CN107000161A - 去毛刺装置以及毛刺去除方法 - Google Patents

Abstract

一种毛刺去除方法包括：准备包括加工容器和产生吸引力的吸引机构的去毛刺装置、以及多个被处理品的工序；将多个被处理品安置在加工容器的工序；对安置到加工容器的多个被处理品进行搅拌的工序；以及利用由吸引机构的动作而产生的气流，使朝向处于正在被搅拌的状态的多个被处理品投入的磨粒加速至规定的速度，并且使该磨粒与多个被处理品接触或者碰撞从而去除多个被处理品的毛刺。

Description

去毛刺装置以及毛刺去除方法

技术领域

本公开涉及去除被处理品的毛刺的去毛刺装置以及毛刺去除方法。

背景技术

电子部件被广泛应用于智能手机、平板终端、以及便携式音乐播放器等多数电子设备中。尤其是近年来，因电子设备的小型化而期待更加小型的电子部件。

作为这些电子设备的电子部件，使用在利用加压成型法、刮涂法、或者注塑成型法等将陶瓷或者磁性材料等硬脆材料的原料粉末成型之后进行烧成而得的部件。若在构成该电子部件的成型体上存在毛刺，则成为例如在由自动安装机进行的安装工序中的由毛刺的遗漏所导致的电子设备的性能降低，以及由毛刺引起的安装不良等的原因，因此在安装前进行毛刺的去除。

作为去除构成电子部件的成型体的毛刺的方法，在专利文献1中公开有通过湿式滚磨方法来去除毛刺的方法。在专利文献1中公开了如下方法：将含有原料的糊剂成型为片状而生成生片(green sheet)，通过由湿式滚磨进行的研磨来去除切断生片得到的生晶片(green chip)的毛刺。湿式滚磨方法是研磨能力相对较高的研磨方法，因此基于成型体的强度，过度地研磨对电子部件的尺寸精度产生影响。另外，由于需要进行由研磨所产生的废水的处理、以及研磨后的成型体的干燥等，因此增加制造成本。

作为除去构成电子部件的成型体的毛刺的其他方法，考虑应用了鼓风装置的方法(例如，专利文献2的段落0002所记载的内容)。通常，鼓风装置将磨粒与具有0.2MPa以上的非常高的压力的压缩空气一同作为气固二相流对工件进行喷射。因此，在通过研磨来去除如电子部件那样的小型的工件的毛刺的情况下，工件本身会因该气固二相流而向周围飞散。另外，由于在应用了鼓风装置的方法中，比上述的滚磨方法的研磨力更强，因此存在基于工件的强度而产生破裂、以及缺口等缺陷的担忧。

专利文献1：日本特开2008-227314号公报

专利文献2：日本特开2010-188470号公报

发明内容

在本技术领域中期待一种去除被处理品的毛刺的新的去毛刺装置以及毛刺去除方法。

本发明的一个方面提供去除被处理品的毛刺的毛刺去除方法。该毛刺去除方法包括下述(1)～(4)的工序。

(1)准备包括加工容器和产生吸引力的吸引机构的去毛刺装置、以及多个被处理品的工序。

(2)将多个被处理品安置在加工容器的工序。

(3)对安置到加工容器的多个被处理品进行搅拌的工序。

(4)利用由吸引机构的动作而产生的气流，使朝向处于正在被搅拌的状态的多个被处理品投入的磨粒加速至规定的速度，并且使磨粒与多个被处理品接触或者碰撞从而去除多个被处理品的毛刺。

根据一个方面所涉及的毛刺去除方法，朝向被处理品投入的磨粒借助由吸引机构的动作而产生的气流加速至规定的速度(在一个实施方式中，磨粒与多个被处理品接触或者碰撞时的磨粒的速度为5～30m/sec)。根据该加速，磨粒具有适于去除毛刺的动能，因此不会在磨粒接触或者碰撞被处理品时过度地切削被处理品，就能够从被处理品去除毛刺。此时，由于安置在加工容器的多个被处理品正在被搅拌，因此能够从全部的被处理品均匀地去除毛刺。此外，这里所述的“磨粒的投入”与像喷丸加工装置那样将磨粒朝向被处理品进行喷射或投射不同，是指仅将磨粒朝向被处理品无初速度地进行供给、或者将磨粒朝向被处理品以非常小的初速度进行供给。例如，可以通过使磨粒自由下落来将磨粒朝被处理品供给，也可以以不向周围飞散或者不对毛刺的去除处理带来影响的程度的较弱风量将磨粒朝向被处理品进行供给。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，多个被处理品可以分别通过将原料粉末成型或者在将原料粉末成型之后进行煅烧来获得。例如，像生晶片那样将原料粉末成型而成的成型体、或者在将原料粉末成型之后进行煅烧而成的成型体、即在进行烧成而形成烧结体之前的状态的成型体与烧结体相比，毛刺的强度较低。因此，通过将成型体设为毛刺的去除对象从而能够良好地去除毛刺。这里，烧成是指使对原料粒子进行加压而成型的成型体加热，使相邻的原料粒子粘合而减小粒子间的缝隙，而进行烧固。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，多个被处理品可以分别是通过压粉成型法而成型的陶瓷或者磁性材料。虽然对被处理品的成型方法不作特别限定，但在通过压粉成型法成型的被处理品中，在能够成为制品的部分和毛刺部分中，彼此相邻的原料粒子未通过加热而粘合。因此，能够尤其良好地去除存在于被处理品的毛刺。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，在对多个被处理品进行搅拌的工序中，可以通过使安置到加工容器的多个被处理品处于流动状态来搅拌多个被处理品。由于被处理品为较小的尺寸(例如，一边为100～1600μm)，因此通过使多个被处理品成为流动状态来进行搅拌，从而能够均匀地分散。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，加工容器可以具备加工盘以及框体。加工盘可以具有第一面以及第一面的相反侧的面亦即第二面。可以在加工盘设置有沿从第一面朝向第二面的方向贯通加工盘的多个贯通孔。多个贯通孔可以分别具有能够供磨粒通过且无法供多个被处理品的各个通过的大小。框体可以在加工盘的第一面包围加工盘的周缘。另外，在将多个被处理品安置在加工容器的工序中，可以在第一面载置多个被处理品。在该情况下，能够不损害去除毛刺的能力，将被处理品安置在加工容器，并良好地搅拌。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，加工盘的厚度可以为30～100μm，加工盘的第一面与框体所成的棱角部可以被加工为半径为0.5～5.0mm的圆弧面。根据该结构，能够抑制被处理品滞留在加工容器的棱角部的情况，或者能够抑制被处理品被夹在形成加工容器的各部件之间的情况。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，吸引机构可以配置于第二面侧。而且，气流可以是从第一面朝向第二面的气流。根据该结构，由于在被处理品的附近、即在加工容器内产生从第一面侧朝向第二面侧的气流，因此能够借助该气流良好地去除被处理品的毛刺。

一个实施方式的毛刺去除方法还可以包括回收磨粒的工序。在去除多个被处理品的毛刺的工序中，磨粒可以从第一面侧朝向多个被处理品投入。在回收磨粒的工序中，可以通过吸引机构对到达第二面的磨粒进行吸引并回收。由于磨粒、以及微粒(以下将这些磨粒以及微粒统称为“粉尘”)朝向吸引机构前进，因此能够抑制粉尘向进行毛刺的去除的区域之外进行飞散的情况。微粒包括产生了破裂或者缺口的磨粒、以及因毛刺的去除处理而产生的切削粉。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，每单位时间到达第二面的磨粒的量相对于每单位时间从第一面侧朝向搅拌中的多个被处理品投入的磨粒的量的比例(通过比例)可以为80～95重量％。通过将通过比例设在该范围，从而能够不妨碍磨粒的加速地，将磨粒与被处理品抵接的频率抑制为超过固定以上。因此，磨粒被良好地加速，而能够良好地去除被处理品的毛刺。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，每单位时间从第一面侧朝向多个被处理品投入的磨粒的体积相对于每单位时间由吸引机构吸引的吸引流量的比例(吸引比例)可以为10～50体积％。通过将吸引比例设在该范围，从而不妨碍磨粒的加速地，形成能够充分进行毛刺的去除的程度的磨粒的量。另外，通过将吸引比例设在上述的范围，从而能够通过吸引机构充分地吸引朝向多个被处理品投入的磨粒。因此，磨粒被良好地加速，另外能够降低磨粒以及微粒向周围飞散的可能性。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，在对多个被处理品进行搅拌的工序中，可以通过搅拌多个被处理品，从而减弱毛刺的固着力。通过被处理品中的毛刺部分与其他被处理品以及加工容器接触，从而能够诱发成为疲劳破坏的起点的裂纹。其结果，能够更加容易地进行由磨粒进行的毛刺的去除。

一个实施方式的毛刺去除方法还可以包括对气流进行整流的工序。在进行整流的工序中，通过对气流进行整流来对磨粒与多个被处理品接触或者碰撞的状态进行控制。通过对气流进行整流，从而能够控制磨粒对被处理品的动作，变更去毛刺的形态。由此，能够配合被处理品的强度及形态、以及毛刺的去除难以程度等来变更磨粒的动作。

在一个实施方式的毛刺去除方法中，在搅拌多个被处理品的工序中，可以通过将加工容器以规定的角度(在一个实施方式中为30～70°)倾斜地配置，并使该加工容器旋转(在一个实施方式中，加工容器的旋转速度为临界旋转速度的5～50％)，来搅拌多个被处理品。在该情况下，对被处理品施加由加工容器的旋转产生的离心力和沿着加工盘的重力的分力。通过对加工容器的倾斜角度以及旋转速度进行控制，从而能够利用这些力来使多个被处理品成为流动状态，并良好地进行搅拌。

在本发明的另一方面中，提供一种用于去除被处理品的毛刺的去毛刺装置。该去毛刺装置具备：加工容器，其用于安置多个被处理品；搅拌机构，其对安置到加工容器的多个被处理品进行搅拌；磨粒供给机构，其朝向处于由搅拌机构进行搅拌的状态的多个被处理品投入磨粒；以及吸引机构，其借助吸引力而沿从磨粒供给机构朝向加工容器的方向产生气流。吸引机构借助气流使通过磨粒供给机构朝向多个被处理品投入的磨粒加速至规定的速度，并使加速后的磨粒与多个被处理品接触或者碰撞从而去除多个被处理品的毛刺。

根据另一方面所涉及的去毛刺装置，朝向被处理品投入的磨粒借助由吸引机构的动作而产生的气流而被加速至规定的速度。根据该加速，到达被处理品的磨粒具有适于毛刺的去除的动能。因此，不会在磨粒碰撞或者接触被处理品时过度地切削被处理品，就能够从被处理品去除毛刺。此时，由于安置在加工容器的多个被处理品被搅拌，因此能够从全部的被处理品均匀地去除毛刺。

根据本发明的各方面以及各实施方式能够得到良好地去除毛刺的被处理品。

附图说明

图1是用于对本发明的实施方式所使用的去毛刺装置进行说明的示意图。

图2是用于对本发明的实施方式中的毛刺去除机制进行说明的示意图。

图3是表示本发明的实施方式中的毛刺去除工序的流程图。

具体实施方式

参照附图对本发明的去毛刺装置以及毛刺去除方法的一个例子进行说明。在以下的说明中，作为工件(被处理品)，使用将原料粉末成型来固定的成型体，即在通过烧成而形成烧结体之前的状态的成型体。在以下的说明中，上下左右的方向除非特别说明是指图中的方向。此外，本发明并不限定于本实施方式的结构，能够根据需要适当地进行变更。

如图1所示，本实施方式所使用的去毛刺装置01具备加工容器10、搅拌机构20、磨粒供给机构30、吸引机构40以及分选机构50。

加工容器10是用于收纳工件W的部件。工件W是被处理品，例如是构成电子部件的成型体。作为电子部件可以列举出电容器、电阻器、电感器、压敏电阻、带通滤波器、以及压电元件等。工件W可以是通过将原料粉末成型或者在将原料粉末成型之后进行煅烧来获得的成型体。工件W可以是通过压粉成型法而成型的陶瓷或者磁性材料。工件W的形状可以是立方体，工件W的一边例如可以为100～1600μm左右。加工容器10具备加工盘11。加工盘11具有供工件W载置的面亦即第一面11a(载置面)、以及第一面11a的相反侧的面亦即第二面11b。加工盘11具有多个开口部，上述多个开口部具有透气性且能够供磨粒通过，但不使工件W通过而能够使工件W滞留在第一面11a侧。具体而言，在加工盘11设置有多个贯通孔，上述贯通孔沿从第一面11a朝向第二面11b的方向贯通加工盘11。多个贯通孔分别具有能够供磨粒G通过且无法供工件W通过的大小。加工盘11例如可以是构成为网状的盘，可以是穿孔金属板，也可以是设置有多个狭缝的盘。另外，对加工盘11的形状不作特别限定。

本实施方式的加工容器10具备构成为网状的圆盘形状的加工盘11以及固定于加工盘11的外缘部的框体12。框体12至少在加工盘11的第一面11a包围加工盘11的周缘。即，本实施方式的加工容器10具有加工盘11的上方(第一面11a侧)被敞开的圆筒形状。

搅拌机构20与加工容器10连接，以使收纳(安置)到加工容器10的多个工件W成为流动状态的方式对其进行搅拌。只要能够搅拌工件W，搅拌机构20的结构不作特别限定。例如，搅拌机构20可以构成为使加工容器10旋转，也可以构成为使加工容器10振动。作为搅拌机构20也可以使用其他公知的结构。在本实施方式中，搅拌机构20使加工容器10以加工盘11的平面中心为轴心旋转。具体而言，搅拌机构20具备保持部件21、以及旋转机构22。保持部件21将加工容器10保持为能够在使加工容器10以规定的倾斜角度α倾斜的状态下进行旋转。

旋转机构22是使加工容器10以规定的速度旋转的机构。旋转机构22具备产生旋转力的马达22a、以及将马达22a的旋转力传递到加工容器10的旋转力传递部件22b。

磨粒供给机构30是用于将磨粒G朝向工件W投入的机构。磨粒供给机构30包括贮存箱31、以及搬出部32。贮存箱31是用于贮存磨粒G的箱。在搬出部32设置有排出口32a。搬出部32被配置为排出口32a位于加工盘11的第一面11a的上方。搬出部32可以构成为能够从排出口32a定量地排出贮存箱31(料斗)内的磨粒G。搬出部32例如也可以构成为具备输送螺杆以及内置该输送螺杆的槽，使贮存箱31内的磨粒G朝向设置于该槽的排出口32a前进。另外，搬出部32可以具备以圆盘状的底盘以及以该底盘的中心为轴心进行水平旋转的刮板(未图示)。在该情况下，搬出部32可以构成为通过将贮存箱31的底面与该底盘稍稍远离地配置从而利用安息角使规定量的磨粒G向该底盘堆积，并通过该刮板将磨粒G朝向排出口32a刮出。作为搬出部32也可以使用其他公知的结构。在本实施方式中，搬出部32具备前者的结构。

吸引机构40具备使磨粒G加速的功能以及对磨粒G进行吸引的功能。吸引机构40具备软管43、以及吸尘器42。软管43的一端面(在本实施方式中为吸引部41)设置于加工盘11的第二面11b的下方，并与第二面11b分离。吸尘器42与软管43连结。

分选机构50是从粉尘中分选出能够再利用的磨粒的机构。另外，分选机构50配置于从吸引部41朝向吸尘器42的路径的中途。即，一端面形成有吸引部41的第一软管43a与分选机构50连结，分选机构50通过第二软管43b与吸尘器42连结。分选机构50如将在后面详细叙述那样，是将粉尘分离为能够再利用的磨粒、以及除此之外的微粒(产生破裂或者缺口的磨粒、以及因毛刺的去除而产生的工件的切削粉)的机构。分选机构50可以构成为利用粉尘的比重差以及气流来分级。分选作为机构50例如可以使用旋风式分离器、离心分级机、或者其他公知的结构。在本实施方式中，作为分选机构50使用旋风式分离器，旋风式分离器的底部与贮存箱31连结。

接下来，进一步使用图2以及图3对毛刺去除方法进行说明。

(S01：准备工序)

准备去毛刺装置01以及多个工件W。预先在图1所示的贮存箱31中装入磨粒G。本实施方式所使用的磨粒G的材质可以配合工件W的材质及形状、以及加工目的而适当地进行选择。例如磨粒G可以从金属或者非金属的粒子(钢丸、砂粒、以及钢线粒)、陶瓷系粒子(Al₂O₃、SiC、以及ZrO₂等)、天然石的粒子(金刚砂、硅石、以及金刚石等)、植物系粒子(核桃的壳、桃核、以及杏核等)、以及树脂系粒子(尼龙、三聚氰胺、以及脲等)中选择。

另外，磨粒G的粒径也可以配合工件W的材质及形状、以及加工目的而适当地进行选择。其中，磨粒G的粒径必须选为能够通过加工容器10的开口部(贯通孔)的直径。例如，在以陶瓷系粒子为磨粒G的情况下，磨粒G的粒径以如下方式进行选择：JIS(JapaneseIndusrial Standards：日本工业标准)R6001；1998所规定的粒度为F220或者#240以上#1000以下，并且能够通过加工容器10的开口部(贯通孔)的直径。

(S02：将工件收纳于加工容器的工序)

通过将多个工件W载置于加工盘11的第一面11a，从而将多个工件W收纳(安置)于加工容器10。工件W的收纳量配合工件W的性状以及加工容器10的尺寸来适当地进行选择，以使得能够用加工容器10来保持工件W，且能够使工件W呈良好流动状态地进行搅拌。此外，在图2中，为了方便叙述而记载了一个工件W。

(S03：搅拌工件的工序)

使马达22a动作而使加工容器10旋转。收纳到加工容器10的工件W随着加工容器10的旋转而沿框体12移动。由于加工容器10被倾斜地保持，因此对工件W施加朝向框体12的方向的离心力和沿着加工盘11的重力的分力。若工件W移动(上升)到规定的位置，则重力的分力比离心力大，因此工件W远离框体12，沿着加工盘11朝向下方落下。这样，通过连续进行工件W的移动和落下从而多个工件W处于流动状态，并被搅拌。为了实现该流动状态，加工容器10的倾斜角度α相对于水平面可以设为30～70°，也可以设为40～60°。若加工容器10的倾斜角度α过小则由重力产生的流动化的促进的效果减少。若加工容器10的倾斜角度α过大则因重力的分力相对于离心力过大，由此难以使工件W随着加工容器10的旋转而移动。

另外，若加工容器10的旋转速度过大则离心力变得过强，因此难以利用重力的分力使工件W落下。相反地，若加工容器10的旋转速度过小则离心力变得过小，因此难以利用加工容器10的旋转使工件W移动。无论在哪种情况下都无法使工件W成为良好地流动状态。为了使多个工件W成为流动状态并良好地进行搅拌，加工容器10的旋转速度可以设为临界旋转速度的5～50％，也可以设为10～30％。这里临界旋转速度是指在使加工容器10的旋转速度上升了时，施加到工件W的离心力比重力的分力大，工件W不会落下而与框体12一同进行旋转的时刻的旋转速度。在加工容器10的旋转速度过慢的情况下，由于相对于离心力而言重力的影响过大，因此工件W沿着加工容器10的框体12的移动无法充分地进行，其结果，无法充分地进行基于工件W的落下的流动。在加工容器10的旋转速度过快的情况下，由于重力相对于离心力过小，因此存在推压在加工容器10的框体12而不落下的工件W，无法充分地进行流动。

另外，通过使工件W成为流动状态进行搅拌而工件W彼此碰撞，减弱形成于工件W的毛刺的固着力，从而容易将毛刺从工件W去除。

(S04：产生气流的工序)

若使吸尘器42动作，则在加工盘11附近产生从第一面11a朝向第二面11b的气流。

(S05：进行整流的工序)

通过对气流的流动进行整流，从而能够有意地对磨粒G与工件W碰撞或者接触的状态进行变更(控制)。该工序例如可以通过变更吸引部41的位置以及大小、以及吸尘器42的吸引流量等来进行。另外，如将在后面详细叙述那样，由于在磨粒G与工件W碰撞或者接触时的磨粒G的速度非常低，因此能够借助整流工序(S05)容易地对磨粒G与工件W碰撞或者接触的状态进行变更。此外，整流工序S05也可以省略。

(S06：投入磨粒的工序)

若使磨粒供给机构30动作，则装入贮存箱31的磨粒G从排出口32a定量地排出，朝向工件W投入(本实施方式的情况下为落下)。磨粒G从排出口32a排出时的朝向工件W的方向的磨粒G的速度为0m/sec或者非常小的速度，磨粒G自由下落不施加吸引力等外力而即使与工件W碰撞或者接触也不会去除工件W的毛刺。

(S07：使磨粒加速的工序)

如图2所示，利用在产生气流的工序(S04)中所产生的气流，将从排出口32a排出的磨粒G以自由下落的方式到达加速区域A(在第一面11a侧产生该气流的区域)。到达加速区域A的磨粒G以与工件W碰撞或者接触时的速度成为规定的速度的方式朝向吸引部41被加速。该规定的速度可以是能够良好地去除工件W的毛刺并且不对工件W产生损伤以及不产生磨粒G的穿刺的速度。例如在工件W的维氏硬度(JISZ2244；2009所规定)为3～200Hv(试验力为0.2N)的情况下，该规定的速度可以是5～30m/sec，也可以是10～20m/sec。该规定的速度是为了通过磨粒的接触或者碰撞进行毛刺的去除的非常低的速度，在现有的毛刺去除方法中无法实现。例如，在由喷丸加工装置进行的研削中，喷射压力为高压(例如0.2MPa以上)，因此无法实现像上述的规定的速度那样的非常慢的速度。假设在为了使磨粒的速度为该规定的速度而将喷射压力设为非常低的情况下，由于从喷嘴喷射的喷射材料的喷射量不稳定，因此在工件的完成程度上产生不均。通过本实施方式的毛刺去除方法，能够将磨粒G碰撞或者接触工件W时的磨粒G的速度设为非常低的速度，因此能够以非常低的速度的磨粒G来去除工件W的毛刺。该速度的调整通过由吸尘器42进行的吸引流量的调整、以及吸引部41的尺寸以及形状的变更等来得到。由吸尘器42进行的吸引流量的调整例如可以通过变更内置于吸尘器42的马达的旋转速度、或者在软管43设置用于吸引外部空气的阀并调整阀的开度来得到。

(S08：去除工件的毛刺的工序)

到达加速区域A的磨粒G边被加速边朝向吸引部41前进而到达工件W的被加工面。然后，在磨粒G碰撞或者接触工件W之后，朝向吸引部41进一步前进。如图2所示的动作F表示磨粒G的动作。将磨粒G碰撞或者接触工件W的状态的一个例子以动作F1、F2、F3来进行说明。

动作F1：磨粒G直接碰撞工件W的毛刺后反弹。借助磨粒G碰撞毛刺时的冲击力来去除毛刺。

动作F2：磨粒G碰撞工件W的上表面之后，沿着上表面前进。借助磨粒G碰撞工件W时的冲击力以及磨粒G沿上表面前进时的摩擦力来去除毛刺。

动作F3：磨粒G以沿着工件W的棱角部的方式前进。利用磨粒G碰撞工件W的棱角部时的冲击力或者磨粒G通过棱角部时的摩擦力中的至少一种来去除毛刺。

(S09：回收磨粒的工序)

碰撞或者接触到工件W的磨粒G通过加工盘11并向第二面11b侧移动。移动到第二面11b侧的磨粒G从吸引部41被吸尘器42吸引。此时，上述的微粒也通过加工盘11并从吸引部41被吸引。磨粒G以及微粒之类的粉尘通过第一软管43a被移送到分选机构50。在分选机构50为旋风式分离器的情况下，以从旋风式分离器的上部沿着壁面的方式导入的粉尘呈螺旋状落下。在该过程中，质量轻的粒子亦即上述微粒向上方漂浮，，通过与旋风式分离器的顶部连接的第二软管43b被吸尘器42捕集。另一方面，质量重的粒子亦即能够再利用的磨粒G朝向分选机构50的底部移动，并贮存于与分选机构50的底部连结的贮存箱31。该磨粒G被再次从排出口32a朝向工件W投入。

如上所述，通过从配置于第一面11a侧的磨粒供给机构30的排出口32a投入并利用由吸尘器42所产生的气流加速到规定的速度的磨粒G碰撞或者接触工件W，来去除工件W的毛刺。碰撞或者接触工件W之后的磨粒G被配置于第二面11b侧的吸引部41吸引。由此，不会出现像作为现有的毛刺去除方法的喷丸加工法那样，磨粒G向周围飞散的情况。另外，由于能够将磨粒G碰撞或者接触工件W时的磨粒G的速度设为非常慢，因此即使在去除硬度较低的工件W的毛刺的情况下，也不会产生对工件W的损伤，从而能够良好地去除工件W的毛刺。例如，在以构成电子部件的成型体为工件W的情况下，能够制造可靠性高的电子部件。

这里，加工盘11的厚度可以是30～100μm。若加工盘11的厚度过薄则在去除毛刺的期间存在加工盘11破裂的担忧。若加工盘11的厚度过厚则由于磨粒G通过加工盘11的距离过长而引起堵塞的可能性变高，或因压力损失而磨粒G未在加速区域A被充分地加速。另外，加工盘11的第一面11a与框体12所成的棱角的半径的大小(棱角半径)可以为0.5～5.0mm。换句话说，加工盘11的第一面11a与框体12所成的棱角部可以加工成半径0.5～5.0mm的圆弧面。若棱角半径过小则工件W被夹在棱角部分的可能性变高，若棱角半径过大则难以将工件W留在加工容器10内。

另外，在本实施方式中“吸引比例”和“通过比例”这两个值被确定。这里“吸引比例”是指每单位时间从磨粒供给机构30投入的磨粒的体积(体积/秒)相对于每单位时间由吸引机构40吸引的吸引流量(体积/秒)的比例。“通过比例”是指每单位时间到达第二面11b侧的磨粒G的量(克/秒)相对于每单位时间从第一面11a侧朝向流动状态的多个工件W投入的磨粒G的量(克/秒)的比例。这里，从第一面11a侧朝向流动状态的多个工件W投入的磨粒G的量(克)是指从排出口32a排出的磨粒G的重量。另外，到达第二面11b侧的磨粒G的量(克)是指通过加工盘11由吸引机构40吸引的磨粒G的重量。

吸引比例可以在10～50体积％的范围内。若吸引比例过低，则从排出口32a排出的磨粒G的量相对于被吸引机构40吸引的吸引流量较少，从而无法充分地进行多个工件W的毛刺的去除。另外，若吸引比例过高，则从排出口32a排出的磨粒G的量相对于被吸引机构40吸引的吸引流量较多，从而无法在加速区域A内将磨粒G充分加速到能够去除工件W的毛刺的速度。另外，导致磨粒G以及微粒向周围飞散。

在加工容器10内的多个工件W之间通过的距离越长，磨粒G滞留在多个工件W之间的时间越长，通过比例越低。通过比例可以在80～95重量％的范围内。若通过比例过高，则由于磨粒G通过多个工件W之间的距离过短，从而磨粒G与工件W抵接的频率变低，从而无法良好地进行工件W的毛刺的去除。另外，若通过比例过低，则由于磨粒G通过多个工件W之间的距离过长，因此在多个工件W之间，磨粒G未被气流加速而滞留的时间变长，从而妨碍工件W的毛刺的去除。

接下来，对利用上述去毛刺装置去除工件W的毛刺的结果进行说明。这里选择下述两种作为工件W，加工目的在于棱角部的毛刺的去除。

工件A：工件A是通过压缩成型将复合材料(SiC/Al₂O₃)成型得到的陶瓷的烧成前的成型品。工件A的尺寸是0.5mm×0.5mm×1.0mm，工件A的维氏硬度是Hv100。

工件B：工件B是通过压缩成型将具有尖晶石型晶体构造的铁氧体粉末成型得到的陶瓷的烧成前的成型品。工件B的尺寸是0.5mm×0.5mm×1.0mm，工件B的维氏硬度是Hv20。

作为装置，使用了上述实施方式的去毛刺装置。另外，作为比较例，使用了作为现有技术的喷丸加工装置(对新东工业株式会社制MY-30C型的滚筒型喷丸加工装置进行改造)。

在本实施例中利用磨粒A以及磨粒B分别进行了工件W的毛刺的去除。磨粒A是平均粒径为18μm的铝质的粒子(新东工业公司制造的WA#800)，磨粒A的表观密度为4.0g/cm³。磨粒B是平均粒径为14μm的铁氧体质的粒子，磨粒B的表观密度为2.5g/cm³。

使去毛刺装置或者喷丸加工装置动作30分钟而进行了工件W的毛刺的去除之后，对工件W的加工状态进行了评价。加工状态的评价借助显微镜(株式会社KEYENCE制VHX-2000)分别对成为观察对象的工件进行观察来进行。成为观察对象的工件是将加工容器的容积的1/5数量的工件收纳于加工容器并去除了工件的毛刺之后(装置的动作结束后)从全部量的工件中取样出的20个工件。加工状态的评价基准如下。

○···在全部的工件中，毛刺被去除，并且没有工件的损伤(破裂以及缺口、以及磨粒的穿刺)。

△···虽然存在稍稍残留毛刺的工件，但在全部的工件中没有损伤。

×···多数的毛刺未被去除。或者存在受到损伤的工件。

另外，在进行了由上述实施方式的去毛刺装置进行的工件W的毛刺的去除之后对加工容器10的周边进行了观察。在进行了由喷丸加工装置进行的工件W的毛刺的去除之后对滚筒的周边进行了观察。然后，在加工容器10的周边或者滚筒的周边未确认到磨粒的附着的情况下将磨粒的飞散的评价设为“○”，在加工容器10的周边或者滚筒的周边确认到磨粒的附着的情况下将磨粒的飞散的评价设为“×”。同样地，在加工容器10的周边或者滚筒的周边未确认到工件的情况下将工件的飞散的评价设为“○”，在加工容器10的周边或者滚筒的周边确认到工件的情况将工件的飞散的评价设为“×”。

各条件下的上述评价的结果如表1所示。关于表1的装置的项目，“倾斜角度”如图1所示那样在上述实施方式的去毛刺装置中表示加工容器10相对于水平面的倾斜角度α(°)，在喷丸加工装置中表示滚筒相对于水平面的倾斜角度。另外，“旋转速度”表示旋转速度相对于临界旋转速度的比例(％)。另外，在磨粒的“速度”中记载有通过流速计测系统(株式会社FLOWTECH RESEARCH制PIV系统)预先测定在各条件下的与工件W接触紧前的磨粒的粒体速度的结果。并且，“厚度”表示加工盘11的厚度(μm)，“棱角半径”表示由加工盘11的第一面11a和框体12形成的棱角的半径的大小(mm)。

通过使从第一面11a侧朝向流动状态的多个工件W投入的磨粒的量(克/秒)变化，来使吸引比例变化。

通过对每单位时间从第一面11a侧朝向流动状态的多个工件W投入的磨粒的量、以及每单位时间到达第二面11b侧的磨粒的量进行预先测定，来计算通过比例。具体而言，通过预先测定将没有毛刺的工件A的烧成品作为工件使去毛刺装置动作1分钟时的下述(1)、(2)，来计算通过比例。

(1)从磨粒供给机构30的排出口32a排出的磨粒的量(每单位时间从第一面11a侧朝向流动状态的多个工件W投入的磨粒的量)

(2)通过多个工件W以及加工盘11并被吸引机构40吸引的磨粒的量(每单位时间到达第二面11b侧的磨粒的量)

这里，将没有毛刺的工件A的烧成品作为工件W是为了难以产生工件W的毛刺等切削粉。

[表1]

首先，在上述实施方式的去毛刺装置中，以将加工容器10的倾斜角度设为45°，将旋转速度设为30％，将加工盘11的厚度设为40μm，将加工盘11的棱角半径设为1.0mm，将磨粒的速度设为15m/sec，将吸引比例设为30％的条件为基准条件。在上述实施方式的去毛刺装置中，使基准条件中的吸引比例在5～60体积％之间变化，使用磨粒A进行了工件A的毛刺的去除(实施例1～5)。另外，在上述实施方式的去毛刺装置中，使基准条件中的吸引比例在5～60体积％之间变化，并使用磨粒B进行了工件B的毛刺的去除(实施例17～21)。在吸引比例为10～50体积％之间，加工状态的评价与工件的种类无关全部设为“○”或者“△”(实施例1～3以及实施例17～19)。另一方面，若吸引比例不在10～50体积％的范围，将加工状态的评价设为“×”(实施例4、5以及实施例20、21)。

接下来，从上述基准条件，使“倾斜速度”、“旋转速度”、“速度”、“厚度”、以及“棱角半径”中的任一个依次变化而进行了工件A以及工件B的毛刺的去除(实施例6～15以及实施例22～31)。此外，在工件A的毛刺的去除中使用了磨粒A，在工件B的毛刺的去除中使用了磨粒B。其结果，加工状态的评价全部变为“○”或者“△”。在加工状态的评价为“△”的实施例中，表示在工件稍稍残留毛刺的状态，且工件未受到损伤，由此通过将处理时间进一步延长而加工状态的评价可变为“○”。

对于上述的实施例1～15以及实施例17～31中的加工状态的评价为“○”或者“△”的实施例(实施例1～3、实施例6～19、实施例22～31)，通过比例是80～95重量％。因此，能够以该范围中的通过比例良好地进行毛刺的去除。

在上述实施方式的去毛刺装置中，使用材质与工件A的材料亦即铝质不同的材料亦即铁氧体质的磨粒B在上述基准条件下进行了工件A的毛刺的去除，由于铝比铁氧体更硬，因此磨粒能够不刺入工件而良好地进行毛刺的去除(实施例16)。另一方面，使用材质与工件B的材料亦即铁氧体质不同的材料亦即铝质的磨粒A在上述基准条件下进行了工件B的毛刺的去除，确认有磨粒的穿刺(实施例32)。可以认为这是由于铁氧体比铝柔软。因此，可以知晓在去除铁氧体质的工件的毛刺时，使用作为同质材料的铁氧体质的磨粒或使用以比铁氧体柔软的材质制作而成的磨粒能够良好地去除毛刺。

另外，在实施例1～32中，在毛刺的去除处理后观察加工容器10的周围，结果，未确认到在加工容器10的周围磨粒的附着以及工件W的落下。由此，判断出上述实施方式的去毛刺装置不会使磨粒向周围飞散，并且工件不会被吹飞，就能够从工件W去除毛刺。

另一方面，在通过喷丸加工装置进行了工件W的毛刺的去除处理的情况下，虽然去除了工件W的毛刺，但是产生工件W的损伤，因此加工状态的评价变为“×”(比较例1以及比较例2)。另外，若在毛刺的去除处理后对滚筒的周边、即加工室内进行观察，则确认到在喷丸加工室的壁面有磨粒的附着，磨粒的飞散的评价变为“×”。并且，若确认与喷丸加工装置连结的分级机构，则确认有工件W的混入。这表示基于工件W的性状，在毛刺的去除处理中工件从滚筒被吹飞。

根据上述的实施方式，能够提供一种新的毛刺去除方法。在该毛刺去除方法中，通过气流将磨粒加速到规定的速度并将适于毛刺的去除的动能赋予至磨粒，通过使具有该动能的磨粒与工件碰撞或者接触来从工件去除毛刺。而且，该磨粒以及微粒的全部量被吸引部件回收。由此，得到以下的效果。

(1)磨粒不向周围飞散。

(2)工件在毛刺的去除处理中不向加工容器外飞出。

(3)磨粒的速度为10～30m/sec左右，能够以非常低的速度的磨粒来进行工件的毛刺的去除处理，因此能够尤其良好地进行通过烧成而形成烧结体之前的状态的工件的毛刺的去除。

另外，一实施方式的毛刺去除方法对于硬度较低的工件(例如铜或者铝等)也能够良好地应用。

附图标记说明：

01…去毛刺装置；10…加工容器；11…加工盘；11a…第一面；11b…第二面；12…框体；20…搅拌机构；21…保持部件；22…旋转机构；22a…马达；22b…旋转力传递部件；30…磨粒供给机构；31…贮存箱；32…搬出部；32a…排出口；40…吸引机构；41…吸引部；42…吸尘器；43…软管；43a…第一软管；43b…第二软管；50…分选机构；A…加速区域；F(F1、F2、F3)…磨粒的动作；G…磨粒；W…工件。

Claims (18)

1.一种毛刺去除方法，去除被处理品的毛刺，

其中，包括：

准备包括加工容器和产生吸引力的吸引机构的去毛刺装置、以及多个被处理品的工序；

将所述多个被处理品安置在所述加工容器的工序；

对安置到所述加工容器的所述多个被处理品进行搅拌的工序；以及

利用由所述吸引机构的动作而产生的气流，使朝向处于正在被搅拌的状态的所述多个被处理品投入的磨粒加速至规定的速度，并且使所述磨粒与所述多个被处理品接触或者碰撞从而去除所述多个被处理品的毛刺。

2.根据权利要求1所述的毛刺去除方法，其中，

所述多个被处理品分别通过将原料粉末成型或者在将原料粉末成型之后进行煅烧来获得。

3.根据权利要求2所述的毛刺去除方法，其中，

所述多个被处理品分别是通过压粉成型法而成型的陶瓷或者磁性材料。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

在对所述多个被处理品进行搅拌的工序中，通过使安置到所述加工容器的所述多个被处理品处于流动状态来搅拌所述多个被处理品。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

所述加工容器具备：

加工盘，其具有第一面以及所述第一面的相反侧的面亦即第二面；以及

框体，其在所述加工盘的所述第一面包围所述加工盘的周缘，

在所述加工盘设置有沿从所述第一面朝向所述第二面的方向贯通所述加工盘的多个贯通孔，

所述多个贯通孔分别具有能够供所述磨粒通过且无法供所述多个被处理品的各个通过的大小，

在将所述多个被处理品安置在所述加工容器的工序中，在所述第一面载置所述多个被处理品。

6.根据权利要求5所述的毛刺去除方法，其中，

所述加工盘的厚度为30～100μm，

所述加工盘的所述第一面与所述框体所成的棱角部被加工为半径为0.5～5.0mm的圆弧面。

7.根据权利要求5或6所述的毛刺去除方法，其中，

所述吸引机构配置于所述第二面侧，

所述气流是从所述第一面朝向所述第二面的气流。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

还包括回收所述磨粒的工序，

在去除所述多个被处理品的毛刺的工序中，所述磨粒从所述第一面侧朝向所述多个被处理品投入，

在回收所述磨粒的工序中，通过所述吸引机构对到达所述第二面的所述磨粒进行吸引并回收。

9.根据权利要求5～8中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

每单位时间到达所述第二面的所述磨粒的量相对于每单位时间从所述第一面侧朝向搅拌中的所述多个被处理品投入的所述磨粒的量的比例为80～95重量％。

10.根据权利要求5～9中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

每单位时间从所述第一面侧朝向所述多个被处理品投入的所述磨粒的体积相对于每单位时间由所述吸引机构吸引的吸引流量的比例为10～50体积％。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

在对所述多个被处理品进行搅拌的工序中，通过搅拌所述多个被处理品，从而减弱所述毛刺的固着力。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

所述磨粒与所述多个被处理品接触或者碰撞时的所述磨粒的速度为5～30m/sec。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

还包括对所述气流进行整流的工序，

在进行所述整流的工序中，通过对所述气流进行整流来对所述磨粒与所述多个被处理品接触或者碰撞的状态进行控制。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

在搅拌所述多个被处理品的工序中，通过将所述加工容器以规定的角度倾斜地配置并使所述加工容器旋转，来对所述多个被处理品进行搅拌。

15.根据权利要求14所述的毛刺去除方法，其中，

所述规定的角度为30～70°。

16.根据权利要求14或15所述的毛刺去除方法，其中，

所述加工容器的旋转速度是临界旋转速度的5～50％。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的毛刺去除方法，其中，

所述多个被处理品各自的一边为100～1600μm。

18.一种去毛刺装置，用于去除被处理品的毛刺的去毛刺装置，

其中，具备：

加工容器，其用于安置多个被处理品；

搅拌机构，其对安置到所述加工容器的所述多个被处理品进行搅拌；

磨粒供给机构，其朝向处于由所述搅拌机构进行搅拌的状态的所述多个被处理品投入磨粒；以及

吸引机构，其借助吸引力而沿从所述磨粒供给机构朝向所述加工容器的方向产生气流，

所述吸引机构借助所述气流使通过所述磨粒供给机构朝向所述多个被处理品投入的所述磨粒加速至规定的速度，并使加速后的所述磨粒与所述多个被处理品接触或者碰撞从而去除所述多个被处理品的毛刺。