CN107000953A - 层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置以及电子器件的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 177
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 41
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 18
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 99
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 99
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 86
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 26
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 241000894007 species Species 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 vistanex Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
在层叠体的剥离开始部制作方法中,对于借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体,将刀自层叠体的端面向第1基板与吸附层之间的界面插入预定量而在界面制作剥离开始部。刀包含主体部、与主体部连续且侧视时顶端变细的刀尖部以及主体部与刀尖部之间的交界即棱线,利用包含棱线在内的棱线部切削吸附层的至少一部分。
Description
技术领域
本发明涉及层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置以及电子器件的制造方法。
背景技术
随着显示面板、太阳能电池、薄膜二次电池等电子器件的薄型化、轻型化,期望应用于这些电子器件的玻璃板、树脂板、金属板等基板(第1基板)的薄板化。
然而,若基板的厚度变薄,则基板的处理性恶化,因此,难以在基板的表面形成电子器件用的功能层(薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)和滤色器(CF:ColorFilter)。
因此,提案有如下一种方法:在基板的背面上粘贴加强板(第2基板)从而构成利用加强板加强了基板的层叠体,且在层叠体的状态下在基板的表面形成功能层(参照专利文献1)。在该方法中,基板的处理性提高,因此能够在基板的表面良好地形成功能层。而且,加强板能够在形成功能层后自基板剥离。
作为一例子,加强板的剥离方法通过自位于矩形层叠体的对角线上的两个角部中的一个角部朝向另一个角部地使加强板或基板或者它们双方向互相分开的方向挠性变形来进行。此时,为了使剥离顺利进行,在层叠体的一个角部制作剥离开始部。如专利文献1所述,通过将刀自层叠体的端面向基板与加强板之间插入预定量,且在一个角部的预定的区域形成剥离开始部而制作剥离开始部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2010/090147号
发明内容
发明要解决的问题
然而,存在在从基板与加强板之间将刀拔出之后已自基板剥离的加强板再次附着在基板上而无法制作剥离开始部的情况。
另外,还考虑将刀留置在基板与加强板之间从而保持剥离开始部且在该状态下使基板自加强板剥离。然而,在将刀留置的剥离方法中,在进行由多个吸盘吸附保持基板的整个表面的剥离工序时(参照专利文献1),由于自刀向基板施加有意外的力,因此,可能使基板破损。
另外,为了可靠地实施利用吸盘对基板进行的吸附保持,使吸盘按压于基板。在该按压力的作用下,可能存在被刀剥离的加强板再次附着于基板的情况。
本发明即是鉴于这样的课题而做成的,其目的在于提供即使从第1基板与第2基板之间将刀拔出也能够抑制第1基板和第2基板之间的再次附着而能够可靠地制作剥离开始部的层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置以及电子器件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的层叠体的剥离开始部制作方法的一方式为,对于借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体,将刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量而在所述界面制作剥离开始部,其中,所述刀包括主体部、与所述主体部连续且侧视时顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,利用包含所述棱线在内的棱线部切削所述吸附层的至少一部分。
本发明的剥离开始部制作装置的一方式为,剥离开始部制作装置包括:层叠体保持单元,其用于保持借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体;刀保持单元,其用于保持刀;以及移动单元,其通过使所述层叠体保持单元和所述刀保持单元相对移动,从而使所述刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量,其中,所述刀包含主体部、与所述主体部连续且顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,包含所述棱线在内的棱线部具有能够切削所述吸附层的至少一部分的形状。
本发明的电子器件的制造方法的一方式为,包括:功能层形成工序,在借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体中的、所述第1基板的表面上形成功能层;以及剥离工序,将形成有所述功能层的所述第1基板从所述第2基板剥离,其中,所述剥离工序具有:剥离开始部制作工序,将刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量而在所述界面制作剥离开始部;以及剥离工序,以所述剥离开始部为起点剥离所述界面,所述刀包含主体部、与所述主体部连续且在侧视时顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,利用包含所述棱线在内的棱线部切削所述吸附层的至少一部分。
根据本发明的一方式,优选的是,所述棱线部为在横跨所述棱线的位置具有多个贯通孔的形状。
根据本发明的一方式,优选的是,所述多个贯通孔的至少一个贯通孔为具有飞边的贯通孔。
根据本发明的一方式,优选的是,所述多个贯通孔的至少两个贯通孔为具有飞边的贯通孔,两个所述飞边的突出方向互相为相反方向。
根据本发明的一方式,优选的是,从所述刀的刀尖观察时,所述棱线部为具有将峰部和谷部交替配置而成的波浪状的棱线的形状。
根据本发明的一方式,优选的是,棱线部具有配置颗粒而成的形状。
发明的效果
采用本发明的层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置以及电子器件的制造方法,即使从第1基板与第2基板之间将刀拔出,也能够抑制第1基板与第2基板之间的再次附着而能够可靠地制作剥离开始部。
附图说明
图1是表示提供给电子器件的制造工序的层叠体的一例子的主要部位放大侧视图。
图2是表示在LCD的制造工序的中途制作的层叠体的一例子的主要部位放大侧视图。
图3的(A)~图3的(E)是表示利用剥离开始部制作装置进行的剥离开始部制作方法的说明图。
图4是利用剥离开始部制作方法制作了剥离开始部的层叠体的俯视图。
图5是表示相对于层叠体插入刀之前的状态的俯视图。
图6的(A)~图6的(C)是表示一实施方式所涉及的刀的说明图。
图7是表示图6的刀的另一实施方式的说明图。
图8的(A)~图8的(C)是表示另一实施方式所涉及的刀的说明图。
图9的(A)~图9的(C)是表示又一实施方式所涉及的刀的说明图。
图10的(A)~图10的(C)是表示使用具有贯通孔的刀在层叠体上制作剥离开始部的方法的俯视图。
图11的(A)~图11的(C)是表示使用具有贯通孔的刀在层叠体上制作剥离开始部的方法的侧视图。
图12的(A)~图12的(C)是表示使用具有贯通孔的另一刀在层叠体上制作剥离开始部的方法的俯视图。
图13的(A)、图13的(B)是表示具有贯通孔的另一刀、以及使用该刀在层叠体上制作剥离开始部的方法的说明图。
图14是表示剥离装置的结构的纵剖视图。
图15是示意性地表示可动体相对于剥离单元的配置位置的挠性板的俯视图。
图16的(A)~图16的(C)是表示剥离单元的结构的说明图。
图17是对层叠体的界面进行剥离的剥离装置的纵剖视图。
图18的(A)~图18的(C)是按时间顺序表示将利用剥离开始部制作方法制作了剥离开始部的层叠体的加强板剥离的剥离方法的说明图。
图19的(A)~图19的(C)是接着图18按时间顺序表示将层叠体的加强板剥离的剥离方法的说明图。
具体实施方式
以下,根据附图说明本发明的优选的实施方式。利用以下的优选的实施方式说明本发明。不偏离本发明的范围而能够利用多种方法进行变更,能够利用本实施方式以外的其他的实施方式。因而,本发明的范围内的全部的变更包含在权利要求内。
在此,在附图中,由相同的标记表示的部分为具有同样的功能的同样的要素。另外,在本说明书中,使用“~”表示数值范围的情况是指由“~”表示的上限、下限的数值也包含在数值范围内。
以下,说明在电子器件的制造工序中使用本发明所涉及的层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置的情况。
电子器件是指显示面板、太阳能电池、薄膜二次电池等电子零件。作为显示面板,能够例示有液晶显示板(LCD:Liquid Crystal Display)、等离子显示板(PDP:PlasmaDisplay Panel)以及有机EL显示板(OELD:Organic Electro Luminescence Display)。
[电子器件的制造工序]
电子器件通过在玻璃制、树脂制、金属制等基板的表面形成电子器件用的功能层(若为LCD,则为薄膜晶体管(TFT)和滤色器(CF))而制造。
在形成功能层之前,使上述基板的背面粘贴于加强板而构成为层叠体。之后,在层叠体的状态下,在基板的表面形成功能层。然后,在形成功能层后,使加强板自基板剥离。
即,在电子器件的制造工序中,包括:在层叠体的状态下在基板的表面形成功能层的功能层形成工序、和自形成有功能层的基板剥离加强板的剥离工序。该剥离工序中能够应用本发明的层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置。
[层叠体]
图1是表示了层叠体1的一例子的主要部位放大侧视图。
层叠体1包括作为第1基板的供功能层形成的基板2、和用于加强该基板2的作为第2基板的加强板3。另外,加强板3在表面3a上设有作为吸附层的树脂层4,在该树脂层4上粘贴有基板2的背面2b。基板2利用树脂层4的粘合力、或在其与树脂层4之间作用的范德华力借助树脂层4以能够剥离的方式粘贴于加强板3。
[基板]
在作为第1基板的基板2的表面2a形成有功能层。作为基板2,能够例示玻璃基板、陶瓷基板、树脂基板、金属基板、半导体基板。在所例示的这些基板之中,由于玻璃基板的耐化学性、耐透湿性优异且线膨胀系数较小,因此,适合作为电子器件用的基板2。另外,由于线膨胀系数变小,因此玻璃基板还具有在高温下形成的功能层的图案在冷却时难以偏移的优点。
作为玻璃基板的玻璃,能够例示无碱玻璃、硅酸硼玻璃、钠钙玻璃、高硅玻璃、其他的以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃,优选换算成氧化物的氧化硅的含量为40质量%~90质量%的玻璃。
作为玻璃基板的玻璃,优选的是,选择并采用适合于所制造的电子器件的种类的玻璃、或适合于其制造工序的玻璃。例如,液晶板用的玻璃基板优选的是,采用实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)。
基板2的厚度根据基板2的种类进行设定。例如,在基板2采用玻璃基板的情况下,为了电子器件的轻型化、薄板化,基板2的厚度优选设定在0.7mm以下,更优选设定在0.3mm以下,进一步优选设定在0.1mm以下。在基板2的厚度在0.3mm以下的情况下,能够赋予玻璃基板良好的挠性。而且,在基板2的厚度在0.1mm以下的情况下,能够将玻璃基板卷为卷状。另外,从玻璃基板的制造的观点以及玻璃基板的处理的观点来看,优选基板2的厚度在0.03mm以上。
另外,在图1中,基板2由一张基板构成,但基板2还可以由多张基板构成。即,基板2还可以由将多张基板层叠而成的层叠体构成。
[加强板]
作为第2基板的加强板3,能够例示有玻璃基板、陶瓷基板、树脂基板、金属基板、半导体基板。
加强板3的种类根据所制造的电子器件的种类、该电子器件中使用的基板2的种类等进行选定。若加强板3和基板2为相同的材质,则能够降低因温度变化而产生的翘曲、剥离。
加强板3和基板2之间的平均线膨胀系数的差(绝对值)根据基板2的尺寸形状等进行适当设定。平均线膨胀系数的差优选在35×10-7/℃以下。在此,所谓的“平均线膨胀系数”是指在50℃~300℃的温度范围内的平均线膨胀系数(日本工业标准JIS R3102 1995年)。
加强板3的厚度设定在0.7mm以下,根据加强板3的种类、所加强的基板2的种类、厚度等进行设定。另外,加强板3的厚度既可以大于基板2的厚度也可以小于基板2的厚度,但为了加强基板2,加强板3的厚度优选在0.4mm以上。
另外,在本实施例中,加强板3由一张基板构成,但加强板3也可以由将多张基板层叠而成的层叠体构成。
[树脂层]
为了防止在作为吸附层的树脂层4与加强板3之间发生剥离,而将树脂层4与加强板3之间的结合力设定得比树脂层4与基板2之间的结合力高。由此,在剥离层叠体1的工序中,在树脂层4与基板2之间进行剥离。
构成树脂层4的树脂没有特别限定,可列举有丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、有机硅树脂以及聚酰亚胺有机硅树脂。还能够混合使用几种树脂。其中,从耐热性、剥离性的观点来看,优选有机硅树脂、聚酰亚胺有机硅树脂。在实施方式中,例示有机硅树脂层作为树脂层4。
树脂层4的厚度没有特别限定,优选设定为1μm~50μm,更优选设定为4μm~20μm。将树脂层4的厚度设定在1μm以上,从而当树脂层4与基板2之间混入有气泡、异物时,能够利用树脂层4的变形吸收气泡、异物的厚度。另一方面,将树脂层4的厚度设在50μm以下,从而能够缩短树脂层4的形成时间,而且不必过度使用树脂层4的树脂因此较经济。
另外,为了使加强板3能够支承整个树脂层4,树脂层4的外形优选为与加强板3的外形相同或小于加强板3的外形。另外,为了使树脂层4与整个基板2密合,树脂层4的外形优选为与基板2的外形相同或大于基板2的外形。
另外,在图1中,树脂层4由一层构成,但树脂层4还能够由两层以上构成。该情况下,构成树脂层4的所有层的合计的厚度成为树脂层的厚度。另外,该情况下,构成各层的树脂的种类也可以不同。
而且,在实施方式中,使用了有机膜即树脂层4作为吸附层,也可以使用无机层来代替树脂层4。构成无机层的无机膜例如含有从由金属硅化物、氮化物、碳化物以及碳氮化物构成的组中选择的至少一种。
金属硅化物例如含有从由W、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、Zr以及Ba构成的组中选择的至少一种,优选为硅化钨。
氮化物例如含有从由Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Sn、In、B、Cr、Mo以及Ba构成的组中选择的至少一种,优选为氮化铝、氮化钛或氮化硅。
碳化物例如含有从由Ti、W、Si、Zr以及Nb构成的组中选择的至少一种,优选为碳化硅。
碳氮化物例如含有从由Ti、W、Si、Zr以及Nb构成的组中选择的至少一种,优选为碳氮化硅。
金属硅化物、氮化物、碳化物以及碳氮化物在其材料中所含有的Si、N或C、和在其材料中所含有的其他元素之间的电负性之差较小,极化较小。因此,无机膜与水之间的反应性较低,而难以在无机膜的表面生成羟基。因而,能够良好地保持无机膜和玻璃基板即基板2之间的剥离性。
[形成有功能层的层叠体]
经由功能层形成工序从而在层叠体1的基板2的表面2a形成有功能层。作为功能层的形成方法,能够使用CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法、和PVD(Physical Vapor Deposition:物理气相沉积)法等蒸镀法、溅射法。功能层利用光刻法和蚀刻法形成为预定的图案。
图2是表示在LCD的制造工序的中途制作的层叠体6的一例子的主要部位放大侧视图。
层叠体6由加强板3A、树脂层4A、基板2A、功能层7、基板2B、树脂层4B以及加强板3B以上述顺序层叠而构成。即,图2的层叠体6相当于图1所示的层叠体1以夹着功能层7的方式对称配置而成的层叠体。以下,将包括基板2A、树脂层4A以及加强板3A的层叠体设为第1层叠体1A,将包括基板2B、树脂层4B以及加强板3B的层叠体设为第2层叠体1B。
在第1层叠体1A的基板2A的表面2Aa形成有作为功能层7的薄膜晶体管(TFT)。在第2层叠体1B的基板2B的表面2Ba形成有作为功能层7的滤色器(CF)。
第1层叠体1A和第2层叠体1B通过使基板2A的表面2Aa、基板2B的表面2Ba互相重合而一体化。由此,制造第1层叠体1A和第2层叠体1B以夹着功能层7的方式对称配置的构造的层叠体6。
层叠体6在剥离工序中剥离加强板3A、3B,之后,安装偏振片、背光灯等,从而制造成为产品的LCD。
另外,图2的层叠体6为在表背两面配置有加强板3A、3B的结构,但层叠体也可以是仅在单侧的表面配置有加强板的结构。
[剥离开始部制作装置]
图3的(A)~图3的(E)是表示剥离开始部制作工序所使用的剥离开始部制作装置10的主要部位结构的说明图,图3的(A)是表示层叠体6和刀20(还称作剥离刀具)之间的位置关系的说明图,图3的(B)是利用刀20在基板2B与树脂层4B之间的界面24制作剥离开始部26的说明图,图3的(C)是表示即将在基板2A与树脂层4A之间的界面28制作剥离开始部30的状态的说明图,图3的(D)是利用刀20在界面28制作剥离开始部30的说明图,图3的(E)是制作了剥离开始部26、30的层叠体6的说明图。另外,图4是制作了剥离开始部26、30的层叠体6的俯视图。图5是表示向层叠体6插入(还称作刺入)刀20前的状态的俯视图。
在图4中,在层叠体6的各角部包括切角部6A、6B、6C、6D。切角部6A~6D为利用磨石倒角加工为斜面形状的切口,用于表示层叠体6的型号,该倒角量、倒角角度根据每个型号而不同。在图4的层叠体6中,是在所有的角部包括切角部6A~6D,但是还存在在所选择的至少一个角部设有切角部的层叠体。另外,在图4、图5中,相对于层叠体6的大小夸张地表示了切角部6A~6D,而实际上切角部6A~6D仅为微小的大小。
在制作剥离开始部26、30时,如图3的(A)所示,层叠体6的加强板3B的背面吸附并保持于作为层叠体保持单元的工作台12且在水平方向(图中X轴方向)上被支承。
如图5所示,刀20以刀尖与层叠体6的切角部6A相对的方式利用图3的作为刀保持单元的保持件14在水平方向上被支承。另外,利用高度调整装置16调整刀20在高度方向(图中Z轴方向)上的位置。另外,利用作为移动单元的滚珠丝杠装置等输送装置18使刀20和层叠体6在水平方向(图中X方向)上相对移动。输送装置18使刀20和工作台12中的至少一者沿水平方向移动即可,在实施方式中,使刀20移动。
[剥离开始部制作方法]
采用利用剥离开始部制作装置10进行的剥离开始部制作方法,将刀20的插入位置设定于层叠体6的切角部6A中的在层叠体6的厚度方向上重叠的位置,并且将刀20的插入量设定为根据每个界面24、28而不同。
说明该剥离开始部制作方法的制作步骤。
在初始状态时,刀20的刀尖20a位于相对于第1插入位置、即基板2B与树脂层4B之间的界面24在高度方向(Z轴方向)上偏移的位置。因此,首先,如图3的(A)所示,使刀20在高度方向上移动,将刀20的刀尖20a的高度设定在界面24的高度。
然后,使刀20朝向层叠体6的切角部6A沿水平方向(图5的箭头B方向)移动,在使刀20的刀尖20a与切角部6A的端面接触之后,如图3的(B)所示,将刀尖20a向界面24插入预定量。
接着,将刀20自切角部6A沿水平方向(图5的箭头C方向)拔出,如图3的(C)所示,将刀20的刀尖20a设定在第2插入位置、即基板2A与树脂层4A之间的界面28的高度。
然后,使刀20朝向层叠体6沿水平方向(图5的箭头B方向)移动,在使刀20的刀尖20a与切角部6A的端面接触之后,如图3的(D)所示,将刀尖20a向界面28插入预定量。由此,如图3的(D)所示,在界面28制作剥离开始部30。在此,刀20相对于界面28的插入量设为小于刀20相对于界面24的插入量。以上为剥离开始部制作方法。另外,也可以将刀20相对于界面24的插入量设为小于刀20相对于界面28的插入量。
将制作了剥离开始部26、30的层叠体6从剥离开始部制作装置10中取出,转移到剥离工序。在剥离工序中,利用剥离装置依次剥离层叠体6的界面24、28。
后述说明界面24、28的剥离方法,如图4的箭头A所示,使层叠体6自切角部6A朝向与切角部6A相对的切角部6C挠曲。由此,剥离开始部26的面积较大的界面24最先以剥离开始部26为起点进行剥离。由此,剥离加强板3B。然后,通过使层叠体6自切角部6A朝向切角部6C再次挠曲,从而剥离开始部30的面积较小的界面28以剥离开始部30为起点进行剥离。由此,剥离加强板3A。刀20的插入量根据层叠体6的尺寸优选设定在7mm以上,更优选设定在15mm~20mm程度。
[本发明的概要]
说明本发明的层叠体的剥离开始部制作方法和剥离开始部制作装置的特征。本发明的特征为利用具有特定的形状的刀20进行的剥离开始部制作方法,以下对该方面进行说明。
剥离开始部制作装置10所使用的实施方式的刀20具有在将刀20插入于界面24时能够切削树脂层4B的至少一部分、另外在将刀20插入于界面28时能够切削树脂层4A的至少一部分的形状。通过切削树脂层4A的至少一部分能够抑制基板2A和加强板3A之间再次附着,另外,通过切削树脂层4B的至少一部分能够抑制基板2B和加强板3B之间再次附着。
接着,以基板2A、加强板3A以及树脂层4A为例说明能够抑制基板和加强板之间的再次附着的作用。首先,在将刀20插入界面28前的状态下,基板2A和加强板3A借助树脂层4A粘贴在一起(图3的(A))。接着,在将刀20插入界面28时,利用刀20沿着刀20的插入方向(移动方向)切削树脂层4A的至少一部分,并在树脂层4A上形成直线状的伤痕(图3的(D))。在利用刀20切削树脂层4A时,被切削的树脂层4A的一部分、所谓的切屑附着在树脂层4A上、或附着在基板2A上。该切屑起到间隔物的作用,而能够抑制基板2A和加强板3A在剥离开始部30再次附着。另外,还存在在形成于树脂层4A的直线状的伤痕的两缘部形成有高于周围的树脂层4A的凸部的情况。该凸部与切屑相同地起到间隔物的作用,而能够抑制基板2A和加强板3A之间在剥离开始部30再次附着。同样地,能够抑制基板2B和加强板3B之间在剥离开始部26再次附着。
[刀]
说明能够切削吸附层即树脂层4A、4B的刀20的形状。图6的(A)~图6的(C)表示了一实施方式的刀20。图6的(A)是刀20的俯视图,图6的(B)是从箭头D的方向观察刀20的侧视图,图6的(C)是从箭头E的方向观察到的主视图。如图6的(B)所示,在侧视的情况下,刀20包括大致一定厚度的主体部20b、和与该主体部20b连续并朝向刀尖20a顶端变细的刀尖部20c。在刀20上形成有主体部20b与刀尖部20c之间的交界即棱线20d。棱线20d沿着刀20的宽度方向与刀尖20a大致平行地延伸。另外,在实施方式中,将包含棱线20d在内自棱线20d向主体部20b的一侧5mm、以及自棱线20d向刀尖部20c的一侧刀尖部20c的长度的一半的范围内的区域称作棱线部20m。
如图6的(B)所示,刀20的刀尖20a位于主体部20b的厚度方向上的大致中央的位置,由于刀20随着朝向其刀尖20a顶端变细,因此,刀20为双刃的刀。因而,棱线20d存在于刀20的第1面和第2面。在此,刀20的第1面和第2面意思是指刀20中面积较大的两个面(以下总称为第1面和第2面,还简称为“双面”)。
在图6的(A)~图6的(C)所示的实施方式的刀20上,在横跨棱线20d的位置形成有多个贯通孔20e。贯通孔20e具有俯视呈大致圆形的形状。如图6的(C)的主视图所示,由圆包围起来的棱线20d与贯通孔20e之间的交点自刀20的移动方向观察时构成了突出部。因而,例如在将刀20插入了界面28时,能够利用棱线20d与贯通孔20e之间的交点的突出部切削树脂层4A(参照图3的(D))。同样地,在将刀20插入了界面24时,能够利用棱线20d与贯通孔20e之间的交点的突出部切削树脂层4B(参照图3的(B))。
另外,在图6的(A)中,例示了俯视呈大致圆形的贯通孔20e,还可以是椭圆形、矩形、三角形、多边形。另外,贯通孔20e的大小(在此为切取棱线20d的长度)优选为0.1mm~5mm,另外,多个贯通孔20e的间距优选大于贯通孔20e的大小,还可以为不等间距。贯通孔20e的大小能够根据间距进行适当设定。
另外,作为刀20的宽度W1,优选为5mm~50mm,作为长度W2,优选为30mm~200mm,作为厚度t,优选为0.05mm~0.5mm。另外,作为刀尖部20c的角度θ1,优选为20°~30°,另外,作为由主体部20b和刀尖部20c所成的角度θ2,优选为165°~170°。
图7是图6的(A)~图6的(C)的实施方式的刀20的另一实施方式。图7是与图6的(C)相同地从刀尖20a观察的主视图。如图7所示,刀20以使多个贯通孔20e横跨棱线20d的方式形成有贯通孔20e。在该实施方式的刀20中,在贯通孔20e上形成有飞边20f。通过形成飞边20f,能够使棱线20d与贯通孔20e之间的交点的突出部成为锐利的形状。其结果,利用飞边20f,能够以较高的可靠性切削树脂层。
另外,如图7所示,优选在至少两个贯通孔20e中飞边20f的突出方向互相为相反方向。在刀20的双面的任一面相面对配置树脂层,都能够利用刀20切削树脂层。
另外,通过对刀20进行冲孔加工,能够在贯通孔20e的周围形成飞边20f。另外,通过自刀20的第1面利用冲孔加工形成贯通孔20e,另外,在另一位置自刀20的第2面利用冲孔加工形成贯通孔20e,能够在刀20的双面形成突出方向互相为相反方向的飞边20f。
图8的(A)~图8的(C)表示了另一实施方式的刀20。图8的(A)是刀20的俯视图,图8的(B)是从箭头F的方向观察到的刀20的侧视图,图8的(C)是从箭头G的方向观察到的主视图。如图8的(B)所示,与图6的(A)~图6的(C)相同,刀20为包括主体部20b、刀尖部20c、主体部20b与刀尖部20c之间的交界即棱线20d、且刀尖20a位于主体部20b的厚度方向上的大致中央部的双刃的刀。
如图8的(A)所示,在实施方式的刀20的主体部20b的双面上,交替形成有沿相对于刀尖20a大致垂直方向延伸的峰部20g和谷部20h。因而,如图8的(A)所示,主体部20b与刀尖部20c之间的交界即棱线20d俯视呈波浪状。波浪状意思是指某种形状空开一定的间隔起伏的情况,并不是指形状为波浪本身。因而,峰部20g和谷部20h还可以主视呈V字状、U字状等。
如图8的(B)所示,在侧视观察时,主体部20b的位于峰部20g的部分与刀尖部20c之间的棱线20d、和主体部20b的位于谷部20h的部分与刀尖部20c之间的棱线20d的位置在刀20的厚度方向、以及长度方向(W1的方向)上不同。另外,如图8的(C)所示,在主视观察时,刀尖部20c利用峰部20g和谷部20h而形成为波浪状。
在实施方式的刀20中,从刀20的移动方向观察时,由圆包围起来的棱线20d构成了突出部。因此,在将刀20插入了界面28时,能够利用该突出部即棱线20d切削树脂层4A(参照图3的(D))。同样地,在将刀20插入了界面24时,能够利用该突出部即棱线20d切削树脂层4B(参照图3的(B))。
图8所示的刀20例如能够通过对交替形成有峰部和谷部的平板在峰部和谷部延伸的方向上进行研磨而形成刀尖部从而进行制造。
另外,刀20的材质、宽度W1、长度W2、厚度t、刀尖部20c的角度θ1、以及由主体部20b和刀尖部20c所成的角度θ2能够设为与图6的刀20相同的材质、大小。
图9的(A)~图9的(C)表示了又一实施方式的刀20。图9的(A)是刀20的俯视图,图9的(B)是从箭头H的方向观察到的刀20的侧视图,图9的(C)是从箭头I的方向观察到的主视图。如图9的(B)所示,与图6的(B)相同,刀20为包括主体部20b、刀尖部20c以及主体部20b与刀尖部20c之间的交界即棱线20d、且刀尖20a位于主体部20b的厚度方向上的大致中央部的双刃的刀。
在图9的(A)~图9的(C)所示的实施方式的刀20中,在刀20的双面、且在包含棱线20d在内的棱线部20m附着有颗粒20k。附着于刀20的双面的颗粒20k构成了突出部,因此,在将刀20插入了界面28时,能够利用颗粒20k切削树脂层4A(参照图3的(D))。同样地,在将刀20插入了界面24时,能够利用颗粒20k切削树脂层4B(参照图3的(B))。
作为颗粒20k,例如优选使用金刚石、玻璃、金属等材质的颗粒。另外,颗粒20k的粒径优选为0.1μm~100μm,密度优选为1个/cm2~1000个/cm2。作为将颗粒20k固定于刀20的棱线部20m的方法,能够使用粘接、利用镀敷进行的电沉积等。
另外,刀20的材质、宽度W1、长度W2、厚度t、刀尖部20c的角度θ1以及由主体部20b和刀尖部20c所成的角度θ2能够设为与图6的(A)~图6的(C)的刀20相同的材质、大小。
自图6的(A)~图6的(C)到图9的(A)~图9的(C)所示的刀20表示了具有俯视呈直线状的刀尖20a的例子,但并不限定于此。例如,刀尖20a还可以俯视呈波浪状、或呈锯齿状。
接着,说明使用了图6的(A)所示的具有贯通孔20e的刀20的剥离开始部制作方法。图10的(A)~图10的(C)是表示在层叠体制作剥离开始部的方法的俯视图,图11的(A)~图11的(C)是表示在层叠体制作剥离开始部的方法的侧视图。如图10的(A)和图11的(A)所示,使刀20沿高度方向移动,在与层叠体6的切角部6A相对的位置将刀20的刀尖20a的高度设定为基板2B与树脂层4B之间的界面24的高度。在刀20上,在横跨棱线20d的位置以4mm的间距形成有15个的贯通孔20e。15个贯通孔20e配置为相对于刀尖20a大致平行。
另外,为了容易理解,在图10的(A)~图10的(C)中仅示出了层叠体6的树脂层4B,在图11的(A)~图11的(C)中仅示出了基板2B、加强板3B以及树脂层4B。
如图10的(B)所示,将刀20沿着箭头J(图11的(B)中箭头L)的方向以预定的插入量插入于界面24。由于刀20为双刃的刀,因此,一边相对于刀20的行进方向分别撑开基板2B、和包含树脂层4B在内的加强板3B(图11的(B)中,基板2B为箭头M的方向,包含树脂层4B在内的加强板3B为箭头N的方向),一边使刀20移动。在使刀20沿着界面24移动时,由于基板2B和加强板3B的刚性而作用与箭头M和箭头N相反方向的力,将刀20的包含棱线20d在内的棱线部20m向树脂层4B局部地按压。由于贯通孔20e与棱线20d之间的交点构成了突出部,因此,能够利用该突出部容易地切削树脂层4B。
如图10的(B)所示,在利用刀20沿着刀20的移动方向切削树脂层4B时,在树脂层4B的表面形成与刀20的移动方向相对应的直线状的伤痕32。由于一边利用刀20切削树脂层4B一边形成伤痕32,因此,如图11的(B)所示,在基板2B和树脂层4B上附着切屑34。另外,在伤痕32的直线状的两缘部形成高于周围的树脂层4B的凸部(未图示)。
如图10的(C)所示,将刀20向与插入刀20的箭头J(图11中箭头L)的方向相反的方向的箭头K(图11中箭头P)的方向拔出。即,以反向地沿着已行进的刀20的轨迹行进的方式,将刀20拔出。如图10的(C)所示,在切角部6A的附近形成与刀20的插入量相对应的剥离开始部26。
如图11的(C)所示,由于在基板2B与树脂层4B之间的界面24存在树脂层4B的切屑34,因此,切屑34作为间隔物发挥功能,而能够抑制基板2B与树脂层4B之间的再次附着。另外,如图10的(C)所示,在形成有伤痕32的两缘部的凸部(未图示)的情况下,作为间隔物发挥功能。
接着,说明使用了与图10的(A)~图10的(C)以及图11的(A)~图11的(C)所示的具有贯通孔20e的刀20形状不同的具有贯通孔20e的刀20的情况。图12的(A)~图12的(C)是表示在层叠体制作剥离开始部的方法的俯视图。
如图12的(A)所示,使刀20沿高度方向移动,而将刀20设定于与层叠体6的切角部6A相对的位置。将刀20的刀尖20a的高度设定为基板2B与树脂层4B之间的界面24的高度(参照图11的(A))。
接着,如图12的(B)所示,将刀20沿着箭头Q的方向以预定的插入量插入于界面24。树脂层4B沿着刀20的移动方向形成有伤痕32。相比于图10的(A)~图10的(C)、图11的(A)~图11的(C)的实施方式的刀20,图12的(A)~图12的(C)的实施方式的刀20的贯通孔20e的数量较少。因而,图12的(A)~图12的(C)的实施方式的形成于树脂层4B的伤痕32的数量少于图10的(A)~图10的(C)、图11的(A)~图11的(C)的实施方式的形成于树脂层4B的伤痕32的数量。如图12的(B)所示,贯通孔20e还可以不通过切角部6A。
接着,如图12的(C)所示,不是将刀20向与插入刀20的箭头Q的方向相反的方向拔出,而是将刀20向箭头R的方向(附图的左方向)拔出。即,以不反向沿着已行进的刀20的轨迹行进的方式,将刀20拔出。通过以不反向沿着轨迹行进的方式将刀20拔出,从而如图12的(C)所示,除了在插入了刀20时形成的伤痕32以外,在将刀20拔出时,还能够在树脂层4B形成新的伤痕32。因而,即使是贯通孔20e较少的刀20,通过控制刀20的移动方向,也能够形成与贯通孔20e较多的刀20相等的面积的伤痕32。另外,刀20的移动方向并不限定于实施方式,而能够根据贯通孔20e的大小、数量进行适当设定。
根据该实施方式,能够使用贯通孔20e较少且制造成本较廉价的刀20。
在图6的(A)~图6的(C)至图9的(A)~图9的(C)中,例示了双刃的刀20,但并不限定于此,也能够使用单刃的刀。
图13的(A)、图13的(B)是表示单刃的刀的一实施方式的说明图。如图13的(A)所示,刀20包括在侧视时具有大致一定厚度的主体部20b、和与该主体部20b连续并朝向刀尖20a顶端变细的刀尖部20c。如图13的(A)所示,由于刀20的刀尖20a在主体部20b的厚度方向上位于第1面或第2面的任一面侧,因此,刀20为单刃的刀。因而,棱线20d仅存在于刀20的第1面和第2面的一侧的面,而不存在棱线20d的面成为平坦面。
作为能够切削作为吸附层的树脂层的形状,实施方式的刀20具有横跨棱线20d的多个贯通孔20e。多个贯通孔20e配置为与刀尖20a大致平行。
图13的(B)是表示向层叠体6插入了刀20的状态的侧视图。另外,为了容易理解,仅示出了基板2B、加强板3B以及树脂层4B。
如图13的(B)所示,刀20沿着箭头S的方向以预定的插入量插入于基板2B与树脂层4B之间的界面。由于刀20为单刃的刀,因此,一边相对于刀20的行进方向将包含树脂层4B在内的加强板3B向箭头T的方向撑开,一边使刀20移动。在使刀20沿着界面24移动时,由于基板2B和加强板3B的刚性而对刀20作用与箭头T相反的方向的力,并将刀20的包含棱线20d在内的棱线部20m局部向树脂层4B按压。由于贯通孔20e与棱线20d之间的交点构成了突出部,因此,能够利用该突出部容易地切削树脂层4B。
在实施方式的刀20中,由于棱线20d仅形成于一面,因此,能够减少对基板2B的影响。
另外,在使用单刃的刀20的情况下,在图3的(B)中,在向界面24插入刀20时,如图13的(A)、图13的(B)所示,以刀20的棱线部20m位于与树脂层4B相对的位置的方式配置刀20。另一方面,在图3的(D)中,在向界面28插入刀20时,刀20的棱线部20m配置于与树脂层4A相对的位置。
在使用一个刀20的情况下,在将刀20插入于界面24或界面28之前,优选以刀20的棱线部20m朝向各个树脂层4B、4A的方式使刀20的上下翻转。
另外,在使用两个刀20的情况下,通过分别准备插入于界面24的刀20和插入于界面28的刀20,能够使棱线部20m与树脂层4A、4B相对配置。
在具有贯通孔20e的刀20上形成飞边(未图示)的情况下,在自具有棱线20d的面突出的方向上形成飞边即可。
在图13的(A)、图13的(B)中,说明了相对于单刃的刀20在棱线20d上形成贯通孔20e的情况,也能够如图8的(A)~图8的(C)所示将棱线20d设为波浪状,另外,还能够如图9的(A)~图9的(C)所示在棱线部20m设置颗粒20k。
在单刃的刀20的情况下,能够设为与图6的(A)、图6的(B)相同的宽度W1、长度W2。另外,作为厚度t,优选为0.05mm~0.5mm。另外,作为刀尖部20c的角度θ1,优选为10°~15°,另外,作为由主体部20b和刀尖部20c所成的角度θ2,优选为165°~170°。
[剥离装置]
图14是表示实施方式的剥离装置40的结构的纵剖视图,图15是示意性地表示多个可动体44相对于剥离装置40的剥离单元42的配置位置的剥离单元42的俯视图。另外,图14相当于沿图15的D-D线的剖视图,另外,在图15中以实线表示层叠体6。
图14所示的剥离装置40包括以夹持层叠体6的方式配置于层叠体6的上方和下方的一对可动装置46、46。可动装置46、46为相同结构,因此,在此说明配置在图14的下侧的可动装置46,对配置在上侧的可动装置46标注相同的附图标记并省略说明。
可动装置46包括多个可动体44、根据每个可动体44而使可动体44升降移动的多个驱动装置48、以及根据每个驱动装置48来控制驱动装置48的控制器50等。
为了使加强板3B挠性变形,剥离单元42真空吸附并保持加强板3B。另外,代替真空吸附,还可以使用静电吸附或磁吸附。
[剥离单元]
图16的(A)是剥离单元42的俯视图,图16的(B)是剥离单元42的沿图16的(A)的E-E线的放大纵剖视图。另外,图16的(C)是表示构成剥离单元42的吸附部54借助双面粘接带56以装卸自如的方式设置于构成剥离单元42的矩形的板状的挠性板52的、剥离单元42的放大纵剖视图。
如上所述,剥离单元42构成为吸附部54借助双面粘接带56以装卸自如的方式安装于挠性板52。
吸附部54包括厚度小于挠性板52的厚度的挠性板58。该挠性板58的下表面借助双面粘接带56以装卸自如的方式安装于挠性板52的上表面。
另外,吸附部54具有用于吸附并保持层叠体6的加强板3B的内表面的矩形的透气性薄片60。为了降低在剥离时在加强板3B上产生的拉伸应力,透气性薄片60的厚度在2mm以下,优选在1mm以下,在实施方式中使用0.5mm的透气性薄片60。
而且,吸附部54具有包围透气性薄片60且与加强板3B的外周面相抵接的密封框构件62。密封框构件62和透气性薄片60借助双面粘接带64粘接于挠性板58的上表面。另外,密封框构件62为肖氏E硬度(ショアE硬度)在20度以上且在50度以下的闭孔的海绵,其厚度设定为比透气性薄片60的厚度厚0.3mm~0.5mm。
在透气性薄片60与密封框构件62之间具有框状的槽66。另外,在挠性板52上开口有多个贯通孔68,这些贯通孔68的一端与槽66连通,另一端经由未图示的吸引管路与吸气源(例如真空泵)连接。
因而,在驱动吸气源时,吸引管路、贯通孔68、以及槽66的空气被吸引,从而使层叠体6的加强板3B的内表面被真空吸附并保持于透气性薄片60。另外,由于加强板3B的外周面以被按压的状态抵接于密封框构件62,因此,能够提高由密封框构件62包围的吸附空间的密闭性。
挠性板52的弯曲刚性高于挠性板58、透气性薄片60、以及密封框构件62的弯曲刚性,挠性板52的弯曲刚性决定剥离单元42的弯曲刚性。剥离单元42的每单位宽度(1mm)的弯曲刚性优选为1000N·mm2/mm~40000N·mm2/mm。例如,在剥离单元42的宽度为100mm的部分,弯曲刚性为100000N·mm2~4000000N·mm2。通过将剥离单元42的弯曲刚性设在1000N·mm2/mm以上,能够防止吸附并保持于剥离单元42的加强板3B的弯折。另外,通过将剥离单元42的弯曲刚性设在40000N·mm2/mm以下,能够使吸附并保持于剥离单元42的加强板3B适当地挠曲变形。
挠性板52、58为树脂制构件,例如为聚碳酸酯树脂、聚氯乙烯(PVC)树脂、丙烯酸类树脂、聚缩醛(POM)树脂等树脂制构件。
[可动装置]
图14所示的圆盘状的多个可动体44以图15所示的棋盘格状固定在挠性板52的下表面。这些可动体44利用螺栓等紧固构件固定于挠性板52,也可以代替螺栓而使用粘接固定。这些可动体44利用由控制器50驱动并控制的驱动装置48独立地升降移动。
即,控制器50控制驱动装置48,使自位于图15中的层叠体6的切角部6A侧的可动体44至位于箭头U所示的剥离行进方向的切角部6C侧的可动体44依次下降移动。根据该动作,如图17的纵剖视图所示,层叠体6的界面24以剥离开始部26(参照图4)为起点进行剥离。另外,图14、图17所示的层叠体6为利用图3的(A)~图3的(C)中说明的剥离开始部制作方法制作了剥离开始部26、30的层叠体6。
驱动装置48包括例如旋转式的伺服马达和滚珠丝杠机构等。伺服马达的旋转运动在滚珠丝杠机构的作用下转换为直线运动,传递至滚珠丝杠机构的杆70。在杆70的顶端部借助球接头72设有可动体44。由此,能够使可动体44如图17所示跟随剥离单元42的挠性变形而倾动。因而,不向剥离单元42施加过度的力就能够使剥离单元42自切角部6A朝向切角部6C挠性变形。另外,作为驱动装置48,并不限定于旋转式的伺服马达和滚珠丝杠机构,还可以是直线式的伺服马达、或流体压缸(例如气压缸)。
多个驱动装置48优选借助缓冲构件76安装于能够升降的框架74。缓冲构件76以追随剥离单元42的挠性变形的方式弹性变形。由此,杆70相对于框架74倾动。
在将剥离了的加强板3B自剥离单元42取出时,利用未图示的驱动部使框架74下降移动。
控制器50构成为包括ROM(Read Only Memory:只读存储器)及RAM(Random AccessMemory:随机存取存储器)等记录介质、CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)等的计算机。控制器50使CPU执行记录在记录介质中的程序,由此,根据每个驱动装置48来控制多个驱动装置48,从而控制多个可动体44的升降移动。
图18的(A)~图18的(C)至图19的(A)~图19的(C)示出了利用在图3的(A)~图3的(C)中所说明的剥离开始部制作方法在切角部6A制作了剥离开始部26、30的层叠体6的剥离方法。即,在上述图中,按时间顺序表示剥离层叠体6的加强板3A、3B的剥离方法。
另外,向剥离装置40送入层叠体6的送入作业、及送出剥离后的加强板3A、3B和面板PA的送出作业利用图18的(A)所示的具有吸盘78的输送装置80来进行。另外,为了避免附图的复杂化,在图18、图19中省略了可动装置46的图示。另外,面板PA是指借助功能层7粘贴有除去加强板3A、3B的基板2A和基板2B而成的产品面板。
图18的(A)是利用箭头V、W所示的输送装置80的动作使层叠体6载置于下侧的剥离单元42的、剥离装置40的侧视图。在该情况下,为了在下侧的剥离单元和上侧的剥离单元42之间插入输送装置80,预先使下侧的剥离单元42和上侧的剥离单元42移动至相对充分退避的位置。然后,当层叠体6载置于下侧的剥离单元42时,层叠体6的加强板3B被下侧的剥离单元42真空吸附并保持。即,在图18的(A)中,示出了加强板3B被下侧的剥离单元42吸附并保持的吸附工序。
图18的(B)是使下侧的剥离单元42和上侧的剥离单元42向相对靠近的方向移动、层叠体6的加强板3A被上侧的剥离单元42真空吸附并保持的状态的剥离装置40的侧视图。即,在图18的(B)中,示出了加强板3A被上侧的剥离单元42吸附并保持的吸附工序。
另外,在利用剥离装置40使图1所示的层叠体1的基板2自加强板3剥离的情况下,利用上侧的剥离单元42支承作为第1基板的基板2、利用下侧的剥离单元42吸附并保持作为第2基板的加强板3。在该情况下,用于支承基板2的支承部并不限定于剥离单元42,只要是能够以装卸自如的方式支承基板2的构件即可。然而,通过使用剥离单元42作为支承部,能够使基板2和加强板3同时弯曲并进行剥离,因此,相比于仅使基板2或加强板3弯曲的方式,具有能够减小剥离力的优点。
回到图18,图18的(C)是表示一边自层叠体6的切角部6A朝向切角部6C使下侧的剥离单元42向下方挠性变形、一边以剥离开始部26(参照图4)为起点对层叠体6的界面24进行剥离的状态的侧视图。即,对于图17所示的下侧的剥离单元42的多个可动体44,使自位于层叠体6的切角部6A侧的可动体44至位于切角部6C侧的可动体44依次下降移动从而剥离界面24。另外,也可以与该动作连动地,对于上侧的剥离单元42的多个可动体44,使自位于层叠体6的切角部6A侧的可动体44至位于切角部6C侧的可动体44依次上升移动从而剥离界面24。由此,相比于仅使加强板3B弯曲的方式,能够减小剥离力。
图19的(A)是完全剥离了界面24后的状态的剥离装置40的侧视图。根据图19的(A),剥离后的加强板3B被下侧的剥离单元42真空吸附并保持,除加强板3B以外的层叠体6(包括加强板3A和面板PA的层叠体)被上侧的剥离单元42真空吸附并保持。
另外,为了在上侧的剥离单元42和下侧的剥离单元42之间插入图18的(A)所示的输送装置80,使下侧的剥离单元42和上侧的剥离单元42移动至相对充分退避的位置。
然后,首先,解除对下侧的剥离单元42的真空吸附。接着,利用输送装置80的吸盘78借助树脂层4B吸附并保持加强板3B。接着,利用图19的(A)的箭头AA、BB所示的输送装置80(参照图18的(A))的动作,将加强板3B自剥离装置40送出。
图19的(B)是除加强板3B以外的层叠体6利用下侧的剥离单元42和上侧的剥离单元42真空吸附并保持的侧视图。即,使下侧的剥离单元42和上侧的剥离单元42向相对靠近的方向移动,基板2B被下侧的剥离单元42真空吸附并保持。
图19的(C)是表示一边自层叠体6的切角部6A朝向切角部6C使上侧的剥离单元42向上方挠性变形、一边以剥离开始部30(参照图4)为起点对层叠体6的界面28进行剥离的状态的侧视图。即,对于图17所示的上侧的剥离单元42的多个可动体44,使自位于层叠体6的切角部6A侧的可动体44至位于切角部6C侧的可动体44依次上升移动,从而剥离界面28。另外,也可以与该动作连动地,对于下侧的剥离单元42的多个可动体44,使自位于层叠体6的切角部6A侧的可动体44至位于切角部6C侧的可动体44依次下降移动,从而剥离界面28。由此,相比于仅使强板3A弯曲的方式,能够减小剥离力。
然后,将自面板P完全剥离了的加强板3A自上侧的剥离单元42取出,并将面板PA自下侧的剥离单元42取出。以上为在切角部6A制作了剥离开始部26、30的层叠体6的剥离方法。
本申请基于2014年12月26日申请的日本特许出愿2014-263880,其内容作为参照写入本说明书中。
附图标记说明
1、层叠体;1A、第1层叠体;1B、第2层叠体;2、2A、2B、基板(第1基板);3、3A、3B、加强板(第2基板);4、4A、4B、树脂层(吸附层);6、层叠体;10、剥离开始部制作装置;12、工作台(层叠体保持单元);14、保持件(刀保持单元);18、输送装置(移动单元);20、刀;20b、主体部;20c、刀尖部;20d、棱线;20e、贯通孔;20f、飞边;20g、峰部;20h、谷部;20k、颗粒;20m、棱线部;26、剥离开始部;30、剥离开始部;40、剥离装置。
Claims (18)
1.一种层叠体的剥离开始部制作方法,对于借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体,将刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量而在所述界面制作剥离开始部,其中,
所述刀包括主体部、与所述主体部连续且侧视时顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,
利用包含所述棱线在内的棱线部切削所述吸附层的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的层叠体的剥离开始部制作方法,其中,
所述棱线部具有如下形状:在横跨所述棱线的位置具有多个贯通孔。
3.根据权利要求2所述的层叠体的剥离开始部制作方法,其中,
所述多个贯通孔的至少一个贯通孔为具有飞边的贯通孔。
4.根据权利要求2所述的层叠体的剥离开始部制作方法,其中,
所述多个贯通孔的至少两个贯通孔为具有飞边的贯通孔,两个所述飞边的突出方向互相为相反方向。
5.根据权利要求1所述的层叠体的剥离开始部制作方法,其中,
从所述刀的刀尖观察时,所述棱线部具有如下形状:具有将峰部和谷部交替配置而成的波浪状的棱线。
6.根据权利要求1所述的层叠体的剥离开始部制作方法,其中,
所述棱线部具有配置颗粒而成的形状。
7.一种剥离开始部制作装置,该剥离开始部制作装置包括:
层叠体保持单元,其用于保持借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体;
刀保持单元,其用于保持刀;以及
移动单元,其通过使所述层叠体保持单元和所述刀保持单元相对移动,从而使所述刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量,其中,
所述刀包含主体部、与所述主体部连续且顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,包含所述棱线在内的棱线部具有能够切削所述吸附层的至少一部分的形状。
8.根据权利要求7所述的剥离开始部制作装置,其中,
所述形状为设于横跨所述棱线的位置的多个贯通孔。
9.根据权利要求8所述的剥离开始部制作装置,其中,
所述多个贯通孔的至少一个贯通孔为具有飞边的贯通孔。
10.根据权利要求8所述的剥离开始部制作装置,其中,
所述多个贯通孔的至少两个贯通孔为具有飞边的贯通孔,两个所述飞边的突出方向互相为相反方向。
11.根据权利要求7所述的剥离开始部制作装置,其中,
从所述刀的刀尖观察时,所述形状为具有将峰部和谷部交替配置而成的波浪状的棱线的形状。
12.根据权利要求7所述的剥离开始部制作装置,其中,
所述形状为具有配置在所述棱线部的颗粒的形状。
13.一种电子器件的制造方法,包括:功能层形成工序,在借助吸附层以能够剥离的方式将第1基板和第2基板粘贴而成的层叠体中的、所述第1基板的表面上形成功能层;以及剥离工序,将形成有所述功能层的所述第1基板从所述第2基板剥离,其中,
所述剥离工序具有:剥离开始部制作工序,将刀自所述层叠体的端面向所述第1基板与所述吸附层之间的界面插入预定量而在所述界面制作剥离开始部;以及剥离工序,以所述剥离开始部为起点剥离所述界面,
所述刀包含主体部、与所述主体部连续且在侧视时顶端变细的刀尖部以及所述主体部与所述刀尖部之间的交界即棱线,利用包含所述棱线在内的棱线部切削所述吸附层的至少一部分。
14.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法,其中,
所述棱线部为在横跨所述棱线的位置具有多个贯通孔的形状。
15.根据权利要求14所述的电子器件的制造方法,其中,
所述多个贯通孔的至少一个贯通孔为具有飞边的贯通孔。
16.根据权利要求14所述的电子器件的制造方法,其中,
所述多个贯通孔的至少两个贯通孔为具有飞边的贯通孔,两个所述飞边的突出方向互相为相反方向。
17.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法,其中,
从所述刀的刀尖观察时,所述棱线部为具有将峰部和谷部交替配置而成的波浪状的棱线的形状。
18.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法,其中,
所述棱线部具有配置颗粒而成的形状。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-263880 | 2014-12-26 | ||
JP2014263880 | 2014-12-26 | ||
PCT/JP2015/084272 WO2016104122A1 (ja) | 2014-12-26 | 2015-12-07 | 積層体の剥離開始部作成方法、及び剥離開始部作成装置並びに電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107000953A true CN107000953A (zh) | 2017-08-01 |
CN107000953B CN107000953B (zh) | 2018-09-28 |
Family
ID=56150152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580068254.XA Active CN107000953B (zh) | 2014-12-26 | 2015-12-07 | 剥离开始部制作方法和制作装置及电子器件的制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10173408B2 (zh) |
JP (1) | JP6547760B2 (zh) |
KR (1) | KR102437466B1 (zh) |
CN (1) | CN107000953B (zh) |
TW (1) | TWI680060B (zh) |
WO (1) | WO2016104122A1 (zh) |
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- 2015-12-07 CN CN201580068254.XA patent/CN107000953B/zh active Active
- 2015-12-07 KR KR1020177017088A patent/KR102437466B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-07 JP JP2016566089A patent/JP6547760B2/ja active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Tokyo, Japan, Japan Applicant after: AGC Corporation Address before: Tokyo, Japan, Japan Applicant before: Asahi Glass Co., Ltd. |
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |