CN106392886A - 磨削装置 - Google Patents

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Abstract

提供磨削装置。磨削装置(1)包含:超声波清洗水提供单元(9),其对磨削单元(7)所具有的磨削磨具(740)的磨削面(740a)喷射传播有超声波的清洗水;电流值测定部(14),其测定主轴电动机(72)的电流值;开/关单元(16),其根据电流值测定部(14)所测定的电流值切换超声波的振荡的开/关,开/关单元(16)对在磨削单元(7)所进行的磨削中变化的由电流值测定部(14)测定的主轴电动机(72)的电流值设定上限值和下限值,在电流值的上限值与下限值之间通过开/关单元(16)对来自超声波清洗水提供单元(9)所具有的高频电源(91)的高频电力的提供进行切换而进行磨削。

Description

磨削装置
技术领域
本发明涉及磨削装置,能够将磨削磨具抵接于晶片进行磨削。
背景技术
作为半导体晶片、蓝宝石、SiC、钽酸锂(LiTaO3)、玻璃等各种被加工物,在借助磨削装置磨削而形成为规定的厚度之后,借助切削装置等而被分割成各个器件等,并被利用于各种电子设备等。作为该磨削所使用的磨削装置,能够通过使进行旋转的磨削磨具的磨削面与作为被加工物的晶片抵接而进行晶片的磨削。这里,当进行该磨削时,在磨削磨具的磨削面上会产生因磨削屑等导致的堵塞或钝化而导致磨削磨具的磨削力降低。并且,在被加工物为所谓的难磨削材料的情况下,会特别多地发生磨削磨具的堵塞或钝化。作为难磨削材料,有蓝宝石或SiC那样的硬质材料和钽酸锂(LiTaO3)或玻璃那样的软质材料。例如,当通过由具有很多气孔的陶瓷结合剂形成的磨削磨具对软质材料的钽酸锂进行磨削时,磨削屑会进入气孔内而产生堵塞或钝化。因此,为了防止因堵塞等导致的磨削磨具的磨削力的降低,已有如下的方法:在被加工物的磨削中将修整板推抵于磨削磨具的磨削面,在磨削的同时对磨削磨具的磨削面进行修整(例如,参照专利文献1)。
然而,在将修整板推抵于磨削磨具而进行修整的情况下,由于修整板会磨耗,所以产生了定期更换修整板的需要。因此,作为不使用修整板而维持磨削磨具的磨削力的方法,已有在被加工物的磨削中对磨削磨具的磨削面喷射由高压水或两个流体等构成的清洗水而进行清洗的方法,进而,本申请人对以下的磨削装置进行了专利申请:从超声波喷嘴对清洗水传播超声波而使清洗水超声波振动,由此,不仅将堵塞在磨削磨具的表面上的磨削屑去除,还将因磨削磨具的钝化而从磨具表面陷入磨具内部的磨削屑去除,从而维持了磨削磨具的磨削力(例如,日本特愿2014-084198号)。
专利文献1:日本特开2011-189456号公报
然而,在使用上述日本特愿2014-084198号所记载的磨削装置对晶片实施磨削加工的情况下,确认了如下的现象:当在磨削中仅从超声波振荡部持续地振荡出超声波并使超声波在清洗水中持续地传播时,磨削磨具的磨削力会降低。因此,在使用对磨削磨具的磨削面喷射传播有超声波的清洗水而对磨削面进行清洗的磨削装置对晶片进行磨削的情况下,存在如下的课题:维持较高的磨削力,而以多张连续的方式高效地对晶片进行磨削。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磨削装置,在使用对磨削磨具的磨削面喷射传播了超声波的清洗水而对磨削面进行清洗的磨削装置对晶片进行磨削的情况下,维持较高的磨削力。
用于解决上述课题的本发明是磨削装置,该磨削装置具有:保持工作台,其对晶片进行保持;磨削单元,其具有使主轴旋转的主轴电动机,该主轴将磨削磨轮安装为能够旋转,在该磨削磨轮上呈环状地配设有对保持在该保持工作台上的晶片进行磨削的磨削磨具;以及磨削水提供单元,其对该磨削磨具和晶片提供磨削水,其中,该磨削装置包含:超声波清洗水提供单元,其区别于该磨削水提供单元而对该磨削磨具的与晶片接触的磨削面喷射传播有超声波的清洗水;电流值测定部,其对该主轴电动机的电流值进行测定;以及开/关单元,其根据该电流值测定部所测定的该主轴电动机的电流值对超声波的振荡的开与关进行切换,该超声波清洗水提供单元具有:超声波喷嘴,其具有对该磨削面喷射该清洗水的喷射口和振荡出超声波的超声波振荡部;以及高频电源,其对该超声波振荡部提供高频电力,对该开/关单元设定有在该磨削单元所进行的磨削中发生变化的、由该电流值测定部测定的该主轴电动机的该电流值的上限值和下限值,当从该高频电源提供高频电力而一边对该磨削面喷射传播有超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值上升至该上限值,则停止来自该高频电源的高频电力的提供而对该磨削面提供未传播超声波的清洗水,当停止来自该高频电源的高频电力的提供而一边对该磨削面喷射未传播超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值下降至该下限值,则从该高频电源提供高频电力而对该磨削面提供传播有超声波的清洗水,在该电流值测定部所测定的该主轴电动机的该电流值的该上限值与该下限值之间利用开/关单元对来自该高频电源的高频电力的提供进行切换而进行磨削。
本发明的磨削装置包含:超声波清洗水提供单元,其区别于该磨削水提供单元而对该磨削磨具的与晶片接触的磨削面喷射传播有超声波的清洗水;电流值测定部,其对该主轴电动机的电流值进行测定;以及开/关单元,其根据该电流值测定部所测定的该主轴电动机的电流值对超声波的振荡的开与关进行切换,该超声波清洗水提供单元具有:超声波喷嘴,其具有对该磨削面喷射该清洗水的喷射口和振荡出超声波的超声波振荡部;以及高频电源,其对该超声波振荡部提供高频电力,对该开/关单元设定有在该磨削单元所进行的磨削中发生变化的、由该电流值测定部测定的该主轴电动机的该电流值的上限值和下限值,当从该高频电源提供高频电力而一边对该磨削面喷射传播有超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值上升至该上限值,则停止来自该高频电源的高频电力的提供而对该磨削面提供未传播超声波的清洗水,当停止来自该高频电源的高频电力的提供而一边对该磨削面喷射未传播超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值下降至该下限值,则从该高频电源提供高频电力而对该磨削面提供传播有超声波的清洗水,在该电流值测定部所测定的该主轴电动机的该电流值的该上限值与该下限值之间利用开/关单元对来自该高频电源的高频电力的提供进行切换而进行磨削。这样,在磨削加工中,通过电流值测定部对主轴电动机的电流值进行监视,根据主轴电动机的电流值利用开/关单元对来自超声波振荡部的超声波的振荡与停止进行切换,由此,从超声波振荡部振荡出的超声波借助从超声波喷嘴喷射的清洗水间歇地传播到磨削磨具的磨削面而对磨削面进行修整,由此,能够将磨削磨具的磨削力维持为一定的水平,能够连续地高效率地对多张晶片进行磨削。
附图说明
图1是示出磨削装置的一例的立体图。
图2是示出通过磨削磨轮对保持在保持工作台上的晶片进行磨削的状态的侧视图。
图3是示出比较例1中的主轴电动机的电流值的图表,该比较例1中,不使开/关单元进行动作而一边进行来自高频电源的高频电力的提供并持续振荡出超声波一边进行磨削加工。
图4是示出比较例2中的主轴电动机的电流值的图表,该比较例2中,不使开/关单元进行动作而进行来自高频电源的高频电力的提供并进行超声波的振荡的停止和再次开始而进行磨削加工。
图5是示出实施例1中的主轴电动机的电流值的图表,该实施例1中,使开/关单元进行动作而在主轴电动机的电流值的上限值与下限值之间对来自高频电源的高频电力的提供进行切换而进行磨削加工。
标号说明
1:磨削装置;10:基座;11:柱;14:电流值测定部;16:开/关单元;30:保持工作台;300:吸附部;300a:保持面;301:框体;31:旋转单元;5:磨削进给单元;50:滚珠丝杠;51:导轨;52:电动机;53:升降板;54:保持器;7:磨削单元;70:主轴;70a:流路;70b:流路;72:主轴电动机;73:安装座;74:磨削磨轮;740:磨削磨具;740a:磨削面;741:磨轮基台;8:磨削水提供单元;80:磨削水提供源;81:配管;9:超声波清洗水提供单元;90:超声波喷嘴;900:喷射口;901:超声波振荡部;91:高频电源;910:导电线;92:清洗水提供源;920:配管;W:晶片;Wa:晶片的正面;Wb:晶片的背面;T:保护带;A:装拆区域;B:磨削区域。
具体实施方式
图1所示的磨削装置1是通过磨削单元7对保持在保持工作台30上的晶片W进行磨削的装置。磨削装置1的基座10上的前方(-Y方向侧)是通过未图示的搬送单元来进行晶片W相对于保持工作台30的装拆的区域即装拆区域A,基座10上的后方(+Y方向侧)是通过磨削单元7来进行保持在保持工作台30上的晶片W的磨削的区域即磨削区域B。
在磨削区域B中竖立设置有柱11,在柱11的侧面配设有磨削进给单元5。磨削进给单元5包含:滚珠丝杠50,其具有铅直方向(Z轴方向)的轴心;一对导轨51,其与滚珠丝杠50平行配设;电动机52,其与滚珠丝杠50的上端连结并使滚珠丝杠50转动;升降板53,其内部的螺母与滚珠丝杠50螺合且侧部与导轨51滑动连接;以及保持器54,其与升降板53连结并对磨削单元7进行保持,当电动机52使滚珠丝杠50转动时,与此相伴升降板53被导轨51引导而在Z轴方向上往复移动,保持在保持器54上的磨削单元7在Z轴方向上进行磨削进给。
关于保持工作台30,例如其外形为圆形状,具有:吸附部300,其由多孔部件等构成并对晶片W进行吸附;以及框体301,其对吸附部300进行支承。吸附部300与未图示的吸引源连通,吸引源进行吸引而产生的吸引力被传递到吸附部300的露出面即以与框体301的上表面成为一个面的方式形成的保持面300a,由此,保持工作台30将晶片W吸引保持在保持面300a上。并且,保持工作台30能够借助配设在保持工作台30的底面侧的旋转单元31(在图1中未图示)驱动而旋转,且能够借助配设在保持工作台30的底面侧的未图示的Y轴方向进给单元而在装拆区域A与磨削区域B之间在Y轴方向上往复移动。
磨削单元7具有:主轴70,其轴向为铅直方向(Z轴方向);主轴外壳71,其将主轴70支承为能够旋转;主轴电动机72,其对主轴70进行旋转驱动;圆形状的安装座73,其与主轴70的下端连接;以及磨削磨轮74,其以能够装拆的方式安装在安装座73的下表面上。并且,磨削磨轮74具有磨轮基台741和在磨轮基台741的底面呈环状配设的大致长方体形状的多个磨削磨具740。关于磨削磨具740,例如通过作为结合材料的有气孔类型的陶瓷结合剂将金刚石磨粒等固定而成形。另外,磨削磨具740的形状也可以是呈环状形成为一体的形状,构成磨削磨具740的结合材料也不限于陶瓷结合剂,也可以是树脂结合剂或者金属结合剂等。
如图2所示,在主轴70的内部,作为磨削水的通道的流路70a在主轴70的轴向(Z轴方向)上贯通而形成,流路70a还穿过安装座73而与形成在磨轮基台741上的流路70b连通。流路70b在磨轮基台741的内部,在与主轴70的轴向垂直的方向上,隔开一定的间隔配设在磨轮基台741的周向上,在磨轮基台741的底面上开口以便能够朝向磨削磨具740喷出磨削水。
磨削水提供单元8例如包含:作为水源的磨削水提供源80,其由泵等构成;配管81,其与磨削水提供源80连接并与主轴70内部的流路70a连通。
如图1所示,电流值测定部14与主轴电动机72连接。电流值测定部14对根据因磨削磨轮74所进行的对晶片进行磨削时产生的磨削负荷而变化的电流值进行测定,即,对用于进行与磨削磨轮74连接的主轴70的旋转驱动的主轴电动机72的电流值进行测定。并且,电流值测定部14与开/关单元16连接,该开/关单元16根据电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值对超声波的振荡的开与关进行切换。
图1所示的超声波清洗水提供单元9具有:超声波喷嘴90,其具有主要对磨削磨具740的磨削面740a喷射清洗水的喷射口900和振荡出超声波的超声波振荡部901;以及高频电源91,其对超声波振荡部901提供高频电力。超声波喷嘴90的配设位置例如是位于磨削区域B内的与保持工作台30相邻的位置,且是位于磨削磨轮74的下方的位置,以超声波喷嘴90的前端即喷射口900相对于磨削中的磨削磨具740的磨削面740a对置的方式配设。另外,超声波喷嘴90例如也可以配设为通过未图示的Z轴方向移动单元能够在Z轴方向上移动。并且,超声波喷嘴90与配管920连接,该配管920由泵等构成并与提供清洗水的清洗水提供源92连通。
对超声波振荡部901提供高频电力的高频电源91经由导电线910与配设在超声波喷嘴90的内部的超声波振荡部901连接。关于超声波振荡部901,当从高频电源91提供规定的高频电力时,超声波振荡部901所具有的未图示的振动元件将高频电力转换成机械振动从而振荡出超声波。并且,振荡出的超声波在超声波喷嘴90的内部对清洗水传播,该清洗水是从清洗水提供源92提供并通过配管920而输送到超声波喷嘴90的内部的清洗水。传播了超声波的清洗水L从喷射口900例如朝向+Z方向喷射而与磨削磨具740的磨削面740a接触。
以下,使用图1~5来说明在通过磨削装置1对图1所示的晶片W连续地磨削多张的情况下的磨削装置1的动作和磨削方法。
图1所示的晶片W例如是在由钽酸锂(LiTaO3)形成的直径为6英寸的基板上配设有SAW器件等的晶片。例如,在晶片W的正面Wa上配设有未图示的SAW器件等,在实施磨削加工时在晶片W的正面Wa上粘接保护带T而成为被保护的状态,通过磨削磨轮74对晶片W的背面Wb进行磨削。另外,晶片W的形状和种类并不限定于由钽酸锂形成的晶片,能够根据与磨削磨具740的种类等的关系而适当变更,可以是由玻璃那样的软质材料形成的晶片,也可以是由SiC或者蓝宝石那样的硬质材料形成的晶片。
在晶片W的磨削中,首先,在图1所示的装拆区域A内,通过未图示的搬送单元将粘接有保护带T的晶片W搬送到保持工作台30上。并且,在使晶片W的保护带T侧与保持工作台30的保持面300a对置而进行了对位之后,将晶片W载置到保持面300a上以使晶片的背面Wb朝向上侧。并且,对保持面300a传递由与保持工作台30连接的未图示的吸引源所产生的吸引力,由此,保持工作台30将晶片W吸引保持在保持面300a上。
接着,保持了晶片W的保持工作台30通过未图示的Y轴方向进给单元从装拆区域A沿着+Y方向移动直至磨削区域B内的磨削单元7的下方,进行磨削单元7所具有的磨削磨轮74与晶片W的对位。对位是通过以下方式进行的:例如,如图2所示,磨削磨轮74的旋转中心相对于保持工作台30的旋转中心按照规定的距离在+Y方向上错开,磨削磨具740的旋转轨迹穿过保持工作台30的旋转中心。并且,在从磨削磨轮74的旋转中心向-Y方向的区域内,磨削磨具740的磨削面740a成为与晶片W的背面Wb对置的状态。并且,在从磨削磨轮74的旋转中心向+Y方向的区域内,磨削磨具740的磨削面740a朝向-Z方向露出,并成为与作为超声波喷嘴90的前端的喷射口900对置的状态。
在进行了磨削单元7所具有的磨削磨轮74与晶片W的对位之后,通过主轴电动机72对主轴70进行旋转驱动,磨削磨轮74随之旋转。并且,通过磨削进给单元5(在图2中未图示)朝向-Z方向输送磨削单元7,磨削单元7所具有的磨削磨轮74朝向-Z方向下降,在从磨削磨轮74的旋转中心向-Y方向的区域内,磨削磨具740抵接于晶片W的背面Wb而进行磨削加工。进而,在磨削中,旋转单元31使保持工作台30旋转,保持在保持面300a上的晶片W也随之旋转,所以磨削磨具740对晶片W的背面Wb的整个面进行磨削加工。并且,在磨削磨具740抵接于晶片W的背面Wb时,磨削水提供单元8通过主轴70中的流路70a对磨削磨具740与晶片W的接触部位提供磨削水,对磨削磨具740与晶片W的背面Wb的接触部位进行冷却。
进而,在磨削中,如图2所示,从高频电源91对超声波振荡部901提供规定的高频电力而从超声波振荡部901振荡出超声波,并且从清洗水提供源92对超声波喷嘴90提供清洗水,由此,超声波在清洗水中传播,从超声波喷嘴90的喷射口900喷射的清洗液L随之进行超声波振动。该超声波振动在清洗液L的喷射方向的规定的范围(例如,从喷射口900起朝向+Z方向宽度10mm左右的范围)内产生。确定超声波喷嘴90的铅直方向(Z轴方向)的位置以使磨削磨具740的磨削面740a定位在该规定的范围的中间区域,由此,即使磨削面740a下降,在磨削中,在从磨削磨轮74的旋转中心向+Y方向的区域内磨削面740a也会被清洗液L清洗而被修整。
上述磨削加工例如按照以下的条件实施。
晶片W的磨削量:15μm
主轴70的转速:1000rpm
保持工作台30的转速:300rpm
磨削进给单元5的磨削进给速度:0.3μm/秒
超声波振荡部901的振动频率:500kHz。
在按照上述条件以规定的磨削量对一张晶片W进行磨削而完成了一张晶片W的磨削之后,通过图1所示的磨削进给单元5使磨削单元7向+Z方向移动而使其从磨削加工完成的晶片W离开,进而通过未图示的Y轴向进给单元使保持工作台30向-Y方向移动而返回到装拆区域A的原来的位置。未图示的搬送单元将返回了装拆区域A的原来的位置的保持工作台30上所载置的实施了磨削加工的晶片W从保持工作台30搬送并收纳到未图示的晶片盒中。接着,未图示的搬送单元将磨削加工前的另一张新的晶片W搬送到保持工作台30上,与上述同样地实施磨削加工。
(比较例1)
在比较例1中,在晶片W的磨削中,不使磨削装置1所具有的开/关单元16进行动作,例如,在通过磨削磨轮74对多张晶片W进行了磨削之后,从超声波振荡部901开始超声波的振荡,之后也不间断地从超声波振荡部901对清洗水L持续地传播超声波,进而继续对多张晶片W进行磨削。
这里,在磨削加工中,当因磨削磨具740的磨削面740a堵塞或钝化造成磨削磨具740的磨削力降低时,磨削加工中的来自晶片W的背面Wb的抵抗增大,主轴电动机72的电流值也随之上升。并且,在开始了来自超声波振荡部901的超声波的振荡之后,当在晶片W的磨削中不间断地从超声波振荡部901对清洗水L持续地传播超声波而继续进行磨削磨具740的磨削面740a的清洗时,产生磨削磨轮74的旋转力的、由电流值测定部14测定的主轴电动机72的电流值如图3所示的图表所示上升。即,确认了磨削磨具740的磨削力降低的现象,从此以后,确认了只要持续振荡出超声波则不存在主轴电动机72的电流值下降的情况。因此,在比较例1中,不能维持磨削磨具740的磨削力,对于连续地磨削多张晶片W而言不合格。另外,在图3所示的图表中,在纵轴上没有示出在通过未图示的搬送单元对晶片W进行更换时因磨削磨轮74的空转而导致的电流值的降低,并且,在横轴上示出了在通过磨削磨具740连续地磨削多张晶片W之后,继续对清洗液L传播超声波并对磨削面740a进行清洗而进行了修整后的情况。
(比较例2)
在比较例2中,在晶片W的磨削中,不使磨削装置1所具有的开/关单元16进行动作,不进行来自超声波振荡部901的超声波的振荡。首先,与比较例1中的情况同样,在通过磨削磨轮74连续地磨削了多张晶片W之后,从超声波振荡部901开始超声波的振荡,之后也不间断地持续地从超声波振荡部901对清洗水L传播超声波,进而继续进行多张晶片W的磨削。
并且,继续进行晶片W的磨削,在出现了在比较例1中确认过的主轴电动机72的电流值上升的现象之后,停止来自高频电源91的高频电力的提供,使来自超声波振荡部901的超声波的振荡停止。于是,如在图4所示的图表中所见的那样,确认了主轴电动机72的电流值再次下降、也就是说磨削磨具740的磨削力上升的现象。
然而,之后,当在使来自超声波振荡部901的超声波的振荡停止的状态下进一步地继续对多张晶片W进行磨削时,确认了主轴电动机72的电流值再次上升、也就是说磨削磨具740的磨削力下降的现象。并且,在主轴电动机72的电流值上升了之后,确认了如下的现象:即使再次开始来自高频电源91的高频电力的提供,从超声波振荡部901振荡出超声波而使超声波在清洗水L中传播,主轴电动机72的电流值也不下降,磨削磨具740的磨削力无法上升。因此,在比较例2中,不能维持磨削磨具740的磨削力,对于连续地磨削多张晶片W而言不合格。另外,在图4所示的图表中,在纵轴上没有示出在通过未图示的搬送单元对晶片W进行更换时的因磨削磨轮74的空转而导致的电流值的降低,并且,在横轴上示出了在继续对清洗液L传播超声波并一边对磨削面740a进行清洗而修整一边通过磨削磨具740对多张晶片W进行磨削之后的情况。
(实施例1)
在实施例1中,对在晶片W的磨削中使磨削装置1所具有的开/关单元16进行动作而进行磨削的情况进行说明。
首先,对开/关单元16预先设定在磨削单元7所进行的磨削中发生变化、由电流值测定部14测定的主轴电动机72的电流值的上限值和下限值。
主轴电动机72的电流值的下限值例如是至少比能够在上述比较例2中确认的停止超声波的振荡之后的主轴电动机72的电流值的最低值高的电流值,优选是比该最低值高1A左右的电流值。在本实施例1中,例如,将主轴电动机72的电流值的下限值设定为8.5A。
另一方面,主轴电动机72的电流值的上限值例如设定为9A。主轴电动机72的电流值的上限值例如是以主轴电动机72的电流值的下限值为基础而确定的,优选确定在比主轴电动机72的电流值的下限值大1A左右的范围内。另外,主轴电动机72的电流值的上限值和下限值并不限于本实施例1的情况,能够根据晶片W的形状和种类以及磨削磨具740的种类等而适地当变更。
以下,使用图5的图表,对使预先将主轴电动机72的电流值的上限值设为9A、且将电流值的下限值设为8.5A的开/关单元16进行动作而通过磨削单元7对晶片W进行磨削的情况进行说明。虽然在图5中未图示,但在对多张晶片W进行了磨削之后,从高频电源91对超声波振荡部901提供高频电力,从超声波振荡部901传播超声波,一边对磨削磨具740的磨削面740a喷射伴随着超声波振动的清洗水L一边进行磨削。那样的话,通过对磨削磨具740的磨削面740a提供清洗水L,超声波振动传播至磨削面740a,而将进入到形成磨削磨具740的陶瓷结合剂的气孔中的磨削屑从气孔中刮出。因此,磨削磨具740的磨削抵抗降低,主轴电动机72的电流值下降,也就是说磨削磨具740的磨削力上升。然而,之后,当从超声波振荡部901持续振荡出超声波时,如图5所示,主轴电动机72的电流值上升。
并且,例如,如图5的图表所示,在电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值上升到上限值即9A的时点,开/关单元16进行动作而停止来自高频电源91的高频电力的提供。那样的话,停止来自超声波振荡部901的超声波的振荡,对磨削磨具740的磨削面740a提供未传播超声波的清洗水L。
当通过开/关单元16停止来自高频电源91的高频电力的提供并一边对磨削磨具740的磨削面740a喷射未传播超声波的清洗水L一边进行磨削时,如图5的图表所示,电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值下降到下限值即8.5A。在该时点,开/关单元16再次开始来自高频电源91的高频电力的提供而再次开始来自超声波振荡部901的超声波的振荡,对磨削磨具740的磨削面740a提供传播了超声波的清洗水L。
这样,当借助对磨削磨具740的磨削面740a提供的清洗水L而再次开始超声波的传播时,如图5的图表所示,电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值再次上升。并且,在电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值上升到上限值即9A的时点,开/关单元16停止来自高频电源91的高频电力的提供,停止来自超声波振荡部901的超声波的振荡。那样的话,对磨削磨具740的磨削面740a提供未传播超声波的清洗水L。这样,开/关单元16一边对超声波的振荡进行控制以使主轴电动机72的电流值成为上限值与下限值之间的值,一边继续进行磨削。
另外,当开/关单元16对来自高频电源91的高频电力的提供进行切换时,优选在进行开/关的切换的同时也进行晶片W的更换。即,例如,优选在总是使来自高频电源91的高频电力的提供为开(或者关)的状态下,以规定的磨削量对一张晶片W进行磨削而进行磨削加工。
这样,如实施例1中所示的那样,磨削装置1使开/关单元16进行动作,在磨削加工中,利用开/关单元16在电流值测定部14所测定的主轴电动机72的电流值的上限值与下限值之间对来自高频电源91的高频电力的提供进行切换,并间歇地从超声波振荡部901振荡出超声波,使超声波在清洗水L中传播,由此,能够将磨削磨具740的磨削力保持在一定的范围内,能够连续地磨削多张晶片W。

Claims (1)

1.一种磨削装置,该磨削装置具有:
保持工作台,其对晶片进行保持;
磨削单元,其具有使主轴旋转的主轴电动机,该主轴将磨削磨轮安装为能够旋转,在该磨削磨轮上呈环状地配设有对保持在该保持工作台上的晶片进行磨削的磨削磨具;以及
磨削水提供单元,其对该磨削磨具和晶片提供磨削水,
其中,
该磨削装置包含:
超声波清洗水提供单元,其区别于该磨削水提供单元而对该磨削磨具的与晶片接触的磨削面喷射传播有超声波的清洗水;
电流值测定部,其对该主轴电动机的电流值进行测定;以及
开/关单元,其根据该电流值测定部所测定的该主轴电动机的电流值对超声波的振荡的开与关进行切换,
该超声波清洗水提供单元具有:
超声波喷嘴,其具有对该磨削面喷射该清洗水的喷射口和振荡出超声波的超声波振荡部;以及
高频电源,其对该超声波振荡部提供高频电力,
对该开/关单元设定有在该磨削单元所进行的磨削中发生变化的、由该电流值测定部测定的该主轴电动机的该电流值的上限值和下限值,
当从该高频电源提供高频电力而一边对该磨削面喷射传播有超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值上升至该上限值,则停止来自该高频电源的高频电力的提供而对该磨削面提供未传播超声波的清洗水,
当停止来自该高频电源的高频电力的提供而一边对该磨削面喷射未传播超声波的清洗水一边进行磨削时,如果该电流值测定部所测定的该电流值下降至该下限值,则从该高频电源提供高频电力而对该磨削面提供传播有超声波的清洗水,
在该电流值测定部所测定的该主轴电动机的该电流值的该上限值与该下限值之间利用开/关单元对来自该高频电源的高频电力的提供进行切换而进行磨削。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110125792A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 株式会社迪思科 磨削装置
CN110340800A (zh) * 2018-04-05 2019-10-18 株式会社迪思科 研磨装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
JP6506797B2 (ja) * 2017-06-09 2019-04-24 Towa株式会社 研削装置および研削方法
JP7299773B2 (ja) * 2019-07-09 2023-06-28 株式会社ディスコ 研削装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001328069A (ja) * 2000-05-24 2001-11-27 Ebara Corp 研磨装置のドレッサー洗浄方法及び装置
US6780088B1 (en) * 1999-10-14 2004-08-24 Sony Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and a method of chemical mechanical polishing using the same
CN1537324A (zh) * 2002-02-20 2004-10-13 株式会社荏原制作所 抛光方法及装置
CN101121237A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 株式会社迪思科 晶片磨削装置
CN101407035A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 株式会社迪思科 晶片的磨削方法
CN101934491A (zh) * 2004-11-01 2011-01-05 株式会社荏原制作所 抛光设备
CN102166731A (zh) * 2010-02-23 2011-08-31 株式会社迪思科 磨削装置
CN102873639A (zh) * 2011-07-12 2013-01-16 宋健民 化学机械研磨垫的双重修整系统及相关方法
CN103846781A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 不二越机械工业株式会社 晶圆研磨设备
CN103921213A (zh) * 2014-03-14 2014-07-16 河南理工大学 多点超声波振动cbn砂轮修整装置
CN104332397A (zh) * 2013-07-22 2015-02-04 株式会社迪思科 磨削装置
CN104440559A (zh) * 2014-11-24 2015-03-25 河南理工大学 一种超硬磨料砂轮超声激光复合修整装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (ja) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd 研削砥石のドレツシング方法
JPH0577161A (ja) * 1991-03-13 1993-03-30 Mitsubishi Materials Corp 研削盤のドレツシング装置
JP3305732B2 (ja) * 1991-05-28 2002-07-24 日立ビアメカニクス株式会社 平面研削盤の制御方法
JPH0557610A (ja) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd 研削加工方法
DE69306049T2 (de) * 1992-06-19 1997-03-13 Rikagaku Kenkyusho Vorrichtung zum Schleifen von Spiegeloberfläche
JP2000117630A (ja) * 1998-10-12 2000-04-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置のドレッシング工具及びそのドレッシング工具を用いたウェーハ面取り装置のドレッシング機構
JP2001096461A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石の目立て方法及び目立て装置
TW492065B (en) * 2001-07-20 2002-06-21 United Microelectronics Corp Structure of polishing pad conditioner and method of use
JP2006281341A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研削装置
US20070128995A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Disco Corporation Polishing grindstone and method for producing same
JP5165458B2 (ja) * 2008-05-23 2013-03-21 オリンパス株式会社 芯取加工方法および芯取加工装置
KR101616595B1 (ko) * 2009-06-04 2016-04-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 판 형상체의 연마 방법
JP2011189456A (ja) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp 研削装置及び研削方法
JP5856433B2 (ja) * 2011-10-21 2016-02-09 株式会社ディスコ サファイア基板の研削方法
JP2013123792A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び研削装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780088B1 (en) * 1999-10-14 2004-08-24 Sony Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and a method of chemical mechanical polishing using the same
JP2001328069A (ja) * 2000-05-24 2001-11-27 Ebara Corp 研磨装置のドレッサー洗浄方法及び装置
CN1537324A (zh) * 2002-02-20 2004-10-13 株式会社荏原制作所 抛光方法及装置
CN101934491A (zh) * 2004-11-01 2011-01-05 株式会社荏原制作所 抛光设备
CN101121237A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 株式会社迪思科 晶片磨削装置
CN101407035A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 株式会社迪思科 晶片的磨削方法
CN102166731A (zh) * 2010-02-23 2011-08-31 株式会社迪思科 磨削装置
CN102873639A (zh) * 2011-07-12 2013-01-16 宋健民 化学机械研磨垫的双重修整系统及相关方法
CN103846781A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 不二越机械工业株式会社 晶圆研磨设备
CN104332397A (zh) * 2013-07-22 2015-02-04 株式会社迪思科 磨削装置
CN103921213A (zh) * 2014-03-14 2014-07-16 河南理工大学 多点超声波振动cbn砂轮修整装置
CN104440559A (zh) * 2014-11-24 2015-03-25 河南理工大学 一种超硬磨料砂轮超声激光复合修整装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110125792A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 株式会社迪思科 磨削装置
CN110125792B (zh) * 2018-02-08 2023-03-10 株式会社迪思科 磨削装置
CN110340800A (zh) * 2018-04-05 2019-10-18 株式会社迪思科 研磨装置
CN110340800B (zh) * 2018-04-05 2022-07-12 株式会社迪思科 研磨装置

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Publication number Publication date
KR20170015150A (ko) 2017-02-08
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