CN106462500A - 用于执行损耗均衡操作的设备及方法 - Google Patents

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CN106462500A CN201580028254.7A CN201580028254A CN106462500A CN 106462500 A CN106462500 A CN 106462500A CN 201580028254 A CN201580028254 A CN 201580028254A CN 106462500 A CN106462500 A CN 106462500A
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贾科莫·贝尔纳迪
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Abstract

本发明描述了用于执行损耗均衡操作的命令的设备及方法。实例设备可包含存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器可进一步经配置以响应于全局写入计数超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器。所述全局写入计数可指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数。

Description

用于执行损耗均衡操作的设备及方法
背景技术
存储器可包含在多种设备(例如计算机或其它装置)中，所述其它装置包含(但不限于)便携式存储器装置、固态硬盘、个人数字助手、音乐播放器、相机、电话、无线装置、显示器、芯片组、机顶盒、游戏系统、车辆及电器。存储器可为易失性的，其中需要电力来存储日期，且可为非易失性的，其中即使未提供电力到存储器也能存储数据，或易失性与非易失性存储器的组合。存在许多不同类型的易失性及非易失性存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变式存储器等。
例如电阻可变式存储器装置的存储器可用作各种电子装置的非易失性存储器。电阻可变式存储器装置可包含(例如)相变存储器(PCM)或电阻式存储器等。在一些实例中，可期望使用PCM来实施随机存取存储器。由于使用PCM作为RAM替代品的限制，存储器系统中的PCM的操作可受到限制及/或需要额外机构来操作。例如，与RAM相比，PCM的块可限于相对较低次数的写入操作，且可需要额外的内务处理机构(例如，损耗均衡操作、刷新操作)来确保可行的RAM替代品。
发明内容
本文中揭示用于执行损耗均衡的设备及方法。一种实例设备可包含存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器可进一步经配置以响应于全局写入计数或局部写入计数中的至少一者超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述全局写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。
另一实例设备可包含阵列及耦合到所述阵列的存储器控制单元。所述存储器控制单元可经配置以接收损耗均衡命令并响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器控制单元可进一步经配置以执行所述损耗均衡操作，使得将与所述阵列的最大循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的备用块且将与所述阵列的最小循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的所述最大循环块。
且设备的又另一实例可包含存储器，其经配置以响应于自从执行损耗均衡操作以来执行第一次数的写入操作或自从执行所述损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行第二次数的写入操作中的至少一者而推荐提供所述损耗均衡命令到所述存储器。
用于执行损耗均衡的实例方法可包含确定全局写入计数或局部写入计数中的至少一者是否超过阈值。其中所述全局写入计数可指示自从存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数可指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。所述方法可进一步包含接收损耗均衡命令。所述方法可进一步包含如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者不超过所述阈值，那么忽略所述损耗均衡命令，及如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者超过所述阈值，那么根据所述损耗均衡命令执行损耗均衡操作。
本文中还可解释另一实例方法。所述方法可包含接收损耗均衡命令及响应于所述损耗均衡命令而选择性地执行损耗均衡操作。其中所述损耗均衡操作可包含识别阵列的最大循环块、最小循环块及备用块；将所述最小循环块的逻辑地址指派到所述最大循环块的物理地址；将所述备用块的逻辑地址指派到所述最小循环块的物理地址；及将所述最大循环块的逻辑地址指派到所述备用块的物理地址。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的设备的框图。
图2是说明根据本发明的实施例的旗标状态寄存器的实例位指派的表格。
图3是根据本发明的实施例的存储器的框图。
图4是根据本发明的实施例的用于执行损耗均衡操作的方法的流程图。
图5A是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的初始块地址映射布置的示意图。
图5B是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。
图5C是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。
图5D是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。
图5E是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。
图5F是根据本发明的实施例的损耗均衡操作期间的最终块地址映射布置的示意图。
具体实施方式
本文中描述了用于执行损耗均衡操作的命令的设备及方法。下文中陈述特定细节以提供对本发明的实施例的足够了解。然而，所属领域的技术人员应清楚，本发明的实施例可在不具有这些特定细节的情况下实践。此外，本文描述的本发明的特定实施例是以实例的形式提供且不应被用于将本发明的范围限制于这些特定实施例。在其它实例中，未详细展示众所周知的电路、控制信号、时序协议及软件操作以便避免不必要地模糊本发明。
图1是根据本发明的实施例的设备100的框图。所述设备可包括电路、一或多个半导体裸片、封装半导体、包含此电路、裸片或封装的装置及/或包含此装置的系统。设备100可包含主机110(例如，存储器控制器)及存储器120。主机110及存储器120可由命令及地址(CA)总线130及数据总线135耦合。存储器120可经配置以通过CA总线130从主机110接收命令及/或地址，且存储器可经配置以通过总线135接收信息及/或提供信息。通过总线135接收及提供的信息可包含例如由存储器120存储及/或从存储器提供的数据。虽然主机110及存储器120被描述为通过CA总线130及数据总线135提供信号，但是在一些实例中，可使用单个总线来提供信号。例如，在至少一个实施例中，主机110可经配置以通过单个共享总线将命令、地址及数据提供到存储器120且从存储器120接收数据。
存储器120可经配置以响应于由主机110提供的经接收存储器命令及/或地址而执行操作(例如，读取操作、写入操作或损耗均衡操作)。例如，存储器120可响应于读取命令通过数据总线135将数据提供到主机110，且可响应于写入命令而存储通过数据总线135接收的数据。作为另一实例，存储器120可响应于下文进一步描述的损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。
存储器120可进一步通过数据总线135将信息提供到主机110。由存储器120提供到主机110的信息可(例如)包含在响应于一或多个命令而提供到主机110的确认中。可(例如)在可变延时周期之后提供确认。参考图2，表格200说明由存储器120提供到主机110的确认的实例位指派。通常，确认可包含与等待状态相关联的信息，例如，可变延时是否结束，及/或可包含与一或多个当前指令相关联的信息。例如，确认可指示已经接受命令(例如读取命令或写入命令)且存储器120将执行命令(例如，“001”)。确认可进一步指示先前操作期间发生错误，例如锁定错误(例如，“101”)。此外或替代地，确认可指示存储器120推荐主机110提供损耗均衡命令(例如，“011”)。
在一些实例中，存储器120可经配置以跟踪由存储器120执行的写入操作。特定地，存储器120可跟踪“全局写入计数”或自从存储器120上一次执行损耗均衡操作以来由存储器120执行的写入操作的次数。一旦全局写入计数超过阈值，存储器120可推荐主机110提供损耗均衡命令。在一些实例中，存储器120可基于全局写入计数选择性地忽略损耗均衡命令。如果全局写入计数不超过阈值，那么存储器120可(例如)忽略损耗均衡命令。
此外或替代地，在一些实例中，存储器120可经配置以跟踪对与存储器120相关联的阵列的每一块执行的写入操作的次数。特定地，存储器120可跟踪每一块的“局部写入计数”或自从存储器120上一次执行损耗均衡操作以来由存储器120对每一块执行的写入操作的次数。一旦局部写入操作超过阈值，存储器120可推荐主机110提供损耗均衡命令，且在一些实例中，存储器120可基于局部写入计数选择性地忽略损耗命令。以此方式，存储器120可响应于自从上一次执行损耗均衡操作以来在特定块(例如，最大循环块)处执行操作达特定次数而推荐主机110提供损耗均衡命令。
图3是根据本发明的实施例的存储器300的框图。存储器300可用于至少部分实施图1的存储器120。存储器300可包含存储器控制单元310、缓冲器320、阵列330及旗标状态寄存器350。存储器300可包含先前已经关于图1的设备100描述的元件。图3中已经使用图1中使用的相同元件符号识别所述元件，且共同元件的操作是如先前所述的。因此，出于简洁性将不会重复此类元件的操作的详述。
存储器控制单元310可经配置以控制存储器300的一或多个组件的操作。例如，存储器控制单元310可耦合到缓冲器320及阵列330，且可经配置以控制缓冲器320及阵列330的操作。存储器控制单元310可经配置以从CA总线130接收命令及地址，且缓冲器320可经配置以从所述数据总线135接收信息及将信息提供到数据总线135。存储器控制单元310可经配置以导致响应于经接收命令及地址通过数据总线340在缓冲器320与阵列330之间提供数据(例如，写入数据或读取数据)。例如，响应于写入命令，存储器控制单元310可导致将写入数据从缓冲器320提供到阵列330。类似地，响应于读取命令，存储器控制单元310可导致将读取数据从阵列330提供到缓冲器320。
存储器控制单元310可进一步经配置以执行损耗均衡操作。通常，存储器控制单元310可经配置以根据静态损耗均衡、动态损耗均衡或其组合执行损耗均衡操作。因此，执行损耗均衡操作可包含将数据重新分配在存储器阵列330的各个块之间及/或重新指派对应于所述块的一或多个地址(例如，块地址)。在一些实例中，执行损耗均衡操作可包含将地址存储在一或多个地址寄存器312中。地址寄存器312可为易失性或非易失性寄存器，且可包含在存储器控制单元310中(如所说明)，及/或可位于存储器300的一或多个其它组件中。
存储器控制单元310可包含用于执行损耗均衡操作的损耗均衡逻辑315。损耗均衡逻辑315可在硬件、软件或其组合中实施。例如，存储器控制单元310可至少部分使用控制器来实施，且损耗均衡逻辑315可作为可由存储器控制单元310的一或多个处理单元(例如，处理器)执行的一或多个计算机可读指令存储在控制器的非易失性存储器中。
在一些实施例中，存储器控制单元310可进一步经配置以设置寄存器的一或多个状态位。例如，存储器控制单元310可经配置以设置具有指示是否正执行损耗均衡操作的逻辑状态的旗标状态寄存器350的位(例如，具有逻辑状态“1”的旗标状态寄存器350的位)。在另一实例中，存储器控制单元310可经配置以设置指示是否推荐损耗均衡操作的旗标状态寄存器350的位(例如，具有逻辑状态“1”的旗标状态寄存器350的位)。提供到主机110的确认可基于旗标状态寄存器的一或多个位，且因此确认是否推荐主机110提供损耗均衡命令可基于旗标状态寄存器350的位。可由存储器控制单元310基于自从上一次执行损耗均衡操作以来执行的写入命令的数目设置指示推荐损耗均衡操作的旗标状态寄存器350的位。此外或替代地，可基于自从执行损耗均衡操作以来的时间量设置由存储器控制单元310写入的位的逻辑状态。存储器110可响应于读取旗标状态寄存器(RFSR)命令而将指示旗标状态寄存器350的每一位的状态的信息提供到存储器300。
如所述，存储器300可跟踪(例如，计数)指示自从存储器300上一次执行损耗均衡操作以来由存储器300执行的写入操作的次数的全局写入计数，及/或可跟踪指示在与存储器300相关联的阵列(例如，阵列330)的每一块处执行的写入操作的次数的局部写入计数。例如，可使用位于存储器控制单元310中的计数器311跟踪全局写入计数及/或局部写入计数。响应于全局写入计数及/或全局写入计数超过阈值，存储器控制单元310可推荐主机110提供损耗均衡命令。在一些实例中，计数器311可替代地存储在缓冲器320中或存储器300的任何其它组件中。
此外，虽然存储器控制单元310可响应于由主机110提供的命令而执行损耗均衡操作，但是在一些实例中，存储器控制单元310可自动地执行损耗均衡操作。例如，存储器控制单元310可响应于全局写入计数超过阈值而执行损耗均衡操作。导致存储器控制单元310自动地执行损耗均衡操作的全局写入计数阈值可超过导致存储器控制单元310推荐主机110提供损耗均衡命令的全局写入计数阈值。作为实例，10,000次写入操作的全局写入计数可导致存储器控制单元310推荐主机110例如通过设置具有适当逻辑状态的旗标状态寄存器350的位提供损耗均衡命令，且100,000次写入操作的全局写入操作可导致存储器控制单元自动地执行损耗均衡操作。作为另一实例，存储器310可响应于局部写入计数超过阈值而执行损耗均衡操作。导致存储器控制单元310自动地执行损耗均衡操作的局部写入计数阈值可超过导致存储器控制单元310推荐主机110提供损耗均衡命令的局部写入计数阈值。在其它实例中，存储器控制单元310可不自动执行损耗均衡操作，或存储器控制单元310可经配置以例如基于由主机110提供的控制信号或命令选择性地自动执行损耗均衡操作。
阵列330可包括所属领域中已知的、现在或未来的任何阵列，且如所述可分割成块。阵列330可包含存储器的易失性部分、存储器(例如，PCM存储器)的非易失性部分或其组合。阵列330可包含用于跟踪阵列330在一段时间内的各种属性的数据结构。例如，阵列330可包含地址映射332，其包含规定阵列330的逻辑地址与阵列330的物理地址之间的关系的信息。逻辑地址可与由主机提供到存储器的地址(例如与读取命令及写入命令相关联的地址)有关。作为另一实例，阵列330可包含写入计数映射334，其包含可指示例如在阵列300的寿命期间对阵列330的每一块执行的写入操作的次数的信息。在一些实例中，地址映射332及写入计数映射334可此外或替代地存储在存储器控制单元310中。存储器控制单元310可经配置以读取及/或修改地址映射332及写入计数映射334。
图4是根据本发明的实施例的用于执行损耗均衡操作的方法的流程图400。所述方法可使用存储器控制单元(例如图3的存储器控制单元310)及阵列(例如图3的阵列330)来实施。方法400在本文中参考图5A到5F进行描述，图5A到5F可进一步说明损耗均衡操作期间的块地址映射布置。图5A到5F中的每一者说明地址映射502、物理阵列504、写入计数映射506及地址寄存器508。地址映射502存储逻辑地址502LOG0-LOG7及相关联的物理地址502PHYS0-PHYS7。地址映射502、写入计数映射506及寄存器508可分别用于实施图3的地址映射332、写入计数映射334及地址寄存器312。例如，逻辑地址LOG4对应于在给定时间可指向BLOCK3的物理地址PHYS4，BLOCK3的写入计数存储在COUNT3中。
在步骤405处，存储器控制单元310可识别阵列504的最大循环块及备用块。最大循环块可为具有如由写入计数映射506指示的块阵列504中的每一者的最高写入计数的块。备用块可为阵列504中可用作备用损耗均衡块的任何块。备用块可为不存储任何数据的任何块及/或指定为不存储持久数据的块。
参考图5A，识别最大循环块及备用块可包含针对最大循环块及备用块中的每一者识别地址映射502中的逻辑地址及/或物理地址。例如，存储器控制单元310可识别写入计数映射506中的最高计数(写入计数NM)以识别阵列504的最大循环块。在一些实例中，可从指定为可交换的阵列504的块中识别最大循环块。块可例如基于块的“交换写入计数”或自从根据损耗均衡操作块上一次被指派新块地址(例如，逻辑块地址)以来对块执行的写入操作的次数而被指定为可交换的。例如，在至少一个实施例中，当块的交换写入计数超过阈值时，可将块指定为可交换的。每一块的交换写入计数可存储在写入计数映射506及/或一或多个寄存器(未示出)中。
继而，存储器控制单元310可识别地址映射502中与经识别最大循环块相关联的逻辑地址LBAM及物理地址PBAM。类似地，存储器控制单元310可识别备用块且识别与经识别备用块相关联的逻辑地址SPARE及物理地址PBAi。在步骤410处，存储器控制单元310可将逻辑地址LBAM及物理地址PBAM存储在地址寄存器508中。如图5A中说明，最大循环块是BLOCK0且备用块是阵列504的BLOCK6。
参考图5B，在步骤415处，存储器控制单元310可将存储在最大循环块BLOCK0中的数据复制到备用块BLOCK6，且在步骤420处，存储器控制单元310可更新(例如，递增)与备用块BLOCK6相关联的写入计数NS。
参考图5C，在步骤425处，存储器控制单元310可指派存储在地址寄存器508中的地址，具体来说，逻辑地址LBAM及物理地址PBAM。可指派地址使得逻辑地址SPARE与物理地址PBAM相关联且逻辑地址LBAM与物理地址PBAi相关联。以此方式，可相对于图5A的布置切换映射到逻辑地址LBAM、SPARE的物理地址。因此，可将阵列504的最大循环块BLOCK0指派为阵列504的备用块。
在步骤430处，存储器控制单元310可识别最小循环块。最小循环块可为具有如由写入计数映射506指示的阵列504的块BLOCK0到BLOCK7中的每一者的最低写入计数的块。参考图5D，识别最小循环块可包含识别用于最小循环块的逻辑地址及/或物理地址。例如，存储器控制单元310可识别写入计数映射506中的最低计数(写入计数Nm)以识别阵列504的最小循环块。BLOCK3在图5D中被识别为阵列504的最小循环块。继而，存储器控制单元310可识别地址映射502中与经识别最小循环块相关联的逻辑地址LBAm及物理地址PBAm。在步骤435处，存储器控制单元310可将逻辑地址LBAm及物理地址PBAm存储在地址寄存器508中。
参考图5E，在步骤440处，存储器控制单元310可将存储在最小循环块中的数据复制到备用块，且在步骤445处可更新与备用块相关联的写入计数NM。
参考图5F，在步骤450处，存储器控制单元310可指派存储在地址寄存器508中的地址：逻辑地址LBAm及物理地址PABm。可指派地址使得逻辑地址SPARE与物理地址PBAm相关联且逻辑地址LBAm与物理地址PBAM相关联。以此方式，可相对于图5D的布置切换映射到逻辑地址LBAm、SPARE的物理地址。因此，可将阵列504的最小循环块BLOCK3指派为阵列504的备用块。
因此，存储器控制单元310可执行损耗均衡操作使得逻辑地址LBAm可与物理地址PBAM相关联且因此与阵列504的最大循环块相关联。此外，逻辑地址SPARE可与物理地址PBAm相关联且因此与阵列504的最小循环块BLOCK3相关联，且逻辑地址LBAM可与物理地址PBAi相关联且因此变为阵列504的备用块。以此方式指派地址可(例如)将写入操作更均匀地分布在阵列504的块BLOCK0到BLOCK7之间，且由此提供阵列504的延长操作。
虽然已经将方法400描述为包含特定次序的特定步骤，但是在一些实例中，可以任何次序执行方法400的步骤且所述步骤可进一步包含额外步骤及/或省略一或多个所述步骤。在一些实例中，例如，可同时识别最大及最小循环块，且可同时将最大及最小循环块的逻辑及/或物理地址存储在地址寄存器508中。
根据前文将明白，虽然本文中是为了说明目的描述了本发明的特定实施例，但是在不脱离本发明的精神及范围的情况下可作出各种修改。因此，除受所附权利要求书限制之外，本发明不受其它限制。

Claims (37)

1.一种设备，其包括：
存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作，所述存储器进一步经配置以响应于全局写入计数或局部写入计数中的至少一者超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述全局写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
主机，其耦合到所述存储器，且经配置以响应于所述存储器推荐提供损耗均衡命令到所述存储器而提供所述损耗均衡命令。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以使用确认推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述存储器经配置以响应于存储器命令而提供所述确认。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器经配置以根据静态损耗均衡、动态损耗均衡或其组合执行所述损耗均衡操作。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述阈值是第一阈值，且其中所述存储器进一步经配置以响应于所述全局写入计数超过大于或等于所述第一阈值的第二阈值而自动地执行损耗均衡操作。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以在所述存储器正执行所述损耗均衡操作时将旗标状态寄存器的位的状态设置为第一状态，且在所述储器未执行所述损耗均衡操作时将所述旗标状态寄存器的所述位的所述状态设置为第二状态。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器经配置以使用第一总线接收所述损耗均衡命令且推荐使用第二总线提供损耗均衡命令到所述存储器。
8.一种设备，其包括：
阵列；及
存储器控制单元，其耦合到所述阵列且经配置以接收损耗均衡命令并响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作，所述存储器控制单元进一步经配置以执行所述损耗均衡操作，使得将与所述阵列的最大循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的备用块，且将与所述阵列的最小循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的所述最大循环块。
9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：
旗标状态寄存器，其包含指示所述存储器控制单元是否正执行损耗均衡操作的位，
其中所述存储器控制单元进一步经配置以在所述存储器控制单元正执行所述损耗均衡操作时将所述位置于第一状态中，且在所述存储器控制单元完成所述损耗均衡操作时将所述位置于第二状态中。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器控制单元进一步经配置以响应于读取旗标状态寄存器命令而提供所述位的所述状态。
11.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以响应于全局写入计数超过阈值而自动地执行损耗均衡操作。
12.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以响应于局部写入计数超过阈值而自动地执行损耗均衡操作。
13.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以使用地址映射识别与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻辑地址及与所述阵列的所述最小循环块相关联的所述逻辑地址，
其中所述存储器控制单元包含多个地址寄存器，所述地址寄存器经配置以在所述损耗均衡操作期间存储与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻辑地址及与所述阵列的所述最小循环块相关联的所述逻辑地址。
14.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包括非易失性存储器。
15.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以使用所述阵列的计数映射识别所述阵列的所述最大循环块及所述阵列的所述最小循环块。
16.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以基于全局写入计数选择性地忽略所述损耗均衡命令。
17.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元包含用于执行所述损耗均衡操作的损耗均衡逻辑。
18.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包括：
地址映射，其经配置以将与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻辑地址映射到所述阵列的第一块的物理地址，且将与所述阵列的所述最小循环块相关联的所述逻辑地址映射到所述阵列的第二块的物理地址。
19.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包括：
写入计数映射，其指示在所述阵列的寿命期间对所述阵列的每一块执行的写入操作的次数。
20.一种设备，其包括：
存储器，其经配置以响应于自从执行损耗均衡操作以来执行第一次数的写入操作或自从执行所述损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行第二次数的写入操作中的至少一者而推荐提供所述损耗均衡命令到所述存储器。
21.根据权利要求20所述的设备，其中写入操作的所述第一次数大于写入操作的所述第二次数。
22.根据权利要求20所述的设备，其进一步包括：
主机，其耦合到所述存储器且经配置以响应于所述存储器推荐提供损耗均衡命令到所述存储器而提供所述损耗均衡命令。
23.根据权利要求20所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以使用确认推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述存储器经配置以响应于命令提供所述确认。
24.根据权利要求20所述的设备，其中所述块包括最大循环块。
25.根据权利要求20所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以响应于自从执行损耗均衡操作以来执行第三次数的写入操作或自从执行损耗均衡操作以来对所述存储器的所述块执行第四次数的写入操作中的至少一者而自动地执行所述损耗均衡操作，
其中写入操作的所述第三次数大于写入操作的所述第一次数且写入操作的所述第四次数大于写入操作的所述第二次数。
26.一种方法，其包括：
确定全局写入计数或局部写入计数中的至少一者是否超过阈值，所述全局写入计数指示自从存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数；
接收损耗均衡命令；
如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者不超过所述阈值，那么忽略所述损耗均衡命令；及
如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者超过所述阈值，那么根据所述损耗均衡命令执行损耗均衡操作。
27.根据权利要求26所述的方法，其中接收损耗均衡命令包括：
通过命令和地址总线从主机接收所述损耗均衡命令。
28.根据权利要求26所述的方法，其中根据所述损耗均衡命令执行损耗均衡操作包括：
根据静态损耗均衡、动态损耗均衡或其组合执行所述损耗均衡操作。
29.根据权利要求26所述的方法，其进一步包括：
如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者超过所述阈值，那么推荐提供损耗均衡命令到所述存储器。
30.根据权利要求29所述的方法，其中推荐提供损耗均衡命令到所述存储器包括：
设置所述存储器的旗标状态寄存器的位。
31.根据权利要求26所述的方法，其进一步包括：
响应于存储器命令而提供确认，所述确认指示是否推荐提供损耗均衡命令。
32.一种方法，其包括：
接收损耗均衡命令；及
响应于所述损耗均衡命令而选择性地执行损耗均衡操作，所述损耗均衡操作包含：
识别阵列的最大循环块、最小循环块及备用块；
将所述最小循环块的逻辑地址指派到所述最大循环块的物理地址；
将所述备用块的逻辑地址指派到所述最小循环块的物理地址；及
将所述最大循环块的逻辑地址指派到所述备用块的物理地址。
33.根据权利要求32所述的方法，其中识别阵列的最大循环块、最小循环块及备用块包括：
识别阵列的计数映射的最高写入计数及最低写入计数。
34.根据权利要求32所述的方法，其中响应于所述损耗均衡命令选择性地执行损耗均衡操作包括：
确定全局写入计数是否超过阈值。
35.根据权利要求32所述的方法，其进一步包括：
提供推荐主机提供所述损耗均衡命令的确认。
36.根据权利要求32所述的方法，其中将地址映射的逻辑地址指派到所述地址映射的物理地址，所述地址映射存储在阵列的非易失性存储器中。
37.根据权利要求32所述的方法，其中识别阵列的最大循环块、最小循环块及备用块包含从指定为可交换的多个块中识别所述最大循环块。
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