JP2011129192A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリブロックと異なる消去単位であり、記憶されたデータを消去するメモリブロックのアドレス値を表すアドレス情報と、該メモリブロックの消去動作の状態を表すフラグ情報とを関連付けて記憶する情報格納手段と、メモリブロックに対して消去動作を行う前に、消去動作を行うメモリブロックのアドレス値をアドレス情報に設定するとともに、該アドレス値に関連付けられたフラグ情報に第1の値を設定し、メモリブロックに対する消去動作が完了した後に、該メモリブロックのアドレス値に関連付けられたフラグ情報に第1の値と異なる第2の値を設定する設定手段と、フラグ情報に基づいて、メモリブロックの消去動作が正常に完了したか否かを判定する判定手段と、を備える。
【選択図】図1
Description
10・・・消去ブロック(メモリブロック)
11・・・データ格納領域
12・・・管理領域
20・・・消去フラグ格納ブロック(情報格納手段)
21・・・消去動作データ領域
30・・・消去フラグ判定回路(判定手段)
40・・・書き込み・消去制御回路(設定手段)
50・・・書き込み・消去用電圧生成回路(設定手段)
Claims (5)
- 複数のメモリセルの領域で構成され、データを記憶するメモリブロックのそれぞれに、前記メモリブロックの消去回数を含む管理情報を格納し、前記管理情報を制御することによって、前記メモリブロックの消去回数を均等化するウェアレベリング処理を行うウェアレベリング手段と前記メモリブロックとを同一チップ内に備えた半導体記憶装置において、
複数のメモリセルの領域で構成され、前記メモリブロックと異なる消去単位であり、記憶されたデータを消去する前記メモリブロックのアドレス値を表すアドレス情報と、該メモリブロックの消去動作の状態を表すフラグ情報とを関連付けて記憶する情報格納手段と、
前記メモリブロックに対して消去動作を行う前に、消去動作を行う前記メモリブロックのアドレス値を前記アドレス情報に設定するとともに、該アドレス値に関連付けられた前記フラグ情報に第1の値を設定し、前記メモリブロックに対する消去動作が完了した後に、該メモリブロックのアドレス値に関連付けられた前記フラグ情報に前記第1の値と異なる第2の値を設定する設定手段と、
前記フラグ情報に基づいて、前記メモリブロックの消去動作が正常に完了したか否かを判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記設定手段は、
前記情報格納手段に対する書き込み動作のみによって、消去動作を行う前記メモリブロックの前記アドレス情報を設定し、前記メモリブロックの消去動作に応じた前記フラグ情報を設定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記判定手段は、
前記メモリブロックに対して消去動作を行う前に、前記フラグ情報に基づいて、前回までの前記メモリブロックの消去動作が正常に完了したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記判定手段は、
該半導体記憶装置に電源が投入された後に、前記フラグ情報に基づいて、前回、該半導体記憶装置に電源が供給されていたときの前記メモリブロックの消去動作が正常に完了したか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1の項に記載の半導体記憶装置。 - 前記情報格納手段に設定する前記フラグ情報は2ビットの情報であり、
前記メモリブロックに対して消去動作を行う前に、予め定められた一方のビットに、予め定められた値を書き込み、前記メモリブロックに対する消去動作が完了した後に、予め定められた他方のビットに、予め定められた値を書き込むことによって、前記メモリブロックが消去動作中であるか否かを表す、
ことを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1の項に記載の半導体記憶装置。
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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