CN107006139B - 模制电路模块及其制造方法 - Google Patents
模制电路模块及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107006139B CN107006139B CN201580067433.1A CN201580067433A CN107006139B CN 107006139 B CN107006139 B CN 107006139B CN 201580067433 A CN201580067433 A CN 201580067433A CN 107006139 B CN107006139 B CN 107006139B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- circuit module
- partition
- substrate
- molded case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 342
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 342
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 70
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 34
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 32
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
- H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10075—Non-printed oscillator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件的情况下,降低该相互的影响。模制电路模块(M)具有安装有多个电子部件(200)的基板(100)。电子部件(200A)是高频振荡器。在基板(100)设置有金属制的隔板的侧壁部(320)。用第一树脂(400)将基板(100)的一个表面与电子部件(200)和侧壁部(320)一起覆盖。用由电磁波屏蔽用的金属形成的屏蔽层(600)覆盖第一树脂(400)。用侧壁部(320)和屏蔽层(600)包围电子部件(200A)。
Description
技术领域
本发明涉及模制电路模块。
背景技术
已知有模制电路模块。
模制电路模块包括具有布线的基板(例如印刷基板)、与基板的布线导通而安装的电子部件、以及将基板与电子部件一起覆盖的树脂。模制电路模块能够通过用树脂覆盖电子部件来保护电子部件,而且能够保护电子部件和基板的布线导通的部位。
如上所述,模制电路模块包括电子部件。另外,在电子部件中,有抗电磁波能力弱的部件。另外,在电子部件中,还有释放电磁波的部件。
在实际使用模制电路模块的许多情形下,模制电路模块与其它电子部件组合。既有其它电子部件包含于其它模制电路模块的情况,也有其它电子部件不包含于其它模制电路模块的情况。另外,既有其它电子部件抗电磁波能力弱的情况,另外也有其它电子部件释放电磁波的情况。
在实际使用模制电路模块时,有时希望降低该模制电路模块所包含的电子部件从该模制电路模块外的其它电子部件释放的电磁波受到的影响。另外,有时希望降低模制电路模块外的其它电子部件从该模制电路模块所包含的电子部件释放的电磁波受到的影响。
根据这样的观点,对于未用树脂进行铸型的电路模块,实际使用通过屏蔽电磁波的金属制的屏蔽体包围电路模块整体的技术。
在某个例子中,金属制的屏蔽体是用薄的金属板形成的其一面被开口的箱。在使用箱的情况下,通常不用树脂实施铸型,但通过在使包围箱的开口的边缘抵接到基板的状态下将箱安装到基板,用箱包围位于箱的内部的电子部件来屏蔽。
另一方面,关于模制电路模块,还提出了通过在用于铸型的树脂的表面涂覆包含金属粉的浆料、或者进行干式镀覆或者湿式镀覆来形成金属制的屏蔽层的技术,特别是也实际使用浆料的涂覆、作为干式镀覆的一种的溅射。
使用如上所述的箱的技术、或者通过在树脂的表面涂覆包含金属粉的浆料或者进行镀覆来形成屏蔽层的技术是防止模制电路模块内的电子部件和模制电路模块外的电子部件受电磁波相互影响的技术。
然而,有时在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件。例如,在模制电路模块中有多个电子部件并且其中一个是高频振荡器的情况下,从作为高频振荡器的电子部件发出强电磁波。在这样的情况下、且在作为高频振荡器的电子部件周围的该模制电路模块内的其它电子部件由于强电磁波相对其本来的功能而产生噪声的情况下,需要保护其它电子部件免受作为高频振荡器的电子部件所产生的电磁波。然而,使用如上所述的箱的技术、或者通过在树脂的表面涂覆包含金属粉的浆料或者进行镀覆来形成屏蔽层的技术都只不过是在电路模块或者模制电路模块的外侧制作用于屏蔽电磁波的壁,所以在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件的情况下,无法发挥功能以使该相互的影响降低。
在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件的情况下,作为用于降低电磁波所引起的该相互的影响的技术,使用在模制电路模块中设置有由具有切断电磁波的功能的金属制成的隔板(partition)的技术。隔板具备从基板向上方延伸的壁,并且根据情况具备与壁连接的顶棚。壁的侧端(在本申请中,壁的“侧端”的表述意味着壁的与基板平行的方向的两端)一般在模制电路模块中接触到覆盖电子部件的树脂的侧面,而且壁的上端或者顶棚一般在模制电路模块中接触到覆盖电子部件的树脂的表面。
发明内容
在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件的情况下,具有如上所述的隔板的模制电路模块在降低电磁波所引起的该相互的影响方面是有效的。
然而,在上述模制电路模块中还有应改良之处。
关于隔板的壁的上端接触到覆盖电子部件的树脂的上表面的模制电路模块,在制造后的模制电路模块中,由于树脂与隔板的膨胀系数的差异,在树脂与隔板的壁的上端之间树脂可能会从壁剥离。在使用模制电路模块时,该模制电路模块所包含的电子电路发热,所以发生树脂从壁剥离的可能性没有小到能够忽略的程度。
在树脂从隔板的壁剥离的情况下,发生所谓封装开裂(package cracking),有可能发生以此为起点的封装破裂所引起的电路断线、或者有可能发生吸湿所引起的电路故障等。
本申请发明的课题在于提供在具有隔板的模制电路模块中防止树脂从隔板的壁剥离的技术。
为了解决上述课题,本申请发明人提出以下发明。
本申请发明提供一种模制电路模块,包括:基板,具有接地用电极;至少两个电子部件,安装于所述基板的一个表面上;第一树脂层,由将所述基板的一个表面与所述电子部件一起覆盖的作为树脂的第一树脂形成;以及屏蔽层,通过与所述接地用电极导通并覆盖所述第一树脂层的表面(上表面)、所述第一树脂层的侧面和所述基板的侧面而形成,所述电子部件中的至少一个电子部件是要从其它电子部件被隔离电磁波的电子部件即特定电子部件,该模制电路模块设置有具备位于所述特定电子部件与其它电子部件之间的屏蔽电磁波的壁的隔板。
另外,所述隔板具备从所述基板到达所述第一树脂层的表面的中途的壁,并且在所述壁的上端与所述第一树脂层的表面之间设置有间隙。
在该模制电路模块中,用第一树脂将基板的一个表面与电子部件一起覆盖。第一树脂与现有技术中的树脂相当。
另外,该模制电路模块具备屏蔽层。屏蔽层与现有技术中的屏蔽层相同,由屏蔽电磁波的金属制成。由于存在屏蔽层,能够降低模制电路模块所包含的电子部件从模制电路模块外的其它电子部件释放的电磁波受到的影响,并且能够降低模制电路模块外的其它电子部件从模制电路模块所包含的电子部件释放的电磁波受到的影响。
另外,在该模制电路模块中,所述电子部件中的至少一个电子部件为要从其它电子部件被隔离电磁波的电子部件即特定电子部件。特定电子部件是由于其自身发出强电磁波(例如,在特定电子部件是振荡器的情况下发出强电磁波)等原因使其它电子部件易于受到来自该特定电子部件的电磁波的影响的电子部件、或者是易于受到其它电子部件所发出的电磁波的影响的电子部件。本申请的模制电路模块在第一树脂层中具备在这样的特定电子部件与其它电子部件之间具备屏蔽电磁波的壁的隔板。由此,能够在特定电子部件与其它电子部件之间屏蔽电磁波,所以在一个模制电路模块中存在相互受到电磁波所引起的影响的电子部件的情况下,降低电磁波所引起的该相互的影响。
而且,隔板具备从基板到达第一树脂层的表面的中途的壁,并且在壁的上端与第一树脂层的表面之间设置有间隙。上述间隙具有如下功能:防止由于隔板与第一树脂层的膨胀系数的差异导致在制造后的模制电路模块中第一树脂层从隔板的壁剥离。更详细而言,在隔板的壁的上端与第一树脂层的表面之间存在的第一树脂层吸收第一树脂与隔板之间的膨胀系数的差异所引起的、第一树脂层与隔板的壁之间的膨胀量的差异。
由此,根据该模制电路模块,即使在使用模制电路模块等情况下,也能够防止第一树脂层从隔板的壁剥离。
本申请的隔板如上所述具备壁。只要在壁的上端与第一树脂层的表面之间存在间隙,则对隔板的形状、大小不作特别限制。
例如,能够将所述壁的上端与所述第一树脂层的表面之间的间隙设为120μm以下。其原因,即使使壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙增大到120μm以上,仅覆盖基板的第一树脂层的厚度变大而没有什么意义。另一方面,在壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙超过120μm时,有可能给隔板的壁对电磁波的屏蔽效果带来恶劣影响。另一方面,只要上述间隙是120μm,就足以得到防止第一树脂层从隔板的壁剥离的效果。不过,如果壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙是80μm,则得到该效果,所以壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙优选为80μm~120μm。
所述壁的上端和所述第一树脂层的表面也可以平行。即使在该情况下,基于与上述情况同样的原因,壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙优选为120μm以下,而且这也基于与上述情况同样的原因,该间隙的大小更优选为80μm~120μm。
所述隔板也可以具备与所述壁的上端连接的与所述基板大致平行的顶棚,并且在所述顶棚与所述第一树脂层的表面之间设置有间隙。如果隔板具备顶棚,则在与基板垂直的方向上也得到屏蔽电磁波的效果。优选在隔板的顶棚与第一树脂层的表面之间设置间隙的原因和要在壁的上端与第一树脂层的表面之间设置间隙的原因相同。基于和壁的上端与第一树脂层的表面之间的间隙的情况同样的原因,上述间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。还能够使顶棚和第一树脂层的表面平行,在该情况下,它们的间隙也优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
也可以在所述壁的侧端与所述第一树脂层的侧面之间设置有间隙。还能够使壁的侧端和第一树脂层的侧面接触。然而,这样一来,在第一树脂层的侧面部分中也有可能由于第一树脂和隔板的膨胀系数不同而导致第一树脂层从隔板的壁剥离。在这样的事态发生时,除了由发生所谓封装开裂所引起的上述故障以外,在隔板的壁和基板被焊接的情况下,可能还会引起该被焊接的部分露出,所以一般认为在为了使用模制电路模块而将模制电路模块安装到其它基板时会发生焊料的泄露。如果在壁的侧端与第一树脂层的侧面之间设置间隙,则能够抑制发生这样的故障。基于和壁的上端与第一树脂层的表面之间的情况同样的原因,壁的侧端与第一树脂层的侧壁之间的间隙优选为120μ以下、更优选为80μm~120μm。壁的侧端能够与所述第一树脂层的侧面平行。该情况下的壁的侧端与第一树脂层的侧面的间隙与上述情况同样地优选为120μ以下、更优选为80μm~120μm。在壁与第一树脂层的侧面平行的情况下,壁与第一树脂层的侧面的间隙优选为120μ以下、更优选为80μm~120μm。
如上所述,隔板的目的在于屏蔽电磁波。一般而言,由能够实现上述功能的金属的例如板构成隔板。如果隔板以屏蔽电磁波为目的,则在使用模制电路模块时隔板应被接地。隔板例如也可以与基板具备的所述接地用电极导通。通常在使用模制电路模块时接地用电极被接地,所以如果使接地用电极和隔板导通,则在使用模制电路模块时隔板被接地。
隔板既可以通过与接地用电极直接接触而与接地用电极导通,也可以经由与接地用电极导通的其它构件而与接地用电极间接地导通。例如,也可以通过使所述隔板与所述接地用电极在所述隔板的壁的下端直接接触,使所述隔板与所述接地用电极导通。
另外,隔板的所述壁也可以具备孔,该孔用于加强所述壁与所述壁的两侧的所述第一树脂层的固定。第一树脂层是通过对固化前的第一树脂进行铸型并使该第一树脂固化而形成的,在隔板的壁设置有孔,固化前的第一树脂进入隔板的内部(特定电子部件侧),从而能够在第一树脂固化而成为第一树脂层时强化隔板和第一树脂层的相互固定。
本申请发明的模制电路模块所包含的电子部件之一也可以是通过无线方式进行通信的通信器。通信器既可以进行发送、接收中的任意一方,也可以进行这双方。
在电子部件之一是通信器的情况下,也可以在本申请发明的模制电路模块的屏蔽层设置开口。在屏蔽层中的覆盖第一树脂层的表面的预定的部分设置开口,更详细而言,在适合于用于使通信器能够经由开口进行无线通信的位置按照适合于实现该目的的大小设置开口。
所述开口也可以设置于所述屏蔽层中的覆盖所述第一树脂层的表面的部分中的、包括在俯视所述基板的情况下的与所述通信器的一部分对应的位置的预定的范围。由此,能够减小为了使通信器能够进行无线通信所需的开口的大小。这意味着使屏蔽层本来应起到的屏蔽电磁波的功能受损的范围变小就能实现。
在该情况下,也可以无需使开口的所有部分对应于在俯视基板的情况下的通信器,而使开口的一部分存在于未对应于在俯视基板的情况下的通信器的部分(即也可以超出通信器存在的范围)。
通过涂覆包含金属粉的浆料或者镀覆形成屏蔽层(或者它所包含的后述第一金属覆盖层和第二金属覆盖层)。镀覆既可以是湿式也可以是干式。作为湿式镀覆的例子,能够举出电镀、无电镀。作为干式镀覆的例子,能够举出物理气相生长(PVD)、化学气相生长(CVD),作为前者的例子,可以举出溅射、真空蒸镀,作为后者的例子,可以举出热CVD、光CVD。从成本方面来看,在这些之中,湿式镀覆最为有利,而且在通过湿式镀覆所形成的金属覆膜层(屏蔽层)内的残留应力小于通过其它方法制成的屏蔽层内的残留应力这方面,湿式镀覆也适于应用到本申请发明。进而,通过作为薄膜形成技术的PVD、CVD得到的屏蔽层的厚度为从nm量级至几μm,相对于此,根据湿式镀覆能够实现厚至几μm~几十μm的膜形成。考虑到对电磁波的屏蔽效果,优选屏蔽层至少具有几μm的厚度,所以在这方面,湿式镀覆与本申请发明的匹配性好。此外,湿式镀覆包括无电镀和电镀,但考虑到可能会使模制电路模块所包含的电子部件破损,相比于在作为加工对象的模制电路模块的表面流过电流的电镀,优选不流过电流就能实现的无电镀。
此外,本申请发明中的屏蔽层被导通到基板所具有的接地用电极。只要使屏蔽层与接地用电极导通,则屏蔽层既可以与接地用电极直接接触,也可以经由具有导电性的其它金属与接地用电极间接地接触。例如,有时接地用电极层状地存在于基板的厚度方向的预定的部分。在该情况下,如果在后述半切过程中将包括多个划区的边界线上的预定宽度的第一树脂和基板去除至达到基板内部的接地用电极,则在各划区的周边露出接地用电极的端面。如果能够在该状态下进行涂覆包含金属粉的浆料或者镀覆,则屏蔽层直接与露出的接地用电极的端面相接。或者,能够通过使用适当的金属构件使屏蔽层间接地与接地用电极导通。
屏蔽层既可以是一层也可以是多层。分别构成多层的屏蔽层的金属既可以相同也可以不同。
在本申请发明中,还能够将所述屏蔽层形成为包括由第一金属形成的第一金属覆盖层和由第二金属形成的第二金属覆盖层这两层,该第一金属是具有优良的屏蔽电场的特性的金属,该第二金属是具有优良的屏蔽磁场的特性的金属。
如果使屏蔽层包括这样的两层,则能够更高效地保护电子部件免受电磁波。
作为所述第一金属,能够使用例如铜或者铁。
作为所述第二金属,能够使用例如镍。
也可以使第一金属覆盖层和第二金属覆盖层中的任意覆盖层在外部露出。不论在哪种情况下,都不会特别影响上述功能。不过,在将铜用作第一金属的情况下,有由于铜氧化而变为黑色的情况,所以如果考虑到外观,则优选使由铜构成的第一金属覆盖层不在外部露出。
作为解决上述课题的方法,本申请发明人还提供了以下方法。以下方法是用于得到上述模制电路模块的制造方法的例子。
该制法是一种模制电路模块的制造方法,包括:准备基板的过程,在该基板的一个表面具有相互邻接的多个假想的划区,并且在所述一个表面的所述划区的各个划区安装有至少两个电子部件,且所述电子部件中的至少一个电子部件是要从其它电子部件被隔离电磁波的电子部件即特定电子部件;配置隔板构件的过程,该隔板构件具备位于所述特定电子部件与其它电子部件之间并屏蔽电磁波的壁;第一覆盖过程,使用作为树脂的第一树脂将具有接地用电极的基板的所述一个表面的整面与所述电子部件和所述隔板构件一起覆盖并固化;半切过程,将包括多个所述划区的边界线上的预定宽度的所述第一树脂和所述基板去除至所述基板的预定的厚度;屏蔽层形成过程,通过在所述第一树脂的表面、通过所述半切过程而露出的所述第一树脂的侧面和所述基板的侧面涂覆包含金属粉的浆料或者镀覆而形成作为与所述接地用电极导通的金属层的屏蔽层;以及全切过程,通过在所述划区的边界切断所述基板,割断所述各划区,从而得到基于所述划区的各个划区的多个模制电路模块。
在上述模制电路模块的制造方法中,也可以在执行所述第一覆盖过程之后且执行所述屏蔽层形成过程之前,如下执行第一树脂成形过程:将固化的所述第一树脂的表面切削成所述隔板构件不在该表面露出、且该表面与所述基板的所述一个表面平行。
以比隔板构件被第一树脂层恰好埋盖的厚度厚的方式临时形成第一树脂层,然后对第一树脂层进行切削,从而能够在隔板构件的壁的上端或者顶棚的上表面与第一树脂层的表面之间形成间隙,且能够适当地控制该间隙的大小。在将第一树脂涂覆到基板时,也能够在一定程度上控制在隔板构件的壁的上端或者顶棚的上表面上存在的第一树脂层的厚度,但上述控制的精度低,难以使上述部分中的第一树脂层的厚度比500μm更薄。在第一树脂成形过程中,通过例如机械性的切削来控制在高度最高的电子部件上存在的第一树脂的厚度,但在该情况下,其精度一般能够为±100μm左右,因此能够适当地控制上述间隙的大小。具体而言,能够将上述间隙的大小做成已经叙述的大小。即,上述间隙优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
隔板构件具备壁,根据情况具备壁和顶棚。关于在通过该模制电路模块的制造方法制造出的模制电路模块中的隔板的壁和顶棚与模制电路模块的表面或者侧面之间优选所满足的距离的条件如上所述。在该模制电路模块中,结果是优选满足这样的条件而执行。
在本申请的模制电路模块的制造方法中,不限于此,也可以使用包含填料的树脂作为所述第一树脂。在该情况下,该模制电路模块的制造方法也可以包括使用作为不包含填料的树脂的第二树脂将覆盖了所述基板的所述第一树脂的表面覆盖并固化的第二覆盖过程,在所述屏蔽层形成过程中,通过在所述第二树脂的表面、通过所述半切过程而露出的所述第一树脂的侧面和所述基板的侧面涂覆包含金属粉的浆料或者镀覆而形成作为与所述接地用电极导通的金属层的屏蔽层。
本申请发明中的第一树脂与现有技术中说明的模制电路模块所包含的树脂相当。有时在第一树脂中混入有填料。填料是粒状。另外,填料通过由具有与构成第一树脂的树脂不同的线膨胀系数的材料构成,抑制模制电路模块的热膨胀收缩的程度,所以在目前的模制电路模块中使用该填料的情况多。
另一方面,在通过在混入有填料的第一树脂的表面涂覆包含金属粉的浆料或者进行镀覆来形成屏蔽层的情况下,屏蔽层可能发生脱落。存在于第一树脂的表面并从第一树脂露出的填料有时易于从第一树脂脱落,在填料从第一树脂脱落的事态发生时,与其相伴地该部分的屏蔽层脱落。
防止上述屏蔽层脱落的是第二树脂。第二树脂覆盖第一树脂的表面。另外,屏蔽层形成于第二树脂的表面、通过在后面的用于切割的全切以前进行的半切过程而露出的所述第一树脂的侧面、以及所述基板的侧面。如上所述第二树脂不包含填料。因此,这样形成的屏蔽层不会发生填料脱落所引起的脱落。此外,即使在该情况下,屏蔽层中的覆盖第一树脂的侧面的部分不经由第二树脂而覆盖第一树脂。然而,经本申请发明人确认,如果能够通过通常的方法进行半切,则第一树脂的侧面适度地粗糙,所以在此屏蔽层与第一树脂良好地紧贴,难以发生屏蔽层脱落。
此外,在将湿式镀覆用于形成屏蔽层的情况下,在假设不存在由第二树脂形成的层时,易于引起填料脱落所致的屏蔽层脱落。本申请发明在制造模制电路模块时的形成屏蔽层的过程中能够选择湿式镀覆这方面也具有意义。
此外,在执行第一树脂成形过程时,还有在固化的第一树脂中存在的填料成为易于脱落的状态的情况。然而,如果通过此后执行第二覆盖过程而用第二树脂覆盖第一树脂的表面,则此外能够抑制填料脱落所引起的屏蔽层的脱落。
如上所述,在本申请的模制电路模块的制造方法中,通过使用第二树脂,能够抑制屏蔽层从第一树脂脱落。不过,在使用第二树脂的情况下,相对第一树脂经由第二树脂形成屏蔽层,所以在第二树脂从第一树脂脱落时,结果是屏蔽层发生脱落。
为了防止第二树脂从第一树脂脱落,第二树脂对第一树脂的紧贴性的高度是重要的。该紧贴性通过第一树脂与第二树脂之间的锚定效应、分子间力、若干共价键来实现。
为了提高第二树脂对第一树脂的紧贴性,作为第二树脂,使用与在所述第一树脂中作为主树脂包含的树脂相同种类的树脂是简便的。此外,在本申请中,如果第一树脂所包含的树脂是一种,则“主树脂”意味着该树脂,如果第一树脂包含多种树脂,则“主树脂”意味着其中按重量比最多的那种树脂。
在所述第一树脂中作为主树脂包含的树脂是环氧树脂的情况下,所述第二树脂能够为环氧树脂。由此,第一树脂与第二树脂的紧贴性大到满足实用性的程度。
此外,第二树脂如上所述将第一树脂的一个表面的至少被屏蔽层覆盖的部分覆盖。例如,优选在能够通过覆盖从第一树脂露出的填料来防止填料从第一树脂脱落、且能够维持第二树脂的强度的范围,将第二树脂的厚度做薄。基于在下一工序中易于进行粗化的原因,在通过镀覆形成屏蔽层的情况下,将第二树脂的层做薄是有利的。例如,由第二树脂形成的层优选薄到不会埋盖第一树脂的表面的凹凸形状的程度。
在第一覆盖过程中,在使用作为包含填料的树脂的第一树脂将基板的所述一个表面的整面与所述电子部件一起覆盖时,可以通过任意的方法执行该过程。此时,能够使用例如真空印刷法。
如果使用真空印刷法,则能够防止在固化后的第一树脂中产生微小的气泡,能够无间隙地用第一树脂覆盖具有各种形状的电子部件。
虽然具有这样的优点,但在第一覆盖过程中使用真空印刷的情况下,如果在基板安装的部件上存在的树脂层的厚度薄,则在第一树脂的表面总会出现电子部件的高度的差别所引起的凹凸。在为了避免该问题而使用真空印刷的情况下,需要在位于电子部件上的第一树脂的厚度中留有余量,但这导致作为结果而使制造完成的模制电路模块的厚度变大这样的缺点。如果进行第一树脂成形过程,则能够解决该问题,所以第一树脂成形过程与真空印刷的匹配性非常好,还能够被认为是用来使真空印刷能够用于制造模制电路模块的技术。
作为第一树脂,要求如下三个特性:用于进入电子部件之间的填充性(这是固化前的特性。)、与电子部件或者基板的紧贴性、以及不产生翘曲的特性(它们是固化后的特性。)。
第一树脂为了满足上述特性,优选具有以下那样的特性。只要是具有下述特性的第一树脂,则固化前、固化后的第一树脂都满足上述特性。
关于第一树脂应满足的特性,作为固化前的特性,填料相对包含填料的第一树脂的总量的比例按重量比为80%以上,作为固化后的特性,线膨胀系数(α1)为11ppm/TMA以下、线膨胀系数(α2)为25ppm/TMA以下、25℃弹性模量为15GPa/DMA以上。
在对第一树脂要求的特性中的填充性的高度有助于减小所制造完成的模制电路模块的厚度。在电子部件的下侧与基板之间通常存在间隙。上述间隙不得不设计成大到能够在该间隙填充第一树脂的程度。在此,如果第一树脂的填充性高,则能够减小电子部件的下侧与基板的间隙。由此,能够减小模制电路模块的厚度。在使用具有上述特性的树脂的情况下,能够使电子部件的下侧与基板的间隙减小至30μm(一般是150~200μm。)。
附图说明
图1(a)是表示在本申请发明的一个实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的基板的结构的侧剖面图。
图1(b)是表示在图1(a)所示的基板安装有电子部件的状态的侧剖面图。
图1(c)是表示在图1(b)所示的基板安装有隔板构件的状态的侧剖面图。
图1(d)是表示用第一树脂将图1(c)所示的基板与部件一起覆盖并使第一树脂固化的状态的侧剖面图。
图1(e)是用于表示图1(d)所示的第一树脂中的被去除的范围的侧剖面图。
图1(f)是表示去除了图1(e)所示的第一树脂中的要被去除的部分的状态的侧剖面图。
图1(g)是表示用第二树脂覆盖图1(f)所示的第一树脂的上表面并使第二树脂固化的状态的侧剖面图。
图1(h)是表示对图1(g)所示的基板进行了半切处理的状态的侧剖面图。
图1(i)是表示对图1(h)所示的基板设置有屏蔽层的状态的侧剖面图。
图1(j)是表示对图1(i)所示的基板进行了全切处理的状态的侧剖面图。
图2(a)是表示在实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的隔板构件的结构的立体图。
图2(b)是表示在实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的其它隔板构件的结构的俯视图、左侧视图以及前视图。
图2(c)是表示在实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的其它隔板构件的结构的俯视图、左侧视图以及前视图。
图2(d)是表示在实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的其它隔板构件的结构的俯视图、左侧视图以及前视图。
图3是表示在实施方式的模制电路模块的制造方法中使用的真空印刷法的原理的侧视图。
图4是表示通过实施方式的模制电路模块的制造方法得到的屏蔽层的结构的一个例子的侧剖面图。
图5是通过实施方式的模制电路模块的制造方法得到的模制电路模块的侧剖面图。
图6是通过实施方式的模制电路模块的制造方法得到的模制电路模块的透视俯视图。
图7是表示在变形例的模制电路模块的制造方法中使用的隔板构件的立体图。
图8是通过变形例1的模制电路模块的制造方法得到的模制电路模块的侧剖面图。
图9是通过变形例1的模制电路模块的制造方法得到的模制电路模块的透视俯视图。
(符号说明)
100:基板;100X:切口;110:接地用电极;120:划区;200:电子部件;300:隔板构件;310:顶棚部;320:侧壁部;400:第一树脂;500:第二树脂;600:屏蔽层。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的模制电路模块的制造方法的优选的一个实施方式。
在本实施方式中,使用图1(a)所示的基板100来制造模制电路模块。
基板100可以是极为一般的基板,本实施方式的基板100也是极为一般的基板。基板100具备省略图示的布线。布线是对后述电子部件导通并对电子部件进行供电的布线,是公知或者已知的布线。布线被设计成能够实现上述功能。布线可以通过任意方法设置于基板100,也可以设置于基板100的任意地方。例如,也可以通过印刷将布线设置于基板100的表面。该情况下的基板100一般被称为印刷布线基板。另外,还有布线存在于基板100的内部的情况。
俯视的情况下的基板100的形状例如是矩形。不过,通常将基板100的形状如后所述适当设定为在获取多个模制电路模块的情况下使浪费少的形状。
在基板100的适当位置设置有接地用电极110。既有接地用电极110的所有部分或者一部分存在于基板100的内部的情况,也有接地用电极110的所有部分或者一部分存在于基板100的任意表面的情况。在本实施方式中,设为接地用电极110层状地存在于基板100的内部的适当深度。接地用电极110被用于在使用制作完成的模制电路模块时经由接地用电极110对后述屏蔽层进行接地。接地用电极110被设计成能够实现上述功能。
在本实施方式中说明的模制电路模块的制造方法中,从一块基板100制造多个模制电路模块。即,在本实施方式中,从一块基板100获取所谓多个模制电路模块。基板100被划分成假想的邻接的多个划区120,从各划区120制造一个模制电路模块。无需使从各划区120制造出的模制电路模块一定是相同的模块,但通常是相同的模块。在从各划区120制造出的模制电路模块是相同的模块的情况下,各划区120是相同的大小,在各划区120以相同的样式设置有布线和接地用电极110。虽然不限于此,但在本实施方式中设为从各划区120制造出的模制电路模块是相同的模块。
为了制造模制电路模块,首先,如图1(b)所示,对上述基板100的一个表面(在本实施方式中图1(b)的上侧的表面)安装电子部件200。电子部件200可以都是现有的部件,例如是IC(integratedcircuit:集成电路)放大器、振荡器、检波器、发送接收器等有源元件或者电阻、电容器、线圈等无源元件,根据需要来选择电子部件200。
使电子部件200所具有的未图示的端子与各划区120的布线导通而安装到各划区120。在本实施方式中,从各划区120得到相同的模制电路模块,所以安装于各划区120的电子部件200相同。将电子部件200安装到各划区120的安装方法使用公知或者已知的技术即可,所以省略详细的说明。
电子部件200的下侧和基板100的间隙也可以比通常小、例如是30μm左右。
接下来,将隔板构件300安装到基板100(图1(c))。隔板构件300是用于在模制电路模块中形成隔板的构件。隔板的目的在于降低模制电路模块内的电子部件200所产生的电磁波对该模制电路模块内的其它电子部件200的影响。此外,只要在存在如以下情形时等,根据需要使用隔板构件300即可。
例如,在本实施方式中,在图1(c)所示的电子部件200A是高频振荡器的情况下,从电子部件200A发出强电磁波。在这样的情况下、且在电子部件200A周围的电子部件200由于强电磁波相对其本来的功能而产生噪声的情况下,需要保护其它电子部件200免受电子部件200A所产生的电磁波。或者,还一般认为电子部件200A特别易于受到其它电子部件200所产生的电磁波的影响,在这样的情况下,需要保护电子部件200A免受其它电子部件200所产生的电磁波。不论在哪种情况下,优选在电子部件200A与其它电子部件200之间屏蔽电磁波。隔板能够实现上述功能。
隔板构件300具备侧壁部320和顶棚部310。隔板构件300例如为了屏蔽电磁波而由具有导电性的金属制成、更详细而言由金属板制成,在制造出的模制电路模块中,隔板构件300直接或者经由其它构件间接地与接地用电极110导通。典型而言,隔板的侧壁部320被设计成能够通过由隔板的侧壁部320形成的隔板单独地包围俯视基板100的情况下的某电子部件200(不一定限定于一个。)的形状、或者被设计成能够通过由隔板的侧壁部320形成的隔板和后述屏蔽层包围俯视基板100的情况下的某电子部件200(不一定限定于一个。)的形状。
虽然不限于此,但本实施方式中的隔板的侧壁部320做成图2(a)所示的形状。该隔板的侧壁部320包括俯视时为三角形更详细而言为直角三角形的顶棚部310、和连接于除顶棚部310的斜边以外的两边的下方且将其邻接的一边相互连接的矩形的侧壁部320。
将隔板的侧壁部320安装到基板100的安装方法可以是任意方法。例如,能够通过粘接将隔板的侧壁部320安装到基板100。只要使隔板的侧壁部320的例如下端与接地用电极110直接导通,就可以如此设计接地用电极110和隔板的侧壁部320,并且只要用公知的导电性粘接剂等粘接接地用电极110和隔板的侧壁部320即可。例如,能够使隔板的侧壁部320的侧壁部320的下端与接地用电极110接触并导通,该接地用电极110最初从基板100的表面露出、或者通过削掉基板100的表面从基板100露出。
此外,作为结果,只要将隔板的侧壁部320与接地用电极110导通即可。换言之,隔板的侧壁部320既可以直接与接地用电极110接触,也可以经由其它导电性的金属间接地与接地用电极110接触。另外当然只要实现其中一方,就无需实现另一方。
图2(b)、(c)、(d)表示隔板构件300的其它例。在图2(b)、(c)、(d)中,描绘了隔板的侧壁部320的俯视图并且其左侧为左侧视图、其下侧为前视图。各图中所示的隔板构件300分别具备顶棚部310和侧壁部320。在图2(b)、(c)、(d)所示的隔板的侧壁部320的顶棚部310贯穿有作为开口的多个顶棚孔311。该顶棚孔311是用于在填充第一树脂400时使第一树脂400流入隔板的侧壁部320内侧的孔,承担防止在固化后隔板的侧壁部320与第一树脂400剥离的作用。另外,在图2(d)所示的隔板的侧壁部320贯穿有作为开口的多个侧壁孔321。该侧壁孔321承担防止在第一树脂400固化后隔板的侧壁部320与第一树脂400剥离的作用。
在本实施方式中,在基板100安装的隔板构件300的侧壁部320相对基板100垂直,顶棚部310相对基板水平。
接下来,用第一树脂400将安装有电子部件200且根据需要安装有隔板构件300的基板100的上述一个表面的整个面与电子部件200和隔板构件300一起覆盖,使第一树脂400固化(图1(d))。
为了用第一树脂400覆盖基板100的一个表面的整个面,能够使用铸型、灌封等树脂密封法,但在本实施方式中设为使用真空印刷法。通过真空印刷法,能够防止细小的气泡混入所铸型的第一树脂400的内部,并且能够省略用于去除细小的气泡的脱泡过程。
能够使用公知的真空印刷机来实施真空印刷法。作为公知的真空印刷机,能够例示东丽工程(Toray Engineering)株式会社制造并销售的真空印刷密封装置VE500(商标)。
使用图3简单地叙述真空印刷法的原理。在实施真空印刷法时,将基板100放置在例如作为金属制的掩模的金属掩模450之间。而且,一边供给未固化状态下的第一树脂400,一边使棒状的刮板460从位于图3(a)所示的一侧的金属掩模450上的位置向另一侧的金属掩模450如该图的(b)中箭头所示那样移动,该刮板460的长度方向为在图3中与纸面垂直的方向。第一树脂400的上表面被刮板460的下表面刮得均匀,第一树脂400进入电子部件200之间并且无间隙地覆盖基板100的表面。在将基板100、金属掩模450、刮板460全部容纳于抽真空的未图示的真空腔中的状态下,执行真空印刷法。因此,在第一树脂400中没有气泡进入的余地。此外,在使刮板460如图3所示那样移动的情况下,刮板460自基板100的距离或者高度通常是恒定的。
在本实施方式中,使第一树脂400的厚度、换言之第一树脂400自基板100的高度为能够埋盖隔板构件300的顶棚部310。具体而言,使顶棚部310上的第一树脂400的厚度为100μm左右以上。
覆盖基板100的第一树脂400通过放置适当时间而固化。
此外,有时在隔板的侧壁部320的顶棚部310设置有顶棚孔311,并且在隔板的侧壁部320的侧壁部320设置有侧壁孔321。固化前的第一树脂400从这些孔进入隔板的侧壁部320的内部。
关于在图2(d)所示的隔板的侧壁部320设置的侧壁孔321,由于第一树脂400在绕回到侧壁孔321中的状态下固化,所以该侧壁孔321发挥更良好地固定隔板的侧壁部320和第一树脂400的功能。顶棚部310的顶棚孔311也具有同样的功能。
作为第一树脂400,要求三个特性:用于进入电子部件200之间的填充性(这是固化前的特性。)、与电子部件200或者基板100的紧贴性以及不产生翘曲的特性(这些是固化后的特性。)。
为了使第一树脂400具有这些特性,第一树脂400优选具有如以下特性。只要是具有下述特性的第一树脂400,则固化前、固化后的第一树脂都满足上述特性。
关于优选满足的第一树脂400的特性,对于固化前的特性而言,填料相对包含填料的第一树脂的总量的比例按重量比为80%以上,对于固化后的特性而言,线膨胀系数(α1)为11ppm/TMA以下,线膨胀系数(α2)为25ppm/TMA以下,25℃弹性模量为15GPa/DMA以上。
此外,作为满足上述特性的第一树脂400的例子,能够举出松下株式会社制造并销售的树脂组成物(型号:CV5385(商标))。这些树脂组成物包含二氧化硅(作为填料)、环氧树脂、固化剂、改质剂等。树脂组成物仅包含一种树脂。因此,第一树脂400的在本申请中所称的主树脂是环氧树脂。
如上所述,第一树脂400包含填料,上述树脂组成物(型号:CV5385)包含填料。另外,这些树脂组成物所包含的填料的量相对第一树脂400的整体,按重量比为80%以上的83%。填料由线膨胀系数小的原材料制成,通常由二氧化硅制成。另外,为了满足第一树脂400的填充性,填料的粒径优选为30μm以下。例示的上述两个树脂组成物所包含的填料都满足这些条件。
另外,例示的上述树脂组成物的固化后的线膨胀系数(α1)为11ppm/TMA,固化后的线膨胀系数(α2)为25ppm/TMA,固化后的25℃弹性模量为15GPa/DMA,满足上述优选的条件。
接下来,虽然这不一定必须,但去除第一树脂400的上部。其主要目的在于,通过减小基板100上的第一树脂400的厚度来减小最终得到的模制电路模块的厚度。在本实施方式中,设为去除第一树脂400中的、位于比图1(e)的虚线L所示的位置靠上侧的第一树脂400。另外,图1(f)表示去除位于比虚线L所示的位置靠上侧的第一树脂400的状态。
虽然未必限定于此,但在本实施方式中,在去除位于比虚线L靠上侧的第一树脂400之后的第一树脂400的上表面与基板100的一个表面平行。另外,虽然不限定于此,但在隔板构件300的顶棚部310的上侧的表面与在去除位于比虚线L靠上侧的第一树脂400之后的第一树脂400的上表面之间存在间隙,且该间隙的在图1中的上下方向的长度优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
虽然未必限定于此,但在本实施方式中,将高度最高的电子部件200设为电子部件200B,从该情况下的该电子部件的最上部至在去除位于比虚线L靠上侧的第一树脂400之后的第一树脂400的上表面的距离为30μm~80μm之间。
作为去除第一树脂400的位于比虚线L靠上侧的部分的方法,能够使用适当的公知技术。例如,能够通过铣床等切削装置或者切片机等研磨切削装置来去除第一树脂400。
接下来,虽然并非必须,但用第二树脂500覆盖与基板100平行的第一树脂400的上表面(与基板100对置的表面),使第二树脂500固化(图1(g))。用第二树脂500覆盖第一树脂400的上表面是为了防止第一树脂400所包含的填料从第一树脂400脱落。第一树脂400的上表面的至少被后述屏蔽层覆盖的部分被第二树脂500覆盖。
第二树脂500未包含填料。从固化后的第二树脂500对第一树脂400的紧贴性高的原材料中选择第二树脂500的原材料。例如,能够将环氧树脂、丙烯酸树脂作为第二树脂500的原材料。为了提高第二树脂500对第一树脂400的紧贴性,作为第二树脂500,简单地使用与在第一树脂400中作为主树脂包含的树脂相同种类的树脂。第一树脂400的主树脂如上所述是环氧树脂,所以在本实施方式中,能够将环氧树脂作为第二树脂500的原材料。在本实施方式中,虽然不限于此,但将第二树脂500设为环氧树脂。
优选在满足以下两个条件的范围使第二树脂500的厚度尽可能地薄。首先,由于第二树脂500承担保持第一树脂400内的填料的作用,需要使第二树脂500厚达能够实现上述功能的程度。其次,有时为了提高镀覆向第二树脂500表面的紧贴性而在第二树脂500的表面进行表面粗化,但在第二树脂500的层过薄时有时在表面粗化过程中发生障碍,所以需要厚达在进行表面粗化的情况下在该过程中不会发生障碍的程度。优选满足这两个条件的同时减小第二树脂500的厚度。
另外,虽然不限于此,但在本实施方式中设为第二树脂500覆盖第一树脂400的整个上表面。
作为用于使用第二树脂500覆盖第一树脂400的上表面的技术,能够使用公知的技术。例如,能够通过用喷涂装置进行喷雾涂覆来用第二树脂500覆盖第一树脂400的上表面。
覆盖了第一树脂400的第二树脂500通过放置适当时间而固化。
接下来,使第二树脂500的表面粗化。使第二树脂500的表面粗化的目的在于使后述屏蔽层更良好地紧贴于该表面上,进行第二树脂500的表面粗化以实现该目的。使树脂的表面粗化的技术是使用强酸或者强碱的蚀刻等公知或者已知的技术,所以只要将该技术用于使第二树脂500的表面粗化即可。
接下来,对基板100进行半切处理(图1(h))。半切是对第二树脂500、第一树脂400以及基板100形成槽状的切口100X的处理。
形成切口100X的范围是跨越相邻的划区120的边界线的预定宽度的范围。切口100X的深度不限于此,但在本实施方式中设为到达基板100内的接地用电极110。由此,在半切处理之后,在各划区120的周缘露出接地用电极110的端面。切口100X的宽度不限于此,例如是200μm~400μm。切口100X的宽度由第一树脂400的特性、用于进行半切的切片机的刀片宽度等决定。
能够将公知的技术用于半切处理。例如,能够使用在株式会社迪思科(DISCO)制造并销售的全自动切割电锯DFD641(商标)安装有适当宽度的刀片的切割电锯来进行半切处理。
在进行了半切处理的情况下,在由此露出的第一树脂400的侧面与隔板构件300的侧壁部320之间拉开有间隙。例如,在侧壁部320与第一树脂400的侧面平行的情况下,两者之间的间隙优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。在侧壁部320不与第一树脂400的侧面平行的情况下,接近第一树脂400的侧面的一侧的侧壁部320的侧端与第一树脂400的侧面的间隙的宽度不论两者是否平行,优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
在本实施方式中,以满足这样的条件的位置、宽度来进行半切处理。
接下来,用屏蔽层600覆盖第一树脂400、第二树脂500以及基板100中的以下说明的位置(图1(i))。
在使用所制造出的模制电路模块的情况下,屏蔽层600用于保护在该模制电路模块中包含的电子部件200免受处于该模制电路模块外的电子部件所引起的电磁波、或者保护处于该模制电路模块外的电子部件免受处于该模制电路模块内的电子部件200所引起的电磁波。
屏蔽层600由适于进行电磁波屏蔽的具有导电性的金属形成。屏蔽层既可以是一层也可以是多层。在屏蔽层600是多层的情况下,构成各个层的金属能够为不同的金属。
虽然不限于此,本实施方式的屏蔽层600是两层,并形成为包括由第一金属形成的第一金属覆盖层610和由第二金属形成的第二金属覆盖层620这两层(图4),该第一金属是具有优良的屏蔽电场的特性的金属,该第二金属是具有优良的屏蔽磁场的特性的金属。作为第一金属,能够使用例如铜或者铁。作为第二金属,能够使用例如镍。在本实施方式中,虽然不限于此,但设为使用铜作为第一金属,使用镍作为第二金属。也可以使第一金属覆盖层610和第二金属覆盖层620中的任意覆盖层在外部露出。虽然不限于此,但在本实施方式中设为使第二金属覆盖层620在外部露出。其原因为在使用铜作为第一金属的情况下铜自然地氧化而变为黑色,所以防止这样的外观的劣化。
屏蔽层600设置于第二树脂500的表面、通过进行半切而在外部露出的第一树脂400的侧面以及基板100的侧面。屏蔽层600在基板100的侧面与基板100具备的接地用电极110导通。
能够通过涂覆包含金属粉的浆料或者镀覆而形成屏蔽层600。在屏蔽层600是多层的情况下,各层的形成方法既可以相同也可以不同。在本实施方式中,设为通过相同的方法形成第一金属覆盖层610和第二金属覆盖层620。
镀覆既可以是湿式也可以是干式。作为湿式镀覆的例子,能够举出无电镀。作为干式镀覆的例子,能够举出物理气相生长(PVD)、化学气相生长(CVD),作为前者的例子,可以举出溅射、真空蒸镀,作为后者的例子,可以举出热CVD、光CVD。
其中,从成本方面、以及能够减小屏蔽层600内的残留应力这样的方面来看,应选择湿式镀覆。另外,通过湿式镀覆能够使屏蔽层600的厚度变厚、更具体而言做成几μm~几十μm,易于获得足以屏蔽电磁波的厚度。另外,湿式镀覆包括无电镀和电镀,但考虑到有可能使模制电路模块所包含的电子部件破损,优选采用无需在作为加工对象的模制电路模块的表面流过电流的无电镀。
虽然不限于此,但在本实施方式中,设为通过无电镀形成第一金属覆盖层610和第二金属覆盖层620这双方。
最后,沿着通过进行半切而制成的切口100X针对各划区120的每一个划区进行分割基板100的全切(full cut)处理(图1(j))。
作为全切处理,能够使用公知的技术。例如,能够通过在作为上述全自动切割电锯的DFD641(商标)安装适当宽度的刀片并使用来进行全切。
由此,从基板100的各划区逐一得到模制电路模块。
图5表示通过以上方法得到的模制电路模块M的剖面图,图6表示模制电路模块M的透视俯视图。
如图5所示,通过第一树脂400将模制电路模块M具备的基板100与电子部件200一起覆盖。另外,第一树脂400的上表面被第二树脂500覆盖。另外,第二树脂500的上表面、第一树脂400及第二树脂500的侧面、以及通过半切而露出的基板100的侧面被屏蔽层600覆盖。屏蔽层600如上所述包括第一金属覆盖层610和第二金属覆盖层620,它们如图5所示与基板100的内部的接地用电极110的侧面导通。关于屏蔽层600中的经由第二树脂500覆盖第一树脂400的部分,由于存在第二树脂500,所以不会发生填料从第一树脂400脱落所引起的脱落。虽然屏蔽层600中的覆盖第一树脂400的侧面的部分不经由第二树脂500覆盖第一树脂400,但由于半切处理,第一树脂400的侧面成为稍微粗糙的状态,所以屏蔽层600对第一树脂400的紧贴性高,难以从第一树脂400的侧面脱落。
通过隔板构件300的侧壁部320包围电子部件200A的侧面的两面、通过屏蔽层600包围电子部件200A的侧面的两面,且通过顶棚部310和屏蔽层600包围电子部件200A的上表面。由此,能够抑制隔板外的电子部件200受到电子部件200A所产生的电磁波的影响、或者抑制电子部件200A受到隔板外的电子部件200所产生的电磁波的影响。此外,隔板内的电子部件200A无需一定是一个,也可以是多个。
另外,隔板构件300的顶棚部310与第一树脂400的上表面平行、且在它们之间设置有间隙。上述间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。在本实施方式中,该间隙的大小是大致100μm。
另外,隔板构件300的侧壁部320的侧端中的在图6中左右延伸的侧壁部中的左端的侧端与模制电路模块M中的第一树脂400的在图6中的左侧的侧面平行,且在它们之间设置有间隙。另外,该间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。在本实施方式中,该间隙的大小是大致100μm。
另外,隔板构件300的侧壁部320的侧端中的在图6中上下延伸的侧壁部中的下端的侧端与模制电路模块M中的第一树脂400的在图6中的下侧的侧面平行,且在它们之间设置有间隙。另外,该间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。在本实施方式中,该间隙的大小是大致100μm。
<变形例>
变形例中的模制电路模块与上述实施方式中的模制电路模块在模制电路模块的结构以及制造方法方面几乎没有变化。
唯一不同的是隔板构件300的结构。
变形例中的隔板构件300构成为如图7所示。
变形例中的隔板构件300仅具备侧壁部320,不具备上述实施方式中的隔板构件300具备的顶棚部310。虽然不限于此,但本实施方式中的隔板构件300是板状,虽然不限于此,但将都是矩形的四块侧壁部320在俯视下组合成矩形,构成为框架状。
为了制造变形例中的模制电路模块,首先,与上述实施方式的情况同样地,对基板100的一个表面安装电子部件200。
接下来,与上述实施方式的情况同样地,将隔板构件300安装到基板100。在变形例的情况下,用隔板构件300的四块侧壁部320包围电子部件200A并将隔板构件300安装到基板100,该电子部件200A需要被保护以免受到从如高频振荡器那样发出强电磁波、或者模制电路模块的其它电子部件200发出的电磁波。使隔板构件300的下端与基板100所具有的接地用电极110导通的情况与上述实施方式的情况相同。
接下来,与上述实施方式的情况同样地,用第一树脂400将安装有电子部件200且根据需要安装有隔板构件300的基板100的上述一个表面的整个面与电子部件200和隔板构件300一起覆盖,使第一树脂400固化。
接下来,虽然这不一定必须,但与上述实施方式的情况同样地,去除第一树脂400的上部。虽然未必限定于此,但在该变形例中,在去除上部的第一树脂400之后的第一树脂400的上表面与隔板构件300的侧壁部320的上端之间设置有间隙。该间隙优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
接下来,与上述实施方式的情况同样地,虽然未必必要,但用第二树脂500覆盖与基板100平行的第一树脂400的上表面,使第二树脂500固化。
接下来,与上述实施方式的情况同样地,对基板100进行半切处理。在变形例中,在进行了半切处理的情况下,在由此露出的第一树脂400的侧面与隔板构件300的侧壁部320之间拉开有间隙。后述该间隙的大小。
接下来,与上述实施方式的情况同样地,用屏蔽层600覆盖第一树脂400、第二树脂500以及基板100中的在上述实施方式中所说明的位置。
最后,与上述实施方式的情况同样地,沿着通过进行半切而制成的切口100X针对各划区120的每一个划区进行分割基板100的全切处理。
图8表示基于通过以上方法得到的变形例的模制电路模块M的剖面图,图9表示模制电路模块M的透视俯视图。
该模制电路模块M与上述实施方式中的模制电路模块M几乎相同。不同的是以下方面。
首先,模制电路模块M所包含的电子部件200A被隔板构件300的侧壁部320包围其四周,且其上表面被屏蔽层600覆盖。由此,能够抑制隔板外的电子部件200受到电子部件200A所产生的电磁波的影响、或者抑制电子部件200A受到隔板外的电子部件200所产生的电磁波的影响。
另外,隔板构件300的四块侧壁部320的上端都与第一树脂400的上表面平行,且在它们之间设置有间隙。上述间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
另外,隔板构件300的侧壁部320的侧端中的在图9中位于左端的侧壁部和位于下端的侧壁部都与模制电路模块M中的第一树脂400的在图9中的左侧和下侧的侧面平行,且在它们之间设置有间隙。该间隙的大小优选为120μm以下、更优选为80μm~120μm。
Claims (7)
1.一种模制电路模块,包括:
基板,具有接地用电极;
至少两个电子部件,安装于所述基板的一个表面上;
第一树脂层,由将所述基板的一个表面与所述电子部件一起覆盖的作为树脂的第一树脂形成;以及
膜状的屏蔽层,通过与所述接地用电极导通并覆盖所述第一树脂层的表面、所述第一树脂层的侧面和所述基板的侧面而形成,
所述电子部件中的至少一个电子部件是要从其它电子部件被隔离电磁波的电子部件即特定电子部件,
该模制电路模块设置有具备位于所述特定电子部件与其它电子部件之间的、屏蔽电磁波的板状的壁的隔板,其中,
所述隔板具备与所述壁的上端连接的板状的顶棚,并且在所述顶棚与位于其上方的所述第一树脂层的表面之间设置有间隔,所述顶棚在与所述基板大致平行的方向上延伸以屏蔽向所述特定电子部件放射的电磁波,
所述顶棚与位于该顶棚的上方的所述屏蔽层平行,所述壁的上端与所述第一树脂层的表面之间的间隔以及所述顶棚与位于该顶棚的上方的所述屏蔽层之间的间隔都为80μm以上且120μm以下。
2.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
在所述壁的侧端与所述第一树脂层的侧面之间设置有间隔。
3.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
所述特定电子部件是振荡器。
4.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
所述壁具备孔,该孔用于加强所述壁与所述壁的两侧的所述第一树脂层的固定。
5.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
所述隔板与所述接地用电极导通。
6.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
所述隔板通过与所述接地用电极在该隔板的壁的下端直接接触而与所述接地用电极导通。
7.根据权利要求1所述的模制电路模块,其中,
所述顶棚具备孔,该孔用于加强所述顶棚的上下的所述第一树脂层与所述顶棚的固定。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/082958 WO2016092695A1 (ja) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
JPPCT/JP2014/082958 | 2014-12-12 | ||
PCT/JP2015/069938 WO2016092893A1 (ja) | 2014-12-12 | 2015-07-10 | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107006139A CN107006139A (zh) | 2017-08-01 |
CN107006139B true CN107006139B (zh) | 2019-10-18 |
Family
ID=56106939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580067433.1A Expired - Fee Related CN107006139B (zh) | 2014-12-12 | 2015-07-10 | 模制电路模块及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10271432B2 (zh) |
JP (1) | JP6121637B2 (zh) |
CN (1) | CN107006139B (zh) |
DE (1) | DE112015005566T5 (zh) |
TW (1) | TWI699159B (zh) |
WO (2) | WO2016092695A1 (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016092691A1 (ja) | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社メイコー | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
JP6449837B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2019-01-09 | 太陽誘電株式会社 | 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法 |
JP6463323B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2019-01-30 | 太陽誘電株式会社 | 無線モジュール、およびその製造方法 |
JP6408540B2 (ja) | 2016-12-01 | 2018-10-17 | 太陽誘電株式会社 | 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法 |
CN111357395B (zh) * | 2017-11-20 | 2022-03-11 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
TWI736736B (zh) * | 2018-01-22 | 2021-08-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
KR102518174B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2023-04-05 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
KR102520212B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2023-04-10 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
US10564679B2 (en) * | 2018-04-05 | 2020-02-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic device module, method of manufacturing the same and electronic apparatus |
KR102146802B1 (ko) * | 2018-07-24 | 2020-08-21 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
CN109640521B (zh) * | 2018-11-20 | 2020-06-30 | 奥特斯科技(重庆)有限公司 | 制造具有嵌入式集群的部件承载件的方法以及部件承载件 |
WO2020250823A1 (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022034789A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022034785A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022034786A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール及びモジュールの製造方法 |
WO2022034790A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022034787A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022034788A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2023286747A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
US11729897B1 (en) * | 2022-06-27 | 2023-08-15 | Meta Platforms Technologies, Llc | Electromagnetic shielding structure for an overmolded printed circuit board |
CN116234179B (zh) * | 2023-05-09 | 2023-07-07 | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 | 故障电子元件移除设备及方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1512579A (zh) * | 2002-12-27 | 2004-07-14 | ��ʽ���������Ƽ� | 半导体模块 |
CN101273673A (zh) * | 2005-08-30 | 2008-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 基板结构及电子设备 |
CN101300911A (zh) * | 2005-11-28 | 2008-11-05 | 株式会社村田制作所 | 电路模块以及制造电路模块的方法 |
CN102169876A (zh) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 三菱电机株式会社 | 树脂密封型电子控制装置及其制造方法 |
CN102281707A (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-14 | 株式会社村田制作所 | 电路模块 |
CN102315199A (zh) * | 2010-07-08 | 2012-01-11 | 索尼公司 | 模块和便携式终端 |
CN103214791A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 日东电工株式会社 | 电子部件封装用树脂组合物片材及使用其的电子部件装置的制造方法 |
CN103648233A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-03-19 | 太阳诱电株式会社 | 电子电路模块及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0810957Y2 (ja) * | 1991-06-26 | 1996-03-29 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造 |
JPH06275741A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置 |
JP3150253B2 (ja) | 1994-07-22 | 2001-03-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法並びに実装方法 |
JP3809993B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2006-08-16 | 太陽誘電株式会社 | ブルートゥ−スモジュール |
JP2004172304A (ja) | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
CN1849052A (zh) | 2005-04-05 | 2006-10-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电磁干扰屏蔽封装体及其制程 |
JP4650244B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールおよびその製造方法 |
JP5036563B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2012-09-26 | スパンション エルエルシー | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100691629B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 금속벽을 이용한 고주파 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2008084964A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Alps Electric Co Ltd | 高周波ユニットの製造方法、及び高周波ユニット |
JP2011049421A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Origin Electric Co Ltd | 絶縁封止電子部品及びその製造方法 |
TWI393239B (zh) * | 2009-10-16 | 2013-04-11 | Advanced Semiconductor Eng | 具有內屏蔽體之封裝結構及其製造方法 |
JP2011258887A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュールの製造方法 |
US8587178B2 (en) * | 2010-07-22 | 2013-11-19 | Gem Co., Ltd. | Rotor of high speed induction motor and manufacturing method thereof |
JP2013222829A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 回路モジュール及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-12-12 WO PCT/JP2014/082958 patent/WO2016092695A1/ja active Application Filing
-
2015
- 2015-07-10 DE DE112015005566.5T patent/DE112015005566T5/de not_active Withdrawn
- 2015-07-10 US US15/534,401 patent/US10271432B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-10 CN CN201580067433.1A patent/CN107006139B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-10 WO PCT/JP2015/069938 patent/WO2016092893A1/ja active Application Filing
- 2015-07-10 JP JP2016563205A patent/JP6121637B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-27 TW TW104139580A patent/TWI699159B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1512579A (zh) * | 2002-12-27 | 2004-07-14 | ��ʽ���������Ƽ� | 半导体模块 |
CN101273673A (zh) * | 2005-08-30 | 2008-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 基板结构及电子设备 |
CN101300911A (zh) * | 2005-11-28 | 2008-11-05 | 株式会社村田制作所 | 电路模块以及制造电路模块的方法 |
CN102169876A (zh) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 三菱电机株式会社 | 树脂密封型电子控制装置及其制造方法 |
CN102281707A (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-14 | 株式会社村田制作所 | 电路模块 |
CN102315199A (zh) * | 2010-07-08 | 2012-01-11 | 索尼公司 | 模块和便携式终端 |
CN103214791A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 日东电工株式会社 | 电子部件封装用树脂组合物片材及使用其的电子部件装置的制造方法 |
CN103648233A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-03-19 | 太阳诱电株式会社 | 电子电路模块及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6121637B2 (ja) | 2017-04-26 |
DE112015005566T5 (de) | 2017-09-07 |
WO2016092893A1 (ja) | 2016-06-16 |
TW201640997A (zh) | 2016-11-16 |
TWI699159B (zh) | 2020-07-11 |
JPWO2016092893A1 (ja) | 2017-04-27 |
US10271432B2 (en) | 2019-04-23 |
WO2016092695A1 (ja) | 2016-06-16 |
US20170354039A1 (en) | 2017-12-07 |
CN107006139A (zh) | 2017-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107006139B (zh) | 模制电路模块及其制造方法 | |
CN107006138B (zh) | 模制电路模块及其制造方法 | |
CN107114005A (zh) | 模制电路模块及其制造方法 | |
KR101712288B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
TWI448224B (zh) | 電子模組以及其製造方法 | |
CN105101634B (zh) | 电子器件模块及电子器件模块的制造方法 | |
US20150016066A1 (en) | Circuit module and method of producing the same | |
US9161483B2 (en) | Electronic module and method of manufacturing electronic module | |
US20100109132A1 (en) | Chip package and manufacturing method thereof | |
CN108292645A (zh) | 具有基于沟槽模制的电磁干扰屏蔽的半导体封装 | |
KR101824726B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR102501905B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
TW201605001A (zh) | 電子封裝模組之製造方法及其結構 | |
TWI553818B (zh) | 電子封裝模組之製造方法以及電子封裝模組結構 | |
CN105336629B (zh) | 电子封装模块的制造方法以及电子封装模块 | |
CN105304508B (zh) | 电子封装模块的制造方法及其结构 | |
KR102566145B1 (ko) | 반도체 패키지의 제조 방법 | |
CN108575081B (zh) | 抗电磁干扰的屏蔽装置及其制作方法 | |
US20110104429A1 (en) | Substrate member, module, electric equipment, and manufacturing method of modules | |
JPWO2016092694A1 (ja) | モールド回路モジュール及びその製造方法 | |
CN106537587B (zh) | 电子部件的制造方法 | |
EP4135028A1 (en) | Electronic component with moulded package | |
US20180315714A1 (en) | Chip package structure and manufacturing method thereof | |
EP1897424B1 (en) | Warpage preventing substrates and method of making same | |
KR20150052625A (ko) | 인쇄회로기판용 솔더 레지스트, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20191018 Termination date: 20210710 |