CN106601624A - 一种化合物半导体的金属连线方法及结构 - Google Patents
一种化合物半导体的金属连线方法及结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106601624A CN106601624A CN201611095433.5A CN201611095433A CN106601624A CN 106601624 A CN106601624 A CN 106601624A CN 201611095433 A CN201611095433 A CN 201611095433A CN 106601624 A CN106601624 A CN 106601624A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- connecting line
- slotted eye
- dielectric layer
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种化合物半导体的金属连线方法，是在化合物半导体组件上通过光刻于介质层形成槽孔之后，采用可等向蚀刻气体蚀刻光阻层，将蚀刻窗口的关键尺寸扩大5％～50％，再依次沉积金属于蚀刻窗口之内形成扩散阻挡层和金属连线层。本发明还公开了由上述方法制得的金属连线结构。由于扩散阻挡层不仅覆设于槽孔之内，还由槽孔侧壁延伸至覆盖外围的介质层，可完全将连线层金属阻挡在阻挡层金属之外，增进了器件的可靠度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种化合物半导体的金属连线方法及结构。
背景技术
在半导体集成电路的制作过程中，往往需要进行金属连线以实现特定的结构以及功能。现有的金属连线制程，是开孔将器件中预定进行金属连线区域的半导体基底表面暴露出来，通过蒸镀等方式在开孔之内半导体基底的表面沉积导电性良好的贵金属，例如金。对于三五族化合物半导体来说，金容易扩散到半导体基底之内而导致金容易扩散到半导体基底之内而导致器件可靠度异常，HTOL时间不能达到设计需求。现有技术中，先在开孔之内沉积扩散阻挡层，然后再沉积贵金属层，通过半导体基底和贵金属层之间的扩散阻挡层来阻止贵金属进入三五族半导体基底。
然而，由于蒸镀等沉积设备机台原理的局限性，扩散阻挡层的边缘和开孔内壁之间的衔接性不佳，贵金属仍然容易通过扩散阻挡层的边缘向下扩散至半导体基底之内而影响集成电路的整体性能，上述问题还是无法得到解决，器件的可靠度难以保证。
发明内容
本发明提供了一种化合物半导体的金属连线方法及结构，其克服了现有技术所存在的不足之处。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种化合物半导体的金属连线方法包括以下步骤：
1)提供半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底以及介质层，所述介质层设于所述半导体基底之上；
2)于所述介质层上形成光阻层，根据预设图形，对所述光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口；
3)蚀刻对应所述蚀刻窗口内的介质层形成槽孔，以使所述槽孔之内的半导体基底裸露；
4)通过等向蚀刻气体蚀刻所述光阻层，将所述蚀刻窗口的关键尺寸扩大5％～50％；
5)于所述蚀刻窗口之内形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述槽孔并延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面；
6)于所述蚀刻窗口之内的所述扩散阻挡层之上形成金属连线层；
7)剥离所述光阻层。
优选的，步骤5)中，所述扩散阻挡层是通过电镀或者蒸镀沉积钛和/或铂于所述蚀刻窗口之内形成，所述金属连线层是通过电镀或者蒸镀沉积金于所述扩散阻挡层之上形成。
优选的，所述扩散阻挡层是铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm。
优选的，所述介质层是氮化硅，厚度为0.5～2μm。
优选的，所述半导体基底是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓。
优选的，所述槽孔的尺寸为0.5～1.5μm，所述扩散阻挡层延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面0.1～0.2μm。
优选的，步骤4)中，所述等向蚀刻气体是六氟化硫或氧气。
一种化合物半导体的金属连线结构，包括半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底以及介质层，所述介质层设于所述半导体基底之上，还包括扩散阻挡层以及金属连线层；所述介质层设有槽孔，所述扩散阻挡层覆设于所述槽孔之内并延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面，所述金属连线层设于所述扩散阻挡层之上。
优选的，所述扩散阻挡层是钛和/或铂，所述金属连线层是金。
优选的，所述扩散阻挡层是铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm。
优选的，所述介质层是氮化硅，厚度为0.5～2μm。
优选的，所述半导体基底是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓。
优选的，所述槽孔的尺寸为0.5～1.5μm，所述扩散阻挡层延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面0.1～0.2μm。
相较于现有技术，本发明在介质层上光刻形成槽孔之后，通过等向蚀刻气体对光阻进行进一步蚀刻而扩大光阻的蚀刻窗口，而后依次沉积扩散阻挡层和金属连线层，扩散阻挡层覆盖槽孔并延伸至槽孔之外的介质层之上，将金属连线层与半导体基底完全隔绝，避免了金属连线层的金属由槽孔内扩散阻挡层的边缘渗入，效果好，增加了器件的可靠度。此外，本发明的方法可直接在现有通用设备上实施，无需对金属沉积机台进行额外的改进，也适用于现有的集成电路制造工艺，适用性高，成本低，适合于实际推广应用。
附图说明
图1～图5依次是本发明的方法流程中各步骤所形成的结构示意图；
图6是图5的局部放大示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。此外，图中所示的元件及结构的个数、层的厚度及层间的厚度对比，均仅为示例，并不以此进行限制，实际可依照设计需求进行调整。
参考图1～图5的工艺流程图，以下实施例具体说明一种化合物半导体的金属连线方法。
参考图1，提供半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底1以及介质层2，所述介质层2设于所述半导体基底1之上。本实施例中，半导体组件是集成电路制作中已部分完成器件制程的晶片，图中所述半导体基底1之上已形成有用于实现特定功能的元器件3，元器件3可以是例如晶体管结构等。进一步，介质层2包括第一介质层21和第二介质层22，第一介质层21覆盖半导体基底1表面，元器件3设置于第一介质层21表面上，第二介质层22覆盖元器件3表面和第一介质层21裸露的表面。半导体基底1可以是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓等三五族化合物半导体。介质层2可以是氮化硅等，整体厚度范围为0.5～2μm。
参考图2，于所述介质层2上涂布光阻形成光阻层4，根据预设图形，对所述光阻层4进行曝光、显影形成蚀刻窗口4a，蚀刻窗口4a的关键尺寸(CD:critical dimension)在0.5～1.5μm。所用光阻可以是正光阻或负光阻，此外，此处亦可以采用图像反转制成。然后用六氟化硫或者四氟化碳气体进行干法蚀刻，将所述蚀刻窗口4a内的介质层蚀刻掉并形成槽孔2a，以使所述槽孔2a之内的半导体基底1裸露。
参考图3，用可以等向蚀刻的气体，例如六氟化硫或氧气蚀刻所述光阻层4，将所述蚀刻窗口4a的关键尺寸扩大0.1～0.5μm形成蚀刻窗口4b。
参考图4，采用金属蒸镀或者电镀等方法在扩大后的蚀刻窗口4b之内沉积金属形成扩散阻挡层5，所述扩散阻挡层5的金属可以是钛和/或铂，优选为铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm。由于蚀刻窗口4b大于槽孔2a，扩散阻挡层5形成于槽孔2a之内的半导体基底1表面，覆盖槽孔2a的侧壁并向四周延伸至覆盖所述槽孔2a外周的所述介质层2表面0.1～0.2μm。随之，采用金属蒸镀或者电镀等方法沉积金属形成金属连线层6于扩散阻挡层5之上，所述金属连线层6的金属可以是金等导电性良好而易扩散的金属。
参考图5，采用N-甲基吡咯烷酮等化学药液将光阻层4剥离，留下所需金属图形，形成了本实施例的化合物半导体的金属连线结构。
参考图6，由上述方法制得的一种化合物半导体的金属连线结构，包括半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底1、介质层2、扩散阻挡层5以及金属连线层6。所述介质层2设于所述半导体基底1之上，所述半导体基底1是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓，所述介质层2是氮化硅且厚度为0.5～2μm。所述介质层2设有槽孔2a，槽孔2a的尺寸为0.5～1.5μm。所述扩散阻挡层5覆设于所述槽孔2a之内以与所述半导体基底1相接，并延伸至覆盖所述槽孔2a外周的所述介质层2表面0.1～0.2μm范围，所述金属连线层6设于所述扩散阻挡层5之上。所述扩散阻挡层5是钛和/或铂，优选为铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm；所述金属连线层6是金。由于扩散阻挡层5不仅覆设于槽孔2a之内，还由槽孔侧壁延伸至外围的介质层，其宽度大于槽孔2a的宽度，可完全将连线层金属阻挡在阻挡层金属之外，增进了器件的可靠度。
上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种化合物半导体的金属连线方法及结构，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。
Claims (13)
1.一种化合物半导体的金属连线方法，其特征在于包括以下步骤：
1)提供半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底以及介质层，所述介质层设于所述半导体基底之上；
2)于所述介质层上形成光阻层，根据预设图形，对所述光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口；
3)蚀刻对应所述蚀刻窗口内的介质层形成槽孔，以使所述槽孔之内的半导体基底裸露；
4)通过等向蚀刻气体蚀刻所述光阻层，将所述蚀刻窗口的关键尺寸扩大5％～50％；
5)于所述蚀刻窗口之内形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述槽孔并延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面；
6)于所述蚀刻窗口之内的所述扩散阻挡层之上形成金属连线层；
7)剥离所述光阻层。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：步骤5)中，所述扩散阻挡层是通过电镀或者蒸镀沉积钛和/或铂于所述蚀刻窗口之内形成，所述金属连线层是通过电镀或者蒸镀沉积金于所述扩散阻挡层之上形成。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：所述扩散阻挡层是铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm。
4.根据权利要求1或3所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：所述介质层是氮化硅，厚度为0.5～2μm。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：所述半导体基底是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：所述槽孔的尺寸为0.5～1.5μm，所述扩散阻挡层延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面0.1～0.2μm。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体的金属连线方法，其特征在于：步骤4)中，所述等向蚀刻气体是六氟化硫或氧气。
8.一种化合物半导体的金属连线结构，包括半导体组件，所述半导体组件包括三五族化合物半导体基底以及介质层，所述介质层设于所述半导体基底之上，其特征在于：还包括扩散阻挡层以及金属连线层；所述介质层设有槽孔，所述扩散阻挡层覆设于所述槽孔之内并延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面，所述金属连线层设于所述扩散阻挡层之上。
9.根据权利要求8所述的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：所述扩散阻挡层是钛和/或铂，所述金属连线层是金。
10.根据权利要求9所述的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：所述扩散阻挡层是铂/钛/铂的叠层结构，厚度为10～80nm。
11.根据权利要求8或10所述的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：所述介质层是氮化硅，厚度为0.5～2μm。
12.根据权利要求8所述的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：所述半导体基底是砷化镓、氮化镓、磷化铟或磷化铟镓。
13.根据权利要求8所述的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：所述槽孔的尺寸为0.5～1.5μm，所述扩散阻挡层延伸至覆盖所述槽孔外周的所述介质层表面0.1～0.2μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611095433.5A CN106601624B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种化合物半导体的金属连线方法及结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611095433.5A CN106601624B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种化合物半导体的金属连线方法及结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106601624A true CN106601624A (zh) | 2017-04-26 |
| CN106601624B CN106601624B (zh) | 2019-04-09 |
Family
ID=58596922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611095433.5A Active CN106601624B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种化合物半导体的金属连线方法及结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106601624B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110429028A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件 |
| CN111712927A (zh) * | 2018-02-20 | 2020-09-25 | 索尼半导体解决方案公司 | 导电结构、形成导电结构的方法以及半导体设备 |
| WO2021208997A1 (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 电极的制造方法、电极及半导体器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681549A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 通孔结构及方法 |
| CN103943599A (zh) * | 2013-01-17 | 2014-07-23 | 中国科学院微电子研究所 | 互连结构及其制造方法 |
-
2016
- 2016-12-02 CN CN201611095433.5A patent/CN106601624B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681549A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 通孔结构及方法 |
| US20150357263A1 (en) * | 2012-09-14 | 2015-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through Via Structure |
| CN103943599A (zh) * | 2013-01-17 | 2014-07-23 | 中国科学院微电子研究所 | 互连结构及其制造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111712927A (zh) * | 2018-02-20 | 2020-09-25 | 索尼半导体解决方案公司 | 导电结构、形成导电结构的方法以及半导体设备 |
| CN110429028A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件 |
| CN110429028B (zh) * | 2019-08-01 | 2021-11-19 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件 |
| WO2021208997A1 (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 电极的制造方法、电极及半导体器件 |
| CN113539806A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 电极的制造方法、电极及半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106601624B (zh) | 2019-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10714341B2 (en) | Reactive ion etching assisted lift-off processes for fabricating thick metallization patterns with tight pitch | |
| JPH04290232A (ja) | 溝埋込み配線形成方法 | |
| TWI413188B (zh) | 導線結構及其形成方法 | |
| CN106601624B (zh) | 一种化合物半导体的金属连线方法及结构 | |
| KR100595856B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR100289655B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| CN106298635B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| CN112825315B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| KR100598308B1 (ko) | 반도체 소자의 다마신 패턴 형성방법 | |
| KR0168120B1 (ko) | 반도체 소자의 텅스텐-플러그 형성방법 | |
| CN104576514B (zh) | 半导体器件的制备方法 | |
| JP2006030230A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100224778B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100231482B1 (ko) | 반도체장치의 접촉홀 형성방법 | |
| KR20030002942A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| CN105845619A (zh) | 一种层间介质层的形成方法及半导体器件的形成方法 | |
| KR0137980B1 (ko) | 텅스텐 플러그 제조방법 | |
| KR0140729B1 (ko) | 미세콘택 형성방법 | |
| KR0166488B1 (ko) | 반도체 소자의 미세콘택 형성방법 | |
| CN115020324A (zh) | 双重图形工艺方法 | |
| JPH0391243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02206115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08274098A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20090127228A (ko) | 반도체 구조체 및 비아 형성 방법 | |
| JPH0230123A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |