CN106653696B - 一种用于制作阵列基板的方法 - Google Patents
一种用于制作阵列基板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106653696B CN106653696B CN201611242248.4A CN201611242248A CN106653696B CN 106653696 B CN106653696 B CN 106653696B CN 201611242248 A CN201611242248 A CN 201611242248A CN 106653696 B CN106653696 B CN 106653696B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- porous
- graphene
- pattern
- metal pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 157
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 copper metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于制作阵列基板的方法,该方法包括以下步骤:在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案;在所述第一金属图案上形成绝缘层;在所述绝缘层上形成有源层;在所述有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案。本发明可以有效地降低环境光的反射,提升显示器的品质。
Description
技术领域
本发明属于显示面板制作技术领域,具体地说,尤其涉及一种用于制作阵列基板的方法。
背景技术
随着人们对显示器的要求逐渐提高,近年来,窄边框成为显示行业追求的新方向,尤其在商显领域,拼接屏的兴起正在逐渐挑战窄边框工艺,从而催生了无边框产品。在无边框产品中,阵列基板和彩膜基板仍是按照现行工艺进行贴合,只是,传统显示是彩膜基板位于出光侧,而在无边框产品中,是采用阵列基板位于出光侧,以方便实现更细致的外接电路设计,实现真正的无边框。然而,出光侧的阵列基板由于其金属信号线容易反射外界环境光,容易出现镜面效果,降低了显示对比度,影响了显示效果。
为了避免反射,通常采用在基板和信号线之间增加一层减反层来吸收外界环境光,常用的减反层包括铟锡氧化物、黑色树脂材料,或者制作黑色电极如钛金属、钛金属合金、铬金属、铬金属合金,石墨电极或其他反射性较弱的金属、合金、非金属或混合物电极。但是减反层的加入不仅增加了膜层厚度,改变了信号线与基板的接触,从而影响了附着力,在后续制程中有剥离的风险。
发明内容
为解决以上问题,本发明提供了一种用于制作阵列基板的方法,用于可以有效地降低环境光的反射,提升显示器的品质。
根据本发明的一个实施例,提供了一种用于制作阵列基板的方法,包括:
在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案;
在所述第一金属图案上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成有源层;
在所述有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案;
将预定体积石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案;
将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干;
采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案;
将预定体积石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案;
将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干;
采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用3D打印法,按照预定程序在玻璃基底上形成由多孔三维金属制成的预定图案;
将预定体积石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用3D打印法,按照预定程序在玻璃基底上形成由多孔三维金属制成的预定图案;
将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干;
采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用脱合金法在玻璃基底上形成铜金属多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述铜金属多孔三维金属薄膜制成预定图案;
采用气相沉积法在所述预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成铜金属多孔三维金属薄膜;
采用光刻制程将所述铜金属多孔三维金属薄膜制成预定图案;
采用气相沉积法在所述预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
采用3D打印法,按照预定程序在玻璃基底上形成铜金属多孔三维金属制成的预定图案;
采用气相沉积法在所述预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
本发明的有益效果:
(1)、采用多孔三维金属作电极,降低光反射,并且石墨烯可以有效的包覆在其表面;
(2)、三维多孔铜电极是石墨烯的天然催化剂,可以直接在铜表面生长石墨烯;
(3)、导电性优异的石墨烯构建的网络结构可以传导电子,不影响信号传输;
(4)、多层石墨烯结构可以有效地吸收外环境光,减少信号线的反射,提升显示品质。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
图1是根据本发明的一个实施例的用于制作阵列基板的方法流程图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
如图1所示为根据本发明的一个实施例的方法流程图,包括:在步骤S110中,在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案;在步骤S120中,在第一金属图案上形成绝缘层;在步骤S130中,在绝缘层上形成有源层;在步骤S140中,在有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案。以下参考图1来对本发明进行详细说明。
首先,在步骤S110中,在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案。
多孔三维金属主要有3种制备方法:脱合金法,溶胶凝胶法和3D打印法。其中,脱合金法采用与易挥发合金元素的合金,如锌、镉、铋、硒、镁、锶、锑等具有较高蒸汽压的元素,同时合金中易挥发元素的含量需要控制在原子百分比20%-80%之间,以形成不同的孔隙率。溶胶凝胶法采用金属的前驱体在基板上形成膜层,然后在高温下煅火制备出金属的三维多孔结构。3D打印法利用程序,直接在基底生成金属的三维多孔结构。
针对不同的基底,石墨烯可以由以下几种方法制备,石墨烯的厚度一般控制在10~100nm。当金属信号线是铜金属时,可以采用直接气相沉积法制备石墨烯,由于铜是气相生长石墨烯的天然催化剂,石墨烯可以均匀的在铜金属层表面生长,实现石墨烯的定向生长。
对于所有的金属信号线如铝、钼、铜、钛等,都可以采用溶液法制备。具体来说,采用浸涂、滴涂、刮涂等方法,在金属信号线表面上涂敷一层石墨烯溶液或者氧化石墨烯溶液(溶液浓度为0.1~10mg/ml,其中,溶液为溶质和溶剂的混合物,在本发明中溶质为石墨烯或氧化石墨烯,溶剂为水、乙醇、丙醇等)。当涂敷氧化石墨烯时,需继续采用物理或者化学方法(如激光加热、热冲击、氢还原、无机液体还原剂还原等)将氧化石墨烯还原成导电性更优的石墨烯。
根据以上所述的多孔三维金属制备方法和石墨烯制备方法,本发明提供了以下几种制备第一金属图案的方法。
根据本发明的第一个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜,此处的多孔三维金属薄膜可为铝、钼、铜、钛等。然后采用光刻制程将多孔三维金属薄膜制成预定图案,此处将薄膜晶体管的栅极作为第一金属图案、薄膜晶体管的源漏极和数据线为第二金属图案为例来进行说明。然后将预定体积石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案。此处的预定体积根据第一金属图案的大小及溶液浓度等情况确定。
根据本发明的第二个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜,此处的多孔三维金属薄膜可为铝、钼、铜、钛等;然后,采用光刻制程将多孔三维金属薄膜制成预定图案;然后,将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干;采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除以得到对应的第一金属图案。
根据本发明的第三个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;然后,采用光刻制程将多孔三维金属薄膜制成预定图案;最后,将预定体积石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案。
根据本发明的第四个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜;然后,采用光刻制程将多孔三维金属薄膜制成预定图案;然后,将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干;最后,采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除以得到对应的第一金属图案。
根据本发明的第五个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用3D打印法,按照预定程序在玻璃基底上形成由多孔三维金属制成的预定图案;然后,将预定体积石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的第六个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用3D打印法,按照预定程序在玻璃基底上形成由多孔三维金属制成的预定图案;将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至预定图案上,去除溶剂并烘干;最后,采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除,以得到对应的第一金属图案。
以上的六个具体实施例均对应多孔三维金属薄膜可为铝、钼、铜、钛等,将薄膜晶体管的栅极作为第一金属图案、薄膜晶体管的源漏极和数据线为第二金属图案为例来进行说明的,但本发明不限于此。
根据本发明的第七个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用脱合金法在玻璃基底上形成铜金属多孔三维金属薄膜;然后,采用光刻制程将铜金属多孔三维金属薄膜制成预定图案;最后,采用气相沉积法在预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
根据本发明的第八个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用溶胶凝胶法在玻璃基底上形成铜金属的多孔三维金属薄膜;然后,采用光刻制程将多孔三维金属薄膜制成预定图案;采用气相沉积法在预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案。
根据本发明的第九个实施例,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案进一步包括以下几个步骤。首先,采用3D打印法按照预定程序在玻璃基底上形成铜金属多孔三维金属制成的预定图案;采用气相沉积法在预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案。
接下来,在步骤S120中,在第一金属图案上形成绝缘层。在将第一金属图案作为薄膜晶体管的栅极、将第二金属图案作为薄膜晶体管的源极、漏极和数据线时,该绝缘层为栅极绝缘层。
接下来,在步骤S130中,在绝缘层上形成有源层。即在绝缘层上形成沟道层。
最后,在步骤S140中,在有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案。该第二金属图案的形成过程与第一金属图案相同,此处不将赘述。
采用以上所述的多孔三维金属信号线为基础,制作阵列基板,按照正常流程与彩膜基板对组后,在制作模组时,将阵列基板作为出光侧,面对观众,由于黑色石墨烯的吸收反射光,可以有效地降低环境光的反射,提升显示器的品质。
虽然本发明所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (4)
1.一种用于制作阵列基板的方法,其特征在于,包括如下步骤:
在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案;
在所述第一金属图案上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成有源层;
在所述有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案;
其中,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤包括:
采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜:所述多孔三维金属薄膜的材料为铝、钼、铜或钛,所述脱合金法采用铝、钼、铜或钛与易挥发合金元素的合金,所述易挥发合金元素为锌、镉、铋、硒、镁、锶或锑,所述合金中易挥发合金元素的原子百分比为20%~80%;
采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
将预定体积石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤进一步包括:
将预定体积氧化石墨烯溶液涂布至所述预定图案上,去除溶剂并烘干;
采用氢气还原法将氧化石墨烯的含氧基团去除以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图的步骤案进一步包括:
采用气相沉积法在所述预定图案的表面直接生成石墨烯,以得到对应的第一金属图案/第二金属图案。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611242248.4A CN106653696B (zh) | 2016-12-29 | 2016-12-29 | 一种用于制作阵列基板的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611242248.4A CN106653696B (zh) | 2016-12-29 | 2016-12-29 | 一种用于制作阵列基板的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106653696A CN106653696A (zh) | 2017-05-10 |
CN106653696B true CN106653696B (zh) | 2019-10-22 |
Family
ID=58836546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611242248.4A Active CN106653696B (zh) | 2016-12-29 | 2016-12-29 | 一种用于制作阵列基板的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106653696B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109411149B (zh) | 2017-08-18 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品 |
CN109143661A (zh) * | 2018-07-24 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶面板及减反层的制备方法 |
CN110429087A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-11-08 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 阵列基板金属线及其制备方法、以及显示面板 |
CN110941115B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-09-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103887352A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-06-25 | 上海师范大学 | 一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法 |
CN104300008A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140287641A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Aerogel Technologies, Llc | Layered aerogel composites, related aerogel materials, and methods of manufacture |
-
2016
- 2016-12-29 CN CN201611242248.4A patent/CN106653696B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103887352A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-06-25 | 上海师范大学 | 一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法 |
CN104300008A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106653696A (zh) | 2017-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106653696B (zh) | 一种用于制作阵列基板的方法 | |
CN103370748B (zh) | 导电结构体及其制备方法 | |
CN105742292B (zh) | 阵列基板的制作方法及制得的阵列基板 | |
CN105572780B (zh) | 线栅偏振器件及其制作方法、显示装置 | |
US10698539B2 (en) | UV film sensor and preparation method therefor, and touch control screen | |
WO2017054265A1 (zh) | 一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法 | |
CN107155365B (zh) | 包括金属纳米线和金属纳米粒子的传导金属网络以及制造其的方法 | |
CN104485279A (zh) | 一种基于金属纳米网格的透明电极及其制备方法 | |
CN105761774A (zh) | 一种可用于智能液晶调光膜的新型电极材料及其制备方法 | |
Xian et al. | A practical ITO replacement strategy: Sputtering‐free processing of a metallic nanonetwork | |
US9445506B2 (en) | Preparation method of patterned film, display substrate and display device | |
KR20130048717A (ko) | 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 이를 패터닝하는 방법 | |
KR20110061628A (ko) | 서브밀리미터 전기전도성 그리드의 제조 방법 및 서브밀리미터 전기전도성 그리드 | |
WO2018214216A1 (zh) | Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置 | |
WO2015188646A1 (zh) | 太阳能电池超精细电极转移薄膜、制备方法及其应用方法 | |
US8865292B2 (en) | Micro-channel structure for micro-wires | |
CN105009042B (zh) | 导电结构体前体、导电结构体及其制造方法 | |
WO2020063272A1 (zh) | 一种超薄复合透明导电膜及其制备方法 | |
US9282647B2 (en) | Method of making micro-channel structure for micro-wires | |
Luo et al. | Flexible Transparent Electrodes Formed from Template‐Patterned Thin‐Film Silver | |
US20150110706A1 (en) | Hydrogen Surface-Treated Graphene, Formation Method Thereof and Electronic Device Comprising The Same | |
JP6222218B2 (ja) | 薄膜の転写方法、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の画素電極形成方法 | |
TWI605154B (zh) | 電致變色元件及其製造方法 | |
CN101806998B (zh) | 硅基电润湿微显示器件下基板的制作方法 | |
US20090022900A1 (en) | Method for manufacturing wire grid device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |