CN104849906B - 偏光片及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种偏光片及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽；向沟槽内形成液态金属，液态金属包括多个液态金属结构；向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使每个液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行；对液态金属进行固化，得到偏光片；将偏光片从载体基板上剥离。本发明解决了偏光片的偏振方向难以控制，良率较低的问题，达到了提高偏光片的良率的效果。

Description

偏光片及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种偏光片及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置广泛应用于显示领域，现有的显示装置通常为液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display，简称：LCD)。
LCD通常采用液晶分子配合偏光片实现图像的显示。具体地，LCD通常包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层、偏光片、背光源。其中，液晶层中包括多个液晶分子，偏光片具有一定的偏振方向，振动方向与偏光片的偏振方向相同的光线能够通过偏光片。LCD中的偏光片通常包括：上偏光片和下偏光片，上偏光片设置在阵列基板的背光侧，下偏光片设置在彩膜基板的出光侧，背光源设置在上偏光片远离阵列基板的一侧。背光源发出的光线依次经过上偏光片、阵列基板、液晶层和彩膜基板，从下偏光片射出。背光源发出的光线在经过上偏光片时，该光线中振动方向与上偏光片的偏振方向相同的光线通过上偏光片，之后依次通过阵列基板、液晶层和彩膜基板，到达下偏光片，到达下偏光片的光线中振动方向与下偏光片的偏振方向相同的光线通过下偏光片，最终从下偏光片射出，其中，光线在经过液晶层时，液晶层中的液晶分子的光致各向异性，也能够改变光的偏振态，调节由下偏光片射出的光的光通量，使得LCD能够显示图像，光线在经过彩膜基板时，彩膜基板上的彩膜能够对光线进行滤色形成彩色的光线，使得LCD能够显示彩色图像。现有的偏光片通常为线栅偏光片，线栅偏光片通过采用压印工艺在基板上形成多条平行的金属线条形成，线栅偏光片的偏振方向与金属线条的长度方向垂直。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：采用压印工艺形成线栅偏光片时，金属线条的平行度难以控制，导致偏光片的偏振方向难以控制，因此，线栅偏光片的良率较低。
发明内容
为了解决现有技术中偏光片的偏振方向难以控制，良率较低的问题，本发明提供一种偏光片及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种偏光片的制造方法，所述方法包括：
在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽；
向所述沟槽内形成液态金属，所述液态金属包括多个液态金属结构；
向所述液态金属施加平行于所述沟槽的长度方向的电场，使每个所述液态金属结构沿所述沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个所述液态金属结构的长轴方向与所述沟槽的长度方向平行；
对所述液态金属进行固化，得到偏光片；
将所述偏光片从所述载体基板上剥离。
可选地，在所述向所述沟槽内形成液态金属之前，所述方法还包括：
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成覆盖层，使所述取向层与所述覆盖层之间形成两端开口的沟道；
所述向所述沟槽内形成液态金属，包括：
向所述沟道内灌注液态金属。
可选地，所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
对所述沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括所述取向层和所述覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使所述液态金属槽中的液态金属充填在所述沟道内。
可选地，所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封所述沟道一端的开口；
对所述沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过所述沟道另一端的开口向所述沟道内灌注液态金属。
可选地，所述沟道的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数，N个所述沟道连通，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封N个所述沟道的开口中，除第一开口以外的开口，所述第一开口为所述N个所述沟道的开口中的任意一个开口；
对N个所述沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过所述第一开口向所述沟道内灌注液态金属。
可选地，所述沟道的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数，N个所述沟道连通，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封N个所述沟道的开口中，除第一开口以外的开口，所述第一开口为所述N个所述沟道的开口中的任意一个开口；
对N个所述沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括所述取向层和所述覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使所述液态金属槽中的液态金属从所述第一开口进入所述沟道，并充填在所述沟道内。
可选地，在所述向所述沟槽内形成液态金属之后，所述方法还包括：
在所述覆盖层上形成保护层。
可选地，在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽之前，所述方法还包括：
在所述载体基板上形成氧化铟锡ITO电极，所述ITO电极包括正电极和负电极；
所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
在形成有所述ITO电极的基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，且所述沟槽的一端位于所述正电极在所述取向层的对应区域上，另一端位于所述负电极在所述取向层的对应区域上。
可选地，所述向所述沟槽内形成液态金属，包括：
采用吸附有液态金属的转印版向所述取向层的沟槽内转印液态金属；
在所述向所述沟槽内形成液态金属之后，所述方法还包括：
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成氧化铟锡ITO电极，所述沟槽内形成有液态金属，所述ITO电极包括正电极和负电极，所述正电极与所述沟槽的一端对应，所述负电极与所述沟槽的另一端对应。
可选地，在对所述液态金属进行固化之后，所述方法还包括：
剥离所述ITO电极；
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成覆盖层；
在所述覆盖层上形成保护层。
可选地，在所述将所述偏光片从所述载体基板上剥离之后，所述方法还包括：
在所述取向层未形成有所述沟槽的面上形成保护层。
可选地，所述取向层采用聚酰亚胺PI材料形成，所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
采用聚酰亚胺PI材料在所述载体基板上形成取向层；
采用摩擦工艺或者光取向工艺在所述取向层上形成所述沟槽。
可选地，所述取向层采用无机材料形成，所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
采用无机材料在所述载体基板上形成取向层；
采用微加工工艺在所述取向层上形成所述沟槽。
可选地，所述覆盖层为聚酯薄膜PET膜片。
可选地，所述沟槽的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数；
N个所述沟槽阵列排布在所述取向层上。
可选地，所述液态金属为采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金。
第二方面，提供一种偏光片，所述偏光片包括：
取向层，所述取向层上形成有沟槽，所述沟槽内形成有液态金属，所述液态金属包括多个液态金属结构，每个所述液态金属结构为棒状结构，且每个所述液态金属结构的长轴方向与所述沟槽的长度方向平行。
可选地，所述取向层形成有所述沟槽的面上形成有覆盖层；
所述覆盖层和所述取向层未形成有所述沟槽的面上都形成有保护层。
可选地，所述取向层采用聚酰亚胺PI材料或者无机材料形成；
所述覆盖层为聚酯薄膜PET膜片。
可选地，所述沟槽的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数；
N个所述沟槽阵列排布在所述取向层上。
可选地，所述液态金属为采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金。
第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
所述阵列基板的背光侧设置有上偏光片，所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧设置有下偏光片，所述上偏光片和/或所述下偏光片为第二方面或第二方面的任一可选方式所述的偏光片。
可选地，所述显示装置还包括：背光源，
所述背光源设置在所述上偏光片远离所述阵列基板的一侧。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供的偏光片及其制造方法、显示装置，通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明提供的偏光片采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种偏光片的结构示意图；
图2是图1所示实施例提供的偏光片的一种俯视图；
图3是图2所示的沟槽和位于该沟槽中的液态金属的放大图；
图4是本发明实施例提供的另一种偏光片的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种偏光片的制造方法的方法流程图；
图6-1是本发明实施例提供的另一种偏光片的制造方法的方法流程图；
图6-2是图6-1所示实施例提供的在载体基板上形成ITO电极后的结构示意图；
图6-3是图6-1所示实施例提供的一种在载体基板上形成ITO电极后的俯视图；
图6-4是图6-1所示实施例提供的另一种在载体基板上形成ITO电极后的俯视图；
图6-5是图6-1所示实施例提供的在形成有ITO电极的基板上形成取向层后的结构示意图；
图6-6是图6-1所示实施例提供的一种在形成有ITO电极的基板上形成取向层后的俯视图；
图6-7是图6-1所示实施例提供的另一种在形成有ITO电极的基板上形成取向层后的俯视图；
图6-8是图6-1所示实施例提供的取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层后的结构示意图；
图6-9是图6-1所示实施例提供的向沟道内灌注液态金属后的结构示意图；
图6-10是图6-1所示实施例提供的一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图；
图6-11是图6-1所示实施例提供的另一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图；
图6-12是图6-1所示实施例提供的再一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图；
图6-13是图6-1所示实施例提供的又一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图；
图6-14是图6-1所示实施例提供的在覆盖层上形成保护层后的结构示意图；
图6-15是图6-1所示实施例提供的剥离载体基板后的偏光片的结构示意图；
图6-16是图6-1所示实施例提供的在取向层未形成有沟槽的面上形成保护层后的结构示意图；
图7-1是本发明实施例提供的再一种偏光片的制造方法的方法流程图；
图7-2是图7-1所示实施例提供的在载体基板上形成取向层后的结构示意图；
图7-3是图7-1所示实施例提供的在沟槽内形成液态金属后的结构示意图；
图7-4是图7-1所示实施例提供的在取向层形成有沟槽的面上形成ITO电极后的结构示意图；
图7-5是图7-1所示实施例提供的在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层后的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
在对本发明做详细描述之前，先对本发明涉及到的液态金属进行简单介绍：
液态金属指的是一种不定型金属，其可以作是由正离子流体和自由电子组成的混合物。液态金属在室温(20～25摄氏度)下通常以液态存在，当环境温度为低于室温的预设温度(比如，低于20摄氏度)时，液态金属可以以固态存在，在室温下，液态金属具有在不同形态和运动模式之间转换的普适变形能力。比如，浸没于水中的液态金属的液态金属结构可在一定电压作用下呈现出大尺度变形能力、自旋、定向运动及自行旋转，且液态金属结构之间可以融合、断裂、再融合等，因此，可利用液态金属的这种性质形成液态金属pattern(中文：图案)等；较为独特的是，一片很大的液态金属薄膜可在数秒内收缩为单颗液态金属球，其变形过程十分快速；此外，在电场作用下，大量彼此分离的液态金属球可发生相互粘连及合并，直至融合成单一的液态金属球；在预定电场的作用下，液态金属结构极易实现高速的自旋运动，并诱发周围的液态金属结构快速自旋，形成处于快速自旋状态下的漩涡对；若适当调整电场，液态金属结构还可以按照预定方向快速移动。
请参考图1，其示出的是本发明实施例提供的一种偏光片01的结构示意图。参见图1，该偏光片01包括：
取向层010，取向层010上形成有沟槽(图1中未标出)，沟槽内形成有液态金属011，液态金属包括多个液态金属结构，每个液态金属结构为棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。其中，图1所示的沟槽只是示意性的，并不能用以限制本发明实际应用中的沟槽，实际应用中，沟槽的结构为微结构，沟槽的宽度的数量级为纳米量级。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移
动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片，由于取向层上形成有沟槽，沟槽内形成有液体金属，液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向。本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
其中，取向层010的形状可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定，示例地，请参考图2，其示出的是图1所示实施例提供的偏光片01的一种俯视图，参见图2，取向层010的上表面可以为矩形，该取向层010的长度方向为x，宽度方向为y，取向层010上形成有N个沟槽，每个沟槽内都形成有液态金属011，其中，N为大于或者等于2的正整数，且该N个沟槽沿取向层010的宽度方向y阵列排布在取向层010上，每个沟槽的长度方向与取向层010的长度方向x平行，每个沟槽的宽度方向与取向层010的宽度方向y平行。其中，N的具体数值可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定。其中，液态金属011可以是采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金，本发明实施例不对液态金属011的具体形成材料以及形成方式做限定。
可选地，请参考图3，沟槽A内形成有液态金属011，液态金属011包括多个液态金属结构0111，每个液态金属结构0111为棒状结构，且每个液态金属结构0111的长轴方向与沟槽A的长度方向x2平行；棒状结构的液态金属结构0111是具有长轴和短轴的三维立体结构，当棒状结构的液态金属结构0111的长轴与沟槽A的长度方向平行时，其短轴与沟槽A的长度方向垂直。在本发明实施例中，液态金属0111的短轴方向即是偏光片的偏振方向，即，垂直于沟槽的长度方向的方向即是偏光片的偏振方向。需要说明的是，在本发明实施例中，每个液态金属结构0111可以由多个液态金属分子形成，本发明实施例对此不做限定。
请参考图4，其示出的是本发明实施例提供的另一种偏光片01的结构示意图。参见图4，该偏光片01包括：
取向层010，取向层010上形成有沟槽，沟槽内形成有液态金属011，液态金属包括多个液态金属结构，每个液态金属结构为棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。其中，图4所示的沟槽只是示意性的，并不能用以限制本发明实际应用中的沟槽，实际应用中，沟槽的结构为微结构，沟槽的宽度的数量级为纳米量级。
参见图4，取向层010形成有沟槽的面上形成有覆盖层012；覆盖层012和取向层010未形成有沟槽的面上都形成有保护层013。
可选地，取向层010可以采用聚酰亚胺(英文：Polyimide，简称：PI)材料或者无机材料形成；当取向层010采用PI材料形成时，其具体形成过程可以为：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，简称：PECVD)等方法在载体基板上沉积一层具有一定厚度的PI材料，并对PI材料进行固化得到取向层010，之后采用Rubbing(中文：摩擦)工艺或者光取向工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成沟槽；当取向层010采用无机材料形成时，其具体形成过程可以为：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在载体基板上沉积一层具有一定厚度的无机材料，并对无机材料进行固化得到取向层010，之后采用微加工工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成沟槽，其中，微加工工艺如纳米压印工艺、微机电系统(英文：Microelectromechanical Systems，简称：MEMS)等工艺。需要说明的是，本发明实施例以取向层010采用PI材料或无机材料形成为例进行说明，实际应用中，取向层010的形成材料还可以为其他材料，本发明实施例对此不做限定。
可选地，覆盖层012为聚酯薄膜(英文：Polyester Film，简称：PET)膜片，其可以采用贴片工艺粘贴在取向层010形成有沟槽的面上，需要说明的是，本发明实施例以覆盖层012为PET膜片为例进行说明，实际应用中，覆盖层012还可以采用其他的材料形成，覆盖层012并不局限于PET膜片，本发明实施例对此不做限定。
可选地，保护层013可以采用硅化物形成，示例地，采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD的方法在覆盖层012和取向层010未形成有沟槽的面上都沉积一定厚度的硅化物作为保护层013，其中，保护层013可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体，需要说明的是，本发明实施例以保护层013采用硅化物形成为例进行说明，实际应用中，保护层013还可以采用其他的材料形成，本发明实施例对此不做限定。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移
动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片，由于取向层上形成有沟槽，沟槽内形成有液体金属，液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向。本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
请参考图5，其示出的是本发明实施例提供的一种偏光片的制造方法的方法流程图。该偏光片的制造方法可以用于制造图1或图4所示的偏光片01，参见图5，该偏光片的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤501、在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽。
步骤502、向沟槽内形成液态金属，液态金属包括多个液态金属结构。
步骤503、向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使每个液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。
步骤504、对液态金属进行固化，得到偏光片。
步骤505、将偏光片从载体基板上剥离。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片的制造方法，通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
可选地，在步骤502之前，该方法还包括：
在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层，使取向层与覆盖层之间形成两端开口的沟道；
步骤502可以包括：
向沟道内灌注液态金属。
可选地，步骤502可以包括：
对沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使液态金属槽中的液态金属充填在沟道内。
可选地，步骤502包括：
密封沟道一端的开口；
对沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过沟道另一端的开口向沟道内灌注液态金属。
可选地，沟道的个数为N，N为大于或者等于2的正整数，N个沟道连通，
步骤502还可以包括：
密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口；
对N个沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过第一开口向沟道内灌注液态金属。
可选地，沟道的个数为N，N为大于或者等于2的正整数，N个沟道连通，
步骤502还包括：
密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口；
对N个沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使液态金属槽中的液态金属从第一开口进入沟道，并充填在沟道内。
可选地，在步骤502之后，该方法还包括：
在覆盖层上形成保护层。
可选地，在步骤501之前，该方法还包括：
在载体基板上形成氧化铟锡ITO电极，ITO电极包括正电极和负电极；
步骤501包括：
在形成有ITO电极的基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，且沟槽的一端位于正电极在取向层的对应区域上，另一端位于负电极在取向层的对应区域上。
可选地，步骤502，包括：
采用吸附有液态金属的转印版向取向层的沟槽内转印液态金属；
在步骤502之后，该方法还包括：
在取向层形成有沟槽的面上形成氧化铟锡ITO电极，沟槽内形成有液态金属，ITO电极包括正电极和负电极，正电极与沟槽的一端对应，正电极与沟槽的另一端对应。
可选地，在步骤504之后，该方法还包括：
剥离ITO电极；
在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层；
在覆盖层上形成保护层。
可选地，在步骤505之后，该方法还包括：
在取向层未形成有沟槽的面上形成保护层。
可选地，取向层采用聚酰亚胺PI材料形成，步骤501包括：
采用聚酰亚胺PI材料在载体基板上形成取向层；
采用摩擦工艺或者光取向工艺在取向层上形成沟槽。
可选地，取向层采用无机材料形成，步骤501包括：
采用无机材料在载体基板上形成取向层；
采用微加工工艺在取向层上形成沟槽。
可选地，覆盖层为聚酯薄膜PET膜片。
可选地，沟槽的个数为N，N为大于或者等于2的正整数；
N个沟槽阵列排布在取向层上。
可选地，液态金属为采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片的制造方法，通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
请参考图6-1，其示出的是本发明实施例提供的另一种偏光片的制造方法的方法流程图。该偏光片的制造方法可以用于制造图1或图4所示的偏光片01，参见图6-1，该偏光片的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤601、在载体基板上形成氧化铟锡ITO电极，ITO电极包括正电极和负电极。
其中，载体基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板，且载体基板的上表面通常为矩形。
请参考图6-2，其示出的是在载体基板02上形成氧化铟锡(英文：Indium TinOxide，中文：ITO)电极014后的结构示意图，本发明实施例以载体基板02的上表面为矩形为例说明，参见图6-2，可选地，可以在载体基板02的整个上表面上形成ITO电极014，也可以在载体基板02的上表面上沿载体基板02的宽度方向y1形成N个阵列排布的长条状的ITO电极014，使每个长条状的ITO电极014的长度方向与载体基板02的长度方向平行，其中，N为大于或者等于2的正整数，N的具体数值可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定，本发明实施例以在载体基板02的整个上表面上形成ITO电极014为例进行说明。
请参考图6-3，其示出的是图6-1所示实施例提供的一种在载体基板02上形成ITO电极014后的俯视图，载体基板的上表面为矩形，宽度方向为y1，ITO电极014形成在载体基板的整个上表面上，ITO电极014的上表面为与载体基板的上表面相同的矩形，ITO电极014的上表面与载体基板02的上表面相同指的是：ITO电极014的上表面的形状与载体基板02的上表面的形状相同，且ITO电极014的上表面的面积与载体基板02的上表面的面积相同。ITO电极014包括：正电极0141和负电极0142，其中，如图6-3所示，正电极0141靠近载体基板的一条短边，负电极0142靠近载体基板的另一条短边。正电极0141和负电极0142可以都为长条状结构，且正电极0141和负电极0142的长度方向与载体基板的宽度方向y1平行。需要说明的是，在本发明实施例中，正电极0141和负电极0142的位置可以调换，本发明实施例不对正电极0141和负电极0142的具体位置做限定。
具体地，图6-3所示的ITO电极014的形成过程可以包括：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在载体基板02上沉积一层具有一定厚度的ITO薄膜，之后对ITO薄膜进行处理形成ITO电极014，其中，正电极0141和负电极0142的形成过程与现有技术相同，本发明实施例在此不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例以在载体基板02的整个上表面上形成ITO电极014为例进行说明，实际应用中，还可以在载体基板02的上表面上沿载体基板02的宽度方向y1形成N个阵列排布的长条状的ITO电极014，使每个长条状的ITO电极014的长度方向与载体基板02的长度方向平行。示例地，请参考图6-4，其示出的是图6-1所示实施例提供的另一种在载体基板02上形成ITO电极014后的俯视图，载体基板02的上表面为矩形，载体基板02的宽度方向y1，长度方向为x1，载体基板02的上表面上沿载体基板02的宽度方向y1形成有N个阵列排布的长条状的ITO电极014，每个长条状的ITO电极014的长度方向与载体基板02的长度方向x1平行。其中，在图6-4中，N为13，该13只是示例性的，实际应用中，N的取值可以为其他数值，本发明实施例对此不做限定。
具体地，图6-4所示的ITO电极014的形成过程可以包括：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在载体基板02上沉积一层具有一定厚度的ITO薄膜，采用掩模板对ITO薄膜进行曝光、使ITO薄膜形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的ITO薄膜被完全去除，非曝光区域的ITO薄膜全部保留，烘烤处理后形成ITO电极014。其中，每个ITO电极014包括：正电极0141和负电极0142的形成过程与现有技术相同，本发明实施例在此不再赘述。
步骤602、在形成有ITO电极的基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，且沟槽的一端位于正电极在取向层的对应区域上，另一端位于负电极在取向层的对应区域上。
请参考图6-5，其示出的是在形成有ITO电极014的基板上形成取向层010后的结构示意图，其中，取向层010的上表面可以为与载体基板02的上表面相同的矩形，参见图6-5，取向层010的宽度方向可以为y，取向层010的宽度方向y与载体基板02的宽度方向y1平行，其中，取向层010的上表面与载体基板02的上表面相同指的是：取向层010的上表面的形状与载体基板02的上表面的形状相同，且取向层010的上表面的面积与载体基板02的上表面的面积相同。
参见图6-6，其示出的是图6-1所示实施例提供的一种在形成有ITO电极014的基板上形成取向层010后的俯视图，取向层010的上表面为矩形，取向层010的长度方向为x，宽度方向为y，取向层010上形成有N个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，每个沟槽A为长条形沟槽，且每个沟槽A的长度方向与取向层010的长度方向x平行，其中，N为大于或者等于2的正整数，N的具体数值可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定，每个沟槽A的第一纵截面可以为V字形，本发明实施例对此不做限定，沟槽A的第一纵截面指的是垂直于取向层010的上表面，且平行于取向层010的宽度方向y的截面。沟槽A的一端位于图6-3或图6-4中的正电极0141在取向层010的对应区域上，另一端位于图6-3或图6-4中的负电极0142在取向层010的对应区域上。其中，N个沟槽A可以连通，图6-6所示的是N个沟槽A的一种连通情况，该图6-6中，N个沟槽A连通后，N个沟槽A中包括两个开口；图6-7所示的是N个沟槽A的另一种连通情况，该图6-7中，N个沟槽A连通后，N个沟槽A在该N个沟槽A的一端连通，N个沟槽A连通后，每个沟槽A包括一个开口。
可选地，取向层010可以采用PI材料或者无机材料形成，具体地，当取向层010采用PI材料形成时，取向层010的具体形成过程可以包括：可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有ITO电极014的基板上沉积一层具有一定厚度的PI材料，并对PI材料进行固化得到取向层010，之后采用Rubbing工艺或者光取向工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成多个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，每个沟槽A的一端位于图6-3或图6-4中ITO电极014的正电极0141在取向层010的对应区域上，另一端位于图6-3或图6-4中ITO电极014的负电极0142在取向层010的对应区域上。由于采用光取向工艺形成的沟槽的一致性较高，因此，本发明实施例优选采用光取向工艺对取向层010进行取向。
当取向层010采用无机材料形成时，取向层010的具体形成过程可以包括：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有ITO电极014的基板上沉积一层具有一定厚度的无机材料，并对无机材料进行固化得到取向层010，之后采用微加工工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成多个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，其中，微加工工艺如纳米压印工艺、MEMS等工艺。
需要说明的是，本发明实施例以取向层010采用PI材料或无机材料形成为例进行说明，实际应用中，取向层010的形成材料还可以为其他材料，本发明实施例对此不做限定。其中，图6-5所示的沟槽只是示意性的，并不能用以限制本发明实际应用中的沟槽，实际应用中，沟槽的结构为微结构，沟槽的宽度的数量级为纳米量级。
其中，在本发明实施例中，当取向层010采用PI材料形成时，可以采用Rubbing工艺或者光取向工艺在相邻的两个沟槽A的同一端形成沟槽，且当沟槽A不是距平行取向层010的长度方向的边最近的沟槽时，该沟槽A在其两端分别和与其相邻的沟槽连通，形成图6-6所示的沟槽；或者，采用Rubbing工艺或者光取向工艺在N个沟槽A的同一端形成一个沟槽，使得N个沟槽A连通，形成图6-7所示的沟槽。当取向层010采用无机材料形成时，可以采用微加工工艺在相邻的两个沟槽A的同一端形成沟槽，且当沟槽A不是距平行取向层010的长度方向的边最近的沟槽时，该沟槽A在其两端分别和与其相邻的沟槽连通，形成图6-6所示的沟槽；或者，采用微加工工艺在N个沟槽A的同一端形成一个沟槽，使得N个沟槽A连通，形成图6-7所示的沟槽。
步骤603、在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层，使取向层与覆盖层之间形成两端开口的沟道。
请参考图6-8，其示出的是在取向层010形成有沟槽的面上形成覆盖层012后的结构示意图，其中，覆盖层012可以为PET膜片，该PET膜片的下表面可以为与取向层010的上表面相同的矩形，其可以采用贴片工艺粘贴在取向层010形成有沟槽的面上，示例地，覆盖层012的形成可以包括：在PET膜片的下表面涂覆一层光学透明粘合剂(英文：OpticallyClearAdhesive，简称：OCA)，之后将PET膜片涂覆有OCA的一面对准取向层010形成有沟槽的面，向PET膜片施加预设强度的压力使其粘贴在取向层010形成有沟槽的面上，然后采用预设温度烘烤PET膜片预设时长，对PET膜片进行固化，使其固定在取向层010形成有沟槽的面，其中，预设强度、预设温度和预设时长都可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不做限定，示例地，预设强度为5Pa(帕)，预设温度为90℃(摄氏度)，预设时长为10min(分钟)，也即，将PET膜片涂覆有OCA的一面对准取向层010形成有沟槽的面之后，向PET膜片施加5Pa的压力使其粘贴在取向层010形成有沟槽的面上，然后采用90℃的温度烘烤PET膜片10min，对PET膜片进行固化，使其固定在取向层010形成有沟槽的面。
需要说明的是，如图6-8所示，在取向层010形成有沟槽的面上形成覆盖层012后，由于覆盖层012只与取向层010形成有沟槽的面接触，与沟槽的槽面不接触，因此，取向层010与覆盖层012之间可以形成两端开口的沟道。
还需要说明的是，当N个沟槽如图6-6所示连通时，取向层010与覆盖层012之间形成的沟道可以包括两个开口，该两个开口分别位于N个沟道中与取向层010上的平行取向层010的长度方向x的边距离最近的两个沟道上；当N个沟槽如图6-7所示连通时，取向层010与覆盖层012之间形成的沟道可以包括N个开口，每个沟道上包括一个开口，且每个沟道上的开口靠近取向层010的同一边设置。
还需要说明的是，本发明实施例以覆盖层012为PET膜片为例进行说明，实际应用中，覆盖层012还可以采用其他的材料形成，覆盖层012并不局限于PET膜片，本发明实施例对此不做限定。
步骤604、向沟道内灌注液态金属，液态金属包括多个液态金属结构。
请参考图6-9，其示出的是向沟道内灌注液态金属011后的结构示意图，参见图6-9，每个沟道内都灌注了液态金属011，该液态金属011可以包括多个液态金属结构，该液态金属011可以是采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金，本发明实施例不对液态金属011的具体形成材料以及形成方式做限定。
在本发明实施例中，向沟道内灌注液态金属可以包括以下四种方式：
第一种方式，请参考图6-10，其示出的是图6-1所示实施例提供的一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图，参见图6-10，该方法流程可以包括如下几个步骤：
步骤6041a、对沟道进行抽真空。
示例地，可以采用真空泵在沟道的一端的开口处对沟道进行抽真空，排出沟道内的空气，使沟道内形成真空。其中，抽真空的过程与现有技术相同或者类似，本发明实施例在此不再赘述。但是需要说明的是，在本发明实施例中，可以在真空条件下对沟道进行抽真空。
还需要说明的是，在本发明实施例中，由于沟道的个数为N，因此，可以分别对每个沟道进行抽真空，使每个沟道内形成真空。当每个沟道都为两端开口的沟道时，可以分别在每个沟道的两端对沟道进行抽真空，本发明实施例对此不做限定。
步骤6042a、将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使液态金属槽中的液态金属充填在沟道内。
由于对沟道抽真空后，沟道内的气压小于外界气压，将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中后，液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的开口进入沟道内。
需要说明的是，当液态金属槽处于非真空环境下时，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之前，可以先对沟道的开口进行密封，然后，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，打开沟道的开口，以便于液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的开口进入沟道内；当液态金属槽处于真空环境下时，将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，可以在液态金属槽中的液态金属的表面对液态金属施加压力，使得液态金属槽中的液态金属可以从沟道的开口进入沟道内。
还需要说明的是，在本发明实施例中，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中指的是将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板整体浸泡在液态金属槽中。
还需要说明的是，实际应用中，步骤6041a和步骤6042a可以同时进行，即，将包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，在沟道的一端的开口处对沟道进行抽真空，在抽真空的过程中，液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的另一端的开口进入沟道内。
第二种方式，请参考图6-11，其示出的是图6-1所示实施例提供的另一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图，参见图6-11，该方法流程可以包括如下几个步骤：
步骤6041b、密封沟道一端的开口。
示例地，可以采用PET膜片密封沟道一端的开口；其中，密封沟道一端的开口的过程与步骤603中在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层的过程相同或者类似，其密封过程可以参考步骤603，本实施例在此不再赘述。
步骤6042b、对沟道进行抽真空。
示例地，可以采用真空泵在沟道未密封的一端的开口对沟道进行抽真空，排出沟道内的空气，使沟道内形成真空。需要说明的是，在本发明实施例中，可以在真空条件下对沟道进行抽真空。
还需要说明的是，本发明实施例是以在沟道未密封的一端的开口对沟道进行抽真空为例进行说明的，实际应用中，还可以在密封的一端对沟道进行抽真空，本发明实施例对此不做限定。
步骤6043b、采用滴注法ODF工艺通过沟道另一端的开口向沟道内灌注液态金属。
具体地，采用滴注法(英文：One Drop Fill，简称：ODF)工艺从沟道未密封的一端的开口向沟道内滴注液态金属，为了保证液态金属均匀的充填在沟道内，在滴注液态金属的同时，可以通过电荷耦合元件(英文：Charge-coupled Device，简称：CCD)检查滴注的液态金属，以保证充填的液态金属的均匀性。其中，CCD检查的过程可参考现有技术，本发明实施例在此不再赘述。
还需要说明的是，实际应用中，步骤6042b和步骤6043b可以同时进行，即，在沟道的密封的一端处对沟道进行抽真空，在抽真空的过程中，采用ODF工艺从沟道未密封的一端的开口向沟道内滴注液态金属，本发明实施例对此不做限定。
以上两种方式可以在N个沟道未连通时，向每个沟道内灌注液态金属，在本发明实施例中，当N个沟道连通时，还可以采用下述第三种方式和第四种方式向沟道内灌注液态金属，其中，N个沟道连通时，形成该N个沟道的沟槽可以采用图6-6或者图6-7中的任意一种方式连通，具体地：
第三种方式，请参考图6-12，其示出的是图6-1所示实施例提供的再一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图，参见图6-12，该方法流程可以包括如下几个步骤：
步骤6041c、密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口。
在本发明实施例中，N个沟道可以是连通的，因此，可以密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口，其中，密封沟道的开口的过程与步骤603中在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层的过程相同或者类似，其密封过程可以参考步骤603，本实施例在此不再赘述。
需要说明的是，当N个沟道连通时，形成该N个沟道的沟槽可以采用图6-6或者图6-7中的任意一种方式连通，若形成该N个沟道的沟槽采用图6-6所示的方式连通，则可以密封该连通的N个沟道的两个开口中的任意一个开口，若形成该N个沟道的沟槽采用图6-7所示的方式连通，则可以密封该连通的N个沟道的N个开口中的任意N-1个开口，本发明实施例对此不做限定。
步骤6042c、对N个沟道进行抽真空。
示例地，可以在N个沟道的第一开口处对N个沟道进行抽真空，也可以在N个沟道的开口中除第一开口以外的任意一个开口处对N个沟道进行抽真空，本发明实施例对此不做限定，通过抽真空可以排出N个沟道内的空气，使N个沟道内形成真空。需要说明的是，在本发明实施例中，可以在真空条件下对沟道进行抽真空。
步骤6043c、采用滴注法ODF工艺通过第一开口向沟道内灌注液态金属。
在对N个沟道进行抽真空之后，可以采用ODF工艺通过第一开口向沟道内灌注液态金属。在滴注液态金属的同时，可以通过CCD检查滴注的液态金属，以保证充填的液态金属的均匀性。
需要说明的是，本发明实施例是以步骤6042c和步骤6043c按照先后顺序进行为例进行说明，实际应用中，该步骤6042c和步骤6043c还可以同时进行，即，可以一边对沟道进行抽真空，一边从第一开口向沟道内灌注液态金属，本发明实施例对此不做限定。
第四种方式，请参考图6-13，其示出的是图6-1所示实施例提供的又一种向沟道内灌注液态金属的方法的方法流程图，参见图6-13，该方法流程可以包括如下几个步骤：
步骤6041d、密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口。
在本发明实施例中，N个沟道可以是连通的，因此，可以密封N个沟道的开口中，除第一开口以外的开口，第一开口为N个沟道的开口中的任意一个开口，其中，密封沟道的开口的过程与步骤603中在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层的过程相同或者类似，其密封过程可以参考步骤603，本实施例在此不再赘述。
需要说明的是，当N个沟道连通时，形成该N个沟道的沟槽可以采用图6-6或者图6-7中的任意一种方式连通，若形成该N个沟道的沟槽采用图6-6所示的方式连通，则可以密封该连通的N个沟道的两个开口中的任意一个开口，若形成该N个沟道的沟槽采用图6-7所示的方式连通，则可以密封该连通的N个沟道的N个开口中的任意N-1个开口，本发明实施例对此不做限定。
步骤6042d、对N个沟道进行抽真空。
示例地，可以在N个沟道的第一开口处对N个沟道进行抽真空，也可以在N个沟道的开口中除第一开口以外的任意一个开口处对N个沟道进行抽真空，本发明实施例对此不做限定，通过抽真空可以排出N个沟道内的空气，使N个沟道内形成真空。需要说明的是，在本发明实施例中，可以在真空条件下对沟道进行抽真空的。
步骤6043d、将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使液态金属槽中的液态金属从第一开口进入沟道，并充填在沟道内。
由于对沟道抽真空后，沟道内的气压小于外界气压，将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中后，液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的第一开口进入沟道，并充填在沟道内。
需要说明的是，当液态金属槽处于非真空环境下时，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之前，可以先对沟道的第一开口进行密封，然后，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，打开沟道的第一开口，以便于液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的第一开口进入沟道，并充填在沟道内；当液态金属槽处于真空环境下时，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，可以在液态金属槽中的液态金属的表面对液态金属施加压力，使得液态金属槽中的液态金属可以从沟道的第一开口进入沟道，并充填在沟道内。
还需要说明的是，在本发明实施例中，在将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中指的是将抽真空后的包括取向层和覆盖层的基板整体浸泡在液态金属槽中。
还需要说明的是，实际应用中，步骤6042d和步骤6043d可以同时进行，即，将包括取向层和覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中之后，对N个沟道进行抽真空，在抽真空的过程中，液态金属槽中的液态金属可以在外界气压的作用下，从沟道的第一开口进入沟道内。
步骤605、向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使每个液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。
其中，由于沟槽的一端位于ITO电极的正电极在取向层的对应区域上，另一端位于ITO电极的负电极在取向层的对应区域上，在向ITO电极的正电极施加正相电压，向ITO电极的负电极施加负相电压时，由于ITO电极本身存在电阻，因此，ITO电极的正电极和负电极之间存在电压差，使得ITO电极的正电极和负电极之间可以形成电场，该电场的方向与沟槽的长度方向平行。
液态金属的流动性较高，且在不同的电场或者磁场的作用下，液态金属结构可以以不同的形态存在，在本发明实施例中，可以向ITO电极施加预设强度的电压预定时长，以使得每个液态金属结构在ITO电极形成的电场的作用下，沿自身所在沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，最终每个棒状结构的液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。其中，预设强度和预定时长都可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不做限定，示例地，可以将ITO电极的正电极与电源的正电极连接，ITO电极的负电极与电源的负电极连接，将电源的电压调节至2～10V(伏特)，使得电源可以向ITO电极施加2～10V的电压，由于ITO电极本身存在电阻，因此，ITO电极的正电极和负电极之间存在电压差，使得ITO电极的正电极和负电极之间可以形成电场，该电场的方向与沟槽的长度方向平行，向ITO电极施加10～30s(秒)的电压，以使得通过ITO电极向液态金属施加10～30s的预定强度的电场，使每个液态金属结构在ITO电极形成的电场的作用下，沿自身所在沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，最终每个棒状结构的液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。
示例地，请参考图3，沟槽A内形成有液态金属011，液态金属011包括多个液态金属结构0111，每个液态金属结构0111为棒状结构，且每个液态金属结构0111的长轴方向与沟槽A的长度方向x2平行；棒状结构的液态金属结构0111是具有长轴和短轴的三维立体结构，当棒状结构的液态金属结构0111的长轴与沟槽A的长度方向平行时，其短轴与沟槽A的长度方向垂直。在本发明实施例中，液态金属0111的短轴方向即是偏光片的偏振方向，液态金属0111的长轴方向与偏光片的偏振垂直。需要说明的是，在本发明实施例中，每个液态金属结构0111可以由多个液态金属分子形成，本发明实施例对此不做限定。
步骤606、对液态金属进行固化。
当每个液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行时，可以对液态金属进行固化，使得在取消电场后，每个液态金属结构依然呈棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，形成偏光片的稳定的偏振方向。
室温下的液态金属在低于室温的预设温度下，可以以固态存在，因此，在本发明实施例中，可以采用降温的方式对液态金属进行固化。
步骤607、在覆盖层上形成保护层，得到偏光片。
请参考图6-14，其示出的是在覆盖层012上形成保护层013后的结构示意图，可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD的方法在覆盖层012上沉积一定厚度的硅化物作为保护层013，其中，保护层013可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。在覆盖层012上形成保护层013后，可以得到偏光片。
需要说明的是，本发明实施例以保护层013采用硅化物形成为例进行说明，实际应用中，保护层013还可以采用其他的材料形成，本发明实施例对此不做限定。
步骤608、将偏光片从载体基板上剥离。
请参考图6-15，其示出的是剥离载体基板后的偏光片的结构示意图，在本发明实施例中，由于在步骤606中已经形成了稳定的偏振方向，因此，在剥离载体基板的时，可以将ITO电极也从偏光片上剥离。在本发明实施例中，可以采用激光剥离的工艺剥离载体基板和ITO电极。
需要说明的是，本发明实施例是以剥离ITO电极为例进行说明的，实际应用中，为了节省制作工艺，也可以不剥离ITO电极，本发明实施例不对是否剥离ITO电极做限定。
步骤609、在取向层未形成有沟槽的面上形成保护层。
请参考图6-16，其示出的是在取向层010未形成有沟槽的面上形成保护层013后的结构示意图，其中，在取向层010未形成有沟槽的面上形成保护层013的过程可以参考步骤607在覆盖层上形成保护层的过程，本实施例在此不再赘述。
需要说明的是，若步骤608中没有剥离ITO电极，则保护层013实际上是形成在ITO电极未与取向层接触的一面上，本发明实施例对此不做限定。
还需要说明的是，在本发明实施例中，还可以根据实际需要在保护层上形成放反射膜等膜层，以使得偏光片具有防反射、耐刮伤、高亮度等功能。
还需要说明的是，本实施例是以在载体基板上形成ITO电极为例进行说明的，实际应用中，还可以不在载体基板上形成ITO电极，而在取向层形成有沟槽的面上形成ITO电极，或者还可以在载体基板上和取向层形成有沟槽的面上都形成ITO电极，或者还可以在其他位置形成ITO电极，本发明实施例中的ITO电极主要用于对液态金属施加电压，以使得液态金属结构能够沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，本发明不对ITO电极的形成位置做限定。
还需要说明的是，当N个沟道连通时，在向沟道内形成液态金属的时候，沟道的连通部位也会形成液态金属，影响偏光片的偏振方向，实际应用中，可以根据需要对偏光片进行裁剪，以去除N个沟道的连通部位，本发明实施例对此不做限定。
还需要说明的是，本发明实施例提供的偏光片的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。示例地，在本发明实施例中，步骤601可以删除，也即，可以不形成ITO电极，直接形成取向层并在取向层上的沟槽内形成液态金属，并按照后续步骤对液态金属进行固化，这样也可以形成偏光片的偏振方向，偏光片的偏振方向垂直取向层上的沟槽的长度方向。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片的制造方法，通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
本发明实施例提供的偏光片采用液态金属实现偏光片的偏振方向，由于液态金属的成本较低，因此，本发明实施例提供的偏光片的成本较低。
请参考图7，其示出的是本发明实施例提供的再一种偏光片的制造方法的方法流程图。该偏光片的制造方法可以用于制造图1或图4所示的偏光片01，参见图7，该偏光片的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤701、在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽。
其中，载体基板可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板，且载体基板的上表面通常为矩形。
请参考图7-2，其示出的是在载体基板02上形成取向层010后的结构示意图，本发明实施例以载体基板02的上表面为矩形为例说明，其中，取向层010的上表面可以为与载体基板02的上表面相同的矩形，取向层010的宽度方向可以为y，取向层010的宽度方向y与载体基板02的宽度方向平行，其中，取向层010的上表面与载体基板02的上表面相同指的是：取向层010的上表面的形状与载体基板02的上表面的形状相同，且取向层010的上表面的面积与载体基板02的上表面的面积相同。
参见图7-2，取向层010上形成有N个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，每个沟槽A为长条形沟槽，且每个沟槽A的长度方向与取向层010的宽度方向y垂直，其中，N为大于或者等于2的正整数，N的具体数值可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定，每个沟槽A的第一纵截面可以为V字形，本发明实施例对此不做限定，沟槽A的第一纵截面指的是垂直于取向层010的上表面，且平行于取向层010的宽度方向y的截面。
可选地，取向层010可以采用PI材料或者无机材料形成，具体地，当取向层010采用PI材料形成时，取向层010的具体形成过程可以包括：可以采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在载体基板02上沉积一层具有一定厚度的PI材料，并对PI材料进行固化得到取向层010，之后采用Rubbing工艺或者光取向工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成N个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，需要说明的是，由于采用光取向工艺形成的沟槽的一致性较高，因此，本发明实施例优选采用光取向工艺对取向层010进行取向。
当取向层010采用无机材料形成时，取向层010的具体形成过程可以包括：采用涂覆、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在载体基板02上沉积一层具有一定厚度的无机材料，并对无机材料进行固化得到取向层010，之后采用微加工工艺对取向层010进行取向，使取向层010上形成多个沿取向层010的宽度方向y阵列排布的沟槽A，其中，微加工工艺如纳米压印工艺、MEMS等工艺。
需要说明的是，本发明实施例以取向层010采用PI材料或无机材料形成为例进行说明，实际应用中，取向层010的形成材料可以为其他材料，本发明实施例对此不做限定。其中，图7-2所示的沟槽只是示意性的，并不能用以限制本发明实际应用中的沟槽，实际应用中，沟槽的结构为微结构，沟槽的宽度的数量级为纳米量级。
步骤702、采用吸附有液态金属的转印版向取向层的沟槽内转印液态金属。
请参考图7-3，其示出的是向取向层010的沟槽内转印液态金属011后的结构示意图，参见图7-3，每个沟槽内都形成了液态金属011，液态金属011可以包括多个液态金属结构，该液态金属011可以是采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金，本发明实施例不对液态金属011的具体形成材料以及形成方式做限定。需要说明的是，在本发明实施例中，每个液态金属结构0111可以由多个液态金属分子形成，本发明实施例对此不做限定。
在本发明实施例中，可以采用roll to roll(中文：卷对卷)工艺向取向层010的沟槽内转印液态金属011，其中，roll to roll工艺中采用的转印版上形成有多个条状pattern(中文：图案)，任意两个相邻的条状pattern之间的距离可以等于任意相邻的两个沟槽之间的距离，可以在条状pattern上吸附液态金属，之后将转印版包裹在辊轮上，采用辊轮在取向层010形成有沟槽的面上滚动，辊轮在滚动的过程中，使转印版上的条状pattern对准沟槽，该条状pattern上的液态金属即可被转印至沟槽内。
步骤703、在取向层形成有沟槽的面上形成氧化铟锡ITO电极，沟槽内形成有液态金属，ITO电极包括正电极和负电极，正电极与沟槽的一端对应，负电极与沟槽的另一端对应。
请参考图7-4，其示出的是在取向层010形成有沟槽的面上形成ITO电极014后的结构示意图，本发明实施例以取向层010的上表面为矩形为例说明，参见图7-4，可选地，可以在取向层010的整个上表面上形成ITO电极014，也可以在取向层010的上表面上沿取向层010的宽度方向y形成N个阵列排布的长条状的ITO电极014，使每个长条状的ITO电极014的长度方向与取向层010的长度方向平行，其中，N为大于或者等于2的正整数，N的具体数值可以根据实际情况设置，本发明实施例对此不做限定，本发明实施例以在取向层010形成有沟槽的整个面上形成ITO电极014为例进行说明。其中，ITO电极可以包括正电极和负电极(图7-4中未示出)，正电极与沟槽的一端对应，负电极与沟槽的另一端对应。其中，ITO电极014的形成过程以及ITO电极014的俯视图可以参考图6-1所示实施例中的步骤601、图6-3以及图6-4，本实施例在此不再赘述。
步骤704、向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使每个液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行。
步骤705、对液态金属进行固化。
以上步骤704和步骤705与图6-1所示实施例中的步骤605和步骤606相同或类似，其实现过程可以参考图6-1所示实施例中的步骤605和步骤606，本实施例在此不再赘述。
步骤706、剥离ITO电极。
其中，剥离ITO电极后的结构示意图与图7-3相同或类似，本实施例在此不再赘述。在本发明实施例中，由于在步骤705中已经形成了稳定的偏振方向，因此，为了减小偏光片对光线的吸收，提高透光率，可以将ITO电极从取向层010形成有沟槽的面上剥离。在本发明实施例中，可以采用激光剥离的工艺剥离ITO电极。
需要说明的是，本发明实施例是以剥离ITO电极为例进行说明的，实际应用中，为了节省制作工艺，也可以不剥离ITO电极，本发明实施例不对是否剥离ITO电极做限定。
步骤707、在取向层形成有沟槽的面上形成覆盖层。
请参考图7-5，其示出的是在取向层010形成有沟槽的面上形成覆盖层012后的结构示意图，覆盖层012的具体形成过程与图6-1所示实施例中的步骤603相同或类似，本实施例在此不再赘述。但是需要说明的是，由于步骤706中在沟槽内形成了液态金属011，因此，在本实施例中，在取向层010形成有沟槽的面上形成覆盖层012后，取向层010与覆盖层012之间的沟道已被液态金属011充填。
步骤708、在覆盖层上形成保护层，得到偏光片。
步骤709、将偏光片从载体基板上剥离。
步骤710、在取向层未形成有沟槽的面上形成保护层。
以上步骤708至步骤710与图6-1所示实施例中的步骤607至步骤609相同或类似，其具体实现过程可以参考图6-1所示实施例中的步骤607至步骤609，本实施例在此不再赘述。
需要说明的是，本实施例是以在取向层形成有沟槽的面上形成ITO电极为例进行说明的，实际应用中，还可以不在取向层形成有沟槽的面上形成ITO电极，而在载体基板上形成ITO电极，或者还可以在载体基板上和取向层形成有沟槽的面上都形成ITO电极，或者还可以在其他位置形成ITO电极，本发明实施例中的ITO电极主要用于对液态金属施加电压，以使得液态金属结构能够沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，本发明不对ITO电极的形成位置做限定。
还需要说明的是，当N个沟道连通时，在向沟道内形成液态金属的时候，沟道的连通部位也会形成液态金属，影响偏光片的偏振方向，实际应用中，可以根据需要对偏光片进行裁剪，以去除N个沟道的连通部位，本发明实施例对此不做限定。
还需要说明的是，本发明实施例提供的偏光片的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。示例地，在本发明实施例中，步骤703可以删除，也即，可以不形成ITO电极，直接形成取向层并在取向层上的沟槽内形成液态金属，并按照后续步骤对液态金属进行固化，这样也可以形成偏光片的偏振方向，偏光片的偏振方向垂直取向层上的沟槽的长度方向。
在本发明实施例中，如果入射光的偏振方向与沟槽的长度方向平行，位于沟槽内的液态金属中的自由电子受到外电场的作用沿沟槽的长度方向定向移动，由于沟槽的长度与入射光的波长相比很长，相当于入射光作用到金属薄膜表面，沟槽长度方向的偏振光被反射，相反，当入射光的偏振方向与沟槽的长度方向垂直时，由于沟道的宽度只有入射光的波长的三分之一到四分之一左右，自由电子的运动严重受阻，无法与入射光发生有效作用，不产生反射和折射，从而透射。
综上所述，本发明实施例提供的偏光片的制造方法，通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明实施例采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高。
本发明实施例提供的偏光片采用液态金属实现偏光片的偏振方向，由于液态金属的成本较低，因此，本发明实施例提供的偏光片的成本较低。
请参考图8，其示出的是本发明实施例提供的一种显示装置03的结构示意图，参见图8，该显示装置03包括：对盒成型的阵列基板031和彩膜基板032，以及填充在阵列基板031和彩膜基板032之间的液晶层033。
其中，如图8所示，该液晶层033包括多个液晶分子0331和隔垫物0332，该隔垫物0332分别与阵列基板031和彩膜基板032相接触，用于支撑阵列基板031和彩膜基板032，使得阵列基板031和彩膜基板032之间形成空间，液晶分子0331位于该空间内。液晶分子0331可以为正向液晶分子或者负向液晶分子，阵列基板031设置有ITO电极(图8中未示出)，当向该ITO电极施加电压时，在电场的作用下，液晶分子0331的长轴或短轴沿着电场方向规则排列，显示出各向异性，影响入射光的偏振方向。
其中，阵列基板032的背光侧设置有上偏光片034，彩膜基板032远离阵列基板031的一侧设置有下偏光片035，上偏光片034和/或下偏光片035为图1或图4任一所示的偏光片。
进一步地，请继续参考图8，该显示装置03还包括：背光源036。背光源036设置在上偏光片034远离阵列基板031的一侧。可选地，背光源036可以包括光源0361和导光板0362，如图8所示，光源0361可以设置在上偏光片034远离阵列基板031的一侧，导光板0362可以设置在光源0361与上偏光片034之间，此时，该背光源036可以称为直下式背光源。或者，如图9所示，导光板0362可以设置在上偏光片034远离阵列基板031的一侧，光源0361可以设置在导光板0362的侧面，此时，该背光源036可以称为侧入式背光源。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，包括偏光片，偏光片通过在载体基板上形成取向层，使取向层上形成有沟槽，向沟槽内形成液态金属并向液态金属施加平行于沟槽的长度方向的电场，使液态金属结构沿沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，之后对液态金属进行固化得到偏光片，将偏光片从载体基板上剥离；液态金属结构的长轴方向与沟槽的长度方向平行，液态金属结构的短轴方向即是偏光片的偏振方向，本发明实施例提供的显示装置采用液态金属实现偏光片的偏振方向，使得偏光片的偏振方向容易控制，偏光片的良率较高，提高了显示装置的显示性能。
本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (23)

1.一种偏光片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽；
向所述沟槽内形成液态金属，所述液态金属包括多个液态金属结构；
向所述液态金属施加平行于所述沟槽的长度方向的电场，使每个所述液态金属结构沿所述沟槽的长度方向拉伸形成棒状结构，且每个所述液态金属结构的长轴方向与所述沟槽的长度方向平行；
对所述液态金属进行固化，得到偏光片；
将所述偏光片从所述载体基板上剥离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在所述向所述沟槽内形成液态金属之前，所述方法还包括：
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成覆盖层，使所述取向层与所述覆盖层之间形成两端开口的沟道；
所述向所述沟槽内形成液态金属，包括：
向所述沟道内灌注液态金属。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
对所述沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括所述取向层和所述覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使所述液态金属槽中的液态金属充填在所述沟道内。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封所述沟道一端的开口；
对所述沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过所述沟道另一端的开口向所述沟道内灌注液态金属。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述沟道的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数，N个所述沟道连通，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封N个所述沟道的开口中，除第一开口以外的开口，所述第一开口为所述N个所述沟道的开口中的任意一个开口；
对N个所述沟道进行抽真空；
采用滴注法ODF工艺通过所述第一开口向所述沟道内灌注液态金属。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述沟道的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数，N个所述沟道连通，
所述向所述沟道内灌注液态金属，包括：
密封N个所述沟道的开口中，除第一开口以外的开口，所述第一开口为所述N个所述沟道的开口中的任意一个开口；
对N个所述沟道进行抽真空；
将抽真空后的包括所述取向层和所述覆盖层的基板放置在盛放有液态金属的液态金属槽中，使所述液态金属槽中的液态金属从所述第一开口进入所述沟道，并充填在所述沟道内。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
在所述向所述沟槽内形成液态金属之后，所述方法还包括：
在所述覆盖层上形成保护层。
8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，
在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽之前，所述方法还包括：
在所述载体基板上形成氧化铟锡ITO电极，所述ITO电极包括正电极和负电极；
所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
在形成有所述ITO电极的基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，且所述沟槽的一端位于所述正电极在所述取向层的对应区域上，另一端位于所述负电极在所述取向层的对应区域上。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述向所述沟槽内形成液态金属，包括：
采用吸附有液态金属的转印版向所述取向层的沟槽内转印液态金属；
在所述向所述沟槽内形成液态金属之后，所述方法还包括：
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成氧化铟锡ITO电极，所述沟槽内形成有液态金属，所述ITO电极包括正电极和负电极，所述正电极与所述沟槽的一端对应，所述负电极与所述沟槽的另一端对应。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在对所述液态金属进行固化之后，所述方法还包括：
剥离所述ITO电极；
在所述取向层形成有所述沟槽的面上形成覆盖层；
在所述覆盖层上形成保护层。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在所述将所述偏光片从所述载体基板上剥离之后，所述方法还包括：
在所述取向层未形成有所述沟槽的面上形成保护层。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述取向层采用聚酰亚胺PI材料形成，所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
采用聚酰亚胺PI材料在所述载体基板上形成取向层；
采用摩擦工艺或者光取向工艺在所述取向层上形成所述沟槽。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述取向层采用无机材料形成，所述在载体基板上形成取向层，使所述取向层上形成有沟槽，包括：
采用无机材料在所述载体基板上形成取向层；
采用微加工工艺在所述取向层上形成所述沟槽。
14.根据权利要求2或10所述的方法，其特征在于，
所述覆盖层为聚酯薄膜PET膜片。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述沟槽的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数；
N个所述沟槽阵列排布在所述取向层上。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述液态金属为采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金。
17.一种偏光片，其特征在于，所述偏光片包括：
取向层，所述取向层上形成有沟槽，所述沟槽内形成有液态金属，所述液态金属包括多个液态金属结构，每个所述液态金属结构为棒状结构，且每个所述液态金属结构的长轴方向与所述沟槽的长度方向平行。
18.根据权利要求17所述的偏光片，其特征在于，
所述取向层形成有所述沟槽的面上形成有覆盖层；
所述覆盖层和所述取向层未形成有所述沟槽的面上都形成有保护层。
19.根据权利要求18所述的偏光片，其特征在于，
所述取向层采用聚酰亚胺PI材料或者无机材料形成；
所述覆盖层为聚酯薄膜PET膜片。
20.根据权利要求17所述的偏光片，其特征在于，
所述沟槽的个数为N，所述N为大于或者等于2的正整数；
N个所述沟槽阵列排布在所述取向层上。
21.根据权利要求17所述的偏光片，其特征在于，
所述液态金属为采用铯、镓、铷、钾、钠、铟、锂、锡、铋、锌、锑、镁、铝中的至少两种形成的合金。
22.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
所述阵列基板的背光侧设置有上偏光片，所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧设置有下偏光片，所述上偏光片和/或所述下偏光片为权利要求17至21任一所述的偏光片。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：背光源，
所述背光源设置在所述上偏光片远离所述阵列基板的一侧。
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