CN107076687A - 荧光x射线分析装置 - Google Patents

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山田康治郎
原真也
堂井真
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Rigaku Denki Co Ltd
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Abstract

测定线评价机构(23)根据针对薄膜而指定的组成和/或厚度，对于已指定的全部的测定线，通过理论计算而计算出推算测定强度，以规定量改变仅仅一个测定线的推算测定强度，针对每个变化的测定线，通过基本参数法，求出推算测定强度变化后的薄膜的组成和/或厚度的定量值，根据该定量值和已指定的组成和/或厚度，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断。

Description

荧光X射线分析装置
相关申请
本发明要求申请日为2015年8月10日、申请号为JP特愿2015—157958号的申请的优先权，通过参照，将其整体作为构成本申请的一部分的内容而引用。
技术领域
本发明涉及一种荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样照射一次X射线，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线的测定强度，通过基本参数法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值。
背景技术
在荧光X射线分析中，在根据所分析的试样的品种，适当选择而设定应测定的二次X射线，即，测定线时，在半导体晶片、镀有铁锌合金的钢板等的所谓的薄膜试样中的场合，由于分析薄膜的组成和厚度这两者，或同一元素包含于不同的层或基板中，故测定线的选择并不容易，如果选择不当，则无法进行正确的分析。
因此，作为现有技术，比如具有下述那样的荧光X射线分析装置(参照专利文献1)。在该荧光X射线分析装置中，测定线评价机构针对已指定的测定线的每个，计算针对薄膜的各层而指定的厚度和组成的第1理论强度、与以规定量变更厚度或含有率后的厚度与组成的第2理论强度，采用该第1理论强度和第2理论强度计算规定的厚度精度或含有率精度，根据该厚度精度或含有率精度，判断上述根据已指定的测定线的分析的可否，该分析的可否显示于显示器中，由此，操作者可根据它而容易地判断测定线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2001—356103号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，像比如试样为镀有铁锌合金的钢板的场合的那样，在分析作为薄膜的镀层的厚度与组成的两者，并且在作为不同的层的基板与镀层中包括共同的元素铁这样的情况下，无法正确地判断已指定的测定线的分析的可否。其原因在于：在现有的装置中，针对已指定的每根测定线，计算出针对镀层而指定的厚度和组成的第1理论强度、以规定量仅仅变更厚度的第2理论强度、以规定量仅仅变更含有率的第2理论强度，采用这些理论强度，计算规定的厚度精度和含有率精度，在根据该厚度精度和含有率精度来判断已指定的测定线的分析的可否时，实际上，厚度和组成的相应的定量值的变化不与单独的测定线的强度变化相对应，各测定线的强度大大依赖于镀层的厚度和组成这两者。
本发明是针对上述现有的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种荧光X射线分析装置，其中，在薄膜试样的荧光X射线分析中，即使在分析薄膜的各层的组成和厚度这两者，并且同一元素包含于不同的层中的情况下，仍可容易地进行适当的测定线的选择，可进行正确的分析。
用于解决课题的技术方案
为了实现上述目的，本发明的第1方案涉及一种荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样照射一次X射线，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线的测定强度，通过基本参数法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，该荧光X射线分析装置包括：测定线评价机构，该测定线评价机构针对作为应测定强度的二次X射线的测定线的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断；显示控制机构，该显示控制机构将通过该测定线评价机构而获得的定量误差和/或分析的可否显示于显示器中。
上述测定线评价机构首先，根据针对上述薄膜而指定的组成和/或厚度，针对已制定的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度。接着，根据以规定量改变该推算测定强度的组中的仅仅一根测定线的推算测定强度的推算测定强度的组，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤。然后，根据已求出的定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断。
在第1方案的荧光X射线分析装置中，根据针对薄膜而指定的组成和/或厚度，就已指定的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度，以规定量改变仅仅一根测定线的推算测定强度，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤，根据已求出的上述定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断。
即，由于依照各测定线的强度很大程度上依赖于薄膜的组成和厚度这两者的现实，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断，故即使在分析薄膜的各层的组成和厚度这两者，并且同一元素包含于不同层中的情况下，仍使适合的测定线的选择容易，可进行正确的分析。
本发明的第2方案涉及一种荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样照射一次X射线，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线的测定强度，通过基本参数法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，该荧光X射线分析装置包括：测定线评价机构，该测定线评价机构针对作为应测定强度的二次X射线的测定线的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断以及最佳的测定线的组合的选择；显示控制机构，该显示控制机构将通过该测定线评价机构而获得的定量误差和/或分析的可否以及最佳的测定线的组合显示于显示器中。
另外，上述测定线评价机构首先，根据针对上述薄膜而指定的组成和/或厚度，针对已制定的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度，计算推算测定强度，接着，根据可测定上述强度的全部的测定线，制作用于求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的测定线的组合。然后，针对该测定线的每个组合，根据以规定量改变于该组合中包含的测定线的上述推算测定强度的组中的仅仅一根测定线的推算测定强度的推算测定强度的组，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤。之后，根据已求出的定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断与最佳的测定线的组合的选择。
在第2方案的荧光X射线分析装置中，根据针对薄膜而指定的组成和/或厚度，就可测定强度的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度，制作用于求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的测定线的组合，针对该测定线的每个组合，以规定量改变仅仅一根测定线的推算测定强度，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤，根据已求出的上述定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断与最佳的测定线的组合的选择。
即，由于依照各测定线的强度很大程度上依赖于薄膜的组成和厚度这两者的现实，不仅进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断，而且进行最佳的测定线的组合的选择，故即使在分析薄膜的各层的组成和厚度这两者，并且同一元素包含于不同层中的情况下，仍自动地进行适合的测定线的选择，可进行正确的分析。
权利要求书和/或说明书和/或附图中公开的至少两个结构中的任意的组合均包含在本发明中。特别是，权利要求书中的各项权利要求的两个以上的任意的组合也包含在本发明中。
附图说明
根据参照附图的下面的优选的实施形式的说明，会更清楚地理解本发明。但是，实施形式和附图用于单纯的图示和说明，不应用于限制本发明的范围。本发明的范围由后附的权利要求书确定。在附图中，多个附图中的同一部件标号表示同一或相应部分。
图1为表示本发明的第1、第2实施方式的荧光X射线分析装置的示意图；
图2为表示第1实施方式的荧光X射线分析装置的动作的流程图；
图3为表示第2实施方式的荧光X射线分析装置的动作的流程图。
具体实施方式
下面根据附图，对本发明的第1实施方式的装置进行说明。像图1所示的那样，该装置为下述荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样3，从X射线管等的X射线源1照射一次X射线2，该试样3通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，通过检测机构9而测定所产生的二次X射线4的强度，根据该测定强度，通过基本参数法(在下面也称为“FP法”)，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，该荧光X射线分析装置包括：测定线评价机构23，该测定线评价机构23针对作为应测定强度的二次X射线的测定线4带来的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断；显示控制机构22，该显示控制机构22将通过该测定线评价机构23而获得的定量误差和/或分析的可否显示于液晶显示器等的显示器16中。
在这里，试样3为所谓的薄膜试样，比如为镀有铁锌合金的钢板，其放置于试样台8上。检测机构9由分光元件5与检测器7构成，该分光元件5对由试样3而产生的荧光X射线等的二次X射线4进行分光，该检测器7针对每个经分光的二次X射线6，测定其强度。另外，也可不采用分光元件5，而将检测能量分辨率高的检测器作为检测机构。此外，显示控制机构22和测定线评价机构23包括于分析条件制作机构20中。
根据测定强度，通过FP法而求出薄膜的组成和/或厚度的定量值这一点指：根据针对构成试样3的各薄膜(也具有单层的情况)而假定的组成和/或厚度，计算通过一次X射线2而激励的由试样3而产生的二次X射线4的理论强度，按照该理论强度和将针对试样3的测定强度换算为理论强度等级而得到的换算测定强度一致的方式，逐次近似地修正而计算针对各薄膜而假定的组成和/或厚度，求出组成和/或厚度的定量值。
第1实施方式的荧光X射线分析装置所具有的测定线评价机构23具体来说，像图2的流程图所示的那样进行动作。首先，在步骤S1，操作者使用设置于分析条件制作机构20中的在图中未示出的输入机构，根据针对薄膜i而指定的组成(各成分的含有率)Wil和/或厚度Til(标号1表示已指定的数值)，就同样而指定的全部的测定线ip，通过理论强度计算和装置灵敏度来计算推算测定强度IipM1(符号M表示测定强度等级)。推算测定强度IipM1通过下述方式计算，该方式为：将针对各测定线ip，通过理论计算而计算出的理论强度IipT1(符号T表示理论强度等级)除以装置灵敏度kip，换算为测定强度等级来计算。另外，对于装置灵敏度kip，预先针对每根测定线ip，测定纯物质等的标准试样，求出相对于测定强度的理论强度的比，将其预先存储于测定线评价机构23中。
接着，在步骤S2，根据以规定量而改变通过步骤S1而计算出的推算测定强度IipM1的组中的，仅仅一根测定线的推算测定强度的推算测定强度IipM2的组，通过FP法，求出推算测定强度变化后的薄膜的组成的定量值Wi2(ip)和/或厚度的定量值Ti2(ip)(标号2表示相对已指定的数值而变化的数值)。更具体地说，首先，通过下述式(1)，推算针对各测定线ip的强度的精度Sip：
Sip＝(IipM1/t)1/2 …(1)
在这里，t表示测定时间(秒)，比如为40秒。接着，仅仅在通过步骤S1而计算出的推算测定强度IipM1的组中的，一根测定线ip的推算测定强度IipM1上，通过下述式(2)，添加精度Sip的规定倍(α倍，比如两倍)，设为推算测定强度IipM2：
IipM2＝IipM1+α×Sip …(2)
针对其它的测定线ip，通过下述式(3)，形成原样的推算测定强度IipM1：
IipM2＝IipM1 …(3)
根据这些式(2)、(3)的推算测定强度IipM2，制作新的推算测定强度IipM2的组。接着，根据新的推算测定强度IipM2的组，通过FP法，求出推算测定强度变化后的薄膜的组成的定量值Wi2(ip)和/或厚度的定量值Ti2(ip)。另外，还可对到达定量值时的FP法的反复计算的次数设置上限值(比如两次)。以逐个地将测定线ip的推算测定强度变化为IipM1+α×Sip的方式，进行该动作。即，在改变改变了推算测定强度IipM1的测定线ip，针对已指定的全部的测定线ip改变推算测定强度IipM1之前，反复进行步骤S2的处理。由于测定线的X射线强度的误差为独立于每个测定线的现象，故即使在像这样，仅仅改变一个一个的测定线的推算测定强度的情况下，仍不失去合理性。
接着，在步骤S3，根据通过步骤S2而求出的组成的定量值Wi2(ip)和/或厚度的定量值Ti2(ip)与上述已指定的组成Wi1和/或厚度Til，进行定量误差ΔWi和/或ΔTi的推算和/或分析的可否的判断。更具体地说，首先，通过下述式(4)和/或(5)，针对改变推算测定强度的测定线ip的每个，求出变化后的组成的定量值Wi2(ip)和/或厚度的定量值Ti2(ip)，与已指定的组成Wi1和/或厚度Til的差：
ΔWi(ip)＝Wi2(ip)-Wi1 …(4)
ΔTi(ip)＝Ti2(ip)-Ti1 …(5)
接着，作为下述式(6)和/或(7)所表示的误差的平方的平均值的平方根，针对各薄膜i，推算考虑了已指定的全部测定线ip的，组成的定量误差ΔWi和/或厚度的定量误差ΔTi。在这里，n表示测定线的数量：
ΔWi＝(∑ipΔWi(ip)2/n)1/2 …(6)
ΔTi＝(∑ipΔTi(ip)2/n)1/2 …(7)
还可代替该定量误差ΔWi和/或ΔTi的推算，或不但进行该定量误差ΔWi和/或ΔTi的推算，还通过下述式(8)和/或(9)进行已指定的测定线的分析的可否的判断：
ΔWi/Wi1＜Rs …(8)
ΔTi/Ti1＜Rs …(9)
在这里，Rs表示必要相对精度，比如一律为0.05，还可针对各薄膜i分别设定。接着，如果针对全部的薄膜的组成和/或厚度，满足式(8)和/或(9)，则判定可进行分析，如果连一个式不满足，则判定不可进行分析。另外，分析的可否的判断通过下述式(10)和/或(11)，既可针对已指定的各测定线而进行，也可在步骤S2的循环中进行：
ΔWi(ip)/Wi1＜Rs …(10)
ΔTi(ip)/Ti1＜Rs …(11)
像这样，通过测定线评价机构23而获得的定量误差ΔWi和/或ΔTi和/或分析的可否通过显示控制机构22显示于显示器16中。像上述那样，在第1实施方式的荧光X射线分析装置中，由于依照各测定线ip的强度很大程度上依赖于薄膜的组成和厚度这两者的现实，进行定量误差ΔWi和/或ΔTi的推算，和/或，分析的可否的判断，其结果显示于显示器16中，故即使在分析薄膜的各层的组成和厚度这两者，并且同一元素包含于不同的层中的情况下，操作者仍能根据已显示的结果，容易并且适当地选择测定线，能进行正确的分析。
下面对本发明的第2实施方式的荧光X射线分析装置进行说明。像图1所示的那样，该装置为下述荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样3照射一次X射线2，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线4的测定强度，通过FP法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，该装置包括：测定线评价机构33，该测定线评价机构33针对作为应测定强度的二次X射线的测定线4的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断以及最佳的测定线的组合的选择；显示控制机构32，该显示控制机构32在显示器16中显示通过该测定线评价机构33而获得的定量误差和/或分析的可否以及最佳的测定线的组合。
在第2实施方式的装置中，由于测定线评价机构33的动作、显示控制机构32的动作，即，在显示器16中显示的内容不同于第1实施方式的装置，故对它们进行描述。
第2实施方式的装置所具有的测定线评价机构33具体来说，像图3的流程所示的那样进行动作。首先，在步骤S1A，根据针对薄膜i，与第1实施方式相同地指定的组成Wil和/或厚度Til，针对可测定强度的全部的测定线ip，与第1实施方式的装置相同，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度IipM1。根据所采用的装置的结构(比如分光元件)，采用测定线评价机构33所存储的构成薄膜i的每个元素的测定线的表，检索可测定强度的测定线ip。比如，试样3为在作为钢板的基板上形成由铁和锌形成的镀膜的镀铁锌合金的钢板，在已指定的组成Wil为铁的含有率，锌为剩余成分，基板为铁的场合，检索Zn－Kα、Zn－Kβ、Zn－Lα、Fe－Kα、Fe－Kβ、Fe－Lα这6根测定线ip。
接着，在步骤S2A—1，根据通过步骤S1A而检索的全部的测定线ip，制作用于求出薄膜的组成和/或厚度的定量值的测定线ip的组合j。在上述例子中，由于为了针对镀膜分析铁的含有率和厚度采用两根测定线，故制作15个组合。
之后，在步骤S2A—2，针对通过步骤S2A—1而制作的测定线ip的组合j的每个，根据就于该组合j中包含的测定线ip而通过步骤S1A计算出的推算测定强度IipM1的组中的仅仅一根测定线的推算测定强度以规定量变化的推算测定强度IipM2的组，改变使推算测定强度IipM1变化的测定线ip，反复进行通过FP法求出推算测定强度变化后的薄膜的组成的定量值Wi2(ip，j)和/或厚度的定量值Ti2(ip，j)的步骤。即，针对通过步骤S2A—1而制作出的测定线ip的全部的组合j，进行第1实施方式的装置的测定线评价机构23的步骤S2的动作。
然后，在步骤S3A，根据通过步骤S2A—2而求出的组成的定量值Wi2(ip，j)和/或厚度的定量值Ti2(ip，j)与上述已指定的组成Wi1和/或厚度Ti1，进行定量误差ΔWij和/或ΔTij的推算，和/或分析的可否的判断，以及最佳的测定线的组合的选择。更具体地说，首先，通过下述式(12)和/或(13)，针对通过步骤S2A—1而求出的测定线ip的组合j的全部，就改变了推算测定强度的测定线ip的每根，求出变化后的组成的定量值Wi2(ip，j)和/或厚度的定量值Ti2(ip，j)，与已指定的组成Wi和/或厚度Ti1的差：
ΔWi(ip,j)＝Wi2(ip,j)-Wi1 …(12)
ΔTi(ip,j)＝Ti2(ip,j)-Ti1 …(13)
接着，通过下述式(14)和/或(15)，在于步骤S2A—1中制作的测定线ip的组合j的全部中，针对各薄膜i，推算考虑了已组合的全部测定线ip的，组成的定量误差ΔWij和/或厚度的定量误差ΔTij。另外，像前述那样，n表示测定线的根数：
ΔWij＝(∑ipΔWi(ip,j)2/n)1/2 …(14)
ΔTij＝(∑ipΔTi(ip,j)2/n)1/2 …(15)
另外，根据像这样推算的组成的定量误差ΔWij和/或厚度的定量误差ΔTij，比如，针对测定线ip的各组合j，计算组成的定量相对误差ΔWij/Wi1和/或厚度的定量相对误差ΔTij/Ti1，将数值最大的定量相对误差作为该组合j的代表性定量相对误差，在全部的组合中，将代表性定量相对误差最小的组合作为最佳的测定线的组合而选择。
此外，针对已选择的最佳的测定线的组合，还可通过前述式(8)和/或(9)，进行分析的可否的判断。
同样在该场合，如果全部的薄膜的组成和/或厚度满足式(8)和/或(9)，则判定可进行分析，如果连一个式都没有满足，则判定不可进行分析。另外，对于分析的可否的判断，在步骤S2A—2中的测定线ip的各组合j中，通过前述式(10)和/或(11)，针对各测定线ip而进行，在判定不可进行分析的时刻结束该组合的处理，转到下一组合的处理。
像这样，通过测定线评价机构33而获得的，最佳的测定线的组合以及该组合j中的定量误差ΔWij和/或ΔTij，和/或该组合j中的分析的可否通过显示控制机构32显示于显示器16。在不可分析的场合，还可将不可分析厚度的层和/或含有率不可分析的成分以及包含该成分的层，显示于显示器16。
以采用第2实施方式的装置，分析镀铁锌合金的钢板的铁锌的合金层的场合为例子，表1表示根据测定线评价机构33的定量误差的推算结果。在本例子中，指定的Fe的含有率为10.0％，指定的厚度为4.3μm。另外，像前述那样，可测定强度的测定线为6根，制作15根测定线的组合。将前述式(2)中的推算测定强度的变化量设为精度的两倍，考虑各种再现性，X射线的相对的精度的下限设为0.05％。表1中的“RMS”为通过上述式(14)和(15)而推算出的定量误差(误差的平方的平均值的平方根)，“无解”是指没有根据含有率与厚度求出有整合性的定量值。
[表1]
针对表1中的含有率和厚度而分别推算的定量误差RMS对于两者来说均最小的，Zn－Kβ与Zn－Lα的组合作为最佳的测定线的组合，通过测定线评价机构33而选择，该内容通过显示控制机构32显示于显示器16。
像上述那样，在第2实施方式的荧光X射线分析装置中，由于依照各测定线的强度大大依赖于薄膜的组成和厚度这两者的现实，不仅进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断，而且还进行最佳的测定线的组合的选择，故即使在分析薄膜的各层的组成和厚度这两者，并且同一元素包含于不同层中的情况下，适合的测定线的选择仍是自动的，可进行正确的分析。
如上面所述，在参照附图的同时，对优选的实施形式进行了说明，但是，如果是本领域的技术人员，阅读本说明书，会在显然的范围内容易想到各种变更和修正方式。于是，这样的变更和修正方式解释为根据权利要求书确定的本发明的范围内的方式。
标号的说明：
标号2表示一次X射线；
标号3表示试样；
标号4表示二次X射线(测定线)；
标号16表示显示器；
标号22、32表示显示控制机构；
标号23、33表示测定线评价机构。

Claims (2)

1.一种荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样照射一次X射线，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线的测定强度，通过基本参数法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，
该荧光X射线分析装置包括：
测定线评价机构，该测定线评价机构针对作为应测定强度的二次X射线的测定线的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断；
显示控制机构，该显示控制机构将通过该测定线评价机构而获得的定量误差和/或分析的可否显示于显示器中，
上述测定线评价机构根据针对上述薄膜而指定的组成和/或厚度，针对已制定的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度，
根据以规定量改变该推算测定强度的组中的仅仅一根测定线的推算测定强度的推算测定强度的组，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤，
根据已求出的定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断。
2.一种荧光X射线分析装置，在该荧光X射线分析装置中，对试样照射一次X射线，该试样通过将单层或多层的薄膜形成于基板上的方式形成或单独地形成，根据所产生的二次X射线的测定强度，通过基本参数法，求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值，
该荧光X射线分析装置包括：
测定线评价机构，该测定线评价机构针对作为应测定强度的二次X射线的测定线的分析，进行定量误差的推算和/或分析的可否的判断以及最佳的测定线的组合的选择；
显示控制机构，该显示控制机构将通过该测定线评价机构而获得的定量误差和/或分析的可否以及最佳的测定线的组合显示于显示器中，
上述测定线评价机构根据针对上述薄膜而指定的组成和/或厚度，针对已制定的全部的测定线，通过理论强度计算和装置灵敏度计算推算测定强度，
根据能测定上述强度的全部的测定线，制作用于求出上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的测定线的组合，
针对该测定线的每个组合，根据以规定量改变于该组合中包含的测定线的上述推算测定强度的组中的仅仅一根测定线的推算测定强度的推算测定强度的组，以变化改变推算测定强度的测定线的方式，反复进行通过基本参数法求出推算测定强度变化后的上述薄膜的组成和/或厚度的定量值的步骤，
根据已求出的定量值和上述已指定的组成和/或厚度，进行上述定量误差的推算和/或分析的可否的判断与最佳的测定线的组合的选择。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113748333A (zh) * 2019-09-26 2021-12-03 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN114868013A (zh) * 2020-10-30 2022-08-05 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN116472452A (zh) * 2020-10-30 2023-07-21 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN116507943A (zh) * 2020-11-30 2023-07-28 株式会社理学 荧光x射线分析装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6732347B1 (ja) 2019-03-29 2020-07-29 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置
CN110530912B (zh) * 2019-09-12 2022-01-04 岛津企业管理（中国）有限公司 一种含镀层贵金属成分的x射线荧光光谱分析方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001356103A (ja) * 2000-04-11 2001-12-26 Rigaku Industrial Co 蛍光ｘ線分析装置
US20030118148A1 (en) * 2001-12-06 2003-06-26 Rigaku Industrial Corporation X-ray fluorescense spectrometer
CN101151524A (zh) * 2005-04-06 2008-03-26 理学电机工业株式会社 荧光x射线分析装置和其所采用的程序
CN101887038A (zh) * 2009-05-15 2010-11-17 上海优特化工有限公司 一种使用x射线荧光光谱仪测量镀层的装置及方法
CN103604818A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 同济大学 一种荧光exafs数据的自吸收效应修正处理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2853261B2 (ja) * 1989-05-16 1999-02-03 三菱マテリアル株式会社 金属分析方法および分析装置
JP3949850B2 (ja) * 1999-08-06 2007-07-25 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線分析装置
JP4247559B2 (ja) * 2005-06-07 2009-04-02 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置およびそれに用いるプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001356103A (ja) * 2000-04-11 2001-12-26 Rigaku Industrial Co 蛍光ｘ線分析装置
US20030118148A1 (en) * 2001-12-06 2003-06-26 Rigaku Industrial Corporation X-ray fluorescense spectrometer
CN101151524A (zh) * 2005-04-06 2008-03-26 理学电机工业株式会社 荧光x射线分析装置和其所采用的程序
CN101887038A (zh) * 2009-05-15 2010-11-17 上海优特化工有限公司 一种使用x射线荧光光谱仪测量镀层的装置及方法
CN103604818A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 同济大学 一种荧光exafs数据的自吸收效应修正处理方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吉昂 等: "《6.3.2基本参数法的计算方法》", 《X射线荧光光谱分析 》 *
吉昂等: "《X射线荧光光谱分析》", 31 December 2003 *
杨明太，任大鹏编著: "《实用X射线光谱分析》", 30 April 2009, 北京：原子能出版社 *
艾明泽等: "《化学计量，第十二分册》", 31 December 2007 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113748333A (zh) * 2019-09-26 2021-12-03 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN114868013A (zh) * 2020-10-30 2022-08-05 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN114868013B (zh) * 2020-10-30 2022-12-20 株式会社理学 荧光x射线分析装置
US11656190B2 (en) 2020-10-30 2023-05-23 Rigaku Corporation X-ray fluorescence spectrometer
CN116472452A (zh) * 2020-10-30 2023-07-21 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN116472452B (zh) * 2020-10-30 2023-11-17 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN116507943A (zh) * 2020-11-30 2023-07-28 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN116507943B (zh) * 2020-11-30 2023-12-01 株式会社理学 荧光x射线分析装置

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