例中，EC装置包括在照相机装置的一个或多个部分中。EC装置可以构造成在单独的透射模式之间切换以增强照相机装置操作。例如，EC装置可以包括在照相机光圈装置中，在此EC装置构造成在单独的透射模式之间切换以选择性地变迹(apodize)照相机光圈。这种EC装置可以构造成将EC装置的特定区域切换至与EC装置的其他区域不同的透射水平。在一些实施例中，这种特定区域可以是EC装置的环形区域。在一些实施例中，当需要快速且一致地切换特定区域时，EC装置构造成选择性地加热EC装置的至少特定区域。
在一些实施例中，EC装置1100包括在照相机装置中并且构造成变迹穿过照相机装置的光，使得相对于镜头的中心更少的光穿过照相机的镜头的外周。变迹可以包括使EC装置1100变迹，在此EC装置包含在照相机装置的光圈中。这种变迹引起捕获在图像中的焦点外元素的边缘处的散射。这种散射引起焦点外元素的光滑化，并且使得目标能够相对于焦点外元素更加鲜明地突出。
在一些实施例中，变迹照相机光圈能够实现照相机的图像的增大的分辨率，这是因为可以减小照相机传感器上的目标的图像周围的衍射图样。例如，缩小穿过镜头外周的光的数量的变迹光圈可以产生目标的图像，在此如果没有完全去除，则目标的图像周围的艾里图形的强度减小。另外，可以减轻光传感器对镜头中的色差的灵敏度。
在一些实施例中，EC装置1100构造成在单独的透射水平之间选择性地切换单独的EC区域，使得EC装置可以选择性地变迹照相机装置的光圈、镜头等等中的一个或多个。
例如，在所示出的实施例中，EC装置1100具有可以包括圆形的卵形形状，并且构造成使EC薄膜叠层1102在至少两个透射水平之间切换，使得EC装置1100的特定环形区域1114比剩余区域1112、1116切换至更低的透射水平。这种构造可以包括对应于区域1114的传导层之一中的阻抗的变化，以将EC薄膜叠层的相应区域上的电位差构造成大于对应于区域1112、1116的EC区域上的电位差。这种构造可以包括在对应于区域1112、1114、1116的区域中的EC薄膜叠层中的一个或多个层中的离子淌度的变化。如图所示，电极1108A-B、1109A-1109B可被构造成沿行EC装置1100的弧度，以相对电极直线延伸的一些实施例相对于层1102、1104、1106的弧度促进电荷分布在整个EC装置1100上的提高的均匀性。
在一些实施例中，不同数量的电极组联接至EC装置中的一个或多个传导层。单独的传导层可以包括联接至相应的传导层的不同数量的电极组。例如，传导层1106可以包括单组的两个电极1109A-B，而传导层1104可以包括两组的每组两个电极，总共联接至层1104的四个电极。给定组的电极可以包括联接至传导层的不同区域的两个或更多个电极。在一个示例中，包括如图11所示，一组电极中的单独的电极1109A-B可以联接至传导层的相对边缘。将理解的是一组电极可以联接至层的不同区域，在此不同的区域不是传导层的相对边缘。在一些实施例中，当多个组传导层联接至传导层时，一组或多组电极可以构造成用于引起单独的传导层之间并且跨过EC薄膜叠层的电位差，以使得EC薄膜叠层切换透射模式，同时单独的一组或多组电极可被构造成用于引起传导层上的电流、电位差等等，以引起传导层的一个或多个特定受限区域的选择性加热。在一些实施例中，联接至传导层的单独的电极围绕传导层的一个或多个边缘均匀地间隔开，使得在单独的电极之间感应的电流比电极不均匀间隔的情况下基本更加均匀。穿过层的电流分配的这种增强的均匀性可以提高相应的EC薄膜叠层区域的切换的均匀性、不同的传导层区域的加热的均匀性等等。如图11所示，联接至卵形或圆形传导层的电极可以联接至层的不同区域，使得电极组接近传导层的边缘周围的盘状电极。在另外的电极组联接至传导层的情况下，例如，两组的每组两个电极，组中的电极可以围绕传导层的圆周等间距地间隔开，在此电极围绕圆周以交替组电极联接。将理解的是，所公开的传导层和联接于其上的电极包括联接至EC装置等等中的EC薄膜叠层的相对侧上的不同传导层的联接至层的任何数量的电极组、联接至层的每组多个电极、联接至层的电极排列、多个电极、电极组等等。例如，EC装置1100可以包括联接至传导层1104、1106的八个电极，在此两组的每组两个电极，总共四个电极，联接至层1104并且围绕层1104的圆周等间距地间隔开，同时两组的每组两个电极，总共四个电极，联接至层1106并且围绕层1106的圆周等间距地间隔开。
在一些实施例中，包括以上所示和所述的各种设备中的一个或多个的设备构造成限制环境元素在EC装置的EC薄膜叠层与外界环境之间渗透。
在一些实施例中，在本文中也称为“被钝化的”环境元素抵抗设备包括单个基板，EC装置的多个层或层地叠层设置在单个基板上。单个基板可被用于限制整体设备的厚度。多个层可以构造成限制水分在EC薄膜叠层与外界环境之间渗透。设备的这种构造可以称为使设备“钝化”，构造成限制水分在EC薄膜叠层与外界环境之间渗透的设备可以称为“被钝化的”设备。
这种构造或“钝化”可以包括在设备的多个层中提供至少一个封装叠层。封装叠层抵抗水分渗透，至少一个封装叠层可以在EC装置中延伸跨过各个层至覆盖各个层的各个部分，包括边缘部分，免于暴露于外界环境。在一些实施例中，封装叠层包括抗反射(AR)层、红外切除过滤(IR切除)层中的一个或多个，使得封装叠层构造成同时阻挡水分并且执行EC装置的一个或多个不同的功能，包括当层包括AR层时减轻反射。在一些实施例中，EC装置包括包含用于使离子能够在层之间运动的水的质子装置。封装叠层可以至少部分地限制质子装置中的水离开装置并且进入外界环境。
在一些实施例中，设备包括共同地限制水分在EC薄膜叠层与外界环境之间渗透的至少一个封装叠层和一个或多个传导层。在一些实施例中，在EC装置的多个层上仅设置封装层不足以防止环境元素在EC薄膜叠层与外界环境之间渗透，这是因为EC装置层的暴露的边缘部分可以输送至少一些环境元素。将设备构造成使得多个层中的层的仅暴露边缘部分包括至少一个封装层和一个或多个传导层可以产生被钝化的EC装置，在此传导层的暴露边缘部分抵制水分渗透。在一些实施例中，传导层包括一个或多个透明传导层，也称为抵制水分渗透的透明传导氧化物(TCO)。因此，传导层可以延伸至边缘并且在一个或多个边缘部分处暴露于外界环境，同时EC薄膜叠层保持覆盖免受外界环境影响。
在一些实施例中，传导层包括多个元素，包括环境元素渗透抵抗外部部分以及被外部部分覆盖以免暴露于外界环境的环境元素传递内部部分。例如，传导层可以包括传递水分的内部透明传导氧化物部分以及抵制水分渗透的一个或多个外部不透明传导部分。外部部分可以暴露于外界环境，使得透明传导氧化物能够被保护免于环境元素渗透。
在一些实施例中，被钝化的设备包括构造成使得EC装置以均匀和对称的径向光密度分布在单独的透射状态之间切换的一组或多组母线。每组母线可以包括在装置的第一侧上联接至EC装置的传导层之一的母线和在装置的相对侧上联接至传导层中的另一个的另一个母线。组中的单独的母线可被构造成以彼此间隔方式一致地延伸。在EC装置为圆形的情况下，组中的母线可以弯曲以彼此的固定距离延伸。
在一些实施例中，设备包括多个单独的封装叠层，包括位于EC薄膜叠层与外界环境之间的顶部封装叠层和位于EC薄膜叠层与基板之间的底部封装叠层。在单个基板传递水分的情况下可以存在底部封装叠层。在单个基板构造成抵制水分渗透的情况下，设备可以不存在底部封装叠层。在一些实施例中，设备包括一个或多个基板。
如本文中所引用的，包括在设备中的基板可以包括一种或多种不同的材料。基板可以包括一种或多种不同的透明材料，包括一种或多种玻璃、晶体材料、聚合物材料、单体材料、其某个组合等等。晶体材料可以包括蓝宝石、锗、石英、硅等等中的一种或多种。聚合物材料可以包括PC、PMMA、PET、PEN、氟聚合物、Kapton等等中的一种或多种。在一些实施例中，基板可以包括超薄玻璃(UTG)。例如，基板可以包括WillowTM玻璃、AF生态薄玻璃、T薄玻璃、G-leafTM柔性玻璃、其某个组合等等中的一种或多种。基板可以包括一种或多种热回火材料、化学回火材料等等。例如，基板可以包括GORILLA GLASSTM。在另一个示例中，基板可以包括热加强玻璃。在另一个示例中，基板可以包括具有一个或多个不同的热膨胀系数的材料，包括低CTE(热膨胀系数)玻璃、高CTE玻璃、其某个组合等等中的一种或多种。在另一个示例中，基板可以包括化学加强玻璃、包括GORILLA GLASSTM的化学回火玻璃、化学回火硼硅玻璃等等中的一种或多种。在一些实施例中，基板包括透明或反射材料中的一种或多种，包括可以反射电磁波谱的至少一个波长的材料。基板可以具有一个或多个不同的厚度。例如，基板可以具有在1微米至100微米厚之间(包括端点)的一个或多个厚度。基板可以包括IGU、TGU、层压物、整块基板等等中的一种或多种。
图12A-12B示出根据一些实施例的包括EC装置、设置在EC装置上的封装叠层1270和联接至EC装置的一组或多组母线1280、1282的设备1200，使得一组母线1280联接至底部传导层1208的至少外部部分1284，另一组母线1282联接至顶部传导层1240的外部部分。设备1200可以包括在本文中的实施例中的任一个中。例如，封装叠层1270、1204可以各自包括包含多个连贯地施加的阻挡层的多层封装叠层，其中每个阻挡层施加在当前暴露表面上执行的单独的清洁过程之后进行。
如图所示，在一些实施例中，顶部封装叠层1270设置在EC装置的一部分上，使得顶部封装叠层覆盖EC薄膜叠置层1210、1220的一个或多个暴露边缘部分1252，由此完成EC薄膜叠置层1210、1220的边缘部分与外界环境的隔离。
在一些实施例中，传导层的外部部分1284、1286是与相应层1208、1240的其余部分分开的材料。例如，暴露于外界环境的外部部分1284、1286可以包括抵制水分渗透的不透明传导材料，同时层1208、1240的其余部分包括传递水分的透明传导材料，包括TCO。因此，传导层的外部部分1284、1286与封装叠层1270、1206共同地防止环境元素在外界环境与EC薄膜叠置层1210、1220之间渗透。所示出的顶部封装叠层最小地足够完成EC薄膜叠置层1210、1220的隔离，使得各个封装叠层1206、1270与传导层1208、1240共同地隔离EC薄膜叠置层1210、1220，使得限制环境元素在EC薄膜叠层与外界环境之间的渗透。
如图所示，图12B示出设备1200的两个不同的截面“A”和“A”’，截面A和A’彼此垂直。因此，设备1200的第一侧与设备1200的第二侧偏离90度。
如上所述，顶部封装叠层1270可以包括AR层、IR切割层等等中的一个或多个。在一些实施例中，封装叠层1270包括交替的高折射率材料和低折射率材料的密集多层结构(例如达到100层)。交替层中的每一个可以达到5微米厚。在一些实施例中，顶部封装叠层1270覆盖EC薄膜叠层、传导层和母线。由于封装的厚的多层结构，因此封装叠层可以减小环境元素渗透，使得EC薄膜叠层被充分地保护并且不需要顶部基板来限制环境元素渗透。
II封装叠层施加
图13示出根据一些实施例的包括封装叠层施加系统的设备制造系统1300。该系统可以制造包括在本文中包括的实施例中的任一个中的任何设备。
制造系统1300包括构造成容纳包括基板1302的设备1301的装置提供系统1310。系统1310构造成在基板1302的至少一个表面上提供至少一个装置1303，使得系统1310提供被改进成使得设备1301包括基板1302和设置在基板的至少一个表面上的至少一个装置1303的设备1301。如本文中所指代的，设置在基板上的装置可以包括沉积在基板上的装置。在一些实施例中，装置经由与沉积分开的一个或多个过程设置在基板上，包括例如经由一种或多种胶合剂粘合至基板。
制造系统1300包括构造成容纳具有基板1302和所提供的装置1303的设备1301的封装叠层施加系统1320。系统1320构造成向设备1301施加多层封装叠层，使得系统1320提供包括施加于至少一个设备表面1301的多层封装叠层1305的设备1301。如图所示，当设备1301包括施加于基板1302的受限部分的装置1303时，系统1320可以将封装叠层1305施加至装置1303的一个或多个表面以及不设置装置1303的基板的一个或多个部分。如以下进一步所述的，系统1320在向设备1301施加叠层1305时可以向设备施加多个连续阻挡层，并且在清洁当前暴露的设备表面之后进行每个阻挡层施加，将清洁当前暴露的设备表面介入连续阻挡层施加，其某个组合等等。
在一些实施例中，系统1300包括通信地联接至一个或多个系统1310的至少一部分的控制系统1330。可以通过一个或多个计算机系统执行的控制系统1330可以控制包括在系统1310、1320中的一个或多个中的一个或多个装置。
图14示出根据一些实施例的在先清洁当前暴露表面的情况下在设备上施加多个阻挡层的图13所示的封装叠层施加系统1320。该系统可以施加包括在本文中包括的实施例中的任一个中的任何封装叠层。
系统1320容纳包括基板1401和设置在基板的至少一部分上的装置1403的设备1400。如图所示，设备可以包括可能存在于设备1400的当前暴露表面1413上的至少一些颗粒1412，在此当前暴露的设备表面1413包括装置1403的暴露表面和基板1401的暴露表面。
系统1320包括可被控制以清洁当前暴露的设备表面1413的设备清洁装置1420，由此去除表面1413上的颗粒1412。在所示出的实施例中，装置1420包括提供流体流1422的流体流施用器1421，流体流1422冲击表面1413并且去除表面1413上的颗粒1412。将理解的是，为了清洁当前暴露的设备表面，清洁装置1420可以构造成执行包括在本文中的清洁过程中的任一个。清洁装置1420可被控制以经由施用器1421的控制可控地引导、移动、再定向等等流体流1422，由此在表面1413上执行清洁过程。
系统1320包括阻挡层施加装置1430，阻挡层施加装置1430可被控制以在当前暴露的设备表面1413上施加阻挡层1405。所产生的设备1400包括包含层1405的暴露表面的当前暴露的设备表面1433。如图所示，阻挡层1405的施加通过装置1430的施用器1431执行，在此施用器1431提供在表面1413上形成层1405的材料1432。装置1430的各个实施例可被构造成经由一个或多个不同的施加过程施加阻挡层1405，包括包含在本文中的施加过程中的任一个。如还示出的，阻挡层1405的施加可能导致颗粒1434存在于层1405上或至少部分地存在于层1405内，使得颗粒1434导致形成延伸穿过层1405的厚度的一部分或全部的间隙空间。如图所示，所示颗粒1434导致形成延伸穿过层1405的厚度的整体的两个相应的间隙空间。这些颗粒可以作为由装置1430施加阻挡层的负效应、作为装置1430中和周围的宽松清洁度要求的副效应、其某个组合等等而提供。阻挡层施加装置1430可被控制以可控制地引导、移动、再定向等等施用器1431，由此在表面1413上执行阻挡层1405的施加。
如图所示，系统1320可以包括可以在施加阻挡层1405的同时观察设备并且监控施加的阻挡层中的缺陷的传感器装置1440。在一些实施例中，传感器装置1440包括在施加阻挡层1405之后产生与当前暴露表面1433相关的图像数据的照相机装置，其中图像数据可用于确定层1405中的间隙空间的数量、分布、尺寸等等。由传感器装置1440产生的传感器数据，包括图像数据，可被用于确定多少阻挡层施加至设备、是否向表面1433施加一个或多个另外的层、其某个组合等等。
系统1320包括可被控制以清洁当前暴露的设备表面1433的设备清洁装置1450，由此去除表面1433上的颗粒1434。在所示出的实施例中，装置1450包括提供流体流1452的流体流施用器1451，流体流1452冲击表面1433并且去除表面1413上的颗粒1434。将理解的是，为了清洁当前暴露的设备表面1433，清洁装置1450可以构造成执行包括在本文中的清洁过程中的任一个。清洁装置1450可被控制以经由施用器1421的控制可控地引导、移动、再定向等等流体流1452，由此在表面1433上执行清洁过程。
如图所示，清洁过程通过装置1450的执行通过经由去除颗粒1434暴露的间隙空间产生包括层1405的暴露表面和装置1403的暴露表面的当前暴露表面1433。
系统1320包括阻挡层施加装置1460，阻挡层施加装置1460可被控制以在当前暴露的设备表面1433上施加阻挡层1407。所产生的设备1400包括包含层1407的暴露表面的当前暴露的设备表面1463。如图所示，阻挡层1407的施加通过装置1460的施用器1461执行，在此施用器1461提供在表面1433上形成层1407的材料1462。装置1460的各个实施例可被构造成经由一个或多个不同的施加过程施加阻挡层1407，包括包含在本文中的施加过程中的任一个。如还示出的，阻挡层1405的施加可能导致颗粒存在于层1407上或至少部分地存在于层1407内，使得颗粒导致形成延伸穿过层1407的厚度的一部分或全部的间隙空间。如图所示，所示颗粒导致形成延伸穿过层1407的厚度的整体的两个相应的间隙空间。这些颗粒可以作为由装置1460施加阻挡层的负效应、作为装置1460中和周围的宽松清洁度要求的副效应、其某个组合等等而提供。阻挡层施加装置1460可被控制以可控制地引导、移动、再定向等等施用器1461，由此在表面1433上执行阻挡层1407的施加。
如图所示，阻挡层1407通过装置1430的施加产生填充在前施加的层1405中的间隙空间中的至少一些中的阻挡层1407。如图所示，尽管阻挡层1407包括间隙空间，但是阻挡层1407填充层1405的间隙空间，由此防止通过包括层1405、1407的封装叠层的连续渗透路径。
如图所示，系统1320可以包括可以在施加阻挡层1407的同时观察设备并且监控施加的阻挡层中的缺陷的传感器装置1470。在一些实施例中，传感器装置1470包括在施加阻挡层1407之后产生与当前暴露表面1463相关的图像数据的照相机装置，其中图像数据可用于确定层1407中的间隙空间的数量、分布、尺寸等等。由传感器装置1470产生的传感器数据，包括图像数据，可被用于确定多少阻挡层施加至设备、是否向表面1463施加一个或多个另外的层、其某个组合等等。
如图所示，系统1320可以包括在通过装置1460施加层1407之后使设备1400重定向至清洁装置1450的闭合系统1480，在清洁装置1450处当前暴露的设备表面1463可被清洁，设备1400然后可以运动回到装置1460，在此装置1460可以向设备1400的表面1463施加另一个阻挡层。在一些实施例中，装置1400是在闭合1480上引导还是引导出该系统可以基于在传感器1440、1470中的一个或多个处产生的传感器数据。例如，基于对存在穿过层1405和1407的一个或多个连续渗透路径的判定，设备1400可被沿着闭合1480引导至装置1450，使得设备1400接受另一次清洁并且随后通过装置1450、1460在当前暴露的设备表面上施加阻挡层。经基于传感器数据对不存在连续渗透路径的判定，设备1400可被引导出系统1320。
如图所示，控制系统1410可以通信地联接至系统1320的各个装置。可以通过一个或多个计算机系统执行并且可以包括在图13所示的系统1330中的系统1410可以控制装置1420-1460中的一个或多个，并且可以控制设备1400沿着闭合1480引导一次还是多次，使得控制系统1410可以控制在当前暴露的设备表面1400上执行的一个或多个清洁过程、控制在当前暴露的设备表面上施加一个或多个阻挡层、其某个组合等等。
图15示出根据一些实施例的构造成控制向设备的封装叠层施加的控制系统。控制系统1500可以包括在本文公开的控制系统中的一个或多个中，包括图13所示的封装叠层施加系统1320。控制系统1500可以通过一个或多个计算机系统执行，包括图17所示的计算机系统。控制系统1500包括构造成执行控制系统1500的各个方面的不同的模块。
控制系统1500包括阻挡层施加控制模块1502。模块1502可以控制阻挡层施用器，包括本文中示出和说明的装置、施用器等等中的任一者，以可控制地向当前暴露的设备表面施加阻挡层。在一些实施例中，模块1502控制多个单独的阻挡层施用器，在此每个单独的施用器向当前暴露的设备表面施加多个连贯地施加的阻挡层中的单独的阻挡层。在一些实施例中，模块1502基于对设备相对于施用器位于一定的物理区域内的判定命令给定施用器向暴露的设备表面施加阻挡层。在一些实施例中，基于对在设备的环境元素敏感部分与外界环境之间存在路径的在一个或多个特定置信水平下的概率超过一定阈值的判定，模块1502命令给定施用器向当前暴露的设备表面施加阻挡层。在一些实施例中，基于通过观察暴露表面对在暴露表面中存在一个或多个间隙空间的判定，模块1502命令给定施用器向当前暴露的设备表面施加阻挡层。在一些实施例中，模块1502可以控制通过其引导给定设备的过程路径，使得模块1502可以将给定设备重新引导至施用器，由此另外的阻挡层基于所确定的概率、对设备的观察、其某个组合等等施加至设备、封装叠层施加系统的出口等等。
控制系统1500包括清洁控制模块1504。模块1504可以控制本文中示出和讨论的一个或多个装置、施用器等等，以通过设备表面清洁装置可控制地清洁当前暴露的设备表面。在一些实施例中，模块1504控制多个单独的清洁装置，在此，每个单独的清洁装置在单独的阻挡层施加之前、在单独的连续阻挡层施加之间、其某个组合等等执行当前暴露的设备表面的单独的清洁。在一些实施例中，模块1504基于对设备相对于设备表面清洁装置位于一定物理区域内的判定命令给定清洁装置清洁当前暴露的设备表面。在一些实施例中，模块1504基于对一个或多个颗粒存在于当前暴露的设备表面上的判定命令给定清洁装置清洁当前暴露的设备表面。如本文所述，阻挡层的暴露表面“上”的颗粒可以至少部分地在阻挡层“中”，至少部分地位于阻挡层内的颗粒可以至少部分地在阻挡层的暴露表面“上”。
控制系统1500包括路径模拟模块1506。模块1506可以确定包括一定数量的阻挡层(其中一个或多个阻挡层包括一个或多个类型的包括一种或多种材料的阻挡层)的给定封装叠层与设备的环境元素敏感部分与外界环境之间经由封装叠层的任何连续渗透路径无关(即不包括任何连续渗透路径)的在一个或多个特定的置信水平下的概率。该判定可以基于不同的因素，可以包括在叠层中包括的各种类型的阻挡层、包括在各个层中的材料、叠层中的阻挡层的数量、叠层的尺寸、形状、面积等等、在一个或多个阻挡层施加之前在当前暴露的设备表面上执行的一个或多个清洁过程、其某个组合等等。在一些实施例中，因素中的至少一些经由从一个或多个外部源接收的数据输入提供至模块1506。在一些实施例中，因素中的至少一些基于经由一个或多个传感器装置对设备的观察提供至模块1506。在一些实施例中，基于与设备相关的所提供的因素，模块1506确定包括在封装叠层中的特定数量的阻挡层，对于特定数量的阻挡层而言，穿过叠层的连续渗透路径在一定置信水平下的概率小于一定阈值。在一些实施例中，基于与设备相关的所提供的因素，模块1506确定包括在封装叠层中的特定数量的阻挡层，对于特定数量的阻挡层而言，封装叠层与穿过叠层的任何连续渗透路径无关的在一定置信水平下的概率超过一定阈值。在一些实施例中，基于所确定的特定数量的阻挡层，模块1502、1504共同地执行特定数量的阻挡层向设备的施加，使得设备包括含有至少特定数量的阻挡层的封装叠层。
控制系统1500包括暴露表面观察模块1508。模块1508可以在封装叠层施加过程中的一个或多个阶段处观察设备，包括关于设备与关于一个或多个阻挡层施加、清洁过程执行等等同时、随后、之前、其某个组合等等观察设备。对设备的这种观察可以基于在一个或多个传感器装置处产生的传感器数据。这些传感器装置可以包括一个或多个照相机装置、光束扫描装置等等。基于这种观察，模块1508可以确定颗粒在暴露的设备表面上的存在、位置、尺寸、数量、其某个组合等等，存在于暴露的设备表面中的间隙空间的存在、位置、尺寸、数量、其某个组合等等，等等。基于这种判定中的一个或多个，模块1508可以确定是否引导给定设备以接收另外的清洁、阻挡层施加等等；是否引导给定设备以产生封装叠层施加系统、其某个组合等等。
图16A示出根据一些实施例施加多层封装叠层。图16A中示出的施加可以通过一个或多个控制系统执行，其可以通过一个或多个计算机系统执行。
在1602处，接收设备。设备可以包括基板、设置在基板的一个或多个表面上的一个或多个装置等等中的一个或多个。例如，所接收的设备可以包括基板和设置在基板的表面上的OLED装置。
在1603处，判定特定数量的阻挡层包括在所施加的封装叠层中。如以下参照图16B进一步所述的，判定可以包括判定特定数量的阻挡层连贯地施加，使得多个连贯地施加的阻挡层共同地包括不多于特定数量的连续渗透路径的在特定置信水平下的概率小于特定阈值概率值。
在1604处，当前暴露的设备表面被至少部分地清洁。这种清洁可以包括在当前暴露的设备表面上执行一个或多个清洁过程。当前暴露表面可以包括一个或多个在前施加的阻挡层的一个或多个表面、一个或多个在前的在前施加的层中的一个或多个间隙空间、装置的暴露表面、基板的暴露表面、其某个组合等等。所执行的清洁过程可以包括包含在本文中的任何清洁过程中的一个或多个。
在1606处，阻挡层施加于当前暴露的设备表面。阻挡层可以包括包含在本文中的各个阻挡层中的任一个，并且可以经由包含在本文中的各个阻挡层施加过程的任一个施加，非限制地包括经由溅射施加过程施加的薄膜阻挡层、经由原子层沉积过程施加的薄膜阻挡层等等。
在1608处，对于施加于所接收的设备的阻挡层的数量是否等于所确定的阻挡层的特定数量做出判定。如果是，则过程终止。否则，执行另外的清洁和阻挡层施加1604、1606，直到所施加的阻挡层的数量匹配所确定的特定数量为止。所执行的每个随后的清洁过程1604可以包括相对于在前执行的清洁过程不同的一个或多个清洁过程。每个随后的阻挡层施加1606可以包括相对于在前施加的阻挡层施加不同的阻挡层、相对于在前的阻挡层施加经由不同的施加过程施加阻挡层、其某个组合等等。
图16B示出根据一些实施例的确定要施加以建立多层封装叠层的特定数量的阻挡层。判定阻挡层的特定“数目”还可以指代判定阻挡层的特定“数量”。图16B中示出的判定可以通过一个或多个控制系统执行，其可以通过一个或多个计算机系统执行。如图所示，判定包括在图16A所示的判定1603中。
在1621处，接收一组或多组设备因素。这些因素用作判定一个或多个连续渗透路径穿过包括特定数量的阻挡层的封装叠层存在的概率的一部分。这些设备因素可以包括设备的由封装叠层覆盖的表面面积、施加阻挡层的区域的估计清洁度(例如，区域中每立方米体积以一定颗粒大小的颗粒的特定数量)等等。
在1623处，接收一组或多组封装叠层因素。这些因素用作如上所述判定概率的一部分。这些封装叠层因素可以包括以下中的一个或多个：包括在待施加的每一层中的材料、由每一层覆盖的设备的表面面积、存在于每个阻挡层施加之前和之后的暴露表面上的颗粒的估计的分布和大小、在施加给定阻挡层时存在于每个单独的阻挡层中的间隙空间的估计的数量、分布和大小、其某个组合等等。
在1625和1627处，判定特定概率置信水平和阈值。判定的阈值表示存在穿过封装叠层的不多于一定数量的连续渗透路径的阈值可接受概率。一定数量的连续渗透路径可以预先确定，并且可被确定为使得阈值概率是封装叠层不包括穿过叠层的阻挡层的连续渗透路径的概率。
在1629处，确定要连贯地施加的特定数量的阻挡层，使得多个连贯地施加的阻挡层共同地包括不多于特定数量的连续渗透路径的在特定置信水平下的概率小于特定阈值概率值。该判定可以包括向模型施加接收的因素、置信水平和阈值，该模型确定封装叠层包括不多于一定数量的连续渗透路径的在作为包括在封装层中的至少阻挡层数量的函数的判定置信水平下的概率。可以通过求解该模型确定特定数量的层，其可以包括判定概率小于概率阈值时的最小数量的阻挡层。
在一些实施例中，上述概率是封装层不包括不多于一定数量的连续渗透路径的概率，阈值是包括特定数量的阻挡层的封装层不包括不多于一定数量的连续渗透路径的阈值概率。
基于因素中的一个或多个，可以以一个或多个置信水平确定包括给定数量的阻挡层的封装叠层将不包括经由各个阻挡层中的间隙空间的用于环境元素渗透穿过叠层的任何路径。特定数量的层可以基于最小数量的层确定，在最小数量的层时，所形成的封装叠层包括穿过叠层的至少一定最小数量的路径的所确定的在特定置信水平下的概率小于阈值。在另一个示例中，特定数量的层可以基于最小数量的层确定，在最小数量的层时，所形成的封装叠层包括穿过叠层的不多于一定最小数量的路径的所确定的在特定置信水平下的概率大于阈值。
图17是示出可用于一些实施例的示例计算机系统的框图。
在一些实施例中，实施一种或多种技术中的部分或全部的系统可以包括包含或构造成访问一个或多个计算机可存取介质的通用计算机系统，比如为图17所示的计算机系统1700，上述系统包括但不限于构造成至少控制多层封装叠层在设备上施加(其中至少一个清洁过程在每个阻挡层在叠层中的每次施加之前进行、介入连续的阻挡层施加等等)的控制系统的部分或全部、包括包含多层封装叠层的设备的终端用户装置以及如本文中说明的各种方法、系统、部件、装置和设备。在图示的实施例中，计算机系统1700包括经由输入/输出(I/O)接口1730联接至系统存储器1720的一个或多个处理器1710。计算机系统1700还包括联接至I/O接口1730的网络接口1740。
在各种实施例中，计算机系统1700可以是包括一个处理器1710的单处理器系统或者包括数个处理器1710(例如，两个、四个、八个或另一适当的数量)的多处理器系统。处理器1710可以是能够执行指令的任何适当的处理器。例如，在各个实施例中，处理器1710可以是执行比如为x86、PowerPC、SPARC或MIPS ISA的各种指令系统结构(ISA)中的任一者或者任何其他适当的ISA的通用或嵌入式处理器。在多处理器系统中，处理器1710中的每一个可以共同地但非必需地执行同一ISA。
系统存储器1720可以构造成存储通过处理器1710可存取的指令和数据。在各个实施例中，可以利用任何适当的存储技术实施系统存储器1720，比如静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、非易失/闪速型存储器或任何其他类型的存储器。在图示的实施例中，执行一个或多个所需功能的程序指令和数据示出在系统存储器1720内存储为代码1725和数据1726，程序指令和数据比如为构造成至少控制多层封装叠层在设备上的施加(其中至少一个清洁过程在每个阻挡层在叠层中的每次施加之前进行、介入连续的阻挡层施加等等)的控制系统的部分或全部，包括包含多层封装叠层的设备的终端用户装置以及如本文所述的各种方法、系统、部件、装置和设备。
在一个实施例中，I/O接口1730可以构造成配位处理器1710、系统存储器1720和装置中的任何外围设备之间的I/O通信量，外围设备包括网络接口1740或其他外围设备接口。在一些实施例中，I/O接口1730可以执行任何必要的协议、定时或其他数据转换，以将来自一个部件(例如系统存储器1720)的数据信号转换成适于被另一个部件(例如处理器1710)使用的格式。在一些实施例中，I/O接口1730可以包括用于通过各种类型的外围总线附连的装置的载体，外围总线比如为例如外围部件互连(PCI)总线标准或通用串行总线(USB)标准的变型。在一些实施例中，I/O接口1730的功能可被分成两个或更多个单独的部件，比如为例如北桥和南桥。此外，在一些实施例中，I/O接口1730的一些或全部功能，比如接口至系统存储器1720，可以直接结合到处理器1710内。
网络接口1740可被构造成允许数据在计算机系统1700与附连至网络1750的其他装置1760之间交换，比如图1中例如通过16A-B示出的其他计算机系统或装置。在各个实施例中，网络接口1740可以支持经由比如为例如以太网类型的任何适当的有线或无线通用数据网络的通信。另外，网络接口1740可以支持经由比如为模拟话音网络或数字光纤通信网络的通讯/电话网络、经由比如为光纤通道SAN的存储区域网或经由任何其他适当类型的网络和/或协议的通信。
在一些实施例中，系统存储器1720可以是构造成存储用于执行如上关于图1至过16A-B所述的方法的实施例的程序指令和数据的计算机可存取介质的一个实施例。在其他实施例中，可以基于不同类型的计算机可存取介质接收、发送或存储程序指令和/或数据。一般而言，计算机可存取介质可以包括比如为磁或光学介质的非暂时存储介质或记忆介质，例如经由I/O接口1730联接至计算机系统1700的光盘或DVD/CD。非暂时计算机可存取存储介质还可以包括任何易失或非易失介质，比如RAM(例如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等，其可以作为系统存储器1720或另一类型的存储器包括在计算机系统1700的一些实施例中。此外，计算机可存取介质可以包括经由比如为网络和/或无线电通信线路的通信媒介传输的比如为电、电磁或数字信号的传输介质或信号，比如可以经由网络接口1740执行。
各个实施例还可以包括根据对计算机可存取介质的上述说明执行的接收、发送或存储指令和/或数据。一般而言，计算机可存取介质可以包括比如为例如光盘或DVD/CD-ROM的磁或光学介质的存储介质或记忆介质、比如为RAM(例如SDRAM、DDR、RDRAM、SRAM等等)、ROM等等的易失或非易失介质以及经由比如为网络和/或无线电通信线路的通信媒介传输的比如为电、电磁或数字信号的传输介质或信号。
如本文中所使用的，“计算机系统”包括各种计算机系统或其部件中的任一者。计算机系统的一个示例是机架式服务器。如本文中所使用的，术语计算机不限于在本领域指代为计算机的仅这些集成电路，而是宽泛地指代处理器、服务器、微控制器、微计算机、可编程逻辑控制器(PLC)、专用集成电路以及其他可编程电路，这些术语在本文中可互换地使用。在各个实施例中，存储器可以包括但不限于比如为随机存取存储器(RAM)的计算机可读介质。可替代地，还可以使用光盘只读存储器(CD-ROM)、磁性光盘(MOD)和/或数字多用途光盘(DVD)。此外，另外的输入通道可以包括与比如为鼠标和键盘的操作员接口相关的计算机外围设备。可替代地，还可以使用其他计算机外围设备，可以包括例如扫描器。此外，在一些实施例中，另外的输出通道可以包括操作员接口监视器和/或打印机。
如本文中所使用的，“模块”是部件或部件的组合。模块可以包括功能元件和系统，比如计算机系统、电路板、支架、通风机、管道和配电单元以及这些为基体、框架、壳体或容器的结构元件。
附图中示出以及本文中说明的各种方法代表方法的示例性实施例。可以在软件、硬件或其组合中实施该方法。方法的顺序可以变化，各个元素可以增加、重新排序、组合、省略、修改等等。
尽管已经非常详细地说明了上述实施例，本领域技术人员一旦完全理解了上述公开将清楚地理解许多变型和改进。以下权利要求旨在理解为包括所有这些变型和改进。
在一些实施例中，EC装置包括包含薄玻璃层板的基板，薄玻璃层板包括纸玻璃薄片和一层粘着剂。薄玻璃层板可以包括接近25微米厚的玻璃薄片。在一些实施例中，薄玻璃层板可以包括一个或多个不同的厚度。例如，薄玻璃层板可以为大约50微米厚。
在一些实施例中，光致变色或热变色材料可以替代本文中公开的电致变色(EC)材料使用或除电致变色材料之外使用。例如，装置的一些区域可以包括电致变色材料，包括EC薄膜叠层，而其他区域可以包括电致变色、光致变色或热变色材料中的至少一种。适当的光致变色材料包括但不限于三芳基甲烷、二苯乙烯、氮杂二苯乙烯(azastilbene)、硝酮、俘精酸酐、螺吡喃、萘并吡喃、螺噁嗪(sprio-oxazine)和醌。适当的热变色材料包括但不限于液状晶体和无色染料。光致变色和热变色材料两者可以以已知方式形成在基板上。由于光和热分别调节材料的特性，因此将不需要用于光致变色或热变色动态区域的总线、电极等等。利用光致变色和/或热变色动态区域的一个示例性实施例可以是具有至少一个电致变色动态区域、至少一个光致变色动态区域和至少第二电致变色区域的窗口，至少一个电致变色动态区域朝向对于日光被主动控制的窗口的顶部以在一个或多个特定的传输模式等等之间选择性地切换，至少一个光致变色动态区域朝向当在直射光下自身加深的窗口的底部，第二电致变色区域定位在装置的另一个区域中。
在一些实施例中，一个或多个EC装置可被用作用于照相机装置的光圈滤光器、虹膜等等，并且可以构造成选择性地变迹，如以上进一步讨论的。在一些实施例中，一个或多个EC装置可以包括在建筑‘母板’中，建筑‘母板’可以在进一步处理之前运输延长的距离。在一些实施例中，一个或多个EC装置可以包括在一个或多个单方格窗口中用于运输应用和其中重量比较重要的其他用途。在一些实施例中，一个或多个EC装置，包括包含单个基板的一个或多个EC装置可被用于在用于手持式装置、计算机等等的显示器上隐藏或显示信息。在一些实施例中，一个或多个EC装置可被用于动态护目镜。
此外，应该理解的是，本文中公开的主题的一个实施例可以包括具有单方格或精简结构的窗口，包括建筑窗口，其包括多个独立控制的动态区域。本文中公开的主题的另一个实施例包括中空玻璃单元(“IGU”)，其包括位于一个方格上的多个电致变色窗口区域和另一方格上的透明玻璃。本文中公开的主题的再一个实施例包括IGU，IGU包括位于一个方格上的多个电致变色窗口区域和位于另一方格上的低-E、染色或反射玻璃。本文中公开的主题的还一个实施例包括以下IGU，其包括位于IGU的一个方格上的多个电致变色窗口区域和位于另一个方格上的图案或特种玻璃，其中图案或特征可以匹配、符合和/或对照第一方格上的动态区域的面积。应该理解的是，上述实施例可被配置、构造等等，使得包括多个动态区域的精简结构是清晰的精简结构、低E精简结构、反射器和/部分地反射精简结构。
在一些实施例中，包括参照图1-17中的一个或多个说明和公开的EC装置、终端用户装置、控制系统等等中的一个或多个的一个或多个EC装置可以包括在各个应用中，包括EC显示器、运输窗口、建筑玻璃应用等等。

Claims (20)

1.一种设备，包括：
基板；以及
多层封装叠层，所述多层封装叠层施加于所述基板并且构造成限制在所述基板与周围环境之间的环境元素渗透，其中，所述多层封装叠层包括：
多个连贯地施加的薄膜阻挡层，其中，至少一个单独的薄膜阻挡层在在前施加的薄膜阻挡层的当前暴露的层表面被至少部分地清除颗粒以暴露在所述当前暴露的层表面中由所述颗粒形成的间隙空间之后施加于所述当前暴露的层表面，使得所述至少一个单独的薄膜阻挡层至少部分地填充所述当前暴露的层表面中的所述暴露的间隙空间。
2.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述多层封装叠层包括特定数量的薄膜阻挡层，其中：
所述特定数量与在特定置信水平下的阈值概率相关，所述阈值概率为所述基板与所述周围环境之间的穿过所述特定数量的薄膜阻挡层中的一个或多个间隙空间的连续渗透路径的数量小于阈值的概率。
3.根据权利要求1所述的设备，其中：
至少部分地清除所述当前暴露的层表面的颗粒以暴露在所述当前暴露的层表面中由所述颗粒形成的间隙空间包括以下中的至少一个：
向所述当前暴露的层表面施加刷涂装置；
向所述当前暴露的层表面施加擦洗装置；
向所述当前暴露的层表面施加声波；
向所述当前暴露的层表面施加流体流；
向所述当前暴露的层表面引导二氧化碳薄片流；或者
向所述当前暴露的层表面引导气泡射流，所述气泡射流包括液态和气态物质的混合物。
4.根据权利要求1所述的设备，包括：
设置在所述基板上的装置，所述装置包括以下中的至少一个：
电致变色(EC)装置，所述电致变色装置包括位于电致变色(EC)薄膜叠层的相对侧上的至少两个单独的传导层；
薄膜电池装置；
有机发光二极管(OLED)装置；或者
光生伏打薄膜装置；
其中，所述多层封装叠层施加在所述装置的基板远端表面上。
5.根据权利要求4所述的设备，其中：
所述装置包括构造成至少部分地基于选择性改变施加于所述单独的传导层节段的电压在至少两个单独的透射状态之间选择性地切换的照相机光圈滤光器。
6.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述环境元素渗透包括水或氧气中的至少一者的渗透。
7.一种方法，包括：
将至少基板构造成抵制外界环境与所述基板之间的环境元素渗透，所述构造包括：
向所述基板施加多个阻挡层，使得至少一个阻挡层施加于当前暴露表面，所述当前暴露表面包括在前施加的阻挡层的暴露层表面；以及
将对所述当前暴露表面的清洁介入连续的阻挡层施加，使得每个连贯地施加的阻挡层施加于清洁的当前暴露表面。
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
将对所述当前暴露表面的清洁介入连续的阻挡层施加包括在所述当前暴露表面上执行清洁过程，所述清洁过程构造成去除存在于至少所述当前暴露表面上的至少一个颗粒并且暴露由所述至少一个颗粒形成的至少一个间隙空间，使得随后施加的阻挡层至少部分地填充所述至少一个暴露的间隙空间。
9.根据权利要求所述7的方法，其中，向所述基板施加所述多个阻挡层包括：
向所述基板施加特定数量的阻挡层，使得所述多个阻挡层包括所述特定数量的阻挡层；
其中，所述特定数量是与阈值概率相关的阻挡层的最低数量，所述阈值概率为所述多个阻挡层与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的至少一定数量的连续渗透路径无关的概率。
10.根据权利要求7所述的方法，包括：
在连续的阻挡层施加之间以及基于所产生的传感器数据判定所述多个阻挡层与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的至少一定数量的连续渗透路径无关的概率小于阈值，使得至少一个阻挡层至少部分地基于所述判定随后施加。
11.根据权利要求7所述的方法，其中：
所述多个阻挡层中的至少一个阻挡层包括薄膜阻挡层，其中，施加所述薄膜阻挡层包括利用包括所述薄膜阻挡层的材料涂布当前暴露表面。
12.根据权利要求7所述的方法，其中：
所述环境元素渗透包括水或氧气中的至少一者的渗透。
13.根据权利要求7所述的方法，其中：
将至少基板构造成抵制外界环境与所述基板之间的环境元素渗透包括将设置在所述基板上的装置构造成抵制所述外界环境与所述装置之间的环境元素渗透；以及
在所述基板的外表面上执行所述多个铺层过程包括在所述装置的外部基板远端表面上执行多个铺层过程。
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述装置包括以下中的至少一个：
电致变色(EC)装置，所述电致变色装置包括位于电致变色(EC)叠层的相对侧上的至少两个单独的传导层；
照相机光圈滤光器，所述照相机光圈滤光器构造成至少部分地基于选择性改变施加于所述单独的传导层节段的电压在至少两个单独的透射状态之间选择性地切换；
薄膜电池装置；
有机发光二极管(OLED)装置；或者
光生伏打薄膜装置。
15.根据权利要求7所述的方法，其中：
清洁所述当前暴露表面包括以下中的至少一个：
向所述当前暴露表面施加刷涂装置；
向所述当前暴露表面施加擦洗装置；
向所述当前暴露表面施加声波；
向所述当前暴露表面施加流体流；
向所述当前暴露表面引导二氧化碳薄片流；或者
向所述当前暴露表面引导气泡射流，所述气泡射流包括液态和气态物质的混合物。
16.一种方法，包括：
经由特定清洁过程的执行清洁包括设备的暴露表面的当前暴露的设备表面，所述特定清洁过程构造成从所述当前暴露的设备表面至少部分地去除颗粒；
在清洁所述当前暴露的设备表面之后，向所述当前暴露的设备表面施加第一阻挡层，其中，所述第一阻挡层构造成抵制环境元素渗透，使得所述当前暴露的设备表面在施加所述第一阻挡层之后包括所施加的第一阻挡层的暴露表面；以及
在施加所述第一阻挡层之后，向所述当前暴露的设备表面施加至少一个另外的阻挡层，使得所述设备包括构造成限制在外界环境与所述设备之间的环境元素渗透的阻挡层的多层封装叠层，其中，施加所述至少一个另外的阻挡层中的每一个包括：
经由执行另外的清洁过程清洁所述当前暴露的设备表面，所述另外的清洁过程构造成从所述当前暴露的设备表面至少部分地去除颗粒；以及
在清洁所述当前暴露的设备表面之后，向所述当前暴露的设备表面施加另外的阻挡层，其中，所述另外的阻挡层构造成抵制环境元素渗透，使得所述当前暴露的设备表面在施加所述另外的阻挡层之后包括所施加的另外的阻挡层的暴露表面。
17.根据权利要求所述16的方法，其中，施加至少一个另外的阻挡层包括：
向所述设备施加特定数量的另外的阻挡层，使得阻挡层的所述多层封装叠层包括特定数量的阻挡层；
其中，所述特定数量是与阈值概率相关的层的最低数量，所述阈值概率为所述多个阻挡层与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的任何连续渗透路径无关的概率。
18.根据权利要求16所述的方法，包括：
至少部分地基于以下判定，终止施加另外的阻挡层：所施加的多个阻挡层共同地与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的任何连续渗透路径无关的概率大于阈值。
19.根据权利要求所述16的方法，其中：
特定清洁过程和另外的清洁过程中的每一个包括以下中的至少一个：
向所述当前暴露的设备表面施加刷涂装置；
向所述当前暴露的设备表面施加擦洗装置；
向所述当前暴露的设备表面施加声波；
向所述当前暴露的设备表面施加流体流；
向所述当前暴露的设备表面引导二氧化碳薄片流；或者
向所述当前暴露的设备表面引导气泡射流，所述气泡射流包括液态和气态物质的混合物。
20.根据权利要求所述16的方法，其中：
所述设备包括设置在所述基板的表面上的装置；以及
清洁以及随后向所述当前暴露的设备表面施加第一阻挡层包括清洁以及随后向所述装置的至少基板远端表面施加所述第一阻挡层。
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